JP2574379B2 - 光学的情報記録消去方法 - Google Patents
光学的情報記録消去方法Info
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- JP2574379B2 JP2574379B2 JP63080839A JP8083988A JP2574379B2 JP 2574379 B2 JP2574379 B2 JP 2574379B2 JP 63080839 A JP63080839 A JP 63080839A JP 8083988 A JP8083988 A JP 8083988A JP 2574379 B2 JP2574379 B2 JP 2574379B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、書き換え可能な光学情報記録媒体上に信号
を記録消去する方法、とりわけ信号を重ね書き（オーバ
ーライト）する方法に関する。
を記録消去する方法、とりわけ信号を重ね書き（オーバ
ーライト）する方法に関する。
従来の技術 テルル，セレンをベースとするカルコゲナイドガラス
薄膜等のアモルファス−結晶間の相変化、あるいはInS
b,AgZn薄膜等の結晶−結晶間の相変化を光学情報記録媒
体の記録層に応用し、レーザー光線を用いて微少信号マ
ークを記録，再生，消去，書き換えする、いわゆる相変
化形の光記録技術は公知である。また強磁性体薄膜の磁
化方向を外部磁界の助けを借りながらレーザー光線を用
いて反転させ、これを磁気カー効果によって読み出す、
いわゆる光磁気記録技術もまたすでに公知である。
薄膜等のアモルファス−結晶間の相変化、あるいはInS
b,AgZn薄膜等の結晶−結晶間の相変化を光学情報記録媒
体の記録層に応用し、レーザー光線を用いて微少信号マ
ークを記録，再生，消去，書き換えする、いわゆる相変
化形の光記録技術は公知である。また強磁性体薄膜の磁
化方向を外部磁界の助けを借りながらレーザー光線を用
いて反転させ、これを磁気カー効果によって読み出す、
いわゆる光磁気記録技術もまたすでに公知である。
さらには上述の内、相変化形の記録媒体上に第２図に
示すような記録レベル（ピーク値）と消去レベル（バイ
アス値）の二つのレベルの間でパルス変調されたレーザ
ー光線を照射することで、既に書かれている古い信号を
消去しながら、その上に新しい信号を直接記録していく
方法、いわゆる単一レーザービームによるオーバーライ
ト方法もまた既に公知である（特開昭56−145530）。す
なわち高いレーザーパワーで照射された部位は一旦メル
トしたのち急冷されてアルモファス化する、いっぽう低
いレーザーパワーで照射された部位は融点を越えること
なくガラス化温度付近でアニールされて結晶化する。こ
のプロセスがレーザー光線を照射するまえの状態に拘わ
らず、つまりアモルファスであったか、結晶であったか
には拘わらず生じれば単一のレーザースポットでオーバ
ーライトができることが報告されている。
示すような記録レベル（ピーク値）と消去レベル（バイ
アス値）の二つのレベルの間でパルス変調されたレーザ
ー光線を照射することで、既に書かれている古い信号を
消去しながら、その上に新しい信号を直接記録していく
方法、いわゆる単一レーザービームによるオーバーライ
ト方法もまた既に公知である（特開昭56−145530）。す
なわち高いレーザーパワーで照射された部位は一旦メル
トしたのち急冷されてアルモファス化する、いっぽう低
いレーザーパワーで照射された部位は融点を越えること
なくガラス化温度付近でアニールされて結晶化する。こ
のプロセスがレーザー光線を照射するまえの状態に拘わ
らず、つまりアモルファスであったか、結晶であったか
には拘わらず生じれば単一のレーザースポットでオーバ
ーライトができることが報告されている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、単一レーザースポットでのオーバーラ
イト機能は光学系を簡単に出来る、書き換えのためのア
クセス時間を（もし回転数が同じならば）1/2に短縮出
来る等のメリットを有しているが、一方では記録マーク
の長さがオーバーライトしないで単に記録を行う場合に
比べて長くなってしまうという現象が見られた。
イト機能は光学系を簡単に出来る、書き換えのためのア
クセス時間を（もし回転数が同じならば）1/2に短縮出
来る等のメリットを有しているが、一方では記録マーク
の長さがオーバーライトしないで単に記録を行う場合に
比べて長くなってしまうという現象が見られた。
このことは、記録マークの記録位置にジッターが発生
しやすいことを意味する。すなわち従来のオーバーライ
ト方法では特にPWM記録方式のように記録マークの立ち
上がり，立ち下がりの位置のいずれもを厳しく決定する
必要のある記録方式にはまだ対応しきれていない。
しやすいことを意味する。すなわち従来のオーバーライ
ト方法では特にPWM記録方式のように記録マークの立ち
上がり，立ち下がりの位置のいずれもを厳しく決定する
必要のある記録方式にはまだ対応しきれていない。
課題を解決するための手段 本発明は、情報信号に対応した周波数の他に、上記情
報信号とは独立に自由に選ぶことの可能な第二の周波数
で同時に照射パワーを変調し、かつその照射光パルスの
デューティーを照射開始部と照射終了部とで変化させて
いる。
報信号とは独立に自由に選ぶことの可能な第二の周波数
で同時に照射パワーを変調し、かつその照射光パルスの
デューティーを照射開始部と照射終了部とで変化させて
いる。
作用 記録周波数に高周波を重畳することで、照射による昇
温−冷却プロファイルを、より精密に制御することがで
きる。つまり上記高周波に対応するパルスのデューティ
ーを記録開始部と記録終了部との間で、さらに消去開始
部と消去終了部との間で変化させることで、記録マーク
を望む場所に望む長さで形成することが容易に行える。
温−冷却プロファイルを、より精密に制御することがで
きる。つまり上記高周波に対応するパルスのデューティ
ーを記録開始部と記録終了部との間で、さらに消去開始
部と消去終了部との間で変化させることで、記録マーク
を望む場所に望む長さで形成することが容易に行える。
実施例 まず、従来方法における問題点を分析し続いて本発明
を説明する。
を説明する。
上記従来法における問題点はいわゆるヒートモード記
録に特有の現象である。すなわちアモルファス−結晶，
結晶−結晶間の相変化を応用した相変化形記録媒体、さ
らには強誘電体薄膜の磁気カー効果を応用した光磁気記
録媒体はいずれも吸収した光がいったん熱に変換され、
この熱によって変態を生じさせている。従って、熱の発
生と拡散のバランスが照射光の照射時間（パルス幅）、
強度等によって異なれば、当然記録マークの大きさも変
わってしまう。
録に特有の現象である。すなわちアモルファス−結晶，
結晶−結晶間の相変化を応用した相変化形記録媒体、さ
らには強誘電体薄膜の磁気カー効果を応用した光磁気記
録媒体はいずれも吸収した光がいったん熱に変換され、
この熱によって変態を生じさせている。従って、熱の発
生と拡散のバランスが照射光の照射時間（パルス幅）、
強度等によって異なれば、当然記録マークの大きさも変
わってしまう。
第３図（ａ）に示すモデルで昇温冷却の時間的変化を
計算した。さらに、実際に記録を行い記録マークの観察
を行った。記録媒体１の構造は通常書き換え型光ディス
クに用いられる構造である。直径130mm,厚さ1.2mmのポ
リカーボネイト基板上に上下各100および200nmのZnS薄
膜でサンドイッチされた厚さ90nmのGeTe薄膜が形成され
ている。その上には基材と同じ板を接着剤を用いて張り
合わせている。ディスクは毎秒22.5mの速度で回転して
いる。トラック２上にパルス光３（バイアス光の無い場
合）または４（バイアス光のある場合）を照射する。ピ
ークパワーは20mW,バイアスパワーは10mWである。また
照射パルス幅は88.8nsesである。パルス光の照射中に記
録媒体は微少距離2.0um移動する。第３図（ｂ）は記録
開始点（照射開始点）および記録終了点（照射終了点）
ならびにその中間点のトラック中心の温度変化の計算結
果である。
計算した。さらに、実際に記録を行い記録マークの観察
を行った。記録媒体１の構造は通常書き換え型光ディス
クに用いられる構造である。直径130mm,厚さ1.2mmのポ
リカーボネイト基板上に上下各100および200nmのZnS薄
膜でサンドイッチされた厚さ90nmのGeTe薄膜が形成され
ている。その上には基材と同じ板を接着剤を用いて張り
合わせている。ディスクは毎秒22.5mの速度で回転して
いる。トラック２上にパルス光３（バイアス光の無い場
合）または４（バイアス光のある場合）を照射する。ピ
ークパワーは20mW,バイアスパワーは10mWである。また
照射パルス幅は88.8nsesである。パルス光の照射中に記
録媒体は微少距離2.0um移動する。第３図（ｂ）は記録
開始点（照射開始点）および記録終了点（照射終了点）
ならびにその中間点のトラック中心の温度変化の計算結
果である。
これより次のことが示された、すなわちバイアスパワ
ーが有る場合は無い場合に比較して 照射開始点での昇温が速く、到達温度が高い。従っ
て、照射開始点より前の部分（バイアス光が当たってい
た部分）をかなり広く溶融させている。
ーが有る場合は無い場合に比較して 照射開始点での昇温が速く、到達温度が高い。従っ
て、照射開始点より前の部分（バイアス光が当たってい
た部分）をかなり広く溶融させている。
照射終了点での冷却速度が遅く長い時間溶融したま
まになっている。従って、照射終了点より後の部分をか
なり広く溶融させている。
まになっている。従って、照射終了点より後の部分をか
なり広く溶融させている。
ただし、中間点では昇温冷却のプロファイルはほと
んど差が無い。
んど差が無い。
ようするに、バイアス光の有る場合には、前後に引き
延ばされた記録マークが形成されること。これを解消す
るために単純にピークパワーを下げると中心部の温度が
低下しマーク幅が減少してしまうことが予想された。
延ばされた記録マークが形成されること。これを解消す
るために単純にピークパワーを下げると中心部の温度が
低下しマーク幅が減少してしまうことが予想された。
第４図は実際にトラック５上に記録したマーク12の形
状を電子顕微鏡を用いて観察した結果である。（ａ）は
バイアス光の無い場合、（ｂ）はバイアス光があり
（ａ）の場合とピークパワーを揃えた場合、（ｃ）はピ
ークパワーを下げた場合である。図中、点６はレーザー
光線７がオフからオンに、またはバイアスレベル10から
ピークレベル９へと切り換わった点を表し、点８は逆に
オンからオフに、またはピークレベルからバイアスレベ
ルへと換わった点を表している。これよりバイアス光の
ある場合にはピークパワーがオンの期間に比較して前後
に長い記録マークが形成されていること、すなわち位置
ぎめが困難なことが分かった。またピークパワーを下げ
た場合には全体に細ったマークしか形成されないことが
確かめられた。
状を電子顕微鏡を用いて観察した結果である。（ａ）は
バイアス光の無い場合、（ｂ）はバイアス光があり
（ａ）の場合とピークパワーを揃えた場合、（ｃ）はピ
ークパワーを下げた場合である。図中、点６はレーザー
光線７がオフからオンに、またはバイアスレベル10から
ピークレベル９へと切り換わった点を表し、点８は逆に
オンからオフに、またはピークレベルからバイアスレベ
ルへと換わった点を表している。これよりバイアス光の
ある場合にはピークパワーがオンの期間に比較して前後
に長い記録マークが形成されていること、すなわち位置
ぎめが困難なことが分かった。またピークパワーを下げ
た場合には全体に細ったマークしか形成されないことが
確かめられた。
第１図に本発明の光学的情報記録消去方法を実施した
ときの照射光の変調波形の例を示す。特徴は以下の１〜
３の通りである。
ときの照射光の変調波形の例を示す。特徴は以下の１〜
３の通りである。
1.レーザーパワーは記録すべき情報信号に対応した周波
数f1でピークレベルP1とバイアスレベルP2の間でパルス
変調される。
数f1でピークレベルP1とバイアスレベルP2の間でパルス
変調される。
2.さらに情報信号とは独立し、上記周波数f1よりも十分
に高い周波数f2が重畳される。従って、レーザーパワー
はピークレベルP1またはバイアスレベルP2と再生光レベ
ルP0の間でパルス変調される。
に高い周波数f2が重畳される。従って、レーザーパワー
はピークレベルP1またはバイアスレベルP2と再生光レベ
ルP0の間でパルス変調される。
3.周波数f2によって生じたパルス列の時間幅（パルスデ
ュレイション）は、上記周波数f1に対応してレーザーパ
ワーが変化した直後において最大であって順次減少して
一定値に収束する。すなわちピークパワーP1からバイア
スパワーP2あるいは逆にバイアスパワーP2からピークパ
ワーP1に変化した直後が最も大きく、また次にバイアス
パワーP2からピークパワーP1あるいはピークパワーP1か
らバイアスパワーP2に復帰する直前において最も小さく
なる。
ュレイション）は、上記周波数f1に対応してレーザーパ
ワーが変化した直後において最大であって順次減少して
一定値に収束する。すなわちピークパワーP1からバイア
スパワーP2あるいは逆にバイアスパワーP2からピークパ
ワーP1に変化した直後が最も大きく、また次にバイアス
パワーP2からピークパワーP1あるいはピークパワーP1か
らバイアスパワーP2に復帰する直前において最も小さく
なる。
この方法によれば以下に示すように記録マークの長さ
を所定の長さに精度良く決定することができる。すなわ
ち、記録時において信号の立ち上がりの位置および立ち
下がりの位置を所定の位置に厳密に決定することが可能
となる。
を所定の長さに精度良く決定することができる。すなわ
ち、記録時において信号の立ち上がりの位置および立ち
下がりの位置を所定の位置に厳密に決定することが可能
となる。
第５図は、第１図に示した本発明の光学的情報記録消
去方法によってオーバーライトを行った場合に、照射終
了部でのトラック上の温度変化を第３図と同じ系を用い
てモデル計算した例である。周波数f2はf1の６倍に、パ
ワーレベルP1はP2の２倍に設定した。また、パルス幅の
デューティーは第一のパルスから順に90％,80％,70％,6
0％,60％,60％に設定した。溶融時間が第３図の例に比
べて短縮され、後部にまで影響を及ぼしにくいことが予
想される。第６図は記録マークの観察結果である。所定
の長さの記録マークが形成されていることが分かる。
去方法によってオーバーライトを行った場合に、照射終
了部でのトラック上の温度変化を第３図と同じ系を用い
てモデル計算した例である。周波数f2はf1の６倍に、パ
ワーレベルP1はP2の２倍に設定した。また、パルス幅の
デューティーは第一のパルスから順に90％,80％,70％,6
0％,60％,60％に設定した。溶融時間が第３図の例に比
べて短縮され、後部にまで影響を及ぼしにくいことが予
想される。第６図は記録マークの観察結果である。所定
の長さの記録マークが形成されていることが分かる。
f2の値はf1に比べて少なくとも２倍，望むらくは４倍
以上である方が昇温が滑らかになり好ましい。また、そ
の際の各パルスの幅は温度分布の勾配を均一にする必要
から、最初は広く序々に狭くなるほうが好ましい。ただ
し、ある一定のパルス照射の後はある温度範囲に保つ必
要からパルス幅も又、一定値に収束する。
以上である方が昇温が滑らかになり好ましい。また、そ
の際の各パルスの幅は温度分布の勾配を均一にする必要
から、最初は広く序々に狭くなるほうが好ましい。ただ
し、ある一定のパルス照射の後はある温度範囲に保つ必
要からパルス幅も又、一定値に収束する。
発明の効果 本発明によって信号品質が高い、すなわち記録マーク
の位置にジッターの少ないオーバーライト方法が実現で
きた。
の位置にジッターの少ないオーバーライト方法が実現で
きた。
第１図は本発明の光学情報記録消去方法に適用されるレ
ーザー光の変調パルス列の様子を示す図、第２図は従来
のオーバーライト方法の変調方法を示す図、第３図は従
来のオーバーライト方法または記録方法によって光を照
射した場合の照射部が受ける時間的温度変化を示す図、
第４図は従来のオーバーライト方法または記録方法によ
って光を照射した場合の形成される記録マークの観察結
果を示した図、第５図は本発明の光学情報記録消去方法
を適用したときの消去率と消去光パワーとの関係を示す
図、第６図は本発明の光学情報記録消去方法を適用した
ときの照射部が受ける時間的温度変化ならびに形成され
る記録マークの形状を観察した結果を示す図である。 Ａ……照射開始部、Ｂ……照射終了部。
ーザー光の変調パルス列の様子を示す図、第２図は従来
のオーバーライト方法の変調方法を示す図、第３図は従
来のオーバーライト方法または記録方法によって光を照
射した場合の照射部が受ける時間的温度変化を示す図、
第４図は従来のオーバーライト方法または記録方法によ
って光を照射した場合の形成される記録マークの観察結
果を示した図、第５図は本発明の光学情報記録消去方法
を適用したときの消去率と消去光パワーとの関係を示す
図、第６図は本発明の光学情報記録消去方法を適用した
ときの照射部が受ける時間的温度変化ならびに形成され
る記録マークの形状を観察した結果を示す図である。 Ａ……照射開始部、Ｂ……照射終了部。
Claims (4)
- 【請求項１】光の強度を、情報信号に対応した周波数f1
でパワーレベルP1とパワーレベルP2（P1＞P2）の間でパ
ルス変調するとともに、情報信号に独立した周波数f2で
パワーレベルP1とパワーレベルP0、およびパワーレベル
P2とパワーレベルP0（P2＞P0）の間でパルス変調し、こ
のとき、パワーレベルP1は光を変調しつつ照射した場合
においても照射部を瞬時溶融させることが可能なパワー
レベルに設定し、かつ、パワーレベルP2は光を無変調で
照射しても照射部を溶融することが不可能なパワーレベ
ルに設定し、上記周波数f2に対応する発光パルス幅が、
照射パワーを上記周波数f1に対応して上記P1からP2へ切
り換えた場合、あるいはP2からP1へ切り換えた場合の少
なくとも何れかの直後において最も長いことを特徴とす
る光学的情報記録消去方法。 - 【請求項２】周波数f2に対応する発光パルス幅が、照射
パワーを上記周波数f1に対応して上記P1からP2へ切り換
える場合、あるいはP2からP1へ切り換える場合の少なく
とも何れかの直前において最も短いことを特徴とする請
求項１記載の光学的情報記録消去方法。 - 【請求項３】周波数f2に対応する発光パルス幅が、一方
向に徐々に変化することを特徴とする請求項１または２
何れかに記載の光学的情報記録消去方法。 - 【請求項４】周波数f2に対応する発光パルス幅が、ある
決まったパルス数の後は一定値に収束することを特徴と
する請求項３記載の光学的情報記録消去方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080839A JP2574379B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光学的情報記録消去方法 |
| EP19890301389 EP0335486B1 (en) | 1988-03-28 | 1989-02-14 | Optical information recording method |
| DE1989616084 DE68916084T2 (de) | 1988-03-28 | 1989-02-14 | Optische Informationsaufzeichnungsmethode. |
| US07/477,199 US5291470A (en) | 1988-03-28 | 1990-02-06 | Optical information recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080839A JP2574379B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 光学的情報記録消去方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8022267A Division JP2924758B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 光学的情報記録消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253828A JPH01253828A (ja) | 1989-10-11 |
| JP2574379B2 true JP2574379B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=13729539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080839A Expired - Lifetime JP2574379B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-31 | 光学的情報記録消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574379B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594620A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-04-16 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え形光情報記録媒体の重ね書き方法 |
| JP3107935B2 (ja) * | 1992-12-22 | 2000-11-13 | シャープ株式会社 | 光記録装置および光再生装置並びに光記録再生装置 |
| JP2674453B2 (ja) * | 1993-01-18 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 光ディスク媒体の記録方法および装置 |
| DE19612823C2 (de) * | 1995-03-31 | 2001-03-01 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| EP1020850B1 (en) * | 1995-10-09 | 2002-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Recording method and recording unit for optical information |
| KR100626100B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2006-12-01 | 소니 가부시끼 가이샤 | 데이터기록장치및데이터기록방법및기록매체 |
| US7525890B2 (en) | 2001-09-29 | 2009-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7376064B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-05-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
| KR100911140B1 (ko) | 2002-06-03 | 2009-08-06 | 삼성전자주식회사 | 광 기록매체에 데이터를 기록하는 방법 및 그 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702942B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1998-01-26 | 日本電信電話株式会社 | 光ディスク記録方法 |
| JP2677325B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1997-11-17 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法 |
| JP2728413B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・再生方法及び装置 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63080839A patent/JP2574379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01253828A (ja) | 1989-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |