JP3277733B2 - 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 - Google Patents
光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置Info
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- JP3277733B2 JP3277733B2 JP31659494A JP31659494A JP3277733B2 JP 3277733 B2 JP3277733 B2 JP 3277733B2 JP 31659494 A JP31659494 A JP 31659494A JP 31659494 A JP31659494 A JP 31659494A JP 3277733 B2 JP3277733 B2 JP 3277733B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線等の光学
的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生する
光ディスクの記録方法及びその記録装置に関するもので
ある。
的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生する
光ディスクの記録方法及びその記録装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光線を利用して高密度な情報の
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光デ
ィスクとして実用化されている。
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光デ
ィスクとして実用化されている。
【０００３】光ディスクは再生専用型、追記型、書き換
え型に大別することができる。再生専用型はコンパクト
ディスクやレーザーディスクとして、また追記型や書き
換え型は文書ファイル、データファイル等として実用化
されている。書き換え型光ディスクの中にはおもに光磁
気と相変化型がある。相変化光ディスクは記録層がレー
ザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（あるい
は結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態変
化を起こすことを利用する。これは、レーザ光照射によ
り薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくともいず
れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光ある
いは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過
光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を
再生する。アモルファスと結晶間で状態変化を起こす材
料としてはＴｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用い
られている。
え型に大別することができる。再生専用型はコンパクト
ディスクやレーザーディスクとして、また追記型や書き
換え型は文書ファイル、データファイル等として実用化
されている。書き換え型光ディスクの中にはおもに光磁
気と相変化型がある。相変化光ディスクは記録層がレー
ザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（あるい
は結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態変
化を起こすことを利用する。これは、レーザ光照射によ
り薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくともいず
れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光ある
いは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過
光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を
再生する。アモルファスと結晶間で状態変化を起こす材
料としてはＴｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用い
られている。
【０００４】相変化光ディスクでは記録マークの書き換
えに１ビームオーバーライトを用いることができる。１
ビームオーバーライトとは記録信号によりレーザーパワ
ーを記録レベルと消去レベルの間で変調して信号トラッ
ク上に照射することにより、既に記録されている古い信
号を消去しながら新しい信号を記録する方法である。記
録レベルで照射された領域は元の状態がアモルファスか
結晶かにかかわらず溶融後冷却されるためアモルファス
となり、消去レベルで照射された領域は結晶化温度以上
に昇温するため元の状態にかかわらず結晶化して、新し
い信号がオーバーライトされる。
えに１ビームオーバーライトを用いることができる。１
ビームオーバーライトとは記録信号によりレーザーパワ
ーを記録レベルと消去レベルの間で変調して信号トラッ
ク上に照射することにより、既に記録されている古い信
号を消去しながら新しい信号を記録する方法である。記
録レベルで照射された領域は元の状態がアモルファスか
結晶かにかかわらず溶融後冷却されるためアモルファス
となり、消去レベルで照射された領域は結晶化温度以上
に昇温するため元の状態にかかわらず結晶化して、新し
い信号がオーバーライトされる。
【０００５】また、一つの記録マークを形成するための
記録波形を複数のパルスからなる記録パルス列で構成
（以下マルチパルス記録）する記録方法が提案されてい
る（例えば、特願平１ー３２３３６９号）。
記録波形を複数のパルスからなる記録パルス列で構成
（以下マルチパルス記録）する記録方法が提案されてい
る（例えば、特願平１ー３２３３６９号）。
【０００６】ところで、光ディスクの記録再生装置では
光ディスクの回転方式は大別して２つある。ディスクの
内外周で線速度が同じになるようにディスクを回転させ
る方法（以下ＣＬＶ）と、ディスクを一定の角速度で回
転させる方法（以下ＣＡＶ）である。例えば、コンピュ
ーター用の外部メモリ等に用いられるデータファイルの
様に高速なアクセスが必要とされる場合にはディスク回
転数を変えるには時間がかかるためＣＡＶが使用されて
おり、この場合、ディスクの周方向の線速度が外周で速
く内周で遅くなる。
光ディスクの回転方式は大別して２つある。ディスクの
内外周で線速度が同じになるようにディスクを回転させ
る方法（以下ＣＬＶ）と、ディスクを一定の角速度で回
転させる方法（以下ＣＡＶ）である。例えば、コンピュ
ーター用の外部メモリ等に用いられるデータファイルの
様に高速なアクセスが必要とされる場合にはディスク回
転数を変えるには時間がかかるためＣＡＶが使用されて
おり、この場合、ディスクの周方向の線速度が外周で速
く内周で遅くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光ディスク装置で半導
体レーザーにより光を照射して物理的状態変化を生じさ
せる場合、例えば書き換え可能な相変化材料を用いた光
ディスクにおいて良好な記録再生特性を得るには、アモ
ルファスの記録マークを安定して形成することと、充分
な消去率を実現することが不可欠である。しかしなが
ら、ＣＡＶモードでは線速度の大きい外周では消去率の
低下がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさ
の記録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が
生じる場合があった。これは外周ほどレーザースポット
が信号トラック上の一点を通過する時間が短くなるため
結晶化が不充分となり消し残りを生じ、逆に内周ほど通
過時間が長くなるため溶融された領域は冷却速度が小さ
いために再結晶化してしまい充分にアモルファス化され
ないためである。上記消し残りやマーク歪等は共に再生
波形の歪やノイズになって再生ジッタの原因となってい
た。この問題点を解決する方法として、我々は、内周よ
り外周ゾーンにおいて結晶化速度を速くする、外周ゾー
ンより内周ゾーンにおける反射層の厚膜化、記録層の薄
膜化および反射層側誘電体層の薄膜化をおこなう等の半
径方向における薄膜構成の異なるゾーンを設けたディス
クを提案する。しかし、より記録再生のマージンの拡大
および安定性をはかるためには、さらなる再生ジッタ低
下をはかる必要がある。
体レーザーにより光を照射して物理的状態変化を生じさ
せる場合、例えば書き換え可能な相変化材料を用いた光
ディスクにおいて良好な記録再生特性を得るには、アモ
ルファスの記録マークを安定して形成することと、充分
な消去率を実現することが不可欠である。しかしなが
ら、ＣＡＶモードでは線速度の大きい外周では消去率の
低下がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさ
の記録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が
生じる場合があった。これは外周ほどレーザースポット
が信号トラック上の一点を通過する時間が短くなるため
結晶化が不充分となり消し残りを生じ、逆に内周ほど通
過時間が長くなるため溶融された領域は冷却速度が小さ
いために再結晶化してしまい充分にアモルファス化され
ないためである。上記消し残りやマーク歪等は共に再生
波形の歪やノイズになって再生ジッタの原因となってい
た。この問題点を解決する方法として、我々は、内周よ
り外周ゾーンにおいて結晶化速度を速くする、外周ゾー
ンより内周ゾーンにおける反射層の厚膜化、記録層の薄
膜化および反射層側誘電体層の薄膜化をおこなう等の半
径方向における薄膜構成の異なるゾーンを設けたディス
クを提案する。しかし、より記録再生のマージンの拡大
および安定性をはかるためには、さらなる再生ジッタ低
下をはかる必要がある。
【０００８】本発明は上記問題点を解決するもので、Ｃ
ＡＶモードでディスクの内外周全面においてアモルファ
スの記録マークを安定して形成することを実現する記録
方法を提供することを目的とする。
ＡＶモードでディスクの内外周全面においてアモルファ
スの記録マークを安定して形成することを実現する記録
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の記録方法は、光照射によってアモルファス相
と結晶相との間で可逆的に相変化を起こす相変化記録層
と、誘電体層と、反射層とが少なくともこの順に基体上
に積層された光ディスクと、記録すべき情報の入力信号
波形をあらかじめ決められた波形補正方法で補正する波
形補正手段と、前記波形補正手段から出力された記録波
形信号に応じてレーザー光を発光させるレーザー駆動手
段と、前記レーザー駆動手段から出力されたレーザー駆
動信号に応じてレーザースポットを前記光ディスクに照
射させるレーザー光照射手段とを用いて、前記光ディス
クを一定の角速度で回転させながらレーザー光を照射し
て前記光ディスク上に記録波形信号に応じた記録マーク
を形成する光学的情報の記録方法であって、前記光ディ
スクにおける相変化記録層・誘電体層・反射層のうち少
なくともいずれか一つの層構成が前記光ディスクの中心
を同心円とする複数のゾーン毎で異なっており、かつ前
記ゾーン毎に前記波形補正手段の波形補正方法を変える
ことを特徴とするものである。
の本発明の記録方法は、光照射によってアモルファス相
と結晶相との間で可逆的に相変化を起こす相変化記録層
と、誘電体層と、反射層とが少なくともこの順に基体上
に積層された光ディスクと、記録すべき情報の入力信号
波形をあらかじめ決められた波形補正方法で補正する波
形補正手段と、前記波形補正手段から出力された記録波
形信号に応じてレーザー光を発光させるレーザー駆動手
段と、前記レーザー駆動手段から出力されたレーザー駆
動信号に応じてレーザースポットを前記光ディスクに照
射させるレーザー光照射手段とを用いて、前記光ディス
クを一定の角速度で回転させながらレーザー光を照射し
て前記光ディスク上に記録波形信号に応じた記録マーク
を形成する光学的情報の記録方法であって、前記光ディ
スクにおける相変化記録層・誘電体層・反射層のうち少
なくともいずれか一つの層構成が前記光ディスクの中心
を同心円とする複数のゾーン毎で異なっており、かつ前
記ゾーン毎に前記波形補正手段の波形補正方法を変える
ことを特徴とするものである。
【００１０】また、前記記録方法を実現する装置とし
て、レーザースポットがどのゾーンに位置するかを検出
して、前記記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案する。
て、レーザースポットがどのゾーンに位置するかを検出
して、前記記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案する。
【００１１】
【作用】ゾーンに応じて記録波形を最適化することで、
内周から外周までマーク歪の少ない記録が可能となる。
内周から外周までマーク歪の少ない記録が可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明を説明する。
【００１３】まず、本実施例で採用した具体的な記録波
形の形状を図１に示す。（ａ）はＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ
ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号
の入力波形の一例である。ＥＦＭ変調は３Ｔから１１Ｔ
の間の９種類の長さの信号の組合せによってデータを変
調するものでここでいうＴとはクロックのことである。
（ｂ）は（ａ）の入力波形を記録する場合の記録波形Ｂ
であり、（ａ）の入力波形より各入力波形で１．５Ｔず
つ先頭部分を削ったものである。（ｃ）は（ａ）の入力
波形を記録する場合の記録波形Ｃであり、（ａ）の入力
波形より各入力波形で１．７５Ｔずつ先頭部分を削った
ものである。（ｄ）は（ａ）の入力波形を記録する場合
のマルチパルス記録波形Ｄであり、短パルス列中の先頭
パルスの幅は１．５Ｔ、後続パルスの幅および間隔はど
ちらも０．５Ｔである。（ｅ）は前記記録波形Ｄより短
パルス列中の先頭パルス幅を１．５Ｔと同じくし後続パ
ルス幅を０．７５Ｔと広くした記録波形Ｅである。
（ｆ）は前記記録波形Ｄより後続パルス列中の最後部の
パルスのみを０．７５Ｔと広くした記録波形Ｆである。
形の形状を図１に示す。（ａ）はＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ
ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号
の入力波形の一例である。ＥＦＭ変調は３Ｔから１１Ｔ
の間の９種類の長さの信号の組合せによってデータを変
調するものでここでいうＴとはクロックのことである。
（ｂ）は（ａ）の入力波形を記録する場合の記録波形Ｂ
であり、（ａ）の入力波形より各入力波形で１．５Ｔず
つ先頭部分を削ったものである。（ｃ）は（ａ）の入力
波形を記録する場合の記録波形Ｃであり、（ａ）の入力
波形より各入力波形で１．７５Ｔずつ先頭部分を削った
ものである。（ｄ）は（ａ）の入力波形を記録する場合
のマルチパルス記録波形Ｄであり、短パルス列中の先頭
パルスの幅は１．５Ｔ、後続パルスの幅および間隔はど
ちらも０．５Ｔである。（ｅ）は前記記録波形Ｄより短
パルス列中の先頭パルス幅を１．５Ｔと同じくし後続パ
ルス幅を０．７５Ｔと広くした記録波形Ｅである。
（ｆ）は前記記録波形Ｄより後続パルス列中の最後部の
パルスのみを０．７５Ｔと広くした記録波形Ｆである。
【００１４】図２をもちいて本実施例で用いたディスク
の構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層は
真空蒸着、またはスパッタリングなどの方法で、透明基
板上に形成する。基板２１上に、第１の誘電体２２、記
録層２３、第２の誘電体層２４、反射層２５を順次設け
る。さらにその上に透明な密着した保護層２６を設け
る。なお、図２ではディスク半径方向の内周ゾーン２７
と外周ゾーン２８の２ゾーン構造であるが、ゾーンが３
つ以上の場合の光ディスクも作成できる。また、反射層
２５や保護層２６のない構造の光ディスクもある。記
録、再生を行うレーザー光は基板２１側から入射させ
る。
の構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層は
真空蒸着、またはスパッタリングなどの方法で、透明基
板上に形成する。基板２１上に、第１の誘電体２２、記
録層２３、第２の誘電体層２４、反射層２５を順次設け
る。さらにその上に透明な密着した保護層２６を設け
る。なお、図２ではディスク半径方向の内周ゾーン２７
と外周ゾーン２８の２ゾーン構造であるが、ゾーンが３
つ以上の場合の光ディスクも作成できる。また、反射層
２５や保護層２６のない構造の光ディスクもある。記
録、再生を行うレーザー光は基板２１側から入射させ
る。
【００１５】基板２１の材質は、ガラス、石英、ポリカ
ーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使
用できる。また基板は平滑な平板でも表面にトラッキン
グガイド用の溝状の凸凹があってもよい。
ーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使
用できる。また基板は平滑な平板でも表面にトラッキン
グガイド用の溝状の凸凹があってもよい。
【００１６】保護層２６としては樹脂を溶剤に溶かして
塗布・乾燥したものや樹脂板を接着剤で接着したもの等
が使える。
塗布・乾燥したものや樹脂板を接着剤で接着したもの等
が使える。
【００１７】記録層２３に用いる記録層材料としてはア
モルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金がよ
くしられており、例えばＳｂＴｅ系,ＧｅＳｂＴｅ系,Ｇ
ｅＳｂＴｅＳｅ系,ＧｅＳｂＴｅＰｄ系,ＴｅＧｅＳｎＡ
ｕ系,ＡｇＳｂＴｅ系,ＧｅＴｅ系,ＧａＳｂ系,ＩｎＳｅ
系,ＩｎＳｂ系,ＩｎＳｂＴｅ系,ＩｎＳｂＳｅ系,ＩｎＳ
ｂＴｅＡｇ系等が使える。
モルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金がよ
くしられており、例えばＳｂＴｅ系,ＧｅＳｂＴｅ系,Ｇ
ｅＳｂＴｅＳｅ系,ＧｅＳｂＴｅＰｄ系,ＴｅＧｅＳｎＡ
ｕ系,ＡｇＳｂＴｅ系,ＧｅＴｅ系,ＧａＳｂ系,ＩｎＳｅ
系,ＩｎＳｂ系,ＩｎＳｂＴｅ系,ＩｎＳｂＳｅ系,ＩｎＳ
ｂＴｅＡｇ系等が使える。
【００１８】記録層材料としてＧｅＳｂＴｅを用いた場
合、特にｘＧｅＴｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＳｂ
（０＜ｘ≦１、ｙ≧０）を満たす組成のものが書き換え
型相変化光ディスクの材料として適している。このこと
に関しては、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス ２６（１９８７年）第６１頁から
第６６頁（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２６（１９
８７）６１−６６）に開示されている。
合、特にｘＧｅＴｅ＋（１−ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＳｂ
（０＜ｘ≦１、ｙ≧０）を満たす組成のものが書き換え
型相変化光ディスクの材料として適している。このこと
に関しては、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス ２６（１９８７年）第６１頁から
第６６頁（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２６（１９
８７）６１−６６）に開示されている。
【００１９】誘電体層２２、２４としてはＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｇｅ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれらの混合物が使
える。
ｉＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｇｅ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれらの混合物が使
える。
【００２０】反射層２５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料あるい
はこれらの混合物、さらには所定の波長における反射率
の大きな誘電体多層膜等が使える。
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料あるい
はこれらの混合物、さらには所定の波長における反射率
の大きな誘電体多層膜等が使える。
【００２１】本願発明の記録方法を用いるディスクの特
徴は、内外周のゾーンにおいて薄膜構成が異なることに
ある。例えば内周より外周ゾーンにおいて結晶化速度を
速くしたディスクである。ＣＡＶモードで光ディスクを
回転させた場合、線速度の大きい外周では消去率の低下
がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさの記
録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が生じ
る場合があり再生ジッタの原因となっていた。しかし、
記録層の結晶化速度を外周ほど大きくすることにより内
外周における消去率をほぼ同等にできた。結晶化速度を
変化させるには、ＧｅＳｂＴｅ系記録層においてはＳｂ
量を変化させる、あるいはさらに第４の元素を添加する
ことにより可能であった。例えば、ｘＧｅＴｅ＋（１−
ｘ）Ｓｂ 2Ｔｅ3 （０＜ｘ≦１）で表される組成にさら
にＳｂを添加すれば結晶化速度は遅くなる。さらに、Ｇ
ｅＳｂＴｅの３元系にＡｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｌ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉを添加しても結晶
化速度は遅くできる。さらには、反射層の厚膜化、記録
層の薄膜化および反射層側誘電体層の薄膜化は記録層の
冷却速度を高めることができ、結果として内周において
良好なアモルファスマークが形成できジッタが小さくで
きた。
徴は、内外周のゾーンにおいて薄膜構成が異なることに
ある。例えば内周より外周ゾーンにおいて結晶化速度を
速くしたディスクである。ＣＡＶモードで光ディスクを
回転させた場合、線速度の大きい外周では消去率の低下
がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさの記
録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が生じ
る場合があり再生ジッタの原因となっていた。しかし、
記録層の結晶化速度を外周ほど大きくすることにより内
外周における消去率をほぼ同等にできた。結晶化速度を
変化させるには、ＧｅＳｂＴｅ系記録層においてはＳｂ
量を変化させる、あるいはさらに第４の元素を添加する
ことにより可能であった。例えば、ｘＧｅＴｅ＋（１−
ｘ）Ｓｂ 2Ｔｅ3 （０＜ｘ≦１）で表される組成にさら
にＳｂを添加すれば結晶化速度は遅くなる。さらに、Ｇ
ｅＳｂＴｅの３元系にＡｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｌ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉを添加しても結晶
化速度は遅くできる。さらには、反射層の厚膜化、記録
層の薄膜化および反射層側誘電体層の薄膜化は記録層の
冷却速度を高めることができ、結果として内周において
良好なアモルファスマークが形成できジッタが小さくで
きた。
【００２２】本願発明ではこれらのディスクに対して、
一つの記録マークを形成するための記録波形を複数のゾ
ーンにおいて、そのゾーン毎に記録レーザー光波形を補
正し、その記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案することで、内周から外周までマーク歪が
より少ない記録を可能にすることを特徴とするものであ
る。
一つの記録マークを形成するための記録波形を複数のゾ
ーンにおいて、そのゾーン毎に記録レーザー光波形を補
正し、その記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案することで、内周から外周までマーク歪が
より少ない記録を可能にすることを特徴とするものであ
る。
【００２３】以下、具体的実施例をもって本発明をさら
に詳細に説明する。 （実施例１）反射層厚を内外周でＣＡＶモードに対して
最適化したディスクのゾーン毎で、記録波形を図１の記
録波形Ｂ、Ｃと変えた場合すなわち、単パルス長を変化
させた場合について説明する。図７にそのディスクの構
造を示す。反射層厚を内外周ゾーンで変えたディスク
は、φ１３０ｍｍのポリカーボネート製信号記録用トラ
ックを持つ基板を用いた。このディスクにおいては半径
２２ｍｍ以上４０ｍｍ未満を内周ゾーン、半径４０ｍｍ
以上５８ｍｍ以下を外周ゾーンとした。前記基板上に第
１の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ１３
００Åスパッタリングにより形成した。記録層組成はＧ
ｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．２５Ｓｂ）とし、記録層を２５０Å、第２の誘電体
層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ２００Å形成し
た。反射層はまずＡｌ膜を１２５０Å 形成したのち、
図３に示す様な内周部のみ穴のあいているマスク３１を
用いて内周部にＡｌ膜を７５０Åスパッタリングにより
成膜を行った。すなわち、外周ゾーン、内周ゾーンでの
それぞれの反射層厚は１２５０Å、２０００Åとしたの
である。そしてその上にポリカーボネートの保護層を設
けた。
に詳細に説明する。 （実施例１）反射層厚を内外周でＣＡＶモードに対して
最適化したディスクのゾーン毎で、記録波形を図１の記
録波形Ｂ、Ｃと変えた場合すなわち、単パルス長を変化
させた場合について説明する。図７にそのディスクの構
造を示す。反射層厚を内外周ゾーンで変えたディスク
は、φ１３０ｍｍのポリカーボネート製信号記録用トラ
ックを持つ基板を用いた。このディスクにおいては半径
２２ｍｍ以上４０ｍｍ未満を内周ゾーン、半径４０ｍｍ
以上５８ｍｍ以下を外周ゾーンとした。前記基板上に第
１の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ１３
００Åスパッタリングにより形成した。記録層組成はＧ
ｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．２５Ｓｂ）とし、記録層を２５０Å、第２の誘電体
層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ２００Å形成し
た。反射層はまずＡｌ膜を１２５０Å 形成したのち、
図３に示す様な内周部のみ穴のあいているマスク３１を
用いて内周部にＡｌ膜を７５０Åスパッタリングにより
成膜を行った。すなわち、外周ゾーン、内周ゾーンでの
それぞれの反射層厚は１２５０Å、２０００Åとしたの
である。そしてその上にポリカーボネートの保護層を設
けた。
【００２４】また、誘電体層厚、記録層厚を内外周ゾー
ンで変えたディスクを作製する場合には、膜厚を変える
層をスパッタリングする場合に図３の内周部スパッタ用
マスク３１あるいは図４の外周部スパッタ用マスク４１
を用いて膜厚を制御し形成すればよい。また、記録層組
成を内外周ゾーンで変えたディスクを作製する場合にも
前記マスク３１、４１を用いればよい。
ンで変えたディスクを作製する場合には、膜厚を変える
層をスパッタリングする場合に図３の内周部スパッタ用
マスク３１あるいは図４の外周部スパッタ用マスク４１
を用いて膜厚を制御し形成すればよい。また、記録層組
成を内外周ゾーンで変えたディスクを作製する場合にも
前記マスク３１、４１を用いればよい。
【００２５】上記の光ディスクの評価条件は、レーザー
光の波長が７８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光
学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５、ディスク回転
数１０００ｒｐｍ、ＥＦＭ信号を最短マーク長が常に
０．９０μｍとなるようにクロックＴを変えて１ビーム
オーバーライトにより１００回記録し、３Ｔ再生信号の
ゼロクロス点のジッタ値：σ／Ｔｗ（％）を半径２３、
３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの位置で測定した。
ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインド
ウ幅である。前記半径でのそれぞれの線速度は、内周側
から約２．４、３．１、３．９、４．５、５．２、６．
０ｍ／ｓである。それぞれのディスク、それぞれのゾー
ンについて、信号の記録は記録マーク長が０．９μｍと
なる単一周波数を記録したとき、Ｃ／Ｎが飽和する記録
パワーとその信号を消去した場合に消去率がー２０ｄＢ
を越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定した。
光の波長が７８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光
学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５、ディスク回転
数１０００ｒｐｍ、ＥＦＭ信号を最短マーク長が常に
０．９０μｍとなるようにクロックＴを変えて１ビーム
オーバーライトにより１００回記録し、３Ｔ再生信号の
ゼロクロス点のジッタ値：σ／Ｔｗ（％）を半径２３、
３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの位置で測定した。
ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインド
ウ幅である。前記半径でのそれぞれの線速度は、内周側
から約２．４、３．１、３．９、４．５、５．２、６．
０ｍ／ｓである。それぞれのディスク、それぞれのゾー
ンについて、信号の記録は記録マーク長が０．９μｍと
なる単一周波数を記録したとき、Ｃ／Ｎが飽和する記録
パワーとその信号を消去した場合に消去率がー２０ｄＢ
を越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定した。
【００２６】ここで、本発明の光ディスク装置について
図５を用いて説明する。光ディスク５１はスピンドルモ
ーター５２に取り付けられ、一定の回転数で回転してい
る。光学ヘッド５３は半導体レーザーを光源とし、コリ
メータレンズ、対物レンズ等により光ディスク上にレー
ザースポットを形成する。半導体レーザーはレーザー駆
動回路５４により駆動されるが、信号を記録する場合に
は入力信号は波形補正回路Ａ５５、波形補正回路Ｂ５６
のいずれかの回路により波形補正されたのち、レーザー
駆動回路５４へ入力される。
図５を用いて説明する。光ディスク５１はスピンドルモ
ーター５２に取り付けられ、一定の回転数で回転してい
る。光学ヘッド５３は半導体レーザーを光源とし、コリ
メータレンズ、対物レンズ等により光ディスク上にレー
ザースポットを形成する。半導体レーザーはレーザー駆
動回路５４により駆動されるが、信号を記録する場合に
は入力信号は波形補正回路Ａ５５、波形補正回路Ｂ５６
のいずれかの回路により波形補正されたのち、レーザー
駆動回路５４へ入力される。
【００２７】本装置は信号を記録する場合に、最初にレ
ーザースポットを光ディスク５１上に照射して信号トラ
ックに予め設けられたアドレス信号をアドレス再生回路
５７で判読し、スイッチ５９により波形補正手段を選択
する。
ーザースポットを光ディスク５１上に照射して信号トラ
ックに予め設けられたアドレス信号をアドレス再生回路
５７で判読し、スイッチ５９により波形補正手段を選択
する。
【００２８】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を（表１）に示す。
とジッタとの関係を（表１）に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】（表１）から、記録波形Ｂをもちいた場合
には内周部では熱のこもりのため、良好な記録マークが
形成されておらずジッタが非常に悪くなっている。一
方、外周部ではレーザーパワーが内周部に比べて適正
で、内周部より良いジッタ値であった。
には内周部では熱のこもりのため、良好な記録マークが
形成されておらずジッタが非常に悪くなっている。一
方、外周部ではレーザーパワーが内周部に比べて適正
で、内周部より良いジッタ値であった。
【００３１】記録波形Ｃをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｂの場合より小さくマーク歪みも小
さいため、ジッタが記録波形Ｂの場合よりよくなってい
る。一方、外周部では記録波形Ｂの場合よりレーザーパ
ワーが不足しており、前後対称な記録マークが形成され
ていないためジッタ値が悪くなっている。
のこもりが記録波形Ｂの場合より小さくマーク歪みも小
さいため、ジッタが記録波形Ｂの場合よりよくなってい
る。一方、外周部では記録波形Ｂの場合よりレーザーパ
ワーが不足しており、前後対称な記録マークが形成され
ていないためジッタ値が悪くなっている。
【００３２】一方、本願発明による内周で記録波形Ｃを
外周で記録波形Ｂを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が改良されているため比較
的良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｂを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が改良されているため比較
的良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００３３】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００３４】なお、本実施例では波形補正手段として２
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
【００３５】（実施例２）反射層厚を内外周でＣＡＶモ
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、図１の
記録波形Ｄの先頭パルス幅を変化する場合について説明
する。
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、図１の
記録波形Ｄの先頭パルス幅を変化する場合について説明
する。
【００３６】ディスクは実施例１と同じものを用いた。
本実施例で用いた記録波形は次の２種類である。すなわ
ち、図１の記録波形Ｄと、記録マーク間隔（入力波形が
０の間隔）が３Ｔの場合にのみその次にくる記録マーク
を形成するためのマルチパルスの先頭パルスのみを０．
２５Ｔ削り、記録マーク間隔が４Ｔ〜１１Ｔの場合には
記録波形Ｄと同じであるという記録波形Ｄ2である。
本実施例で用いた記録波形は次の２種類である。すなわ
ち、図１の記録波形Ｄと、記録マーク間隔（入力波形が
０の間隔）が３Ｔの場合にのみその次にくる記録マーク
を形成するためのマルチパルスの先頭パルスのみを０．
２５Ｔ削り、記録マーク間隔が４Ｔ〜１１Ｔの場合には
記録波形Ｄと同じであるという記録波形Ｄ2である。
【００３７】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を（表２）に示す。
とジッタとの関係を（表２）に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】（表２）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部で記録マーク間隔が小さいとき、ひとつ前の
記録マークからの熱干渉により、記録マークが歪みジッ
タが悪くなる。一方、外周部ではレーザーパワーが適し
ており、内周部より良いジッタ値となる。
には内周部で記録マーク間隔が小さいとき、ひとつ前の
記録マークからの熱干渉により、記録マークが歪みジッ
タが悪くなる。一方、外周部ではレーザーパワーが適し
ており、内周部より良いジッタ値となる。
【００４０】記録波形Ｄ2をもちいた場合には内周部で
ひとつ前の記録マークからの熱干渉が抑制され、マーク
歪みも小さいためジッタが抑えられる。一方、外周部で
はもともと熱干渉が小さいため、記録波形Ｄの場合より
レーザーパワー不足でマーク形状が歪んでおりジッタ値
が悪くなっている。
ひとつ前の記録マークからの熱干渉が抑制され、マーク
歪みも小さいためジッタが抑えられる。一方、外周部で
はもともと熱干渉が小さいため、記録波形Ｄの場合より
レーザーパワー不足でマーク形状が歪んでおりジッタ値
が悪くなっている。
【００４１】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄ2
を外周で記録波形Ｄを用いた場合には、前記の様にそれ
ぞれのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため
良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
を外周で記録波形Ｄを用いた場合には、前記の様にそれ
ぞれのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため
良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００４２】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００４３】なお、本実施例では波形補正手段として２
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
【００４４】（実施例３）記録層組成を内外周でＣＡＶ
モードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、マル
チパルス波形を変えた場合について説明する。
モードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、マル
チパルス波形を変えた場合について説明する。
【００４５】ディスクの作成方法は実施例１と同じであ
る。記録層組成は外周ゾーンでＧｅ 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ
55.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3）、内周ゾーンでＧｅ
21.1Ｓｂ26.3Ｔｅ52.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．５Ｓｂ）とし、その他の層の膜厚および組成は実施
例１と同じである。
る。記録層組成は外周ゾーンでＧｅ 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ
55.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3）、内周ゾーンでＧｅ
21.1Ｓｂ26.3Ｔｅ52.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．５Ｓｂ）とし、その他の層の膜厚および組成は実施
例１と同じである。
【００４６】ぞれぞれのマルチパルス波形記録における
それぞれの半径とジッタとの関係を（表３）に示す。
それぞれの半径とジッタとの関係を（表３）に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】（表３）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部ではレーザーパワーが適しているため良好な
ジッタが得られる。一方、外周部では記録波形Ｄの後続
の短パルス列でレーザーパワーが不足していたためマー
クの前部に比べ後部が細いという歪みが生じ、そのため
内周部より少し劣るジッタ値となる。
には内周部ではレーザーパワーが適しているため良好な
ジッタが得られる。一方、外周部では記録波形Ｄの後続
の短パルス列でレーザーパワーが不足していたためマー
クの前部に比べ後部が細いという歪みが生じ、そのため
内周部より少し劣るジッタ値となる。
【００４９】記録波形Ｅをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが記録波形Ｄの場合より悪くなっている。一
方、外周部では記録波形Ｄの場合よりレーザーパワーの
不足が改善されて前後対称な記録マークが形成されさら
にジッタ値が小さくなっている。
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが記録波形Ｄの場合より悪くなっている。一
方、外周部では記録波形Ｄの場合よりレーザーパワーの
不足が改善されて前後対称な記録マークが形成されさら
にジッタ値が小さくなっている。
【００５０】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄを
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００５１】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００５２】なお、本実施例では波形補正手段として２
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
【００５３】なお、本実施例ではｘＧｅＴｅ＋（１−
ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＳｂ （ｙ≧０）においてｘ＝２／
３の場合のみを示したが、ｘ＝１／２を満たす記録層組
成について、結晶化速度を外周ゾーンほど速くしたディ
スクでもマルチパルス波形を変えることでマルチパルス
が内外周で同じ場合より良好なジッタ値が得られた。
ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＳｂ （ｙ≧０）においてｘ＝２／
３の場合のみを示したが、ｘ＝１／２を満たす記録層組
成について、結晶化速度を外周ゾーンほど速くしたディ
スクでもマルチパルス波形を変えることでマルチパルス
が内外周で同じ場合より良好なジッタ値が得られた。
【００５４】（実施例４）記録層がｘＧｅＴｅ＋（１−
ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＡｇ（ｘ＝２／３、ｙ≧０）を満た
しディスクの内外周ゾーンでＣＡＶモードに対してｙの
値を最適化したディスクのゾーン毎にマルチパルスを変
えた場合を説明する。
ｘ）Ｓｂ2Ｔｅ3＋ｙＡｇ（ｘ＝２／３、ｙ≧０）を満た
しディスクの内外周ゾーンでＣＡＶモードに対してｙの
値を最適化したディスクのゾーン毎にマルチパルスを変
えた場合を説明する。
【００５５】ディスクの作成方法は実施例１と同じであ
る。記録層組成は外周ゾーンでＧe 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ
55.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3）、内周ゾーンでＧｅ
21.1Ｓｂ21.1Ｔｅ52.6Ａｇ5.2；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔ
ｅ3＋０．５Ａｇ）とし、その他の層の膜厚および組成
は実施例１と同じである。
る。記録層組成は外周ゾーンでＧe 22.2Ｓｂ22.2Ｔｅ
55.6；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3）、内周ゾーンでＧｅ
21.1Ｓｂ21.1Ｔｅ52.6Ａｇ5.2；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔ
ｅ3＋０．５Ａｇ）とし、その他の層の膜厚および組成
は実施例１と同じである。
【００５６】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表４）に示
す。
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表４）に示
す。
【００５７】
【表４】
【００５８】（表４）から、記録波形Ｄを用いた場合に
は、外周部でも良好なジッタが得られてはいる。しか
し、記録波形Ｅをもちいた場合、外周部では記録波形Ｄ
の場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前後対称
な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さくなって
いる。一方、内周部では熱のこもりが記録波形Ｄの場合
より大きいためマークが歪みジッタが少し悪くなってい
る。
は、外周部でも良好なジッタが得られてはいる。しか
し、記録波形Ｅをもちいた場合、外周部では記録波形Ｄ
の場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前後対称
な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さくなって
いる。一方、内周部では熱のこもりが記録波形Ｄの場合
より大きいためマークが歪みジッタが少し悪くなってい
る。
【００５９】本願発明による内周で記録波形Ｄを外周で
記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞれのゾ
ーンにおいて記録波形が最適になっているため良好な記
録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞれのゾ
ーンにおいて記録波形が最適になっているため良好な記
録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００６０】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００６１】また、Ａｇ以外のＣｕ、Ｃｏ、Ｔｌ、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉを記録層に外
周ゾーンほど多く添加した場合にも本実施例と同様の結
果が得られた。
ｄ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｎｉを記録層に外
周ゾーンほど多く添加した場合にも本実施例と同様の結
果が得られた。
【００６２】（実施例５）内、外周ゾーンでの反射膜厚
をＣＡＶモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
をＣＡＶモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
【００６３】ディスクの作製法は実施例１で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図７に
示す。内周での反射層厚を２０００Å、外周での反射層
厚を１２５０Åとした。記録層組成はＧｅ21.6Ｓｂ24.3
Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋０．２５Ｓｂ）
とし、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例１と同じ
とした。
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図７に
示す。内周での反射層厚を２０００Å、外周での反射層
厚を１２５０Åとした。記録層組成はＧｅ21.6Ｓｂ24.3
Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋０．２５Ｓｂ）
とし、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例１と同じ
とした。
【００６４】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表５）に示
す。
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表５）に示
す。
【００６５】
【表５】
【００６６】（表５）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
【００６７】記録波形Ｅをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
【００６８】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄを
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００６９】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００７０】（実施例６）内、外周ゾーンでの第２の誘
電体層厚をＣＡＶモードに対して最適化したディスクの
ゾーン毎でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
電体層厚をＣＡＶモードに対して最適化したディスクの
ゾーン毎でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
【００７１】ディスクの作製法は実施例１で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図８に
示す。内周での第２の誘電体層厚を１７０Å、外周での
第２の誘電体層厚を２３０Åとした。記録層組成はＧｅ
21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．２５Ｓｂ）とし膜厚およびその他の層の膜構成は実
施例１と同じとした。
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図８に
示す。内周での第２の誘電体層厚を１７０Å、外周での
第２の誘電体層厚を２３０Åとした。記録層組成はＧｅ
21.6Ｓｂ24.3Ｔｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ2Ｔｅ3＋
０．２５Ｓｂ）とし膜厚およびその他の層の膜構成は実
施例１と同じとした。
【００７２】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表６）に示
す。
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表６）に示
す。
【００７３】
【表６】
【００７４】（表６）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
【００７５】記録波形Ｅをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
【００７６】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄを
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００７７】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００７８】（実施例７）内、外周ゾーンでの記録膜厚
をＣＡＶモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
をＣＡＶモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。
【００７９】ディスクの作製法は実施例１で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図１０
に示す。内周での記録膜厚を２００Å、外周での反射層
厚を３００Åとした。記録層組成はＧｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔ
ｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ 2Ｔｅ3＋０．２５Ｓｂ）と
し、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例１と同じと
した。
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図１０
に示す。内周での記録膜厚を２００Å、外周での反射層
厚を３００Åとした。記録層組成はＧｅ21.6Ｓｂ24.3Ｔ
ｅ54.1；（２ＧｅＴｅ＋Ｓｂ 2Ｔｅ3＋０．２５Ｓｂ）と
し、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例１と同じと
した。
【００８０】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表７）に示
す。
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を（表７）に示
す。
【００８１】
【表７】
【００８２】（表７）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
【００８３】記録波形Ｅをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
【００８４】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄを
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｅを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００８５】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００８６】（実施例８）反射層厚を内外周でＣＡＶモ
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、後続パ
ルス列の最後尾のパルス幅のみを変化させた場合につい
て説明する。
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、後続パ
ルス列の最後尾のパルス幅のみを変化させた場合につい
て説明する。
【００８７】ディスクは実施例１と同じものを用いた。
本実施例で用いた記録波形は、図１の記録波形Ｄと記録
波形Ｅである。
本実施例で用いた記録波形は、図１の記録波形Ｄと記録
波形Ｅである。
【００８８】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を（表８）に示す。
とジッタとの関係を（表８）に示す。
【００８９】
【表８】
【００９０】（表８）から、記録波形Ｄをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Ｄの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。
【００９１】記録波形Ｆをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
のこもりが記録波形Ｄの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Ｄの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。
【００９２】一方、本願発明による内周で記録波形Ｄを
外周で記録波形Ｆを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
外周で記録波形Ｆを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。
【００９３】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。
【００９４】なお、本実施例では波形補正手段として２
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。
【００９５】
【発明の効果】以上のように、マルチパルス記録波形を
ゾーン毎に変えることによってもマーク歪を抑制するこ
とができ、良好な再生ジッタ特性が得られる。
ゾーン毎に変えることによってもマーク歪を抑制するこ
とができ、良好な再生ジッタ特性が得られる。
【図１】（ａ）は記録するデジタル信号波形の図 （ｂ）は単パルス記録波形Ｂの図 （ｃ）は単パルス記録波形Ｃの図 （ｄ）はマルチパルス記録波形Ｄの図 （ｅ）はマルチパルス記録波形Ｅの図 （ｆ）はマルチパルス記録波形Ｆの図
【図２】本発明の代表的な光ディスクの構造図
【図３】本発明の光ディスクの製造装置の図
【図４】本発明の光ディスクの製造装置の図
【図５】本発明の記録装置の説明図
【図６】本発明の第１の実施例における光ディスクの構
造図
造図
【図７】本発明の第３の実施例における光ディスクの構
造図
造図
【図８】本発明の第４の実施例における光ディスクの構
造図
造図
【図９】本発明の第５の実施例における光ディスクの構
造図
造図
２１ 基板 ２２ 第１の誘電体層 ２３ 記録層 ２４ 第２の誘電体層 ２５ 反射層 ２６ 保護層 ２７ 内周ゾーン ２８ 外周ゾーン ３１ 内周部スパッタ用マスク ３２ ターゲット１ ４１ 外周部スパッタ用マスク ４２ ターゲット２ ５１ 光ディスク ５２ スピンドルモーター ５３ 光学ヘッド ５４ レーザー駆動回路 ５５ 波形補正回路Ａ ５６ 波形補正回路Ｂ ５７ アドレス再生回路 ５８ システムコントローラー ５９ スイッチ ６０ トラッキング制御回路 ６１ 記録層２ ７１ 記録層３
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−325364（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−274678（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−12674（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−119537（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−52137（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−283432（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183038（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−1143（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−187669（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/24
Claims (12)
- 【請求項１】光照射によってアモルファス相と結晶相と
の間で可逆的に相変化を起こす相変化記録層と、誘電体
層と、反射層とが少なくともこの順に基体上に積層され
た光ディスクと、記録すべき情報の入力信号波形をあら
かじめ決められた波形補正方法で補正する波形補正手段
と、前記波形補正手段から出力された記録波形信号に応
じてレーザー光を発光させるレーザー駆動手段と、前記
レーザー駆動手段から出力されたレーザー駆動信号に応
じてレーザースポットを前記光ディスクに照射させるレ
ーザー光照射手段とを用いて、前記光ディスクを一定の
角速度で回転させながらレーザー光を照射して前記光デ
ィスク上に記録波形信号に応じた記録マークを形成する
光学的情報の記録方法であって、前記光ディスクにおけ
る相変化記録層・誘電体層・反射層のうち少なくともい
ずれか一つの層構成が前記光ディスクの中心を同心円と
する複数のゾーン毎で異なっており、かつ前記ゾーン毎
に前記波形補正手段の波形補正方法を変えることを特徴
とする光学的情報の記録方法。 - 【請求項２】前記光ディスクの内周側に位置するゾーン
に行くほど前記相変化記録層の結晶化速度が遅くなって
いる請求項１記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項３】前記光ディスクの内周側に位置するゾーン
に行くほど前記相変化記録材料の層厚が薄くなっている
請求項１記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項４】前記光ディスクの内周側に位置するゾーン
に行くほど前記誘電体層の膜厚が薄くなっている請求項
１記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項５】前記光ディスクの内周側に位置するゾーン
に行くほど前記反射層の膜厚が厚くなっている請求項１
記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項６】一つの記録マークを形成する前記記録波形
信号が複数のパルスからなる記録パルス列で構成されて
おり、かつ前記記録パルス列の形状が前記ゾーン毎で異
なっている請求項１から５のいずれかに記載の光学的情
報の記録方法。 - 【請求項７】前記記録パルス列は先頭の長パルスと後続
の短パルス列とからなり、前記長パルスもしくは前記短
パルスのいずれか一方あるいは両方のパルス幅を前記ゾ
ーン毎で変える請求項６記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項８】前記光ディスクの外周側に位置するゾーン
に行くほど、前記長パ ルスと前記短パルスとのパルス幅
の比（短パルス幅／長パルス幅）を大きくする請求項７
記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項９】前記短パルス列の最終端に位置するパルス
の幅が前記ゾーン毎で異なる請求項６に記載の光学的情
報の記録方法。 - 【請求項１０】前記レーザースポットと前記光ディスク
の相対速度によって前記パルス列の長さを変える請求項
６から９のいずれかに記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項１１】前記ゾーンが二つである請求項１から１
０のいずれかに記載の光学的情報の記録方法。 - 【請求項１２】請求項１に記載の光ディスクと、レーザー 光源より発生した光ビームを前記光ディスク上
に照射するための光学系と、 前記光ディスクを一定の角速度で回転させる手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームを前記光ディスク
に設けられた記録トラック方向と垂直な方向に移動させ
る移送手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームが前記記録トラッ
ク上を走査するように前記移送手段を制御するトラッキ
ング制御手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームが走査している現
在の記録トラックが前記光ディスクのどのゾーンにある
かを検出する手段と、 前記光ディスク上に記録マークを形成するための複数の
パルスからなる記録パルス列の入力信号のパルス波形を
波形補正するための複数の波形補正手段と、 前記記録パルス列を前記検出されたゾーンに応じて前記
波形補正手段を切り換える手段と、 前記波形補正手段から出力されたパルス列によりレーザ
ー光を変調して信号を記録する手段とを有することを特
徴とする光学的情報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31659494A JP3277733B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31659494A JP3277733B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180413A JPH08180413A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3277733B2 true JP3277733B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=18078825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31659494A Expired - Fee Related JP3277733B2 (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277733B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7391698B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
| US7158461B1 (en) | 1997-12-30 | 2007-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof |
| JP3521141B2 (ja) | 2002-01-08 | 2004-04-19 | 株式会社リコー | 情報記録装置 |
| US7492682B2 (en) | 2002-07-25 | 2009-02-17 | Yamaha Corporation | Optical disk recording apparatus controllable by table of multi-pulse patterns |
| JP4276516B2 (ja) | 2003-10-20 | 2009-06-10 | パイオニア株式会社 | 多層光記録媒体および光ピックアップ装置 |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP31659494A patent/JP3277733B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08180413A (ja) | 1996-07-12 |
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