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JP2000021744A - 露光装置およびそれを用いるデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置およびそれを用いるデバイス製造方法

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Publication number
JP2000021744A
JP2000021744A JP10198106A JP19810698A JP2000021744A JP 2000021744 A JP2000021744 A JP 2000021744A JP 10198106 A JP10198106 A JP 10198106A JP 19810698 A JP19810698 A JP 19810698A JP 2000021744 A JP2000021744 A JP 2000021744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
container
gas
exposure apparatus
optical system
Prior art date
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Pending
Application number
JP10198106A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Tomita
浩行 富田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光光が引き起こす不純物の化学反応による
反応生成物や、駆動機構・調整機構から発生するごみに
よる、光学容器内の光学エレメントの汚染を防止し、か
つ光学容器内の置換ガスの消費量が少なく、駆動機構等
のメンテナンス性を向上し、装置のダウンタイムを短縮
する露光装置およびデバイス製造方法を提供する。 【解決手段】 露光光源からの露光光により照明光学系
を介してマスクを照明し、マスク上のパターンを投影光
学系を介して感光基板上に投影露光する露光装置であっ
て、照明光学系および投影光学系はそれぞれ、光学エレ
メント(21、22)、光学エレメントの内の被駆動エ
レメント(21、22)の駆動系(24〜30)並びに
光学エレメントおよび駆動系を収容した光学容器(2
5、31)から構成され、駆動系の少なくとも一部(2
5のギヤ部、28、29)が光学容器(25、31)の
外部空間に配置されている露光装置、および露光装置を
用いたデバイス製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造等に
用いられる露光装置および該装置を用いるデバイス製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路に対する高密度
化、高集積度化への要求はますます高まっている。ま
た、半導体素子の生産性の向上を図るため、露光時間の
短縮が要求されている。このため、回路パターンを加工
するリソグラフィ技術においては、パターンの微細化お
よび露光時間の短縮を図るため、短波長で強力な照度を
得られる遠紫外線やエキシマレーザ光を光源とする露光
装置を用いることが一般的となっている。これら光の照
射により、照明光学系や投影光学系を構成している光学
エレメント周辺のガスが活性化されやすくなるため、光
学エレメントの表面が汚染される可能性が高くなってき
ている。そこで、照明光学系や投影光学系の光学エレメ
ントを密閉容器等に収容し、該容器の内部にクリーンド
ライエアや不活性ガス等を充填・置換することで内部の
光学エレメントの汚染を防ぐ方法が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例は、光学エ
レメントを収容する容器(光学容器)に導入口等を設
け、これを通じてクリーンドライエアや不活性ガス等を
内部に充填・置換し、光学エレメントの汚染を防止しよ
うとするものである。しかしながら、光学容器の内部に
光学可変絞りやズームレンズや光軸調整ミラー等の光学
エレメントが構成され、これらを駆動・調整するための
駆動源や駆動伝達機構や調整機構等が含まれてしまう
と、その周辺(モータ、べアリング、駆動機構を構成す
るための接着剤やグリス等、配線ケーブル等)より発生
する不純物等の影響により、充填ガスの純度・清浄度が
低下してしまう可能性がある。このような光学容器を露
光光が透過すると、不純物を含んだガスの活性化・化学
変化が生じることで、やはり光学エレメントの表面を汚
染し、光学系を通過する露光光の照度低下や照度むらを
引き起こすという問題がある。また、駆動機構や調整機
構等から発生するごみが光学部品表面への付着物質とな
って、同様に照度低下や照度むらを引き起こす可能性が
ある。
【0004】不純物の発生源が光学容器内に含まれてい
る場合、不純物発生の影響を軽減し容器内のクリーン度
を向上するために、汚染物質の量に応じ、置換に必要な
ガスの流量を大きくしなければならない。また、光学容
器内部に駆動機構や調整機構等が構成されていると、光
学容器の容積が大きくなるため、同様に置換ガスの流量
が必要以上に大きくなってしまう。そのため、気体を置
換するためのランニングコスト上のデメリットが生じ
る。
【0005】さらに、モータ等を含む駆動機構や、手動
調整機構等が光学容器内部に構成されていると、これら
をメンテナンスおよび調整する際に、容器を一部開放状
態にする必要がある。従って、作業効率への悪影響が考
えられ、装置の立ち上げ時にもガスを再充填する時間が
必要となる。
【0006】そこで本発明の第1の目的は、露光光によ
って引き起こされる不純物の化学反応により生成される
反応生成物や、駆動機構・調整機構から発生するごみに
よる、光学容器内の光学エレメント表面の汚染を防止す
ることを可能とする露光装置およびデバイス製造方法を
提供することである。
【0007】第2の目的は、光学容器内ガスの置換に必
要なクリーンドライエアや窒素ガス等の不活性ガス等の
消費量が少なく、駆動機構等のメンテナンス性を向上
し、装置のダウンタイムを短縮することを可能とする露
光装置およびデバイス製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的は、
感光基板に照射される露光光の光路上に配置された光学
容器内の光学エレメントを駆動・調整するための駆動源
や駆動伝達機構や調整機構を、光学容器の外部空間に配
置することによって達成された。
【0009】すなわち本発明の露光装置は、露光光源か
らの露光光により照明光学系を介してマスクを照明し、
前記マスク上のパターンを投影光学系を介して感光基板
上に投影露光する露光装置であって、前記照明光学系お
よび投影光学系はそれぞれ、光学エレメント、該光学エ
レメントの内の被駆動エレメントを駆動する駆動系並び
に該光学エレメントおよび駆動系を収容した光学容器か
ら構成され、前記駆動系の少なくとも一部が前記光学容
器の外部空間に配置されていることを特徴とする。
【0010】ここで被駆動エレメントとしては、レン
ズ、ミラー等の光学エレメントが挙げられる。また本発
明でいう駆動系には、駆動源や駆動伝達機構の他、調整
機構や配線等をも含み得るものであり、これらの内の少
なくとも一つまたは一部が光学容器の外部空間に配置さ
れる。
【0011】上記本発明の構成において、駆動機構(モ
ータ、べアリング、調整用つまみ等)やその周辺部(配
線ケーブル等)を含む空間が、光学エレメントを収容す
る容器内空間と分離される。従って、これら駆動機構や
その周辺部を構成する部品やその結合に使用される接着
剤から発生する不純物やごみ等が、光学容器内に入るこ
とを防止し、これら不純物やごみが原因となる光学部品
(エレメント)表面の汚染を防止することができる。
【0012】また、駆動機構等を光学容器の外部に配置
することで、光学容器内部のクリーン度を向上するとと
もに、容器の容積を小さくすることが可能であり、ガス
の置換に必要なクリーンドライエアや不活性ガス等の必
要消費流量を少なくすることができる。
【0013】さらに、駆動機構等が該容器の外部に配置
されるため、ガスが充填された該容器を開放することな
く駆動機構部のメンテナンスが可能であるため、メンテ
ナンス作業性の向上を図ることができる。および、メン
テナンス後のガス充填が不要となり装置のダウンタイム
の短縮を図ることができる。
【0014】本発明で用いる光学容器は、該容器にガス
を導入する導入口および該容器からガスを排気する排気
口を、それぞれ少なくとも1つ備えていても良く、この
場合前記導入口および排気口以外に開口部を有しない密
閉構造とすることができる。また、一切の開口部を有し
ない密閉構造としても良い。
【0015】
【実施例】第1の実施例 図1は、第1〜3の実施例に係る露光装置の概略図であ
る。この露光装置は、露光光源1と、引き回し光学系2
と、照明光学系3〜6と、マスクとしてのレチクル7
と、投影光学系8と、感光基板としてのウエハ9と、ウ
エハ9が搭載された基板ステージ10とを備えている。
これらの構成各部のうち、露光光源1および引き回し光
学系2を除く露光本体部は一定温度に制御されたチャン
バ13内に収納されている。
【0016】露光光源1として、KrF(波長248n
m)、ArF(波長193nm)、F2(157nm)
等の紫外域のパルス光を発するエキシマレーザを用い
る。なお、エキシマレーザの代わりに水銀ランプのi線
(波長365nm)等を露光光源として使用してもよ
い。
【0017】前記引き回し光学系2は、露光光源1とチ
ャンバ13を結ぶ光学系ユニットであり、レンズやミラ
ー等の光学エレメントを含んで構成している。
【0018】照明光学系は、4つのブロック3〜6より
構成している。まず、第1ブロック3および第4ブロッ
ク6に、照明光の光束を折り曲げる折り返しミラー2
3、19を配置し、折り返しミラー23は光軸調整機構
を備えている。第2ブロック4は、ビーム整形レンズ系
14および折り返しミラー15により構成している。第
3ブロック5は、ズームレンズ系16、フライアイレン
ズ17およびリレーレンズ系18により構成している。
【0019】次に、露光光学系の各部構成についてその
作用とともに説明する。露光光源1から発せられた照明
光は、引き回し光学系2を介してチャンバ13内へと入
射する。引き回し光学系2によって露光光源1とチャン
バ13が離れた適当な位置に設置可能とする。引き回し
光学系2を介した照明光は、照明光学系第1ブロック3
の折り返しミラー23で折り曲げられ、第2ブロック4
のビーム整形レンズ系14を通過することにより露光に
最適なビーム断面形状に整形され、また折り返しミラー
15により折り曲げられる。次に、第3ブロック5のズ
ームレンズ系16により必要な大きさに拡大された照明
光は、フライアイレンズ17に入射する。フライアイレ
ンズ17の射出側面は、光源1と光学的に共役な位置関
係となっており、二次光源面を構成している。その後、
照明光はリレーレンズ系18を通過し、第4ブロック6
の折り返しミラー19で折り曲げられてレチクル7を均
一に照明し、投影光学系8(投影レンズ系20)により
レチクル7の像を基板ステージ10に保持されたウエハ
9上に投影露光する。
【0020】さらに、引き回し光学系2、照明光学系の
各ブロック3〜6および投影光学系8に、窒素供給源1
1が配管12を介してそれぞれ接続され、窒素ガスを供
給している。従って、窒素供給源11により引き回し光
学系2、照明光学系の各ブロック3〜6、投影光学系8
の内部を窒素ガスに置換している。ここで、第1の実施
例および以降で述べる第2の実施例にて、供給ガスを窒
素ガスとしているが、いずれの場合も、窒素ガスに限ら
ず、ヘリウムやネオン等の不活性ガス若しくはクリーン
ドライエアー等、または有機珪素化合物、アンモニア、
硫酸イオンおよび有機ガスの内、少なくとも1つを含ま
ないガスであれば良い。また、引き回し光学系2、照明
光学系の各ブロック3〜6、投影光学系8への配管は、
1本でも複数本でも良い。あるいは、各ブロックを配管
経路を要しない完全密閉空間とする、または、配管から
のガス供給を一時的に行なった後、配管をコックし完全
密閉空間とする構造としても良い。
【0021】図2は、本実施例で用いるズームレンズ系
16の平面図(a)および断面図(b)である。
【0022】レンズ21a、21bは各々レンズホルダ
22a、22bにより保持されている。レンズの外側
に、レンズ鏡筒31およびストレートカム鏡筒24を配
置し、ストレートカム鏡筒24はベアリング26を介し
てズームカム鏡筒25を保持している。ズームカム鏡筒
25の外側にモータ29を構成し、ギヤ28を介してズ
ームカム鏡筒25を光軸中心に回転駆動する。ストレー
トカム鏡筒24、ズームカム鏡筒25にはカム溝24
a、25aが形成されており、ズームカム鏡筒25の回
転に伴い、レンズホルダ22a、22bの外周部に取り
付けたカムの従動子30を介してレンズホルダが駆動さ
れ、レンズズーム機構を形成する。
【0023】ここで、レンズ鏡筒31およびズームカム
鏡筒25の内側は窒素ガス充填空間であり、Oリング2
7により、外部空間と完全に分離される。なお、ズーム
カム鏡筒25のカム溝25aは外部へ貫通しないように
内周面のみに形成されている。
【0024】この構成において、ギヤ28、ズームカム
鏡筒25のギヤ部、モータ29およびモータ用ケーブル
(不図示)は、光学エレメントを含む窒素ガス充填空間
と分離された外部空間に配置される。通常これらの部品
やその組み立て用材料には、ギヤ潤滑用のグリス、モー
タコイル形成用の接着剤、配線ケーブルの被覆など、有
機物より形成され、レンズ汚染の原因となるガスを放出
しやすい物質が多く含まれる。また、ギヤの噛み合わせ
部等よりごみが発生する恐れがある。しかし、本実施例
に示す構成とすることで、光学エレメントを含む窒素ガ
ス充填空間がこれらの物質の影響により汚染されること
がない。
【0025】また、窒素ガス充填空間と外部空間を遮蔽
するOリング27は、化学的に安定した四フッ化エチレ
ン等を材料とし、適切な面圧が得られる様に内側からス
テンレス製のばねを構成したもの等とし、無潤滑、また
は揮発性の低い真空グリス等を使用した潤滑方法にて使
用する。べアリング26およびカムの従動子30に用い
るコロは無潤滑タイプのものを使用することが望まし
い。
【0026】以上説明した構成により、窒素ガスで充填
したレンズ鏡筒内部空間への不純物やごみの侵入を防止
し、鏡筒内部に配置された光学エレメントの汚染を防止
することが可能である。
【0027】また、アクチュエータや駆動機構をガス充
填空間の外部に配置することで、実質的なガス充填空間
容積はレンズ鏡筒の内側の容積とほぼ一致することにな
る。従って、ガス充填空間容積を必要最小限とすること
が可能であり、ガス充填時の必要消費流量の節減や充填
速度の向上を図ることができる。さらに、アクチュエー
タが外部に配置されることで、アクチュエータのメンテ
ナンスの必要が生じた場合等において、ガス充填エリア
を開放したり、空間内部を汚染することなく作業を行な
うことが可能となる。
【0028】また、照明光学系や投影光学系の瞳近傍に
配置する光学可変絞り(不図示)等も、光束の周囲に配
置され外部からの駆動を必要とする。この場合も、上記
実施例にて説明した構造と同様に、アクチュエータと駆
動伝達機構をレンズ鏡筒の外部空間に配置し、窒素ガス
等を充填した鏡筒内部空間から分離された構造とするこ
とができる。この場合も同様に、鏡筒内部に配置された
光学エレメントの汚染を防止することと、ガス充填性・
メンテナンス性の向上が可能となる。
【0029】第2の実施例 図3は、本実施例に用いた照明光学系の第1ブロック3
の詳細断面図である。ミラーボックス36および遮光管
32の内側空間は窒素ガスで充填され、ボックス36は
光束を折り曲げるための折り返しミラー23を内部に配
置している。折り返しミラー23はミラーホルダ33に
より保持され、回転軸Oを中心とした回転により、光軸
を調整できる機構となっている。この回転調整を行なう
ためにミラーボックス36の外部より調整ねじ34が配
置されている。
【0030】ここで、調整ねじ34とミラーボックス3
6は各々ねじが切られているため、その係合部には、ボ
ックス36内部からのガス漏れまたは外部からの不純物
混入に対し無視できないわずかな隙間が存在することに
なる。また、調整の際にねじ部または調整ねじ34の先
端の摩擦によりごみが発生する可能性がある。
【0031】そこで、調整ねじ34の周囲に伸縮可能な
ベローズ管35を配置し、管35の両端面をミラーホル
ダ33およびミラーボックス36に接続する。ベローズ
管はステンレス製等の脱ガスの少ないものを使用する。
【0032】以上の構成とすることで、内部からのガス
漏れと外部からの不純物の侵入を防ぐとともに、調整機
構から発生するごみをガス充填空間より隔離することが
できる。これにより、ガス充填空間内部の光学エレメン
ト表面の汚染を防止することができる。
【0033】また、本実施例では手動による光軸調整機
構について説明したが、調整機構を自動化しても良い。
その際に、アクチュエータやその周辺部品から不純物等
が放出されても、内部空間に影響を及ぼすことが無く、
同様に光学エレメント表面の汚染を防止できる。
【0034】第3の実施例 次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの生産方
法の実施例を説明する。図4は微小デバイス(ICやL
SI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気
ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ス
テップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行
なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターン
を形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエ
ハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステッ
プ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボン
ディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工
程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製さ
れた半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0035】図5は上記ウエハプロセスステップ4の詳
細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの
表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ
表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)で
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ1
4(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ス
テップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ16(露光)では上記説明した本発明の
露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付
露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを
現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0036】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
およびデバイス製造方法によれば、照明光によって引き
起こされる不純物の化学反応により生成される反応生成
物や駆動機構等から発生するごみによる、光学容器内の
光学エレメント表面の汚染を防止することができ、露光
光の照度低下や照度むらを無くすことができる。また、
光学容器内ガスの置換に必要なクリーンドライエアや不
活性ガス等の消費量を抑え、駆動機構等のメンテナンス
時の作業性を向上し、装置のダウンタイムを削減できる
露光装置およびデバイス製造方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1〜3の実施例に係わる露光装置
の概略図である。
【図2】 本発明の第1の実施例に係わるズームレンズ
系の平面図(a)および断面図(b)である。
【図3】 本発明の第2の実施例に係わる照明光学系第
1ブロックの断面図である。
【図4】 本発明のデバイス製造方法のフロー図であ
る。
【図5】 本発明のデバイス製造方法のウエハプロセス
の詳細フロー図である。
【符号の説明】
1:露光光源、2:引き回し光学系、3:照明光学系第
1ブロック、4:照明光学系第2ブロック、5:照明光
学系第3ブロック、6:照明光学系第4ブロック、7:
レチクル、8:投影光学系、9:ウエハ、10:基板ス
テージ、11:窒素供給源、12:配管、13:チャン
バ、14:ビーム整形レンズ系、15、19、23:折
り返しミラー、16:ズームレンズ系、17:フライア
イレンズ、18:リレーレンズ系、20:投影レンズ
系、21:レンズ、22:レンズホルダ、24:ストレ
ートカム鏡筒、25:ズームカム鏡筒、26:ベアリン
グ、27:Oリング、28:ギヤ、29:モータ、3
0:カムの従動子、31:レンズ鏡筒、32:遮光管、
33:ミラーホルダ、34:調整ねじ、35:べローズ
管、36:ミラーボックス。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光源からの露光光により照明光学系
    を介してマスクを照明し、前記マスク上のパターンを投
    影光学系を介して感光基板上に投影露光する露光装置で
    あって、前記照明光学系および投影光学系はそれぞれ、
    光学エレメント、該光学エレメントの内の被駆動エレメ
    ントを駆動する駆動系並びに該光学エレメントおよび駆
    動系を収容した光学容器から構成され、 前記駆動系の少なくとも一部が前記光学容器の外部空間
    に配置されていることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記被駆動エレメントはレンズである請
    求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記光学容器が、該容器にガスを導入す
    る導入口および該容器からガスを排気する排気口を、そ
    れぞれ少なくとも1つ備えている請求項1または2記載
    の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記光学容器が、前記導入口および排気
    口以外に開口部を有しない密閉構造である請求項3記載
    の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記光学容器が、一切の開口部を有しな
    い密閉構造である請求項1または2記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記光学容器内へ充填するガスが、不活
    性ガスである請求項1〜5のいずれかに記載の露光装
    置。
  7. 【請求項7】 前記露光光源はエキシマレーザを有する
    ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の露光
    装置。
  8. 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかに記載の露光装
    置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
    ス製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002318107A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Shin Meiwa Ind Co Ltd ミラーボックス
US7495851B2 (en) 2007-03-15 2009-02-24 Canon Kabushiki Kaisha Moving apparatus
CN102789135A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平测量装置

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