JP2003234281A - 露光装置、デバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、デバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2003234281A JP2003234281A JP2002032274A JP2002032274A JP2003234281A JP 2003234281 A JP2003234281 A JP 2003234281A JP 2002032274 A JP2002032274 A JP 2002032274A JP 2002032274 A JP2002032274 A JP 2002032274A JP 2003234281 A JP2003234281 A JP 2003234281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- substrate
- space
- exposure apparatus
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照明系や投影光学系、そしてメカ部材等の各
種部材を収納している容器内の不活性ガス濃度を安定化
し、更にはウエハに塗布されたレジストから発生し投影
光学系に達する不純物ガス濃度を低くする。 【解決手段】 露光中、投影光学系とステージとの間の
露光光が通過する空間を含む光路空間に不活性ガスが流
れる局所空間を形成するガス流形成装置からなり、投影
光学系からウエハへ向かう方向にたいして局所空間内に
絞り部材を設置する。
種部材を収納している容器内の不活性ガス濃度を安定化
し、更にはウエハに塗布されたレジストから発生し投影
光学系に達する不純物ガス濃度を低くする。 【解決手段】 露光中、投影光学系とステージとの間の
露光光が通過する空間を含む光路空間に不活性ガスが流
れる局所空間を形成するガス流形成装置からなり、投影
光学系からウエハへ向かう方向にたいして局所空間内に
絞り部材を設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに形成され
たパターンを露光光を用いて基板に投影し転写する露光
装置及びデバイス製造方法に関するものである。
たパターンを露光光を用いて基板に投影し転写する露光
装置及びデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子などを製造するためのフォト
リソグラフィ工程において、投影光学系を介してマスク
（例えば、レチクル）のパターン像を感光性基板に投影
し露光する露光装置が使用されている。近年、半導体集
積回路は、微細化の方向で開発が進み、フォトリソグラ
フィ工程においては、フォトリソグラフィ光源の短波長
化が進んでいる。
リソグラフィ工程において、投影光学系を介してマスク
（例えば、レチクル）のパターン像を感光性基板に投影
し露光する露光装置が使用されている。近年、半導体集
積回路は、微細化の方向で開発が進み、フォトリソグラ
フィ工程においては、フォトリソグラフィ光源の短波長
化が進んでいる。
【０００３】しかしながら、真空紫外線、特に２５０ｎ
ｍよりも短い波長の光、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）、またはＹＡ
Ｇレーザなどの高調波などの光を露光用光として用いる
場合やＸ線を露光光として用いる場合などにおいて、酸
素等による露光光の吸収などの影響で、露光光の強度が
低下するなどの課題が生じていた。
ｍよりも短い波長の光、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）、またはＹＡ
Ｇレーザなどの高調波などの光を露光用光として用いる
場合やＸ線を露光光として用いる場合などにおいて、酸
素等による露光光の吸収などの影響で、露光光の強度が
低下するなどの課題が生じていた。
【０００４】そこで、従来では、F2エキシマレーザのよ
うな光源を有する露光装置において、光路部分のみを密
閉する密閉空間を形成し、例えば、窒素のような酸素を
含まない気体によって密閉空間内のガスを置換し、露光
光の透過率の低下を回避しようとしていた。
うな光源を有する露光装置において、光路部分のみを密
閉する密閉空間を形成し、例えば、窒素のような酸素を
含まない気体によって密閉空間内のガスを置換し、露光
光の透過率の低下を回避しようとしていた。
【０００５】図１１、図１２は、投影光学系（鏡筒）の
最終光学部材と感光性基板（ウエハ）との間の空間に不
活性ガスを供給することによって該空間に不活性ガス雰
囲気を形成して露光を実施する露光装置を示す図であ
る。この露光装置では、露光領域上の空間とその周辺雰
囲気とを分離するために該空間の周辺に遮蔽部材を設
け、該空間内に露光領域周辺から不活性ガスを供給す
る。
最終光学部材と感光性基板（ウエハ）との間の空間に不
活性ガスを供給することによって該空間に不活性ガス雰
囲気を形成して露光を実施する露光装置を示す図であ
る。この露光装置では、露光領域上の空間とその周辺雰
囲気とを分離するために該空間の周辺に遮蔽部材を設
け、該空間内に露光領域周辺から不活性ガスを供給す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１
１、図１２に示す露光装置においては、ウエハ周辺の段
差や隙間に溜まった雰囲気が空間内に移動するまで不活
性ガスへ置換できず、ウエハ周辺を露光する際には空間
内の不活性ガス濃度が低下し、また、ウエハステージが
高速移動した場合には巻き込みの影響で不活性ガス濃度
が低下し、照度ムラの原因となっていた。更に、いった
ん該空間内の不活性ガス濃度が低下すると所定の不活性
ガス濃度に復帰するには時間がかかり、スループット低
下の原因となっていた。
１、図１２に示す露光装置においては、ウエハ周辺の段
差や隙間に溜まった雰囲気が空間内に移動するまで不活
性ガスへ置換できず、ウエハ周辺を露光する際には空間
内の不活性ガス濃度が低下し、また、ウエハステージが
高速移動した場合には巻き込みの影響で不活性ガス濃度
が低下し、照度ムラの原因となっていた。更に、いった
ん該空間内の不活性ガス濃度が低下すると所定の不活性
ガス濃度に復帰するには時間がかかり、スループット低
下の原因となっていた。
【０００７】また、ウエハに塗布されたレジストからは
例えば有機ガス等の不純物ガスが発生する。前記従来の
露光装置では該空間内の不純物ガス濃度を十分に下げる
ことができず、不純物ガスが露光光によって化学反応を
起こし、これがコンタミとして投影光学系のレンズに付
着し照度低下の原因となっていた。
例えば有機ガス等の不純物ガスが発生する。前記従来の
露光装置では該空間内の不純物ガス濃度を十分に下げる
ことができず、不純物ガスが露光光によって化学反応を
起こし、これがコンタミとして投影光学系のレンズに付
着し照度低下の原因となっていた。
【０００８】同様の問題は、レチクル周辺に不活性ガス
を供給する場合にも当てはまり、レチクル周辺を露光す
る際には空間内の不活性ガス濃度が低下し、また、ウエ
ハステージが高速移動した場合には巻き込みの影響で不
活性ガス濃度が低下し、照度ムラの原因となっていた。
を供給する場合にも当てはまり、レチクル周辺を露光す
る際には空間内の不活性ガス濃度が低下し、また、ウエ
ハステージが高速移動した場合には巻き込みの影響で不
活性ガス濃度が低下し、照度ムラの原因となっていた。
【０００９】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、照明系や投影光学系、そしてメカ部材等の各種
部材を収納している容器内の不活性ガス濃度を安定化
し、更にはウエハに塗布されたレジストから発生し投影
光学系に達する不純物ガス濃度を低くすることができる
露光装置、デバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
であり、照明系や投影光学系、そしてメカ部材等の各種
部材を収納している容器内の不活性ガス濃度を安定化
し、更にはウエハに塗布されたレジストから発生し投影
光学系に達する不純物ガス濃度を低くすることができる
露光装置、デバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による露光装置は、基板と基板を保持するた
めのステージと、露光中、光学系と該ステージとの空間
を含む光路空間に不活性ガスが流れる局所空間を形成す
るガス流形成装置からなり、該ガス流形成装置は該局所
空間と比して該基板と狭空間を隔てて該光学系側に載置
され、該光学系から該基板へ向かう方向にたいして該局
所空間内に絞り部材を備えている。
めの本発明による露光装置は、基板と基板を保持するた
めのステージと、露光中、光学系と該ステージとの空間
を含む光路空間に不活性ガスが流れる局所空間を形成す
るガス流形成装置からなり、該ガス流形成装置は該局所
空間と比して該基板と狭空間を隔てて該光学系側に載置
され、該光学系から該基板へ向かう方向にたいして該局
所空間内に絞り部材を備えている。
【００１１】また、好ましくは、該ガス流形成装置は該
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した給気口と排
気口を備え、該絞り部材は板状部材で該給気口出口また
は該排気口入口の少なくとも一方の基板側に概ねガス流
に沿った方向に設置されている。
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した給気口と排
気口を備え、該絞り部材は板状部材で該給気口出口また
は該排気口入口の少なくとも一方の基板側に概ねガス流
に沿った方向に設置されている。
【００１２】また、好ましくは、該ガス流形成装置は該
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した二つの給気
口を備え、該絞り部材は板状部材で該給気口出口の基板
側に概ねガス流に沿った方向に設置されている。
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した二つの給気
口を備え、該絞り部材は板状部材で該給気口出口の基板
側に概ねガス流に沿った方向に設置されている。
【００１３】また、好ましくは、該ガス流形成装置は該
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した二つの給気
口と、該局所空間内の該基板に近い場所に対向した給気
口と排気口を備え、該絞り部材はこれら二対の給排気口
の中間に概ねガス流に沿った方向に設置されている。
局所空間内の該光学系に近い場所に対向した二つの給気
口と、該局所空間内の該基板に近い場所に対向した給気
口と排気口を備え、該絞り部材はこれら二対の給排気口
の中間に概ねガス流に沿った方向に設置されている。
【００１４】上記の目的を達成するための本発明による
デバイス製造方法は以下の構成を備える。すなわち、デ
バイス製造方法であって、露光装置を用いて、感光材が
塗布されたウエハにパターンを転写する転写工程と、該
ウエハを現像する現像工程とを備え、該露光装置は、パ
ターンを形成したレチクルに照射された露光光をウエハ
に投影するための投影光学系と、該ウエハを保持し平面
上を移動可能なステージと、露光中、該投影光学系と該
ステージとの間の露光光が通過する空間を含む光路空間
に不活性ガスが流れる局所空間を形成するガス流形成装
置からなり、該投影光学系から該ウエハへ向かう方向に
たいして該局所空間内に絞り部材を備える。
デバイス製造方法は以下の構成を備える。すなわち、デ
バイス製造方法であって、露光装置を用いて、感光材が
塗布されたウエハにパターンを転写する転写工程と、該
ウエハを現像する現像工程とを備え、該露光装置は、パ
ターンを形成したレチクルに照射された露光光をウエハ
に投影するための投影光学系と、該ウエハを保持し平面
上を移動可能なステージと、露光中、該投影光学系と該
ステージとの間の露光光が通過する空間を含む光路空間
に不活性ガスが流れる局所空間を形成するガス流形成装
置からなり、該投影光学系から該ウエハへ向かう方向に
たいして該局所空間内に絞り部材を備える。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１６】(実施形態１)図１、図２は本発明の実施形
態１の露光装置の一部を示す図である。この露光装置
は、例えば、不図示のＦ2エキシマレーザのような短波
長レーザ光を照明光として発生する光源を備え、該光源
の照明光（露光光）は適当な照明光学部材を介してレチ
クル（マスク）を均一に照明する。レチクルを透過した
光（露光光）は、投影光学系を構成する種々の光学部材
を介し、給気部および排気部を有するチャンバ内に設置
されたウエハステージ上に載置されたウエハの表面上に
到達し、ここにレチクルのパターンを結像する。
態１の露光装置の一部を示す図である。この露光装置
は、例えば、不図示のＦ2エキシマレーザのような短波
長レーザ光を照明光として発生する光源を備え、該光源
の照明光（露光光）は適当な照明光学部材を介してレチ
クル（マスク）を均一に照明する。レチクルを透過した
光（露光光）は、投影光学系を構成する種々の光学部材
を介し、給気部および排気部を有するチャンバ内に設置
されたウエハステージ上に載置されたウエハの表面上に
到達し、ここにレチクルのパターンを結像する。
【００１７】ウエハが載置されるウエハステージは、３
次元方向（ＸＹＺ方向）に移動可能に構成されている。
レチクルのパターンは、ステッピング移動と露光とを繰
り返す所謂ステッピングアンドリピート方式で、ウエハ
上に逐次投影され転写される。また、本発明をスキャン
露光装置に適用した場合においても、ほぼ同じ構成とな
る。
次元方向（ＸＹＺ方向）に移動可能に構成されている。
レチクルのパターンは、ステッピング移動と露光とを繰
り返す所謂ステッピングアンドリピート方式で、ウエハ
上に逐次投影され転写される。また、本発明をスキャン
露光装置に適用した場合においても、ほぼ同じ構成とな
る。
【００１８】露光時には、高精度に温度および不純物濃
度管理された不活性ガス（例えば、窒素ガス、ヘリウム
ガス等）を給気バルブを介して、投影光学系下部のガス
流形成装置内の露光光が通過する空間及びその周辺を含
む局所空間に給気口から供給する。局所空間に供給され
た不活性ガスの一部は、排気口で回収され排気バルブを
介して排気される。尚、図１中の矢印は、不活性ガスの
流れを示している。
度管理された不活性ガス（例えば、窒素ガス、ヘリウム
ガス等）を給気バルブを介して、投影光学系下部のガス
流形成装置内の露光光が通過する空間及びその周辺を含
む局所空間に給気口から供給する。局所空間に供給され
た不活性ガスの一部は、排気口で回収され排気バルブを
介して排気される。尚、図１中の矢印は、不活性ガスの
流れを示している。
【００１９】また、基本的には、周辺雰囲気に対して局
所空間を陽圧にすることで、局所空間内の露光雰囲気の
酸素濃度を低下させる。そのため、排気バルブを介して
排気される排気量以上に局所空間から周辺空間に漏れ出
す不活性ガスの量は多い。局所空間外に漏れ出した不活
性ガスは、給気部から供給されるチャンバ内雰囲気と伴
に排気部で回収され排気される。ここでチャンバ内雰囲
気は、露光雰囲気を含む局所空間をガス流形成装置によ
って高精度に温度および不純物濃度管理しているので、
給気部から供給される気体は許される限り比較的中程度
の温度および不純物濃度管理された気体でよい。
所空間を陽圧にすることで、局所空間内の露光雰囲気の
酸素濃度を低下させる。そのため、排気バルブを介して
排気される排気量以上に局所空間から周辺空間に漏れ出
す不活性ガスの量は多い。局所空間外に漏れ出した不活
性ガスは、給気部から供給されるチャンバ内雰囲気と伴
に排気部で回収され排気される。ここでチャンバ内雰囲
気は、露光雰囲気を含む局所空間をガス流形成装置によ
って高精度に温度および不純物濃度管理しているので、
給気部から供給される気体は許される限り比較的中程度
の温度および不純物濃度管理された気体でよい。
【００２０】給気バルブ及び排気バルブの開閉及び開度
は環境制御器で制御される。通常、給気バルブ及び排気
バルブは開放状態になっており、ステージの位置にかか
わらず、不活性ガスは局所空間内に常時供給されてい
る。ただし、ウエハ交換・メンテナンス時など、局所空
間下からステージが外れる場合は一時的に不活性ガスの
供給を停止、もしくは供給量を少なくし、ウエハ交換後
にステージが局所空間下に再突入する前に供給を開始、
もしくは供給量を戻す制御を行っても良い。
は環境制御器で制御される。通常、給気バルブ及び排気
バルブは開放状態になっており、ステージの位置にかか
わらず、不活性ガスは局所空間内に常時供給されてい
る。ただし、ウエハ交換・メンテナンス時など、局所空
間下からステージが外れる場合は一時的に不活性ガスの
供給を停止、もしくは供給量を少なくし、ウエハ交換後
にステージが局所空間下に再突入する前に供給を開始、
もしくは供給量を戻す制御を行っても良い。
【００２１】また、環境制御器及びステージ制御器並び
に不図示の他の制御器は、メインコントローラにより、
ウエハ交換、アライメント動作、露光動作等の種々の動
作において統括的に制御される。メインコントローラに
よる制御内容や露光装置の動作状態は、監視装置によっ
て監視される。
に不図示の他の制御器は、メインコントローラにより、
ウエハ交換、アライメント動作、露光動作等の種々の動
作において統括的に制御される。メインコントローラに
よる制御内容や露光装置の動作状態は、監視装置によっ
て監視される。
【００２２】ここで、上述のチャンバ内雰囲気により局
所空間から漏れ出した不活性ガスは流されてしまうため
に、ウエハステージの高速移動時の巻き込みにより、ま
た、ウエハ周辺の隙間・段差部分の雰囲気の置換が局所
空間に入るまでに行われず、ここで局所空間内の酸素濃
度が上昇する可能性があった。
所空間から漏れ出した不活性ガスは流されてしまうため
に、ウエハステージの高速移動時の巻き込みにより、ま
た、ウエハ周辺の隙間・段差部分の雰囲気の置換が局所
空間に入るまでに行われず、ここで局所空間内の酸素濃
度が上昇する可能性があった。
【００２３】そこで、実施形態１では、速やかに局所空
間内の酸素濃度を設定値以内に下げるために、ガス流形
成装置をウエハと狭空間を隔てて投影光学系側に設置す
る。狭空間のガス流形成装置とウエハとの距離H１は局
所空間の投影光学系とウエハとの距離H0の１／５程度以
下がより速やかに局所空間内の酸素濃度を設定値以内に
下げることができる。また狭空間のガス流に沿った長さ
L1はH1の２倍以上の長さに設定するのが同様に好まし
い。
間内の酸素濃度を設定値以内に下げるために、ガス流形
成装置をウエハと狭空間を隔てて投影光学系側に設置す
る。狭空間のガス流形成装置とウエハとの距離H１は局
所空間の投影光学系とウエハとの距離H0の１／５程度以
下がより速やかに局所空間内の酸素濃度を設定値以内に
下げることができる。また狭空間のガス流に沿った長さ
L1はH1の２倍以上の長さに設定するのが同様に好まし
い。
【００２４】ガス流形成装置の外形については、図１の
ガス流形成装置の断面を紙面の奥行き方向に引き伸ばし
た形状でもよいし、露光光軸に対して回転対称であって
もよく、特にこれらの形状に限定されるものではない。
ガス流形成装置の断面を紙面の奥行き方向に引き伸ばし
た形状でもよいし、露光光軸に対して回転対称であって
もよく、特にこれらの形状に限定されるものではない。
【００２５】さらに、局所空間内は例えばウエハに塗布
されたレジストから有機ガスが発生し、有機ガスが露光
光と反応して投影光学系のレンズの表面にコンタミが付
着し、結果レンズをくもらせ露光光の強度を下げる可能
性があった。
されたレジストから有機ガスが発生し、有機ガスが露光
光と反応して投影光学系のレンズの表面にコンタミが付
着し、結果レンズをくもらせ露光光の強度を下げる可能
性があった。
【００２６】そこで、実施形態１では、局所空間内の給
気口の出口に投影光学系からウエハへ向かう方向にたい
して局所空間内の一部の断面積を小さくするための絞り
部材を備える。絞り部材によって局所空間内のガスが紙
面の垂直方向を軸としたウエハ側から投影光学系側に達
する渦流の発生が抑えられ、したがってウエハに塗布さ
れたレジストから発生する有機ガス等は速やかに排出さ
れ、投影光学系のレンズに到達する有機ガス等の濃度を
十分に下げることが出来、レンズのくもりを抑制するこ
とが出来る。更に局所空間内の不活性ガスの流れが滑ら
かになるため、結果として局所空間内の酸素濃度をより
速やかに下げることができる。
気口の出口に投影光学系からウエハへ向かう方向にたい
して局所空間内の一部の断面積を小さくするための絞り
部材を備える。絞り部材によって局所空間内のガスが紙
面の垂直方向を軸としたウエハ側から投影光学系側に達
する渦流の発生が抑えられ、したがってウエハに塗布さ
れたレジストから発生する有機ガス等は速やかに排出さ
れ、投影光学系のレンズに到達する有機ガス等の濃度を
十分に下げることが出来、レンズのくもりを抑制するこ
とが出来る。更に局所空間内の不活性ガスの流れが滑ら
かになるため、結果として局所空間内の酸素濃度をより
速やかに下げることができる。
【００２７】尚、絞り部材の設置場所は図２の様に局所
空間の給気側のみに限らず、図３の様に排気側に設けて
も良いし、図４の様に給気側、排気側両方に設けても良
い。
空間の給気側のみに限らず、図３の様に排気側に設けて
も良いし、図４の様に給気側、排気側両方に設けても良
い。
【００２８】また、変形例として、図５の様に図２の排
気機構を給気機構に変更し、局所空間内に対向した給気
口とし各給気口に絞り部材を設けても良い。この場合各
給気口からの不活性ガス供給量、絞り部材の長さおよび
位置は特に対称である必要はなく、図６に示すように非
対称な構成の方がコンタミを防止する効果が大きい。
気機構を給気機構に変更し、局所空間内に対向した給気
口とし各給気口に絞り部材を設けても良い。この場合各
給気口からの不活性ガス供給量、絞り部材の長さおよび
位置は特に対称である必要はなく、図６に示すように非
対称な構成の方がコンタミを防止する効果が大きい。
【００２９】更に、別の変形例として、図７に示すよう
に、絞り部材を設ける代わりに給気口出口付近のガス流
形成装置のウエハ側を削ることによって狭空間の一部の
空間を広げ、絞り部材を設けたのと同等の効果が期待で
きる。
に、絞り部材を設ける代わりに給気口出口付近のガス流
形成装置のウエハ側を削ることによって狭空間の一部の
空間を広げ、絞り部材を設けたのと同等の効果が期待で
きる。
【００３０】またこれらの実施例では絞り部材が固定で
あったが、絞り部材を動かすための駆動機構を付加し、
露光状態によって絞り部材を動かしてもよい。この場合
例えば、ステージの移動中は絞り部材の突出量を多くし
て不活性ガス濃度の低下を防止し、露光中には露光光を
遮らない位置まで絞り部材の突出量を少なくすることが
可能である。
あったが、絞り部材を動かすための駆動機構を付加し、
露光状態によって絞り部材を動かしてもよい。この場合
例えば、ステージの移動中は絞り部材の突出量を多くし
て不活性ガス濃度の低下を防止し、露光中には露光光を
遮らない位置まで絞り部材の突出量を少なくすることが
可能である。
【００３１】また本実施例では、投影光学系とウエハと
ウエハステージについて具体的に説明したが、図１３に
示すように、照明光学系とレチクルとレチクルステージ
に適用することも同様に可能である。
ウエハステージについて具体的に説明したが、図１３に
示すように、照明光学系とレチクルとレチクルステージ
に適用することも同様に可能である。
【００３２】(実施形態２)実施形態２では、図８に示す
ようにガス流形成装置の給排気系を２系統用意し、投影
光学系側は対向する二つの給気口、ウエハ側は給気口と
排気口とを対向させ、絞り部材はこれら二対の給排気口
の中間に設けた。
ようにガス流形成装置の給排気系を２系統用意し、投影
光学系側は対向する二つの給気口、ウエハ側は給気口と
排気口とを対向させ、絞り部材はこれら二対の給排気口
の中間に設けた。
【００３３】上記の構成によると、投影光学系側の対向
する二つの給気口と絞り部材がウエハに塗布されたレジ
ストから発生し投影光学系に達しようとする不純物ガス
を抑え、ウエハ側の給気口と排気口によって形成される
ガス流によって速やかに不純物ガスを外に排出すること
が可能となる。
する二つの給気口と絞り部材がウエハに塗布されたレジ
ストから発生し投影光学系に達しようとする不純物ガス
を抑え、ウエハ側の給気口と排気口によって形成される
ガス流によって速やかに不純物ガスを外に排出すること
が可能となる。
【００３４】(露光装置の応用例)次に上記の露光装置を
利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
【００３５】図９は半導体デバイスの全体的な製造プロ
セスのフローを示す。
セスのフローを示す。
【００３６】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）で
は、設計した回路パターンに基づいてマスクを作製す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）で
は、設計した回路パターンに基づいてマスクを作製す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。
【００３７】次のステップ５（組立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）では、
ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成し、ステップ７で、これを出荷す
る。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）では、
ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成し、ステップ７で、これを出荷す
る。
【００３８】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。
ーを示す。
【００３９】ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面
を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表
面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）で
は、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ
１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光
剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記の露光
装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステッ
プ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
は、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンを形成する。
を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表
面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）で
は、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ
１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光
剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記の露光
装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステッ
プ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
は、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
照明系や投影光学系、そしてメカ部材等の各種部材を収
納している容器内の不活性ガス濃度を安定化し、更には
ウエハに塗布されたレジストから発生し投影光学系に達
する不純物ガス濃度を低くすることができる露光装置、
デバイス製造方法を提供できる。
照明系や投影光学系、そしてメカ部材等の各種部材を収
納している容器内の不活性ガス濃度を安定化し、更には
ウエハに塗布されたレジストから発生し投影光学系に達
する不純物ガス濃度を低くすることができる露光装置、
デバイス製造方法を提供できる。
【図１】 本発明の実施形態１の露光装置の一部を示す
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施形態１の図１の構成を省略した
図である。
図である。
【図３】 本発明の実施形態１の図２の露光装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】 本発明の実施形態１の図２の露光装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】 本発明の実施形態１の図２の露光装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図６】 本発明の実施形態１の図２の露光装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】 本発明の実施形態１の図２の露光装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図８】 本発明の実施形態２の露光装置の一部を示す
図である。
図である。
【図９】 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図１０】 半導体デバイスの全体的な製造プロセスの
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１１】 従来の露光装置の一部を示す図である。
【図１２】 従来の露光装置の一部を示す図である。
【図１３】 本発明の実施形態１で照明光学系とレチク
ルとの空間にガス流形成装置を設置した例を示す図であ
る。
ルとの空間にガス流形成装置を設置した例を示す図であ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H097 AA20 AB09 BA10 CA13 GA01
LA10
5F046 AA22 BA03 CB17 CB26 DA06
DA07 DA27 DA30 DB03 DD06
Claims (7)
- 【請求項１】 パターンを形成したレチクルに照射され
た露光光をウエハに投影するための露光装置において、 基板と基板を保持するためのステージと、露光中、光学
系と該ステージとの空間を含む光路空間に不活性ガスが
流れる局所空間を形成するガス流形成装置からなり、 該ガス流形成装置は該局所空間と比して該基板と狭空間
を隔てて該光学系側に載置され、該光学系から該基板へ
向かう方向にたいして該局所空間内に絞り部材を備える
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 該ガス流形成装置は該局所空間内の該光
学系に近い場所に対向した給気口と排気口を備え、該絞
り部材は板状部材で該給気口出口または該排気口入口の
少なくとも一方の基板側に概ねガス流に沿った方向に設
置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 該ガス流形成装置は該局所空間内の該光
学系に近い場所に対向した二つの給気口を備え、該絞り
部材は板状部材で該給気口出口の基板側に概ねガス流に
沿った方向に設置されることを特徴とする請求項１に記
載の露光装置。 - 【請求項４】 該ガス流形成装置は該局所空間内の該光
学系に近い場所に対向した二つの給気口と、該局所空間
内の該基板に近い場所に対向した給気口と排気口を備
え、該絞り部材はこれら二対の給排気口の中間に概ねガ
ス流に沿った方向に設置されることを特徴とする請求項
１に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記基板はレチクルであり、前記ステー
ジはレチクルステージであるところの請求項１から請求
項４のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記基板はウエハであり、前記ステージ
はウエハステージであるところの請求項１から請求項４
のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項７】 デバイス製造方法であって、露光装置を
用いて、感光材が塗布されたウエハにパターンを転写す
る転写工程と、該ウエハを現像する現像工程とを備え、
該露光装置は、 基板と基板を保持するためのステージと、露光中、光学
系と該ステージとの空間を含む光路空間に不活性ガスが
流れる局所空間を形成するガス流形成装置からなり該ガ
ス流形成装置は該光学系側に該基板と狭空間を隔てて載
置され、該光学系から該基板へ向かう方向にたいして該
局所空間内に絞り部材を備えることを特徴とするデバイ
ス製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032274A JP2003234281A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 露光装置、デバイス製造方法 |
| US10/329,816 US6934003B2 (en) | 2002-01-07 | 2002-12-27 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| EP03250001A EP1326139B1 (en) | 2002-01-07 | 2003-01-02 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| DE60331874T DE60331874D1 (de) | 2002-01-07 | 2003-01-02 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| AT03250001T ATE462991T1 (de) | 2002-01-07 | 2003-01-02 | Belichtungsapparat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
| US11/136,687 US7123343B2 (en) | 2002-01-07 | 2005-05-25 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US11/495,767 US7738076B2 (en) | 2002-01-07 | 2006-07-31 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032274A JP2003234281A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 露光装置、デバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234281A true JP2003234281A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27775447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002032274A Pending JP2003234281A (ja) | 2002-01-07 | 2002-02-08 | 露光装置、デバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003234281A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102193337A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-09-21 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法 |
| US8253921B2 (en) | 2003-09-03 | 2012-08-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| JP2015502036A (ja) * | 2011-11-17 | 2015-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| CN104335121A (zh) * | 2012-03-14 | 2015-02-04 | Asml荷兰有限公司 | 光刻仪器 |
| JP2015522843A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| CN105980820A (zh) * | 2014-02-05 | 2016-09-28 | 浜松光子学株式会社 | 分光器及分光器的制造方法 |
-
2002
- 2002-02-08 JP JP2002032274A patent/JP2003234281A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8253921B2 (en) | 2003-09-03 | 2012-08-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| TWI385707B (zh) * | 2003-09-03 | 2013-02-11 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| JP2011199284A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、照明システム、投影システム、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造する方法 |
| US8810769B2 (en) | 2010-03-19 | 2014-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
| CN102193337A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-09-21 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法 |
| JP2017223980A (ja) * | 2011-11-17 | 2017-12-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2015502036A (ja) * | 2011-11-17 | 2015-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| CN104335121A (zh) * | 2012-03-14 | 2015-02-04 | Asml荷兰有限公司 | 光刻仪器 |
| US9513566B2 (en) | 2012-03-14 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US9513568B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP2015522843A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| US10788763B2 (en) | 2012-07-06 | 2020-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| CN105980820A (zh) * | 2014-02-05 | 2016-09-28 | 浜松光子学株式会社 | 分光器及分光器的制造方法 |
| US10060792B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-08-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectrometer, and spectrometer production method |
| US10775236B2 (en) | 2014-02-05 | 2020-09-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectrometer, and spectrometer production method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1326139B1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US6252648B1 (en) | Exposure apparatus and method of cleaning optical element of the same | |
| JP4026943B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2005129898A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US7760323B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
| JP2000133585A (ja) | 露光装置 | |
| JP2003059803A (ja) | 露光装置 | |
| JP2003234281A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法 | |
| WO2007083686A1 (ja) | 露光装置 | |
| US6590631B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JP4174239B2 (ja) | ガス供給装置、露光システムおよびデバイス製造方法 | |
| US7251014B2 (en) | Exposing method, exposing apparatus and device manufacturing method utilizing them | |
| JP3809416B2 (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP4724537B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2005166897A (ja) | 露光装置 | |
| JPWO2002065183A1 (ja) | 鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
| JP2008288377A (ja) | 露光装置 | |
| JP2002373853A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000021744A (ja) | 露光装置およびそれを用いるデバイス製造方法 | |
| JP2003059802A (ja) | 露光装置及びその制御方法、デバイス製造方法 | |
| JP2001167997A (ja) | 露光装置およびデバイス製造法 | |
| JP2008135586A (ja) | 露光装置 | |
| JP2010157671A (ja) | 基板処理装置、現像装置、並びに露光方法及び装置 | |
| JP2001028331A (ja) | 光学装置およびこれを用いた露光装置、ガス流入方法 | |
| JP2004134567A (ja) | 露光装置 |