JP2000012970A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JP2000012970A JP2000012970A JP17330998A JP17330998A JP2000012970A JP 2000012970 A JP2000012970 A JP 2000012970A JP 17330998 A JP17330998 A JP 17330998A JP 17330998 A JP17330998 A JP 17330998A JP 2000012970 A JP2000012970 A JP 2000012970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- electrode
- layer
- film
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- NTWRPUHOZUFEDH-UHFFFAOYSA-N C[Mg]C1C=CC=C1 Chemical compound C[Mg]C1C=CC=C1 NTWRPUHOZUFEDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い信頼性で実装が可能な窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板１の一主面にレーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層を形成し、このＧａＮ系半
導体層上にｐ側電極１６をｎ側電極１７より高く形成す
るＧａＮ系半導体レーザにおいて、ｐ側電極形成領域に
おけるＧａＮ系半導体層の上部に溝１２、１３を互いに
平行に形成してそれらの間にリッジ部１４を形成し、こ
れらのリッジ部１４および溝１２、１３にまたがってｐ
側電極１６を形成する。
Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板１の一主面にレーザ構造
を形成するＧａＮ系半導体層を形成し、このＧａＮ系半
導体層上にｐ側電極１６をｎ側電極１７より高く形成す
るＧａＮ系半導体レーザにおいて、ｐ側電極形成領域に
おけるＧａＮ系半導体層の上部に溝１２、１３を互いに
平行に形成してそれらの間にリッジ部１４を形成し、こ
れらのリッジ部１４および溝１２、１３にまたがってｐ
側電極１６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
に関し、特に、ＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードに適用
して好適なものである。
に関し、特に、ＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードに適用
して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体は直接遷移半導体であ
り、その禁制帯幅は１．９ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、可視領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な発
光素子の実現が可能であることから、近年注目を集めて
おり、その開発が活発に進められている。
り、その禁制帯幅は１．９ｅＶから６．２ｅＶに亘って
おり、可視領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な発
光素子の実現が可能であることから、近年注目を集めて
おり、その開発が活発に進められている。
【０００３】このＧａＮ系半導体発光素子としては、す
でに発光ダイオードが実用化されている。このＧａＮ系
発光ダイオードの実用化により、単に緑色〜紫外の波長
範囲の短波長光源が得られただけでなく、高輝度の三原
色発光ダイオード光源がそろったことでフルカラーディ
スプレイなどへの応用も確実となった。一方、ＧａＮ系
半導体レーザについては、実用化にはまだ至っていない
ものの、すでに室温連続発振が達成され、現在は長寿命
化が図られている。
でに発光ダイオードが実用化されている。このＧａＮ系
発光ダイオードの実用化により、単に緑色〜紫外の波長
範囲の短波長光源が得られただけでなく、高輝度の三原
色発光ダイオード光源がそろったことでフルカラーディ
スプレイなどへの応用も確実となった。一方、ＧａＮ系
半導体レーザについては、実用化にはまだ至っていない
ものの、すでに室温連続発振が達成され、現在は長寿命
化が図られている。
【０００４】図１７はリッジ構造およびＳＣＨ（Separa
te Confinement Heterostructure）構造を有する従来の
ＧａＮ系半導体レーザの一例を示す。
te Confinement Heterostructure）構造を有する従来の
ＧａＮ系半導体レーザの一例を示す。
【０００５】図１７に示すように、このＧａＮ系半導体
レーザにおいては、ｃ面サファイア基板１０１上に、低
温成長によるアンドープＧａＮバッファ層１０２を介し
て、アンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト
層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５、ｎ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy
Ｎ多重量子井戸構造の活性層１０７、ｐ型ＡｌＧａＮキ
ャップ層１０８、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層
１１１が順次積層されている。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮ
キャップ層１０８は、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１１を１０００℃程度の温度で成長させる際にＧ
ａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の
活性層１０７からＩｎＮが分解するのを防止するととも
に、活性層１０７からの電子のオーバーフローを防止す
るためのものである。
レーザにおいては、ｃ面サファイア基板１０１上に、低
温成長によるアンドープＧａＮバッファ層１０２を介し
て、アンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト
層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５、ｎ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy
Ｎ多重量子井戸構造の活性層１０７、ｐ型ＡｌＧａＮキ
ャップ層１０８、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層
１１１が順次積層されている。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮ
キャップ層１０８は、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１１を１０００℃程度の温度で成長させる際にＧ
ａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の
活性層１０７からＩｎＮが分解するのを防止するととも
に、活性層１０７からの電子のオーバーフローを防止す
るためのものである。
【０００６】ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４の上層部、
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５、ｎ型ＧａＮ光導波層
１０６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層１０７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１
０８、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１１は所
定幅のメサ形状を有する。また、このメサ部におけるｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層１１０の上層部およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１１には一方向に延在する所定幅のリ
ッジ部１１２が形成されている。メサ部の表面およびメ
サ部以外の部分のｎ型ＧａＮコンタクト層１０４の表面
にはＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１１３が設けられてい
る。この絶縁膜１１２には、リッジ部１１２の上の部分
に開口１１３ａが、メサ部に隣接する部分のｎ型ＧａＮ
コンタクト層１０４の上の部分に開口１１３ｂが設けら
れている。そして、リッジ部１１２をまたぐようにｐ側
電極１１４が設けられており、絶縁膜１１３の開口１１
３ａを通じてリッジ部１１２のｐ型ＧａＮコンタクト層
１１１とオーミックコンタクトしている。また、絶縁膜
１１３の開口１１３ｂを通じてｎ型ＧａＮコンタクト層
１０４上にｎ側電極１１５がオーミックコンタクトして
設けられている。
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５、ｎ型ＧａＮ光導波層
１０６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層１０７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１
０８、ｐ型ＧａＮ光導波層１０９、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層１１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１１は所
定幅のメサ形状を有する。また、このメサ部におけるｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層１１０の上層部およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１１には一方向に延在する所定幅のリ
ッジ部１１２が形成されている。メサ部の表面およびメ
サ部以外の部分のｎ型ＧａＮコンタクト層１０４の表面
にはＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１１３が設けられてい
る。この絶縁膜１１２には、リッジ部１１２の上の部分
に開口１１３ａが、メサ部に隣接する部分のｎ型ＧａＮ
コンタクト層１０４の上の部分に開口１１３ｂが設けら
れている。そして、リッジ部１１２をまたぐようにｐ側
電極１１４が設けられており、絶縁膜１１３の開口１１
３ａを通じてリッジ部１１２のｐ型ＧａＮコンタクト層
１１１とオーミックコンタクトしている。また、絶縁膜
１１３の開口１１３ｂを通じてｎ型ＧａＮコンタクト層
１０４上にｎ側電極１１５がオーミックコンタクトして
設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１７に示すＧａＮ系
半導体レーザをサブマウント上に実装する場合には、こ
のＧａＮ系半導体レーザのｐ側電極１１４およびｎ側電
極１１５を下にしてこれらのｐ側電極１１４およびｎ側
電極１１５をはんだなどを介してサブマウント上にあら
かじめ形成された電極と接続する必要がある。
半導体レーザをサブマウント上に実装する場合には、こ
のＧａＮ系半導体レーザのｐ側電極１１４およびｎ側電
極１１５を下にしてこれらのｐ側電極１１４およびｎ側
電極１１５をはんだなどを介してサブマウント上にあら
かじめ形成された電極と接続する必要がある。
【０００８】しかしながら、この実装時には、ＧａＮ系
半導体レーザのｐ側電極１１４のうちのリッジ部１１２
の上の平坦部しかサブマウントと当たらないことから、
ｐ側電極１１４とサブマウントとの熱抵抗が高く、ま
た、ＧａＮ系半導体レーザをサブマウント上に置いたと
きの安定性が悪く、傾きやすいなどの問題があり、実装
の信頼性が悪かった。
半導体レーザのｐ側電極１１４のうちのリッジ部１１２
の上の平坦部しかサブマウントと当たらないことから、
ｐ側電極１１４とサブマウントとの熱抵抗が高く、ま
た、ＧａＮ系半導体レーザをサブマウント上に置いたと
きの安定性が悪く、傾きやすいなどの問題があり、実装
の信頼性が悪かった。
【０００９】したがって、この発明の目的は、高い信頼
性で実装が可能な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
用いた半導体発光素子を提供することにある。
性で実装が可能な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
用いた半導体発光素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、基板の一方の主面に発光素子構造を形
成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第１の電極が第
２の電極より高く形成された半導体発光素子において、
第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起部の
少なくとも一方の側の溝が形成されていることを特徴と
するものである。
に、この発明は、基板の一方の主面に発光素子構造を形
成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第１の電極が第
２の電極より高く形成された半導体発光素子において、
第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起部の
少なくとも一方の側の溝が形成されていることを特徴と
するものである。
【００１１】この発明において、第１の電極は、典型的
には、突起部およびこの突起部の少なくとも一方の側の
溝をまたぐように形成される。また、この溝は、第１の
電極の最も高い部分に形成される平坦部の面積をより大
きくするために、好適には、突起部の両側に形成され
る。典型的な一つの例では、第１の電極は、突起部の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と接触しており、突
起部以外の部分では窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層上に形成された絶縁膜と接触している。典型的なもう
一つの例では、突起部の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層上に第１の電極が形成されているとともに、第１
の電極を覆い、かつ突起部および溝をまたぐように第１
の電極の一部を構成するパッド電極が形成される。この
場合、このパッド電極により、突起部の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層上に形成された第１の電極が機械
的に保護される。ここで、典型的には、第１の電極はｐ
側電極であり、第２の電極はｎ側電極である。
には、突起部およびこの突起部の少なくとも一方の側の
溝をまたぐように形成される。また、この溝は、第１の
電極の最も高い部分に形成される平坦部の面積をより大
きくするために、好適には、突起部の両側に形成され
る。典型的な一つの例では、第１の電極は、突起部の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と接触しており、突
起部以外の部分では窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層上に形成された絶縁膜と接触している。典型的なもう
一つの例では、突起部の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層上に第１の電極が形成されているとともに、第１
の電極を覆い、かつ突起部および溝をまたぐように第１
の電極の一部を構成するパッド電極が形成される。この
場合、このパッド電極により、突起部の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層上に形成された第１の電極が機械
的に保護される。ここで、典型的には、第１の電極はｐ
側電極であり、第２の電極はｎ側電極である。
【００１２】この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素と、少なく
ともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含む
Ｖ族元素とからなり、具体例を挙げると、ＧａＮ、Ｉｎ
Ｎ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ
などである。
化合物半導体は、Ｇａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群
より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素と、少なく
ともＮを含み、場合によってさらにＡｓまたはＰを含む
Ｖ族元素とからなり、具体例を挙げると、ＧａＮ、Ｉｎ
Ｎ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ
などである。
【００１３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起
部の少なくとも一方の側の溝が形成されていることによ
り、この突起部およびこの突起部の少なくとも一方の側
の溝をまたぐように第１の電極を形成した場合、この第
１の電極には、この突起部とこの突起部の少なくとも一
方の側の溝の外側の部分とに平坦部が互いにほぼ同一の
高さで形成される。このため、この半導体発光素子を、
その第１の電極および第２の電極を下にしてサブマウン
ト上に実装する場合、サブマウントに対して第１の電極
がより広い面積で当たるようにすることができる。
ば、第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起
部の少なくとも一方の側の溝が形成されていることによ
り、この突起部およびこの突起部の少なくとも一方の側
の溝をまたぐように第１の電極を形成した場合、この第
１の電極には、この突起部とこの突起部の少なくとも一
方の側の溝の外側の部分とに平坦部が互いにほぼ同一の
高さで形成される。このため、この半導体発光素子を、
その第１の電極および第２の電極を下にしてサブマウン
ト上に実装する場合、サブマウントに対して第１の電極
がより広い面積で当たるようにすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００１５】図１はこの発明の第１の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レーザ
はリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するものである。
ａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レーザ
はリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するものである。
【００１６】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるＧａＮ系半導体レーザにおいては、ｃ面サファイア
基板１上に、低温成長によるアンドープＧａＮバッファ
層２を介して、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮコン
タクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ
光導波層６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重
量子井戸構造の活性層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１が順次積層され
ている。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８は、ｐ型
ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１１を１０００℃程度の温度
で成長させる際にＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層７からＩｎＮが分解するのを
防止するとともに、活性層７からの電子のオーバーフロ
ーを防止するためのものである。
よるＧａＮ系半導体レーザにおいては、ｃ面サファイア
基板１上に、低温成長によるアンドープＧａＮバッファ
層２を介して、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮコン
タクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ
光導波層６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重
量子井戸構造の活性層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１が順次積層され
ている。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８は、ｐ型
ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１１を１０００℃程度の温度
で成長させる際にＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ
多重量子井戸構造の活性層７からＩｎＮが分解するのを
防止するとともに、活性層７からの電子のオーバーフロ
ーを防止するためのものである。
【００１７】アンドープＧａＮバッファ層２は厚さが例
えば３０ｎｍであり、アンドープＧａＮ層３は厚さが例
えば１μｍである。ｎ型ＧａＮコンタクト層４は厚さが
例えば４μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉがド
ープされている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５は厚さが
例えば０．７μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉ
がドープされている。ｎ型ＧａＮ光導波層６は厚さが例
えば０．１μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉが
ドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８は厚さ
が例えば２０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇ
がドープされている。ｐ型ＧａＮ光導波層９は厚さが例
えば０．１μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇが
ドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０は厚
さが例えば０．７μｍであり、ｐ型不純物として例えば
Ｍｇがドープされている。また、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層５およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０のＡｌ組成
比は例えば０．０７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８のＡ
ｌ組成比は例えば０．１６である。Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／
Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層７について
は、例えばｘ＝０．１１、ｙ＝０．０１、Ｇａ1-x Ｉｎ
x Ｎ層およびＧａ1-y Ｉｎy Ｎ層の厚さは例えばそれぞ
れ３ｎｍおよび６ｎｍ、井戸数は４である。
えば３０ｎｍであり、アンドープＧａＮ層３は厚さが例
えば１μｍである。ｎ型ＧａＮコンタクト層４は厚さが
例えば４μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉがド
ープされている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５は厚さが
例えば０．７μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉ
がドープされている。ｎ型ＧａＮ光導波層６は厚さが例
えば０．１μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉが
ドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８は厚さ
が例えば２０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇ
がドープされている。ｐ型ＧａＮ光導波層９は厚さが例
えば０．１μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇが
ドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０は厚
さが例えば０．７μｍであり、ｐ型不純物として例えば
Ｍｇがドープされている。また、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層５およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０のＡｌ組成
比は例えば０．０７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８のＡ
ｌ組成比は例えば０．１６である。Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／
Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層７について
は、例えばｘ＝０．１１、ｙ＝０．０１、Ｇａ1-x Ｉｎ
x Ｎ層およびＧａ1-y Ｉｎy Ｎ層の厚さは例えばそれぞ
れ３ｎｍおよび６ｎｍ、井戸数は４である。
【００１８】ｎ型ＧａＮコンタクト層４の上層部、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、Ｇａ
1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活
性層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導
波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１は所定幅のメサ形状を有する。この
メサ部の高さは例えば２．３μｍ、幅は例えば２５０〜
３００μｍである。また、このメサ部におけるｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０の上層部およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１１には例えばＧａＮ系半導体の〈１１−２０〉
方向に互いに平行に直線状に延在する溝１２、１３が設
けられており、これらの溝１２、１３の間にリッジ部１
４が形成されている。これらの溝１２、１３の幅は例え
ばそれぞれ２０ｎｍ、リッジ部１４の幅は例えば４μｍ
である。また、溝１２とメサ部の一側面との間の距離は
例えば１０ｎｍである。これらの溝１２、１３は、それ
らの底面の部分のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０の厚さ
が例えば０．１μｍになるような深さを有する。
ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、Ｇａ
1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活
性層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導
波層９、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１は所定幅のメサ形状を有する。この
メサ部の高さは例えば２．３μｍ、幅は例えば２５０〜
３００μｍである。また、このメサ部におけるｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０の上層部およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１１には例えばＧａＮ系半導体の〈１１−２０〉
方向に互いに平行に直線状に延在する溝１２、１３が設
けられており、これらの溝１２、１３の間にリッジ部１
４が形成されている。これらの溝１２、１３の幅は例え
ばそれぞれ２０ｎｍ、リッジ部１４の幅は例えば４μｍ
である。また、溝１２とメサ部の一側面との間の距離は
例えば１０ｎｍである。これらの溝１２、１３は、それ
らの底面の部分のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０の厚さ
が例えば０．１μｍになるような深さを有する。
【００１９】メサ部の表面およびメサ部以外の部分のｎ
型ＧａＮコンタクト層４の表面には例えばＳｉＯ2 膜の
ような絶縁膜１５が設けられている。この絶縁膜１５の
厚さは例えば０．３μｍである。この絶縁膜１５には、
リッジ部１４の上の部分に開口１５ａが、メサ部に隣接
する部分のｎ型ＧａＮコンタクト層４の上の部分に開口
１５ｂが設けられている。そして、リッジ部１４および
溝１２、１３をまたぐようにｐ側電極１６が設けられて
おり、絶縁膜１５の開口１５ａを通じてリッジ部１４の
ｐ型ＧａＮコンタクト層１１とオーミックコンタクトし
ている。この場合、このｐ側電極１６の両端はメサ部の
両側面とほぼ一致している。このｐ側電極１６は、例え
ばＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次積層したＮｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ構造を有し、これらのＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡ
ｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍおよ
び３００ｎｍである。また、絶縁膜１５の開口１５ｂを
通じてｎ型ＧａＮコンタクト層４上にｎ側電極１７がオ
ーミックコンタクトして設けられている。このｎ側電極
１７は、例えばＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を
順次積層したＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ構造を有し、これ
らのＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さは例え
ばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍおよび３
００ｎｍである。
型ＧａＮコンタクト層４の表面には例えばＳｉＯ2 膜の
ような絶縁膜１５が設けられている。この絶縁膜１５の
厚さは例えば０．３μｍである。この絶縁膜１５には、
リッジ部１４の上の部分に開口１５ａが、メサ部に隣接
する部分のｎ型ＧａＮコンタクト層４の上の部分に開口
１５ｂが設けられている。そして、リッジ部１４および
溝１２、１３をまたぐようにｐ側電極１６が設けられて
おり、絶縁膜１５の開口１５ａを通じてリッジ部１４の
ｐ型ＧａＮコンタクト層１１とオーミックコンタクトし
ている。この場合、このｐ側電極１６の両端はメサ部の
両側面とほぼ一致している。このｐ側電極１６は、例え
ばＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次積層したＮｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ構造を有し、これらのＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡ
ｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍおよ
び３００ｎｍである。また、絶縁膜１５の開口１５ｂを
通じてｎ型ＧａＮコンタクト層４上にｎ側電極１７がオ
ーミックコンタクトして設けられている。このｎ側電極
１７は、例えばＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を
順次積層したＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ構造を有し、これ
らのＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さは例え
ばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍおよび３
００ｎｍである。
【００２０】このＧａＮ系半導体レーザの共振器長は例
えば１ｍｍ、チップ幅は例えば６００μｍである。ま
た、共振器端面は例えばＧａＮ系半導体層の（１１−２
０）面である。共振器端面には端面コーティングが施さ
れ、フロント側およびリア側の共振器端面の反射率が例
えばそれぞれ６４％および８８％に設定されている。
えば１ｍｍ、チップ幅は例えば６００μｍである。ま
た、共振器端面は例えばＧａＮ系半導体層の（１１−２
０）面である。共振器端面には端面コーティングが施さ
れ、フロント側およびリア側の共振器端面の反射率が例
えばそれぞれ６４％および８８％に設定されている。
【００２１】次に、上述のように構成されたこの第１の
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
【００２２】このＧａＮ系半導体レーザを製造するに
は、まず、図２に示すように、ｃ面サファイア基板１上
に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば
５６０℃程度の温度でアンドープＧａＮバッファ層２を
成長させた後、引き続いてＭＯＣＶＤ法により、このア
ンドープＧａＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層
３、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇ
ａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、ｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１
１を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含まない層である
アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、ｐ
型ＡｌＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１の成長温度は１０００℃程度とし、Ｉｎを含む
層であるＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層７の成長温度は７００〜８００℃とす
る。これらのＧａＮ系半導体層の成長原料は、例えば、
ＩＩＩ族元素であるＧａの原料としてはトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）を、ＩＩＩ族元素であるＡｌの原料とし
てはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、ＩＩＩ族元
素であるＩｎの原料としてはトリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）を、Ｖ族元素であるＮの原料としてはアンモニア
（ＮＨ3 ）を用いる。また、キャリアガスとしては、例
えば、水素（Ｈ2 ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガスを用い
る。ドーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例
えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとして
は例えばメチルシクロペンタジエニルマグネシウム
（（ＭＣｐ）2 Ｍｇ）を用いる。
は、まず、図２に示すように、ｃ面サファイア基板１上
に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば
５６０℃程度の温度でアンドープＧａＮバッファ層２を
成長させた後、引き続いてＭＯＣＶＤ法により、このア
ンドープＧａＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層
３、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇ
ａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、ｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１
１を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含まない層である
アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、ｐ
型ＡｌＧａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１の成長温度は１０００℃程度とし、Ｉｎを含む
層であるＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層７の成長温度は７００〜８００℃とす
る。これらのＧａＮ系半導体層の成長原料は、例えば、
ＩＩＩ族元素であるＧａの原料としてはトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）を、ＩＩＩ族元素であるＡｌの原料とし
てはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、ＩＩＩ族元
素であるＩｎの原料としてはトリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）を、Ｖ族元素であるＮの原料としてはアンモニア
（ＮＨ3 ）を用いる。また、キャリアガスとしては、例
えば、水素（Ｈ2 ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガスを用い
る。ドーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例
えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとして
は例えばメチルシクロペンタジエニルマグネシウム
（（ＭＣｐ）2 Ｍｇ）を用いる。
【００２３】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１の全面
に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法など
により例えば厚さが０．４μｍのＳｉＯ2 膜を形成した
後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィーにより所定形状
のレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジス
トパターンをマスクとして、例えばフッ酸系のエッチン
グ液を用いたウエットエッチング、または、ＣＦ4 やＣ
ＨＦ3 などのフッ素を含むエッチングガスを用いたドラ
イエッチング（ＲＩＥなど）によりＳｉＯ2 膜をエッチ
ングする。これによって、図２に示すように、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１上にＳｉＯ2 膜からなるマスク１８
が形成される。
に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法など
により例えば厚さが０．４μｍのＳｉＯ2 膜を形成した
後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィーにより所定形状
のレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジス
トパターンをマスクとして、例えばフッ酸系のエッチン
グ液を用いたウエットエッチング、または、ＣＦ4 やＣ
ＨＦ3 などのフッ素を含むエッチングガスを用いたドラ
イエッチング（ＲＩＥなど）によりＳｉＯ2 膜をエッチ
ングする。これによって、図２に示すように、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１上にＳｉＯ2 膜からなるマスク１８
が形成される。
【００２４】次に、図３に示すように、マスク１８を用
いて例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により
ｎ型ＧａＮコンタクト層４に達するまでエッチングを行
う。このとき、例えば、ｎ型ＧａＮコンタクト層４が
０．５μｍエッチングされるようにする。このＲＩＥの
エッチングガスとしては例えば塩素系ガス（Ｃｌ2 、Ｓ
ｉＣｌ4 など）を用いる。
いて例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により
ｎ型ＧａＮコンタクト層４に達するまでエッチングを行
う。このとき、例えば、ｎ型ＧａＮコンタクト層４が
０．５μｍエッチングされるようにする。このＲＩＥの
エッチングガスとしては例えば塩素系ガス（Ｃｌ2 、Ｓ
ｉＣｌ4 など）を用いる。
【００２５】次に、マスク１８をエッチング除去した
後、再び基板全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などにより例えば厚さが０．２μｍのＳｉ
Ｏ2 膜を形成した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィ
ーにより所定形状のレジストパターン（図示せず）を形
成し、このレジストパターンをマスクとして例えばフッ
酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、また
は、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフッ素を含むエッチングガ
スを用いたドライエッチング（ＲＩＥなど）によりＳｉ
Ｏ2 膜をエッチングする。これによって、図４に示すよ
うに、メサ部を含む基板表面にＳｉＯ2 膜からなるマス
ク１９が形成される。
後、再び基板全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などにより例えば厚さが０．２μｍのＳｉ
Ｏ2 膜を形成した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィ
ーにより所定形状のレジストパターン（図示せず）を形
成し、このレジストパターンをマスクとして例えばフッ
酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、また
は、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフッ素を含むエッチングガ
スを用いたドライエッチング（ＲＩＥなど）によりＳｉ
Ｏ2 膜をエッチングする。これによって、図４に示すよ
うに、メサ部を含む基板表面にＳｉＯ2 膜からなるマス
ク１９が形成される。
【００２６】次に、図５に示すように、マスク１９を用
いて例えばＲＩＥ法によりｐ型ＧａＮコンタクト層１１
の厚さ方向の所定の深さまでエッチングを行うことによ
り、溝１２、１３を形成し、リッジ部１４を形成する。
このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガス
を用いる。
いて例えばＲＩＥ法によりｐ型ＧａＮコンタクト層１１
の厚さ方向の所定の深さまでエッチングを行うことによ
り、溝１２、１３を形成し、リッジ部１４を形成する。
このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガス
を用いる。
【００２７】次に、図６に示すように、リソグラフィー
によりｎ側電極形成領域を除いた領域の表面を覆うレジ
ストパターン２０を形成する。
によりｎ側電極形成領域を除いた領域の表面を覆うレジ
ストパターン２０を形成する。
【００２８】次に、図７に示すように、レジストパター
ン２０をマスクとして絶縁膜１５をエッチングすること
により、開口１５ｂを形成する。
ン２０をマスクとして絶縁膜１５をエッチングすること
により、開口１５ｂを形成する。
【００２９】次に、レジストパターン２０を残したまま
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜、Ａ
ｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジスト
パターン２０をその上に形成されたＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する（リフトオフ）。こ
れによって、図８に示すように、絶縁膜１５の開口１５
ｂの部分におけるｎ型ＧａＮコンタクト層４上にＴｉ／
Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｎ側電極１７が形成される。
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜、Ａ
ｌ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジスト
パターン２０をその上に形成されたＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する（リフトオフ）。こ
れによって、図８に示すように、絶縁膜１５の開口１５
ｂの部分におけるｎ型ＧａＮコンタクト層４上にＴｉ／
Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｎ側電極１７が形成される。
【００３０】次に、例えば、窒素ガス雰囲気中において
８００℃で１０分熱処理を行うことにより、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１
にドープされたｐ型不純物の電気的活性化を行うととも
に、ｎ側電極１７のアロイ処理を行う。
８００℃で１０分熱処理を行うことにより、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層８、ｐ型ＧａＮ光導波層９、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１
にドープされたｐ型不純物の電気的活性化を行うととも
に、ｎ側電極１７のアロイ処理を行う。
【００３１】次に、図９に示すように、リソグラフィー
によりリッジ部１４の領域を除いた領域の表面を覆うレ
ジストパターン２１を形成する。
によりリッジ部１４の領域を除いた領域の表面を覆うレ
ジストパターン２１を形成する。
【００３２】次に、図１０に示すように、レジストパタ
ーン２１をマスクとして絶縁膜１５をエッチングするこ
とにより開口１５ａを形成し、リッジ部１４の上面を露
出させる。
ーン２１をマスクとして絶縁膜１５をエッチングするこ
とにより開口１５ａを形成し、リッジ部１４の上面を露
出させる。
【００３３】次に、図１１に示すように、リソグラフィ
ーによりｐ側電極形成領域を除いた領域の表面を覆うレ
ジストパターン２２を形成する。
ーによりｐ側電極形成領域を除いた領域の表面を覆うレ
ジストパターン２２を形成する。
【００３４】次に、基板全面に例えば真空蒸着法により
Ｎｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジス
トパターン２２をその上に形成されたＮｉ膜、Ｐｔ膜お
よびＡｕ膜とともに除去する。これによって、図１に示
すように、リッジ部１４および溝１２、１３にまたがっ
て、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｐ側電極１６が形成され
る。次に、例えば、窒素ガス雰囲気中において６００℃
で２０分熱処理を行うことにより、ｐ側電極１６のアロ
イ処理を行う。
Ｎｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジス
トパターン２２をその上に形成されたＮｉ膜、Ｐｔ膜お
よびＡｕ膜とともに除去する。これによって、図１に示
すように、リッジ部１４および溝１２、１３にまたがっ
て、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｐ側電極１６が形成され
る。次に、例えば、窒素ガス雰囲気中において６００℃
で２０分熱処理を行うことにより、ｐ側電極１６のアロ
イ処理を行う。
【００３５】この後、上述のようにしてレーザ構造が形
成されたｃ面サファイア基板１をバー状に加工して両共
振器端面を形成し、さらに端面コーティングを施した
後、このバーをチップ化する。これによって、目的とす
るリッジ構造およびＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザ
が製造される。
成されたｃ面サファイア基板１をバー状に加工して両共
振器端面を形成し、さらに端面コーティングを施した
後、このバーをチップ化する。これによって、目的とす
るリッジ構造およびＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザ
が製造される。
【００３６】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ｐ側電極形成領域におけるｐ型ＧａＮコンタクト層
１１およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０に溝１２、１
３が互いに平行に形成され、これらの溝１２、１３間に
リッジ部１４が形成されており、これらのリッジ部１４
および溝１２、１３をまたぐようにｐ側電極１６が形成
されていることにより、このｐ側電極１６には、リッジ
部１４と溝１２、１３の外側の部分とに対応する部分に
平坦部が互いにほぼ同一の高さに形成される。このた
め、このＧａＮ系半導体レーザをｐ側電極１６およびｎ
側電極１７を下にして例えばキャンパッケージのサブマ
ウント上に実装する場合、ｐ側電極１６はそれらの平坦
部でサブマウントに当たり、したがって従来より十分に
広い面積でサブマウントに当たる。これによって、ｐ側
電極１６とサブマウントとの熱抵抗が低くなり、また、
ＧａＮ系半導体レーザをサブマウント上に置いたときの
安定性が良好となって傾きが生じにくくなることから、
従来に比べて実装の信頼性の向上を図ることができる。
ば、ｐ側電極形成領域におけるｐ型ＧａＮコンタクト層
１１およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０に溝１２、１
３が互いに平行に形成され、これらの溝１２、１３間に
リッジ部１４が形成されており、これらのリッジ部１４
および溝１２、１３をまたぐようにｐ側電極１６が形成
されていることにより、このｐ側電極１６には、リッジ
部１４と溝１２、１３の外側の部分とに対応する部分に
平坦部が互いにほぼ同一の高さに形成される。このた
め、このＧａＮ系半導体レーザをｐ側電極１６およびｎ
側電極１７を下にして例えばキャンパッケージのサブマ
ウント上に実装する場合、ｐ側電極１６はそれらの平坦
部でサブマウントに当たり、したがって従来より十分に
広い面積でサブマウントに当たる。これによって、ｐ側
電極１６とサブマウントとの熱抵抗が低くなり、また、
ＧａＮ系半導体レーザをサブマウント上に置いたときの
安定性が良好となって傾きが生じにくくなることから、
従来に比べて実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００３７】図１２はこの発明の第２の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レー
ザもリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するものである。
ＧａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レー
ザもリッジ構造およびＳＣＨ構造を有するものである。
【００３８】図１２に示すように、この第２の実施形態
によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、絶縁膜１５の
開口１５ａを通じてリッジ部１４のｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１上にｐ側電極１６が設けられ、このｐ側電極１
６を覆うように、リッジ部１４および溝１２、１３にま
たがってパッド電極２３が設けられている。このパッド
電極２３はｐ側電極１６と電気的に接続されていて、ｐ
側電極の一部として働く。また、ｎ側電極１７上にもパ
ッド電極２４が設けられている。これらのパッド電極２
３、２４は、例えばＴｉ膜およびＡｕ膜を順次積層した
Ｔｉ／Ａｕ構造を有し、これらのＴｉ膜およびＡｕ膜の
厚さは例えばそれぞれ５０ｎｍおよび４５０ｎｍであ
る。その他のことは、第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザと同様であるので、説明を省略する。
によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、絶縁膜１５の
開口１５ａを通じてリッジ部１４のｐ型ＧａＮコンタク
ト層１１上にｐ側電極１６が設けられ、このｐ側電極１
６を覆うように、リッジ部１４および溝１２、１３にま
たがってパッド電極２３が設けられている。このパッド
電極２３はｐ側電極１６と電気的に接続されていて、ｐ
側電極の一部として働く。また、ｎ側電極１７上にもパ
ッド電極２４が設けられている。これらのパッド電極２
３、２４は、例えばＴｉ膜およびＡｕ膜を順次積層した
Ｔｉ／Ａｕ構造を有し、これらのＴｉ膜およびＡｕ膜の
厚さは例えばそれぞれ５０ｎｍおよび４５０ｎｍであ
る。その他のことは、第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザと同様であるので、説明を省略する。
【００３９】次に、上述のように構成されたこの第２の
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
【００４０】このＧａＮ系半導体レーザを製造するに
は、まず、第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
と同様にして図８に示す工程までプロセスを進めた後、
図１３に示すように、リソグラフィーによりリッジ部１
４の領域を除いた領域の表面を覆うレジストパターン２
５を形成する。
は、まず、第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
と同様にして図８に示す工程までプロセスを進めた後、
図１３に示すように、リソグラフィーによりリッジ部１
４の領域を除いた領域の表面を覆うレジストパターン２
５を形成する。
【００４１】次に、図１４に示すように、レジストパタ
ーン２５をマスクとして絶縁膜１５をエッチングするこ
とにより開口１５ａを形成し、リッジ部１４の上面を露
出させる。
ーン２５をマスクとして絶縁膜１５をエッチングするこ
とにより開口１５ａを形成し、リッジ部１４の上面を露
出させる。
【００４２】次に、レジストパターン２５を残したまま
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＮｉ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターン
２５をその上に形成されたＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜
とともに除去する。これによって、図１５に示すよう
に、絶縁膜１５の開口１５ａにおけるリッジ部１４のｐ
型ＧａＮコンタクト層１１上にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造の
ｐ側電極１６が形成される。
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＮｉ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターン
２５をその上に形成されたＮｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜
とともに除去する。これによって、図１５に示すよう
に、絶縁膜１５の開口１５ａにおけるリッジ部１４のｐ
型ＧａＮコンタクト層１１上にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造の
ｐ側電極１６が形成される。
【００４３】次に、図１６に示すように、リソグラフィ
ーによりパッド電極形成領域を除いた領域の表面を覆う
レジストパターン２６を形成する。
ーによりパッド電極形成領域を除いた領域の表面を覆う
レジストパターン２６を形成する。
【００４４】次に、レジストパターン２６を残したまま
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜およ
びＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターン２６をそ
の上に形成されたＴｉ膜およびＡｕ膜とともに除去す
る。これによって、図１２に示すように、ｐ側電極１６
を覆うようにリッジ部１４および溝１２、１３にまたが
ってパッド電極２３が形成されるとともに、ｎ側電極１
７上にパッド電極２４が形成される。
の状態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜およ
びＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターン２６をそ
の上に形成されたＴｉ膜およびＡｕ膜とともに除去す
る。これによって、図１２に示すように、ｐ側電極１６
を覆うようにリッジ部１４および溝１２、１３にまたが
ってパッド電極２３が形成されるとともに、ｎ側電極１
７上にパッド電極２４が形成される。
【００４５】この後、第１の実施形態と同様にプロセス
を進めて目的とするＧａＮ系半導体レーザを製造する。
を進めて目的とするＧａＮ系半導体レーザを製造する。
【００４６】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様な利点を得ることができるほか、ｐ側電極１
６を覆うようにリッジ部１４および溝１２、１３にまた
がってパッド電極２３が設けられていることにより、ス
トライプ状に細長く形成されたｐ側電極１６の機械的強
度の向上を図ることができ、ＧａＮ系半導体レーザの信
頼性および製造歩留まりの向上を図ることができるとい
う利点をも得ることができる。
形態と同様な利点を得ることができるほか、ｐ側電極１
６を覆うようにリッジ部１４および溝１２、１３にまた
がってパッド電極２３が設けられていることにより、ス
トライプ状に細長く形成されたｐ側電極１６の機械的強
度の向上を図ることができ、ＧａＮ系半導体レーザの信
頼性および製造歩留まりの向上を図ることができるとい
う利点をも得ることができる。
【００４７】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００４８】例えば、上述の第１および第２の実施形態
において挙げた数値、構造、原料、プロセスなどはあく
までも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数
値、構造、原料、プロセスなどを用いてもよい。
において挙げた数値、構造、原料、プロセスなどはあく
までも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数
値、構造、原料、プロセスなどを用いてもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起
部の少なくとも一方の側の溝が形成されていることによ
り、半導体発光素子を高い信頼性で実装することが可能
となる。
ば、第１の電極の形成領域における窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの突起
部の少なくとも一方の側の溝が形成されていることによ
り、半導体発光素子を高い信頼性で実装することが可能
となる。
【図１】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの共振器長方向に垂直な断面図である。
体レーザの共振器長方向に垂直な断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの共振器長方向に垂直な断面図である。
導体レーザの共振器長方向に垂直な断面図である。
【図１３】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】従来のＧａＮ系半導体レーザを示す断面図で
ある。
ある。
１・・・ｃ面サファイア基板、４・・・ｎ型ＧａＮコン
タクト層、５・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、６・・
・ｎ型ＧａＮ光導波層、７・・・活性層、８・・・ｐ型
ＡｌＧａＮキャップ層、９・・・ｐ型ＧａＮ光導波層、
１０・・・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１１・・・ｐ型
ＧａＮコンタクト層、１２、１３・・・溝、１４・・・
リッジ部、１５・・・絶縁膜、１６・・・ｐ側電極、１
７・・・ｎ側電極、２３、２４・・・パッド電極
タクト層、５・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、６・・
・ｎ型ＧａＮ光導波層、７・・・活性層、８・・・ｐ型
ＡｌＧａＮキャップ層、９・・・ｐ型ＧａＮ光導波層、
１０・・・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１１・・・ｐ型
ＧａＮコンタクト層、１２、１３・・・溝、１４・・・
リッジ部、１５・・・絶縁膜、１６・・・ｐ側電極、１
７・・・ｎ側電極、２３、２４・・・パッド電極
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の一方の主面に発光素子構造を形成
する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第１の電
極が第２の電極より高く形成された半導体発光素子にお
いて、 上記第１の電極の形成領域における上記窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体層の上部に線状の突起部およびこの
突起部の少なくとも一方の側の溝が形成されていること
を特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 上記第１の電極が上記突起部および上記
溝をまたぐように形成されていることを特徴とする請求
項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 上記突起部の両側に上記溝が形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 上記第１の電極は上記突起部の上記窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と接触しており、上記
突起部以外の部分では上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層上に形成された絶縁膜と接触していることを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 上記突起部の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層上に上記第１の電極が形成されていると
ともに、上記第１の電極を覆い、かつ上記突起部および
上記溝をまたぐように上記第１の電極の一部を構成する
パッド電極が形成されていることを特徴とする請求項１
記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 上記第１の電極はｐ側電極であり、上記
第２の電極はｎ側電極であることを特徴とする請求項１
記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17330998A JP3716622B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17330998A JP3716622B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012970A true JP2000012970A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3716622B2 JP3716622B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=15958068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17330998A Expired - Fee Related JP3716622B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3716622B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066660A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| KR100856281B1 (ko) | 2004-11-24 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US7585688B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
| US7611916B2 (en) | 2008-03-05 | 2009-11-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor optical element |
| US7751456B2 (en) | 2007-05-08 | 2010-07-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
| EP2224559A2 (en) | 2009-02-27 | 2010-09-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| CN102969418A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 中国科学院半导体研究所 | 氮化镓基3d垂直结构发光二极管的结构 |
| CN105449069A (zh) * | 2014-08-26 | 2016-03-30 | 广东量晶光电科技有限公司 | 一种倒装led芯片结构及其制造方法 |
| CN110783436A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| JP7673707B2 (ja) | 2022-07-29 | 2025-05-09 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-06-19 JP JP17330998A patent/JP3716622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066660A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7512168B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| KR100856281B1 (ko) | 2004-11-24 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US7585688B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
| US7751456B2 (en) | 2007-05-08 | 2010-07-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
| US7611916B2 (en) | 2008-03-05 | 2009-11-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor optical element |
| EP2224559A2 (en) | 2009-02-27 | 2010-09-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| US8139620B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-03-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| CN102969418A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-13 | 中国科学院半导体研究所 | 氮化镓基3d垂直结构发光二极管的结构 |
| CN105449069A (zh) * | 2014-08-26 | 2016-03-30 | 广东量晶光电科技有限公司 | 一种倒装led芯片结构及其制造方法 |
| CN110783436A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| CN110783436B (zh) * | 2019-11-08 | 2020-11-24 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| JP7673707B2 (ja) | 2022-07-29 | 2025-05-09 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3716622B2 (ja) | 2005-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11862937B1 (en) | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications | |
| US6734530B2 (en) | GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same | |
| JP3864735B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3316479B2 (ja) | 半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法 | |
| US7485902B2 (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device | |
| US7518162B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US7755101B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH10321910A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4015865B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3311275B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP3716622B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2004063537A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3796060B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2003086903A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP4178807B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH08255952A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP3933637B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
| JP2002151418A (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3543628B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3963233B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4179280B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP5874689B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2004179532A (ja) | 半導体発光素子および半導体装置 | |
| JP3439161B2 (ja) | 窒化物系発光素子 | |
| JP4741055B2 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041222 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050111 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050502 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050530 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050809 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050822 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080909 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100909 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120909 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130909 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |