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JP2000068397A - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置用パッケージ及びその製造方法

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JP2000068397A
JP2000068397A JP10239873A JP23987398A JP2000068397A JP 2000068397 A JP2000068397 A JP 2000068397A JP 10239873 A JP10239873 A JP 10239873A JP 23987398 A JP23987398 A JP 23987398A JP 2000068397 A JP2000068397 A JP 2000068397A
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Japan
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mold
lead
package
semiconductor device
surface side
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Takeshi Sato
健 佐藤
Hiromi Tokunaga
博美 徳永
Kenichi Sakaguchi
健一 坂口
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームを好適に利用し、安定的且つ
容易に製造でき、信頼性が高く、製造コストを低減でき
る。 【解決手段】 モールド部１２が設けられて内部リード
１０ａが固定され、上側のモールド部１２ａは、チップ
搭載部１４を囲んで形成されると共に、半導体チップと
電気的に接続される内部接続用の端子１１となる内部リ
ード１０ａの内端部の一方面側の部位を露出させるよう
に形成された半導体装置用パッケージにおいて、下側の
モールド部１２ｂには、外部接続用の端子１３となる内
部リード１０ａの他方面側の一部を露出するホール２２
が形成され、内部リード１０ａの外端部が、モールド部
１２の外形に沿って切断されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用パッケ
ージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、樹脂封止型半導体装置では、リー
ドフレームのチップ搭載部に半導体チップを搭載し、半
導体チップとリードとをワイヤにより電気的に接続した
後、半導体チップを封止樹脂により封止するのが一般的
である。上記とは逆に、リードフレームをインサートし
たインサート成形により、あらかじめ凹状のチップ搭載
部を有するモールド部を形成したプリモールドパッケー
ジと称されるパッケージがある。このパッケージでは、
チップ搭載部に半導体チップを搭載し、チップ搭載部の
周囲の配線パターンと半導体チップとの間をワイヤで電
気的に接続した後、チップ搭載部をリッド（蓋）で封止
して半導体装置として用いられる。昨今は、半導体チッ
プそのもののパッシベーション膜やリッドとモールドパ
ッケージをシールする接着剤の改善による気密性の向上
などから、後者の簡易なタイプのパッケージも種々の用
途に用いられている。
【０００３】図５は、上記後者のパッケージの概略を示
す断面図であり、１０はリードフレーム、１２はモール
ド部であって、図示のごとくあらかじめリードフレーム
１０とモールド部１２とを一体化したパッケージとして
提供される。そして凹状のチップ搭載部１４に半導体チ
ップ１６が搭載され、ワイヤ１８によって半導体チップ
１６とリードフレーム１０との間が電気的に接続され、
接着剤２５でリッド２０を接合することによりチップ搭
載部１４をリッド２０で覆って半導体チップ１６が封止
され、ＤＩＰタイプあるいはガルウィングタイプ等の半
導体装置として使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記リ
ードフレームを用いた従来のパッケージでは次のような
課題がある。すなわち、簡易なパッケージではあるが、
通常の樹脂封止型半導体装置と同様に、トランスファー
又はインジェクション等によるモールド部１２のモール
ド後、リード間に樹脂の流れ出しを防止するために設け
られたダムバー（図示せず）を除去する工程、さらに
は、ダムバーまでのリード間に流れ出た樹脂フラッシュ
を除去する工程が不可欠であり、製造が厄介である。そ
して、ダムバーをカットする金型は高価であり、製作す
るために長時間を要し、結果的にパッケージの製造コス
トが高くなる。
【０００５】また、外部リード１０ｂを、ＤＩＰタイプ
あるいはガルウィングタイプ等にフォーミングするが、
そのフォーミングをするために用いる金型も高価であ
り、パッケージの製造コストを高くする要因になってい
る。また、外部リード１０ｂが所定の形状にフォーミン
グされた後、搬送等のためにハンドリングされる際、外
部リード１０ｂは片持ちに支持された構造であるため変
形され易く、電気的な短絡を起こす一因になっていた。
また、外部リード１０ｂが存在することで、パッケージ
の外部に延出した外部リード１０ｂの長さ分だけパッケ
ージの全体サイズが大きくなってしまい、コンパクト化
の要請にも対応できなかった。
【０００６】これに対して、本出願人による先の特許出
願（特開平５−２８３４６０号）には、フィルム状の樹
脂基体の上面に配線パターン（リードパターン５２）に
備えたベースフィルム５０を用い、パッケージのコンパ
クト化を図った半導体装置が開示されている。すなわ
ち、図６に示すように、絶縁性のベースフィルム５０上
面にリードパターン５２を備え、リードパターン中途部
５２は、ベースフィルムの透孔５４内底部に露出させ
て、その露出させたリードパターン５２の部分にはんだ
バンプ５６をベースフィルム５０下方へ突出させて形成
する。これにより、リードパターン５２を基板の接続パ
ッドにはんだバンプ５６を用いて接続できるようにし、
外部リードをなくした構造としてある。このため、半導
体装置のコンパクト化を実現できる。しかしながら、こ
の発明は、ベースフィルム５０を用い、樹脂モールド成
形を行わないことを前提にしたものであり、安定的にし
かも安価に、所望の配線パターンを形成できるリードフ
レーム及び樹脂モールド成形の技術を利用できないもの
である。
【０００７】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、リード
フレームを好適に利用し、安定的且つ容易に製造でき、
信頼性が高く、製造コストを低減できるプリモールド型
の半導体装置用パッケージ及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明の半導体
装置用パッケージは、並んだ複数のリードの両面に樹脂
モールド成形されたモールド部が設けられて前記リード
が固定され、前記リードの一方面側の前記モールド部
は、半導体チップの搭載されるチップ搭載部が凹部とな
るように該チップ搭載部を囲んで形成されると共に、前
記半導体チップと電気的に接続される内部接続用の端子
となる前記リードの内端部の一方面側の部位を露出させ
るように形成された半導体装置用パッケージにおいて、
前記リードの他方面側の前記モールド部には、外部接続
用の端子となる前記リードの他方面側の一部を露出する
ホールが形成され、前記リードの外端部が、前記モール
ド部の外形に沿って切断されていることを特徴とする。
【０００９】また、前記ホールが、モールド部の表面に
向かって拡径するテーパ状に形成されていることで、容
易且つ確実に外部接続用の端子を設けることができる。
【００１０】また、前記外部接続用の端子に、外部接続
用のバンプが形成されていること、外部基板への表面実
装が好適にできる。
【００１１】また、前記リードの外端部に、電気的絶縁
材が被覆されていることで、より信頼性のある半導体装
置を好適に製造できる。
【００１２】また、本発明は、リードフレームを一方の
金型と他方の金型とによってキャビティが構成されるモ
ールド金型にインサートし、樹脂モールド成形によって
リードの両面にモールド部を設けてリードを固定し、前
記リードの一方面側の前記モールド部は、半導体チップ
が搭載されるチップ搭載部が凹部となるように該チップ
搭載部を囲んで形成されると共に、前記一方の金型の一
部を前記リードの一方面側の一部に当接させて、前記半
導体チップと電気的に接続される内部接続用の端子とな
る前記リードの内端部の一方面側の部位が露出するよう
に形成する半導体装置用パッケージの製造方法におい
て、前記リードの他方面側の前記モールド部に前記リー
ドの他方面側の一部が露出して外部接続用の端子となる
ようにホールを形成すべく、前記他方の金型に設けら
れ、リードをモールド金型のキャビティ内で支持するサ
ポートピンに、リードの他方面側を当接させて、前記一
方の金型との間でリードを挟んだ状態に、リードをモー
ルド金型にインサートする工程と、前記一方の金型と前
記他方の金型とによって構成されるモールド金型のキャ
ビティを用いて前記モールド部を形成をする工程と、前
記リードの外端部を、前記モールド部の外形に沿って切
断除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装
置用パッケージの製造方法にもある。
【００１３】また、前記外部接続用の端子に、外部接続
用のバンプを形成する工程を含むことを特徴とする場合
も、従来のダムカットや、外部リードのフォーミングの
工程に比べて、安価な装置で容易に行うことができる。
【００１４】また、前記リードの外端部に、電気的絶縁
材を被覆する工程を含むことで、より信頼性のある半導
体装置を好適に製造できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は半導体装
置用パッケージの一実施例を示す断面図である。また、
図２はモールド金型を説明する説明断面図である。１０
はリードフレームであり、このリードフレーム１０の両
面に樹脂モールド成形によってモールド部１２が設けら
れることで、リードフレーム１０の内部リード１０ａが
固定されている。この内部リード１０ａは、複数が並ん
で半導体装置用パッケージ内に設けられ、半導体チップ
と外部基板等の被接続部材との間に介在して両者を接続
するリードの一態様である。１４はチップ搭載部であ
り、半導体チップが搭載できるように、リードフレーム
１０の一方面側である上面の中央部に設けられている。
１４ａはステージであり、リードフレーム１０の一部と
して設けられ、その上面がチップ搭載部１４の搭載面に
なっている。
【００１６】１２ａは上側のモールド部であり、リード
フレーム１０の一方面側に設けられた一方面側のモール
ド部となっている。この上側のモールド部１２ａは、チ
ップ搭載部１４が凹部となるよう、チップ搭載部１４を
囲むように形成されている。また、内部リード１０ａの
上面の半導体チップと電気的に接続される内部接続用の
端子１１となる部位を露出させるように形成されてい
る。本実施例の内部接続用の端子１１となる部位は、内
部リード１０ａの内端部であって、内部リード１０ａの
一部である。また、本実施例の上側のモールド部１２ａ
は、矩形の枠状に形成されており、内周の上角部にリッ
ド取付用の段差部１５が形成されている。この段差部１
５に接着剤を介してリッドが固着されるのである。な
お、リッドの固着に、広い接着面積が必要とされる場合
は、上記の段差部１５を形成せず、モールド部１２ａの
上面全体をリッド取付部とすれば良い。
【００１７】１２ｂは下側のモールド部であり、リード
フレーム１０の他方面側に設けられている。この下側の
モールド部１２ｂには、内部リード１０ａの下面の一部
が露出して外部接続用の端子１３となるように開口する
ホール２２が形成されている。そして、外部接続用の端
子１３には、後述するように、はんだボール等によるバ
ンプを形成できる。バンプを形成することで、外部の回
路と好適に接続することができる。なお、実装基板の配
線パターンにバンプを設けて、本発明にかかるパッケー
ジを用いた半導体装置を実装する場合は、上記の外部接
続用の端子１３にバンプを形成する必要がない。
【００１８】２３は切断面であり、リードフレーム１０
の外部リードがモールド部１２の外形に沿って切断され
て除去された結果、外部に露出した内部リード１０ａの
外端部である。この切断面２３については、後工程にお
いて電気的絶縁材で被覆すればよい。それにより、絶縁
性を向上させることができ、製品の信頼性を向上でき
る。
【００１９】次に、図２に基づいて、本発明にかかる半
導体装置用パッケージを製造するモールド金型の実施の
形態について説明する。図２（ａ）はモールド金型を開
いた状態を示す断面図であり、図２（ｂ）はモールド金
型を閉じた状態を示す断面図である。３２は上金型であ
り、３４は下金型であって、モールド金型の一方の金型
と他方の金型となっている。この上下の金型３２、３４
から成るモールド金型３０に、リードフレーム１０をイ
ンサートし、樹脂モールド成形によってリードフレーム
１０の両面にモールド部１２を設けることができる。
【００２０】上金型３２は、図１に示したように、上側
のモールド部１２ａが、内部リード１０ａの上面の少な
くとも半導体チップと電気的に接続される内部接続用の
端子１１となる部位を露出させ、且つチップ搭載部１４
を囲むように形成されるべく、内部リード１０ａの上面
の一部（内端部）に当接する部位である当接部３１を備
える。また、本実施例では、リードフレーム１０のステ
ージ１４ａの上面が露出するように半導体装置用パッケ
ージが形成されるべく、図２（ｂ）に示すように、上金
型３２の下面（当接部３１）が、ステージ１４ａの表面
にも当接している。なお、ステージ１４ａは、本実施例
のように内部リード１０ａの平面と同一面に形成されて
いてもよいし、図５の従来技術に示すように、一段下の
面となるように、段差をつけて形成されていてもよい。
さらには、ステージ１４ａを設けず、下側のモールド部
１２ｂの上面をチップ搭載部の搭載面としてもよし、前
記ステージ１４ａとは別の金属製等のヒートシンクを介
して半導体チップを搭載するようにしてもよい。
【００２１】また、下金型３４は、内部リード１０ａの
下面の一部を露出させて外部接続用の端子として内底面
に露出するよう、下側のモールド部１２ｂにホール２２
（図１参照）が形成されるべく、内部リード１０ａの下
面の一部に当接する部位を備えている。これにより、下
金型３４は、上金型３２との間で、リードフレーム１０
の内部リード１０ａを挟んで保持した状態に、リードフ
レーム１０をモールド金型３０にインサートさせること
ができる。
【００２２】また、３６はサポートピンであり、下金型
３４における内部リード１０ａの下面の一部に当接する
部位の一態様となっている。このサポートピン３６は、
リードフレーム１０をモールド金型３０にインサートし
て樹脂モールド成形する際に、内部リード１０ａの下面
に当接し、リードフレーム１０をモールド金型３０のキ
ャビティ内で支持するのと同時に、上述に示したように
ホール２２を形成するべく、内部リード１０ａの数に対
応して複数が設けられている。これにより、容易且つ確
実に外部接続用の端子１３を設けることができる。
【００２３】また、サポートピン３６は、断面テーパ状
に形成されており、ホール２２は、下側のモールド部１
２ｂの表面に向かって拡径するテーパ状に形成されてい
る。これにより、はんだボールを好適に搭載することが
でき、容易且つ確実に外部接続用の端子１３にバンプを
設けることができる。また、このサポートピン３６は、
下金型３４と別体に形成した後、下金型３４に埋め込ん
で固定すればよい。このようにサポートピン３６を下金
型３４に設けることで、精度よく製造できると共に、製
造コストを低減できる。なお、ホール２２の形成方法と
しては、モールド成形に限らず、モールド部をレーザー
により除去する方法や、エッチングにより除去する方法
を採用することも可能である。
【００２４】次に、本発明にかかる半導体装置用パッケ
ージの製造方法について、図２及び図３に基づいて詳細
に説明する。図３（ａ）は、リードフレーム１０を上金
型３２と下金型３４とによってキャビティが構成される
モールド金型３０にインサートし、樹脂モールド成形に
よってリードフレーム１０の両面にモールド部１２を設
けてリードフレーム１０の内部リード１０ａを固定した
状態を示してある。なお、通常、下金型３４は固定され
ており、上金型３２が上下動し、下金型３４と上金型３
２との間に被モールド物を挟み込み、モールド成形を行
うように構成されている。本実施例においても、モール
ド部１２を形成するには、下金型３４の表面にリードフ
レーム１０をセットした後、上金型３２を下方へ移動し
てリードフレーム１０を挟み込み、モールド成形を行っ
ている。すなわち、上金型３２と下金型３４のキャビテ
ィを形成する周囲の部分同士で、外部リード１０ｂを挟
んでリードフレーム１０を固定した後、モールド成形が
なされる。
【００２５】このようにリードフレーム１０をセットし
てモールド成形を行うとき、上金型３２の所定の部位
（当接部３１）が、内部リード１０ａの上面の一部であ
って内部接続用の端子１１となる部位、及びステージ１
４ａとなる部位に当接した状態になる。また、同時に、
下金型３４に設けられた多数のサポートピン３６の上端
面が、対応する各内部リード１０ａ中途部の下面に当接
した状態になる。これにより、上下の金型３２、３４に
よって、外部リード１０ｂに加えて、内部リード１０ａ
を好適に挟んで支持した状態に、リードフレーム１０を
モールド金型３０に挿入できる。
【００２６】次に、上記のようにリードフレーム１０が
モールド金型３０にインサートされた状態で、その上下
の金型によって構成されるモールド金型３０のキャビテ
ィを用いてモールド成形をする。例えば、インジェクシ
ョン法あるいはトランスファー法により、通常、熱硬化
性樹脂によってモールド部１２をモールド成形する。こ
れにより、上側のモールド部１２ａが、半導体チップの
搭載されるチップ搭載部１４を囲んで枠状に形成され、
凹部状のキャビティ部が形成される。同時に、内部リー
ド１０ａの上面の所定部位が、半導体チップと電気的に
接続される内部接続用の端子１１となるように露出した
状態に形成される。また、下側のモールド部１２ｂに
は、内部リード１０ａの下面の一部を露出させて外部接
続用の端子１３となるようにホール２２が開口される。
【００２７】すなわち、内部リード１０ａの上面の上金
型３２が直接当接する部分には、モールド成形の際に液
状化された樹脂が回り込まないため、その部分は外部に
露出した面（内部接続用の端子１１の端子面、ステージ
１４ａの上面）となる。また、内部リード１０ａの下面
のサポートピン３６の上面が直接当接する部分にも、モ
ールド成形の際に液状化された樹脂が回り込まないた
め、その部分も外部に露出した面（外部接続用の端子１
３の端子面）となる。内部リード１０ａは、上下の金型
３２、３４の所定の部位によって厚さ方向について両側
から挟まれるため、モールド金型３０のキャビティ内で
確実に支持される。従って、内部リード１０ａの両面に
露出した部分を確実且つ好適に形成することができる。
【００２８】次に、めっき工程を経て、はんだボールに
よってバンプを形成する工程について説明する。先ず、
モールド成形の際に表面に付着して残留した表面汚染物
質を、表面洗浄によって除去する。そして、リードフレ
ーム１０の表面に露出する必要な部分にめっきをする。
本実施例では、内部接続用の端子１１、ステージ１４ａ
及び外部接続用の端子１３の露出する全ての面について
めっきを施す。通常、リードフレーム１０は鉄系（４２
アロイなど）や銅系の合金から形成されたものであり、
例えば、ニッケル（Ｎｉ）をめっきし、その上に金（Ａ
ｕ）をめっきする。そのめっきは、リードフレーム１０
を電極として電解めっきで容易且つ確実にできる。
【００２９】なお、リードフレームの所要部位にめっき
皮膜を予め形成しておいてから、樹脂モールド成形して
もよいのは勿論である。モールド成形時のアウトガス等
でめっき皮膜の表面が影響を受ける場合には、軽く洗浄
を施すとよい。めっき皮膜としては、例えば、ニッケル
（Ｎｉ）下地めっき後に、パラジウム（Ｐｄ）めっきを
施し、その上に薄く金（Ａｕ）めっきを施して形成され
るものが好適である。
【００３０】めっき工程が終了した後、外部接続用の端
子１３にフラックス塗布を行い、次にはんだボールを載
置する。そして、加熱することで、はんだをリフローさ
せて内部リード１０ａの外部接続用の端子１３に電気的
に接続させると共に固定させる。なお、リフローの後に
は、残留したフラックスを除去するため、表面洗浄を行
う。以上の工程によれば、外部接続用の端子１３にホー
ル２２から一部が突出した外部接続用のバンプ４０を容
易且つ好適に形成することができる。そのバンプ４０に
よって、外部基板への表面実装が好適にできるようにな
る。なお、外部接続用のバンプ４０を形成するには、上
記の方法に限らず、例えばソルダーペースト及びコアボ
ールを使用してもよいし、他の方法を用いてもよいのは
勿論である。
【００３１】このバンプ形成の工程は、従来のダムカッ
トや、外部リードのフォーミングを行う工程に比べて、
安価な設備で済み、大幅なコスト低減を実現できる。す
なわち、ダムカットや、外部リードのフォーミングで
は、パッケージの種類毎に高価な金型を要する。これに
対し、上記バンプ形成の工程では、はんだボールを所定
の位置に配するボールアタッチ装置と、はんだのリフロ
ー装置を必要とするが、これらの装置は、種々のサイズ
について容易に共用でき、高価な金型を要しないためで
ある。
【００３２】次に、リードフレーム１０の外部リード１
０ｂを、モールド部１２の外形に沿って切断除去し、半
導体装置用パッケージが完成する。この際には、ダムカ
ットのような微細なカットと要せず、単純に多数の外部
リード１０ｂを同時に切断すればよく、非常に単純な金
型を用いればよい。従って、高価な装置や金型を要せ
ず、製造コストを低減できる。
【００３３】さらに、外部リード１０ｂを切断除去した
ことで外部に露出した内部リード１０ａの外端部である
切断面２３を、電気的絶縁材によって被覆する工程を含
むことで、より信頼性のある半導体装置用パッケージを
好適に製造できる。
【００３４】そして、上記半導体装置用パッケージのチ
ップ搭載部１４上に半導体チップを搭載し、半導体チッ
プと内部リード１０ａとをワイヤで電気的に接続し、リ
ッドでチップ搭載部１４を覆って半導体チップを封止す
ることによって、半導体装置を完成できる。リッドは樹
脂製または透明ガラス製のものを用い、接着剤により上
側のモールド部１２ａに接合される。このように、本発
明にかかる半導体装置用パッケージは、プレモールドタ
イプのパッケージ（中空パッケージ）として好適に用い
ることができる。なお、上側のモールド部１２ａによっ
て形成されるパッケージのキャビティ内にポッティング
樹脂（図示せず）を充填して半導体チップ１６を封止す
るようにしてもよい。
【００３５】また、以上の説明で明らかなように、本願
発明にかかる半導体装置用パッケージは、内部リード１
０ａが配される面積の平面内にバンプ４０を組み込むこ
とができる。このため、従来の外部リード１０ｂが所定
の形状にフォーミングされるタイプと比較して、明らか
に外部リード１０ｂが設けられる面積について、パッケ
ージの小型化が図れる。そのパッケージの小型化によっ
ては、リードフレーム１０の配線パターンが短くなるた
め、自己インダクタンスを小さくすることができ、電気
的特性の向上を図ることができる。
【００３６】また、従来から存在する標準のリードフレ
ームをそのまま使え、リードフレームに対応するモール
ド成形の工程に準じて製造できる。従って、既存のリー
ドフレームに対応した製造設備を利用でき、設備投資を
低減できる。また、リードフレームによる工程と同様、
複数個のパターンがつながった状態で加工を行い、最終
的に単体のパッケージに切り離すという製造工程をとる
ことができ、効率よく生産できる。また、内部リード１
０ａを、リードフレーム１０の両面から厚さ方向に挟ん
でモールド金型３０内に支持する。このため、内部リー
ド１０ａの上面と上金型３２の下面の接触、及び内部リ
ード１０ａの下面とサポートピン３６の上面の接触状態
が確実に維持される。従って、露出させるべき面に、樹
脂のバリや薄膜（樹脂フラッシュ）が形成されることを
防止できる。これにより、従来行っていためっき工程前
の樹脂フラッシュの除去工程が不要となり、効率よく製
造できる。
【００３７】次に、図４に基づいて、本発明にかかる他
の実施例について説明する。上記実施例と同一の構成に
は同一の符号を付して説明を省略する。３７は上面のホ
ールであり、上側のモールド部１２ａに設けられ、内部
リード１０ａの上面の一部を底面に露出させて端子３８
とするよう、開口して形成されている。その端子３８は
検査用に利用することが可能である。この上面のホール
３７も、ホール２２を形成する場合と同様に、ピン状の
突起を上金型３２に設けておけばよい。また、その上金
型のピン状の突起と、前記サポートピン３６を対向する
ように位置させて、図４のように上下のホール３７、２
２を形成すれば、内部リード１０ａを確実に挟持できる
ため、安定的に製造できる。また、バンプ４０は、図４
に示すように複数列に配してもよい。
【００３８】また、以上の実施例では、外部リード１０
ｂの全部を切断除去する場合を説明したが、バンプ４０
と外部リード１０ｂを併用して表面実装するように、外
部リード１０ｂの一部を残すようにしてもよい。このよ
うにバンプ４０と外部リード１０ｂを併用すれば、接続
端子を増やせる効果があると共に、放熱性を向上させる
ことができる。
【００３９】以上の実施例では、バンプの配列について
は特に説明していないが、種々の配列を選択的に採用で
きるのは勿論である。例えば、２列に並べるとか、矩形
のモールド部の周縁に沿って矩形列状に配するとか、モ
ールド部の平面を有効に利用してマトリクス状に配すれ
ばよい。また、その配列に合わせて、内部リードの形状
を適宜に設計すればよい。以上本発明につき好適な実施
例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定
されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で
多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、リード
の下側のモールド部に、外部接続用の端子となるリード
の下面の一部を露出するホールが形成され、リードの外
端部が、モールド部の外形に沿って切断されている。従
って、本発明によれば、リードフレームを好適に利用
し、安定的且つ容易に製造でき、信頼性が高く、製造コ
ストを低減できるプリモールド型の半導体装置用パッケ
ージを好適に提供できるという著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体装置用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
【図２】本発明にかかるモールド金型の一実施例を示す
断面図である。
【図３】本発明にかかる製造方法の一実施例を説明する
断面図である。
【図４】本発明にかかる半導体装置用パッケージの他の
実施例を示す断面図である。
【図５】従来のパッケージの例を示す断面図である。
【図６】従来のパッケージの他の例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１０ リードフレーム １０ａ 内部リード １０ｂ 外部リード １１ 内部接続用の端子 １２ モールド部 １２ａ 上側のモールド部 １２ｂ 下側のモールド部 １３ 外部接続用の端子 １４ チップ搭載部 ２２ ホール ２３ 切断面 ３０ モールド金型 ３２ 上金型 ３４ 下金型 ３６ サポートピン ４０ バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 健一 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DA01 DA06

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 並んだ複数のリードの両面に樹脂モール
    ド成形されたモールド部が設けられて前記リードが固定
    され、前記リードの一方面側の前記モールド部は、半導
    体チップの搭載されるチップ搭載部が凹部となるように
    該チップ搭載部を囲んで形成されると共に、前記半導体
    チップと電気的に接続される内部接続用の端子となる前
    記リードの内端部の一方面側の部位を露出させるように
    形成された半導体装置用パッケージにおいて、 前記リードの他方面側の前記モールド部には、外部接続
    用の端子となる前記リードの他方面側の一部を露出する
    ホールが形成され、前記リードの外端部が、前記モール
    ド部の外形に沿って切断されていることを特徴とする半
    導体装置用パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記ホールが、モールド部の表面に向か
    って拡径するテーパ状に形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記外部接続用の端子に、外部接続用の
    バンプが形成されていることを特徴とする請求項１又は
    ２記載の半導体装置用パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記リードの外端部に、電気的絶縁材が
    被覆されていることを特徴とする請求項１、２又は３記
    載の半導体装置用パッケージ。
  5. 【請求項５】 リードフレームを一方の金型と他方の金
    型とによってキャビティが構成されるモールド金型にイ
    ンサートし、樹脂モールド成形によってリードの両面に
    モールド部を設けてリードを固定し、前記リードの一方
    面側の前記モールド部は、半導体チップが搭載されるチ
    ップ搭載部が凹部となるように該チップ搭載部を囲んで
    形成されると共に、前記一方の金型の一部を前記リード
    の一方面側の一部に当接させて、前記半導体チップと電
    気的に接続される内部接続用の端子となる前記リードの
    内端部の一方面側の部位が露出するように形成する半導
    体装置用パッケージの製造方法において、 前記リードの他方面側の前記モールド部に前記リードの
    他方面側の一部が露出して外部接続用の端子となるよう
    にホールを形成すべく、前記他方の金型に設けられ、リ
    ードをモールド金型のキャビティ内で支持するサポート
    ピンに、リードの他方面側を当接させて、前記一方の金
    型との間でリードを挟んだ状態に、リードをモールド金
    型にインサートする工程と、 前記一方の金型と前記他方の金型とによって構成される
    モールド金型のキャビティを用いて前記モールド部を形
    成をする工程と、 前記リードの外端部を、前記モールド部の外形に沿って
    切断除去する工程とを具備することを特徴とする半導体
    装置用パッケージの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記外部接続用の端子に、外部接続用の
    バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項５
    記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記リードの外端部に、電気的絶縁材を
    被覆する工程を含むことを特徴とする請求項５又は６記
    載の半導体装置用パッケージの製造方法。
JP23987398A 1998-08-26 1998-08-26 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3492212B2 (ja)

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