JPH08316371A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08316371A JPH08316371A JP7120943A JP12094395A JPH08316371A JP H08316371 A JPH08316371 A JP H08316371A JP 7120943 A JP7120943 A JP 7120943A JP 12094395 A JP12094395 A JP 12094395A JP H08316371 A JPH08316371 A JP H08316371A
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、特にリードの寸法や形状出しに要
する時間を短縮できる樹脂封止型半導体装置を提供する
ものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子１を搭載したアイランド２と、アイランド２の周囲に
配置されたリード３と、半導体素子１とリード３の内端
部を電気的に接続するワイヤ４と、アイランド２及びリ
ード３の一部を覆う樹脂封止部１０を有する表面実装型
の樹脂封止型半導体装置において、リード３は内端部が
アイランド２と共に樹脂封止部１０の下面より上方に位
置すると共に、樹脂封止部１０から導出されるリード３
は樹脂封止部１０の下面から導出されていることを特徴
とするものである。
する時間を短縮できる樹脂封止型半導体装置を提供する
ものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子１を搭載したアイランド２と、アイランド２の周囲に
配置されたリード３と、半導体素子１とリード３の内端
部を電気的に接続するワイヤ４と、アイランド２及びリ
ード３の一部を覆う樹脂封止部１０を有する表面実装型
の樹脂封止型半導体装置において、リード３は内端部が
アイランド２と共に樹脂封止部１０の下面より上方に位
置すると共に、樹脂封止部１０から導出されるリード３
は樹脂封止部１０の下面から導出されていることを特徴
とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にリードの寸法出しや形状出しに要する時間を
短縮できる樹脂封止型半導体装置に関する。
関し、特にリードの寸法出しや形状出しに要する時間を
短縮できる樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板への実装密度を上げるために、
表面実装型の樹脂封止型半導体装置が多く使用されるよ
うになってきた。従来の表面実装型の樹脂封止型半導体
装置は、図７に示すように、半導体素子２１が搭載され
たアイランド２２と、アイランド２２を取囲むよう配置
された複数のリード２３と、半導体素子２１とリード２
３の内端部を電気的に接続するワイヤ２４と、半導体素
子２１を搭載したアイランド２２とリード２３の一部と
を覆う樹脂封止部２５とから構成されており、リード２
３が樹脂封止部２５から導出している。
表面実装型の樹脂封止型半導体装置が多く使用されるよ
うになってきた。従来の表面実装型の樹脂封止型半導体
装置は、図７に示すように、半導体素子２１が搭載され
たアイランド２２と、アイランド２２を取囲むよう配置
された複数のリード２３と、半導体素子２１とリード２
３の内端部を電気的に接続するワイヤ２４と、半導体素
子２１を搭載したアイランド２２とリード２３の一部と
を覆う樹脂封止部２５とから構成されており、リード２
３が樹脂封止部２５から導出している。
【０００３】そして、回路基板との表面実装を実現する
ため、樹脂封止部２５の中央付近からから導出している
リード２３を樹脂封止部２５の下面と同じ高さとなるよ
うに曲げ加工を施している。
ため、樹脂封止部２５の中央付近からから導出している
リード２３を樹脂封止部２５の下面と同じ高さとなるよ
うに曲げ加工を施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の表面
実装型の樹脂封止型半導体装置では、アイランド２２及
びリード２３が形成された平板状のリードフレームを使
用し、樹脂封止が行われた後に樹脂封止部２５から導出
したリード２３を曲げ加工しているため、リード２３の
寸法、即ちリード下面からの高さＨや樹脂封止部からの
距離Ｗにバラツキが生じ、リード２３が所定形状に形成
されない場合があった。
実装型の樹脂封止型半導体装置では、アイランド２２及
びリード２３が形成された平板状のリードフレームを使
用し、樹脂封止が行われた後に樹脂封止部２５から導出
したリード２３を曲げ加工しているため、リード２３の
寸法、即ちリード下面からの高さＨや樹脂封止部からの
距離Ｗにバラツキが生じ、リード２３が所定形状に形成
されない場合があった。
【０００５】また、樹脂封止後にリード２３を加工する
ため、樹脂封止部２５にクラックが生じたり、検査工程
や製品の搬送中にリード２３が変形し実装不良が生じる
おそれもあった。本発明は、上述した問題点に鑑み、特
にリードの寸法や形状出しに要する時間を短縮できる樹
脂封止型半導体装置を提供するものである。
ため、樹脂封止部２５にクラックが生じたり、検査工程
や製品の搬送中にリード２３が変形し実装不良が生じる
おそれもあった。本発明は、上述した問題点に鑑み、特
にリードの寸法や形状出しに要する時間を短縮できる樹
脂封止型半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明の表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子
を搭載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置
されたリードと、前記半導体素子とリードの内端部を電
気的に接続するワイヤと、前記アイランド及びリードの
一部を覆う樹脂封止部を有する表面実装型の樹脂封止型
半導体装置において、前記リードは内端部がアイランド
と共に樹脂封止部の下面より上方に位置すると共に、前
記樹脂封止部から導出されるリードは樹脂封止部の下面
から導出されていることを特徴とするものである。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明の表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子
を搭載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置
されたリードと、前記半導体素子とリードの内端部を電
気的に接続するワイヤと、前記アイランド及びリードの
一部を覆う樹脂封止部を有する表面実装型の樹脂封止型
半導体装置において、前記リードは内端部がアイランド
と共に樹脂封止部の下面より上方に位置すると共に、前
記樹脂封止部から導出されるリードは樹脂封止部の下面
から導出されていることを特徴とするものである。
【０００７】本発明の樹脂封止型半導体装置はまた、樹
脂封止部の下面から導出されているリードが、略リード
の厚さ分だけ低い位置から導出されていることを特徴と
するものである。
脂封止部の下面から導出されているリードが、略リード
の厚さ分だけ低い位置から導出されていることを特徴と
するものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、折曲げられたリードを使用し
ているので、樹脂封止後に樹脂封止部から導出されるリ
ードの加工を施さなくても基板上への表面実装が可能で
ある。そのため、曲げ加工時に発生するリードの寸法及
び形状不良を防止できると共に、検査工程や搬送中のリ
ード曲がりも防止できる。
ているので、樹脂封止後に樹脂封止部から導出されるリ
ードの加工を施さなくても基板上への表面実装が可能で
ある。そのため、曲げ加工時に発生するリードの寸法及
び形状不良を防止できると共に、検査工程や搬送中のリ
ード曲がりも防止できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１〜４を参照し
つつ説明する。図１に示すように、本発明に使用される
リードフレームは、例えば、鉄ニッケル合金（４２アロ
イ）や銅合金の薄板を打抜きや化学処理することによ
り、半導体素子を搭載するアイランド２と、アイランド
２を取囲むよう配置された複数のリード３と、アイラン
ド２及びリード３を保持する外枠５とが形成されてお
り、複数のリード３はタイバー６で連結されると共に、
アイランド２はアイランドサポート７により外枠４に接
続されている。アイランド２の周囲に配置された複数の
リード３の内端部は、アイランド２と略同一面を形成す
るように延在するが、その先でほぼ直角に下方向に折曲
げられると共に、アイランド２と平行になるように再度
ほぼ直角に外向きに折曲げられている。
つつ説明する。図１に示すように、本発明に使用される
リードフレームは、例えば、鉄ニッケル合金（４２アロ
イ）や銅合金の薄板を打抜きや化学処理することによ
り、半導体素子を搭載するアイランド２と、アイランド
２を取囲むよう配置された複数のリード３と、アイラン
ド２及びリード３を保持する外枠５とが形成されてお
り、複数のリード３はタイバー６で連結されると共に、
アイランド２はアイランドサポート７により外枠４に接
続されている。アイランド２の周囲に配置された複数の
リード３の内端部は、アイランド２と略同一面を形成す
るように延在するが、その先でほぼ直角に下方向に折曲
げられると共に、アイランド２と平行になるように再度
ほぼ直角に外向きに折曲げられている。
【００１０】そして、図２に示すように、リードフレー
ムのアイランド２の表面にウエハプロセスで素子形成が
行われた半導体素子１をＡｇペーストやハンダ等で固着
し、半導体素子１のボンディングパッドとこれに対応す
るリード３の内端部をＡｕ線４によりワイヤボンディン
グする。次に、図３に示すように、アイランド２に半導
体素子１を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを上金型８と下金型９で挟持し、上金型８と下金
型９で形成されるキャビチィ内に熱硬化性樹脂、例えば
エポキシ樹脂を注入して半導体素子１が搭載されたアイ
ランド２及びリード３の樹脂封止を行う。
ムのアイランド２の表面にウエハプロセスで素子形成が
行われた半導体素子１をＡｇペーストやハンダ等で固着
し、半導体素子１のボンディングパッドとこれに対応す
るリード３の内端部をＡｕ線４によりワイヤボンディン
グする。次に、図３に示すように、アイランド２に半導
体素子１を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを上金型８と下金型９で挟持し、上金型８と下金
型９で形成されるキャビチィ内に熱硬化性樹脂、例えば
エポキシ樹脂を注入して半導体素子１が搭載されたアイ
ランド２及びリード３の樹脂封止を行う。
【００１１】最後に、樹脂封止部１０を形成したリード
フレームを上金型８と下金型９から取り出し後、アイラ
ンド２と外枠５を接続するアイランドサポート７及び、
リード３間を連結するタイバー６を切断して、図４に示
す表面実装型の樹脂封止型半導体装置を製造する。図４
に示す表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子１が搭載されたアイランド２及びワイヤボンディング
がされたリード３の内端部が略同一平面を形成してお
り、樹脂封止部１０の下面より上方に位置している。ア
イランド２の周囲に配置された複数のリード３は、その
先でほぼ直角に下方向に折曲げられると共に、アイラン
ド２と平行になるように再度ほぼ直角に外向きの折曲げ
られている。この状態で樹脂封止されると、リード３の
折曲げ部が樹脂封止部１０内に封止されとる共に、樹脂
封止部１０の下面からリード３が導出されるので、リー
ド３の加工を施す必要がなく、曲げ加工時に発生するリ
ードの寸法及び形状不良を防止と、検査工程や搬送中の
リード曲がりも防止できる。
フレームを上金型８と下金型９から取り出し後、アイラ
ンド２と外枠５を接続するアイランドサポート７及び、
リード３間を連結するタイバー６を切断して、図４に示
す表面実装型の樹脂封止型半導体装置を製造する。図４
に示す表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子１が搭載されたアイランド２及びワイヤボンディング
がされたリード３の内端部が略同一平面を形成してお
り、樹脂封止部１０の下面より上方に位置している。ア
イランド２の周囲に配置された複数のリード３は、その
先でほぼ直角に下方向に折曲げられると共に、アイラン
ド２と平行になるように再度ほぼ直角に外向きの折曲げ
られている。この状態で樹脂封止されると、リード３の
折曲げ部が樹脂封止部１０内に封止されとる共に、樹脂
封止部１０の下面からリード３が導出されるので、リー
ド３の加工を施す必要がなく、曲げ加工時に発生するリ
ードの寸法及び形状不良を防止と、検査工程や搬送中の
リード曲がりも防止できる。
【００１２】次に本発明の他の実施例を図５〜６を参照
しつつ説明する。本実施例で使用するリードフレーム及
び樹脂封止前までの工程は図１〜２と同一である。図５
に示すように、本実施例ではアイランド２に半導体素子
１を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフレーム
を上金型８と下金型９で挟持する際に、リード３の厚さ
ｈ分だけ低い位置で挟持するようにしている。そして、
上金型８と下金型９で形成されるキャビチィ内に熱硬化
性樹脂、例えばエポキシ樹脂を注入して樹脂封止部の形
成を行う。
しつつ説明する。本実施例で使用するリードフレーム及
び樹脂封止前までの工程は図１〜２と同一である。図５
に示すように、本実施例ではアイランド２に半導体素子
１を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフレーム
を上金型８と下金型９で挟持する際に、リード３の厚さ
ｈ分だけ低い位置で挟持するようにしている。そして、
上金型８と下金型９で形成されるキャビチィ内に熱硬化
性樹脂、例えばエポキシ樹脂を注入して樹脂封止部の形
成を行う。
【００１３】最後に、樹脂封止部１０を形成したリード
フレームを上金型８と下金型９から取り出し後、アイラ
ンド２と外枠５を接続するアイランドサポート７及び、
リード３間を連結するタイバー６を切断して、図６に示
す表面実装型の樹脂封止型半導体装置を製造する。本実
施例の表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止
部１０の下面から導出するリード３がその厚さ分ｈだけ
低い位置から導出している。この結果、曲げ加工時に発
生するリードの寸法及び形状不良の防止と、検査工程や
搬送中のリード曲がりも防止できる他、回路基板１１へ
の実装時に発生するおそれのある各リード３間の短絡を
防止できる。すなわち、樹脂封止部１０のリード３の下
面が同一面であると半田が流れ出して短絡する場合がる
が、樹脂封止部１０の下面がリード３の下面より上方に
あれば、より確実にリード３の半田付けを行うことがで
きる。
フレームを上金型８と下金型９から取り出し後、アイラ
ンド２と外枠５を接続するアイランドサポート７及び、
リード３間を連結するタイバー６を切断して、図６に示
す表面実装型の樹脂封止型半導体装置を製造する。本実
施例の表面実装型の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止
部１０の下面から導出するリード３がその厚さ分ｈだけ
低い位置から導出している。この結果、曲げ加工時に発
生するリードの寸法及び形状不良の防止と、検査工程や
搬送中のリード曲がりも防止できる他、回路基板１１へ
の実装時に発生するおそれのある各リード３間の短絡を
防止できる。すなわち、樹脂封止部１０のリード３の下
面が同一面であると半田が流れ出して短絡する場合がる
が、樹脂封止部１０の下面がリード３の下面より上方に
あれば、より確実にリード３の半田付けを行うことがで
きる。
【００１４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の樹脂封止
型半導体装置によれば、折曲げられたリードを使用して
いるので、樹脂封止後に樹脂封止部から導出されるリー
ドの加工を施さなくても基板上への表面実装が可能であ
る。そのため、曲げ加工時に発生するリードの寸法及び
形状不良を防止できると共に、検査工程や搬送中のリー
ド曲がりも防止できる。
型半導体装置によれば、折曲げられたリードを使用して
いるので、樹脂封止後に樹脂封止部から導出されるリー
ドの加工を施さなくても基板上への表面実装が可能であ
る。そのため、曲げ加工時に発生するリードの寸法及び
形状不良を防止できると共に、検査工程や搬送中のリー
ド曲がりも防止できる。
【００１５】また、樹脂封止部の下面がリードの下面よ
り上方にあれば、より確実にリードの半田付けを行うこ
とができる。さらに、樹脂封止後の最終工程でのフォー
ミング金型を使用しなくても良いので、フォーミング金
型のコスト削減でき、更にそのメンテナンスも不要とな
る。
り上方にあれば、より確実にリードの半田付けを行うこ
とができる。さらに、樹脂封止後の最終工程でのフォー
ミング金型を使用しなくても良いので、フォーミング金
型のコスト削減でき、更にそのメンテナンスも不要とな
る。
【図１】本発明の使用するリードフレームを示す説明
図。
図。
【図２】本発明の使用するリードフレームを示す説明
図。
図。
【図３】本発明の樹脂封止方法を示す説明図。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
【図５】本発明の樹脂封止方法を示す説明図。
【図６】本発明の他の樹脂封止型半導体装置を示す説明
図。
図。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
１ 半導体素子 ２ アイランド ３ リード ４ ワイヤ ５ 外枠 ６ タイバー ７ アイランドサポート １０ 樹脂封止部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載したアイランドと、前
記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記半導体
素子とリードの内端部を電気的に接続するワイヤと、前
記アイランド及びリードの一部を覆う樹脂封止部を有す
る表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、前記リ
ードは内端部がアイランドと共に樹脂封止部の下面より
上方に位置すると共に、前記樹脂封止部から導出される
リードは樹脂封止部の下面から導出されていることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記樹脂封止部の下面から導出されているリー
ドが、略リードの厚さ分だけ低い位置から導出されてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120943A JPH08316371A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120943A JPH08316371A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316371A true JPH08316371A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14798814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7120943A Pending JPH08316371A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169323B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-01-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with improved leads |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP7120943A patent/JPH08316371A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169323B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-01-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with improved leads |
| EP0860877A3 (en) * | 1997-02-25 | 2001-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing thereof |
| EP1577944A1 (en) * | 1997-02-25 | 2005-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for production thereof |
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