JP2000046748A - 導体パターンの検査方法およびその装置並びに多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】確実に、且つ高速で検査できるようにした導体
パターンの検査方法およびその装置並びに多層基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】被検査回路基板５１に対して、３００〜５
５０ｎｍの波長を有する偏光照明光を照明し、該照明さ
れた被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏光成分を
遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受光して光
学画像信号に変換し、該変換された光学画像信号を所定
のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す２値化
画像信号に変換し、該変換された導体パターンを示す２
値化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量を算出
し、導体パターンの位置ずれ量に基づいて位置合わせし
て比較することによって導体パターンの欠陥を抽出す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気回路基板の外
観検査に係わり、特に、セラミック基板に使用するグリ
ーンシートの表裏配線間を電気的に接続するために形成
されているスルーホール各々に充填される金属微粒子を
含んだ導電ペーストの充填物や、グリーンシート表面に
印刷される金属微粒子を含んだ導電ペーストの配線パッ
ド等からなる導体パターンを検査する導体パターンの検
査方法およびその装置並びに多層セラミック基板等の多
層基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミック基板に用いるグリーン
シートに形成された多数のスルーホール（貫通孔）に充
填された金属微粒子（ペースト）を検査するスルーホー
ル充填状態検査技術については、特開平５−３０７００
６号公報（従来技術１）に開示されている。この従来技
術１では、まず、回路基板に対し、斜め上方より照明し
た状態で、上方、あるいは斜め上方より画像を検出す
る。上方より検出した画像を２値化し、充填物の領域を
抽出し、その面積と周囲長に基づき、異物付着・混入欠
陥、飛散欠陥、にじみ欠陥、スルーホールなし欠陥を検
出する。斜め上方より検出した画像を２値化し、スルー
ホール壁面部分に対応する画像領域を抽出し、その面積
に基づき不足欠陥を検出していた。また、グリーンシー
トの表面に形成された配線パッドの検査技術について
は、特開平１−２５９２４５号公報（従来技術２）に開
示されている。この従来技術２では、まず、２値の基準
パターンを拡大及び縮小し、拡大パターン、縮小パター
ンのエッジを求める。撮像し２値化した検出２値画像
と、前記各エッジとの重なり部分を欠陥として検出して
いた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】充填物は、スルーホー
ルに金属微粒子を含んだペーストをスクリーン印刷によ
り充填するため、ペーストと基材（グリーンシート）の
境界、すなわちエッジ部に凹凸が多い。また、グリーン
シートは平坦ではなく、へこみなど凹凸がある。上記従
来技術１の場合、ペーストの面積と周囲長に基づき、異
物付着・混入欠陥、飛散欠陥、にじみ欠陥などを検出し
ている。ペーストのエッジに凹凸があると、周囲長が長
くなり、見逃し・虚報の原因となっている。また、充填
物不足欠陥は、スルーホール壁面部分を明るく顕在化し
て検出するため、グリーンシートのへこみが明るく検出
されて虚報となる場合がある。さらに、ペーストに含ま
れる金属微粒子が鋭く光り、虚報の原因となる。

【０００４】一方、グリーンシート表面の配線パッド
は、金属微粒子を含んだペーストをスクリーン印刷によ
り形成する。スクリーンのばらつきや印刷条件の変動に
より、配線パッドの形状、大きさはグリーンシート毎に
ばらついている。また、一枚のグリーンシートの各配線
パッドもスクリーンの孔形状や印刷条件により大きさが
ばらつく。上記従来技術２の場合、配線パッドの大きさ
のばらつきに対処できないため、欠陥の見逃しや虚報が
発生する。

【０００５】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
金属微粒子を含んだ導電ペーストからなる充填物や配線
パッド等の導体パターンについての余剰欠陥（にじみ、
飛散、突起）、欠損欠陥（欠け、ピンホール）、不足欠
陥、異物混入欠陥、導体パターンなし欠陥、位置ずれ欠
陥などを、虚報を最小限に抑えつつ確実に、且つ高速で
検査できるようにした導体パターンの検査方法およびそ
の装置を提供することにある。

【０００６】また、本発明の他の目的は、金属微粒子を
含んだ導電ペーストからなる充填物や配線パッド等の導
体パターンについて、シート毎、またはシート面内にお
いてばらつきが発生しても、またシート上に凹凸が発生
しても、余剰欠陥、欠損欠陥、不足欠陥、異物混入欠
陥、導体パターンなし欠陥、位置ずれ欠陥などを、誤検
出することなく確実に、且つ高速で検査できるようにし
た導体パターンの検査方法およびその装置を提供するこ
とにある。また、本発明の他の目的は、補修用の薄膜を
形成する必要がなくなるように、多層セラミック基板を
高歩留まりで製造することができるようにした多層基板
の製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペ
ーストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検
査回路基板に対して、５５０ｎｍ以下（例えば４００〜
５５０ｎｍ）の波長を有する偏光照明光を照明し、該照
明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏光成
分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受光し
て光学画像信号に変換し、該変換された光学画像信号を
所定のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す２
値化画像信号に変換し、該変換された導体パターンを示
す２値化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量を算
出し、前記変換された導体パターンを示す２値化画像信
号と該導体パターンの欠陥判定基準を決める基準の２値
化画像信号とを前記算出された導体パターンの位置ずれ
量に基づいて位置合わせして比較することによって導体
パターンの欠陥を抽出することを特徴とする導体パター
ンの検査方法である。

【０００８】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板に対して、５５０ｎｍ以下
（例えば４００〜５５０ｎｍ）の波長を有する偏光照明
光を照明し、該照明された被検査回路基板からの前記偏
光照明光の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像
を検出器で受光して光学画像信号に変換し、該変換され
た光学画像信号を所定のしきい値で２値化して前記導体
パターンを示す２値化画像信号に変換し、該変換された
導体パターンを示す２値化画像信号を元に導体パターン
の位置ずれ量と導体パターンの大きさ（ばらつきも含
む）とを算出し、前記変換された導体パターンを示す２
値化画像信号と前記算出された導体パターンの大きさに
合わせられた導体パターンの欠陥判定基準を決める基準
の２値化画像信号とを前記算出された導体パターンの位
置ずれ量に基づいて位置合わせして比較することによっ
て導体パターンの欠陥を抽出することを特徴とする導体
パターンの検査方法である。

【０００９】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板に対して、偏光照明光を照明
し、該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光
の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器
で受光して光学画像信号に変換し、該変換された光学画
像信号を所定のしきい値で２値化して前記導体パターン
を示す２値化画像信号に変換し、該変換された導体パタ
ーンを示す２値化画像信号を元に導体パターンの位置ず
れ量と導体パターンの大きさ（ばらつきも含む）とを算
出し、前記変換された導体パターンを示す２値化画像信
号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
た導体パターンの欠陥判定基準を決める基準の２値化画
像信号とを前記算出された導体パターンの位置ずれ量に
基づいて位置合わせして比較することによって導体パタ
ーンの欠陥を抽出することを特徴とする導体パターンの
検査方法である。また、本発明は、基材に対して金属微
粒子を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷
して形成された被検査回路基板に対して、偏光照明光を
照明し、該照明された被検査回路基板からの前記偏光照
明光の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検
出器で受光して光学画像信号に変換し、該変換された光
学画像信号を互いに異なる第１および第２のしきい値で
２値化して前記導体パターンを示す第１および第２の２
値化画像信号に変換し、該変換された導体パターンを示
す第１または第２の２値化画像信号を元に導体パターン
の位置ずれ量を算出し、前記変換された導体パターンを
示す第１の２値化画像信号と該導体パターンに対する外
枠の欠陥判定基準を決める第１の基準の２値化画像信号
とを前記算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせし
て比較することによって外枠外に存在する導体パターン
の欠陥を抽出し、前記変換された導体パターンを示す第
２の２値化画像信号と該導体パターンに対する内枠の欠
陥判定基準を決める第２の基準の２値化画像信号とを前
記算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせして比較
することによって内枠内に存在する導体パターンの欠陥
を抽出することを特徴とする導体パターンの検査方法で
ある。

【００１０】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板に対して、偏光照明光を照明
し、該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光
の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器
で受光して光学画像信号に変換し、該変換された光学画
像信号を互いに異なる第１および第２のしきい値（ＴＨ
ａまたはＴＨｈ、ＴＨｂまたはＴＨｌ）で２値化して前
記導体パターンを示す第１および第２の２値化画像信号
Ｇａ（ｘ，ｙ）またはＦａ（ｘ，ｙ）、Ｇｂ（ｘ，ｙ）
またはＦｂ（ｘ，ｙ）に変換し、該変換された導体パタ
ーンを示す第１または第２の２値化画像信号を元に導体
パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出
し、前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画
像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）またはＦａ（ｘ，ｙ）と前記算出
された導体パターンの大きさに合わせられた導体パター
ンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第１の（拡大）
基準の２値化画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）とを前記算出さ
れた位置ずれ量に基づいて位置合わせして比較すること
によって外枠外に存在する導体パターンの欠陥を抽出
し、前記変換された導体パターンを示す第２の２値化画
像信号Ｇｂ（ｘ，ｙ）またはＦｂ（ｘ，ｙ）と前記算出
された導体パターンの大きさに合わせられた導体パター
ンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の（縮小）
基準の２値化画像信号Ｒｃ’（ｘ，ｙ）とを前記算出さ
れた位置ずれ量に基づいて位置合わせして比較すること
によって内枠内に存在する導体パターンの欠陥を抽出す
ることを特徴とする導体パターンの検査方法である。

【００１１】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板から得られる光学画像を検出
器で受光して光学画像信号に変換し、該変換された光学
画像信号を互いに異なる第１および第２のしきい値（Ｔ
ＨａまたはＴＨｈ、ＴＨｂまたはＴＨｌ）で２値化して
前記導体パターンを示す第１および第２の２値化画像信
号に変換し、基準の導体パターンを示す基準の２値化画
像信号に対して少なくとも膨張、そのまま、収縮した３
種類の基準の２値化画像信号を形成し、該作成された少
なくとも３種類の基準の２値化画像信号と前記変換され
た導体パターンを示す第１または第２の２値化画像信号
とを相対的にずらして一致度を求めることによって導体
パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出
し、前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画
像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）またはＦａ（ｘ，ｙ）と前記算出
された導体パターンの大きさまたは該大きさに合わせら
れた導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める
第１の（拡大）基準の２値化画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）
とを前記算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせし
て比較することによって外枠外に存在する導体パターン
の欠陥を抽出し、前記変換された導体パターンを示す第
２の２値化画像信号Ｇｂ（ｘ，ｙ）またはＦｂ（ｘ，
ｙ）と前記算出された導体パターンの大きさに合わせら
れた導体パターンに対する内枠の欠陥判定基準を決める
第２の（縮小）基準の２値化画像信号Ｒｃ’（ｘ，ｙ）
とを前記算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせし
て比較することによって内枠内に存在する導体パターン
の欠陥を抽出することを特徴とする導体パターンの検査
方法である。

【００１２】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板から得られる光学画像を検出
器で受光して光学画像信号に変換し、該変換された光学
画像信号を互いに異なる第１および第２および第３のし
きい値（ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃ）で２値化して前記導
体パターンを示す第１および第２の２値化画像信号と前
記導体パターン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号に
変換し、基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信
号に対して少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類
の基準の２値化画像信号を形成し、該作成された少なく
とも３種類の基準の２値化画像信号と前記変換された導
体パターンを示す第１または第２の２値化画像信号とを
相対的にずらして一致度を求めることによって導体パタ
ーンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出し、
前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
号Ｇａ（ｘ，ｙ）またはＦａ（ｘ，ｙ）と前記算出され
た導体パターンの大きさに合わせられた導体パターンに
対する外枠の欠陥判定基準を決める第１の基準の２値化
画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）とを前記算出された位置ずれ
量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号Ｇｂ
（ｘ，ｙ）またはＦｂ（ｘ．ｙ）と前記算出された導体
パターンの大きさに合わせられた導体パターンに対する
内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の２値化画像信
号Ｒｃ’（ｘ，ｙ）とを前記算出された位置ずれ量に基
づいて位置合わせして比較することによって内枠内に存
在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換された導
体パターン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号Ｇｃ
（ｘ，ｙ）と前記第１の基準の２値化画像信号Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）または前記算出された導体パターンの大きさ
に合わせられた欠陥判定基準を決める第３の基準の２値
化画像信号Ｄ’（ｘ，ｙ）とを前記算出された位置ずれ
量に基づいて位置合わせして比較することによって導体
パターン内の欠陥を抽出することを特徴とする導体パタ
ーンの検査方法である。

【００１３】また、本発明は、前記導体パターンの検査
方法において、導体パターンは、基材に穿設されたスル
ーホールに導電ペーストを充填印刷させて形成した充填
物であることを特徴とする。また、本発明は、前記導体
パターンの検査方法において、導体パターンは基材上に
導電ペーストを印刷して形成した配線パッドであること
を特徴とする。

【００１４】また、本発明は、基材にスルーホールを多
数形成するスルーホール形成工程と、該スルーホール形
成工程で形成された各スルーホールに金属微粒子を含ん
だ導電ペーストを印刷して充填する導体充填工程と、該
導体充填工程で充填された導体パターンを、前記導体パ
ターンの検査方法により検査する導体パターン検査工程
と、該導体パターン検査工程によって良品と判定された
回路基板上に金属微粒子を含んだ導電ペーストを印刷し
て配線パッドを有する配線導体を形成する印刷配線形成
工程と、該印刷配線形成工程で形成された配線パッド
を、前記導体パターンの検査方法により検査する配線パ
ッド検査工程と、該配線パッド検査工程で良品と判定さ
れた回路基板を積層して焼結して多層基板を得る積層・
焼結工程とを有することを特徴とする多層基板の製造方
法である。

【００１５】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板に対して、５５０ｎｍ以下
（４００〜５５０ｎｍ）の波長を有する偏光照明光を照
明する照明光学系と、該照明光学系で照明された被検査
回路基板からの前記偏光照明光の偏光成分を遮光した反
射光に基づく光学画像を検出器で受光して光学画像信号
に変換する検出光学系と、該検出光学系の検出器で変換
された光学画像信号を所定のしきい値で２値化して前記
導体パターンを示す２値化画像信号に変換する２値化回
路と、該２値化回路で変換された導体パターンを示す２
値化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量を算出す
る算出手段と、前記２値化回路で変換された導体パター
ンを示す２値化画像信号と該導体パターンの欠陥判定基
準を決める基準の２値化画像信号とを前記算出手段で算
出された導体パターンの位置ずれ量に基づいて位置合わ
せして比較することによって導体パターンの欠陥を抽出
する比較手段とを備えたことを特徴とする導体パターン
の検査装置である。また、本発明は、基材に対して金属
微粒子を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印
刷して形成された被検査回路基板に対して、偏光照明光
を照明する照明光学系と、該照明光学系で照明された被
検査回路基板からの前記偏光照明光の偏光成分を遮光し
た反射光に基づく光学画像を検出器で受光して光学画像
信号に変換する検出光学系と、該検出光学系の検出器で
変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第２
のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第１お
よび第２の２値化画像信号に変換する２値化回路と、該
２値化回路で変換された導体パターンを示す第１または
第２の２値化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量
と導体パターンの大きさとを算出する算出手段と、前記
２値化回路で変換された導体パターンを示す第１の２値
化画像信号と前記算出手段で算出された導体パターンの
大きさに合わせられた導体パターンに対する外枠の欠陥
判定基準を決める第１の基準の２値化画像信号とを前記
算出手段で算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせ
して比較することによって外枠外に存在する導体パター
ンの欠陥を抽出し、前記２値化回路で変換された導体パ
ターンを示す第２の２値化画像信号と前記算出手段で算
出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
２値化画像信号とを前記算出手段で算出された位置ずれ
量に基づいて位置合わせして比較することによって内枠
内に存在する導体パターンの欠陥を抽出する比較手段と
を備えたことを特徴とする導体パターンの検査装置であ
る。

【００１６】また、本発明は、基材に対して金属微粒子
を含んだ導電ペーストを所定の導体パターンに印刷して
形成された被検査回路基板に対して、偏光照明光を照明
する照明光学系と、該照明光学系で照明された被検査回
路基板からの前記偏光照明光の偏光成分を遮光した反射
光に基づく光学画像を検出器で受光して光学画像信号に
変換する検出光学系と、該検出光学系の検出器で変換さ
れた光学画像信号を互いに異なる第１および第２および
第３のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第
１および第２の２値化画像信号と前記導体パターン内の
欠陥を示す第３の２値化画像信号に変換する２値化回路
と、基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に
対して少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基
準の２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも
３種類の基準の２値化画像信号と前記２値化回路で変換
された導体パターンを示す第１または第２の２値化画像
信号とを相対的にずらして一致度を求めることによって
導体パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを
算出する算出手段と、前記２値化回路で変換された導体
パターンを示す第１の２値化画像信号と前記算出手段で
算出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パ
ターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第１の基準
の２値化画像信号とを前記算出手段で算出された位置ず
れ量に基づいて位置合わせして比較することによって外
枠外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記２値
化回路で変換された導体パターンを示す第２の２値化画
像信号と前記算出手段で算出された導体パターンの大き
さに合わせられた導体パターンに対する内枠の欠陥判定
基準を決める第２の基準の２値化画像信号とを前記算出
手段で算出された位置ずれ量に基づいて位置合わせして
比較することによって内枠内に存在する導体パターンの
欠陥を抽出し、前記２値化回路で変換された導体パター
ン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号と前記第１の基
準の２値化画像信号または前記算出手段で算出された導
体パターンの大きさに合わせられた欠陥判定基準を決め
る第３の基準の２値化画像信号とを前記算出手段で算出
された位置ずれ量に基づいて位置合わせして比較するこ
とによって導体パターン内の欠陥を抽出する比較手段と
を備えたことを特徴とする導体パターンの検査装置であ
る。

【００１７】また、本発明は、ペーストが充填されてい
るスルーホールが多数形成された回路基板に対して、青
色〜紫外光の波長を有する光を用いて、かつ直線偏光し
た光を照明し、該照明光の偏光を遮光して回路基板から
の画像を上方で検出するように構成する。この青色〜紫
外光偏光照明・偏光検出方式により、ペースト中の金属
微粒子による輝点を減少することができる。更に、検出
画像を第１のしきい値で２値化し、２値化画像を得る。
しきい値は、基材であるグリーンシート面に対して、充
填物であるペーストを分離する値である。検出２値化画
像Ｇａ（ｘ，ｙ）またはＧｂ（ｘ，ｙ）に対して、予め
準備しておいた基準パターンのエッジに不感帯を設けた
拡大または縮小基準パターン画像Ｒｅ（ｘ，ｙ）または
Ｒｃ（ｘ，ｙ）と位置合わせをして、検出２値画像と基
準パターン画像の不一致画素を抽出する。不一致画素が
にじみ、飛散、異物混入、スルーホールなしの欠陥であ
る。また、位置合わせの時、基準パターン画像と検出２
値画像の位置ずれ量が基準値を上回ったら、スルーホー
ル位置ずれ欠陥である。以上説明したように、前記構成
によれば、従来のように面積や周囲長などの特徴量によ
り欠陥を判定するのではなく、スルーホールに充填され
たペーストの形状を欠陥のない基準形状と比較検査する
ため、ペーストのエッジの凹凸に左右されず、確実に、
にじみ、飛散、異物混入、スルーホールなし、スルーホ
ール位置ずれ等の欠陥を検出することができる。

【００１８】また、本発明は、ペーストが充填されてい
るスルーホールが多数形成された回路基板に対して、青
色〜紫外光の波長を有する光を用いて、かつ直線偏光し
た光を照明し、該照明光の偏光を遮光して回路基板から
の画像を斜め上方で検出するように構成する。検出画像
を第１のしきい値で２値化し、２値化画像Ｇａ（ｘ，
ｙ）またはＧｂ（ｘ，ｙ）を得る。第１のしきい値ＴＨ
ａまたはＴＨｂは、基材であるグリーンシート面に対し
て、充填物であるペーストを分離する値である。また、
検出画像を第２のしきい値ＴＨｃで２値化し、２値化画
像Ｇｃ（ｘ，ｙ）を得る。第２のしきい値ＴＨｃは、基
材であるグリーンシート面に対して、ペーストが充填さ
れていない（不足欠陥）スルーホールの壁面部分に対応
する画素を分離する値である。検出２値化画像Ｇａ
（ｘ，ｙ）またはＧｂ（ｘ，ｙ）と予め準備しておいた
欠陥のない基準パターン画像Ｒ（ｘ，ｙ）との位置ずれ
量を求め、検出２値画像Ｇｃ（ｘ，ｙ）と基準パターン
画像Ｒ（ｘ，ｙ）との位置合わせを行う。検出２値画像
Ｇｃ（ｘ，ｙ）に対して、拡大基準パターン画像Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）を用いてマスキングすることで、不足欠陥が
検出される。基準パターン画像をマスクとして使用する
ことで、基材であるグリーンシート面は検査対象領域外
となり、グリーンシートのへこみによる虚報が発生しな
い。

【００１９】以上説明したように、前記構成によれば、
金属微粒子を含んだ導電ペーストからなる充填物や配線
パッド等の導体パターンについての余剰欠陥（にじみ、
飛散、突起）、欠損欠陥（欠け、ピンホール）、不足欠
陥、異物混入欠陥、導体パターンなし欠陥、位置ずれ欠
陥などを、虚報を最小限に抑えつつ確実に、しかも高速
で検査することができる。また、前記構成によれば、金
属微粒子を含んだ導電ペーストからなる充填物や配線パ
ッド等の導体パターンについて、シート毎、またはシー
ト面内においてばらつきが発生しても、余剰欠陥、欠損
欠陥、不足欠陥、異物混入欠陥、導体パターンなし欠
陥、位置ずれ欠陥などを、誤検出することなく確実に、
しかも高速に検査することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明に係るスルーホール充填状
態検査方法およびパターン検査方法並びにその検査装置
の実施の形態について図面を用いて説明する。まず、グ
リーンシートのスルーホールに充填された充填物や表面
に印刷される配線パッドの光学的な検出方法およびその
装置について説明する。まず、スルーホール充填物の検
査においては、図１に示すように、グリーンシートの基
材１に対して穿設されたスルーホール２に対する充填物
３の表面のにじみ４、飛散５、異物混入６、スルーホー
ルなし７、スルーホール位置ずれ８、および充填物不足
９の欠陥を光学的に検査する必要がある。ところで、グ
リーンシート１のスルーホール２や表面に印刷される配
線材料である導電性のペーストには、金属微粒子が含ま
れている。そのため、照明光を導電性のペーストに照射
して正反射光を検出しようとすると、金属微粒子の表面
の一部分から照明光の正反射成分が検出されて、輝点が
生じることになる。

【００２１】そこで、正反射による輝点をなくすため、
特開平５−３０７００６号公報に記載されているよう
に、偏光照明・偏光検出を行う。しかしながら、偏光照
明・偏光検出は非常に効果が大きいが、完全に輝点をゼ
ロにすることはできない。その理由は、ペーストに照明
した光が多重反射などにより偏光方向が乱されて、検出
側の偏光板を透過してくる部位がペースト上に存在する
ことになるためである。そこで、本発明は、金属微粒子
が銅（Ｃｕ）であれば（実際、配線材料として銅が一番
使われている）、分光反射特性に着目し、緑色（５７０
〜４９０ｎｍ）または青色（４９０〜４６０ｎｍ）また
は藍〜紫色（４６０〜４００ｎｍ）に波長を限定した偏
光照明・偏光検出を行うことによってほぼ完全に輝点を
除去することが可能となる。なお、照明光として、エキ
シマレーザ光のように、３００〜４００ｎｍの紫外光を
用いてもよい。図２には、銅微粒子を含んだ導電性ペー
ストの４つのサンプル（新しいもの、古いものなど任意
に選択した４つのサンプル）における分光反射特性を示
す。図２に示すように、銅微粒子を含んだ導電性ペース
トの分光反射特性は、大凡５５０〜６００ｎｍを境にし
て、波長が短くなればなるほど反射率が低くなる。この
ため、波長を５５０ｎｍ程度以下に限定した偏光照明・
偏光検出により、輝点の明るさを半分以下にして検出す
ることができる。

【００２２】次に、本発明に係るスルーホールに充填さ
れたペーストの検査の一実施の形態について、図３〜図
８を用いて説明する。まず、各充填状態の検出画像につ
いて図３および図７を用いて説明する。斜め方向より、
直線偏光した照明光１１を、銅微粒子を含んだ導電性ペ
ーストを印刷した基板回路１に照明すると、基板、すな
わちグリーンシート１が微細粒子で構成されているた
め、乱反射してその反射光の偏光方向が一様に乱れる。
しかし、スルーホールに充填されているペースト（金属
微粒子）の表面からの反射光は、正反射光であるため、
その偏光方向は、図７に示すように、偏光板６４による
偏光方向と同一となる。従って、図７に示すように、偏
光板６５の偏光方向を、偏光板６４のそれと直交すべく
配置することで、Ｃｕの金属微粒子からなる充填物３の
表面からの反射光を偏光板６５によって遮光することが
できる。このため、検出方向１２をほぼ垂直にして検出
すると、図３に画像信号として示すように、充填物３を
暗く、基板１を明るく検出することができる。即ち、検
出器６３からは、図３に示すように、充填物３に対応し
た画像部分を黒とし、基板１に対応した画像部分を白と
した黒白のコントラストをもった明瞭な検出画像信号Ｇ
（ｘ，ｙ）が得られる。そして、この検出画像信号Ｇ
（ｘ，ｙ）をしきい値ＴＨａで２値化して検出２値化画
像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）に変換することで、充填物３と基
板１とを分別することができる。この検出２値化画像信
号Ｇａ（ｘ，ｙ）を元に、正常な充填状態に対して、に
じみ欠陥４については、充填物３に対応する画像部分が
大きく検出され、スルーホールなし欠陥７については、
充填物３に対応する画像部分がなく、飛散欠陥５につい
ては飛散した充填物が検出される。

【００２３】異物付着・混入欠陥６については、現実に
はグリーンシートの屑の例が多く、シート屑は細いもの
が多いため、十分に明るく光らない場合が多い。よっ
て、しきい値ＴＨｂ（＜ＴＨａ）で２値化して検出２値
化画像信号Ｇｂ（ｘ，ｙ）を得ることによって見逃しな
く異物欠陥６を識別することができる。また、充填物不
足欠陥９については、スルーホール２の壁面に対して斜
方から照明光１１が入射されるため、スルーホール壁面
近傍のグリーンシート面が、正常な充填状態のスルーホ
ール近傍のグリーンシート面より明るく検出される。そ
こで、しきい値ＴＨｃ（＞ＴＨａ）で２値化して検出２
値化画像信号Ｇｃ（ｘ，ｙ）を得ることで、充填物不足
欠陥９のスルーホールを識別することができる。なお、
特開平５−３０７００６号公報に記載されているよう
に、斜め上方から検出すると、この充填物不足欠陥９を
より明るく検出できるが、垂直上方１２でも十分明るく
検出することが可能である。

【００２４】次に、本発明に係る検出２値化画像信号Ｇ
ａ（ｘ，ｙ）、Ｇｂ（ｘ，ｙ）、Ｇｃ（ｘ．ｙ）から欠
陥部を抽出する欠陥判定アルゴリズムの一実施例を図４
Ａ、および図４Ｂを用いて説明する。３つの２値化回路
２０ａ、２０ｂ、２０ｃの各々において、被検査基板１
を撮像して得た検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）を、各しきい
値ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃで２値化し、３つの２値化画
像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）、Ｇｂ（ｘ，ｙ）、Ｇｃ（ｘ，
ｙ）を得る。前述した如く、２値化回路２０ｃにおい
て、検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）をしきい値ＴＨｃで２値
化して検出２値化画像信号Ｇｃ（ｘ，ｙ）を得ること
で、充填物不足欠陥９のスルーホール壁面近傍が分別さ
れる。即ち、２値画像信号Ｇｃ（ｘ，ｙ）として、スル
ーホール壁面近傍の明るい部分を「１」、他の部分を
「０」とするものが得られる。波長を５５０ｎｍ程度以
下に短くした青色等の偏光照明・偏光検出により、ペー
スト部の輝点の発生を抑えているが、万一にも輝点が発
生する場合を考え、輝点除去回路２３ｃにおいて、微小
な「１」の領域を消し込み、輝点を除去した２値化画像
信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）を得る。２値化回路２０ａにおい
て、検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）をしきい値ＴＨａで２値
化して検出２値化画像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）を得ること
で、ベースト、即ち充填物３が分別される。即ち、２値
化画像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）としては、ペースト部分を
「０」、グリーンシート部分を「１」とするものが得ら
れる。非欠陥である微小な飛散を除去するため、孤立点
除去回路２３ａによって微小な「０」の領域を消し込
み、孤立点を除去した２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）
を得る。

【００２５】２値化回路２０ｂにおいて、検出画像信号
Ｇ（ｘ，ｙ）をしきい値ＴＨｂで２値化した検出２値化
画像信号Ｇｂ（ｘ，ｙ）では、しきい値ＴＨａの２値画
像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）と同様、ペースト部分が「０」、
グリーンシート部分が「１」になるが、シート屑（異
物）が「１」になることが異なる。そこで、輝点除去回
路２３ｂにおいて、非欠陥である微小な「１」の領域を
消し込み、輝点を除去した２値化画像信号Ｇｂ’（ｘ，
ｙ）を得る。一方、欠陥の無い基準パターンＲ（ｘ，
ｙ）を準備しておく。基準パターンＲ（ｘ，ｙ）は、設
計データから発生させても良いし、良品サンプルの画像
を吸い上げて作成しても良く、ペースト部分が「０」、
基材部分が「１」の２値化画像信号で形成される。検出
画像Ｇ（ｘ，ｙ）と同一箇所の基準パターンＲ（ｘ，
ｙ）とを比較検査するわけであるが、被検査基板１の製
造ばらつきなどの影響で、検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）と
基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）の位置が正確に合わ
ないことがある。このため、検出２値画像信号Ｇａ
（ｘ，ｙ）、Ｇｂ（ｘ，ｙ）、Ｇｃ（ｘ，ｙ）と基準パ
ターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）との位置ずれ量を算出して
位置合わせを行う。即ち、不一致カウンタ回路７５は、
画像メモリ７４から基準パターン画像信号（位置合わせ
パターン画像信号）Ｒ（ｘ，ｙ）をｘ、ｙ方向に±数画
素までずらして読み出された画像信号（例えば、±３画
素までずらすと、全部で７×７＝４９枚の２値画像）
と、検出２値化画像信号（例えば、しきい値ＴＨａまた
はしきい値ＴＨｂで２値化した画像）Ｇａ’（ｘ，ｙ）
或いはＧｂ’（ｘ，ｙ）との不一致画素数を数える。ス
ルーホール位置ずれ検出回路（ＰＣ）７６は、不一致カ
ウンタ回路７５において計数された不一致画素数が最小
の基準パターン画像が、検出２値化画像Ｇａ’（ｘ，
ｙ）或いはＧｂ’（ｘ，ｙ）と一番位置が合った画像信
号であると判断し、基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）
に対する検出２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）或いはＧ
ｂ’（ｘ，ｙ）におけるスルーホールの位置ずれ量を算
出することになる。そこで、スルーホール位置ずれ検出
回路（ＰＣ）７６は、画像メモリ８３、８４、８５の各
々に記憶された許容限界を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，
ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）を読み出す
際、上記算出されたスルーホール位置ずれ量１１１に基
づいて位置ずれ補正をすることによって、画像メモリ２
４ａ、２４ｂ、２４ｃの各々から読み出される検出２値
化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇ
ｃ’（ｘ，ｙ）と、画像メモリ８３、８４、８５の各々
から読み出される許容限界を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，
ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）とは、位置合
わせされることになる。

【００２６】ところで、グリーンシート基材１に形成さ
れたスルーホール２の寸法に僅かな変動があり、その結
果充填物３の径にも変動が生じることになる。従って、
充填物３の径の変動に対応した検出画像信号Ｇ（ｘ，
ｙ）が検出されて検出２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，
ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’（ｘ，ｙ）、にも充填
物３の大きさの変動が現れることになる。そこで、基準
パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）および判定パターン信号
Ｄ（ｘ，ｙ）における充填物３を示す基準パターンを元
に決められる許容判定基準Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’
（ｘ，ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）を、検出２値化画像信号Ｇ
ａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’（ｘ，ｙ）
に現れる充填物３の大きさの変動に合わせる必要があ
る。このため、膨張回路７１ａは、基準パターン画像信
号Ｒ（ｘ，ｙ）に対して充填物３の径が大きめのものに
対応する１〜２画素膨張させた２値化画像信号を形成し
てメモリ７４に記憶させる。同様に、膨張回路７１ｂ、
７１ｃ、７１ｄの各々は、にじみや飛散欠陥等の許容限
界を示す拡大基準パターン画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）、ス
ルーホールなしやシート屑欠陥等の許容限界を示す縮小
基準パターン画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）、充填物不足欠陥
等の許容限界を示す判定パターン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）
に対して充填物３の径が大きめのものに対応する１〜２
画素膨張させた２値化画像信号を形成し、切り換え回路
８２ｂ、８２ｃ、８２ｄを介してメモリ８３、８４、８
５の各々に記憶させる。また、スルー回路７２ａは、基
準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）をそのままメモリ７４
に記憶させる。同様に、スルー回路７２ｂ、７２ｃ、７
２ｄの各々は、にじみや飛散欠陥等の許容限界を示す拡
大基準パターン画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）、スルーホール
なしやシート屑欠陥等の許容限界を示す縮小基準パター
ン画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）、充填物不足欠陥等の許容限
界を示す判定パターン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）をそのまま
切り換え回路８２ｂ、８２ｃ、８２ｄを介してメモリ８
３、８４、８５の各々に記憶させる。このように、スル
ー回路７２ａ〜７２ｄは、入力された画像信号をそのま
ま出力するものであるため、回路としては存在しないこ
とになる。

【００２７】また、収縮回路７３ａは、基準パターン画
像信号Ｒ（ｘ，ｙ）に対して充填物３の径が小さめのも
のに対応する１〜２画素収縮させた２値化画像信号を形
成してメモリ７４に記憶させる。同様に、収縮回路７３
ｂ、７３ｃ、７３ｄの各々は、にじみや飛散欠陥等の許
容限界を示す拡大基準パターン画像信号Ｒｅ（ｘ，
ｙ）、スルーホールなしやシート屑欠陥等の許容限界を
示す縮小基準パターン画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）、充填物
不足欠陥等の許容限界を示す判定パターン画像信号Ｄ
（ｘ，ｙ）に対して充填物３の径が小さめのものに対応
する１〜２画素収縮させた２値化画像信号を形成し、切
り換え回路８２ｂ、８２ｃ、８２ｄを介してメモリ８
３、８４、８５の各々に記憶させる。従って、画像メモ
リ７４は、基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）に対し
て、充填物の径を大きめに膨張した２値化画像信号、充
填物の径を小さめに収縮した２値画像と、基準パターン
そのままの３種類の位置合わせパターンを発生させる。
そして、不一致カウンタ回路７５は、それぞれの種類に
ついて、画像メモリ７４からｘ、ｙ方向に±数画素まで
ずらして読み出すことによって±数画素までずらした画
像を生成し（例えば、±３画素までずらすと、全部で１
４７枚の２値化画像）、検出２値化画像Ｇａ’（ｘ，
ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）との位置のずれを調べる。従っ
て、スルーホール位置ずれ検出回路（ＰＣ）７６は、不
一致カウンタ回路７５から得られる不一致数が最小を示
すスルーホール位置ずれ量と位置合わせパターンの種類
（検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）において充填物３の径が大
きめのものと、通常のものと、小さめのものとの３種
類）とが検出されることになる。そこで、前述した如
く、スルーホール位置ずれ検出回路（ＰＣ）７６は、画
像メモリ８３、８４、８５の各々に記憶された許容限界
を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、
Ｄ’（ｘ，ｙ）を読み出す際、上記算出されたスルーホ
ール位置ずれ量１１１に基づいて位置ずれ補正をするこ
とによって、画像メモリ２４ａ、２４ｂ、２４ｃの各々
から読み出される検出２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，
ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と、画像メ
モリ８３、８４、８５の各々から読み出される許容限界
を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、
Ｄ’（ｘ，ｙ）とを、位置合わせさせることができる。
更に、スルーホール位置ずれ検出回路（ＰＣ）７６は、
検出された検出画像信号Ｇ（ｘ，ｙ）における充填物３
の径が大きめのものと、通常のものと、小さめのものと
の３種類に応じた信号１１２により切り換え回路８２
ｂ、８２ｃ、８２ｄを切り換えることによって、画像メ
モリ２４ａ、２４ｂ、２４ｃの各々に記憶された検出２
値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇ
ｃ’（ｘ，ｙ）に現れる充填物３の大きさに適合した許
容限界を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，
ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）の各々を画像メモリ８３、８４、
８５の各々に記憶させることができる。

【００２８】これにより、充填物の大きさが、シート
毎、あるいは、シート内の面内にばらつきがあっても、
確実に、検出２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’
（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’（ｘ，ｙ）を、基準パターン画像信
号、判定パターン画像信号に基づく許容限界を示す画像
信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、Ｄ’（ｘ，
ｙ）と位置合わせすることができると共に、検出２値化
画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’
（ｘ，ｙ）に現れる充填物３の大きさに適合した許容限
界を示す画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，
ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）を選択することが可能となる。ま
た、スルーホール位置ずれ検出回路（ＰＣ）７６は、算
出されたスルーホールの位置ずれ量が規定値以上のとき
は、スルーホール位置ずれ欠陥１０６と判断して出力す
る。膨張回路７１ａ〜７１ｄにおける膨張、および収縮
回路７３ａ〜７３ｄにおける収縮は、例えば、３×３画
素の４連結（あるいは、８連結）のオペレータを作用さ
せると簡単である。図５（ａ）に示すように、３×３画
素における４連結あるいは８連結において、何れかに導
電性ペーストに対応する“０”があれば、中心画素を
“１”から“０”に変換することによって“０”で示さ
れる導電性ペーストの２値化パターンの外周が１画素膨
張されることになる。また、図５（ｂ）に示すように、
３×３画素における４連結あるいは８連結において、何
れかにグリーンシート面に対応する“１”があれば、中
心画素を“０”から“１”に変換することによって
“０”で示される導電性ペーストの２値化パターンの外
周が１画素収縮されることになる。更に１画素膨張若し
くは収縮させたい場合には、３×３画素の４連結（ある
いは、８連結）のオペレータをもう一度掛ければ良い。

【００２９】次に、許容限界を示す画像信号Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）、Ｒｃ’（ｘ，ｙ）、Ｄ’（ｘ，ｙ）の各々
の元になる拡大基準パターン画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）、
縮小基準パターン画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）、および判定
パターン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）について説明する。拡大
処理回路２９は、基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）に
対して、検査判定基準（例えば図６（ａ）に示す如くス
ルーホールに対するにじみの大きさの上限Ｄmaxを決
め、図６（ｂ）に示す如く飛散が生じてはいけない範囲
の上限Ｄmaxを決める。）による決まるサイズで拡大処
理して、検査判定基準の上限を決める拡大基準パターン
画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）を形成してメモリ７８に記憶す
る。縮小処理回路３０は、基準パターン画像信号Ｒ
（ｘ，ｙ）に対して、検査判定基準（例えば図６（ｃ）
に示す如くスルーホールに対するスルーホールなしやシ
ート屑等の異物の存在する範囲の下限Ｄminを決め
る。）による決まるサイズで縮小処理して、検査判定基
準の下限を決める縮小基準パターン画像信号Ｒｃ（ｘ，
ｙ）を形成してメモリ８０に記憶する。また、判定パタ
ーン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）は、充填物欠陥を判定するた
めの検査領域マスクとなるもので、不足欠陥が検出され
得る領域パターンをメモリ８６に記憶させることによっ
て設定することができる。

【００３０】以上説明したように、検査判定基準となる
拡大基準パターン画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）、縮小基準パ
ターン画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）、判定パターン画像信号
Ｄ（ｘ，ｙ）の各々は、メモリ７８、８０、８６の各々
に記憶させて取得することができる。更に、図４Ｂに示
すように、エッジ抽出回路８７は、メモリ８３から読み
出された検出画像信号の充填物の大きさに合わされた拡
大基準パターン画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）に対して輪郭
部分（エッジ部分）を抽出処理して輪郭部分（エッジ部
分）を「０」にした拡大エッジ基準パターン画像信号Ｒ
ｅ’E（ｘ，ｙ）を形成する。同様に、エッジ抽出回路
８８は、メモリ８４から読み出された検出画像信号の充
填物の大きさに合わされた縮小基準パターン画像信号Ｒ
ｃ’（ｘ，ｙ）に対して輪郭部分（エッジ部分）を抽出
処理して輪郭部分（エッジ部分）を「０」にした縮小エ
ッジ基準パターン画像信号Ｒｃ’E（ｘ，ｙ）を形成す
る。そして、図４Ｂに示すように、比較回路（論理積回
路）３１ａにおいて、しきい値ＴＨａで２値化した検出
２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）を反転した信号と、拡
大基準パターン画像信号Ｒｅ’（ｘ，ｙ）とを比較して
例えば論理積をとることによって許容限界を越えたにじ
み欠陥１０２ａや飛散欠陥１０２ｂが例えば「０」とし
て検出される。図４Ｂにおいては、表示する都合上欠陥
を「０」として検出したが、「１」として検出しても良
い。更に、比較回路（論理積回路）３１ｄにおいて、検
出２値化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）または欠陥信号１０
３を反転した信号と、拡大エッジ基準パターン画像信号
Ｒｅ’E（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比較して例えば
論理積をとることによって、にじみ欠陥１０２ａがスル
ーホールにつながっている関係から、拡大エッジ上に存
在するにじみエッジ欠陥１０２ａ’が、例えば「０」と
して、にじみ欠陥および飛散欠陥を示す欠陥信号１０２
から分離して検出される。即ち、比較回路（論理積回
路）３１ｄにおいて、拡大エッジの外側に位置する飛散
欠陥を示す信号が消去されて、にじみエッジ欠陥１０２
ａ’が分離して検出されることになる。従って、比較回
路（論理積回路）３１ａから検出される欠陥信号１０２
と、比較回路（論理積回路）３１ｄから検出される欠陥
信号１０４とを比較することによって、にじみ欠陥１０
２ａと飛散欠陥１０２ｂに分けて出力することが可能と
なる。なお、飛散欠陥１０２ｂが、拡大エッジ上に存在
する場合には、この飛散欠陥１０２ｂをにじみ欠陥１０
２ａと同様に分類することになる。

【００３１】更に、比較回路（論理積回路）３１ｂにお
いて、しきい値ＴＨｂで２値化した検出２値化画像信号
Ｇｂ’（ｘ，ｙ）と、縮小基準パターン画像信号Ｒｃ’
（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比較して例えば論理積を
とることによってスルーホールなし欠陥１０３ａや充填
物上のシート屑等の異物欠陥１０３ｂが例えば「０」と
して検出される。図４Ｂにおいては、表示する都合上欠
陥を「０」として検出したが、「１」として検出しても
良い。更に、比較回路（論理積回路）３１ｅにおいて、
検出２値化画像信号Ｇｂ’（ｘ，ｙ）または欠陥信号１
０２と、縮小エッジ基準パターン画像信号Ｒｃ’E
（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比較して例えば論理積を
とることによって、充填物上のシート屑等の異物を示す
信号が消去されて、縮小エッジ上に存在するスルーホー
ルなしを示すエッジ信号１０３ａ’が、例えば「０」と
して、スルーホールなし欠陥および異物欠陥を示す欠陥
信号１０３から分離して検出される。従って、比較回路
（論理積回路）３１ｂから検出される欠陥信号１０３
と、比較回路（論理積回路）３１ｅから検出される欠陥
信号１０５とを比較することによって、スルーホールな
し欠陥１０３ａと図６（ｃ）に示す異物欠陥１０３ｂと
に分けて欠陥出力することが可能となる。なお、この場
合、異物欠陥１０３ｂが、縮小エッジ上に存在する場合
には、この異物欠陥１０３ｂをスルーホールなし欠陥１
０３ａと同様に分類することになる。ところで、スルー
ホールなし欠陥の場合、比較回路３１ｂからは縮小基準
パターン画像信号Ｒｃ’（ｘ，ｙ）そのものの信号が出
力されることになる。そこで、比較回路（論理積回路）
３１ｅ’において、比較回路３１ｂから得られる欠陥信
号１０３を反転した信号と縮小基準パターン画像信号Ｒ
ｃ’（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比較して一致度を調
べる（例えば論理積をとる）ことによって、不一致部分
が生じないスルーホールなし欠陥を示す信号が消去され
て不一致部分が生じる異物欠陥１０３を示す信号が出力
されることになる。従って、比較回路（論理積回路）３
１ｂから検出される欠陥信号１０３と、比較回路（論理
積回路）３１ｅ’から検出される欠陥信号１０５’とを
比較することによって、スルーホールなし欠陥１０３ａ
と異物欠陥１０３ｂに分けて欠陥出力することが可能と
なる。また、スルーホールなしとシート屑とは形状が異
なって面積などの特徴量が相違する理由から、欠陥信号
１０３に対して、欠陥パターン毎の面積などの特徴量を
算出することによって、スルーホールなし欠陥１０３ａ
とシート屑欠陥１０３ｂとを分別して出力することがで
きる。

【００３２】更に、比較回路（論理積回路）３１ｃにお
いて、しきい値ＴＨｃで２値化した検出２値化画像信号
Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と、拡大基準パターン画像信号Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比較して例えば論理積を
とることによって充填物不足欠陥１０１が例えば「０」
として検出される。図４Ｂにおいては、表示する都合上
欠陥を「０」として検出したが、「１」として検出して
も良い。このとき、拡大基準パターン画像信号Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）の代わりに、三日月形、あるいは半月形の判
定パターン画像信号Ｄ’（ｘ，ｙ）を使用することも考
えられる。判定パターンは、拡大基準パターンに比べ、
パターン面積が狭くなるため、ペーストの輝点を誤って
充填物不足欠陥とする虚報を減らす効果がある。なお、
しきい値ＴＨｃで２値化した検出２値化画像信号Ｇｃ’
（ｘ，ｙ）と、拡大基準パターン画像信号Ｒｅ’（ｘ，
ｙ）を反転した信号との論理積のあと、収縮回路８９で
「０」の部分を収縮することによって、浅い不足欠陥を
消去して検出しないようにすることも可能である。

【００３３】次に、本発明に係るスルーホールに充填さ
れたペースト（充填物）の検査装置の第１の実施例につ
いて図７を用いて説明する。ステージベース５２上に
は、Ｘステージ５３が、そのＸステージ５３上には、ま
た、Ｙステージ５４が載置されることで、Ｘ、Ｙ方向に
独立に移動可とされたＸＹステージ５３、５４が構成さ
れたものとなっている。Ｙステージ５４上には、被検査
対象としての回路基板（導電ペースト３が印刷されたグ
リーンシート基材１）５１が位置決め搭載される。Ｘス
テージ５３、Ｙステージ５４各々は、外部駆動装置とし
てのＸ軸駆動部５５、Ｙ軸駆動部５６により駆動される
ことにより、それぞれ、Ｘ、Ｙ方向の移動されるように
なっている。さらに、Ｘステージ５３、Ｙステージ５４
各々の位置は、Ｘ軸測長器５７、Ｙ軸測長器５８により
測定されるようになっている。一方、回路基板５１上で
の検査位置は、斜め方向より照明されている。ファイバ
ー光源６０で発生した光は、ライトガイド５９により導
かれ、波長限定フィルター６７により波長４００〜５５
０ｎｍに限定され、光路中の偏光板６４により直線偏光
照明光として、集光レンズ６１を介して、回路基板５１
上での検査位置を照明する。その検査位置部分での画像
は、垂直上方より偏光板６５、検出レンズ６２を介し
て、ラインセンサ６３で検出される。その際、偏光板６
５は、偏光板６４と偏光方向が直交すべく設けられてい
る。照明系６１、６４、６７と画像検出系６２、６３、
６５の光軸のなす平面は、検出対象面に対して垂直に設
定されると同時に、ラインセンサ６３での画像検出領域
もその平面に対して垂直に設定されている。ラインセン
サ６３は、高感度であることが特徴であるＴＤＩ（Time
Delay and Integration）ラインセンサが好適である。
フィルター６７、偏光板６４、集光レンズ６１は、順番
が入れ替わっても良く、また、検出レンズ６２と偏光板
６５も入れ替わっても良い。ファイバー光源６０は、高
輝度なキセノン灯、あるいは、水銀灯が好適である。

【００３４】以上の構成で、回路基板５１をラインセン
サ６３の検出長手方向と垂直な方向に平行移動させ、す
なわち、Ｘステージ５３を駆動し、Ｘ軸測長器５７の出
力信号を基に同期パルスを発生することで、ラインセン
サ６３から画像信号が得られる。ラインセンサ６３の画
像信号は、画像検出回路６６でＡ／Ｄ変換され、多値の
デジタル画像信号となる。さらに、補正回路６８で、暗
レベル補正、ステージ速度変動補正、シェーディング補
正が行い、素子の暗電流のばらつき、感度ムラ、及び照
明ムラ、ステージの速度ムラによる明るさ変動を補正す
る。その後、２値化回路２０ａ、２０ｂ、２０ｃで２値
化処理され、２値画像信号が得られる。なお、各々のし
きい値ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃは、検出した多値画像の
ヒストグラムに基づき決定する。多値画像は、画像入力
ボード２１を介して、制御用ＰＣ２２に取り込まれ、Ｐ
Ｃ２２がヒストグラムを算出し、各々のしきい値ＴＨ
ａ、ＴＨｂ、ＴＨｃを決定する。この決定されたしきい
値ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃが各２値化回路２０ａ、２０
ｂ、２０ｃに対して設定される。各２値化回路２０ａ、
２０ｂ、２０ｃから得られる検出２値化画像信号Ｇａ
（ｘ，ｙ）、Ｇｂ（ｘ，ｙ）、Ｇｃ（ｘ，ｙ）に対し
て、輝点／孤立点除去回路２３ａ、２３ｂ、２３ｃで輝
点あるいは、孤立点を除去する。例えば、図８に示すオ
ペレータを使用し、輝点／孤立点を除去することができ
る。ｎ×ｎ画素（図８では、ｎ＝５の場合を図示した）
のオペレータにおいて、斜線の画素がすべて「１」の場
合、内部の画素の値を「１」にすることで、輝点を除去
することができる。同様に、斜線の画素がすべて「０」
の場合、内部の画素の値を「０」にすることで、孤立点
を除去することができる。

【００３５】輝点／孤立点を除去した検出２値化画像信
号Ｇａ’（ｘ，ｙ）、Ｇｂ’（ｘ，ｙ）、Ｇｃ’（ｘ，
ｙ）をいったん画像メモリ２４ａ、２４ｂ、２４ｃに格
納する。画像メモリ２４は、ステージの１走査分の画像
（ラインセンサの画素数×ステージ走行方向の検出長
さ）を格納するだけの容量のメモリが各２面づつあり、
ダブルバッファとして使用する。１面で１走査分の検出
画像を格納しつつ、他面で前の走査で検出した画像を読
み出して後段のマッチング処理を行う。一方、データ処
理用ＰＣ２５は、ハードディスクに格納してある圧縮さ
れた基準パターンを読み出し、伸長回路２６にデータを
送る。データ処理用ＰＣ２５は、制御用ＰＣ２２とネッ
トワークを介して通信しており、制御用ＰＣ２２の命令
により、動作する。伸長回路２６では、圧縮データを伸
長し、検出２値化画像信号と比較する基準パターン画像
信号Ｒ（ｘ，ｙ）を発生させて、画像メモリ２７に格納
する。圧縮方法は、可逆圧縮手法であれば良く、例え
ば、ランレングス符号化方式を使用する。画像メモリ２
７は、画像メモリ２４と同様、ステージの１走査分の画
像（ラインセンサの画素数×ステージ走行方向の検出長
さ）を格納するだけの容量のメモリが各２面づつあり、
ダブルバッファとして使用する。１面で検出２値画像と
同じ場所の伸長した基準パターンを格納しつつ、他面で
画像を読み出して後段のマッチング処理を行う。なお、
画像メモリ２７から読み出された基準パターン画像信号
Ｒ（ｘ，ｙ）に対して膨張回路７１ａ、スルー回路７２
ａ、収縮回路７３ａからなる寸法合わせ回路によってス
ルーホールを大きめにしたものと、そのままのものと、
小さめにしたものとの３種類の基準パターン画像信号を
作って位置合わせパターンとして画像メモリ７４に記憶
させておく。

【００３６】制御用ＰＣ２２からの切り出しアドレス信
号１１０に基づいて、画像メモリ２４ａから検出２値化
画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）を局所領域毎に切り出すと同
時に、画像メモリ７４から３種類の大きさを有する基準
２値化画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）を同じ領域毎に切り出し、
不一致カウンタ回路７５とスルーホール位置ずれ検出回
路７６からなる位置ずれ検出回路２８でその位置ずれ量
を得る。即ち、位置ずれ検出回路２８は、検出２値化画
像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）に対して、基準パターン２値化
画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）をｘ、ｙ方向にふりながら、基準
パターンの大きさをふりながら、不一致画素数をカウン
トする。そして、位置ずれ検出回路２８は、各不一致画
素数を比較し、最小のものまでの、ｘ、ｙ方向の変位か
ら、位置ずれ量１１１と、同時に、パターン（スルーホ
ールパターン）の大きさ１１２も知る。このとき、位置
ずれ検出回路２８は、検出２値化画像信号と基準パター
ン２値化画像信号との位置ずれが大きく、測定レンジを
越えた場合（基準パターン２値化画像のｘ、ｙ方向のふ
り幅を越えた場合）、画像メモリ７４の読出しアドレス
をずらし、再度不一致画素数を計算し、その最小値を求
め、この求められた位置ずれ量が規定値を越えた場合、
スルーホール位置ずれ欠陥１０６と判定して座標測長回
路３５から測長される座標アドレスに従って判定結果メ
モリ３２に記憶させる。また、位置ずれ検出回路２８
は、不一致カウンタ回路７５のみによって構成し、制御
用ＰＣ２２が、不一致カウンタ回路７５で計数された不
一致画素数を元に、各不一致画素数を比較し、最小のも
のまでの、ｘ、ｙ方向の変位から、位置ずれ量１１１
と、同時に、パターン（スルーホールパターン）の大き
さ１１２も知るようにしてもよい。更に、位置ずれ検出
回路２８は、検出２値化画像信号と基準パターン２値化
画像信号との位置ずれが大きく、測定レンジを越えた場
合、画像メモリ７４の読出しアドレスをずらし、再度不
一致画素数を計算し、制御用ＰＣ２２がその最小値を求
め、この求められた位置ずれ量が規定値を越えた場合、
スルーホール位置ずれ欠陥１０６と判定して座標測長回
路３５から測長される座標アドレスに従って判定結果メ
モリ３２に記憶させてもよい。

【００３７】拡大処理回路２９は、基準パターンを検査
判定基準による決まるサイズまで拡大処理し、欠陥判定
用の拡大基準パターン２値化画像信号Ｒｅ（ｘ，ｙ）を
作る。縮小処理回路３０は、基準パターンを検査判定基
準による決まるサイズまで縮小処理し、欠陥判定用の縮
小基準パターン２値化画像信号Ｒｃ（ｘ，ｙ）を作る。
このとき、位置ずれ検出回路２８または制御用ＰＣ２２
が検出２値化画像と基準パターン２値化画像との位置合
わせ処理で得た検出パターンの大きさ１１２に基づき、
膨張回路７１ｂ、スルー回路７２ｂ、収縮回路７３ｂか
らなる寸法合わせ回路の何れかを選択し、膨張回路７１
ｃ、スルー回路７２ｃ、収縮回路７３ｃからなる寸法合
わせ回路の何れかを選択することによって、膨張量、収
縮量を加減して検出パターンの大きさに合わせることも
考えられる。すなわち、検出画像のパターンが大きめで
あれば、判定基準を大きめにし、検出画像のパターンが
小さめであれば、判定基準を小さめにするということで
ある。画像メモリ２４ｃから読み出した検出２値化画像
信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と、拡大処理回路２９で作成した
欠陥判定用の拡大基準パターン２値化画像信号Ｒｅ’
（ｘ，ｙ）とを、比較回路３１ｃで形状比較して、充填
物不足欠陥１０１を検出して座標測長回路３５から測長
される座標アドレスおよび画像信号内における欠陥位置
のアドレスに従って判定結果メモリ３２に記憶させる。

【００３８】画像メモリ２４ａから読み出した検出２値
化画像信号Ｇａ’（ｘ，ｙ）と、拡大処理回路２９で作
成した欠陥判定用の拡大基準パターン２値化画像信号Ｒ
ｅ’（ｘ，ｙ）とを、比較回路３１ａで形状比較して、
にじみ、飛散欠陥１０２を検出して座標測長回路３５か
ら測長される座標アドレスに従って判定結果メモリ３２
に記憶させる。画像メモリ２４ｂから読み出した検出２
値化画像信号Ｇｂ’（ｘ，ｙ）と、縮小処理回路３０で
作成した欠陥判定用の縮小基準パターン２値化画像信号
Ｒｃ’（ｘ，ｙ）とを、比較回路３１ｂで形状比較し
て、異物混入、スルーホールなし欠陥１０３を検出して
座標測長回路３５から測長される座標アドレスに従って
判定結果メモリ３２に記憶させる。このとき、各比較回
路３１ａ〜３１ｃは、位置ずれ検出回路２８で得た位置
ずれ量を加味して、形状比較することは当然である。各
比較回路３１ａ〜３１ｃで得た欠陥情報（位置、種類）
を判定結果メモり３２に順次格納しておき、ステージの
１走査毎、あるいは、１基板検査終了時にまとめて、制
御用ＰＣ２２に欠陥情報を送る。制御用ＰＣ２２は、欠
陥情報をプリンタやモニタに出力し、また、ネットワー
クを通じて、ホストコンピュータに出力することができ
る。

【００３９】次に、本発明に係るスルーホールに充填さ
れたペースト（充填物）の検査装置の第２の実施例につ
いて図９を用いて説明する。本第２の実施例では、不足
欠陥検出用の照明光学系６１ｃ、６４ｃ、６７ｃおよび
検出光学系６２ｂ、６３ｂを独立させ、斜め上方より検
出することで、不足欠陥の検出感度を高めている。検出
光学系が２系統になったため、欠陥判定処理回路も２系
統になった。２系統になったことを除くと、装置の構成
や動作は、図７に示した第１の実施例と同じである。た
だし、検出光学系６２ａ、６３ａ、６５に対する照明光
学系６１ａ、６４ａ、６７ａ；６１ｂ、６４ｂ、６７ｂ
は、相対向するように構成した。各系統の判定アルゴリ
ズムについては、図１０、および図１１を用いて説明す
る。図１０は、図４Ａおよび図４Ｂと同様に、ラインセ
ンサ６３ａによって垂直上方より検出した画像信号よ
り、飛散、にじみ、異物混入、スルーホールなし、スル
ーホール位置ずれ欠陥１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６を検出するアルゴリズムである。なお、デー
タ処理用ＰＣを２５ａ、伸長回路を２６ａ、画像メモリ
を２７ａ、位置ずれ検出回路を２８ａとした。また、図
１０には、スルーホール欠陥およびシート屑欠陥１０３
からシート屑欠陥１０３ｂを分離するのに、比較回路
（論理積回路）３１ｅ’で欠陥信号１０３を反転した信
号と縮小基準パターン画像信号Ｒｃ’（ｘ，ｙ）を反転
した信号との論理積をとって否定した場合を示す。図１
１は、ラインセンサ６３ｂによって斜め上方より検出し
た画像信号から、充填物不足欠陥１０１を検出するアル
ゴリズムである。即ち、ラインセンサ６３ｂによって検
出された検出画像信号Ｇ’（ｘ，ｙ）は、２値化回路２
０ｃにおいてしきい値ＴＨｃで検出２値化画像信号Ｇｃ
（ｘ，ｙ）に変換され、更に輝点除去回路２３ｃによっ
て輝点が除去されて検出２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，
ｙ）として画像メモリ２４ｃに記憶される。他方、検出
画像信号Ｇ’（ｘ，ｙ）は、２値化回路２０ｄにおいて
しきい値ＴＨａで位置ずれ検出用の検出２値化画像信号
Ｇａ（ｘ，ｙ）に変換されて画像メモリ２４ｄに記憶さ
れる。

【００４０】データ処理用ＰＣ２５ｂは、ハードディス
クに格納してある圧縮された基準パターンを読み出して
伸長回路２６ｂにデータを送ると共にハードディスクに
格納してある圧縮された判定パターンを読み出して伸長
回路２６ｃにデータを送る。伸長回路２６ｂでは、圧縮
データを伸長し、位置ずれ検出用の基準パターン画像信
号Ｒ（ｘ，ｙ）を発生させて、画像メモリ２７ｂに格納
する。伸長回路２６ｃでは、圧縮データを伸長し、検出
２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と比較する基準パター
ン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）を発生させて、画像メモリ２７
ｃに格納する。画像メモリ２７ｂに格納された基準パタ
ーン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）は、膨張回路７１ａ、スルー
回路７２ａ、収縮回路７３ａからなる寸法合わせ回路に
よってスルーホールを大きめにしたものと、そのままの
ものと、小さめにしたものとの３種類の基準パターン画
像信号を作って位置合わせパターンとして画像メモリ７
４に記憶される。そして、制御用ＰＣ２２からの切り出
しアドレス信号１１０に基づいて、画像メモリ２４ｄか
ら検出２値化画像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）を局所領域毎に切
り出すと同時に、画像メモリ７４から３種類の大きさを
有する基準２値化画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）を同じ領域毎に
切り出し、不一致カウンタ回路７５とスルーホール位置
ずれ検出回路７６からなる位置ずれ検出回路２８ｂでそ
の位置ずれ量を得る。即ち、位置ずれ検出回路２８ｂ
は、検出２値化画像信号Ｇａ（ｘ，ｙ）に対して、基準
パターン２値化画像信号Ｒ（ｘ，ｙ）をｘ、ｙ方向にふ
りながら、基準パターンの大きさをふりながら、不一致
画素数をカウントする。そして、位置ずれ検出回路２８
ｂは、各不一致画素数を比較し、最小のものまでの、
ｘ、ｙ方向の変位から、位置ずれ量１１１と、同時に、
パターン（スルーホールパターン）の大きさ１１２も知
ることができる。

【００４１】そして、位置ずれ検出回路２８ｂは、画像
メモリ２７ｄに記憶された許容限界を示す判定パターン
画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）を読み出す際、上記算出されたス
ルーホール位置ずれ量１１１に基づいて位置ずれ補正を
することによって、画像メモリ２４ｃから読み出される
検出２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と、画像メモリ２
７ｄから読み出される許容限界を示す判定パターン画像
信号Ｄ（ｘ，ｙ）とを、位置合わせさせることができ
る。更に、位置ずれ検出回路２８ｂは、検出された検出
画像信号Ｇ’（ｘ，ｙ）におけるスルーホール２（充填
物３）の径が大きめのものと、通常のものと、小さめの
ものとの３種類に応じた信号１１２により切り換え回路
８２ｄを切り換えることによって、画像メモリ２４ｃに
記憶された検出２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）に現れ
るスルーホール２の大きさに適合した許容限界を示す判
定パターン画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）を画像メモリ８５の各
々に記憶させることができる。これにより、充填物の大
きさが、シート毎、あるいは、シート内の面内にばらつ
きがあっても、確実に、検出２値化画像信号Ｇｃ’
（ｘ，ｙ）を、判定パターン画像信号に基づく許容限界
を示す画像信号Ｄ（ｘ，ｙ）と位置合わせすることがで
きると共に、検出２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，ｙ）に現
れる充填物３の大きさに適合した許容限界を示す画像信
号Ｄ（ｘ，ｙ）を選択することが可能となる。

【００４２】次に、比較回路（論理積回路）３１ｃにお
いて、しきい値ＴＨｃで２値化した検出２値化画像信号
Ｇｃ’（ｘ，ｙ）と、三日月形、あるいは半月形の判定
パターン画像信号Ｄ’（ｘ，ｙ）を反転した信号とを比
較して例えば論理積をとることによって充填物不足欠陥
１０１が例えば「０」として検出される。図１１におい
ては、表示する都合上欠陥を「０」として検出したが、
「１」として検出しても良い。判定パターンは、拡大基
準パターンに比べ、パターン面積が狭くなるため、ペー
ストの輝点を誤って充填物不足欠陥とする虚報を減らす
効果がある。なお、検出２値化画像信号Ｇｃ’（ｘ，
ｙ）と、判定パターン画像信号Ｄ’（ｘ，ｙ）を反転し
た信号との論理積のあと、収縮回路８９で「０」の部分
を収縮することによって、浅い不足欠陥を消去して検出
しないようにすることも可能である。

【００４３】次に、本発明に係るグリーンシート表面に
金属微粒子が含まれた導電性ペーストが印刷されて形成
された配線パッドの検査の実施例について図１２および
図１３を用いて説明する。図１２には、金属微粒子が含
まれた導電性ペーストが印刷されて形成された配線パッ
ドにおける欠陥対象を示す。欠陥には、配線パッド１２
０内のピンホール１２１、欠損１２２、突起１２３、飛
散１２４がある。ピンホール１２１と欠損１２２は凹系
の欠陥であり、突起１２３と飛散１２４は凸系の欠陥で
ある。このような配線パッド１２０から検出される検出
画像Ｆ（ｘ，ｙ）に対して、検査判定基準で決定される
凹欠陥判定パターンＲｃ（ｘ，ｙ）および凸判定パター
ンＲｅ（ｘ，ｙ）をあてはめることによって、凹欠陥判
定パターンＲｃ（ｘ，ｙ）の内側にあるピンホール１４
２ｂと欠損１４２ａが欠陥として判定され、凸判定パタ
ーンＲｅ（ｘ，ｙ）の外側にある飛散１４１ｂと突起１
４１ａが欠陥として判定されることになる。次に、本発
明に係る配線パッドを図７に示す照明光学系および検出
光学系と同様な図１４に示す照明光学系および検出光学
系によって検出された検出２値化画像信号から欠陥部を
抽出する欠陥判定アルゴリズムの一実施例について図１
３を用いて説明する。被検査基板５１を撮像して得た検
出画像信号Ｆ（ｘ，ｙ）を２値化回路２０ａ’、２０
ｂ’の各々において２つのしきい値ＴＨｈ、ＴＨｌで２
値化し、２つの２値画像信号Ｆａ（ｘ，ｙ）、Ｆｂ
（ｘ，ｙ）を得る。しきい値ＴＨｈで２値化すること
で、ベースト、即ち配線パッドが分別される。ペースト
部分を「０」に、グリーンシート部分を「１」とする２
つの２値化画像信号Ｆａ（ｘ，ｙ）、Ｆｂ（ｘ，ｙ）を
得る。２値化画像信号Ｆａ（ｘ，ｙ）に対して非欠陥で
ある微小な飛散を除去するために、小孤立点除去回路２
３ａ’によって微小な「０」の領域を消し込み、孤立点
が除去された２値化画像信号Ｆａ’（ｘ，ｙ）が得ら
れ、画像メモリ２４ａに記憶させることになる。即ち、
小孤立点除去回路２３ａ’は、微小な「０」の領域を消
し込むことによって、孤立点を除去するものである。

【００４４】しきい値ＴＨｌ（＜ＴＨｈ）で２値化した
画像信号Ｆｂ（ｘ，ｙ）では、しきい値ＴＨｈの２値化
画像信号Ｆａ（ｘ，ｙ）と同様、ペースト部分が
「０」、グリーンシート部分が「１」になるが、しきい
値ＴＨｌが低いため、ピンホールを確実に「１」にする
ことができる。青色等の４００〜５５０ｎｍの波長を有
する光の偏光照明・偏光検出により、ペースト部の輝点
の発生を抑えているが、万一にも輝点が発生する場合を
考え、小ピンホール除去回路２３ｂ’によって微小な
「１」の領域を消し込み、輝点が除去された２値化画像
信号Ｆｂ’（ｘ，ｙ）が得られ、画像メモリ２４ｂに記
憶させることになる。即ち、小ピンホール除去回路２３
ｂ’は、微小な「０」の領域を消し込むことによって、
輝点と非欠陥である微少なピンホールを除去するもので
ある。一方、欠陥の無い基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，
ｙ）を準備しておく。基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，
ｙ）は、設計データから発生させても良いし、良品サン
プルの画像を吸い上げて作成しても良く、ペースト部分
が「０」、基材部分が「１」の２値化画像信号である。
検出画像信号と同一箇所の基準パターン画像信号とを比
較検査するわけであるが、被検査基板５１の製造ばらつ
きなどの影響で、検出画像信号と基準パターン画像信号
の位置が正確に合わないことがある。このため、検出２
値化画像Ｆｂ’（ｘ，ｙ）と基準パターン画像信号Ｒ
（ｘ，ｙ）を位置合わせする。即ち、不一致カウンタ７
５において、位置合わせパターン（３種類（膨張、その
まま、収縮）の基準パターン画像信号Ｒ（ｘ，ｙ））を
ｘ、ｙ方向に±数画素までずらした画像（例えば、±３
画素までずらすと、全部で４９枚の２値画像）と検出２
値化画像信号（例えば、しきい値ＴＨｈで２値化した画
像信号Ｆｂ’（ｘ，ｙ））との不一致画素数を数えるこ
とによって位置ずれ量を算出する。そして、位置ずれ検
出用ＰＣ７６は、不一致カウンタ７５において計数され
た不一致画素数が最小の基準画像が、検出画像と一番位
置が合った画像として検知される。このとき、基準パタ
ーン画像信号を、膨張回路７１ａで膨張した２値化画
像、収縮回路７３ａで収縮した２値化画像と、スルー回
路７２ａで基準パターンそのままの３つの位置合わせパ
ターンを発生させて画像メモリ７４に記憶させ、それぞ
れについて、画像メモリ７４から読みだす際、ｘ、ｙ方
向に±数画素までずらした画像を生成し（例えば、±３
画素までずらすと、全部で１４７枚の２値画像）、不一
致カウンタ７５において検出２値化画像との位置のずれ
量を調べる。膨張、収縮は、例えば、３×３画素の４連
結（あるいは、８連結）のオペレータを作用させると簡
単である。これにより、配線パッド１２０の大きさが、
シート毎、あるいは、シート内の面内においてばらつき
があっても、確実に、比較回路３１ａ〜３１ｅにおい
て、検出２値化画像信号Ｆａ’（ｘ，ｙ）、Ｆｂ’
（ｘ，ｙ）と欠陥判定基準パターンＲｅ’（ｘ，ｙ）、
Ｒｃ’（ｘ，ｙ）とを大きさに適合させた状態で位置合
わせ比較することができる。なお、位置ずれ検出ＰＣ７
６は、位置ずれ量が規定値以上のときは、パッド位置ず
れ欠陥１０６と判定して出力する。

【００４５】第１の検査判定基準となる拡大基準パター
ンＲｅ（ｘ，ｙ）は、拡大処理回路２９において２値化
基準パターンＲ（ｘ，ｙ）に対して検査判定基準による
決まるサイズで拡大処理することによって作られて画像
メモリ７８に記憶される。更に、第２の検査判定基準と
なる縮小基準パターンＲｃ（ｘ，ｙ）は、縮小処理回路
３０において基準パターンＲ（ｘ，ｙ）に対して検査判
定基準による決まるサイズで縮小処理することによって
作られて画像メモリ８０に記憶される。そして、拡大基
準パターンＲｅ（ｘ，ｙ）、縮小基準パターンＲｃ
（ｘ，ｙ）の夫々についてパターンエッジを抽出するこ
とによって、拡大基準エッジパターン、縮小基準エッジ
パターンを作って画像メモリ８７、８８に記憶させる。
このとき、位置ずれ検出ＰＣ７６において検出画像と基
準パターンとの位置合わせ結果に基づいて検出される配
線パッドの大きさのデータ１１２に基づき、切り換え回
路８２ｂ、８２ｃの各々を切り換えることによって、画
像メモリ７８から読みだされる拡大基準パターンに対し
て更に膨張回路７１ｂによる膨張、あるいは収縮回路７
３ｂによる収縮を行ない、画像メモリ８０から読みださ
れる縮小基準パターンを更に膨張回路７１ｃによる膨
張、あるいは収縮回路７３ｃによる収縮を行なって検査
判定基準を配線パッドの大きさに合わせる。特に、配線
パッド１２０の大きさが、シート毎、あるいは、シート
内の面内においてばらつきがある場合には、上記のよう
に、検査判定基準を配線パッドの大きさに合わせる必要
がある。すなわち、検出画像のパターンが大きめであれ
ば検査判定基準を大きめにし、小さめであれば検査判定
基準を小さめにする必要がある。

【００４６】また、基準パターンＲ（ｘ，ｙ）と共に判
定用の判定パターンＤ（ｘ，ｙ）を持っても良い。判定
パターンＤ（ｘ，ｙ）は、凹欠陥判定パターンＲｃ
（ｘ，ｙ）と凸欠陥判定パターンＲｅ（ｘ，ｙ）とを重
ね合わせた２値画像パターンである。従って、論理積回
路９０において２値化基準パターンＲ（ｘ，ｙ）と２値
化判定パターンＤ（ｘ，ｙ）との論理積をとることで、
判定パターンＤ（ｘ，ｙ）の凸欠陥判定パターンＲｅ
（ｘ，ｙ）が抽出されて凸欠陥判定パターン（拡大基準
パターン）Ｒｅ（ｘ，ｙ）を得ることができる。また、
論理積回路９１において２値化基準パターンＲ（ｘ，
ｙ）を反転したパターンと２値化判定パターンＤ（ｘ，
ｙ）との論理積をとって否定することで、判定パターン
Ｄ（ｘ，ｙ）の凹欠陥判定パターンＲｃ（ｘ，ｙ）が抽
出されて凹欠陥判定パターン（縮小基準パターン）Ｒｃ
（ｘ，ｙ）を得ることができる。このような判定パター
ンＤ（ｘ，ｙ）を、予め作り込むことで、検査判定基準
の自由度を大幅に向上させることができるメリットがあ
る。そして、突起欠陥１４１ａや飛散欠陥１４１ｂから
なる欠陥１４１は、画像メモリ２４ａから読みだされた
しきい値ＴＨｈで２値化した画像信号Ｆａ’（ｘ，ｙ）
を反転した信号と、位置ずれ検出ＰＣ７６で検出された
位置ずれ量１１１に基づいて画像メモリ８３からシフト
（位置ずれ補正）させて読みだされた凸欠陥判定パター
ンＲｅ’（ｘ，ｙ）との論理積をとって否定することに
より、「０」として検出される。なお、欠陥信号１４１
として「１」で検出してもよい。更に、比較回路（論理
積回路）３１ｄにおいて、画像信号Ｆａ’（ｘ，ｙ）を
反転した信号と、画像メモリ８７から読みだされる凸欠
陥判定パターンのエッジ信号を反転した信号との論理積
をとることによって、突起欠陥は凸欠陥判定パターンの
エッジ上に存在する理由から、突起欠陥１４３を出力す
ることができる。従って、比較回路（論理積回路）３１
ａから出力される欠陥信号１４１と比較回路（論理積回
路）３１ｄから出力される欠陥信号１４３とを比較する
ことによって突起欠陥１４１ａと飛散欠陥１４１ｂとに
分けて出力することが可能となる。

【００４７】また、欠損欠陥１４２ａやピンホール欠陥
１４２ｂからなる欠陥１４２は、画像メモリ２４ｂから
読みだされたしきい値ＴＨｌで２値化した画像信号Ｆ
ｂ’（ｘ，ｙ）と、位置ずれ検出ＰＣ７６で検出された
位置ずれ量１１１に基づいて画像メモリ８４からシフト
（位置ずれ補正）させて読みだされた凹欠陥判定パター
ンＲｃ’（ｘ，ｙ）を反転した信号との論理積をとって
否定することにより、「０」として検出される。なお、
欠陥信号１４２として「１」で検出してもよい。更に、
比較回路（論理積回路）３１ｅにおいて、画像信号Ｆ
ｂ’（ｘ，ｙ）と、画像メモリ８８から読みだされる凹
欠陥判定パターンのエッジ信号を反転した信号との論理
積をとることによって、欠損欠陥は凹欠陥判定パターン
のエッジ上に存在する理由から、欠損欠陥１４４を出力
することができる。従って、比較回路（論理積回路）３
１ｂから出力される欠陥信号１４２と比較回路（論理積
回路）３１ｅから出力される欠陥信号１４４とを比較す
ることによって欠損欠陥１４２ａとピンホール欠陥１４
２ｂとに分けて出力することが可能となる。図１４に
は、本発明に係る配線パッドの検査装置の一実施例の概
略構成を示す。即ち、配線パッドの検査装置において、
図７と同じ符号が付与された構成要素は同様に構成され
る。２値化回路２０ａ’は、検出画像信号Ｆ（ｘ，ｙ）
をしきい値ＴＨｈで２値化して２値化画像信号Ｆａ
（ｘ，ｙ）に変換するものである。孤立点除去回路２３
ａ’は、２値化画像信号Ｆａ（ｘ，ｙ）から非欠陥の微
小な飛散（孤立点）を除去した検出２値化画像信号Ｆ
ａ’（ｘ，ｙ）を形成していったん画像メモリ２４ａに
格納するものである。２値化回路２０ｂ’は、検出画像
信号Ｆ（ｘ，ｙ）をしきい値ＴＨｌで２値化して２値化
画像信号Ｆｂ（ｘ，ｙ）に変換するものである。輝点除
去回路２３ｂ’は、２値化画像信号Ｆｂ（ｘ，ｙ）から
非欠陥の微小な輝点を除去した検出２値化画像信号Ｆ
ｂ’（ｘ，ｙ）を形成していったん画像メモリ２４ｂに
格納するものである。画像メモリ２４ａ、２４ｂは、ス
テージの１走査分の画像（ラインセンサの画素数×ステ
ージ走行方向の検出長さ）を格納するだけの容量のメモ
リが各２面づつあり、ダブルバッファとして使用する。
１面で１走査分の検出画像を格納しつつ、他面で前の走
査で検出した画像を読み出して後段のマッチング処理を
行う。

【００４８】一方、データ処理用ＰＣ２５は、ハードデ
ィスクに格納してある圧縮された基準パターンのデータ
を伸長回路２６ａに、圧縮された判定パターンのデータ
を伸長回路２６ｂに送る。データ処理用ＰＣ２５は、制
御用ＰＣ２２とネットワークを介して通信しており、制
御用ＰＣ２２の命令により、動作する。伸長回路２６
ａ、２６ｂでは、圧縮データを伸長し、検出２値化画像
と比較する基準パターン、判定パターンを発生させて、
画像メモリ２７ａ、２７ｂにそれぞれ格納する。画像メ
モリ２７ａ、２７ｂも、画像メモリ２４ａ、２４ｂと同
様に構成され、１面で検出２値化画像と同じ場所の伸長
した基準パターン、判定パターンを格納しつつ、他面で
画像を読み出して後段のマッチング処理を行う。位置ず
れ検出回路２８は、画像メモリ２４ｂから読み出した検
出２値化画像Ｆｂ’（ｘ，ｙ）と、画像メモリ２７ａか
ら読み出した基準２値化画像Ｒ（ｘ，ｙ）との間の位置
ずれ量と被検査基板５１上の配線パッド１２０の大きさ
のデータを算出して制御用ＰＣ２２に送信する。合成回
路４０は、図１３に示すように、例えば２値化基準パタ
ーンＲ（ｘ，ｙ）と２値化判定パターンＤ（ｘ，ｙ）と
を合成し、凸欠陥判定パターンＲｅ（ｘ，ｙ）および凹
欠陥判定パターンＲｃ（（ｘ，ｙ）を生成する。更に、
合成回路４０は、凸欠陥判定パターンＲｅ（ｘ，ｙ）お
よび凹欠陥判定パターンＲｃ（ｘ，ｙ）について、位置
ずれ検出回路２８で算出された検出２値化画像Ｆｂ’
（ｘ，ｙ）における配線パッドの大きさ１１２に合うよ
うに膨張、または収縮、またはそのままに処理して凸欠
陥判定パターンＲｅ’（ｘ，ｙ）および凹欠陥判定パタ
ーンＲｃ’（ｘ，ｙ）が得て画像メモリに格納する。更
に、合成回路４０の最終の画像メモリからは、位置ずれ
検出回路２８で算出された位置ずれ量１１１に合わせた
状態で、膨張、または収縮、またはそのままの凸欠陥判
定パターンＲｅ’（ｘ，ｙ）および凹欠陥判定パターン
Ｒｃ’（（ｘ，ｙ）が読みだされることになる。

【００４９】次に、比較回路３１ａにおいて、画像メモ
リ２４ａから読み出した検出２値化画像Ｆａ’（ｘ，
ｙ）と、合成回路４０で作成した凸欠陥判定用２値化画
像Ｒｅ’（ｘ，ｙ）とを形状比較して、突起欠陥１４１
ａおよび飛散欠陥１４１ｂからなる欠陥１４１を検出し
てその位置座標と共に判定結果メモリ３２に格納する。
同時に、比較回路３１ｂにおいて、画像メモリ２４ｂか
ら読み出した検出２値化画像Ｆｂ’（ｘ，ｙ）と、合成
回路４０で作成した凹欠陥判定用２値化画像Ｒｃ’
（ｘ，ｙ）とを形状比較して、欠損欠陥１４２ａおよび
ピンポール欠陥１４２ｂからなる欠陥１４２を検出して
その位置座標と共に判定結果メモリ３２に格納する。更
に、図１３において説明したように、欠陥１４１から突
起欠陥１４１ａと飛散欠陥１４１ｂとに分離することも
可能である。欠陥１４２についても、欠損欠陥１４２ａ
とピンポール欠陥１４２ｂとに分離することも可能であ
る。このとき、各比較回路３１は、位置ずれ検出回路２
８で得た位置ずれ量を加味して、形状比較することは当
然である。各比較回路３１で得た欠陥情報（位置、種
類）を判定結果メモり３２に順次格納しておき、ステー
ジの１走査毎、あるいは、１基板検査終了時にまとめ
て、制御用ＰＣ２２に欠陥情報を送る。制御用ＰＣ２２
は、欠陥情報をプリンタやモニタに出力し、また、ネッ
トワークを通じて、ホストコンピュータに出力する。

【００５０】以上説明したように、本発明に係るスルー
ホール充填状態検査と配線パッドの検査の実施の形態に
よれば、波長を４００〜５５０ｎｍに限定した偏光照明
偏光検出により、銅ペーストの輝点を抑えることがで
き、更に、大きさの異なる複数の基準パターンを作成し
て位置合わせを行うことにより、検出導体パターンの大
きさのばらつきを許容することができ、更に、検出画像
に対して凸欠陥判定用の２値化しきい値と凹欠陥判定用
の２値化しきい値を別々に持つことで、コントラストの
低い、例えば微細な欠陥まで検出することができる。ま
た、凸欠陥判定用の判定パターンと凹欠陥判定用の判定
パターンを予め別々に用意することで、欠陥判定基準に
柔軟性が生まれる。基準パターンと判定パターンとを圧
縮して保管しておき、検査中、必要部分を伸長しながら
読み出すため、データの保管に必要な容量が小さくて済
む。このため、エッジ部の凹凸が多いスルーホールに充
填された充填物に対して、飛散、にじみ欠陥を精度良
く、かつ高速に検査することができる。さらに、基材に
へこみなどの凹凸があっても、不足欠陥を精度良く、か
つ高速に検査することができる。

【００５１】また、飛散、にじみなどの欠陥を検出する
検出光学系と不足欠陥を検出する検出光学系を分ける必
要が無く、１つの検出光学系で検査できるため、検査装
置を簡素化、低価格化することができる。エッジ部の凹
凸が多い配線パッドに対して、配線パッドの大きさのば
らつきによらず、微細なピンホール欠陥まで、精度良
く、かつ高速に検査することができる。次に、本発明に
係るスルーホール充填状態検査とパターン検査を行う回
路基板の製造工程について図１５を用いて説明する。ま
ず、スルーホール形成工程１５１において、基板材料で
あるグリーンシート１に層間信号伝達のための多数のス
ルーホール２を形成し、導体充填工程１５２において導
体ペースト３を印刷によって充填する。この段階で、ス
ルーホール充填状態検査工程１５３において、前述した
ようなスルーホール充填状態検査装置を用いてスルーホ
ール充填状態検査を行い、不良充填部があれば、修正工
程１５４において修正を行い、不良個所をなくす。修正
方法としては、ホストコンピュータから欠陥情報をモニ
タ等に出力して表示し、作業者がこの表示された欠陥情
報を見ながら修正することになる。にじみ欠陥１０２
ａ、飛散欠陥１０２ｂ、および異物欠陥１０３ｂについ
ては、作業者が除去用の工具等を用いて除去すればよ
い。また、にじみ欠陥１０２ａや飛散欠陥１０２ｂにつ
いては、この箇所に細くしぼったレーザ等のエネルギー
ビームを照射することによって除去することも可能であ
る。異物欠陥１０３ｂの場合、除去された跡に、充填物
を充填することが望ましい。また、充填物不足欠陥１０
１については、充填物を充填すればよい。スルーホール
なし欠陥の場合には、レーザ等のエネルギービームを照
射することによってスルーホールを形成し、この形成さ
れたスルーホールに充填物を充填すれば、修正可能とな
る。しかし、スルーホール位置ずれ欠陥については、基
本的には修正不可能である。

【００５２】次に、配線印刷工程１５５において、シー
ト表面に導体ペーストをスクリーン印刷し、回路パター
ンを形成する。この段階で、パターン検査工程１５６に
おいて、前述したような配線パッド検査装置を用いて配
線パッドの検査を行い、不良配線パッドがあれば、パタ
ーン修正工程１５７において修正を行い、不良個所をな
くす。修正方法としては、ホストコンピュータから欠陥
情報をモニタ等に出力して表示し、作業者がこの表示さ
れた欠陥情報を見ながら修正することになる。突起欠陥
１４１ａ、および飛散欠陥１４１ｂについては、作業者
が除去用の工具等を用いて除去すればよい。また、突起
欠陥１４１ａ、および飛散欠陥１４１ｂについては、こ
の箇所に細くしぼったレーザ等のエネルギービームを照
射することによって除去することも可能である。また、
欠損欠陥１４２ａやピンホール欠陥１４２ｂについて
は、充填物を充填すればよい。

【００５３】このようにして得られた、不良個所のない
グリーンシートのみを、積層・焼結工程１５８におい
て、積層し、焼結することによって多層セラミック基板
が完成する。この段階で導通検査工程１５９において、
導通検査装置を用いて導通検査をおこなう。この導通検
査において、基本的には配線不良が生じないが、万が一
配線不良が生じた場合には、焼結された多層セラミック
基板の表面に形成する薄膜パターンで補修用配線を形成
して、配線不良を補修することも可能である。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、金属微粒子を含んだ導
電ペーストからなる充填物や配線パッド等の導体パター
ンについての余剰欠陥（にじみ、飛散、突起）、欠損欠
陥（欠け、不足、ピンホール）、異物混入欠陥、導体パ
ターンなし欠陥、位置ずれ欠陥などを、虚報を最小限に
抑えつつ確実に、且つ高速で検査することができる効果
を奏する。

【００５５】また、本発明によれば、金属微粒子を含ん
だ導電ペーストからなる充填物や配線パッド等の導体パ
ターンについて、シート毎、またはシート面内において
ばらつきが発生しても、また基材上に凹凸が発生したと
しても、剤余剰欠陥、欠損欠陥、異物混入欠陥、導体パ
ターンなし欠陥、位置ずれ欠陥などを、誤検出すること
なく確実に、且つ高速に検査することができる効果を奏
する。また、本発明によれば、補修用の薄膜を形成する
必要のない多層セラミック基板を高歩留まりで製造する
ことができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るスルーホール内に充填物を充填し
た際発生する検査対象欠陥を示した図である。

【図２】本発明に係る銅ペーストの分光反射率を示した
図である。

【図３】本発明に係るスルーホール充填物の検出画像と
その２値化画像との関係を説明するための図である。

【図４Ａ】本発明に係る充填状態検査の欠陥判定アルゴ
リズムの一実施例を説明した図である。

【図４Ｂ】本発明に係る充填状態検査の欠陥判定アルゴ
リズムの一実施例を説明した図である。

【図５】膨張回路および収縮回路における３×３画素に
ついてのオペレータを説明するための図である。

【図６】本発明に係る充填状態検査の欠陥判定アルゴリ
ズムの概念を説明するための図である。

【図７】本発明に係る充填状態検査装置の第１の実施例
を示す構成図である。

【図８】孤立点／輝点除去オペレータを説明するための
図である。

【図９】本発明に係る充填状態検査装置の第２の実施例
を示す構成図である。

【図１０】本発明に係る充填状態検査の欠陥判定アルゴ
リズムの他の実施例を説明した図である。

【図１１】本発明に係る充填状態検査の欠陥判定アルゴ
リズムの他の実施例を説明した図である。

【図１２】本発明に係る配線パッドの検査対象欠陥を説
明するための図である。

【図１３】本発明に係る配線パッド形状検査の欠陥判定
アルゴリズムの一実施例を説明した図である。

【図１４】本発明に係る配線パッド検査装置の第１の実
施例を示す構成図である。

【図１５】本発明に係る多層基板の製造方法を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１…基材（回路基板）、２…スルーホール、３…充填
物、４…にじみ、５…飛散、６…異物、７…スルーホー
ルなし、８…スルーホール位置ずれ、９…充填物不足、
１１…照明方向、１２…検出方向、２０ａ、２０ｂ、２
０ｃ、２０ａ’、２０ｂ’、２０ｄ…２値化回路、２１
…画像入力ポート、２３ａ、２３ａ’…微小孤立点除去
回路、２２…制御用ＰＣ、２３ｂ、２３ｂ’、２３ｃ…
輝点除去回路、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、８
３、８４、８５…画像メモリ、２５、２５ａ、２５ｂ…
データ処理用ＰＣ、２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ…伸
長回路、２７、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、７８、８０、
８６…画像メモリ、２８、２８ａ、２８ｂ…位置ずれ検
出回路、３１ａ、３１ｂ、３２ｃ…比較回路（論理回
路）、２９…拡大処理回路、３０…縮小処理回路、４０
…合成回路、５１…回路基板、５２…ステージベース、
５３…Ｘステージ、５４…Ｙステージ、５５…Ｘ軸駆動
部、５６…Ｙ軸駆動部、５７…Ｘ軸測長器、５８…Ｙ軸
測長器、６０…ファイバー光源、６１…集光レンズ、６
２…検出レンズ、６３…ラインセンサ（検出器）、６
４、６５…偏光板、６６…画像検出回路（Ａ／Ｄ変換
器）、６７…波長限定フィルター、６８…補正回路、７
１ａ〜７１ｄ…膨張回路、７２ａ〜７２ｄ…スルー回
路、７３ａ〜７３ｄ…収縮回路、７１ａ〜７１ｄ、７２
ａ〜７２ｄ、７３ａ〜７３ｄ…寸法合せ回路、７４…画
像メモリ（位置合せパターン３種類）、７５…不一致カ
ウンタ、７６…スルーホール位置ずれ（ＰＣ）検出回
路、８２ｂ〜８２ｄ…切り換え回路、１０１…充填物不
足欠陥、１０２…にじみ・飛散欠陥、１０３…スルーホ
ールなし・シート屑欠陥、１０６…スルーホール位置ず
れ欠陥、１２０…配線パッド、１２１…ピンホール、１
２２…欠損、１２３…突起、１２４…飛散、１４１…突
起・飛散欠陥、１４２…欠損・ピンホール欠陥。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野本 峰生 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小林 治臣 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 入江 洋子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 奥田 浩人 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 千石 則夫 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 美尾 恵己 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA09 AA12 AA18 AA20 AA26 AA56 BB26 CC25 DD06 DD11 EE04 FF04 FF61 GG03 GG05 GG22 HH04 HH09 HH12 HH14 JJ02 JJ25 LL02 LL04 LL22 LL33 LL34 MM02 PP12 QQ05 QQ06 QQ08 QQ24 QQ25 QQ29 QQ32 QQ39 QQ43 RR09 SS04 SS13 UU05 UU07 2G051 AA65 AA90 AB20 BA05 BA10 BA20 BB07 BB17 CA03 CB01 DA07 EA01 EA11 EA12 EA14 EA23 EB01 EB02 EC02 ED01 ED07 ED14 ED15 ED22 FA10

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、５５０ｎｍ以下の波長を有する偏光
   照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を所定のしきい値で２値化し
   て前記導体パターンを示す２値化画像信号に変換し、 該変換された導体パターンを示す２値化画像信号を元に
   導体パターンの位置ずれ量を算出し、 前記変換された導体パターンを示す２値化画像信号と該
   導体パターンの欠陥判定基準を決める基準の２値化画像
   信号とを前記算出された導体パターンの位置ずれ量に基
   づいて位置合わせして比較することによって導体パター
   ンの欠陥を抽出することを特徴とする導体パターンの検
   査方法。
2. 【請求項２】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、５５０ｎｍ以下の波長を有する偏光
   照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を所定のしきい値で２値化し
   て前記導体パターンを示す２値化画像信号に変換し、 該変換された導体パターンを示す２値化画像信号を元に
   導体パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを
   算出し、 前記変換された導体パターンを示す２値化画像信号と前
   記算出された導体パターンの大きさに合わせられた導体
   パターンの欠陥判定基準を決める基準の２値化画像信号
   とを前記算出された導体パターンの位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって導体パターンの
   欠陥を抽出することを特徴とする導体パターンの検査方
   法。
3. 【請求項３】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、偏光照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を所定のしきい値で２値化し
   て前記導体パターンを示す２値化画像信号に変換し、 該変換された導体パターンを示す２値化画像信号を元に
   導体パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを
   算出し、 前記変換された導体パターンを示す２値化画像信号と前
   記算出された導体パターンの大きさに合わせられた導体
   パターンの欠陥判定基準を決める基準の２値化画像信号
   とを前記算出された導体パターンの位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって導体パターンの
   欠陥を抽出することを特徴とする導体パターンの検査方
   法。
4. 【請求項４】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、偏光照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第１
   および第２の２値化画像信号に変換し、 該変換された導体パターンを示す第１または第２の２値
   化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量を算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と該導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決め
   る第１の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置
   ずれ量に基づいて位置合わせして比較することによって
   外枠外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変
   換された導体パターンを示す第２の２値化画像信号と該
   導体パターンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２
   の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量
   に基づいて位置合わせして比較することによって内枠内
   に存在する導体パターンの欠陥を抽出することを特徴と
   する導体パターンの検査方法。
5. 【請求項５】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、偏光照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第１
   および第２の２値化画像信号に変換し、 該変換された導体パターンを示す第１または第２の２値
   化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ量と導体パタ
   ーンの大きさとを算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
   た導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第
   １の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ
   量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
   外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
   れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算
   出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
   ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
   ２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって内枠内に存在す
   る導体パターンの欠陥を抽出することを特徴とする導体
   パターンの検査方法。
6. 【請求項６】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、偏光照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第１
   および第２の２値化画像信号に変換し、 基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に対し
   て少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基準の
   ２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも３種
   類の基準の２値化画像信号と前記変換された導体パター
   ンを示す第１または第２の２値化画像信号とを相対的に
   ずらして一致度を求めることによって導体パターンの位
   置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
   た導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第
   １の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ
   量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
   外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
   れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算
   出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
   ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
   ２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって内枠内に存在す
   る導体パターンの欠陥を抽出することを特徴とする導体
   パターンの検査方法。
7. 【請求項７】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板から得られる光学画像を検出器で受光して光学
   画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す第１
   および第２の２値化画像信号に変換し、 基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に対し
   て少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基準の
   ２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも３種
   類の基準の２値化画像信号と前記変換された導体パター
   ンを示す第１または第２の２値化画像信号とを相対的に
   ずらして一致度を求めることによって導体パターンの位
   置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
   た導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第
   １の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ
   量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
   外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
   れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算
   出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
   ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
   ２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって内枠内に存在す
   る導体パターンの欠陥を抽出することを特徴とする導体
   パターンの検査方法。
8. 【請求項８】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板に対して、偏光照明光を照明し、 該照明された被検査回路基板からの前記偏光照明光の偏
   光成分を遮光した反射光に基づく光学画像を検出器で受
   光して光学画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２および第３のしきい値で２値化して前記導体パターン
   を示す第１および第２の２値化画像信号と前記導体パタ
   ーン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号に変換し、 基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に対し
   て少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基準の
   ２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも３種
   類の基準の２値化画像信号と前記変換された導体パター
   ンを示す第１または第２の２値化画像信号とを相対的に
   ずらして一致度を求めることによって導体パターンの位
   置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
   た導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第
   １の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ
   量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
   外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
   れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算
   出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
   ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
   ２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって内枠内に存在す
   る導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換された導体パ
   ターン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号と前記第１
   の基準の２値化画像信号または前記算出された導体パタ
   ーンの大きさに合わせられた欠陥判定基準を決める第３
   の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量
   に基づいて位置合わせして比較することによって導体パ
   ターン内の欠陥を抽出することを特徴とする導体パター
   ンの検査方法。
9. 【請求項９】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペー
   ストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検査
   回路基板から得られる光学画像を検出器で受光して光学
   画像信号に変換し、 該変換された光学画像信号を互いに異なる第１および第
   ２および第３のしきい値で２値化して前記導体パターン
   を示す第１および第２の２値化画像信号と前記導体パタ
   ーン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号に変換し、 基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に対し
   て少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基準の
   ２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも３種
   類の基準の２値化画像信号と前記変換された導体パター
   ンを示す第１または第２の２値化画像信号とを相対的に
   ずらして一致度を求めることによって導体パターンの位
   置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出し、 前記変換された導体パターンを示す第１の２値化画像信
   号と前記算出された導体パターンの大きさに合わせられ
   た導体パターンに対する外枠の欠陥判定基準を決める第
   １の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ
   量に基づいて位置合わせして比較することによって外枠
   外に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換さ
   れた導体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算
   出された導体パターンの大きさに合わせられた導体パタ
   ーンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基準の
   ２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量に基づい
   て位置合わせして比較することによって内枠内に存在す
   る導体パターンの欠陥を抽出し、前記変換された導体パ
   ターン内の欠陥を示す第３の２値化画像信号と前記第１
   の基準の２値化画像信号または前記算出された導体パタ
   ーンの大きさに合わせられた欠陥判定基準を決める第３
   の基準の２値化画像信号とを前記算出された位置ずれ量
   に基づいて位置合わせして比較することによって導体パ
   ターン内の欠陥を抽出することを特徴とする導体パター
   ンの検査方法。
10. 【請求項１０】請求項１乃至９記載のいずれかの導体パ
    ターンの検査方法において、導体パターンは、基材に穿
    設されたスルーホールに導電ペーストを充填印刷させて
    形成した充填物であることを特徴とする導体パターンの
    検査方法。
11. 【請求項１１】請求項１乃至７記載のいずれかの導体パ
    ターンの検査方法において、導体パターンは基材上に導
    電ペーストを印刷して形成した配線パッドであることを
    特徴とする導体パターンの検査方法。
12. 【請求項１２】基材にスルーホールを多数形成するスル
    ーホール形成工程と、 該スルーホール形成工程で形成された各スルーホールに
    金属微粒子を含んだ導電ペーストを印刷して充填する導
    体充填工程と、 該導体充填工程で充填された導体パターンを、請求項１
    乃至９記載の何れかの導体パターンの検査方法により検
    査する導体パターン検査工程と、 該導体パターン検査工程によって良品と判定された回路
    基板上に金属微粒子を含んだ導電ペーストを印刷して配
    線パッドを有する配線導体を形成する印刷配線形成工程
    と、 該印刷配線形成工程で形成された配線パッドを、請求項
    １乃至７記載の何れかの導体パターンの検査方法により
    検査する配線パッド検査工程と、 該配線パッド検査工程で良品と判定された回路基板を積
    層して焼結して多層基板を得る積層・焼結工程とを有す
    ることを特徴とする多層基板の製造方法。
13. 【請求項１３】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペ
    ーストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検
    査回路基板に対して、５５０ｎｍ以下の波長を有する偏
    光照明光を照明する照明光学系と、 該照明光学系で照明された被検査回路基板からの前記偏
    光照明光の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像
    を検出器で受光して光学画像信号に変換する検出光学系
    と、 該検出光学系の検出器で変換された光学画像信号を所定
    のしきい値で２値化して前記導体パターンを示す２値化
    画像信号に変換する２値化回路と、 該２値化回路で変換された導体パターンを示す２値化画
    像信号を元に導体パターンの位置ずれ量を算出する算出
    手段と、 前記２値化回路で変換された導体パターンを示す２値化
    画像信号と該導体パターンの欠陥判定基準を決める基準
    の２値化画像信号とを前記算出手段で算出された導体パ
    ターンの位置ずれ量に基づいて位置合わせして比較する
    ことによって導体パターンの欠陥を抽出する比較手段と
    を備えたことを特徴とする導体パターンの検査装置。
14. 【請求項１４】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペ
    ーストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検
    査回路基板に対して、偏光照明光を照明する照明光学系
    と、 該照明光学系で照明された被検査回路基板からの前記偏
    光照明光の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像
    を検出器で受光して光学画像信号に変換する検出光学系
    と、 該検出光学系の検出器で変換された光学画像信号を互い
    に異なる第１および第２のしきい値で２値化して前記導
    体パターンを示す第１および第２の２値化画像信号に変
    換する２値化回路と、 該２値化回路で変換された導体パターンを示す第１また
    は第２の２値化画像信号を元に導体パターンの位置ずれ
    量と導体パターンの大きさとを算出する算出手段と、 前記２値化回路で変換された導体パターンを示す第１の
    ２値化画像信号と前記算出手段で算出された導体パター
    ンの大きさに合わせられた導体パターンに対する外枠の
    欠陥判定基準を決める第１の基準の２値化画像信号とを
    前記算出手段で算出された位置ずれ量に基づいて位置合
    わせして比較することによって外枠外に存在する導体パ
    ターンの欠陥を抽出し、前記２値化回路で変換された導
    体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算出手段
    で算出された導体パターンの大きさに合わせられた導体
    パターンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基
    準の２値化画像信号とを前記算出手段で算出された位置
    ずれ量に基づいて位置合わせして比較することによって
    内枠内に存在する導体パターンの欠陥を抽出する比較手
    段とを備えたことを特徴とする導体パターンの検査装
    置。
15. 【請求項１５】基材に対して金属微粒子を含んだ導電ペ
    ーストを所定の導体パターンに印刷して形成された被検
    査回路基板に対して、偏光照明光を照明する照明光学系
    と、 該照明光学系で照明された被検査回路基板からの前記偏
    光照明光の偏光成分を遮光した反射光に基づく光学画像
    を検出器で受光して光学画像信号に変換する検出光学系
    と、 該検出光学系の検出器で変換された光学画像信号を互い
    に異なる第１および第２および第３のしきい値で２値化
    して前記導体パターンを示す第１および第２の２値化画
    像信号と前記導体パターン内の欠陥を示す第３の２値化
    画像信号に変換する２値化回路と、 基準の導体パターンを示す基準の２値化画像信号に対し
    て少なくとも膨張、そのまま、収縮した３種類の基準の
    ２値化画像信号を形成し、該作成された少なくとも３種
    類の基準の２値化画像信号と前記２値化回路で変換され
    た導体パターンを示す第１または第２の２値化画像信号
    とを相対的にずらして一致度を求めることによって導体
    パターンの位置ずれ量と導体パターンの大きさとを算出
    する算出手段と、 前記２値化回路で変換された導体パターンを示す第１の
    ２値化画像信号と前記算出手段で算出された導体パター
    ンの大きさに合わせられた導体パターンに対する外枠の
    欠陥判定基準を決める第１の基準の２値化画像信号とを
    前記算出手段で算出された位置ずれ量に基づいて位置合
    わせして比較することによって外枠外に存在する導体パ
    ターンの欠陥を抽出し、前記２値化回路で変換された導
    体パターンを示す第２の２値化画像信号と前記算出手段
    で算出された導体パターンの大きさに合わせられた導体
    パターンに対する内枠の欠陥判定基準を決める第２の基
    準の２値化画像信号とを前記算出手段で算出された位置
    ずれ量に基づいて位置合わせして比較することによって
    内枠内に存在する導体パターンの欠陥を抽出し、前記２
    値化回路で変換された導体パターン内の欠陥を示す第３
    の２値化画像信号と前記第１の基準の２値化画像信号ま
    たは前記算出手段で算出された導体パターンの大きさに
    合わせられた欠陥判定基準を決める第３の基準の２値化
    画像信号とを前記算出手段で算出された位置ずれ量に基
    づいて位置合わせして比較することによって導体パター
    ン内の欠陥を抽出する比較手段とを備えたことを特徴と
    する導体パターンの検査装置。
16. 【請求項１６】電気導電性物質が充填されているスルー
    ホールが多数形成されている回路基板の光学画像を検出
    し、該検出画像を２値化して検出２値パターンを得、該
    回路基板の検査領域全域の基準２値パターンを圧縮して
    保存しておき、検査中検出２値パターンに対応する部分
    の基準２値パターンを伸長しながら読出し、検出２値パ
    ターンを基準２値パターンを位置あわせした後、基準２
    値パターンを検査判定基準により決まるサイズに拡大、
    縮小したされた膨張パターン、収縮パターンと検出２値
    パターンとの形状を比較して欠陥を抽出することを特徴
    とするスルーホール充填状態検査方法。
17. 【請求項１７】電気導電性物質からなる回路パターンが
    形成されている回路基板の光学画像を検出し、該検出画
    像を２値化して検出２値パターンを得、該回路基板の検
    査領域全域の基準２値パターンを圧縮して保存してお
    き、検査中検出２値パターンに対応する部分の基準２値
    パターンを伸長しながら読出し、検出２値パターンを基
    準２値パターンを位置あわせした後、基準２値パターン
    を検査判定基準により決まるサイズに拡大、縮小したさ
    れた膨張パターン、収縮パターンと検出２値パターンと
    の形状を比較して欠陥を抽出することを特徴とするパタ
    ーン検査方法。