DE69225105T2

DE69225105T2 - Flüssigkristallanzeigegerät

Info

Publication number: DE69225105T2
Application number: DE69225105T
Authority: DE
Inventors: Satoru C/O Intellectual Property Division Minato-Ku Tokyo Tomita
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-10-04
Filing date: 1992-10-01
Publication date: 1999-01-07
Anticipated expiration: 2012-10-02
Also published as: KR930008495A; US5686932A; TW207570B; EP0535954B1; EP0535954A3; KR0144450B1; EP0535954A2; DE69225105D1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigkristallanzeigegerät und insbesondere ein Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige-gerät, das einen Dünnschichttransistor (TFT) als Schaltelement verwendet.
In jüngerer Zeit wurden Flüssigkristallanzeigegeräte oft als Bildschirmelemente für beispielsweise Fernseh- und Grafikbildschirme wegen ihrer geringen Tiefe und ihres geringen Stromverbrauchs verwendet.
Von diesen ist ein Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät, das einen Dünnschichttransistor (hiernach folgend als TFT bezeichnet) als Schaltelement verwendet, für die große Anzahl von Pixeln geeignet. Das Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige-gerätsoll eine hohe Bildqualität, große Ausmaße und ein Farbbild des Bildschirms realisieren. Daher wurden zahlreiche Forschungsbemühungen und Entwicklungen danach durchgeführt und manche wurden bereits praktisch verwendet.
Ein Hauptteil des Bildschirmelements in dem Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegerät ist im allgemeinen aus einem aktiven Schaltelement wie etwa einem TFT aufgebaut; eine Pixel-Elektrode ist mit dem aktiven Element verbunden; ein Aktivelement-Arraysubstrat ist mit der Pixelelektrode angeordnet; ein Gegensubstrat ist darauf mit einer Gegenelektrode entgegengesetzt zu dem Arraysubstrat angeordnet; eine Flüssigkristallmischung ist zwischen diesen Substraten gehalten; und polarisierende Platten sind an den äußeren Flächen dieser Substrate befestigt.
Fig. 11 ist eine Ansicht, die einen äquivalenten Kreis eines Pixelteils eines herkömmlichen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts darstellt.
Ein N-Typ TFT Schaltelement 605 ist im Zwischenraum einer Signalleitung 601 und einer Abtastleitung 603 angeordnet. Eine Drain- Elektrode (D) 607 davon ist mit der Signalleitung 601, eine Gate-Elektrode (G) 609 ist mit der Abtastleitung 603 und eine Source-Elektrode (S) 611 ist mit einer Pixel-Elektrode 613 verbunden.
Eine Flüssigkristallzusammensetzung 619 ist zwischen der Pixel- Elektrode 613 und einer Gegenelektrode 617 gehalten, die mit einem Generatorkreis 615 für die Gegenelektrodenspannung verbunden ist. Ähnlich wie die Gegenelektrode 617 ist ein Speicherkondensator (Cs) 623 zwischen einer Speicherkondensatorleitung 621, die mit dem Generatorkreis 615 für die Gegenelektrodenspannung verbunden ist und der Pixel-Elektrode 613 gebildet.
An die Gegenelektrode 617 ist eine Gegenelektrodenspannung (Vc) angelegt, deren Polarität gegenüber einem Standardpotential (VT1) umgekehrt ist, das mit einer Bildsignalspannung (VX) synchronisiert ist. Eine solche Polaritätsumkehr der Gegenelektrodenspannung (Vc) vermindert die Amplitude der Bildsignalspannung (VX) im Vergleich zu dem Fall, in dem eine Gleichstromspannung als Gegenelektrodenspannung (Vc) verwendet wird. Die Gegenelektrodenspannung (Vc) kann jedoch, wie in Fig. 12(d) gezeigt, eine Gleichstromspannung sein.
Fig. 12 ist eine Ansicht, die jeweils die Stellkurve eines Pixels bei einem herkömmlichen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät, wie in Fig. 11 gezeigt, darstellt. Mit Bezug auf Fig. 12 wird nun der Betrieb des herkömmlichen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät beschrieben. Wie in Fig. 12(a) gezeigt, wird ein Abtastpuls (VY) an die Gate- Elektrode (G) 609 des TFT Schaltelements 605 über die Abtastleitung 603 angelegt. Die Bildsignalspannung (VX) deren Polarität gegenüber dem Standardpotential (VT1) bei jeder Rahmenperiode umgekehrt wird, um eine Abschwächung der Flüssigkristallmischung 619 zu verhindern, ist an die Signalleitung 601 angelegt.
Während der Abtastpuls (VY) an die Gate-Elektrode (G) 609 des TFT Schaltelements 605 angelegt ist, wird die Bildsignalspannung (VX) in die Pixel-Elektrode 613 geschrieben, und die Pixel-Elektrode 613 hält ein Pixel-Elektrodenpotential (Vs), wie in Fig. 12(b) gezeigt.
Daher wird während einer Rahmenperiode (TF) eine elektrische- Potentialdifferenz zwischen dem Pixel-Elektrodenpotential (Vs) und dem Gegenelektrodenpotential (Vc) in dem Flüssigkristallkondensator (CLC) gehalten, der als Hauptbestandteil die Flüssigkristallmischung 619 hat. Die Flüssigkristallmischung 619 wird daher angeregt, um die Darstellung auszuführen. Andererseits wird eine elektrische Potentialdifferenz zwischen dem Pixel-Elektrodenpotential (Vs) und dem Speicherkondensatorleitungspotential, das sich bei demselben Potential wie das Gegenelektrodenpotential (Vc) einstellt, in dem Speicherkondensator (Cs) 623 gehalten. Eine zeitliche Änderung der in dem Flüssigkristallkondensator (CLC) gehaltenen elektrischen Potentialdifferenz wird als ein Ergebnis kompensiert, um die Darstellung während einer Rahmenperiode (TF) aufrecht zu erhalten.
Es gibt jedoch, wie in Fig. 11 gezeigt eine Störkapazität (CGS) zwischen der Gate-Elektrode (G) 609 und der Source-Elektrode (S) 611 des TFT Schaltelements 605. Diese Störkapazität (CGS) des TFT Schaltelements 605 erzeugt einen Sprung (ΔV1')im Pixel-Elektrodenpotential (Vs), wie in Fig. 12(b) gezeigt, bei Beginn des Abtastpulses (VY).
Wie in Fig. 11 gezeigt, gibt es eine Störkapazität (CDS) zwischen der Drain-Elektrode (D) 607 und der Source-Elektrode (S) 611 des TFT Schaltelements 605 und einer Störkapazität(CGS). Diese Störkapazitäten (CDS), (CGS) erzeugen bei der Polaritätsumkehr des Bildsignalpotentials (VY) und/oder des Gegenelektrodenpotentials einen Sprung (ΔY2') in dem Pixel-Elektrodenpotential (Vs), wie in Fig. 12(b) gezeigt.
Als Ergebnis treten bei dem konventionellen Flüssigkristallanzeigegerät wie in Fig. 12(c) gezeigt, die Sprünge (ΔV1), (ΔV2) aufgrund der Störkapazitäten (CGS), (CDS) in der an den Flüssigkristall angelegten Spannung auf. Aus diesen Gründen wird die an die Flüssigkristallmischung 619 angelegte Spannung geändert, so daß Flackern oder eine Ungleichmäßigkeit der Helligkeit des Schirmbildes auftritt.
Vorher war es unmöglich, diese Störkapazitäten (CGS) zu beseitigen.
Wie oben beschrieben, hat das herkömmliche Flüssigkristallanzeigegerät das Problem, daß Sprünge (ΔV1), (ΔV2), die durch Störkapazitäten (CGS), (CDS) des TFT Schaltelements 605 erzeugt werden, in einem Auftreten von Flackern oder von Ungleichmäßigkeit der Helligkeit in einem Schirmbild resultieren.
Die europäische Patentbeschreibung mit der Nr. EP-03365170-A1 beschreibt ein Verfahren zum Steuern eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät. Ein erstes Modulationssignal wird an einen ersten Anschluß angelegt, der mit den Bildelementelektroden kapazitiv verbunden ist, und ein zweites Modulationssignal wird an die Gegenelektroden angelegt. Indem die Potentialdifferenz zwischen dem ersten Anschluß und den Gegenelektroden moduliert wird, kann das kapazitive Kopplungspotential, das an der Bildelementelektrode durch die damit verbundene Kapazität erscheint, effektiv verwendet werden. Als Ergebnis kann wenigstens ein Teil der DC- Komponenten, die durch die Kapazität zwischen Gate und Drain durch das Abtastsignal und der dielektrischen Anisotropie des Flüssigkristalls induziert werden, kompensiert werden, so daß eine Abnahme der elektrischen Steuerleistung, eine Verbesserung der Bildqualität des Bildschirms und eine Verbesserung der Steuerzuverlässigkeit erreicht werden kann.
Die europäische Patentbeschreibung Nr. EP-0373565-A1 beschreibt ein ähnliches Verfahren zur Steuerung eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät, bei dem eine Bildsignalspannung an die Pixel-Elektrode während einer EIN-Periode des Schaltelements übertragen wird und ein Moduliersignal an eine erste Leitung während einer AUS-Periode des Schaltelements angelegt wird. Das modulierende Signal besteht aus einer Spannung, die sich abwechselnd für jedes Feld umkehrt, wodurch das Potential der Pixel- Elektrode geändert wird. Dieses geänderte Potential wird überlagert und wirksam von der Bildsignalspannung ausgelöscht, wodurch die sich ergebende Spannung über das Bildschirmmaterial angelegt wird. Das in EP-0373565-A2 beschriebene Verfahren soll die Bildqualität und die Zuverlässigkeit der Steuerung verbessern und die Steuerleistung der Bildschirmeinheit vermindern.
In den oben beschriebenen Verfahren treten jedoch ungewünschte Potentialänderungen oder Sprünge in der Potentialkurve des Bildelements zu einem Zeitpunkt auf, wenn die Polarität der Bildsignalspannung geändert wird und wenn ein Abtastpuls angelegt wird. Diese Sprünge, die durch Störkapazitäten des Schaltelements erzeugt werden, resultieren in einem Auftreten von Flackern oder einer Ungleichmäßigkeit der Helligkeit bei einem Schirmbild.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Flüssigkristallanzeigegerät mit einer stabilen Bilddarstellung hoher Qualität ohne Flackern oder Ungleichförmigkeit der Helligkeit eines Schirmbildes, die durch Sprünge (ΔV1), (ΔV2) der Spannung erzeugt werden, die an den Flüssigkristall angelegt wird, aufgrund von Störkapazitäten (CGS), (CDS) des TFT Schaltelements bereitzustellen.
Der erste Aspekt dieser Erfindung ist ein Flüssigkristallanzeigegerät, welches aufweist:
eine Matrixschaltung mit einer Mehrzahl von Abtastleitungen und einer Mehrzahl von Signalleitungen, die angeordnet sind, um sich mit der Mehrzahl der Abtastleitungen zu kreuzen, wobei ein Abtastpuls an die Abtastleitungen angelegt ist, und eine Bildsignalspannung mit einer periodisch umgekehrten Polarität bezüglich eines ersten Standardpotentials an die Signalleitungen angelegt ist; eine Pixel-Elektrode, die jeweils an einem Kreuzungspunkt der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Signalleitungen angeordnet ist; ein Transistorschaltelement, das an jedem Kreuzungspunkt der Mehrzahl der Abtastleitungen und der Mehrzahl der Signalleitungen enthalten und jeweils mit der Pixel-Elektrode verbunden ist; ein Speicherkondensator, der zwischen der Pixel-Elektrode und der Speicherkondensatorleitung ausgebildet ist; eine Gegenelektrode, die gegenüber der Pixel-Elektrode angeordnet ist; eine Flüssigkristallmischung, die zwischen der Pixel-Elektrode und der Gegenelektrode gehalten ist; und eine Einrichtung zum Liefern einer Speicherkondensatorleitungsspannung an die Speicherkondensatorleitung, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherkondensatorleitungsspannung, deren Polarität bezüglich eines zweiten Standardpotentials umgekehrt ist, während sie im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung synchronisiert ist, an die Speicherkondensatorleitung angelegt ist, um eine erste Änderung der an den Flüssigkristall angelegten, im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung sychronisierten Spannung zu kompensieren.
Der zweite Aspekt dieser Erfindung ist ein Flüssigkristallanzeigegerät, welches aufweist:
eine Matrixschaltung mit einer Mehrzahl von Abtastleitungen und einer Mehrzahl von Signalleitungen, die angeordnet sind, um sich mit der Mehrzahl der Abtastleitungen zu kreuzen, wobei ein Abtastpuls an die Abtastleitungen angelegt ist, und eine Bildsignalspannung mit einer periodisch umgekehrten Polarität bezüglich eines ersten Standardpotentials an die Signalleitungen angelegt ist; eine Pixel-Elektrode, die jeweils an einem Kreuzungspunkt der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Signalleitungen angeordnet ist; ein Transistorschaltelement, das an jedem Kreuzungspunkt der Mehrzahl der Abtastleitungen und der Mehrzahl der Signalleitungen enthalten und jeweils mit der Pixel-Elektrode verbunden ist; eine Gegenelektrode, die gegenüber der Pixel-Elektrode angeordnet ist; eine Flüssigkristallmischung, die zwischen der Pixel-Elektrode und der Gegenelektrode gehalten ist; ein Speicherkondensator, der zwischen der Pixel-Elektrode und der Speicherkondensatorleitung ausgebildet ist; und eine Einrichtung zum Ansteuern der Speicherkondensatorleitung zum Liefern einer Speicherkondensatorleitungsspannung an die Speicherkondensatorleitung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Potentialwert der Speicherkondensatorleitungsspannung im wesentlichen synchronisiert mit dem Abtastpuls geändert wird und eine Richtung der Potentialwertänderung der Speicherkondensatorleitungsspannung entgegengesetzt zu einer Richtung einer Potentialwertänderung des Abtastimpulses ist, um eine Änderung einer an den Flüssigkristall angelegten Spannung zu kompensieren, die im wesentlichen mit der Abtastpulsspannung an die Speicherkondensatorleitung synchronisiert ist.
Es gibt die Störkapazitäten (CDS), (CGS), des TFT-Schaltelements bei einem Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegerät. Wenn die Polarität der Bildsignalspannung (VX) und/oder der Gegenelektrodenspannung (Vc) gegen das Standardpotential umgekehrt wird, wird das Potential an der Seite der Drain-Elektrode (D) der Störkapazität (CDS) stark geändert. Daraus ergibt sich, daß die elektrische Ladung zwischen dem Flüssigkristall geändert wird. Daraus ergibt sich, daß die elektrische Ladung zwischen dem Flüssigkristallkondensator (CLC), dem Speicherkondensator (Cs), und den Störkapazitäten (CGS), (CDS) neu verteilt wird. Bei dem herkömmlichen Flüssigkristallgerät verursacht diese Änderung den Sprung (ΔV2) in der am Flüssigkristall anliegenden Spannung.
Erfindungsgemäß wird eine Speicherkondensatorleitung positiv angesteuert, um zu bewirken, daß ein solcher Sprung (ΔV2) verschwindet.
Bei dem erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigegerät wird nämlich die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH), deren Polarität gegen das zweite Standardpotential, das mit der Bildsignalspannung (VX) synchronisiert ist, umgekehrt wird, um eine kompensierende Änderung der am Flüssigkristall anliegenden Spannung zu sein, an die Speicherkondensatorleitung angelegt. Daraus ergibt sich, daß der durch die Neuverteilung der elektrischen Ladung verursachte Sprung (ΔV2) der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung vermindert wird und darüberhinaus beseitigt werden kann.
Wenn vorzugsweise in diesem Fall die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) weiter gesteuert wird, um in dem Bereich von -CDS·dVX/Cs /5 oder mehr als -CDS·dVX/Cs x10 oder weniger zu sein, insbesondere -CDS·dVX/Cs , so wird der Sprung (ΔV2) wirksam kompensiert, ohne Untermaß oder Übermaß, um Flackern oder eine Ungleichmäßigkeit der Helligkeit bei einem Schirmbild zu verhindern, wodurch eine stabile Bilddarstellung mit hoher Qualität erreicht wird.
Bei einem Flüssigkristallanzeigegerät, bei dem die Polarität der an die Gegenelektrode anzulegenden Spannung (Vc) gegenüber dem zweiten Standardpotential umgekehrt ist, wird die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) deren Polarität gegenüber dem dritten Standardpotential umgekehrt ist, synchronisiert mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung (VX) gegen das erste Standardpotential, um gleich mit dem der Gegenelektrodenspannung (Yc) zu sein, an die Speicherkondensatorleitung angelegt. Daher kann der durch die Neuverteilung der elektrischen Ladung verursachte Sprung (ΔY2) der an dem Flüssigkritall anliegenden Spannung unterdrückt werden.
Wenn in diesem Fall vorzugsweise die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) weiter gesteuert wird, um in dem Bereich von [(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX]/Cs /5 oder mehr als [(CGS+CDS+Cs)·dYc- CDS·dVX]/Cs x10 oder weniger zu sein; insbesondere [(CGS+CDS+Gs)·dYc- CDS·dVX]/Cs , so wird der Sprung (ΔY2) wirksam kompensiert, ohne Untermaß oder Übermaß, um Flackern oder eine Ungleichmäßigkeit der Helligkeit bei einem Schirmbild zu verhindern, wodurch eine stabile Bilddarstellung mit hoher Qualität erreicht wird.
Mit Bezug zum Sprung (ΔV1) wird die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH), die in Richtung entgegengesetzt zu dem Abtastpuls(VY), der im wesentlichen mit einem Abtastpuls (VY) synchronisiert ist, um einen Betrag einer Spannungsänderung (dVH&sub1;) geändert wird, an die Speicherkondensatorleitung synchronisiert mit einer Zeitsteuerung, nach der der Abtastpuls (YY) angelegt wird, angelegt: Die Speicherkondensatorleitung entspricht der Pixel-Elektrode, die mit dem TFT-Schaltelement verbunden ist, um mit dem Abtastpuls (YY) beaufschlagt zu werden. Daher werden elektrische Potentialunterschiede des Flüssigkristallkondensators und Speicherkondensators, die von der Störkapazität (CGS) geändert werden, kompensiert, um den Sprung (ΔV1) der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung zu unterdrücken. Dies verhindert ein Flackern oder eine Ungleichmäßigkeit der Helligkeit in einem Schirmbild. Wenn (dVH&sub1;) in dem Bereich von -CGS·dVY/Cs /2 oder mehr als -CGS·dVY/Cs x2 oder weniger, insbesondere -CGS·dVY/Cs , so kann der Sprung (ΔV1) am wirksamsten unterdrückt werden.
Wie aus der obigen Gleichung der Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) ersichtlich ist, wird, wenn der Speicherkondensator (Cs) größer gemacht wird, die Amplitude (dVH) kleiner. Der Schaltkreisaufbau, der eine Speicherkondensatorleitungsspannung liefert, kann vereinfacht werden. Der Speicherkondensator (Cs) kann mit großem Wert z. B. auf die folgenden drei Arten aufgebaut werden: Erstens, eine Speicherkondensatorleitung aus einer transparenten Elektrode, wie etwa ITO (Indiumoxid-Blech) gebildet und ein Überlappungsbereich mit einer Pixel-Elektrode wird ohne eine Abnahme des Aperturverhältnisses vergrößert, wodurch die Fläche des Speicherkondensators (Cs) und dann dessen Kapazitätswert vergrößert wird. Zweitens kann ein Dielektrikum mit einer hohen Dielektrizitätskonstanten als Material einer Isolierschicht verwendet werden, die zwischen die Speicherkondensatorleitung und die Pixel-Elektrode eingefügt wird, wodurch der Kapazitätswert vergrößert wird. Drittens wird die Isolierschicht zwischen der Speicherkondensatorleitung und der Pixel- Elektrode so ausgebildet, daß die Stärke der Isolierschicht gering ist, wodurch der Kapazitätswert vergrößert wird.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Ansicht, die den Aufbau eines Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 2 eine Ansicht, die den Aufbau eines Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 3 eine Ansicht, die einen äquivalenten Schaltkreis darstellt, wobei der Aufbau eines Aktivmatrix Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt ist,
Fig. 4 eine Ansicht, die die Stellkurven eines Aktivmatrix Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 5 eine Ansicht, die den Aufbau eines Generatorkreises für die Speicherkondensatorleitungsspannung eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 6 eine Ansicht, die die Stellkurven eines Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 7 eine Ansicht, die den Aufbau eines Generatorkreises für eine Speicherkondensatorleitungsspannung eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 8 eine Ansicht, die die Stellkurven eines Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einem dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 9 eine Ansicht, die den Aufbau eines Steuerkreises für die Speicherkondensatorleitung eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß dem dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 10 eine Ansicht, die den Aufbau eines Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegerät gemäß dem dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 11 eine Ansicht, die einen äquivalenten Schaltkreis darstellt, beidem der Aufbau eines herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegeräts gezeigt ist, und
Fig. 12 eine Ansicht, die Stellkurven eines herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegeräts darstellt.
Mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen wird nun ein Ausführungsbeispiel dieser Erfindung genau beschrieben.
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß dieser Erfindung darstellt. Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung eines dafür verwendeten Flüssigkristallanzeigeelements.
Der Hauptteil des Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigegeräts wird aus einem Flüssigkristallanzeigeelements 101, einem Abtastleitungssteuerkreis 103, einem Signalleitungssteuerkreis 105, einem Gegenelektrodensteuerkreis 107 und einem Generatorkreis für die Speicherkondensatorleistungsspannung 109 aufgebaut.
Das Flüssigkristallanzeigeelement 101 hält eine Flüssigkristallmischung 115 zwischen einem Aktivelementsubstrat 111 und einem Gegensubstrat 113. Polarisierende Platten 117, 119 sind auf dem Aktivelementsubstrat 111 und dem Gegensubstrat 113 angeordnet.
In dem Aktivelementsubstrat 111 sind m Signalleitungen 123 und n Abtastleitungen 125 auf einem transparenten Isoliersubstrat 121 angeordnet, wobei ein Glassubstrat in Matrixform verwendet wird. An jedem Kreuzungspunkt ist ein TFT Element 127 als Schaltelement angeordnet. Als transparentes Isoliersubstrat 121 kann außer einem Glassubstrat eine Kunststoffschicht verwendet werden.
In dem TFT Element 127 ist eine Isolierschicht 131 auf einer Gate- Elektrode 129 angeordnet, die einstückig mit der Abtastleitung 125 ausgebildet ist, so daß sie die Gate-Elektrode 129 bedeckt. Eine aktive Schicht 133, die aus amorphen Silicium (a-Si), vom n-Typ gebildet ist, ist darauf plaziert. Eine Drain-Elektrode 135, die einstückig mit der Signalleitung 123 ausgebildet ist und eine Source-Elektrode 139, die mit der aus ITO gebildeten Pixel-Elektrode 137 verbunden ist, sind mit der aktiven Schicht 133 über eine Ohmsche Kontaktschicht (nicht gezeigt) verbunden. Das TFT Elelment 127 ist so aufgebaut, daß eine Kanalschutzschicht 141 als Ätzsperre auf der aktiven Schicht 133 plaziert ist, um die aktive Schicht 133 vor einer Beschädigung während eines Herstellungsverfahrens zu bewahren.
Weiter ist eine Speicherkondensatorleitung 143, die aus einer Mo-Ta- Legierung gebildet und in denselben Schritt der Abtastleitung 125 hergestellt ist, auf dem transparenten Isoliersubstrat 121 plaziert. In der ebenen Anordnung ist die Speicherkondensatorleitung 143 im wesentlichen parallel zur Abtastleitung 125. In der Schichtanordnung ist die Speicherkondensatorleitung 143 über die Isolierschicht 131 der Pixel- Elektrode 137 gegenübergestellt. Ein Speicherkondensator (Cs) 145 ist zwischen der Speicherkondensatorleitung 143 und der Pixel-Elektrode 137 ausgebildet. Der Speicherkondensator (Cs) 145 verwendet die Isolierschicht 131 als Dielektrikum.
Ein Aktivelementsubstrat 111 ist so aufgebaut, daß eine Orientierungsschicht 147 die Oberfläche des Aktivelementsubstrats 111 bedeckt.
Das Gegensubstrat 113 ist so aufgebaut, daß eine Gegenelektrode 151 und eine Orientierungsschicht 153, die der Pixel-Elektrode 137 entgegengerichtet sind, auf einem transparenten Isoliersubstrat 149 eines Glassubstrats plaziert sind. Das Gegensubstrat 113 ist mit dem Aktivelementsubstrat 111 parallel zu diesem in einem vorbestimmten Raum vereinigt. Diese Gegenelektrode 151 ist mit dem Gegenelektrodensteuerkreis 107 verbunden, der eine Gleichstromspannung (Vc) erzeugt.
Die Flüssigkristallmischung 115 ist zwischen dem Aktivelementsubstrat 111 und dem Gegensubstrat 113 gehalten. Ihre Umgebung ist mit einem Abdichtmaterial (nicht gezeigt) abgedichtet. Die polarisierenden Platten 117, 119 sind auf Außenflächen des Aktivelementsubstrats 111 bzw. des Gegensubstrats 113 aufgebracht und befestigt.
Bei einem solchen Flüssigkristallanzeigegerät 101 ist die Signalleitung 123 mit dem Signalleitungsssteuerkreis 105 verbunden, die Abtastleitung 125 ist mit dem Abtaststeuerkreis 103 verbunden, jede Speicherkondensatorleitung 143 ist einheitlich mit dem Erzeugerkreis 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung verbunden und die Gegenelektrode 151 ist mit dem Gegenelektrodensteuerkreis 107 verbunden.
Der Hauptteil des Signalleitungssteuerkreises 105 ist aus einem Schieberegisterkreis und einem Latchkreis aufgebaut. Wie in Fig. 4 (b) gezeigt, erzeugt der Signalleitungssteuerkreis 105 eine Bildsignalspannung (VX), deren Polarität gegen ein erstes Standardpotential (VT1) bei jeder Rahmenperiode (TF) umgekehrt wird und stellt sie der Signalleitung 123 zur Verfügung.
Der Hauptteil des Abtastleitungssteuerkreises 103 ist aus einem Schieberegisterkreis und einem Latchkreis aufgebaut. Der Abtastleitungssteuerkreis 103 erzeugt einen Abtastpuls (VY), wie in Fig. 4 (a) gezeigt, der jede Abtastleitung 125 zeilenweise selektiert und sie der Abtastleitung 125 zur Verfügung stellt.
Der Hauptteil des Erzeugerkreises 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung ist, wie in Fig. 5 gezeigt, aus einem Additionskreis 503, einem Subtraktionskreis 505 und einem Umschaltkreis 507 aufgebaut. Der Additionskreis 503 addiert die Gegenelektrodenspannung (Vc) eines von dem Gegenelektrodensteuerkreis 107 gelieferten Gleichstroms mit einer Spannung (Vd), die von einem Gleichstromspannungserzeugungskreis 501 geliefert wird und gibt die Summe aus. Der Subtraktionskreis 505 substrahiert die von dem Gleichstromspannungserzeugungskreis 501 gelieferte Spannung (Vd) von der Gleichstromspannung (Vc), die von dem Gegenelektrodensteuerkreis 107 geliefert wird, und gibt das Ergebnis aus. Der Umschaltkreis 507 selektiert die Ausgabe von dem Additionskreis 503 oder die Ausgabe von dem Subtraktionskreis 505 in Übereinstimmung mit einem Rahmensignal (SF) zu jeder Rahmenperiode (TF). Wie oben beschrieben, wird innerhalb des Erzeugerkreises 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung die addierte Ausgabe der Gleichstrom-Gegenelektrodenspannung (Vc) und die obige Spannung (Vd) oder die substrahierte Ausgabe davon abwechselnd selektiert, um eine Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) mit einer Amplitude (dVH) an die Speicherkondensatorleitung 143 anzulegen.
Mit Bezug auf die Fig. 3 und 4 wird der Betrieb des Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigegeräts des so aufgebauten Ausführungsbeispiels beschrieben.
Fig. 3 ist eine Ansicht, die einen äquivalenten Schaltkreis eines Pixelteils des Aktivmatrix Flüssigkristallanzeigegerät darstellt. Als Beispiel wird ein Pixel, d. h. ein Bildschirmpixel (Xi, Yj) beschrieben, der in dem Kreuzungspunkt der Signalleitung 123 und der Abtastleitung 125 liegt. Wie in Fig. 4 (d) gezeigt, fließt ein Drain-Source-Strom (IDS), wenn eine Bildsignalspannung (VXi) an die Drain-Elektrode 135 und ein Abtastpuls (VYj) an die Gate-Elektrode 129 angelegt wird, zwischen der Drain-Elektrode 135 und der Source-Elektrode 139. Dann wird die Bildsignalspannung (VXi) in die Pixel-Elektrode 137 hineingeschrieben, die mit der Source-Elektrode 139 verbunden ist. Ein Pixelelektrodenpotential (Us) wird, wie in Fig. 4 (e) gezeigt; in der Pixel-Elektrode 137 gehalten. So wird während einer Rahmenperiode (TF) die elektrische Potentialdifferenz zwischen dem Pixel-Elektroden-Potential (Us) und dem Gegenelektrodenpotential (Vc) in einem Flüssigkristallkondensator (CLC) 153 gehalten, wodurch die Flüssigkristallmischung 115 angeregt wird, um eine Darstellung zu bewirken. Die elektrische Potentialdifferenz zwischen dem Pixel- Elektroden-Potential (Vs) und dem Speicherkondensatorleitungspotential (VH) wird im Speicherkondensator (Cs) 145 gehalten. Die Verminderung der elektrischen Potentialdifferenz in dem Flüssigkristallkondensator (CLC) 155 während die Zeit abläuft, wird kompensiert, um eine Darstellung während einer Rahmenperiode TF aufrecht zu erhalten.
Darüberhinaus existiert, wie in Fig. 3 gezeigt, in dem n-Typ TFT Element 127 von Natur aus eine Störkapazität (CGS) zwischen der Gate- Elektrode 129 und der Source-Elektrode 139, und eine weitere Störkapazität (CDS) zwischen der Drain-Elektrode 135 und der Source-Elektrode 139 aus der Sicht des Aufbaus des TFT Elementes 127 und der Anordnung der Pixel- Elektrode 137 und der Signalleitung 123. Daher wird, sogar wenn das TFT Element 127 ausgeschaltet wird (Zustand hohen Widerstands), die elektrische Potentialdifferenz, die in dem Flüssigkristallkondensator (CLC) 155 und dem Speicherkondensator (Cs) 145 einmal gehalten ist, durch die Potentialänderung der Signalleitung über die Störkapazitäten (CDS), (CGS) geändert. Daher ändert sich das Potential der Pixel-Elektrode 137 und darüber hinaus die Spannung, die am Flüssigkristall anliegt. Bei dem herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegerät verursacht dies einen Sprung (ΔV2).
Gemäß dem Flüssigkristallanzeigegerät der vorliegenden Erfindung wird eine Speicherkondensatorleitungsspannung (UH), die dem Sprung (ΔV2) ntspricht, an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt. Daher kann die elektrische Potentialdifferenz des Flüssigkristallkondensators (CLC) 155, die von den Störkapazitäten (CDS), (CGS) geändert wurde, kompensiert werden, wodurch ermöglicht wird, daß der Sprung (ΔV2) verschwindet.
Eine solche Speicherkondensatorleitungsspannung (VH), die den Sprung (ΔV2) verschwinden läßt, wird genau beschrieben.
Die Spannung (ΔV2)[V] des Sprunges (ΔV2) ist durch folgende Gleichung dargestellt:
ΔV2 = (CDS·dUX+Cs·dUH)/(CGS+CDS+CLC+Cs)
wobei dVH [V] die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) ist, dYX [Y] die Amplitude der Bildsignalspannung (YX) ist, Cs [F] die Kapazität des Speicherkondensators (Cs) 145, CLC [F] die Kapazität des Flüssigkristallkondensators (CLC) 155 ist und CGS [F] und CDS [F] die Werte der Störkapazitäten (CGS) bzw. (CDS) sind.
In der vorliegenden Erfindung wird die Polarität der Speicherkondensatorleitungsspannung (YH) gegen ein zweites Standardpotential (VT2) umgekehrt, das mit der Bildsignalspannung (VX) synchronisiert ist, um der Bildsignalspannung (VX) entgegengerichtet zu sein. Die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) ist -CDS·dVX/Cs . Diese Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird an die Speicherkondensatorleitung 143 des Speicherkondensators (Cs) 145 angelegt, um den Sprung (ΔV2), der durch die obige Gleichung dargestellt ist, 0 (Null) werden zu lassen. Daher wird das Auftreten von Flackern oder einer Ungleichmäßigkeit der Helligkeit unterdrückt, wodurch ein Schirmbild mit hoher Qualität erreicht wird.
Darüber hinaus wird in dem Ausführungsbeispiel mit Bezug auf einen Sprung (ΔV1), der in der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung aufgrund der Störkapazität (CGS) des TFT Elements 127 anliegt, eine Bias- Spannung, deren tatsächlicher Wert den Sprung (ΔV1) kompensiert, an die Gegenelektrode 151 angelegt. Daher ist, wie in Fig. 4 (d) gezeigt, das Gegenelektrodenpotential (Vc) abweichend von dem Standardpotential (YT1) der Bildsignalspannung (VX), um den Sprung (ΔU1) auszugleichen.
In dem obigen Ausführungsbeispiel ist die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (UH) auf einen Wert eingestellt, der den Sprung (ΔV2) ohne Untermaß oder Übermaß kompensiert, d. h. -CDS·dUX/Cs . Wenn jedoch die Amplitude (dUH) auf -CDS·dYX/Cs /5 oder mehr eingestellt ist, können vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, die ausreichend sind für die praktische Verwendung. Darüber hinaus kann die Amplitude (dVH) als Maximum auf (-CDS·dYX/Cs) x10 eingestellt werden, vorzugsweise (-CDS·dUX/Cs) x4 oder weniger. In diesem Bereich können vorteilhafte Wirkungen erreicht werden, die dafür ausreichend sind, daß sie visuell wahrgenommen werden. Daher ist die Amplitude (dVH) nicht auf -CDS·dVX/Cs begrenzt.
Wie oben beschrieben, wird eine vorbestimmte Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt, so daß eine Änderung des Potentials der Gegenelektrode 151 gemäß der Änderung der Bildsignalspannung (VX), die an die Signalleitung 123 angelegt ist, reduziert werden kann, wodurch ein Schirmbild mit hoher Qualität erreicht wird. Wird eine solche Potentialänderung der Gegenelektrode 151 betrachtet, so wird die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) vorzugsweise auf einen großen Wert in dem obigen Bereich eingestellt. Die Amplitude (dVH) ist nämlich vorzugsweise -CDS·dVX/Cs oder mehr.
Weiter ist in dem Ausführungsbeispiel das zweite Standardpotential (VT2) dasselbe wie das Gegenelektrodenpotential (Vc). Jedoch kann eine Spannung, die an den Additionskreis 503 und den Subtraktionskreis 505, die den Erzeugerkreis 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung bilden, angelegt wird, von der Gleichstromspannung (Vc), die von dem Gegenelektrodensteuerkreis 107 geliefert wird, verschieden sein. Daher kann das zweite Standardpotential (VT2) verschieden sein von dem Gegenelektrodenpotential (Vc).
Es wird nun folgend ein Flüssigkristallanzeigegerät des zweiten Ausführungsbeispiels beschrieben. Dabei unterbleibt die Beschreibung, die dieselben Teile betrifft, wie die des ersten Ausführungsbeispiels, aus Vereinfachungsgründen. Die sich von denen des ersten Ausführungsbeispiels unterscheidenden Teile werden beschrieben. Dieselben Teile wie die des ersten Ausführungsbeispiels sind mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet.
Eine Gegenelektrode 151 ist, wie in Fig. 3 gezeigt, mit einem Gegenelektrodensteuerkreis 107 verbunden, der eine Gegenelektrodenspannung (Vc) erzeugt, deren Polarität gegen ein zweites Standardpotential (VT2) umgekehrt ist, das mit einer Bildsignalspannung (VX) synchronisiert ist. Mit Bezug auf Fig. 7 ist der Hauptteil des Gegenelektrodensteuerkreises 107 aus einem ersten Gleichstromspannungserzeugerkreis 509, einem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 511, einem Additionskreis 513, einem Subtraktionskreis 515 und einem Umschaltkreis 517 aufgebaut. Dererste Gleichstromspannungserzeugerkreis 509 erzeugt eine Spannung (Vcd), die die Amplitude der Gegenelektrodenspannung (Vc) bestimmt. Der zweite Gleichstromspannungserzeugerkreis 511 erzeugt das zweite Standardpotential (VT2). Der Additionskreis 513 addiert das zweite Standardpotential (VT2), das von dem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 511 geliefert wird, mit der Spannung (Vcd), die von dem ersten Gleichstromspannungserzeugerkreis 509 geliefert wird, und gibt die Summe aus. Der Subtraktionskreis 515 subtrahiert die Amplitudenspannung (Vcd), die von dem ersten Gleichstromspannungserzeugerkreis 509 geliefert wird, von dem zweiten Standardpotential (VT2), das von dem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 511 geliefert wird und gibt das Ergebnis aus. Der Umschaltkreis 517 selektiert die Ausgabe von dem Additionskreis 513 oder die Ausgabe von dem Subtraktionskreis 515 auf Basis eines Rahmensignals (SF) jeweils einmal pro Rahmenperiode (TF).
Der Hauptteil eines Erzeugerkreises 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung ist aus einem Additionskreis 503 einem Subtraktionskreis 505 und einem Umschaltkreis 507 aufgebaut. Das zweite Standardpotentail (VT2), das von dem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 511 des Gegenelektrodensteuerkreises 107 geliefert wird, wird als drittes Standardpotential (VT3) verwendet. Der Additionskreis 503 addiert dieses Standardpotential (VT3) zu einer Spannung (Vd), die von dem Gleichstromspannungserzeugerkreis 501 geliefert wird, und gibt die Summe aus. Der Subtraktionskreis 505 subtrahiert die Spannung (Vd), die von dem Gleichstromspannungserzeugerkreis 501 geliefert wird, von dem dritten Standardpotential (VT3) und gibt das Ergebnis aus. Der Umschaltkreis 507 selektiert die Ausgabe von dem Additionskreis 503 oder die Ausgabe von dem Subtraktionskreis 505 auf der Basis eines Rahmensignals (SF) jeweils ein Mal pro Rahmenperiode (TF).
Wie oben beschrieben wird innerhalb des Erzeugerkreises 109 für die Speicherkondensatorleitungsspannung das dritte Standardpotential (VT3) des Gleichstroms der obigen Addition oder Subtraktion der Spannung (Vd) unterworfen. Die Ausgabe der Addition oder der Subtraktion wird abwechselnd selektiert, um eine Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) mit einer Amplitude (dVH) an eine Speicherkondensatorleitung 143 anzulegen.
Zu diesem Zeitpunkt werden das dritte Standardpotential (VT3) mit demselben Potential wie das des zweiten Standardpotentials (VT2), das von dem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 511 geliefert wird, und die Spannung (Vd), die von dem Gleichstromspannungserzeugerkreis 501 geliefert wird, so eingestellt, daß die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) [(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX]/Cs ist.
Bei dem Flüssigkristallanzeigegerät des zweiten Ausführungsbeispiels wird die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH), die einem Sprung (ΔV2) entspricht, an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt. Daher werden die elektrische Potentialdifferenz eines Flüssigkristallkondensators (CLC) 155, die von den Störkapazitäten (CDS), (CGS) geändert wird, und die elektrische Potentialdifferenz eines Speicherkondensators (Cs) 145 kompensiert, um den Sprung (ΔV2) verschwinden zu lassen.
Die Spannung (ΔV2)[V] des Sprunges (ΔV2) wird durch folgende Gleichung dargestellt:
(ΔU2) = {(CDS·dVX+Cs·dVH)-(CGS+CDS)·dVC}/(CGS+CDS+CLC+Cs).
wobei dVC [V] die Amplitude der Gegenelektrodenspannung (Vc), dVH [V] die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung (YH) ist; dVX [Y] die Amplitude der Bildsignalspannung (VX) ist; Cs [F] der Kapazitätswert des Speicherkondensators (Cs) 145 ist; CLC [F] der Kapazitätswert des Flüssigkristallkondensators (CLC) 155 ist; und CGS [F] und CDS (F] die Kapazitätswerte der Störkapazitäten (CGS) bzw. (CDS) sind.
Die Polarität der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird gegen das dritte Standardpotential (VT3) umgekehrt, das mit der Gegenelektrodenspannung synchronisiert ist, um dasselbe zu sein wie das der Gegenelektrodenspannung (Vc) gegen das zweite Standardpotential (UT2). Die Amplitude (dUH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (UH) ist 1[(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dUX]/Cs . Eine solche Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt, um den Sprung (ΔV2)zu entfernen, der durch die obige Gleichung dargestellt ist und um das Auftreten von Flackern und von Ungleichmäßigkeit der Helligkeit zu unterdrücken, wodurch ein Schirmbild mit hoher Qualität erhalten wird.
Weiter wird in diesem Ausführungsbeispiel mit Bezug auf einen Sprung (ΔV1), der aufgrund der Störkapazität (CGS) eines TFT Elements 127 auftritt, eine Bias-Spannung, deren tatsächlicher Wert den Sprung (ΔV1) kompensiert, zur Gegenelektrodenspannung (Uc) addiert, die an die Gegenelektrode 151 angelegt wird. Mit anderen Worten wird das Standardpotential (VT2) des Gegenelektrodenpotential (Yc) wie in Fig. 4 (d) gezeigt, gegen das Standardpotential (VT1) der Bildsignalspannung (VX) verschoben, um den Sprung (ΔV1) zu entfernen.
In dem obigen Ausführungsbeispiel wird die Amplitude (dVH) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) auf den besten Wert eingestellt, der am wirksamsten den Sprung (ΔV2) kompensiert, d. h. auf [CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX/Cs . Wenn jedoch die Amplitude (dVH) auf [(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX/Cs /5 oder mehr eingestellt ist, können vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, die ausreichend sind für die praktische Anwendung. Wenn das Maximum der Amplitude (dVH) [(CGS+CDS+Cs)·dUc-CDS·dUX]/Cs x10 oder kleiner ist, vorzugsweise [(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX]/Cs x4 oder kleiner ist, können vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, die ausreichend sind, um visuell wahrgenommen zu werden. Daher ist es nicht notwendig, daß die Amplitude (dVH) auf den obigen besten Wert begrenzt ist.
Weiter wird zum Zwecke der Reduzierung der Potentialänderung der Gegenelektrode 151 die Amplitude (dUH) der SK1 (VH) vorzugsweise auf einen großen Wert innerhalb des obigen Bereichs eingestellt. Die Amplitude (dVH) ist vorzugsweise [(CGS+CDS+Cs)·dVc-CDS·dVX]/Cs oder mehr.
Der Gegenelektrodensteuerkreis 107 erzeugt die Gegenelektrodenspannung (Vc) mit der Amplitude dVc, deren Polarität gegen das zweite Standardpotential (VT2) jeweils ein Mal pro Rahmenperiode umgekehrt wird und liefert sie an die Gegenelektrode 151.
Wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, ist ein Hauptteil eines Speicherkondensatorleitungssteuerkreises 109 aus einem ersten Gleichstromspannungserzeugerkreis 701, einem zweiten Gleichstromspannungserzeugerkreis 703, einem Additionskreis 705, einem Subtraktionskreis 707, einem ersten Umschaltkreis 709, einem zweiten Subtraktionskreis 711, einem zweiten Umschaltkreis 713 und einem Schieberegister 715 aufgebaut. Der erste Gleichstromspannungserzeugerkreis 701 erzeugt ein drittes Standardpotential (VT3) gegen das die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) umgekehrt wird. Der zweite Gleichstromspannungserzeugerkreis 703 erzeugt eine Spannung (VdH2/2), die die Amplitude (dVH&sub2;) bestimmt. Der Additionskreis 705 addiert das dritte Standardpotential (VT3) zu der Spannung (VdH2/2). Der Subtraktionskreis 707 subtrahiert die Spannung (VdH&sub2;/2) von dem dritten Standardpotential (VT3). Der erste Umschaltkreis 709 selektiert die Ausgabe von dem Additionskreis 705 oder die Ausgabe von dem Subtraktionskreis 705 oder die Ausgabe von dem Subtraktionskreis 707 auf Basis eines Rahmensignals (SF) jeweils ein Mal pro Rahmenperiode (TF). Der zweite Subtraktionskreis 711 subtrahiert eine Spannung (VdH1), die eine Spannungsänderung (dVH1) in der Richtung entgegengesetzt zum Abtastpuls bestimmt, von der von dem Umschaltkreis 709 selektierten Ausgabe. Der zweite Umschaltkreis 713 selektiert eine der Ausgaben direkt von dem ersten Umschaltkreis 709 und die Ausgabe über den zweiten Subtraktionskreis 711.
Das Schieberegister 715 steuert den zweiten Umschaltkreis 713 auf Basis eines Takt-Pulses (CK) und eines Startsignals (ST), die ähnlich zu jenen sind, die einem Abtastleitungssteuerkreis 103 eingegeben wurden.
Der Speicherkondensatorleitungsspannung 109 selektiert die addierte Ausgabe der Spannung (VdH2) und das dritte Gleichstromstandardpotential (YT3) oder die subtrahierte Ausgabe der Spannung (YdH2) und das dritte Standardpotential (VT3), abwechselnd. Als ein Ergebnis wird die Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) mit der Amplitude (dYH2) an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt. Die Spannung (YdH1) wird von der Ausgabe von dem zweiten Umschaltkreis 713 auf der Basis des Taktpulses (CK) und des Startsignals (ST) subtrahiert, so daß, wie in Fig. 8 (d) gezeigt, die Speicherkondensatorleitungsspannung (YH) in der Richtung entgegengesetzt zum Abtastpuls durch eine Spannungsänderung (dYH1) geändert wird. Die resultierende Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt.
Bei dem Flüssigkristallanzeigegerät der vorliegenden Erfindung hat die Speicherkondensatorleitungsspannung (YH) die Spannungsänderung (dVH&sub1;) und die Spannungsamplitude (dYH2), die die Sprünge (ΔV1) bzw. (ΔV2) unterdrücken. Diese Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird an jede Speicherkondensatorleitung 143 angelegt. Z. B. wird eine Speicherkondensatorleitungsspannung (VHj), die mit einer Zeitsteuerung sychnchronisiert ist, wobei ein Abtastpuls an den j-ten Abtastpuls 125 angelegt wird, an die j-te Speicherkondensatorleitung 143 angelegt. Daher kompensiert dies die elektrische Potentialdifferenz eines Flüssigkristallkondensators (CLC) 155, die von Störkapazitäten (CGS), (CDS) geändert werden, um die Sprünge (ΔV1), (ΔV2) zu beseitigen.
Eine solche Speicherkondensatorleitungsspannung (YH), die die Sprünge (ΔY1),(ΔY2) beseitigt, wird genau beschrieben.
Die Spannungen ΔV1[V], ΔY2[V] der Sprünge (ΔV1),(ΔV2) sind durch die folgenden Gleichungen dargestellt:
ΔV1 = (CGS·dVY+Cs·dVH)/(CGS+CDS+CLC+Cs) ΔV2 = {CDS· [VX(TF1)-VX(TF2)]+Cs·dVH&sub2;-(CGS+CDS) [Vc(TF1)- Vc(TF2)] }/(CGS+CDS+CLC+Cs)
wobei dVY[V] die Amplitude des Abtastpulses (VY) ist; dYH1[Y] die Spannungsänderung der Speicherkondensatorleitungsspannung is; dVH2 [V] die Spannungsamplitude ist; VX(TF1)[V] die Bildsignalspannung (VX) für eine Rahmenperiode (TF1) ist; Vc(TF1), [V] die Gegenelektrodenspannung (Vc) ist; VX(TF2) [V] die Bildsignalspannung (VX) für die nächste Rahmenperiode (TF2) nach der Rahmenperiode (TF1) ist; VC(TF2) [V] die Gegenelektrodenspannung (Vc) ist; Cs[F] der Kapazitätswert des Speicherkondensators (Cs) 145 ist; CLC[F] der Kapazitätswert des Flüssigkristallkondensators (CLC)155 ist; und (CGS) [F] und (CDS) [F] die Kapazitätswerte der Störkapazitäten (CGS) bzw. (CDS) sind.
Bei dem Flüssigkristallanzeigegerät der vorliegenden Erfindung wird die Polarität einer Speicherkondensatorleitungsspannung (VHj) gegen das dritte Standardpotential umgekehrt, das mit einer Gegenelektrodenspannung (Vc) synchronisiert ist, um das gleiche zu sein, wie das der Gegenelektrodenspannung(Vc).Die Speicherkondensatorleitungsspannung(UHj) ist so gesteuert, daß ihre Amplitude (dVH&sub2;) ist:
dVH2 = [CGS+CDS+Cs) · (Vc(TF1)-Vc(TF2))-CDS · (VX(TF1),-VX(TF2)))]/Cs. Die Spannung der Speicherkondensatorleitungsspannung (VHj) wird gesteuert, um in der Richtung entgegengesetzt zum Abtastpuls geändert zu werden, der mit einem Abtastpuls (VYj) durch einen geänderten Betrag dUH1 = I-CGS·dVY/CsI. Eine solche Speicherkondensatorleitungsspannung (UHj) wird an die j-te Speicherkondensatorleitung 143 angelegt, synchronisiert mit der Zeitsteuerung des Abtastpulses (VYj). Die j-te Speicherkondensatorleitung 143 entspricht einer Pixel-Elektrode 137, die mit einem TFT Element 127 verbunden ist, das mit dem Abtastpuls (VYj) über die j-te Abtastleitung 125 beaufschlagt wird. Daher können die Sprünge (ΔV1),(ΔV2)am wirksamsten unterdrückt werden.
Da der Wert von oben (VX(TF1)-VX(TF2)) in jedem Augenblick für eine Bilddarstellung geändert wird, wird die mittlere Spannung zwischen den Maximal- und Minimalwerten der Bildsignalspannung (UX) in diesem Ausführungsbeispiel tatsächlich verwendet.
In diesem Ausführungsbeispiel wird die Amplitude (dVH2) der Speicherkondensatorleitungsspannung (UH) auf den Wert eingestellt, bei dem der Sprung (ΔV2) am wirksamsten entfernt wird. Die Amplitude (dVH2) ist jedoch nicht auf diesen Wert begrenzt. Wenn die Amplitude (dVH2) auf [CGS+CDS+Cs) (Vc(TF1)-Vc(TF2))-CDS· (VX(TF1)-VX(TF2))]/Cs /5 oder mehr eingestellt ist, können vorteilhafte Wirkungen für die praktische Anwendung erreicht werden. Wenn der Maximalwert davon 1 [CGS+CDS+Cs) (Vc(TF1)-Vc(TF2))- CDS·(VX(TF1)-VX(TF2))]Cs x10, vorzugsweise 1 [CGS+CDS+Cs)(Vc(TF1)-Vc(TF2))- CDS (VX(TF1)-VX(TF2))]Cs x4 ist, so können vorteilhafte Wirkungen, die visuell erkennbar sind erzielt werden.
In dem Fall, in dem eine Gegenelektrodenspannung (Vc) angelegt wird, deren Polarität gegen das zweite Standardpotential periodisch umgekehrt wird, kann eine Verzerrung in der Gegenelektrodenspannung (Yc) auftreten, die von dem Wert des Flüssigkristallkondensator (CLC) zum Zeitpunkt der Polaritätsumkehr abhängt. Dies kann eine Ungleichmäßigkeit der Helligkeit in den Richtungen der Signalleitung und der Abtastleitung verursachen. Die bestimmte Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) wird jedoch an den Speicherkondensator 145 angelegt, um die Potentialänderung einer Gegenelektrode 151 zu vermindern, die von einer Änderung der Bildsignalspannung (VX) begleitet wird, die an die Signalleitung 123 angelegt werden soll. Daher kann ein Schirmbild mit hoher Qualität erhalten werden. Wird eine solche Abnahme der Potentialänderung der Gegenelektrode 151 betrachtet, wird die Amplitude (dVH2) der Speicherkondensatorleitungsspannung (VH) vorzugsweise auf einen großen Wert in dem obigen Bereich eingestellt. Der Wert ist vorzugsweise 1 [CGS+CDS+Cs)(Vc(TF1)-Vc(TF2,)- CDS·(VX(TF1)-VX(TF2)]/CS oder mehr.
In den obigen Ausführungsbeispielen ist der Fall, in dem die Bildsignalspannung (VX) gegen das Standardpotential jeweils ein Mal pro Rahmenperiode umgekehrt wird, veranschaulicht. Jedoch wird selbst in dem Fall, in dem die Bildsignalspannung (VX) bei jeder Abtastleitung oder einer Mehrzahl von Abtastleitungen umgekehrt wird, eine Speicherkondensatorleitungsspannung (VH), die den Sprung (ΔV2) kompensiert, an die Speicherkondensatorleitung 143 angelegt, wodurch ähnlich vorteilhafte Wirkungen erzielt werden.
Obwohl in den obigen Ausführungsbeispielen das zweite Standardpotential (VT2) auf dasselbe Potential eingestellt ist wie das dritte Standardpotential (VT3), kann das zweite Standardpotential (VT2) auf andere Potentiale eingestellt sein.
Obwohl das erste Standardpotential (VT1) in den obigen Ausführungsbeispielen auf ein Potential eingestellt ist, das unterschiedlich zu dem des zweiten Standardpotentials (VT2) ist, so ist dies keinerlei Begrenzung. Das erste Standardpotential (VT1) kann auf dasselbe Potential eingestellt werden wie das zweite Standardpotential (VT2). In diesem Fall geht jedoch die Wirkung verloren,(ΔU1) durch eine Offsetspannung zu unterdrücken. Daher ist es notwendig, daß (ΔV1) ignoriert wird, in der Annahme, daß (ΔV1) klein genug ist, um die praktische Verwendung einer Bilddarstellung nicht zu stören. Sonst würden andere Einrichtungen gebraucht, um (ΔV1) zu beseitigen.
In den obigen Ausführungsbeispielen wird die Polarität der Bildsignalspannung (VX) gegen eine Art von erstem Standardpotential (VT1) umgekehrt. Die Technik der vorliegenden Erfindung kann jedoch auf den Fall angewendet werden, dem eine Mehrzahl von Standardpotentialarten der Bildsignalspannung (VX) eingestellt wird, wie etwa mehrfach abgestufte Anzeigen.
In offensichtlicher Weise sind zahlreiche (zusätzliche) Modifikationen, beispielsweise eine Modifikation des TFT-Materials oder des Aufbaus innerhalb des Schutzbereichs der angefügten Ansprüche möglich.

Claims

1. Flüssigkristallanzeigegerät, welches aufweist:

eine Matrixschaltung mit einer Mehrzahl von Abtastleitungen (125) und einer Mehrzahl von Signalleitungen (123), die angeordnet sind, um sich mit der Mehrzahl der Abtastleitungen zu kreuzen, wobei ein Abtastpuls an die Abtastleitungen (125) angelegt ist, und eine Bildsignalspannung mit einer periodisch umgekehrten Polarität bezüglich eines ersten Standardpotentials an die Signalleitungen (123) angelegt ist;

eine Pixel-Elektrode (137), die jeweils an einem Kreuzungspunkt der Mehrzahl von Abtastleitungen (125) und der Mehrzahl von Signalleitungen (123) angeordnet ist;

ein Transistorschaltelement (127), das an jedem Kreuzungspunkt der Mehrzahl der Abtastleitungen (125) und der Mehrzahl der Signalleitungen (123) enthalten und jeweils mit der Pixel-Elektrode (137) verbunden ist;

einen Speicherkondensator, der zwischen der Pixel-Elektrode (137) und der Speicherkondensatorleitung (143) ausgebildet ist;

eine Gegenelektrode (151), die gegenüber der Pixel-Elektrode (137) angeordnet ist;

eine Flüssigkristallmischung (115), die zwischen der Pixel-Elektrode (137) und der Gegenelektrode (151) gehalten ist; und

eine Einrichtung zum Liefern einer Speicherkondensatorleitungsspannung an die Speicherkondensatorleitung (143), dadurch gekennzeichnet, daß die Liefereinrichtung einen Erzeugerkreis enthält, der die Speicherkondensatorleitungsspannung erzeugt, deren Polarität bezüglich eines zweiten Standardpotentials umgekehrt ist, während sie im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung synchronisiert ist, und daß die Speicherkondensatorleitungsspannung, die an die Speicherkondensatorleitung (143) angelegt ist, um eine erste Änderung einer Flüssigkristallspannung zu kompensieren, die zwischen der Pixel-Elektrode (137) und der Gegenelektrode (151) erzeugt wird, im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung synchronisiert ist.

2. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 1, weiter enthaltend eine Gegenelektrodensteuereinrichtung, um eine Gleichstromspannung an die Gegenelektrode zu liefern.

3. Flüssigkristallanzeigegerät gemäß Anspruch 2, wobei eine Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung, im wesentlichen synchronisiert mit der Bildsignalspannung im Bereich von (-CDS·dVX/Cs /5 bis (-CDS·dVX/Cs) x10 ist,

wobei CDS eine Störkapazität ist, die mit einer Drain-Elektrode (135) des Transistorschaltelements (127) und einer Source-Elektrode (139) des Transistorschaltelements (127) ist, dVX eine Amplitude der Bildsignalspannung und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

4. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 3, wobei die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist, (-CDS·dVX/CS) ist.

5. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 1, wobei die Gegenelektrode (151) mit der Steuereinrichtung für die Gegenelektrodenspannung zum Liefern einer Gegenelektrodenspannung verbunden ist, die eine Gegenspannungspolarität besitzt, die bezüglich eines dritten Standardpotentials umgekehrt ist, während sie mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist und eine Polarität besitzt, die bezüglich des dritten Standardpotentials, dessen Polarität dieselbe ist wie die der Speicherkondensatorleitungsspannung, bezüglich des zweiten Standardpotentials umgekehrt ist.

6. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 5, wobei die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung größer ist als die der Gegenelektrodenspannung, die im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist.

7. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 5, wobei die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist, im Bereich von [(CGS+CDS+Cs)·dVC- CDS·dVX]/Cs /5 bis [(CGS+CDS+Cs)·dVC-CDSdVX]ICs x10 ist, wobei CGS eine Störkapazität ist, die mit einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordnet ist, CDS eine Störkapazität ist, die zu einer Drain-Elektrode und einer Source- Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordnet ist, dVc eine Amplitude der an die Gegenelektrode (151) angelegten Gegenelektrodenspannung ist, dVX eine Amplitude der Bildsignalspannung ist und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

8. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 7, wobei die Amplitude der Speicherkondensatorleitungsspannung 1 [(CGS+CDS+Cs)·dVC-CDS·dVX]ICs ist.

9. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 2, wobei die Speicherkondensatorleitungsspannung, deren Potential sich ändert, während es im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, um eine zweite Änderung der am Flüssigkristall anliegenden Spannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, zu kompensieren, an die Speicherkondensatorleitung angelegt ist.

10. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 9, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung; die im wesent lichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, im Bereich von (-CGS·dVY/Cs /2 bis (-CGSdVY) Cs x2 ist, wobei CGS eine Störkapazität zwischen einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127), dVY eine Amplitude des Abtastpulses und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

11. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 10, wobei die Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, (-CGS·dUY)/Cs ist.

12. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 9, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist, im Bereich von -CDS·[VX(TF1)- VX(TF2)]/Cs(/5 bis -CDS·[VX(TF1)-VX(TF2)]/Cs xs ist,

wobei CDS eine Störkapazität ist, die einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordnet ist, VX(TF1) eine Bildsignalspannung für eine Periode (TF1) ist, VX(TF2) eine Bildsignalspannung für eine nächste Periode (TF2) und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

13. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 12, wobei die Potentialänderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist, -CDS·[VX(TF1)-UX(TF2)]/Cs ist.

14. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 5, wobei dessen Potential sich ändert, während es im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, um eine zweite Änderung der am Flüssigkristall anliegenden, im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisierten Spannung zu kompensieren, und an die Speicherkondensatorleitung angelegt ist.

15. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 14, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, im Bereich von (-CGS·dVY)/Cs /2 bis (-CGS·dVY)/Cs x2 ist,

wobei CGS eine zu einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordnete Störkapazität ist, dVY eine Amplitude des Abtastpulses und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

16. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 15, wobei die Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, (-CGS·dVY)/Cs ist.

17. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 14, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung synchronisiert ist, in dem Bereich von {(CGS+CDS+Cs)·[Vc(TF1)-Vc(TF2)]-CDS·[VX(TF1)-VX(TF2)]}/Cs /5 bis {(CGS+CDS+Cs)[Vc(TF1)-Vc(TF2)]-CDS·[VX(TF1)-VX(TF2)]}/Cs x10 ist, wobei CGS eine zu einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordneten Störkapazität ist, CDS eine zu einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordneten Störkapazität ist, Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist, VC(TF1) eine Gegenelektrodenspannung für eine Periode (TF1) ist, VC(TF2) eine Gegenelektrodenspannung für eine nächste Periode (TF2) ist, VX(TF1) eine Bildsignalspannung für eine Periode (TF1) ist, und VX(TF2) eine Bildsignalspannung für eine nächste Periode (TF2) ist.

18. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 17, wobei die Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit der Polaritätsumkehr der Bildsignalspannung synchronisiert ist, (CGS+CDS+Cs)·[Vc(TF1)-Vc(TF2)]-CDS·[VX(TF1)-VX(TF2)])/Cs ist.

19. Flüssigkristallanzeigegerät, welches aufweist:

eine Matrixschaltung mit einer Mehrzahl von Abtastleitungen (125) und einer Mehrzahl von Signalleitungen (123), die angeordnet sind, um sich mit der Mehrzahl der Abtastleitungen (125) zu kreuzen, wobei ein Abtastpuls an die Abtastleitungen (125) angelegt ist, und eine Bildsignalspannung mit einer periodisch umgekehrten Polarität bezüglich eines ersten Standardpotentials an die Signalleitungen (123) angelegt ist;

eine Flüssigkristallmischung (115), die zwischen der Pixel-Elektrode (137) und der Gegenelektrode (151) gehalten ist;

ein Speicherkondensator, der zwischen der Pixel-Elektrode (137) und der Speicherkondensatorleitung (143) ausgebildet ist; und

eine Einrichtung zum Liefern einer Speicherkondensatorleitungsspannung an die Speicherkondensatorleitung (143), dadurch gekennzeichnet, daß die Liefereinrichtung einen Generatorkreis zur Generierung der Speicherkondensatorleitungsspannung, deren Potentialwert sich im wesentlichen synchronisiert mit dem Abtastpuls ändert, und wobei eine Richtung der Potentialwertänderung der Speicherkondensatorleitungsspannung entgegengesetzt ist zu einer Richtung der Potentialwertänderung des Abtastpulses, um eine Änderung einer Flüssigkristallspannung (V1) zu kompensieren, die zwischen der Pixel- Elektrode und der Gegenelektrode erzeugt wird und im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, enthält.

20. . Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 19, weiter enthaltend eine Gegenelektrodensteuereinrichtung zum Liefern einer Gleichstromspannung an die Gegenelektrode, wobei die Gegenelektrodensteuereinrichtung mit der Gegenelektrode verbunden ist.

21. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 20, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, in dem Bereich von (-CGS·dVY)/Cs /2 bis (-CGS·dVY)/Cs x2,

wobei CGS eine zu einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements (127) zugeordneten Störkapazität ist, dVY eine Amplitude des Abtastpulses und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

22. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 21, wobei die Potentialänderung der Speicherkondensatorleitungsspannung 1 (-CGS·dVY)/Cs ist.

23. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 19, weiter enthaltend eine Gegenelektrodensteuereinrichtung zum Anlegen einer Gegenelektrodenspannung, die eine Gegenelektrodenspannungspolarität besitzt, die bezüglich eines zweiten Standardpotentials umgekehrt ist, während sie im wesentlichen mit der Bildsignalspannung synchronisiert ist, an die Gegenelektrode.

24. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 23, wobei eine Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung, die im wesentlichen mit dem Abtastpuls synchronisiert ist, in dem Bereich von (-CGS·dVY)/Cs /2 bis (-CGS·dVY)/Cs x2 ist,

wobei CGS eine Störkapazität zwischen einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Transistorschaltelements ist, dVY eine Amplitude des Abtastpulses und Cs eine Kapazität des Speicherkondensators ist.

25. Flüssigkristallanzeigegerät nach Anspruch 24, wobei die Änderung der Speicherkondensatorleitungsspannung (-CGS·dVY)/Cs ist.