[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE68926906T2 - Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion - Google Patents

Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion

Info

Publication number
DE68926906T2
DE68926906T2 DE68926906T DE68926906T DE68926906T2 DE 68926906 T2 DE68926906 T2 DE 68926906T2 DE 68926906 T DE68926906 T DE 68926906T DE 68926906 T DE68926906 T DE 68926906T DE 68926906 T2 DE68926906 T2 DE 68926906T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
opto
optical
electrical
counter electrode
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE68926906T
Other languages
English (en)
Other versions
DE68926906D1 (de
Inventor
Robert C Bajcar
Jerzy A Dobrowolski
Brian T Sullivan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Research Council of Canada
Original Assignee
National Research Council of Canada
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Research Council of Canada filed Critical National Research Council of Canada
Application granted granted Critical
Publication of DE68926906D1 publication Critical patent/DE68926906D1/de
Publication of DE68926906T2 publication Critical patent/DE68926906T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion.
  • Elektrolumineszente Vorrichtungen bestehen typischerweise aus einer mitunter zwischen Dielektrika eingeschlossenen elektrolumineszenten Schicht mit an beiden Seiten befestigten Elektroden. Bei Anlegen einer Spannung an die Elektroden wird Licht aus der elektrolumineszenten Schicht und durch die Elektroden, falls diese transparent sind, emittiert. Bei einer Beleuchtung unter starkem Umgebungslicht besteht das Licht, welches den Betrachter erreicht, aus dem von der Vorrichtung emittierten Licht und reflektierten Umgebungslicht. Wenn Lon die emittierte Leuchtdichte, R der Reflexionsgrad der Vorrichtung und Iamb die Umgebungs-Beleuchtungsstärke ist, dann kann das Verhältnis von Signallicht zu reflektiertem Umgebungslicht (SRA) ausgedrückt werden als
  • SRA = Lon/(R Iamb) (1)
  • Selbstverständlich ist ein hohes SRA erwünscht, was unter einer gegebenen Beleuchtung mit Umgebungslicht entweder durch Erhöhung der Helligkeit oder Verringerung des Reflexionsgrades der Vorrichtung erreicht werden kann.
  • Von besonderem Interesse sind Vorrichtungen, die Bilder darstellen können. Elektronische Anzeigen, insbesondere Licht emittierende Anzeigen, sind in Anwendungen, bei denen hohe Umgebungsbeleuchtungsstärken, beispielsweise direktes Sonnenlicht, auftreten, auf Grund ihres hohen Reflexionsgrades für Umgebungslicht häufig begrenzt, weshalb die Neigung auftritt, daß die dargestellten Bilder "ausgebleicht" erscheinen.
  • Auf einer Anzeige wird ein Bild unter Verwendung aktivierter Bildelemente (ON-Pixel mit einer Leuchtdichte Lon) des Bildschirms, deren Leuchtdichte im Verhältnis zum Bildschirmhintergrund höher ist, gebildet. Der Bildschirmhintergrund für ein bestimmtes Bild besteht aus inaktiven Pixeln (OFF-Pixel mit einer Leuchtdichte Loff) zusammen mit den passiven Elementen der Anzeige, d.h. der Fläche zwischen den Pixeln.
  • Die Erkennbarkeit eines dargestellten Bildes kann quantitativ als ein Kontrastverhältnis definiert werden. Wenn der Reflexionsgrad R der Pixel und die Umgebungs-Beleuchtungsstärke Iamb ist, dann kann, wenn die passiven Elemente der Anzeige aus Gründen der Vereinfachung vernachlässigt werden, das Kontrastverhältnis (CR) ausgedrückt werden als
  • CR = (Lon + R Iamb)/(Loff + R Iamb) (2).
  • Liegt das Kontrastverhältnis unter einem bestimmten Wert, verschlechtern sich die Erkennbarkeitsergebnisse und die Anzeige kann als ungenügend bewertet werden. Bei einer starken Umgebungsbeleuchtung nimmt das Kontrastverhältnis ab und CR geht gegen eins, sofern nicht entweder Lon erhöht wird oder der Reflexionsgrad für Umgebungslicht der Pixel minimiert werden kann.
  • Bisherige Versuche, das Kontrastverhältnis und damit die Erkennbarkeit elektronischer Anzeigen zu verbessern, schließen beispielsweise die Anwendung von Antireflexbeschichtungen auf der Anzeigeaußenseite und zusätzlichen Filterelementen wie Polarisatoren, Bandfilter, Graufilter, Lamellenbildschirme und Kunststoffgitter ein. Bei einigen dieser Verfahren mußte in bezug auf die Helligkeit der Anzeige ein Kompromiß geschlossen werden, manchmal bis zu einem nicht akzeptablen Grad. Die Erhöhung der Leuchtdichte der Pixel, um diesen Effekt zu kompensieren, kann zu einer kürzeren Lebensdauer und zu Zuverlässigkeitsproblemen führen.
  • Eine wichtige opto-elektrische Vorrichtung ist die elektrolumineszente Vorrichtung, die verschiedene charakteristische Merkmale besitzt: niedriger Stromverbrauch, potentiell hoher Kontrast, geringes Gewicht, großer Betrachtungswinkel, nichtlineare Lumineszenz gegen Spannungscharakteristika, was für die Adressierung der Matrix wichtig ist, und Vielfarbendarstellbarkeit. Eine typische elektrolumineszente Wechselstromvorrichtung besteht aus den opto-elektrischen Teilen, die als
  • a) transparente Frontelektrode,
  • b) erstes transparentes Dielektrikum,
  • c) elektrolumineszentes Teil,
  • d) zweites Dielektrikum und
  • e) rückseitige oder Gegenelektrode
  • arbeiten.
  • Mitunter werden die Dielektrika (b) und (d) weggelassen, was den Gleichstrombetrieb der Vorrichtung erlaubt. Bei Anlegen einer Spannung an die Elektroden kann im elektrolumineszenten Teil ein starkes elektrisches Feld erzeugt werden, was sich als Elektrolumineszenz äußert. Die dielektrischen Schichten werden eingesetzt, um den Strom in der Vorrichtung zu begrenzen und ein verhängnisvolles Durchschlagen des elektrolumineszenten Teils zu verhindern, wobei jedoch die Vorrichtung dann elektrischerseits einen Kondensator bildet, weshalb es notwendig wird, eine Wechselspannung an die Elektroden anzulegen. Bei großflächigen Anzeigeeinrichtungen muß die Gegenelektrode einen niedrigen spezifischen elektrischen Widerstand besitzen, weshalb es üblicherweise erforderlich ist, sie aus einem Metall wie Aluminium zu fertigen. Nachteiligerweise führt das zu einer Vorrichtung mit einem hohen Reflexionsgrad im sichtbaren Bereich des optischen Spektrums.
  • Eine spezielle Anwendung der elektrolumineszenten Vorrichtung ist eine Anzeige, in welcher Pixel oder, allgemeiner, Muster, gebildet werden, wenn sich Bereiche der Frontelektrode (a) und der rückseitigen Elektrode (e) in Betrachtungsrichtung einander teilweise überlagern. Das Umgebungslicht wird von der metallischen Gegenelektrode sehr reflektiert, was bei einer starken Beleuchtung mit Umgebungslicht zu einem niedrigen Kontrastverhältnis für die Anzeige führt.
  • In DE-A-3 231 727 ist eine elektrolumineszente Anzeigevorrichtung dieses Typs offenbart. Zur Verbesserung des Kontrastverhältnisses ist die Vorrichtung mit einer schwarzen Schicht versehen, die haibleitend und stark streuend ist. Die optische Streuung im sichtbaren Spektrum dieser Schicht ist ausreichend, um zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der Gegenelektrode für Absorption zu sorgen.
  • Es bleibt dennoch weiterhin ein Bedarf an einer elektrolumineszenten Vorrichtung bestehen, deren Kontrastverhältnis durch einen niedrigen Gesamtreflexionsgrad für Umgebungslicht deutlich verbessert ist. Von den Erfindern ist festgestellt worden, daß dies erfindungsgemäß erreicht werden kann, indem das im Stand der Technik als optische Interferenz bekannte Dünnschichtphänomen genutzt wird.
  • Optische Interferenz ist definiert als die Veränderung der Amplitude einer elektromagnetischen Welle mit der Entfernung oder Zeit, die durch überlagerung zweier oder mehrerer elektromagnetischer (Licht-)Wellen verursacht wird. Diese zwei oder mehr Wellen können das Ergebnis von Reflexion oder Durchlässigkeit an den Grenzflächen der erfindungsgemäß verwendeten Dünnschicht-Mehrschichtstrukturen sein, vorausgesetzt, daß die Dicke der einzelnen Filme und Schichten ausreicht, um eine optische Interferenz der betreffenden Wellenlängen zu erzeugen.
  • Im US-Patent Nr. 4 287 449 vom 1. September 1981 "Light-Absorption Film for Rear Electrodes of Electroluminescent Display Panel", M. Takeda et al., ist vorgeschlagen worden, einen Anzeigebildschirm mit mindestens einer lichtabsorbierenden Schicht, die zwischen einer rückseitigen dielektrischen Schicht und einer Gegenelektrode angeordnet ist, um das durch eine transparente Elektrode strahlende Umgebungslicht zu absorbieren, bereitzustellen. In ein und derselben Vorrichtung können mehrere lichtabsorbierende Schichten ausgebildet sein. Für die etwa 10 bis 300 Å dicken lichtabsorbierenden Schichten nützliche Materialien sind beispielsweise Al&sub2;O&sub3;, Al&sub2;O3-x, Mo, Zr, Ti, Y, Ta, Ni und Al.
  • Die Eigenabsorption von Licht ist definiert als der Vorgang, in welchem ein Teil der Energie der elektromagnetischen (Licht-) Strahlung auf eine Substanz übertragen wird, auf welche sie auffällt oder die sie durchstrahlt. Dabei ist es möglich, den absorbierten Lichtanteil in einer Dünnschicht-Mehrschichtstruktur durch das Phänomen der optischen Interferenz deutlich über den des durch Eigenabsorption allein bewirkten zu vergrößern, wobei, wie oben erwähnt, die Dicke der einzelnen Filme und Schichten ausreichend sein muß, um bei den betreffenden Wellenlängen eine optische Interferenz zu erzeugen. Dieses Phänomen wird anschließend als optische Interferenz-verstärkte Absorption bezeichnet.
  • Die Vorrichtungen von Takeda et al. betreffen, obwohl sie nützlich sind, hauptsächlich nur die Eigenabsorption von Umgebungslicht, da die Schichten Dicken aufweisen, die nicht in der Lage sind, den Reflexionsgrad für Licht durch optische Interferenzverstärkte Absorption zu minimieren.
  • Erfindungsgemäß wird eine optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion bereitgestellt, welche
  • (a) eine für Elektrolumineszenz durchlässige, opto-elektrische Frontelektrode mit wenigstens einer Schicht,
  • (b) eine opto-elektrische Gegenelektrode, die rückseitig zur Frontelektrode angeordnet ist und wenigstens eine Schicht aufweist,
  • (c) ein opto-elektrisches elektrolumineszentes Teil mit wenigstens einer Schicht, das zwischen der Frontelektrode und der Gegenelektrode angeordnet ist, aufweist und gekennzeichnet ist durch
  • (d) für wenigstens eines der opto-elektrischen Teile ein optisches Teil, das sich im Grenzflächenkontakt damit befindet, so daß wenigstens ein optisches Teil im Grenzflächenkontakt mit der Gegenelektrode steht, wobei das optische Teil wenigstens einen optischen Interferenzfilm aufweist, der im wesentlichen transparent für Umgebungslicht ist, wobei der wenigstens eine optische Interferenzfilm einen Extinktionskoeffizienten aufweist, daß eine Durchlässigkeit per se für einfallendes Licht von wenigstens etwa 90 % bei einer vorbestimmten Wellenlänge besteht, und eine Dicke aufweist und aus einem Material besteht, daß die spektrale Reflexion der elektrolumineszenten Vorrichtung so modifiziert wird, daß die Reflexion von Umgebungslicht durch die elektrolumineszente Vorrichtung in Richtung auf einen Betrachter durch optische Interferenz von partiell an den Grenzflächen des wenigstens einen Filmes reflektierten Lichts in Verbindung mit der des Lichts, das partiell an den Schichten der optoelektrischen Teile reflektiert wird, reduziert wird.
  • Dieses wenigstens eine optische Teil kann mindestens einen weiteren Film enthalten, der in bezug auf sichtbares Licht partiell absorbierend ausgelegt ist, so daß die spektrale Reflexion und Absorption der Vorrichtung durch die Dicken und Materialien der im wesentlichen transparenten und partiell absorbierenden Filme des optischen Teils in Kombination mit den Dicken und Materialien der opto-elektrischen Teile modifiziert werden, so daß die Reflexion von Umgebungslicht durch die Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter weiter durch optische Interferenz-verstärkte Absorption des Lichts durch diesen mindestens einen weiteren Film reduziert ist.
  • Somit wird im Gegensatz zu Takeda et al. erfindungsgemäß optische Interferenz und erforderlichenfalls optische Interferenzverstärkte Absorption genutzt, um einen niedrigen Reflexionsgrad zu erreichen.
  • Die Vorrichtung kann weiterhin
  • a) ein erstes dielektrisches, für Elektrolumineszenz durchlässiges opto-elektrisches Teil mit wenigstens einer Schicht zwischen der opto-elektrischen Frontelektrode und dem optoelektrischen elektrolumineszenten Teil und
  • b) ein zweites dielektrisches, für Elektrolumineszenz durchlässiges opto-elektrisches Teil mit wenigstens einer Schicht zwischen der opto-elektrischen Gegenelektrode und dem elektrolumineszenten opto-elektrischen Teil umfassen, wobei in diesen Ausführungsformen
  • c) wenigstens eines der opto-elektrischen Teile das erste und zweite dielektrische opto-elektrische Teil umfaßt.
  • Die Dicken und Materialien der Schichten der opto-elektrischen Teile der Vorrichtung können so ausgewählt werden, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung durch optische Interferenz weiter verringert wird.
  • Wenn das wenigstens eine optische Teil einen partiell absorbierenden Pilm enthält,
  • a) kann die opto-elektrische Gegenelektrode eine hohe Reflexion aufweisen und
  • b) kann das wenigstens eine der optischen Teile im Grenzflächenkontakt mit der Vorderseite der opto-elektrischen Gegenelektrode stehen, so daß die Lichtreflexion der opto-elektrischen Gegenelektrode über das sichtbare Spektrum unter Einschluß der Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, durch das Verfahren der optischen Interferenz-verstärkten Absorption vermindert wird.
  • In weiteren Ausführungsformen, in welchen dieses wenigstens eine optische Teil einen partiell absorbierenden Film enthält,
  • a) weist die opto-elektrische Gegenelektrode eine niedrige Reflexion und hohe Durchlässigkeit bei den Wellenlängen auf, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird,
  • b) steht das wenigstens eine optische Teil im Grenzflächenkontakt mit der Rückseite der opto-elektrischen Gegenelektrode und
  • c) haben die im wesentlichen transparenten und partiell absorbierenden Filme des optischen Teils solche Dicken und Materialien, daß bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, die Reflexion hoch ist, um die Helligkeit der Vorrichtung zu erhöhen, während bei den anderen Wellenlängen die Absorption von Licht hoch ist, um die Reflexion von Umgebungslicht der Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu vermindern.
  • In anderen Ausführungsformen, in welchen dieses wenigstens eine optische Teil einen partiell absorbierenden Film enthält,
  • a) weist die opto-elektrische Gegenelektrode eine hohe Reflexion auf,
  • b) steht das optische Teil im Grenzflächenkontakt mit der Frontseite dieser Gegenelektrode und
  • c) haben die im wesentlichen transparenten und partiell absorbierenden Filme des optischen Teils solche Dicken und Materialien, daß bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, die Durchlässigkeit durch das optische Teil hoch ist, während bei anderen Wellenlängen die Lichtabsorption hoch ist, um die Reflexion von Umgebungslicht der Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu vermindern.
  • In noch anderen erfindungsgemäßen Ausführungsformen enthalten die opto-elektrische Front- und Gegenelektrode jeweils eine einer Vielzahl von opto-elektrischen Elektroden, wobei die opto-elektrischen Frontelektroden partiell Flächen der optoelektrischen Gegenelektroden überlagern, um eine eine Anzeige darstellende Vorrichtung zu bilden.
  • Wenn sie aus einer Vielzahl von opto-elektrischen Elektroden bestehen, können die opto-elektrische Front- und Gegenelektrode das Gittersystem einer ein Pixel-Display darstellenden Vorrichtung bilden.
  • Weiterhin können, wenn eine Vielzahl von opto-elektrischen Elektroden vorhanden ist, die Dicken und Materialien der Filme und Schichten in den Flächen verschiedener Überlagerungen so sein, daß durch den Vorgang der optischen Interferenz verschiedene Überlagerungsflächen der Vorrichtung im wesentlichen die gleiche Reflexion und Durchlässigkeit aufweisen, so daß ein im wesentlichen gleichförmiges Erscheinungsbild der Anzeige erscheint, wenn keine Elektrolumineszenz emittiert wird.
  • Der wenigstens eine im wesentlichen transparente optische Film kann eine optische Dicke, die als Produkt von Brechungsindex und geometrischer Dicke definiert ist, von mindestens etwa 0,035 µm mit einem derartigen Extinktionskoeffizienten haben, daß wenigstens etwa 90 % des auffallenden Lichtes per se mit einer vorbestimmten Wellenlänge durchgelassen werden.
  • Der wenigstens eine weitere optische Film, der teilweise absor bierend ist, kann eine Durchlässigkeit per se von mindestens etwa 35 % bei einer vorbestimmten Wellenlänge aufweisen.
  • Somit stellt die Erfindung eine optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion bereit, die wenigstens ein optisches Bauteil enthält, das mindestens einen Film umfaßt, dessen Material und Dicke mit der eigentlichen opto-elektrischen Funktion der Vorrichtung verträglich und derart sind, daß das bekannte Phänomen der optischen Interferenz an einer dünnen Schicht hervorgerufen wird. In dem optischen Teil können zusätzliche Filme vorhanden sein, die für eine optische Interferenz nicht erforderlich sind, jedoch die Verträglichkeit des optischen Teils mit dem opto-elektrischen Teil, mit welchem es sich im Kontakt befindet, verbessern. Die Materialien und Dicken der Schichten der opto-elektrischen Teile können so gewählt werden, daß sich ein niedriger Reflexionsgrad der kompletten Vorrichtung für Umgebungslicht ergibt. Weiterhin können Material und Dicke eines jeden Films in einem optischen Teil derart sein, daß durch das optische Teil entweder die Reflexion des Umgebungslichts an der vorderen Grenzfläche der opto-elektrischen Komponente, die an es angrenzt, oder die Gesamtreflexion der kompletten Vorrichtung für das Umgebungslicht minimiert wird. Durch die Verwendung der optischen Teile im Grenzflächenkontakt mit den opto-elektrischen Teilen kann eine höhere Leistung, d.h. ein niedrigerer Reflexionsgrad, und können weniger strenge Anforderungen an die Schichten der opto-elektrischen Teile erreicht werden.
  • Versuche zur Prüfung der Erfindung haben gezeigt, daß durch den Einbau optischer Teile in die Konstruktion elektrolumineszenter Anzeigevorrichtungen das Kontrastverhältnis (CR) und die Erkennbarkeitseigenschaf ten der Anzeige bei Einstrahlung von Sonnenlicht beträchtlich verbessert werden können. Weiterhin haben Versuche zur Prüfung der Erfindung ergeben, daß optische Teile zur Verwendung in elektrolumineszenten Vorrichtungen für die Absorption, Durchlässigkeit oder Reflexion von Umgebungslicht über einen weiten Bereich von spektralen Wellenlängen und Einfallswinkeln abhängig von den Erfordernissen der speziellen Vorrichtung auf unkomplizierte Art und Weise entworfen und hergestellt werden können.
  • In den im Anhang befindlichen Zeichnungen werden beispielhaft erfindungsgemäße Ausführungsformen veranschaulicht, wobei
  • - Figur 1 eine vergrößerte schematische Endansicht einer optischen elektrolumineszenten Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion,
  • - Figur 2 ein Diagramm, in welchem der spektrale Reflexionsgrad einer bekannten Vorrichtung mit dem spektralen Reflexionsgrad zweier Ausführungsformen der in Figur 1 dargestellten Vorrichtung verglichen wird,
  • - Figur 3 ein Diagramm des spektralen Reflexionsgrades und Absorptionsgrades einer optischen elektrolumineszenten Interferenz-Vorrichtung, die sich wie ein Breitbandabsorber mit bei den Elektrolumineszenzwellenlängen schmalbandiger Reflexion verhält,
  • - Figur 4 ein Diagramm des spektralen Transmissionsgrades und Absorptionsgrades einer optischen elektrolumineszenten Interferenz-Vorrichtung, die sich wie ein Breitbandabsorber mit bei den Elektrolumineszenzwellenlängen schmalbandiger Durchlässigkeit verhält,
  • - Figur 5 eine vergrößerte schematische Vorderansicht eines Teils einer optischen elektrolumineszenten Interferenz-Anzeigevorrichtung mit niedriger Reflexion und
  • - Figur 6 eine Seitenansicht entlang I-V der Figur 5
  • zeigt.
  • In Figur 1 ist eine insgesamt mit 1 numerierte optische elektrolumineszente Interferenz-vorrichtung mit niedriger Reflexion dargestellt, umfassend
  • a) eine opto-elektrische elektrolumineszente, durchlässige Frontelektrode 2, die in dieser Ausführungsform zwei Schichten 4 und 6 umfaßt,
  • b) eine opto-elektrische Gegenelektrode 8, die zur Rückseite der opto-elektrischen Frontelektrode 2 eine Schicht umfaßt,
  • c) ein elektrolumineszentes opto-elektrisches Teil 10, das zwischen der opto-elektrischen Frontelektrode 2 und der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 eine Schicht umfaßt, und
  • d) für wenigstens eines der opto-elektrischen Teile 2, 8 und 10 ein optisches Teil, in dieser Ausführungsform die optischen Teile 12, 14, 16 und 18, das im Grenzflächenkontakt damit steht, wobei die optischen Teile 12, 14, 16 und 18 jeweils mindestens einen optischen Interferenzfilm 20, 22, 24 bzw. 26 enthalten, der im wesentlichen für Umgebungslicht transparent ist, und der spektrale Reflexionsgrad der Vorrichtung durch die Dicken und Materialien der Filme 20, 22, 24 und 26 modifiziert wird, die entsprechend den Dicken und Materialien der opto-elektrischen Teile 2, 8 und 10 derart ausgewählt sind, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung 1 für das umgebungslicht X zum Betrachter in beispielsweise den Richtungen Y und Z durch optische Interferenz des Lichts, das teilweise an den Grenzflächen der jeweiligen Filme 20, 22, 24 und 26 reflektiert wird, in Kombination mit derjenigen des Lichts, das teilweise an den Grenzflächen der Schichten der opto-elektrischen Teile 2, 8 und 10 reflektiert wird, verringert wird.
  • In dieser Ausführungsform sind die opto-elektrischen Teile 2, 8 und 10 und die optischen Teile 12, 14, 16 und 18 Beschichtungen auf einem Glassubstrat 28.
  • Die Schichten 4 und 6 der opto-elektrischen Frontelektrode 2 können eine transparente Schicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Gold sein.
  • Die opto-elektrische Gegenelektrode 8 kann aus Aluminium sein.
  • Das elektrolumineszente opto-elektrische Teil 10 kann aus ZnS:Mn bestehen.
  • Die im wesentlichen transparenten optischen Interferenzfilme 20, 22, 24 und 26 der optischen Teile 12, 14, 16 und 18 können im wesentlichen transparente Filme aus Al&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, ZrO&sub2;, HFO&sub2;, Sc&sub2;O&sub3;, TiO&sub2;, ITO, La&sub2;O&sub3;, MgO, Ta&sub2;O&sub5;, ThO&sub2;, Y&sub2;O&sub3;, CeO&sub2;, AlF&sub3;, CeF&sub3;, Na&sub3;AlF&sub6;, LaF&sub3;, MgF&sub2;, ThF&sub4;, ZnS, Sb&sub2;O&sub3;, Bi&sub2;O&sub3;, PbF&sub2;, NdF&sub3;, Nd&sub2;O&sub3;, Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, SiO, NaF, ZnO, LiF und GdO&sub2; oder aus anderen dem Fachmann bekannten, für dünne Schichten geeigneten Materialien sein. Die optische Dicke der im wesentlichen transparenten Filme, die als Produkt von Brechungsindex und geometrischer Dicke definiert ist, sollte vorzugsweise mindestens etwa 0,035 µm mit einem solchen Extinktionskoeffizienten betragen, daß vorzugsweise mindestens etwa 90 % des auffallenden Lichtes per se bei einer vorbestimmten Wellenlänge durchgelassen werden.
  • In einigen erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfaßt wenigstens eines der optischen Teile 12, 14, 16 und 18 mindestens einen weiteren Film 30, 32, 34 bzw. 36, der sichtbares Licht teilweise absorbiert, wodurch der spektrale Reflexionsgrad und Absorptionsgrad der Vorrichtung 1 durch die Dicken und Materialien der im wesentlichen transparenten und teilweise absorbierenden Filme 20, 22, 24 bzw. 26 und 30, 32, 34 bzw. 36 der optischen Teile 12, 14, 16 bzw. 18 in Kombination mit den Dicken und Materialien der Schichten der opto-elektrischen Teile 2, 8, und 10 derart modifiziert werden, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung für Umgebungslicht X zum Betrachter in beispielsweise den Richtungen Y und Z durch optische Interferenzabsorption des Lichts auf Grund der weiteren teilweise absorbierenden Filme 30, 32, 34 und 36 weiter verringert wird.
  • Die teilweise lichtabsorbierenden Filme 30, 32, 34 und 36 können beispielsweise aus Al, Cu, Au, Mo, Ni, Pt, Rh, Ag, W, Cr, Co, Fe, Ge, Hf, Nb, Pd, Re, V, Si, Se, Ta, Y und Zr sowie aus Legierungen dieser Metalle wie Inconel und Nichrom oder beliebigen absorbierenden Oxiden dieser Metalle oder deren Legierungen bestehen. Bei teilweise absorbierenden Filmen sollten Extinktionskoeffizient und Dicke des Films derart sein, daß die Durchlässigkeit durch den Film bei der vorbestimmten Wellenlänge unter Vernachlässigung der optischen Interferenz vorzugsweise mindestens etwa 35 % betragen sollte.
  • Die bisher beschriebene Vorrichtung 1 ist besonders geeignet, wenn an die opto-elektrischen Elektroden 2 und 8 eine Gleichspannung angelegt wird.
  • Zur Stabilisierung des elektrolumineszenten opto-elektrischen Teils 10 gegen einen elektrischen Durchschlag kann die Vorrichtung 1 außerdem umfassen:
  • a) ein erstes dielektrisches opto-elektrisches Teil 38, das wenigstens eine Schicht, in dieser Ausführungsform zwei Schichten 40 und 42, zwischen der opto-elektrischen Frontelektrode 2 und dem elektrolumineszenten opto-elektrischen Teil 10 umfaßt, und
  • b) ein zweites dielektrisches opto-elektrisches Teil 44, das wenigstens eine Schicht, in dieser Ausführungsform zwei Schichten 46 und 48, zwischen der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 und dem elektrolumineszenten opto-elektrischen Teil 10 umfaßt, wobei
  • c) für wenigstens eins der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 eines der optischen Teile 12, 14, 16, 18, 50 und 52 bereitgestellt werden kann. D.h., daß das gegebenenfalls vorhandene erste und zweite dielektrische opto-elektrische Teil 38 und 44 mit wenigstens einem der optischen Teile 50 und 52, die im wesentlichen transparente Filme 54 bzw. 56 und erforderlichenfalls sichtbares Licht teilweise absorbierende Filme 58 und 60 umfassen, versehen werden kann. Die optischen Teile 50 und 52 befinden sich im Grenzflächenkontakt mit dem ersten und zweiten dielektrischen opto-elektrischen Teil 38 bzw. 44. Der spektrale Reflexionsgrad der Vorrichtung wird durch die Dicken und Materialien der jeweiligen Filme 20, 22, 24, 26, 30, 32, 34, 36, 54, 56, 58 und 60 modifiziert, die entsprechend den Dicken und Materialien der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 derart ausgewählt sind, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung 1 für Umgebungslicht X zum Betrachter in beispielsweise den Richtungen Y und Z durch optische Interferenz des Lichts, das teilweise an den Grenzflächen der jeweils vorhandenen Filme 20, 22, 24, 26, 30, 32, 34, 36, 54, 56, 58 und 60 reflektiert wird, in Kombination mit derjenigen des Lichts, das teilweise an den Grenzflächen der Schichten der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 reflektiert wird, verringert wird. Soll die Vorrichtung mit den dielektrischen opto-elektrischen Teilen 38 und 44 betrieben werden, wird an die opto-elektrischen Elektroden 2 und 8 eine Wechseispannung angelegt.
  • In weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsformen werden die Dicken und Materialien der Schichten der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10 und gegebenenfalls 38 und 44 derart gewählt, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung 1 durch optische Interferenz weiter verringert wird.
  • In anderen erfindungsgemäßen Ausführungsformen, wenn das optische Teil 14 einen teilweise absorbierenden Film 32 enthält,
  • a) kann die opto-elektrische Gegenelektrode 8 einen hohen Reflexionsgrad haben und
  • b) ist wenigstens das optische Teil 14 vorhanden, das sich im Grenzflächenkontakt mit der Vorderseite der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 befindet, wobei das optische Teil 14 derart ist, daß der Reflexionsgrad für Licht der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 über das sichtbare Spektrum, einschließlich der Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, durch den Vorgang der optischen Interferenz-verstärkten Absorption verringert wird.
  • In der folgenden Tabelle I werden Einzelheiten spezieller Beispiele erf indungsgemäßer Vorrichtungen zusammen mit denen einer vergleichbaren bekannten Vorrichtung angegeben.
  • In Tabelle I sind drei Vorrichtungen als Systeme a, b und c bezeichnet. Das System a entspricht dem Stand der Technik, einer bekannten Vorrichtung, die fünf opto-elektrische Teile 2, 8, 10, 38 und 44 umfaßt, die auf einem Glassubstrat 28 in der in Tabelle I aufgeführten Reihenfolge aufgebracht sind. Die Materialien und geometrischen Dicken der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 sind ebenfalls in Tabelle I zusammengefaßt und typischerweise die im Stand der Technik verwendeten. System b ist ein spezielles Beispiel einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wobei das optische Teil 14 den im wesentlichen transparenten Film 22 aus ZrO&sub2; und den teilweise absorbierenden Film 32 aus Inconel umfaßt und sich das optische Teil 14 im Grenzflächenkontakt mit der Vorderseite der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 befindet, die aus Aluminium besteht und einen hohen Reflexionsgrad besitzt. Die Materialien und Dicken der Filme im optischen Teil 14, die in Tabelle I für das System b aufgeführt sind, sind derart ausgewählt, daß der Reflexionsgrad der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 für Licht über das sichtbare Spektrum, einschließlich der Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, verringert ist. System c ist ein spezielles Beispiel einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wobei die Dicken und Materialien der Schichten der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44, die in Tabelle I aufgeführt sind, zusammen mit den Filmen des optischen Teils 14 so gewählt sind, daß der Reflexionsgrad der Vorrichtung 1 durch optische Interferenz weiter verringert wird. Tabelle I
  • Der in Tabelle I angegebene spektrale Reflexionsgrad (R) der Vorrichtungen ist in Figur 2 zusammen mit V(λ), der Standardtageslichtbetrachtungskurve, abgebildet. In der Figur 2 ist das System a mit ( ), System b mit ( ) und System c mit ( ) dargestellt.
  • Der in Tabelle I für jedes der drei Systeme angegebene Lichtreflexionsgrad ist definiert als das integrierte Produkt aus V(λ) und dem Reflexionsgrad R(λ) eines Systems, dividiert durch das Integral von V(λ) . Wie aus Tabelle I ersichtlich, sinkt der Lichtreflexionsgrad von 83,6 % für System a auf 3,1 % für System b. Durch die Wahl der Dicken der Schichten der optoelektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 und der Filme des optischen Teils 14 wird der Lichtreflexionsgrad für System c weiter auf 1,8 % verringert. Damit erhält man, verglichen mit dem Stand der Technik, eine wesentliche Verringerung des Reflexionsgrades der erfindungsgemäßen Vorrichtungen.
  • Durch das optische Teil 14 des Systems b wird es möglich, den Reflexionsgrad für Licht der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 durch den oben beschriebenen Vorgang der optischen Interferenzverstärkten Absorption zu verringern. Licht, das auf die teilweise absorbierenden Inconelfilme 32 auffällt, wird teilweise reflektiert, absorbiert oder durchgelassen. Das durch die Inconelfilme 32 durchgelassene Licht wird hauptsächlich von der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 zum Betrachter zurückgeworfen. Ebenso wird dieses Licht auch von den Inconelfilmen 32 teilweise erneut zur Aluminiumschicht 8 zurückgeworf en. Indem die Dicke der Filme 22 und 32 im optischen Teil 14 richtig gewählt wird, ist dann das Licht, das von der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 zum Betrachter zurückgeworfen wird, phasenverschoben zu dem Licht, das von den Inconelschichten 32 zum Betrachter teilweise zurückgeworfen wird, und somit überlagert sich das Licht, das sowohl von den Inconelfilrnen 32 als auch der Aluminiumschicht 8-zum Betrachter zurückgeworfen wird, negativ und löscht sich gegenseitig aus. Der Gesamteffekt ist der, daß ein wesentlicher Anteil des auf die Vorrichtung 1 auffallenden Lichts zwischen den Inconelfilrnen 32 und der Aluminiumschicht 8 zurückgehalten und zurückgeworfen und so fort zwischen diesen Filmen 32 und der Aluminiumschicht 8 wird, bis das zurückgehaltene Licht von den teilweise absorbierenden Filmen 32 und der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 vollständig absorbiert worden ist.
  • Zur Bestimmung der Differenz zwischen Eigenabsorption und optischer Interferenz-verstärkter Absorption in den teilweise absorbierenden Filmen 32 sind Berechnungen angestellt worden. Bei System b betrug die gesamte Lichtabsorption der teilweise absorbierenden Filme 32 bei einer Wellenlänge von 0,550 µm 65 % wenn die im wesentlichen transparenten Filme 22 nicht vorhanden waren. Waren die im wesentlichen transparenten Filme 22 vorhanden, wie im System b, wurde die Absorption durch optische Interferenz verstärkt, so daß die gesamte Lichtabsorption der teilweise absorbierenden Filme 32 bei einer Wellenlänge von 550 nm 95 % betrug, wobei 4 % des auffallenden Lichts von der Aluminiurnschicht 8 absorbiert und weniger als 1 % von der Vorrichtung 1 zum Betrachter zurückgeworfen wurden.
  • In wieder anderen erfindungsgemäßen Ausführungsformen, in welchen das optische Teil 16 einen teilweise absorbierenden Film 34 enthält,
  • a) weist die opto-elektrische Gegenelektrode 8 einen niedrigen Reflexionsgrad und eine hohe Durchlässigkeit bei den Wellenlängen auf, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird,
  • b) ist wenigstens das optische Teil 16 vorhanden, das sich im Grenzflächenkontakt mit der Rückseite der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 befindet, und
  • c) hat der im wesentlichen transparente und teilweise absorbierende Film 24 bzw. 24 des optischen Teils 16 eine derartige Dicke und ein derartiges Material, daß bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolurnineszenz emittiert wird, der Reflexionsgrad hoch ist, um die Helligkeit der Vorrichtung zu vergrößern, während bei den anderen Wellenlängen der Absorptionsgrad für Licht hoch ist, um den Reflexionsgrad für Umgebungslicht der Vorrichtung 1 in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu verringern.
  • Der theoretische Reflexionsgrad und Absorptionsgrad dieser erfindungsgemäßen Ausführungsform ist in Figur 3 dargestellt, worin sich die Vorrichtung wie ein Breitbandabsorber mit schmalbandiger Reflexion bei der Elektrolumineszenzwellenlänge λEL verhält. In Figur 3 ist der Absorptionsgrad (A) der Vorrichtung mit ( ) und der Reflexionsgrad (R) der Vorrichtung mit (------) dargestellt.
  • In einem speziellen Beispiel dieser Ausführungsform ist das optische Teil 16 ein Viertelwellenaufbau (HL)NHS, worin H ein im wesentlichen transparenter Film 24 mit einer optischen Dicke von einer Viertelwellenlänge bei λEL und mit einem hohen Brechungsindex nH ist. L ist ein im wesentlichen transparenter Film 24 mit einer optischen Dicke von einer Vierteiwellenlänge bei λEL und mit einem niedrigen Brechungsindex nL und S bedeutet einen Aufbau aus im wesentlichen transparenten und teilweise absorbierenden Filmen 24 bzw. 34 mit einem Breitbandabsorptionsgrad über das sichtbare Spektrum. Die Halbwertsbreite des Peaks des Reflexionsgrades bei λEL ist bestimmt durch das Verhältnis r = (nH/nL), worin, wenn sich r 1 annähert, die Halbwertsbreite abnimmt. Das Maximum des Reflexionsgrades bei λEL wird durch die Anzahl der Perioden im Viertelwellenaufbau N bestimmt und steigt mit N. Die Halbwertsbreite und das Maximum des Reflexionsgrades des Peaks bei λEL können mit den beispielsweise von J. A. Dobrowolski in "Handbook of Optics", herausgegeben von Walter G. Driscoll, Mcgraw-Hill Book Co., New York, 1978, angegebenen Formeln berechnet werden.
  • In noch anderen erfindungsgemäßen Ausführungsformen
  • a) hat die opto-elektrische Gegenelektrode 8 einen hohen Reflexionsgrad und
  • b) befindet sich das wenigstens eine der optischen Bauteile im Grenzflächenkontakt mit der Vorderseite eines der opto-elektrischen Teile 2, 8, 10, 38 und 44 und
  • c) haben die im wesentlichen transparenten (20, 22, 26, 54 und 56) und teilweise absorbierenden (30, 32, 36, 58 und 60) Filme eines der vorhandenen optischen Teile 12, 14, 18, 50 und 52 solche Dicken und Materialien, daß bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, die Durchlässigkeit durch das optische Teil hoch ist, während bei den anderen Wellenlängen der Absorptionsgrad für Licht groß ist, um den Reflexiongrad der Vorrichtung für Umgebungslicht in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu verringern.
  • Der theoretische Transmissionsgrad und Absorptionsgrad dieser erfindungsgemäßen Ausführungsform ist in Figur 4 dargestellt, worin sich die Vorrichtung wie ein Breitbandabsorber mit schmalbandiger Durchlässigkeit bei der Elektrolumineszenzwellenlänge λEL verhält. In Figur 4 ist der Absorptionsgrad (A) der Vorrichtung mit ( ) und mit (----) der Transmissionsgrad (T) durch die opto-elektrischen Teile 2, 10, 38 und 44 und das wenigstens eine der optischen Teile 12, 14, 18, 50 und 52, das sich gegenüber der opto-elektrischen Gegenelektrode 8 befindet, dargestellt.
  • In einem speziellen Beispiel dieser Ausführungsform umfaßt das optische Teil 12 folgenden Aufbau aus neun Filmen: Y&sub2;O&sub3; (0,0973), Ag (0,0173), Y&sub2;O&sub3; (0,2493), Ag (0,0095), ZrO&sub2; (0,0401), Inconel (0,0036), ZrO&sub2; (0,1448), Inconel (0,0025) und ZrO&sub2; (0,0705), wobei die in Klammern stehenden Zahlen die Schichtdicke in µm angeben und im Aufbau Y&sub2;O&sub3; und ZrO&sub2; jeweils einen im wesentlichen transparenter Film 20 und Ag und Inconel jeweils einen teilweise absorbierender Film 30 bedeuten. Das optische Teil 12 weist eine induzierte Durchlässigkeit von 63 % bei λEL = 0,580 µm und beim Ansehen durch den Betrachter einen verringerten Lichtreflexionsgrad von 13 % auf. Es ist für den Fachmann offensichtlich, daß andere optische Teile mit höherer Leistung entworfen werden können.
  • In den Figuren 5 und 6 sind Teile, die den in Figur 1 gezeigten Teilen ähnlich sind, mit denselben Bezugszahlen numeriert, wobei zu ihrer Erläuterung auf obige Beschreibung verwiesen wird.
  • In den Figuren 5 und 6 umfaßt die opto-elektrische Frontelektrode 2 eine einer Vielzahl opto-elektrischer Frontelektroden, von denen drei gezeigt und mit 2, 62 und 64 numeriert sind, und umfaßt die opto-elektrische Gegenelektrode 8 eine einer Vielzahl opto-elektrischer Gegenelektroden, wovon vier gezeigt und mit 8, 66, 68 und 70 numeriert sind. Die opto-elektrischen Frontelektroden wie 2, 62 und 64 überlappen Flächen der optoelektrischen Gegenelektroden wie 8, 66, 68 und 70, wobei sich eine eine Anzeige darstellende Vorrichtung 1 bildet.
  • Es ist ersichtlich, daß in dieser Ausführungsform aus einander überlappenden Elektroden die opto-elektrischen Front- und Gegenelektroden wie 2, 62 und 64 bzw. 8, 66, 68 und 70 das Gittersystem einer Pixel-Display-Vorrichtung 1 aus Pixeln 72 bilden.
  • Es ist festzustellen, daß die Filme 20 und 30 des optischen Teils 12, falls vorhanden, zuerst auf das Glassubstrat mittels beispielsweise Vakuumabscheidung durch eine (nicht dargestellte) Maske aufgebracht werden. Danach werden die opto-elektrischen Frontelektroden wie 2, 62 und 64 gleichzeitig mit den Schichten 4 und 6 mittels beispielsweise Vakuumabscheidung durch eine Maske aufgebracht.
  • Anschließend werden jeweils die optischen Teile 14, 18, 50 und 52 und die opto-elektrischen Teile 10, 38 und 44 nacheinander in der richtigen Reihenfolge auf die opto-elektrischen Frontelektroden wie die Teile 2, 62 und 64 mittels beispielsweise Vakuumabscheidung durch Masken aufgebracht.
  • Dann werden die opto-elektrischen Gegenelektroden wie 8, 66, 68 und 70 gleichzeitig durch eine Maske mittels beispielsweise Vakuumabscheidung auf das optische Teil 14 aufgebracht, und danach wird das optische Teil 16 durch eine Maske auf die optoelektrische Gegenelektrode wie 8, 66, 68 und 70 beispielsweise mittels Vakuumabscheidung aufgebracht. Durch das sequentielle Beschichten der opto-elektrischen Teile und der optischen Teile auf diese Art und Weise wird mit den Teilen die Rückseite der Elektroden, auf welche sie aufgebracht sind, und die Flächen zwischen ihnen wie die Zwischenräume 82, 84 und 86 (Figur 6) beschichtet.
  • Daraus geht hervor, daß in der Vorrichtung 1 vier Flächen vorhanden sind, auf welchen verschiedene Arten von überlappungen stattfinden, und zwar
  • I) sowohl die opto-elektrische Elektrode 2 als auch 8 ist vorhanden, und sie bilden Pixel wie 72,
  • II) nur die opto-elektrische Frontelektrode 2 ist vorhanden, wie die Fläche 90,
  • III) nur die opto-elektrische Gegenelektrode 8 ist vorhanden, wie die Fläche 92, und
  • IV) weder die opto-elektrische Elektrode 2 noch 8 ist vorhanden, wie Fläche 94.
  • In einigen erfindungsgemäßen Ausführungsformen sind Dicke und Materialien der Filme und Schichten in den vier unterschiedlichen Flächenarten wie die Flächen 72, 90, 92 und 94 derart, daß durch das optische Interferenzverfahren verschiedene Uberlappungsflächen der Vorrichtung 1 im wesentlichen denselben Reflexionsgrad und Transmissionsgrad aufweisen, so daß man ein im wesentlichen einheitliches Aussehen der Anzeige beobachtet, wenn keine Elektrolumineszenz emittiert wird. Der spektrale Reflexionsgrad der Pixel, wie Fläche 72, kann beispielsweise, wie oben unter Bezugnahme auf die Tabelle I, System c, beschrieben, verringert werden. Es ist für den Fachmann selbstverständlich, daß der Reflexionsgrad der Flächen 90, 92 und 94 auf eine ähnliche Weise wie die hinsichtlich der Fläche 72 beschriebene verringert werden kann.

Claims (14)

1. Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion, welche
(a) eine für Elektrolumineszenz durchlässige, optoelektrische Frontelektrode (2) mit wenigstens einer Schicht,
(b) eine opto-elektrische Gegenelektrode (8), die rückseitig zur Frontelektrode angeordnet ist und wenigstens eine Schicht aufweist,
(c) ein opto-elektrisches elektrolumineszentes Teil (10) mit wenigstens einer Schicht, das zwischen der Frontelektrode (2) und der Gegenelektrode (8) angeordnet ist, aufweist und gekennzeichnet ist durch (d) für wenigstens eines der opto-elektrischen Teile (2, 8, 10) ein optisches Teil (12, 14, 16, 18), das sich im Grenzflächenkontakt damit befindet, so daß wenigstens ein optisches Teil (14, 16) im Grenzflächenkontakt mit der Gegenelektrode (8) steht, wobei das optische Teil (12, 14, 16, 18) wenigstens einen optischen Interferenzfilm (20, 22, 24, 26) aufweist, der im wesentlichen transparent für Umgebungslicht ist, wobei der wenigstens eine optische Interferenzfilm einen Extinktianskoeffizienten aufweist, daß eine Durchlässigkeit per se für einfallendes Licht von wenigstens etwa 90 % bei einer vorbestimmten Wellenlänge besteht, und eine Dicke aufweist und aus einem Material besteht, daß die spektrale Reflexion der elektrolumineszenten Vorrichtung so modifiziert wird, daß die Reflexion von Umgebungslicht durch die elektrolumineszente Vorrichtung in Richtung auf einen Betrachter durch optische Interferenz von partiell an den Grenzflächen des wenigstens einen Filmes (20, 22, 24, 26) reflektierten Lichts in Verbindung mit der des Lichts, das partiell an den Schichten der opto-elektrischen Teile (2, 8, 10) reflektiert wird, reduziert wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, worin das optische Teil wenigstens einen weiteren Film (30, 32, 34, 36) aufweist, der im Bezug auf sichtbares Licht partiell absorbierend ausgelegt ist, so daß die Reflexion von Umgebungslicht durch die elektrolumineszente Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter weiter durch optische Interferenz-verstärkte Absorption reduziert ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, welche weiterhin
(a) ein erstes dielektrisches, für Elektrolumineszenz durchlässiges opto-elektrisches Teil (38), mit wenigstens einer Schicht zwischen der opto-elektrischen Frontelektrode (2) und dem opto-elektrischen elektrolumineszenten Teil (10) und
(b) ein zweites, für Elektrolumineszenz durchlässiges opto-elektrisches Teil (44) mit wenigstens einer Schicht zwischen der opto-elektrischen Gegenelektrode (8) und dem elektrolumineszenten opto-elektrischen Teil (10) aufweist, und worin
(c) das wenigstens eine opto-elektrische Teil (2, 8, 10) von (d), Anspruch 1, das erste und zweite dielektrische opto-elektrische Teil (38, 44) aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, worin die Dicke und die Materialien der Schichten der opto-elektrischen Teile (2, 8, 10) in der Vorrichtung so ausgewählt sind, daß sie die Reflexion der Vorrichtung durch optische Interferenz weiter reduzieren.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, worin
(a) die opto-elektrische Gegenelektrode (8) eine hohe Reflexion aufweist und
(b) das optische Teil (14) in Grenzflächenkontakt mit der Gegenelektrode (8) im Grenzflächenkontakt mit der Frontseite der Gegenelektrode (8) steht, so daß die Lichtreflexion der Gegenelektrode (8) über das gesamte sichtbare Spektrum, unter Einschluß der Wellenlängen, bei der die Elektrolumineszenz emittiert wird, durch das Verfahren der durch optische Interferenz verstärkten Absorption vermindert wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, worin
(a) die opto-elektrische Gegenelektrode (8) eine niedrige Reflexion und hohe Durchlässigkeit bei den Wellenlängen aufweist, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, und
(b) das wenigstens eine optische Teil (16) im Grenzflächenkontakt mit der Rückseite der opto-elektrischen Gegenelektrode (8) steht, und
(c) die im wesentlichen transparenten und teilweise absorbierenden Filme (24, 34) des optischen Teils eine solche Dicke und ein solches Material aufweisen, daß, bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, die Reflexion hoch ist, um die Helligkeit der Vorrichtung zu erhöhen, während bei den anderen Wellenlängen die Absorption von Licht hoch ist, um die Reflexion von Umgebungslicht der Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu vermindern.
7. Vorrichtung nach Anspruch 2, 3 oder 4, worin
(a) die opto-elektrische Gegenelektrode (8) eine hohe Reflexion aufweist und
(b) das optische Teil (14) im Grenzflächenkontakt mit der Gegenelektrode (8) im Grenzflächenkontakt mit der Frontseite der Gegenelektrode (8) steht und
(c) die im wesentlichen transparenten teilweise absorbierenden Filme (22, 32) des optischen Teils (14) eine solche Dicke und solche Materialien aufweisen, daß, bei den Wellenlängen, bei denen die Elektrolumineszenz emittiert wird, die Durchlässigkeit durch das optische Teil (14) hoch ist, während bei anderen Wellenlängen die Lichtabsorption hoch ist, um die Reflexion von Umgebungslicht der Vorrichtung in Richtung auf den Betrachter bei diesen anderen Wellenlängen zu vermindern.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, worin die optoelektrische Front- und Gegenelektrode (2, 8) jeweils eines einer Vielzahl von opto-elektrischen Elektroden (2, 62, 64; 8, 66, 68, 70) umfassen, wobei die optoelektrischen Frontelektroden (2, 62, 64) partiell Flächen der opto-elektrischen Gegenelektroden (8, 66, 68, 70) überlagern und eine eine Anzeige darstellende Vorrichtung bilden.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, worin die opto-elektrischen Front- und Gegenelektroden (2, 62, 64; 8, 66, 68, 70) das Gittersystem eines ein Pixel-Display (72) darstellende Vorrichtung bilden.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, worin die Dicke und die Materialien der Filme und Schichten verschiedener Überlagerungen so sind, daß bei jeder Überlagerung, mittels optischer Interferenz, verschiedene Überlagerungsflächen der Vorrichtung die gleiche Reflexion und Durchlässigkeit aufweisen, so daß ein im wesentlichen gleichförmiges Erscheinungsbild der Anzeige erscheint, wenn keine Elektrolumineszenz emittiert wird.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1, worin der wenigstens eine optische Film (20, 22, 24, 26), der im wesentlichen transparent ist, eine optische Dicke von wenigstens etwa 0,035 um aufweist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 2, worin der wenigstens eine weitere optische Film (30, 32, 34, 36), der partiell absorbierend ausgelegt ist, eine Durchlässigkeit per se von wenigstens etwa 35 % bei einer vorbestimmten Wellenlänge aufweist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11, worin der wenigstens eine optische Film (20, 22, 24, 26), der im wesentlichen transparent ist, aus der aus Al&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, ZrO&sub2;, HfO&sub2;, Sc&sub2;O&sub3;, TiO&sub2;, ITO, La&sub2;O&sub3;, MgO, Ta&sub2;O&sub5;, ThO&sub2;, Y&sub2;O&sub3;, CeO&sub2;, AlF&sub3;, CeF&sub3;, Na&sub3;AlF&sub6;, LaF&sub3;, MgF&sub2;, ThF&sub4;, ZnS, Sb&sub2;O&sub3;, Bi&sub2;O&sub3;, PbF&sub2;, NdF&sub3;, Nd&sub2;O&sub3;, Pr&sub6;O&sub1;&sub1;, SiO, NaF, ZnO, LiF und GdO&sub3; bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12, worin der wenigstens eine weitere optische Film (30, 32, 34, 36), der partiell aborbierend ausgelegt ist, aus der aus Al, Cu, Au, Mo, Ni, Pt, Rh, Ag, W, Cr, Co, Fe, Ge, Hf, Nb, Pd, Re, V, Si, Se, Ta, Y, Zr, Inkonel und Nichrom bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
DE68926906T 1988-12-02 1989-11-24 Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion Expired - Lifetime DE68926906T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA000584863A CA1302547C (en) 1988-12-02 1988-12-02 Optical interference electroluminescent device having low reflectance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE68926906D1 DE68926906D1 (de) 1996-09-05
DE68926906T2 true DE68926906T2 (de) 1997-02-27

Family

ID=4139218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE68926906T Expired - Lifetime DE68926906T2 (de) 1988-12-02 1989-11-24 Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5049780A (de)
EP (1) EP0372763B1 (de)
JP (1) JP2529741B2 (de)
AT (1) ATE141035T1 (de)
CA (1) CA1302547C (de)
DE (1) DE68926906T2 (de)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5508091A (en) * 1992-12-04 1996-04-16 Photran Corporation Transparent electrodes for liquid cells and liquid crystal displays
US5410431A (en) * 1993-06-01 1995-04-25 Rockwell International Corporation Multi-line narrowband-pass filters
US5521759A (en) * 1993-06-07 1996-05-28 National Research Council Of Canada Optical filters for suppressing unwanted reflections
JPH07211458A (ja) * 1994-01-17 1995-08-11 Fuji Electric Co Ltd 薄膜発光素子
US5504389A (en) * 1994-03-08 1996-04-02 Planar Systems, Inc. Black electrode TFEL display
EP0691798A3 (de) * 1994-07-05 1996-07-17 Ford Motor Co Fluoreszente elektrolumineszente Lampe
US5858561A (en) * 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US6514621B1 (en) 1997-12-24 2003-02-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Patterned coated articles and methods for producing the same
US6411019B1 (en) * 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
US6500877B1 (en) * 1999-11-05 2002-12-31 Krohn Industries, Inc. UV curable paint compositions and method of making and applying same
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
JP3779174B2 (ja) * 2000-11-13 2006-05-24 Hoya株式会社 蒸着組成物、それを利用した反射防止膜の形成方法及び光学部材
US6841932B2 (en) * 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
JP2002289357A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
US6545409B2 (en) * 2001-05-10 2003-04-08 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode with high contrast ratio
US6635306B2 (en) 2001-06-22 2003-10-21 University Of Cincinnati Light emissive display with a black or color dielectric layer
CA2352390A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-04 Luxell Technologies Inc. Contrast enhancement apparatus
DE10132699A1 (de) * 2001-07-05 2003-01-16 Philips Corp Intellectual Pty Organische elektrolumineszente Anzeigevorrichtung mit optischem Filter
US6750609B2 (en) 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
JP4115222B2 (ja) * 2001-09-21 2008-07-09 富士フイルム株式会社 光共振型有機発光素子
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
CA2364201A1 (en) * 2001-12-03 2003-06-03 Luxell Technologies, Inc. Optical interference member for matrix displays
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
GB2388236A (en) 2002-05-01 2003-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Display and driver circuits
WO2003094255A2 (en) * 2002-05-03 2003-11-13 Luxell Technologies Inc. Contrast enhanced oleds
CA2419121A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-03 Luxell Technologies, Inc. Dark layer for an electroluminescent device
CA2422895A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Luxell Technologies Inc. Electroluminescent device
US7242140B2 (en) * 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
AU2003236752A1 (en) * 2002-06-11 2003-12-22 Hofstra, Peter, G. Oled display with contrast enhancing interference members
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4186101B2 (ja) * 2002-09-04 2008-11-26 ソニー株式会社 有機el表示装置
JP4371297B2 (ja) * 2002-10-02 2009-11-25 パイオニア株式会社 有機elディスプレイ
JP3944906B2 (ja) * 2002-11-11 2007-07-18 ソニー株式会社 発光素子およびこれを用いた表示装置
CA2411683A1 (en) * 2002-11-13 2004-05-13 Luxell Technologies Inc. Oled with contrast enhancement features
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
DE10313805B4 (de) * 2003-03-21 2005-08-25 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Photolumineszenz-Löschungs-Anzeigeelement mit Rückbeleuchtung
DE10314137B4 (de) * 2003-03-25 2005-08-25 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Photolumineszenzanzeigeelement mit Antireflexionsschicht
TW589923B (en) * 2003-04-10 2004-06-01 Toppoly Optoelectronics Corp Organic light emitted display having anti-reflective and inert cathode
CN100345321C (zh) * 2003-05-30 2007-10-24 统宝光电股份有限公司 具有抗反射构件的发光元件
JP2004362920A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 両面が異なる色を発する発光ユニット
US7321197B2 (en) * 2003-08-27 2008-01-22 Hitachi Displays, Ltd. High-efficiency organic light emitting element
US20050052119A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Gang Yu Organic electronic device having low background luminescence
US20050093437A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Ouyang Michael X. OLED structures with strain relief, antireflection and barrier layers
KR100635051B1 (ko) * 2003-11-29 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저를 이용한 열전사법에 따른 풀칼라유기전계발광소자 및 이의 제조방법
GB0401613D0 (en) * 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
CN100438118C (zh) * 2004-03-15 2008-11-26 深圳市中显微电子有限公司 高显示对比度的有机电致发光器件及其制造方法
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
EP1759563A4 (de) * 2004-05-25 2010-07-07 Agency Science Tech & Res Zusammengesetzte optische destruktivelektrode für kontraststarke elektrolumineszenzbauelemente
US7365486B2 (en) * 2004-07-09 2008-04-29 Au Optronics Corporation High contrast organic light emitting device with electron transport layer including fullerenes
JP4239983B2 (ja) * 2004-07-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 有機el装置
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7863632B2 (en) * 2004-08-23 2011-01-04 National Research Council Of Canada High performance light-emitting devices
US7796320B2 (en) * 2004-10-25 2010-09-14 The Regents Of The University Of California Stacked layer electrode for organic electronic devices
KR100601381B1 (ko) * 2004-11-29 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
US7554112B1 (en) 2005-03-10 2009-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device and processes for forming and using the same
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) * 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US8059658B1 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Extreme Networks, Inc. Method and system for automatic expansion and contraction of IP host forwarding database
KR20090041639A (ko) * 2007-10-24 2009-04-29 삼성전자주식회사 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법 및 분산형 무기전계발광 소자
GB2460822A (en) * 2008-06-03 2009-12-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
US8643000B2 (en) 2008-11-18 2014-02-04 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with low-reflectance electrode
KR101076262B1 (ko) * 2009-11-05 2011-10-27 한국과학기술원 무반사 유기 발광 다이오드 소자
FR2962853A1 (fr) 2010-07-13 2012-01-20 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente organique et ecran a faible reflectivite.
US20140110693A1 (en) * 2011-06-30 2014-04-24 Mingjie Zhou Top-emitting organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
TW201340781A (zh) 2012-03-30 2013-10-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 有機發光二極體顯示器
TWI599082B (zh) 2012-10-09 2017-09-11 財團法人工業技術研究院 增亮型自發光型顯示器
KR101951223B1 (ko) 2012-10-26 2019-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN104183720A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
KR102080131B1 (ko) 2013-06-17 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102084715B1 (ko) 2013-06-18 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1389737A (en) * 1972-05-17 1975-04-09 Gen Electric Co Ltd Luminescent screens
US4020389A (en) * 1976-04-05 1977-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrode construction for flexible electroluminescent lamp
DE3231727A1 (de) * 1981-09-21 1983-04-07 Sun Chemical Corp., New York, N.Y. Elektrolumineszente anzeigevorrichtung
US4613793A (en) * 1984-08-06 1986-09-23 Sigmatron Nova, Inc. Light emission enhancing dielectric layer for EL panel
JPS6310494A (ja) * 1986-07-01 1988-01-18 株式会社小糸製作所 薄膜el素子の構造
DD253538A1 (de) * 1986-10-23 1988-01-20 Werk Fernsehelektronik Veb Lichtabsorbierende schichtfolge aus isolatorschicht und metallschicht
JPH0256892A (ja) * 1988-08-22 1990-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd エレクトロルミネセンスパネル

Also Published As

Publication number Publication date
EP0372763A3 (de) 1991-05-08
CA1302547C (en) 1992-06-02
JPH02276191A (ja) 1990-11-13
EP0372763B1 (de) 1996-07-31
ATE141035T1 (de) 1996-08-15
US5049780A (en) 1991-09-17
DE68926906D1 (de) 1996-09-05
EP0372763A2 (de) 1990-06-13
JP2529741B2 (ja) 1996-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68926906T2 (de) Optische elektrolumineszente Interferenz-Vorrichtung mit niedriger Reflexion
DE3784660T2 (de) Anzeigevorrichtung.
DE69223251T2 (de) Elektrisch leitende, lichtdämpfende antireflektierende beschichtung
DE69122602T2 (de) Elektrisch leitfähige, lichtschwächende antireflexbeschichtung
DE69702011T2 (de) Mehrfach mit Dünnfilmen beschichtetes transparentes Substrat
DE2903866C2 (de) Anzeigevorrichtung
DE69531628T2 (de) Lichtabsorbierender antireflektor
DE69533229T2 (de) Antireflektierender belag für temperaturempfindlichen träger
DE69312017T2 (de) Antireflektionsschicht und Anzeigegerät mit dieser Schicht
DE69931045T2 (de) Lichtabsorbierender antireflektierende körper und verfahren zur seiner herstellung
DE69032286T2 (de) Elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung mit optischem Interferenzfilter
DE10152412A1 (de) Filmschicht mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften
DE60029649T2 (de) Transparentes Laminat, Verfahren zu dessen Herstellung und Plasma-Anzeigetafel
DE3928939C2 (de) Mehrschichtiger reflektierender Spiegel
DE69104229T2 (de) Folie zur lichtkontrolle mit verringerten geisterbildern.
DE4135448C2 (de) Kathodenstrahlröhre
DE3541373A1 (de) Fluessigkristall-farbanzeigevorrichtung
DE69814508T2 (de) Antireflexionsschicht mit elektromagnetischem Abschirmeffekt und optisches Bauteil mit diesem Antireflexionsschicht
DE10056286B4 (de) Substrat für Flüssigkristallanzeigeelemente
DE69815989T2 (de) Anzeigevorrichtung mit optischen element
DE3137229C2 (de) Entspiegelte Flüssigkristallanzeige
DE69301673T2 (de) Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren
DE19501229A1 (de) Dünnschicht-Lichtemissions-Element
DE10152410A1 (de) Filmschicht mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften
DE69026722T2 (de) Magnesiumschichtreflektor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: GROSSE, BOCKHORNI, SCHUMACHER, 45133 ESSEN

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: BOCKHORNI & KOLLEGEN, 80687 MUENCHEN