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DE4490103T1 - Verfahren und Vorrichtung zum Vorherbestimmen der Kristallqualität eines Halbleiter- Einkristalls - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Vorherbestimmen der Kristallqualität eines Halbleiter- Einkristalls

Info

Publication number
DE4490103T1
DE4490103T1 DE4490103T DE4490103T DE4490103T1 DE 4490103 T1 DE4490103 T1 DE 4490103T1 DE 4490103 T DE4490103 T DE 4490103T DE 4490103 T DE4490103 T DE 4490103T DE 4490103 T1 DE4490103 T1 DE 4490103T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
predetermining
crystal
semiconductor single
single crystal
quality
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE4490103T
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Habu
Kiyoshi Asamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Publication of DE4490103T1 publication Critical patent/DE4490103T1/de
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
DE4490103T 1993-01-06 1994-01-06 Verfahren und Vorrichtung zum Vorherbestimmen der Kristallqualität eines Halbleiter- Einkristalls Ceased DE4490103T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1677193 1993-01-06
PCT/JP1994/000006 WO1994016124A1 (fr) 1993-01-06 1994-01-06 Procede et appareil pour prevoir la qualite du cristal d'un semi-conducteur monocristallin

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4490103T1 true DE4490103T1 (de) 1997-07-24

Family

ID=11925482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4490103T Ceased DE4490103T1 (de) 1993-01-06 1994-01-06 Verfahren und Vorrichtung zum Vorherbestimmen der Kristallqualität eines Halbleiter- Einkristalls

Country Status (4)

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US (1) US5485803A (de)
KR (1) KR950703079A (de)
DE (1) DE4490103T1 (de)
WO (1) WO1994016124A1 (de)

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