DE3838164C2 - Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase - Google Patents
Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der GasphaseInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Auf
wachsen einer dünnen Halbleiter-Schicht aus der Gasphase. Die
vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine Vorrichtung
zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase, in der
Turbulenzen des ein Ausgangsmaterial enthaltenden Gases, das
durch einen Zugangskanal in den Reaktor eingeführt wird,
vermieden werden und so die Wirksamkeit des Ausgangsmaterials
und die Gleichmäßigkeit der Dickenverteilung der dünnen
Halbleiterschicht, die auf ein Substrat aufgebracht wird,
verbessert werden.
Schichten von Halbleitern, wie Silicium oder Elementen der
Gruppen III und V (wie Galliumarsenid) können in der Gasphase
aufwachsen durch Einleiten eines ein Ausgangsmaterial
enthaltenden Gases in einen Reaktor von oben und Reaktion oder
Zersetzung des Materials auf einem Substrat, das auf einer
beheizten Aufnahmeeinrichtung gehalten wird. Für diesen Zweck
sind verschiedene Vorrichtungen vorgeschlagen worden, mit
denen dünne Halbleiter-Schichten duch Aufwachsen aus der
Gasphase gebildet werden können. Ein Beispiel einer solchen
bekannten Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der
Gasphase ist in Fig. 1 dargestellt. Es umfaßt einen
faßartigen oder glockenförmigen Reaktor 1 mit einem Einlaß 2
an seinem oberen Ende, durch den ein ein Ausgangsmaterial
enthaltendes Gas eingeleitet wird, und einer faßförmigen
Aufnahmeeinrichtung 3 mit einer im wesentlichen konischen oder
polygonalen Pyramidenform, die unterhalb des Einlasses 2
angeordnet ist und deren Durchmesser zu dem stromabwärts
gerichteten Abschnitt des Reaktors 1 zunimmt. Diese Aufnah
meeinrichtung 3 wird von einer drehbaren Welle 6 gehalten und
besteht im wesentlichen aus einem oberen Leitabschnitt 4 und
einem unteren Substrat-Halteabschnitt 5. Auf den schrägen
Flächen des Halteabschnitts 5 sind mehrere Substrate 7
plaziert. Um den Reaktor 1 ist eine Hochfrequenz (HF) Induk
tionsspule 8 angeordnet und die Aufnahmeeinrichtung 3 wird auf
eine bestimmte Temperatur durch HF-Induktionsheizung mit
dieser Spule 8 erhitzt. Das ein Ausgangsmaterial, z. B. einen
Stoff oder eine Verbindung enthaltende Gas wird zusammen mit
einem Trägergas in den Reaktor 1 durch den Einlaß 2 an seinem
oberen Ende eingebracht und es wird in der Nähe der Oberfläche
der beheizten Aufnahmeeinrichtung 3 einer Pyrolyse-Reaktion
unterzogen, wodurch sich eine dünne Halbleiter-Schicht auf den
Substraten 7 bildet bzw. aufwächst. Das an der Reaktion nicht
teilgenommene Ausgangsmaterial wird zusammen mit dem Trägergas
durch eine Auslaßöffnung 9 ausgegeben.
Bei Versuchen mit der zuvor beschriebenen faßartigen Vor
richtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase wurden
folgende Nachteile festgestellt: Ein großer Teil des Aus
gangsmaterials wurde ohne an der Reaktion teilgenommen zu
haben, durch die Auslaßöffnung abgezogen und die Dickenver
teilung der aufgebrachten Schicht war sehr ungleichmäßig.
Bei der oben beschriebenen bekannten Vorrichtung nimmt der
Durchmesser der Aufnahmeeinrichtung in Richtung zur Basis mit
einem zunehmend geringeren Maß zu, wodurch der Hauptstrom der
zwischen der Innenfläche des Reaktors und der Außenfläche der
Aufnahmeeinrichtung fließenden Gase durch die Trägheitskraft
näher zur Reaktorwand kommt und der größere Teil des
Ausgangsmaterials ohne Reaktion durch die Auslaßöffnung
abgegeben wird, und dadurch dessen Ausnutzung verringert wird.
Außerdem hat diese bekannte Vorrichtung den Nachteil, daß der
Hauptstrom der Gase besonders auffällig schräg zur Reaktorwand
fließt, da die Ausdehnung des Gasflusses, dessen kinematische
Viskosität bei höheren Temperaturen vergrößert werden, an der
Seite der Aufnahmeeinrichtung größer ist als an der Seite der
Reaktorwand, was zu einer größeren Abnahme des
Ausnutzungsgrades des Ausgangsmaterials führt. Zusätzlich
besteht bei dieser bekannten Vorrichtung die Gefahr, daß sich
im Raum zwischen der Reaktorwand und der Aufnahmeeinrichtung
eine natürliche Konvektion einstellen kann, d. h. die Bildung
eines aufsteigenden Stroms entlang der Oberfläche der
Aufnahmeeinrichtung, wird stärker, was zu einer
Ungleichmäßigkeit der Dicke der aufwachsenden Schicht führt,
wodurch es sehr schwierig ist, ein Profil mit einer abrupt
angrenzenden Zwischenschicht zu erhalten.
Die EP-A2-0 203 616 offenbart eine Vorrichtung zur
Dampfphasenabscheidung mit einem Reaktorraum und einer
Aufnahmevorrichtung, wie sie in Fig. 1
und der dazugehörenden Erklärung als Stand der Technik
beschrieben ist. Die Aufnahmeeinrichtung besteht in
ihrem oberen Teil aus einer Kugelkappe, an die sich ein
Kegelstumpf anschließt. Im oberen Teil der Aufnahmeein
richtung (Kugelkappe) nimmt der Durchmesser in einem
größeren Maße zu als im unteren Teil (Kegelstumpf).
Die US-3 675 619 betrifft eine Vorrichtung zur
Herstellung von epitaktischen Filmen. In einem Reaktor
ist eine kegelförmige Aufnahmeeinrichtung für Substrate
angeordnet. Dabei nimmt der Durchmesser der
Aufnahmeeinrichtung in Strömungsrichtung gleichmäßig zu.
Aus JP-A 62-218 568 (Pat. Abstr. JR C-481. 15.3.88,
Vol. 12, Nr. 82) ist eine Vorrichtung zur Abschei
dung von Schichten aus der Gasphase bekannt. In einem
Reaktorraum ist in Strömungsrichtung ein Kegelstumpf an
geordnet, der die Substrate trägt. An dem der Strömung
entgegengerichteten Ende dieser Aufnahmeeinrichtung sind
Abschrägungen vorgesehen, bei denen, in Strömungsrich
tung gesehen, der Durchmesser der Aufnahmeeinrichtung in
größerem Maße zunimmt als in dem Teil, in dem die
Substrate angeordnet sind.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase be
reitzustellen, mit der eine größere Ausnutzung des Ausgangs
materials erreicht wird, und mit der eine gleichmäßigere
Dickenverteilung der aufgewachsenen Schicht erreicht wird.
Die vorliegende Erfindung geht von dem Grundgedanken aus,
durch geeignete Formgebung der Aufnahmeeinrichtung und des
Reaktors den Gasstrom so zu beeinflussen, das die Ausnutzung
des Ausgangsmaterials verbessert und die Beschichtung
gleichmäßiger wird.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht in einer Vorrichtung zum
Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase mit einem faßartigen
Reaktor, der oben einen Einlaß für das Einbringen eines ein
Ausgangsmaterial enthaltenden Gases und eine Aufnahmeein
richtung aufweist, die im in Strömungsrichtung gesehen, hin
teren Abschnitt des Reaktors angeordnet ist, dadurch gekenn
zeichnet daß die Aufnahmeeinrichtung im wesentlichen eine
konische oder polygonale Pyramidenform aufweist, mit einem
oberen Leitabschnitt und einem unteren Substrat-Halteab
schnitt, wobei der Durchmesser der Aufnahmeeinrichtung in
seinem unteren Abschnitt in einem größeren Maß zunimmt als in
seinem oberen Abschnitt.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung werden die Probleme, die
bei der oben beschriebenen bekannten Vorrichtung auftreten,
vermieden und es können durch die Verwendung einer bestimmten
Form für die Aufnahmeeinrichtung eine bessere Ausnutzung der
Ausgangsmaterialien und eine gleichmäßige Schichtdicke der
aufgewachsenen Schicht erreicht werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Beispielen und der
Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer bekannten Vorrich
tung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase,
Fig. 2-4 drei verschiedene erfindungsgemäße Ausführungsformen
einer Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der
Gasphase,
Fig. 5-6 zwei verschiedene Beispiele von Ausgestaltungen der
Aufnahmeeinrichtung zur Verwendung in der Vor
richtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase
gemäß der vorliegenden Erfindung, und
Fig. 7 ein Diagramm, in dem die Schichtwachstumsgeschwin
digkeit über die Position auf den Substrat-Ober
flächenprofilen, die erhalten werden, wenn Halb
leiter-Schichten mit den in den Fig. 1 und 3
gezeigten Vorrichtungen aus der Gasphase abge
schieden werden.
In Fig. 2 ist schematisch eine Vorrichtung zum Aufwachsen von
Stoffen aus der Gasphase gemäß einer ersten Ausführungsform
der Vorliegenden Erfindung dargestellt. In einen Reaktor 1
wird durch einen Einlaß 2 ein Ausgangsmaterial, z. B. ein Stoff
oder eine Verbindung zum Aufwachsen aus der Gasphase zusammen
mit einem Trägergas eingeleitet. Der Reaktor 1 enthält eine
Aufnahmeeinrichtung 3 mit einer polygonalen Pyramidenform, die
gehalten wird von einer drehbaren Welle 6. Die
Aufnahmeeinrichtung besteht im wesentlichen aus einem oberen
Leitabschnitt und einem unteren Substrat-Halteabschnitt 5,
dessen Durchmesser in einem stärkeren Maß zunimmt, als der des
Leitabschnitts 4. Die Aufnahmeeinrichtung 3 ist geeignet durch
Hochfrequenzinduktion mittels einer außen gewickelten HF-Spule
8 aufgeheizt zu werden. Der Hauptstrom des in den Reaktor 1
eingeleiteten Gases fließt nahezu als ein laminarer Fluß in
dem Raum zwischen dem Leitabschnitt 4 der Aufnahmeeinrichtung
3 und der Innenwand des Reaktors 1, insbesondere in der Nähe
der Außenfläche des Leitabschnitts 4. Im Ergebnis findet die
thermische Zersetzungsreaktion des Ausgangsmaterials in der
Nähe der Oberflächen von Substraten 7, die auf dem Substrat-
Halteabschnitt 5 angeordnet sind, statt, wodurch eine dünne
Schicht des Halbleiterkristalls auf den Substraten 7
aufwächst. Vorzugsweise werden die Substrate 7 in einem
Bereich auf den schrägen Flächen des Halteabschnitts 5
angeordnet, der von oben gesehen, konzentrisch mit der
Mittenachse der Aufnahmeeinrichtung 3 ist. Die Gase, die nicht
an der Reaktion teilgenommen haben, und die Gase, die während
der Reaktion erzeugt worden sind, werden aus dem Reaktor 1
durch eine am Boden befindliche Auslaßöffnung 9 abgegeben.
Das Maß, mit dem der Durchmesser der Aufnahmeeinrichtung zu
nimmt, wird durch den Gradienten a eines bestimmten Punktes
auf der Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung angegeben, der wie
in Fig. 6 dargestellt, von der drehbaren Welle 6 aus gemessen
wird.
In der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Aufwachsen von
Stoffen aus der Gasphase werden Turbulenzen erfolgreich ver
mieden, die andernfalls in der Strömung des ein Ausgangsma
terial enthaltenden Gases in der Nähe der Aufnahmeeinrichtung
3 erzeugt werden. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung werden
sowohl die Ausnutzung des Ausgangsmaterials als auch die
Gleichmäßigkeit der Dicke einer aufgewachsenen
Halbleiterschicht verbessert.
In Fig. 3 ist eine schematische Ansicht einer weiteren er
findungsgemäßen Ausführungsform einer Vorrichtung zum Auf
wachsen aus der Gasphase dargestellt. In dieser Ausführungs
form nimmt der Durchmesser des Reaktors 1 in dem Abschnitt,
der die Aufnahmeeinrichtung 3 umgibt, in einem zunehmend
wachsenden Maße von oben nach unten gerichtet zu. Fig. 4
zeigt eine Ausführungsform, in der ein zusätzliches Leitrohr
10 im Reaktor 1 enthalten ist, dessen Durchmesser in einer zu
nehmend wachsenden Weise von seinem oberen Ende nach unten
zunimmt. Diese Ausführungsform ist noch vorteilhafter als die
in Fig. 2 dargestellte Vorrichtung, da eine größere Menge des
ein Ausgangsmaterial enthaltenden Gases nahe an der Oberfläche
der Aufnahmeeinrichtung vorbeifließt, wodurch eine noch
bessere Ausnutzung des Ausgangsmaterials erreicht wird.
Die Fig. 5 und 6 zeigen weitere Beispiele für die Ausge
staltung der Aufnahmeeinrichtung 3. Die in Fig. 5 gezeigte
Aufnahmeeinrichtung besteht aus einem konischen Leitabschnitt
4 und einem Substrat-Halteabschnitt 5 mit polygonaler
Pyramidenform. Bei der in Fig. 6 gezeigten Aufnahmeein
richtung sind sowohl der Leitabschnitt 4 als auch der Sub
strat-Halteabschnitt 5 konusförmig ausgebildet. Der Durch
messer der Aufnahmeeinrichtung 3 zur Verwendung einer Vor
richtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann sich auf ver
schiedene Weise ändern. Er kann sich beispielsweise kontinu
ierlich oder stufenweise in einem zunehmend anwachsenden Maß
von der Spitze der Aufnahmeeinrichtung nach unten vergrößern.
Alternativ kann sowohl der Leitabschnitt 4 als auch der
Halteabschnitt 5 im Durchmesser konstant zunehmen oder es kann
der Durchmesser einer der beiden Abschnitte in zunehmend
wachsendem Maße von seinem oberen Ende nach unten gerichtet,
zunehmen. Diese Ausführungsformen können auf verschiedene
Weisen miteinander kombiniert werden, solange der Durchmesser
des Halteabschnitts 5 in einem stärkeren Maß zunimmt als der
des Leitabschnitts 4.
Ein Substrat wird auf dem Substrat-Halteabschnitt 5 in einem
Winkel von 15° bis 80° angeordnet, vorzugsweise von 20° bis
75° und insbesondere bevorzugt von 35° bis 70°, bezogen auf
die horizontale Ebene.
Die Gleichmäßigkeit der Geschwindigkeit des Schichtwachstums
mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird auf folgende Weise
untersucht. Die bei diesem Versuch verwendete Aufnah
meeinrichtung 3 hat eine oktagonale Pyramidenform, die ver
gleichbar ist mit der in der Vorrichtung gemäß Fig. 3 ver
wendeten Aufnahmeeinrichtung. Sie besteht aus einem Leitab
schnitt 4 mit einer Höhe von 120 mm und einem maximalen
Durchmesser von 84 mm und einem Substrat-Halteabschnitt 5 mit
einer Höhe von 120 mm und einem maximalen Durchmesser von 200
mm. Auf den schrägen Flächen des Halteabschnitts 5 werden 8
GaAs-Substrate mit einem Durchmesser von ca 5 cm (2 Zoll)
angeordnet. Trimethyl-Gallium (TMG) als ein Material oder eine
Verbindung der Gruppe III und Arsin (AsH3) als ein Material
oder eine Verbindung der Gruppe V werden mit hochreinem
Wasserstoff verdünnt und die sich ergebenden Gase der
Ausgangsmaterialien (TMG molarer Anteil = 1,1 × 10-5 Mol/l;
AsH3/TMG molares Verhältnis = 30/1) werden in den Reaktor 1
durch einen Einlaß 2 eingeleitet. Die GaAs-Substrate werden
durch Aufheizen der Aufnahmeeinrichtung 3 auf einer Temperatur
von 650°C gehalten, so daß dünne Epitaxial-Schichten aus GaAs
aufwachsen und einen Halbleiter auf den Substraten bilden. Die
Ergebnisse dieses Versuches zum Aufwachsen von Stoffen aus der
Gasphase sind in Fig. 7 dargestellt. Zum Vergleich werden
epitaxiale Schichten von GaAs unter den gleichen Bedingungen
wie sie zuvor beschrieben wurden, unter Verwendung der
bekannten, in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung gebildet. Die
Ergebnisse sind ebenfalls in Fig. 7 gezeigt. Auf der Abszisse
des in Fig. 7 gezeigten Diagramms ist der Abstand von dem in
Stromrichtung gesehen vorne liegenden Ende eines Substrats
gemessen entlang einer Linie, die dieses Ende mit dem von dem
in Stromrichtung gesehen hinteren Ende des Substrats
verbindet, aufgetragen und entlang der Ordinate ist die
Geschwindigkeit des Dickenwachstums für jeden der Punkte auf
der Abszisse aufgetragen. Wie Fig. 7 zeigt, erzeugt die
bekannte faßartige Vorrichtung zum Aufwachsen einer dünnen
Halbleiter-Schicht aus der Gasphase große Unterschiede
zwischen den Geschwindigkeiten des Dickenwachstums auf den in
Stromrichtung gesehen vorderen und hinteren Abschnitten der
Substrate und die Variation [(Standardabweichung/Mittelwert) ×
100] beträgt ungefähr 10,0%. Im Gegensatz dazu erzeugt die
erfindungsgemäße Vorrichtung eine wesentlich kleinere
Differenz und die Variation beträgt lediglich ungefähr 2,3%.
Dies stellt eine Verbesserung gegenüber dem Stand der Technik
um einen Faktor von ungefähr 5 dar. Der Mittelwert der Dicken
wachstums-Geschwindigkeit beträgt mit der bekannten Vorrich
tung ungefähr 0,8 µm/h und mit der erfindungsgemäßen Vor
richtung ungefähr 1,0 µm/h. Die Verbesserung beträgt somit
ungefähr 25%. Aus dem Vorstehenden wird deutlich, daß die
erfindungsgemäße Vorrichtung zusätzlich zur Gleichmäßigkeit
der Wachstumsgeschwindigkeit eine Verbesserung der Ausnutzung
des Ausgangsmaterials erzielt.
Zusammenfassend ist festzustellen, daß die erfindungsgemäße
Vorrichtung in vorteilhafter Weise das Wachstum einer
Epitaxial-Schicht mit gleichmäßiger Dicke auf Substraten be
wirkt, wobei eine bessere Ausnutzung des Ausgangsmaterials
erzielt wird.
Claims (3)
1. Vorrichtung zum Aufwachsen von Stoffen aus der Gasphase
mit einem Reaktor (1), der oben einen Einlaß (2) zum Ein
bringen eines Ausgangsstoffe aufweisenden Gases und eine
Aufnahmeeinrichtung (3) aufweist, die im in Strömungs
richtung gesehen hinteren Abschnitt des Reaktors (1) an
geordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahme
einrichtung im wesentlichen eine konische oder polygonale
Pyramidenform aufweist mit einem oberen Leitabschnitt (4)
und einem unteren Substrat-Halteabschnitt (5), wobei der
Durchmesser der Aufnahmeeinrichtung (3) in ihrem unteren
Halteabschnitt (5) in einem größeren Maß zunimmt als in
ihrem oberen Leitabschnitt (4).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Durchmesser des
Reaktors (1) in einem Abschnitt, der die Aufnahmeeinrich
tung (3) umgibt, von oben nach unten gerichtet, in einem
zunehmend wachsenden Maß zunimmt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Leitrohr
(10), im Reaktor (1) angeordnet ist, dessen Durchmesser von
oben nach unten in den Abschnitt, der die Aufnahme
einrichtung (3) umgibt, gerichtet in einem zunehmend
wachsenden Maß zunimmt.
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