DE3002971C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
hochdichter Siliziumkarbid-Sinterkörper wobei vorgeformte,
kompaktierte Körper in einer borhaltigen Atmosphäre drucklos
bis zu einer Dichte von über 85% der theoretischen Dichte
gesintert werden.
Siliziumkarbid in kristalliner Verbindung von Silizium mit
Kohlenstoff ist seit langem für seine Härte, Festigkeit
sowie ausgezeichnete Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit
bekannt. Siliziumkarbid hat einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten,
gute Wärmeleitfähigkeit und behält
hohe Festigkeit auch bei höheren Temperaturen. In den vergangenen
Jahren hat sich die Herstellungsweise von hochdichten
Siliziumkarbidkörpern aus Siliziumkarbidpulver
fortentwickelt. Die Verfahren bestehen aus Reaktionsbindung,
chemischer Dampfsedimentierung, Heißpressen und drucklosem
Sintern (Formung des Gegenstands und nachfolgendes Sintern).
Beispiele für solche Herstellungsverfahren sind in US-PSen
38 53 566, 38 52 099, 39 54 483 und 39 60 577 beschrieben.
Die so hergestellten hochdichten Siliziumkarbidkörper
stellen ausgezeichnete Konstruktionsmaterialien dar und
finden Anwendung in der Herstellung von Teilen für Turbinen,
Wärmeaustauschern, Pumpen und anderen Anlagen oder Werkzeugen,
die starkem Verschleiß unterworfen und/oder hohen
Temperaturen ausgesetzt sind.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens
zur Herstellung von Siliziumkarbidkörpern mit hoher
Dichte und hoher Festigkeit.
Zur Erzeugung hochdichten und hochfesten Siliziumkarbid-Keramikmaterials
sind verschiedene Verdichtungszusätze verwendet
worden. Zum Beispiel wurde in J. Ceram Soc. Vol. 39, Nr. 11,
November 1956, S. 386 bis 389 ein Verfahren zum Heißpressen
von Siliziumkarbid auf Dichten in der Größenordnung von 98%
der theoretischen Dichte durch Zusatz von Aluminium und Eisen
als Verdichtungshilfen beschrieben. Dabei wurde festgestellt,
daß ein dichtes Siliziumkarbid aus einer Pulvermischung erzeugt
werden kann, die 1 Massen-% Aluminium enthält. Das Zerreißmodul
betrug dabei 372,4 N/mm² bei Raumtemperatur und
482,8 N/mm² bei 1371°C. Kürzlich wurde ein Fortschritt
erzielt durch Verwendung von Bor als Verdichtungshilfsmittel.
Gewöhnlich werden solche Mittel in Mengen von 0,3
bis 3 Massen-% der zu sinternden Pulvermischung zugesetzt.
Das Bor kann in elementarer Form oder als borhaltige Verbindung, z. B.
Borkarbid, eingesetzt werden. Beispiele für
borhaltige Siliziumkarbidpulver ergeben sich aus den US-PSen
38 52 099, 39 54 483 und 39 68 194.
Die Anwesenheit eines Überschusses von Bor in einer Menge,
die größer ist als die, welche zur Sicherung eines dichten
Sinterprodukts benötigt wird, kann zu einer Verringerung
der Eigenfestigkeit des Sinterprodukts führen und dessen
Gebrauchsmöglichkeiten beschränken. Auch führt die Anwesenheit
eines Borüberschusses in dem Sinterprodukt in einigen
Fällen zur Beeinträchtigung der Oxidationsbeständigkeit des
Produkts. Aus diesen Gründen ist es günstig, den Gehalt an
Bor oder borhaltigem Material, welches dem Siliziumkarbidpulver
zugesetzt wird, zu verringern. Jedoch hat man es
bisher nicht erreicht, die gewünschte Dichte des gesinterten
Siliziumkarbids von mehr als 90% und vorzugsweise mehr als
95% der theoretischen Dichte durch druckloses Sintern zu
erreichen, ausgenommen durch den Zusatz von Verdichtungshilfsmitteln
zu dem Ausgangsmaterial.
Bei dem aus der gattungsbildenden DE-OS 27 51 827 bekannten
Verfahren wird die Verwendung von Bor als Verdichtungszusatz
vorgesehen, um eine höhere Verdichtung zu erzielen.
So enhält der vorgeformte Körper vor dem Sintern beispielsweise
etwa 0,5 Massen-% Bor. Das Sintern des Siliziumkarbids
mit Bor als Verdichtungshilfsmittel erfolgt dabei
in einer borhaltigen Atmosphäre ohne Anwendung von Druck.
Die Dichte eines derart drucklos gesinterten Siliziumkarbidkörpers
beträgt 96% der theoretischen Dichte. Um
das Bor gleichmäßig in dem Siliziumkarbid zu verteilen,
ist ein vergleichsweise aufwendiger Mischvorgang erforderlich,
der das Herstellungsverfahren kompliziert und verteuert.
Die Verwendung von Bor als Verdichtungshilfsmittel war
auch aus der US-PS 40 19 913 bekannt. Nach diesem bekannten
Verfahren wird ein auf unter 10 µm Teilchengröße gemahlenes
Siliziumkarbidpulver kolloidal vermischt. In der Preßling
läßt man bei erhöhter Temperatur dampfförmiges Silizium
eindringen, der mit dem feinteiligen Kohlenstoff Siliziumkarbid
bildet (Reaktionssintern). Es ist außerordentlich
schwierig, bei diesem Verfahren die Reaktion so zu steuern,
daß der gesamte freie Kohlenstoff mit dem dampfförmigen
Silizium zu Siliziumkarbid reagiert. Dies ist jedoch erforderlich, um die nötige Festigkeit zu erreichen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu
schaffen, daß es ermöglicht, auf einfachere Weise als
bisher hochdichte Siliziumkarbid-Körper durch druckloses
Sintern herzustellen.
Zur Lösung der gestellten Aufgabe wird ein Verfahren mit den in den Ansprüchen gekennzeichneten Maßnahmen vorgeschlagen.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann eine hohe Verdichtung
beim drucklosen Sintern auch dann erreicht werden,
wenn das Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial keine Verdichtungs-Hilfszusätze
wie Bor, Beryllium oder Aluminium enthält. Das
Ausgangmaterial besteht aus einer Mischung von teilchenförmigem
Siliziumkarbid und enthält weniger als
6% Kohlenstoffe in Form von elementarem Kohlenstoff oder
kohlenstoffhaltigem Material. Die Mischung kann außerdem
kleinere Gehalte anderer Zusätze wie Schmiermittel, oberflächenaktive
Stoffe oder Bindemittel enthalten, um die
Formgebung beim Kompaktieren der Grünlinge aus den Mischungen
zu unterstützen. Auch kleinere Mengen anderer keramischer
Materialien je nach Art des gewünschten Endprodukts können
enthalten sein. Die Mischungen werden zu Grünlingen nach
bekannten Verfahren kompaktiert. Der kompaktierte Körper
wird drucklos gesintert in einer Bor enthaltenden
Sinteratmosphäre, um ein Sinterprodukt mit einer
Dichte von mehr als wenigstens 85%, vorzugsweise mehr als
90% der theoretischen Dichte eines Siliziumkarbidkörpers
zu erzeugen.
Die Kristallstruktur des Siliziumkarbid-Ausgangsmaterials
kann vom Alpha- oder Betatyp sein. Das Siliziumkarbid kann
auch in amorphem Zustand vorliegen, oder es können Mischungen dieser Strukturen verwendet werden. Das Ausgangsmaterial enthält
üblicherweise
etwa 90 bis 99 Gewichtsteile von teilchenförmigem
Siliziumkarbid mit einer Oberfläche von 1 bis
100 m²/g und etwa 1 bis 10 Gewichtsteile Kohlenstoff oder
kohlenstoffhaltiges Material. Geeignete Kohlenstoffhaltige
Materialien sind carbonisierte organische Stoffe die unter
Sinterbedingungen elementaren Kohlenstoff abspalten, und
zwar in Mengen von etwa 30 bis 50% oder mehr ihres Ausgangsgewichts.
Die Komponenten werden gemischt möglichst durch Verwendung
eines Lösungsmittels, um Kohlenstoff oder kohlenstoffhaltiges
Material in dem Siliziumkarbidpulver zu verteilen und die
Teilchen damit zu überziehen. Die Mischung wird dann getrocknet,
um das Lösungsmittel auszutreiben, und wird dann
kompaktiert. Die Kompaktierung erfolgt gewöhnlich in die
gewünschte Endform des Produkts, das gewöhnlich eine Dichte
von wenigstens 1,60 g/cm³ hat. Der kompaktierte Körper
wird dann bei Temperaturen zwischen 1900 und 2500°C, vorzugsweise
zwischen 1950 und 2250°C gesintert. Die Sinterung
wird in einer gegenüber den zu sinternden Stoffen inerten
Atmosphäre, die Bor in einer ausreichenden Menge zur Erzeugung
des Produkts in Enddichte enthält, ausgeführt. Der Gehalt an
Bor in der Atmosphäre während des Sinterns kann in weiten
Grenzen in Abhängigkeit von der Sinterzeit, -temperatur und
der Gasströmung während des Sinterprozesses variiert werden.
Das Sinterprodukt enthält gewöhnlich weniger als 0,5 Massen-%
und vorzugsweise weniger als 0,3 Massen-% Bor.
Bor kann in Form von Gas, z. B. Bor-Trichlorid in die Gasatmosphäre
geleitet werden, zweckmäßigerweise in Mischung mit den
üblicherweise beim drucklosen Sintern verwendeten
Inertgasen, wie Stickstoff, Argon oder Helium. Bor kann auch
durch Einsatz eines borhaltigen Materials in die Sinterkammer
und dann in die Sinteratmosphäre eingeführt werden, z. B.
Bor selbst oder Borverbindungen wie Borkarbid, die Bor bei
Sintertemperatur in die Sinteratmosphäre abgeben. Solche
Materialien werden gewöhnlich in die Sinterkammer eingeführt
durch Herstellung einer Lösung oder Aufschlämmung
von Borverbindungen und Einsetzen der Lösung oder Aufschlämmung
in wenigstens einen Teil der Sinterkammer oder
in die Formen oder Behälter, die während der Sinterung verwendet
werden. Als Träger ist Aceton geeignet, aber auch
andere Träger wie Wasser oder andere erhältliche Lösungsmittel
können verwendet werden. Ihr einziger Zweck ist, eine
gute Verteilung des Bormaterials an den Wänden der Sinterkammer
oder der Sinterbehälter zu ermöglichen. Alternativ
kann Bor der Sinteratmosphäre durch Einsatz von Ofenteilen
zugesetzt werden, die Bor enthalten, oder durch Einschließen
der kompaktierten Körper mit borhaltigem Material in einen
geschlossenen Behälter. Der kompaktierte Körper kann in
das borhaltige Material eingeschlossen oder eingepackt sein.
Das Siliziumkarbid wird in feinverteilter Form, vorzugsweise
mit einer Teilchengröße von weniger als etwa 5 µm,
bevorzugt noch unter 2 µm eingesetzt. Geeignetes Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial
hat eine Oberfläche von < 4,0 m²/g,
und besonders geeignet sind Teilchen mit einer Oberfläche
von <10,0 m²/g.
Der Kohlenstoffanteil in einer Menge von weniger als 6 Massen-%,
vorzugsweise in Mengen von 0,5 bis weniger als 6 Massen-% der
Mischung,
kann eingesetzt werden in Form von feinteiligem Kohlenstoff
mit einer Teilchengröße von weniger als 5 µm, vorzugsweise
weniger als 2 µm. Es ist jedoch bevorzugt,
kohlenstoffhaltiges Material, wie karbonisierte organische
Stoffe zu verwenden, die dem zweifachen Zweck dienen, nämlich
einmal als Binder während des Kaltpressens und zum
anderen im folgenden als Kohlenstoffquelle, wenn es während
des Sinterns karbonisiert. Besonders geeignet sind Harze,
die Restkohlenstoff in Mengen zwischen 30 und 50 Masse-%
oder mehr nach dem Karbonisieren erzeugen.
Das Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial und der Kohlenstoff
oder das kohlenstoffhaltige Material werden sorgfältig gemischt,
um eine Dispersion von Kohlenstoff oder kohlenstoffhaltigem
Material innerhalb des Siliziumkarbidmaterials zu
erhalten.
Die Siliziumkarbid-Kohlenstoff-Mischung kann kaltgepreßt
werden um einen Grünlig zu formen. Das Kaltpressen wird
in einer Metallform mit Preßdrücken zwischen 340 und 1360 bar
ausgeführt. Auch Preßdrücke über 680 bar sind geeignet.
Preßdrücke von 1240 bar können aufgewendet werden, jedoch
werden dann gewöhnlich nur geringfügig verbesserte Ergebnisse
des gesinterten Endprodukts erreicht. Das gepreßte
Produkt hat gewöhnlich eine Dichte von 1,7 bis 1,9 g/cm³.
Die Porosität des kompaktierten Körpers liegt dabei zwischen
etwa 35 und 50%.
Die Sinterung erfolgt drucklos,
am besten in einem Graphitofen. Temperaturen von 1900 bis
2250°C sind geeignet. Wenn die Temperatur unter 1900°C
sinkt, wird beim Sintern nicht die gewünschte Dichte erzielt
und bei einer Sintertemperatur oberhalb 2250°C
können die Eigenschaften des Sinterprodukts verschlechtert
werden.
Die Sinterung wird in einer borhaltigen Atmosphäre ausgeführt,
die im übrigen gegenüber der zu sinternden Mischung
inert ist. Intergase wie Argon, Helium und Stickstoff werden
üblicherweise verwendet. In einigen Fällen kann auch Vakuum
in der Größenordnung von etwa 1,33 · 10-3 mbar angewendet werden.
Die Sinterzeit kann zwischen etwa einer viertel und 6 h
liegen. Sinterzeiten von einer halben bis etwa 2 h
sind gewöhnlich ausreichend.
Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele
erläutert. Die Mengenangaben sind in Massen-% und die
Temperaturen in °C angegeben.
Eine Mischung aus 196 Teilen Siliziumkarbid mit einer durchschnittlichen
Teilchengröße von weniger als 5 µm, 5,36 Teilen
Borkarbid ebenfalls mit einer durchschnittlichen Teilchengröße
von weniger als 5 µm und 9,76 Teilen Kohlenstoff in
der Form von Phenolharz (etwa 2 Massen-% Kohlenstoff) wurde
durch Mengen der Bestandteile in Aceton hergestellt. Die
Mischung wurde dann getrocknet, zerstoßen und durch ein
60 Mesh-Sieb gesiebt (Max. Korngröße 0,25 mm).
Das gesiebte Pulver wurde dann mit einem Preßdruck von
830 bar in einer Metallform gepreßt zu einer Mehrzahl von
Scheiben mit einem Durchmesser von 28,5 mm und einem Gewicht
von jeweils 10 g.
Die Scheiben wurden dann in einen zuvor mit Bor behandelten
Graphittiegel eingesetzt und mit einer zerkleinerten Mischung
aus Siliziumkarbid, Phenolharz und Borkarbid bedeckt.
Der Graphittiegel wurde zuvor vorbereitet, indem zunächst
eine Aufschlämmung von 5 g Borkarbid in 50 ml Aceton auf
das Innere des Tiegels aufgetragen wurde. Der bestrichene Tiegel
wurde dann mit einer Siliziumkarbidmischung gefüllt, die
0,5 Masse-% Bor in Form von Borkarbid enthielt, und wurde
dann bei 2150°C für 15 Minuten erhitzt.
Die Abdeckungs- oder Umhüllungsmischung enthielt 99,5 g
Siliziumkarbid, 0,64 g Borkarbid (etwa 0,5 Massen-%) und
10 g Paraffinwachs.
Die bedeckten Scheiben in dem vorbereiteten Tiegel wurden
dann in einem graphitbeständigen Ofen bei einer Temperatur
von 2120°C für 45 Minuten unter einer Argonatmoshäre gesintert.
Die Sintertemperatur wurde erreicht durch anfängliches
Erhitzen auf 1500°C über eine Periode von 4,5 h
und dann Anheben der Temperatur mit einer Rate von 300°C/h
auf 2100°C und Sintern bei dieser Temperatur für 45 Minuten.
Nach dem Erhitzen wurde die Dichte der Scheiben mit
3,114 g/cm³, entsprechend etwa 97% der theoretischen Dichte
von Siliziumkarbid, ermittelt.
Nach dem vorstehenden Verfahren sind mit wechselnden Gehalten
an Borkarbid in der Abdeckmischung vier Versuche als
Vergleichsbeispiel mit den Dichtewerten gemäß Tabelle 1
durchgeführt worden.
Die Herstellung erfolgte wie bei Beispiel 1 mit der einzigen
Ausnahme, daß gemäß der Erfindung kein Bor oder borhaltiges
Material dem Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial zugesetzt wurde.
In der für Beispiel 1 beschriebenen Weise wurde die Mischung
in einen zuvor mit Bor behandelten Tiegel eingesetzt, durch
eine 0,5 Massen-% Bor enthaltende Mischung abgedeckt und bei
2120°C für 45 Minuten gesintert. Die Ergebnisse der
Versuche 5 bis 12 sind in der nachfolgenden Tabelle 2 eingetragen.
Während der Sinterung nehmen die Proben weniger als
0,5 Masse-% Bor auf. Der typische Borgehalt der gesinterten
Proben liegt bei weniger als 0,1 Massen-%.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung hochdichter Siliziumkarbid-Sinterkörper,
wobei vorgeformte, kompaktierte Körper
in einer borhaltigen Atmosphäre drucklos bis zu einer
Dichte von über 85% der theoretischen Dichte gesintert
werden,
dadurch gekennzeichnet, daß die
vorgeformten, kompaktierten Körper borfrei sind und im
wesentlichen aus teilchenförmigem Siliziumkarbid und
weniger als 6 Masse-% elementarem Kohlenstoff oder
kohlenstoffhaltigem Material bestehen.
2. Verfahren durch Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Körper während der Sinterung weniger als 0,5 Masse-%
Bor aufnehmen.
Applications Claiming Priority (1)
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US06/021,403 US4237085A (en) | 1979-03-19 | 1979-03-19 | Method of producing a high density silicon carbide product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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