DE2341568C3

DE2341568C3 - Positiv-Positiv-Verfahren zur Herstellung von Metallbildern

Info

Publication number: DE2341568C3
Application number: DE19732341568
Authority: DE
Inventors: Johannes Petrus Gertrudis van Eindhoven Heeswijk
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1972-09-06
Filing date: 1973-08-17
Publication date: 1982-01-14
Also published as: GB1408070A; IT993861B; DE2341568A1; JPS5442253B2; BE804450A; FR2198176B1; DE2341568B2; CH579788A5; JPS4969139A; FR2198176A1; NL7212107A

Description

enthält, worin X gleich einem oder mehreren Substituenten und R gleich einer gegebenenfalls verzweigten Alkyl- oder Aralkylgruppe ist, bildmäßig belichtet, mit Quecksilber(I)-Ionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(I)-lonen in Berührung gebracht und dann gegebenenfalls physikalisch entwickelt wird, gekennzeichnet durch die Kombination mit folgenden Verfahrensschritten:

a) Die lichtempfindliche Schicht mit dem entwikkelten Bild wird mit Hilfe eines Oxidationsmittels gebleicht,

b) gegebenenfalls in einer alkalischen Lösung sowie dann in einer sauren Lösung gespült,

c) die restliche lichtempfindliche Schicht wird gleichmäßig belichtet,

d) gegebenenfalls in einer alkalischen Lösung sowie dann in einer sauren Lösung gespült,

e) mit Quecksilber(I)-lonen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(l)-Ionen in Berührung gebracht und

f) physikalisch entwickelt.

2. Positiv-Positiv-Verfahren zur Herstellung von Metallbildern, bei dem ein Aufzeichnungsmaterial mit einer lichtempfindlichen Schicht, die als lichtempfindliche Verbindung ein Benzoldiazosulfid der Formel

enthält, worin X gleich einem oder mehreren Substituenten und R gleich einer gegebenenfalls vorzweigten Alkyl- oder Aralkylgruppe ist, bildmäßig belichtet, mit Quecksilber(l)-Ionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(I)-lonen in Berührung gebracht und dann gegebenenfalls physikalisch entwickelt wird, gekennzeichnet durch die Kombination mit folgenden Verfahrensschritten:

a) Die lichtempfindliche Schicht mit dem entwikkelten Bild wird gleichmäßig belichtet,

b) gegebenenfalls in einer alkalischen Lösung sowie dann in einer sauren Lösung gespült.

c) mit Hilfe eines Oxidationsmittels gebleicht,

d) gegebenenfalls in einer alkalischen Lösung sowie dann in einer sauren Lösung gespült.

e) mit Quecksilber(l)-Ionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(I)-Ionen in Berührung gebracht und

f) physikalisch entwickelt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Oxidationsmittel eine Lösung von Bichromat und Natriumhydrogensulfat in Wasser oder eine Lösung von Cer(IV)-Sulfat, Bichromat, Schwefelsäure und Salpetersäure in Wasser verwendet wird.

Die Erfindung betrifft ein Positiv - Positiv - Verfahren zur Herstellung von Metallbildern, bei dem ein Aufzeichnungsmaterial mit einer lichtempfindlichen Schicht, die als lichtempfindliche Verbindung ein Benzoldiazosulfid der Formel

= N —S—R

enthält, worin X gleich einem oder mehreren Substituenten und R gleich einer gegebenenfalls verzweigten Alkyl- oder Aralkylgruppe ist, bildmäßig belichtet, mit Quecksilber(I)-lonen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(l)-Ionen in Berührung gebracht und dann gegebenenfalls physikalisch entwickelt wird.

Aus der DE-OS 19 02 408 ist ein Aufzeichnungsmaterial bekannt, das ein aromatisches Diazosulfid, auch als Diazothioäther bezeichnet, der obengenannten Formel als lichtempfindliche Verbindung enthält. Diese Verbindung, die molekulardispers in einer hydrophilen Trägerschicht angeordnet und somit kornfrei ist, hat die Eigenschaft, nach Belichtung ein Lichtreaktionsprodukt zu liefern, das mit Quecksilber(l)-Ionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise auch in Gegenwart von Silber(l)-Ionen unter Bildung von Quecksilber- oder Silberamalgam in Form eines latenten physikalisch entwickelbaren Metallkeimbildes reagieren kann.

Dieses Aufzeichnungsmaterial eignet sich zum Erzeugen schoner schleierfreier Bilder und weist eine Regression des Belichtungsergebnisses auf, die für die praktische Anwendung vernachlässigbar gering ist und es ermöglicht, z.B. zum repetierenden Abbilden von Photomaskennegativen, eine Vielzahl von Belichtungen nacheinander auf einer Platte durchzuführen, ohne daß das Ergebnis der ersten und das Ergebnis der letzten Belichtung nach Entwicklung des Ganzen einen meßbaren Unterschied aufweisen.

Bei der Silberhalogenidphotographie ist die Positiv-Positiv-Entwicklung längst bekannt; siehe z.B. Dr. E.Mutter, »Kompendium der Photographic«, Band II, S. 254-278. Lichtempfindliches Silberhalogenidmaterial wird zu diesem Zweck zunächst belichtet, wodurch ein latentes Bild erhalten wird, das bis zu einer gewissen Schwärzung chemisch entwickelt wird. Das entwickelte Bild wird dann mit Hilfe eines starken Oxidationsmittels, wie Kaliumbichromatschwefelsäure oder Kaliumpermanganat, entfernt. Vor oder nach dem Bleichen wird eine gleichmäßige Belichtung mittels einer diffusen Lichtquelle durchgeführt, wonach eine zweite chemische Entwicklung stattfindet. Schließlich wird das Bild fixiert. Dieses Bild ist in bezug auf die erste Belichtung positiv.

Nach dem Bleichen des ersten entwickelten Bildes findet auch noch eine Entfärbungsbehandlung der Gelatineschicht, die sogenannte Klärung statt, um Reste

des Oxidationsmittels zu entfernen.

Das Positiv- Positiv-Verfahren, das auf dem Silberhalogenidsystem beruht, hat ferner den Nachteil, daß in der Praxis zwei verschiedene Entwickler für die Bildentwicklung vor dem Wegbleichen und für die Entwicklung des Bildes nach gleichmäßiger Belichtung nach dem Wegbleichen benötigt werden.

Bei bekannten Verfahren, bei denen eine physikalische Entwicklung angewandt wird, wurde bisher nie an ein Positiv - Positiv - Verfahren gedacht, weil die dabei verwendeten meistens organischen lichtempfindlichen Stoffe gegen eine Behandlung mit starken Säuren und starken Oxidationsmitteln nicht beständig sind.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfacheres Positiv — Positiv — Verfahren zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Verfahren der eingangs genannten Art mit folgenden Verrahrensschritten kombiniert wird:

a) Die lichtempfindliche Schicht mit dem entwickelten Bild wird mit Hilfe eines Oxidationsmittels gebleicht,

c) die restliche lichtempfindliche Schicht wird gleichmäßig belichtet,

e) mit Quecksilber(I)-Ionen in Gegenwart von Feuchtigkeit und vorzugsweise in Gegenwart von Silber(I)-Ionen in Berührung gebracht und

f) physikalisch entwickelt

Eine andere Lösung der genannten Aufgabe besteht erfindungsgemäß darin, daß ein Verfahren der eingangs genannten Art mit folgenden Verfahrensschritten kombiniert wird:

a) Die lichtempfindliche Schicht mit dem entwickelten Bild wird gleichmäßig belichtet,

c) mit Hilfe eines Oxidationsmittels gebleicht,

0 physikalisch entwickelt.

Bei den Untersuchungen, die zur Erfindung geführt haben, wurde überraschenderweise gefunden, daß die Benzoldiazosulfide, obgleich sie in Lösung ebenfalls nicht gegen Säuren beständig sind, in der lichtempfindlichen Schicht eine genügend hohe Beständigkeit gegen das Wegbleichen der nach Belichtung erzeugten, gegebenenfalls physikalisch entwickelten Keimbilder aufweisen und sich daher zum Durchführen des Positiv —Positiv —Verfahrens eignen. Diese Möglichkeit schafft eine günstige Erweiterung des Anwendungsbereiches von Benzoldiazcsulfiden. Eine dieser neuen Anwendungen ist z. B. die Herstellung von Mustern auf beiden Seiten einer Glasplatte, von denen eines das Spiegelbild des anderen sein muß. Auch in der Photomaskenherstellung ist das Positiv-Positiv —Verfahren von Bedeutung. Dies ist interessant, weil bekannte lichtempfindliche Materialien für die Herstellung von Photomasken diese Anwendungsmöglichkeit nicht aufweisen. Für die Herstellung von Präzisionsskalen, wie sie u.a. in modernen Waagen verwendet werden, ist das Positiv—Positiv —Verfahren von besonderem Interesse. Es ist sehr vorteilhaft, daß die beim Silberhalogenid-Positiv — Positiv — Verfahren erforderliche Entfärbungsbehandlung beim erfindungsgemäßen Verfahren überflüssig ist

Offenbar wirkt beim Wegbleichen des Metallbildes das Bildmetall katalytisch auf die Zersetzung des lichtempfindlichen Stoffes ein.

Mit Hilfe des Positiv-Positiv-Verfahrens nach der ίο Erfindung hat es sich als möglich erwiesen, Umkehrbilder mit demselben hohen Auflösungsvermögen wie dem des Negativs zu erhalten. Es hat sich als möglich erwiesen, Linien mit einer Breite von 0,3 u.m abzubilden.

Es ist vorteilhaft, daß nach der Erfindung für die Bildentwicklung vor dem Wegbleichen und für die Entwicklung des Bildes nach gleichmäßiger Belichtung nach dem Wegbleichen derselbe physikalische Entwickler brauchbar ist Es ist sogar möglich, die erste Entwicklung völlig fortzulassen, also sofort das Keimbild wegzubleichen.

Für das Wegbleichen sind die meisten für das bekannte Positiv — Positiv — Verfahren verwendeten Oxidationsmittel, wie Bichromatschwefelsäure, Amrnoniumpersuifat und Kaliumeisen(Ill)-cyanid, ebenfalls geeignet Einige Oxidationsmittel, wie Permanganaischwefelsäure und Eisen(IlI)-nitrat, sind als solche nicht geeignet

Schließlich haben sich einige für diesen Zweck nicht bekannte Oxidationsmittel als für das Positiv-Positiv — Verfahren nach der Erfindung besonders geeignet erwiesen, und zwar u. a. Bichromatnatriumhydrogensulfat und Cer(IV)-sulfatsalpetersäure — das letztere Bad gegebenenfalls unter Zusatz von Eisen(III)-nitrat.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird daher

J5 als Oxidationsmittel eine Lösung von Bichromat und Natriumhydrogensulfat in Wasser oder eine Lösung von Cer(IV)-Sulfat, Eichromat, Schwefelsäure in Wasser verwendet

Bei der Herstellung umgekehrter Mikrobilder wird manchmal eine etwas körnige Struktur erhalten. Eine Verbesserung in dieser Hinsicht kann dadurch erzielt werden, daß nach dem Bleichen und der gleichmäßigen Belichtung in einer alkalischen Lösung und danach gegebenenfalls in einer verdünnten sauren Lösung gespült wird. Geeignete Lösungen sind u. a. Lösungen von NaOH, Natriumacetat, Anilin, Pyridin oder Chinolin.

Die Erfindung wird nachstehend anhand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.

Beispiel 1

Ein Streifen einer bis zu einer Tiefe von 2 μΐη verseiften Cellulosetriacetatfolie wird dadurch lichtempfindlich gemacht, daß er mit einer Lösung von 0,1 Mol/l S.S-pichloM-dimethylaminobenzoldiazo-tert.-butylsulfid in Äthanol imprägniert, über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in einem wäßrigen bo Keimeinführungsbad mit 0,01 η Hg₂(NO₃J₂,

0,03 η AgNO₃ und 0,01 η HNO₃ und anschließend 4 Sekunden Sang in entionisiertem Wasser gespült und 4 Minuten lang in einem physikalischen Entwickler entwickelt wird, der pro Liter Wasser aus 0,05 Mol b5 Fisen(II)-ammoniumsulfat, 0,01 Mol Eisen(lll)-nitrat, 0,1 iol Citronensäure, 0,01 Mol Silbernitrat, 0,02 Gew.-% eines oberflächenaktiven Mittels A und 0,02 Gew.-% eines oberflächenaktiven Mittels B besteht.

Die beiden oberflächenaktiven Mittel können auch durch die Kombination von

0,02 Gew.-% eines oberflächenaktiven Mittels C

und
0,04 Gew.-% eines oberflächenaktive.! Mittels D

ersetzt werden. Das oberflächenaktive Mittel A ist ein Gemisch, das zu 90% aus Dodecylaminacetat, zu etwa 9% aus Tetradecylaminacetat und im übrigen aus Alkylaminacetaten mit noch größerer Kettenlänge besteht; das oberflächenaktive Mittel B ist ein Kondensationsprodukt von Alkylphenolen mit PoIyäthylenglykol; das oberflächenaktive Mitte! C ist ein Gemisch von Oleyl-, Palmityl- und Stearylaminacetaten; das oberflächenaktive Mittel D ist ein Octylphenyläther eines Polyoxyäthylens mit 30 Gruppen.

Das so erhaltene negative Bild wird in entionisiertem Wasser gespült und dadurch gebleicht, daß es 2 Minuten lang in einer wäßrigen Lösung von 250 mg K₂Cr₂O₇ und 5 ml H₂SO₄ (c/ = 1,84) pro Liter bewegl wird. Aufs neue wird die Folie gespült, getrocknet und dann 1 Minute lang in einer Entfernung von 100 cm von einer 125 W-Quecksilberdampflampe gleichmäßig belichtet.

Schließlich wird 4 Sekunden lang im obengenannten Keimeinführungsbad und 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült und 4 Minuten lang in der obenstehenden physikalischen Entwicklungsflüssigkeit entwickelt.

Es wird ein ausgezeichnetes Umkehrbild erhalten, das von E= 2,0 m J cm-² her bei der ersten Belichtung völlig transparent ist.

Beispiel 2

Ein Streifen eines Materials nach Beispiel 1 wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült, 2 Minuten lang im Entwickler nach Beispiel 1 entwickelt, nochmals 1 Minute lang gespült und schließlich getrocknet.

Der Streifen wird dann 4 Minuten lang in einer Entfernung von 100 cm von einer 125 W-Quecksilberdampflampe gleichmäßig belichtet, dadurch gebleicht, daß der Streifen 30 Sekunden lang in einer wäßrigen Lösung mit 250 mg/1 K₂Cr₂O₇ und 5 ml konzentrierter H₂SO₄ (d = 1,84) bewegt wird, 10 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, wieder 4 Sekunden lang gespült und 4 Minuten lang im Entwickler nach Beispiel 1 entwickelt.

Es wird ein gutes Umkehrbild erhalten, das von E= 1,6 m J cm - ² her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Beispiel 3

Eine über eine Dicke von 1 μιτι verseifte Schicht aus v-> Celluloseacetobutjrat auf Glas wird mit einci Lösung von 0,1 Mol/l S.S-pichloM-dimethylaminobenzoldiazotert-butylsulfid in Äthanol beschichtet. Eine Platte aus dem Material wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach no Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 4 Minuten lang in dem physikalischen Entwickler nach Beispiel 1 verstärkt, 1 Minute lang gespült. 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 40 cm von einer 125 W-Quecksilber- hi dampflampe gleichmäßig belichtet, dadurch gebleicht, daß die Platte 8 Sekunden lang in eine wäßrige Lösung von 10 g/l K..C!·..(),■ + 5!) g/l NaIlSO₄ eingetaucht wird. und 1 Minute lang gespült. Dann wird die Platte 4 Sekunden lang in dein Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 bewegt, 4 Sekunden lang gespült und schließlich 4 Minuten lang in der Flüssigkeit nach Beispiel 1 physikalisch entwickelt

Es wird ein gutes Umkehrbild erhalten, das von E= 1,6 m J cm-² her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Es ist auch möglich, ein Bleichbad zu verwenden, das 10 g/l K₂Cr₂O₇-VSOmI/! konzentrierte H₂SO₄ enthält. Das Bild ist dann von E= 0,8 m J cm ~² her völlig transparent. Auch kann mit einer Lösung von 20 g/l K₃CFe(Cn)J₆ + 75 g/l Na₂S₂Oj gebleicht werden. Das Umkehrbild ist dann von E=ZOmJ cm -² her transparent.

Beispiel 4

Eine Platte aus dem Material nach Beispiel 3 wird über ein Sensitometer belichtet, 2 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel I eingetaucht, 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, dadurch gebleicht, daß die Platte 8 Sekunden lang in einer Lösung von iOg/l K₂Cr₂O₇ + 50 g/l NaHSO₄ bewegt wird, 1 Minute lang gespült, 5 Sekunden lang in

;r> einer Entfernung von 40 cm von einer 125W-Lampe gleichmäßig belichtet, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült und schließlich 4 Minuten lang physikalisch in der Flüssigkeit nach Beispiel 1

«ι entwickelt. Es wird ein ausgezeichnetes Umkehrbild erhalten, das von E= 80 m J cm ² her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Beispiel 5

Eine Platte aus dem Material nach Beispiel 3 wird über ein Sensitometer belichtet, 1 Sekunde lang in dem Keimeinführungsbad nach Beispiel I behandelt. 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült

4» und getrocknet. Dann wird sie 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 40cm von einer 125 W-Lampe gleichmäßig belichtet. Anschließend wird das Keimbild durch 8sekundiges Bleichen in einer Lösung von 10 g/l K₂Cr₂O₇ und 50 ml/1 konzentrierter HjSO₄ entfernt, die

4, Platte 1 Minute lang gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, nochmals 4 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült und schließlich 4 Minuten lang physikalisch in der Lösung nach Beispiel 1 entwickelt.

■so Es wird ein schönes Umkehrbild enthalten, das von E= 2,5 m J cm ² her völlig transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Beispiel 6

Eine 2 μιη dicke verseifte Celluloseacetatbutyratschicht auf Glas wird mit einer Lösung von 0,1 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazo-tert.-butylsulfid in Äthanol beschichtet. Eine Platte aus diesem Material wird auf völlig gleiche Weise wie im Beispiel 3 behandelt, ausgenommen eine gleichmäßige Belichtung, die während 20 Sekunden in einem Absicnd von 60 cm von einer 125 W-Quecksilberlampc durchgeführt wird.

Es wird ein ausgezeichntes Umkehrbild erhalten, das von E = 2,5 m J cm - her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Wenn von einem Material ausgegangen wird, das mit 2-Chlor-4-nitrobcnzoldiazo-tcrt.-butylsulfid lichtempfindlich gemacht worden ist, wird ein Umkehrbild

erhalten, das von E = 6,3 m J cm -' her transparent ist und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Bei Anwendung von 0,06 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazi>isooctylsulfid

O,N-

Cl

N=- N-S-C-CH₁

CI

in Äthanol als lichtempfindlichem Stoff wird nach Durchführung des obenbeschriebenen Verfahrens ein Umkehrbild erhalten, das von E = 5,0 m J cm ² her transparent ist und während der ersten Belichtung r, erhalten wird.

Auch 0,02 Mol/l 4-Nitrobenzoldiazo-triphenylmethylsulfid, in Methylglykol gelöst, kann als lichtempfindlicher Stoff verwendet werden. Wenn dieser Stoff mit einem Keimeinführungsbad aus :n

0,01 nHgj(NOi)2 + 0.001 η AgNO₁ + 0.01 η HNO,

verwendet wird, wird unter Anwendung der im übrigen obenbeschriebenen Verfahrensschritte ein Umkehrbild erhalten, das von E= 40 m J cm ■² her transparent ist y, und während der ersten Belichtung erhalten wird.

Beispiel 7

Eine Glasplatte mit einer 2 μηι dicken verseiften Celluloseacetobutyratschicht wird dadurch lichtemp- ,, findlich gemacht, daß sie mit einer Lösung von 0.1 Mol/l S.S-DichloM-dimethylamino-benzoldiazo-tert.-butylsulfid in Äthanol imprägniert wird. Nach Trocknung wird die Platte in Kontakt mit einer Photomaske unter einer 125 W-Quecksilberdampflampe belichtet. Danach r. wird die Platte 2 Sekunden lang in das Kejmeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht, 4 Sekunden lang gespült. 4 Minuten lang in dem physikalischen Entwickler nach Beispiel 1 entwickelt, 1 Minute lang gespült. 8 Sekunden lang gleichmäßig in einer 4n Entfernung von 40crn von einer !25 W-Lampe belichtet, dadurch gebleicht, daß sie 2 Minuten lang in einer Lösung von 100 g/l Ce(SO₄): ■ 4 H_:O + 100 g/l konzentrierter HNOi bewegt wird. 1 Minute lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 4 Sekunden lang in j-, dasselbe Keimeinführungsbad eingetaucht. 4 Sekunden lang gespült und schließlich 4 Minuten lang physikalisch in derselben Flüssigkeit entwickelt.

Auf diese Weise wird eine schleierfreie Abbildung der Photomaske mit Details bis zu 1 μπι erhalten. μ ι

Beispiel 8

Eine Glasplatte mit einer lichtempfindlichen Schicht wie im vorangehenden Beispiel wird zur Herstellung einer Abbildung einer Photomaske bis zu der zweiten gleichmäßigen Belichtung auf entsprechende Weise behandelt. Die gleichmäßige Belichtung erfolgt 5 Sekunden lang in einer Entfernung von 40 cm von einer 125 W-Lampe. Die belichtete Platte wird dann 8 Sekunden lang in einer Lösung von 10 g/l K₂Cr_-O₇ + 50 g/l NaHSO₄ bewegt, 30 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült, 2 Minuten lang in Wasser mit 10% Pyridin bewegt, aufs neue 30 Sekunden lang in Wasser gespült, 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht 4 Sekunden lang gespült und schließlich 4 Minuten lang physikalisch in der Entwicklungsflüssigkeit nach Beispiel 1 entwickelt.

Es wird eine gute Abbildung der Photomaske mit sehr hohem Auflösungsvermögen mit Details von 0,5 μπι und einer guten Randschärfe erhalten. Statt des pyridinhaltigen Bades kann auch eine Lösung von Anilin. Chinolin oder Na-Acetat verwendet werden.

Beispiel 9

Zur Herstellung einer Abbildung der Photomaske wird dasselbe Material wie im Beispiel 7 verwendet und wird das in diesem Beispiel beschriebene Verfahren bis zu der /weiten gleichmäßigen Belichtung durchgeführt. die nun 10 Sekunden lang statt 8 Sekunden lang erfolgt. Dann wird die Glasplatte 20 Sekunden lang in einer wäßrigen Lösung bewegt.die pro Liter enthält:

50 g Ce(SO*): 4 HjO

5 g K_:Cr:O:

200g konz. HNOj(^ = 1.43)
25 ml konz.H:SO₄(c/= 1.84).

Dann wird die Platte 1 Minute lang in entmineralisiertem Wasser gespült. 30 Sekunden lang in 0.1 η NaOH. 10 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser. 20 Sekunden lang in 0.14 η HNO;. aufs neue 10 Sekunden lang in entmineralisiertem Wasser gespült. 4 Sekunden lang in das Keimeinführungsbad nach Beispiel 1 eingetaucht. 4 Sekunden lang in Wasser gespült und 4 Minuten lang physikalisch in dem Bad nach Beispiel 1 entwickelt.

Es wird eine gutes schleierfreies Umkehrbild mit einer großen Randschärfe und einem hohen Auflösungsvermögen mit Details von 0.3 μπι erhalten.

Claims

Patentansprüche:

1. Positiv — Positiv — Verfahren zur Herstellung von Metallbildern, bei dem ein Aufzeichnungsmaterial mit einer lichten-pfindlichen Schicht, die als lichtempfindliche Verbindung ein Benzoldiazosulfid der Formel