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DE2158257A1 - Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial - Google Patents

Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial

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Publication number
DE2158257A1
DE2158257A1 DE2158257A DE2158257A DE2158257A1 DE 2158257 A1 DE2158257 A1 DE 2158257A1 DE 2158257 A DE2158257 A DE 2158257A DE 2158257 A DE2158257 A DE 2158257A DE 2158257 A1 DE2158257 A1 DE 2158257A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
support body
cap
closed
semiconductor material
arrangement
Prior art date
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Pending
Application number
DE2158257A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dipl Chem Dr Dietze
Andreas Kasper
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Priority to BE787577A priority patent/BE787577R/xx
Priority to NL7212471A priority patent/NL7212471A/xx
Priority to AT843372A priority patent/AT324434B/de
Priority to CH1440472A priority patent/CH550609A/de
Priority to GB5003472A priority patent/GB1370988A/en
Priority to JP47112844A priority patent/JPS5743526B2/ja
Priority to US00306011A priority patent/US3793984A/en
Priority to DK564772A priority patent/DK141557C/da
Priority to SE7215010A priority patent/SE375555B/xx
Priority to FR7241300A priority patent/FR2160903B2/fr
Priority to IT31886/72A priority patent/IT1046828B/it
Priority to DD167018A priority patent/DD105727A6/xx
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Pending legal-status Critical Current

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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 2 4.NW1971
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
71/1187
Anordnung zum Herstellen von einseitig geschlossenen Rohren -aus Halbleitermaterial
Zusatz zu Patent Aktz.: P £125 o85.1 = VPA 71/Io75
Das Hauptpatent (P 2 125 o85.1; VPA 71/Io75) "betrifft eine Anordnung zum Herstellen von einseitig geschlossenen Rohren aus Halbleitermaterial durch Abscheiden aus einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials auf einem durch direkten Stromfluß erhitzten hohlen, an einem Ende-geschlossenen rohrförmigen Trägerkörper, bei dem im Innern des Trägerkörpers ein Stab aus Graphit oder einem der Stoffe Glaskohle, Spektralkohle oder Pyrographit angeordnet und mit dem Trägerkörper durch Einpressen oder Einschrauben in eine am geschlossenen Ende des Trägerkörpers vorgesehene Ausnehmung verbunden ist, wobei die Ausnehmung eine das geschlossene Ende des Trägerkörpers durchdringende Bohrung ist und die Bohrung durch den Mittelteil einer im Querschnitt pilzförmigen eingeschraubten oder eingepreßten Kappe verschlossen ist.
Die Erfindung ist gegenüber dem Hauptpatent dadurch gekennzeichnet, daß die Kappe an ihrer Außenseite eine von der Mitte ausgehende abgeschrägte Dachform aufweist.
Dabei liegt es im Rahmen der Erfindung, daß die Abschrägung von der Mitte der Kappe bis zur Auflagefläche an der Außenseite des Trägerkörpers verläuft.
Gemäß einem besonders vorteilhaften Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung' werden zusätzlich zur Abschrägung
VPA 9/11o/1o78 Edt/Au - 2 -
309822/0985
die Stoßstellen von Kappenrand und äußerer Trägerkörperwand abgerundet, wodurch ein besseres Abziehen des fertigen Siliciumrohres gewährleistet wird.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Kappe gegenüber der in der Hauptanmeldung beschriebenen, als Abdeckung des Graphitrohres vorgesehenen flachen Graphitkappe liegt darin, daß durch die von vornherein abgeschrägte Kappenform eine gleichmäßigere Temperaturverteilung über die gesamte Fläche zu erzielen ist; Dadurch wird auch bei der Herstellung einseitig geschlossener Siliciumrohre mittels solcher Anordnungen eine gleichmäßige Siliciumabscheidung gewährleistet und w die erhaltenen Siliciumrohre weisen eine einheitliche Wandstärke auf." Das Schrägabschleifen am Rand der Kappe nach dem Zusammensetzen der Graphitteile, welches bei der Anordnung nach dem Hauptpatent dazu benutzt wurde, um beim Aufheizen größere Temperaturdifferenzen zum Rand hin zu unterdrücken, kann au* ein Minimum reduziert werden.
Ein weiterer Vorteil gegenüber der flachen Kappe ist die weitaus größere mechanische Stabilität.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestellten Figur noch näher erläutert. Die Figur zeigt einen Querschnitt durch das Oberteil eines Trägerkörpers mit Stab und eingepaßter Kappe. Dabei ist mit dem Bezugszeichen 1o der Graphitstab, mit 11 der Trägerkörper aus Graphit bezeichnet und mit 12 und H sind die Gewinde schematisch eingezeichnet. Die den hohlen Trägerkörper nach außen hin abschließende, in den Graphitstab eingepaßte Kappe trägt das Bezugszeichen und weist eine von der Mitte 15 ausgehende abgeschrägte Dachform auf. Die im Querschnitt der Figur mit 16 bezeichnete Stoßstelle von Kappenrand (13) und äußerer Trägerkörperwand (11) wird durch Abschleifen abgerundet, was durch die eingezeichnete gestrichelte Linie 17 dargestellt werden soll.
VPA 9/11o/1o78 - 3 -
3 09822/098S
Die Abscheidung des Rohres aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium* erfolgt in bekannter Weise, wie auch in der Hauptanmeldung bereits beschrieben ist.
3 Patentansprüche
1 Figur
VPA 9/11o/1o78 - 4 -
3098227098b

Claims (3)

Patentansprüche
1. Anordnung zum Herstellen von einseitig geschlossenen Rohren aus Halbleitermaterial durch Abscheiden aus einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials auf einem durch direkten Stromfluß erhitzten, hohlen, an einem Ende geschlossenen rohrförmigen Trägerkörper, bei dem im Innern des Trägerkörpers ein Stab aus Graphit oder einem der Stoffe Glaskohle, Spektralkohle oder Pyrographit angeordnet und mit dem Trägerkörper durch Einpressen oder Einschrauben in einer am geschlossenen Ende des Trägerkörpers vorgesehenen Ausnehmung .verbunden ist, wobei die Ausnehmung eine das geschlossene Ende des Trägerkörpers durchdringende Bohrung ist und die Bohrung durch den Mittelteil einer im Querschnitt pilzförmigen eingeschraubten oder eingepreßten Kappe verschlossen ist, nach Patent (P 2 125 o85.1;
VPA 71/Io75)j dadurch gekennzeichnet, daß die Kappe an ihrer Außenseite eine von der Mitte ausgehende abgeschrägte Dachform aufweist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschrägung von der Mitte der Kappe bis zur Auflägefläche an der Außenseite des Trägerkörpers verläuft.
3. Anordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ■ zusätzlich zur Abschrägung die Stoßstellen von Kappenrand und äußerer Träger icörpe rwand abgerundet sind.
VPA 9/11o/1o78
309822/098b
DE2158257A 1971-11-24 1971-11-24 Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial Pending DE2158257A1 (de)

Priority Applications (13)

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DE2158257A DE2158257A1 (de) 1971-11-24 1971-11-24 Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial
BE787577A BE787577R (fr) 1971-11-24 1972-08-14 Agencement pour la fabrication de tubes fermes d'un cote, en matiere
NL7212471A NL7212471A (de) 1971-11-24 1972-09-14
AT843372A AT324434B (de) 1971-11-24 1972-10-02 Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial
CH1440472A CH550609A (de) 1971-11-24 1972-10-03 Anordnung zum herstellen von einseitig geschlossenen rohren aus halbleitermaterial.
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SE7215010A SE375555B (de) 1971-11-24 1972-11-17
FR7241300A FR2160903B2 (de) 1971-11-24 1972-11-21
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DD167018A DD105727A6 (de) 1971-11-24 1972-11-22

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CH (1) CH550609A (de)
DD (1) DD105727A6 (de)
DE (1) DE2158257A1 (de)
DK (1) DK141557C (de)
FR (1) FR2160903B2 (de)
GB (1) GB1370988A (de)
IT (1) IT1046828B (de)
NL (1) NL7212471A (de)
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US3793984A (en) 1974-02-26

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