DE2063579C3

DE2063579C3 - Codierbare Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE2063579C3
Application number: DE2063579A
Authority: DE
Inventors: Edward Joseph Cranbury N.J. Boleky (V.St.A.)
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1970-01-02
Filing date: 1970-12-23
Publication date: 1980-01-24
Also published as: GB1309310A; CS163239B2; SE370143B; ZA706960B; FR2075108A5; DE2063579A1; NO129878B; BE761172A; SU362553A3; DE2063579B2; JPS495599B1; ES196297U; ES196297Y; MY7600090A; AT311092B; US3699395A; NL7019075A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs I.

Aus der GBPS Il 35 992 ist eine Haltlcitcranordnung bekannt, welche einen Satz von Spaltenlcitcni und einen Satz von Zeilenleiterpaaren, die die Spaltcnl'eitcr kreuzen und mit diesen eine x-y-Matrix bilden, enthält. Zwischen jeden Spaltcnleitcr und jedes Zcilcnlcilcrpnai ist ein Halbleiterschaltungselement, nämlich eine Diode, geschaltet. Dabei ist die eine Klemme der Diodt: mit dem zugehörigen Spaltenleiter und die andere Klemme der Diode über zwei Schmelzleiter mit je einem Zeilenleitcr des zugehörigen Paares verbunden. Die Verbindung jeder Diode mit drei Leitern, nämlich ci>nem Spaltenleiter und zwei Schmelzlcitern, die jeweils zu einem Zeilenleiter des zugehörigen Paares führen und /wischen diesen Zcilenlcitcrn in Reihe miteinander liegen, hat den Zweck, die Verwendungsmöglichkeit der Matrix zu erhöhen.

Üblicherweise bestehen bei derartigen Halblcitcranordnungen die Schmelzleiter aus demselben Material wie die Zeilenleitcr. z. B. aus Aluminium oder Gold, und die als .Schmelzleiter vorgesehenen Leiierteile haben einen verringerten Querschnitt. Eine solche Anordnung hat jedoch den Nachteil, daß verhältnismäßig hohe Schmelzströme benötigt werden, weil die Schmelzleiter '< wegen der hohen elektrischen Leitfähigkeit der verwendeten Metalle einen sehr kleinen Querschnitt haben müssen, damit man den für das Entstehen der zum Schmelzen erforderlichen Siromwärme benötigten hohen elektrischen Widerstand erhält. Herstellungsbe-

I» dingt besteht jedoch eine untere Grenze für den Querschnitt der Schmelzleiter, die nicht unterschritten werden darf, da sonst die Reproduzierbarkeit der Schmelzleiter von Bauelement zu Bauelement nicht mehr gewährleistet ist. Bei Verwendung von Materia-" > lien hoher Leitfähigkeit, wie Aluminium und dgl, besteht das Problem darin, daß der elektrische Widerstand dieser Materialien bei dieser unteren Grenze des Querschnitts immer noch so groß ist, daß hohe Schmelzströme erforderlich sind.

Jii Um eine solche Matrix zu codieren, d. h. um Information in ihr zu speichern, werden die Beziehungen bestimmter Schaltungskomponcnten zur Matrix geändert, z. B. werden die betreffenden Schaltungselemente von der Matrix abgetrennt. Zum Abschalten

->'. eines gewünschten Schaltungsclementes von der Matrix läßt man einen zum Schmelzen oder »Durchbrennen« des betreffenden Schmelzleiter ausreichenden Strom durch das betreffende Schaltungselement und den mit ihm in Reihe geschalteten Schmelzleiter fließen.

«ι Nachteilig an einer solchen Anordnung ist es, daß die Schmelzleiter sowohl als nach Wunsch zu unterbrechende Abschaltgliedcr als auch als elektrische Leiter für die Schaltungselemente, die in der Matrix verbleiben, arbeiten müssen. Wenn man für die Schmelzleiter

π Materialien verwendet, die sich als elektrische Anschlußleiter eignen, haben die Schmelzleiter einen verhältnismäßig kleinen Widerstand. Bei den bekannten Anordnungen dieser Art werden daher verhältnismäßig große Schmelzströmc benötigt. Bei Verwendung großer

κι Schmclzströme tritt andererseits Oj:; Problem auf, daß der Stromfluß durch das mit dem Schmcl/.leiier in Reihe geschaltete Halblciter-Schaliungsclemcnt dessen Eigenschaften vor dem Durchbrennen des Schmelzleiters so ändern kann, daß das Durchbrennen des

Γι Schmelzleiter* verhindert wird. Beispielsweise kann ein PN-Übergang des Schallungsclemcnts durch einen großen Strom in einen großen Widerstand verwandelt werden, der die Amplitude des Stromes dann sofort so weil herabsetzt, daß der Strom nicht mehr zum

V) Durchbrennen des Schmelzleiter ausreicht. Das Halbleiter-Schaltungselement verbleibt dann aber in der Matrix. Hohe Schmclzströme bedingen außerdem hohe Spannungen an der Reihenschaltung aus dem Schmelzleiter und dem Halblcitcr-Schaltungselcmcnt. Hohe

'>") Spannungen können bekanntlich jedoch zur Folge haben, daß durch andere, dem abzuschaltenden Schaltungselement parallclgcschaltctc Elemente ein zum Ansprechen des Schmelzleiter ausreichender Strom fließt. In diesem Falle werden dann Schaliungs-

Mi elemente von der Matrix abgeschaltet, die in der Matrix verbleiben sollten.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art anzugeben, die ohne Gefahr für die

b^r> Halbleilcr-Schallungsclementc codiert werden kann.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs I

gelöst.

Die Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung liißi sich mit verhältnismäßig kleinen Strömen codieren, so daß keine Gefahr einer Fehlcodierung oder einer Schädigung von Halbleiterbauelementen besteht.

Die Zeilen und Spalten der Matrix müssen nicht notwendigerweise rechtwinklig aufeinanderstehen oder geradlinig sein, sondern die Erfindung eignet sich auch für andere Leiterformen und -anordnungen.

Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert, es zeigt

Fig. I eine Draufsicht auf eine Halbleiteranordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig.2 einen vergrößerten Schnitt längs der Linie 2-2 in F i g. 1

Fig. 3 eine Schnittansicht eines Substrates, auf das bei der Erläuterung der Herstellung der Halbleiteranordnung gemäß F i g. 1 und 2 Bezug genommen wird,

Fig.4 eine Draufsicht auf das Substrat hei einem späteren Verfahrensschritt,

Fig.5 und 6 Schnitte des Substrates in einer Ebene A-A in Fi g.4, gesehen in Pfeilrichtung, während zweier weiterer Verfahrensschritte, und

F i g. 7 eine Draufsicht auf das Substrat während eines folgenden Verfahrensschrittes.

Die Erfindung wird im folgenden am Beispiel von Halbleiteranordnungen erläutert, die in Speicherwerken von Computern Verwendung finden können und als Festwertspeicher bezeichnet werden. Die Erfindung läßt sich jedoch auch auf andere Halbleiteranordnungen, z. B. andere Datenspeicher. Verknüpfungsschaltungen u. a. m. anwenden.

In den Fig. I und 2 ist als Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Festwertspeicher IO dargestellt, der ein flaches Substrat 12 enthält, das bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus einem Isoliermaterial. /.. B. Saphir, besteht. Das Substrat 12 kann je nach der herzustellenden Halbleiteranordnung aus verschiedenen Materialien bestehen, z_ B. Metall. Keramik. Halbleitermaterial und dgl. Auf der einen Seite 14 des Substrats 12 befindet sich eine Vielzahl von Halbleiter-Schaltungselementen 16, bei dem vorliegenden Beispiel Dioden, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind.

Die Dioden 16 bestehen jeweils aus einem Teil von länglichen Streifen 18 aus Halbleitermaterial, die auf der Seite 14 des Substrats 12 angeordnet sind. Bei dem vorliegenden Beispiel enthalten die Streifen 18 N-Ieitendes Silicium. Kreisförmige Zonen 20 der Streifen 18 sind P-Ieitcnd dotiert und bilden mit dem Rest des betreffenden Streifens dementsprechend einen PN-Übergang 22 für die betreffende Diode 16.

Die Streifen 18 stellen Spaltcnleitcr für die Dioden 16 dar und enden jeweils in einem verbreiterten Teil 24, der einen Teil eines Anschlußflecks 26 bildet. Die Spaltcnleitcr 18 und ihre verbreiterten Teile 24 sind mit einer Schicht 28 aus einem Isoliermaterial, z. B. Siliciumdioxid. Siliciumnitrid und dgl. überzogen. An den Anschlußflekkcn 26 sind feine Drähte 30 befestigt,

Die Spaltenleiter 18 werden durch eine Anzahl von Metallstreifen 32 gekreuzt, von denen sie durch die Schicht 28 isoliert sind. Die Streifen 32 enden jeweils in einem verbreiterten Teil 34, der einen Teil eines Anschlußflecks 36 bildet. Jeder Anschlußfleck 36 enthält eine Schicht 18' aus Silicium, eine Abdeckschicht 28' aus dem gleichen Material wie die Schicht 28 und den verbreiterten Teil 34 der die Metallstreifen 32 bildenden Schicht.

Die Metallstreifen 32 bilden Zeilenleiier für die

Dioden 16, mit denen sie über Schmelzleiter 42

ι verbunden sind, die durch Fenster in der Isolierschicht 28 führen und an die P-Zonen 20 der Dioden 16 angeschlossen sind.

Der in den F i g. 1 und 2 dargestellte Festwertspeicher 10 ist normalerweise in einem nicht dargestellten

tu Gehäuse montiert, dessen Anschlußklemmen mit den an die Anschlußflecken 26 und 36 angeschlossenen dünnen Drähten 30 bzw. 40 verbunden sind. Solche Gehäuse sind bekannt, so daß sich ihre Erläuterung erübrigt.

Festwertspeicher und ihre Anwendung sind z, B. in

ι j der US-PS 33 77 513 genauer beschrieben.

Die Halbleiteranordnung 10 kann wie folgt hergestellt werden: Man geht von einem dünnen, ebenen Substrat 12 (Fig. 3) aus Saphir aus, auf dessen einer Seite 14 eine dünne Schicht 44 aus N-Ieitend dotiertem

>o Silicium epitaktisch gezüchtet wird.

Durch übliche Abdeck- und Ätzvu-iahren wird dann die Siliciumschicht 44 teilweise entfernt, so daß das in Fig.4 dargestellte Muster aus longitudinal und im Abstand voneinander verlaufenden Spaltenleitcrn 18

>> und den Bereichen 24 und 18' für die Anschlußflecke 26 und 36 (fig. I) verbleiben.

In jedem Spaltenleiter 18 wird dann der Leitungstyp von im Abstand voneinander angeordneten kreisförmigen Zonen 20 in den P-Typ umgekehrt.

in Anschließend werden die Spaltenleiter 18 und die Anschlußfleckbereicne 18' mit Schichten 28 bzw. 28' aus Isoliermaterial überzogen. Bei diesem Beispiel enthalten die Schichten 28 und 28' Siliciumdioxid. Durch die Schichten 28 und 28' werden dann Fenster 46 geätzt, um

j-) einen Teil der Oberfläche der P-Zonen 20 der Spaltenleiter 18 und einen Teil der Oberfläche der Anschlußelemcnte 18' frei zu legen. Entsprechende Fenster können auch bei den Anschlußflccken 24 vorgesehen werden.

au Die ganze Oberfläche des Werkstückes wird dann mit einer Schicht 50 (Fig. h) aus Metall, z.B. Aluminium. Goid, Nickel oder dgl. überzogen. Von der Metallschicht 30 reichen Teile 52 durch die Öffnungen 46 in der Isolierschicht 28 und bedecken die vorher freigelegten

π Teile der Oberfläche der P-Zonen 20 und der .Spaltenleiter 18. Außerdem reichen Teile 54 der Metallschicht 50 durch die Fenster 46 in der Isolierschicht 28' und bedecken die vorher freigelegten Teile der Oberfläche der Anschlußfleckbereiche 18'.

in Durch bekannte Maskier- und Ätzverfahren werden dann Teile der Metallschicht 50 entfernt, so daß das in Fig. 7 dargestellte Muster aus querverlaufcnden Z^^;-lenleitern 32 entsteht, die einen verbreiterten Teil 34 a>ifwrist:n, der einen Teil der nun fertigen Anschlußflek-

-,-) ke 36 bilden. Die Teile 52 der Metallschicht, die durch die Isolierschicht £8 reichen und Kontak: mit den P-Zonen 20 der Streifen 18 machen, bleiben ebenfalls erhalten, sie sind jedoch von den die Zeilenleiter bildenden Zeilenleitern 32 durch einen Zwischenraum

bo 56 getrennt.

Zur Überbrückung der Zwischenräume 56 wird die gesamte Oberfläche des Werkstücks anschließend mit einem für die Schmelzleiter geeigneten Material überzogen, auf das noch näher eingegangen wird. Das

bj Schmelzleitermaterial kann z. B. durch Aufdampfen oder Aufsprühen oder irgendein anderes geeignetes Verfahren aufgebracht werden. Durch bekannte Mas kier- und Ätzverfahren wird dann die Schmelzleiter-

materialschieht bis auf die Schmelzleiter 42 (I'ig. I) entfernt, die die verschiedenen /eilcnleitcr 32 und die Teile 52 der Metallschicht verbinden und teilweise überdecken. Die Schmelzleiter 42 verbinden bei diesem Ausführungsbeispiel die zugehörigen Dioden mit der Matrix.

Anschließend werden die Anschlußdrahte 30 und 40 mit den Anschlußflecken 26 bzw. 36 verbunden. /. H. durch ein UltraschallSchweißverfahrcn; und die Halbleiteranordnung wird dann in dem vorgesehenen Gehäuse montiert.

Vor oder nach der Montage der in der beschriebenen Weise hergestellten Halbleiteranordnung im Gehäuse wird sie codiert, d. h. es wird Information in ihr gespeichert, indem bestimmte Dioden von der Miitrix abgeschaltet werden. Hierfür wird jeweils zwischen den Spaltcnlciter 18 und den Zeilcnleitcr 32. zwischen die die betreffende Diode geschaltet ist, eine Spannung gelegt, dip einen Strom erzeugt, der zum Durchbrennen des der betreffenden Diode zugeordneten Schnielzleiters42 ausreicht.

Bei den Halbleiteranordnungen gemäß der Erfindung ist der zum Durchbrennen der Schmelzleiter 42 erforderliche Schmelzstrom wesentlich kleiner als bei den entsprechenden bekannten Anordnungen.

In der folgenden Tabelle ist eine Anzahl von Materialien mit einer zugehörigen Gütezahl /"·" aufgeführt, die proportional der Stromdichte ist. welche zum Schmelzen eines Schmelzleiters 42 aus dem betreffenden Material benötigt wird. Die Gütezahl /"ist durch die Formel

/■■-(«· 77-'

definiert, in der α die elektrische Leitfähigkeit des Materials in (μΩ · cm) ' und Fdie Schmelztemperatur des Materials in "C bedeuten.

In der Tabelle ist ferner der Flächenwiderstand /?, jedes Materials in Ohm/a für eine Schicht mit einer Dicke von 100 nm angegeben. In der Tabelle bedeutet η die Dotierungsstoffkonzentration pro cm¹, wobei n.\

I liichcnwider	(iülc/ahl /
sliinil W, (Ohm/_n)
1.3	12.1
I.I	12.95
0.7	14.5
0,3	143
0.6	16.8
0.24	21.1
0.1b	243

bedeuten. Das Zeichen + bedeutet polykristallines Material während das Zeichen Sj monokristallines Material bedeutet.

Material	Flächenwider	Gütezahl F
	stand /?,
	(Ohm/n)
Si(W=O)	2.4 χ 10¹⁰	0,77 χ 10-⁴
Ge(n=0)	43x10«	1,42XlO-³
Si(n_D=l x 10»)+	170-85	0,91 -U9
Si(Oo=IxIOM)*	85	1,29
Ge(n_D= Ix 10»)+	85-40	1,08-133
Ge(TM=IxIOM)*	40	133
Si(OyI=SxIO²⁰)+	25-50	1,68-238
Si(Oo= 5 χ 10»)«	25	238
Ge(Oo=5 χ 10»)+	30-15	1,77-23
Ge(TM=SxIOM)S	15	2,5
Si(O^ = IxIOi')+	26-13	234-331
*Si(O,,= 1x101)5**	13	331
Pb	2a	330
In	03	337
Sn	1,1	433
Cd	0,7	637
Zn	0,6	830

Mütcriiil

Die Tabelle zeigt, daß Metalle, wie Chrom. Aluminium und Ciold, die sich gut für elektrische Leitungen eignen, wegen ihres niedrigen llächenwiderstandcs /?, nicht besonders gut als Schmelzleiter eignen, da zum Schmelzen von Schmclzleucrn ims diesen Materialien hohe Stromdichlen benötigt werden, wie sich aus der großen Gütezahl F ergibt. Als Materialien für Schmelzleiter eignen sich am besten Silicium. Germanium. Indium. Blei und Zinn.

Sowohl Indium als auch Zinn haben einen verhältnismäßig niedrigen Schmelzpunkt. Sie eignen sich zwar für Schmelzleiter, infolge ihrer niedrigen Schmelzpunkte sind diese Materialien jedoch für Halbleiteranordnungen de: iiier beschriebenen Art unzweckmäßig, da diese Halbleiteranordnungen häufig nach der Bildung der Schmelzleiter 42 im Zuge der weiteren Verarbeitung Temperaturen ausgesetzt werden, die über den Schmelztemperaturen dieser Materialien liegen.

Blei eignet sich gut für Schmelzleiter, da sowohl seine Gütezahl F als auch sein Flächenwiderstand /?, klein sind. Fin kleiner Flächenwiderstand ist wichtig, um einen niedrigen Widerstand der Anordnung zu gewährleisten. wenn die intakten Schmelzleiter 42 als Verbindungsleiler für die in die Matrix eingeschaltet bleibenden Bauelemente dienen. Bei Verwendung von Blei muß man jedoch besonders darauf achten, daß die Schmelzleiter nicht beschädigt werden, da Blei sehr weich ist.

iinrl oiiRnrrlnm icl pinn cr»rtrf ΐΐΐΐιιτι* \1 e* Γϊΐ rVw* 1111 ti CT nr^tlir — -O'-'-'o- -._._ _o ..--ο-

um ein einwandfreies Haften der aus Blei bestehenden Schmelzleiter 42 an der darunter liegenden Siliciumdioxidschicht und dgl. sicherzustellen.

Eigenleitendes oder undo'iertes Silicium und Germanium, sowohl in monokristalliner als auch polykristalliner Form, haben außergewöhnlich kleine Gütezahlen F. Diese Materialien eignen sich jedoch wegen ihres hohen Flächenwiderstandes R_s nicht für Anordnungen der beschriebenen Art. Wenn man diese Materialien jedoch geeignet dotiert, läßt sich ein Kompromiß zwischen einem ausreichend niedrigen Widerstand, wie er erforderlich ist, wenn die Schmelzleiter 42 als Anschlüsse dienen, und einer ausreichend niedrigen Gütezahl F bezüglich des Schmclzverhaltens bzw. niedrigen Schmelzströmen Finden. Weiche Dotierung man im speziellen Falle verwendet, hängt von der herzustellenden Halbleiteranordnung ab.

Das polykristalline oder monokristalline Silicium oder Germanium für die Schmelzleiter 42 sollte im allgemeinen entartet dotiert sein, d. h. die Konzentration an Akzeptor- oder Donatoratomen sollte über

1 χ 10²⁰ Atome/cm³ betragen. Vorzugsweise enthalten Schmelzleiter 42 aus diesen Materialien Dotierungsstoffe in Konzentrationen zwischen 5XlO²⁰ und

2 χ 10²¹ Atomen/cm³ für Silicium und zwischen 1x10» und 5x10» Atomen/cm³ für Germanium.

Monokristiillines und polykristallines Silicium und Germanium sind außerdem besonders gut als Schmelzleiter geeignet, da diese Materialien mit den Anordnungen der hier beschriebenen Art sowie den bekannten Verfahren zum Aufbringen solcher Materialien auf Einrichtungen dieser Art gut verträglich sind.

Die Eigenschaften von Schmel/Icitern aus Silicium oder Germanium hängen zwar etwas davon ab. ob das Material monokristallin oder polykristallin ist. die Materialwahl wird jedoch im allgemeinen durch die herzustellende Einrichtung bestimmt, insbesondere durch das Substratmaterial, auf das die .Schmelzleiter aufgebracht werden müssen. Es ist /. B. möglich. Silicium in Form eines Einkristalls unmittelbar auf Saphir epitaktisch zu züchten, unmittelbar auf Siliciumdioxid läßt es sich jedoch nur in polykristalliner Form niederschlagen.

Es wurde ferner gefunden, daß der .Schmelzstrom für ein vorgegebenes Material invers zur Wärmeleitfähigkeit und der Dicke des Materials ist. aiii dem sich der Schmelzleiter befindet.

Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel befinden sich die Schmelzleiter 42 auf einer z. B. aus Siliciumox id bestehenden Isolierschicht 28. Die Isolierschicht 28. deren Dicke in der Größenordnung von 500 nm liegt und vorzugsweise noch größer ist. hat eine niedrige Wärmeleitfähigkeit, so daß der zur Unterbrechung der Schmelzleiter 42 erforderliche Strom entsprechend niedrig ist.

Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel besteht das Substrat 12 aus Saphir und ist 0.25 mm dick. Die Siliciumschicht 18 und 18' haben eine Dicke von 1000 nm und sind mit Phosphor in einer Konzentration von IxIO" Atomen/cm¹ dotiert. Die P-Zoncn 20 der Halbleiterdioden sind mit I χ I0-" Boratonicn/cm' dotiert. Die Siliciumdioxidschiehten 28 und 28' haben eine Dicke von 500 nm. Die Metallschicht 34 besteht aus oder enthält Aluminium und ist mindestens 1000 nm dick. Die Anschlußflecke 26 und 36 sind 75 χ 75 μπι-' groß.

Die Schmelzleiter 42 bestehen bei dieser Ausführungsform aus Bleischichten mit einer Dicke von 300 nm, einer Breite von ΙΟμηι und einer Länge von 50 μηι. Der Schmelzstrom für diese Schmelzleiter beträgt 55 mA bei einer Umgebungstemperatur von 30 C. Beim Schmelzen eines ausgewählten Schmelzleiters fließt der Schmelzstrom durch die Spaltenlciter 18 und Zeilenleiter 32. Die .Spaltenleiter 18 bestehen zwar aus Halbleitermaterial, sie erwärmen sich jedoch wegen ihres großen Querschnitts und des dementsprechend kleinen Widerstandes nicht nennenswert. Bei dem erwähnten Ausführungsbeispiel sind die Spaltcnleiter 18 z. B. 1000 nm dick und 50 μπι breit.

Bei einer bekannten Halbleiteranordnung des beschriebenen Typs, bei der jedoch die Schmelzleiter 42 aus Aluminiumschichten mit einer Dicke von 100 nm. einer Breite von 10 μπι und einer Länge von 50 μπι bestanden, ist bei einer Umgebungstemperatur von 30⁰C ein Schmelzstrom von 275 mA erforderlich.

Hierzu 3 BJatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Codierbare Halbleiteranordnung mit einer Anzahl von in einer Matrix, d. h. in Zeilen und Spalten angeordneten rlalbleiter-Schaltungselementen, die sich auf einem Substrat befinden und durch mindestens drei Leiter, nämlich Spaltetuleiter, Zeilenleiter und Schmelzleiter, einer Schaltungsanordnung zugeordnet sind, wobei jeweils ein Zeilenleiter und mehrere Schmelzleiter in Reihe geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzleiter (42) aus einem Material mit einer niedrigeren Schmelzgütezahl (Quadratwurzel aus dem Produkt von elektrischer Leitfähigkeit und Schmelztemperatur) und einem höheren spezifischen elektrischen Widerstand als das Material der Zeilenleiter (32) bestehen und einen kleineren Querschnitt haben als die Spaltenleiter (18). und daß vorgegebene Schmelzleiter unterbrochen sind.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzleiter (42) aus, stark dotiertem Silicium, stark dotiertem Germanium, Indium, Blei oder Zinn bestehen.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitcr (32) aus Aluminium, Gold oder Nickel bestehen.

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spallcnlcitcr (18) aus Silicium bestehen.

5. Halbleiteranordnung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der Spaltenleiter (18) aus Silicium, der Schmelzleiter (4?) aus stark dotiertem Silicium und der Zeilenleiter (32) aus Aluminium bestehen.

6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil jedes Spaltenleitcrs (18) mit einer Schicht (2IiI) aus einem schlecht wärmeleitenden und elektrisch isolierenden Material überzogen ist, und daß verschiedene der Schmelzleiter (42) auf verschiedenen dieser Schichten (28) angeordnet sind.