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DE1211334B - Halbleiterbauelement mit eingelassenen Zonen - Google Patents

Halbleiterbauelement mit eingelassenen Zonen

Info

Publication number
DE1211334B
DE1211334B DEF39664A DEF0039664A DE1211334B DE 1211334 B DE1211334 B DE 1211334B DE F39664 A DEF39664 A DE F39664A DE F0039664 A DEF0039664 A DE F0039664A DE 1211334 B DE1211334 B DE 1211334B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
semiconductor
electrode
conductivity type
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEF39664A
Other languages
English (en)
Inventor
Chih-Tang-Sah
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fairchild Semiconductor Corp
Original Assignee
Fairchild Camera and Instrument Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Camera and Instrument Corp filed Critical Fairchild Camera and Instrument Corp
Publication of DE1211334B publication Critical patent/DE1211334B/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1211334
Aktenzeichen: F 39664 VIII c/21 g
Anmeldetag: 7. Mai 1963
Auslegetag: 24. Februar 1966
Die Erfindung bezieht sich auf durch ein Oberflächenpotential gesteuerte Halbleiterbauelemente, insbesondere auf Halbleitertetroden, pnpn-Halbleiterbauelemente u. dgl., die als elektronische Schalteinrichtungen, Wechselstrom- und Gleichstromverstärker, Oszillatoren, Mischer usw. verwendet werden können. Dabei ist vorgesehen, daß eine vollständige Beseitigung des Kollektorstroms erfolgen kann, so daß die Bauelemente insbesondere als elektronische Schalteinrichtungen, beispielsweise in Rechengeräten und selbsttätigen Verstärkungsreglerschaltungen, mit Vorteil verwendet werden können.
Durch ein Oberflächenpotential gesteuerte Halbleiterbauelemente unterscheiden sich von den Halbleiterbauelementen üblicher Art dadurch, daß sie eine Steuerelektrode aufweisen, welche kapazitiv mit dem Halbleiterkörper in der Nähe des Emitter-Basis-Übergangs gekoppelt sind. Die an diese Steuerelektrode angelegte Spannung beeinflußt die zwischen anderen Elektroden des Bauelements fließenden Ströme, insbesondere den Kollektorstrom. Dies wird dadurch erreicht, daß durch Anlegen eines elektrischen Potentials oder einer Ladung an die Steuerelektrode die Rekombination von Defektelektronen (Löchern) und Elektronen an der Oberfläche des Halbleiterkörpers beeinflußt wird. Da diese Steuerelektrode gegenüber dem Halbleiterkörper isoliert und mit ihm kapazitiv gekoppelt ist, ist die Eingangsimpedanz zur Steuerelektrode im allgemeinen extrem hoch. Die Elektrode ist daher mit dem Gitter einer Vakuumröhre vergleichbar.
Bisher hatten durch ein Oberflächenpotential gesteuerte Halbleiterbauelemente einen wesentlichen Nachteil: Obwohl der Kollektorstrom lc des Halbleiterbauelements gegenüber dem Basisstrom Ib erheblich erhöht oder herabgesetzt werden konnte, indem das Potential der Steuerelektrode passend eingestellt wurde, war durch diese Maßnahme eine vollständige Aufhebung des Kollektorstroms Ic nicht möglich. Wenn Halbleiterbauelemente dieser Art in Hochleistungsschalteinrichtungen verwendet werden, war immer noch ein verhältnismäßig starker Kollektorstrom Icc0 vorhanden, wenn das Halbleiterbauelement im Sperrbereich arbeitete. Dieser Ausschaltstrom Icc0 bewirkt eine Verschwendung von Energie, führt zu Wärmeausgleichsproblemen und zu weiteren Schwierigkeiten bei der Auslegung der Schaltung, beispielsweise in galvanisch gekoppelten Schaltungen und Hochleistungsschalteinrichtungen. Aus diesem Grunde wäre es außerordentlich erwünscht, im Betrieb des Halbleiterbauelements im Sperrbereich den geringstmöglichen Wert des Stromes Icco zu erhalten,
Halbleiterbauelement mit eingelassenen Zonen
Anmelder:
Fairchild Camera and Instrument Corporation,
Long Island, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. F. B. Fischer, Patentanwalt,
Köln-Sülz, Remigiusstr. 41/43 .
Als Erfinder benannt:
Chih-Tang-Sah, Mountain View, CaUf. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 11. Juni 1962 (201456)
der durch den Kollektorkreis fließt, also Icco gleich dem Kollektorleckstrom I00 zu machen, der im allgemeinen geringer als 1·10~9 Ampere bei planaren Bauelementen ist.
Durch entsprechendes Einstellen der Steuerspannung bei dem erfindungsgemäß vorgesehenen, durch ein Oberflächenpotential gesteuerten Halbleiterbauelement wird praktisch eine vollständige Aufhebung des Kollektorstromes Icc0 erreicht, so daß lcco — lco ist. Dies wird bei dem Halbleiterbauelement dadurch erreicht, daß es ein besonderes Gebiet hat, das innerhalb des Basisgebietes liegt und dessen Leitfähigkeitstyp anders ist als der des Basisgebietes, und zwar er- streckt es sich von der Oberfläche zum Innern des Bauelements. Das erwähnte besondere Gebiet kann, falls es erwünscht oder erforderlich ist, ohmisch mit dem Basisgebiet verbunden sein, wenn eine vollständige Aufhebung des Kollektorstromes erreicht werden soll. Das erwähnte Gebiet wirkt als Kurzschlußende des an der Oberfläche liegenden Kanalgebietes, welches parallel zu dem Emitter-Basis-Übergang liegt. Diese Halbleiterbauelemente sind daher besonders geeignet für die Verwendung in Schalteinrichtungen,
z. B. Relais u. dgl., bei denen eine praktisch vollständige Beseitigung von I000 besonders wichtig ist. Naturgemäß kann ein solches Halbleiterbauelement auch in vielen anderen Fällen in der Transistortechnik mit Vorteil verwendet werden.
Es ist eine Halbleitertetrode bekannt, bei der das Basisgebiet innerhalb des Kollektorgebietes und das Emittergebiet innerhalb des Basisgebietes angeordnet
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ist. Sowohl der Emitter-Basis-Übergang als auch der Kollektor-Basis-Übergähg sind durch eiae^öxydschicht abgedeckt. Auf dem Oxyd auf der Fläche über dem Emitter-Basis-Übergang ist eine Gitterelektrode angeordnet. Die an die Metallelektrode.oder das Gitter angelegte Spänriung steuert däs: Öberflächenpotentjal:; und. die^Rekombinationsrate;; Eine zusätzliche vierte Zone, wie. sie erfindungsgemäß zur vollständigen Unterdrückung' des .Ebiiektörstfoms vorgesehen ist, ist: jedoch weder in diesem noch in anderem Zusammenhang bekanntgeworden.
Auch ist ein Halbleiterbauelement bekannt, bei dem schalenförmige Übergänge in einem Halbleiterkörper so angeordnet sind,.daß ihre Ränder an einer. Halbleiteroberfläche liegen, wobei auf der Oberfläche eine isolierende. Schicht angeordnet ist, welche im wesentlichen aus dein Oxyd des Halbleitermaterials besteht und sich über den Übergängen befindet; Anschlußleitungen in Form von vakuumniedergeschlagenen Metallstreifen sind über die isolierenden Oxydschichten, hinübergeführt, um elektrische Verbindungen zu und zwischen den verschiedenen Gebieten des Halbleiterkörpers zu bilden, ohne die Übergänge kurzzuschließen. Bei diesem Halbleiterbauelement ist jedoch keine der Anschlußleitungen bzw. der Elektroden, welche über die Übergänge hinübergeführt sind, kapazitiv mit irgendwelchen nennenswerten Teilen der Übergänge gekoppelt, Überdies sind keinerlei Mittel oder Einrichtungen vorgesehen, welche im Sinne der vorliegenden Erfindung -das Anlegen einer Spannung an diese Elektroden vorsehen. Selbst wenn aber eine Spannung beispielsweise an eine solche Elektrode angelegt würde, würde keinerlei nennenswerte Steuerung der Oberflächeneigenschaften in dem darunterliegenden Ge^ biet erreicht werden.
Die Erfindung bezieht sich somit auf ein Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper eine .erste Zone von einem Leitfähigkeitstyp. aufweist, in die eine zweite Zone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingelassen ist, und bei dem in die zweite Zone eine dritte Zone von einem Leitfähigkeitstyp eingelassen ist. Ein solches Halbleiterbauelement ist erfindungsgemäß derart ausgebildet, daß wenigstens eine zusätzliche vierte Zon von einem der zweiten Zone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in die zweite Zone eingelassen ist und daß das Oberflächengebiet der zweiten Zone zwischen der dritten und der vierten Zone durch ein elektrisches Potential an einer kapazitiv angekoppelten Elektrode derart beeinflußbar ist, daß die Leitfähigkeit des Oberflächengebiets entsprechend den an diese Elektrode angelegten Potentialen veränderbar ist.
Das Oberflächengebiet kann dabei aus Material des gleichen Leitfähigkeitstyps wie dem der dritten und der vierten Zone bestehen, jedoch kann es auch aus Material vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie dem der zweiten Zone bestehen, wobei dann dessen Leitfähigkeit durch Anlegen eines Potentials geeigneter Polarität an die Elektrode umkehrbar ist, um zwischen der dritten und der vierten Zone einen Stromweg geringen Widerstands herzustellen.
Vorzugsweise ist die dritte Zone eine Transistor-Emitterzone und die zweite Zone eine Transistor-Basiszone, und es kann auch die erste Zone eine Transistor-Kollektorzone sein, wenn die zweite Zone eine Transistor-Basiszone ist. Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann ein xahm'scher. Kontakt vorgesehen:sein, welcher mit der vierten zusätzlichen ,Zone und der zweiten Zone in der gemeinsamen Oberfläche in Verbindung steht und den dazwischenliegenden pn-übergang kurzschließt/·;· c ν "; "N ^"- ■;" :~'~~ _■ '"■" -,--■"-- ·
.JIn .weiterer Ausbildung der ,Erfindung iaftn eine, zweite zusätzliche fünfte Zone vorgesehen sein, welche in der Basiszone angeordnet ist und im Abstand von .der zusätzlichen vierten Zone in der gemeinsamen Oberfläche liegt und den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die zusätzliche vierte Zone hat, und ein zweites Oberflächengebiet in dieser Zone, welches zwischen der zweiten zusätzlichen fünften Zone und der ersten Zone an der gemeinsamen Oberfläche liegt, sowie eine mit dem zweiten Oberflächengebiet kapazitiv gekoppelte Elektrode und ein ohmscher Kontakt, welcher zwischen der ersten und der zweiten zusätzlichen Zone auf der Basiszone in der gemeinsamen Oberfläche liegt. Die einzelnen Zonen sind vorzugsweise konzentrisch zueinander angeordnet.
Das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung weist einen Halbleiterkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial auf, wobei benachbarte Gebiete verschiedener Leitungstypen vorhanden sind. Insbesondere enthält das Halbleiterbauelement gemäß
,.- der Erfindung ein erstes Gebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise aus p-oder pn-Halbleitermaterial; die Leitfähigkeitstypen der übrigen Gebiete des Halbleiterbauelements werden entsprechend dem Leitungstyp des ersteren Gebietes ge-• wählt. Zwei getrennte. Gebiete, deren Leitfähigkeit der des ersten Gebietes entgegengesetzt ist, sind innerhalb des ersten Gebietes angeordnet und erstrecken sich von der Oberfläche zum Innern hin.
Diese getrennten Gebiete bilden zwei getrennte pn-Übergänge mit dem ersten Gebiet. Die Übergänge erstrecken sich zur Oberfläche des Halbleiterkörpers, und ihre Ränder liegen in der Oberfläche. Zwischen den beiden Übergängen ist ein Oberflächengebiet angeordnet, welches bei dem ersteren Gebiet liegt und , es berührt. Dieses Gebiet ist im allgemeinen verhältnismäßig dünn bemessen und kann jeden Leitungs^- typ aufweisen. Eine Steuerelektrode ist mit dem Halbleiter kapazitiv gekoppelt und von dem Gebiet des Oberflächenkanals und den Rändern der beiden
. pn-Übergänge getrennt. Im allgemeinen befindet sich eine loslierschicht in diesem Raum zwischen der Steuerelektrode und dem Gebiet des Oberflächenkanals. Wenn Silizium als Halbleitermaterial verwendet wird, besteht die Isolierschicht vorzugsweise aus Siliziumdioxyd. Die Steuerelektrode kann den Leitfähigkeitstyp des Gebietes des Oberflächenkanals abhängig von einer Änderung ihres Potentials ändern. Schließlich sind geeignete Einrichtungen, im allgemeinen Elektroden, vorgesehen, damit ein Stromdurchgang durch die pn-Übergänge erfolgen kann. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, bei der eine praktisch vollständige Eliminierung von Icc0 erwünscht ist, besteht eine ohmsche Verbindung zwischen einem der getrennten Gebiete und dem ersteren Gebiet des Bauelements. Diese ohmsche Verbindung kann, falls gewünscht und zweckmäßig, eine Elektrode sein.
Die Halbleiterbauelemente gemäß der Erfindung können in geeigneter Weise abgeändert werden, und es sind viele Ausführungsformen dieser Art möglich. Beispielsweise können sie sowohl ein Emitter-, Basis- und Kollektorgebiet als auch ein oder mehrere Kurz-
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schlußgebiete aufweisen. Sie können auch als- pnpn- Basis 2 ■ gebildet Dieser Übergang erstreckt sich
Bauelemente ausgebildet sein. Die entsprechenden ebenfalls zu der oberen Fläche des Halbleiterkörpers
Möglichkeiten ergeben sich insbesondere auch im und bildet dort einen Rand 8. Elektroden 9 und. 10
Zusammenhang mit der nachfolgenden Beschreibung stehen in ohmscher Verbindung mit dem Kollektor-
von Ausführungsbeispielen der Erfindung an Hand 5 bzw. Emittergebiet. In der in den Fig. 1 und 2 dar-
der Zeichnungen. gestellten bevorzugten Ausführungsform sind das
Fig. 1 ist eine teilweise vereinfachte, stark ver- Kurzschlußgebiet 4 und das Basisgebiet 2 ohmisch
größerte Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines durch eine Elektrode 11 verbunden. Das Gebiet des
Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung; Oberflächenkanals 12 ist von der Steuerelektrode
Fig. 2 zeigt teilweise vereinfacht einen Schnitt ig durch eine Isolierschicht 13 getrennt. Zweckmäßig
nach der Linie 2-2 der Fig. 1; ist die Elektrode 9 eine Metallschicht, die auf der
Fig. 3 zeigt im Diagramm den Verlauf des Kol· hinteren oder unteren Seite des Halbleiters aufgetra-
lektorstroms als Funktion der Steuerspannung bei gen ist; die Elektrode 10 kann als Metallfilm auf die
verschiedenen Halbleiterbauelementen; obere Fläche des Halbleiters aufgetragen sein, und
F i g. 4 zeigt stark vergrößert und teilweise verein- 15 zwar über und im Kontakt mit dem Emittergebiet,
facht einen Schnitt durch ein anderes Ausführungs- Die Elektrode 11 kann als Metallfilm ausgebildet und
beispiel der Erfindung; auf der oberen Fläche des Halbleiterkörpers aufge-
F i g. 5 zeigt stark vergrößert und teilweise verein- tragen sein, und zwar über und im Kontakt mit so-
f acht einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel der wohl einem Teil des Kurzschlußgebietes 4 als auch
Erfindung, bei der das Gebiet des Oberflächenkanals 20 einem Teil des Basisgebiets 2, wie es in der Zeich-
zwischen dem Kollektor-Basis-Übergang und einem nung dargestellt ist. ·
Übergang zwischen dem Kurzschlußgebiet und der Die gesamte obere Fläche des Halbleiterkörpers
Basis liegt; außer den von den Kontakten 10 und 11 bedeckten
F i g. 6 zeigt teilweise vereinfacht und stark ver- Teilen ist durch eine Isolierschicht 13 abgedeckt und
größert einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel 25 geschützt, welche bei Siliziumtransistoren vorzugs-
der Erfindung mit zwei Steuerelektroden; weise aus einem Oxyd des gleichen Materials be-
F i g. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schal- steht, aus dem der Halbleiterkörper hergestellt ist.
tung, in der das Halbleiterbauelement nach den Dieses Oxyd kann dadurch ausgebildet werden, daß
Fig. 1 und 2 verwendet wird, wobei das Halbleiter- die Oberfläche des Halbleiterkörpers in einem frühen
bauelement durch ein vorgeschlagenes Symbol dar- 30 Stadium des Herstellungsganges oxydiert wird, so
gestellt ist; daß sie an der Halbleiteroberfläche fest haftet. Die
Fig. 8 zeigt im Diagramm den Kollektorstrom und Oxydschicht 13 schützt die Übergänge während und
die Steuerspannung als Funktion der Zeit bei der nach der Herstellung, so daß sich eine besonders gute
Schaltung nach F i g. 7, wobei eine Spannungsquelle Qualität und Betriebssicherheit des Transistors er-
mit rechteckiger Spannung verwendet wird; 35 gibt. Das Gebiet 1 kann die Leitfähigkeit des ur-
F i g. 9 zeigt teilweise vereinfacht und stark ver- sprünglichen Kristalls besitzen, aus dem der Transi-
größert einen Schnitt durch ein pnpn-Halbleiterbau- stOr hergestellt ist, und die Gebiete 2, 3 und 4 kön-
element gemäß der Erfindung. nen dadurch ausgebildet sein, daß Verunreinigungen
In den F i g. 1 und 2 ist ein Oberflächenpotential- durch in die Oxydschicht 13 eingeätzte oder einge-
gesteuertes npn-Halbleiterbauelement dargestellt, wel- 40 schnittene Öffnungen eindiffundiert werden, wie es in
dies in bei Bauelementen dieser Art üblicher Weise der Technik der Transistorherstellung bereits bekannt
Emitter-, Basis- und Kollektorgebiete aufweist und ist.
welches zusätzlich ein Kurzschlußgebiet enthält, das Unter Berücksichtigung der wesentlichen Grundbei diesem Ausführungsbeispiel ohmisch mit dem gedanken der Erfindung können die Gebiete 1, 2, 3 Basisgebiet verbunden ist, um entsprechend dem Er- 45 Und 4 in beliebiger zweckmäßiger Weise ausgebildet findungsgedanken eine praktisch vollständige Auf- sein, und die Schicht 13 kann aus einem beliebigen hebung des Kollektorstroms zu erreichen. Bei einem geeigneten Isoliermaterial bestehen. Auch ist im Zupnp-Transistor würden die Verhältnisse praktisch die samrnenhang mit der Schicht 13 lediglich zu fordern, gleichen sein, jedoch würde der Leitfähigkeitstyp der daß sie die Steuerelektrode 14 gegenüber dem Halbeinzelnen Gebiete umgekehrt sein. Wie aus der Zeich- 50 leiterkörper trennt und isoliert, obwohl sie vorzugsnung hervorgeht, enthält ein Einkristall-Körper aus weise die gesamte obere Fläche des Halbleiterbau-Halbleitermaterial, ζ. B. aus Silizium oder anderem elements abdeckt, um sie zu schützen. Die Erfindung in der Transistorherstellung zweckmäßigem Material, ist daher auch nicht auf die dargestellten Transistoren ein Kollektorgebiet 1 vom n-Leitfähigkeitstyp, ein planarer Ausbildung beschränkt, sondern sie kann Basisgebiet 2 vom p-Leitfähigkeitstyp, ein Emitter- 55 beispielsweise auch bei Mesa-Transistoren verwendet gebiet 3 vom n-Leitfähigkeitstyp und ein Kurzschluß- werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel gebiet 4, das ebenfalls den n-Leitfähigkeitstyp auf- ist die Steuerelektrode 14 eine ringförmige dünne weist. In der dargestellten planaren Ausführungsform Schicht oder ein Film aus Metall, welche nur auf die erstreckt sich der Basis-Kollektor-Übergang zwischen Isolierschicht 13 unmittelbar über dem Bereich des den Gebieten 1 und 2 zu der oberen Fläche des Halb- 60 Oberflächenkanals 12 und den Übergangskanten 6 leiterkörpers und bildet dort einen Rand 5, der sich und 8 in der dargestellten Weise aufgetragen ist, so vollständig um die Peripherie des Basisgebiets 2 er- daß die Steuerelektrode 14 bei dem Gebiet des Oberstreckt. Der Emitter-Basis-Übergang zwischen den fiächenkanals 12 kapazitiv mit dem Halbleiter gekop-Gebieten 2 und 3 erstreckt sich ebenfalls zu der obe- pelt ist. Eine Metallfilm-Elektrode haftet fest an der ren Fläche des Halbleiters und weist dort einen 65 isolierenden Oxydschicht, so daß sich eine kräftige, Rand 6 auf, der sich vollständig um die Peripherie widerstandsfähige Ausbildung ergibt. Wenn eine des Emittergebiets 3 erstreckt. Ein zusätzlicher Über- Spannung zwischen der Steuerlektrode 14 und dem gang 7 ist zwischen dem Kurzschlußgebiet 4 und der Basisgebiet angelegt wird, wird hierdurch das Ober-
flächenpotential in dem Gebiet des Oberflächenkanals 12 beeinflußt. Hierdurch wird in entscheidender Weise der zwischen anderen Elektroden des Transistors fließende Strom beeinflußt, wie bereits erwähnt wurde.
In diesem Zusammenhang ist es zweckmäßig, etwas eingehender darzustellen, wie das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung in einer Schaltung arbeitet. Die durch die Erfindung erreichbaren Vorteile ergeben sich insbesondere aus "dem Verlauf des in Fig. 3 dargestellten Diagramms. Wesentliche Ausführungsformen oberfläehenpotentialgesteuerter Halbleiterbauelemente benutzen den Vorteil ihrer Fähigkeit zur Steuerung der zwischen den Elektroden des Bauelements fließenden Ströme durch Änderung der Spannung an der Steuerelektrode oder den Steuerelektroden. Der Linienzug 15α in Fig. 3 zeigt die Wirkung einer Änderung der Steuerelektrodenspannung auf den Kollektorstrom bei einem npn-oberflächenpotentialgesteuerten Halbleiterbauelement ohne Anwendung der'erfindungsgemäß vorgesehenen Maßnahmen. Eine Erhöhung der an der Steuerelektrode anliegenden Spannung bewirkt eine Herabsetzung des Kollektorstroms. Diese Herabsetzung hört jedoch mit zunehmender Steuerspannung auf und lauft in einen Wert lcco ein. Bei oberflächenpotentialgesteuerten Halbleiterbauelementen war es ohne Anwendung der erfindüngsgemäß vorgesehenen Maßnahmen nicht möglich, den Wert Icco, der auch als Kollektor-Ausschaltspitzenstrom bezeichnet werden kann, nahezu vollständig zu eliminieren.
Die theoretische Erklärung dafür, daß die bisherigen Halbleiterbauelemente nicht in der Lage waren, den Kollektorstrom vollständig aufzuheben, kann in folgenden Überlegungen gefunden werden: DerEmitter-B>asis-Übergang, obwohl verhältnismäßig dünn, umgibt ein Übergangsgebiet, welches Rekombinationszentren enthält, die sich in der Grenzschicht Silizium—Siliziumoxyd befinden. Bei diesen Zentren werden Ladungsträger eingefangen und rekombinieren mit Trägern entgegengesetzter Polarität. Auf diese Weise rekombinieren Elektronen und Defektelektronen am Oberflächenrand des Emitter-Basis-Übergangs mit einer Rekombinationsrate Us, welche durch die Werte der Oberflächen-Rekombinationsgeschwindigkeiten Sp0 und Sno dargestellt werden kann. Diese Geschwindigkeiten entsprechen den Grund-Trägerlebensdauerwerten Tvo und Tno in der Shokley-Read-Hall-Theorie der Elektronen-Defektelektronen-Rekombination über Rekombinationszentren. Die auf diese Weise rekombinierenden Träger führen zu einem Strom, über den Emitter-Basis-Übergang.
Bei den bisherigen oberflächenpotential-gesteuerten Halbleiterbauelementen wurde die Oberflächen-Rekombinationsrate Us mit Hilfe einer Spannung gesteuert, die an die Steuerelektrode angelegt wurde, welche kapazitiv mit der Halbleiteroberfläche in der Nähe des Emitter-Basis-Übergangs gekoppelt ist. Die an die Steuerelektrode angelegte Spannung änderte das elektrische Oberflächenpotential in der Nähe des Randes des Basis-Emitter-Übergangs. Dadurch wurde das Fermi-Niveau in der Nähe der Oberfläche des Kristalls im Verhältnis zu dem Energie-Niveau der Oberflächen-Rekombinationszentren verschoben. Die relative Lage des Fermi-Niveaus und des Energie-Niveaus des Oberflächenzustandes bestimmte die Rekombinationsrate. Hinzu kommt, daß ein Oberflächenkanal ' unter der Steuerelektrode gebildet wurde, wenn die angelegte Steuerspannung die richtige Polarität, bei einem npn-Bäuelement positiv, hatte und wenn ihr Wert hoch genug war. Dieser induzierte Oberflächenkanal hatte den gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Emitter und war daher mit dem Emittergebiet verbunden. Unter dieser Voraussetzung wurde die Rekombination in der Nähe des Emitter-Basis-Übergangs erheblich verstärkt und dementsprechend der Kollektorstrom herabgesetzt.
Aus diesen Überlegungen ergibt sich, daß die Steuerung der Stromverteilung innerhalb oberflächenpotentialgesteuerter Halbleiterbauelemente ohne die erfindungsgemäß vorgesehenen Maßnahmen in erster
i-5 Linie durch die Einwirkung der Steuerelektrode auf die Rekombination von Trägern im Gebiet des Oberflächenkanals in der Nähe des Randes des Emitter-Basis-Übergangs erreicht wurde. So wurde beispielsweise bei einem npn-Bauelement durch eine Erhöhung der Spannung an der Steuerelektrode die Trägerkombination dadurch erhöht, daß das Fermi-Niveau relativ zu dem Energie-Niveau der Rekombinationszentren in eine günstigere Lage gebracht wurde. Auf diese Weise wurde der Stromfluß vom Emitter zur Basis-Elektrode verstärkt, so daß der Stromfluß vom Emitter zum Kollektor herabgesetzt wurde. Es war jedoch mit diesen Bauelementen nicEt möglich, den Stromfluß vom Emitter zum Kollektor vollständig oder fast vollständig aufzuheben. Es spielte dabei keine Rolle, in welcher Höhe eine positive Steuerspannung angelegt wurde, welche im wesentlichen die Trägerrekombination und damit den Basisstrom Ib erhöhte, da ein bestimmter Kollektorstrom Icc0 immer noch floß.
Bei dem oberflächenpotentialgesteuerten Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung kann eine praktisch vollständige Aufhebung des Kollektorstroms durch geeignete Einstellung der Spannung an der Steuerelektrode erreicht werden. Dies ist im SpannungspunktA des Linienzuges 15b der Fig. 3 der Fall. Der Wert der Endspannung A kann für jedes Halbleiterbauelement empirisch bestimmt werden. Die theoretische Erklärung dieses Vorgangs wird unter Bezugnahme auf die F i g. 1 und 2 gegeben. In einem Halbleiter fließt ein Strom Ib von dem Emitterkontakt 10 durch das η-Material des Emitters 3 und durch das p-Material der Basis 2 zu dem Basiskontakt 11. Ein Strom Ic fließt ebenfalls von dem Emitterkontakt 10 durch den Emitter 3, die Basis 2 und den Kollektor 1 zum Kollektorkontakt 9. Bei dem dargestellten npn-Halbleiterbauelement wird die Spannung an der Steuerelektrode im allgemeinen positiv gemacht, wenn Ic herabgesetzt oder eliminiert werden soll. Die Steuerelektrode 14 ist kapazitiv mit dem Gebiet 12 des Oberflächenkanals gekoppelt, welcher sich in der dargestellten Weise zwischen den Rändern der Übergänge 6 und 8 erstreckt. Die positive Spannung an der Elektrode 14 erzeugt erne positive Ladung auf der Elektrode. Das Gebiet 12 des Oberflächenkanals, welches kapazitiv mit der Steuerelektrode 14 gekoppelt ist, erhält dann eine negative Ladung. Obwohl der Oberflächenkanal die p-Leitfähigkeit besitzt, also Elektronenmangel oder Defektelektronenüberschuß aufweist, füllt die negative Ladung an seiner Oberfläche nicht nur den Elektronenmangel auf, sondern bewirkt auch einen Überschuß an Elektronen und ändert dadurch praktisch den Leitfähigkeitstyp des Oberflächenkanals in die n-Leit-
fähigkeit. Der Oberflächenkanal wirkt dann als Widerstand zwischen der Emitter- und der Basiselektrode. Es ist daher bei dem dargestellten Halbleiterbauelement in Anbetracht der öhmschen Verbindung zwischen dem Kurzschlußgebiet und der Basis möglich, die Steuerspannung auf einen solchen positiven Wert einzustellen, daß ein breiter Oberflächenkanal von einem Widerstand geschaffen wird, der niedrig genug ist, daß im wesentlichen eine Kurzschließung zwischen der Emitterelektrode 10 und der Basiselektrode 11 erfolgt. Bei einem sehr breiten Kanal fließt praktisch der gesamte Strom von der Emitterelektrode 10 durch den Kurzschluß zu der Basiselektroden, und hierdurch wird jeder etwa vorhandene Strom Ic eliminiert, der sonst zur Kollektorelektrode fließen würde.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist in F i g. 4 dargestellt. Bei dieser Ausführungsform ist das Gebiet 12 des Oberflächenkanals aus dem gleichen Leitfähigkeitstyp hergestellt wie das Emittergebiet 3. Das Gebiet des Oberflächenkanals liegt parallel zu dem Emitter-Basis-Übergang, wenn keine Spannung an der Steuerelektrode liegt. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden durch eine positive Spannung an der Steuerelektrode mehr Elektronen in den Oberflächenkanal gebracht, so daß praktisch ein Kurzschluß zwischen dem Emitter und der Basiselektrode hervorgerufen wird. Durch eine negative Spannung an der Steuerelektrode wird jedoch das Gebiet 12 des Oberflächenkanals ein Gebiet vom p-Leitungstyp, so daß die kurzschließende Wirkung des vorher dem η-Typ angehörenden Oberflächenkanals aufgehoben wird. Ob nun der Oberflächenkanal den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basis hat oder ob er den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp besitzt: der Effekt der gleiche ist. Nur die Höhe und das Vorzeichen der an der Steuerelektrode anzulegenden Spannung, um einen Kurzschluß zwischen Emitter und Basis im Oberflächenkanal hervorzurufen, wird geändert.
Die F i g. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, welche sich in zweifacher Hinsicht von der in F i g. 4 dargestellten Ausführungsform unterscheidet. Zunächst liegt das Gebiet 12 des Oberflächenkanals zwischen dem kurzschließenden Gebiet 4 und dem Kollektorgebiet 1, und nicht zwischen dem kurzschließenden Gebiet 4 und dem Emittergebiet 3. Das Gebiet 12 des Oberflächenkanals besitzt den gleichen Leitfähigkeitstyp wie das kurzschließende Gebiet 4 und das Kollektorgebiet 1. Die Steuerelektrode 14 über dem Gebiet 12 des Oberflächenkanals kann eine Änderung des Leitfähigkeitstyps des Oberflächenkanals bewirken. Wenn an der Steuerelektrode 14 keine Spannung anliegt, besteht ein direkter Weg für einen Stromfluß von dem Kollektorgebiet 1 in das kurzschließende Gebiet 4 durch das Gebiet 12 des Oberflächenkanals. Wenn jedoch eine ausreichend hohe negative Spannung an die Steuerelektrode 14 angelegt wird, wird das Gebiet 12 des Oberflächenkanals in die ^-Leitfähigkeit umgewandelt. Aus diesem Grunde wird der vorher vorhandene Strompfad zwischen dem Kollektor 1 und dem kurzschließenden Gebiet 4 über das Gebiel2 des Oberflächenkanals aufgehoben. Die Steuerelektrode 14, welche über einem Oberflächenkanal zwischen dem Kollektor und kurzschließenden Gebieten liegt, ermöglicht daher einen weiteren Weg der Steuerung der Ströme in dem Halbleiterelement.
Der zweite Unterschied zwischen den Halbleiterbauelementen gemäß F i g. 5 und F i g. 4 ist der, daß die Basiselektrode 11 nicht mit der Elektrode 16 des kurzschließenden Gebietes verbunden ist. Falls es in der Anwendung auf bestimmte Schaltungen erwünscht ist, können diese Elektroden ohmisch verbunden werden. Wenn jedoch die Anwendung dieses erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes in einer bestimmten Schaltung nicht eine vollständige Aufhebung des Kollektorstromes erfordert, ist es nicht in allen Fällen notwendig, eine ohmsche Verbindung zwischen dem kurzschließenden Gebiet 4 und dem Basisgebiet 2 vorzusehen.
In F i g. 6 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Diese Ausführungsform weist zwei Oberflächenkanal-Gebiete auf, die in gestrichelten Linien dargestellt sind: Das erste liegt zwischen-
• einem ersten kurzschließenden Gebiet 17 und dem Kollektorgebiet 1, während das zweite zwischen einem zweiten kurzschließenden Gebiet 18 und dem Emittergebiet 3 liegt. Die Ströme durch dieses oberflächenpotentialgesteuerte Halbleiterbauelement werden sowohl durch Steuerelektrode 19 als auch durch Steuerelektrode 20 gesteuert.
Ein typisches Ausführungsbeispiel für eine Schaltung zur Anwendung der Halbleiterbauelemente gemäß der Erfindung ist-in Fig. 7 dargestellt. Der Transistor 21, der den Ausführungsbeispielen der F i g. 1 und 2 entspricht, ist durch ein Symbol dargestellt, dessen Anwendung empfohlen wird. Die Basiselektrode 11, die Kollektorelektrode 9 und die Emitterelektrode 10 sind in üblicher Weise wie in dem allgemein verwendeten Transistorsymbol dargestellt. Die von der Emitterelektrode nach außen gerichtete Pfeilspitze deutet an, daß es sich um einen npn-Transistor handelt. Die Steuerelektrode 14 ist derart dargestellt, daß sie die kapazitive Kopplung zu dem Rand des Emitter-Basis-Überganges andeutet. In der in F i g. 7 dargestellten besonderen Schaltung ist der Transistor 21 in eine Emitter-Basis-Schaltung eingeschaltet. Die Emitter-Kollektor-Betriebsspannung wird von einer Batterie oder einer anderen Spannungsquelle 22 geliefert, welche in Serie mit einem Belastungsglied 23 zwischen der Emitter- und der Kollektorelektrode liegt. Der Basis wird ein konstanter Grundstrom zugeführt, beispielsweise über Batterie 24 und Widerstand 25, welche in der dargestellten Weise in Reihe zwischen Emitter- und Basiselektrode liegen. Eine Eingangssignal-Spannungs-Quelle 26 liegt zwischen der Steuerelektrode 14 und der Emitterelektrode 10.
Die Wirkungsweise der in F i g. 7 dargestellten Schaltung wird zweckmäßig im Zusammenhang mit F i g. 8 betrachtet, welche im Diagramm die Quellenspannung V'Λ und den Belastungsstrom Ic in Abhängigkeit von der Zeit zeigt. Zur Vereinfachung der Betrachtung ist die Spannung Vcl als Rechteckschwingung dargestellt, welche eine Amplitude A besitzt, die wenigstens gleich der errechneten minimalen Absperrspannung des Transistors 21 der F i g. 7 ist. Die Schaltung nach F i g. 7 arbeitet als Relais oder elektronischer Schaltkreis. Der Linienzug 27 zeigt eine rechteckige Quellenspannung Vch welche zwischen einem Wert A und 0 schwankt. Wenn Vcl gleich 0 ist, wird kein Potential an der Oberfläche des Bauelements in demjenigen Teil des Basisgebiets hervorgerufen, welches kapazitiv mit der Steuerelektrode verbunden ist; aus diesem Grunde stellt sich
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keine Kurzschließung zwischen dem Emitterkontakt Silizium bestehenden Einkristallkörpers des Halblei-10 und dem Basiskontakt 11 bei einem Halbleiter- ters erstrecken. Eine Elektrode 42 an der unteren bauelement ein, bei dem der Oberflächenkanal den Fläche des Halbleiters und eine Elektrode 43 an der gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basis besitzt. Da oberen Fläche des Halbleiters haben ohmschen Konein beträchtlicher Widerstand zwischen Emitter und 5 takt mit den Gebieten 29 bzw. 32. Eine Elektrode 44 Basis liegt, fließt der normale Kollektorstrom I0 steht sowohl mit Gebiet 34 als auch mit Gebiet 31 im durch den Transistor zur Belastung 23. Im Punkt tt Kontakt. Elektrode 45 hat Kontakt sowohl mit Gewächst jedoch die Steuerspannung Vcl auf den biet 33 als auch Gebiet 30, während Elektrode 46 Wert A an, welcher wenigstens gleich dem errechne- mit Gebiet 29 und Gebiet 35 Kontakt hat. Die geten Mindestwert der für die Absperrung notwendigen io samte obere. Fläche des Halbleiters, außer denjeni-Spannung bei dem Halbleiterbauelement ist. In die- gen Teilen, die von Elektroden bedeckt sind, ist vorsem Zeitpunkt wird eine wirksame Kurzschlußver- zugsweise mit einer Isolierschicht 47 bedeckt, welche bindung zwischen dem Emitterkontakt 10 und dem die Ränder der Übergänge 36, 37, 38, 39, 40 und Basiskontakt 11 hergestellt. Ein Strom fließt dann 41 bedeckt. Vorzugsweise ist die Schicht 47 eine unmittelbar vom Emitter zur Basis, und er bewirkt 15 Oxydschicht des Halbleiters, beispielsweise Siliziumeine vollständige Aufhebung des Flusses des Stro- oxyd, die auf der oberen Fläche des Halbleiters wähmes lc durch den Kollektorkontakt 9 und BeIa- rend des Herstellens des Halbleiterbauelementes ausstungswiderstand 23. .Der Belastungsstrom Ic wird ' gebildet wird.
daher im Zeitpunkt tt zu 0 gemacht, wie der Linien- Eine oder mehrere Steuerelektroden 48, 49 und SO
zug 28 in Fi g. 8 zeigt. 20 sind auf der oberen Seite der Isolierschicht 47 ange-
Im Rahmen fachmännischen Handelns können bracht, und zwar nahe den Oberfiächenkanalgebieten weitere Ausbildungen oder Ausführungsformen ge- 51 bzw. 52 bzw. 53. Diese Elektroden sind kapazitiv eigneter Schaltungen angegeben werden. So können gekoppelt mit der Halbleiteroberfläche· in unmittelbei F i g. 7 beispielsweise die Vorspannungsquelle 24 barer Nähe der Oberflächenkanalgebiete. Das darge- und der Widerstand 25 mit der Spannungsquelle 26 25 stellte Halbleiterbauelement kann daher bis zu acht ausgetauscht werden, wobei nach wie vor die Emit- Elektroden aufweisen, von denen fünf im ohmschen ter-Basis-Schaltung erhalten' bleibt. Die Wirkungs- Kontakt mit einem oder zwei Gebieten der Halbleiweise einer solchen Transistorschaltung ist im wesent- teroberfläche stehen können und von denen drei liehen gleich der Wirkungsweise eines Transistors kapazitiv mit den Oberfiächenkanalgebieten gekopüblicher Art, welcher als Emitter-Basis-Verstärker 30 pelt sein können. Für manche Anwendungen sind od. dgl. arbeitet. Die Halbleiterbauelemente gemäß nicht alle diese Elektroden erforderlich: das Halbleider Erfindung können selbstverständlich auch in an- terbauelement wird jedoch mindestens drei Elektroderen bekannten Transistorschaltungen verwendet den haben, von denen zwei im ohmschen Kontakt werden, beispielsweise bei basisgeerdeten Schaltun- mit verschiedenen Gebieten des Halbleiters stehen, gen, kollektorgeerdeten Schaltungen usw. Da die 35 z. B. die Elektroden 42 und 43, und eine, die kapaoberflächenpotentialgesteuerten Transistoren schal- zitiv mit einem Oberflächenkanalgebiet gekoppelt ist. tungsmäßig ähnlich wie Mehrgitter-Vakuumröhren Die pnpn-Halbleiterbauelemente werden gewöhnarbeiten, sind sie außerordentlich geeignet für Schal- Hch für elektronische Schalteinrichtungen verwendet, tungen bei Regelverstärkern, Mischstufen, AGC- Halbleiterbauelemente, welche die Merkmale der Er-(Schwundregelungs-) Schaltungen, Spannungsgleich- 40 findung haben, führen im Sperrzustand keinen Strom halter-Schaltungen, Modulatoren, Mischern usw. zwischen den Elektroden 42 und 43, so daß sie alle
Die Erfindung ist nicht auf npn- und pnp-Transi- Vorteile der pnp-Schalteinrichtungen haben. Wenn stören beschränkt. Sie kann mit Vorteil auch bei an- pnpn-Halbleiterbauelemente gemäß der Erfindung in deren oberflächenpotentialgesteuerten Halbleiterbau- Schaltungen verwendet werden, arbeiten beide Endelementen angewendet werden, bei denen benach- 45 Gebiete (oberes und unteres) 29 und 32 als Emitterbarte Gebiete verschiedener Leitfähigkeitstypen mit gebiete, während die beiden dazwischenliegenden dazwischenliegenden Übergängen vorhanden sind. Gebiete 30 und 31 als Basisgebiete arbeiten. Der Beispielsweise kann die Erfindung auch bei pnp-Bau- obere und untere Übergang können daher beide elementen verwendet werden, wie sie bei elektrü- Emitter-Basis-Übergänge sein, während der mittlere nischen Schalteinrichtungen und für ähnliche Zwecke 50 Übergang in ähnlicher Weise wie ein Kollektorüberverwendet werden. pnpn-Bauelemente, die gemäß der gang wirkt.
Erfindung ausgebildet sind, haben besondere Vorteile Das pnpn-Halbleiterbauelement kann entweder in wegen ihrer Fähigkeit, den Strom zu bestimmten den Zustand der Sperrung des Kollektorstromes geElektroden des Halbleiterbauelements vollständig ab- schaltet werden, bei dem praktisch kein Strom zwizusperren. 55 sehen den Elektroden 42 und 43 fließt, oder in den-
Das in F i g. 9 dargestellte pnpn-Halbleiterbauele- jenigen Zustand, bei dem dem zwischen den Elektroment enthält ein Gebiet 29 vom n-Leitfähigkeitstyp, den 42 und 43 fließenden Strom ein geringer Widerein Gebiet 30 vom p-Leitfähigkeitstyp, ein zweites stand entgegengesetzt wird, so daß zwischen ihnen Gebiet 31 vom n-Leitfähigkeitstyp, ein zweites Ge- ein Stromfluß erfolgt. Die Umschaltung wird dadurch biet 32 vom p-Leitfähigkeitstyp und als Besonder- 60 bewirkt, daß Schaltsignale an die Elektroden 48, 49 heit bei Halbleiterbauelementen gemäß der Erfin- und 50 angelegt werden. Während des Sperrzustandung ein drittes Gebiet 33 vom n-Leitfähigkeitstyp, des liegt an dem Übergang 37 eine Gegenspannung, ein drittes Gebiet 34 vom p-Leitfähigkeitstyp sowie Ein augenblickliches Signal verhältnismäßig hoher ein viertes Gebiet 35 vom p-Leitfähigkeitstyp, die Spannung an der Elektrode 49 bewirkt eine sofortige oberhalb der Gebiete 30 bzw. 31 bzw. 29 angeordnet 65 Kurzschließung des unter der Einwirkung der Gegensind. Die Übergänge zwischen den erwähnten Gebie- spannung liegenden Überganges 37. Auf diese Weise ten haben kreisförmige Ränder 36, 37, 38, 39, 40 wird ein Stromfluß durch den Übergang und dement- und 41, welche sich zur oberen Fläche des z. B. aus sprechend zwischen den Elektroden 42 und 43 ver-
ursacht. Ein Gleichgewichtszustand bei kontinuierlichem Stromfluß zwischen den Elektroden 42 und wird schnell erreicht. Ein augenblickliches Signal negativer Spannung an Elektrode 50 oder eine positive Spannung an Elektrode 48 bewirkt eine Sperrung. Dieses Signal verursacht eine Kurzschließung der Übergänge 38 oder 36, wobei der gesamte Strom von der Elektrode 43 zu den Elektroden 44 oder 45 geführt wird. Auf diese Weise erhält der Übergang augenblicklich eine Gegenvorspannung, so daß ein Stromfluß zwischen den Elektroden 42 und 43 unterbrochen wird. Der Stromfluß erreicht schnell den ausgeglichenen Zustand, wobei der Übergang 37 eine Gegenspannung behält. Das Bauelement ist dann im Sperrzustand, wobei praktisch kein Stromfluß zwischen den Elektroden 42 und 43 stattfindet.

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement, dessen Halbleiterkörper eine erste Zone von einem Leitfähigkeitstyp aufweist, in die eine zweite Zone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingelassen ist und bei dem in die zweite Zone eine dritte Zone vom einen Leitfähigkeitstyp eingelassen ist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine zusätzliche vierte Zone von einem der zweiten Zone' entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in die zweite Zone eingelassen ist und daß das Oberflächengebiet der zweiten Zone zwischen der dritten und der vierten Zone durch ein elektrisches Potential an einer kapazitiv angekoppelten Elektrode derart beeinflußbar ist, daß die Leitfähigkeit des Oberflächengebiets entsprechend den an diese Elektrode angelegten Potentialen veränderbar ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Oberflächengebiet aus Halbleitermaterial des gleichen Leitfähigkeitstyps wie das der dritten und der vierten Zone besteht.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das Oberflächengebiet aus Material vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie dem der zweiten Zone besteht und dessen Leitfähigkeitstyp durch Anlegen eines Potentials geeigneter Polarität an die Elektrode umgekehrt ist, um zwischen der dritten und der vierten Zone einen Stromweg geringen Widerstands herzustellen.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Zone eine Transistor-Emitter-Zone, die zweite Zone eine Transistor-Basis-Zone und die erste Zone eine Transistor-Kollektor-Zone ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine ohmsche Kontaktelektrode, welche mit der vierten Zone und der zweiten Zone an der gemeinsamen Oberfläche in Verbindung steht, den dazwischenliegenden pn-übergang kurzschließt.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht auf der gemeinsamen Oberfläche des Bauelements so angebracht ist, daß die kapazitive Elektrode von der Oberfläche des Halbleiterkörpers getrennt ist.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Silizium-Halbleitermaterial und die Isolierschicht aus Siliziumoxyd besteht.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche fünfte Zone, welche in der Basiszone eingelassen ist, im Abstand von der vierten Zone liegt und den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die vierte Zone hat, daß ein zweites Oberflächengebiet, welches zwischen der vierten Zone und der fünften Zone an der gemeinsamen Oberfläche liegt, eine mit dem zweiten Oberflächengebiet kapazitiv gekoppelte zweite Elektrode und eine ohmsche Kontaktelektrode aufweist.
9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, die zweite und die vierte Zone innerhalb des Halbleiterkörpers im wesentlichen konzentrisch zur dritten Zone angeordnet sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 981 877;
Proc. I. R. E., November 1961, S. 1623 bis 1634.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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NL (1) NL293292A (de)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1803026A1 (de) * 1967-10-13 1971-02-11 Gen Electric Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2904424A1 (de) * 1979-02-06 1980-08-07 Siemens Ag Thyristor mit steuerung durch feldeffekttransistor
DE2915885A1 (de) * 1979-04-19 1980-10-23 Siemens Ag Thyristor mit steuerung durch feldeffekttransistor
DE2945366A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen
DE2945391A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit einem abschaltbaren emitter-kurzschluss
DE2945335A1 (de) * 1979-11-09 1981-06-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtzuendbarer thyristor
DE3112942A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor und verfahren zu seinem betrieb
DE3112941A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb
DE3112940A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit anschaltbarer innerer stromverstaerkerung und verfahren zu seinem betrieb
EP0065173A2 (de) * 1981-05-08 1982-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit verbessertem Schaltverhalten
EP0065174A2 (de) * 1981-05-08 1982-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Betrieb eines Thyristors mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen
DE3118347A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit gategesteuerten mis-fet-strukturen des verarmungstyps und verfahren zu seinem betrieb
DE3118317A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hilfsemitterelektrode und kurzschlussgebieten sowie verfahren zu seinem betrieb
DE3118365A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit in den emitter eingefuegten steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden
DE3118318A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtzuendbarer thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden und verfahren zu seinem betrieb
DE3118293A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten und verfahren zu seinem betrieb
DE3118291A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Triac und verfahren zu seinem betrieb
DE3118353A1 (de) * 1979-11-09 1982-12-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit abschaltbarem emitter-kurzschluss
EP0179230A2 (de) * 1984-09-27 1986-04-30 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit erhöhter dI/dt-Festigkeit

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL274830A (de) * 1961-04-12
US3404304A (en) * 1964-04-30 1968-10-01 Texas Instruments Inc Semiconductor junction device for generating optical radiation
US3408543A (en) * 1964-06-01 1968-10-29 Hitachi Ltd Combination capacitor and fieldeffect transistor
BE666834A (de) * 1964-07-13
GB1095412A (de) * 1964-08-26
GB1086128A (en) * 1964-10-23 1967-10-04 Motorola Inc Fabrication of four-layer switch with controlled breakdown voltage
US3484309A (en) * 1964-11-09 1969-12-16 Solitron Devices Semiconductor device with a portion having a varying lateral resistivity
US3372318A (en) * 1965-01-22 1968-03-05 Gen Electric Semiconductor switches
US3456168A (en) * 1965-02-19 1969-07-15 United Aircraft Corp Structure and method for production of narrow doped region semiconductor devices
US3397326A (en) * 1965-03-30 1968-08-13 Westinghouse Electric Corp Bipolar transistor with field effect biasing means
US3667115A (en) * 1965-06-30 1972-06-06 Ibm Fabrication of semiconductor devices with cup-shaped regions
US3346785A (en) * 1965-08-19 1967-10-10 Itt Hidden emitter switching device
US3459944A (en) * 1966-01-04 1969-08-05 Ibm Photosensitive insulated gate field effect transistor
GB1174899A (en) * 1966-04-15 1969-12-17 Westinghouse Brake & Signal Improvements relating to Controllable Rectifier Devices
US3600642A (en) * 1968-11-15 1971-08-17 David F Allison Mos structure with precisely controlled channel length and method
US3597640A (en) * 1969-04-10 1971-08-03 Nat Semiconductor Corp Short circuit protection means for semiconductive circuit apparatus
NL161923C (nl) * 1969-04-18 1980-03-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
BE756139A (fr) * 1969-09-15 1971-02-15 Rca Corp Circuit intermediaire integre pour le couplage d'un circuit de commandea impedance de sortie faible a une charge a impedance d'entree elevee
JPS5135114B1 (de) * 1970-12-28 1976-09-30
US3711940A (en) * 1971-02-08 1973-01-23 Signetics Corp Method for making mos structure with precisely controlled channel length
US3684933A (en) * 1971-06-21 1972-08-15 Itt Semiconductor device showing at least three successive zones of alternate opposite conductivity type
US3740621A (en) * 1971-08-30 1973-06-19 Rca Corp Transistor employing variable resistance ballasting means dependent on the magnitude of the emitter current
US3858234A (en) * 1973-01-08 1974-12-31 Motorola Inc Transistor having improved safe operating area
DE2835089A1 (de) * 1978-08-10 1980-03-20 Siemens Ag Thyristor
DE2945324A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten
DE2945347A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hilfsemitterelektrode und verfahren zu seinem betrieb
DE2945380A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Triac mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper
DE3018542A1 (de) * 1980-05-14 1981-11-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbarem emitter-kurzschluss und verfahren zu seinem betrieb
DE3018499A1 (de) * 1980-05-14 1981-11-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement
US5111268A (en) * 1981-12-16 1992-05-05 General Electric Company Semiconductor device with improved turn-off capability
DE3227536A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Darlington-transistorschaltung
DE3201545A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Planare halbleiteranordnung
JPS6174362A (ja) * 1984-09-19 1986-04-16 Hitachi Ltd 半導体装置
EP0180003A3 (de) * 1984-09-28 1988-01-13 Siemens Aktiengesellschaft Bipolarer Leistungstransistor
EP0176771A3 (de) * 1984-09-28 1988-01-13 Siemens Aktiengesellschaft Bipolarer Leistungstransistor mit veränderbarer Durchbruchspannung
US4742377A (en) * 1985-02-21 1988-05-03 General Instrument Corporation Schottky barrier device with doped composite guard ring
US5736863A (en) * 1996-06-19 1998-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Abatement of electron beam charging distortion during dimensional measurements of integrated circuit patterns with scanning electron microscopy by the utilization of specially designed test structures

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2981877A (en) * 1959-07-30 1961-04-25 Fairchild Semiconductor Semiconductor device-and-lead structure

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE489418A (de) * 1948-06-26
US2900531A (en) * 1957-02-28 1959-08-18 Rca Corp Field-effect transistor
US3097308A (en) * 1959-03-09 1963-07-09 Rca Corp Semiconductor device with surface electrode producing electrostatic field and circuits therefor
NL260481A (de) * 1960-02-08
NL265382A (de) * 1960-03-08
US3124703A (en) * 1960-06-13 1964-03-10 Figure
US3090873A (en) * 1960-06-21 1963-05-21 Bell Telephone Labor Inc Integrated semiconductor switching device
NL267831A (de) * 1960-08-17

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2981877A (en) * 1959-07-30 1961-04-25 Fairchild Semiconductor Semiconductor device-and-lead structure

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1803026A1 (de) * 1967-10-13 1971-02-11 Gen Electric Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2904424A1 (de) * 1979-02-06 1980-08-07 Siemens Ag Thyristor mit steuerung durch feldeffekttransistor
DE2915885A1 (de) * 1979-04-19 1980-10-23 Siemens Ag Thyristor mit steuerung durch feldeffekttransistor
EP0017980B1 (de) * 1979-04-19 1983-10-12 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit Steuerung durch Feldeffekttransistor
DE2945366A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen
DE2945391A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit einem abschaltbaren emitter-kurzschluss
DE2945335A1 (de) * 1979-11-09 1981-06-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtzuendbarer thyristor
DE3118353A1 (de) * 1979-11-09 1982-12-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit abschaltbarem emitter-kurzschluss
DE3112942A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor und verfahren zu seinem betrieb
DE3112941A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb
DE3112940A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit anschaltbarer innerer stromverstaerkerung und verfahren zu seinem betrieb
DE3118317A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hilfsemitterelektrode und kurzschlussgebieten sowie verfahren zu seinem betrieb
DE3118305A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten sowie verfahren zu seinem betrieb
DE3118365A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit in den emitter eingefuegten steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden
DE3118318A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtzuendbarer thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden und verfahren zu seinem betrieb
EP0065671A2 (de) * 1981-05-08 1982-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit Hilfsemitterelektrode und Kurzschlussgebieten sowie Verfahren zu seinem Betrieb
DE3118293A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit verbessertem schaltverhalten und verfahren zu seinem betrieb
DE3118291A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Triac und verfahren zu seinem betrieb
DE3118347A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit gategesteuerten mis-fet-strukturen des verarmungstyps und verfahren zu seinem betrieb
EP0065174A2 (de) * 1981-05-08 1982-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Betrieb eines Thyristors mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen
EP0065174A3 (en) * 1981-05-08 1983-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor having controllable emitter shortings and shorted regions, and process for its operation
EP0065671A3 (en) * 1981-05-08 1983-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor having an auxiliary emitter electrode and shorted regions, and process for its operation
EP0065173A3 (en) * 1981-05-08 1983-09-14 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor having particular switching characteristics and process for its operation
EP0065173A2 (de) * 1981-05-08 1982-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit verbessertem Schaltverhalten
EP0179230A2 (de) * 1984-09-27 1986-04-30 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit erhöhter dI/dt-Festigkeit
EP0179230A3 (de) * 1984-09-27 1987-11-04 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit erhöhter dI/dt-Festigkeit

Also Published As

Publication number Publication date
US3243669A (en) 1966-03-29
NL293292A (de)
GB1033537A (en) 1966-06-22
FR1362724A (fr) 1964-06-05

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