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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein fokussierendes Ionenstrahlgerät zum Herstellen
eines Prüflings
durch Bestrahlen des Prüflings
mit einem fokussierten Ionenstrahl aus einem fokussierenden Ionenstrahltubus
und ein Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines
Prüflings.
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Im
Stand der Technik wird bei den Herstellungsschritten für ein Halbleiterbauelement
oder einen Dünnfilm-Magnetkopf
mit einem laminierten Schichtaufbau ein fokussierendes Ionenstrahlgerät als ein
Verfahren zur Evaluierung der Herstellungsschritte genutzt. So wird
z. B. durch Bestrahlen einer vorgegebenen Position eines Prüflings mit
einem fokussierten Ionenstrahl aus einem fokussierenden Ionenstrahlgerät zur Ausführung von Ätzen ein
Querschnitt zur Betrachtung hergestellt. Ferner wird der Querschnitt
zur Betrachtung in einem Rasterelektronenmikroskop (scanning electron
microscope (SEM)) untersucht (siehe z. B. Patentdruckschrift 1,
Patentdruckschrift 2). Ein Prüfling
kann auch mit einem fokussierten Ionenstrahl ebenfalls durch Ätzen in
feine Scheiben geschnitten werden. Die Prüflingsscheibe wird dann in
einem Durchstrahlungselektronenmikroskop (transmission electron
microscope (TEM)) untersucht. Bei dem Verfahren zur Herstellung
des Querschnitts für
die Betrachtung durch einen fokussierten Ionenstrahl besteht jedoch
ein Problem darin, dass Relieflinien aufgrund von Vertiefungen und
Vorsprüngen
der bestrahlten Prüflingsoberfläche in Auf- und
Abwärtsrichtung,
in der der fo kussierte Ionenstrahl emittiert wird, entstehen. Als
Verfahren zur Herstellung eines hochwertigen Querschnitts zur Betrachtung,
mit dem ein solches Problem gelöst
wird, ist beispielsweise ein Verfahren zur Neigung des zu bestrahlenden
Prüflings
vorgeschlagen worden (siehe z. B. Patentdruckschrift 3). Gemäß dem Verfahren ist
der fokussierte Ionenstrahl bezüglich
des Prüflings geneigt,
und deshalb bilden sich auf dem Prüfling die oben beschriebenen
Relieflinien in Auf- und Abwärtsrichtung
nicht. Selbst bei einem ungünstigen
Effekt wären
nur leicht ausgeprägte
Relieflinien in schräger Richtung
vorhanden, und es kann ein hochwertiger Betrachtungsquerschnitt
hergestellt werden.
- [Patentdruckschrift 1]
Japanische Patentschrift Nr. 2935180
- [Patentdruckschrift 2] JP-A-2002-367115
- [Patentdruckschrift 3] Japanische Patentschrift Nr. 2973211
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Wenn
es sich bei dem Prüfling
jedoch um einen Dünnfilm-Magnetkopf
handelt und der Betrachtungsquerschnitt z. B. wie gemäß der Patentdruckschrift
2 hergestellt wird, ist das Seitenverhältnis des Prüflings sehr
groß,
und deshalb ergibt sich ein Problem, weil deutliche Relieflinien
in Richtung des fokussierten Ionenstrahls in Abhängigkeit von einer Form mit
Vertiefungen und Vorsprüngen
gebildet werden. Obwohl bestätigt
worden ist, dass das Verfahren gemäß der Patentdruckschrift 3
schwächer ausgeprägte Relieflinien
auf einem solchen Prüfling mit
einem großen
Seitenverhältnis
ergibt, wird immer noch kein hochwertiger Querschnitt, der sich
zur Untersuchung eignet, bereitgestellt. Ferner muss die Richtung,
in der der Prüfling
zu neigen ist, eingestellt werden, so dass sich das Problem eines
verringerten Durchsatzes ergibt.
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Die
Erfindung ist angesichts der oben beschriebenen Situation entwickelt
worden, und es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein fokussierendes
Ionenstrahlgerät
bereitzustellen, mit dem der Durchsatz verbessert werden kann, sowie
ein Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Prüflingsquerschnitts, mit dem
ein genaues Bild zur Betrachtung bereitgestellt werden kann.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung schlägt
folgende Mittel zur Lösung
des oben beschriebenen Problems vor.
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Ein
fokussierenden Ionenstrahlgerät
der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass es eine Prüflingsbasis
zum Anbringen eines Prüflings
aufweist, einen dreiachsigen Objekttisch, der die Prüflingsbasis
in drei Richtungen bewegen kann: entlang zweier Achsen in einer
waagrechten Ebene und entlang einer senkrechten Achse und einen
ersten fokussierenden Ionenstrahltubus sowie einen zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus zum Bestrahlen des Prüflings mit fokussierten Ionenstrahlen,
wobei die Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen des ersten und
zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus in der Draufsicht im Wesentlichen
entgegengesetzt und bezüglich
der senkrechten Achse in einer Seitenansicht im Wesentlichen symmetrisch
zu einer Symmetrieachse geneigt zueinander sind.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
gemäß der Erfindung
wird die Position des auf der Prüflingsbasis
angebrachten Prüflings
so eingestellt, dass sie vom dreiachsigen Objekttisch in eine vorgegebene
Position gebracht wird, und die fokussierten Ionenstrahlen werden
vom ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus emittiert.
Die Richtungen der jeweiligen fokussierten Ionenstrahlen des ersten und
zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus sind einander in der Draufsicht
im Wesentlichen entgegengerichtet, und deshalb kann der Querschnitt
des Prüflings
zur Betrachtung hergestellt werden, indem der Querschnitt gleichzeitig
von beiden Seiten geätzt wird,
so dass der Durchsatz bei der Herstellung des zu untersuchenden
Querschnitts verbessert werden kann. Ferner sind die fokussierten
Ionenstrahlen vom ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus im
Wesentlichen bezüglich
der senkrechten Achse symmetrisch zu einer Symmetrieachse geneigt,
und deshalb werden Relieflinien auf dem Querschnitt zur Untersuchung
des Prüflings
in geneigten Richtungen gebildet. Die Relieflinien können deshalb
verringert werden, ohne den Durchsatz durch eine Einstellung wie
die Neigung des Prüflings
zu senken. Die von den jeweiligen fokussierten Ionenstrahlen gebildeten Relieflinien
werden dabei geebnet und deshalb im Ergebnis reduziert, so dass
ein noch hochwertigerer Untersuchungsquerschnitt hergestellt werden
kann. Wenn ferner ein Prüfling
zur Betrachtung durch ein Durchstrahlungselektronenmikroskop (TEM)
hergestellt wird, muss der ein Basiselement bildende Prüfling durch
Schneiden des Prüflings
in Scheiben hergestellt werden, aber auf diese Weise können außerdem gleichzeitig
zwei Querschnittsflächen
zur Be trachtung durch den ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus
hergestellt werden.
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Die
Erfindung ist ferner durch ein Verfahren zum Herstellen/Betrachten
eines Querschnitts eines zu untersuchenden Prüflings bei einer vorgegebenen Position
des Prüflings
mit einem fokussierten Ionenstrahl, der den Prüfling ätzt, und die Untersuchung des
Betrachtungsquerschnitts gekennzeichnet, wobei der zu untersuchende
Querschnitt durch Bestrahlen des auf einer Prüflingsbasis angebrachten Prüflings mit
fokussierten Ionenstrahlen aus zwei verschiedenen Bestrahlungsrichtungen,
die einander in der Draufsicht im Wesentlichen entgegengerichtet und
in der Seitenansicht bezüglich
der senkrechten Achse symmetrisch zu einer Symmetrieachse geneigt
sind, hergestellt wird. Der zu untersuchende Querschnitt wird betrachtet,
indem Sekundärelektronen
aus dem Querschnitt des Prüflings
durch Bestrahlen des hergestellten zu untersuchenden Querschnitts
mit einem Elektronenstrahl aus einer auf den hergestellten zu untersuchenden
Querschnitt gerichteten Richtung erzeugt und die Sekundärelektronen erfasst
werden.
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Mit
dem Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Prüflings gemäß der Erfindung kann durch Emittieren
der fokussierten Ionenstrahlen aus zwei verschiedenen Richtungen,
die in der Seitenansicht im Wesentlichen symmetrisch zu einer Symmetrieachse
bezüglich
der senkrechten Achse geneigt sind, ein hochwertiger Querschnitt
zur Untersuchung mit verringerten Relieflinien bereitgestellt werden.
Ferner kann durch Bestrahlen des zu untersuchenden Querschnitts
mit dem Elektronenstrahl und Erfassen der erzeugten Sekundärelektronen
ein hochwertiges Bild zur Betrachtung bereitgestellt werden, wodurch
der Durchsatz vom Herstellen bis zur Betrachtung des Prüflings verbessert
werden kann.
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Des
Weiteren weist das fokussierende Ionenstrahlgerät vorzugsweise einen drehbaren
Objekttisch auf, der die Prüflingsbasis
um die senkrechte Achse drehen kann, und einen neigbaren Objekttisch,
der die Prüflingsbasis
um Achsen drehen kann, die im Wesentlichen parallel zu den Richtungen
des ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus verlaufen.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
gemäß der Erfindung
kann nicht nur die Position des Prüflings in den drei Richtungen
der zwei Achsen in der waagrechten Ebene und der senkrechten Achse durch
den dreiachsigen Objekttisch eingestellt werden, sondern der Prüfling kann
auch durch den drehbaren und schwenkbaren Objekttisch um die senkrechte
Achse und um Achsen gedreht werden, die im Wesentlichen parallel
zu den Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen verlaufen. Deshalb
kann der zu untersuchende Querschnitt durch Bestahlen des Prüflings mit
dem fokussierten Ionenstrahl unter verschiedenen Winkeln hergestellt
werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
haben ferner vorzugsweise die jeweiligen Richtungen der fokussierten
Ionenstrahlen aus dem ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus
einen Neigungswinkel nicht unter 20° und nicht über 70° relativ zur senkrechten Achse.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
gemäß der Erfindung
kann der Prüfling
mit den fokussierten Ionenstrahlen bestrahlt werden, ohne dass die
fokussierten Ionenstrahlen einander überlagern oder durch den Prüfling gestört werden,
indem die jeweiligen Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen aus
dem ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus nicht unter
20° und
nicht über
70° relativ zur
senkrechten Achse eingestellt werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
sind ferner vorzugsweise ein erster Elektronenstrahltubus zum Bestrahlen
des Prüflings
mit einem Elektronenstrahl und ein erster Sekundärelektronendetektor zum Erfassen
der vom Prüfling
bei der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl aus dem ersten Elektronenstrahltubus
erzeugten Sekundärelektronen
so angeordnet, dass in der Draufsicht die Richtung des Elektronenstrahls
aus dem ersten Elektronenstrahltubus im Wesentlichen senkrecht zur
Richtung der fokussierten Ionenstrahlen aus dem ersten und zweiten
fokussierenden Ionenstrahltubus verläuft.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
gemäß der Erfindung
kann der zu untersuchende Querschnitt betrachtet werden, indem der
aus dem ersten fokussierenden Ionenstrahltubus emittierte Elektronenstrahl
so eingestellt wird, dass er zum hergestellten zu untersuchenden
Schnitt weist und die Sekundärelektronen,
die aus dem zu untersuchenden Querschnitt des Prüflings erzeugt werden, vom
Sekundärelektronendetektor
erfasst werden. Da die Richtung des vom ersten Elektronenstrahltubus
emittierten Elektronenstrahls da bei im Wesentlichen senkrecht zu
den jeweiligen Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen aus dem
ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus verläuft, kann
der zu untersuchende Querschnitt nach der Herstellung des zu untersuchenden
Querschnitts durch den ersten und zweiten Ionenstrahltubus betrachtet
werden, ohne die Richtung des Prüflings
zu ändern.
Der Durchsatz vom Herstellen bis zur Betrachtung des Prüflings kann
deshalb weiter verbessert werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
sind ferner vorzugsweise ein zweiter Elektronenstrahltubus zum Bestrahlen
des Prüflings
mit einem Elektronenstrahl in der entgegengesetzten Richtung zum Elektronenstrahl
des ersten Elektronenstrahltubus in der Draufsicht und ein zweiter
Sekundärelektronendetektor
zum Erfassen der vom Prüfling
bei der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl aus dem zweiten Elektronenstrahltubus
erzeugten Sekundärelektronen
bereitgestellt.
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Beim
Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines Prüflings werden
die Elektronenstrahlen ferner vorzugsweise aus zwei Richtungen,
die in der Draufsicht einander im Wesentlichen entgegengerichtet
sind, entsprechend den aus zwei verschiedenen Richtungen emittierten
fokussierten Ionenstrahlen emittiert und die jeweiligen von jedem
der Elektronenstrahlen erzeugten Sekundärelektronen erfasst.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
und dem Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines
Prüflings
gemäß der Erfindung kann
eine Fläche
durch Bestrahlen mit dem Elektronenstrahl vom ersten Elektronenstrahltubus
betrachtet und die Sekundärelektronen
mit dem ersten Sekundärelektronendetektor
erfasst werden, während gleichzeitig
die andere Fläche
an der gegenüberliegenden
Seite ebenfalls durch Bestrahlen mit dem Elektronenstrahl vom zweiten
Elektronenstrahltubus betrachtet werden kann und die Sekundärelektronen mit
dem zweiten Sekundärelektronendetektor
erfasst werden. Das bedeutet beispielsweise, dass bei der Herstellung
in einem Durchstrahlungselektronenmikroskop zu untersuchenden Prüflings die
beiden betrachteten Flächen
des zu untersuchenden Prüflings gleichzeitig
durch die aus dem ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus
in zwei verschiedenen Richtungen emittierten fokussierten Ionenstrahlen
hergestellt werden. Ferner können
die beiden Flächen
des zu untersuchenden Prüflings
gleichzeitig betrachtet werden, indem die erzeugten Sekundärelektronen
mit dem ersten und zweiten Sekundärelektronendetektor erfasst
werden, wenn die Elektronenstrahlen aus dem ersten und zweiten Elektronenstrahltubus
die beiden Flächen
des zu untersuchenden Prüflings
aus zwei Richtungen bestrahlen, ohne dass die Richtung des zu untersuchenden
Prüflings geändert wird.
Der Durchsatz vom Herstellung bis zur Betrachtung des Prüflings kann
deshalb weiter verbessert werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
sind vorzugsweise eine erste Gaspistole und eine zweite Gaspistole,
die in Übereinstimmung
mit den jeweiligen Strahlen aus dem ersten und zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus aktiviert werden, um Abscheidungsgase gleichzeitig
mit der Emission der fokussierten Ionenstrahlen einzuspritzen.
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Beim
Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines Prüflings wird
ferner vorzugsweise eine Abscheidung auf einer Oberfläche des
Prüflings
ausgeführt,
indem ein Abscheidungsgas in Übereinstimmung
mit den fokussierten Ionenstrahlen aus den beiden verschiedenen
Bestrahlungsrichtungen so eingespritzt wird, dass das Abscheidungsgas
gleichzeitig mit den jeweiligen fokussierten Ionenstrahlen in einem
dem Ätzen
des Prüflings
durch die fokussierten Ionenstrahlen vorangehenden Schritt eingespitzt
wird.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
und dem Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines
Prüflings
gemäß der Erfindung kann
die Abscheidung gleichzeitig an beiden Seiten des Prüflings ausgeführt werden,
indem die fokussierten Ionenstrahlen aus dem ersten und zweiten
fokussierenden Ionenstrahltubus emittiert und die Abscheidungsgase
aus der ersten und zweiten Gaspistole so eingespritzt werden, dass
Filme auf beiden Oberflächen
des Prüflings
ausgebildet werden können.
Deshalb kann sogar ein Prüfling
mit einem großen
Seitenverhältnis
gleichmäßig mit
Filmen beschichtet werden, ohne den Prüfling zu neigen, und der Durchsatz
bei der Abscheidung kann verbessert werden. Des Weiteren können bei
der Herstellung des Querschnitts zur Untersuchung des Prüflings Relieflinien
aufgrund von Vertiefungen und Vorsprüngen auf dem Prüfling durch
die Ausbildung des gleichmäßigen Films
auf der Oberfläche
des Prüflings
vor dem Ätzen
des Prüflings
mit den fokussierten Ionenstrahlen verringert werden, und es kann
ein noch hochwertigerer Querschnitt zur Betrachtung hergestellt werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
wird vorzugsweise ein Argon-Ionenstrahltubus zur Bestrahlung des
Prüflings
mit einem Argon-Ionenstrahl in Richtung der senkrechten Achse bereitgestellt.
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Beim
Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines Prüflings wird
ferner vorzugsweise der zu untersuchende Querschnitt mit den fokussierten
Ionenstrahlen hergestellt, wonach eine Fertigbehandlung des zu untersuchenden
Querschnitts ausgeführt
wird, indem der zu untersuchende Querschnitt mit einem Argon-Ionenstrahl
bestrahlt und danach der Querschnitt betrachtet wird.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
und dem Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines
Prüflings
gemäß der Erfindung kann
eine Fertigbehandlung des zu untersuchenden Querschnitts nach der
Herstellung des zu untersuchenden Querschnitts mit den fokussierten
Ionenstrahlen vom ersten und zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus
aus zwei verschiedenen Richtungen erfolgen, indem der zu untersuchende
Querschnitt mit dem Argonstrahl aus dem Argonstrahltubus bestrahlt
wird, und deshalb kann ein noch hochwertigerer Querschnitt zur Betrachtung
hergestellt werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
kann ferner eine Konfiguration vorgesehen sein, die außerdem ein
optisches Mikroskop aufweist, mit dem der Prüfling aus der Richtung der
senkrechten Achse optisch untersucht werden kann.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
gemäß der Erfindung
kann der Prüfling
durch die Bereitstellung des optischen Mikroskops hergestellt werden,
während
der zu untersuchende hergestellte Querschnitt optisch betrachtet
wird. Der Prüfling kann
deshalb genauer hergestellt werden.
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Beim
Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts eines Prüflings wird
ferner eine Konfiguration bevorzugt, bei der die Länge des
zu untersuchenden Querschnitts durch Bestrahlen des Prüflings mit
dem Elektronenstrahl gemessen, ein Bild des zu betrachtenden Querschnitts
gewonnen wird, indem die vom Prüfling
erzeugten Sekundärelektronen
erfasst werden, zwei vorgegebene Grenzlinien durch die Farbtondifferenz
des betrachteten Bildes unterschieden werden und der Abstand zwischen
den Grenzlinien gemessen wird.
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Beim
Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts gemäß der Erfindung
verbleiben immer noch Relieflinien in schräger Richtung, obwohl die Relieflinien
des zu untersuchenden Querschnitts bei der Bildung des Querschnitts
verringert werden. Deshalb können
die Grenzlinien des Querschnitts, dessen Länge zu messen ist, auf einfache
Weise und genau durch die Farbtondifferenz des betrachteten Bildes
unterschieden und die Länge
des Querschnitts genau gemessen werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät
und dem Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts des
Prüflings
gemäß der Erfindung
können
die auf dem zu betrachtenden Querschnitt gebildeten Relieflinien
verringert werden, indem der Prüfling
in der Draufsicht mit den fokussierten Ionenstrahlen aus zwei verschiedenen
einander entgegengesetzten Richtungen und geneigt zur senkrechten Achse
bestrahlt wird. Deshalb kann ein hochwertiger Querschnitt zur Betrachtung
hergestellt und betrachtet werden. Indem außerdem die fokussierten Ionenstrahlen
gleichzeitig aus zwei verschiedenen Richtungen emittiert werden,
kann auch der Durchsatz bei der Herstellung des zu untersuchenden
Querschnitts verbessert werden.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine schematische Ansicht eines fokussierenden Ionenstrahlgeräts gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung in der Draufsicht.
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2 ist
eine schematische Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der ersten
Ausführungsform
der Erfindung in einer Seitenansicht.
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3 ist
eine erläuternde
Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der ersten Ausführungsform
der Erfindung.
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4 ist
eine schematische Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung in einer Seitenansicht.
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5 ist
eine erläuternde
Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der zweiten Ausführungsform
der Erfindung.
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6 ist
eine schematische Ansicht eines fokussierenden Ionenstrahlgeräts einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung in der Draufsicht.
-
7 ist
eine schematische Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der dritten
Ausführungsform
der Erfindung in einer Seitenansicht.
-
8 ist
eine erläuternde
Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der dritten Ausführungsform
der Erfindung.
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9 ist
eine schematische Ansicht eines fokussierenden Ionenstrahlgeräts einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung in der Draufsicht.
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10 ist
eine schematische Ansicht des fokussierenden Ionenstrahlgeräts der vierten
Ausführungsform
der Erfindung in einer Seitenansicht.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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(Erste Ausführungsform)
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Die 1 bis 3 zeigen
eine erste Ausführungsform
gemäß der Erfindung.
Wie aus 1 ersichtlich ist, enthält ein fokussierendes
Ionenstrahlgerät 1 eine
Prüflingsbasis 2 zum
Anbringen eines Prüflings
S sowie einen ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und
einen zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12, die jeweils
fokussierte Ionenstrahlen I1, I2 zu dem auf der Prüflingsbasis 2 angeordneten
Prüfling
S emittieren können.
Sowohl der erste fokussierende Ionenstrahltubus 11 als
auch der zweite fokussierende Ionenstrahltubus 12 haben
Ionenquellen mit Galliumionen oder dgl. in ihrem Innern (nicht dargestellt)
und können
die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 emittieren, indem die Ionenstrahlen
extrahiert und beschleunigt und die Ionenstrahlen mit elektrostatischen
Linsen (nicht dargestellt) fokussiert werden. Der erste fokussierende
Ionenstrahltubus 11 und der zweite fokussierende Ionenstrahltubus 12 haben
des Weiteren Ablenkelektroden (nicht dargestellt) in ihrem Innern
und sind in der Lage, Ionenstrahlen emittieren, die von den Ablenkelektroden über einen
vorgegebenen Bereich ablenkt werden. Außerdem können allgemein bekannte Konstruktionselemente
wie eine variable Blende oder eine Austastelektrode enthalten sein.
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Wie
in 1 gezeigt sind der erste fokussierende Ionenstrahltubus 11 und
der zweite fokussierende Ionenstrahltubus 12 so angeordnet,
dass die Richtungen der jeweils daraus emittierten fokussierten
Ionenstrahlen I1, I2 in der Draufsicht im Wesentlichen einander
entgegengesetzt und in der Seitenansicht im Wesentlichen symmetrisch
zu einer Symmetrieachse relativ zur senkrechten Z-Achse geneigt sind.
Ferner sind die Richtungen des fokussierten Ionenstrahl I1 aus dem
ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und des fokussierten
Ionenstrahls I2 aus dem zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 so
eingestellt, dass ihre Neigungswinkel θ relativ zur senkrechten Achse
nicht kleiner als 20° und
maximal gleich 70° sind.
Dadurch können
der erste fokussierende Ionenstrahltubus 11 und der zweite
fokussierende Ionenstrahltubus 12 den Prüfling S
mit den fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 bestrahlen, ohne dass
sie einander überlagern
oder durch den Prüfling
S gestört
werden.
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Wie
außerdem
in 1 gezeigt enthält
das fokussierende Ionenstrahlgerät 1 einen
Elektronenstrahltubus 21 zum Bestrahlen des Prüflings S
mit einem Elektronenstrahl E1 und einen Sekundärelektronendetektor 31 zum
Erfassen der Sekundärelektronen
F1, die vom Prüfling
S erzeugt werden. Der Elektronenstrahltubus 21 enthält in seinem
Innern eine Elektronenquelle (nicht dargestellt) und kann den Elektronenstrahl
E1 erzeugen, wobei er einen Elektronenstrahl durch Anlegen einer
Spannung extrahiert und beschleunigt und den Elektronenstrahl durch
eine elektromagnetische Linse (nicht dargestellt) fokussiert. Ferner
enthält
der Elektronenstrahltubus 21 in seinem Innern eine Ablenkelektrode (nicht
dargestellt) und ist in der Lage, einen vorgegebenen Zielbereich
durch Ablenken des Elektronenstrahls mit der Ablenkelektrode zu
bestrahlen. Außerdem
kann ein allgemein bekanntes Konstruktionselement wie eine variable
Blende oder eine Austastelektrode enthalten sein. Der Elektronenstrahltubus 21 ist so
angeordnet, dass die Richtung des Elektronenstrahls E1 in der Draufsicht
im Wesentlichen senkrecht zu den Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen
I1, I2 verläuft,
die jeweils aus dem ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und
dem zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 verläuft. Des
Weiteren wird durch Abtasten des Elektronenstrahls E1 an einem zu
betrachtenden Ab schnitt des Prüflings
S die Intensitätsverteilung
der Sekundärelektronen
F1, die vom Sekundärelektronendetektor 31 erfasst
werden, durch einen Bildverarbeitungsabschnitt 41 zu einem
Bild verarbeitet und auf einem Anzeigeabschnitt 42 als
helligkeitsmoduliertes Bild angezeigt. Außerdem kann im Bildverarbeitungsabschnitt 41 das
Resultat der Erfassung der Sekundärelektronen F1 zu einem Bild
verarbeitet, eine Grenze kann aus einer Farbtondifferenz desselben
bestimmt und der Abstand zwischen bestimmten Punkten gemessen werden.
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Wie
ferner aus den 1 und 2 ersichtlich
ist, enthält
das fokussierende Ionenstrahlgerät 1 einen
dreiachsigen Objekttisch 3, der die Prüflingsbasis 2 in drei
Richtungen bewegen kann: entlang der X-Achse und der Y-Achse, die
zwei Achsen einer Wasserwaage darstellen, sowie der Z-Achse, die eine
senkrechte Achse ist. Die X-Achse ist hier eine Achse, die im Wesentlichen
mit den Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 des ersten
fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und des zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 12 in der Draufsicht zusammenfällt, und
die Y-Achse ist eine Achse, die in der Draufsicht im Wesentlichen
mit der Richtung des Elektronenstrahls E1 aus dem Elektronenstrahltubus 21 zusammenfällt. Außerdem enthält das fokussierende
Ionenstrahlgerät 1 einen
neigbaren Objekttisch 4, der die Prüflingsbasis 2 entlang
der Y-Achse drehen kann, und einen drehbaren Objekttisch 5,
der die Prüflingsbasis 2 um
die Z-Achse drehen kann.
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Im
Folgenden werden die Funktionsweise des fokussierenden Ionenstrahlgeräts 1 und
ein Verfahren zum Herstellen/Betrachten eines Querschnitts des Prüflings unter
Verwendung des fokussierenden Ionenstrahlgeräts 1 erläutert. Wie
die 1 und 2 zeigen, ist gemäß der Ausführungsform
ein Dünnfilm-Magnetkopf 7 auf
einem Wafer als der Prüfling
S ausgebildet. 3 zeigt, dass der Dünnfilm-Magnetkopf 7 eine
laminierte Schichtstruktur mit einem Substrat 7a, einer
Substratmasse 7b, einem unteren Abschirmfilm 7c,
einer Isolierschicht 7d, einer ersten magnetischen Schicht 7e,
einer Spaltschicht 7f und einer zweiten magnetischen Schicht 7g hat,
wobei ein MR-Element 7h in der Isolierschicht 7d eingebettet
ist. Dieses Ausführungsbeispiel,
bei dem die laminierte Schichtstruktur und die Konfiguration eines
Querschnitas geprüft
wird, wird anhand der Herstellung und Betrachtung eines zu untersuchenden
Querschnitts S1 erläutert,
in dem der Querschnitt durch Bestrahlen eines Bereichs A des Dünnfilm-Magnetkopfes 7,
der den Prüfling
S darstellt, mit dem fokussierten Ionenstrahl hergestellt wird.
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Wie
in den 1 und 2 dargestellt werden zuerst
Position und Richtung des Prüflings
S so eingestellt, dass der Bereich A des Prüflings S mit den fokussierten
Ionenstrahlen I1, I2 bestrahlt werden kann, indem der dreiachsige
Objekttisch 3, der neigbare Objekttisch 4 und
der drehbare Objekttisch 5 angetrieben werden. Ferner werden
die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 aus dem ersten fokussierenden
Ionenstrahltubus 11 und dem zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 emittiert. Ätzen erfolgt
im Bereich A des Prüflings
S, indem der jeweilige fokussierte Abtastionenstrahl I1, I2 durch
Ablenkelektroden (nicht dargestellt) wie erforderlich abgelenkt
und der dreiachsige Objekttisch 3 entlang der Y-Achse bewegt wird.
Wie oben beschrieben sind in der Draufsicht die Richtungen der jeweiligen
fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 aus dem ersten und zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 11 und 12 einander im Wesentlichen
entgegengerichtet. Deshalb kann der zu untersuchende Querschnitt
S1 durch gleichzeitiges Ätzen
des Prüflings
S von beiden Seiten durch den ersten und zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 11 und 12 hergestellt und der
Durchsatz bei der Herstellung des zu untersuchenden Querschnitts
S1 kann verbessert werden. Wie weiter aus 3 ersichtlich
ist, sind die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 bezüglich der
senkrechten Z-Achse geneigt. Obwohl Relieflinien B (B1, B2) aufgrund
von Vertiefungen und Vorsprüngen
oder dgl. auf der Oberfläche
des Prüflings
S gebildet werden, kann die Richtung dieser Linien so geneigt werden,
dass sie mit den verschiedenen Richtungen der fokussierten Ionenstrahlen
I1, I2 zusammenfällt.
Das heißt,
dass die Relieflinien B verringert werden können, ohne zu einer Reduzierung des
Durchsatzes zu führen,
die durch die Einstellung der Neigung des Prüflings S oder dgl. verursacht
werden würde.
Dabei ebnen die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 die Relieflinien
B1, B2 und als Ergebnis kann ein hochwertiger Untersuchungsquerschnitt
S1 mit abgeschwächten
Relieflinien B hergestellt werden. Ferner kann nicht nur die Position
des Prüflings S
in den drei Richtungen Z-Achse, Y-Achse und Z-Achse durch den dreiachsigen
Objekttisch 3 eingestellt werden, sondern der Prüfling S
kann auch bezüglich
der Z-Achse geneigt
oder um die X-Achse gedreht werden. Deshalb kann der zu untersuchende Querschnitt
S1 hergestellt werden, indem der Prüfling S mit den fokussierten
Ionenstrahlen I1, I2 aus verschiedenen Winkeln bestrahlt wird.
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Als
nächstes
wird der hergestellte zu untersuchende Querschnitt S1 betrachtet.
Das bedeutet, dass wie in 1 dargestellt
der zu untersuchende Querschnitt S1 mit dem Elekt ronenstrahl E1
aus dem Elektronenstrahltubus 21 bestrahlt wird. Ferner
werden die Sekundärelektronen
F1, die vom zu untersuchenden Querschnitt S1 durch Abtasten des
zu untersuchenden Querschnitts S1 mit dem durch die Ablenkelektrode
(nicht dargestellt) bewegten Elektronenstrahlen E1 erzeugt werden,
durch den Sekundärelektronendetektor 31 erfasst.
Auf Basis des Detektionsergebnisses kann die Intensitätsverteilung der
Sekundärelektronen
F1 vom Bildverarbeitungsabschnitt 41 zu einem Bild verarbeitet
und das erzeugte Bild des Querschnitts S1 auf dem Anzeigeabschnitt 42 dargestellt
werden. Dabei kann der hochwertige zu untersuchende Querschnitt
S1 mit schwach ausgeprägten
Relieflinien B durch den ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und
den zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 hergestellt
und somit ein klares und genaues Betrachtungsbild bereitgestellt
werden. Die Richtung des Elektronenstrahls E1 aus dem Elektronenstrahltubus 21 verläuft ferner
in der Draufsicht im Wesentlichen senkrecht zu den Richtungen der
fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 aus dem ersten fokussierenden
Ionenstrahltubus 11 und dem zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 und
deshalb kann der zu untersuchende Querschnitt S1 durch Bestrahlen
mit dem Elektronenstrahl E1 aus einer zum zu untersuchenden Querschnitt
S1 weisenden Position betrachtet werden, ohne die Richtung des Prüflings S
nach der Herstellung des zu untersuchenden Querschnitts S1 zu ändern. Der
Durchsatz vom Herstellen bis zum Betrachten des Prüflings S
kann deshalb verbessert werden.
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Als
nächstes
wird die Messung der Breite W der zweiten magnetischen Schicht 7g des
Prüflings
S beispielhaft anhand des vom fokussierenden Ionenstrahlgerät 1 bereitgestellten
Betrachtungsbildes wie in 3 dargestellt
erläutert.
Zuerst erstellt der Bildverarbeitungsabschnitt 41 ein helligkeitsmoduliertes Bild
auf Basis des Detektionsergebnisses der Sekundärelektronen F1, das vom Sekundärelektronendetektor 31 eingegeben
wird. Ferner werden zwei Grenzlinien L1, L2 in Richtung der Breite
W der ersten magnetischen Schicht 7e gemäß einer
Anweisung von einem Bedienungsabschnitt (nicht dargestellt) unterschieden.
Genauer gesagt erfolgt die Unterscheidung auf Basis einer Farbtondifferenz
des bereitgestellten Bildes. Wie oben beschrieben kann so das betrachtete
Bild des hochwertigen zu untersuchenden Querschnitts S1 mit schwach
ausgeprägten Relieflinien
B bereitgestellt werden, und außerdem sind
die ausgebildeten Relieflinien B relativ zu den Grenzlinien L1,
L2, die die Messgröße bilden,
geneigt, so dass die Unterscheidung der Grenzlinien L1, L2 einfach
ist und die Länge
des Querschnitts genau gemessen werden kann.
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Wie
oben beschrieben worden ist, kann in der Draufsicht das fokussierende
Ionenstrahlgerät 1 die
fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 gleichzeitig aus zwei verschiedenen
im Wesentlichen einander entgegengerichteten Richtungen emittieren,
die relativ zur senkrechten Achse geneigt sind, und deshalb kann
ein hochwertiger zu untersuchender Querschnitt mit schwach ausgeprägten Relieflinien
auf effiziente Weise hergestellt werden, ohne den Prüfling S
zu neigen oder umzudrehen. Ferner kann der Elektronenstrahl E1 in
der Draufsicht senkrecht zu den fokussierten Ionenstrahlen I1, I2
verlaufen, und deshalb kann der hergestellte zu untersuchende Querschnitt
S1 betrachtet werden, ohne Position und Richtung des zu untersuchenden
Querschnitts S1 einzustellen. Deshalb kann der Durchsatz auch von der
Herstellung bis zur Betrachtung des zu untersuchenden Querschnitts
verbessert werden.
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(Zweite Ausführungsform)
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Die 4 und 5 zeigen
eine zweite Ausführungsform
gemäß der Erfindung.
Bei der Ausführungsform
sind gleiche Elemente wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform
mit identischen Bezugszeichen gekennzeichnet, und auf eine Erläuterung
derselben wird verzichtet.
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Wie
in 4 gezeigt enthält
ein fokussierendes Ionenstrahlgerät 50 der Ausführungsform
eine erste Gaspistole 51 und eine zweite Gaspistole 52, um
Abscheidungsgase G1, G2 jeweils in Übereinstimmung mit dem ersten
fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und dem zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 12 gleichzeitig einzuspritzen. Die Abscheidungsgase
G1, G2 sind hier z. B. W (CO) 6. Durch Einspritzen der Abscheidungsgase
zum Prüfling
S zusammen mit der Bestrahlung durch die fokussierten Ionenstrahlen
I1, I2 kann ein Wolframfilm 53 auf der Oberfläche des
Prüflings
S ausgebildet werden. Die Abscheidungsgase G1, G2 sind nicht auf die
oben angegebenen beschränkt,
sondern können geeignet
entsprechend dem Material des Films 53 gewählt werden.
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Beim
fokussierenden Ionenstrahlgerät 50 kann
der Film gleichzeitig auf beiden Seiten der Oberfläche des
Prüflings
S durch Bestrahlen mit den fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 aus
dem ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und dem zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 12 und Einspritzen der Abscheidungsgase
G1, G2 aus der ersten Gaspistole 51 und der zweiten Gaspistole 52 ausgebildet werden.
In dem Fall, in dem der Prüfling
S ein großes Seitenverhältnis hat
wie der Dünnfilm-Magnetkopf 7, bildet
dann, wenn die Abscheidung von der Oberseite aus erfolgt, der zuerst
ausgetragene obere Abschnitt 7i des Films einen Schatten
und auf dem Basisabschnitt 7j wird der Film nicht gleichmäßig ausgebildet. Mit
dieser Erfindung kann jedoch der Film gleichzeitig und gleichmäßig auf
beiden Seiten ausgebildet werden, indem das oben beschriebene Phänomen durch Bestrahlen
mit den relativ zur Z-Achse geneigten fokussierten Ionenstrahlen
I1, I2 und ferner Einspritzen der Abscheidungsgase G1, G2 beherrscht
wird. Da außerdem
die Abscheidung gleichzeitig von beiden Seiten erfolgen kann, kann
der Durchsatz bei der Abscheidung verbessert werden, da es nicht
erforderlich ist, den Prüfling
zu neigen oder umzudrehen. Des Weiteren können die Relieflinien B aufgrund
von Vertiefungen und Vorsprüngen
des Prüflings
S verringert und ein noch hochwertigerer Querschnitt S1 zur Betrachtung
kann hergestellt werden, indem der Film 53 auf der Oberfläche des
Prüflings
S gleichmäßig in einem
Schritt vor dem Ätzen
des Prüflings
S durch die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 ausgebildet wird.
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(Dritte Ausführungsform)
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Die 6 bis 8 zeigen
eine dritte Ausführungsform
gemäß der Erfindung.
Bei der Ausführungsform
sind gleiche Elemente wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen
mit identischen Bezugszeichen gekennzeichnet, und auf eine Erläuterung
derselben wird verzichtet.
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Wie
aus den 6 und 7 ersichtlich
ist, enthält
ein fokussierendes Ionenstrahlgerät 60 der Ausführungsform
einen ersten Elektronenstrahltubus 61 und einen zweiten
Elektronenstrahltubus 62 zum Bestrahlen des Prüflings S
mit Elektronenstrahlen E1, E2 sowie einen ersten Sekundärelektronendetektor 71 und
einen zweiten Sekundärelektronendetektor 72 zum
Erfassen der jeweiligen Sekundärelektronen
F1, F2, die vom Prüfling
S durch Bestrahlen des Prüflings
S mit den Elektronenstrahlen E1, E2 erzeugt werden. Der erste Elektronenstrahltubus 61 und
der zweite Elektronenstrahltubus 62 sind so angeordnet,
dass die Richtungen der Elektronenstrahlen E1, E2 in der Draufsicht
im Wesentlichen entgegengesetzt sind und in der Draufsicht im Wesentlichen
senkrecht zu den fokussierten Ionenstrahlen I1 bzw. I2 verlaufen,
die vom ersten Ionenstrahltubus 11 und vom zweiten Ionenstrahltubus 12 emittiert
werden. Ferner werden die jeweiligen Intensitätsverteilungen der Sekundärelektronen
F1, F2, die vom ersten Sekundärelektronendetektor 71 und
vom zweiten Sekundärelektronendetektor 72 erfasst
werden, durch den Bildverarbeitungsabschnitt 41 zu Bildern verarbeitet
und getrennt auf dem Anzeigeabschnitt 42 dargestellt. Das
fokussierende Ionenstrahlgerät 60 enthält ferner
einen Argon-Ionenstrahltubus 63, der
den Prüfling
S mit einem Argon-Ionenstrahl I3 in Richtung der Z-Achse bestrahlen
kann. Während
der erste Ionenstrahltubus 11 und der zweite Ionenstrahltubus 12 die
fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 mit einer Beschleunigungsspannung
von ca. 5 kV bis 30 kV erzeugen kann, kann der Argon-Ionenstrahltubus 63 den
Argon-Ionenstrahl I3 mit niedriger Energie bei einer Spannung von
ca. 0,5 kV bis 15 kV erzeugen.
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Nunmehr
wird die Funktionsweise des fokussierenden Ionenstrahlgeräts 60 anhand
eines Beispiels der Herstellung eines Prüflings zur Betrachtung in einem
Durchstrahlungselektronenmikroskop (TEM) aus dem Prüfling S
beschrieben, bei dem es sich um einen Dünnfilm-Magnetkopf 7 handelt.
Um ein einem Durchstrahlungselektronenmikroskop einen zu untersuchenden
Prüfling
mittels Durchstrahlung mit einem Elektronenstrahl betrachten zu
können,
muss ein zu untersuchender Prüfling
aus dem ursprünglichen
Prüfling
S hergestellt werden, indem der Prüfling in Scheiben auf eine
Dicke geschnitten wird, durch die der Elektronenstrahl hindurchgehen kann.
Wie aus 8 ersichtlich ist, bestrahlen
die fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 zuerst beide Seiten des Prüflings S
aus dem ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und dem
zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12. Dabei bestrahlt
der fokussierte Ionenstrahl I1 des ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 einen
Abschnitt der einen Fläche
S3 des zu untersuchenden Prüflings
S2 und der fokussierte Ionenstrahl I2 des zweiten fokussierenden
Ionenstrahltubus 12 einen Abschnitt der anderen Fläche S4,
nachdem die Richtungen der fokussierenden Ionenstrahlen I1, I2 mit
Ablenkelektroden (nicht dargestellt) fein eingestellt worden sind.
Auf diese Weise können
die zwei Flächen
S3, S4 des zu untersuchenden Prüflings
S2 gleichzeitig durch den ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und
den zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 hergestellt
und der Durchsatz bei der Herstellung des Prüflings S2 zur Betrachtung kann
verbessert werden. Außerdem können die
zwei Flächen
S3, S4 des hergestellten zu untersuchenden Prüflings S2 durch den ersten
Elektronenstrahltubus 61 und den zweiten Elektronenstrahltubus 62 hergestellt
werden, ohne die Richtung des Prüflings
S zu ändern.
Deshalb kann der Durchsatz vom Herstellen bis zum Betrachten des
Prüflings S
weiter verbessert werden. Ferner können die zwei zu untersuchenden
Flächen
S3, S4 des Prüflings
S2, die durch den ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und
den zweiten fokussierenden Ionenstrahltubus 12 hergestellt
worden sind, in einem Schritt vor der Betrachtung durch Bestrahlen
mit dem Argon-Ionenstrahl aus dem Argon-Ionenstrahltubus 63 einer Feinbehandlung
unterzogen werden. Die zu beobachtenden Flächen S3, S4 können deshalb
noch präziser
hergestellt werden.
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(Vierte Ausführungsform)
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Die 9 und 10 zeigen
eine vierte Ausführungsform
gemäß der Erfindung.
Bei der Ausführungsform
sind gleiche Elemente wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen
mit identischen Bezugszeichen gekennzeichnet, und auf eine Erläuterung
derselben wird verzichtet. Ein fokussierendes Ionenstrahlgerät 80 gemäß dieser
Ausführungsform
enthält
ein optisches Mikroskop 81, mit dem der Prüfling S
aus Richtung der Z-Achse
betrachtet werden kann. Mit dem fokussierenden Ionenstrahlgerät 80 kann
der Prüfling
S effizient hergestellt, optisch betrachtet und deshalb genauer
hergestellt werden.
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Obwohl
Ausführungsformen
der Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben
worden sind, sind spezifische Konfigurationen nicht auf die Ausführungsformen
beschränkt,
sondern können
auch Konstruktionsänderungen
oder dgl. umfassen, die innerhalb des Gültigkeitsbereichs der Erfindung
liegen und davon nicht abweichen.
-
Obwohl
ferner gemäß den jeweiligen
Ausführungsformen
Position und Richtung des Prüflings S
durch den dreiachsigen Objekttisch 3, den neigbaren Objekttisch 4 und
den drehbaren Objekttisch 5 eingestellt werden können, kann
selbst dann, wenn nur der dreiachsige Objekttisch 3 vorgesehen
ist, ein zu untersuchender hochwertiger Querschnitt mit schwachen
Relieflinien hergestellt werden. Obwohl des Weiteren gemäß den jeweiligen
Ausführungsformen
der hergestellte zu untersuchende Querschnitt oder die zu betrachtenden
zwei Flächen
S3, S4 des Prüflings
S2 mit einem Elektronenstrahl bestrahlt, die Sekundärelektronen
erfasst werden und ein betrachtetes Bild durch Detektion der Sekundärelektronen bereitgestellt
wird, können
alternativ Sekundärelektronen
oder Sekun därionen,
die vom Prüfling
S bei Bestrahlung mit den fokussierten Ionenstrahlen I1, I2 aus
dem ersten fokussierenden Ionenstrahltubus 11 und dem zweiten
fokussierenden Ionenstrahltubus 12 erzeugt werden, erfasst
und ein Bild darauf gebildet werden.
-
- 1;
50; 60; 80
- Fokussierendes
Ionenstrahlgerät
- I1,
I2
- Fokussierte
Ionenstrahlen
- 2
- Prüflingsbasis
- 3
- Objekttisch
- 4
- Neigbarer
Objektisch
- 5
- Drehbarer
Objekttisch
- 7
(S)
- Prüfling, Dünnfilm-Magnetkopf
- 7a
- Substrat
- 7b
- Substratmasse
- 7c
- Unterer
Abschirmfilm
- 7d
- Isolierschicht
- 7e
- Ersten
magnetische Schicht
- 7f
- Spaltschicht
- 7g
- Zweite
magnetische Schicht
- 7h
- MR-Element
- 11
- Erster
fokussierender Ionenstrahltubus
- 12
- Zweiter
fokussierender Ionenstrahltubus
- 21
- Elektronenstrahltubus
- 31
- Sekundärelektronendetektor
- 41
- Bildverarbeitungsabschnitt
- 42
- Anzeigeabschnitt
- A
- Bereich
- B
(B1, B2)
- Relieflinien
- L1,
L2
- Grenzlinien
- E1,
E2
- Elektronenstrahlen
- F1,
F2
- Sekundärelektronen
- θ
- Neigungswinkel
- S1
- Querschnitt
- 51
- Erste
Gaspistole
- 52
- Zweite
Gaspistole
- G1,
G2
- Abscheidungsgase
- 53
- (Wolfram-)
Film
- 61
- Erster
Elektronenstrahltubus
- 62
- Zweiter
Elektronenstrahltubus
- 63
- Argon-Ionenstrahltubus
- 71
- Erster
Sekundärelektronendetektor
- 72
- Zweiter
Sekundärelektronendetektor
- S3,
S4
- Fläche
- 81
- Optisches
Mikroskop