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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Proben-Vorbereitungseinrichtung und ein Verfahren zum Vorbereiten einer Probe, welche dazu verwendet werden, um ein Diffraktionsmuster von Rückstreu-Elektronen zu beobachten, welche von der durch einen Elektronenstrahl bestrahlten Probe emittiert werden.
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Stand der Technik
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Es ist herkömmlicherweise ein Verfahren bekannt, bei welchem eine Probe durch einen Elektronenstrahl abgetastet und bestrahlt wird, und Rückstreu-Elektronen von der Probe erfasst werden, um ein Elektronen-Rückstreu-Muster (EBSP) unter Verwendung eines Abtastelektronenmikroskops zu messen. Durch das Verfahren kann eine Information über die Kristallausrichtung von der Probe erlangt werden.
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Es ist ein weiteres Verfahren bekannt, bei welchem eine Schnittfläche, welche durch einen fokussierten Ionenstrahl ausgebildet ist, durch einen Elektronenstrahl bestrahlt wird, und hierdurch erzeugte Rückstreu-Elektronen erfasst werden, um ein EBSP von der Schnittfläche auszubilden (siehe
JP 2011 - 159 483 A -
Das Dokument
US 2005 / 0 006 600 A1 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Probenherstellung für die Analyse, Beobachtung oder Messung eines Mikrobereichs, indem eine Mikroprobe, die einen angeforderten spezifischen Bereich enthält, von einer Probe eines elektronischen Bauteils, wie z. B. einem Halbleiterwafer, abgetrennt oder die abzutrennende Mikroprobe unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls vorbereitet wird.
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Das Dokument
JP 2009- 98 008 A offenbart ein Verfahren zum Messen der Kristallorientierung von Einkristallproben, umfassend einen Schritt des Erfassens eines Rückstreuelektronenbeugungsmusters durch Anordnen einer TD-Achse in einem Probenkoordinatensystem, parallel zu einer [0001]-Richtung einer hexagonalen Einkristallprobe; einen Schritt des Analysierens eines erhaltenen Rückstreuelektronenbeugungsmusters durch einen Computer und dessen Flächenindexierung; und einen Schritt des Bestimmens der Kristallorientierung der Probe auf der Basis einer indizierten Flächenindexverteilung.
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Das Dokument
US 2011 / 0 186 734 A1 offenbart ein Elektronenmikroskop, das eine Probe mit einem Elektronenstrahl bestrahlt, rückgestreute Elektronen, die von der Probe freigesetzt werden, detektiert und ein Beugungsbild aufnimmt. Das Dokument
DE 10 2010 024 625 A1 offenbart ein Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts mit Hilfe eines Partikelstrahls.
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Das Dokument
US 2009 / 0 206 254 A1 offenbart eine zusammengesetzte Ladungsteilchenstrahlvorrichtung, die den Querschnitt einer Probe beobachtet oder eine dünne Stückprobe für ein Transmissionselektronenmikroskop (TEM) vorbereitet, und ein Verfahren zur Bearbeitung einer Probe und ein Verfahren zur Vorbereitung einer Probe für ein Transmissionselektronenmikroskop unter Verwendung derselben.
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Das Dokument
US 2011 / 0 226 948 A1 offenbart ein Schnittverfahren und die Betrachtung einer Probe mit einem fokussierten Ionenstrahl.
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Im Stand der Technik ist es notwendig, ein gewünschtes Beobachtungsziel durch eine Verarbeitung eines fokussierten Ionenstrahls zu exponieren, wenn das Beobachtungsziel in einer Probe verborgen ist. Im Stand der Technik besteht ein Problem dahingehend, dass es schwierig ist, sogar dann ein genaues Diffraktionsmuster zu erlangen, wenn das Beobachtungsziel exponiert ist, wenn die verarbeitete Probe eine Form hat, welche die optischen Pfade von Rückstreu-Elektronen um das Beobachtungsziel herum blockiert.
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UMRISS
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Unter solchen Umständen ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Proben-Vorbereitungseinrichtung und ein Proben-Vorbereitungsverfahren zum Ausbilden eines genauen EBSP bereitzustellen.
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Die vorliegende Erfindung bietet eine Lösung der oben genannten Aspekte gemäß den unabhängigen Ansprüchen. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Die Ausführungsformen und/oder Beispiele der folgenden Beschreibung, die nicht von den Ansprüchen abgedeckt sind, dienen nur der Veranschaulichung und sollen dem Leser nur helfen, die vorliegende Erfindung zu verstehen. Solche Ausführungsformen und/oder Beispiele, die nicht durch die Ansprüche abgedeckt sind, sind jedoch nicht Teil der vorliegenden Erfindung, die ausschließlich durch die Ansprüche definiert ist.
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Angesichts des Vorhergehenden stellen darstellhafte Aspekte der vorliegenden Erfindung Folgendes bereit:
- Eine Proben-Vorbereitungseinrichtung gemäß der Erfindung ist dazu ausgestaltet, eine Probe vorzubereiten, welche dazu verwendet wird, um ein Diffraktionsmuster von Rückstreu-Elektronen zu beobachten, wobei die Proben-Vorbereitungseinrichtung eine Probenstufe bzw. -plattform bzw. einen Probenträger bzw. -tisch enthält, welche/welcher ausgelegt ist, eine Probe zu halten, eine Säule eines fokussierten Ionenstrahls, welche ausgelegt ist, einen fokussierten Ionenstrahl auf bzw. an die Probe anzuwenden bzw. anzulegen und ein Beobachtungsfeld zu verarbeiten, und eine Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit, welche ausgelegt ist, einen Bestrahlungsbereich eines fokussierten Ionenstrahls einzustellen, welcher einen ersten Bestrahlungsbereich zum Ausbilden eines Beobachtungsfeldes, welches durch einen Elektronenstrahl zu bestrahlen ist, um Rückstreu-Elektronen zu erfassen, wobei das Beobachtungsfeld parallel zu einer Fläche der Probe ist, und einen zweiten Bestrahlungsbereich zum Ausbilden einer geneigten Fläche, welche mit dem Beobachtungsfeld und der Fläche von der Probe verbunden sind, und derart geformt sind, dass sich das Beobachtungsfeld (7c) dazwischen befindet, wobei jede davon mit Bezug auf eine senkrechte Richtung des Beobachtungsfeldes (7c) bei einem Winkel von 67,5° oder mehr und weniger als 90° geneigt ist.
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Durch diesen Aufbau ist es möglich, eine Probe vorzubereiten, welche eine Form hat, welche Rückstreu-Elektronen auf den optischen Pfaden zu einem Erfasser, über welche Rückstreu-Elektronen durchlaufen, wobei die Rückstreu-Elektronen durch Anwenden bzw. Anlegen eines Elektronenstrahls auf das Beobachtungsfeld erzeugt werden, nicht blockiert.
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Mit einer Proben-Beobachtungseinrichtung gemäß der Erfindung ist es möglich, ein EBSP des gewünschten Beobachtungsziels in der Probe genau auszubilden.
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Figurenliste
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- 1 ist ein Aufbau-Schaubild einer Proben-Vorbereitungseinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- 2A und 2B sind Erläuterungs-Ansichten eines Verfahrens zum Vorbereiten einer Probe gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- 3 ist eine Erläuterungs-Ansicht des Verfahrens zum Vorbereiten einer Probe gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- 4A bis 4C sind Erläuterungs-Ansichten des Verfahrens zum Vorbereiten einer Probe gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- 5 ist eine Erläuterungs-Ansicht des Verfahrens zum Vorbereiten einer Probe gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
- 6A und 6B sind Erläuterungs-Ansichten eines weiteren Verfahrens zum Vorbereiten einer Probe gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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GENAUE BESCHREIBUNG
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Im Folgenden werden Ausführungsformen einer Proben-Vorbereitungseinrichtung und eines Proben-Vorbereitungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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Es wird die Proben-Vorbereitungseinrichtung beschrieben. Die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält eine Elektronenstrahl-(EB)-Säule 1, eine Säule 2 eines fokussierten Ionenstrahls (FIB) und eine Probenkammer 3, wie in 1 dargestellt. Die EB-Säule 1 legt einen Elektronenstrahl 8 an eine Probe 7 an, welche in die Probenkammer 3 gesetzt ist, und die FIB-Säule 2 legt einen Ionenstrahl 9 an die gleiche Probe 7 an. Die EB-Säule 1 und die FIB-Säule 2 sind derart angeordnet, dass sich deren Strahlachsen auf der Probe 7 bei rechten Winkeln kreuzen.
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Die Proben-Vorbereitungseinrichtung umfasst ferner einen Sekundär-Elektronen-Erfasser 4. Der Sekundär-Elektronen-Erfasser 4 erfasst Sekundär-Elektronen, welche von der Probe 7 emittiert sind, welche durch den Elektronenstrahl 8 oder den Ionenstrahl 9 bestrahlt ist. Die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält ebenso einen Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15. Der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 erfasst Rückstreu-Elektronen, welche von der Probe 7 emittiert sind, welche durch den Elektronenstrahl 8 bestrahlt ist.
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In der Proben-Vorbereitungseinrichtung kreuzen sich eine EB-Strahl-Achsenrichtung D1 von der EB-Säule 1 und eine FIB-Strahl-Achsenrichtung D2 von der FIB-Säule 2 bei rechten Winkeln. Hier wird eine Richtung, unter den Richtungen, in welche Rückstreu-Elektronen von der Probe 7 emittiert werden, welche sich sowohl mit der EB-Strahl-Achsenrichtung D1 als auch der FIB-Strahl-Achsenrichtung D2 bei rechten Winkeln kreuzt, als eine Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 bezeichnet. Der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 ist an einer Position angeordnet, an welcher Rückstreu-Elektronen, welche in der Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 emittiert sind, erfasst werden können.
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Die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält ferner eine Probenstufe 6, welche die Probe 7 hält. Der Einfallwinkel des Elektronenstrahls 8 auf die Probe 7 kann durch ein Kippen der Probenstufe 6 geändert werden.
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Die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält ferner eine EB-Steuereinheit 12, eine FIB-Steuereinheit 13, eine Bilderzeugungseinheit 14 und eine Anzeigeeinheit 17. Die EB-Steuereinheit 12 sendet ein Bestrahlungssignal an die EB-Säule 1, um die EB-Säule 1 dazu zu bewirken, den Elektronenstrahl 8 anzulegen. Die FIB-Steuereinheit 13 sendet ein Bestrahlungssignal an die FIB-Säule 2, um die FIB-Säule 2 dazu zu bewirken, den Ionenstrahl 9 anzulegen.
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Die Bilderzeugungseinheit 14 erzeugt Daten entsprechend eines Abtastelektronenmikroskop-(SEM)-Bildes auf Basis eines Signals, welches die EB-Steuereinheit 12 dazu bewirkt, den Elektronenstrahl 8 abzutasten, und eines Sekundär-Elektronen-Signals, welches durch den Sekundär-Elektronen-Erfasser 4 erfasst ist. Die Anzeigeeinheit 17 zeigt das SEM-Bild an. Die Bilderzeugungseinheit 14 erzeugt Daten entsprechend eines Abtastionenmikroskop-(SIM)-Bildes auf Basis eines Signals, welches die FIB-Steuereinheit 13 dazu bewirkt, den Ionenstrahl 9 abzutasten, und eines Sekundär-Elektronen-Signals, welches durch den Sekundär-Elektronen-Erfasser 4 erfasst ist. Die Anzeigeeinheit 17 zeigt das SIM-Bild an. Zusätzlich erzeugt die Bilderzeugungseinheit 14 Daten entsprechend eines EBSP auf Basis eines erfassten Signals, welches durch den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 erfasst ist. Die Anzeigeeinheit 17 zeigt das EBSP an.
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Die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält ferner eine Eingabeeinheit 10 und eine Steuerung 11. Die Eingabeeinheit 10 ermöglicht es einem Bediener, Bedingungen im Hinblick auf die Steuerung der Einrichtung einzugeben. Die Eingabeeinheit 10 überträgt die hieran eingegebene Information an die Steuerung 11. Die Steuerung 11 überträgt Steuersignale an die EB-Steuereinheit 12, die FIB-Steuereinheit 13, die Bilderzeugungseinheit 14 und die Anzeigeeinheit 17, um die Proben-Vorbereitungseinrichtung zu betreiben.
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In der Ausführungsform wird ein gewünschtes Beobachtungsziel in der Probe 7 durch ein Ätzen durch den Ionenstrahl 9 exponiert, um ein Beobachtungsfeld auszubilden. Es ist notwendig, dass das Beobachtungsfeld durch den Elektronenstrahl 8 bestrahlt wird, und die hierdurch emittierten Rückstreu-Elektronen durch den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 erfasst werden, um ein EBSP des Beobachtungsfeldes auszubilden. Mit anderen Worten, sollte die Probe 7 derart hergestellt werden, dass der Elektronenstrahl 8 an das Beobachtungsfeld angelegt wird und die Rückstreu-Elektronen vom Beobachtungsfeld aus den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 erreichen, ohne dass der optische Pfad blockiert ist. Demgemäß enthält die Proben-Vorbereitungseinrichtung eine Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit 16, welche einen Bereich (Bestrahlungsbereich), welcher durch den Ionenstrahl 9 zu bestrahlen ist, um die Probe 7 in einer Form herzustellen, dass ein EBSP ausgebildet wird, einstellt.
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Die Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit 16 speichert darin den Bestrahlungsbereich des Ionenstrahls 9 zum Ausbilden eines EBSP und Bestrahlungsbedingungen. Der gespeicherte Bestrahlungsbereich wird auf eine gewünschte Position in einem SIM-Bild, welches auf der Anzeigeeinheit 17 angezeigt wird, eingestellt. Die Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit 16 sendet den Bestrahlungsbereich, welcher eingestellt wurde, und die Bestrahlungsbedingungen, welche gespeichert wurden, an die FIB-Steuereinheit 13, um den Ionenstrahl 9 anzulegen.
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Hier wird die Form der Probe, welche zur Erfassung von Rückstreu-Elektronen durch den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 ausgelegt ist, unter Bezugnahme auf 2A beschrieben. 2A ist eine Schnittansicht von der Probe 7 und dem Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 in einer Ebene, welche durch die EB-Strahl-Achsenrichtung D1 und die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 ausgebildet ist. Es werden Rückstreu-Elektronen, welche zur Ausbildung eines EBSP benötigt sind, auf einen Bereich von 70° von einem Ende zu einem weiteren Ende, deren Mittenrichtung einen Winkel von 100° zum Elektronenstrahl 8, welcher in die Probe 7 eintritt, hat, emittiert und ausgebreitet. Mit anderen Worten, wenn eine Mittenrichtung 21 entlang der Mittenachse des Bereiches verläuft, auf welchen die Rückstreu-Elektronen emittiert und ausgebreitet werden, beträgt ein Winkel Θ1 zwischen der Mittenrichtung 21 und der Strahlrichtung des Elektronenstrahls 8 gleich 100°. Der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 erfasst Rückstreu-Elektronen, welche auf einen Bereich emittiert sind, welcher um die Mittenrichtung 21 herum einen Mittenwinkel Θ2 von 70° hat, das heißt ein Bereich, welcher durch eine Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung 22 und eine Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung 23 definiert ist. Es ist möglich, ein genaueres EBSP auszubilden, indem Rückstreu-Elektronen erfasst werden, welche auf den Bereich emittiert werden.
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Die Proben-Vorbereitungseinrichtung erstellt eine hergestellte Nut 7b. Die hergestellte Nut 7b ermöglicht es, dass ein Beobachtungsfeld 7c, welches durch Exponieren eines gewünschten Beobachtungsziels bereitgestellt ist, durch den Elektronenstrahl 8 bestrahlt wird. Zusätzlich blockiert die hergestellte Nut 7b nicht die optischen Pfade der Rückstreu-Elektronen an den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15. Die Rückstreu-Elektronen werden vom Beobachtungsfeld 7c an den Bereich emittiert, welcher durch die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtungen 22 und 23 umgeben ist, und als die Mittenachse eine Mittenlinie 21 hat. Die Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit 16 stellt einen Ionenstrahl-Bestrahlungsbereich und Bestrahlungsbedingungen zum Ausbilden der hergestellten Nut 7b ein.
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Die Form der hergestellten Nut 7b wird unter Bezugnahme auf 2B beschrieben. Die hergestellte Probe 7 hat das Beobachtungsfeld 7c, welches parallel zu einer Fläche 7a von der Probe 7 verläuft. Die Probe 7 hat ebenso eine geneigte Fläche 7b und eine geneigte Fläche 7e, welche mit der Fläche 7a und dem Beobachtungsfeld 7c verbunden sind und mit Bezug auf das Beobachtungsfeld 7c geneigt sind. Die geneigte Fläche 7d und die geneigte Fläche 7e sind derart ausgebildet, dass das Beobachtungsfeld 7c dazwischen angeordnet ist. Die geneigte Fläche 7e ist mit Bezug auf die senkrechte Richtung 24 des Beobachtungsfeldes 7c bei einem Neigungswinkel Θ3 von beispielsweise 70° geneigt. Wenn hier der Neigungswinkel Θ3 gleich 67,5° oder mehr und weniger als 90° beträgt, kann das EBSP des Beobachtungsfeldes 7c ausgebildet werden. Demgemäß kann der Neigungswinkel Θ3 gleich 67,5° betragen, welcher halb so groß ist wie der Winkel von 135°, welcher durch die Einfallrichtung des Elektronenstrahls 8 und die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung 23 ausgebildet ist. Die geneigte Fläche 7d ist ebenso ausgebildet, dass sie einen Neigungswinkel von 67,5° oder mehr und weniger als 90° mit Bezug auf die senkrechte Richtung des Beobachtungsfeldes 7c hat.
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Die hergestellte Nut 7b, welche derart ausgebildet ist, dass sie die zuvor erwähnte Form hat, ermöglicht es ein genaueres EBSP auszubilden. Zusätzlich kann die Bereitstellung der hergestellten Nut 7b die Bearbeitungsschritte zum Exponieren des Beobachtungsfeldes 7c, verglichen mit einem Ätzen auf der gesamten Fläche 7a von der Probe 7, zum Exponieren eines gewünschten Beobachtungsziels, reduzieren. Somit kann die Bearbeitungszeit bemerkbar reduziert werden.
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3 ist eine Erläuterungs-Ansicht von der in 2B dargestellten Probe 7. 3 zeigt, dass eine geneigte Fläche 7f, eine geneigte Fläche 7g und eine geneigte Fläche 7h um das Beobachtungsfeld 7c herum ausgebildet sind. Die geneigte Fläche 7f, die geneigte Fläche 7g und die geneigte Fläche 7h sind durch Exponieren der geneigten Fläche 7d, der geneigten Fläche 7e und des Beobachtungsfeldes 7c, und durch Anwenden einer zusätzlichen Herstellung, welche einen Ionenstrahl an die Probe 7 anlegt, geformt. Hierdurch wird ermöglicht, dass der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 mehr Rückstreu-Elektronen, welche vom Beobachtungsfeld 7c emittiert sind, ohne blockiert zu werden, erfasst.
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Der Einstellablauf des Bestrahlungsbereichs des Ionenstrahls 9 wird unter Bezugnahme auf 4 beschrieben.
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4A zeigt ein SIM-Bild 31 von der Probe 7, von der FIB-Strahl-Achsenrichtung D2 aus betrachtet. Die EB-Strahl-Achsenrichtung D1 und die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 sind zur Referenznahme angezeigt.
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Ein Bediener ruft hervor, dass die Anzeigeeinheit 17 einen Bestrahlungsbereich 33 auf einem SIM-Bild 32, welches darauf angezeigt ist, überlagert, wie in 4B dargestellt. Der Bestrahlungsbereich 33 zeigt den Bestrahlungsbereich des Ionenstrahls 9, welcher dazu verwendet wird, die hergestellte Nut 7b auf der Probe 7 auszubilden. Die Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit 16 zeigt den Bestrahlungsbereich 33 auf dem SIM-Bild 32 in einer derartigen Ausrichtung an, bei welcher es ermöglicht wird, dass der Elektronenstrahl 8 in das Beobachtungsfeld eintritt, und bei welcher es ebenso ermöglicht wird, dass Rückstreu-Elektronen, welche zur Ausbildung eines EBSP notwendig sind, an den Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 emittiert werden, und zwar auf Basis der Anordnung von der EB-Säule 1 und dem Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15.
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Danach überführt der Bediener den Bestrahlungsbereich 33 auf das SIM-Bild 32 oder bewegt die Probenstufe 6 um die Positionen von der Probe 7 und den Bestrahlungsbereich 33 auf dem SIM-Bild 34 einzustellen, wie in 4C gezeigt. Hierdurch wird es ermöglicht, den Bestrahlungsbereich des Ionenstrahls 9, welcher zur Ausbildung der hergestellten Nut 7b an der Probe 7 zum Beobachten eines EBSP verwendet wird, einzustellen. Die Bestrahlungsbedingungen des Ionenstrahls 9 umfassen eine Bedingung zur Ionenstrahl-Bestrahlung mit einer gleichförmigen Dosierung auf dem Bestrahlungsbereich 33. Die Bestrahlungsbedingungen des Ionenstrahls 9 umfassen ferner eine Bedingung, bei welcher eine geringere Dosierung des Ionenstrahls an das Beobachtungsfeld 7c angelegt wird, so dass die geneigte Fläche 7f, die geneigte Fläche 7g und die geneigte Fläche 7h mit Bezug auf das Beobachtungsfeld 7c geneigt sind, und eine höhere Dosierung des Ionenstrahls mit zunehmender Distanz vom Beobachtungsfeld 7 oder mit abnehmender Distanz von der Fläche 7a angelegt wird.
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Der Bestrahlungsbereich 33, welcher auf eine zuvor beschriebene Art und Weise eingestellt wurde, wird durch den Ionenstrahl 9 mit einer gleichförmigen Dosierung bestrahlt, um die Probe 7 herzustellen. Der Ionenstrahl 9 tritt von einer Richtung aus ein, welche sowohl die EB-Strahl-Achsenrichtung D1 als auch die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 bei rechten Winkeln kreuzt (beispielsweise von einer vertikalen Richtung mit Bezug auf die senkrechte Richtung 24 des Beobachtungsfeldes 7c und die EB-Strahl-Achsenrichtung D1), wie in 5 dargestellt. Diese Herstellung bildet das Beobachtungsfeld 7c, die geneigte Fläche 7d und die geneigte Fläche 7e aus. Die geneigte Fläche 7f, die geneigte Fläche 7g und die geneigte Fläche 7h werden zusätzlich durch Ionenstrahl-Bestrahlung mit der eingestellten Dosierung des Ionenstrahls auf eine zuvor beschriebene Art und Weise ausgebildet. Hierdurch wird ermöglicht, dass der Elektronenstrahl 8, welcher an die Probe 7 anzulegen ist, und der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 Rückstreu-Elektronen erfassen, welche zur Ausbildung eines EBSP notwendig sind, wobei die Rückstreu-Elektronen von dem Beobachtungsfeld 7c des Bereiches, welcher durch die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung 22 und die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung 23 umgeben ist, emittiert werden. Hieraus resultierend kann ein genaues EBSP ausgebildet werden.
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Es wurde ein Verfahren zum Herstellen der Probe 7 durch Anlegen des Ionenstrahls 9 von der Richtung aus, welche sowohl die EB-Strahl-Achsenrichtung D1 als auch die Rückstreu-Elektronen-Emissions-Richtung D3 bei rechten Winkeln kreuzt, beschrieben. Es ist ebenso möglich, eine Probe durch Anlegen eines Ionenstrahls von der vertikalen Richtung aus mit Bezug auf die Fläche von der Probe herzustellen. Es wird nun ein weiteres Verfahren zum Vorbereiten einer Probe unter Bezugnahme auf 6 beschrieben, bei welchem die Fläche von der Probe durch den Ionenstrahl von der vertikalen Richtung mit Bezug auf die Fläche von der Probe bestrahlt wird. 6A zeigt ein SIM-Bild 71, welches beobachtet wird, wenn eine Fläche 72a von einer Probe 72 von der vertikalen Richtung durch den Ionenstrahl 9 abgetastet und bestrahlt wird. Ein Bediener stellt den Bestrahlungsbereich des Ionenstrahls 9 auf dem SIM-Bild 71 ein. Der Bestrahlungsbereich des Ionenstrahls 9 umfasst einen Beobachtungsfeld-Bestrahlungsbereich 73 und geneigte Flächen-Bestrahlungsbereiche 74, 75, 76 und 77. Die Bestrahlungsbedingung des Beobachtungsfeld-Bestrahlungsbereichs 73 ist eine Bedingung zum Vereinheitlichen der Dosierung des Ionenstrahls 9 in dem Feld. Die Bestrahlungsbedingungen der geneigten Flächen-Bestrahlungsbereiche 74, 75, 76 und 77 ist eine Bedingung, bei welcher eine höhere Dosierung des Ionenstrahls an das Beobachtungsfeld 72c angelegt wird und eine geringere Dosierung des Ionenstrahls angelegt wird, bei zunehmender Distanz vom Beobachtungsfeld 72c oder bei abnehmender Distanz von der Fläche 72a, so dass die geneigte Fläche 72d, die geneigte Fläche 72f und die geneigte Fläche 72g mit Bezug auf das Beobachtungsfeld 72c geneigt sind.
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Die Probe wird durch diese Bestrahlungsbedingungen zu der in 6B dargestellten Form hergestellt. Die Probe 72 umfasst das Beobachtungsfeld 72c, welches parallel zur Fläche 72a ist, und die geneigten Flächen 72d, die geneigte Fläche 72e, die geneigte Fläche 72f und die geneigte Fläche 72g angrenzend zum Beobachtungsfeld 72c. Die geneigte Fläche 72d ist eine geneigte Fläche, welche eine Bezugsebenen-Richtung 65 hat, welche mit Bezug auf eine senkrechte Richtung 64 des Beobachtungsfeldes 72c bei einem Winkel Θ4 von 70° geneigt ist. Die geneigte Fläche 72e, die geneigte Fläche 72f und die geneigte Fläche 72g sind ebenso mit Bezug auf die senkrechte Richtung 64 des Beobachtungsfeldes 72c bei 70° geneigt. Hierdurch wird es ermöglicht, dass der Rückstreu-Elektronen-Erfasser 15 mehr Rückstreu-Elektronen erfasst, welche vom Beobachtungsfeld 72c emittiert werden, ohne dass sie blockiert werden.