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DE102006045687A1 - Halbleiterspeicherchip - Google Patents

Halbleiterspeicherchip Download PDF

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Publication number
DE102006045687A1
DE102006045687A1 DE102006045687A DE102006045687A DE102006045687A1 DE 102006045687 A1 DE102006045687 A1 DE 102006045687A1 DE 102006045687 A DE102006045687 A DE 102006045687A DE 102006045687 A DE102006045687 A DE 102006045687A DE 102006045687 A1 DE102006045687 A1 DE 102006045687A1
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DE
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memory
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data
frame
Prior art date
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DE102006045687A
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English (en)
Inventor
Paul Dr. Wallner
Martin Dr. Streibl
Manfred Menke
Yukio Fukuzo
Christian Sichert
Peter Gregorius
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Qimonda AG
Original Assignee
Qimonda AG
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Publication date
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
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Abstract

Ein Halbleiterspeicherchip enthält einen Empfangsschnittstellenabschnitt (50) zum Empfang externer Daten-, Befehls- und Adressensignale in Form serieller Signalrahmen, einen Datenzwischenpuffer (20) zur Zwischenspeicherung von Schreibdaten und, optional, Schreibdatenmaskierbits, welche in ein Speicherzellenfeld (31) einzuschreiben sind, einen Speicherkern (30) mit einem bankorganisierten Speicherzellenfeld (31), einen Dekodierabschnitt (32) zur Dekodierung einer Adresse, die von einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitet ist, zum Schreiben und Lesen von Daten in/von einem oder mehreren Speicherbänken des Speicherzellenfeldes (31) in Übereinstimmung mit einem Schreib/Lesebefehl in einem oder mehreren empfangenen Signalrahmen, und einen Rahmendekodierer (10), der eine Schnittstelle zwischen dem Empfangsschnittstellenabschnitt (50) und dem Speicherkern (30) bildet, um ein oder mehrere in einem oder mehreren Rahmen enthaltene Befehle zu dekodieren und Daten-, Adressen-, Befehls- und Lese/Schreibzugriffsindikationssignale an den Speicherkern (30) und an den Datenzwischenpuffer (20) auszugeben.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft Halbleiterspeicherchips und besonders solche Halbleiterspeicherchips, bei denen Daten-, Befehl- und Adresssignale zu/von dem Chipäußeren in seriellen Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll übertragen werden.
  • HINTERGRUND
  • Heutzutage setzen herkömmliche Halbleiterspeicherchips, z.B. DRAMs für die Datenübertragung weder Rahmen ein, noch enthalten sie einen Rahmendekodierer. Außerdem werden herkömmliche Halbleiterspeicherchips weithin asynchron betrieben, was eine Menge Nachteile mit sich bringt.
  • In zukünftigen Speichersystemen und Halbleiterspeicherchips erwartet man, dass Daten mit sehr hohen Frequenzen übertragen werden. Der Datentransfer wird sehr wahrscheinlich von einem Protokoll geregelt, und die Datenbits werden in Übereinstimmung mit dem Protokoll in Rahmen organisiert sein. Nach mehreren Ausrichtprozeduren wird ein Datenstrom beispielsweise durch einen Demultiplexer in dem Speicherchip in eine niedrigere Frequenz umgesetzt und für die Auswertung bereitgestellt. Ein solcher neuartiger Halbleiterspeicherchip muss einen Rahmendekodierer enthalten, der die Signalrahmen in:
    • (a) speicherrelevante Befehle; (b) Systembefehle; und (c) Schreibdaten dekodiert, die unmittelbar in einem Datenzwischenpuffer zu speichern sind.
  • In einem solchen System kann jeder Rahmen einen oder mehrere speicherrelevante Befehle enthalten. Die an die gleiche Speicherbank gerichteten Befehle können in unterschiedlichen Rahmen platziert sein. Für spezielle Befehlstypen kann ein Rahmen sogar Befehle an verschiedene Bänke enthalten, welche Interbankbefehle genannt werden. Darüber hinaus müssen die Daten mit den vom Rahmendekodierer dem Speicherkern zur Verfügung gestellten dekodierten Befehlen synchronisiert werden. Zur Verringerung der Latenzzeit wird die Rahmendekodiereinheit mit einer höheren Frequenz betrieben, als die aktuelle Betriebsfrequenz des Speicherkerns. Dies führt zum Risiko einer möglichen Datenkollision, wenn dieselben Busse verwendet werden.
  • Es gibt mehrere Anforderungen an eine solche Rahmendekodiereinheit. Eine Anforderung ist die Handhabung komplexer Funktionalität. Im Vergleich mit herkömmlichen Halbleiterspeicherchips, z.B. DRAM-Chips, sind die Funktionen der vorgeschlagenen Halbleiterspeicherchips beträchtlich erweitert. Die Hauptschaltungsblöcke müssen so angeordnet sein, dass sich die funktionale Komplexität sicher handhaben lässt. Außerdem herrscht ein Bedarf an einer detaillierten Spezifikation. Schnittstellen, insbesondere innere Schnittstellen, bergen immer ein mögliches Entwurfsrisiko. Ein synchroner Rahmendekodierer, der Hauptteile der Logik eines herkömmlichen asynchronen Speicherchips enthält, lässt sich leichter und deshalb sicherer spezifizieren. Des Weiteren müssen die Verifikationsanforderungen beachtet werden. Eine höhere Komplexität der Funktionen geht mit speziellen Verikationsverfahren einher, die über die am Transistorniveau ausgerichteten Verfahren hinaus gehen. Allerdings hängt die Gelegenheit, derartige Verfahren einzusetzen von bestimmten Arrangements ab.
  • Des Weiteren gibt es hinsichtlich eines ebenen Layouts, d.h. aus der Sicht der Anordnung innerhalb des Bereichs der Speicherhauptblöcke, nämlich der Speicherbänke, für den Rahmendekodierer, der ein ein Verbindungsglied zwischen den Speicherbänken und dem Empfangsschnittstellenabschnitt bildet, eine Anzahl von Einschränkungen: Speicherbänke können in einer gesplitteten und in gruppierter Weise angeordnet sein, und die Steuersignale zu den Speicherbänken müssen so gelegt werden, dass die Verdrahtungslänge, Zeitdauer und der Leistungsverbrauch sowie der Flächenanteil gemeinsam optimiert werden.
  • KURZFASSUNG
  • Diese Erfindung sieht einen Halbleiterspeicherchip der oben beschriebenen Art vor, welcher die obigen Anforderungen erfüllt und sich nach den obigen Beschränkungen richtet, d.h. bei dem die mit erhöhter Funktionalität ausgestatteten Hauptschaltungsblöcke so angeordnet werden können, dass ihre funktionale Komplexität sicher gehandhabt werden kann und dass ein synchroner Rahmendekodierer, der die Hauptteile der Speicherlogik enthält, einfach spezifiziert werden und sicher arbeiten kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält ein Halbleiterspeicherchip:
    einen Empfangsschnittstellenabschnitt zum Empfang von externen Schreibdaten-, Befehl- und Adressensignalen in Form serieller Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll;
    einen Datenzwischenpuffer, der zum Zwischenspeichern der von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen und in ein Speicherzellenfeld einzuschreibenden Schreibdaten gestaltet ist;
    einen Speicherkern, der das bankorganisierte Speicherzellenfeld und einen Dekodiererabschnitt enthält, zur Dekodierung einer Adresse, die aus einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitet ist, um Daten in eine oder mehrere Speicherbänke des Speicherzellenfeldes in Übereinstimmung mit einem Schreib/Lesebefehl innerhalb eines oder mehrerer von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangener Signalrahmen einzuschreiben oder aus der Speicherbank oder den mehreren Speicherbänken auszulesen; und
    einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Empfangsschnittstellenabschnitt und dem Speicherkern bildet, und der enthält: einen Befehlstypdekodierabschnitt, der zur Dekodierung des Typs eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen entsprechend jedes dekodierten Befehlstyps angeordnet ist; einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung einzelner Befehle für den Speicherkern gestaltet ist;
    einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für den Datenzwischenpuffer gestaltet ist; und
    einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen eingerichtet ist, wobei der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt von Steuersignalen betrieben werden, die von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangen wurden, und der Rahmendekodierer eine Schnittstelle zum Speicherkern enthält, die synchron mit dem Rahmendekodierer arbeitet, indem sie gemeinsam durch ein Rahmentaktsignal synchronisiert sind.
  • Der Empfangsschnittstellenabschnitt kann außerdem einen CRC-Bit-Dekodierer zur Auswertung von CRC-Bits innerhalb des Signalrahmens und für die Überprüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen enthalten, und der Rahmendekodierer kann außerdem eine Falschbefehlschutzeinheit enthalten, die zum Speicherkern nur von dem CRC-Bit-Dekodierer als korrekt geprüfte Befehle freigibt.
  • Diese Erfindung gibt auch einen Halbleiterspeicherchip an, in dem die Hauptschaltungsblöcke eine aufgeteilte und gruppierte Anordnung der Speicherbänke gestatten, bei dem Steuersignale zu den Speicherbänken mit verringerter Verdrahtungslänge, kürzerer Zeitdauer und geringerem Leistungsverbrauch geleitet werden können, und bei dem der Flächenbedarf des Chips optimiert werden kann. Genauer enthält ein Halbleiterspeicherchip in Übereinstimmung mit einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung:
    einen Empfangsschnittstellenabschnitt zum Empfang äußerer Schreibdaten-, Befehls- und Adressensignalen in Form serieller Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll;
    einen Datenzwischenpuffer, der zur Zwischenspeicherung von vom Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen und in ein Speicherzellenfeld einzuschreibenden Schreibdaten eingerichtet ist;
    einen Speicherkern, der ein bankorganisiertes Speicherzellenfeld und einen Dekodierabschnitt enthält, um eine Adresse zu dekodieren, die aus einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitet ist, um Daten in/von einem oder mehreren Speicherbänke(n) des Speicherzellenfeldes in Übereinstimmung mit einem in einem oder mehreren Signalrahmen enthaltenen und von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Schreib/Lesebefehl einzuschreiben bzw. aus der einen Speicherbank oder den mehreren Speicherbänken auszulesen; und
    einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Empfangsschnittstellenabschnitt und dem Speicherkern bildet, um einen oder mehrere in einem oder mehreren Rahmen enthaltene Befehl(e) zu dekodieren und Steuersignale übereinstimmend mit jedem dekodierten Befehl auszugeben, wobei der Rahmendekodierer so gestaltet ist, dass er die Steuersignale an den Datenzwischenpuffer erzeugt und ausgibt und der Rahmendekodierer und der Datenzwischenpuffer gemeinsam durch ein Rahmentaktsignal synchronisiert sind und dafür gestaltet sind, um eine Leseoperation aus den Speicherbänken auszuführen.
  • Der Speicherkern kann eine geteilte Bankorganisation haben, bei der die Gesamtzahl der Speicherbänke in eine gerade Anzahl von Gruppen unterteilt und jede Gruppe in einen ersten und zweiten Teil geteilt ist.
  • Des Weiteren kann der Datenzwischenspeicher in einen ersten Teil und einen zweiten Teil aufgeteilt sein, die jeweils dem ersten und zweiten Teil der speicherbankgruppen zugeordnet sind, und die Steuersignale werden vom Rahmendekodierer an den ersten und zweiten Teil des Datenzwischenpuffers jeweils als erste und zweite Steuersignale ausgegeben, wobei der Rahmendekodierer und der Datenzwischenpuffer derart gestaltet sind, dass sie eine Leseoperation aus einem Teil der Speicherbankgruppen gleichzeitig mit einer Leseoperation aus dem anderen Teil der Speicherbankgruppen ausführen. Die Gesamtzahl der Speicherbänke kann in zwei Gruppen unterteilt werden, wobei die beiden Gruppen jeweils an der linken und rechten Seite einer ersten in einer ersten lateralen Richtung des Speicherchips laufenden Trennlinie angeordnet sind. D.h., dass die in der ersten Lateralrichtung des Speicherchips laufende erste Trennlinie eine erste Symmetrielinie sein kann, die eine Spiegelsymmetrie zwischen den beiden Speicherbankgruppen definiert.
  • Der erste und zweite Teil der Gruppen und der erste und zweite Teil des Datenzwischenpuffers sind jeweils auf der linken und rechten Seite einer zweiten Trennlinie angeordnet, die in einer zweiten Lateralrichtung läuft, die im Wesentlichen senkrecht auf der ersten Lateralrichtung steht. D.h., dass die zweite Trennlinie eine zweite Symmetrielinie sein kann, die eine Spiegelsymmetrie des ersten und zweiten Teils der Gruppen und des ersten und zweiten Teils des Datenzwischenpuffers definiert, wobei die zweite Symmetrielinie im Wesentlichen senkrecht auf der ersten Symmetrielinie steht (die in der ersten lateralen Richtung läuft). Es sollte verständlich sein, dass die erste und zweite Trenn(Symmetrie-)linie imaginäre Linien und physikalisch nicht vorhanden sind. Der Rahmendekodierer und der erste und zweite Teil des Datenzwischenpuffers können jeweils zwischen den zwei Speicherbankgruppen angeordnet sein, und der Rahmendekodierer kann zwischen dem ersten und zweiten Teil des Datenzwischenpuffers liegen.
  • Der Rahmendekodierer kann enthalten: einen Befehlstypdekodierabschnitt, der zur Dekodierung der Typen eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp gestaltet ist;
    einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von einzelnen Befehlen für den Speicherkern eingerichtet ist;
    einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für den Datenzwischenpuffer gestaltet ist und einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen gestaltet ist, wobei der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt durch Steuersignale betrieben werden, die von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangen werden, und der Rahmendekodierer eine Schnittstelle zum Speicherkern enthält, die synchron mit dem Rahmendekodierer arbeitet, indem sie gemeinsam von dem Rahmentaktsignal synchronisiert werden. Außerdem kann der Empfangsschnittstellenabschnitt einen CRC-Bit-Dekodierer enthalten, der zur Auswertung von CRC-Bits innerhalb der Signalrahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen eingerichtet ist, und der Rahmendekodierer kann weiterhin eine Falschbefehlschutzeinheit zur Freigabe nur solcher Befehle zum Speicherkern enthalten, die von dem CRC-Bit-Dekodierer als korrekt erkannt wurden.
  • Nach dem Obigen stellt diese Erfindung einen neuartigen Halbleiterspeicherchip zur Verfügung, der in Übereinstimmung mit seinem ersten Aspekt eine Rahmendekodiererarchitektur enthält, die hauptsächlich speicher- und protokollbezogene logische Teile vollständig synchron betreibt. Die Vorteile dieses Wegs liegen darin, dass: Hauptlogikteile integriert sind und zum selben Funktionsblock gehören; die Spezifikation der Schnittstellen aufgrund der synchronen Operation vereinfacht ist; Verifikationsmöglichkeiten aufgrund der synchronen Operation verbessert sind und die Unterteilung der Funktionsblöcke in Anbetracht der funktionalen Aspekte ausgeführt ist.
  • Außerdem stellt diese Erfindung einen Halbleiterspeicherchip zur Verfügung, bei dem in Übereinstimmung mit seinem zweiten Aspekt Hauptteile der Speicherlogik nun synchron arbeiten und bei dem Steuersignale in sehr effektiver Weise zur Speicherbank zugreifen können. Dieser Weg hat den Hauptvorteil, dass zusätzlich zu den obigen Vorteilen die Signalführung zu den Speicherbänken hinsichtlich Beschränkungen des Leistungsverbrauchs, der Zeitdauer und der Verdrahtungslänge optimiert ist.
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung werden beim Studium der nachfolgenden Definitionen, Beschreibungen und erläuternden Figuren spezifischer Ausführungsbeispiele deutlich, wobei dieselben Bezugszeichen in den verschiedenen Figuren zur Bezeichnung derselben Komponenten dienen. Obwohl diese Beschreibung spezifische Einzelheiten der Erfindung beschreibt, sollte verständlich sein, dass Veränderungen möglich sind, wie sie auf der Grundlage der vorliegenden Beschreibung den auf diesem Gebiet erfahrenen Fachleuten erkennbar sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die in der Spezifikation enthalten sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen derzeit bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung und dienen zusammen mit der obigen allgemeinen und der nachstehenden detaillierten Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
  • 1 ist eine allgemeine Übersicht eines Abschnitts des Empfangswegs innerhalb eines Halbleiterspeicherchips dieser Erfindung, welcher einen Rahmendekodierer und einen Datenzwischenpuffer enthält, die ein Verbindungsglied zwischen einem Speicherkern und einem Empfangsschnittstellenabschnitt bilden.
  • 2 zeigt ein detaillierteres Funktionsblockdiagramm der in 1 gezeigten Rahmendekodiereinheit.
  • 3 zeigt in ebener Darstellung die symmetrische Anordnung und Unterteilung der mehreren Bänke des Speicherkerns, des ersten und zweiten Teils des Datenzwischenpuffers und des in deren Mitte angeordneten Rahmendekodierers.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Gemäß 1, die einen ersten Aspekt des vorliegenden Halbleiterspeicherchips darstellt, ist ein Rahmendekodierer 10 als Schnittstelle zwischen einem Empfangsschnittstellenabschnitt 50 und einem Speicherkern 30 vorgesehen. Außerdem ist ein Datenzwischenpuffer (IDB) 20 in dem Empfangssignalweg zwischen dem Rahmendekodierer 10 und dem Speicherkern 30 für die Zwischenspeicherung mehrerer Schreibdateneinheiten aus vom Rahmendekodierer 10 dekodierten Rahmen angeordnet.
  • Des Weiteren zeigt 1 einen CRC-Bit-Dekodierer 11, der nach dem Empfangsschnittstellenabschnitt 50 zur Auswahl von CRC-Bits innerhalb der Signalrahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehl(en) und Daten in jedem Signalrahmen angeordnet ist. Der CRC-Bit-Dekodierer 11 gibt, sobald ein Fehler in dem Befehl oder den Befehlen und den Daten erfasst wird, ein Signal „CRC-ERR" aus, welches dem Rahmendekodierer 10 zugeführt wird.
  • Der Rahmendekodierer 10 empfängt Rahmendaten fdata von dem Empfangsschnittstellenabschnitt 50 und Systeminformation und Zeitparameter smrs von einem (nicht gezeigten) Systemmodusregister SMR und ist zur Dekodierung eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Daten-, Adressen- und Befehlssignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Rahmen und auch von Steuersignalen S1 angepasst, die einen Lese/Schreibzugriff zum Speicherkern 30 angeben. Des Weiteren liefert der Rahmendekodierer 10 Schreibdaten, IDB-Adressensignale und Aktiviersignale S2 an den Datenzwischenpuffer 20. Im IDB 20 zwischengespeicherte Schreibdatensignale und optional Schreibdatenmaskierbits werden als Signale S3 vom IDB 20 an den Speicherkern 30 geliefert. Die Arbeit der Blöcke 10, 20 und die Übertragung der Signale S1, S2 und S3 geschieht synchron mit einem Rahmentaktsignal clk_frd. Hier ist jedoch zu bemerken, dass das Lesen der Systeminformation und der Zeitparameter von dem SMR optional ist. Derartige Werte können auch in dem die normalen Befehlsadressen begleitenden Rahmen geliefert werden.
  • Die Art und Weise der Auswertung der CRC-Bits durch den CRC-Bit-Dekodierer 11 und anderer Systembefehle sind nicht Teil der Neuerung dieser Erfindung und werden deshalb nicht im Einzelnen beschrieben, da dies die Prinzipfunktion nicht berührt. Gleichermaßen ist die Breite der die Daten fdata und die Signalströme S1, S2 und S3 übertragenden Busse für diese Erfindung nicht kritisch.
  • Es ist möglich, die IDB-Adressen zum Einschreiben in den IDB 20 durch einen festen Algorithmus zu berechnen oder die Adresse von einer (nicht gezeigten) Speichersteuereinheit zu empfangen. Adressen und Steuersignale zum IDB 20 beruhen auf der Funktion einer IDB-Steuerlogik, die im Rahmendekodierer 10 oder alternativ in dem IDB 20 liegen kann. In diesem Ausführungsbeispiel ist angenommen, dass die Steuerlogik zur Erzeugung von Adressen und Steuersignalen S2 zum IDB in dem Rahmendekodierer 10 liegt.
  • Die Zwischenspeicherung von Schreibdatenmaskiersignalen im IDB 20 ist ein optionaler Weg des Protokolls. Genauso ist es möglich, die Datenmaskierinformation dem Speicherkern 30 direkt durch den Rahmendekodierer 10 zur Verfügung zu stellen. Ein durch eine gestrichelte Linie dargestellter Funktionsblock DEL dient zur Verzögerung von Lesebefehlen um eine Anzahl von Taktzyklen, die mit dem Auslesezeitpunkt der Daten aus dem IDB 20 in Übereinstimmung gebracht sind, um die im IDB 20 zwischengespeicherten Lesebefehle und Schreibdaten zu synchronisieren.
  • Wie erwähnt, treten die Rahmendaten fdata in den Rahmendekodierer 10 mit der Frequenz des Rahmentaktsignals clk_frd ein. Im Rahmendekodierer 10 wird der Befehlstyp dekodiert. Aufgrund des dekodierten Befehlstyps werden Daten in den IDB 20 eingeschrieben oder aus ihm gelesen und Speicherbefehle den Bänken des Speicherkerns 30 zur Verfügung gestellt. Hauptteile der Speichersteuerlogik sind nun unter einem synchronen Regime. Der wichtigste Aspekt dieses synchronen Regimes ist die synchrone Arbeit der Schnittstelle des Rahmendekodierers zum Speicherkerns. Innerhalb des Rahmendekodierers ist der synchrone Betrieb eine optionale Lösung. Im Rahmendekodierer gibt es einige Blöcke, die nur kombinatorisch arbeiten können. Ein erzwungener synchroner Betrieb zwischen ihnen würde zusätzliche Latenzzeit kosten.
  • Wie 1 außerdem zeigt, enthält der Speicherkern 30 die Speicherbänke 31 und einen Dekodierabschnitt 32. Außerdem zeigt 1 ein Rücksetzsignal „reset", das von dem Empfangsschnittstellenabschnitt 50 an den Rahmendekodierer 10 und den IDB 20 geliefert wird, um einen gleichzeitigen Rücksetzvorgang auszuführen.
  • Die Hauptfunktionsblöcke des in 2 gezeigten Rahmendekodierers 10 sind ein Befehlstypdekodierabschnitt 1, der zur Dekodierung der Typen eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp eingerichtet ist. Wie 2 zeigt, enthalten diese Steuersignale eine Gruppen-, Bank-, Spalten- und Zeilenadresse an den Speicherkern 30, die für den Kern relevante Daten und Befehle betreffen, sowie Doppelbefehle an den Speicherkern und den IDB 20, IDB-relevante Befehle und Schreibdaten. Die für den Speicherkern 30 relevanten Steuersignale und Daten- und Befehlssignale wie auch die Doppelbefehle an den Speicherkern werden von dem Befehlstypdekodierabschnitt 1 an einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 geliefert, während die IDB-relevanten Befehle und Datensignale von dem Befehlstypdekodierabschnitt 1 an einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 3 und die systemrelevanten Befehle von dem Befehlstypdekodierabschnitt 1 an einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 geliefert werden.
  • Der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 ist für die Planung und Vorbereitung von Einzelbefehlen an den Speicherkern 30 angeordnet und enthält einen Puffer 2a, der den Verzögerungsvorgang des Blocks DEL in 1 realisiert. Der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 liefert dem Speicherkern 30 Daten- und Indikationssignale für einen Lese/Schreibzugriff und auch Gruppen-, Zeilen-, Spalten- und Bankauswahlsignale.
  • Der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 3 ist für die Planung und Vorbereitung von Steuersignalen als auch von Daten zum IDB 20 (IDB-Daten-Adress- und -Aktiviersignal) eingerichtet.
  • Der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 ist zur Vorbereitung und Planung von für die Systemverwaltung relevanten Systembefehlen eingerichtet, z.B. für einen Zugriff zu dem (nicht gezeigten) Systemmodusregister SMR oder für einen Abschaltvorgang der Stromversorgung. Hier ist zu erwähnen, dass Leerlaufbefehlsrahmen keine weitere Aktion brauchen. Innerhalb des Befehlstypdekodierabschnitts 1, des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts 2, des Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitts 3 und des Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitts 4 werden die Rahmendaten derart verarbeitet, dass extern keine größere Steuerlogik notwendig ist. Für den Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2, den Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 3 und den Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 bedeutet dies, dass ihre Ausgaben zeitlich zum Rahmentaktsignal clk_frd ausgerichtet sind und hinsichtlich aller relevanter Speicherbeschränkungen die korrekte zeitliche Lage haben.
  • Zeitlich übereinstimmend mit der Operation des Rahmendekodierers 10 wird die mit den Rahmendaten fdata zur Verfügung gestellte CRC-Information durch den CRC-Bit-Dekodierer 11 überprüft, welcher für die Überprüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen vorgesehen ist. Die Überprüfung der CRC-Information in dem Rahmen beruht auf den Datenbits in dem Rahmen, wobei ein bestimmtes binäres Polynom angewendet wird.
  • Die letzte Stufe im Rahmendekodierer 10 ist eine Falschbefehlschutzschaltung 5. Dies ist eine Multiplexer-Registereinheit, die die zuvor generierten und zeitlich mit der Taktflanke des Rahmentaktsignals ausgerichteten Befehle freigibt, wobei das vom CRC-Bit-Dekodierer 11 zugeführte CRC-ERR-Signal als Freigabe-Sperrsignal dient. Ein CRC-Fehler sperrt den Rahmendekodierer 10 für bestimmte Vorgänge (z.B. können keine Speicherbefehle mehr den Speicherkern 30 erreichen). Während 2 das bevorzugte Ausführungsbeispiel zeigt, kann die Falschbefehlschutzschaltung 5 an einer anderen Stelle liegen, z.B. innerhalb jedes Blocks. Der IDB 20 ist in 2 nicht gezeigt, ist jedoch, wie 1 zeigt, zwischen dem Rahmendekodierer 10 und dem Speicherkern 30 vorgesehen.
  • Wie erwähnt, sind die Breiten der Signalbusse zwischen Rahmendekodierer 10 und von diesem zum IDB 20 sowie zum Speicherkern 30 für die neuartigen Aspekte dieser Erfindung nicht kritisch und hängen von der Protokolldefinition oder von Beschränkungen des Speicherfeldes ab, und sie sind hier nicht auf eine bestimmte Größe eingeschränkt.
  • 3 zeigt eine ebene Darstellung eines Ausführungsbeispiels dieses Halbleiterspeicherchips, das innerhalb der Chipfläche die Anordnung mehrerer Speicherbänke des Speicherkerns 30, den Rahmendekodierer 10 und den Datenzwischenpuffer 20 enthält. In dem in 3 gezeigten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind 16 Speicherbänke in zwei Gruppen unterteilt, eine obere Gruppe 0 und eine untere Gruppe 1 (obere und untere Speicherbankabschnitte). Jede Bank ist in zwei Teile unterteilt, nämlich einen linken Teil A und einen rechten Teil B. Der Datenzwischenpuffer 20 ist in Übereinstimmung mit den unterteilten Bänken physikalisch in zwei Teile unterteilt, nämlich einen linken Teil 20A und einen rechten Teil 20B. Für jeden Schreibzugriff zu den IDB-Teilen 20A und 20B werden die Schreibdaten in zwei Teile geteilt und vom Rahmendekodierer 10 gleichzeitig in den linken IDB 20A und den rechten IDB 20B geschrieben. Außerdem müssen die Steuersignale S2 (1) vom Rahmendekodierer 10 an den IDB für den linken und rechten Teil gedoppelt werden (linker S2A und rechter Teil S2B der Steuersignale). Ein Schreibzugriff zu den Bänken (Auslesen aus den IDB-Teilen) nutzt auch den linken Teil 20A und den rechten Teil 20B des IDB 20. Die Die Einteilung in die obere und untere Gruppe (Gruppe 0 und Gruppe 1) der Speicherbänke muss von der Steuerlogik 2 (Signale S1A, S1B, S3A (GR0), S3A (GR1), S3B (GR0) und S3B (GR1)) berücksichtigt werden. Synchronisiert vom Rahmentaktsignal clk_frd wird die vom Rahmendekodierer 10 und dem linken Teil 20A und dem rechten Teil 20B des IDB 20 gebildete Schnittstelle zu den Speicherbänken voll synchron betrieben.
  • Wenn z.B. vom IDB 20 128 Bit Schreibdaten gelesen werden, werden 64 Bits aus dem linken Teil 20A und 64 Bits aus dem rechten Teil 20B des IDB 20 gelesen.
  • Wenn das Protokoll Schreibdatenmaskierbits definiert und der IDB 20 zur Zwischenspeicherung der Schreibdatenmaskierbits zusammen mit und zugeordnet zu den zwischengespeicherten Schreibdateneinheiten eingerichtet ist, kann der linke Teil 20A des IDB 8 Datenmaskierbits zusammen mit 64 Schreibdatenbits dem Teil A der Speicherbänke liefern, während der rechte Teil 20B des IDB 20 8 DM-Bits zusammen mit den 64 Schreibdatenbits dem Teil B der Speicherbänke zuführen kann.
  • Bemerkenswerterweise zeigt die ebene Darstellung der 3 eine symmetrische Topologie, wobei die obere Gruppe 0 und die untere Gruppe 1 der Speicherbänke 31 jeweils zur linken und rechten Seite einer (nicht gezeigten) in einer ersten lateralen Richtung des Speicherchips, die gemäß 3 die horizontale Richtung ist, laufenden ersten (nicht gezeigten) Symmetrielinie angeordnet sind, und der erste Teil A und der zweite Teil B der Speicherbankgruppen 31 sowie der erste Teil 20A und der zweite Teil 20B des Datenzwischenpuffers jeweils auf der linken und rechten Seite einer (ebenfalls nicht gezeigten) zweiten Symmetrielinie liegen, die in einer zweiten lateralen Richtung läuft (in 3 die vertikale Richtung), die auf der ersten lateralen Richtung im Wesentlichen senkrecht steht.
  • Die heißt, dass die imaginäre erste (horizontale) und die zweite (vertikale) Symmetrielinie jeweils eine Spiegelsymmetrie der Gruppe 0 und Gruppe 1 der Speicherbänke und deren ersten Teil A und zweiten Teil B sowie auch des ersten Teils 20A und zweiten Teils 20B des Datenzwischenpuffers 20 definieren, wobei aufgrund dieser symmetrischen Topologie die Ausbreitungszeiten der Signale, die Leistungsverteilung und auch die Zugriffszeiten zu den Speicherbänken ausgeglichen und optimiert sind.
  • Während die Erfindung oben in Einzelheiten und bezogen auf ihre speziellen Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, werden die auf diesem Gebiet kundigen Fachleute leicht erkennen, dass verschiedenartige Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Geist und Umfang der Erfindung abzuweichen. Z.B. können einige oder alle der Gegenstände in einer Software, Hardware oder in einer Kombination der beiden verkörpert sein. Dementsprechend ist es beabsichtigt, dass diese Erfindung die Modifikationen und Variationen umfasst, vorausgesetzt, sie liegen im Umfang der beiliegenden Ansprüche und ihrer Äquivalente.
  • 1
    Befehlstypdekodierabschnitt
    2
    Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    2a(DEL)
    Verzögerung um N Taktzyklen
    3
    Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    4
    Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    5
    Falschbefehlschutzschaltung
    10
    Rahmendekodierer
    11
    CRC-Bit-Dekodierer
    20, 20A, 20B
    Datenzwischenpuffer (IDB)
    30
    Speicherkern
    31
    Speicherzellenfeld
    32
    Speicherkerndekodierer
    S1, S1A, S1B
    Daten-, Adress-, Befehl-, Lese- und Schreibzugriffindikationssignale
    S2, S2A, S2B
    Daten-, Adress- und Aktiviersignale zum IDB
    S3, S3B, S3B, GR(0), GR(1)
    Schreibdaten (+Datenmaskierbits) vom IDB zum Speicherkern
    SMR
    Systemmodusregister
    SMRS
    Systemmodusregistereinstellungen
    fdata
    Rahmensignale
    CRC-ERR
    CRC-Fehlersignal
    clk_frd
    Rahmentakt
    syscmds
    Systembefehle
    50
    Empfangsschnittstellenabschnitt

Claims (10)

  1. Halbleiterspeicherchip, der aufweist: einen Empfangsschnittstellenabschnitt für den Empfang externer Schreibdaten-, Befehls- und Adresssignale in Form serieller Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll; einen Datenzwischenpuffer, der zur Zwischenspeicherung der von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen und in ein Speicherzellenfeld einzuschreibenden Schreibdaten eingerichtet ist; einen Speicherkern, der das bankorganisierte Speicherzellenfeld und einen Dekodierabschnitt zur Dekodierung einer Adresse enthält, die aus einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitet ist, um in Übereinstimmung mit einem Schreib/Lesebefehl in einem oder mehreren von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen Daten in eine oder mehrere Speicherbänke des Speicherzellenfeldes einzuschreiben oder daraus auszulesen; und einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Empfangsschnittstellenabschnitt und dem Speicherkern bildet und der enthält: einen Befehlstypdekodierabschnitt, angeordnet zur Dekodierung der Typen eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp; einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Einzelbefehlen zum Speicherkern eingerichtet ist; einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignale für den Datenzwischenpuffer eingerichtet ist; und einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen eingerichtet ist, wobei der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt von Steuersignalen betrieben werden, die von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangen werden, und der Rahmendekodierer eine synchron mit ihm arbeitende Schnittstelle zum Speicherkern enthält, wobei beide gemeinsam von einem Rahmentaktsignal synchronisiert sind.
  2. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem der Empfangsschnittstellenabschnitt außerdem einen CRC-Bit-Dekodierer zur Auswertung von CRC-Bits innerhalb der Signalrahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen enthält, und der Rahmendekodierer außerdem eine Falschbefehlschutzeinheit enthält, die nur die von dem CRC-Bit-Dekodierer als korrekt erfassten Befehle an den Speicherkern freigibt.
  3. Halbleiterspeicherchip, der aufweist: einen Empfangsschnittstellenabschnitt zum Empfang externer Schreibdaten-, Befehls- und Adressensignale in Form serieller Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll; einen Datenzwischenpuffer, der zur Zwischenspeicherung von Schreibdaten eingerichtet ist, die von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangen und in ein Speicherzellenfeld einzuschreiben sind; einen Speicherkern, der ein bankorganisiertes Speicherzellenfeld und einen Dekodierabschnitt zur Dekodierung einer Adresse enthält, die von einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitet ist, um Daten in Übereinstimmung mit einem Schreib/Lesebefehl innerhalb eines oder mehrerer von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangener Signalrahmen in eine oder mehrere Speicherbänke des Speicherzellenfeldes einzuschreiben oder daraus auszulesen; und einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Empfangsschnittstellenabschnitt und dem Speicherkern zur Dekodierung eines oder mehrere in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehl bildet, wobei der Rahmendekodierer zur Erzeugung und Ausgabe der Steuersignale an den Datenzwischenpuffer eingerichtet ist und der Rahmendekodierer und der Datenzwischenpuffer gemeinsam von einem Rahmentaktsignal synchronisiert und zur Ausführung einer Leseoperation aus den Speicherbänken eingerichtet sind.
  4. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem der Speicherkern eine geteilte Bankorganisation hat, bei der die Gesamtanzahl der Speicherbänke in eine gerade Anzahl von Gruppen und jede Gruppe in einen ersten und zweiten Teil unterteilt sind.
  5. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 4, bei dem der Datenzwischenpuffer in einen ersten und zweiten Teil unterteilt ist, die jeweils dem ersten und zweiten Teil der Speicherbankgruppen zugeordnet sind, und die Steuersignale von dem Rahmendekodierer an den ersten und zweiten Teil des Datenzwischenpuffers jeweils als erste und zweite Steuersignale ausgegeben werden, wobei der Rahmendekodierer und der Datenzwischenpuffer zur Ausführung einer Leseoperation aus einem Teil der Speicherbankgruppen gleichzeitig mit einer Leseoperation aus dem anderen Teil der Speicherbankgruppen eingerichtet sind.
  6. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 4, bei dem die Anzahl der Speicherbänke in zwei Gruppen eingeteilt ist.
  7. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 6, bei dem die Gruppen jeweils links und rechts einer ersten in einer ersten lateralen Richtung des Speicherchips laufenden Trennlinie angeordnet sind, und ein erster und zweiter Teil der Gruppen und der erste und zweite Teil des Datenzwischenpuffers jeweils links und rechts einer zweiten Trennlinie angeordnet sind, die in einer zweiten Lateralrichtung läuft, die auf der ersten Lateralrichtung im Wesentlichen senkrecht steht.
  8. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 6, bei dem der Rahmendekodierer und der erste und zweite Teil des Datenzwischenpuffers jeweils zwischen den beiden Gruppen der Speicherbänke angeordnet sind und der Rahmendekodierer zwischen dem ersten und zweiten Teil des Datenzwischenpuffers liegt.
  9. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem der Rahmendekodierer enthält: einen Befehlstypdekodierabschnitt, der zur Dekodierung der Typen eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp eingerichtet ist; einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung einzelner Befehle für den Speicherkern eingerichtet ist; einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für den Datenzwischenpuffer eingerichtet ist; und einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen eingerichtet ist, wobei der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt von Steuersignalen betrieben werden, die von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangen sind, und der Rahmendekodierer eine Schnittstelle zu dem Speicherkern bildet, die synchron mit dem Rahmendekodierer dadurch arbeitet, dass sie beide von einem gemeinsamen Rahmentaktsignal synchronisiert sind.
  10. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem der Empfangsschnittstellenabschnitt weiterhin einen CRC-Bit-Dekodierer enthält, der zur Auswertung von CRC-Bits in den Signalrahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen eingerichtet ist, und der Rahmendekodierer weiterhin eine Falschbefehlschutzschaltung enthält, die zum Speicherkern nur Befehle freigibt, die von dem CRC-Bit-Dekodierer als korrekt erkannt wurden.
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