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CN1922546A - 凸点形成用双层层积膜及凸点形成方法 - Google Patents

凸点形成用双层层积膜及凸点形成方法 Download PDF

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CN1922546A
CN1922546A CNA2005800055944A CN200580005594A CN1922546A CN 1922546 A CN1922546 A CN 1922546A CN A2005800055944 A CNA2005800055944 A CN A2005800055944A CN 200580005594 A CN200580005594 A CN 200580005594A CN 1922546 A CN1922546 A CN 1922546A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laminated film
salient point
methyl
mentioned
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005800055944A
Other languages
English (en)
Inventor
坂井洋子
太田克
猪俣克巳
岩永伸一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
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Abstract

本发明是涉及凸点形成用负型感辐射性双层层积膜及使用了该层积膜的凸点形成方法的发明。前述凸点形成用负型感辐射性双层层积膜的特征在于，采用包含具有特定结构单元的聚合物(A)及有机溶剂(B)的组合物作为凸点形成用双层层积膜的下层。利用本发明，能够提供焊锡糊剂的印刷性及图案形状良好的易从基板剥离的凸点形成用负型感辐射性双层层积膜及使用了该膜的凸点的制造方法。

Description

凸点形成用双层层积膜及凸点形成方法
技术领域
本发明是涉及在多层印制电路板上封装IC芯片时所用的焊锡凸点(bump)等低熔点金属凸点的形成方法以及适用于该形成方法的双层层积膜的发明。
背景技术
为封装IC芯片等而形成焊锡凸点等低熔点金属凸点时，包括在IC芯片侧形成该凸点和在多层印制电路板侧形成该凸点的情况。
作为在IC芯片侧形成凸点的例子，可例举BGA(球栅阵列，Ball GridArray)，它一般是指IC芯片已被搭载于封装基板的形态。
最近有一种被称为WL-CSP(晶圆级芯片尺寸封装)的高密度化封装技术。该WL-CSP在1块晶片上形成多个IC芯片的电路，以晶片的状态一次实施电极形成、封装、老化(burn-in)测试后，IC芯片作为封装器件被切割的技术。
WL-CSP中，作为进行一次电极形成的技术，可例举电镀法、埋入金属糊剂后进行回熔(reflowing)的方法，载置金属球后进行回熔的方法。
随着IC芯片的高集成化，IC芯片的凸点也进一步高密度化及小型化。利用上述WL-CSP的封装技术中，一直在不断进行着对可同时实现良好的连接可靠性和较低的加工成本的焊锡凸点的探讨/实用化。具体来讲，包括采用漆状的正/负型感辐射性(negative radiation-sensitive)树脂组合物或干膜形成膜厚50μm以上的涂膜、然后形成图案、将其作为掩模材料进行电镀的方法等。
另一方面，在多层印制电路板侧形成焊锡凸点时，为使这些焊锡凸点互相不熔接，在电路板上形成阻焊层。该阻焊层中在电极焊盘(pad)的对应位置设置有开口。在阻焊层形成焊锡凸点时，进行焊锡糊剂的掩模印刷。被用于掩模印刷的金属掩模中，在阻焊层开口部的对应位置配置有图案(开口图案)。进行掩模印刷时，使掩模图案和阻焊层开口部相对应地配置该金属掩模。然后，隔着该金属掩模在电极焊盘上的阻焊层开口部印刷焊锡糊剂。接着，回熔焊锡糊剂，在电极焊盘上形成焊锡凸点。
对使焊锡凸点窄间距化的方法进行了探讨，例如，在阻焊层上再形成可剥离的阻焊坝的方法(专利文献1)；在前述阻焊层上层积干膜，在电极焊盘设置开口部，供给焊锡糊剂，回熔后剥离干膜的方法(专利文献2)等。
上述凸点形成工序中，使用了正型阻焊剂的情况下，一般易剥离，但很难进行开口图案的形状控制，易在凸点尺寸的均一性方面出现问题。
对应于此，使用了负型阻焊剂的情况下，较容易进行图案形状的控制。但是，由于是光交联型，所以一般难以剥离，特别是埋入了糊剂后通过回熔形成焊锡凸点的情况下，利用回熔时的热量进一步进行负型感辐射性树脂组合物的交联反应，所以更难以从基板进行阻焊膜的剥离。
由于价格便宜，一般通过使用了氢氧化钠或碳酸钠水溶液的喷雾剥离来实施上述阻焊膜的剥离。但是，上述喷雾剥离法存在凸点密集部分易产生剥离残留、凸点出现劣化等问题。
此外，使用干膜状或漆状的负型感辐射性树脂组合物的情况下，采用利用在高极性溶剂中添加了有机碱的剥离液进行的浸渍剥离。但是，浸渍剥离法存在下述缺点，即，剥离液本身的价格较高，如果要增加一定的剥离液量所对应的剥离处理片数，则需提高有机碱浓度或剥离液的温度，这样就导致凸点的金属表面劣化或底基板的表面出现腐蚀等。
专利文献1：日本专利特开平10-350230号公报
专利文献2：日本专利特开2000-208911号公报
发明的揭示
本发明的课题是提供焊锡糊剂的印刷性及图案形状良好、易从基板剥离的凸点形成用负型感辐射性双层层积膜及使用了该膜的凸点制造方法。
本发明的双层层积膜的特征是，由(I)包含具有下述通式(1)表示的结构单元的聚合物(A)及有机溶剂(B)的组合物形成的下层，以及(II)负型感辐射性树脂组合物形成的上层构成；
式(1)中，R1为-(CH2)n-，n为0～3的整数，R2、R3及R4可以相同也可以不同，为氢或碳原子数1～4的烷基。
形成前述上层(II)的负型感辐射性树脂组合物较好为包含具有羧基及/或酚羟基的聚合物(C)、交联剂(D)、感辐射性自由基聚合引发剂(E)及有机溶剂(F)的组合物。上述聚合物(C)的玻璃化温度(Tg)较好为40℃以上。
本发明的转印膜(transfer film)的特征在于，上述双层层积膜设置在支承膜之上。
本发明的凸点形成方法是在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，该方法的特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成上述层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(c)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序，
(d)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序。
作为上述凸点形成方法的工序(b)中的导入低熔点金属的方法，包括后述的埋入低熔点金属糊剂的方法，以及直接搭载焊锡球(solder ball)的方法。
此外，本发明的另一凸点形成方法是在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，该方法的特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成上述层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b’)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(d’)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序，
(c’)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序。
作为上述凸点形成方法的工序(b’)中的导入低熔点金属的方法，有后述的电镀法。
本发明的负型感辐射性凸点形成用层积膜能够在凸点形成后容易地剥离除去。此外，本发明的上述双层层积膜的图案形状及焊锡糊剂的印刷性良好，也容易从基板剥离。另外，利用本发明的凸点形成方法，能够有效地获得形状特性良好的凸点。
附图的简单说明
图1为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
图2为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
图3为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
图4为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
图5为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
图6为表示本发明的凸点形成方法的截面模式图。
符号说明：101为电极焊盘，102为钝化膜，103为硅基板，104为防金属扩散膜，105为阻挡金属，106为下层材料，107为上层材料，108为凸点形成用开口部，109为涂刷器，110为低熔点金属糊剂，111为回熔后的低熔点金属凸点，201为电极焊盘，202为钝化膜，203为硅基板，204为防金属扩散膜，205为阻挡金属，206为下层材料，207为上层材料，208为凸点形成用开口部，209为低熔点金属球，210为回熔后的低熔点金属凸点，301为电极焊盘，302为钝化膜，303为硅基板，304为防金属扩散膜，305为阻挡金属，306为上层材料，307为下层材料，308为凸点形成用开口部，309为电镀后的低熔点金属膜，310为回熔后的低熔点金属凸点，401为电极焊盘，402为层间树脂绝缘层，403为导体电路，404为基材，405为导通孔，406为阻焊剂(solder resist)，407为上层材料，408为焊锡凸点形成用开口，409为低熔点金属糊剂，410为涂刷器，411为回熔后的低熔点金属，412为下层材料，509为低熔点金属球，609为电镀后的低熔点金属膜。
实施发明的最佳方式
以下，对本发明进行具体说明。
下层材料用组合物
用于本发明的凸点形成用层积膜的下层的树脂组合物是包含具有特定的结构单元的聚合物(A)及有机溶剂(B)的非感辐射性树脂组合物。
[聚合物(A)]
用于本发明的上述非感辐射性树脂组合物中所含的聚合物(A)的特征在于，具备下述通式(1)表示的结构单元，
式(1)中，R1为-(CH2)n-，n为0～3的整数，R2、R3及R4分别为氢或碳原子数1～4的烷基。
如果聚合物(A)中含有上述(1)的结构单元，则易溶于碱性溶液。因此，将含聚合物(A)的组合物作为下层材料的凸点形成用双层层积膜具有良好的碱性显影性，能够通过一次曝光/显影操作形成图案。
此外，由于上述(1)的结构中包含酚羟基，所以能够使光自由基失活。因此，如果将含有聚合物(A)的组合物用作凸点形成用双层层积膜的下层材料，则即使进行曝光操作，下层的固化也会被抑制，所以该层积膜能够很容易地被剥离。
另外，由于可使具有上述(1)的结构的聚合物与被用于后述的上层材料的聚合物(C)不易相溶，所以能够抑制上层和下层的混合，该层积膜能够很容易地被剥离。这里，混合是指构成上层和下层的各成分混合。
具有上述(1)式表示的结构单元的聚合物(A)例如可通过使下述通式表示的单体(以下称为“单体(1’)”)(共)聚合而获得，
式(1’)中，R1为-(CH2)n-，n为0～3的整数，R2、R3及R4分别为氢或碳原子数1～4的烷基。
作为单体(1’)，可例举N-(对羟基苯基)丙烯酰胺、N-(对羟基苯基)甲基丙烯酰胺、N-(对羟基苯甲基)丙烯酰胺、N-(对羟基苯甲基)甲基丙烯酰胺、N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺、N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)甲基丙烯酰胺、N-(3，5-叔丁基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺、N-(3，5-叔丁基-4-羟基苯甲基)甲基丙烯酰胺等。
这些单体(1’)中，较好的是N-(对羟基苯基)丙烯酰胺、N-(对羟基苯基)甲基丙烯酰胺、N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺、N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)甲基丙烯酰胺。
单体(1’)可单独使用或2种以上混合使用。
聚合物(A)还可由单体(1’)和单体(1’)以外的可共聚的单体(以下称为“单体(2’)”)共聚而获得，
作为单体(2’)，可例举邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、对异丙烯基苯酚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯等芳族乙烯基化合物，N-乙烯吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等含杂原子的脂环族乙烯基化合物，丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基的乙烯基化合物，1，3-丁二烯、异戊二烯等共轭二烯类，丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等含酰胺基的乙烯基化合物，丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基的乙烯基化合物，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、丙三醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸三环癸酯等(甲基)丙烯酸酯类等。
聚合物(A)中的上述(1)式所示的结构单元的含量只要在不影响本发明效果的范围内即可，无特别限定，聚合物中的该含量通常为5～100重量％，较好为20～100重量％，更好为40～100重量％。
式(1)所示的结构单元的含量如果在上述范围内，则聚合物(A)不仅在碱性溶液中的溶解性及使光自由基失活的能力良好，且不易与后述的聚合物(C)相溶。
以提高下层的粘合性、控制碱溶解速度、控制和上层的混合为目的，也可选择单体(2’)的单体种类和量。
下层的碱溶解速度如果与上层相比过快，则双层层积膜的开口部的形状会变成下陷状，如果过慢，则下层会变成拖尾形状。
聚合物(A)的聚合例如可通过自由基聚合进行。作为聚合方法，可例举例如乳液聚合法、悬浮聚合法、溶液聚合法和本体聚合法等，较好为溶液聚合法。
作为用于自由基聚合的聚合引发剂，可使用常规的自由基聚合引发剂，例如，2，2’-偶氮二异丁腈(AIBN)、2，2’-偶氮二-(2，4-二甲基戊腈)等偶氮化合物，以及过氧化苯甲酰、月桂基过氧化物、叔丁基过氧化物等有机过氧化物。
此外，被用于上述溶液聚合法的溶剂只要是不与所用的单体成分反应、可溶解生成的聚合物的溶剂即可，无特别限定，作为该溶剂，可例举甲醇、乙醇、正己烷、甲苯、四氢呋喃、1，4-二烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、丙酮、甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、2-庚酮、环己酮、乙二醇一甲醚、丙二醇一甲醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸甲酯、γ-丁内酯等。这些溶剂可单独使用或2种以上混合使用。
利用溶液聚合法制造聚合物(A)时，所得聚合物溶液可以直接用于非感辐射性树脂组合物的调制，或者从聚合物溶液分离出聚合物(A)，再用于非感辐射性树脂组合物的调制。
聚合时，根据需要可使用例如硫醇化合物、卤代烃等分子量调节剂。
聚合物(A)的分子量可通过适当选择单体组成、自由基聚合引发剂、分子量调节剂、聚合温度等聚合条件来进行调节。聚合物(A)的分子量以聚苯乙烯换算重均分子量(以下称为“Mw”)通常为1000～100000，较好为5000～30000。通过将聚合物(A)的Mw控制在上述范围内，可使聚合物曝光后的碱溶解性良好，与上层的溶解性的平衡也易于控制。
本发明中，聚合物(A)可单独使用或2种以上混合使用。
[有机溶剂(B)]
为了均匀地混合前述聚合物(A)、后述的含酚羟基的化合物、丙烯酸树脂、表面活性剂及其它的成分或形成良好的膜，用于本发明的非感辐射性树脂组合物中含有有机溶剂(B)。
作为有机溶剂(B)，可例举乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一丙醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基甲酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、环己酮、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等。
此外，还可添加N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰苯胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲亚砜、苯甲基乙醚、二己醚、丙酮基丙酮、异佛尔酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苯甲醇、乙酸苯甲酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、马来酸二乙酯、γ-丁内酯、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、乙二醇一苯基醚乙酸酯等高沸点溶剂。
这些有机溶剂(B)中，较好的是2-羟基丙酸乙酯、丙二醇一甲醚乙酸酯、2-庚酮。这些溶剂(B)可单独使用或2种以上组合使用。
有机溶剂(B)的用量可考虑上述组合物的涂布方法、组合物的用途等进行调整。只要能够均匀地混合组合物，则对组合物中的有机溶剂(B)的含量无特别限定，相对于100重量份的聚合物(A)和有机溶剂(B)的合计量，有机溶剂(B)的含量通常为5～50重量份，较好为10～40重量份。
[含酚羟基的化合物]
为了调制碱溶解速度，控制与上层的混合，可在用于本发明的非感辐射性树脂组合物中添加含酚羟基的化合物。
上述含酚羟基的化合物被大致分为酚骨架在10以下的低分子量化合物和酚醛清漆树脂或聚(4-羟基苯乙烯)等高分子量的聚合物。
作为低分子量的化合物，可例举4，4’-[1-[4-[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]二苯酚、2，2-双(1，5-二甲基-4-羟基苯基)丙酸甲酯、4，6-双[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]-1，3-苯二醇等。
除此以外，一般被用作热阻聚剂的化合物也可作为低分子化合物使用。可例举例如1，2，3-苯三酚、苯醌、氢醌、亚甲蓝、叔丁基邻苯二酚、单苄醚、甲基氢醌、戊基苯醌、戊氧基氢醌、正丁基苯酚、苯酚、氢醌单丙醚、4，4’-(1-甲基亚乙基)双(2-甲基苯酚)、4，4’-(1-甲基亚乙基)双(2，6-二甲基苯酚)、4，4’，4”-亚乙基三(2-甲基苯酚)、4，4’，4”-亚乙基三苯酚、1，1，3-三(2，5-二甲基-4-羟基苯基)-3-苯基丙烷等。
作为高分子量聚合物，可例举以下所示的酚醛清漆树脂、多羟基苯乙烯及其衍生物。它们可单独使用或混合使用。
(酚醛清漆树脂)
被用于本发明的碱可溶性酚醛清漆树脂是间甲酚、其它的1种以上的酚类和醛化合物缩合而得的树脂，它只要是间甲酚的含量为酚类总量中的50～90摩尔％的碱可溶性酚醛清漆树脂即可，无特别限定。
作为被用于酚醛清漆树脂的原料的上述其它的酚类，可例举2，3-二甲苯酚、2，4-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚及2，3，5-三甲基苯酚等。其中，较好的是2，3-二甲苯酚、2，4-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚及2，3，5-三甲基苯酚。上述酚类可单独使用或2种以上组合使用。
此外，作为间甲酚和其它的1种以上的酚类的较好组合，可例举间甲酚/2，3-二甲苯酚、间甲酚/2，4-二甲苯酚、间甲酚/2，3-二甲苯酚/3，4-二甲苯酚、间甲酚/2，3，5-三甲基苯酚及间甲酚/2，3-二甲苯酚/2，3，5-三甲基苯酚等。
作为进行缩合的醛化合物，可例举甲醛、多聚甲醛、乙醛、苯甲醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、乙二醛、戊二醛、对苯二甲醛、间苯二甲醛等。其中，特别适用的是甲醛及邻羟基苯甲醛。上述醛类可单独使用或2种以上组合使用。该醛化合物的用量相对于1摩尔的酚类总量，较好在0.4～2摩尔的范围内，更好为0.6～1.5摩尔的范围内。
酚类和醛化合物的缩合反应中通常使用酸性催化剂。作为该酸性催化剂，可例举例如盐酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸、甲磺酸、对甲苯磺酸等。该酸性催化剂通常相对于1摩尔酚类，可以1×10-5～5×10-1摩尔的量使用。
缩合反应中，作为反应介质通常使用水，从反应初期变为非均相的情况下，作为反应介质，例如可使用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙二醇一甲醚等醇类，四氢呋喃、二烷等环状醚类，乙基甲基甲酮、甲基异丁基甲酮、2-庚酮等酮类。这些反应介质通常相对于100重量份反应原料，以20～1000重量份的量使用。
缩合反应的温度可根据原料的反应性作适当调整，通常为10～200℃。
缩合反应可通过一起加入酚类、醛化合物和酸性催化剂等的方法；以及在酸性催化剂存在下，在反应进行的同时加入酚类和醛化合物等的方法等进行。
缩合反应结束后，除去存在于系统内的未反应原料、酸性催化剂和反应介质等，回收酚醛清漆树脂。作为回收该酚醛清漆树脂的方法，可例举(1)使反应温度上升至130～230℃，减压下除去挥发成分的方法；以及(2)将所得酚醛清漆树脂溶于乙二醇一甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、乳酸乙酯、甲基异丁基甲酮、2-庚酮、二烷、甲醇、乙酸乙酯等良溶剂后，混合水、正己烷、正庚烷等贫溶剂，然后将析出的树脂溶液层进行分离的方法。
从组合物成膜时的操作性及作为阻焊剂使用时的显影性、灵敏度及耐热性方面考虑，前述酚醛清漆树脂的Mw较好为2000～20000，特好为3000～15000。
(多羟基苯乙烯)
作为可用于本发明的多羟基苯乙烯类，可例举商品名为MARUKA LYNCUR M、MARUKA LYNCUR CMM、MARUKA LYNCUR CHM、MARUKA LYNCUR MB、MARUKA LYNCURPHM-C、MARUKA LYNCUR CST和MARUKA LYNCUR CBA(丸善石油化学株式会社制)等的正在市售的树脂。
[丙烯酸树脂]
为了提高涂布性和使涂膜的性状稳定化，可在用于本发明的非感辐射性树脂组合物中添加碱可溶性丙烯酸树脂。
上述丙烯酸树脂的组成只要可溶于碱即可，无特别限定。例如通过含有由(甲基)丙烯酸酯导入的单元，以及由具有羧基的单体及/或具有酚羟基的单体导入的单元，可赋予碱可溶性。
作为上述具有羧基的单体，可使用丙烯酸、甲基丙烯酸等。
作为上述具有酚羟基的单体，可使用对羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、α-甲基对羟基苯乙烯、α-甲基间羟基苯乙烯、α-甲基邻羟基苯乙烯、4-异丙烯基苯酚、2-烯丙基苯酚、4-烯丙基苯酚、2-烯丙基-6-甲基苯酚、2-烯丙基-6-甲氧基苯酚、4-烯丙基-2-甲氧基苯酚、4-烯丙基-2，6-二甲氧基苯酚、4-烯丙氧基-2-羟基二苯甲酮等具有酚羟基的乙烯系单体等。这些具有酚羟基的单体中，较好的是对羟基苯乙烯、4-异丙烯基苯酚。
这些单体可单独或2种以上组合石油。该丙烯酸树脂中的由具有羧基的单体及/或具有酚羟基的单体导入的单元的含量通常为1～60重量％，较好为5～50重量％。含量如果在上述范围内，则显影后所得树脂膜的图案形状良好，凸点形成后的树脂膜的剥离也容易。
[表面活性剂]
为了提高涂布性、消泡性和流平性等，可在用于本发明的非感辐射性树脂组合物中掺入表面活性剂。
作为表面活性剂，可使用例如商品名为NBX-15(NEOS公司制)，BM-1000、BM-1100(BM Chemie公司制)，MEGAFACE系列的F142D、F172、F173、F183(大日本油墨化学工业株式会社制)，FLUORAD系列的FC-135、FC-170C、FC-430、FC-431(住友3M株式会社制)，SURFLON系列的S112、S-113、S-131、S-141、S-145(旭硝子株式会社制)，SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428(TorayDow Corning Silicone公司制)等正在市售的氟系表面活性剂。这些表面活性剂并用的用量相对于共聚物(A)100重量份，较好在5重量份以下。
[其它成分]
用于本发明的非感辐射性树脂组合物中还可含有作为其它成分的以下的树脂及添加剂等。
作为该树脂，可例举线型酚醛环氧树脂、甲酚-线型酚醛环氧树脂、双酚型环氧树脂、三苯酚型环氧树脂、四苯酚型环氧树脂、苯酚-苯二甲胺型环氧树脂(phenol-xylylene epoxy resin)、萘酚-苯二甲胺型环氧树脂(naphthol-xylylene epoxy resin)、苯酚-萘酚型环氧树脂、苯酚-二聚环戊二烯型环氧树脂、脂环族环氧树脂等。
作为添加剂，可例举二氧化硅、氢氧化铝、硫酸钡等无机填充剂，高分子添加剂、反应性稀释剂、流平剂、润湿性改良剂、增塑剂、防氧化剂、抗静电剂、防霉剂、调湿剂、阻燃剂等。
上层材料用组合物
被用于本发明的凸点形成用双层层积膜的上层材料用组合物为负型感辐射性树脂组合物。作为该负型感辐射性树脂组合物，例如可采用日本专利特开平8-301911号公报记载的感辐射性树脂组合物。
该负型感辐射性树脂组合物中，较好的是包含(C)具有羧基及/或酚羟基的聚合物、(D)交联剂、(E)辐射性自由基聚合引发剂及(F)溶剂的组合物。如果将上述组合物用于凸点形成用上层，则可赋予碱可溶性，所以通过一次曝光/显影的操作就可有效地获得良好的图案形状。
[具有羧基及/或酚羟基的聚合物(C)]
被用于本发明的负型感辐射性树脂组合物包含具有羧基及/或酚羟基的聚合物(C)。通过使上述树脂组合物含有聚合物(C)，可赋予碱可溶性。上述聚合物可通过具有羧基的单体及/或具有酚羟基的单体的(共)聚合而获得。
作为具有酚羟基的单体，可使用对羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、α-甲基对羟基苯乙烯、α-甲基间羟基苯乙烯、α-甲基邻羟基苯乙烯、4-异丙烯基苯酚、2-烯丙基苯酚、4-烯丙基苯酚、2-烯丙基-6-甲基苯酚、2-烯丙基-6-甲氧基苯酚、4-烯丙基-2-甲氧基苯酚、4-烯丙基-2，6-二甲氧基苯酚、4-烯丙氧基-2-羟基二苯甲酮等具有酚羟基的乙烯基化合物等。
作为具有羧基的单体，可使用丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基的乙烯基化合物等。
这些化合物可单独或2种以上组合使用。上述单体中，较好的是对羟基苯乙烯、4-异丙烯基苯酚。
聚合物(C)还可通过上述具有酚羟基的单体以外的可共聚的单体(以下称为“单体(3’)”)共聚而获得。
作为单体(3’)，可例举丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N-(对羟基苯基)丙烯酰胺、N-(对羟基苯基)甲基丙烯酰胺、N-(对羟基苯甲基)丙烯酰胺、N-(对羟基苯甲基)甲基丙烯酰胺等含有酰胺基的乙烯基化合物，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、丙三醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸三环癸酯、甲基丙烯酸8-三环[5.2.1.02，6]癸酯等(甲基)丙烯酸酯类等。
聚合物(C)中的由具有羧基的单体导入的单元和由具有酚羟基的单体导入的单元的含量通常为1～60重量％，较好为5～50重量％。含量如果在上述范围内，则显影后所得树脂膜的图案形状良好，凸点形成后的树脂膜易剥离。聚合物(C)例如可通过自由基聚合制备。作为聚合方法，可例举乳液聚合法、悬浮聚合法、溶液聚合法、本体聚合法等，较好的是溶液聚合法。作为用于自由基聚合的聚合引发剂，可使用通常的自由基聚合引发剂。
用于聚合物(C)的聚合的自由基聚合引发剂、溶剂、分子量调节剂可采用与聚合物(A)所述同样的试剂。
聚合物(C)的分子量可通过适当选择单体组成、自由基聚合引发剂、分子量调节剂、聚合温度等聚合条件进行调节。聚合物(C)的分子量以聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)计，通常为2000～30000，较好为4000～10000。
此外，聚合物(C)的玻璃化温度(Tg)较好是在40℃以上。聚合物的Tg如果在40℃以下，则上层的粘合性变大，难以进行处理。具体来讲，埋入焊锡糊剂时糊剂的印刷性明显受损。聚合物(C)的Tg可通过适当选择单体组成、自由基聚合引发剂、分子量调节剂、聚合温度等聚合条件进行调节。聚合物(C)的玻璃化温度可通过DSC(差示扫描热量计)进行测定。
[交联剂(D)]
被用于本发明的负型感辐射性树脂组合物含有交联剂(D)。
作为交联剂(D)，可例举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚A的二缩水甘油醚与(甲基)丙烯酸酯加成而获得的环氧(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酰氧基乙醚、双酚A二(甲基)丙烯酰氧基乙氧基乙醚、双酚A二(甲基)丙烯酰氧基氧基甲基乙醚、四羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
这些交联剂(D)也可直接使用正在市售的化合物。作为市售化合物的具体例，可例举ARONIX系列的M-210、M-309、M-310、M-400、M-7100、M-8030、M-8060、M-8100、M-9050、M-240、M-245、M-6100、M-6200、M-6250、M-6300、M-6400、M-6500(以上由东亚合成株式会社制)，KAYARAD系列的R-551、R-712、TMPTA、HDDA、TPGDA、PEG400DA、MANDA、HX-220、HX-620、R-604、DPCA-20、DPCA-30、DPCA-60、DPCA-120(以上由日本化药株式会社制)，Biscoat系列的#295、300、260、312、335HP、360、GPT、3PA、400(以上大阪有机化学工业株式会社制)等。
交联剂(D)可单独或2种以上并用。交联剂(D)的添加量相对于聚合物(C)100重量份，较好为10～250重量份，更好为20～200重量份，特好为25～150重量份。交联剂(D)的添加量如果在上述范围内，则能够获得曝光时的灵敏度及对比度、与聚合物(C)的相溶性、保存稳定性、剥离性良好的树脂组合物。
[辐射性自由基聚合引发剂(E)]
被用于本发明的负型感辐射性树脂组合物含有辐射性自由基聚合引发剂(E)。
作为辐射性自由基聚合引发剂(E)，可例举二苯基乙二酮、丁二酮等α-二酮类，苯偶姻等偶姻类，苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚等偶姻醚类，噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、噻吨酮-4-磺酸、二苯甲酮、4，4’-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮等二苯甲酮类，苯乙酮、对二甲基氨基苯乙酮、α，α-二甲氧基-α-乙酰氧基二苯甲酮、α，α-二甲氧基-α-苯基苯乙酮、对甲氧基苯乙酮、1-[2-甲基-4-甲基苯硫基]-2-吗啉基-1-丙酮、α，α-二甲氧基-α-吗啉基-甲基苯硫基苯乙酮、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁-1-酮等苯乙酮类，蒽醌、1，4-萘醌等醌类，苯甲酰甲基氯、三溴甲基苯基砜、三(三氯甲基)-s-三嗪等卤素化合物，3，3’，4，4’-四苯基-[1，2’-双咪唑]、1，2’-二氯苯基-3，3’，4，4’-四苯基-[1，2’-双咪唑]等双咪唑类，二叔丁基过氧化物等过氧化物，2，4，6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等酰基氧化膦类等。
此外，作为市售品，可例举IRGACURE系列的184、651、500、907，CGI369，CG24-61(以上由Ciba Speciality Chemicals Inc.制)，LUCIRIN LR8728和LUCIRIN TPO(以上由BASF公司制)，DAROCUR系列的1116、1173(以上由CibaSpeciality Chemicals Inc.制)，UBECRYL P36(由UCB公司制)等。
另外，根据需要也可将巯基苯并噻唑、巯基苯并唑这样的具有供氢性的化合物与上述光自由基聚合引发剂并用。
上述各种辐射性自由基聚合引发剂中的较好的化合物是1-[2-甲基-4-甲基苯硫基]-2-吗啉基-1-丙酮、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁-1-酮、α，α-二甲氧基-α-苯基苯乙酮等苯乙酮类，苯甲酰甲基氯，三溴甲基苯基砜，2，4，6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦，1，2’-双咪唑类和4，4’-二乙基氨基二苯甲酮及巯基苯并噻唑的并用，LUCIRIN TPO，IRGACURE 651等。
这些化合物可单独或2种以上组合使用。其用量相对于聚合物(A)100重量份，通常为0.1～60重量份，较好为5～50重量份，更好为10～40重量份。用量如果在上述范围内，则不易受到氧造成的自由基失活的影响(灵敏度下降)，且相溶性和保存稳定性良好。另外，也可并用这些辐射性自由基聚合引发剂和辐射性敏化剂。
[有机溶剂(F)]
为了均匀地混合前述聚合物(C)、交联剂(D)和感辐射性自由基聚合引发剂(E)或者为了形成良好的膜，被用于本发明的负型感辐射性树脂组合物中含有有机溶剂(F)。作为有机溶剂(F)，可采用与上述有机溶剂(B)同样的溶剂。这些有机溶剂(F)可单独或2种以上组合使用。
有机溶剂(F)的用量可考虑上述组合物的涂布方法、组合物的用途等进行调整。只要可均匀地使组合物混合即可，对组合物中的有机溶剂(F)的含量无特别限定，有机溶剂(F)的含量相对于上层用组合物100重量份，通常为20～60重量份，更好为30～50重量份。
凸点形成用双层层积膜
本发明的凸点形成用双层层积膜，通过在上层和下层使用了特性各异的二层，同时实现了高解像性和易剥离性。即，实现了下述效果。
(1)赋予下层以合适的碱显影性，通过一次曝光/显影操作就可一次形成图案。
(2)利用下层的树脂组合物所具有的酚羟基使光自由基失活的效果，抑制下层和基板的界面的固化反应，籍此保持双层层积膜的良好的剥离性。
(3)下层的树脂组合物和用于上层的树脂溶液的相溶性低，所以通过抑制混合，可保持双层层积膜的良好的剥离性。
(4)由于上层的组合物是含有碱可溶性树脂成分的负型感辐射性树脂组合物，所以通过一次曝光/显影操作就可有效地获得良好的图案形状。
这样就可将目前来讲剥离性低、不适合使用的负型感辐射性树脂组合物作为凸点形成用层积材料使用。此外，通过将负型感辐射性树脂组合物用作上层材料来追加进行后曝光、后烘烤等工序，能够确保图1(e)所示的在凸点形成用开口图案108内导入低熔点金属糊剂110的工序所必须的抗蚀图案的机械强度。
此外，由于下层材料106的剥离性良好，所以即使单独使用二甲亚砜或N-甲基吡咯烷酮等高极性有机溶剂也可进行剥离，且由于进行了交联反应的上层部分的剥离片难溶于这些高极性有机溶剂，所以产生了剥离片通过沉降分离或循环过滤易除去的优点。
在采用具备多段浸渍槽的剥离设备的情况下，第1个槽中利用有机溶剂完成大部分的负型感辐射性树脂组合物膜的剥离，在第2个槽及其后的槽中通过选择利用含有碱成分的剥离液除去下层的剥离残留物的工序，能够在不提高剥离液的碱浓度的前提下加强剥离处理能力，从而将对焊锡凸点及底基板的损伤控制在最小限度。
[下层膜及上层膜的形成方法]
本发明的凸点形成用双层层积膜可通过在具有规定配线图案的基板上等，首先涂布并干燥或层压下层材料用组合物，然后涂布并干燥或层压上层材料用组合物而形成。作为在基板上成膜的方法，在材料为液状时，可采用浸涂法、旋涂法、辊涂法、丝网印刷法、给料器涂布法、幕涂法等方法。在材料为膜状的情况下，可采用层压法、真空层压法等方法。下层及上层的干燥条件因组合物中的各成分的种类、配比和涂膜厚度等而异，通常为70～140℃下5～20分钟左右，较好的是80～130℃下2～10分钟左右。通过将干燥时间和温度控制在上述范围内，可使显影时的粘合状态及分辨率良好。
此外，将下层材料和上层材料预先形成为双层结构的干膜，通过一次层压就能够在基板上形成两层。该双层结构的干膜也可通过从后述的转印膜转印至基板上而获得。
转印膜
本发明的转印膜的支承膜上具有上述凸点形成用双层层积膜。该转印膜可通过在支承膜上涂布上述上层材料用组合物并干燥后涂布下层用组合物再干燥而制得。作为涂布上述组合物的方法，可例举例如旋涂法、辊涂法、丝网印刷法、给料器涂布法等。另外，支承膜的材料只要具有能够承受转印膜的制作及使用的强度即可，无特别限定。
凸点形成方法
本发明的凸点形成方法是在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，该方法的特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成上述双层层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(c)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序，
(d)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序。
[(a)工序]
本发明的凸点形成方法具有图案形成工序。形成图案的工序由(i)下层及上层的形成，(ii)放射线照射及(iii)显影处理工序构成。
(i)下层及上层的形成
下层及上层的形成可通过上述下层膜及上层膜的形成方法实施。此时，采用上述转印膜，也可在基板上形成下层及上层。
(ii)放射线照射
进行了(i)工序后，对双层层积膜照射放射线。籍此形成图案的潜影。照射方法如下所述。
隔着规定图案的掩模，向上述双层层积膜照射波长300～500nm的紫外线或可见光线。作为该放射线的线源，可以使用低压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯、氩气激光等。所述放射线是指紫外线、可见光线、远紫外线、X射线、电子射线等。放射线照射量根据组合物中的各成分的种类、配比量、涂膜厚度等的不同而不同，例如使用超高压水银灯时通常为100～2000mJ/cm2。
(iii)显影处理
进行了(ii)工序后将图案显影。籍此形成图案。显影方法如下所述。
将碱性水溶液作为显影液，溶解除去不需要的部分，仅使放射线照射部分残留。作为显影液，例如可使用四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、吡咯、哌啶、1，8-二氮杂双环[5，4，0]-7-十一烯、1，5-二氮杂双环[4，3，0]-5-壬烷、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水等碱类水溶液。另外，也可将在上述碱类水溶液中适量添加了甲醇、乙醇等水溶性有机溶剂或表面活性剂的水溶液作为显影液使用。
显影时间根据组合物各成分的种类、配比、组合物的干燥膜厚的不同而不同，通常为30～360秒。此外，显影方法可以是滴液法(dropping)、浸渍法、搅动法、喷淋法等中的任一种。显影后，较好的是例如进行流水清洗30～90秒，再用空气喷枪(air gun)风干，或者在烘箱使其干燥，或者在旋转干燥器中使其干燥。
如果使用上述显影液显影，则在上层仅残留放射线照射部分，在下层中与上层中被除去部分(放射线非照射部分)对应的部分被溶解除去。然后，通过对残留的层积膜进行后曝光及加热，可进一步使阻焊膜固化。
[(b)工序]
本发明的凸点形成方法具有导入低熔点金属的工序。作为导入低熔点金属的方法，可例举用涂刷器将焊锡糊剂等低熔点金属糊剂埋入开口部的方法，直接搭载焊锡球的方法，以及电镀法等。
[(c)工序]
本发明的凸点形成方法具有加热导入到上述开口部的低熔点金属、使其回熔形成凸点的工序。
[(d)工序]
本发明的凸点形成方法具有从基板剥离除去前述双层层积膜的工序。剥离、除去可按照以下的方法进行。
形成了凸点后，作为剥离残存于基板上的固化物的方法，通过于50～80℃将该基板在搅拌中的剥离液中浸渍5～30分钟，可剥离固化膜(阻焊膜)。作为此时使用的剥离液，最好单独使用二甲亚砜或使用季铵盐和二甲亚砜及水的混合溶液。另外，可在上述剥离液中添加少量的醇。
更具体来讲，可例举准备具有多段浸渍槽的剥离设置，在第1个槽中用合适的有机溶剂剥离双层层积膜的同时循环过滤剥离片，然后在第2个槽及其后的槽中利用含有机碱成分的剥离液剥离该层积膜的方法。该方法中，较好的是在第1个槽中使用二甲亚砜或N-甲基吡咯烷酮，在第2个槽及其后的槽中使用含有机碱成分和二甲亚砜的剥离液。
此外，本发明的另一凸点形成方法是在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，该方法的特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成上述层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b’)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(d’)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序，
(c’)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序。
上述(a)、(b)、(d’)及(c’)的各工序与上述凸点形成方法的各工序可同样进行。
[凸点形成方法的实施方式]
以下，参考附图对本发明的凸点形成方法的实施方式进行说明。
采用图1对本发明的实施方式1的在电极焊盘上形成凸点的方法进行更详细地说明。在半导体的整个面分区域配置了电极焊盘101的带半导体芯片的晶片(semiconductor chip wafer)的截面结构示于图1(a)。在硅基板103的表面上形成有电极焊盘101，在电极焊盘101的表面露出的状态下，该硅基板表面例如被1μm的钝化膜102覆盖。
如图1(b)所示，利用溅射法、蒸镀法等形成电极金属的防金属扩散膜104和阻挡金属层105。防金属扩散膜104采用Ni、Cr、TiN、TaN、Ta、Nb、WN中的任一种例如以1μm的膜厚形成。该防金属扩散膜104可以是单层膜也可以是层积膜。阻挡金属层105由Ti、Ni、Pd等金属层积数千而形成。
如图1(c)所示，在钝化膜102及阻挡金属层105的整个面上由下层106和上层107形成双层层积膜，该下层106由可溶于碱的非感辐射性树脂组合物形成，该上层107由负型感辐射性树脂组合物形成。
例如，以2～3μm的膜厚涂布液状下层材料形成下层106。然后，在下层106上以50μm以上的膜厚由液状负型感辐射性树脂组合物或干膜阻焊剂的任一种形成上层107。隔着掩模对下层106和上层107形成的层积膜照射放射线后显影，在电极焊盘101上的与凸点形成用位置对应的位置形成凸点形成用开口部108。形成凸点形成用开口部后，通过所谓的后曝光、后烘烤进行上层的交联反应，可使机械强度和耐溶剂性得到提高。
作为包括上述方法的双层层积膜的形成方法，可以是下述组合等：
(1)下层为液状，上层为液状阻焊剂，
(2)下层为液状，上层为干膜阻焊剂，
(3)下层为干膜，上层为液状阻焊剂，
(4)下层为干膜，上层为干膜阻焊剂，
(5)具有下层/上层的双层结构的干膜。
如图1(d)所示，使用涂刷器109等在上述凸点形成用开口部埋入例如焊锡糊剂这样的低熔点金属糊剂110。
如图1(e)及(f)所示，在氮气氛中加热埋入了金属糊剂的半导体晶片，将金属糊剂回熔，形成凸点111。
如图1(g)所示，剥离层积膜。然后，进行电气试验和切块，分割成芯片，再进行倒装式封装。
本实施方式中，作为低熔点金属糊剂例示了焊锡糊剂，但如果使用Sn、Pb、Ag、Bi、Zn、In、Sb、Cu、Bi、Ge等金属混合而成的混合金属，也可获得良好的可靠性。形成焊锡凸点时，除了用涂刷器在凸点形成用开口部108进行埋入的方法以外，还有利用实施方式2(图2)和实施方式3(图3)形成凸点的方法，实施方式2是搭载低熔点金属球209的方法，实施方式3是通过电镀焊锡而形成低熔点金属膜309的方法。通过电镀形成低熔点金属膜时(图3)，由于防金属扩散膜及/或阻挡金属也被用作给电层，所以一般在整个基板形成，回熔后一般通过湿式蚀刻等手段除去凸点下部以外的部分。金属糊剂回熔后也可进行焊剂洗涤。
图4(a)～(f)是在所谓的多层印制电路板上利用本发明形成凸点时的说明图。
该图4的层间树脂绝缘层的下方分别形成了一层导体电路和层间树脂绝缘层，但通常的形态是交替形成了多层。
用图4对本发明的实施方式4的在电极焊盘上形成凸点的方法进行说明。本实施方式中，隔着层间树脂绝缘层402在由玻璃环氧树脂或BT(双马来酰亚胺-三嗪)树脂形成的基板404上设置表面具有多个电极焊盘401及其侧面的阻焊剂406的配线基板，且作为在凸点形成用开口408内导入低熔点金属的工序，采用利用涂刷器410填充以焊锡糊剂为代表的低熔点金属糊剂409的方法。
对应半导体的整个面分区域全面配置了电极焊盘401的配线基板的截面结构示于图4(a)。利用通过镀覆在作为多层层积板的配线基板的一部分形成的导通孔405确保了上下的导通，该多层层积板是在由玻璃环氧树脂或BT(双马来酰亚胺-三嗪)树脂形成的基板404上具有层间树脂绝缘层402和导体电路403的多层层积板。在层间树脂绝缘层402上涂布阻焊剂406，形成底部成为电极的开口部。该开口部的底部露出一部分导体电路，在其上通过化学镀等形成电极焊盘401。在其上由下层412和上层407形成双层层积膜。
例如，以2～5μm的膜厚涂布液状下层材料形成下层412。然后，在其上以40μm以上的膜厚由液状负型感辐射性树脂组合物或干膜阻焊剂的任一种形成上层407。对该层积膜进行图案曝光后，通过显影形成焊锡凸点形成用开口408。
作为包括上述方法的双层层积膜的形成方法，与以硅晶片为基板的情况相同，可以是下述组合等：
(1)下层为液状，上层为液状阻焊剂，
(2)下层为液状，上层为干膜阻焊剂，
(3)下层为干膜，上层为液状阻焊剂，
(4)下层为干膜，上层为干膜阻焊剂，
(5)具有下层/上层的双层结构的干膜。
如图4(c)、(d)所示，使用涂刷器410等在该凸点形成用开口部埋入例如焊锡糊剂这样的低熔点金属糊剂409。
然后，如图4(e)所示，在氮气氛中加热埋入了金属糊剂的半导体晶片，将金属糊剂回熔，形成凸点。
接着，如图4(f)所示，剥离层积膜。
上述实施方式中，作为低熔点金属糊剂例示了焊锡糊剂，但如果使用Sn、Pb、Ag、Bi、Zn、In、Sb、Cu、Bi、Ge等金属混合而成的混合金属，也可获得良好的可靠性。形成低熔点金属凸点、最好是形成焊锡凸点时，除了用涂刷器在开口部进行埋入的方法以外，还有利用实施方式5(图5)和实施方式6(图6)形成凸点的方法，实施方式5是搭载低熔点金属球(焊锡球)509的方法，实施方式6是通过电镀焊锡等低熔点金属而形成低熔点金属膜609的方法。进行电镀时，如图6所示，形成低熔点金属膜后可剥离双层层积膜，进行回熔。另外，低熔点金属回熔后也可进行焊剂洗涤。
[实施例]
以下，基于实施例对本发明进行更具体地说明，但本发明并不仅限于这些
实施例。
对用于下层用组合物的各成分进行说明。
<聚合物(A)的合成>
[合成例1]
聚合物A-1的合成
将带有干冰/甲醇回流器和温度计的烧瓶用氮气置换后，装入N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺100g、甲醇300g，进行搅拌。然后，添加4g的AIBN，在甲醇回流下(64.5℃)，一边进行搅拌一边进行8小时的聚合。聚合结束后冷却至室温，将聚合溶液投入大量的水中，使生成的聚合物凝固。接着，将聚合物再溶解于四氢呋喃后，再次用大量的己烷使其凝固，将上述操作重复3次。于40℃将通过上述操作获得的凝固物真空干燥48小时，获得聚合物A-1。
[合成例2]
聚合物A-2的合成
除了将N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺100g改为N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺90g和苯乙烯10g之外，其它操作与A-1相同，获得聚合物A-2。
[合成例3]
聚合物A-3的合成
除了将N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺100g改为N-(3，5-二甲基-4-羟基苯甲基)丙烯酰胺65g、苯乙烯15g和丙烯酸2-羟乙酯20g之外，其它操作与A-1相同，获得聚合物A-3。
<有机溶剂(B)>
作为有机溶剂(B)使用了以下的化合物。
B-1：2-羟基丙酸乙酯
B-2：丙二醇一甲醚乙酸酯
B-3：2-庚酮
<添加树脂>
作为添加树脂使用了以下的树脂。
添加树脂1：多羟基苯乙烯(Mw3000)
添加树脂2：羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物(加入重量比80/20，Mw1200)
添加树脂3：间甲酚、对甲酚的甲醛缩合物(加入重量比60/40，Mw1200)
添加树脂4：4，4’-[1-[4-[1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]二苯酚
对用于上层用组合物的各成分进行说明。
<具有酚羟基的聚合物(C)的合成>
[合成例4]
聚合物C-1的合成
对烧瓶进行氮置换后，加入10.0g作为聚合引发剂的2，2’-偶氮双(异丁酸)二甲酯和150g作为溶剂的2-羟基丙酸乙酯，搅拌直至聚合引发剂溶解。然后，加入对异丙烯基苯酚5.0g、N-(对羟基苯基)甲基丙烯酰胺14g、甲基丙烯酸12.0g、8-三环[5.2.1.02，6]癸基-甲基丙烯酸酯32g和甲基丙烯酸正丁酯37.0g，开始慢慢地进行搅拌。接着，使溶液温度升至80℃，在该温度下进行3小时聚合后，追加2，2’-偶氮双(异丁酸)二甲酯1.0g，于80℃进行3小时的聚合，然后升温至110℃，在此温度下进行1小时的聚合。接着，放冷至室温，用空气置换烧瓶内部。在大量的甲醇中滴加反应生成物，使反应物凝固。水洗该凝固物后，将其再溶解于与凝固物同重量的四氢呋喃中，用大量的甲醇再次使其凝固。该再溶解-凝固的操作共计进行3次后，于40℃对所得凝固物进行48小时的真空干燥，获得聚合物C-1。测得聚合物C-1的Tg为98℃。
Tg测定装置：(TA Instruments公司制差示扫描热量计)
Tg测定条件：(测定范围-80℃至500℃，升温速度5℃/min，氮气流速60ml/min)
[合成例5]
聚合物C-2的合成
对烧瓶进行氮置换后，加入4.0g作为聚合引发剂的2，2’-偶氮双(异丁腈)和150g作为溶剂的2-羟基丙酸乙酯，搅拌直至聚合引发剂溶解。然后，加入甲基丙烯酸10.0g、对异丙烯基苯酚15.0g、8-三环[5.2.1.02，6]癸基-甲基丙烯酸酯25g、丙烯酸异冰片酯20g和丙烯酸正丁酯30.0g，开始慢慢地进行搅拌。接着，使溶液温度升至80℃，在该温度下进行3小时聚合后，追加2，2’-偶氮双(异丁腈)1.0g，于80℃进行3小时的聚合，然后升温至110℃，在此温度下进行1小时的聚合。接着，放冷至室温，用空气置换烧瓶内部。在大量的甲醇中滴加反应生成物，使反应物凝固。水洗该凝固物后，将其再溶解于与凝固物同重量的四氢呋喃中，用大量的甲醇再次使其凝固。该再溶解-凝固的操作共计进行3次后，于40℃对所得凝固物进行48小时的真空干燥，获得聚合物C-2。与聚合物C-1同样测定Tg，测得Tg为61℃。
<交联剂(D)>
作为交联剂(D)使用了以下的化合物。
D-1：ARONIX M-8060(东亚合成株式会社制)
D-2：ARONIX M-305(东亚合成株式会社制)
<感辐射性自由基聚合引发剂(E)>
作为感辐射性自由基聚合引发剂(E)使用了以下的化合物。
E-1：IRGACURE 651(Ciba-Geigy Chemical公司制)
E-2：LUCIRIN TPO(BASF公司制)
E-3：2，2’-双(2，4-二氯苯基)-4，5，4’，5’-四苯基-1，2’-双咪唑(黑金化成株式会社制)
<有机溶剂(F)>
作为有机溶剂(F)使用了以下的化合物。
F-1：2-羟基丙酸乙酯
F-2：丙二醇一甲醚乙酸酯
对下层用组合物的调制方法进行说明。
<下层材料用组合物L-1的调制>
如表1所示，搅拌混合聚合物A-1(25份)、有机溶剂B-1(75份)及表面活性剂NBX-15(0.1份)，均匀地溶解。然后，用孔径3μm的膜滤器(ADVANTEC公司制膜筒式过滤器(capsule cartridge filter)CCP-FX-C1B)过滤该溶液，调制下层材料用组合物L-1。
<下层材料用组合物L-2～L-5的调制>
除了按照表1所示改变组成以外，其它与L-1相同，调制下层材料用组合物L-2～L-5。
<比较用下层用组合物CL-1及CL-2的调制>
除了按照表1所示改变组成以外，其它与L-1相同，调制比较用下层材料用组合物CL-1～CL-2。
<下层用转印膜LF-1的制作>
用下层材料用组合物L-1制作转印膜。用旋涂器在厚50μm、11cm见方的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上涂布下层材料用组合物L-1，使干燥后的膜厚达到5μm，然后，用100℃的对流式烘箱干燥10分钟。
                              表1 下层材料
  下层材料   形态   A成分   B成分   其它成分
  具有式1的骨架的树脂   溶剂
  L-1   液状   A-1 25份   B-1 75份   表面活性剂NBX-15 0.1份
  L-2   液状   A-1 25份   B-2 75份   表面活性剂NBX-15 0.1份
  L-3   液状   A-2 25份   B-1 75份   表面活性剂NBX-15 0.1份
  L-4   液状   A-3 25份   B-1 75份   表面活性剂NBX-15 0.1份
  L-5   液状   A-1 20份   B-1 75份   添加树脂1 5份表面活性剂NBX-15 0.1份
  L-6   液状   A-1 15份   B-1 75份   添加树脂2 10份表面活性剂NBX-15 0.1份
  LF-1   干膜   A-1 100份   B-1 75份   表面活性剂NBX-15 0.1份
  比较用CL-1   液状   B-2 60份   添加树脂3 32份C-2 8份表面活性剂NBX-15 0.1份
  CL-2   液状   B-2 60份   添加树脂4 24份C-2 16份表面活性剂NBX-15 0.1份
对上层用组合物的调制方法进行说明。
<上层材料用组合物U-1的调制>
如表2所示，搅拌混合聚合物C-1(100份)、交联剂D-1(50份)、交联剂D-2(20份)、引发剂E-1(25份)、引发剂E-3(3份)、有机溶剂F-1(106份)及表面活性剂NBX-15(0.1份)，均匀地溶解。然后，用孔径10μm的膜滤器(ADVANTEC公司制膜筒式过滤器CCP-3-C1B)过滤该溶液，调制上层材料用组合物U-1。
<上层材料用组合物U-2的调制>
除了按照表2所示改变组成以外，其它与U-1相同，调制上层材料用组合物U-2。
<上层用转印膜UF-2的制作>
用上层材料用组合物U-2制作转印膜。用旋涂器在厚50μm、11cm见方的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上涂布上层材料用组合物U-2，使干燥后的膜厚达到80μm，然后，用120℃的对流式烘箱干燥10分钟。
                                   表2 上层材料
  上层材料   形态   C成分   D成分   E成分   F成分   表面活性剂
  具有酚羟基的聚合物   交联剂   引发剂   溶剂
  U-1   液状   C-1 100份   D-1 50份D-2 20份   E-1 25份E-3 3份   F-1 106份   NBX-15 0.1份
  U-2   液状   C-2 100份   D-1 51.7份   E-1 18.4份E-2 4份   F-2 94份   NBX-15 0.1份
  UF-2   干膜   C-2 100份   D-1 51.7份   E-1 18.4份E-2 4份   F-2 94份   NBX-15 0.1份
<具有双层层积膜的转印膜的制作>
用上述的下层材料用组合物L-1、上层材料用组合物U-2制作转印膜。用旋涂器在厚50μm、11cm见方的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上涂布上层材料用组合物U-2，使干燥后的膜厚达到80μm，然后，用110℃的对流式烘箱干燥10分钟。接着，在干燥的涂膜上，用旋涂器涂布下层材料用组合物L-1，使干燥后的膜厚达到5μm，再用120℃的对流式烘箱干燥10分钟。
对凸点形成方法中所用的剥离液和评价基板进行说明。
<剥离液的调制>
在二甲亚砜4500g中添加四甲基氢氧化铵水溶液(25重量％)300g和异丙醇200g后进行搅拌，获得剥离液1。
<评价基板A的制作>
通过溅射在4英寸的硅晶片上形成1000厚的铬层，然后在其上形成1000厚的铜层。将此基板作为评价基板A。
<评价基板B的制作>
在上述评价基板A的溅射面上涂布阻焊剂(JSR株式会社制，日本专利特愿2000-334348号中记载的实施例1的感光性绝缘树脂组合物)，该阻焊剂含有(i)间甲酚/对甲酚＝60/40(摩尔比)形成的甲酚-线型酚醛树脂(聚苯乙烯换算重均分子量8700)、(ii)六甲氧基甲基三聚氰胺、(iii)交联微粒、(iv)苯乙烯基-双(三氯甲基)-s-三嗪及(v)乳酸乙酯，然后用90℃的对流式烘箱干燥10分钟，制作厚3μm的均一涂膜。
然后，用高压水银灯[校准器(Suss Microtech公司制MA-150)]，隔着图案掩模以波长350nm下的曝光量300～500mJ/cm2进行曝光处理，再用90℃的对流式烘箱进行15分钟的加热(后曝光烘烤：Post Exposure Bake，以下称为“PEB”)。然后，用2.38重量％的四甲基氢氧化铵水溶液，于23℃进行2～3分钟的搅动(paddle)显影(压力：3kgf·cm2)，再用高压水银灯以波长350nm下的曝光量1000mJ/cm2进行曝光处理。接着，将该基板装入对流式烘箱中，于150℃加热2小时，再于170℃加热2小时，获得具有固化膜的基板。将此基板作为评价基板B。
这些基板中作为第一开口图案混合存在下述图案，即，间距为150μm的数值孔径95μm的开口图案(pattern of apertures)和间距为125μm的数值孔径80μm的开口图案。
对凸点形成用双层层积膜的制作方法进行说明。
(利用旋涂法进行的凸点形成用双层层积膜的制作)
<使用评价基板A的情况>
用旋涂器涂布下层材料用组合物使干燥后的膜厚达到5μm后，用120℃的热板干燥5分钟。然后，用旋涂器在该下层上涂布上层材料用组合物使干燥后的膜整体厚度达到85μm，再用120℃的热板干燥5分钟，制得双层层积膜。
<使用评价基板B的情况>
用旋涂器涂布下层材料用组合物使干燥后的膜厚达到5μm后，用110℃的热板干燥10分钟。然后，用旋涂器在该下层上涂布上层材料用组合物使干燥后的膜整体厚度达到85μm，再用110℃的热板干燥10分钟，制得双层层积膜。
(利用层压法进行的凸点形成用下层的制作)
使下层材料用转印膜与基板接触，转印下层，剥离支承膜。通过此操作，层压了干膜状的下层。
层压条件是辊温：120℃。辊压：0.4MPa，运送速度：0.5m/min。
(利用层压法进行的凸点形成用上层的制作)
使上层用转印膜与基板上的下层接触，转印上层。通过此操作，层压了干膜状的上层。
层压条件是辊温：120℃。辊压：0.4MPa，运送速度：0.5m/min。
(利用层压法进行的凸点形成用双层层积膜的制作)
使具有双层层积膜的转印膜与基板接触，一次转印双层层积膜。通过此操作，在基板上层压了双层层积膜。
层压条件是辊温：120℃。辊压：0.4MPa，运送速度：0.5m/min。
使用上述材料和剥离液及评价基板，进行以下的实施例。
[实施例1]
图案及凸点的形成
<涂布>
利用旋涂法在评价基板A上用下层材料用组合物L-1形成膜厚5μm的下层。然后，利用旋涂法在该下层上用上层材料用组合物U-1形成上层，制得膜整体厚度为85μm的双层层积膜。干燥后，用丙酮除去旋涂时产生的外周部的隆起部分。
<曝光>
用高压水银灯[校准器(Suss Microtech公司制MA-150)]，隔着带图案的玻璃掩模以波长420nm下的曝光量1000mJ/cm2进行曝光处理。曝光时将带图案的玻璃掩模和上层材料涂布面间的间距调整为30μm。
<显影>
在含有2.38％四甲基氢氧化铵的水溶液(以下简称为TMAH显影液)中对经过曝光的基板进行搅动显影。显影时间为90秒，可以此时间为基准上下调整15秒。显影后用离子交换水清洗60秒。
该形成有图案的基板上存在多个具有50μm×50μm开口的开口图案。
显影后，用光学显微镜和扫描型电子显微镜确认图案形状，以下述基准进行评价。结果示于表4。
图案形状○：
具有50μm×50μm开口的开口图案无显影残留地被显影，且未见图案浮起和剥离。
图案形状×：
具有50μm×50μm开口的开口图案有显影残留或出现图案浮起、剥离，无显影时间的界限范围。
<焊锡埋入>
利用旋涂法在评价基板B上用下层材料用组合物L-1形成膜厚5μm的下层。然后，利用旋涂法在该下层上用上层材料用组合物U-1形成上层，制得膜整体厚度为85μm的双层层积膜。干燥后，通过滴下丙酮除去旋涂时产生的外周部的隆起部分。
接着，通过进行上述的<曝光>、<显影>形成图案。曝光时所用的带图案的玻璃掩模存在数值孔径比第一开口图案大5μm～10μm的第二开口图案。第一开口图案和第二开口图案的对应关系如以下的表3所示。
                       表3
  第一开口图案   第二开口图案
  间隔150μm时   数值孔径95μm   数值孔径100μm
  间隔125μm时   数值孔径80μm   数值孔径90μm
用高压水银灯[校准器(Suss Microtech公司制MA-150)]，隔着带图案的玻璃掩模以波长420nm下的曝光量5000mJ/cm2使该形成有图案的基板曝光。然后，在100℃的洁净烘箱内烘烤30分钟，以促进上层的固化反应。
接着，用涂刷器在双层层积膜的整个表面涂布焊锡糊剂，在凹状的焊锡凸点形成用开口中填满焊锡糊剂。这里所填充的焊锡糊剂是千住金属工业株式会社制EC0焊锡糊剂M705-221BM5-10-11(Sn∶Ag∶Cu＝96.5∶3∶0.5(重量比))，其中主要掺入了粒径5～20μm的焊锡，其粘度为190Pa·s。然后，用涂刷器除去填入焊锡糊剂形成用开口的焊锡糊剂以外的焊锡糊剂，将焊锡糊剂的表面平坦化。
<回熔>
然后，在峰值温度250℃下将在上述工序中印刷的焊锡糊剂进行回熔。用光学显微镜观察回熔后的基板，籍此评价焊锡糊剂的印刷性。
评价基准
焊锡糊剂的印刷性○：
焊锡球形成为均一的球状，未见有焊锡球相连的所谓的桥连形成，在阻焊剂开口部未形成有焊锡球。
焊锡糊剂的印刷性×：
焊锡球的形状不均匀，可见焊锡球相连的所谓的桥连现象，在阻焊剂开口部未形成有焊锡球。
<剥离>
将1L的二甲亚砜倒入剥离槽中，加温至30℃。在该剥离槽中，一边搅拌一边浸渍上述回熔后的基板，历时30分钟，籍此剥离双层层积膜。目视观察在剥离槽中进行了剥离处理的基板，观察剥离程度。
评价基准
DMSO的剥离性○：大部分的双层层积膜剥离。
DMSO的剥离性×：完全未剥离。
另外，将1L的剥离液1倒入另一剥离槽中，加温至30℃。在该剥离槽中，一边搅拌一边浸渍上述经过DMSO的剥离处理的基板，历时20分钟，籍此剥离残存的双层层积膜。基板用异丙醇清洗后水洗，再用空气喷枪干燥。
剥离处理后，用光学显微镜和扫描型电子显微镜观察基板表面和焊锡凸点，按照以下的基准进行评价。
剥离液1的剥离性○：基板面上完全未见有剥离残留。
剥离液1的剥离性△：目视未见基板面上有剥离残留，用光学显微镜进行观察确认有剥离残留。
剥离液1的剥离性×：目视可观察到基板面上有剥离残留。
实施例1的评价结果示于表4。
[实施例2～7]
按照与实施例1同样的步骤，评价表4所示的下层材料和上层材料的组合，结果示于表4。
[实施例8]
通过层压法在评价基板A及B上用下层材料用转印膜LF-1形成下层。然后，通过旋涂法用上层材料用组合物U-1形成上层，制得整体膜厚为85μm的层积膜。然后，按照与实施例1同样的步骤进行操作，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[实施例9]
通过旋涂法在评价基板A及B上用下层材料用组合物U-1形成下层。然后，通过层压法用上层用转印膜UF-2形成上层，制得整体膜厚为85μm的层积膜。然后，按照与实施例1同样的步骤进行操作，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[实施例10]
通过层压法在评价基板A及B上用下层用转印膜LF-1形成下层。然后，通过层压法用上层用转印膜UF-2形成上层，制得整体膜厚为85μm的层积膜。然后，按照与实施例1同样的步骤进行操作，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[实施例11]
通过层压法在评价基板A及B上用上述具有凸点形成用双层层积膜的转印膜形成膜厚约85μm的双层层积膜。然后，按照与实施例1同样的步骤进行操作，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[比较例1]
通过旋涂法在评价基板A及B上用上层材料用组合物U-1仅形成上层。然后，按照与实施例1同样的步骤进行操作，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[比较例2]
除了按照表4将上层材料用组合物U-1改为上层材料用组合物U-2以外，其它与比较例1同样，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
[比较例3～4]
比较例3～4除了按照表4将下层材料用组合物分别改为CL-1或CL-2以外，其它与实施例1同样，形成图案和凸点，并进行评价，评价结果示于表4。
                                  表4 实施例
  下层材料   上层材料   图案形状   焊锡糊剂的印刷性 剥离性(DMSO，30℃)  剥离性(剥离液1，30℃)
  实施例1   L-1   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例2   L-2   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例3   L-3   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例4   L-4   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例5   L-5   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例6   L-6   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例7   L-1   U-2   ○   ○ ○  ○
  实施例8   LF-1   U-1   ○   ○ ○  ○
  实施例9   L-1   UF-2   ○   ○ ○  ○
  实施例10   LF-1   UF-2   ○   ○ ○  ○
  实施例11   双层干膜   ○   ○ ○  ○
  比较例1   U-1   ○   ○ ×  ×
  比较例2   U-2   ○   ○ ×  ×
  比较例3   CL-1   U-1   ○   ○ ×  △
  比较例4   CL-2   U-1   ○   ○ ×  ○

Claims (6)

1.凸点形成用双层层积膜，其特征在于，由(I)包含具有下述通式(1)表示的结构单元的聚合物(A)及有机溶剂(B)的组合物形成的下层，以及(II)负型感辐射性树脂组合物形成的上层构成；
Figure A2005800055940002C1
式(1)中，R1为-(CH2)n-，n为0～3的整数，R2、R3及R4可以相同也可以不同，为氢或碳原子数1～4的烷基。
2.如权利要求1所述的凸点形成用双层层积膜，其特征在于，形成前述上层(II)的负型感辐射性树脂组合物包含具有羧基及/或酚羟基的聚合物(C)、交联剂(D)、感辐射性自由基聚合引发剂(E)及有机溶剂(F)。
3.如权利要求2所述的凸点形成用双层层积膜，其特征在于，上述聚合物(C)的玻璃化温度(Tg)在40℃以上。
4.转印膜，其特征在于，将权利要求1所述的层积膜设置于支承膜之上。
5.在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，其特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成权利要求1所述的双层层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(c)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序，
(d)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序。
6.在配线基板表面的电极焊盘上形成凸点的方法，其特征在于，至少进行下述工序：
(a)在基板上形成权利要求1所述的双层层积膜后，在电极焊盘的对应位置形成开口图案的工序，
(b’)在上述开口图案内导入低熔点金属的工序，
(d’)从基板剥离除去上述双层层积膜的工序，
(c’)通过加热处理回熔前述低熔点金属，形成凸点的工序。
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