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CN1774810A - 背面照射型光检测装置的制造方法 - Google Patents

背面照射型光检测装置的制造方法 Download PDF

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CN1774810A
CN1774810A CNA2004800102599A CN200480010259A CN1774810A CN 1774810 A CN1774810 A CN 1774810A CN A2004800102599 A CNA2004800102599 A CN A2004800102599A CN 200480010259 A CN200480010259 A CN 200480010259A CN 1774810 A CN1774810 A CN 1774810A
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thinning
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Abstract

在半导体基板(1)的表面侧形成CCD部(3)。其次，对半导体基板(1)的背面侧的对应于CCD部(3)的区域进行薄化处理，保留该区域的周边区域(1a)，在半导体基板(1)的背面侧形成蓄积层(5)。其次，在半导体基板(1)的表面侧的对应于周边区域(1a)的区域(1b)上，形成与CCD部(3)电气连接的电气配线(7)、以及电气连接在该电气配线(7)上的电极焊接区(9)，将支撑基板(11)粘接在半导体基板(1)的表面侧上，使电极焊接区(9)露出，同时覆盖CCD部(3)。其次，在半导体基板(1)被薄化处理的部分将半导体基板(1)以及支撑基板(11)切断，保留对应于形成有电气配线(7)以及电极焊接区(9)的区域(1b)的周边区域(1a)。

Description

背面照射型光检测装置的制造方法
技术领域
本发明涉及背面照射型光检测装置的制造方法。
背景技术
作为背面照射型光检测装置的制造方法，已知有一种包括下列工序的方法：在半导体基板的一面上形成电荷读出部的工序；将加强构件粘贴在半导体基板的一面上的工序；从另一面薄化半导体基板的工序；在半导体基板的另一面上形成蓄积层的工序；除了电荷读出部的形成区以及该电荷读出部的附近区域以外，将半导体基板的构成材料除去的工序；以及形成电气连接在电荷读出部上铝配线的工序(例如，参照专利文献1)。
在上述专利文献1中，在形成配线的工序中，在将半导体基板上的构成材料除去的工序中露出的场氧化膜上形成接触孔，将铝配线设置在该接触孔中以及场氧化膜的露出区域上。
专利文献1：日本专利特开平10-116974号公报
发明内容
然而，在上述现有技术中，将半导体基板的构成材料除去的工序、以及形成需要形成接触孔的铝配线的工序是必要的。因此，制造工序复杂，有制造成本高的问题。
此外，在上述现有技术中，由于在电荷读出部的形成区表面和形成铝配线的表面(场氧化膜的露出表面)之间产生台阶，所以由于曝光技术中的焦深问题，有难以进行接触孔以及铝配线的微细化的问题。这样，在难以进行铝配线的微细化的情况下，将多个背面照射型光检测装置相邻配置、进行所谓的可平接(buttable)配置时，只是为了配线所使用的静区(dead area)(光检测部以外的区域)就变得很大。
本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能简化制造工序、降低制造成本的背面照射型光检测装置的制造方法。
为了实现上述的目的，本发明的背面照射型光检测装置的制造方法的特征在于，包括：在半导体基板的一面上形成电荷读出部的工序；对半导体基板的另一面上的对应于电荷读出部的区域进行薄化处理而保留该区域的周边区域的工序；在半导体基板的另一面上形成蓄积层的工序；在半导体基板的一面上的对应于周边区域的区域中，形成与电荷读出部电气连接的电气配线以及电气连接在该电气配线上的电极焊接区的工序；将支撑基板粘接在半导体基板的一面上，使电极焊接区仍呈露出状态而覆盖电荷读出部的工序；以及在半导体基板被薄化处理的部分将半导体基板以及支撑基板切断，保留对应于形成有电气配线以及电极焊接区的区域的周边区域的工序。
在本发明的背面照射型光检测装置的制造方法中，将半导体基板的另一面上的对应于电荷读出部的区域薄化，当在该另一面上形成蓄积层后，在半导体基板的另一面上的对应于周边区域的区域上形成电气配线以及电极焊接区，将支撑基板粘接在半导体基板的一面上，使电极焊接区仍呈露出状态而覆盖电荷读出部，在半导体基板被薄化处理的部分将半导体基板以及支撑基板切断，保留对应于形成有电气配线以及电极焊接区的区域的周边区域。因此，不需要现有技术所必要的将半导体基板的构成材料除去的工序以及形成接触孔的工序。其结果，能简化制造工序，降低制造成本。此外，由于在半导体基板的一面上形成电气配线以及电极焊接区，所以不会产生焦深问题。因此，能够比较容易地进行电气配线以及电极焊接区的微细化。
根据以上的情况，如果采用本发明的背面照射型光检测装置的制造方法，则能提供一种能简化制造工序、降低制造成本的背面照射型光检测装置的制造方法。
此外，还包括准备有电极焊接区的封装体，将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板安装在封装体中的工序，安装在封装体中的工序优选包括：将对应于形成有电气配线以及电极焊接区的周边区域粘接在封装体上的工序；用焊接导线电气连接封装体上的电极焊接区和在半导体基板上形成的电极焊接区的工序；以及将保护板粘接在支撑基板以及封装体上，以便将两电极焊接区以及焊接导线覆盖起来的工序。在此情况下，能将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板适当地安装在封装体中。
此外，还包括准备具有电极焊接区、在对应于该电极焊接区的位置上形成有开口的封装体，将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板安装在封装体中的工序，安装在封装体中的工序优选包括：将支撑基板粘接在封装体上，将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板固定在该封装体中的工序；用焊接导线从开口电气连接封装体中的电极焊接区和在半导体基板上形成的电极焊接区的工序；以及将保护板粘接在封装体上，以便堵塞开口的工序。在此情况下，能够将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板适当地安装在封装体中。
此外，在安装在封装体中的工序之后，优选还备有与半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个安装有半导体基板以及支撑基板的封装体的工序。在此情况下，容易使背面照射型光检测装置中的光检测部(电荷读出部)大面积化。此外，如上所述，还能实现电气配线以及电极焊接区的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
此外，还包括准备具有电极焊接区的封装体，将多个在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板安装在封装体中的工序，安装在封装体中的工序优选包括：使半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板，将对应于形成有电气配线以及电极焊接区的区域的周边区域分别粘接在封装体上的工序；用焊接导线电气连接封装体上的电极焊接区和在半导体基板上形成的电极焊接区的工序；以及将保护板粘接在支撑基板以及封装体上，以便将两电极焊接区以及焊接导线覆盖起来的工序。在此情况下，能够将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板适当地安装在封装体中。此外，容易使背面照射型光检测装置中的光检测部(电荷读出部)大面积化。此外，如上所述，还能实现电气配线以及电极焊接区的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
此外，还包括准备具有电极焊接区、在对应于该电极焊接区的位置上形成有开口的封装体，将多个在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板安装在封装体中的工序，安装在封装体中的工序优选包括：使半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板，将支撑基板分别粘接在封装体上的工序；用焊接导线从开口电气连接封装体中的电极焊接区和在半导体基板上形成的电极焊接区的工序；以及将保护板粘接在封装体上，以便堵塞开口的工序。在此情况下，能够将在半导体基板被薄化处理的部分而切断的半导体基板以及支撑基板适当地安装在封装体中。此外，容易使背面照射型光检测装置中的光检测部(电荷读出部)大面积化。此外，如上所述，还能够实现电气配线以及电极焊接区的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
附图说明
图1A～图1F是说明第一实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图2A～图2D是说明第一实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图3是说明第一实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图4A以及图4B是说明第二实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图5是说明第二实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图6A～图6C是说明第三实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图7是说明第三实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图8A以及图8B是说明第四实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
图9是说明第四实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图。
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法。此外，在说明中，对同一要素或者具有同一功能的要素标注同一标号，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1A～图1F以及图2A～图2D是说明第一实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，表示背面照射型光检测装置的纵断面结构。图3是说明第一实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，是包含背面照射型光检测装置的纵断面的斜视图。以下，进行详细说明。
在第一实施方式的制造方法中，依次执行以下工序(1)～(10)。
工序(1)
首先，准备由Si构成的半导体基板1。其次，在半导体基板1的表面(一面)上形成作为电荷读出部的CCD部3(参照图1A)。CCD部3包括蓄积在半导体基板的光感应区发生的电荷的位阱的形成、以及输送该电荷用的输送电极等。此外，CCD部3在平面图中呈四边形(例如，30mm×60mm左右)。
工序(2)
将半导体基板1的背面(另一面)上对应于CCD部3的区域薄化，保留该区域的周边区域1a(参照图1B)。通过在对应于CCD部3的区域上形成有开口的掩模，用这样的掩模蚀刻半导体基板1的背面，进行半导体基板1的薄化。能用光刻技术形成掩模。为了进行蚀刻，能采用各向同性的湿法蚀刻。作为蚀刻液，能使用HF/HNO3等。也能采用常压等离子体蚀刻(ADP：Atmospheric Downstream Plasma)等各向同性的干法蚀刻。此外，也能用各向异性的湿法蚀刻，作为这时的蚀刻液，能使用KOH、乙二胺等。此外，蚀刻能进行到使半导体基板1薄化了的部分的厚度达到20～50微米。此外，半导体基板1上未进行蚀刻的部分(厚的部分)具有作为确保薄化了的部分的机械强度用的框部的功能。
这里，所谓“背面”，是最后制造的背面照射型光检测装置的光入射面，是为了说明的方便而用的叫法，请注意不是附图中的下侧面。此外，所谓“表面”，是与背面相反的面。
工序(3)
其次，在半导体基板1的背面侧形成蓄积层5(参照图1B)。在对应于CCD部3的区域而被薄化了的半导体基板1的背面上形成了热氧化膜后，从背面侧进行离子注入来进行活化，由此进行蓄积层5的形成。通过对半导体基板1进行高温加热处理(例如，900℃左右)，而能够进行热氧化膜的形成以及活化。
工序(4)
其次，在对应于半导体基板1的表面侧的周边区域1a的区域1b上，形成与CCD部3电气连接的电气配线7、以及电气连接在该电气配线7上的电极焊接区9(参照图1C)。当在半导体基板1的表面侧蒸镀导电性金属(例如，铝、金、银等)后，使用规定形状的有开口的掩模，通过蚀刻等将导电性金属除去，能进行电气配线7以及电极焊接区9的形成。此外，为了形成电气配线7以及电极焊接区9，可以采用电镀法。
工序(5)
其次，将支撑基板11粘接在半导体基板1的表面侧上，以便使电极焊接区9仍呈露出的状态而覆盖CCD部3(参照图1D)。通过用树脂(例如，环氧树脂等)13粘贴在半导体基板1上，进行支撑基板11的粘接。作为支撑基板11的材料，可以采用Si、蓝宝石、陶瓷等。此外，从确保机械强度的观点看，支撑基板11的面积最好设定为其端部不在半导体基板1进行蚀刻的部分的程度，但并不限于此。
工序(6)
其次，在半导体基板1的被薄化的部分，将半导体基板1以及支撑基板11切断，且保留对应于形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a(参照图1E以及图1F)。由此，完成包括在半导体基板1的被薄化处理的部分而切断的半导体基板1以及支撑基板11的CCD芯片15。为了切断半导体基板1以及支撑基板11，可以采用划线技术，设定沿着CCD部3的四边中的三边的划线(在图1E中，只示出了其中的一条)。此外，在本实施方式中，形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b(不进行蚀刻的部分)的端部也被切断。
工序(7)
首先，准备安装CCD芯片15的封装体17。该封装体17包括CCD芯片放置部17a以及台阶部17b，在台阶部17b上有电极焊接区19。作为封装体17的材料，可以使用陶瓷等。
其次，将CCD芯片15上下翻转过来进行配置，使半导体基板1的背面侧位于CCD芯片放置部17a一侧。然后，将对应于形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a粘接在封装体17的CCD芯片放置部17a上，将CCD芯片15固定在封装体17上(参照图2A以及图2B)。采用使用树脂(例如，环氧树脂等)的装片技术而能够进行半导体基板1和封装体17的粘接。
工序(8)
其次，使用焊接导线21电气连接封装体17上的电极焊接区19和在半导体基板1上形成的电极焊接区9(参照图2C)。作为焊接导线21，可以使用Au导线等。
工序(9)
其次，将保护板23粘接在支撑基板11以及封装体17上，以便覆盖两电极焊接区9、19以及焊接导线21(参照图2D)。通过使用树脂(例如，环氧树脂等)，粘贴在支撑基板11以及封装体17上，来进行保护板23的粘接。这时，在与封装体17相反一侧(在图2D中为右侧)进行粘接，以便支撑基板11和保护板23的端面对齐。由此，CCD芯片15被安装在封装体17中。
工序(10)
其次，对安装在封装体17中的CCD芯片15进行可平接配置(图3)。这样进行可平接配置，即：使半导体基板1被薄化处理的部分互相相邻，即、使半导体基板1以及支撑基板11的切断面对接，配置多个安装有CCD芯片15的封装体17。
如上所述，在上述第一实施方式的制造方法中，将对应于半导体基板1的背面侧的CCD部3的区域薄化，在该背面侧形成有蓄积层5之后，在对应于半导体基板1的表面侧的周边区域1a的区域1b上形成电气配线7以及电极焊接区9，将支撑基板11粘接在半导体基板1的表面侧上，以便使电极焊接区9仍呈露出的状态覆盖CCD部3，在半导体基板1的被薄化处理的部分，将半导体基板1以及支撑基板11切断，且保留对应于形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a。因此，不需要现有技术所必要的将半导体基板的构成材料除去的工序以及形成接触孔的工序。其结果，能够简化制造工序，降低制造成本。此外，由于在半导体基板1的一面上形成电气配线7以及电极焊接区9，所以不会产生焦深问题。因此，能够很容易进行电气配线7以及电极焊接区9的微细化。
在第一实施方式的制造方法中，还包括准备具有电极焊接区19的封装体17，将CCD芯片15安装在封装体17中的工序，其中，安装在封装体17中的工序包括：将对应于形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a粘接在封装体17的CCD芯片放置部17a上的工序；用焊接导线导21电气连接封装体17上的电极焊接区19和在半导体基板1上形成的电极焊接区9的工序；以及将保护板23粘接在支撑基板11以及封装体17上，以便将两电极焊接区9、19以及焊接导线21覆盖起来的工序。由此，能将CCD芯片15适当地安装在封装体17中。
此外，在第一实施方式的制造方法中，在将CCD芯片15安装在封装体17中的工序之后，还包括与半导体基板1被薄化处理的部分相邻地配置多个安装有CCD芯片15的封装体17的工序。由此，能够很容易地使背面照射型光检测装置的光检测部(CCD部3)大面积化。此外，如上所述，还能够实现电气配线7以及电极焊接区9的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
(第二实施方式)
图4A以及图4B是说明第二实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，表示背面照射型光检测装置的纵断面结构。图5是说明第二实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，是包括背面照射型光检测装置的纵断面的斜视图。以下，详细说明。
在第二实施方式的制造方法中，依次执行以下的工序(1)～(10)。其中，工序(1)～(6)与上述的第一实施方式中的(1)～(6)相同，省略说明。
工序(7)
首先，准备安装CCD芯片15的封装体27。该封装体27包括CCD芯片放置部27a以及与CCD芯片放置部27a相对形成的突部27b，在突部27b的与CCD芯片放置部27a相对的一面具有电极焊接区29。在CCD芯片放置部27a上，在与突部27b(电极焊接区19)相对的位置上形成开口27c。作为封装体27的材料，可以使用陶瓷等。
其次，将CCD芯片15配置在半导体基板1的表面侧，即配置成使支撑基板11位于CCD芯片放置部27a一侧。然后，将支撑基板11粘接在封装体27的CCD芯片放置部27a上，将CCD芯片15固定在封装体27上(参照图4A)。这时，在与封装体27相反一侧(在图4A中为右侧)，将支撑基板11和CCD芯片放置部27a的端面对齐并粘接起来。采用使用树脂(例如，环氧树脂等)的装片技术，而能够进行支撑基板11和封装体27的粘接。
工序(8)
其次，从开口27c，用焊接导线21电气连接封装体27上的电极焊接区29和在半导体基板1上形成的电极焊接区9(参照图4A)。
工序(9)
其次，将保护板31粘接在封装体27的CCD芯片放置部27a上，以便堵塞开口27c(参照图4B)。通过用树脂(例如，环氧树脂等)，粘贴在封装体27上，进行保护板31的粘接。由此，CCD芯片15被安装在封装体27中。
工序(10)
其次，对安装在封装体27中的CCD芯片15进行可平接配置(图5)。这样进行可平接配置：使半导体基板1被薄化的部分互相相邻，即，使半导体基板1以及支撑基板11的切断面对接，配置多个安装了CCD芯片15的封装体27。
如上所述，在上述的第二实施方式的制造方法中，与第一实施方式的制造方法相同，能简化制造工序，能降低制造成本。此外，能够很容易地进行电气配线7以及电极焊接区9的微细化。
在第二实施方式的制造方法中，还包括准备具有电极焊接区29，在对应于该电极焊接区29的位置形成了开口27c的封装体27，将CCD芯片15安装在封装体27中的工序，安装在封装体27中的工序包括：将支撑基板11粘接在封装体27上，将CCD芯片15固定在该封装体27上的工序；通过开口27c，用焊接导线导21电性地连接封装体27上的电极焊接区29和在半导体基板1上形成的电极焊接区9的工序；以及将保护板31粘接在封装体27上，以便堵塞开口27c的工序。由此，能将CCD芯片15适当地安装在封装体27中。
此外，在第二实施方式的制造方法中，在将CCD芯片15安装在封装体27中的工序之后，还包括与半导体基板1被薄化处理的部分相邻地配置多个安装有CCD芯片15的封装体27的工序。由此，能容易地使背面照射型光检测装置的光检测部(CCD部3)大面积化。此外，如上所述，还能谋求电气配线7以及电极焊接区9的微细化，所以不会增大无助于光检测的静区。
(第三实施方式)
图6A～图6C是说明第三实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，表示背面照射型光检测装置的纵断面结构。图7是说明第三实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，是包括背面照射型光检测装置的纵断面的斜视图。以下，进行详细说明。
在第三实施方式的制造方法中，依次执行以下的工序(1)～(9)。其中，工序(1)～(6)与上述的第一实施方式中的(1)～(6)相同，省略其说明。
工序(7)
首先，准备安装多个CCD芯片15的封装体37。该封装体37形成为呈四边形框状，包括CCD芯片放置部37a以及台阶部37b，在台阶部37b上有电极焊接区39。作为封装体37得材料，可以使用陶瓷等。
其次，对CCD芯片15进行可平接配置，将对应于各个CCD芯片15上的形成了电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a粘接在封装体37的CCD芯片放置部37a上，将CCD芯片15固定在封装体37上(参照图6A)。通过配置多个CCD芯片15，进行可平接配置，以便半导体基板1的被薄化的部分互相相邻，即将半导体基板1以及支撑基板11的切断面对接起来。此外，采用使用树脂(例如，环氧树脂等)的装片技术，能进行半导体基板1和封装体37的粘接。
工序(8)
其次，用焊接导线21电气连接封装体37上的电极焊接区39和各个CCD芯片15的在半导体基板1上形成的电极焊接区9(参照图6B)。
工序(9)
其次，将保护板41粘接在支撑基板11以及封装体37上，以便覆盖两电极焊接区9、39以及焊接导线21(参照图6C)。通过用树脂(例如，环氧树脂等)，粘贴在支撑基板11以及封装体37上，来进行保护板41的粘接。由此，多个CCD芯片15被安装在封装体37中(图7)。
如上所述，在上述的第三实施方式的制造方法中，与第一以及第二实施方式的制造方法相同，能简化制造工序，能降低制造成本。此外，能容易地进行电气配线7以及电极焊接区9的微细化。
此外，在第三实施方式的制造方法中，还包括准备具有电极焊接区39的封装体37，将CCD芯片15安装在封装体37中的工序，其中，安装在封装体37中的工序包括：使半导体基板1的被薄化处理的部分互相相邻地配置多个CCD芯片15，将对应于形成有电气配线7以及电极焊接区9的区域1b的周边区域1a分别粘接在封装体37上的工序；用焊接导线导21电气连接封装体37上的电极焊接区39和在半导体基板1上形成的电极焊接区9的工序；以及将保护板41粘接在支撑基板11以及封装体37上，以便覆盖两电极焊接区9、39以及焊接导线21的工序。由此，能够将多个CCD芯片15适当地安装在封装体37中。此外，能够很容易地使背面照射型光检测装置的光检测部(CCD部3)大面积化。此外，如上所述，还能实现电气配线7以及电极焊接区9的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
(第四实施方式)
图8A以及图8B是说明第四实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，表示背面照射型光检测装置的纵断面结构。图9是说明第四实施方式的背面照射型光检测装置的制造方法用的概略图，是包括背面照射型光检测装置的纵断面的斜视图。以下，进行详细说明。
在第四实施方式的制造方法中，依次执行以下的工序(1)～(9)。但工序(1)～(6)与上述的第一实施方式中的(1)～(6)相同，说明从略。
工序(7)
首先，准备多个安装CCD芯片15的封装体47。该封装体47包括CCD芯片放置部47a以及与CCD芯片放置部47a相对形成的突部47b，在突部47b的与CCD芯片放置部47a相对的一面具有电极焊接区49。在CCD芯片放置部47a上，在与突部47b(电极焊接区49)相对的位置上，形成开口47c。作为封装体47的材料，可以使用陶瓷等。
其次，对CCD芯片15进行可平接配置，将各个CCD芯片15的支撑基板11粘接在封装体47的CCD芯片放置部47a上，将CCD芯片15固定在封装体47上(参照图8A)。通过配置多个CCD芯片15，进行可平接配置，以便半导体基板1的被薄化的部分互相相邻，即将半导体基板1以及支撑基板11的切断面对接起来。此外，采用使用树脂(例如，环氧树脂等)的装片技术，能进行支撑基板11和封装体47的粘接。
工序(8)
其次，从开口47c，用焊接导线21电气连接封装体47上的电极焊接区49和在半导体基板1上形成的电极焊接区9(参照图8A)。
工序(9)
其次，将保护板51粘接在封装体47的CCD芯片放置部47a上，以便堵塞开口47c(参照图8B)。通过用树脂(例如，环氧树脂等)，粘贴在封装体47上，来进行保护板51的粘接。由此，多个CCD芯片15被安装在封装体47中(参照图9)。
如上所述，在上述第四实施方式的制造方法中，与第一至第三实施方式的制造方法相同，能简化制造工序，能降低制造成本。此外，能容易地进行电气配线7以及电极焊接区9的微细化。
此外，在第四实施方式的制造方法中，还包括准备具有电极焊接区49、在对应于该电极焊接区49的位置形成开口47c的封装体47，将多个CCD芯片15安装在封装体47中的工序，其中，安装在封装体47中的工序包括：使半导体基板1的被薄化处理的部分互相相邻地配置多个CCD芯片15，将支撑基板11分别粘接在封装体47的CCD芯片放置部47a上的工序；通过开口47c，用焊接导线导21电气连接封装体47上的电极焊接区49和在半导体基板1上形成的电极焊接区9的工序；以及将保护板51粘接在封装体47上，以便堵塞开口47c的工序。由此，能将多个CCD芯片15适当地安装在封装体47中。此外，能容易地使背面照射型光检测装置的光检测部(CCD部3)大面积化。此外，如上所述，还能够实现电气配线7以及电极焊接区9的微细化，所以不会增大对光检测毫无意义的静区。
工业上利用的可能性
本发明能够用于背面照射型CCD图像传感器等。

Claims (6)

1.一种背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的一面上形成电荷读出部的工序；
对所述半导体基板的另一面上的对应于所述电荷读出部的区域进行薄化处理而保留该区域的周边区域的工序；
在所述半导体基板的所述另一面上形成蓄积层的工序；
在所述半导体基板的所述一面上的对应于所述周边区域的区域中，形成与所述电荷读出部电气连接的电气配线以及电气连接在该电气配线上的电极焊接区的工序；
将支撑基板粘接在所述半导体基板的所述一面上，使所述电极焊接区仍呈露出状态而覆盖所述电荷读出部的工序；以及
在所述半导体基板被薄化处理的部分将所述半导体基板以及所述支撑基板切断，保留对应于形成有所述电气配线以及所述电极焊接区的区域的周边区域的工序。
2.根据权利要求1所述的背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于：
还包括准备具有电极焊接区的封装体，
将在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板安装在所述封装体中的工序，其中，
安装在所述封装体中的工序包括
将对应于形成了所述电气配线以及所述电极焊接区的所述周边区域粘接在所述封装体上的工序；
用所述焊接导线电气连接所述封装体上的所述电极焊接区和在所述半导体基板上形成的所述电极焊接区的工序；以及
将保护板粘接在所述支撑基板以及所述封装体上，以便将所述两电极焊接区以及所述焊接导线覆盖起来的工序。
3.根据权利要求1所述的背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于：
还包括准备具有电极焊接区、在对应于该电极焊接区的位置上形成有开口的封装体，
将在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板安装在所述封装体中的工序，其中，
安装在所述封装体中的工序包括
将所述支撑基板粘接在所述封装体上，将在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板固定在该封装体中的工序；
用焊接导线从所述开口电气连接所述封装体上的所述电极焊接区和在所述半导体基板上形成的所述电极焊接区的工序；以及
将保护板粘接在所述封装体上，以便堵塞所述开口的工序。
4.根据权利要求2或者3所述的背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于：
在安装在所述封装体中的工序之后，还备有与所述半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个安装有所述半导体基板以及所述支撑基板的所述封装体的工序。
5.根据权利要求1所述的背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于：
还包括准备具有电极焊接区的封装体，
将多个在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板安装在所述封装体中的工序，其中，
安装在所述封装体中的工序包括
使所述半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板，将对应于形成有所述电气配线以及所述电极焊接区的区域的所述周边区域分别粘接在所述封装体上的工序；
用焊接导线电气连接所述封装体上的所述电极焊接区和在所述半导体基板上形成的所述电极焊接区的工序；以及
将保护板粘接在所述支撑基板以及所述封装体上，以便将所述两电极焊接区以及所述焊接导线覆盖起来的工序。
6.据权利要求1所述的背面照射型光检测装置的制造方法，其特征在于：
还包括准备具有电极焊接区、在对应于该电极焊接区的位置上形成有开口的封装体，
将多个在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板安装在所述封装体中的工序，其中，
安装在所述封装体中的工序包括
使所述半导体基板被薄化处理的部分互相相邻地配置多个在所述半导体基板被薄化处理的部分而切断的所述半导体基板以及所述支撑基板，将所述支撑基板分别粘接在所述封装体上的工序；
用焊接导线从所述开口电气连接所述封装体上的所述电极焊接区和在所述半导体基板上形成的所述电极焊接区的工序；以及
将保护板粘接在所述封装体上，以便堵塞所述开口的工序。
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