CN1240117C - 薄膜晶体管平面显示器的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，主要制作工艺包括：(1)以第一道光掩模限定第一金属层/栅极绝缘层/非晶硅层的图案；(2)以第二道光掩模限定形成保护层(passivation)与蚀刻终止层(etching stopper)；(3)以第三道光掩模限定形成源极/漏极(Source/Drain)；(4)以第四道光掩模限定形成画素电极。本发明的制作工艺仅仅需要应用四道光掩模，如此可简化薄膜晶体管平面显示器的制作过程。

Description

薄膜晶体管平面显示器的制造方法

                        技术领域

本发明涉及一种平面显示器的制作方法，特别是涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法。

                        背景技术

图1A至图1D显示现有用于液晶显示器的薄膜晶体管的制造方法。参照图1A，首先，在一透明基板1上限定形成一栅极电极2，再形成一绝缘层3覆盖栅极电极2。接着，依序在绝缘层3之上形成非晶硅(amorphoussilicon)层40和氮化硅层50。参照图1B，限定蚀刻氮化硅层50，以形成一蚀刻终止层(etching stopper)5。参照图1C，在蚀刻终止层5和非晶硅层40之上再形成一掺杂硅层6(例如掺入n型杂质的非晶硅层)。参照图1D，接着形成一金属层，再限定蚀刻金属层而形成源/漏极电极7、8，最后形成一保护层9。在蚀刻过程中，部分金属层与掺杂硅层6会被蚀刻移除，而蚀刻终止层5用以保护非晶硅层40免于遭受蚀刻破坏。

尽管有上述的传统方法用以制作薄膜晶体管，但是薄膜晶体管的制作工艺方法仍然有改进的空间。

                          发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法，仅仅需要四道光掩模的制作工艺，由此简化薄膜晶体管的制作方法。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；(b)限定上述半导体层、第一绝缘层及第一导电层的图形，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成在上述扫描线的一端；(c)形成一保护层，覆盖于上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；(d)限定上述保护层的图形，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上形成一第三开口，使上述半导体层暴露于上述第一、第二及第三开口中；(e)在上述基板上依序形成一掺杂硅层及一第二导电层；(f)限定上述第二导电层及上述掺杂硅层的图案，以形成一信号线，并在上述栅极上方形成一源极和一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述源极与漏极的掺杂硅层分别通过上述第一和第二开口而与上述栅极的半导体层接触，且上述信号线垂直于上述扫描线；(g)限定上述栅极垫中半导体层及绝缘层的图案，移除上述第三开口中的上述半导体层及绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中；(h)形成一透明电极层在上述基板上，且覆盖上述源极、漏极与上述栅极垫；以及(i)限定上述透明电极层，以形成一画素电极。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层以及一半导体层；(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图形，以形成一扫描线、一栅极垫以及一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；(c)形成一保护层，覆盖在上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；(d)限定上述保护层的图形，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上方形成一第三开口；(e)在上述基板上依序形成一掺杂硅层及一第二导电层；(f)限定上述第二导电层及上述掺杂硅层的图案，在上述栅极上方形成一岛状结构，且上述掺杂硅层分别通过上述第一和第二开口而与上述栅极的半导体层接触；(g)限定上述栅极垫中半导体层以及第一绝缘层的图案，使上述第一导电层暴露在上述第三开口中；(i)在上述基板上形成一透明电极层，且覆盖上述第二导电层；以及(j)限定上述透明电极层、上述第二导电层及上述掺杂硅层，在上述岛状结构中形成一源极和一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述信道位于上述栅极上方，上述透明电极层还形成一画素电极，且耦接上述漏极。

本发明还提供一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括：(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图案，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；(c)形成一保护层，覆盖在上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；(d)限定上述保护层的图案，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上形成一第三开口；(e)形成一第二导电层，限定上述第二导电层的图案，在上述保护层上形成一信号线，上述信号线垂直上述扫描线；(f)在上述信号线与上述保护层上依序形成一掺杂硅层及一透明电极层，且上述掺杂硅层经由上述第一和第二开口与上述栅极的半导体层连接；(g)限定上述透明电极层及上述掺杂硅层，在上述栅极上方限定形成一源极与一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述透明电极层还形成一画素电极，上述画素电极与上述漏极相连接，且上述源极与上述信号线电连接；以及(h)限定蚀刻上述栅极垫中的半导体层及第一绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。

本发明还提供一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图案，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；(c)在上述基板上依序形成一保护层与一第二导电层，并覆盖上述栅极垫与栅极；(d)限定上述第二导电层及上述保护层的图案，在基板上形成一信号线，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，在上述栅极垫上形成一第三开口；(e)依序形成一掺杂硅层和一透明电极层在上述信号线、上述栅极和上述基板上，且上述掺杂硅层经由上述第一开口以及上述第二开口与上述半导体层接触；以及(f)限定上述透明电极层、上述掺杂层以及上述第二导电层的图案，在上述栅极上方形成一漏极与一源极，上述漏极与上述源极之间限定为一信道使上述保护层暴露在上述信道中，上述透明电极层还形成一画素电极，且上述画素电极与上述漏极相连接。

进一步说，其主要特征是：利用第1道光掩模限定非晶硅层/栅极绝缘层/第一金属层的图案；利用第2道光掩模形成保护层(passivation layer)与岛状蚀刻终止层(etching stopper)；利用第3道光掩模限定源极/漏极(Source/Drain)；再利用最后一道光掩模限定形成画素电极。

本发明方法的优点在于，其制作工艺仅仅需要应用四道光掩模，以简化薄膜晶体管平面显示器的制作过程。

                     附图说明

图1A～1D为平面显示器中薄膜晶体管的现有制造流程剖视图；

图2A～2D为本发明第一实施例的制造流程上视图；

图3A～3D为本发明第一实施例的制造流程剖视图；

图4A～4D为本发明第二实施例的制造流程剖视图；

图5A～5D为本发明第三实施例的制造流程上视图；

图6A～6D为本发明第三实施例的制造流程剖视图；

图7A～7D为本发明第四实施例的制造流程上视图；

图8A～8D为本发明第四实施例的制造流程剖视图；

图9A～9C为本发明第五实施例的制造流程上视图；

图10A～10C为本发明第五实施例的制造流程剖视图。

                     具体实施方式

各种较佳的制造流程将于下列第一实施例至第五实施例予以详细说明。

实施例一：

图2A～2D为本发明第一实施例的制造流程上视图。图3A～3D为本发明第一实施例的制造流程剖视图。图3A～3D中，第I区为薄膜晶体管所在的区域，对应于图2A～2D中沿A-A′方向的剖面；第II区为栅极垫(gate pad)结构所在的区域，对应于图2A～2D中沿B-B′方向的剖面。以下将参照图2A～2D及图3A～3D说明本发明的制造方法。

参照图2A及图3A，首先，在一透明基板100上依序形成一第一导电层101、一绝缘层102、及一半导体层103。再限定半导体层103、绝缘层102及第一导电层101的图案，以形成一扫描线DL、一栅极垫DLp以及一栅极DLg。栅极垫DLp形成于扫描线DL的一端，且栅极DLg自扫描线DL的一侧延伸而出，且栅极DLg的半导体层103作为薄膜晶体管的信道层。一般而言，基板100可为玻璃基板或是石英基板，半导体层103可为非晶硅层，绝缘层102可为氧化硅层，且第一导电层101为金属层，形成一栅极电极。

参照图2B及图3B，接着，形成一保护层104，覆盖于上述扫描线DL、栅极DLg、栅极垫DLp及基板100上。再限定保护层104的图案，在栅极DLg上形成第一开口op1和第二开口op2，在栅极垫DLp第三开口op3，使半导体层103由第一开口op1、第二开口op2以及第三开口op3中露出。在此实施例中，保护层104由氮化硅(SiNx)或是有机高分子物质所构成。

参照图2C及图3C，在基板100上依序形成一掺杂硅层105及一第二导电层106。限定第二导电层106及掺杂硅层105的图案，以形成一信号线SL、并在栅极DLg上形成一源极S和一漏极D，源极S与漏极D之间限定为一信道(channel)110，并在其中露出半导体层103。

源/漏极(S、D)的掺杂硅层105分别通过第一和第二开口(op1、op2)与栅极DLg的半导体层103构成电接触。信号线SL垂直于扫描线DL。

介于第一开口op1和第二开口op2间的保护层104，作为一蚀刻终止层(etching stop；或称为岛状蚀刻终止层IS)，在限定蚀刻第二导电层106及掺杂层105时，用以保护栅极DLg中的半导体层103(即信道层)免于遭到蚀刻破坏。在此实施例中，上述掺杂硅层105为n型掺杂硅层，且第二导电层为金属层。

参照图2D及图3D，蚀刻栅极垫DLp中的半导体层103及绝缘层102，使栅极垫DLp的第一导电层101暴露在第三开口op3中。接着，一透明电极层107形成在基板100上，且覆盖源极S、漏极D与栅极垫DLp。最后，限定透明电极层107的图形，以分别形成一耦接漏极D的画素电极层PL，与一覆盖源极S与信号线SL的虚拟信号线层FS，且透明电极层107与栅极垫DLp中的第一导电层101构成电接触。

在此实施例中，透明电极层107为ITO层。值得注意的是：源/漏极(S、D)的第二导电层106在信道110中各具有一侧壁，而透明电极层107覆盖第二导电层106在信道110中的侧壁。

实施例二：

本发明第二实施例的制作工艺上视图与图2A～2D标示的相同。图4A～4D显示了本发明第二实施例的制造流程剖视图。第一实施例与第二实施例最大的不同在于在半导体层103上还形成一绝缘层202，用以保护半导体层103。在第二实施例中，与第一实施例相同的名字使用相同的标号。

参照图2A及图4A，在基板100上依序形成一第一导电层101、一第一绝缘层102、一半导体层103及一第二绝缘层202，并限定其图案，以形成一扫描线DL、一栅极垫DLp以及一栅极DLg。在此实施例中，第二绝缘层202可为氮化硅层。

参照图2B及图4B，形成一保护层104覆盖扫描线DL、栅极DLg、栅极垫DLp及基板100上。再限定保护层104及第二绝缘层202的图案，在栅极DLg上形成第一开口op1和第二开口op2，在栅极垫DLp第三开口op3，使半导体层103由第一开口op1、第二开口op2以及第三开口op3中露出。

参照图2C及图4C图，在基板100上依序形成一掺杂硅层105及一第二导电层106。限定第二导电层106及掺杂硅层105的图案，以形成一信号线SL，并在栅极DLg上形成一源极S和一漏极D，源极S与漏极D之间限定为一信道(channel)110，并于其中露出第二绝缘层202。

在蚀刻第二导电层106及掺杂硅层105时，位于第一开口op1和第二开口op2间的保护层104和第二绝缘层202，作为一蚀刻终止层(etch stop；或称为岛状蚀刻终止层IS)，用以保护栅极DLg的半导体层103(即信道层)免于遭到蚀刻破坏。

参照图2D及图4D，先限定栅极垫DLp的半导体层103及第一绝缘层102的图案，移除第三开口op3中的半导体层103与第一绝缘层102，以露出栅极垫DLp中的第一导电层101。接着，在基板100上形成透明电极层107，且覆盖源极S、漏极D与栅极垫DLp。最后，限定透明电极层107的图形，形成一耦接漏极D的画素电极层PL，以及一覆盖源极S与信号线SL的虚拟信号线层FS，且透明电极层107并与栅极垫DLp的第一导电层101构成电接触。

在此实施例中，在半导体层103上还形成一层薄氮化硅(即第二绝缘层202)，由此避免半导体层103长期曝露于空气中而氧化。

实施例三：

图5A～5D显示本发明第三实施例的制作工艺上视图。图6A～6D显示本发明第三实施例的制造流程剖视图。图6A～6D中，第I区为薄膜晶体管所在的区域，对应于图5A～5D中沿A-A′方向的剖面；第II区栅极垫(gate pad)结构所在的区域，对应于图5A～5D中沿B-B′方向的剖面。以下将参照图5A～5D及图6A～6D说明本发明应用于平面显示器的薄膜晶体管的制造方法。

参照图5A及图6A，与图5B及图6B，在基板100上以第一导电层101、第一绝缘层102、半导体层103及保护层104，限定扫描线DL、栅极垫DLp以与栅极DLg。再于栅极DLg与栅极垫DLp上分别形成第一、第二、第三开口op1、op2、op3，使半导体层103露出。其制造流程与第一实施例所述相同，故在此不予以赘述。

再参照图5C及图6C，在基板100上形成一掺杂硅层105与一第二导电层106。接着，限定第二导电层106及掺杂硅层105的图案，在栅极上方形成一岛状结构，并另形成一信号线SL。信号线SL垂直于扫描线DL，且掺杂硅层105通过第一、第二开口(op1、op2)与栅极DLg的半导体层103构成电接触。

参照图5D及图6D，先限定栅极垫DLp中的半导体层103及第一绝缘层102的图案，使第一导电层101暴露于栅极垫DLp的第三开口op3中。再于基板100上形成一透明电极层107，其覆盖第二导电层106。之后，限定透明电极层107、第二导电层106、与掺杂硅层105的图案，以于岛状结构中形成一源极S与一漏极D。源极与漏极之间限定为一信道110，且信道110位于栅极DLg正上方。此外，透明电极层107形成一画素电极PL，并与漏极D相连接。透明电极层107也覆盖信号线SL与栅极DLg中的源极S。此外，透明电极层107也覆盖栅极垫DLp，并通过第三开口op3与栅极垫DLp中的第一导电层101接触。

在此实施例中，透明电极层107为ITO层，且透明电极层107不覆盖信道110中的第二金属层106侧壁，因此可缩小薄膜晶体管内的信道尺寸。

实施例四：

图7A～7D显示本发明第四实施例的制作工艺上视图。图8A～8D显示本发明第四实施例的制造流程剖视图。图8A～8D中，第I区为薄膜晶体管所在的区域，对应于图7A～7D中沿A-A′方向的剖面；第II区栅极垫(gate pad)结构所在的区域，对应于图7A～7D中沿B-B′方向的剖面。以下将参照图7A～7D及图8A～8D说明本实施例。

参照图7A及图8A，与图7B及图8B，在基板100上以第一导电层101、第一绝缘层102、半导体层103及保护层104，限定扫描线DL、栅极垫DLp以与栅极DLg。再于栅极DLg与栅极垫DLp上分别形成第一、第二、第三开口op1、op2、op3，使半导体层103露出，其制造流程与第一实施例所述的相同，故在此不予以赘述。此外，半导体层103上还可形成一第二绝缘层(未图标)，以保护半导体层103。

参照图7C图及图8C，在保护层104上形成一第二金属层106，并限定出信号线SL的图形，信号线SL垂直扫描线DL。

参照图7D及图8D，在基板100上依序形成一掺杂层105及一透明电极层107，并覆盖栅极DLg与信号线SL。再限定透明电极层107及掺杂层105的图案，在栅极上方限定一漏极D与一源极S，漏极D与源极S间形成一信道110。此外，透明电极层107的第一部分TK1覆盖信号线SL，且与源极S相连，源极S中的掺杂硅层105经由第一开口op1与半导体层103接触。透明电极层107的第二部份TK2形成一画素电极PL，且与漏极D相连，漏极D的掺杂硅层105经由第二开口op2与半导体层103构成电连接。

最后，移除第三开口中的半导体层103及第一绝缘层102，以露出栅极垫DLp中的第一导电层101。

实施例五：

图9A～9C显示本发明第五实施例的制作工艺上视图。图10A～10C显示本发明第五实施例的制造流程剖视图。图10A～10C中，第I区为薄膜晶体管所在的区域，对应于图9A～9C中沿A-A′方向的剖面；第II区是栅极垫(gatepad)结构所在的区域，对应于图9A～9C中沿B-B′方向的剖面。以下将参照图9A～9C及图10A～10C说明本发明的制造方法。

参照图9A及图10A，首先，在一基板100上依序形成一第一导电层101、一绝缘层102、及一半导体层103。再限定半导体层103、绝缘层102、及第一导电层101的图案，以形成一扫描线DL、一栅极垫DLp、以及一栅极DLg。栅极垫DLp形成在扫描线DL的一端，且栅极DLg自扫描线DL的一侧延伸而出。栅极DLg上的半导体层103作为薄膜晶体管的信道层。

参照图9B及图10B，在基板100上依序形成一保护层104与一第二导电层106，再限定第二导电层106及保护层104的图案，使其覆盖扫描线DL、栅极DLg与栅极垫DLp。第二导电层106及保护层104在基板100上还形成一信号线SL，且信号线SL垂直扫描线DL。此外，去除部分的第二导电层106及保护层104，在栅极DLg上形成第一开口op1和第二开口op2，在栅极垫DLp上形成第三开口op3，使半导体层103由第一开口op1、第二开口op2以及第三开口op3中露出。

参照图9C及图10C，在基板100上形成一掺杂硅层305和一透明电极层107，掺杂硅层305经由第一开口op1和第二开口op2与半导体层103电连接。再限定蚀刻透明电极层107及掺杂硅层305的图案，在栅极DLg上方形成一源极S与一漏极D。源极S与漏极D间限定为一信道110。透明电极层107的第一部份T1位于信号线SL上，透明电极层107的第二部分T2覆盖源极S，透明电极层107的第三部分T3形成一画素电极PL，且覆盖漏极D。最后，移除第三开口op3中的半导体层103及第一绝缘层102，使栅极垫DLp的第一导电层101露出。

通过上述实施例一至实施例五，本发明提出新颖的薄膜晶体管平面显示器的制造方法，在制作工艺中仅仅需要应用4道光掩模(实施例五仅需3道光掩模)。主要制作工艺包括：(1)形成第一金属层/栅极绝缘层/非晶硅层；(2)形成保护层(passivation)与蚀刻终止层(etching stopper)；(3)形成源极/漏极(Source/Drain)；(4)形成画素电极；如此可简化薄膜晶体管平面显示器的制作过程。

虽然以上结合较佳实施例揭露了本发明，然其并非用以限定本发明，任何熟悉本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可做些更动和润饰，因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：

(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；

(b)限定上述半导体层、第一绝缘层及第一导电层的图形，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成在上述扫描线的一端；

(c)形成一保护层，覆盖于上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；

(d)限定上述保护层的图形，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上形成一第三开口，使上述半导体层暴露于上述第一、第二及第三开口中；

(e)在上述基板上依序形成一掺杂硅层及一第二导电层；

(f)限定上述第二导电层及上述掺杂硅层的图案，以形成一信号线，并在上述栅极上方形成一源极和一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述源极与漏极的掺杂硅层分别通过上述第一和第二开口而与上述栅极的半导体层接触，且上述信号线垂直于上述扫描线；

(g)限定上述栅极垫中半导体层及绝缘层的图案，移除上述第三开口中的上述半导体层及绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中；

(h)形成一透明电极层在上述基板上，且覆盖上述源极、漏极与上述栅极垫；以及

(i)限定上述透明电极层，以形成耦接上述漏极的一画素电极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，在步骤(i)中，上述透明电极层还形成在上述信号线上，上述透明电极层经由上述第三开口与上述栅极垫的第一导电层接触。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，在步骤(d)中，在上述半导体层上还形成一第二绝缘层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中，在步骤(d)中，上述第一、第二以及第三开口还贯穿上述第二绝缘层，使上述半导体层暴露于上述第一、第二以及第三开口。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中，上述源极与漏极的第二导电层各具有一侧壁暴露于上述信道中，且上述透明导电层覆盖上述信道中第二金属层的上述侧壁。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中，上述源极与漏极的第二导电层各具有一侧壁暴露于上述信道中，且上述透明导电层不覆盖上述源极与漏极中第二金属层的上述侧壁。

7.一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：

(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层以及一半导体层；

(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图形，以形成一扫描线、一栅极垫以及一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；

(c)形成一保护层，覆盖在上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；

(d)限定上述保护层的图形，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上方形成一第三开口；

(e)在上述基板上依序形成一掺杂硅层及一第二导电层；

(f)限定上述第二导电层及上述掺杂硅层的图案，在上述栅极上方形成一岛状结构，且上述掺杂硅层分别通过上述第一和第二开口而与上述栅极的半导体层接触；

(g)限定上述栅极垫中半导体层以及第一绝缘层的图案，使上述第一导电层暴露在上述第三开口中；

(i)在上述基板上形成一透明电极层，且覆盖上述第二导电层；以及

(j)限定上述透明电极层、上述第二导电层及上述掺杂硅层，在上述岛状结构中形成一源极和一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述信道位于上述栅极上方，上述透明电极层还形成一画素电极，且耦接上述漏极。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，在步骤(a)中还形成一第二绝缘层，在步骤(b)中限定上述第二绝缘层的图案，且在步骤c)限定上述保护层图案时，使上述第二绝缘层暴露于上述第一、第二、与第三开口中。

9.如权利要求7所述的制造方法，其中，在步骤(f)中，上述第二金属层还形成一信号线，且在步骤(j)中，上述透明电极层还形成一虚拟信号线层覆盖上述信号线。

10.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括：

(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；

(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图案，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；

(c)形成一保护层，覆盖在上述扫描线、栅极垫、栅极与基板上；

(d)限定上述保护层的图案，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，且在上述栅极垫上形成一第三开口；

(e)形成一第二导电层，限定上述第二导电层的图案，在上述保护层上形成一信号线，上述信号线垂直上述扫描线；

(f)在上述信号线与上述保护层上依序形成一掺杂硅层及一透明电极层，且上述掺杂硅层经由上述第一和第二开口与上述栅极的半导体层连接；

(g)限定上述透明电极层及上述掺杂硅层，在上述栅极上方限定形成一源极与一漏极，上述源极与漏极之间限定为一信道，上述透明电极层还形成一画素电极，上述画素电极与上述漏极相连接，且上述源极与上述信号线电连接；以及

(h)限定蚀刻上述栅极垫中的半导体层及第一绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。

11.如权利要求10所述的制造方法，还包括以下步骤：

在步骤(a)中还形成一第二绝缘层；

在步骤(b)中限定上述第二绝缘层的图案；

在步骤(c)限定上述保护层图案时，使上述第二绝缘层暴露于上述第一、第二与第三开口中；以及

在步骤(h)中，蚀刻上述栅极垫中的第二绝缘层、半导体层及第一绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。

12.一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：

(a)提供一基板，在上述基板上依序形成一第一导电层、一第一绝缘层及一半导体层；

(b)限定上述半导体层、上述第一绝缘层及上述第一导电层的图案，以形成一扫描线、一栅极垫与一栅极，上述栅极垫形成于上述扫描线的一端；

(c)在上述基板上依序形成一保护层与一第二导电层，并覆盖上述栅极垫与栅极；

(d)限定上述第二导电层及上述保护层的图案，在基板上形成一信号线，在上述栅极上形成一第一开口和一第二开口，在上述栅极垫上形成一第三开口；

(e)依序形成一掺杂硅层和一透明电极层在上述信号线、上述栅极和上述基板上，且上述掺杂硅层经由上述第一开口以及上述第二开口与上述半导体层接触；以及

(f)限定上述透明电极层、上述掺杂层以及上述第二导电层的图案，在上述栅极上方形成一漏极与一源极，上述漏极与上述源极之间限定为一信道使上述保护层暴露在上述信道中，上述透明电极层还形成一画素电极，且上述画素电极与上述漏极相连接。

13.如权利要求12所述的制造方法，还包括一步骤(g)限定蚀刻上述栅极垫的半导体层及第一绝缘层，以露出上述第一导电层。

14.如权利要求13中所述的制造方法，还包括以下步骤：

在步骤(a)中还形成一第二绝缘层；

在步骤(b)中限定上述第二绝缘层的图案；

在步骤(c)限定上述保护层图案时，使上述第二绝缘层暴露于上述第一、第二、与第三开口中；以及

在步骤(g)中，蚀刻上述栅极垫中的第二绝缘层、半导体层及第一绝缘层，使上述第一导电层暴露于上述第三开口中。

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