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CN112863986A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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CN112863986A
CN112863986A CN202011222029.6A CN202011222029A CN112863986A CN 112863986 A CN112863986 A CN 112863986A CN 202011222029 A CN202011222029 A CN 202011222029A CN 112863986 A CN112863986 A CN 112863986A
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plasma processing
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浅原玄德
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Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

本发明涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及等离子体处理装置。
背景技术
公知有向腔室内供给处理气体并自处理气体生成等离子体而对基板实施期望的处理的等离子体处理装置。在进行等离子体处理时，由于腔室内的构件的消耗、反应副产物的堆积，因此，稳定化之前需要时间。
在专利文献1公开有以下等离子体处理装置：真空处理容器具备侧壁构件、盖构件以及电介质制板，在侧壁构件的内表面和电介质制板的靠侧壁构件侧的面的外周部形成包含钇的覆膜。
专利文献1：日本特开2007-243020号公报
发明内容
发明要解决的问题
在一个方面中，本公开提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，根据一技术方案，提供等离子体处理装置，其具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。
发明的效果
根据一个方面，能够提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。
附图说明
图1是表示本实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。
图2是本实施方式的等离子体处理装置的局部放大图。
图3是参考例的等离子体处理装置的局部放大图。
图4是盖环的俯视图的一例。
图5是其他实施方式的等离子体处理装置的局部放大图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中，对相同结构部分标注相同附图标记，有时省略重复的说明。
使用图1对本实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是表示本实施方式的等离子体处理装置1的一例的截面示意图。在以下的说明中，等离子体处理装置1例如作为对形成于基板W的绝缘膜(SiO2膜、SiN膜)进行蚀刻的等离子体蚀刻装置而进行说明。
等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其中提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12呈大致圆筒形状。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上设有具有耐腐蚀性的膜。该膜也可以是氧化铝、氧化钇等陶瓷。
在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。基板W经由通路12p在内部空间10s和腔室10的外部之间输送。通路12p由沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。
在腔室主体12的底部上设有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13呈大致圆筒形状。支承部13在内部空间10s中自腔室主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有支承台14。支承台14构成为在内部空间10s中支承基板W。
支承台14具有下部电极18和静电卡盘20。支承台14还可以具有电极板16。电极板16由铝等导体形成，呈大致圆盘形状。下部电极18设于电极板16上。下部电极18由铝等导体形成，呈大致圆盘形状。下部电极18与电极板16电连接。
静电卡盘20设于下部电极18上。在静电卡盘20的上表面载置有基板W。静电卡盘20具有主体和电极。静电卡盘20的主体呈大致圆盘形状，由电介质形成。静电卡盘20的电极是膜状的电极，设于静电卡盘20的主体内。静电卡盘20的电极经由开关20s与直流电源20p连接。在对静电卡盘20的电极施加来自于直流电源20p的电压时，在静电卡盘20和基板W之间产生静电引力。利用该静电引力，基板W被保持于静电卡盘20。
在下部电极18的周缘部上以包围基板W的边缘的方式配置有边缘环25。边缘环25使针对基板W的等离子体处理的面内均匀性提高。边缘环25可以由硅、碳化硅或石英等形成。
此外，在边缘环25的外周侧以包围边缘环25的方式设有盖环26。盖环26例如由石英等绝缘体构成。盖环26保护支承部13的上表面和下部电极18的侧壁免于等离子体。盖环26构成为能够更换。
在下部电极18的内部设有流路18f。从设于腔室10的外部的冷却器单元(未图示)经由配管22a向流路18f供给热交换介质(例如制冷剂)。向流路18f供给的热交换介质经由配管22b返回至冷却器单元。在等离子体处理装置1，载置在静电卡盘20上的基板W的温度由热交换介质和下部电极18之间的热交换进行调整。
在等离子体处理装置1设有气体供给线24。气体供给线24将来自于传热气体供给机构的传热气体(例如He气体)向静电卡盘20的上表面和基板W的背面之间供给。
等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设于支承台14的上方。上部电极30借助构件32、33支承于腔室主体12的上部。构件32、33由具有绝缘性的材料形成。上部电极30和构件32、33关闭腔室主体12的上部开口。构件33以包围顶板34的方式设于顶板34的外周侧。构件33相对于内部空间10s暴露，例如由石英等绝缘体构成。构成为将构件32和构件33设为不同零部件，从而能够更换被等离子体消耗的构件33。
上部电极30可以包括顶板34和支承体36。顶板34的下表面是靠内部空间10s侧的下表面，划分形成内部空间10s。顶板34可以由产生的焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体形成。顶板34具有在其板厚方向上将其贯穿的多个气体喷出孔34a。
支承体36将顶板34支承为装卸自如。支承体36由铝等导电性材料形成。在支承体36的内部设有气体扩散室36a。支承体36具有自气体扩散室36a向下方延伸的多个气体孔36b。多个气体孔36b分别与多个气体喷出孔34a连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。气体供给管38与气体导入口36c连接。
阀组42、流量控制器组44以及气体源组40与气体供给管38连接。气体源组40、阀组42以及流量控制器组44构成气体供给部。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个开闭阀。流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器分别是质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别借助阀组42的对应的开闭阀和流量控制器组44的对应的流量控制器与气体供给管38连接。
在等离子体处理装置1，沿着腔室主体12的内壁面和支承部13的外周装卸自如地设有屏蔽件46。由此，屏蔽件46构成为能够更换。屏蔽件46防止反应副产物附着于腔室主体12。屏蔽件46是例如通过在由铝形成的母材的表面(内周面)形成具有耐腐蚀性的膜而构成的。具有耐腐蚀性的膜可以由耐酸铝、氧化钇等陶瓷形成。
在支承部13和腔室主体12的侧壁之间设有隔板48。隔板48是例如通过在由铝形成的母材的表面形成具有耐腐蚀性的膜(氧化钇等膜)而构成的。在隔板48形成有多个贯通孔。在隔板48的下方且腔室主体12的底部设有排气口12e。排气口12e经由排气管52与排气装置50连接。排气装置50包括压力调整阀和涡轮分子泵等真空泵。
等离子体处理装置1具备第1高频电源62和第2高频电源64。第1高频电源62是产生第1高频电力的电源。第1高频电力具有适于等离子体的生成的频率。第1高频电力的频率例如是27MHz～100MHz的范围内的频率。第1高频电源62经由匹配器66和电极板16与下部电极18连接。匹配器66具有用于使第1高频电源62的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的电路。另外，第1高频电源62也可以经由匹配器66与上部电极30连接。第1高频电源62构成一例的等离子体生成部。
第2高频电源64是产生第2高频电力的电源。第2高频电力具有比第1高频电力的频率低的频率。在与第1高频电力一同使用第2高频电力的情况下，第2高频电力作为用于向基板W引入离子的偏压用的高频电力而使用。第2高频电力的频率例如是400kHz～13.56MHz的范围内的频率。第2高频电源64经由匹配器68和电极板16与下部电极18连接。匹配器68具有用于使第2高频电源64的输出阻抗和负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的电路。
另外，也可以不使用第1高频电力而使用第2高频电力，即，仅使用单一的高频电力来生成等离子体。在该情况下，第2高频电力的频率也可以是比13.56MHz大的频率例如40MHz。等离子体处理装置1也可以不具备第1高频电源62和匹配器66。第2高频电源64构成一例的等离子体生成部。
在等离子体处理装置1，自气体供给部向内部空间10s供给气体，生成等离子体。此外，通过供给第1高频电力和/或第2高频电力，而在上部电极30和下部电极18之间生成高频电场。生成的高频电场生成等离子体。
等离子体处理装置1具备电源70。电源70与上部电极30连接。电源70对上部电极30施加用于将存在于内部空间10s内的正离子引入顶板34的电压。
等离子体处理装置1还可以具备控制部80。控制部80可以是具备处理器、存储器等存储部、输入装置、显示装置、信号的输入输出接口等的计算机。控制部80控制等离子体处理装置1的各部。为了操作员使用输入装置来管理等离子体处理装置1，在控制部80能够进行命令的输入操作等。此外，控制部80能够利用显示装置将等离子体处理装置1的运转状况可视化地显示。而且，在存储部存储有控制程序以及制程数据。为了在等离子体处理装置1中执行各种处理，由处理器执行控制程序。处理器执行控制程序，按照制程数据，控制等离子体处理装置1的各部。
对等离子体处理装置1的动作的一例进行说明。在基板W形成有作为被蚀刻膜的绝缘膜(SiO2膜、SiN膜等)。此外，在绝缘膜上形成有具有开口的掩模。
控制部80控制气体源组40、阀组42以及流量控制器组44，从气体孔36b向内部空间10s供给蚀刻气体和氩气。作为蚀刻气体，使用碳氟化合物、氢氟碳化合物等。碳氟化合物例如是CF4、C4F6、C4F8，氢氟碳化合物例如是CHF3、CH2F2。此外，控制部80控制第1高频电源62，对下部电极18施加用于生成等离子体的第1高频电力。此外，控制部80控制第2高频电源64，对下部电极18施加用于向基板W引入离子的第2高频电力。
由此，利用在内部空间10s生成的等离子体，隔着掩模对绝缘膜进行蚀刻。此外，由于在内部空间10s生成的等离子体，边缘环25、盖环26、构件33以及屏蔽件46等消耗。
此外，在对绝缘膜进行蚀刻时，产生反应副产物。作为反应副产物，例如生成碳氟化合物、烃等。反应副产物被排气装置50自内部空间10s排出。此外，反应副产物的一部分附着于边缘环25、盖环26、构件33以及屏蔽件46等。
接着，使用图2对本实施方式的等离子体处理装置1进行进一步说明。图2是本实施方式的等离子体处理装置1的局部放大图的一例。图2的(a)表示由于维护等刚更换盖环26之后的初始状态。图2的(b)表示经过一段时间后的盖环26消耗且反应副产物200附着的状态。
如图1和图2所示，基板W载置在支承台14之上，具体地说，载置在设于下部电极18上的静电卡盘20之上。使针对基板W的等离子体处理的面内均匀性提高的边缘环25以包围基板W的边缘的方式配置在下部电极18上。保护支承部13(参照图1)的上表面和下部电极18的侧壁免于等离子体的盖环26以在边缘环25的外周侧包围边缘环25的方式配置。
此外，在图2中，以虚线的框示意地表示等离子体生成的区域。在通过等离子体处理而基板W的绝缘膜被蚀刻时，产生反应副产物200。反应副产物200的一部分附着于盖环26等。在此，靠近等离子体生成区域的一侧的区域301是附着于盖环26的表面的反应副产物200的蚀刻速率比反应副产物200的沉积速率高的区域。在区域301内的盖环26的表面，附着的反应副产物200被等离子体蚀刻，维持盖环26的表面暴露的状态。此外，比区域301靠外侧的区域302是附着于盖环26的表面的反应副产物200的蚀刻速率比反应副产物200的沉积速率低的区域。如图2的(b)所示，在区域302内的盖环26的表面，盖环26的表面被附着的反应副产物200覆盖。
如图2的(a)所示，盖环26具有基部构件110和盖构件120。
基部构件110是圆环状的构件，由包含对工艺特性产生影响的元素具体地说氧元素(O)的材料(例如，SiO2)形成。在图2的(a)的例中，基部构件110具有：上表面111，其与等离子体生成区域相面对；倾斜面112，其相对于上表面111远离等离子体生成区域；以及外侧面113，其相对于倾斜面112远离等离子体生成区域。
盖构件120由不包含对工艺特性产生影响的元素具体地说氧元素(O)的材料形成。此外，盖构件120由与由等离子体处理装置1的工艺生成的反应副产物同样的材料形成。在此，在使用碳氟化合物系气体(CF4、C4F6、C4F8等)作为蚀刻气体、生成碳氟化合物作为反应副产物的工艺中，盖构件120由包含碳元素(C)和氟元素(F)的材料形成。另外，反应副产物和盖构件120只要由相同的元素构成即可，化合物也可以不必一致。在本实施方式中，作为盖构件120的材料，能够使用PTFE(聚四氟乙烯)、PCTFE(聚氯三氟乙烯)等氟树脂。
此外，优选的是，盖构件120采用与基部构件110(例如，SiO2)相比由等离子体导致的消耗量多的材料。换言之，优选的是，盖构件120采用与基部构件110相比耐等离子体性低的材料。
盖构件120形成为覆盖倾斜面112和外侧面113。另外，盖构件120也可以形成为覆盖上表面111的一部分，暴露一部分。此外，盖构件120也可以形成为覆盖倾斜面112的一部分，暴露一部分。
另外，也可以是，盖构件120作为零件形成，与基部构件110组装来形成盖环26。此外，盖构件120也可以将浆料状的氟树脂涂布于基部构件110并固化从而形成为涂布膜。此外，盖构件120的形成方法不限定于此。
在此，一边与参考例的等离子体处理装置进行对比，一边对本实施方式的等离子体处理装置1进行进一步说明。
图3是参考例的等离子体处理装置的局部放大图的一例。图3的(a)表示由于维护等刚更换盖环26C之后的初始状态。图3的(b)表示经过一段时间后的盖环26C消耗且反应副产物200附着的状态。
与本实施方式的等离子体处理装置1(参照图2)相比较，参考例的等离子体处理装置(参照图3)的盖环26C不同。其他结构相同，省略重复的说明。如图3的(a)所示，与盖环26相比较，盖环26C在未设置盖构件120这一点上不同。即，盖环26C是圆环状的构件，由包含氧(O)的材料(例如，SiO2)形成。在图3的(a)的例中，盖环26C具有：上表面111，其与等离子体生成区域相面对；倾斜面112，其相对于上表面111远离等离子体生成区域；以及外侧面113，其相对于倾斜面112远离等离子体生成区域。
在参考例的等离子体处理装置的初始状态下，如图3的(a)所示，上表面111、倾斜面112、外侧面113相对于内部空间10s暴露。因此，在对基板W施加蚀刻处理时，暴露于等离子体的盖环26C的上表面111和倾斜面112消耗，自盖环26C产生氧自由基(O＊)。换言之，在初始状态下，自区域301内的盖环26C的表面(上表面111)和区域302内的盖环26C的表面(倾斜面112)产生氧自由基(O＊)。在盖环26C消耗时产生的氧自由基(O＊)对基板W的蚀刻特性产生影响。
图3的(b)表示经过一段时间后的氧自由基(O＊)的产生量稳定的状态的一例。如图3的(b)所示，根据反应副产物200的蚀刻速率和反应副产物200的沉积速率之间的大小关系，分为两个区域301、302。
靠近等离子体生成区域的一侧的区域301是附着于盖环26C的表面的反应副产物200的蚀刻速率比反应副产物200的沉积速率高的区域。在区域301，盖环26C暴露，由于暴露于等离子体而产生氧自由基(O＊)。
比区域301靠外侧的区域302是附着于盖环26C的表面的反应副产物200的蚀刻速率比反应副产物200的沉积速率低的区域。在区域302，反应副产物200附着，盖环26C被覆盖。因此，抑制来自于区域302的氧自由基(O＊)的产生。此外，反应副产物200附着于区域302，盖环26C被覆盖，从而使来自于盖环26C的氧自由基(O＊)的产生量稳定化。
如此，在参考例的等离子体处理装置，对基板W的蚀刻特性产生影响的氧自由基(O＊)的产生量从初始状态(参照图3的(a))朝向经过一段时间后的稳定状态(参照图3的(b))变化(减少)。因此，在从初始状态至稳定状态的过程中，基板W的蚀刻特性变化。
与此相对，在本实施方式的等离子体处理装置1的初始状态下，如图2的(a)所示，基部构件110的上表面111相对于内部空间10s暴露，倾斜面112、外侧面113被盖构件120覆盖。因此，在对基板W实施蚀刻处理时，暴露于等离子体的基部构件110的上表面111消耗，自基部构件110产生氧自由基(O＊)。另一方面，基部构件110的倾斜面112、外侧面113被盖构件120覆盖。因此，抑制来自于倾斜面112、外侧面113的氧自由基(O＊)的产生。换言之，在初始状态下，自区域301内的盖环26的表面(上表面111)产生氧自由基(O＊)，抑制来自于区域302内的盖环26的表面(倾斜面112、外侧面113)的氧自由基(O＊)的产生。
而且，如图2的(b)所示，根据反应副产物200的蚀刻速率和反应副产物200的沉积速率之间的大小关系，分为两个区域301、302。
在蚀刻速率比沉积速率高的区域301，基部构件110暴露，由于暴露于等离子体而产生氧自由基(O＊)。
对于蚀刻速率比沉积速率低的区域302，反应副产物200附着于盖构件120的表面，基部构件110被盖构件120和/或反应副产物200覆盖。因此，抑制来自于区域302的氧自由基(O＊)的产生。此外，反应副产物200附着于区域302，盖环26被覆盖，从而使来自于盖环26的氧自由基(O＊)的产生量稳定化。
根据本实施方式，能够抑制初始状态的氧自由基(O＊)的产生量，而靠近稳定后的氧自由基(O＊)的产生量。此外，能够缩短直到氧自由基(O＊)的产生量成为稳定状态为止的时间。
另外，优选的是，在初始状态的盖环26，区域301内的基部构件110暴露，但也可以是，区域301内的基部构件110的至少一部分被盖构件120覆盖。区域301内的盖构件120被等离子体快速地消耗而使基部构件110暴露。因盖构件120消耗而暴露的基部构件110也由于暴露于等离子体而产生氧自由基(O＊)。此外，由于区域301内的盖构件120消耗，而使来自于盖环26的氧自由基(O＊)的产生量稳定化。
此外，蚀刻速率比沉积速率高的区域301和蚀刻速率比沉积速率低的区域302根据等离子体处理装置1的机械差异、工艺条件而不同。在本实施方式的等离子体处理装置1，由于区域301内的盖构件120快速地消耗，因此，能够缩短直到氧自由基(O＊)的产生量成为稳定状态为止的时间。
此外，盖构件120也可以形成在区域302以及区域301与区域302之间的交界附近的区域。换言之，在明确地成为区域301的范围内，不形成盖构件120，基部构件110暴露。此外，在明确地成为区域302的范围内，形成盖构件120。此外，在没有明确地成为区域301还是成为区域302的交界附近的范围内，形成盖构件120。由此，能够抑制从初始状态到稳定状态的氧自由基(O＊)的产生量的变化。此外，能够缩短直到氧自由基(O＊)的产生量成为稳定状态为止的时间。此外，不需要根据等离子体处理装置1的机械差异、工艺条件单独地变更形成盖构件120的位置，能够降低盖环26的制作成本。
此外，盖构件120使用具有与反应副产物200的元素相同的元素的材料，从而在盖构件120被等离子体消耗时，能够抑制对工艺特性产生的影响。此外，盖构件120由不包含氧元素(O)的材料形成，从而抑制对工艺特性产生的影响。
图4是盖环26的俯视图的一例。另外，在图4中，将被盖构件120覆盖的区域标注点的图案来图示。
盖环26具有：基部构件110，其在内周侧形成有上表面111，在外周侧形成有倾斜面112；以及盖构件120，其覆盖基部构件110的表面的一部分。
在此，在图1所示的等离子体处理装置1，在基板W的绝缘膜被蚀刻时产生的反应副产物被排气装置50自内部空间10s经由排气口12e排出。因此，反应副产物的沉积速率相对于盖环26的周向不对称，排气口12e侧的沉积速率较高。即，有时区域301(参照图2)和区域302(参照图2)相对于盖环26的周向不对称。在图4中，从盖环26的中心观察时，在左下侧设有排气口12e。如图4的(a)所示，被盖构件120覆盖的区域也可以偏心。此外，如图4的(b)所示，也可以使被盖构件120覆盖的面积在周向上各不同。根据这样的结构，与区域301、302的不均衡相对应地，通过改变形成盖构件120的范围，而能够抑制从初始状态到稳定状态的氧自由基(O＊)的产生量的变化。此外，能够缩短直到氧自由基(O＊)的产生量成为稳定状态为止的时间。
此外，在等离子体处理装置1，以利用盖构件120覆盖盖环26的基部构件110中的朝向内部空间10s暴露的表面的一部分的结构为例进行说明，但不限于此。图5是其他实施方式的等离子体处理装置1的局部放大图的一例。
如图5的(a)所示，对于配置在内部空间10s的上方的构件33，也可以利用盖构件140覆盖朝向内部空间10s暴露的表面的一部分。即，构件33具有基部构件130和盖构件140。
基部构件130是以包围顶板34的方式设置的圆环状的构件，由包含对工艺特性产生影响的元素具体地说氧元素(O)的材料(例如，SiO2)形成。
与盖构件120(参照图2)同样地，盖构件140由不包含对工艺特性产生影响的元素具体地说氧元素(O)的材料形成。此外，盖构件140由与由等离子体处理装置1的工艺生成的反应副产物同样的材料形成。此外，优选的是，盖构件140采用与基部构件130(例如，SiO2)相比由等离子体导致的消耗量多的材料。换言之，优选的是，盖构件140采用与基部构件130相比耐等离子体性低的材料。
盖构件140形成为覆盖基部构件130中的朝向内部空间10s暴露的表面的一部分。盖构件140例如形成在蚀刻速率比沉积速率低的区域(例如盖构件140的外周侧)。
此外，如图5的(b)所示，也可以利用盖构件161、162覆盖屏蔽件46的朝向内部空间10s暴露的表面的一部分。即，屏蔽件46具有基部构件150和盖构件161、162。
如前所述，屏蔽件46的基部构件150的内周面例如被耐酸铝层、氧化钇膜覆盖。耐酸铝层、氧化钇膜也暴露于等离子体，从而少量消耗，产生氧自由基(O＊)。
与盖构件120(参照图2)同样地，盖构件161、162由不包含对工艺特性产生影响的元素具体地说氧元素(O)的材料形成。此外，盖构件161、162由与由等离子体处理装置1的工艺生成的反应副产物同样的材料形成。此外，优选的是，盖构件161、162采用与基部构件150相比由等离子体导致的消耗量多的材料。换言之，优选的是，盖构件161、162采用与基部构件150相比耐等离子体性低的材料。
盖构件161、162形成为覆盖基部构件150中的朝向内部空间10s暴露的表面的一部分。盖构件161例如形成在等离子体难以到达从而蚀刻速率比沉积速率低的区域(例如基部构件150的上表面)。此外，盖构件162例如形成在自内部空间10s向排气口12e(参照图1)的流路上的沉积速率变高的区域(例如隔板48附近的基部构件150的侧壁)。
根据这样的结构，不仅有盖构件120，而且对于配置于内部空间10s的构件(构件33、屏蔽件46)，也能够抑制初始状态的氧自由基(O＊)的产生量，而靠近稳定后的氧自由基(O＊)的产生量。此外，能够缩短直到氧自由基(O＊)的产生量成为稳定状态为止的时间。
以上，对等离子体处理装置1的实施方式等进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式等，在权利要求所记载的本公开的主旨的范围内，能够进行各种变形、改良。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置具备：
载置台，其用于载置基板；
腔室，其收纳所述载置台；
气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；
等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；
消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及
控制部，
所述消耗构件具有：
基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及
盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，
所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料与所述基部构件的材料相比耐等离子体性低。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料包含与在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的元素相同的元素。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖构件的材料由包含碳元素和氟元素的材料形成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述消耗构件具有：
第1区域，其是在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率高的区域；以及
第2区域，其是所述反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率低的区域，
在所述第1区域，所述基部构件的至少一部分暴露。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
在所述第2区域，所述基部构件被所述盖构件覆盖。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
由所述等离子体进行的处理对形成在所述基板的含硅膜进行蚀刻。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述消耗构件的所述基部构件由SiO2形成，且所述消耗构件是设于所述基板的周围的圆环构件。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述消耗构件的所述基部构件由SiO2形成，且所述消耗构件是设于所述载置台的上方的圆环构件。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述消耗构件的所述基部构件被氧化膜覆盖，且所述消耗构件是配置于所述载置台的外周面和所述腔室的内周面的屏蔽件。
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