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CN111326560A - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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CN111326560A
CN111326560A CN202010130251.7A CN202010130251A CN111326560A CN 111326560 A CN111326560 A CN 111326560A CN 202010130251 A CN202010130251 A CN 202010130251A CN 111326560 A CN111326560 A CN 111326560A
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Abstract

一种显示基板和显示装置。该显示基板包括显示区域、第一连接走线以及第二连接走线。显示区域包括第一显示区域以及第二显示区域。第一显示区域包括第一子像素阵列，第一子像素阵列包括阵列排布的多个发光器件，多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件。第二显示区域包括第一像素电路阵列，第一像素电路阵列包括多个第一像素电路单元，多个第一像素电路单元包括第一像素电路和第二像素电路。第一连接走线连接第一像素电路和第一发光器件。第二连接走线连接第二像素电路和第二发光器件。第二连接走线沿第一方向延伸，第一连接走线沿第二方向延伸，第一方向和所述第二方向彼此交叉。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
目前，用于电子装置的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展，以使用户具有更好的视觉体验。以手机、平板电脑等电子产品为例，由于这些电子装置需要结合摄像头、光线传感器等部件，而这些部件通常占据显示屏的显示区，由此导致显示屏难以实现全屏化设计。为了显示屏中的摄像头所在区域的光透光率，保证摄像头的拍照效果，在摄像头所在区域仅保留像素电路的发光器件。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括显示区域、第一连接走线以及第二连接走线。所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，所述第一显示区域包括第一子像素阵列，所述第一子像素阵列包括阵列排布的多个发光器件，所述多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，所述第二显示区域包括第一像素电路阵列，所述第一像素电路阵列包括多个第一像素电路单元，所述多个第一像素电路单元包括第一像素电路和第二像素电路；第一连接走线连接所述第一像素电路和所述第一发光器件，其中，所述第一像素电路配置为通过所述第一连接走线以驱动所述第一发光器件；第二连接走线连接所述第二像素电路和所述第二发光器件，其中，所述第二像素电路配置为通过所述第二连接走线以驱动所述第二发光器件，其中，所述第二连接走线沿第一方向延伸，所述第一连接走线沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向彼此交叉。
例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括第一信号线和第二信号线，所述第一信号线包括第一主体部和第一绕线部，所述第一主体部沿所述第一方向延伸，所述第一绕线部的至少部分沿与所述第一方向交叉的方向延伸；所述第二信号线包括第二主体部，所述第二主体部沿所述第二方向延伸；所述第一信号线的第一绕线部和所述第二信号线的第二主体部与所述第一像素电路电连接，以分别用于给所述第一像素电路提供第一驱动信号和第二驱动信号；以及所述第一主体部的延长线和所述第二主体部的延长线相交于第一显示区域内。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一绕线部包括第一子绕线部、第二子绕线部以及第三子绕线部，所述第一子绕线部沿所述第二方向延伸，所述第二子绕线部沿所述第一方向延伸，所述第三子绕线部连接第一子绕线部以及所述第一主体部，其中，所述第一子绕线部通过跳线的方式与所述第二子绕线部以及所述第三子绕线部电连接，所述第二子绕线部与所述第一像素电路电连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，述第三子绕线部至少部分围绕所述第一显示区域，且与所述第一连接走线重叠。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一绕线部分至少部分与所述第一主体部位于不同的走线层。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第二信号线还包括第二绕线部，所述第二绕线部的至少部分沿与所述第二方向交叉的方向延伸。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第二绕线部分至少部分与所述第二主体部位于不同的走线层。
例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括第三信号线，所述第三信号线包括第三主体部和第三绕线部，所述第三主体部沿所述第一方向延伸，所述第三绕线部的至少部分沿与所述第一方向交叉的方向延伸；所述第三信号线的第三绕线部和所述第二信号线的第二绕线部与所述第二像素电路电连接，以分别用于给所述第二像素电路提供第三驱动信号和第二驱动信号。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第三绕线部包括第四子绕线部、第五子绕线部以及第六子绕线部，第四子绕线部沿第二方向延伸，第五子绕线部沿第一方向延伸，所述第六子绕线部连接第四子绕线部以及第三主体部，其中，所述第四子绕线部通过跳线的方式与第五子绕线部以及第六子绕线部电连接，第五子绕线部与第二像素电路电连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一信号线和所述第三信号线为数据线，所述第一驱动信号和所述第三驱动信号为数据信号，所述第二信号线为栅线，以及所述第二驱动信号为栅扫描信号。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一连接线和所述第二连接线为透明走线。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一信号线的第一绕线部以及所述第三信号线的第三绕线部在所述第二显示区域的第一像素电路阵列和所述第一显示区域的第一子像素阵列之间的边界处绕第一显示区域的边缘走线。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第二显示区还包括第二子像素阵列，所述第二子像素阵列包括多个第一像素单元，所述多个第一像素单元和所述多个第一像素电路单元交替布置。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述多个第一像素单元每个包括第三发光器件以及第三像素电路，所述第三像素电路与所述第三发光器件电连接以驱动所述第三发光器件。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述显示区域还包括第三显示区域，所述第三显示区域包括第三子像素阵列，所述第三子像素阵列包括多个第二像素单元，所述多个第二像素单元的每个包括第四发光器件以及第四像素电路，其中，所述第一信号线的第一主体部在所述第三显示区域中延伸，以与相对于所述第一发光器件位于所述第一方向上的所述第四像素电路电连接，以及所述第三信号线的第三主体部在所述第三显示区域延伸，以与相对于所述第二发光器件位于所述第一方向上的所述第四像素电路电连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第四像素电路与所述第四发光器件电连接以驱动所述第四发光器件。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一像素电路以及所述第二像素电路分别包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、层间绝缘层和源漏电极，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板；所述有源层设置在所述衬底基板上，所述第一栅绝缘层设置在所述有源层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅极和所述第一电容极板同层设置在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅绝缘层设置在所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧，所述第二电容极板设置在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述层间绝缘层设置在所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧，所述源漏电极设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，所述显示基板还包括第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧，以提供第一平坦化表面，所述第一平坦化层包括第一过孔，其中，所述第二信号线与所述栅极以及所述第一电容板同层设置，所述第一信号线以及所述第三信号线与所述源漏电极同层设置。
例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述第一连接线以及所述第二连接线分别包括透光走线层，所述透光走线层在所述第一平坦化表面上位于所述第一显示区域以及所述第二显示区域，所述透光走线层在所述第二显示区域中通过所述第一平坦化层的第一过孔与薄膜晶体管电连接，所述显示基板还包括第二平坦化层，所述第二平坦化层位于所述透光走线层远离衬底基板的一侧以提供第二平坦化表面，且包括位于所述第一显示区域的第二过孔，所述第一显示区域的第一发光器件以及第二发光器件在所述第二平坦化表面上且通过所述第二过孔与所述第一显示区域中的透光走线层电连接。
本公开至少一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上所述的任一显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A一种显示基板的平面示意图；
图1B为沿图1A中线I-I’的截面示意图；
图2为图1A中所示的显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图；
图3A本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图；
图3B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的局部放大示意图；
图4为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图；
图5为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的另一平面示意图；
图6A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中第一信号线以及第二信息线的走线排布的平面示意图；
图6B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中第一信号线以及第二信息线的走线排布的另一平面示意图；
图7为图3A中的显示基板沿A-A线的截面示意图；
图8A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的第一显示区域以及第二显示区域的平面示意图；
图8B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的第一显示区域中第一子像素阵列的平面示意图；
图8C为图8A所示的实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图；
图8D为图8A所示的实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的另一平面示意图；
图9为图4中的显示基板沿L1-L1线的截面示意图；
图10A为图6A中的显示基板沿L2-L2线的截面示意图；
图10B为图6A中的显示基板沿L2-L2线的另一截面示意图；
图11为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二显示区域的截面示意图；以及
图12为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第三显示区域的截面示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同。为了描述方便，在部分附图中，给出了“上”、“下”、“前”、“后”，本公开的实施例中，竖直方向为从上到下的方向，竖直方向为重力方向，水平方向为与竖直方向垂直的方向，从右到左的水平方向为从前到后的方向。
在一些实施方式中，可以将用于安装传感器(例如图像传感器、红外传感器、距离传感器)等部件的部分显示区设计为透光显示区，由此该透光显示区可以在实现显示功能的同时，为安装传感器等部件提供便利，从而在基本不影响透光显示区的显示功能的情形下，这些传感器能够通过透光显示区执行例如成像、红外感应、距离感应等功能，由此有助于实现具有全面屏的电子设备。
例如，图1A一种显示基板的平面示意图；图1B为沿图1A中线I-I’的截面示意图；图2为图1A中所示的显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图。
如图1A以及图2所示，该显示基板的显示区包括透光显示区1、周边显示区2以及主体显示区3。周边显示区2至少部分围绕透光显示区1，而主体显示区3至少部分围绕透光显示区1和周边显示区2。如图示，透光显示区1、周边显示区2以及主体显示区3整体上形成矩形的显示区域，以显示完整的(矩形)画面。
如图1B所示，该显示基板包括用于实现显示区域的显示结构层510和感测层520，相应地显示结构层510也包括透光显示区1和周边显示区2，感测层520设置在显示基板的非显示侧(即背离使用者一侧)。感测层520包括传感器521，传感器521与透光显示区1在显示基板的显示面的法线方向F1上至少部分重叠，且被配置为接收并处理穿过透光显示区1的光信号。
例如，主体显示区3为主要的显示区域(或称为常规显示区域)，相对于透光显示区1和周边显示区2，具有更高的分辨率(PPI，Pixel Per Inch)，即主体显示区3内排布有密度更高的用于显示的多个子像素。主体显示区3中，每个子像素包括发光器件以及驱动发光器件的像素电路。
例如，透光显示区1和周边显示区2也包括多个子像素，以用于进行显示操作，例如透光显示区1和周边显示区2具有相同的分辨率。
透光显示区1可以允许从显示基板的显示侧射入的光透过显示基板而到达显示基板的背侧，从而用于位于显示基板背侧的传感器521等部件的正常工作。但是，由于子像素的像素电路通常不透光，为了提高透光显示区1的透光性，将透光显示区1的子像素的发光器件与驱动该发光器件的像素电路从物理位置上分离。
如图2所示，透光显示区1的子像素包括位于透光显示区1的发光器件11’以及位于周边显示区2的像素电路D0。透光显示区1的子像素的发光器件11’(例如图2中透光显示区1内的灰色方框所示)仍然保留在透光显示区1中的预定位置从而实现透光显示区1的显示功能，但是与发光器件11’连接且用于驱动发光器件11’的像素电路D0被从透光显示区1中移出以设置在周边显示区2中，如周边显示区2中的白色方框所示。因此，这些像素电路D0占据了周边显示区2的部分空间，而周边显示区2的剩余空间用于设置周边显示区2本身的子像素P0(例如图2中周边显示区2内的灰色方框所示)，即在周边显示区2中实现显示功能的子像素。
例如，周边显示区2的子像素P0(图2中的灰色方框)以及透光显示区1中的子像素的像素电路D0(图2中的白色方框)在周边显示区2中排布为阵列，如上所述，二者具有相同的分辨率。例如，可以将透光显示区1和周边显示区2的分辨率设置得低于主体显示区3的分辨率，即透光显示区1和周边显示区2内排布的用于显示的子像素的密度小于主体显示区3的子像素密度。
例如，如图2所示，透光显示区1中子像素的发光器件11’通过连接走线15’与位于同行的在周边显示区2中的像素电路D0电连接，连接走线15’沿X方向，即行方向排布。例如，连接走线15’至少部分为透明走线，以提高透光显示区1的透光率，连接走线15’的制备材料可以包括ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明导电材料。连接走线15’可以跨过周边显示区2中的子像素P0以电连接位于透光显示区1的子像素的发光器件11’以及位于周边显示区2的用于驱动该发光器件11’的像素电路D0。
进一步地，如图2所示，用于驱动透光显示区1中每个子像素的像素电路D0的数据线D1以及数据线D2可以在周边显示区2的靠近透光显示区1的边界处绕线排布，从而与从透光显示区1中移出并位于周边显示区2的像素电路D0电连接以提供显示所需要的数据信号。图2中与数据信号线D1以及数据信号线D2平行的虚线的箭头所指的方向，表示数据信号在数据信号线D1以及数据信号线D2中的走向。这样，在显示区(这里包括主体显示区3、周边显示区2和/或透光显示区1)中位于同一列的子像素的像素电路可以电连接同一数据线，由此位于同一列的子像素的子像素可以由相同的数据线驱动，并且无需更改或增加数据驱动电路。在图2中，在左侧的数据线D1通过绕线电连接透光显示区1中左侧第一列子像素的像素电路，在右侧的数据线D2通过绕线电连接透光显示区1中左侧第二列子像素的像素电路。
在上述情况中，当透光显示区1中位于同一行中的多个发光器件11’的多条连接走线15’都并列地沿X方向排布时，由于每个子像素P0在与X方向垂直的Y方向上的尺寸(即图中子像素P0的高度)限制，在同一行中连接走线15’的排布数量有限，在该情况下，导致在同一行中能够布置的子像素的数量有限。如果透光显示区较大从而一行中有较多子像素的情况下，限于同一行中能够设置的用于子像素的连接走线15’的数量，上述布局可能无法满足大尺寸摄像头的需求。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括显示区域、第一连接走线以及第二连接走线。显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕第一显示区域的第二显示区域。第一显示区域包括第一子像素阵列，第一子像素阵列包括阵列排布的多个发光器件，多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件。第二显示区域包括第一像素电路阵列，第一像素电路阵列包括多个第一像素电路单元，多个第一像素电路单元包括第一像素电路和第二像素电路。第一连接走线连接第一像素电路和第一发光器件，第一像素电路配置为通过第一连接走线以驱动第一发光器件。第二连接走线连接第二像素电路和第二发光器件，第二像素电路配置为通过第二连接走线以驱动第二发光器件。第二连接走线沿第一方向延伸，第一连接走线沿第二方向延伸，第一方向和所述第二方向彼此交叉。
上述实施例提供的显示基板中，通过沿第一方向的第一连接走线以及沿第二方向的第二连接走线分别将第一像素电路和第一发光器件连接，以及将第二像素电路和第二发光器件连接，从而可以实现同时在第一方向以及第二方向上驱动第一显示区域的多个发光器件，进而使得第一显示区域的发光器件的数量得以增加，而不再受限于子像素在某个方向上尺寸，所以可以满足大尺寸摄像头的需求。
下面结合附图对本公开的实施例及其示例进行详细说明。
例如，图3A本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图；图3B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的局部放大示意图。
如图3A以及图3B所示，根据本发明实施例的显示基板包括显示区域以及围绕该显示区域的周边区域40，该显示区域包括第一显示区域10以及第二显示区域20。第一显示区域10和第二显示区域20彼此并排设置且彼此不重叠，第二显示区域20例如部分围绕第一显示区域10。在图3B中，第一显示区域10由虚线圆框标识，第二显示区域20由虚线方框标识。
例如，第一显示区域10为透光显示区，即允许来自显示基板的显示侧的入射光透射通过该区域以到达显示基板的非显示侧，如后面参考图7所要描述的，在显示基板的非显示侧还可以设置传感器以接收该透射光，从而实现相应的功能(例如成像、红外感测、距离感测等)。该传感器设置在显示基板的非显示侧，与第一显示区域10在显示基板的显示面的法线方向上至少部分重叠，且被配置为接收并处理穿过第一显示区域10的光信号。
如图3B所示，该第一显示区域10包括第一子像素阵列(如图3B中虚线圆框中的白色方框组成)，第一子像素阵列包括阵列排布的多个发光器件11(虚线圆框中的白色方框)。第二显示区域20包括第一像素电路阵列(如图3B中虚线方框中的灰色方框组成)，第一像素电路阵列包括多个第一像素电路单元D(虚线方框中的灰色方框)，用于一一对应地分别驱动第一显示区域10中的多个发光器件11。也即，用于第一显示区域10中的第一子像素阵列的像素电路D设置在第二显示区域20中，每个子像素单元的像素电路和发光器件在位置上彼此分离。来自显示侧的入射光可以通过相邻发光器件之间的空白区域透射，以保证第一显示区域10的透光性。
例如，第二显示区域20还包括排列为阵列的多个第一像素单元P，每个第一像素单元P包括彼此直接连接的第三发光器件以及第三像素电路，该第三发光器件以及第三像素电路位于同一像素区域中，在位置上没有彼此分离。例如，第二显示区域20中的第一像素单元P的阵列和像素电路D的阵列例如彼此交错，从而相邻的第一像素单元P之间设置有像素电路D，而相邻的像素电路D之间设置有第一像素单元P。
又例如，第二显示区域20中的第一像素单元P的阵列和第一显示区域10的多个发光器件11的阵列彼此对齐，由此构成一个新的(完整的)包括多行和多列的阵列，使得第一显示区域10和第二显示区域20具有相同的分辨率。
例如，如图4所示，第一显示区域10中的多个发光器件11包括第一发光器件114以及第二发光器件115。相应地，第二显示区域20中的多个第一像素电路单元D包括第一像素电路D10以及第二像素电路D20，分别用于接收驱动信号以驱动第一发光器件114以及第二发光器件115发光。
在图4所示出的情形中，第一像素电路D10在第二显示区域20中且位于第一显示区域10的左侧，第二像素电路D20在第二显示区域20中且位于第一显示区域10的上侧。第一发光器件114与第一像素电路D10位于同一行，第一发光器件114与第一像素电路D10在第二方向X1上对应连接，由此在功能上构成第一显示区域10中的一个子像素。第二发光器件115与第二像素电路D20位于同一列，第二发光器件115与二像素电路D20在第一方向Y1上对应连接，由此在功能上构成第一显示区域10中的一个子像素。
例如，第一发光器件114和第二发光器件115在第一显示区域10中位于同一行，第一像素电路D10以及第二像素电路D20在第二显示区域20中位于不同行，由此在第一显示区10中位于同一行中的不同子像素的像素电路无需再设置在第二显示区20中的同一行中。
例如，如图4所示，显示基板还包括多条连接走线15，多条连接走线15包括第一连接走线151以及第二连接走线152。第一连接走线151沿第二方向X1延伸，第二连接走线152沿第一方向Y1延伸。第一连接走线151以及第二连接走线152位于第一显示区域10以及第二显示区域20，即延伸通过第一显示区域10以及第二显示区域20。
如图4所示，第一连接走线151电连接第一像素电路D10与第一发光器件114，第一像素电路D10配置为通过第一连接走线151以驱动第一发光器件114发光。第二连接走线152电连接第二像素电路D20与第一发光器件114，第二像素电路D20配置为通过第二连接走线152以驱动第二发光器件115发光。
例如，在一些实施例中，第二方向X1与第一方向Y1彼此交叉，如图4中，第二方向X1例如为水平方向(行方向)，第一方向Y1例如为竖直方向(列方向)，第二方向X1与第一方向Y1垂直。需要说明的是，第二方向X1与第一方向Y1也可以是相互交叉而不垂直，图4中所示的实施例仅作为一种示例，本公开实施例不限于此。
上述实施例提供的显示基板中，多个像素电路D可以通过第一连接走线151以及第二连接走线152从两个不同方向(例如，第二方向X1以及第一方向Y1)驱动第一显示区域10中位于同一行的多个发光器件11(例如，位于同一行的第一发光器件114以及第二发光器件115)，从而可以使得第一显示区域10中位于同一行的发光器件11的数量增加，可以满足大尺寸摄像头的需求。
例如，多条连接走线15中的第一连接走线151以及第二连接走线152至少部分(例如至少在第一显示区10的部分)为透明走线，由此，第一连接走线151以及第二连接走线152具有较高的透光性，可以保证第一显示区域10具有较高的透光性。
例如，第一连接走线151以及第二连接走线152的材料可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明金属氧化物，金属走线层的材料可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)或钛(Ti)等金属材料或其合金材料。
例如，通过使得连接走线15每根整体由透明导电材料制成。又例如，为降低连接走线15的电阻以及提升连接走线15上信号的传输速度，每根连接走线可以包括彼此电连接的位于第一显示区域10的第一部分和位于第二显示区域20的第二部分，第一部分包括由透明导电材料制成的第一透光走线层，第二部分包括由金属材料制成的金属走线层。
例如，如图3A以及3B所示，本实施例的显示基板的显示区域还包括第三显示区域30(显示基板的常规显示区域)。例如，第三显示区域30位于第一显示区域1的下方，并至少部分围绕第二显示区域20设置。第三显示区域30包括第三子像素阵列(图3B中围绕在虚线方框之外的白色方框组成)，第三子像素阵列包括多个第二像素单元C(围绕在虚线方框之外的白色方框)。多个第二像素单元C用于显示基板主体部分的正常显示。每个像素单元C包括直接连接的第四像素电路和第四发光器件，该第四发光器件以及第四像素电路位于同一像素区域中，在位置上没有彼此分离。
例如，如图3B所示，多个第二像素单元C的阵列排布的密度要大于在第二显示区域20中多个第一像素单元P的阵列排布的密度，也大于在第一显示区域10中多个发光器件11的阵列排布的密度，使得第三显示区域30的显示分辨率要高于第二显示区域20以及第一显示区域10的显示分辨率。
例如，如图3B所示，第一显示区域10中的发光器件11的阵列排布的密度与第二显示区域中的第一像素单元P的阵列排布的密度相同，而在第二显示区域20中的第一像素单元P的阵列排布之后的间隙中交替布置了第一像素电路阵列，用于与发光器件11的阵列在第一方向Y1以及第二方向X1上分别电连接以驱动发光器件11发光。
例如，在本公开的一些实施例中，如图5所示，显示基板还包括第一信号线161以及第二信号线171。
例如，如图5所示，第一信号线161包括第一主体部162以及第一绕线部163。第一主体部162沿第一方向Y1延伸，第一主体部162位于第一显示区域10的下方，并位于第三显示区域30中，以与多个第二像素单元C连接并提供第一驱动信号。第一绕线部163在第一显示区域10的靠近第二显示区域20的边缘走线，并在第二显示区域20中绕线，从而不穿过第一显示区域10。需要说明的是，图5中第一信号线161的箭头用于表示第一信号线161所提供的第一驱动信号的走向。
例如，如图5所示，第一绕线部163的至少部分沿与第一方向Y1交叉的方向延伸，换言之，第一绕线部163偏离第一主体部162的沿第一方向Y1的虚拟延长线走线。第一绕线部163在第一显示区域10的靠近第二显示区域20的边缘以及第二显示区域20中弯折走线，第一绕线部163的部分沿第一方向Y1延伸，第一绕线部163的另一部分沿第二方向X1(与第一方向Y1交叉)延伸，以保证第一显示区域10的透光性。
例如，如图5所示，第二信号线171包括第二主体部172，第二主体部172位于第二显示区域20(或者还进一步位于第三显示区域30中)并沿第二方向X1延伸。
例如，如图5所示，第一信号线161的第一绕线部163与第二信号线171的第二主体部172与第一像素电路D10电连接，以分别用于给第一像素电路D10提供第一驱动信号和第二驱动信号，以用于驱动第一发光器件114的发光。第一主体部162的延长线和第二主体部172的延长线相交于第一显示区域10中对应于第一发光器件114的位置，从而对于第一显示区域10中的第一发光器件114对应的子像素而言，其对应的(虚拟)第一信号线和(虚拟)第二信号线的排列方式，与第二显示区域20的子像素对应的第一信号线和第二信号线的排列方式相一致，也与第三显示区域30中的子像素对应的第一信号线和第二信号线的排列方式相一致，因此该方式可以减少布线空间，并保证第一显示区域10的透光性。
例如，在上述实施例中，第一信号线161为数据线，第一驱动信号为数据信号，第二信号线171为栅线，第二驱动信号为栅扫描信号，从而第一像素电路D10在接收第一信号线161提供的数据信号以及第二信号线171提供的栅扫描信号之后，产生发光驱动电流，通过第一连接线151将该发光驱动电流提供到第一发光器件114，以驱动第一发光元件114的发光，进而实现子像素的显示功能。
例如，在一些实施例中，如图5所示，第一绕线部163包括第一子绕线部1631、第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633。第一子绕线部1631沿第二方向X1延伸，第二子绕线部1632沿第一方向Y1延伸，第三子绕线1633连接第一子绕线部1631以及第一主体部162。第三子绕线部1633靠近第一主体部162的部分在第一显示区域10与第二显示区域20的边缘绕线，不经过第一显示区域10，从而不会对第一显示区10的透光性能造成不利影响，第三子绕线部1633在第二显示区域20经过第一像素单元P，该第一像素单元P与第一发光器件114位于同一列，使得第一显示区域10的第一发光器件114以及该第一像素单元P的数据信号由同一条数据信号线(第一信号线161)提供。第一子绕线部1631通过跳线的方式与第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633电连接，即，第一子绕线部1631可以与第一绕线部163的其它部分设置在不同层中。当第一信号线161的设置密度较大时，采用跳线设计可以缩减第一信号线的排布空间，从而更有利于走线的设置。第二子绕线部1632与第一像素电路D10电连接，以提供第一驱动信号(数据信号)。
例如，第一子绕线部1631可以在第二显示区域20的上方的边缘(例如显示区域外的周边区域40中)走线，也可以在第二显示区域20中的第一像素单元P的行之间或第一像素电路单元D的行之间，或者在第一像素单元P和第一像素电路单元D走线，本公开实施例不以此为限。
例如，在一些实施例中，如图5所示，第三子绕线部1633在第一显示区域10的靠近第二显示区域20的边缘围绕第一显示区域10，例如，在第二显示区域20中接近第一显示区域10的第一像素单元P之间或第一像素电路单元D更接近第一显示区域10，也即在第二显示区域20中接近第一显示区域10的第一像素单元P之间或第一像素电路单元D与第一显示区域10之间，并且，在第一显示区域10与第二显示区域之间第三子绕线部1633与第一连接走线151交叉，由此可以缩减第一信号线的排布空间，第三子绕线部1633的走线并避开第一显示区域10以保证第一显示区域10的透光性。
例如，显示基板包括衬底基板，上述像素电路单元D、发光器件11、连接走线15、第一信号线161、第二信号线171等形成在衬底基板上，例如，通过半导体制备工艺以叠层结构的形式形成在衬底基板上。例如，在该叠层结构中，第一绕线部163至少部分与第一主体部162位于不同的走线层，以增加第一信号线的排布空间，从而可以在不同方向上走线。
例如，如图5所示，在第一显示区域10的左侧第一列的发光器件114、在第二显示区域20中与第一显示区域10的左侧第一列的发光器件114位于同一列的第一像素单元P(以及第一像素电路单元D)、以及在第二显示区域20的左侧第一列中用于驱动上述第一发光器件114的第一像素电路D10，都与第一绕线部163电连接，由此即使在设置了第一显示区域10的情况下，整个显示区域中位于同一列的发光器件可以仍由相同的第一信号线161驱动。
例如，在一些实施例中，第二信号线还包括第二绕线部，第二绕线部的至少部分沿与第二方向交叉的方向延伸。如图5所示，第二信号线171还包括第二绕线部173，第二绕线部173靠近第二主体部172的部分经过第一像素电路D10沿第一方向Y1延伸，第二绕线部173发生弯折之后，再沿第二方向X1延伸。例如，第二绕线部173的至少部分沿与第二方向X1交叉的方向延伸，换言之，第二绕线部173偏离第二主体部172的沿第二方向X1的虚拟延长线走线。
例如，第二绕线部173与第二主体部172电连接，使得第二绕线部173与第二主体部172提供相同的栅扫描信号。
例如，由于第二绕线部173至少部分沿第一方向Y1延伸，为了避免与其他沿第二方向X1延伸的第二信号线相交而短路，在衬底基板的叠层结构中，第二绕线部173至少部分与第二主体部172位于不同的走线层，以增加排布空间。例如，第二绕线部173的沿第一方向Y1延伸的部分与第二主体部172可以位于不同的走线层，第二绕线部173与第二主体部172的走线换层关系将在图9中详细介绍。
例如，在一些实施例中，如图4以及图5所示，显示基板还包括第三信号线181。第三信号线181包括第三主体部182和第三绕线部183。第三主体部182沿第一方向Y1延伸，第三主体部182位于第一显示区域10的下方，并位于第三显示区域30中，以与多个第二像素单元C连接并提供第三驱动信号。例如，第三绕线部183在第一显示区域10的靠近第二显示区域20的边缘走线并在第二显示区域20中绕线。需要说明的是，图4以及图5中第三信号线181的箭头用于表示第三信号线181所提供的第三驱动信号的走向。
例如，如图5所示，第三绕线部183的至少部分沿与第一方向Y1交叉的方向延伸，换言之，第三绕线部183偏离第三主体部182的沿第一方向的虚拟延长线走线。第三绕线部183在第一显示区域10的靠近第二显示区域20的边缘以及第二显示区域20中弯折走线，第三绕线部183的一部分沿第一方向Y1延伸，第三绕线部183的另一部分沿第二方向X1(与第一方向Y1交叉)延伸，以保证第一显示区域10的透光性。
例如，如图5所示，第三信号线181的第三绕线部183与第二信号线171的第二绕线部173与第二素电路D20电连接，以分别用于给第二像素电路D20提供第三驱动信号和第二驱动信号，由此第二像素电路D20根据第三驱动信号和第二驱动信号产生驱动电流，以驱动在第一显示区域10中的第二发光器件115发光。
例如，在第一显示区域10中，第一发光器件114对应的第一像素电路D10与第二信号线171的第二主体部172电连接，第二发光器件115对应的第二像素电路D20与第二信号线171的第二绕线部173电连接，由此，第一发光器件114以及第二发光器件115都由第二信号线171提供第二驱动信号。例如，与第一显示区域10中位于同一行的第一发光器件114和第二发光器件115对应的第一像素电路D10和第二像素电路D20，虽然在第二显示区域20中分别位于第一显示区域10的左侧和上侧，但是仍然通过同一第二信号线171驱动，由此无需修改栅极驱动电路等设计。
例如，第一信号线161和第三信号线181均为数据线，第一驱动信号和第三驱动信号均为数据信号。
例如，如图5所示，第三绕线部183包括第四子绕线部1831、第五子绕线部1832以及第六子绕线部1833。第四子绕线部1831沿第二方向X1延伸，第五子绕线部1832沿第一方向Y1延伸，第六子绕线1833连接第四子绕线部1831以及第三主体部182。第六子绕线部1833靠近第三主体部182的部分在第一显示区域10与第二显示区域20的边缘绕线，不经过第一显示区域10，从而不会对第一显示区域10的透光性能造成不利影响。第六子绕线部1833在第二显示区域20经过第一像素单元P，该第一像素单元P与第二发光器件115位于同一列，使得第一显示区域10的第二发光器件115以及该第一像素单元P的数据信号由同一条数据信号线(第一信号线181)提供。
例如，第四子绕线部1831通过跳线的方式与第五子绕线部1832以及第六子绕线部1833电连接，即，第四子绕线部1831可以与第三绕线部183的其它部分设置在不同层中。当第三信号线181的设置密度较大时，采用跳线设计可以增加第一信号线的排布空间，从而更有利于走线的设置。第五子绕线部1832与第二像素电路D20电连接，以提供第三驱动信号(数据信号)。
例如，第四子绕线部1831可以在第二显示区域20的上方的边缘(例如显示区域外的周边区域40中)走线，也可以在第二显示区域20中的第一像素单元P的行之间以及第一像素电路单元D的行之间走线，或者在第一像素单元P和第一像素电路单元D走线，本公开实施例不以此为限。
例如，第三信号线181的走线方式以及其与其他膜层的关系，可以与第一信号线161相同。
虽然在图3A所示出的示例中，第一显示区域10为圆形，但是本公开的实施例对于第一显示区域10的形状不作限制，例如，第一显示区域10还可以为矩形、椭圆形、圆角矩形(跑道形)等；并且，本公开的实施例对于第一显示区域10的数量也不作限制，例如，显示基板可以包括被第二显示区域20至少部分围绕的两个第一显示区域10。
例如，在一些实施例中，如图6A所示，当第一显示区域10为矩形时，第一信号线161的第一绕线部163以及第三信号线181的第三绕线部183在第二显示区域20的第一像素电路阵列和第一显示区域10的第一子像素阵列之间的边界处绕第一显示区域10的边缘弯折走线，以提高第一显示区域的透光率，并增加布线空间。需要说明的是，图6A中的箭头用于表示数据线(例如，第一信号线161以及第三信号线181)提供的数据信号的走向。
例如，在另一实施例中，如图6B所示，当第一显示区域10为椭圆形或圆形时，第一信号线161的第一绕线部163以及第三信号线181的第三绕线部183在第二显示区域20的第一像素电路阵列和第一显示区域10的第一子像素阵列之间的边界处绕第一显示区域10的边缘采用圆形绕线的方式走线。即，第一绕线部163以及第三绕线部183在第二显示区域20以及第一显示区域10的边界处呈台阶形，以提高第一显示区域10的透光率，并增加布线空间。需要说明的是，图6B中的箭头用于表示数据线(例如，第一信号线161以及第三信号线181)提供的数据信号的走向。
例如，在一些实施例中，如图5、图6A以及图6B所示，第一信号线161的第一主体部162在第三显示区域30中延伸，以与相对于第一发光器件114位于第一方向Y1上(同一列)的第二像素单元C电连接以提供第一驱动信号，以及第三信号线181的第三主体部182在第三显示区域30延伸，以与相对于第二发光器件115位于第一方向Y1上(同一列)的第二像素单元C电连接以提供第三驱动信号。所以，与第一发光器件114位于同一列的第二像素单元C由同一条第一信号线提供数据信号，与第二发光器件115位于同一列的第二像素单元C由同一条第三信号线提供数据信号，而该第一发光器件114和第二发光器件115可以进一步位于同一行中。
需要说明的是，向与第一发光器件114电连接的第一像素电路D10提供数据信号的数据线为上述实施例中的第一信号线161，向与第二发光器件115电连接的第一像素电路D20提供数据信号的数据线为上述实施例中的第三信号线181。第一信号线161以及第三信号线181可以为多条，图5、图6A以及图6B仅示例性的示出了其中一部分。
例如，如图4、图5、图6A以及图6B所示灰色方框(发光器件11以及第一像素单元P)所占据的区域对应于显示区域中的一个像素点，在显示的过程中基于驱动信号发光；另一方面，白色方框(第一像素电路单元D)，则提供来分别驱动第一显示区域10中的多个发光器件11，由此以提供功能上的多个子像素。
例如，图7为图3A中的显示基板沿A-A线的截面示意图，以示意性地示出了第一像素电路D10、第一连接走线151以及第一发光器件114的结构和连接关系。第二像素电路D20、第二连接走线152以及第二发光器件115具有类似的结构和连接关系，因此不再重复。
如图7所示，第一像素电路D10包括薄膜晶体管12和存储电容13。薄膜晶体管12包括有源层121、栅极122、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和源漏电极(源极123以及漏极124)。存储电容13包括第一电容极板131和第二电容极板132。有源层121设置在衬底基板14上，第一栅绝缘层141设置在有源层121的远离衬底基板100的一侧，栅极122和第一电容极板131同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，第二栅绝缘层142设置在栅极122和第一电容极板的远离衬底基板14的一侧。第二电容极板132设置在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧，层间绝缘层143设置在第二电容极板132的远离衬底基板14的一侧。源极123以及漏极124设置在层间绝缘层143远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142以及层间绝缘层143中的过孔与有源层121电连接。
例如，如图7所示，显示基板还包括第一平坦化层144，第一平坦化层144设置在源漏电极(源极123以及漏极124)的远离衬底基板14的一侧，以提供第一平坦化表面，所述第一平坦化层包括第一过孔144A。第二信号线171与栅极122以及第一电容板131同层设置。即，第二信号线171与栅极122以及第一电容板131可以采用相同的材料制备并在同一构图工艺中形成。第一信号线161以及第三信号线181与源漏电极(源极123以及漏极124)同层设置。即第一信号线161以及第三信号线181与源漏电极(源极123以及漏极124)可以采用相同的材料制备并在同一构图工艺中形成。
需要注意的是，在本公开的实施例中，“同层设置”包括两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。一次构图工艺例如包括光刻胶的形成、曝光、显影、刻蚀等工序。
例如，如图7所示，第一连接线151(或者第二连接线152)位于透光走线层153中，第一连接线151在第一平坦化表面上位于第一显示区域10以及第二显示区域20。第一连接线151包括位于第一显示区域10中的第一部分151A以及位于第二显示区域20中的第二部分151B。第一连接线151的第二部分151B在第二显示区域20中通过第一平坦化层144的第一过孔144A与薄膜晶体管12的漏极124(或源极123)电连接。
例如，显示基板还包括第二平坦化层145，第二平坦化层145位于第一连接线151远离衬底基板14的一侧以提供第二平坦化表面，且包括位于第一显示区域10的第二过孔145A。第一显示区域10的第一发光器件114(或第二发光器件115)在第二平坦化表面上且通过第二过孔145A与第一显示区域10中的第一连接线151的第一部分151A电连接。
例如，如图7所示，第一发光器件114(或第二发光器件115)包括第一电极结构111、第二电极结构113以及在第一电极结构111与第二电极结构113之间的第一发光层112。第一电极结构111为第一发光器件114的第一阳极结构，第二电极结构113为第一发光器件114的第一阴极结构。当第一阳极结构和第一阴极结构之间具有电压差时，第一阳极结构和第一阴极结构之间的第一发光层112即可发光。例如，第一发光层112在第一阳极结构上的正投影位于第一阳极结构内部，并且第一发光层112在第一阴极结构上的正投影位于第一阴极结构内部，由此第一阳极结构和第一阴极结构可以充分驱动第一发光层112发光。
例如，在一些实施例中，第一阴极结构可以为显示基板上整面形成的结构，第一阴极结构例如可以为金属材料，例如包括锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等或它们的任一合金。由于第一阴极结构可以形成为很薄的一层，因此第二电极结构113具有良好的透光性。
例如，如图7所示，第一电极结构111的通过第二平坦化层145的第二过孔145A与第一显示区域10中的第一连接线151的第一部分151A电连接。第一阳极结构可以包括多层叠层结构。例如，第一电极结构111包括第一电极子层111A、与第一电极子层111A叠层的第二电极子层111B以及第三电极子层111C，由此第一阳极结构具有三层叠层结构。当然，在本公开的其他实施例中，第一阳极结构也可以为单层结构、双层结构等，本公开的实施例对第一阳极结构的具体形式不做限定。
例如，第一电极子层111A、第二电极子层111B和第三电极子层111C均为面电极，第一电极子层111A、第二电极子层111B和第三电极子层111C的平面形状和大小基本相同(即第一电极子层111A、第二电极子层111B和第三电极子层111C在衬底基板14上的正投影形状和大小基本相同)，并且任意相邻的两个电极子层之间直接且完全接触。此时，第一发光层112在第一阳极结构中任一一个电极子层上的正投影均位于该电极子层内部。
例如，在一些实施例中，第一电极子层111A的材料可以包括氧化铟锡(ITO)，第二电极子层111B的材料可以包括银(Ag)或银合金，第三电极子层111C的材料可以包括氧化铟锡(ITO)。由此，第一阳极结构具有ITO/Ag/ITO三层叠层结构。
例如，在其他实施例中，第一电极子层111A可以与第一连接线151的第一部分151A同层设置且电连接，例如一体连接，即第一电极子层111A与第一连接线151的第一部分151A同层设置且直接接触，从而形成一体结构。
例如，在一些实施例中，图8A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的第一显示区域以及第二显示区域的平面示意图；图8B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的第一显示区域中第一子像素阵列的平面示意图。
如图8A以及图8B示出了第一显示区域10的第一子像素阵列的排列的图案，以及第二显示区域20的第二子像素阵列的排列的图案。每四个子像素构成一个重复单元，即构成一个像素。每个子像素包括相应的像素电路和发光器件，每个子像素具有不同的平面形状，相应地，每个子像素的发光器件的阳极结构也具有不同的平面形状，对应相同、或者不同颜色的发光器件，例如一个重复单元可以包括GGRB四个子像素。图8A以及图8B示出的布局与图4等的布局不同之处在于，以像素为单位进行重复以得到阵列。
本公开的实施例对于显示区域中的阵列形式不作限制。例如，如图8B所示，在第一显示区域10中的一个像素单元包括四个发光器件11，该四个发光器件11构成一个重复单元，且包括发光器件11-1、发光器件11-2、发光器件11-3以及发光器件11-4。发光器件11-1、发光器件11-2、发光器件11-3以及发光器件11-4可以分别具有不同或相同的平面形状，并且可以分别发出不同或相同颜色的光，以构成一个包括四个子像素的重复单元。由此，每个第一子像素的四个发光器件的第一阳极结构具有不同的平面形状，并进行如图8B所示的排布以对应用于发出相同、或者不同颜色的光，例如四个发光器件可以分别发出绿、绿、红、蓝等不同颜色的光线。
具体实施例中，上述重复单元可以不限于4个，例如可以是3个，包括R、G、B，亦或者可以采取其他排列方式，如RGBG等。
例如，第一显示区域10的同一个像素单元包括的四个发光器件11(第一发光器件114和/或第二发光器件115)分别由四个不同的像素电路(第一像素电路D10和/或第二像素电路D20)驱动，因此分别通过四条不同的连接走线15(第一连接走线151和/或第二连接走线152)连接到这四个像素电路；这四个像素电路可以设置在第二显示区域20中的不同位置，例如位于同行或不同行，位于同列或不同列。
图8C和图8D分别为图8A所示的实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图。
例如，图8C示出了第一显示区域10中的第一子像素阵列的多个发光器件和第二显示区域20中的第二子像素阵列的多个第一像素单元在进行上述子像素排布的情况下，数据线D1’(第一信号线161)的连接方式。如图8C所示，数据线D1’在第二显示区域20的靠近第一显示区域10的边界处绕线排布，并且在第一显示区域10和第二显示区域20中，位于同一列的子像素的像素电路电连接同一条数据线D1。
例如，在图8C所示的实施例中，用灰色方块示出的位于第二显示区域20中的第一像素电路通过第一连接走线151电连接位于第一显示区域10中的左侧的第一发光器件(即，左侧的第一个发光器件)，通过数据线D1’的绕线，可以将与第一发光器件位于同一列的子像素(无论是第一显示区域10中的第一子像素阵列的多个发光器件还是第二显示区域20中的第二子像素阵列的多个第一像素单元)的像素电路均电连接，从而将位于同一列的子像素的像素电路电连接同一数据线。例如，数据线D1’的一部分DA(图中示出为数据线D1上侧水平延伸的粗线部分)可以采用跳线的方式设置，即数据线D1’的一部分DA可以与数据线D’的其他部分设置在不同层中。例如，当数据线D1’的设置密度较大时，采用跳线设计可以更有利于走线的设置。
例如，图8C仅示出了第一显示区域10中一个第一子像素的连接走线以及数据线等，第一显示区域10中的其他第一子像素也具有类似的连接关系，图8C中未示出。例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素电路重复单元中的一个，或者多个子像素的像素电路，此时，该一个或者多个第一像素电路可分别通过一条或者多条连接走线15(或者第一连接走线151)电连接到第一显示区域10中一个像素重复单元的一个或者多个发光器件。
例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素单元的四个发光器件的第一像素电路，此时，该四个发光器件可分别通过四条连接走线15(或者第一连接走线151)电连接到第一显示区域10中一个像素单元的四个发光器件。
例如，在一些实施例中，数据线D’可以在第二显示区域20的一侧绕线，例如图8C中示出了在第二显示区域20的上侧绕线的情况。
在另一些实施例中，如图8D所示，数据线D’也可以同时在第二显示区域20的上侧和下侧绕线。
例如，在一些实施例中，数据线D’可以在第二显示区域20的像素行之间进行绕线，本实施例不做限制。
例如，如图8D所示，在该实施例中，在第一显示区域10和第二显示区域20中的左侧第一列子像素的像素电路采用同一条数据线D3(图中左侧的数据线)电连接，左侧第二列子像素的像素电路采用同一条数据线D4(图中右侧的数据线)电连接，此时，数据线在第二显示区域20的上下两侧同时绕线，以将位于同一列的子像素的像素电路电连接，由此位于同一列的子像素的发光器件可以由相同的数据线驱动。类似地，数据线D3和数据线D4的一部分DA也可以采用跳线设计。例如，在第二显示区域20的边缘，数据线的排布较密集，因此在该边缘绕线的部分数据线可以采用跳线设计，以节省空间，并简化电路排布。
类似地，图8D仅示出了第一显示区域10中四个子像素的发光器件的连接走线以及数据线等，第一显示区域10中的其他子像素的发光器件也具有类似的连接关系，在图8D中未示出。例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素重复单元的四个子像素的发光器件的第一像素电路，此时，该四个第一像素电路可分别通过四条第一连接走线151电连接到第一显示区域10中一个像素单元的四个子像素的发光器件。
例如，在一些实施例中，图9为图4中的显示基板的一个示例沿L1-L1线的截面示意图，图4中的截线L1-L1穿过一条第二信号线171的第二绕线部173。
如图9所示，显示基板包括第一连线层gate1、第二连线层gate 2、源漏连线层SD、走线层153A。第一连线层gate 1设置在第一栅绝缘层141远离衬底基板14的一侧，并与栅极122以及第一电容板131同层设置，例如包括第二信号线171的第二主体部172。第二连线层gate 2设置在第二栅绝缘层142远离衬底基板14的一侧，并与第二电容板132同层设置，例如包括另一第二信号线171的第二主体部172。源漏连线层SD设置在层间绝缘层143远离衬底基板14的一侧，包括对个彼此独立的转接电极，这些转接电极分别通过第二栅绝缘层142以及层间绝缘层143中的多个过孔与第一连线层gate 1中包括的第二信号线171的第二主体部172电连接。源漏连线层SD与像素电路中的源漏电极同层设置。第一平坦化层145设置源漏连线层SD在远离衬底基板14的一侧以提供平坦化表面，且包括多个过孔。走线层153A设置在第一平坦化层145的远离衬底基板14的一侧。例如，走线层153A与透光走线层153同层设置。走线层153A被构图以实现第二信号线171的第二绕线部173，并且通过第一平坦化层145的过孔与上述源漏连线层SD中的转接电极电连接，并进一步与第二信号线171的第二主体部172电连接，以实现跳线结构，用于将第二驱动信号提供至第一像素电路D10以及第二像素电路D20。
需要说明的是，如图9所示，第二连接线层gate 2示例地表示一种金属信号线，第二连接线层gate 2所在的区域中还可以设置其它膜层或信号线等。图9中所示的结构并不代表实际的驱动电路的结构，也就是说，图9示例性的示出一种第二信号线171的第二绕线部173的跳线结构。
例如，在其它实施例中，第二信号线171的第二绕线部173还可以通过与数据线(例如，第一信号线161以及第三信号线181)同层的连接线(例如，沿第一方向Y1延伸)实现跳线结构，本公开实施例不以此为限。
例如，在一些实施例中，图10A为图6A中的显示基板沿L2-L2线的截面示意图，图10A中截线L2-L2穿过第一信号线161的第一绕线部163。源漏连线层SD通过层间绝缘层143中的过孔与第二连线层gate 2电连接。在该位置，第二连线层gate 2与显示基板的其它位置的栅线(例如，与第二电容板132同层的栅线)同层设置且断开，且包括第一绕线部的第一子绕线部1631。两个源漏连线层SD分别包括第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633。例如，位于源漏连线层SD的第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633分别与位于第二连线层gate 2的第一子绕线部1631的两个端部电连接，实现第一绕线部163的第一子绕线部1631与第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633的电连接，从而实现跳线结构。第一信号线161的第一绕线部163通过第二连线层gate 2实现第一驱动信号的转接，将第一驱动信号提供至第一像素电路D10。
例如，在另一些实施例中，图10B为图6A中的显示基板沿L2-L2线的另一截面示意图，图6A中截线L2-L2穿过第一信号线161的第一绕线部163。源漏连线层SD通过第二栅绝缘层142以及层间绝缘层143中的过孔与第一连线层gate 1电连接。在该位置，第一连线层gate 1与显示基板的其它位置的栅线(与第一电容板131同层的栅线)同层设置且断开，包括第一绕线部163的第一子绕线部1631。两个源漏连线层SD分别包括第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633。例如，位于源漏连线层SD的第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633分别与位于第二连线层gate 2的第一子绕线部1631的两个端部电连接，实现第一绕线部163的第一子绕线部1631与第二子绕线部1632以及第三子绕线部1633的电连接，从而实现跳线结构。第一信号线161的第一绕线部163通过第一连线层gate 1实现第一驱动信号的转接，将第一驱动信号提供至第一像素电路D10。
例如，如图4、图5、图6A和图6B、图8C和图8D、图11所示，显示基板的第二显示区域20的多个第一像素单元P每个包括第三发光器件21以及第三像素电路，第三像素电路与第三发光器件21电连接以驱动第三发光器件21。例如，第二像素电路包括薄膜晶体管22和存储电容23等结构。第三发光器件21包括第三电极结构211、第四电极结构213以及第三电极结构211与第四电极结构213之间的第二发光层212，第三电极结构211通过过孔与第二像素电路电连接。例如，第三电极结构211为第三发光器件21的阳极结构，第四电极结构213为第三发光器件21的阴极结构。例如，第三电极结构211可以包括多个电极子层，例如包括ITO/Ag/ITO三层结构等(图中未示出)，本公开的实施例对第三电极结构211的具体形式不做限定。
例如，薄膜晶体管22包括有源层221、栅极222、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143、源漏电极(即源极223和漏极224)、第一转接电极215、发光器件31以及像素限定层146等结构，存储电容23包括第一电容极板231和第二电容极板232。
例如，有源层221设置在衬底基板14上，第一栅绝缘层141设置在有源层221的远离衬底基板14的一侧，栅极222和第一电容极板231同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，第二栅绝缘层142设置在栅极222和第一电容极板231的远离衬底基板14的一侧，第二电容极板232设置在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧，层间绝缘层143设置在第二电容极板232的远离衬底基板14的一侧，源漏电极设置在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层221电连接，源漏电极的远离衬底基板14的一侧设置有第一平坦化层144提供第一平坦化表面，以平坦化第三像素电路。
例如，第一平坦化层144中具有第一过孔144A，第一转接电极215设置在第一平坦化层的远离衬底基板14的一侧，并通过第一过孔144A与源漏电极的源极223电连接。第二平坦化层145设置在第一转接电极215的远离衬底基板14的一侧并提供给第二平坦化表面，且包括第二过孔145A。
例如，第三电极结构211通过第二平坦化层145中第二过孔145A与第一转接电极215电连接。像素限定层146设置在第三电极结构211的远离衬底基板14的一侧，且包括多个开口。第二发光层212设置在像素限定层146的多个开口中。第四电极结构211设置在第二发光层212以及像素限定层146的远离衬底基板14的一侧。
例如，在一些实施例中，源极223与第三电极结构211之间还可以具有过渡层(图中未示出)，该过渡层可以与透明走线层153同层设置。
例如，如图4、图5、图6A和图6B、图8C和图8D、图12所示，显示基板的第三显示区域30的多个第二像素单元C的每个包括第四发光器件31以及第四像素电路。第四像素电路与第四发光器件31电连接以驱动第四发光器件。第四发光器件31包括第五电极结构311、第六电极结构313以及第五电极结构311与第六电极结构313之间的第三发光层312，第五电极结构311通过过孔与第三像素电路电连接。例如，第五电极结构311为第四发光器件31的阳极结构，第六电极结构313为第四发光器件31的阴极结构。例如，第五电极结构311可以包括多个电极子层，例如包括ITO/Ag/ITO三层结构等(图中未示出)，本公开的实施例对第五电极结构311的具体形式不做限定。
例如，第四像素电路包括薄膜晶体管32和存储电容33等结构。例如，薄膜晶体管32包括有源层331、栅极332、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143、源漏电极(即源极323和漏极324)、第一转接电极315、发光器件31以及像素限定层146等结构，存储电容33包括第一电容极板331和第二电容极板332。
例如，有源层321设置在衬底基板14上，第一栅绝缘层141设置在有源层321的远离衬底基板14的一侧，栅极322和第一电容极板331同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，第二栅绝缘层142设置在栅极322和第一电容极板331的远离衬底基板14的一侧，第二电容极板332设置在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧，层间绝缘层143设置在第二电容极板332的远离衬底基板14的一侧，源漏电极设置在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层321电连接，源漏电极的远离衬底基板14的一侧设置有第一平坦化层144提供第一平坦化表面，以平坦化第四像素电路。
例如，第一平坦化层144中具有第一过孔144A，第一转接电极315设置在第一平坦化层的远离衬底基板14的一侧，并通过第一过孔144A与源漏电极的源极323电连接。第二平坦化层145设置在第一转接电极315的远离衬底基板14的一侧并提供给第二平坦化表面，且包括第二过孔145A。
例如，第五电极结构311通过第二平坦化层145中第二过孔145A与第一转接电极315电连接。像素限定层146设置在第一阳极结构311的远离衬底基板14的一侧，且包括多个开口。第三发光层312设置在像素限定层146的多个开口中。第六电极结构313设置在第三发光层312以及像素限定层146的远离衬底基板14的一侧。
例如，在一些实施例中，源极323与第二阳极结构311之间还可以具有过渡层(图中未示出)，该过渡层可以与透明走线层153同层设置。
例如，第二显示区域20中的第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路与第三显示区域30中的第四像素电路具有相同的结构，因此在制备工艺中可采用相同的构图工艺形成。例如，第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143以及第一平坦化层144在第二显示区域20和第三显示区域30是同层设置的，在一些实施例中还是一体的，例如为同一绝缘层，因此在附图中采用了相同的标号。
例如，在一些实施例中，如图7所示，第一显示区域10还包括位于衬底基板14上的透明支撑层191，发光器件11位于透明支撑层191的远离衬底基板14的一侧。由此，相对于衬底基板14来说，第一显示区域10中的发光器件11可以与第二显示区域20中的第三发光器件21以及第三显示区域30中的第四发光器件31处于基本相同的高度，从而可以提高显示基板的显示效果。
例如，透明支撑层191与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和第一平坦化层144中的至少一种同层设置。例如，透明支撑层191与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和第一平坦化层144均同层设置，以使第一显示区域10中的发光器件11与第二显示区域20中的第三发光器件21以及第三显示区域30中的第四发光器件31处于基本相同的高度，并简化显示基板的制备工艺。
例如，如图7、图11和图12所示，显示基板还包括像素限定层146以及封装层147。例如，像素限定层146设置在第一电极结构111或第三电极结构211或第五电极结构311上，包括多个开口，第一发光层112或第二发光层212或第三发光层312形成在像素限定层146的开口中。例如，封装层147可以包括单层或多层封装结构，多层封装结构例如包括无机封装层和有机封装层的叠层，由此提高对显示基板的封装效果。
例如，在第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30中，像素限定层146和封装层147是同层设置的，在一些实施例中还是一体连接的，因此在附图中采用了相同的标号。
例如，本公开的各个实施例中，衬底基板14可以为玻璃基板、石英基板、金属基板或树脂类基板等。本公开的实施例对此不作限制。
例如，第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143以及平坦化层144、绝缘层145、像素限定层146、封装层147以及绝缘层148可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，或者可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。本公开的实施例对上述各功能层的材料均不做具体限定。
例如，有源层的材料可以包括多晶硅或氧化物半导体(例如，氧化铟镓锌)等半导体材料。例如，有源层121/221/321的部分可以通过掺杂等导体化处理以导体化，从而具有较高的导电性。
例如，栅极、第一电容极板和第二电容极板的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。
例如，源漏电极的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Ti/Al/T i)等。
例如，本公开实施例提供的显示基板可以为有机发光二极管(OLED)显示基板或者量子点发光二极管(QLED)显示基板等显示基板，本公开的实施例对显示基板的具体种类不做限定。
例如，在显示基板为有机发光二极管显示基板的情形，第一发光层112/第二发光层212/第三发光层312可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等。并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，第一发光层112/第二发光层212/第三发光层312还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。
例如，在显示基板为量子点发光二极管(QLED)显示基板的情形，第一发光层112/第二发光层212/第三发光层312可以包括量子点材料，例如，硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等，量子点的粒径为2-20nm。
例如，在本公开的实施例中，第一显示区域10可以为圆形(图3中示出的情形)、矩形、三角形等各种形状，本公开的实施例第一显示区域10的形状不做限定。
例如，在一些实施例中，如图3A以及图7所示，显示基板还可以包括传感器192，例如图像传感器、红外传感器、距离传感器等，传感器192例如可以实现为芯片等形式。传感器192设置在显示基板的非显示侧(背离使用者一侧)。传感器192与第一显示区10在显示基板的显示面的法线方向上至少部分重叠。
例如，传感器192可以是图像传感器，并可以用于采集传感器192的集光面面对的外部环境的图像，例如可以为CMOS图像传感器或CCD图像传感器；该传感器192还可以是红外传感器、距离传感器等。该传感器192可用于实现诸如手机、笔记本的移动终端的摄像头，并且根据需要还可以包括例如透镜、反射镜或光波导等光学器件，以对光路进行调制。本公开的实施例对于传感器192的类型、功能以及设置方式不作限制。
传感器192通过双面胶等方式设置在显示面板的非显示侧，并且传感器192在衬底基板14上的正投影与第一显示区域10至少部分重叠，配置为接收来自第一侧的光。由此，第一显示区域10在实现显示的同时，还为传感器192的设置提供了便利。
本公开至少一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一的显示基板，该显示装置可以实现为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，包括：
显示区域，其中，所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，
所述第一显示区域包括第一子像素阵列，所述第一子像素阵列包括阵列排布的多个发光器件，所述多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，所述第二显示区域包括第一像素电路阵列，所述第一像素电路阵列包括多个第一像素电路单元，所述多个第一像素电路单元包括第一像素电路和第二像素电路，
第一连接走线，连接所述第一像素电路和所述第一发光器件，其中，所述第一像素电路配置为通过所述第一连接走线以驱动所述第一发光器件；以及
第二连接走线，连接所述第二像素电路和所述第二发光器件，其中，所述第二像素电路配置为通过所述第二连接走线以驱动所述第二发光器件，
其中，所述第二连接走线沿第一方向延伸，所述第一连接走线沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向彼此交叉。
2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
第一信号线和第二信号线，
所述第一信号线包括第一主体部和第一绕线部，所述第一主体部沿所述第一方向延伸，所述第一绕线部的至少部分沿与所述第一方向交叉的方向延伸；
所述第二信号线包括第二主体部，所述第二主体部沿所述第二方向延伸；
所述第一信号线的第一绕线部和所述第二信号线的第二主体部与所述第一像素电路电连接，以分别用于给所述第一像素电路提供第一驱动信号和第二驱动信号；以及
所述第一主体部的延长线和所述第二主体部的延长线相交于第一显示区域内。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一绕线部包括第一子绕线部、第二子绕线部以及第三子绕线部，所述第一子绕线部沿所述第二方向延伸，所述第二子绕线部沿所述第一方向延伸，所述第三子绕线部连接第一子绕线部以及所述第一主体部，
其中，所述第一子绕线部通过跳线的方式与所述第二子绕线部以及所述第三子绕线部电连接，所述第二子绕线部与所述第一像素电路电连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第三子绕线部至少部分围绕所述第一显示区域，且与所述第一连接走线重叠。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一绕线部分至少部分与所述第一主体部位于不同的走线层。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第二信号线还包括第二绕线部，所述第二绕线部的至少部分沿与所述第二方向交叉的方向延伸。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第二绕线部分至少部分与所述第二主体部位于不同的走线层。
8.根据权利要求6所述的显示基板，还包括第三信号线，
所述第三信号线包括第三主体部和第三绕线部，所述第三主体部沿所述第一方向延伸，所述第三绕线部的至少部分沿与所述第一方向交叉的方向延伸；以及
所述第三信号线的第三绕线部和所述第二信号线的第二绕线部与所述第二像素电路电连接，以分别用于给所述第二像素电路提供第三驱动信号和第二驱动信号。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第三绕线部包括第四子绕线部、第五子绕线部以及第六子绕线部，第四子绕线部沿第二方向延伸，第五子绕线部沿第一方向延伸，所述第六子绕线部连接第四子绕线部以及第三主体部，
其中，所述第四子绕线部通过跳线的方式与第五子绕线部以及第六子绕线部电连接，第五子绕线部与第二像素电路电连接。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一信号线和所述第三信号线为数据线，所述第一驱动信号和所述第三驱动信号为数据信号，所述第二信号线为栅线，以及所述第二驱动信号为栅扫描信号。
11.根据权利要求1-10任一项所述的显示基板，其中，所述第一连接线和所述第二连接线为透明走线。
12.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一信号线的第一绕线部以及所述第三信号线的第三绕线部在所述第二显示区域的第一像素电路阵列和所述第一显示区域的第一子像素阵列之间的边界处绕第一显示区域的边缘走线。
13.根据权利要求1-10任一项所述的显示基板，其中，所述第二显示区还包括第二子像素阵列，所述第二子像素阵列包括多个第一像素单元，所述多个第一像素单元和所述多个第一像素电路单元交替布置。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述多个第一像素单元每个包括第三发光器件以及第三像素电路，所述第三像素电路与所述第三发光器件电连接以驱动所述第三发光器件。
15.根据权利要求8-10任一项所述的显示基板，其中，所述显示区域还包括第三显示区域，所述第三显示区域包括第三子像素阵列，所述第三子像素阵列包括多个第二像素单元，
所述多个第二像素单元的每个包括第四发光器件以及第四像素电路，
其中，所述第一信号线的第一主体部在所述第三显示区域中延伸，以与相对于所述第一发光器件位于所述第一方向上的所述第四像素电路电连接，以及所述第三信号线的第三主体部在所述第三显示区域延伸，以与相对于所述第二发光器件位于所述第一方向上的所述第四像素电路电连接。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述第四像素电路与所述第四发光器件电连接以驱动所述第四发光器件。
17.根据权利要求8-10任一项所述的显示基板，其中，
所述第一像素电路以及所述第二像素电路分别包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、层间绝缘层和源漏电极，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板；
所述有源层设置在所述衬底基板上，所述第一栅绝缘层设置在所述有源层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅极和所述第一电容极板同层设置在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅绝缘层设置在所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧，
所述第二电容极板设置在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述层间绝缘层设置在所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧，
所述源漏电极设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，
所述显示基板还包括第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧，以提供第一平坦化表面，所述第一平坦化层包括第一过孔，
其中，所述第二信号线与所述栅极以及所述第一电容板同层设置，
所述第一信号线以及所述第三信号线与所述源漏电极同层设置。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其中，所述第一连接线以及所述第二连接线分别包括透光走线层，所述透光走线层在所述第一平坦化表面上位于所述第一显示区域以及所述第二显示区域，所述透光走线层在所述第二显示区域中通过所述第一平坦化层的第一过孔与薄膜晶体管电连接，
所述显示基板还包括第二平坦化层，所述第二平坦化层位于所述透光走线层远离衬底基板的一侧以提供第二平坦化表面，且包括位于所述第一显示区域的第二过孔，
所述第一显示区域的第一发光器件以及第二发光器件在所述第二平坦化表面上且通过所述第二过孔与所述第一显示区域中的透光走线层电连接。
19.一种显示装置，包括权利要求1-18任一项所述的显示基板。
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