CN110729406B - 一种混合空穴注入层qled器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V₂O₅‑PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V₂O_5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。

Description

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diodes，QLED)由于其在可见光范围内发射波长可调、窄半峰宽、高亮度、可溶液法制备等优势受到极大的关注，其在下一代平板显示和固态照明等领域显示了极大的应用潜力。目前，基于文献(Yizhe Sun, WeiChen, Yinghui Wu,Zhubing He, Shengdong Zhang and Shuming Chen. A low-temperature-annealed and UV-ozoneenhanced combustion derived nickel oxidehole injection layer for flexible quantum dot lightemitting diodes [J].Nanoscale, 2019, 11, 1021)报道构筑QLED器件时最常采用的空穴注入材料是聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐[poly (3,4-ethylenedioxythiophene):poly (styrene-sulfonate)，简称PEDOT:PSS。但PEDOT:PSS呈弱酸性，并具有吸湿性，在一定程度上会腐蚀电极，进而影响器件的稳定性，降低器件的寿命。为了解决这一问题，提高QLED器件的寿命，科研工作者在QLED器件中引入化学稳定性好、合成工艺简单的无机过渡金属氧化物，如：NiO、MoO₃、WO_x和V₂O₅等，成功的提高了器件的稳定性。Chen等人(Chen S M, Wang S T, SunX W, et al. Solution-processed vanadium oxide as an efficient hole injectionlayer for quantum-dot light-emitting diodes[J]. Journal of MaterialsChemistry C, 2017, 5(4): 817-823)通过溶液法制备V₂O₅，并将其作为空穴注入层构筑QLED器件，器件寿命较标准器件提高4.5倍。2018年，Qian等人(Q. Zeng, Z. Xu, C.Zheng, Y. Liu, W. Chen, T. Guo, F. Li, C. Xiang, Y. Yang, W. Cao, X. Xie, X.Yan, L. Qian and P. Holloway, Improving Charge Injection via a Blade-CoatingMolybdenum Oxide Layer: Toward High-Performance Large-Area Quantum-Dot Light-Emitting Diodes[J]. ACS Appl. Mater. Interface, 2018, 10, 8258-8264)采用溶液法制备的MoO_x作为空穴注入层的QLED器件，器件寿命相比于标准器件增加2倍。同年，Chen等人(Chen L, Wang S J, Fang Y, et al. Simultaneous improvement of efficiencyand lifetime of quantum dot light-emitting diodes with a bilayer holeinjection layer consisting of PEDOT:PSS and solution-processed WO₃ [J]. ACSApplied Materials & Interfaces, 2018, 10(28): 24232-24241)通过溶液法构筑基于WO₃/PEDOT:PSS双空穴注入层的QLED器件，器件寿命约为标准器件的2倍。此外，Kwon科研小组(Kwon Y, Kim Y, Lee H, et al. Composite film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly (styrenesulfonate) and MoO₃ as an efficient holeinjection layer for polymer light-emitting diodes[J]. Organic Electronics,2014, 15(6): 1083-1087)成功构筑了基于MoO₃和PEDOT:PSS混合空穴注入层的PLED器件，器件寿命是标准器件的2.5倍。显然，这些金属氧化物的引入，因其固有的空气环境稳定性对于长寿命QLED的研究具有很大的研究价值。但和主流以PEDOT:PSS作为空穴注入层构筑的QLED的相比，发光的亮度、效率方面仍有差距。

发明内容

本发明的目的在于提供一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法，旨在延长器件的使用寿命，解决现有QLED器件发光的亮度、效率不足的问题。

基于上述目的，本发明采取如下技术方案：

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：

（1）制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极；

（2）在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上旋涂混合空穴注入层，所述混合空穴注入层的材料为V₂O₅-PEDOT:PSS；

（3）在混合空穴注入层上旋涂空穴传输层；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS量子点；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；

（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。

进一步地，混合空穴注入层的厚度为40 nm，空穴传输层的厚度为35 nm，量子点发光层的厚度为30 nm，电子传输层ZnO的厚度为35 nm，顶电极的厚度为100 nm。

进一步地，步骤（2）中混合空穴注入层是通过将V₂O₅-PEDOT:PSS溶液旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上制备得到的，所述V₂O₅-PEDOT:PSS溶液由V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备得到。

进一步地，V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合的体积比为1:（5-25），具体为1:5、1:10、1:15、1:20、1:25。

进一步地，V₂O₅的前驱体溶液制备步骤为：将钒的前驱体（三异丙醇氧钒）与异丙醇按照1:（60-80）的体积比混合即得。

进一步地，步骤（3）所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或几种，TFB在使用前，通过将TFB粉末溶解于氯苯，制备成浓度为8 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成TFB薄膜，备用。

进一步地，步骤（4）中在QLED器件制备前，通过将粒径为8 nm的ZnCdSeS/ZnS绿光量子点溶解于正辛烷，制备成浓度为18 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成量子点发光薄膜，备用。

进一步地，步骤（5）中在QLED器件制备前，通过将粒径为3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得浓度为30 mg/mL的ZnO溶液，并通过旋涂的方法制备得到ZnO薄膜，备用。

进一步地，步骤（6）所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；封装时，采用紫外光固化树脂对得到的基片进行固化。

进一步地，所述的铝掺杂氧化锌AZO透明电极通过射频磁控溅射法制备得到，具体制备过程如下：

将清洗好的玻璃基片放置于磁控溅射镀膜机腔室内，并在玻璃片的表面放置图案化的掩模版，利用磁控溅射的方法制备AZO透明电极。

进一步地，制备时，靶基距为75 mm，磁控溅射本底真空度为5.00×10^-6 Torr，溅射功率设置为125 W，溅射压强设置为1.0 mTorr，溅射时间为40 min，溅射温度为常温，溅射过程结束后系统冷却30 min，取出AZO基片待用；在正式沉积薄膜前预溅射2 min避免靶材表面的杂质污染。

上述制备方法通过将V₂O₅与PEDOT:PSS共同作为空穴注入层，制得混合空穴注入层QLED器件。

本发明的有益效果如下：

本发明通过溶液法合成V₂O₅的前驱体溶液，其具有透过率高、化学稳定性好等优点，因此将其引入QLED器件中，可以有效提高器件寿命。通过试验测定，最终基于AZO电极和V₂O₅-PEDOT:PSS混合空穴注入层的QLED器件的最大亮度、最大电流效率、最大EQE分别为98300 cd/m²、55.53 cd/A、13.85%。所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V₂O_5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。

附图说明

图1为实施例2中V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS溶液的接触角测试图；

图2为实施例2中V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS溶液形成的薄膜原子力扫描探针(AFM)表征图；

图3为实施例2中V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS溶液形成的薄膜透过率表征图；

图4为实施例2中V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS溶液形成的薄膜导电原子力扫描探针(C-AFM)表征图；

图5为实施例2制备的混合空穴注入层QLED器件结构示意图；

图6为实施例2制备的混合空穴注入层QLED器件能级结构示意图；

图7为实施例2中制备的V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS空穴注入层构筑的QLED器件性能图；

图8为实施例2中制备的V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS空穴注入层构筑单空穴器件电流-电压(J-V)测试；

图9为实施例2中制备的V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合比例制备的V₂O₅-PEDOT:PSS空穴注入层构筑QLED器件重复性直方图；

图10为实施例2中制备的分别以PEDOT:PSS 和V₂O₅-PEDOT:PSS作为空穴注入层构筑QLED器件寿命表征。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下述实施例中玻璃基底购买于中国洛阳古洛玻璃有限公司，基底规格大小为25.00 mm×25.00 mm，厚度1.0 mm-1.2 mm。磁控溅射系统为三靶材溅射系统，型号PVD75，购买于美国科特莱斯科；AZO靶材是Al₂O₃质量分数为2.00%，且为高纯度(99.99%)掺铝氧化锌陶瓷靶，靶材直径约75.00 mm，靶材厚度约4.00 mm，购买于中国北京中诺新材；所述的洗涤剂购买于Liquinox，丙酮和异丙醇购买于Scientific，氯苯、甲苯均购买于Sigma-Aldrich；三异丙醇氧钒购买于百灵威试剂公司，所述(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)，牌号为CLEVIOS P VP AI 4083，购买于Heraeus。

下述实施例中空穴传输层为(聚[9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺])(TFB)购买于Amerian Dye Source；量子点（QDs）为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点，实验室自制；氧化锌(ZnO)溶液实验室自制；铝电极是由密度为2.702 g/cm³，沸点为2467℃，熔点为660.4℃，纯度为99.99%的铝颗粒蒸镀制备，所述铝颗粒购买于Kurt J.Lesker；紫外-臭氧清洁仪，购买于上海四缤贸易有限公司；紫外光固化树脂购买于美国Norland，规格为NOA63。

导电原子力扫描探针显微镜的型号为Dimension Icon，购买于美国Bruker公司；四探针测试仪型号为ST2253，购买于中国苏州晶格电子；变温霍尔效应测试仪型号为HMS-5300，购买于韩国Ecopia；数字测量源表型号为Keithley 2400；光谱辐射度计型号为PR-735，M-75 Lens，标配SD卡，电源适合器(AC-730-6)。旋涂仪型号是WS-650MZ-23NPP/LITE，购于美国Mycro公司。

实施例1

利用射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，包括以下步骤：

a、玻璃基片的洗涤和制备：使用洗涤剂（品牌：美国Alconox；型号：Liquinox）清洁基片表面，接着将基片依次放入超纯水、丙酮、异丙醇试剂中超声15 min，最后使用高纯度氮气枪快速吹干基片表面备用；

b、将清洗好的玻璃基片放置于磁控溅射镀膜机腔室内，并在玻璃片的表面放置图案化的掩模版，利用磁控溅射的方法制备AZO透明电极，在正式沉积薄膜前预溅射2 min避免靶材表面的杂质污染，其中，设置靶基距为75 mm，磁控溅射本底真空度为5.00×10^-6Torr，溅射功率设置为125 W，溅射压强设置为1.0 mTorr，在室温下溅射时间40 min，溅射过程结束后系统冷却30 min，取出AZO基片待用。

实施例2

一种混合空穴注入层的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

所述QLED器件的结构如图5所示，其结构为：AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnO/Al。AZO作为QLED器件的阳极，Al作为QLED器件的阴极，V₂O₅-PEDOT:PSS、TFB、QDs、ZnO分别作为QLED器件的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、量子点发光层EML、电子传输层ETL；混合空穴注入层的厚度为40 nm，空穴传输层的厚度为35 nm，量子点发光层的厚度为30 nm，电子传输层ZnO的厚度为35 nm，顶电极的厚度为100 nm。器件构筑过程如下：

（1）将清洁后的AZO基片迅速放入紫外-臭氧清洁仪内，进行紫外-臭氧处理15min，紫外-臭氧处理可以提高基片表面的亲水性；

（2）利用旋涂法将V₂O₅-PEDOT:PSS溶液旋涂于AZO基片上形成空穴注入层，具体步骤如下：

a、采用溶胶凝胶法制备V₂O₅的前驱体溶液：将100 μL钒的前驱体（三异丙醇氧钒）放入25 mL的样品瓶内，然后用移液枪向样品瓶内加入7 mL的异丙醇溶液，最后将样品瓶放置于搅拌台上搅拌2 h，均匀溶解得到V₂O₅的前驱体溶液，并使用0.45 μm的滤头过滤后待用；

b、将V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS以不同的体积比混合制备得到V₂O₅-PEDOT:PSS溶液，V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS体积比分别为1:5、1:10、1:15、1:20、1:25、1:30，用0.45 μm的滤头过滤，用移液枪吸取150 μL过滤后的溶液滴于AZO基片的中心，保持基片在4000 rpm条件下旋涂60 s，得到AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS基片，取下基片用超纯水擦拭基片边缘，露出电极，并在加热台上进行15 min、130℃的退火处理；

（3）将溶解于氯苯的TFB溶液(8 mg/mL)用0.20 μm的滤头过滤，用移液枪吸取60 μL过滤后的溶液滴在上述AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS基片上，保持基片在2500 rpm条件下旋涂45s，得到AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB基片，取下基片放置于加热台上进行30 min、150℃的退火处理，并在退火完成后取下基片；

（4）将溶解于正辛烷的ZnCdSeS/ZnS 绿光量子点溶液(18 mg/mL)用0.20 μm的滤头过滤，用移液枪吸取60 μL过滤后的溶液，将其滴在上述AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB基片上，并保持基片在3000 rpm条件下旋涂45 s，得到AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs基片；

（5）将溶解于乙醇的ZnO溶液(30 mg/mL)用0.20 μm的滤头过滤，用移液枪吸取60μL过滤后的溶液，将其滴在上述AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs基片上，保持基片在2500 rpm条件下旋涂45 s，得到AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnO基片，并用甲苯溶液擦拭基片边缘，露出电极，将基片放置于加热台上进行30 min、60℃的退火处理；

（6）将上述旋涂完毕的AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnO基片放置于热蒸发镀膜机内，当镀膜机真空度低于5.00×10^-7 mbar条件时进行蒸镀，蒸镀速率保持4 Å/s，电极厚度为100 nm，蒸镀完成后破真空，取出基片；

（7）器件的封装：将上述构筑完成的器件AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnO/Al使用紫外光固化树脂NOA63，进行封装，并加盖盖玻片，在紫外灯照射下固化，即得。

对步骤（2）中得到的AZO/V₂O₅-PEDOT:PSS基片进行检测：

如图1中的V₂O₅与PEDOT:PSS不同混合体积比制备的V₂O₅-PEDOT:PSS溶液的接触角测试结果表明随着V₂O₅比例的减小V₂O₅-PEDOT:PSS液滴的静态接触角由53°左右增加到了67°左右。由于V₂O₅-PEDOT:PSS液滴在AZO薄膜表面均为锐角，由此推断可知，不同混合比例V₂O₅-PEDOT:PSS溶液均能在AZO表面形成质量良好薄膜。图2表明在不同混合比例范围下，V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜形貌较为相似；且在2.00 μm×2.00 μm扫描面积范围内，不同混合比例下V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜的粗糙度均在3.00 nm左右。不同体积比V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜的透过率表征显示V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜在可见光范围内均保持88%以上透过率，如图3所示，这有利于器件亮度的提高。

图4为V₂O₅薄膜的微区电流像，由图4可知，V₂O₅薄膜的微区电流大小为pA量级，其他薄膜的微区电流大小为nA量级，所以V₂O₅薄膜的导电性相对较差。(b)图为PEDOT:PSS薄膜的微区电流像，由图可知PEDOT:PSS薄膜微区电流大小几乎均达到15 nA，故PEDOT:PSS薄膜的导电性最好。(c)图和(d)图为混合比例为1:5和1:10的V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜的微区电流像，且薄膜微区电流大小均介于0与2.5 nA之间，且V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜混合比例为1:10时，薄膜导电性相对更好。(e)图、(f)图以及(g)图为混合比例为1:15、1:20、1:25的V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜的微区电流像，薄膜的微区电流大小均介于3 nA与15 nA之间，且当薄膜的体积比由1:15向1:25变化时，薄膜导电性逐渐增强。

针对上述方法所构筑的QLED器件，图6为采用AZO为阳极，以V₂O₅-PEDOT:PSS为空穴注入层时构筑的器件各个功能层的能级示意图，其中AZO电极的功函数与V₂O₅-PEDOT:PSS的HOMO能级较为接近，因此空穴由V₂O₅-PEDOT:PSS层HOMO能级传输至TFB 空穴传输层HTL的HOMO能级需克服的势垒高度为0.36 eV。对应的V₂O₅-PEDOT:PSS不同体积比的QLED器件性能如图7所示，由图7可知，当V₂O₅与PEDOT:PSS的混合比例由1:5向1:30变化时，随着V₂O₅所占比例的减小器件性能逐渐增加，当V₂O₅和PEDOT:PSS的混合比例为1:15时，器件性能最优；随着V₂O₅所占比例的继续减小，器件性能逐渐降低。

表1实施例1基于V₂O₅-PEDOT:PSS混合空穴注入层QLED器件性能总结表。

同时，将器件性能随V₂O₅-PEDOT:PSS混合比例的变化总结于表1。结合图、表可知，当V₂O₅和PEDOT:PSS的混合比例为1:15时，器件性能最佳：最大亮度为98300 cd/m²、最大电流效率为55.53 cd/A、EQE_max为13.85%。从表1中可以看出，随着V₂O₅-PEDOT:PSS体积比的增加，L_max、η_A、η_P、EQE_max先增加后减小，当V₂O₅-PEDOT:PSS体积比为1:10时，L_max最大，当V₂O₅-PEDOT:PSS体积比为1:15时，η_A、η_P、EQE_max最大。

在上述讨论的基础上，构筑基于不同混合比例空穴注入层HIL的单空穴器件以及单电子器件，器件的J-V特性曲线如图8所示。单电子器件结构为：Al/QDs/ZnO/Al，单空穴器件结构为：AZO/(PEDOT:PSS)V₂O₅-PEDOT:PSS/TFB/QDs/Au。由图可知，当V₂O₅-PEDOT:PSS的混合比例由1:25逐渐向1:5变化时，单空穴器件的电流密度逐渐变小，该实验结果与上述薄膜导电性逐渐减弱的结论相吻合。当V₂O₅-PEDOT:PSS的混合比例为1:25、1:20、1:15时，单空穴器件的电流密度大于单电子器件的电流密度；当V₂O₅-PEDOT:PSS的混合比例为1:10、1:5时，对应单空穴器件的电流密度小于单电子器件的电流密度。由于V₂O₅的引入，V₂O₅-PEDOT:PSS薄膜的导电性逐渐减弱，空穴的传输效率降低，使基于AZO电极的QLED器件中的载流子注入相对平衡。由图可知，当V₂O₅与PEDOT:PSS的混合比例为1:15时，单空穴器件和单载流子器件的J-V曲线更接近，QLED器件中电子-空穴注入相对而言更平衡。该结论也阐明了，当V₂O₅与PEDOT:PSS的混合比例为1:15时，QLED器件性能更佳。

为了考察基于AZO电极、V₂O₅-PEDOT:PSS混合空穴注入层器件的重复性，将取自不同批次的30个器件（其中30个器件中V₂O₅与PEDOT:PSS的混合比例均为1:15）的最大电流效率进行统计，如图9所示。最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，该结果充分表明器件的重复性良好。图10为分别以PEDOT:PSS 和V₂O₅-PEDOT:PSS作为空穴注入层构筑QLED器件寿命表征曲线。由图可知，器件在初始亮度L₀ = 5000 cd/m²的连续直流驱动条件下，通过公式L₀ ⁿ×T_0.5 = K(其中K是常数，1 <n <2)，假设加速系数n = 1.5，两种器件均换算成初始亮度为100 cd/m²寿命分别为2180 h和9051 h，V₂O₅的引入，寿命提高了3.15倍。

本发明采用AZO作为QLED器件的阳极，当V₂O₅与PEDOT:PSS的混合比例为1:15时，器件性能最佳，其功函数约为5.0 eV，可有效的降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率；采用V₂O₅-PEDOT:PSS作为QLED器件的混合空穴注入层，可有效的延长器件的寿命。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种混合空穴注入层QLED器件，其特征在于，所述QLED器件自下而上依次为玻璃基底电极、混合空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极；玻璃基底电极为阳极，顶电极为阴极，所述玻璃基底电极为铝掺杂氧化锌AZO透明电极，混合空穴注入层材料为V₂O₅-PEDOT:PSS，空穴传输层材料为TFB，量子点发光层材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点，电子传输层材料为ZnO，顶电极材料为Al；混合空穴注入层的厚度为40 nm，空穴传输层的厚度为35 nm，量子点发光层的厚度为30 nm，电子传输层的厚度为35 nm，顶电极的厚度为100 nm；

所述混合空穴注入层QLED器件通过如下步骤制备得到：

（1）制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极；

（2）在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上旋涂混合空穴注入层；

（3）在混合空穴注入层上旋涂空穴传输层；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层；

（6）在电子传输层上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可；

步骤（2）中混合空穴注入层是通过将V₂O₅-PEDOT:PSS溶液旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上制备得到的，所述V₂O₅-PEDOT:PSS溶液由V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备得到；

V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合的体积比为1:（5-25）；

V₂O₅的前驱体溶液制备步骤为：将钒的前驱体与异丙醇按照1:（60-80）的体积比混合即得；所述钒的前驱体为三异丙醇氧钒。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合的体积比为1:5、1:10、1:15、1:20、1:25。

3.一种混合空穴注入层QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极；

（2）在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上旋涂混合空穴注入层，所述混合空穴注入层的材料为V₂O₅-PEDOT:PSS；

（3）在混合空穴注入层上旋涂空穴传输层；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS量子点；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；

（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可；

所述顶电极为Al；

混合空穴注入层的厚度为40 nm，空穴传输层的厚度为35 nm，量子点发光层的厚度为30 nm，电子传输层的厚度为35 nm，顶电极的厚度为100 nm；

步骤（2）中混合空穴注入层是通过将V₂O₅-PEDOT:PSS溶液旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上制备得到的，所述V₂O₅-PEDOT:PSS溶液由V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备得到；

V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合的体积比为1:（5-25）。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，V₂O₅的前驱体溶液制备步骤为：将钒的前驱体与异丙醇按照1:（60-80）的体积比混合即得；所述钒的前驱体为三异丙醇氧钒。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，V₂O₅的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合的体积比为1:5、1:10、1:15、1:20、1:25。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述的空穴传输层材料为TFB，TFB在使用前，通过将TFB粉末溶解于氯苯，制备成浓度为8 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成TFB薄膜，备用。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中在QLED器件制备前，通过将粒径为8 nm的ZnCdSeS/ZnS绿光量子点溶解于正辛烷，制备成浓度为18 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成量子点发光薄膜，备用。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中在QLED器件制备前，通过将粒径为3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得浓度为30 mg/mL的ZnO溶液，并通过旋涂的方法制备得到ZnO薄膜，备用。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的铝掺杂氧化锌AZO透明电极通过射频磁控溅射法制备得到。

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