CN110610902A - 屏体制作方法和显示装置 - Google Patents
屏体制作方法和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110610902A CN110610902A CN201910911745.6A CN201910911745A CN110610902A CN 110610902 A CN110610902 A CN 110610902A CN 201910911745 A CN201910911745 A CN 201910911745A CN 110610902 A CN110610902 A CN 110610902A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating
- signal lines
- screen body
- layer
- short
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 78
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 40
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 10
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请涉及一种屏体制作方法和显示装置。首先基板的表面制作绝缘凸起。所述绝缘凸起位于所述基板表面的多个信号线的同一侧。然后在所述基板表面制作短路线路，所述短路线路跨过所述绝缘凸起的表面，并将所述多个信号线相互连接。进而切割所述基板形成多个屏体，最后除去所述绝缘凸起表面的所述短路线路，以使多个所述信号线之间相互断开。通过抛光所述绝缘凸起表面的短路线路断开所述信号线之间的连接降低了工艺难度，不需要特别精确的定位仪器，因此提高了生产效率，降低了生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种屏体制作方法和显示装置。
背景技术
目前的显示屏的驱动显示基板制作过程中，各制程中会大量产生对产品性能不利的静电。通常会使用短路棒(Shorting bar)来解决在各个制程中的静电问题，最后再将短路棒断开。但是现有的断开短路棒的方法对精度要求高，从而提高了生产成本。
发明内容
基于此，有必要针对但是现有的最后断开短路棒的方法对精度要求高的问题，提供一种屏体制作方法和显示装置。
一种屏体制作方法，所述制作方法包括：
S10,提供显示基板，所述显示基板的表面设置有多个信号线；
S20,在所述显示基板的表面制作绝缘凸起，所述绝缘凸起位于所述基板表面的多个信号线的同一侧；
S30,在所述显示基板的表面制作短路线路，所述短路线路覆盖所述绝缘凸起，并将所述多个信号线相互连接；
S40,切割所述显示基板形成多个显示屏体；
S50,沿着每个所述显示屏体的所述绝缘凸起切断所述短路线路，以使多个所述信号线之间相互断开。
在一个实施例中，所述S20包括：
S11,在所述多个信号线的同一侧划定切割位；
S12,在所述切割位的表面形成并排间隔的多个所述绝缘凸起，多个所述绝缘凸起与所述多个信号线一一对应。
在一个实施例中，所述S30包括：
在每个所述绝缘凸起的表面制作的一个短路支路，每个所述短路支路的一端与对应的一个所述信号线连接，多个所述短路支路远离所述信号线的一端在所述绝缘凸起远离所述信号线的一侧相互连接，所述短路线路包括多个所述短路支路。
在一个实施例中，所述S30包括：
S31提供第一预制层，所述第一预制层包括依次层叠设置的石墨烯层、金属层和有机层；
S32将所述第一预制层覆盖于所述显示基板的表面和所述绝缘凸起的表面，所述石墨烯层与所述显示基板的表面和所述绝缘凸起的表面贴合；
S33去除所述有机层形成第二预制层；
S34刻蚀所述第二预制层形成所述短路线路，所述短路线路跨过所述绝缘凸起的表面，并将多个所述信号线相互连接。
在一个实施例中，所述S31包括：
S311，在铜箔表面形成所述石墨烯层；
S312，在所述石墨烯层远离所述铜箔的表形成金属层；
S313，在所述金属层远离所述石墨烯层的表面形成所述有机层；
S314，去除所述铜箔形成所述第一预制层。
在一个实施例中，所述S50中：
通过超声波除去所述绝缘凸起表面的所述短路线路，以使多个所述信号线之间相互断开。
在一个实施例中，所述S50中，通过电化学抛光工艺将所述绝缘凸起表面的所述短路线路去除，以使多个所述信号线之间相互断开。
一种显示装置，包括：
显示屏体，所述显示屏体的表面设置有多个信号线；
绝缘凸起，设置于所述显示屏体，并位于所述多个信号线的一侧。
在一个实施例中，所述绝缘凸起为多个，多个所述绝缘凸起并排间隔设置，所述绝缘凸起的顶部为弧形表面。
在一个实施例中，所述绝缘凸起沿平行于所述显示屏体的方向的截面为矩形、圆形和椭圆形结构中的一种或几种。
本申请实施例提供的屏体制作方法和显示装置，通过在所述显示基板表面制作所述绝缘凸起，并在所述绝缘凸起的表面制作短路线路，当需要断开所述信号线之间的连接时，沿着每个所述显示屏体的所述绝缘凸起切断所述短路线路，以使多个所述信号线之间相互断开即可。断开所述信号线之间的连接时，将所述绝缘凸起的表面的所述信号线作为所述信号线断开的位置，因此降低了定位难度和断开所述短路线路的工艺难度。相比于直接在所述显示基板表面设置所述短路线路，在所述绝缘凸起表面去除所述短路线路不会因为抛光的位置和抛光的厚度出现偏差而对所述显示基板表面的电路造成破坏，因此通过抛光所述绝缘凸起表面的短路线路断开所述信号线之间的连接降低了工艺难度，不需要特别精确的定位仪器，因此提高了生产效率，降低了生产成本。
附图说明
图1为本申请实施例提供的显示屏体制作方法流程图；
图2为本申请实施例提供的绝缘凸起制作流程图；
图3为本申请实施例提供的显示基板表面设置多个绝缘凸起示意图；
图4为本申请实施例提供的显示基板和绝缘凸起截面图；
图5为本申请实施例提供的第一预制层结构图；
图6为本申请实施例提供的第二预制层结构图；
图7为本申请实施例提供的在铜箔表面制作第二预制层的结构图；
图8为本申请实施例提供的所述绝缘凸起表面为弧形表面的示意图。
附图标记说明：
显示基板 100
显示屏体 200
绝缘凸起 110
信号线 120
短路线路 130
短路支路 132
切割位 140
第一预制层 150
石墨烯层 152
金属层 154
有机层 156
第二预制层 160
铜箔 168
弧形表面 152
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请的屏体制作方法和显示装置进行进一步详细说明。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
发明人研究发现，由于显示基板(TFT背板)通常为玻璃材质，因此所述显示基板不导电。在制作显示屏的过程中，静电很容易在所述显示基板的单个独立的结构例如信号线上聚集，引起静电损伤。为了避免静电问题，通常采用短路棒(Shorting Bar)将多个信号线连接相互连接，以防止静电在单个信号线上聚集产生局部损伤。在一些实施例中，在最后切割所述显示基板形成单个显示屏体时，通过在切割线切割所述显示基板将短路棒断开。但是在切割时，如果所述切割线的位置不够准确，容易使得显示基板切割面保留金属，可能会有使得金属被腐蚀的风险。因此需要精确的确定切割位置，而精确确定切割线的位置需要更精密的测位仪器。在一些实施例中，可以通过激光镭射将短路棒断开，但是使用激光镭射需要很高操作精度。而且需要提供激光镭射机，因而提高了生产成本。
请参见图1，本申请实施例提供一种屏体制作方法。所述制作方法包括：
S10,提供显示基板100，所述显示基板100的表面设置有多个信号线120。
请参见图1a,所述S10中，所述显示基板100为绝缘材料，并且不具备导电性。所述显示基板100具体可以为玻璃显示基板。所述显示基板100中可以具有薄膜晶体管驱动电路。所述显示基板100的表面可以设置有多个信号线120。所述信号线120可以为数据线或者扫描线。所述多个信号线120可以并排排列。
S20,在显示基板100的表面制作绝缘凸起110。所述绝缘凸起110位于所述显示基板100表面的多个信号线120的同一侧。
所述绝缘凸起110的材料可以为氮化硅、氧化硅或者三氧化二铝等绝缘材料。所述绝缘凸起110的高度可以与所述信号线120的高度相同。可以通过光刻显影刻蚀工艺制作所述绝缘凸起110。在一个实施例中，所述绝缘凸起110的高度可以高于或者低于所述信号线0-50纳米。因此，在去除所述绝缘凸起110表面的所述短路线路130时，可以避免或者减少对信号线120的磨损。
S30,在所述显示基板100表面制作短路线路130。所述短路线路130覆盖所述绝缘凸起110，并将所述多个信号线120相互连接。
请参见图1b,所述S20中，所述短路线路130可以覆盖在所述显示基板100和所述绝缘显示基板100远离所述显示基板100的表面。所述短路线路130可以与所述显示基板100和所述绝缘凸起110贴合。所述短路线路130可以将所述多个信号线120相互连接。因此，在切割所述显示基板100前，可以通过所述光刻、显影、刻蚀等工艺制作形成所述短路线路130。可以理解，所述短路线路130可以由金属材料制成。所述短路线路130可以由钼、银、钛、铝、金、铜等材料制成。当静电由所述信号线120引入时，可以通过所述短路线路130将多个所述信号线120短路，使得多个所述信号线120相互分担静电，因而可以保护所述信号线120不被静电击伤。
S40,切割所述显示基板100形成多个显示屏体200。根据所述显示屏体的大小可以在所述显示基板100表面预定切割线，根据所述切割线可以将所述显示基板100切割为多个显示屏体200。本实施例中，所述切割线可以不与所述短路线路130交叉或者重合，因此可以避免所述切割线过于靠近所述显示屏体200的中部而使得切割后所述显示基板100的切割面中有线路暴露而被腐蚀。
请参见该图1c,S50，沿着每个所述显示屏体200的所述绝缘凸起110切断所述短路线路130，以使多个所述信号线120之间相互断开。
所述S50中，可以通过抛光工艺去除或者切断所述绝缘凸起110表面的所述短路线路130，即去除或切断除所述绝缘凸起110表面的短路线路130后，所述短路线路130断开，因此所述信号线120之间就无法相互连接，因此可以避免在后面的制成中所述信号线120短路。可以理解，由于所述绝缘凸起110相对于所述显示基板100的表面突出一定高度，因此抛光时只需要对准所述绝缘凸起110即可，不会因为抛光的位置和抛光的厚度出现偏差而对所述显示基板100表面的电路造成破坏。因此通过去除所述绝缘凸起110表面的短路线路130降低了断开所述信号线120之间的连接工艺难度，不需要特别精确的定位仪器，因此提高了生产效率，降低了生产成本。
本申请实施例提供的所述屏体制作方法，通过在所述显示基板100表面制作所述绝缘凸起110，并在所述绝缘凸起110的表面制作短路线路130，使在断开所述信号线120之间的连接时，只需要沿着每个所述显示屏体200的所述绝缘凸起110去除所述绝缘凸起110表面的短路线路130即可。去除断开所述信号线120之间的连接时，将所述绝缘凸起110的表面的所述短路线130作为所述信号线120断开的位置，因此降低了定位难度和断开所述短路线路130的工艺难度。相比于直接在所述显示基板100表面设置所述短路线路130，在所述绝缘凸起110表面去除所述短路线路130不会因为抛光的位置和抛光的厚度出现偏差而对所述显示基板100的表面造成破坏，因此通过抛光所述绝缘凸起110表面的短路线路130断开所述信号线120之间的连接降低了工艺难度，不需要增加特别精确的定位仪器，因此提高了生产效率，降低了生产成本。
请参见图2,在一个实施例中，所述S20包括：
S21,在所述多个信号线120的同一侧划定切割位140。
S22,在所述切割位140的表面形成并排间隔的多个所述绝缘凸起110。多个所述绝缘凸起110与所述多个信号线120一一对应。
本实施例中，所述信号线120可以平行并排间隔排列。所述绝缘凸起110的个数可以与所述信号线120的个数相同。每个所述绝缘凸起110可以对应设置在与之对应的所述信号线120的延长线的位置。
请参见图3-4，在一个实施例中，所述S30中包括：
在每个所述绝缘凸起110的表面制作的一个短路支路132。每个所述短路支路132的一端与对应的一个所述信号线120连接。多个所述短路支路132远离所述信号线120的一端在所述绝缘凸起110远离所述信号线120的一侧相互连接。所述短路线路130包括多个所述短路支路132。
本实施例中，所述短路线路130可以包括多个短路支路132。每个短路支路132可以为一条导电线。即在每个所述绝缘凸起110的表面可以形成一个所述导电线。所述导电线的一端和与所述绝缘凸起110对应的所述信号线120连接。所述导电线的另一端跨过所述绝缘凸起110然后延伸至所述绝缘凸起110远离所述信号线120的一侧，并覆盖在所述显示基板100的表面。多个所述导电线远离所述信号线120的一端可以相互连接。因此，通过多个所述短路支路132可以将多个所述信号线120对应连接。因而可以达到避免静电在某个信号线120集中的目的。
可以理解，由于每个所述绝缘凸起110对应一个所述短路支路132。因此，当需要将一个所述信号线120与其它所述信号线120断开时，只需要将与所述信号线120连接的所述短路支路132断开即可。通过去除所述短路支路132在所述绝缘凸起110表面的部分，即可将所述信号线120与其它所述信号线120断开。由于一个所述绝缘凸起110对应一个所述短路支路132，因此去除一个所述绝缘凸起110的表面的一个所述短路支路132相比于同时去除一个所述绝缘凸起110表面的多个短路支路132更准确也更彻底，能够确保所述短路支路132被断开。通过单独去除每一个所述绝缘凸起110的表面的短路支路132，能够避免后期制程由于没有去除干净所述短路支路132造成短路。
请参见图5-6，在一个实施例中，所述S30包括：
S31提供第一预制层150，所述第一预制层150包括依次层叠设置的石墨烯层152、金属层154和有机层156。可以在衬底的表面生长所述石墨烯层152，然后在所述石墨烯层152的表面沉积所述金属层154。所述金属层154的厚度可以为30nm-70nm。所述金属层154可以起到支撑的作用。可以理解，所述石墨烯层152具有导电性能，因此可以起到转移静电的作用。石墨烯层152与绝缘凸起110的表面之间的粘附力为范德华力，粘附力较低。因此所述石墨烯层152在外界振动等条件下容易与所述绝缘凸起110的表面脱离，从而达到断开所述短路线路130的目的。
所述有机层156可以为聚甲基丙烯酸甲酯等有机物。通过所述有机层156可以在转移所述第一预制层150的过程中起到支撑的作用，并且可以避免在转移过程中所述第一预制层150受力不均被撕裂。
S32将所述第一预制层150覆盖于所述显示基板100的表面和所述绝缘凸起110的表面。所述石墨烯层152与所述显示基板100的表面和所述绝缘凸起110的表面贴合。即所述石墨烯层152位于所述第一预制层150的最外层。将所述石墨烯层152直接贴合在所述绝缘凸起110和所述显示基板100的表面。
S33去除所述有机层156形成第二预制层160。通过化学试剂可以将所述有机层156溶去。所述化学试剂可以为有机溶剂。因此所述第二预制层160可以包括所述石墨烯层152和所述金属层154。
S34刻蚀所述第二预制层160形成所述短路线路130，所述短路线路130跨过所述绝缘凸起110的表面，并将多个所述信号线120相互连接。刻蚀过程中可以先利用掩膜版，通过湿刻的方式刻蚀所述金属层154。然后通过干刻的方式刻蚀所述石墨烯层152。通过两次刻蚀分层刻蚀可以减少刻蚀阻力，提高刻蚀效率。
请参见图7，在一个实施例中，所述S31包括：
S311，在铜箔168表面形成所述石墨烯层152。可以通过化学气相沉积或者物理气相沉积的方式沉积所述石墨烯层152。
S312，在所述石墨烯层152远离所述铜箔168的表形成金属层154。所述金属层154可以通过物理气相沉积形成。所述金属层154可以为铝、银、金、钛等。
S313，在所述金属层154远离所述石墨烯层152的表面形成所述有机层156。可以在所述金属层154的表面涂抹液态有机物，通过烘干等方式可以使得所述液态有机物形成所述有机层156。
S314，去除所述铜箔168形成所述第一预制层150。可以通过化学试剂溶去所述铜箔168。
在一个实施例中，所述S50中：
通过超声波除去所述绝缘凸起110表面的所述短路线路130，以使多个所述信号线120之间相互断开。由于所述短路线路130与所述绝缘凸起110贴合的部分为石墨烯层152。而所述石墨烯层152与所述绝缘凸起110表面的粘附力较小，因此通过超声波可以使得所述石墨烯层152与所述绝缘凸起110表面脱离，能够降低对所述显示基板100表面电路的影响。
在一个实施例中，所述S50中，通过电化学抛光工艺将所述绝缘凸起110表面的所述短路线路130去除，以使多个所述信号线120之间相互断开。电化学抛光工艺采用的设备简单，使用方便，可以降低生产成本。
本申请实施例还提供一种显示装置。所述显示装置包括显示屏体200和绝缘凸起110。所述显示屏体200的表面设置有多个信号线120。所述绝缘凸起110设置于所述显示屏体200的所述多个信号线120的一侧。所述绝缘凸起110可以做为断开所述短路线路130的平台。所述绝缘凸起110的高度可以与所述信号线120的高度大致相同。因此可以在显示装置中保留所述绝缘凸起110。且所述绝缘凸起110不会影响后去制程。
请参见图8，在一个实施例中，所述绝缘凸起110为多个。多个所述绝缘凸起110并排间隔设置。所述绝缘凸起110的顶部为弧形表面158。在切割所述显示基板100前，每个所述绝缘凸起110的表面可以设置有一个短路支路132。位于所述绝缘凸起110表面的所述短路支路132在切割所述显示基板100后被去除。所述绝缘凸起110的顶部为弧形表面158，因此在振动所述石墨烯层152时，便于使所述石墨烯层152表面松动，有利于所述石墨烯层152从所述绝缘凸起110的顶部脱离，达到断开所述短路线路130的目的。所述绝缘凸起110的顶部为弧形表面158时，也有利于通过抛光工艺去除所述弧形表面158的短路线路130。即所述绝缘凸起110的顶部为弧形表面158时，抛光时可以沿着弧形表面158的顶端切面抛光所述短路线路130。因此便于在所述绝缘凸起110的最高处切断所述短路线路130，通过去除较少的短路线路130材料即可达到断开所述短路线路130的目的。
在一个实施例中，所述绝缘凸起110沿平行于所述显示屏体200的方向的截面为矩形、圆形和椭圆形结构中的一种或几种。即所述绝缘凸起110在所述显示基板100的投影为矩形、圆形和椭圆形结构中的一种或几种。所述绝缘凸起110结构简单，便于制作，能够提高生产效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种屏体制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
S10,提供显示基板(100)，所述显示基板(100)的表面设置有多个信号线(120)；
S20,在所述显示基板(100)的表面制作绝缘凸起(110)，所述绝缘凸起(110)位于所述基板(100)表面的多个信号线(120)的同一侧；
S30,在所述显示基板(100)的表面制作短路线路(130)，所述短路线路(130)覆盖所述绝缘凸起(110)，并将所述多个信号线(120)相互连接；
S40,切割所述显示基板(100)形成多个显示屏体(200)；
S50,沿着每个所述显示屏体(200)的所述绝缘凸起(110)切断所述短路线路(130)，以使多个所述信号线(120)之间相互断开。
2.如权利要求1所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S20包括：
S21,在所述多个信号线(120)的同一侧划定切割位(140)；
S22,在所述切割位(140)的表面形成并排间隔的多个所述绝缘凸起(110)，多个所述绝缘凸起(110)与所述多个信号线(120)一一对应。
3.如权利要求2所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S30包括：
在每个所述绝缘凸起(110)的表面制作一个短路支路(132)，每个所述短路支路(132)的一端与对应的一个所述信号线(120)连接，多个所述短路支路(132)远离所述信号线(120)的一端在所述绝缘凸起(110)远离所述信号线(120)的一侧相互连接，所述短路线路(130)包括多个所述短路支路(132)。
4.如权利要求1所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S30包括：
S31提供第一预制层(150)，所述第一预制层(150)包括依次层叠设置的石墨烯层(152)、金属层(154)和有机层(156)；
S32将所述第一预制层(150)覆盖于所述显示基板(100)的表面和所述绝缘凸起(110)的表面，且所述石墨烯层(152)与所述显示基板(100)的表面和所述绝缘凸起(110)的表面贴合；
S33去除所述有机层(156)形成第二预制层(160)；
S34刻蚀所述第二预制层(160)形成所述短路线路(130)，所述短路线路(130)跨过所述绝缘凸起(110)的表面，并将多个所述信号线(120)相互连接。
5.如权利要求4所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S31包括：
S311，在铜箔(168)表面形成所述石墨烯层(152)；
S312，在所述石墨烯层(152)远离所述铜箔(168)的表形成金属层(154)；
S313，在所述金属层(154)远离所述石墨烯层(152)的表面形成所述有机层(156)；
S314，去除所述铜箔(168)形成所述第一预制层(150)。
6.如权利要求4所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S50中：
通过超声波除去所述绝缘凸起(110)表面的所述短路线路(130)，以使多个所述信号线(120)之间相互断开。
7.如权利要求1所述的屏体制作方法，其特征在于，所述S50中，通过电化学抛光工艺将所述绝缘凸起(110)表面的所述短路线路(130)去除，以使多个所述信号线(120)之间相互断开。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示屏体(200)，所述显示屏体(200)的表面设置有多个信号线(120)；
绝缘凸起(110)，设置于所述显示屏体(200)，并位于所述多个信号线(120)的一侧。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘凸起(110)为多个，多个所述绝缘凸起(110)并排间隔设置，所述绝缘凸起(110)的顶部为弧形表面(158)。
10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘凸起(110)沿平行于所述显示屏体的方向的截面为矩形、圆形和椭圆形结构中的一种或几种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910911745.6A CN110610902B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 屏体制作方法和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910911745.6A CN110610902B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 屏体制作方法和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110610902A true CN110610902A (zh) | 2019-12-24 |
| CN110610902B CN110610902B (zh) | 2021-12-14 |
Family
ID=68893457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910911745.6A Active CN110610902B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 屏体制作方法和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110610902B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1737883A (zh) * | 2004-03-09 | 2006-02-22 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示器及其制造方法 |
| CN101231435A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN101320147A (zh) * | 2007-02-22 | 2008-12-10 | 三星电子株式会社 | 显示基板及其制造方法和具有显示基板的显示装置 |
| CN102738146A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置用基板、电光装置及其制造方法以及电子设备 |
| CN103809318A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制造方法、阵列基板及显示设备 |
| CN107004774A (zh) * | 2014-12-11 | 2017-08-01 | 乐金显示有限公司 | 具有耐腐蚀印刷电路膜的柔性显示装置 |
| CN110109573A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-09 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控组件及触控显示面板 |
-
2019
- 2019-09-25 CN CN201910911745.6A patent/CN110610902B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1737883A (zh) * | 2004-03-09 | 2006-02-22 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示器及其制造方法 |
| CN101231435A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
| CN101320147A (zh) * | 2007-02-22 | 2008-12-10 | 三星电子株式会社 | 显示基板及其制造方法和具有显示基板的显示装置 |
| CN102738146A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置用基板、电光装置及其制造方法以及电子设备 |
| CN103809318A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制造方法、阵列基板及显示设备 |
| CN107004774A (zh) * | 2014-12-11 | 2017-08-01 | 乐金显示有限公司 | 具有耐腐蚀印刷电路膜的柔性显示装置 |
| CN110109573A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-09 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控组件及触控显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110610902B (zh) | 2021-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6710408B2 (en) | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display structure | |
| US9252164B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| US10573595B2 (en) | Array substrate, fabricating method thereof, and display device | |
| TWI297095B (en) | Bonding pad structure for a display and fabrication method thereof | |
| CN103021940B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN111106151B (zh) | 电子装置 | |
| CN110112196B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2012003266A (ja) | マザーボード及びアレイ基板の製造方法 | |
| CN102244082B (zh) | 阵列基板制造方法 | |
| CN103928473A (zh) | 可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法 | |
| CN106575063B (zh) | 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法 | |
| JP2008070874A (ja) | 可撓性表示装置の製造装置及び製造方法 | |
| US20220221951A1 (en) | Mask, display panel, and method for manufacturing thereof | |
| CN110610902B (zh) | 屏体制作方法和显示装置 | |
| EP3358401B1 (en) | Array substrate, manufacturing method, and corresponding display panel and electronic device | |
| CN105759484A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US20120168790A1 (en) | Display device structure and manufacturing method thereof | |
| KR100633316B1 (ko) | 정전기방지를 위한 박막트랜지스터 어레이기판 제조방법 | |
| WO2016155194A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN111769080B (zh) | 显示面板 | |
| CN109817577A (zh) | 一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法 | |
| CN110783275B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110504292B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| CN110993623A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 | |
| CN216013867U (zh) | 静电保护电路和阵列基板、tft液晶显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |