CN110331422A - 一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，属于陶瓷基板技术领域，包含以下步骤：S1：将陶瓷基板置于8%‑12%的稀盐酸中浸泡5‑10min后，用去离子水超声清洗10‑20min，用氩气吹干后，置于烘箱中烘干；S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为1.5‑2.5ASD，镀液温度20‑25℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为22‑30次/min，进行电镀。采用本发明的方法，镀覆30min，得到80‑90微米厚度的镀层，电镀铜层与陶瓷基板结合力良好，方阻小，导电性优良，镀层有较好的抗热冲击能力，可靠性较强。

Description

一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法

技术领域

本发明涉及陶瓷基板技术领域，具体涉及一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法。

背景技术

发光二极管( LED)芯片已被普遍应用于照明产品，散热能力是影响LED效率的重要因素，散热基板是LED散热通道的关键部分，应具备高导热性、高电绝缘性。大功率散热基板材料要求具有低成本、高电绝缘性、高稳定性、高导热性及与芯片匹配的热膨胀系数(CTE)、平整性和较高的强度等。为了满足这些要求，人们将目光投向了金属氧化物、陶瓷、聚合物、复合材料等。陶瓷基板具有热导率高，热膨胀系数与芯片匹配，绝缘性好，机械性能稳定等优点，受到人们的青睐。对于大功率LED陶瓷基板，其电流承载能力决定了大功率LED芯片能否在额定电流下工作，达到物尽其用的效果。决定电流承载能力的关键因素是陶瓷基板导电层的厚度，也即铜层厚度。经过溅射得到的铜层较薄，一般不到1微米，无法承受大电流，不满足大功率LED工作要求。铜层的厚度与其导热性有关，由热导率公式可知，在传热路径长度和材料导热系数不变的情况下，热阻与铜层厚度成反相关。铜层厚度增加，相应的，热阻减小，导热性加强。综合考虑，有必要加厚铜层来满足LED电学性能和热学性能。然而，常规的镀铜工艺，镀层表面粗糙，附着力差，方阻大，不能满足使用要求。

公告号为CN102695370B的专利公开了一种陶瓷异型材表面金属化的方法，具体为一种陶瓷电路板的制备方法,制备步骤为：(1)制备陶瓷基板；(2)在陶瓷基板表面用激光雕刻需要的电路图案；(3)将步骤(2)得到的陶瓷基板置于化学镀中化镀铜打底；(4)在镀层表面化镀镍，或者化镀金或银，防止铜氧化。采用激光雕刻技术与化学镀铜相结合，使陶瓷板上有选择的覆上铜，选择性更好。但是，该方法的镀层与基板之间的结合力差，易脱落，不能满足陶瓷基板的技术要求。

公开号为CN105472900A的专利文献公开了一种电路板的加工方法。该方法包括：外层图形步骤：在层压板的表面加工出外层图形，所述外层图形包括信号承载线路和电流承载线路；电镀增厚步骤：进行沉铜电镀，在所述层压板的全表面形成金属导电层；以所述金属导电层为电镀引线，将所述电流承载线路电镀增厚1-3OZ；微蚀去除金属导电层；层压步骤：在所述电路板表面的电流承载线路以外的区域，层压与所述电流承载线路厚度相当的绝缘层；以及，重复所述电镀增厚步骤和层压步骤，直到将所述电流承载线路增厚到所需要的厚度。该方法没有公开电镀增厚的详细步骤，也没有公开镀液的成分，得到的镀层热冲击性能差，方阻大，表面粗糙。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,镀层与陶瓷基板结合力良好，导电性优良，具有较好的抗热冲击能力，可靠性较强。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于8%-12%的稀盐酸中浸泡5-10min后，用去离子水超声清洗10-20min，用氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为1.5-2.5ASD，镀液温度 20-25℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为22-30次/min，进行电镀。

进一步的，所述磷铜中磷的质量分数为0.12-0.15%。

进一步的，所述镀液有以下重量份数的组分制成：硫酸铜55-65份、硫酸10-18份、氯化铜5-12份、2,2′-联咪唑0.05-0.1份、光亮剂0.2-0.5份、整平剂0.1-0.3份、分散剂0.15-0.2份、稳定剂0.12-0.2份、促进剂0.03-0.08份。

进一步的，所述光亮剂为乙撑硫脲或聚二硫二丙烷磺酸钠。

进一步的，所述整平剂为硫黄素T或聚乙烯亚胺季铵盐。

进一步的，所述分散剂为十二烷基硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠。

进一步的，所述稳定剂为2-巯基苯并噻或甲醇。

进一步的，所述促进剂为3-硫醇基-1-丙烷磺酸、3-硫-异硫脲丙基磺酸盐、N,N-二甲基-二硫代氨甲酰丙基磺酸钠中的一种。

自1958年第一块硅集成电路诞生以来，陶瓷基板已经成为混合集成电路的重要的组成部分。基板表面的金属化有许多种，比如，活性金属法、直接键合法等。由于化学电镀具有技术简单、镀层均匀、厚度可控和低成本等优点，应用广泛，化学镀铜技术是在基板上沉积一层高导电性的铜层，但镀液稳定性不高，所以长期以来，本领域的技术人员主要集中在镀液稳定性的研究，故而对镀层导电性能和热冲击性能的影响因素研究不多。例如：宁洪龙.耿志挺.马莒生.黄福祥.钱志勇.陈国海.陶瓷基板化学镀铜预处理的研究[J].稀有金属材料与工程,2004,33,3:321-323,采用的镀液包括硫酸铜、酒石酸钾钙、乙二胺四乙酸、甲醛等，镀层与基板具有较好的结合强度，但是导电性能和热冲击性能不理想。又如：宋秀峰.傅仁利.何洪.沈源.韩艳春.氧化铝陶瓷基板化学镀铜金属化及镀层结构[J].电子元件与材料,2007,26,2:40-42，依次用水、氢氧化钠溶液、水清洗后，进行粗化、敏化、活化等处理，得到化学镀铜膜层，并对镀层的性能进行测试分析，镀层与基板之间结合良好，但是镀层与基板界面存在凸起和凹坑，热冲击性能差。

在基板的制造过程中，电镀的质量对基板的成品率和可靠性有着重要的影响。本领域的技术人员认为，镀液中整平剂能够阴极尖端或凸起之处，阻挡铜离子的沉积，所以能将镀面予以平整化，但是这样造成阴极尖端处的电荷大量消耗于此电化学反应中，因而减少铜离子的还原数量，造成镀层较薄。故为了得到较厚的镀层，一般电镀液中不添加整平剂。但是，整平剂在电镀中具有提高镀层光亮度、平整性等，在得到高韧性的镀层发挥着重要的作用。所以，后来也有研究人员对整平剂和对流方式进行研究。例如：赖志强.王翀.何为.程骄.梁坤.肖定军.对流和整平剂协同对PCB通孔深镀能力的影响研究[J].电镀与涂覆,2016秋季国际PCB技术/信息论坛:106-110，以环氧乙烯亚胺共聚物为整平剂，在哈林槽中采用不同鼓气方式进行电镀试验，以得到对流方式不同对深镀能力的影响，结果表明，采用阳极鼓气的方式能够在一定程度上提高深镀能力。

但是，本领域的技术人员认为，对流越强反而不利于铜离子的沉积，对流较弱时铜离子容易沉积，这样，再添加整平剂的前提下，为了得到较厚的镀层，就要减少对流的强度，但是得到的镀层平整性差；为了得到平整性好的镀层，就要增大对流的强度，这样得到的镀层较薄。所以，增加对流的方式也无法得到平整性好，且较厚的镀层。目前本领域的技术人员尚未得到一个行之有效的方法解决这一问题，这也是陶瓷基板乃至相关行业发展受限的一个重要因素。

本申请的发明人经过多年潜心研究，先后进行了几百次试验，面对一次次的失败，也曾几次想过放弃。但是，团队的支持，内心的不甘，支持着发明人一路走了下来，并坚信一定能够解决这一技术难题。终于，研发了将电镀方法与镀液成分相结合的技术方案，达到了优异的技术效果。

本发明的有益效果是：本发明先用稀盐酸对陶瓷基板浸泡，用于除去陶瓷基板因暴露在空气中表面产生的氧化层，去离子水超声清洗去除残留的盐酸。用氩气吹干后，烘干，保持陶瓷基板表面的洁净度，防止表面污渍对后序工艺造成影响。为了增加铜层厚度，在溅射镀铜后，进行电镀铜。在整流器的作用下，阳极得到电子，释放铜原子进入镀液，阴极得到电子，铜原子沉积到陶瓷基板上。采用本发明的方法，镀覆30min，得到80-90微米厚度的镀层。

本发明限定电流密度为1.5-2.5ASD，阴极极化提高，过电位增大，致使铜镀层结晶组织细致，镀层表面光亮平整。温度对镀层有很大影响，温度过低时，离子传输速率慢，阴极浓度极化增大，同时，硫酸铜溶解度降低，二者导致操作电流密度下降，电镀速率降低。操作温度过高，光亮范围缩小甚至难以镀出光亮层，镀层发雾或粗糙，延展率下降，脆性增加，添加剂消耗过快，造成浪费。故本申请限定镀液温度 20-25℃。本发明限定阴极杆移动速度为22-30次/min，搅拌强度适中，电迁移和扩散传质能够满足阴极电沉积过程铜离子和添加剂的消耗，镀层表面光亮，平整度好。

磷铜中磷的质量分数为0.12-0.15%，磷铜阳极表面在电镀过程中会产生一层棕黑的阳极泥，抑制铜的快速溶解。若阳极中磷含量过高，产生的阳极泥过多，影响铜的溶解，镀液中的 Cu²⁺得不到补充，无法满足高电流密度要求；含量低，形成的阳极泥较薄，对铜溶解的抑制不明显，镀液中一价铜离子含量增加，铜粉增多，添加剂消耗过快。

镀液中硫酸铜为主盐，硫酸强电解质，能提高镀液电导率，还能防止硫酸铜水解，氯化铜提供氯离子，促进阳极正常溶解，防止阳极钝化，保证镀层光亮平整。2,2′-联咪唑能够增加镀层的韧性，增强冲击性能。光亮剂乙撑硫脲或聚二硫二丙烷磺酸钠与整平剂硫黄素T或聚乙烯亚胺季铵盐相结合，提高低电流密度区的光亮度。分散剂十二烷基硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠，降低镀液与溶液间的表面张力，消除麻点，扩大电流密度范围，使镀件在低电流密度区光亮性好，降低方阻。稳定剂2-巯基苯并噻和甲醇能够吸附到活性核表面，阻止镀液中的杂质颗粒发生的副反应，使镀层更加光滑致密，同时该稳定剂与整平剂相结合，整平剂阻挡铜离子在阴极尖端或凸起之处的沉积，稳定剂能够使这部分铜离子在凹陷处快速沉积，从而得到表面平整，厚度均匀的镀层。促进剂3-硫醇基-1-丙烷磺酸、3-硫-异硫脲丙基磺酸盐、N,N-二甲基-二硫代氨甲酰丙基磺酸钠提高化学镀铜的沉积速率，提高镀铜效率。

本发明电镀铜层表现出良好的综合性能：粘附强度测试，仅仅只有少量边缘部位脱落，脱落面积约为2%-3%，表明镀层与陶瓷基板结合力良好，方阻小于0.075Ω/□，导电性优良；经热冲击测试，低温和高温交替循环后，百格法测试膜/基结合力，脱落面积约为3%-4%，表明电镀铜层具有较好的抗热冲击能力，可靠性较强。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

表1 实施例1-6 镀液中各组分的重量份数（份）

实施例1

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于8%的稀盐酸中浸泡10min后，用去离子水超声清洗10min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为1.5ASD，镀液温度20℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为22次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.12%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为乙撑硫脲。所述整平剂为硫黄素T。所述分散剂为十二烷基硫酸钠。所述稳定剂为2-巯基苯并噻。所述促进剂为3-硫醇基-1-丙烷磺酸。

实施例2

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于9%的稀盐酸中浸泡9min后，用去离子水超声清洗12min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为1.8ASD，镀液温度21℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为24次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.13%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。所述整平剂为聚乙烯亚胺季铵盐。所述分散剂为十二烷基苯磺酸钠。所述稳定剂为甲醇。所述促进剂为3-硫-异硫脲丙基磺酸盐。

实施例3

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于10%的稀盐酸中浸泡8min后，用去离子水超声清洗14min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为2ASD，镀液温度22℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为26次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.13%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为乙撑硫脲。所述整平剂为硫黄素T。所述分散剂为十二烷基硫酸钠。所述稳定剂为2-巯基苯并噻。所述促进剂为N,N-二甲基-二硫代氨甲酰丙基磺酸钠。

实施例4

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于11%的稀盐酸中浸泡7min后，用去离子水超声清洗16min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为2.1ASD，镀液温度23℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为27次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.14%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。所述整平剂为聚乙烯亚胺季铵盐。所述分散剂为十二烷基苯磺酸钠。所述稳定剂为甲醇。所述促进剂为3-硫醇基-1-丙烷磺酸。

实施例5

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于11%的稀盐酸中浸泡6min后，用去离子水超声清洗18min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为2.3ASD，镀液温度24℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为28次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.14%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为乙撑硫脲。所述整平剂为硫黄素T。所述分散剂为十二烷基硫酸钠。所述稳定剂为2-巯基苯并噻。所述促进剂为3-硫-异硫脲丙基磺酸盐。

实施例6

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于12%的稀盐酸中浸泡5min后，用去离子水超声清洗20min，超声清洗的频率为25KHz，温度为50℃，用0.3Mpa的氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为2.5ASD，镀液温度25℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为30次/min，进行电镀。所述磷铜中磷的质量分数为0.15%。

所述镀液中，各组分的重量份数见表1。所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。所述整平剂为聚乙烯亚胺季铵盐。所述分散剂为十二烷基苯磺酸钠。所述稳定剂为2-巯基苯并噻。所述促进剂为N,N-二甲基-二硫代氨甲酰丙基磺酸钠。

实施例7

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,同实施例4，但与实施例4不同的是，本实施例中添加0.15重量份数的十六烷基三甲基溴化铵。

实施例8

本实施例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,同实施例5，但与实施例5不同的是，本实施例中添加0.16重量份数的十六烷基三甲基溴化铵。

十六烷基三甲基溴化铵能够降低镀液的表面张力，对镀层起到细化作用，增强粘结性能，得到厚度均匀的镀层。

实施例1-8中，硫酸为98%浓度的浓硫酸，镀液的制备方法是，将各组分混合后，以200r/min的转速，50℃条件下搅拌30min后，置于超声波中常温震荡1h得到，超声波频率为30KHz。

对比例1

本对比例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,与实施例1的不同之处在于：电流密度为1ASD，镀液温度15℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为18次/min。

对比例2

本对比例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,与实施例1的不同之处在于：电流密度为3ASD，镀液温度30℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为35次/min。

对比例3

本对比例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,与实施例1的不同之处在于：陶瓷基板电镀前，未经稀盐酸浸泡和去离子水超声清洗。

对比例4

本对比例提供一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法,与实施例1的不同之处在于：镀液中缺少稳定剂。

测试方法

将实施例1-8及对比例1-4的电镀铜层进行性能测试。

粘附强度：利用百格刀在金属层划刻出10×10个1cm×1cm的正方网格，切口直至底材，用毛刷沿对角方向各刷5次，将3M胶带紧贴在网格上，保持90±30s，然后垂直于基板快速拉起胶带，再重复一次上述动作，观测金属层形态，一般脱落面积小于总面积的 5%视为合格。

方阻测试：薄膜的导电性通常用方阻（方块电阻）来表示，本发明用四探针法测试电镀层方阻。

热冲击试验：热冲击试验是为了测试电镀铜层与陶瓷层在冷热交替循环条件下产生的热应力的作用下，二者之间的结合力。样品在高温（120℃）环境下放置1h，在室温下放置10min，再在低温（-25℃）环境下放置1h，交替循环4次，使用百格法测试膜/基结合力。

表2 实施例1-8及对比例1-4电镀铜层性能测试结果

结合表2，对本发明实施例1-8及对比例1-4电镀铜层的性能进行测试，可以看出，实施例1-8电镀铜层表现出良好的综合性能：表面光滑，粘附强度测试，仅仅只有少量边缘部位脱落，脱落面积约为2%-3%，表明镀层与陶瓷基板结合力良好，方阻小于0.075Ω/□，导电性优良；经热冲击测试，低温和高温交替循环后，百格法测试膜/基结合力，脱落面积约为3%-4%，表明电镀铜层有较好的抗热冲击能力，可靠性较强。对比例1降低了电流密度，镀液温度，和阴极杆移动速度。电流密度过低，阴极极化作用过低，电极表面活性不够，晶核形成速度小于成长速度，导致表面粗糙、暗淡，附着力差，方阻增大。温度过低时，离子传输速率慢，阴极浓度极化增大，同时，硫酸铜溶解度降低，二者导致操作电流密度下降，电镀速率降低。阴极移动速度小，搅拌强度小，电迁移和扩散传质不能满足阴极电沉积过程铜离子和添加剂的消耗，阴极附近的铜离子得不到补充，电极界面层溶液粒子浓度与镀液本体浓度之差增大，从而导致槽电压增大，电耗增大，导致镀层表面不够致密。对比例2增大了电流密度，镀液温度，和阴极杆移动速度。电流密度过大时，铜水化离子来不及脱水，带着水化膜中的水一同沉积在镀层上，阻碍了晶体的正常生长，影响了镀层组织。温度过高，光亮范围缩小甚至难以镀出光亮层，镀层发雾或粗糙，延展率下降，脆性增加，添加剂消耗过快，造成浪费。当阴极移动速率增加，移动速率过快，镀液容易飞溅出来。对比例3未经稀盐酸浸泡和去离子水超声清洗，陶瓷基板表面含有的灰尘等杂质影响镀层与基板之间的粘合强度。对比例4镀液中缺少稳定剂，电流密度范围小，方阻大，粘合性能差。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本发明的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：包含以下步骤：

S1：将陶瓷基板置于8%-12%的稀盐酸中浸泡5-10min后，用去离子水超声清洗10-20min，用氩气吹干后，置于烘箱中烘干；

S2：将烘干后的陶瓷基板夹持在阴极杆夹具上，把阴极杆置于电镀槽内，使镀液淹没阴极板，阳极杆上设置磷铜，电流密度为1.5-2.5ASD，镀液温度 20-25℃，调节电机转速来控制阴极杆移动速度为22-30次/min，进行电镀。

2.如权利要求1所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述磷铜中磷的质量分数为0.12-0.15%。

3.如权利要求1所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述镀液有以下重量份数的组分制成：硫酸铜55-65份、硫酸10-18份、氯化铜5-12份、2,2′-联咪唑0.05-0.1份、光亮剂0.2-0.5份、整平剂0.1-0.3份、分散剂0.15-0.2份、稳定剂0.12-0.2份、促进剂0.03-0.08份。

4.如权利要求3所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述光亮剂为乙撑硫脲或聚二硫二丙烷磺酸钠。

5.如权利要求3所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述整平剂为硫黄素T或聚乙烯亚胺季铵盐。

6.如权利要求3所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述分散剂为十二烷基硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠。

7.如权利要求3所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述稳定剂为2-巯基苯并噻或甲醇。

8.如权利要求3所述一种陶瓷基板电镀铜层增厚方法，其特征在于：所述促进剂为3-硫醇基-1-丙烷磺酸、3-硫-异硫脲丙基磺酸盐、N,N-二甲基-二硫代氨甲酰丙基磺酸钠中的一种。