CN118076165A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置及其制造方法。一实施方式涉及的显示装置具备：电路层，其包含像素电路；绝缘层，其覆盖所述电路层并具有接触孔；下电极，其配置在所述绝缘层的上方，通过所述接触孔而与所述像素电路连接；填充材料，其位于所述接触孔的内侧、由覆盖所述下电极的有机绝缘材料形成；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部的上方；有机层，其通过所述像素开口而覆盖所述下电极、并对应于电压的施加而发光；和上电极，其覆盖所述有机层。所述肋部及所述隔壁在俯视观察时与所述接触孔的整体重叠。此外，所述填充材料的厚度小于所述接触孔的深度。

Description

显示装置及其制造方法

关联申请的交叉参照

本申请主张基于2022年11月24日提出的日本专利申请第2022-187255号的优先权，并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。下电极配置在例如由有机绝缘材料形成的绝缘层之上，通过设置于该绝缘层的接触孔而与包含薄膜晶体管的像素电路连接。

在制造上述显示装置时，需要提高制造工序的成品率的技术。

发明内容

总体而言，根据实施方式，显示装置包括：电路层，其包含像素电路；绝缘层，其覆盖所述电路层并具有接触孔；下电极，其配置在所述绝缘层的上方，通过所述接触孔而与所述像素电路连接；填充材料，其位于所述接触孔的内侧、由覆盖所述下电极的有机绝缘材料形成；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部的上方；有机层，其通过所述像素开口而覆盖所述下电极、并对应于电压的施加而发光；和上电极，其覆盖所述有机层。所述肋部及所述隔壁在俯视观察时与所述接触孔的整体重叠。此外，所述填充材料的厚度小于所述接触孔的深度。

根据实施方式涉及的另一观点，显示装置的制造方法包括：形成包含像素电路的电路层；形成覆盖所述电路层并具有接触孔的绝缘层；在所述绝缘层的上方形成通过所述接触孔而与所述像素电路连接的下电极；形成覆盖所述绝缘层及所述下电极并填充于所述接触孔的至少一部分的绝缘性的感光性材料；不使用光掩模而对所述感光性材料的整体进行曝光；和通过对所述感光性材料进行显影，以将所述感光性材料中的位于所述接触孔的外侧的部分除去并且减小所述感光性材料中的位于所述接触孔的内侧的部分的厚度，从而在所述接触孔的内侧形成具有比所述接触孔的深度小的厚度的填充材料。

根据实施方式，能够提供能提高制造工序的成品率的显示装置及其制造方法。

附图说明

图1是示出一实施方式涉及的显示装置的构成例的图。

图2是示出子像素的布局的一例的概略俯视图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。

图4是沿着图2中的IV-IV线的显示装置的概略剖视图。

图5是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。

图6是示出显示装置的制造工序的一部分的概略剖视图。

图7是示出接着图6的工序的概略剖视图。

图8是示出接着图7的工序的概略剖视图。

图9是示出接着图8的工序的概略剖视图。

图10是示出接着图9的工序的概略剖视图。

图11是示出接着图10的工序的概略剖视图。

图12是示出接着图11的工序的概略剖视图。

图13是示出接着图12的工序的概略剖视图。

图14是示出接着图13的工序的概略剖视图。

图15是示出接着图14的工序的概略剖视图。

图16是示出接着图15的工序的概略剖视图。

图17是示出接着图16的工序的概略剖视图。

图18是示出实施方式的比较例的概略剖视图。

具体实施方式

参照附图说明几个实施方式。

公开内容只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一参考标记并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。第3方向Z相对于包含第1方向X和第2方向Y的平面而言为法线方向。另外，将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。

各实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人计算机、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端、可穿戴终端等各种电子设备。

图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA、和显示区域DA的周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察时的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察时的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列为矩阵状的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含蓝色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及红色的子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP包括像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1包括像素开关2、驱动晶体管3及电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件DE连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的概略俯视图。在图2的例子中，子像素SP2、SP3分别与子像素SP1在第1方向X上排列。此外，子像素SP2与子像素SP3在第2方向Y上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP2、SP3在第2方向Y上交替配置的列、和多个子像素SP1在第2方向Y上重复配置的列。这两个列在第1方向X上交替排列。需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。

在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有像素开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，像素开口AP1大于像素开口AP2，像素开口AP2大于像素开口AP3。

隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有在第1方向X上延伸的多个第1隔壁6x、和在第2方向Y上延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的两个像素开口AP1之间、以及在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP2之间、以及在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1具备分别与像素开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与像素开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与像素开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。

下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1中的与像素开口AP1重叠的部分构成子像素SP1的显示元件DE1。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2中的与像素开口AP2重叠的部分构成子像素SP2的显示元件DE2。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3中的与像素开口AP3重叠的部分构成子像素SP3的显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以进一步包含后述的盖层。肋部5及隔壁6分别包围这些显示元件DE1、DE2、DE3。

下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，接触孔CH1、CH2、CH3整体地与肋部5及隔壁6重叠。具体来说，接触孔CH1整体地与在第2方向Y上相邻的两个像素开口AP1之间的第1隔壁6x重叠。接触孔CH2、CH3与在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间的第1隔壁6x整体地重叠。

作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3中的至少一个也可以与第2隔壁6y重叠。在该情况下，第2隔壁6y及其下方的肋部5也可以在与接触孔CH1、CH2、CH3重叠的位置使宽度增大。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在上述的基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1中示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。

电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。在图3的剖面中未示出，但上述的接触孔CH1、CH2、CH3设置于绝缘层12。

下电极LE1、LE2、LE3配置在绝缘层12之上。肋部5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。

隔壁6包含配置在肋部5之上的具有导电性的下部61、和配置在下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部与下部61的侧面相比突出。这样的隔壁6的形状也被称为悬臂状。

有机层OR1通过像素开口AP1而覆盖下电极LE1。上电极UE1覆盖有机层OR1，并与下电极LE1相对。有机层OR2通过像素开口AP2而覆盖下电极LE2。上电极UE2覆盖有机层OR2，并与下电极LE2相对。有机层OR3通过像素开口AP3而覆盖下电极LE3。上电极UE3覆盖有机层OR3，并与下电极LE3相对。

在图3的例子中，在上电极UE1之上配置有盖层CP1，在上电极UE2之上配置有盖层CP2，在上电极UE3之上配置有盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别具有作为提高有机层OR1、OR2、OR3发出的光的取出效率的光学调整层的作用。

在以下的说明中，将包含有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1的层叠体称为薄膜FL1，将包含有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2的层叠体称为薄膜FL2，将包含有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3的层叠体称为薄膜FL3。

薄膜FL1的一部分位于上部62之上，该一部分与薄膜FL1中的位于隔壁6下方的部分(构成显示元件DE1的部分)分离。同样地，薄膜FL2的一部分位于上部62之上，该一部分与薄膜FL2中的位于隔壁6下方的部分(构成显示元件DE2的部分)分离。此外，薄膜FL3的一部分位于上部62之上，该一部分与薄膜FL3中的位于隔壁6下方的部分(构成显示元件DE3的部分)分离。

在子像素SP1、SP2、SP3中分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。密封层SE1连续地覆盖薄膜FL1、子像素SP1周围的隔壁6。密封层SE2连续地覆盖薄膜FL2、子像素SP2周围的隔壁6。密封层SE3连续地覆盖薄膜FL3、子像素SP3周围的隔壁6。

在图3的例子中，子像素SP1、SP2之间的隔壁6上的薄膜FL1及密封层SE1与该隔壁6上的薄膜FL2及密封层SE2分离。另外，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的薄膜FL1及密封层SE1与该隔壁6上的薄膜FL3及密封层SE3分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。密封层14由树脂层15覆盖。树脂层13、15及密封层14至少连续地设置于整个显示区域DA，其一部分也到达周边区域SA。

也可以进一步在树脂层15的上方配置偏振片、触摸面板、保护膜或罩玻璃等罩部件。这样的罩部件也可以借助例如OCA(Optical Clear Adhesive，光学透明胶)等粘接层粘接于树脂层15。

绝缘层12由有机绝缘材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiNx)等无机绝缘材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3也可以形成为硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)或氧化铝(Al₂O₃)中的任一单层体。另外，肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3也可以形成为硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层及氧化铝层中的至少两层组合而成的层叠体。树脂层13、15由例如环氧树脂、丙烯酸树脂等树脂材料(有机绝缘材料)形成。

下电极LE1、LE2、LE3具有例如由银(Ag)形成的反射层、和分别覆盖该反射层的上表面及下表面的一对导电性氧化物层。各导电性氧化物层能够由例如ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)或IGZO(Indium Gallium ZincOxide，铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。

上电极UE1、UE2、UE3由例如镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。例如，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。

有机层OR1、OR2、OR3例如具有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的层叠构造。有机层OR1、OR2、OR3也可以具有包含多个发光层的所谓串联结构。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。多层体也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜来作为多个薄膜。另外，上述多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。

隔壁6的下部61例如由铝形成。下部61也可以由铝-钕(AlNd)等铝合金形成，也可以具有铝层与铝合金层的层叠构造。此外，下部61也可以在铝层或铝合金层的下方具有由与铝、铝合金不同的金属材料形成的底层。这样的底层能够由例如钼(Mo)、氮化钛(TiN)、钼-钨合金(MoW)或钼-铌合金(MoNb)形成。底层也可以设为由ITO或IZO形成下层、由上述金属材料形成上层的双层构造。

隔壁6的上部62具有由例如钛等金属材料形成的下层和由ITO等导电性氧化物形成的上层的层叠构造。上部62也可以具有钛等金属材料的单层构造。另外，上部62也可以具有与密封层SE1、SE2、SE3不同的无机绝缘材料的单层构造。

向隔壁6供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。下电极LE1、LE2、LE3通过子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1而被供给像素电压。

有机层OR1、OR2、OR3对应于电压的施加而发光。具体来说，若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差，则有机层OR1的发光层发出蓝色波长范围的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差，则有机层OR2的发光层发出绿色波长范围的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差，则有机层OR3的发光层发出红色波长范围的光。

作为另一例，有机层OR1、OR2、OR3的发光层可以发出相同颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP也可以具备将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应颜色的光的滤色部。另外，显示装置DSP也可以具备包含量子点的层，该量子点被发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2、SP3对应颜色的光。

图4是沿着图2中的IV-IV线的显示装置DSP的概略剖视图。在图4中，省略基板10、电路层11、树脂层13、15及密封层14。

图1中示出的像素电路1具有导电层CL。导电层CL与例如图1中示出的驱动晶体管3的源电极或漏电极相当。导电层CL由例如金属材料形成，并由绝缘层12覆盖。

导电层CL的一部分通过接触孔CH1而从绝缘层12露出。在图4的例子中，导电层CL的端部E1位于接触孔CH1的内侧，

下电极LE1的一部分位于接触孔CH1的内侧，并与导电层CL接触。在图4的例子中，下电极LE1的端部E2位于接触孔CH1的内侧。更具体来说，端部E2位于接触孔CH1的内表面IF之上，但是，端部E2的位置不限于该例。例如，端部E2也可以位于接触孔CH1的外侧。

下电极LE1覆盖导电层CL的端部E1。由此，在下电极LE1中形成与端部E1对应的阶差部ST。在图4的例子中，端部E1的位置从接触孔CH1的中心C偏离。由此，阶差部ST的位置也从中心C偏离。

在本实施方式中，在接触孔CH1的内侧配置有填充材料7。填充材料7由例如聚酰亚胺等有机绝缘材料形成。填充材料7覆盖位于接触孔CH1内侧的下电极LE1的大部分。即，填充材料7覆盖阶差部ST。在图4的例子中，填充材料7也覆盖端部E2，但不限于该例。

肋部5整体地覆盖填充材料7。隔壁6配置在肋部5之上。肋部5及隔壁6分别具有向接触孔CH1的内侧凹陷的凹部R。

薄膜FL1(有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1)覆盖下电极LE1中的从肋部5露出的部分，并且也位于隔壁6的上部62之上。密封层SE1连续地覆盖薄膜FL1。在图4的例子中，薄膜FL1及密封层SE1未配置在接触孔CH1的上方。作为另一例，也可以在接触孔CH1的上方的一部分或全部配置薄膜FL1及密封层SE1。

填充材料7在接触孔CH1的中心C处具有厚度Ta，在接触孔CH1的内表面IF的附近具有厚度Tb。需要说明的是，厚度Ta与从中心C处的下电极LE1的上表面到填充材料7的上表面为止的距离相当。另外，厚度Tb与从位于接触孔CH1的内侧的下电极LE1的上表面到位于内表面IF的附近的填充材料7的上端为止的距离相当。

在图4的例子中，厚度Ta小于厚度Tb(Ta＜Tb)。即，填充材料7具有随着接近接触孔CH1的中心C而变薄的形状。从另一观点来说，填充材料7的上表面具有以在中心C附近变得最低的方式向下方凹陷的形状。

填充材料7的厚度整体地小于接触孔CH1的深度D(绝缘层12的厚度)。即，厚度Ta、Tb均小于深度D(Ta、Tb＜D)。深度D例如为1μm以上，大于肋部5、隔壁6的厚度。

优选填充材料7中的位于端部E1上方的部分的厚度为导电层CL的厚度Tc以上。由此，阶差部ST的影响不以出现在填充材料7的表面，接触孔CH1内侧的肋部5、隔壁6的形状稳定。

需要说明的是，接触孔CH2、CH3及其附近的构造与图4中例示的接触孔CH1及其附近的构造相同。即，在接触孔CH2、CH3的内侧分别配置有厚度小于接触孔CH2、CH3的深度的填充材料7，下电极LE2、LE3由该填充材料7覆盖。

接下来，说明显示装置DSP的制造方法。

图5是示出显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。图6至图17分别是示出显示装置DSP的制造工序的一部分的概略剖视图。在图6至图17中，省略基板10及电路层11等。

在显示装置DSP的制造中，首先在基板10之上形成电路层11及绝缘层12(工序PR1)。在该工序中，也形成上述的导电层CL、接触孔CH1、CH2、CH3。

在工序PR1之后，在绝缘层12之上形成下电极LE1、LE2、LE3(工序PR2)。此外，在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧形成填充材料7(工序PR3)。

使用图6至图9说明工序PR3的一例。在这些图中，示出接触孔CH1及其附近。图6是形成有填充材料7之前的状态，在绝缘层12之上形成下电极LE1，该下电极LE1的一部分位于接触孔CH1的内侧。

在形成填充材料7时，首先如图7所示，在至少显示区域DA的整体上涂布(形成)绝缘性的正型感光性材料7a。感光性材料7a覆盖绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3，并且填充于接触孔CH1、CH2、CH3的内侧的至少一部分。

感光性材料7a在接触孔CH1、CH2、CH3外侧的平坦区域中，以大致均匀的厚度形成。另一方面，感光性材料7a容易积存在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧。因此，感光性材料7a中的位于接触孔CH1、CH2、CH3内侧的部分比其他部分厚。

接下来，如图8所示，对感光性材料7a的整体进行曝光(曝光工序)。该曝光不使用光掩模而进行。即，感光性材料7a的整体以均匀的曝光量被曝光。

在曝光工序之后，使用显影液对感光性材料7a进行显影(显影工序)。由此，如图9所示，感光性材料7a中的位于接触孔CH1、CH2、CH3外侧的部分被除去。另一方面，感光性材料7a中的位于接触孔CH1、CH2、CH3的内侧的部分虽然厚度减小，但未被完全除去。由残留在接触孔CH1、CH2、CH3内侧的感光性材料7a形成图4所示形状的填充材料7。

像这样，为了在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧残留感光性材料7a，曝光工序中的曝光量设定为感光性材料7a中的位于接触孔CH1、CH2、CH3的外侧的部分在显影工序中被完全除去、感光性材料7a中的位于接触孔CH1、CH2、CH3的内侧的部分在显影工序中不被完全除去。如图8所示，当在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧处感光性材料7a厚时，即使是不使用光掩模的均匀曝光，也能够容易地在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧形成曝光不充分的区域。

在工序PR3之后，如图10所示，形成覆盖绝缘层12、下电极LE1、LE2、LE3及填充材料7的肋部5(工序PR4)。此外，如图11所示，在肋部5之上形成隔壁6(工序PR5)。肋部5的像素开口AP1、AP2、AP3可以在工序PR5之前形成，也可以在工序PR5之后形成。

在工序PR5之后，实施用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序。在本实施方式中，设想最先形成显示元件DE1、再形成显示元件DE2、最后形成显示元件DE3的情况。但是，显示元件DE1、DE2、DE3的形成顺序不限于该例。

在形成显示元件DE1时，首先如图12所示，利用蒸镀而依次形成通过像素开口AP1而与下电极LE1接触的有机层OR1、覆盖有机层OR1并与下部61的侧面接触的上电极UE1、覆盖上电极UE1的盖层CP1，并且通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)形成连续地覆盖盖层CP1、隔壁6的密封层SE1(工序PR6)。

包含有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1的薄膜FL1至少形成于整个显示区域DA，不仅配置于子像素SP1，也配置在子像素SP2、SP3、隔壁6之上。薄膜FL1由悬臂状的隔壁6截断。密封层SE1形成于整个显示区域DA，未由隔壁6截断而连续地覆盖薄膜FL1。

在工序PR6之后，对薄膜FL1及密封层SE1进行图案化(工序PR7)。在该图案化中，如图13所示，在密封层SE1之上配置抗蚀剂RG。抗蚀剂RG覆盖子像素SP1及其周围的隔壁6的一部分。

然后，通过以抗蚀剂RG为掩模的蚀刻，从而如图14所示，薄膜FL1及密封层SE1中的从抗蚀剂RG露出的部分被除去。例如，该蚀刻包括依次针对密封层SE1、盖层CP1、上电极UE1及有机层OR1实施的湿式蚀刻、干式蚀刻。

在图14所示的工序后，抗蚀剂RG被除去。由此，如图15所示，能够获得在子像素SP1中形成显示元件DE1及密封层SE1、在子像素SP2、SP3中未形成显示元件、密封层的基板。

显示元件DE2以与显示元件DE1相同的步骤形成。即，在工序PR7后，利用蒸镀而依次形成通过像素开口AP2而与下电极LE2接触的有机层OR2、覆盖有机层OR2的上电极UE2、覆盖上电极UE2的盖层CP2，并且通过CVD形成连续地覆盖盖层CP2、隔壁6的密封层SE2(工序PR8)。

包含有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2的薄膜FL2至少形成于整个显示区域DA，不仅配置于子像素SP2，也配置在子像素SP1、SP3、隔壁6之上。薄膜FL2由悬臂状的隔壁6截断。密封层SE2形成于整个显示区域DA，未由隔壁6截断而连续地覆盖薄膜FL2。

在工序PR8后，薄膜FL2及密封层SE2通过湿式蚀刻、干式蚀刻而被图案化(工序PR9)。该图案化流程与工序PR7相同。

经过工序PR9，则如图16所示，能够获得在子像素SP1中形成显示元件DE1及密封层SE1、在子像素SP2中形成显示元件DE2及密封层SE2、在子像素SP3中未形成显示元件、密封层的基板。

显示元件DE3以与显示元件DE1、DE2相同的步骤形成。即，在工序PR9之后，利用蒸镀而依次形成通过像素开口AP3而与下电极LE3接触的有机层OR3、覆盖有机层OR3的上电极UE3、覆盖上电极UE3的盖层CP3，并且通过CVD形成连续地覆盖盖层CP3、隔壁6的密封层SE3(工序PR10)。

包含有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3的薄膜FL3至少形成于整个显示区域DA，不仅配置于子像素SP3，也配置在子像素SP1、SP2、隔壁6之上。薄膜FL3由悬臂状的隔壁6截断。密封层SE3形成于整个显示区域DA，未由隔壁6截断而连续地覆盖薄膜FL3。

在工序PR10之后，薄膜FL3及密封层SE3通过湿式蚀刻、干式蚀刻而被图案化(工序PR11)。该图案化流程与工序PR7相同。

经过工序PR11，则如图17所示，能够获得在子像素SP1中形成显示元件DE1及密封层SE1、在子像素SP2中形成显示元件DE2及密封层SE2、在子像素SP3中形成显示元件DE3及密封层SE3的基板。

在形成显示元件DE1、DE2、DE3及密封层SE1、SE2、SE3后，依次形成图3所示的树脂层13、密封层14及树脂层15(工序PR12)。由此，显示装置DSP完成。

以下对本实施方式所起到的效果的一例进行说明。

图18是示出本实施方式的比较例的概略剖视图，与图4同样地，示出接触孔CH1及其附近的构造。在该比较例中，在接触孔CH1中未配置有填充材料7。因此，在接触孔CH1的内侧，下电极LE1由肋部5覆盖。

在该比较例中，也与图4的例子同样地，在下电极LE1中形成由导电层CL的端部E1引起的阶差部ST。由于该阶差部ST，肋部5中可能会产生无法充分包覆下电极LE1的接缝等不良部分。在该情况下，隔壁6的配置在肋部5之上的下部61可能通过该不良部分而与下电极LE1短路。

与此相对，在本实施方式中，在接触孔CH1、CH2、CH3的内侧配置有填充材料7。由于这些填充材料7介于下电极LE1、LE2、LE3与肋部5之间，因此使得阶差部ST的影响不易波及到肋部5。由此，能够抑制比较例中说明的肋部5中产生的不良部分、因该不良部分导致的下电极LE1、LE2、LE3与下部61的短路。

此外，在本实施方式中，填充材料7的厚度小于接触孔CH1、CH2、CH3的深度D。假设填充材料7比接触孔CH1、CH2、CH3的深度D厚，则在接触孔CH1、CH2、CH3的位置，可能产生覆盖填充材料7的肋部5、隔壁6隆起等的形状不良。与此相对，在本实施方式中，由于填充材料7容纳于接触孔CH1、CH2、CH3的内侧，因此抑制了由于设有填充材料7所产生的对肋部5、隔壁6的影响。

需要说明的是，作为抑制上述短路的方法，也考虑使导电层CL的端部E1不位于接触孔CH1、CH2、CH3的内侧来防止产生阶差部ST。但是，在例如高精细的显示装置等中，配置各要素的空间有限，可能不得不使导电层CL的端部E1位于接触孔CH1、CH2、CH3中。此外，即使是端部E1不位于接触孔CH1、CH2、CH3的设计，端部E1也可能由于制造时的误差而进入接触孔CH1、CH2、CH3中。若像本实施方式这样配置填充材料7，则在上述任何情况下，均能够抑制上述短路。其结果，能够提高显示装置的制造工序的成品率。

填充材料7能够通过使用图6至图9所说明的方法来形成。在该方法中，在作为填充材料7的基础的感光性材料7a的曝光时无需使用光掩模。因此，能够简化制造工序。

假设在使用光掩模的情况下，在接触孔CH1、CH2、CH3的附近，可能由于光掩模而产生感光性材料7a未被曝光的区域。在该情况下，在接触孔CH1、CH2、CH3的外侧也形成不需要的填充材料7，由此，肋部5、隔壁6产生形状缺陷，则成品率降低。与此相对，若是使用图6至图9说明的方法，则在接触孔CH1、CH2、CH3的外侧未形成填充材料7。由此，能够进一步改善制造工序的成品率。

只要包含本发明的要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置能够适当设计变更并实施的全部显示装置也属于本发明的范围。

应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，则本领域技术人员针对上述实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更而得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更而得到的技术方案也包含在本发明的范围内。

另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (20)

1.显示装置，其具备：

电路层，其包含像素电路；

绝缘层，其覆盖所述电路层并具有接触孔；

下电极，其配置在所述绝缘层的上方，通过所述接触孔而与所述像素电路连接；

填充材料，其位于所述接触孔的内侧、由覆盖所述下电极的有机绝缘材料形成；

肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；

隔壁，其配置在所述肋部的上方；

有机层，其通过所述像素开口而覆盖所述下电极、并对应于电压的施加而发光；和

上电极，其覆盖所述有机层，

所述肋部及所述隔壁在俯视观察时与所述接触孔的整体重叠，

所述填充材料的厚度小于所述接触孔的深度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充材料具有随着接近所述接触孔的中心而变薄的形状。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充材料的上表面具有向下方凹陷的形状。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路包含通过所述接触孔而从所述绝缘层露出的导电层，

所述下电极在所述接触孔的内侧与所述导电层接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述导电层具有位于所述接触孔的内侧的端部，

所述下电极具有由于所述导电层的所述端部而产生的阶差部，

所述填充材料覆盖所述阶差部。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述填充材料中的位于所述阶差部的上方的部分的厚度为所述导电层的厚度以上。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述导电层的所述端部的位置从所述接触孔的中心偏离。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阶差部的位置从所述接触孔的所述中心偏离。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述下电极具有位于所述接触孔的内侧的端部，

所述填充材料覆盖所述下电极的所述端部。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述下电极的所述端部位于所述接触孔的内表面之上。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述肋部及所述隔壁具有向所述接触孔的内侧凹陷的凹部。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述隔壁包含具有导电性的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，包含所述有机层及所述上电极的薄膜由所述隔壁截断。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其还具备密封层，所述密封层由无机绝缘材料形成并连续地覆盖由所述隔壁截断的所述薄膜的多个部分。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述薄膜及所述密封层未配置在所述接触孔的上方。

16.显示装置的制造方法，其包括：

形成包含像素电路的电路层；

形成覆盖所述电路层并具有接触孔的绝缘层；

在所述绝缘层的上方形成通过所述接触孔而与所述像素电路连接的下电极；

形成覆盖所述绝缘层及所述下电极并填充于所述接触孔的至少一部分的绝缘性的感光性材料；

不使用光掩模而对所述感光性材料的整体进行曝光；和

通过对所述感光性材料进行显影，以将所述感光性材料中的位于所述接触孔的外侧的部分除去并且减小所述感光性材料中的位于所述接触孔的内侧的部分的厚度，从而在所述接触孔的内侧形成具有比所述接触孔的深度小的厚度的填充材料。

17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，

所述像素电路包含由所述绝缘层覆盖的导电层，

所述接触孔以所述导电层从所述绝缘层露出的方式形成，

所述下电极在所述接触孔的内侧与所述导电层接触。

18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中，

所述导电层具有位于所述接触孔的内侧的端部，

所述下电极具有由于所述导电层的所述端部而产生的阶差部，

所述填充材料以覆盖所述阶差部的方式形成。

19.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：

形成覆盖所述填充材料并且具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；和

形成配置在所述肋部的上方的隔壁。

20.根据权利要求19所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：

形成有机层，所述有机层通过所述像素开口而覆盖所述下电极、并对应于电压的施加而发光；和

形成覆盖所述有机层并且与所述隔壁接触的上电极。