CN116669462A - 显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置的制造方法。根据实施方式，显示装置的制造方法包括：在基板的上方形成第1下电极；形成覆盖前述第1下电极的绝缘层；形成隔壁，所述隔壁具有位于前述绝缘层之上的下部、和从前述下部的侧面突出的上部；在形成前述隔壁后，使与前述第1下电极重叠的第1像素开口形成于前述绝缘层；形成通过前述第1像素开口而与前述第1下电极接触的第1有机层；形成覆盖前述第1有机层的第1上电极；将前述第1有机层及前述第1上电极图案化，从而形成包含前述第1下电极、前述第1有机层及前述第1上电极的第1显示元件。

Description

显示装置的制造方法

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年2月28日提出申请的日本专利申请第2022-029571号主张优先权，并引用该日本专利申请中记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件包括：下电极；覆盖下电极的有机层；覆盖有机层的上电极。

在显示装置的制造时，通过蚀刻来形成各种要素。在某一要素的蚀刻时，若其他要素损伤，则显示装置的可靠性会降低。

发明内容

大体上，根据实施方式，显示装置的制造方法包括：在基板的上方形成第1下电极；形成覆盖前述第1下电极的绝缘层；形成隔壁，所述隔壁具有位于前述绝缘层之上的下部、和从前述下部的侧面突出的上部；在形成前述隔壁后，使与前述第1下电极重叠的第1像素开口形成于前述绝缘层；形成通过前述第1像素开口而与前述第1下电极接触的第1有机层；形成覆盖前述第1有机层的第1上电极；将前述第1有机层及前述第1上电极图案化，从而形成包含前述第1下电极、前述第1有机层及前述第1上电极的第1显示元件。

根据实施方式的其他观点，显示装置的制造方法包括：在基板的上方形成位于显示区域的下电极、和位于前述显示区域的外侧的周边区域的供电线；形成覆盖前述下电极及前述供电线的绝缘层；将与前述供电线重叠的接触开口形成于前述绝缘层；在形成前述接触开口之后，形成在前述显示区域中位于前述绝缘层之上的隔壁、和在前述周边区域中通过前述接触开口而与前述供电线接触的导电层；在形成前述隔壁及前述导电层之后，将与前述下电极重叠的像素开口形成于前述绝缘层；形成通过前述像素开口而与前述下电极接触的有机层；形成覆盖前述有机层的上电极。

根据上述制造方法，能够提供可提高可靠性的显示装置。

附图说明

图1是示出一实施方式涉及的显示装置的构成例的图。

图2是示出子像素的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的示意性剖视图。

图4是将隔壁和其附近放大了的示意性剖视图。

图5是显示区域及周边区域的边界附近的示意性平面图。

图6是显示区域及周边区域的示意性剖视图。

图7是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。

图8是示出显示装置的制造工序的一部分的示意性剖视图。

图9是示出接着图8的制造工序的示意性剖视图。

图10是示出接着图9的制造工序的示意性剖视图。

图11是示出接着图10的制造工序的示意性剖视图。

图12是示出接着图11的制造工序的示意性剖视图。

图13是示出接着图12的制造工序的示意性剖视图。

图14是示出接着图13的制造工序的示意性剖视图。

图15是示出接着图14的制造工序的示意性剖视图。

图16是示出在周边区域形成接触开口的制造工序的示意性剖视图。

图17是示出除去周边区域的覆盖堤部及端子部的绝缘层的制造工序的示意性剖视图。

图18是示出形成第1显示元件的制造工序的示意性剖视图。

图19是示出接着图18的制造工序的示意性剖视图。

图20是示出接着图19的制造工序的示意性剖视图。

图21是示出接着图20的制造工序的示意性剖视图。

图22是示出形成第2显示元件的制造工序的示意性剖视图。

图23是示出形成第3显示元件的制造工序的示意性剖视图。

具体实施方式

参照附图说明一个实施方式。

本公开文本只不过是一例，本领域技术人员容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际方式相比，附图有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对发挥与关于前文出现的附图已说明的构成要素相同或类似功能的构成要素标注同一附图标记，并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，根据需要，为了便于理解而在附图中记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素称为俯视观察。

本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人计算机、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10即可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。需要说明的是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列为矩阵状的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一个例子中，像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一同或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP包括像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1包括像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如，子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出绿色波长区域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。

在周边区域SA设有端子部T。端子部T例如经由柔性电路基板与搭载有显示装置DSP的电子设备的基板连接。用于显示图像的影像信号、驱动电力经由端子部T而输入至显示装置DSP。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，子像素SP1与子像素SP2在第2方向Y上排列。此外，子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这样的布局的情况下，在显示区域DA中形成子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替地配置的列和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替地排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，也可以是各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3在第1方向X上依次排列。

在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有像素开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，像素开口AP2比像素开口AP1大，像素开口AP3比像素开口AP2大。

隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间、以及在第2方向Y上相邻的2个像素开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间、以及在第1方向X上相邻的像素开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1分别具备与像素开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与像素开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与像素开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。在图2的例子中，上电极UE1及有机层OR1的外形一致，上电极UE2及有机层OR2的外形一致，上电极UE3及有机层OR3的外形一致。

下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。

下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，接触孔CH1、CH2与在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间的第1隔壁6x整体重叠。接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的2个像素开口AP3之间的第1隔壁6x整体重叠。作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以不与第1隔壁6x重叠。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2分别具有凸部PR1、PR2。凸部PR1从下电极LE1的主体(与像素开口AP1重叠的部分)向接触孔CH1突出。凸部PR2从下电极LE2的主体(与像素开口AP2重叠的部分)向接触孔CH2突出。接触孔CH1、CH2分别与凸部PR1、PR2重叠。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥作用。虽然图3的截面中未示出，但上述接触孔CH1、CH2、CH3设置于有机绝缘层12。

下电极LE1、LE2、LE3配置于有机绝缘层12之上。肋部5配置在有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。

隔壁6包含配置于肋部5之上的下部61、和配置于下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。

有机层OR1通过像素开口AP1而覆盖下电极LE1。上电极UE1覆盖有机层OR1并与下电极LE1相对。有机层OR2通过像素开口AP2而覆盖下电极LE2。上电极UE2覆盖有机层OR2并与下电极LE2相对。有机层OR3通过像素开口AP3而覆盖下电极LE3。上电极UE3覆盖有机层OR3并与下电极LE3相对。

在图3的例子中，在有机层OR1之上配置有盖层CP1，在有机层OR2之上配置有盖层CP2，在有机层OR3之上配置有盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别调整有机层OR1、OR2、OR3发出的光的光学特性。

有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1的一部分位于上部62之上。该一部分与有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1的其他部分分离。同样地，有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2的其他部分分离。此外，有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3的其他部分分离。

在子像素SP1、SP2、SP3上分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。密封层SE1连续地覆盖盖层CP1、隔壁6。密封层SE2连续地覆盖盖层CP2、隔壁6。密封层SE3连续地覆盖盖层CP3、隔壁6。

在图3的例子中，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1及密封层SE1与该隔壁6上的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3及密封层SE3分离。此外，子像素SP2、SP3之间的隔壁6上的有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2及密封层SE2与该隔壁6上的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3及密封层SE3分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外，密封层14由树脂层15覆盖。

有机绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。

肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3例如由硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。肋部5也可以形成为硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)或氧化铝(Al₂O₃)中的任一者的单层体。此外，肋部5也可以形成为由硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层及氧化铝层中的至少2个的组合形成的层叠体。

上电极UE1、UE2、UE3例如由镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。在下电极LE1、LE2、LE3的电位与上电极UE1、UE2、UE3的电位相比相对高的情况下，下电极LE1、LE2、LE3与阳极相当，上电极UE1、UE2、UE3与阴极相当。此外，在上电极UE1、UE2、UE3的电位与下电极LE1、LE2、LE3的电位相比相对高的情况下，上电极UE1、UE2、UE3与阳极相当，下电极LE1、LE2、LE3与阴极相当。

有机层OR1、OR2、OR3包含一对功能层和配置在这些功能层之间的发光层。作为一例，有机层OR1、OR2、OR3具有依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的结构。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。就多层体而言，作为多个薄膜，可以包含由无机材料形成的薄膜和由有机材料形成的薄膜。另外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，并且与密封层SE1、SE2、SE3的材料也不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。

隔壁6被供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。下电极LE1、LE2、LE3经由子像素SP1、SP2、SP3各自所具有的像素电路1而被供给像素电压。

当在下电极LE1和上电极UE1之间形成电位差时，有机层OR1的发光层发出红色波长区域的光。当在下电极LE2和上电极UE2之间形成电位差时，有机层OR2的发光层发出绿色波长区域的光。当在下电极LE3和上电极UE3之间形成电位差时，有机层OR3的发光层发出蓝色波长区域的光。

图4是将配置于子像素SP1、SP2的边界的隔壁6和其附近放大了的示意性剖视图。在该图中，省略了基板10、电路层11、树脂层13、密封层14及树脂层15。

隔壁6的下部61具有侧面F1和侧面F2。隔壁6的上部62具有从侧面F1突出的端部E1和从侧面F2突出的端部E2。上电极UE1、UE3分别与侧面F1、F2接触。

在图4的例子中，下部61具有配置在肋部5之上的第1金属层611和配置在第1金属层611之上的第2金属层612。此外，上部62具有配置在第2金属层612之上的第1薄膜621和配置在第1薄膜621之上的第2薄膜622。

第1金属层611例如由钼(Mo)形成。第2金属层612例如由铝(Al)形成为比第1金属层611厚。第2金属层612可以由铝合金形成，也可以具有铝和铝合金的层叠结构。

第1薄膜621例如由钛(Ti)形成。第1薄膜621也可以由硅氧化物等无机材料形成。第2薄膜622例如由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)及IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。需要说明的是，上部62也可以具有钛、硅氧化物等的单层结构。

在图4的例子中，下电极LE1具有由银(Ag)形成的银层L1、覆盖银层L1的上表面的第1导电性氧化物层L2和覆盖银层L1的下表面的第2导电性氧化物层L3。导电性氧化物层L2、L3例如可以由ITO、IZO或IGZO形成。下电极LE2、LE3也具有与下电极LE1同样的构成。例如，第1导电性氧化物层L2比银层L1及第2导电性氧化物层L3薄。若举出具体例子，则银层L1及第2导电性氧化物层L3的厚度为100nm左右，第1导电性氧化物层L2的厚度为10nm左右。

图5为显示区域DA及周边区域SA的边界附近的示意性平面图。在显示区域DA配置有隔壁6(第1隔壁6x及第2隔壁6y)。在周边区域SA配置有与隔壁6连接的导电层CL。导电层CL及隔壁6由相同的材料且通过相同的制造工艺而一体地形成。

在周边区域SA配置有供电线PW。导电层CL通过多个接触部CN而与供电线PW连接。例如，多个接触部CN以包围显示区域DA的方式配置。

在图5的例子中，显示区域DA和周边区域SA在第2方向Y上排列。在这样的区域中，接触部CN在第2方向Y上具有长条的形状，并沿第1方向X排列。例如，在显示区域DA和周边区域SA沿第1方向X排列的区域中，接触部CN在第1方向X上具有长条的形状，并沿第2方向Y排列。

图6是显示区域DA及周边区域SA的示意性剖视图。在该图中，省略了有机层OR1、OR2、OR3、上电极UE1、UE2、UE3、盖层CP1、CP2、CP3、密封层SE1、SE2、SE3、树脂层13、密封层14及树脂层15。

电路层11具备绝缘层31、32、33及金属层41、42、43。绝缘层31覆盖基板10。金属层41配置在绝缘层31之上，并由绝缘层32覆盖。金属层42配置在绝缘层32之上，并由绝缘层33覆盖。金属层43配置在绝缘层33之上，并由有机绝缘层12覆盖。

金属层41、42、43与未图示的半导体层等一同构成向扫描线GL供给扫描信号的栅极驱动电路、向信号线SL供给影像信号的选择电路等。在图6的例子中，由金属层41形成端子部T。作为一例，金属层41具有钛、铝、钛的层叠结构。端子部T可以由金属层42或金属层43形成，也可以由金属层41、42、43以外的导电层形成。

肋部5还配置于周边区域SA。导电层CL配置在肋部5之上。导电层CL与图3及图4所示的隔壁6相同地包含下部61及上部62。

供电线PW配置于有机绝缘层12与肋部5之间。供电线PW例如与金属层43的一部分连接。对供电线PW施加公共电压。供电线PW例如通过与下电极LE1、LE2、LE3相同的制造工艺形成，具有图4所示的银层L1及导电性氧化物层L2、L3。肋部5在接触部CN中具有接触开口APc。导电层CL通过接触开口APc而与供电线PW连接。

在周边区域SA中，在端子部T和导电层CL之间配置有堤部(dam)DP。堤部DP具有多个凸部R1、R2、R3、R4。凸部R1、R2、R3、R4例如由与有机绝缘层12相同的材料并通过相同的工艺形成。在图6的例子中，在堤部DP、端子部T没有配置肋部5，凸部R1、R2、R3、R4均配置于绝缘层33之上。

例如，凸部R1、R2、R3、R4在俯视观察时为包围显示区域DA及导电层CL的框状。图3所示的树脂层13例如通过喷墨方式形成。堤部DP抑制固化前的树脂层13的扩展。需要说明的是，堤部DP所具有的凸部的数量不限于4个。

接下来，说明显示装置DSP的制造方法。

图7为示出显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。图8至图23是示出显示装置DSP的制造工序的一部分的示意性剖视图。在这些图之中，图8至图15及图18至图23示出显示区域DA的一部分，图16至图19中主要示出周边区域SA的一部分。

在本实施方式中，通过不同的工序形成子像素SP1、SP2、SP3的显示元件20。子像素SP1、SP2、SP3的显示元件20的形成顺序没有特别限定，但为了便于说明，将第1个形成显示元件20的子像素称为第1子像素SPα，将第2个形成显示元件20的子像素称为第2子像素SPβ，将第3个形成显示元件20的子像素称为第3子像素SPγ。

此外，将第1子像素SPα的下电极、有机层、上电极、盖层、密封层、像素开口及显示元件称为第1下电极LEα、第1有机层ORα、第1上电极UEα、第1盖层CPα、第1密封层SEα、第1像素开口APα及第1显示元件20α，将第2子像素SPβ的下电极、有机层、上电极、盖层、密封层、像素开口及显示元件称为第2下电极LEβ、第2有机层ORβ、第2上电极UEβ、第2盖层CPβ、第2密封层SEβ、第2像素开口APβ及第2显示元件20β，将第3子像素SPγ的下电极、有机层、上电极、盖层、密封层、像素开口及显示元件称为第3下电极LEγ、第3有机层ORγ、第3上电极UEγ、第3盖层CPγ、第3密封层SEγ、第3像素开口APγ及第3显示元件20γ。

在显示装置DSP的制造中，首先，在基板10之上形成电路层11及有机绝缘层12(图7的工序P1)。此时，还形成端子部T及凸部R1、R2、R3、R4。

在工序P1之后，如图8所示，在有机绝缘层12之上(基板10的上方)形成第1下电极LEα及第2下电极LEβ(图7的工序P2)。此时，还形成第3下电极LEγ及供电线PW。

在工序P2之后，如图9所示，形成成为肋部5的基础的绝缘层5a(图7的工序P3)。绝缘层5a例如由硅氮化物等无机材料形成，并覆盖第1下电极LEα、第2下电极LEβ、第3下电极LEγ及供电线PW。

在工序P3之后，如图16所示，在周边区域SA中形成接触开口APc(图7的工序P4)。在接触开口APc的形成时，在绝缘层5a之上配置抗蚀剂RG1。此外，除去抗蚀剂RG1中的与接触开口APc相对的部分。通过将该抗蚀剂RG1作为掩模进行干式蚀刻，使接触开口APc形成于绝缘层5a。干式蚀刻后，除去抗蚀剂RG1。

需要说明的是，在工序P4中，显示区域DA整体、堤部DP及端子部T由绝缘层5a及抗蚀剂RG1覆盖。因此，即使经过工序P4，下电极LEα、LEβ、LEγ、凸部R1、R2、R3、R4及端子部T也不会从绝缘层5a中露出。

工序P4后，形成隔壁6及导电层CL(图7的工序P5)。具体而言，首先，如图10所示，在绝缘层5a之上形成第1金属层611a，在第1金属层611a之上形成第2金属层612a，在第2金属层612a之上形成第1薄膜621a，在第1薄膜621a之上形成第2薄膜622a。

接着，如图11所示，使与隔壁6及导电层CL的形状相应的抗蚀剂RG2形成于第2薄膜622a之上。进而，通过以抗蚀剂RG2为掩模的蚀刻，除去第2薄膜622a、第1薄膜621a及第2金属层612a中的从抗蚀剂RG2中露出的部分。由此，如图12所示，形成包含第1薄膜621及第2薄膜622的上部62。在图12的例子中，第2金属层612a中的从抗蚀剂RG2中露出的部分的一部分残留。作为一例，对第2薄膜622a的蚀刻是湿式蚀刻，对第1薄膜621a及第2金属层612a的蚀刻是各向异性的干式蚀刻。

接下来，实施各向同性的湿式蚀刻。作为一例，该湿式蚀刻中使用包含磷酸、硝酸及乙酸的蚀刻液。通过该湿式蚀刻，如图13所示，第2金属层612a及第1金属层611a中的从抗蚀剂RG2中露出的部分被除去，形成包含第2金属层612及第1金属层611的下部61。在该湿式蚀刻中，第2金属层612及第1金属层611的侧面也被侵蚀。因此，下部61的宽度比上部62的宽度小，得到悬臂状的隔壁6及导电层CL。导电层CL通过在工序P4中形成的接触开口APc而与供电线PW接触。湿式蚀刻后，除去抗蚀剂RG2。

在隔壁6及导电层CL的形成之后，形成像素开口APα、APβ、APγ(图7的工序P6)。具体而言，如图14所示，形成覆盖隔壁6和其附近的绝缘层5a的抗蚀剂RG3。通过将该抗蚀剂RG3作为掩模的干式蚀刻，除去绝缘层5a中的从抗蚀剂RG3中露出的部分。即，如图15所示，形成与第1下电极LEα重叠的第1像素开口APα及与第2下电极LEβ重叠的第2像素开口APβ。虽然在图15的截面中没有示出，但与第3下电极LEγ重叠的第3像素开口APγ也同样地形成。由此，形成图2至图4所示的形状的肋部5。

在工序P6中，绝缘层5a中的位于堤部DP及端子部T的部分也被除去。即，如图17所示，抗蚀剂RG3覆盖导电层CL和其附近的绝缘层5a，但不覆盖堤部DP及端子部T。由此，通过形成像素开口APα、APβ、APγ时的干式蚀刻，除去覆盖堤部DP(凸部R1、R2、R3、R4)及端子部T的绝缘层5a。

工序P6之后，如图18所示，通过第1像素开口APα而与第1下电极LEα接触的第1有机层ORα、覆盖第1有机层ORα的第1上电极UEα、覆盖第1上电极UEα的第1盖层CPα、覆盖第1盖层CPα的第1密封层SEα通过蒸镀而依次被形成(图7的工序P7)。上述第1有机层ORα、第1上电极UEα、第1盖层CPα及第1密封层SEα至少在整个显示区域DA形成，并且不仅配置于第1子像素SPα、而且还配置于第2子像素SPβ及第3子像素SPγ。

工序P7之后，第1有机层ORα、第1上电极UEα、第1盖层CPα及第1密封层SEα被图案化(图7的工序P8)。具体而言，首先如图19所示，在第1密封层SEα之上配置抗蚀剂RG4。抗蚀剂RG4位于第1下电极LEα的正上方。抗蚀剂RG4也位于子像素SPα、SPβ之间的隔壁6中的靠第1子像素SPα的部分的正上方、子像素SPα、SPγ之间的隔壁6中的靠第1子像素SPα的部分的正上方。

接下来，如图20所示，通过将抗蚀剂RG4作为掩模的蚀刻，除去第1有机层ORα、第1上电极UEα、第1盖层CPα及第1密封层SEα中的从抗蚀剂RG4中露出的部分。然后，如图21所示，除去抗蚀剂RG4，从而完成包含第1有机层ORα、第1上电极UEα、第1盖层CPα及第1密封层SEα的第1显示元件20α。

工序P8之后，通过第2像素开口APβ而与第2下电极LEβ接触的第2有机层ORβ、覆盖第2有机层ORβ的第2上电极UEβ、覆盖第2上电极UEβ的第2盖层CPβ、覆盖第2盖层CPβ的第2密封层SEβ通过蒸镀而依次被形成(图7的工序P9)。此外，通过与工序P8同样的图案化，如图22所示，包含第2有机层ORβ、第2上电极UEβ、第2盖层CPβ及第2密封层SEβ的第2显示元件20β被形成于第2子像素SPβ(图7的工序P10)。

工序P10之后，通过第3像素开口APγ而与第3下电极LEγ接触的第3有机层ORγ、覆盖第3有机层ORγ的第3上电极UEγ、覆盖第3上电极UEγ的第3盖层CPγ、覆盖第3盖层CPγ的第3密封层SEγ通过蒸镀而依次被形成(图7的工序P11)。此外，通过与工序P8同样的图案化，如图23所示，包含第3有机层ORγ、第3上电极UEγ、第3盖层CPγ及第3密封层SEγ的第3显示元件20γ被形成于第3子像素SPγ(图7的工序P12)。

在以这种方式形成显示元件20α、20β、20γ后，依次形成图3所示的树脂层13、密封层14及树脂层15，从而完成显示装置DSP(图7的工序P13)。

在以上的本实施方式涉及的显示装置DSP的制造方法中，在绝缘层5a(肋部5)之上形成隔壁6后，使像素开口APα、APβ、APγ形成于绝缘层5a。假设在隔壁6的形成前形成像素开口APα、APβ、APγ的情况下，在针对第1金属层611及第2金属层612的湿式蚀刻(参见图13)中，使下电极LEα、LEβ、LEγ暴露于蚀刻液。此时，若在下电极LEα、LEβ、LEγ的第1导电性氧化物层L2上产生微细的针孔(pinhole)等缺陷部分，则有蚀刻液通过该缺陷部分而侵蚀银层L1的可能性。

与此相对，如本实施方式那样在隔壁6之后形成像素开口APα、APβ、APγ的情况下，在上述湿式蚀刻时，下电极LEα、LEβ、LEγ由绝缘层5a覆盖。因此，能够抑制由蚀刻液引起的银层L1的侵蚀。作为结果，能抑制显示元件20α、20β、20γ的显示不良，而提高显示装置DSP的可靠性。

在本实施方式中，绝缘层5a中的覆盖堤部DP及端子部T的部分也在隔壁6的形成后被除去。由此，在上述湿式蚀刻中，也能够抑制端子部T的侵蚀。

此外，在本实施方式中，在形成隔壁6及导电层CL前，使接触开口APc形成于绝缘层5a。由此，能够得到使导电层CL与供电线PW接触的供电结构。

此外，根据本实施方式能够得到各种适宜的效果。

以上，以作为本发明的实施方式而说明的显示装置及制造方法为基础，本领域技术人员进行适当设计变更而可实施的全部显示装置及制造方法只要包含本发明的主旨则也属于本发明的范围。

在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变形例，这些变形例也被理解为属于本发明的范围。例如，对于上述各实施方式，本领域技术人员适当地进行了构成要素的追加、删除或设计变更的实施方式，或进行了工序的追加、省略或条件变更的实施方式，只要具备本发明的主旨，则也包含于本发明的范围。

另外，就上述各实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (19)

1.显示装置的制造方法，其包括：

在基板的上方形成第1下电极；

形成覆盖所述第1下电极的绝缘层；

形成隔壁，所述隔壁具有位于所述绝缘层之上的下部、和从所述下部的侧面突出的上部；

在形成所述隔壁后，使与所述第1下电极重叠的第1像素开口形成于所述绝缘层；

形成通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触的第1有机层；

形成覆盖所述第1有机层的第1上电极；

将所述第1有机层及所述第1上电极图案化，从而形成包含所述第1下电极、所述第1有机层及所述第1上电极的第1显示元件。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1下电极具有银层和覆盖所述银层的导电性氧化物层。

3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁的形成包括：

在所述绝缘层的上方形成金属层，

通过对所述金属层进行湿式蚀刻而形成所述下部。

4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述金属层包含铝。

5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述绝缘层由无机材料形成。

6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述绝缘层由硅氮化物形成。

7.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述绝缘层由硅氧氮化物形成。

8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其还包括形成覆盖所述第1上电极的第1密封层，

其中，所述第1有机层及所述第1上电极的所述图案化包括：通过将所述第1密封层与所述第1有机层及所述第1上电极一同图案化，从而形成由所述第1密封层覆盖的所述第1显示元件。

9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其还包括：

与所述第1下电极一同地，在所述基板的上方形成第2下电极；

与所述第1像素开口一同地，将与所述第2下电极重叠的第2像素开口形成于所述绝缘层；

在形成所述第1显示元件后，形成通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触的第2有机层；

形成覆盖所述第2有机层的第2上电极；

将所述第2有机层及所述第2上电极图案化，从而形成包含所述第2下电极、所述第2有机层及所述第2上电极的第2显示元件。

10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其还包括形成覆盖所述第2上电极的第2密封层，

其中，所述第2有机层及所述第2上电极的所述图案化包括：通过将所述第2密封层与所述第2有机层及所述第2上电极一同图案化，从而形成由所述第2密封层覆盖的所述第2显示元件。

11.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其还包括：

与所述第1下电极及所述第2下电极一同地，在所述基板的上方形成第3下电极；

与所述第1像素开口及所述第2像素开口一同地，将与所述第3下电极重叠的第3像素开口形成于所述绝缘层；

在形成所述第1显示元件及所述第2显示元件后，形成通过所述第3像素开口而与所述第3下电极接触的第3有机层；

形成覆盖所述第3有机层的第3上电极；

将所述第3有机层及所述第3上电极图案化，从而形成包含所述第3下电极、所述第3有机层及所述第3上电极的第3显示元件。

12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其还包括形成覆盖所述第3上电极的第3密封层，

其中，所述第3有机层及所述第3上电极的所述图案化包括：通过将所述第3密封层与所述第3有机层及所述第3上电极一同图案化，从而形成由所述第3密封层覆盖的所述第3显示元件。

13.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其还包括：

在包含所述第1下电极的显示区域的外侧的周边区域，形成由所述绝缘层覆盖的供电线，

在形成所述隔壁之前，将与所述供电线重叠的接触开口形成于所述绝缘层，

与所述隔壁一同地，形成通过所述接触开口而与所述供电线接触的导电层。

14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其还包括：

在包含所述第1下电极的显示区域的外侧的周边区域，形成包围所述显示区域且由所述绝缘层覆盖的堤部，

在形成所述隔壁后，除去覆盖所述堤部的所述绝缘层。

15.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其还包括：

在包含所述第1下电极的显示区域的外侧的周边区域，形成由所述绝缘层覆盖的端子部，

在形成所述隔壁后，除去覆盖所述端子部的所述绝缘层。

16.显示装置的制造方法，其包括：

在基板的上方形成位于显示区域的下电极、和位于所述显示区域的外侧的周边区域的供电线；

形成覆盖所述下电极及所述供电线的绝缘层；

将与所述供电线重叠的接触开口形成于所述绝缘层；

在形成所述接触开口之后，形成在所述显示区域中位于所述绝缘层之上的隔壁、和在所述周边区域中通过所述接触开口而与所述供电线接触的导电层；

在形成所述隔壁及所述导电层之后，将与所述下电极重叠的像素开口形成于所述绝缘层；

形成通过所述像素开口而与所述下电极接触的有机层；

形成覆盖所述有机层的上电极。

17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，所述供电线具有银层、和覆盖所述银层的导电性氧化物层。

18.如权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁的形成包括：

在所述绝缘层的上方形成金属层；

对所述金属层进行湿式蚀刻。

19.如权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中，所述金属层包含铝。