CN116940166A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的一部分、具有与所述下电极重叠的像素开口；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间、对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光。所述下电极包含：金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部、以及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和导电性氧化物层，其具有位于所述肋部之上的第2周缘部、以及通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的第2中央部。

Description

显示装置及其制造方法

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年4月22日提出申请的日本专利申请第2022-070757号主张优先权，并引用该日本专利申请记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，应用有机发光二极管(OLED)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。

在制造上述显示装置的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

发明内容

大体上，根据实施方式，显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的一部分，具有与所述下电极重叠的像素开口；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光。所述下电极包含：金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和导电性氧化物层，其具有位于所述肋部之上的第2周缘部及通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的第2中央部。

根据实施方式的另一方面，显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的一部分，并具有与所述下电极重叠的像素开口；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光保护层，其位于所述下电极与所述肋部之间。所述下电极包含：金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和导电性氧化物层，其覆盖所述第1中央部。所述保护层覆盖所述第1周缘部。

另外，根据实施方式，显示装置的制造方法包括：形成金属层；形成覆盖所述金属层的保护层；形成覆盖所述保护层的一部分并具有与所述保护层重叠的像素开口的肋部；通过将所述保护层中的通过所述像素开口而从所述肋部露出的部分除去，从而使所述金属层的第1中央部从所述保护层露出；形成通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的导电性氧化物层；形成覆盖所述导电性氧化物层的有机层；和形成覆盖所述有机层的上电极。

根据实施方式，能够提供可提高可靠性的显示装置及其制造方法。

附图说明

图1是示出一个实施方式涉及的显示装置的构成例的图。

图2是示出子像素的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。

图4是一个实施方式涉及的隔壁及其附近的概略剖视图。

图5是一个实施方式涉及的下电极及保护层的概略俯视图。

图6是示出一个实施方式涉及的显示装置的制造工序的一部分的概略剖视图。

图7是示出接着图6的工序的概略剖视图。

图8是示出接着图7的工序的概略剖视图。

图9是示出接着图8的工序的概略剖视图。

图10是示出接着图9的工序的概略剖视图。

图11是示出接着图10的工序的概略剖视图。

图12是示出接着图11的工序的概略剖视图。

图13是示出接着图12的工序的概略剖视图。

图14是示出接着图13的工序的概略剖视图。

图15是示出接着图14的工序的概略剖视图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时附图示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。另外，像“某个要素位于其他要素之上”、“某个要素位于其他要素的上方”或“某个要素与其他要素相对”中的“上”“上方”“相对”这样，表示两个以上的要素相互间的位置关系的用语不仅是作为对象的两个以上的要素直接接触的情况，可以还包含在这些要素之间存在空隙、其他要素的情况。

本实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光(EL)显示装置，能够搭载于电视、个人计算机、车载机器、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。其中，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的第1子像素SP1、绿色的第2子像素SP2及蓝色的第3子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。另外，构成一个像素PX的子像素SP的数量也可以是两个以下。

子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅极电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅极电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件DE连接。显示元件DE是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，第1子像素SP1与第3子像素SP3在第1方向X上排列。第2子像素SP2与第3子像素SP3也在第1方向X上排列。此外，第1子像素SP1与第2子像素SP2在第2方向Y上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个第3子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。

在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在第1子像素SP1处具有第1像素开口AP1，在第2子像素SP2处具有第2像素开口AP2，在第3子像素SP3处具有第3像素开口AP3。在图2的例子中，第2像素开口AP2比第1像素开口AP1大，第3像素开口AP3比第2像素开口AP2大。

隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间及在第2方向Y上相邻的两个第3像素开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间及在第1方向X上相邻的像素开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

第1子像素SP1具备分别与第1像素开口AP1重叠的第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1。第2子像素SP2具备分别与第2像素开口AP2重叠的第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2。第3子像素SP3具备分别与第3像素开口AP3重叠的第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3。

第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1构成第1子像素SP1的第1显示元件DE1。第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2构成第2子像素SP2的第2显示元件DE2。第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3构成第3子像素SP3的第3显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以包含后述的盖层。

第1下电极LE1通过第1接触孔CH1而与第1子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。第2下电极LE2通过第2接触孔CH2而与第2子像素SP2的像素电路1连接。第3下电极LE3通过第3接触孔CH3而与第3子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，接触孔CH1、CH2与在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间的第1隔壁6x整体重叠。另外，第3接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的两个第3像素开口AP3之间的第1隔壁6x整体重叠。作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以与第1隔壁6x不重叠。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。

电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。虽然图3的剖面中未示出，但上述接触孔CH1、CH2、CH3均设置于有机绝缘层12。

下电极LE1、LE2、LE3配置在有机绝缘层12之上。详细情况使用图4而在后叙述，本实施方式中的下电极LE1、LE2、LE3分别包含金属层ML、第1导电性氧化物层CL1及第2导电性氧化物层CL2。

肋部5配置在有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上，具有上述像素开口AP1、AP2、AP3。下电极LE1、LE2、LE3的一部分由肋部5覆盖。在第3方向Z上，在下电极LE1、LE2、LE3与肋部5之间分别配置有保护层PR。

隔壁6包含配置在肋部5之上的具有导电性的下部61和配置在下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状被称为悬臂状。

第1有机层OR1覆盖第1下电极LE1。第1上电极UE1覆盖第1有机层OR1，并与第1下电极LE1相对。第2有机层OR2覆盖第2下电极LE2。第2上电极UE2覆盖第2有机层OR2，并与第2下电极LE2相对。第3有机层OR3覆盖第3下电极LE3。第3上电极UE3覆盖第3有机层OR3，并与第3下电极LE3相对。

在图3的例子中，在第1上电极UE1之上配置有第1盖层CP1，在第2上电极UE2之上配置有第2盖层CP2，在第3上电极UE3之上配置有第3盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别对有机层OR1、OR2、OR3发出的光的光学特性进行调整。

第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的一部分位于上部62之上。该一部分与第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的其他部分分离。同样地，第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的一部分位于上部62之上，该一部分与第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的其他部分分离。此外，第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的一部分位于上部62之上，该一部分与第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的其他部分分离。

第1子像素SP1中配置有第1密封层SE1，第2子像素SP2中配置有第2密封层SE2，第3子像素SP3中配置有第3密封层SE3。第1密封层SE1连续覆盖第1盖层CP1、第1子像素SP1周围的隔壁6。第2密封层SE2连续覆盖第2盖层CP2、第2子像素SP2周围的隔壁6。第3密封层SE3连续覆盖第3盖层CP3、第3子像素SP3周围的隔壁6。

密封层SE1、SE2、SE3的端部(周缘部)位于上部62之上。在图3的例子中，子像素SP1、SP3间的位于隔壁6的上部62之上的密封层SE1、SE3的端部彼此分离，子像素SP2、SP3间的位于隔壁6的上部62之上的密封层SE2、SE3的端部彼此分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外，密封层14由树脂层15覆盖。

有机绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3例如由硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)等无机材料形成。

上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。例如，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。

有机层OR1、OR2、OR3包含多个功能层及发光层。有机层OR1、OR2、OR3具有例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的层叠构造。需要说明的是，有机层OR1、OR2、OR3的构成不限于该例，也可以省略上述功能层中的任一个或追加其他功能层。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。就多层体而言，作为多个薄膜，也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外，该多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3中的至少一个也可以省略。

隔壁6的下部61例如由铝(Al)形成。下部61既可以由铝-铷(AlNd)等铝合金形成，也可以具有铝层和铝合金层的层叠构造。此外，下部61也可以在铝层或铝合金层之下具有由与铝、铝合金不同的金属材料形成的薄膜。这样的薄膜能够例如由钼(Mo)形成。

隔壁6的上部62具有例如由钛(Ti)等金属材料形成的第1薄膜和由透明的导电性氧化物形成的第2薄膜的层叠构造。作为形成第2薄膜的导电性氧化物，例如能够使用ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)或IGZO(IndiumGallium Zinc Oxide：铟镓锌氧化物)。上部62也可以具有钛等金属材料的单层构造。另外，上部62也可以具有硅氧化物等无机材料的单层构造。

对隔壁6供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。下电极LE1、LE2、LE3通过子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1而被供给像素电压。

若在第1下电极LE1与第1上电极UE1之间形成电位差，则第1有机层OR1的发光层发出红色波长范围的光。若在第2下电极LE2与第2上电极UE2之间形成电位差，则第2有机层OR2的发光层发出绿色波长范围的光。若在第3下电极LE3与第3上电极UE3之间形成电位差，则第3有机层OR3的发光层发出蓝色波长范围的光。

图4是将配置于子像素SP1、SP3之间的隔壁6及其附近放大后的概略剖视图。在该图中，省略基板10、电路层11、树脂层13、密封层14及树脂层15。

隔壁6的下部61具有一对侧面61a、61b。上部62的两端部分别比侧面61a、61b突出。在图4的例子中，下部61具有随着趋近上部62而前端变细的形状。即，侧面61a、61b以彼此间的距离随着趋近上部62而减小的方式相对第3方向Z倾斜。作为另一例，侧面61a、61b也可以与第3方向Z实质上平行。

第1下电极LE1具有金属层ML、第1导电性氧化物层CL1及第2导电性氧化物层CL2。第2导电性氧化物层CL2配置在有机绝缘层12之上。

金属层ML配置在第2导电性氧化物层CL2之上。金属层ML具有由肋部5覆盖的第1周缘部P1和通过第1像素开口AP1而从肋部5露出的第1中央部C1。

第1导电性氧化物层CL1具有位于肋部5之上的第2周缘部P2和通过第1像素开口AP1而与第1中央部C1接触的第2中央部C2。第2周缘部P2及第2中央部C2由第1有机层OR1覆盖。

第2周缘部P2的端部ED由第1有机层OR1覆盖，并与下部61及第1上电极UE1分离。第1上电极UE1与下部61的侧面61a接触。

第1周缘部P1由保护层PR覆盖。保护层PR与第1周缘部P1一并由肋部5覆盖。在图4的例子中，第1周缘部P1整体由保护层PR覆盖，但第1周缘部P1的一部分也可以从保护层PR露出。

金属层ML例如由银(Ag)形成，使第1有机层OR1发出的光向上方反射。导电性氧化物层CL1、CL2例如由ITO形成，抑制金属层ML的氧化。此外，第1导电性氧化物层CL1提高第1下电极LE1的功函数，第2导电性氧化物层CL2提高第1下电极LE1与有机绝缘层12的密合性。导电性氧化物层CL1、CL2也可以例如由IZO、IGZO这种ITO以外的透明的导电性氧化物形成。

保护层PR例如由ITO等导电性的材料形成得比第1导电性氧化物CL1厚。保护层PR也可以例如由IZO、IGZO这种ITO以外的导电性氧化物形成。另外，保护层PR也可以由绝缘性的材料形成。

第2下电极LE2及第3下电极LE3的构造与第1下电极LE1相同。即，下电极LE2、LE3具有金属层ML、第1导电性氧化物层CL1及第2导电性氧化物层CL2。此外，下电极LE2、LE3的金属层ML具有第1周缘部P1和第1中央部C1，下电极LE2、LE3的第1导电性氧化物层CL1具有第2周缘部P2和第2中央部C2。下电极LE2、LE3的金属层ML的第1周缘部P1由保护层PR覆盖。

在图4的例子中，在隔壁6的上部62之上也附着有一对第1导电性氧化物层CL1。该第1导电性氧化物层CL1分别由位于上部62之上的有机层OR1、OR3覆盖。需要说明的是，该第1导电性氧化物层CL1可以如图所示分离，也可以相连。

图5是下电极LE1、LE2、LE3及保护层PR的概略俯视图。带有斜线的三个框状的部分分别与下电极LE1、LE2、LE3的第1周缘部P1相当。此外，该第1周缘部P1内侧的部分分别与下电极LE1、LE2、LE3的第1中央部C1相当。

在图5的例子中，针对下电极LE1、LE2、LE3各自的第1周缘部P1，配置有形状与该第1周缘部P1相同的保护层PR。即，在下电极LE1、LE2、LE3的各自中，保护层PR及第1周缘部P1包围第1中央部C1。

接下来，说明显示装置DSP的制造方法。

图6至图15是示出本实施方式中的显示装置DSP的制造工序的一部分的概略剖视图。在这些图中，省略基板10及电路层11。

在制造显示装置DSP时，首先，在如图3所示的基板10之上形成电路层11及有机绝缘层12。之后，如图6所示，针对子像素SP1、SP2、SP3的各自在有机绝缘层12之上形成第2导电性氧化物层CL2，形成整体覆盖该第2导电性氧化物层CL2的金属层ML，形成整体覆盖该金属层ML的保护层PR。进一步地，形成肋部5(作为肋部5的基部的绝缘层)。此时的肋部5不具有像素开口AP1、AP2、AP3，整体地覆盖第2导电性氧化物层CL2、金属层ML及保护层PR。

接下来，如图7所示，在肋部5之上形成隔壁6。在形成隔壁6时，首先形成作为下部61的基部的第1层，在第1层之上形成作为上部62的基部的第2层，在第2层之上配置隔壁6的平面形状的抗蚀剂。进一步地，通过各向异性的干式蚀刻使第1层及第2层被图案化，由此形成下部61及上部62。然后，通过各向同性的湿式蚀刻，从而使下部61的宽度与上部62相比被减小。

在形成隔壁6后，实施用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序。在本实施方式中，作为一例，设想第3显示元件DE3最先形成，第2显示元件DE2其次形成，第1显示元件DE1最后形成的情况。其中，显示元件DE1、DE2、DE3的形成顺序不限于本例。

在第3显示元件DE3的形成过程中，首先如图8所示，在肋部5及隔壁6之上形成在第3子像素SP3中开口的抗蚀剂R1。进一步地，通过以该抗蚀剂R1为掩模的蚀刻，从而在肋部5上形成第3子像素SP3的与保护层PR重叠的第3像素开口AP3。

第3子像素SP3的金属层ML中的、与第3像素开口AP3重叠的部分与图4所示的第1中央部C1相当，其余部分与图4所示的第1周缘部P1相当。与第3像素开口AP3的形成相伴，第3子像素SP3的保护层PR中的、覆盖金属层ML的第1中央部C1的部分从肋部5露出。在形成第3像素开口AP3后，利用剥离液除去抗蚀剂R1。

接下来，如图9所示，第3子像素SP3的保护层PR中的、通过第3像素开口AP3而从肋部5露出的部分利用蚀刻而被除去。由此，金属层ML的第1中央部C1从保护层PR露出。优选保护层PR与金属层ML由在该蚀刻中的选择比良好的材料形成，以使得金属层ML在该蚀刻中不被侵蚀。

接下来，如图10所示，通过溅射而在基板整体上形成比保护层PR薄的第1导电性氧化物层CL1。由此，第3子像素SP3中形成包含金属层ML、第1导电性氧化物层CL1及第2导电性氧化物层CL2的第3下电极LE3。

第3子像素SP3中形成的第1导电性氧化物层CL1的一部分与图4所示的第2中央部C2相当，通过第3像素开口AP3而与金属层ML的第1中央部C1接触。该第1导电性氧化物层CL1的其余部分与图4所示的第2周缘部P2相当，位于肋部5之上。

第1导电性氧化物层CL1形成在各子像素SP1、SP2、SP3中，其由隔壁6分断。第1导电性氧化物层CL1也附着于上部62之上。

优选上述溅射为直进性高的准直溅射。由此，能够抑制第1导电性氧化物层CL1与隔壁6的下部61接触。

接下来，如图11所示，针对基板整体，通过蒸镀而依次形成第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3。此时，各子像素SP1、SP2、SP3中形成的第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3由悬臂状的隔壁6分断。第3密封层SE3连续覆盖第3显示元件DE3、隔壁6，其中，第3显示元件DE3包含第3下电极LE3、第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3。

此外，如图12所示，在第3密封层SE3之上配置抗蚀剂R2。抗蚀剂R2以与第3子像素SP3重叠的方式而被图案化。抗蚀剂R2也位于包围第3子像素SP3的隔壁6中的、靠近第3子像素SP3的部分的正上方。

通过以抗蚀剂R2为掩模的蚀刻，从而如图13所示，第1导电性氧化物层CL1、第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去。由此，能够获得在第3子像素SP3中形成包含第3下电极LE3、第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的第3显示元件DE3和覆盖该第3显示元件DE3的第3密封层SE3、且子像素SP1、SP2中未形成显示元件、密封层的状态的基板。

之后，抗蚀剂R2被除去，以与图8至图13相同的步骤实施用于在第2子像素SP2中形成第2显示元件DE2的工序。由此，如图14所示，形成第2像素开口AP2、通过第2像素开口AP2而与金属层ML接触的第1导电性氧化物层CL1、覆盖第1导电性氧化物层CL1的第2有机层OR2、覆盖第2有机层OR2的第2上电极UE2、覆盖第2上电极UE2的第2盖层CP2、及覆盖第2盖层CP2的第2密封层SE2。

在形成第2显示元件DE2后，以与图8至图13相同的步骤实施用于在第1子像素SP1中形成第1显示元件DE1的工序。由此，如图15所示，形成第1像素开口AP1、通过第1像素开口AP1而与金属层ML接触的第1导电性氧化物层CL1、覆盖第1导电性氧化物层CL1的第1有机层OR1、覆盖第1有机层OR1的第1上电极UE1、覆盖第1上电极UE1的第1盖层CP1、及覆盖第1盖层CP1的第1密封层SE1。

在形成显示元件DE1、DE2、DE3及密封层SE1、SE2、SE3后，依次实施形成树脂层13、密封层14及树脂层15的工序。由此，完成图3所示构造的显示装置DSP。

有机EL显示装置的阳极与本实施方式中的下电极LE1、LE2、LE3同样地，存在具有在金属层上层叠导电性氧化物层的构成的情况。由银等形成的金属层容易受到由在用于在肋部形成像素开口的抗蚀剂的剥离、残渣的除去中使用的剥离液所引起的侵蚀。若导电性氧化物层薄，则剥离液能够通过可形成于导电性氧化物层的气孔等而到达金属层。假设金属层由充分厚度的导电性氧化物层覆盖，则能够保护金属层免受由剥离液引起的侵蚀。但是，若导电性氧化物层过厚，则显示元件的光学特性受损。

对此，在本实施方式中，当在肋部5上形成像素开口AP1、AP2、AP3时，与该像素开口重叠的金属层ML由保护层PR覆盖。通过将该保护层PR形成为充分厚度或由难以渗透的材料形成用于除去抗蚀剂R1的剥离液，从而能够保护金属层ML免受该剥离液等影响。

此外，在形成显示元件DE1、DE2、DE3时，保护层PR的一部分被除去，形成与金属层ML接触的第1导电性氧化物层CL1。第1导电性氧化物层CL1未暴露于剥离液，因此能够形成得薄，以使得显示元件DE1、DE2、DE3发挥良好的光学特性。

如此，根据本实施方式涉及的显示装置DSP及其制造方法，能够提高显示装置DSP的可靠性并提高显示品质。

另外，在本实施方式涉及的显示装置DSP中，第1导电性氧化物层CL1也位于肋部5之上。由此，下电极LE1、LE2、LE3与上电极UE1、UE2、UE3的相对面积较之像素开口AP1、AP2、AP3变大。结果，有机层OR1、OR2、OR3的发光区域的面积也变大，能够提高子像素SP1、SP2、SP3的亮度。

需要说明的是，在本实施方式中，例示了在形成隔壁6后形成第3像素开口AP3、在形成第3显示元件DE3后形成第2像素开口AP2、在形成第2显示元件DE2后形成第1像素开口AP1的情况。作为另一例，也可以在形成隔壁6前一并形成像素开口AP1、AP2、AP3。作为又一例，也可以在形成隔壁6后、在形成第3显示元件DE3前，一并形成像素开口AP1、AP2、AP3。在这些情况下，若在形成像素开口AP1、AP2、AP3时由保护层PR覆盖金属层ML，则也能够保护金属层ML免受之后使用的剥离液等影响。

只要包含本发明要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法能够适当设计变更并实施的全部显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。

应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。

另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (16)

1.显示装置，其具备：

下电极；

肋部，其覆盖所述下电极的一部分、具有与所述下电极重叠的像素开口；

上电极，其与所述下电极相对；和

有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间、对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光，

所述下电极包含：

金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部、以及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和

导电性氧化物层，其具有位于所述肋部之上的第2周缘部、以及通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的第2中央部。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步具备覆盖所述第1周缘部的保护层。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述肋部覆盖所述保护层。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述保护层比所述导电性氧化物层厚。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述保护层包围所述第1中央部。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述保护层具有导电性。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述导电性氧化物层及所述保护层由ITO、IZO或IGZO形成。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步具备配置在所述肋部之上的导电性的隔壁，

所述上电极与所述隔壁接触。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述隔壁具有导电性的下部和从所述下部的侧面突出的上部。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述导电性氧化物层的一部分位于所述上部之上。

11.显示装置，其具备：

下电极；

肋部，其覆盖所述下电极的一部分、具有与所述下电极重叠的像素开口；

上电极，其与所述下电极相对；

有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间、对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光；

保护层，其位于所述下电极与所述肋部之间，

所述下电极包含：

金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部、以及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和

导电性氧化物层，其覆盖所述第1中央部，

所述保护层覆盖所述第1周缘部。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述保护层比所述导电性氧化物层厚。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述保护层包围所述第1中央部。

14.显示装置的制造方法，其包括：

形成金属层；

形成覆盖所述金属层的保护层；

形成覆盖所述保护层的一部分并具有与所述保护层重叠的像素开口的肋部；

通过将所述保护层中的通过所述像素开口而从所述肋部露出的部分除去而使所述金属层的第1中央部从所述保护层露出；

形成通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的导电性氧化物层；

形成覆盖所述导电性氧化物层的有机层；和

形成覆盖所述有机层的上电极。

15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，所述导电性氧化物层形成得比所述保护层薄。

16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：在使所述金属层的所述第1中央部从所述保护层露出之前，在所述肋部之上形成具有导电性的下部和从所述下部的侧面突出的上部的隔壁。