CN117558854A - 柔性电子集成器件制造方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子元器件技术领域，公开了一种柔性电子集成器件制造方法、装置、设备及存储介质，用于解决现有柔性电子集成器件方法制造得到的柔性电子集成器件的厚度较大，导致性能不好的技术问题。该方法包括：将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，电子元件的第二表面上具有电极；对柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；在电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；将临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。该方法制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小，可以实现更低的挠曲性能。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种柔性电子集成器件制造方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
芯粒(Chiplet)集成技术是将一个功能丰富且面积较大的芯片裸片拆分成多个芯粒，并将这些具有特定功能的芯粒通过先进封装的形式组合在一起，最终形成一个系统芯片的技术。其是超越摩尔定律的一种有效方法，利用微纳加工技术，能够将多颗芯粒实现微米级互联得到高性能、低成本的集成器件。类似地，这种方式也可以应用在半导体显示领域，如制作Micro LED等显示屏幕时，将多颗RBG晶粒集成在一个面板上，实现显示功能。
在现有的技术中，不论是半导体芯粒集成器件还是显示屏幕，一般都基于硬质基板进行制造，而随着科技的发展，对柔性电子器件与柔性显示屏的需求逐渐增加。目前已经实现的柔性器件一般基于已成型的柔性载板进行制作，其工艺繁杂，制造出来的器件透明度不好，且成品的厚度存在局限，挠曲性能不足。
发明内容
本发明的主要目的在于解决现有技术中柔性电子集成器件制造方法的工艺复杂，且制造出来的柔性电子集成器件厚度较大，导致挠曲性能不足、透明度较差的技术问题。
本发明第一方面提供了一种柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，包括：
将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，所述电子元件的第二表面上具有电极；
对所述柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
在所述电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
可选地，在本发明第一方面的第一种实现方式中，所述电子元件嵌入所述柔性基板的深度小于所述电子元件的高度。
可选地，在本发明第一方面的第二种实现方式中，所述电子元件的边长小于或等于200μm，所述电子元件的高度小于或等于50μm
可选地，在本发明第一方面的第二种实现方式中，所述柔性基板和所述布线层的介电材料对可见光的透过率大于50％。
可选地，在本发明第一方面的第三种实现方式中，所述布线层的介电材料与所述固化后的柔性基板的材质相同。
柔性基板的预聚物为含酰亚胺基的预聚物或者为含苯并噁唑基的预聚物。
可选地，在本发明第一方面的第四种实现方式中，所述对所述柔性基板的预聚物进行固化包括：
通过加热或者通过光照辐射对所述柔性基板的预聚物进行固化。
可选地，在本发明第一方面的第六种实现方式中，所述临时衬底对可见光的透过率大于80％。
可选地，在本发明第一方面的第七种实现方式中，将所述临时衬底与所述柔性基板剥离包括：
在所述临时衬底无附着物的一侧向附着柔性基板的一侧照射激光，使所述临时衬底与所述柔性基板剥离。
可选地，在本发明第一方面的第八种实现方式中，所述激光的波长小于等于350nm。
可选地，在本发明第一方面的第十种实现方式中，在所述将所述临时衬底与所述柔性基板剥离之后，还包括：
根据集成度需求对所述柔性电子元件矩阵进行裁切，得到符合所述集成度需求的柔性电子集成器件。
本发明第二方面提供了一种柔性电子集成器件，包括：柔性基板、电子元件以及布线层；所述电子元件集成器件是通过如上述的方法的步骤制造得到的。
本发明第三方面提供了一种柔性电子集成器件制造装置，包括：
涂布模块，用于将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
排布模块，用于在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，所述电子元件的第二表面上具有电极；
固化模块，用于对所述柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
布线模块，用于在所述电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
剥离模块，用于将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
本发明第四方面提供了一种柔性电子集成器件制造设备，包括：存储器和至少一个处理器，所述存储器中存储有指令；所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述柔性电子集成器件制造设备执行上述的柔性电子集成器件制造方法的步骤。
本发明的第五方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述的柔性电子集成器件制造方法的步骤。
本发明提供的技术方案中，将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，电子元件的第二表面上具有电极；对柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；在电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；将临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。该制造方法步骤简便，且制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小，可以实现更低的挠曲性能。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法的一个实施例的流程示意图；
图2为本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法中电子元件的示意图；
图3为本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法中柔性电子集成器件附着在衬底上的部分示意图；
图4为本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法中柔性电子集成器件的部分示意图；
图5为本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法的第二实施例的流程示意图；
图6为本发明实施例中柔性电子集成器件制造装置的一个实施例示意图；
图7为本发明实施例中柔性电子集成器件制造设备的一个实施例示意图；
图8为本发明实施例中一种计算机可读介质的原理示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述本发明的示例性实施例。然而，示例性实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为本发明仅限于在此阐述的实施例。相反，提供这些示例性实施例能够使得本发明更加全面和完整，更加便于将发明构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的元件、组件或部分，因而将省略对它们的重复描述。
在符合本发明的技术构思的前提下，在某个特定的实施例中描述的特征、结构、特性或其他细节不排除可以以合适的方式结合在一个或更多其他的实施例中。
在对于具体实施例的描述中，本发明描述的特征、结构、特性或其他细节是为了使本领域的技术人员对实施例进行充分理解。但是，并不排除本领域技术人员可以实践本发明的技术方案而没有特定特征、结构、特性或其他细节的一个或更多。
附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
术语“和/或”或者“及/或”包括相关联的列出项目中的任一个或多者的所有组合。
请参阅图1-图4，本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法的一个实施例包括：
S101、将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
请参阅图2，本实施例所述的柔性电子集成器件是基于芯粒(Chiplet)的，其中，包括不同的种类的电子元件200，可以为LED小芯片、半导体芯片或者其他被动器件等。
请继续参阅图3，图3为柔性电子集成器件附着在衬底上的部分示意图。首先在硬质的临时衬底100上，涂布柔性基板300的预聚物。临时衬底100具有高平整度，其TTV(TotalThickness Variation，总厚度变化)小于或等于5μm(微米)，其材质可以为玻璃或者陶瓷等，在本实施例的一种优选实施方式中，可以选用三氧化二铝陶瓷制作临时衬底100，制作完成的临时衬底100对可见光的透过率小于80％，但某些波长的红外激光可穿透。
在涂布柔性基板300的预聚物时，保证预聚物涂布量均匀，可以采用喷涂等方式，使预聚物附着在临时衬底100上。
由于柔性基板300的预聚物具有一定的粘性，可以附着在临时衬底100上，而不需通过双面粘合剂将柔性基板300粘接在临时衬底100上。同时，通过预聚物具有的粘性，可以将电子元件200固定，而不需要通过粘合剂对电子元件200进行固定。为使预聚物可以通过自身的粘性将电子元件200固定在特定位置并且不移位，可以预先通过控制温度或者辐照交联的程度获取预聚合程度符合要求的预聚物。
S102、在柔性基板的预聚物上排布电子元件；
请继续参阅图2以及图3，将柔性基板300的预聚物均匀涂布在临时衬底100上之后，在预聚物上排布电子元件200，其中，电子元件200为至少两种不同的元件，例如，为存储芯片和逻辑芯片。具体的，通过巨量转移、摆臂式固晶机以及膜转移等方法将多个电子元件200排布在柔性基板300的预聚物上，电子元件200的第一表面201与柔性基板300的预聚物接触，电子元件200的第二表面202上具有电极203。在具体排布的过程中，为保证良品率，电子元件200埋入预聚物的深度不高于电子元件200的高度，其具体可以通过前述步骤中预聚物的预聚合程度控制，还可以配合2D或者3D机器视觉监控确认埋入深度。
此外，还可以通过机器视觉系统对电子元件200排布的位置进行监控，防止电子元件200在预聚物层上移位导致产品合格率低。
S103、对柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
通过加热固化、辐照固化或者微波固化等方式，对柔性基板300的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板。此时，前述步骤中的预聚物上排布的各电子元件200已经固定在柔性基板300上。
S104、在电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
电子元件200的第二表面202上具有电极203，在电子元件200的第二表面202上制作布线层400(又称再布线层)，通过布线层400将多个电子元件200的电极203在布线层400实现互联，实现电子元件200之间的共用供电线路、电子元件200间的信号传输或能量传输等功能，得到封装完毕的柔性电子元件矩阵。
其中，布线层400的金属导线为铜材质，布线层400的介电材料为与柔性基板300相同的材质。
S105、将临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
在临时衬底100无附着物的一侧施加激光，其中，优选为红外激光，其具体的波长可以为350nm(纳米)，该激光可以穿透临时衬底100，通过激光将临时衬底100和柔性电子元件矩阵剥离，得到如图4所示的柔性电子集成器件。
本发明实施例中的柔性电子集成器件制造方法利用柔性基板的预聚物具有粘性的特性，将预聚物涂覆在临时衬底上并粘接电子元件后进行固化，再制作布线层400，得到柔性电子集成器件，通过这样的方案减少了粘接剂的使用，简化了步骤；使用临时衬底和减少粘合剂的使用，使得制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小，可以实现更低的挠曲性能。
请参看图2-5，本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法的第二实施例包括：
S201、将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
请参阅图2，本实施例所述的柔性电子集成器件是基于芯粒(Chiplet)的，其中，包括不同的种类的电子元件200，可以为LED小芯片、半导体芯片或者其他被动器件等。
请继续参阅图3，首先在硬质的临时衬底100上，涂布柔性基板300的预聚物。临时衬底100为硬质的透明衬底，材质可以为玻璃或者陶瓷等，在本实施例的一种优选实施方式中，临时衬底100具有高平整度和高透明度的特点，其TTV(Total Thickness Variation，总厚度变化)小于或等于5μm(微米)；其对可见光的透过率大于等于80％。在涂布柔性基板300的预聚物时，保证预聚物涂布量均匀，可以采用使用涂布机喷涂等方式，使预聚物附着在临时衬底100上。
本实施例中，柔性基板300的预聚物为含酰亚胺基或者含苯并噁唑基中至少一种的预聚物，其固化后分别为聚酰亚胺材质的柔性基板300和苯并噁唑材质的柔性基板300。由于柔性基板300的预聚物具有一定的粘性，可以附着在临时衬底100上，而不需通过双面粘合剂将柔性基板300粘接在临时衬底100上。同时，通过预聚物具有的粘性，可以将电子元件200固定，而不需要通过粘合剂对电子元件200进行固定。为使预聚物可以通过自身的粘性将电子元件200固定在特定位置并且不移位，可以预先通过控制温度或者辐照交联的程度获取预聚合程度符合要求的预聚物。
S202、在柔性基板的预聚物上排布电子元件；
请继续参阅图2以及图3，将柔性基板300的预聚物均匀涂布在临时衬底100上之后，在预聚物上排布电子元件200，其中，电子元件200为至少两种不同的元件，例如，为存储芯片和逻辑芯片。为使得制造完毕的柔性电子集成器件的柔性好，本实施例中使用的电子元件200选择较小的尺寸，其边长小于200μm(微米)，高度小于50μm(微米)。
具体的，通过激光巨量转移、印章式巨量转移、摆臂式固晶机以及膜转移等方法将多个电子元件200排布在柔性基板300的预聚物上，电子元件200的第一表面201与柔性基板300的预聚物接触，电子元件200的第二表面202上具有电极203。在具体排布的过程中，为保证良品率，电子元件200埋入预聚物的深度不高于电子元件200的高度，其具体可以通过前述步骤中预聚物的预聚合程度控制，还可以配合2D或者3D机器视觉监控确认埋入深度。
此外，还可以通过机器视觉系统对电子元件200排布的位置进行监控，防止电子元件200在预聚物层上移位导致产品合格率低。
S203、通过光照辐射对柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
通过加热固化、辐照固化或者微波固化等方式，对柔性基板300的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板300。本实施例中，柔性基板300对可见光的透过率大于50％。
此时，前述步骤中的预聚物上排布的各电子元件200已经固定在柔性基板300上。
S204、在电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
电子元件200的第二表面202上具有电极203，在电子元件200的第二表面202上制作布线层400，通过布线层400将多个电子元件200的电极203在布线层400实现互联，实现电子元件200之间的共用供电线路、电子元件200间的信号传输或能量传输等功能，得到封装完毕的柔性电子元件矩阵。
其中，布线层400的金属导线为铜材质，布线层400的介电材料为与柔性基板300相同的材质，其对可见光的透过率大于50％，例如，当柔性基板300为聚酰亚胺材质时，布线层400的介电材料也采用聚酰亚胺材质，当当柔性基板300为聚苯并噁唑材质时，布线层400的介电材料也采用聚苯并噁唑材质；通过采用同样的材质，使得最终形成的柔性电子集成器件的透光性好。
在一个优选的实施方式中，布线层400的介电材料与柔性基板300均选择为透明材质，可使本实施例中得到的柔性电子集成器件的透明性好。
S205、在临时衬底无附着物的一侧向附着柔性基板的一侧照射激光，使临时衬底与柔性基板剥离；
在临时衬底100无附着物的一侧施加激光，其中，优选为波长小于或等于350nm(纳米)的激光，并且使得该激光可以穿透临时衬底100但不能透过柔性基板300，通过激光将临时衬底100和柔性电子元件矩阵剥离。
S206、根据集成度需求对柔性电子元件矩阵进行裁切，得到符合集成度需求的柔性电子集成器件。
根据集成度需求，对剥离得到的柔性器件矩阵进行裁切，得到如图4所示的所需集成度的柔性电子集成器件模组。
本发明实施例中的柔性电子集成器件制造方法利用柔性基板的预聚物具有粘性的特性，将预聚物涂覆在临时衬底上并粘接电子元件后进行固化，再制作布线层400，得到柔性电子集成器件，通过这样的方案减少了粘接剂的使用，简化了步骤；使用临时衬底和减少粘合剂的使用，使得制造得到的柔性电子集成器件的透明度高，厚度较小，柔软性好，可以实现更低的挠曲性能。
上面对本发明实施例中柔性电子集成器件制造方法进行了描述，本发明实施例中，还包括如图4所示的一种柔性电子集成器件，其具体是通过如上述实施例中所述的柔性电子集成器件制造方法制造得到的。
下面对本发明实施例中柔性电子集成器件制造装置进行描述，请参阅图6，本发明实施例中柔性电子集成器件制造装置的一个实施例包括：
涂布模块601，用于将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
排布模块602，用于在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，所述电子元件的第二表面上具有电极；
固化模块603，用于对所述柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
布线模块604，用于在所述电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
剥离模块605，用于将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
本发明实施例中柔性电子集成器件制造装置在制造柔性电子集成器件时步骤简便，且制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小，可以实现更低的挠曲性能。
在本申请的另一实施例中，所述电子元件嵌入所述柔性基板的深度小于所述电子元件的高度。
在本申请的另一实施例中，所述电子元件的边长小于或等于200μm，所述电子元件的高度小于或等于50μm。
所述柔性基板和所述布线层的介电材料对可见光的透过率大于50％。
在本申请的另一实施例中，所述布线层的介电材料与所述固化后的柔性基板的材质相同。
柔性基板的预聚物为含酰亚胺基的预聚物或者为含苯并噁唑基的预聚物。
在本申请的另一实施例中，所述对所述柔性基板的预聚物进行固化包括：
通过加热或者通过光照辐射对所述柔性基板的预聚物进行固化。
在本申请的另一实施例中，所述临时衬底对可见光的透过率大于80％。
在本申请的另一实施例中，将所述临时衬底与所述柔性基板剥离包括：
在所述临时衬底无附着物的一侧向附着柔性基板的一侧照射激光，使所述临时衬底与所述柔性基板剥离。
在本申请的另一实施例中，所述激光的波长小于等于350nm。
在本申请的另一实施例中，在所述将所述临时衬底与所述柔性基板剥离之后，还包括：
根据集成度需求对所述柔性电子元件矩阵进行裁切，得到符合所述集成度需求的柔性电子集成器件。
本发明实施例中的柔性电子集成器件制造装置可以利用柔性基板的预聚物具有粘性的特性，将预聚物涂覆在临时衬底上并粘接电子元件后进行固化，再制作布线层，得到柔性电子集成器件，能够减少粘接剂的使用，简化制造步骤；使用临时衬底和减少粘合剂的使用，使得制造得到的柔性电子集成器件的厚度较小，柔软性好，可以实现更低的挠曲性能。
上面图6从模块化功能实体的角度对本发明实施例中的柔性电子集成器件制造装置进行详细描述，基于同一发明构思，本说明书实施例还提供一种柔性电子集成器件制造设备，下面从硬件处理的角度对本发明实施例中柔性电子集成器件制造设备进行详细描述。
图7为本说明书实施例提供的一种电子设备的结构示意图。下面参照图7来描述根据本发明该实施例的电子设备700。图7显示的电子设备700仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图7所示，电子设备700以通用计算设备的形式表现。电子设备700的组件可以包括但不限于：至少一个处理单元710、至少一个存储单元720、连接不同系统组件(包括存储单元720和处理单元710)的总线730、显示单元740等。
其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元710执行，使得所述处理单元710执行本说明书上述处理方法部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如，所述处理单元710可以执行如图1或图5所示的步骤。
所述存储单元720可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(RAM)7201和/或高速缓存存储单元7202，还可以进一步包括只读存储单元(ROM)7203。
所述存储单元720还可以包括具有一组(至少一个)程序模块7205的程序/实用工具7204，这样的程序模块7205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
总线730可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
电子设备700也可以与一个或多个外部设备100(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备700交互的设备通信，和/或与使得该电子设备700能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口750进行。并且，电子设备700还可以通过网络适配器760与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。网络适配器760可以通过总线730与电子设备700的其它模块通信。应当明白，尽管图7中未示出，可以结合电子设备700使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，本发明描述的示例性实施例可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本发明实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个计算机可读的存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行根据本发明的上述方法。当所述计算机程序被一个数据处理设备执行时，使得该计算机可读介质能够实现本发明的上述方法，即：如图1或5所示的方法。
图8为本说明书实施例提供的一种计算机可读介质的原理示意图。
实现图1或5所示方法的计算机程序可以存储于一个或多个计算机可读介质上。计算机可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
所述计算机可读存储介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读存储介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。可读存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
综上所述，本发明可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(DSP)等通用数据处理设备来实现根据本发明实施例中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，本发明不与任何特定计算机、虚拟装置或者电子设备固有相关，各种通用装置也可以实现本发明。以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，包括：
将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，所述电子元件的第二表面上具有电极；
对所述柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
在所述电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
2.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，所述电子元件嵌入所述柔性基板的深度小于所述电子元件的高度。
3.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，所述柔性基板和所述布线层的介电材料对可见光的透过率大于50％。
4.根据权利要求3所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，所述布线层的介电材料与所述固化后的柔性基板的材质相同。
5.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，所述柔性基板的预聚物为含酰亚胺基的预聚物或者为含苯并噁唑基的预聚物。
6.根据权利要求1所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，所述临时衬底对可见光的透过率大于80％。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的柔性电子集成器件制造方法，其特征在于，在所述将所述临时衬底与所述柔性基板剥离之后，还包括：
根据集成度需求对所述柔性电子元件矩阵进行裁切，得到符合所述集成度需求的柔性电子集成器件。
8.一种柔性电子集成器件，其特征在于，所述电子元件集成器件包括：柔性基板、电子元件以及布线层；
所述电子元件集成器件是通过如权利要求1-7中任一项所述的柔性电子集成器件制造方法的步骤制造得到的。
9.一种柔性电子集成器件制造装置，其特征在于，所述柔性电子集成器件制造装置包括：
涂布模块，用于将柔性基板的预聚物涂布在临时衬底上；
排布模块，用于在柔性基板的预聚物上排布电子元件，其中，所述电子元件的第一表面与柔性基板的预聚物接触，所述电子元件的第二表面上具有电极；
固化模块，用于对所述柔性基板的预聚物进行固化，得到固化后的柔性基板；
布线模块，用于在所述电子元件的第二表面上制作布线层，得到柔性电子元件矩阵；
剥离模块，用于将所述临时衬底与柔性电子元件矩阵剥离，得到柔性电子集成器件。
10.一种柔性电子集成器件制造设备，其特征在于，所述柔性电子集成器件制造设备包括：存储器和至少一个处理器，所述存储器中存储有指令；
所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述柔性电子集成器件制造设备执行如权利要求1-7中任一项所述的柔性电子集成器件制造方法的步骤。
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