CN117239370A - 一种移相器以及无线通信设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种移相器以及无线通信设备，移相器包括：第一基板；位于第一基板一侧的射频传输线；与射频传输线连接的偏置线；其中，偏置线包括：第一部分走线和第二部分走线；第二部分走线的方块电阻大于射频传输线的方块电阻；第一部分走线与射频传输线一体连接，第一部分走线的线宽小于射频传输线的线宽；在第一部分走线的延伸路径上，第二部分走线与第一部分走线具有搭接部分；在搭接部分，第二部分走线位于第一部分走线远离第一基板的一侧，沿垂直于第一基板所在平面的方向，第二部分走线覆盖第一部分走线。本申请技术方案能够提高移相器中偏置线的扼流效果，有效改善漏波问题。

Description

一种移相器以及无线通信设备

技术领域

本申请涉及通信设备技术领域，更具体的说，涉及一种移相器以及无线通信设备。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的具有无线通信功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

移相器能够调节电磁波的相位，被广泛用于具有无线通信功能的电子设备中，在移动通信领域、雷达领域、航空航天领域以及智能交通领域有着广泛的应用。

常规的移相器中，射频信号向偏置线漏波的问题较为严重，如何降低射频信号的漏波问题，是移相器设计研发中一个亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种移相器以及无线通信设备，方案如下：

一方面，本申请提供了一种移相器，包括：

第一基板；

位于第一基板一侧的射频传输线；

与射频传输线连接的偏置线；

其中，偏置线包括：第一部分走线和第二部分走线；第二部分走线的方块电阻大于射频传输线的方块电阻；第一部分走线与射频传输线一体连接，第一部分走线的线宽小于射频传输线的线宽；在第一部分走线的延伸路径上，第二部分走线与第一部分走线具有搭接部分；在搭接部分，第二部分走线位于第一部分走线远离第一基板的一侧，沿垂直于第一基板所在平面的方向，第二部分走线覆盖第一部分走线。

另一方面，本申请提供了一种无线通信设备，包括上述移相器。

通过上述描述可知，本申请技术方案提供的移相器以及无线通信设备至少包括如下有益效果：

设置偏置线中第一部分走线与射频传输线一体连接，保证了偏置线和射频传输线的可靠电连接，能够降低偏置线和射频传输线的连接阻抗，能够降偏置信号从偏置线传输到射频传输线的损耗；

设置第一部分走线的线宽小于射频传输线的线宽，使得第一部分走线具有较大的电感，能够降低射频传输线中射频信号向偏置线的漏波；

偏置线中两部分走线在二者的延伸路径上形成搭接部分，提高了第二部分走线在第一部分走线上附着的可靠性与稳定性，降低第二部分走线在爬坡位置的断线风险；而且还可以基于搭接部分实现偏置线中两部分走线大面积的电连接，提高偏置线中两部分走线电连接的可靠性；

设置第二部分走线的方块电阻大于射频传输线的方块电阻，能够提升偏置线的电感，增大偏置线相对于射频传输线的电感差值，进一步降低射频传输线中射频信号向偏置线的漏波。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容涵盖的范围内。

图1为本申请实施例提供的一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图2为本申请实施例提供的一种移相器中参考电极与第一基板上信号线相对位置的俯视图；

图3为图1所示移相器在A-A’方向的切面图；

图4为本申请实施例提供的另一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图5为图4所示移相器在A-A’方向的切面图；

图6为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图7为图6所示移相器在A-A’方向的切面图；

图8为图6所示移相器在B-B’方向的切面图；

图9为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图10为图9在A-A’方向的切面图；

图11为一种偏置线中两部分走线在搭接部分的局部放大图；

图12为图11在C-C’方向的切面图；

图13为本申请实施例提供的一种偏置线在搭接部分沿长度方向上的切面图；

图14为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图15为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图16为图18所示移相器在第二扼流枝节和第一扼流枝节交叠部分的局部放大图；

图17为图16在D-D’的切面图；

图18为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图19为图18在E-E’方向的切面图；

图20为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图21为图20在E-E’方向的切面图；

图22为另一种偏置线中两部分走线在搭接部分的局部放大图；

图23为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图24为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图25为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图；

图26为本申请实施例提供的一种无线通信设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在本申请中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本申请意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本申请的修改和变化。需要说明的是，本申请实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

参考图1-图3所示，图1为本申请实施例提供的一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，图2为本申请实施例提供的一种移相器中参考电极与第一基板中信号线相对位置的俯视图，图3为图1所示移相器在A-A’方向的切面图，所示移相器包括：

位于第一基板11一侧的偏置线12、扼流枝节13以及射频传输线14；

位于第二基板15表面的参考电极16。

其中，偏置线12、扼流枝节13以及射频传输线14为第一基板11表面上的同一导电层形成的一体连接结构。参考电极16是位于第二基板12表面上的另一导电层，该导电层具有开口17，以便于射频传输线14透过窗口17收发射频信号。图2中参考电极16的两个开口17分别对应设置在图1中虚线方框所示区域上方，以使得参考电极16所在导电层露出射频传输线14的两端，便于射频信号的收发。其中，开口17可以为矩形或是圆形，开口17的尺寸不小于射频传输线14的线宽，以便于收发射频信号。

第一金属层和第二金属层的材料可以为Cu、Ag、Au或是金属合金等材料。综合考虑制作成本以及移相器的电学性能，第一金属层和第二金属层的材料可以优选采用Cu。

通过偏置线12为射频传输线14提供偏置信号，在射频传输线14和参考电极16之间形成电场，以改变两基板之间介质层18的介电常数，进而能够改变射频传输线14中射频信号的相位。对于射频信号而言，偏置线12的引入会导致射频信号的泄露，导致移相器的偏置隔离度变差。

为了实现偏置线12对射频信号的抑制效果，设置偏置线12的线宽小于射频传输线14的线宽，以使得偏置线12具有较大的电感，以扼制射频信号的输入。本申请实施例中，线宽是信号线在垂直于自身延伸路径上的宽度尺寸。

本申请实施例中，以介质层18是液晶材料为例进行说明，显然，介质层18还可以为其他能够基于电信号改变介电常数的介质材料，本申请实施例对于介质层18的具体材料不做限定。

射频传输线14的两个端部作为射频信号端口，能够用于收发射频信号。射频传输线14与偏置线12的连接位置作为射频传输线14的偏置信号输入端。理想的移相器需要射频信号仅是在射频传输线14中以及两个射频信号端口之间传输，且需要抑制射频信号从偏置信号线输入端向偏置线12传输。

采用图1-图3所示信号线设计方案，偏置线12和射频传输线14同层走线，偏置线12和射频传输线14的电连接关系好，通过设置扼流枝节13能够在一定程度上增大扼流效果，降低漏波，产品整体的偏置隔离度能抑制到-20dB。

为了改善偏置隔离度，以增大扼流效果，提升偏置线12对射频信号的抑制效果，降低射频信号向偏置线12的漏波程度，可以采用高阻抗的导电材料制备偏置线12。

透光的氧化物导电材料是一种电子设备中广泛使用的信号线材料，且相对于金属材料具有较大的阻抗。故可以采用氧化物导电材料制备偏置线12，能够大幅提高偏置线12的电感，增大与射频传输线14的电感差异，从而能够改善偏置隔离度，提升偏置线12对射频信号的抑制效果。其中，氧化物导电材料可以为ITO(氧化铟锡)或是IZO(铟锌氧化物)等。

采用氧化物导电层制备偏置线12时，由于偏置线12和射频传输线14是两种不同的导电材料，需要分别制备偏置线12和射频传输线14。第一种方式可以如图4和图5所示，先制备偏置线12，再制备射频传输线14；第二种方式可以如图6-图8所示，先制备射频传输线14，再制备偏置线12。

参考图4和图5所示，图4为本申请实施例提供的另一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，图5为图4所示移相器在A-A’方向的切面图，与图1-图3所示方式不同在于，图4和图5所示移相器中，采用厚度较薄的氧化物导电层制备偏置线12；第一基板11和偏置线12的表面上覆盖有第一绝缘层191；在第一绝缘层191背离第一基板11的一侧表面上制备有射频传输线14；在射频传输线14背离第一基板11的一侧以及第一绝缘层191的表面覆盖有第二绝缘层192。在绑定区，具有和偏置线12连接的绑定端，图4和图5中未示出绑定端。在射频传输线14和偏置线12的交叉位置，射频传输线14通过导电孔和偏置线12电连接。其中，通过第一绝缘层191和第二绝缘层192保护射频传输线14，避免高温制备工艺导致射频传输线14氧化，影响射频传输线14和偏置线12的连接可靠性。

在图4和图5所示移相器中，由于氧化物导电层具有透光性，不能复用为对位标记，在制备第一基板11表面上的膜层结构时，至少需要6层掩膜版。第一层掩膜版用于制备第一基板11表面上的对位标记，第二层掩膜版用于制备偏置线12，第三层掩膜版用于制备第一绝缘层191，第四层掩膜版用于制备射频传输线14，第五层掩膜版用于制备第二绝缘层192，第六层掩膜版用于制备绑定端。该方式中，对位标记可以为图形化的Mo层，偏置线12可以为图形化的ITO层，第一绝缘层191可以为图形化的SiNx，射频传输线14可以为图形化的Cu层，第二绝缘层192可以为图形化的SiNx，绑定端可以为图形化的ITO层，膜层堆叠结构为Mo-ITO-SiNx-Cu-SiNx-ITO。

本申请实施例中，各绝缘层可以为氮化硅薄膜，也可以为其他无机薄膜层，本申请实施例对于绝缘层的具体材料不做限定。

图4和图5所示第一种方式基于单纯氧化物导电层制备的偏置线12能够大幅提升扼流效果，将偏置隔离度降低至-100dB以下，近乎实现完全隔离，但是该方式需要较多数量的掩膜版，导致制作成本较高。为了减少掩膜版的数量，可以采用图6-图8所示第二种方式。

参考图6-图8所示，图6为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，图7为图6所示移相器在A-A’方向的切面图，图8为图6所示移相器在B-B’方向的切面图，与图4和图5所示方式不同在于，图6-图8所示移相器中，先制备射频传输线14，再制备偏置线12。

相对于第一种方式，在第二种方式中，由于射频传输线14不透光，可以复用射频传输线14所在金属层制备对位标记，可以节省第一种方式中的第一层掩膜层。由于无需制备偏置线14下方的绝缘层，可以节省第一种方式中的第三层掩膜版，位于偏置线14上方的氧化物导电层不存在金属材料的氧化问题，可以复用氧化物导电层，在制备偏置线12的同时制备绑定端，可以节省第六层掩膜版。故第二种方式需要三层掩膜版，用于分别制备射频传输线14、射频传输线14表面的绝缘层以及偏置线12，大幅降低掩膜版的层数，降低制作成本。该方式中，射频传输线14可以为图形化的Cu层，射频传输线14表面的绝缘层可以为图形化的SiNx，偏置线12可以为图形化的ITO层，膜层堆叠结构为Cu-SiNx-ITO。

图6-图8所示方式能够以较低的成本制备具有较好偏置隔离度的移相器，需要偏置线12的长度延伸路径和射频传输线14的长度延伸路径交叉，并在交叉位置形成用于二者电连接的导电孔。如上述，为了保证偏置线12的扼流效果，偏置线12相对于射频传输线14需要具有较小的线宽。由于金属材质的射频传输线14的厚度较大，较细的偏置线12需要跨过厚度较大的射频传输线14，偏置线12的爬坡位置宽度为偏置线12的线宽，爬坡位置宽度较小，容易发生断裂问题，影响偏置线12和射频传输线14的电连接效果。

由于制备偏置线12的氧化物导电层需要采用CVD(化学气相沉积)等高温度镀膜工艺制备，而绝缘层在高温镀膜过程中会累积较大应力，在高温镀膜后的冷却过程绝缘层会出现应力的释放收缩，导致偏置线12出现由于应力变化导致的断线问题。

有鉴于此，为了在改善偏置隔离度，降低漏波的同时，提高偏置线12和射频传输线14的电连接可靠性，可以采用下述实施方式。

参考图9所示，图9为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，所示移相器包括：

第一基板11；

位于第一基板11一侧的射频传输线14；

与射频传输线14连接的偏置线12；

其中，偏置线12包括：第一部分走线121和第二部分走线122；第二部分走线122的方块电阻大于射频传输线14的方块电阻；第一部分走线121与射频传输线14一体连接，第一部分走线121的线宽小于射频传输线14的线宽；在第一部分走线121的延伸路径上，第二部分走线122与第一部分走线121具有搭接部分123；在搭接部分123，第二部分走线122位于第一部分走线121远离第一基板11的一侧，沿垂直于第一基板11所在平面的方向(下述Z轴方向)，第二部分走线122覆盖第一部分走线121。

为了便于图示相对位置和方向，本申请实例附图中，以第一基板11所在平面作为X轴和Y轴相交的XY平面，以垂直于第一基板11所在平面的方向作为Z轴，基于此构建三维直角坐标系。

在图9所示方式移相器中，由于第一部分走线121与射频传输线14一体连接，二者为同层一体结构，无需导电孔连接，保证了偏置线12和射频传输线14的可靠电连接，能够降低偏置线12和射频传输线14的连接阻抗，能够降偏置信号从偏置线12传输到射频传输线14的损耗。由于第一部分走线121的线宽小于射频传输线14的线宽，使得第一部分走线121具有较大的电感，能够降低射频传输线14中射频信号向偏置线12的漏波。

本申请实施例中，偏置线12和射频传输线14均为导电走线，导电走线的形状可以基于需求设定为直线、折线、螺旋线等结构。可以基于第一基板11上的布线空间设置导电走线在第一基板11上的延伸路径，本申请实施例对此不做限定。导电走线的长度为导电走线实际延伸轨迹的尺寸，其宽度为导电走线在第一基板11表面上的线宽，其厚度为导电走线在Z轴方向上的尺寸。

在图6所示垂直跨线方式中，偏置线12的延伸路径和射频传输线14的延伸路径交叉，如图6所示，偏置线12在X方向延伸的部分和射频传输线14在Y方向上延伸的部分垂直交叉，如果出现Y轴方向上等于偏置线12宽度的裂纹，就会导致偏置线12断裂，严重影响其和射频传输线14之间电连接的可靠性。而本申请技术方案中，偏置线12的第一部分走线121和射频传输线14是同层的一体结构，二者具有可靠稳定的连接效果。

而且图9所示方式中，一方面，第二部分走线122的延伸路径与第一部分走线121的延伸路径部分重叠形成搭接部分123。延伸路径为导电走线在第一基板11表面上实际延伸轨迹，在图9所示方式中，第一部分走线121与第二部分走线122的均包括在Y方向上延伸的一段导电走线，二者沿Y方向上延伸且重叠的部分形成搭接部分123。第二部分走线122在爬坡位置宽度是偏置线12中两部分走线延伸路径重叠部分的长度尺寸(搭接部分123在Y轴上的尺寸)，爬坡位置宽度大，更大爬坡位置宽度便于第二部分走线122下方绝缘层中应力的缓冲释放，能够避免第二部分走线122由于下方绝缘层应力变化导致的断裂问题。另一方面，偏置线12中两部分走线在二者长度方向上形成搭接部分123，Y轴方向上等于偏置线12宽度的裂纹不会影响两部分走线的电连接效果。可见，图9所示方式偏置线12中两部分走线具有可靠稳定的连接效果。

基于上述描述可知，由于偏置线12中两部分走线在二者的延伸路径上形成有搭接部分123，提高了第二部分走线122在第一部分走线121上附着的可靠性与稳定性，降低第二部分走线122在爬坡位置的断线风险；而且还可以基于搭接部分123实现偏置线12中两部分走线大面积的电连接，提高偏置线12中两部分走线电连接的可靠性。

而且设置第二部分走线122的方块电阻大于射频传输线14的方块电阻，能够提升偏置线12的电感，增大偏置线12相对于射频传输线14的电感差值，进一步降低射频传输线14中射频信号向偏置线12的漏波。

通过对偏置线12的电阻进行实验检测，实验检测结果表明，基于搭接部分123设计的移相器不存在电连接不良的问题，线路具有稳定可靠的电连接效果。仿真实验数据表明，该设计方案能够将偏置隔离度降低到-50dB以下，而且由于膜层制备顺序与图6所示方式相同，相对于图4所示方式，同样能够节省至少三层掩膜版。

如图9所示，第二部分走线122的线宽不小于第一部分走线121的线宽，从而使得在搭接部分123，第二部分走线122覆盖第一部分走线121，在搭接部分123，使得第二部分走线122在长度方向上实现对第一部分走线123三面爬坡，实现长度延伸方向上的跨线设计，图6图9避免了不同走线的垂直跨线，能够大幅提高偏置线12中跨线位置两部分走线的重叠面积。而且由于该设计是在走线长度方向上增大爬坡宽度，无需大幅增大偏置线12的宽度，只需要满足第二部分走线122覆盖第一部分走线121实现长度方向上的搭接部分123即可。

参考图10所示，图10为图9在A-A’方向的切面图，移相器还包括：与第一基板11相对设置的第二基板15，第二基板15位于射频传输线14远离第一基板11一侧；第二基板15与第一基板11之间具有介质层18，位于第二基板12靠近第一基板11的一侧的参考电极16。当介质层18为液晶层时，需要在两基板边缘位置形成用于封装保护液晶层的封装结构，以防止液晶材料泄露。

参考电极16在射频传输线14的两端上方分别设置有一个开口17，以便于射频传输线14收发射频信号。参考电极16优选采用图形化的Cu层。

可选的，第二部分走线122的方块电阻至少为射频传输线14方块电阻的1000倍，这样能够使得第二部分走线122的方块电阻相对于射频传输线14的方块电阻具有至少三个数量级以上的差异，以使得偏置线12的电感远大于射频传输线14的电感，使得偏置线12具有更好的扼流效果，防止射频信号的泄露。如上述，第二部分走线122可以为氧化物导电层，如ITO或是IZO等。

参考图11和图12所示，图11为一种偏置线中两部分走线在搭接部分的局部放大图，图12为图11在C-C’方向的切面图，结合图9-图12所示，第一部分走线121以及射频传输线14位于第一导电层；第二部分走线122位于第二导电层；第一导电层与第二导电层之间具有绝缘层19；在搭接部分123，第二部分走线122通过多个第一导电通孔Via1与第一部分走线121电连接。由于偏置线12中两部分走线在延伸路径上形成搭接部分123，搭接部分123是二者延伸路径上的重叠区域，具有较大的空间布局多个第一导电孔Via1，以使得两部分走线形成可靠稳定的电连接。

第一导电通孔Via1可以为方形孔、圆形孔、三角形孔以及椭圆形孔中的任一种，本申请实施例对于第一导电孔Via1的形状不做限定。在搭接部分123，单位面积内第一导电通孔Via1的面积占比大，以便于偏置线12中两部分走线形成可靠稳定的电连接。对于图11所示方式，理论上，采用一个长边平行于Y轴的矩形导电孔，能够使得偏置线12中两部分走线在搭接部分123实现较大电连接面积。一方面，制备单独矩形导电孔所需要刻蚀孔的尺寸太大，不容易控制刻蚀精度，另一方面，射频传输线14表面覆盖的绝缘层是厚度较薄的无机层，由于上述刻蚀精度难以控制的问题，容易出现刻蚀不足或是过刻蚀问题，导致刻蚀孔形貌不良，影响最终所制备导电孔的质量。因此，本申请实施例中，在搭接部分123采用多个第一导电孔Via1连接偏置线12中两部分走线。

可选的，对于设定尺寸的搭接部分123，线宽较小的第一部分走线121的面积S1确定，该面积S1下，设置所有第一导电孔Via1的面积之和为S2，设置以使得偏置线12中两部分走线在搭接部分123实现良好的电接触。

优选的，设置

可以如图11所示，在搭接部分123中，多个第一导电孔Via1在搭接部分123的长度延伸方向上一列排布，多个第一导电孔Via1也可以在搭接部分123的长度延伸方向上多列排布。可选的，在XY平面，基于打孔工艺精度，相邻两个第一导电孔Via1之间的间距不小于5μm；第一导电孔Via1在XY平面上的最小尺寸不小于5μm，如果第一导电孔Via1是图11所示矩形孔，则矩形孔平行X轴和Y轴方向上的边长均不小于5μm。如果是圆形孔，则圆形孔的孔径不小于5μm，在第一部分走线121的线宽方向上，第一导电孔Via1的最大尺寸小于第一部分走线121的线宽，在第一部分走线121的长度方向上，第一导电孔Via1的最大尺寸可以基于第一导电孔Via1的布局密度设定。第一导电孔Via1用于连接第二部分走线122和第一部分走线121，故在XY平面，第一导电孔Via1需要位于第一部分走线121的两侧壁之间，且基于打孔工艺精度，第一导电孔Via1距离第一部分走线121的侧壁距离不小于4μm。

如图12所示，在搭接部分123，沿第一方向，第二部分走线122与第一部分走线121至少部分交叠，第一方向平行于第一基板11所在平面，且第一方向与第一部分走线121的延伸方向交叉，对于图12所示方式，第一方向为平行于X轴的方向图12。如是能够使得第二部分走线122还与第一部分走线121的侧壁在第一方向上重叠，覆盖第一部分走线121的部分侧壁。

在本申请实施例中，第一部分走线121的侧壁可以垂直于第一基板11所在平面，也可以如图13所示，第一部分走线121的侧壁与第一基板11所在平面具有设定的坡度。

参考图13所示，图13为本申请实施例提供的一种偏置线在搭接部分沿长度方向上的切面图，沿垂直于第一基板11所在平面的方向上，第一部分走线121的厚度Th1大于第二部分走线122的厚度Th2；在第一基板11指向第一部分走线121的方向上，第一部分走线121的宽度逐渐增大，这样可以使得第一部分走线121的侧壁形成一个锐角坡度，从而缩小第二部分走线122在第一部分走线121的侧壁上的爬坡角度，更好的防止第二部分走线122由于爬坡断裂。

本申请实施例中，第一部分走线121的长度不小于的，且不大于/>n为正整数，λ为射频传输线14中所能够传输射频信号的中心波长。基于对射频信号的开路负载结构，在该长度范围内的第一部分走线121对射频信号具有反射特性，能够降低射频传输线14中射频信号到偏置线12的漏波。故在该长度范围内的第一部分走线121能够产生较好的扼流效果，改善偏置隔离度。

可选的，设置第一部分走线121的长度等于此时第一部分走线121对射频信号的反射特性最好，可以产生最好的扼流效果，以使得第一部分走线121能够最好的改善隔离度。

其中，射频传输线14所能够收发的射频信号频段与其长度相关，与其形状无关，故可以基于射频信号通信波段需求设定射频传输线14的长度，本申请实施例对此不做限定。故上述中心波长为射频传输线14所能够收发的射频信号频段的中点值。

参考图14所示，图14为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，在上述实施方式基础上，所示移相器还包括：与第一部分走线121一体连接的第一扼流枝节21，第一扼流枝节21的长度为n₁为正整数，如上述，λ为射频传输线传输射频信号的中心波长。基于第一扼流枝节21，能够改善偏置线12的偏置隔离度，提高扼流效果。可选的，设置n₁＝1，此时可以采用最小长度的第一扼流枝节21实现相同的扼流效果，便于第一基板11表面信号线的布局。

本申请实施例中，可以设第一扼流枝节21与第一部分走线121为一体结构，二者位于同一导电层，也可以设置二者位于不同导电层，通过导电孔连接。

参考图15所示，图15为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，在图14所示方式基础上，图15所示移相器还包括：与第二部分走线122一体连接的第二扼流枝节22，第二扼流枝节22的长度为n₂为正整数。基于第二扼流枝节22，能够改善偏置线12的偏置隔离度，提高扼流效果。可选的，设置n₂＝1，此时可以采用最小长度的第二扼流枝节22实现相同的扼流效果，便于第一基板11表面信号线的布局。

本申请实施例中，可以设第二扼流枝节22与第二部分走线122为一体结构，二者位于同一导电层，也可以设置二者位于不同导电层，通过导电孔连接。

其中，第二扼流枝节22位于第一部分走线121延伸路径之外，第二扼流枝节22的延伸路径和第一部分走线121的延伸路径方向交叉。

本申请实施例中，可以单独设置第一扼流枝节21或是第二扼流枝节22，也可以同时设置第一扼流枝节21和第二扼流枝节22，以改善偏置隔离度，提高扼流效果。

可选的，偏置线12包括：第一扼流枝节21，第一扼流枝节21的长度为第二扼流枝节22，第二扼流枝节22的长度是/>m₁、m₂均为正整数。在垂直于第一基板11所在平面的方向上，第二扼流枝节22位于第一扼流枝节21远离第一基板11的一侧，第二扼流枝节22至少与部分长度的第一扼流枝节21交叠，在交叠部分，第二扼流枝节22覆盖第一扼流枝节21。

当第一扼流枝节21和第一部分走线121位于同一导电层，第二扼流枝节22和第二部分走线122位于同一导电层时，在第二扼流枝节22与第一扼流枝节21的交叠部分，设置第二扼流枝节22覆盖第一扼流枝节21，结合偏置线12中两部分走线具有搭接部分123，故第二部分走线122在搭接部分123和交叠部分是一体结构，能够进一步增大第二部分走线122所在导电层与第一部分走线121所在导电层的跨线区域，大幅增大爬坡宽度，进一步降低第二部分走线122在跨线位置的断线风险。

当同时设置有第一扼流枝节21和第二扼流枝节22时，第一扼流枝节21的线宽等于第一部分走线121的线宽；第二扼流枝节22的线宽等于第二部分走线122的线宽；在垂直于第一基板11所在平面的方向上，第二扼流枝节22覆盖第一扼流枝节21。可以设置第二扼流枝节22完全覆盖第一扼流枝节21，以最大程度的提高跨线区域的，增大爬坡宽度。

设置第一扼流枝节21的线宽等于第一部分走线121的线宽，便于同步制备一体的第一扼流枝节21和第一部分走线121，设置第二扼流枝节22的线宽等于第二部分走线122的线宽，便于同步制备一体的第二扼流枝节22和第二部分走线122，这样便于第一基板11表面上信号线的布局。

参考图16和图17所示，图16为图18所示移相器在第二扼流枝节和第一扼流枝节交叠部分的局部放大图，图17为图16在D-D’的切面图，结合上述实施方式附图所示，第一扼流枝节21、第一部分走线121以及射频传输线14位于第一导电层；第二扼流枝节22与第二部分走线122位于第二导电层；第一导电层与第二导电层之间具有绝缘层19；在搭接部分123，第二部分走线122与第一部分走线121通过第一导电孔Via1连接；在第二扼流枝节22与第一扼流枝节21的交叠部分，第二扼流枝节22通过第二导电孔与第一扼流枝节21连接。该方式能够复用第二扼流枝节22与第一扼流枝节21的交叠部分设置第二导电孔Vai2，以提高偏置线12中两部分走线的电连接效果的可靠性以稳定性。

在第一扼流枝节21和第二扼流枝节22的交叠部分，第二导电孔Via2的尺寸以及布局方式可以参考上述第一导电孔Via1的设计，可以设置在XY平面，相邻两个第二导电孔Via2之间的间距不小于5μm；第二导电孔Via2在XY平面上的最小尺寸不小于5μm，如果第二导电孔Via2为矩形孔，则矩形孔平行X轴和Y轴方向上的边长均不小于5μm，如果是圆形孔，则圆形孔的孔径不小于5μm，在第一扼流枝节21的线宽方向上，第二导电孔Via2的最大尺寸小于第一扼流枝节21的线宽，在第一扼流枝节21的长度方向上，第二导电孔Via2的最大尺寸可以基于第二导电孔Via2的布局密度设定。第二导电孔Via2用于连接第一扼流枝节21和第二扼流枝节22，故在XY平面，第二导电孔Via2需要位于第一扼流枝节21的两侧壁之间，且基于打孔工艺精度，第二导电孔Via2距离第一扼流枝节21的侧壁距离不小于4μm。

参考图18和图19所示，图18为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，图19为图18在E-E’方向的切面图，在上述实施方式基础上，该方式中，在第一部分走线121的延伸路径上，第一部分走线121包括：多个依次排布的第一走线段31，相邻第一走线段31之间具有第一间隙32，射频传输线14与相邻的第一走线段31一体连接；相邻第一走线段31之间基于第二部分走线122连接。该方式中，设置第一部分走线121包括多个第一走线段31，能够进一步提升偏置线12的扼流效果，改善偏置隔离度。需要说明的是，图18在图14所示方式基础上进行图示说明，显然可以在上述任一种实施例基础上，设置第一部分走线121包括多个第一走线段31。

当第一部分走线121包括多个第一走线段31时，第一走线段31的长度不小于不大于/>n₃为正整数，同上述，λ为射频传输线传输射频信号的中心波长。

第一走线段31的长度不小于不大于/>能够有效提升偏置线12的扼流效果，使得偏置隔离度更低，有效改善偏置线12对射频信号的隔离效果。可选的，设置第一走线段31的长度等于/>使得偏置线12具有更好的扼流效果。

为了便于第一部分走线121制备，可以设置各个第一走线段31的长度均相同。显然其他方式中，也可以设置至少两个第一走线段31的长度不同，长度不同的第一走线段31的长度对应的n₃取值不同。

当第一部分走线121包括多个第一走线段31时，第二部分走线122可以如图18所示，为整体延伸的信号线，也可以如下述实施方式，设置第二部分走线122为分段结构。

参考图20和图21所示，图20为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，图21为图20在E-E’方向的切面图，在上述实施方式基础上，该方式中，第二部分走线122包括多个依次排布的第二走线段33，相邻第二走线段33之间具有第二间隙34；相邻两个第一走线段31之间基于一个第二走线段33连接。该方式中，设置第二部分走线122包括多个依次排布的第二走线段33，能够进一步提升偏置线12的扼流效果，改善偏置隔离度。

参考图22所示，图22为另一种偏置线中两部分走线在搭接部分的局部放大图，结合上述实施方式切面图以及图22所示，第一部分走线121以及射频传输线14位于第一导电层；第二部分走线122位于第二导电层；第一导电层与第二导电层之间具有第一绝缘层19；搭接部分123包括第二走线段33与第一走线段31在垂直于第一基板11方向上的重叠区域，第二走线段33与第一走线段31在重叠区域通过多个第一导电通孔Via1连接。

相邻两个第一走线段31之间通过一个第二走线段33连接，故相邻的两个第一走线段31分别与同一个第二走线段33形成重叠区域。图22所示方式中，以重叠区域具有三个一列排布的第一导电孔Via1为例进行图示说明，显然重叠区域中通孔的数量以及布局方式可以基于需求设定，不局限于图22所示方式。

本申请实施例，第二部分走线122包括m个依次排布的第二走线段33，在偏置线12远离射频传输线14的延伸路径上，该m个第二走线段33依次为第1个第二走线段～第m个第二走线段，m为大于1的正整数；其中，第1个第二走线段～第m-1个第二走线段的长度不小于不大于/>n₄为正整数，同上述，λ为射频传输线14传输射频信号的中心波长；第m个第二走线段一端连接距离射频传输线14最远的第一走线段31，另一端延伸至绑定区。

设置第1个第二走线段～第m个第二走线段的长度不小于不大于/>能够有效提升偏置线12的扼流效果，使得偏置隔离度更低，有效改善偏置线12对射频信号的隔离效果。可选的，设置1个第二走线段～第m个第二走线段的长度等于/>使得偏置线12具有更好的扼流效果。

为了便于第二部分走线122制备，可以设置第1个第二走线段～第m个第二走线段的长度均相同。显然其他方式中，也可以设置第1个第二走线段～第m个第二走线段中，至少两个第二走线段33的长度不同，长度不同的第二走线段33的长度对应的n₄取值不同。

本申请实施例中，设置第一走线段31的长度均为且第1个第二走线段～第m个第二走线段的长度均为/>如是能够使得偏置线12包括/>周期的电磁场带隙(Electromagnetic Band Gap，简称EBG)结构，可以更好的提高偏置线12的扼流效果，提升隔离效果。

基于偏置线12中的EBG结构，可以提升负载终端条件下的射频信号反射，从而降低射频信号从偏置线12的漏波损耗，同时通过回波方式，避免泄露射频信号的耗散，对射频信号产生正向反馈效果，故能够有效提高偏置线12的扼流效果，提升隔离效果。

参考图23所示，图23为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，在上述实施方式基础上，该方式中，第一基板11具有多个阵列排布的器件区10，器件区10内均设置有射频传输线14，射频传输线14分别连接独立的偏置线12，偏置线12从第一基板11的同一侧扇出。此时不同器件区10所对应的参考电极16可以位于同一导电层，一体连接。

其中，设置偏置线12从第一基板11的同一侧扇出，各偏置线12从第一基板11同一侧的扇出区延伸至绑定区，便于在同一绑定区和控制电路连接，以便于输入偏置信号。当具有多个器件区10时，可以在上述任一种实施方式基础上构成阵列排布的器件区10，不局限于采用图23所示偏置线12。

当具有多个器件区10时，每个器件区10可以作为一个移相单元，从而使得移相器能够作为阵列天线。

如上述，偏置线12用于为射频传输线14提供偏置信号，以调节介质层18的介电常数。当偏置线12从第一基板11的同一侧扇出时，会导致距离扇出区远的射频传输线14所连接偏置线12具有较大的长度，而距离扇出区近的射频传输线14所连接偏置线12具有较小的长度，进而导致射频传输线14所连接偏置线12的电阻具有差异，从而导致偏置信号产生不同的压降，导致不同器件区10对偏置信号响应速度产生差异。为了解决该问题，可以设置各偏置线12所在偏置信号传输电路的阻抗相同或近似相同，这样可以使得各个射频传输线14所输入的偏置信号具有相同或近似相同的压降，从而降低甚至是消除器件区10对偏置信号响应速度的差异。

参考图24所示，图24为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，在图23所示方式基础上，该方式中，射频传输线14包括第一射频传输线14A和第二射频传输线14B，第一射频传输线14A与扇出区的距离大于第二射频传输线14B与扇出区的距离；第二射频传输线14B所连接的偏置线12具有同层多次弯折的折线区域120，以使得第一射频传输线14A和第二射频传输线14B所连接偏置线12具有相同或是近似相同长度，进而使得二者的电阻相同或是近似相同。

基于折线区域120，可以使得与扇出区距离不同的射频传输线14所在偏置信号传输电路的阻抗相同或是近似相同，从而降低甚至是消除器件区10对偏置信号响应速度的差异。

在图24所示方式中，当设置有第一扼流枝节21和/或第二扼流枝节22时，不同偏置线12所连连接扼流枝节的总电阻需要相同，以避免扼流枝节导致不同偏置信号传输电路的阻抗产生差异。

参考图25所示，图25为本申请实施例提供的又一种移相器中第一基板表面信号线图形的俯视图，在图23所示方式基础上，该方式中，射频传输线14包括第一射频传输线14A和第二射频传输线14B，第一射频传输线14A与扇出区的距离大于第二射频传输线14B与扇出区的距离；偏置线12均连接有扼流枝节，偏置线12所连接的扼流枝节包括上述实施方式中的第一扼流枝节21和/或第二扼流枝节22。图25所示方式，以偏置线12连接有第一扼流枝节21为例进行图示说明。

其中，当第一射频传输线14A同时连接有第一扼流枝节21和第二扼流枝节22时，第一电阻为扼流枝节在电路中总的等效电阻。当第二射频传输线14B同时连接有第一扼流枝节21和第二扼流枝节22时，第二电阻为扼流枝节在电路中总的等效电阻。

在图25所示方式中，第一射频传输线14A所对应的扼流枝节具有第一电阻；第二射频传输线14B所对应的扼流枝节具有第二电阻，第二电阻大于第一电阻。该方式中，第一射频传输线14A和第二射频传输线14B所连接偏置线12的长度不同，长度较大的偏置线12具有较大的电阻，设置第二电阻大于第一电阻，可以降低由于偏置线12长度不同导致偏置信号传输电路的阻抗差异。

如上述，扼流枝节的扼流效果与其长度相关，与其形状无关。故可以基于需求调节不同偏置线12上所连接扼流枝节的长度。在其他方式中，也可以设置各偏置线12中所连接的扼流枝节均相同。

本申请实施例的一种实施方式中，如图25所示，第一部分走线121包括：一体连接的第一子走线和第二子走线，第一子走线和第二子走线的延伸方向相交，且第一子走线连接在第二子走线与射频传输线之间；第二子走线与第二部分走线形成搭接部分；第一子走线连接有第一扼流枝节；同一偏置线中，第一扼流枝节位于第一子走线背离第二部分走线的一侧。第一子走线为图25中第一部分走线121的横向延伸部分，第二子走线为图25中第一部分走线121的纵向延伸部分。该方式在第一部分走线121均连接有第一扼流枝节21时，将第一扼流枝节21设置在远离第二部分走线122的一侧，便于第一扼流枝节21的布局。

本申请实施例中，调节不同偏置线12所连接偏置信号传输电路电阻相同的方式不局限图24和图25所示方式，还可以设置第一射频传输线14A所连接偏置线12中，第二部分走线122远离搭接部分123的线宽为第一线宽，第二射频传输线14B所连接偏置线12中，第二部分走线122远离搭接部分123的线宽为第二线宽，第二线宽小于第一线宽，该方式同样能够使得长度不同的偏置线12具有相同或是近似相同的电阻。

本申请实施例中，可以设置第一部分走线121和射频传输线14具有相同的厚度。

为了降低第二部分走线122在搭接部分123爬坡断线的风险，还可以设置第一部分走线121的厚度小于射频传输线14的厚度。

可以通过沉积工艺形成第一部分走线121和射频传输线14，且射频传输线14的沉积时间较长，以使得射频传输线14具有较大的厚度。

还可以基于相同厚度的导电层，通过刻蚀工艺形成第一部分走线121和射频传输线14，在对该导电层进行刻蚀过程中，刻蚀去除部分后的第一部分走线121，以使得射频传输线14具有较大的厚度。

在上述实施例基础上，本申请另一实施例还提供了无线通信设备，该无线通信设备如图26所示，图26为本申请实施例提供的一种无线通信设备的结构示意图，所示无线通信设备包括41上述任一种方式所述的移相器42。

该无线通信设备可以为地面基站、无线宽带综合通信系统数据终端产品(Customer Promise Equipment,简称CPE)、车载终端或是船载终端等。

该无线通信设备可以为具有移相器的天线设备，如卫星接收天线、船载通信天线、车载雷达天线、5G基站天线、CPE设备天线等。

本申请实施例中，无线通信设备采用上述实施例所提供的移相器，对应射频信号具有较好的扼流效果，能够很好防止射频信号漏波，提高射频传输射频信号的稳定性与可靠性。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的无线通信设备而言，由于其与实施例公开的移相器相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见移相器相关部分说明即可。

需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书实施例的同样的附图标记标识同样的结构。另外，处于理解和易于描述，附图可能夸大了一些层、膜、面板、区域等厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其他元件上或者可以存在中间元件。另外，“在…上”是指将元件定位在另一元件上或者另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。

术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (20)

1.一种移相器，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板一侧的射频传输线；

与所述射频传输线连接的偏置线；

其中，所述偏置线包括：第一部分走线和第二部分走线；所述第二部分走线的方块电阻大于所述射频传输线的方块电阻；所述第一部分走线与所述射频传输线一体连接，所述第一部分走线的线宽小于所述射频传输线的线宽；在所述第一部分走线的延伸路径上，所述第二部分走线与所述第一部分走线具有搭接部分；在所述搭接部分，所述第二部分走线位于所述第一部分走线远离所述第一基板的一侧，沿垂直于所述第一基板所在平面的方向，所述第二部分走线覆盖所述第一部分走线。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二部分走线的方块电阻至少为所述射频传输线方块电阻的1000倍。

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一部分走线以及所述射频传输线位于第一导电层；所述第二部分走线位于第二导电层；所述第一导电层与所述第二导电层之间具有绝缘层；在所述搭接部分，所述第二部分走线通过多个第一导电通孔与所述第一部分走线电连接。

4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，在所述搭接部分，沿第一方向，所述第二部分走线与所述第一部分走线至少部分交叠，所述第一方向平行于所述第一基板所在平面，且所述第一方向与所述第一部分走线的延伸方向交叉。

5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，沿垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第一部分走线的厚度大于所述第二部分走线的厚度；

在所述第一基板指向所述第一部分走线的方向上，所述第一部分走线的宽度逐渐增大。

6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一部分走线的长度不小于的，且不大于/>n为正整数，λ为所述射频传输线中所能够传输射频信号的中心波长。

7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，还包括：

与所述第一部分走线一体连接的第一扼流枝节，所述第一扼流枝节的长度为和/或，与所述第二部分走线一体连接的第二扼流枝节，所述第二扼流枝节的长度为/>

其中，n₁、n₂均为正整数，λ为所述射频传输线传输射频信号的中心波长。

8.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述偏置线包括：第一扼流枝节，所述第一扼流枝节的长度为第二扼流枝节，所述第二扼流枝节的长度为/>其中，m₁、m₂均为正整数，λ为所述射频传输线传输射频信号的中心波长；

在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第二扼流枝节位于所述第一扼流枝节远离所述第一基板的一侧，所述第二扼流枝节至少与部分长度的所述第一扼流枝节交叠，在交叠部分，所述第二扼流枝节覆盖所述第一扼流枝节。

9.根据权利要求8所述的移相器，其特征在于，所述第一扼流枝节的线宽等于所述第一部分走线的线宽；所述第二扼流枝节的线宽等于所述第二部分走线的线宽；

在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第二扼流枝节覆盖所述第一扼流枝节。

10.根据权利要求8所述的移相器，其特征在于，所述第一扼流枝节、所述第一部分走线以及所述射频传输线位于第一导电层；所述第二扼流枝节与所述第二部分走线位于第二导电层；所述第一导电层与所述第二导电层之间具有绝缘层；

在所述搭接部分，所述第二部分走线与所述第一部分走线通过第一导电孔连接；在所述第二扼流枝节与所述第一扼流枝节的交叠部分，所述第二扼流枝节通过第二导电孔与所述第一扼流枝节连接。

11.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，在所述第一部分走线的延伸路径上，所述第一部分走线包括：多个依次排布的第一走线段，相邻所述第一走线段之间具有第一间隙，所述射频传输线与相邻的所述第一走线段一体连接；

相邻所述第一走线段之间基于所述第二部分走线连接。

12.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，在所述搭接部分，所述第二部分走线包括多个依次排布的第二走线段，相邻所述第二走线段之间具有第二间隙；

相邻两个所述第一走线段之间基于一个所述第二走线段连接。

13.根据权利要求12所述的移相器，其特征在于，所述第一走线段的长度不小于不大于/>n₃为正整数，λ为所述射频传输线传输射频信号的中心波长。

14.根据权利要求12所述的移相器，其特征在于，所述第二部分走线包括m个依次排布的第二走线段，在所述偏置线远离所述射频传输线的延伸路径上，该m个第二走线段依次为第1个第二走线段～第m个第二走线段，m为大于1的正整数；

其中，第1个第二走线段～第m-1个第二走线段的长度不小于不大于/>n₄为正整数，λ为所述射频传输线传输射频信号的中心波长；第m个第二走线段一端连接距离所述射频传输线最远的第一走线段，另一端延伸至绑定区。

15.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，还包括：

与所述第一基板相对设置的第二基板，所述第二基板位于所述射频传输线远离所述第一基板一侧；所述第二基板与所述第一基板之间具有液晶层，位于所述第二基板靠近所述第一基板一侧的参考电极。

16.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一部分走线包括：一体连接的第一子走线和第二子走线，所述第一子走线和所述第二子走线的延伸方向相交，且所述第一子走线连接在所述第二子走线与所述射频传输线之间；所述第二子走线与所述第二部分走线形成所述搭接部分；

所述第一子走线连接第一扼流枝节；同一所述偏置线中，所述第一扼流枝节位于所述第一子走线背离所述第二部分走线的一侧。

17.根据权利要求1-16任一项所述的移相器，其特征在于，所述第一基板具有多个阵列排布的器件区，所述器件区内均设置有所述射频传输线，所述射频传输线分别连接独立的所述偏置线，所述偏置线从所述第一基板的同一侧扇出；

各所述偏置线所在偏置信号传输电路的阻抗相同。

18.根据权利要求17所述的移相器，其特征在于，所述射频传输线包括第一射频传输线和第二射频传输线，所述第一射频传输线与扇出区的距离大于所述第二射频传输线与所述扇出区的距离；

所述第二射频传输线所连接的偏置线具有同层多次弯折的折线区域。

19.根据权利要求17所述的移相器，其特征在于，所述射频传输线包括第一射频传输线和第二射频传输线，所述第一射频传输线与所述扇出区的距离大于所述第二射频传输线与所述扇出区的距离；

所述偏置线均连接有扼流枝节；

所述第一射频传输线所对应的扼流枝节具有第一电阻；所述第二射频传输线所对应的扼流枝节具有第二电阻，所述第二电阻大于所述第一电阻。

20.一种无线通信设备，其特征在于，包括如权利要求1-19任一项所述的移相器。