CN103862860A - 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 - Google Patents
透明导电薄膜室温沉积装置及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103862860A CN103862860A CN201210536792.5A CN201210536792A CN103862860A CN 103862860 A CN103862860 A CN 103862860A CN 201210536792 A CN201210536792 A CN 201210536792A CN 103862860 A CN103862860 A CN 103862860A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ink
- conductive film
- transparent conductive
- room temperature
- temperature deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 23
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NDXSUDIGSOJBLQ-UHFFFAOYSA-N [In][Bi][Zn][Sn] Chemical compound [In][Bi][Zn][Sn] NDXSUDIGSOJBLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及导电薄膜技术领域，具体涉及一种可在常温下将导电油墨直接溅射到基底表面的透明导电薄膜制造装置及方法。该装置包括驱控机构以及与其连接的溅射机构，所述溅射机构与导电油墨连通；所述驱控机构驱动控制溅射机构将导电油墨溅射在覆有掩膜的基底表面；所述导电油墨为液态金属油墨。本发明的装置在常规条件下即可完成透明导电薄膜的制备过程，不但降低了对制备环境的要求，而且显著简化了透明导电薄膜制备工艺，提高了透明导电薄膜的生产效率，为柔性电子器件的发展提供了有力的技术支持。
Description
技术领域
本发明涉及导电薄膜技术领域，具体涉及一种可在常温下将导电油墨直接溅射到基底表面的透明导电薄膜制造装置及方法。
背景技术
越来越多的电子器件朝着柔性化、超薄化的方向发展，而柔性基底一般耐高温性能差，受热容易变形，无法通过高温沉积或高温退火等传统方法在其表面生成薄膜。因此，寻找方便、低成本的薄膜制造方法迫在眉睫。
目前常用的薄膜制备方法可分为化学方法和物理方法。薄膜制备的化学方法是以发生一定的化学反应为前提，这些化学反应可以由热效应引起或者由离子的电致分离引起，其沉积过程的控制较为复杂。物理沉积方法成膜的质量比较高，然而其成膜过程所需的高真空度环境、高激发溅射能量，使得薄膜制造的成本居高不下。
由于具有较高的载流子浓度和较宽的光学禁带,透明导电氧化物薄膜展示了较好的光电性能,比如低电阻率和高可见光透过率。常见的导电透明薄膜有ITO（Indium Tin Oxides，铟锡氧化物）和ZAO(ZnO:Al，Al-doped Zinc Oxide，掺铝氧化锌)，ITO薄膜已经应用于显示器的透明电极和太阳能电池等光电子领域。为了实现在有机柔性衬底的沉积，使透明导电薄膜的潜在用途扩大到可折叠液晶显示器、非晶硅太阳能电池等领域，使能耗降低、设备简化，室温沉积有着十分重要的应用价值。
目前，射频磁控溅射、脉冲激光法等均是室温沉积透明导电薄膜的方法。然而这些基于高真空、高能量需求的加工制造方法将会导致最终用户使用成本过高，制约其大规模普及应用。综上所述，新型的透明导电薄膜室温沉积装置及方法亟待被发掘。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种透明导电薄膜室温沉积装置及方法，用于在基底表面室温机械溅射直接形成可用的透明导电薄膜，为柔性电子器件的低能耗化、制备工艺简单化开辟一条崭新的途径。
（二）技术方案
本发明技术方案如下：
一种透明导电薄膜室温沉积装置，包括驱控机构以及与其连接的溅射机构，所述溅射机构与导电油墨连通；所述驱控机构驱动控制溅射机构将导电油墨溅射在覆有掩膜的基底表面；所述导电油墨为液态金属油墨。
所述溅射机构包括油墨刷以及与其过盈配合的划拨单元；所述划拨单元划拨油墨使附着在油墨刷上的导电油墨溅射至基底表面。
所述划拨单元为锯齿状结构体。
所述驱控机构包括依次连接的控制单元、驱动单元以及刷架；所述油墨刷固定在所述刷架上；所述控制单元控制驱动单元驱动刷架带动油墨刷往复运动。
所述基底为透明有机聚合物或玻璃。
所述液态金属油墨由包含0.1wt%-10wt%氧化物的液态金属或液态合金制成。
所述液态金属油墨由包含0.1wt%-10wt%氧化物并添加有0.1wt%-10wt%纳米光伏半导体颗粒和/或导电性纳米颗粒的液态金属或液态合金制成。
所述液态金属为镓。
所述液态合金为镓锌合金、镓铟合金、镓锡合金、铟锡合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、镓铟锡锌铋合金、铜镓铟合金或铝镓铟合金中的一种或多种。
本发明还提供了一种透明导电薄膜室温沉积方法：
根据上述装置的透明导电薄膜制造方法，所述导电油墨溅射至基底表面经氧化处理后形成透明导电薄膜。
（三）有益效果
本发明的透明导电薄膜室温沉积装置通过设置溅射机构，利用机械作用力将液态金属油墨溅射至基底表面，从而在基底上印刷透明导电薄膜；本发明的装置在常规条件下即可完成透明导电薄膜的制备过程，不但降低了对制备环境的要求，而且显著简化了透明导电薄膜制备工艺，提高了透明导电薄膜的生产效率，为柔性电子器件的发展提供了有力的技术支持。
附图说明
图1是本发明一种透明导电薄膜室温沉积装置的结构示意图。
其中，1：基底；2：掩膜；3：划拨单元；4：油墨刷；5：刷架；6：支撑底板；7：驱动单元；8：控制单元。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对发明的具体实施方式做进一步描述。以下实施例仅用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示的一种透明导电薄膜室温沉积装置，包括驱控机构以及与其连接的溅射机构，溅射机构与导电油墨连通；驱控机构驱动控制溅射机构，溅射机构通过机械作用力将导电油墨溅射在基底1表面从而形成透明导电薄膜；基底1表面覆有掩膜2，掩膜2优选为易清洗的薄片材料，主要便于导电油墨在基底1表面形成各种形状不同的图案；导电油墨为液态金属油墨，液态金属及其合金电导率高，其氧化物，诸如氧化铟、氧化镓等都具有良好的透光性，其室温下可以保持液态的特点，使室温条件下导电油墨的溅射成为可能；本实施例中，导电油墨置于墨盒之中，墨盒与溅射机构连通，从而及时为溅射机构补充导电油墨。
其中，溅射机构包括油墨刷4以及与其过盈配合的划拨单元3；划拨单元3与油墨刷4之间可以相对运动，从而使划拨单元3划拨油墨刷4，将附着在油墨刷4上的导电油墨溅射到基底1的表面；划拨单元3包括任何与导电油墨不发生反应且可以与油墨刷做相对运动，从而溅射出导电油墨液滴的结构，本实施例中，划拨单元3优选为锯齿状结构体，通过锯齿结构划拨油墨刷4；油墨刷4的要求是必须耐磨损，其材料可以是毛、棕、塑料丝、金属丝等。
其中，驱控机构包括依次连接的控制单元8、驱动单元7以及刷架5；本实施例中的控制单元包括PC机以及与其连接的刷架控制电路板，主要控制驱动单元的驱动力输出方式；油墨刷4固定在刷架5上，便于油墨刷的拆卸与更换；划拨单元3固定在支撑底板6上，同时支撑底板6上可以设置一段导轨，便于驱动单元7驱动油墨刷相对于划拨单元3的运动；驱动单元7优选为电机，主要用于为刷架5的运动提供驱动力；控制单元控制驱动单元7驱动刷架5运动，刷架5带动油墨刷4相对于划拨单元3以一定的速度往复运动，从而调节室温溅射的速度，便于更好的沉积形成透明导电薄膜。
其中，基底1的材料可以是包括柔性基底在内的透明材料，本实施例中优选采用低成本的透明有机聚合物或者玻璃材料。
其中，液态金属油墨可以由包含0.1wt%-10wt%氧化物的液态金属或液态合金制成；液态金属油墨也可以由包含0.1wt%-10wt%氧化物并添加有0.1wt%-10wt%纳米光伏半导体颗粒和/或导电性纳米颗粒的室温熔点金属或合金制成；通过添加纳米光伏半导体颗粒和/或导电性纳米颗粒可以增强透明导电薄膜的光能转换效率，提高了能源利用率。其中，液态金属可以为镓或者其他任何已知的适宜制备透明导电薄膜的液态金属；液态合金可以为镓锌合金、镓铟合金、镓锡合金、铟锡合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、镓铟锡锌铋合金、铜镓铟合金或铝镓铟合金中的一种或多种。
通过上述装置将液态金属油墨溅射至基底表面后，液态金属油墨经氧化处理后形成透明导电薄膜，这样形成的透明导电薄膜表面覆盖有氧化物覆盖层，从而起到有力的保护作用。
上述透明导电薄膜室温沉积装置及方法在实际操作中的流程可以为：
1、制作所需形状的掩膜，覆盖在玻璃板上；
2、在室温下将含有0.25wt%氧化物的镓铟合金，制成有一定流动性液态金属油墨，通过控制墨盒的出墨量使油墨均匀地沾到油墨刷上；
3、通过控制单元控制刷架的往复运动，使液态金属油墨均匀地溅射到覆有掩膜的玻璃板表面；
4、液态金属油墨经氧化处理后形成透明导电薄膜。
上述技术方案所提供的透明导电薄膜沉积装置及方法，利用油墨刷与锯齿状结构体相对运动，通过机械作用力将导电油墨小液滴离散并溅射，从而在透明基底甚至柔性透明基底上印刷透明导电薄膜，在常规条件下即可完成其制备过程，降低了对环境的要求，进而显著简化了透明导电薄膜制备工艺，提高其生产和应用效率。同时，本发明的技术方案可应用于折叠液晶显示器、非晶硅太阳能电池等技术领域，能够大大的降低透明导电薄膜的制备成本，为低能耗、简化制备工艺开辟一条崭新的途径。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的保护范畴。
Claims (10)
1.一种透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，包括驱控机构以及与其连接的溅射机构，所述溅射机构与导电油墨连通；所述驱控机构驱动控制溅射机构将导电油墨溅射在覆有掩膜（2）的基底（1）表面；所述导电油墨为液态金属油墨。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述溅射机构包括油墨刷（4）以及与其过盈配合的划拨单元（3）；所述划拨单元（3）划拨油墨刷（4）使附着在油墨刷（4）上的导电油墨溅射至基底（1）表面。
3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述划拨单元（3）为锯齿状结构体。
4.根据权利要求2所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述驱控机构包括依次连接的控制单元（8）、驱动单元（7）以及刷架（5）；所述油墨刷（4）固定在所述刷架（5）上；所述控制单元控制驱动单元（7）驱动刷架（5）带动油墨刷（4）往复运动。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述基底（1）为透明有机聚合物或玻璃。
6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述液态金属油墨由包含0.1wt%-10wt%氧化物的液态金属或液态合金制成。
7.根据权利要求6所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述液态金属油墨由包含0.1wt%-10wt%氧化物并添加有0.1wt%-10wt%纳米光伏半导体颗粒和/或导电性纳米颗粒的液态金属或液态合金制成。
8.根据权利要求6或7所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述液态金属为镓。
9.根据权利要求6或7所述的透明导电薄膜室温沉积装置，其特征在于，所述液态合金为镓锌合金、镓铟合金、镓锡合金、铟锡合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、镓铟锡锌铋合金、铜镓铟合金或铝镓铟合金中的一种或多种。
10.根据权利要求1至9任意一项所述装置的透明导电薄膜室温沉积方法，其特征在于，所述导电油墨溅射至基底表面经氧化处理后形成透明导电薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210536792.5A CN103862860B (zh) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210536792.5A CN103862860B (zh) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103862860A true CN103862860A (zh) | 2014-06-18 |
| CN103862860B CN103862860B (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=50902152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210536792.5A Active CN103862860B (zh) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103862860B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107527675A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-12-29 | 华南师范大学 | 一种柔性的导电膜及其制备方法 |
| CN109273169A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-01-25 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11158427A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nissha Printing Co Ltd | 透明導電膜形成用インキの製造方法 |
| JP2004191799A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明導電膜付きカラーフィルター、及び透明導電膜付きカラーフィルターの研磨方法 |
| JP2006054098A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Optrex Corp | 透明導電膜の製造方法および有機ｅｌ発光素子 |
| CN101294272A (zh) * | 2008-05-27 | 2008-10-29 | 浙江大学 | 柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法 |
| WO2012015263A2 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 주식회사 잉크테크 | 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막 |
| CN102515557A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-06-27 | 河南华美新材料科技有限公司 | 一种制造大面积均匀纳米透明导电薄膜的涂覆装置 |
| CN202400972U (zh) * | 2012-01-05 | 2012-08-29 | 河南华美新材料科技有限公司 | 一种制造大面积均匀纳米透明导电薄膜的涂覆装置 |
| CN102677012A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-09-19 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 多层透明导电薄膜的制备方法 |
-
2012
- 2012-12-12 CN CN201210536792.5A patent/CN103862860B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11158427A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nissha Printing Co Ltd | 透明導電膜形成用インキの製造方法 |
| JP2004191799A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明導電膜付きカラーフィルター、及び透明導電膜付きカラーフィルターの研磨方法 |
| JP2006054098A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Optrex Corp | 透明導電膜の製造方法および有機ｅｌ発光素子 |
| CN101294272A (zh) * | 2008-05-27 | 2008-10-29 | 浙江大学 | 柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法 |
| WO2012015263A2 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | 주식회사 잉크테크 | 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막 |
| CN102515557A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-06-27 | 河南华美新材料科技有限公司 | 一种制造大面积均匀纳米透明导电薄膜的涂覆装置 |
| CN202400972U (zh) * | 2012-01-05 | 2012-08-29 | 河南华美新材料科技有限公司 | 一种制造大面积均匀纳米透明导电薄膜的涂覆装置 |
| CN102677012A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-09-19 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 多层透明导电薄膜的制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107527675A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-12-29 | 华南师范大学 | 一种柔性的导电膜及其制备方法 |
| CN109273169A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-01-25 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件 |
| CN109273169B (zh) * | 2018-09-18 | 2020-01-07 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103862860B (zh) | 2016-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101523511B (zh) | 电极形成用组合物以及使用该组合物的电极的形成方法 | |
| EP2190027B1 (en) | Process for producing a composite membrane for superstrate solar cell | |
| CN103703567B (zh) | 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块 | |
| CN103117107B (zh) | 形成太阳能电池电极的组合物、方法和使用该电极的太阳能电池 | |
| CN104178721A (zh) | 室温下直接制作导电薄膜的装置及方法 | |
| RU2556102C2 (ru) | Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система | |
| CN101657908B (zh) | 导电性反射膜及其制备方法 | |
| CN101956193B (zh) | 硒油墨及其制备和使用方法 | |
| CN101622721B (zh) | 太阳能电池用透明电极及其制造方法 | |
| Lee et al. | All‐Solution‐Processed Transparent Thin Film Transistor and Its Application to Liquid Crystals Driving | |
| CN102230172A (zh) | 制造氧化物薄膜的方法 | |
| TW201330278A (zh) | Ｐ型氧化物、製造ｐ型氧化物用組成物、製造ｐ型氧化物的方法、半導體元件、顯示元件、影像顯示裝置、以及系統 | |
| CN105589587A (zh) | 透明复合基板与其制备方法及触控面板 | |
| CN107240613A (zh) | 一种无铅钙钛矿太阳能电池 | |
| CN106328260B (zh) | 一种金属网络透明导电电极的全液相制备方法 | |
| CN100595847C (zh) | 一种透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN102637748A (zh) | 太阳能电池用敏化剂及利用该敏化剂的太阳能电池 | |
| CN102201274A (zh) | 导电膜形成用组成物、太阳能电池用复合膜及其形成方法 | |
| CN103119725A (zh) | 光伏电池中的玻璃涂覆的柔性聚合物基底 | |
| CN103862860B (zh) | 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 | |
| CN103171187B (zh) | 一种三明治式透明导电薄膜及制备方法 | |
| He et al. | Scalable and cost-effective Ag nanowires flexible transparent electrodes | |
| CN102810581A (zh) | 基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层n型堆栈及其制造方法 | |
| CN110194927A (zh) | 一种全水性透明导电涂布液、该涂布液制成的柔性透明导电薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN101806998B (zh) | 硅基电润湿微显示器件下基板的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20140618 Assignee: BEIJING DREAM INK TECHNOLOGIES Co.,Ltd. Assignor: Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese Academy of Sciences Contract record no.: 2016990000417 Denomination of invention: Transparent conductive film room temperature deposition device and method Granted publication date: 20160504 License type: Exclusive License Record date: 20161008 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240228 Address after: 100081 room 9009, 9 / F, 65 North Fourth Ring Road West, Haidian District, Beijing Patentee after: BEIJING DREAM INK TECHNOLOGIES Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 29 East Zhongguancun Road, Haidian District, Beijing 100190 Patentee before: Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese Academy of Sciences Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |