[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN103098217A - 具有高效、绝热路径的 led 封装 - Google Patents

具有高效、绝热路径的 led 封装 Download PDF

Info

Publication number
CN103098217A
CN103098217A CN2011800433731A CN201180043373A CN103098217A CN 103098217 A CN103098217 A CN 103098217A CN 2011800433731 A CN2011800433731 A CN 2011800433731A CN 201180043373 A CN201180043373 A CN 201180043373A CN 103098217 A CN103098217 A CN 103098217A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermal element
main body
electric component
led
described thermal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800433731A
Other languages
English (en)
Inventor
C·P·胡塞尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Priority to CN201811517972.2A priority Critical patent/CN110071196A/zh
Publication of CN103098217A publication Critical patent/CN103098217A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

公开了用于包含诸如发光二极管（LED）之类的一个或多个发光器件的具有高效、绝热路径的封装。在一个实施例中，LED封装可以包括嵌入主体内的热元件和至少一个电气元件。所述热元件与电气元件可以具有相同和/或基本上相同的厚度，并可以从LED封装的底面直接延伸，以使得它们与LED封装的底面基本上平齐或者延伸超出LED封装的底面。热元件和电气元件具有露出部，其可以与主体的侧面基本上平齐，以使得热元件和电气元件不具有延伸超出主体的侧面的最外侧边缘的显著部分。

Description

具有高效、绝热路径的 LED 封装
相关申请的交叉参考
本申请要求于2010年8月10日提交的序列号No.12/853812的美国专利申请的优先权，其公开内容整体上通过参考并入本文中。
技术领域
本文公开的主题总体上涉及发光二极管（LED）的封装。更具体地，本文公开的主题涉及低成本并具有高效、绝热路径的LED的封装。
背景技术
通常将诸如发光二极管（LED）之类的发光器件封装在表面安装器件（SMD）外壳内。这些外壳常常由塑料制成，并可以称为塑封有引线芯片载体(PLCC)。SMD外壳通常的特征是连接到由引线框形成的多条金属引线的LED芯片，并且可任选地包括散热片。目前的封装包括金属引线部分，其在封装外部延伸并从主体的一个或多个侧面突出。延伸的引线的增大的表面积增大了LED封装的散热能力，但延伸引线也增大了电路板上需要相对大的面积的LED封装的尺寸。在许多应用中电路板面积是稀缺且宝贵的因素。另外，在封装制造过程中延伸引线需要更多的金属，这会增大总封装成本。
图1A-1B和2A-2B示出了现有技术中LED封装的实例。参考图1A和1B，总体上标记为10的LED封装具有主体12，通常由模制塑料、陶瓷、热固和/或热塑性材料形成。主体12包括四个侧面1-4、底面5和反射器腔14。密封剂E将反射器腔14填充到预期深度（level），通常与反射器腔的顶部平齐。密封剂E通常包含磷光剂，用于产生预期的波长谱。位于反射器腔的底板的是电气部件，通常是由引线框形成的金属引线16和18，一个或多个LED芯片20电连接到它们。LED芯片20可任选地安装到散热片22，其分别通过主体12的隔离部24和26而与金属引线16和18电绝缘和绝热。散热片22可以改进热特性，包括LED封装10的散热。
除了封入或模制在主体内的部分以外，用于具有金属引线16和18的封装的传统设计利用了在塑料主体外部或外面延伸的引线部分。例如，图1B是沿图1A中的线1B的截面图。图1B示出了主体12，其模制在金属引线16和18部分与散热片22部分周围。引线16和18的外侧部28和30分别从侧面4和2突出并延伸离开，超出了主体12的最外侧边缘。通过终止，例如通过从引线框剪切引线16和18的外末端34和36来将金属引线16和18与引线框分离。外侧部28和30具有弯曲32，其可以构造外侧部28和30，以使其彼此延伸远离并离开主体12。如图1B所示，这个设计利用了厚度不同的金属引线16和18，并且通常比散热片22更薄，具有更小的截面积。散热片22从主体12的底面5突出，金属引线16和18从主体12的侧面2和4突出。所有三个散热片22与金属引线16和18成为在它们从主体突出的位置安装到通常是印刷电路板（PCB）的外电路源。例如，散热片22包括底面37，金属引线16和18分别包括底面38和39。这些底面通常通过使用焊接技术安装到PCB。另外，金属引线16和18在LED封装10的全部四个侧面上都具有嵌入的部分。例如，金属引线16和18可以被嵌入但在LED封装10的两个相反侧面上的外侧部28和30从主体延伸出来，并可以嵌入LED封装10内的剩余两个相反侧面并与之平齐。这样，形成金属引线16和18的金属就位于LED封装10的全部四个侧面上。因为引线16和18包含在侧面2和4外部从主体延伸的部分28和30，使金属引线弯曲的额外处理步骤就导致LED封装10具有相对于必需的更高的成本和更大的覆盖区，从而增大了PCB上所需的空间量。
参考图2A-2B所示的现有技术封装，这个设计的特征在于总体上标记为40的LED封装具有主体42，其具有侧面1-4和底面5。这个封装设计的特征还在于反射器腔44，配置用于容纳预期深度的密封剂E。在这个封装设计中，在第一金属引线46与第二金属引线48周围模制主体42，其中，第二金属引线48具有借助冲压金属以形成金属杯50而形成的部分。金属杯50在内底面51a周围形成金属壁，所述内底面51a位于或设置在比可以位于或设置在平面P1上的形成主体的一个隔离部54的主体42的表面更低的不同平面P2上。金属杯50形成一个电触点，在其上安装了一个或多个LED芯片52。除了形成电触点以外，杯50还用作热元件或者散热片，从而与金属引线48和48既不电绝缘也不绝热。杯50通过主体的隔离部54与第一金属引线46绝热和电绝缘。杯50从主体42的底面5突出，以形成露出部51b，而第一和第二金属引线46和48具有外侧部56和58，其分别从侧面2和4突出，并延伸超出主体42的最外侧边缘。通过从引线框剪切外末端47和49来将第一和第二金属引线46和48与引线框分离。第一和第二金属引线46和48的外侧部56和58分别具有外部弯曲60和62，它们转换外侧部56和58，以弯曲和/或缠绕主体42，以使得它们朝向并面对彼此延伸，同时朝着金属杯50向内弯曲。外侧部56和58设置在主体42的底面5的凹陷64和66中，以使得外侧部56和58的底面68和70能够保持与金属杯50的露出部51b平齐并相邻。通常通过使用焊接技术来将这些底面安装到PCB。由于LED芯片52与第一和第二金属引线46和48都不绝热，当串联连接LED封装10部件时，例如PCB的外部源将必须提供隔离。例如，第一和第二金属引线46和48较薄，并具有小截面积。为此，金属引线从LED散热的能力受到限制。这限制了可以发送到LED芯片的电量，从而限制了可以由LED封装产生的光的量。这个设计类似于图1A和1B所示的设计，因为第一和第二金属引线46和48的外侧部56和58由此增大了覆盖区，包括对于外侧部的困难的弯曲步骤，并增大了制造封装所必需的金属的量，这又增大了成本并减小了PCB上的可用空间。另外，这个设计利用了在LED封装40的所有四个侧面上都具有嵌入部分的金属引线46和48。例如，金属引线46和48被嵌入但在LED封装40的两个相反侧面上的外侧部56和58从主体延伸出来，并且被嵌入并与LED封装40内的剩余两个相反侧面平齐。这样，形成金属引线46和48的金属就位于LED封装40的全部四个侧面上。
因此，仍需要克服或减轻了现有技术封装的缺点的改进的LED封装。
发明内容
根据本公开内容，提供了LED封装，其可以包括较小的覆盖区和单一引线框厚度，同时保持绝热。因此，在这里本公开内容的目的是提供具有改进的成本和减小的覆盖区的LED封装。
借助本文所述的主题至少全部或部分地实现本公开内容的这些及其他目的，它们依据本文的公开内容可以变得显而易见。
附图说明
在本说明书的剩余部分中（包括对附图的参照）更具体地阐述了包括其最佳模式的本文公开的主题的对本领域普通技术人员的完整和授权（enabling）的公开，在附图中：
图1A示出了根据现有技术的LED封装的透视顶视图；
图1B示出了图1A中的根据现有技术的LED封装的截面图；
图2A示出了根据现有技术的LED封装的透视顶视图；
图2B示出了图2A中的根据现有技术的LED封装的截面图；
图3示出了根据本文主题的具有电和热元件的LED封装的实施例的透视顶视图；
图4示出了根据图3中本文主题的LED封装的透视底视图；
图5示出了根据图3中本文主题的LED封装的截面图；
图6示出了根据图3中本文主题的LED封装的相反截面图；
图7示出了根据本文主题的LED封装的视图；及
图8示出了根据本文主题的具有电和热元件的LED封装的实施例的透视顶视图。
具体实施方式
现在对本文主题的可能实施例进行详细介绍，在附图中显示了其一个或多个实例。提供每一个实例用以解释主题，而并非作为限制。实际上，作为一个实施例的部分所示或所述的特征可以用于另一个实施例中，以产生更进一步的实施例。意图是本文公开的和设想的主题覆盖了这种修改和变化。
如多个附图中所示的，出于说明性目的相对于其他结构或部分夸大了一些结构或部分的尺寸，从而提供它们以示出本文公开的主题的总体结构。此外，参考在其他结构、部分或二者上形成的结构或部分来说明本文公开的主题的多个方案。本领域技术人员会意识到，对形成于另一个结构或部分“上”或“之上”的结构的参考预期了另外的结构、部分或二者可以介于其间。本文中将形成于无介于其间结构或部分的另一个结构或部分“上”的结构或部分的参考描述为“直接”形成于结构或部分“上”。类似地，会理解在将元件称为“连接到”、“附着于”或“耦合到”另一个元件时，其可以直接连接到、附着于或耦合到另一个元件，或者可以存在介于其间的元件。相反，在将元件称为“直接连接到”、“直接附着于”或“直接耦合到”另一个元件时，就不存在介于其间的元件。
而且，本文中使用诸如“上”、“之上”、“较高”、“顶”、“较低”或“底”之类的相对术语来描述如图所示的一个结构或部分与另一个结构或部分的关系。会理解，诸如“上”、“之上”、“较高”、“顶”、“较低”或“底”之类的相对术语旨在包含除了图中所示的取向之外的器件的不同取向。例如，如果翻转图中的器件，被描述为在其他结构或部分“之上”的结构或部分现在就会取向为在其他结构或部分“之下”。类似地，如果沿轴旋转图中的器件，被描述为在其他结构或部分“之上”的结构或部分现在就会取向为“紧接于”或“左邻于”其他结构或部分。相似的标记在通篇中指代相似的元件。
根据本文所述实施例的发光器件可以包括在碳化硅基底上制造的基于III-V族氮化物（例如，氮化镓）的发光二极管（LED）或激光器，诸如由Cree,Inc.of Durham,North Carolina制造并销售的那些器件。这种LED和/或激光器也可以被配置为操作以使得在所谓的“倒装芯片”取向上或借助传统的引线接合技术通过基底进行发光。
现在参考图3-8，图3示出了总体上标记为80的LED封装的一个实施例的顶视透视图。在图4-6中示出了LED封装80的相应的底视透视图和截面图。LED封装80可以包括主体82，具有四个外侧面71-74、顶面84a和底面84b。主体82可以包括任何适合的材料，例如陶瓷、模制塑料、热固或热塑性材料。主体82可以包括反射器腔86，用于光的反射，从而增大光输出，可以用产生预期的波长谱的适合深度的密封剂E填充反射器腔86。出于说明的目的，将密封剂E填充到与反射器腔86的顶部基本上平齐并与主体82的顶面84a基本上平齐的深度，尽管该深度可以与反射器腔86的顶部水平或者高于反射器腔86的顶部。
热元件和至少一个电气元件可以沿反射器腔86的底面85设置。热元件可以包括传热材料88，例如散热片。电气元件可以包括一个或多个金属引线，例如，金属引线90和92。传热材料88可以可任选地设置在金属引线90与92之间，并可以通过模制主体82的隔离部94和96与金属引线90和92绝热和电绝缘，隔离部例如可以在模制材料流入传热材料88与金属引线90和92之间的分割区域中时的模制过程中形成。还设想了在另一个方案中，除了具有设置在金属引线90和92之间的传热材料88之外，传热材料88与金属引线90和92可以包括任何其他适合的结构。传热材料88与金属引线90和92从而各自可以具有嵌入主体82内的至少一部分。主体82可以进一步包括沿着一个或多个侧面（例如沿着相对侧面72和74）的一个或多个保持凹槽98，其可以帮助LED封装80的处理和布置。例如，保持凹槽98可以提供具有封装外壳阵列的引线框将外壳保持在适当位置、直至将LED封装单一化后的适当时间的区域。
如图4所示，传热材料88与金属引线90和92可以直接从主体82的底面84b延伸，并可任选地与底面84b平齐或基本上平齐。在可任选的实施例中，传热材料88与金属引线90和92可以直接从主体82的底面延伸，并可以延伸到低于底面84b，就是延伸到比底面84b更远离主体的距离。传热材料88与金属引线90和92可以具有纵轴，其可以基本上平行于LED封装80的轴A-A。此外，可以配置传热材料88与金属引线90和92，以使得它们仅可以直接从底面84b延伸，并可以被嵌入并因此与LED封装80的两个相对侧面接触。例如，形成金属引线90和92的金属如同现有技术一样在主体的全部四个侧面上不嵌入，而是设置在相对侧面71与73之间，并具有嵌入相对侧面71与73中的部分。另外，在一个方案中，每一个部件各自的周边或覆盖区可以由主体82的底面84b围绕和/或包围，以使得传热材料88与金属引线90和92不延伸到超出主体82的侧面71-74的最外侧边缘的任何显著程度或部分。然而在另一个方案中除了从底面84b直接延伸以外，对于金属引线90和92还可以从侧面71-74延伸，例如形成J形弯曲或鸥翼式延伸。传热材料88可以包括露出部100，其可以位于或设置在相对侧面71和73及可任选的具有保持凹槽98的相邻侧面72和74。保持凹槽98还可以沿包含露出部100、102和104的相对侧面72和74设置。热元件的露出部100位于与纵轴A正交的侧面上。类似地，金属引线90和92可以分别包括露出部102和104，它们可以位于或设置在相对侧面71和73上。金属引线90和92的露出部102和104也可以设置在与纵轴A-A正交的侧面上。传热材料88与金属引线90和92位于主体82内，以便在各个露出部100、102和104之间延伸，并大体上平行。露出部100、102和104可以位于或设置在与传热材料88、金属引线90和92的纵轴A-A正交的表面上，并可以与引线框分离和/或从引线框剪切，以使得它们至少基本上与侧面71和73平齐。在这个结构中，热元件88或金属引线90和92没有延伸超出LED封装80的主体82的侧面71-74的最外侧边缘的显著部分。分离和/或剪切可以导致金属引线90和92至少基本上与相对侧面71和73平齐。
参考图5和6，传热材料88可以包括顶面106，在其上可以可任选地安装一个或多个LED芯片108（图3）。在另一个方案中还设想了：一个或多个LED芯片108可以使用另一个适合的结构间接地热连接到传热材料88。例如，在LED芯片108与传热材料88的顶面106之间可以存在一个或多个居间层。金属引线90和92可以分别包括顶面91和93。顶面106、91和93可以与还包括主体的隔离部94和96的反射器腔85的底面平齐。LED芯片108可以例如通过传统的引线接合电连接到电气元件、金属引线90和92。传热材料88可以从LED芯片108吸取热量，并从传热材料88的底面107散热。热量可以从LED芯片108传播，通过传热材料，并沿绝热路径到达外部源或基底，例如印刷电路板（PCB）或散热器。图5是沿图3的5-5的视图，示出了传热材料88可以与金属引线90和92的厚度相同或基本上相同。金属引线90和92与传热材料88可任选地具有与LED封装80的底面84b平齐或基本上平齐的各自的底面110、112和107。在可替换的实施例中，金属引线90和92与传热材料88可任选地具有位于LED封装80的底面84b之下的各自的底面110、112和107。就是说，底面110、112和107从主体延伸比底面84b更大的距离。由于传热材料和金属引线各自的顶面106、91和93与各自的底面107、110和112可以与凹陷腔85的底部和LED封装84b的底部基本上平齐，结果是传热材料88与金属引线90和92可以包括主体82内的相同或基本上相同的厚度和/或高度。
如图6所示，它是沿图3的6-6的截面，可以与金属引线90和92平行的传热材料88可以被冲压，以使得露出部100、102和104位于和/或终止于与LED封装80的侧边缘71和73至少基本上平齐处，从而没有显著部分延伸超出LED封装80的最外侧边缘。图6还示出了形成于传热材料88内的弯曲部114，其可以嵌入主体82内，并且将其配置成将传热材料88从具有沿平面P4基本上可以是平坦的顶面106变形为具有第二嵌入顶面116，其中，第二嵌入顶面116也可以基本上是平坦的并且沿可以位于平面P4之上的平行平面P3定位或设置。传热材料88于是可以在露出部100基本上与侧面71和73平齐的情况下并且在高于顶面106的平面上终止。类似地，可以与传热材料88平行的金属引线90和92因此也可以包括弯曲部，其可以将金属引线在终止于露出末端102和104之前从沿P4的顶面91和93变形为沿P3的第二嵌入表面，露出末端102和104可以与相对侧面71和73基本上平齐。
现在参考图7，示出了嵌入或模制在主体82内之前的传热材料88与金属引线90和92。传热材料88可以与金属引线90和92平行，并包括基本上相似形状的截面。例如，传热材料88可任选地设置在金属引线90和92之间，并可以包括弯曲部114。在另一个方案中还设想了：传热材料88与金属引线90和92可以包括除了将传热材料88设置在金属引线90和92之间以外的任何其他适合的结构。如图6所示，弯曲部114可以嵌入到主体82内，并配置成将传热材料88从具有沿平面P4基本上可以是平面的顶面106变形为具有第二嵌入顶面116，其中，第二嵌入顶面116可以基本上是平坦的并且沿可以位于平面P4之上和/或高于平面P4的平行平面P3定位或设置。传热材料88于是可以在露出部100至少基本上沿LED封装80的相对侧面平齐的情况下终止，以使得没有传热材料88的显著部分延伸超出LED封装80的侧面71-74的最外侧边缘。类似地，金属引线90和92可以分别包括弯曲部115和117。就如同传热材料88的弯曲部114一样，金属引线90和92的弯曲部115和117可以嵌入在主体82内。可以将弯曲部115和117配置成将金属引线90和92从具有沿平面P4基本上是平坦的顶面91和93变形为分别具有第二嵌入顶面118和119，第二嵌入顶面118和119可以基本上是平坦的且沿在平面P4之上和/或高于平面P4的平行平面P3定位或设置。金属引线90和92于是可以分别以露出部102和104终止，露出部102和104可以至少基本上沿LED封装80的相对侧面平齐，以使得没有金属引线90和92的显著部分延伸超出LED封装80的侧面71-74的最外侧边缘。
图8示出了总体上标记为具有绝热路径的120的低成本LED封装的实施例的透视顶视图。图8具有在形状和功能上与图3相对应的特征。例如，LED封装120可以包括主体122，该主体122具有四个外侧面71-74、顶面124a和底面124b。主体122可以包括本领域中已知的任何适合的材料，例如陶瓷、模制塑料、热固或热塑性材料。主体122可以包括反射器腔126，用于光的反射，从而增大光输出。例如可以通过将透镜128模制在反射器腔126上来形成透镜128，并且透镜128可以用于控制诸如亮度和焦距的光学特性。透镜128可以总体上是凸的，但可以包括本领域中已知的任何适合的尺寸和/或形状。透镜128可任选地包括磷光剂，用于获得预期的波长谱。
热元件和至少一个电气元件可以沿反射器腔126的底面设置。热元件可以包括传热材料130，例如，散热片，在其上可以安装一个或多个LED芯片132。在另一个方案中还设想：一个或多个LED芯片132可以使用另一个适合的结构间接热连接到传热材料130。例如，在LED芯片108与传热材料88的顶面106之间可以存在一个或多个居间层。电气元件可以包括一个或多个金属引线，例如，金属引线134和136。传热材料130可任选地设置在金属引线134和136之间，并可以通过模制主体82的隔离部94和96与金属引线134和136绝热和电绝缘，隔离部例如可以在模制材料流入传热材料130与金属引线134和136之间的分割区域中时的模制过程中形成。在另一个方案中还设想了：除了在金属引线134和136之间设置传热材料130之外，传热材料130与金属引线134和136可以包括任何其他适合的结构。传热材料130与金属引线134和136的部分从而可以嵌入主体122内。主体122可以进一步包括沿着一个或多个侧面（例如沿着相对侧面72和74）的一个或多个保持凹槽138，其可以通过提供保持LED封装120的阵列并将封装保持在一起直至适当时间的区域来帮助LED封装120的单一化。传热材料130与金属引线134和136分别终止于露出部140、142和144，以使得露出部140、142和144至少基本上与侧面71-74的最外侧边缘平齐，并且不具有超出侧面71-74的最外侧边缘的显著部分。传热材料130与金属引线134和136的露出部140、142和144分别终止于相对侧面，例如71和73。在主体122内传热材料130与金属引线134和136可以总体上平行。这个实施例的底视图和截面图在形状和特征上与图4-7的那些相对应，并进一步包括反射器腔126周围的透镜128。透镜128可以与密封剂E整体成形或者作为单独部分成形。例如，透镜128可以包括具有任意尺寸和/或形状的单独成形的玻璃部分，其可任选地设置在密封剂E上。可替换地，透镜128可任选地包括单个模制透镜，该单个模制透镜包括模制以在LED封装120的反射器腔126周围形成任意尺寸和/或形状的透镜128的密封剂E。
附图中所示的和上述的本公开内容的实施例是多个实施例的示例，可以在所附权利要求的范围内获得它们。设想了诸如本文公开的那些的LED封装的结构可以包括除了具体公开的那些之外的多个结构。

Claims (26)

1.一种发光二极管（LED）封装，所述封装包括：
主体，包括至少一部分热元件和至少一部分电气元件，所述至少一部分热元件和至少一部分电气元件都嵌入到所述主体内并从所述主体的底面直接延伸，所述热元件与所述电气元件电绝缘；以及
至少一个发光器件，热连接到所述热元件并电连接到所述电气元件。
2.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述热元件包括与所述主体内的所述电气元件实质上相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述热元件的顶面和所述电气元件的顶面与形成于所述主体内的反射器腔的底面实质上平齐。
4.根据权利要求1所述的LED封装，其中，沿低于所述热元件的嵌入顶面的平面设置所述热元件的顶面。
5.根据权利要求4所述的LED封装，其中，所述热元件包括嵌入所述主体内的弯曲部，该弯曲部将所述热元件的顶面过渡到所述热元件的嵌入顶面。
6.根据权利要求5所述的LED封装，其中，所述热元件包括与所述热元件的露出部位于其上的相对侧面正交的纵轴，所述热元件的露出部与所述主体的相对侧面实质上平齐。
7.根据权利要求5所述的LED封装，其中，所述电气元件包括与所述热元件的纵轴平行且与所述电气元件的露出部位于其上的相对侧面正交的纵轴，所述电气元件的露出部与所述主体的相对侧面实质上平齐。
8.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述热元件借助所述主体的隔离部而与所述电气元件电绝缘。
9.根据权利要求1所述的LED封装，进一步包括透镜。
10.根据权利要求3所述的LED封装，其中，将密封剂设置在所述反射器腔内。
11.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述热元件和电气元件仅从所述主体的底面直接延伸。
12.根据权利要求1所述的LED封装，其中，所述热元件和电气元件仅在所述主体的两个相对侧面上嵌入。
13.一种发光二极管（LED）封装，所述封装包括：
主体，包括至少一部分热元件和至少一部分电气元件，所述至少一部分热元件和至少一部分电气元件都嵌入到所述主体内，并从所述主体的底面直接延伸，所述热元件和所述电气元件包括与所述主体的底面实质上平齐的底面；以及
至少一个发光器件，热连接到所述热元件并电连接到所述电气元件。
14.根据权利要求13所述的LED封装，其中，所述热元件借助所述主体的隔离部而与所述电气元件电绝缘。
15.根据权利要求13所述的LED封装，其中，所述热元件的顶面和所述电气元件的顶面与形成在所述主体中的反射器腔的底面平齐。
16.根据权利要求13所述的LED封装，其中，将密封剂设置在所述反射器腔中。
17.根据权利要求13所述的LED封装，其中，沿低于所述热元件的嵌入顶面的平面设置所述热元件的顶面。
18.根据权利要求17所述的LED封装，其中，所述热元件包括嵌入所述主体内的弯曲部，该弯曲部将所述热元件的顶面过渡到所述热元件的嵌入顶面。
19.根据权利要求18所述的LED封装，其中，所述热元件包括与所述热元件的露出部位于其上的相对侧面正交的纵轴，所述热元件的露出部与所述主体的相对侧面实质上平齐。
20.根据权利要求19所述的LED封装，其中，所述电气元件包括与所述热元件的纵轴平行且与所述电气元件的露出部位于其上的相对侧面正交的纵轴，所述电气元件的露出部与所述主体的相对侧面实质上平齐。
21.根据权利要求13所述的LED封装，其中，所述热元件和电气元件仅从所述主体的底面直接延伸。
22.根据权利要求13所述的LED封装，其中，所述热元件和电气元件仅嵌入到所述主体的两个相对侧面中。
23.一种形成低成本发光二极管（LED）封装的方法，包括：
提供主体，包括：
至少一部分热元件和至少一部分电气元件，所述至少一部分热元件和至少一部分电气元件都嵌入到所述主体内，并从所述主体的底面直接延伸，所述热元件与所述电气元件电绝缘；以及
至少一个发光器件，热连接到所述热元件并电连接到所述电气元件；以及
终止所述热元件和电气元件，以形成与所述主体的相对侧面实质上平齐的露出部。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，终止与所述主体的相对侧面实质上平齐的所述热元件和电气元件包括：剪切所述热元件和电气元件，以使得没有所述热元件和电气元件的显著部分延伸超出所述主体的侧面的最外侧边缘。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述热元件和电气元件仅从所述主体的底面直接延伸。
26.根据权利要求23所述的方法，其中，所述热元件借助所述主体的隔离部而与所述电气元件电绝缘。
CN2011800433731A 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的 led 封装 Pending CN103098217A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811517972.2A CN110071196A (zh) 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的led封装

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/853,812 2010-08-10
US12/853,812 US8269244B2 (en) 2010-06-28 2010-08-10 LED package with efficient, isolated thermal path
PCT/US2011/043539 WO2012021238A1 (en) 2010-08-10 2011-07-11 Led package with efficient, isolated thermal path

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811517972.2A Division CN110071196A (zh) 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的led封装

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103098217A true CN103098217A (zh) 2013-05-08

Family

ID=45567898

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800433731A Pending CN103098217A (zh) 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的 led 封装
CN201811517972.2A Pending CN110071196A (zh) 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的led封装

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811517972.2A Pending CN110071196A (zh) 2010-08-10 2011-07-11 具有高效、绝热路径的led封装

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8269244B2 (zh)
EP (1) EP2603930A4 (zh)
CN (2) CN103098217A (zh)
TW (1) TWI515932B (zh)
WO (1) WO2012021238A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261686A (zh) * 2014-07-08 2016-01-20 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN109904297A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 深圳市科纳实业有限公司 贴片式led及其产品及其制作方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US9685592B2 (en) 2009-01-14 2017-06-20 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Miniature surface mount device with large pin pads
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8269244B2 (en) * 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
CN102934228B (zh) 2011-03-02 2017-09-01 惠州科锐半导体照明有限公司 发光二极管封装件及发光二极管
US10074779B2 (en) * 2011-03-11 2018-09-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED module, method for manufacturing the same, and LED channel letter including the same
JP5456077B2 (ja) 2011-03-11 2014-03-26 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Ｌｅｄモジュール及びその製造方法と、ｌｅｄモジュールを含むｌｅｄチャンネルレター
US8405181B2 (en) * 2011-03-16 2013-03-26 Intellectual Discovery Co., Ltd. High brightness and high contrast plastic leaded chip carrier LED
US8692282B2 (en) * 2011-10-27 2014-04-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
US8823041B2 (en) 2011-10-27 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
KR101197092B1 (ko) * 2011-11-24 2012-11-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지의 제조 방법
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
WO2013186653A1 (en) * 2012-06-12 2013-12-19 Koninklijke Philips N.V. Lead frame light emitting arrangement
KR102042150B1 (ko) * 2012-09-13 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
DE102013101262A1 (de) * 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Leuchtmodul, optoelektronische Leuchtvorrichtung und Kfz-Scheinwerfer
TWI598665B (zh) * 2013-03-15 2017-09-11 隆達電子股份有限公司 發光元件、長條狀發光元件及其應用
DE102013206225A1 (de) 2013-04-09 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9461024B2 (en) * 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
EP2908336A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-19 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. A package of power dies
KR102161272B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6398563B2 (ja) 2014-05-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9691949B2 (en) 2014-05-30 2017-06-27 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
TWI698033B (zh) * 2014-12-30 2020-07-01 荷蘭商露明控股公司 具有用於氣體或液體冷卻之集成特徵之發光二極體封裝
CN108269762B (zh) * 2016-12-30 2021-06-08 联华电子股份有限公司 半导体存储装置的制作方法
US10957736B2 (en) 2018-03-12 2021-03-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101060157A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 三星电机株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
KR20090003378A (ko) * 2007-06-05 2009-01-12 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679118A (en) 1984-08-07 1987-07-07 Aavid Engineering, Inc. Electronic chip-carrier heat sinks
JPH01102760A (ja) 1987-10-14 1989-04-20 Nec Home Electron Ltd 光磁気ディスク装置
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JP3154368B2 (ja) 1994-02-25 2001-04-09 新東工業株式会社 ガス硬化式鋳型造型装置
WO1995028740A1 (en) 1994-04-14 1995-10-26 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
KR100206910B1 (ko) * 1996-06-14 1999-07-01 구본준 반도체 패키지의 디플래쉬 방법
KR100500919B1 (ko) 1997-02-10 2005-07-14 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
ATE251544T1 (de) 1999-12-24 2003-10-15 Gedib Ingbuero Innovation Verdichtungseinrichtung zur durchführung von verdichtungsvorgängen an formkörpern aus kornförmigen stoffen
JP4926337B2 (ja) 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 光源
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
JP3718131B2 (ja) 2001-03-16 2005-11-16 松下電器産業株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6949771B2 (en) 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6936855B1 (en) 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP4211359B2 (ja) 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US7335925B2 (en) 2003-03-14 2008-02-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
USD517026S1 (en) 2003-07-09 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
EP1659642A4 (en) 2003-08-26 2011-07-06 Sumitomo Electric Industries SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT INSTALLER, LIGHT DIODE CONSTITUATION MEMBER THEREFOR AND LIGHT DIODE THEREWITH
US6921927B2 (en) * 2003-08-28 2005-07-26 Agilent Technologies, Inc. System and method for enhanced LED thermal conductivity
JP4654577B2 (ja) 2003-12-22 2011-03-23 パナソニック電工株式会社 光電変換素子実装用セラミックス基板
JP4325412B2 (ja) * 2004-01-21 2009-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
US7855395B2 (en) 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
KR100709890B1 (ko) * 2004-09-10 2007-04-20 서울반도체 주식회사 다중 몰딩수지를 갖는 발광다이오드 패키지
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US7224047B2 (en) 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7777247B2 (en) 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
EP2280430B1 (en) 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100591687B1 (ko) 2005-05-06 2006-06-22 럭스피아 주식회사 칼라게멋을 향상한 멀티-칩 발광다이오드 패키지 및 이를채용한 백라이트 유닛
KR101186644B1 (ko) 2005-06-27 2012-09-28 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
EP1899435A4 (en) 2005-07-01 2010-06-02 Lamina Lighting Inc LIGHTING DEVICE WITH WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND DIODE ARRANGEMENTS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THEM
US7550319B2 (en) 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP2007073836A (ja) 2005-09-08 2007-03-22 Sharp Corp 光結合素子、光結合素子の製造方法及び光結合素子を搭載した電子機器
KR100616695B1 (ko) 2005-10-04 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
JP4700469B2 (ja) 2005-10-17 2011-06-15 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
US7429790B2 (en) 2005-10-24 2008-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
US7943946B2 (en) 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
KR100780176B1 (ko) 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지
USD573113S1 (en) 2005-12-09 2008-07-15 Nichia Corporation Light emitting diode
US7400049B2 (en) 2006-02-16 2008-07-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with heat sink
JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7655957B2 (en) 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP5057707B2 (ja) 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR100854328B1 (ko) 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TW200807745A (en) 2006-07-28 2008-02-01 Delta Electronics Inc Light-emitting heat-dissipating device and packaging method thereof
JP4952126B2 (ja) * 2006-08-07 2012-06-13 日立電線株式会社 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品の製造方法
EP2050146A1 (en) 2006-08-11 2009-04-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Led device and back panel of liquid crystal display
KR100772433B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP2008071954A (ja) 2006-09-14 2008-03-27 Mimaki Denshi Buhin Kk 光源装置
USD566055S1 (en) 2006-09-21 2008-04-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
JP5710088B2 (ja) 2006-10-04 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7852015B1 (en) 2006-10-11 2010-12-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Solid state lighting system and maintenance method therein
USD580375S1 (en) 2006-10-12 2008-11-11 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a two-pin light emitting diode device
JP2008103480A (ja) 2006-10-18 2008-05-01 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP5023781B2 (ja) 2006-11-13 2012-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW200845423A (en) 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
USD594827S1 (en) 2006-12-07 2009-06-23 Cree, Inc. Lamp package
KR100845856B1 (ko) 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20070000130U (ko) 2007-01-08 2007-01-26 김성우 공기 이송관이 장착된 에어간판
JP2008172125A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US20080258130A1 (en) 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
USD573114S1 (en) 2007-05-04 2008-07-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
US7878683B2 (en) 2007-05-07 2011-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED-based lighting fixtures for surface illumination with improved heat dissipation and manufacturability
CN201054361Y (zh) 2007-05-11 2008-04-30 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管
JP4341693B2 (ja) 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子およびその製造方法
US8436371B2 (en) 2007-05-24 2013-05-07 Cree, Inc. Microscale optoelectronic device packages
US7566159B2 (en) 2007-05-31 2009-07-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Side-emitting LED package with improved heat dissipation
US20090008662A1 (en) 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
JP5453713B2 (ja) 2007-07-06 2014-03-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその形成方法
US8354992B2 (en) 2007-07-13 2013-01-15 Tte Indianapolis Appearance improvement for zone backlit LCD displays
USD580891S1 (en) 2007-07-20 2008-11-18 Alti-Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
CN101765627B (zh) 2007-07-23 2012-12-05 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 用于照明系统的塑料构件
TWM331086U (en) 2007-10-17 2008-04-21 Tai Sol Electronics Co Ltd Combination of LED and heat conduction device
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
WO2009061352A1 (en) 2007-11-08 2009-05-14 Innovations In Optics, Inc Led illumination system
TW200928203A (en) 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
USD597971S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
USD597968S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
JP2010034262A (ja) 2008-07-29 2010-02-12 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
USD608307S1 (en) 2008-08-28 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode
USD621798S1 (en) 2008-08-29 2010-08-17 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light-emitting diode substrate
US20100059783A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
TW201013969A (en) 2008-09-16 2010-04-01 Upec Electronics Corp Package structure of light-emitting diode
USD595675S1 (en) 2008-09-24 2009-07-07 Harvatek Corporation Light emitting diode
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
USD641719S1 (en) 2009-06-05 2011-07-19 Cree, Inc. Light emitting diode
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
USD621799S1 (en) 2009-01-12 2010-08-17 Cree, Inc. Light emitting diode
USD648686S1 (en) 2010-04-30 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20100181582A1 (en) 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
JP4640514B2 (ja) 2009-02-27 2011-03-02 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
CN101510581B (zh) 2009-03-19 2011-06-29 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管及其相关背光模块
EP3573432A3 (en) 2009-05-28 2020-02-12 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brigthness led lighting devices and methods of using
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
USD648687S1 (en) 2009-06-05 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting device package
US8860043B2 (en) 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8476812B2 (en) 2009-07-07 2013-07-02 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
US7932532B2 (en) 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
USD634716S1 (en) 2009-08-06 2011-03-22 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode illumination device
TWM376909U (en) 2009-09-28 2010-03-21 Fu Sheng Ind Co Ltd Frame structure for light emitting diodes
KR101114150B1 (ko) 2009-10-19 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWD139299S1 (zh) 2009-11-11 2011-03-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體
USD627310S1 (en) 2009-11-27 2010-11-16 Lite-On Technology Corp. Package of a light emitting diode
USD622680S1 (en) 2009-12-04 2010-08-31 Silitek Electronic (Guangzhou) Go., Ltd. Package of a light emitting diode
USD626095S1 (en) 2009-12-11 2010-10-26 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
TWD140000S1 (zh) 2010-02-10 2011-04-11 隆達電子股份有限公司 晶片之導線架
TWD139998S1 (zh) 2010-02-10 2011-04-11 隆達電子股份有限公司 晶片之導線架
TWD140001S1 (zh) 2010-02-10 2011-04-11 隆達電子股份有限公司 晶片之導線架
TWM383822U (en) 2010-02-12 2010-07-01 Bi Chi Corp Light emitting diode base structure of free-bending swan neck
TWD138079S1 (zh) 2010-02-12 2010-12-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝載具
USD658599S1 (en) 2010-03-26 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode module
USD628541S1 (en) 2010-06-14 2010-12-07 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) * 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
TW201251132A (en) 2011-05-03 2012-12-16 Cree Inc Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101060157A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 三星电机株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
KR20090003378A (ko) * 2007-06-05 2009-01-12 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261686A (zh) * 2014-07-08 2016-01-20 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN105261686B (zh) * 2014-07-08 2019-05-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN109904297A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 深圳市科纳实业有限公司 贴片式led及其产品及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110071196A (zh) 2019-07-30
TWI515932B (zh) 2016-01-01
EP2603930A4 (en) 2016-03-30
US8878217B2 (en) 2014-11-04
US20130011946A1 (en) 2013-01-10
US8269244B2 (en) 2012-09-18
US20110316022A1 (en) 2011-12-29
EP2603930A1 (en) 2013-06-19
TW201222900A (en) 2012-06-01
WO2012021238A1 (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103098217A (zh) 具有高效、绝热路径的 led 封装
JP5226498B2 (ja) 発光装置
JP5295107B2 (ja) ヒートシンク支持部を有するリードフレームを用いた発光ダイオードパッケージ及び前記発光ダイオードパッケージの製造方法
CN100385636C (zh) 复合引线框led封装及其制造方法
JP5497256B2 (ja) 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ
EP3221902A1 (en) Light emitting diode (led) components including led dies that are directly attached to lead frames
JP2008218763A (ja) 発光装置
TWI509848B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP4885191B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2009111140A (ja) 発光装置及びその製造方法
KR20110109222A (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
WO2007123310A1 (en) Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method
KR20080079745A (ko) 리드프레임과 열방출판의 이중 방열구조를 갖는 발광다이오드 패키지 베이스 및 그 제조방법
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
US9978920B2 (en) Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same
KR101643873B1 (ko) 전자 컴포넌트용 하우징, 전자 조립체, 전자 컴포넌트용 하우징 제조 방법 및 전자 조립체 제조 방법
KR101214964B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
KR101881498B1 (ko) 발광다이오드 패키지 및 그것의 제조방법
US8278677B2 (en) Light emitting diode lamp with low thermal resistance
CN105845804A (zh) 发光二极管装置与应用其的发光装置
TW201442298A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101198860B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
KR101968244B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20170058486A (ko) 반도체 발광소자
TWI415307B (zh) Led封裝結構的製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130508

RJ01 Rejection of invention patent application after publication