JP5023781B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 219
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 219
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 112
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 112
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- -1 and the like Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009365 direct transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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Description
これらの発光装置では、例えば、図11に示したように、一対(又は複数対)のリード電極2a、2bが、パッケージ3の対向する側面からそれぞれ突出し、反対方向に向かって延びており、さらに、発光素子4の表面に形成された一対の電極(図示せず)が、それぞれワイヤ5により、一対のリード電極2a、2bに電気的に接続されている。
そのため、このような発光装置を、例えば、半田等を用いて回路基板等に実装する際及び実装した後の使用時において、溶融半田又は発光素子によって生じる熱により、リード電極が変形して応力を生じさせ、これに起因して、ワイヤに疲労が蓄積し、接触不良、断線等の不具合を招くことがあった。
上記金属部材は、上記樹脂部の対向する側面からそれぞれ突出された一対の突出部を有することが好ましい。上記基台と上記金属部材とが接続されていることが好ましい。さらに、上記金属部材の発光素子が搭載される領域と、上記金属部材のワイヤが接続される領域との間に溝部を有することが好ましい。
上記発光素子は、上記基台に設けられた凹部内に載置されており、かつ凹部の外側に配置された金属部材に、ワイヤによって電気的に接続されていることが好ましい。
上記発光素子は、上記第一の正負一対の金属部材と、上記第二の正負一対の金属部材との間に想定された中心線の上またはその中心線よりも金属部材側に配置されていることが好ましい。
発光装置の底面からの金属片の高さは、上記第二の突出部の高さよりも高いことが好ましい。上記基台は、その側面の一部から突出された第三の突出部を有し、その第三の突出部は、上記樹脂部内にて上記第一の突出部が突出された側面まで延長され、さらにその側面から先端部が露出されていることが好ましい。
本発明で用いられる発光素子は、いわゆる、半導体発光素子であり、特に、発光ダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
発光素子は、異なる表面に一対の電極がそれぞれ形成されたものであってもよいし、光取り出し面側に一対の電極が形成されたものが好ましい。この場合の一対の電極は、同じ高さ(発光層からほぼ同じ距離)で配置していてもよいが、通常、電極間で高低差がある。また、この場合の一対の電極は、通常、正電極及び負電極を意味するが、一対の電極は、必ずしも1つずつ形成されていなくてもよく、それぞれ2つ以上形成されていてもよい。つまり、合計3つ以上形成されていてもよい。
基台は、一般に、上述した発光素子を載置するための部材であって、この機能を果たし得る材料であれば、どのようなもので形成されていてもよい。例えば、後述する金属部材で例示されたものと同様のものを用いることができる。
また、形状は、特に限定されないが、例えば、発光素子をその底面に載置するための凹部を有していることが好ましい。これにより、発光素子の高さに略相当して、ワイヤ長を短くすることができ、ワイヤの断線等を防止することができる。
なお、本発明の一実施例として図6乃至図8に示される発光装置は、発光素子を収納する第一の凹部の底面側に、第一の凹部よりも容積が小さい第二の凹部を有する。この第二の凹部は、上面方向から見て発光素子の外形と略相似な形状の開口部を有しており、その底面に配置された発光素子を被覆するように、蛍光物質含む材料が充填されている。第二の凹部の深さは、凹部の底面に配置された発光素子の発光層の高さが、凹部を形成する側壁の上面よりも低くなるように調整されることが好ましい。このような第二の凹部を設けることにより、発光素子の近くに略均等に蛍光物質が密集して配置されるため、光変換効率が高い発光装置とすることができる。
金属部材は、発光素子と電気的に接続するためのリード電極としての役割を果たすものであり、実質的に板状であればよく、波形板状、凹凸を有する板状であってもよい。通常、後述する樹脂部内においては内部端子として機能し、樹脂部の外に突出した部分は外部端子として機能する。ただし、樹脂外に突出する金属部材であっても、外部端子として機能しない部分もある。金属部材の厚みは均一であってもよいし、厚さが異なる部分を有していてもよい。材料は特に限定されず、熱伝導率の比較的大きな材料(例えば、200W/(m・K)程度以上)、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜き、プレス加工又はエッチング加工等が容易な材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子で発生する熱を効率的に逃がすことができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。また、金属部材の表面には、搭載される発光素子からの光を効率よく取り出すために反射メッキが施されていることが好ましい。
なかでも、金属部材の数にかかわらず、全ての外部端子が、図1の矢印X方向で示されるように、同じ側面から同じ方向に又は対向する側面からそれぞれ反対方向に突出していることが好ましい。
図6および図7に示された発光装置における金属部材32aまたは金属部材32bは、樹脂部35からの突出方向がワイヤ14の接続方向と略垂直な第一の突出部と、金属部材32aまたは金属部材32bの一部が短冊状に延長されて発光素子の側に配置された金属片と、を有している。この金属片は、発光装置30の底面からの高さが第一の突出部よりも高くなるように屈曲されている。さらに、発光装置の正面において、発光素子の電極と接続するワイヤ14が、樹脂部35から露出された金属片の上面に接続されている。このような金属片にワイヤを接続することにより、金属部材の変形による応力を高さ方向に逃がすことができる。さらに、ワイヤの長さを短くすることができるため、ひいてはワイヤにかかる応力を低減させることによりワイヤの断線を防ぐことができる。さらに、上記金属片の延長方向は、上記第一の金属部材の突出方向と略同じ方向である。なお、略同じ方向とは、発光装置の上面方向から見て、±10°程度のずれを許容することを意味する。これにより、第一の突出部の突出方向を本発明特有の構成としたによる応力緩和作用と同じ作用が金属片にも働き、両者相俟ってワイヤにかかる力を緩衝する効果が高まる。
図6および図7に示された発光装置における金属部材32aまたは金属部材32bは、上記第一の突出部が設けられた側面とは異なる側面から突出された第二の突出部を有しており、発光装置30の底面からの上記第二の突出部の高さは、上記第一の突出部の高さよりも高いことが好ましい。例えば、図6および図7に示された発光装置の例では、高低差が1mm以内であることが好ましい。金属部材の変形による応力を高さ方向に逃がすことができるからである。
発光装置の底面からの金属片の高さは、上記第一の突出部の高さよりも高く、さらに上記第二の突出部の高さよりも高いことが好ましい。例えば、図6および図7に示された発光装置の例では、高低差が1mm以内であることが好ましい。このように金属部材の屈曲箇所を複数設けることにより高低差を段階的に設けると、金属部材の変形による応力を高さ方向に逃がす効果が高まるからである。また、ワイヤの長さを短くすることができるため、ひいてはワイヤにかかる応力を低減させることによりワイヤの断線を防ぐことができるからである。
ワイヤは、通常、発光素子の表面に形成された電極と金属部材との間を電気的に接続する(ボンディングする)ために用いられる導電部材である。そのため、ワイヤは、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接続性が良好であるか、電気伝導性及び熱伝導性が良好なものであることが好ましい。熱伝導率(100℃時)としては、10W・m-1・K-1程度以上が好ましく、さらに100W・m-1・K-1程度以上がより好ましい。作業性などを考慮すると、ワイヤの直径は、10μm〜45μm程度であることが好ましい。このようなワイヤの材料としては、例えば、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金が挙げられる。なかでも、接合信頼性、接合後の応力緩和等の観点から、金が好ましい。
また、本発明の発光装置において、少なくとも基台又は金属部材は、主に樹脂を材料とする樹脂部によって固定されている。なお、この樹脂部は、発光素子、金属部材及びワイヤ等を一体的に又は塊状に固定又は被覆するものであってもよいが、例えば、基台又は金属部材を固定する成形樹脂と、発光素子及びワイヤを被覆する封止樹脂とによって構成されていてもよい。いずれの場合においても、このような樹脂部を形成する材料は、発光素子等に対して、絶縁性を確保することができるものであれば、どのような材料を用いてもよい。例えば、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂、セラミック、硝子等が挙げられる。これらの材料には、着色剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。例えば、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、カーボンブラック等が挙げられる。また、部分的に又は全体的に、透光性の樹脂を用いてもよい。ここで透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
図1乃至図3に示すように、本実施例の発光装置10は、発光素子11と、一対の金属部材12a、12bと、発光素子11と金属部材12a、12bとの間を電気的に接続するワイヤ14と、金属部材12a、12bと一体的に固定される樹脂部15と、発光素子11及びワイヤ14を封止する封止樹脂18とを備えて構成されている。また、この発光装置10には、樹脂部15の内部において、金属部材12aまたは金属部材12bに電気的に接続された保護素子13がさらに搭載されている。
また、1つの金属部材12a又は12bが、対向する樹脂部15の側面から、反対方向に延びているため、金属部材にかかる引張応力を、互いに相殺することができるため、金属部材が安定し、ワイヤへ応力が伝わることを緩和することができる。
また、金属部材12aのワイヤが接続される領域と発光素子が配置された領域との間に、溝部17を設けることにより、金属部材12aからワイヤ14の接続部への接合部材(図示せず)の漏れを軽減することができる。あるいは、金属部材12aのワイヤが接続される領域と発光素子が配置された領域との間に、溝部17を設け、この溝部17の上にワイヤを通過させて張る。これにより、金属部材の変形による応力が溝部で緩和されるため、ワイヤにかかる応力は低減される。これにより、金属部材12aにワイヤ14を接続した際の接続部の接合強度を維持できる。
つまり、図4(a)の発光装置は、ワイヤ24の接続方向が、樹脂部から突出する金属部材22a、22bの先端が延びる方向と略垂直に交差したものであり、一方、図4(b)の発光装置は、ワイヤ24の接続方向が、樹脂部から突出する金属部材23a、23bの先端が延びる方向と略平行にしたものである。
これらの発光装置を用いて、市販の応力解析ソフト(「ANSYS Professional」、サイバネットシステム社)による線径構造解析を行った。
本実施例における発光装置30は、図5乃至図8に示すように、上記実施例1における発光素子11を載置するための領域と、外部端子とが一体となった金属部材12aに代えて、実施例1と同様の凹部が形成された基台36と、金属部材32aとを用い、さらに金属部材12bに代えて、形状が若干異なる金属部材32bを用い、樹脂部35により設けられる発光窓35aの形状を円形とした。また、金属部材32a、32bは、樹脂部35の側面の一部が凹んで設けられた切り欠き部の壁面から突出された第一の突出部を有している。さらに、金属部材32a、32bは、第一の突出部が設けられた側面とは異なる側面において、第一の突出部よりも高い部位から突出された第二の突出部と、この第二の突出部よりも高い上面を有するように屈曲された金属片と、を含む。
基台36の上面の一部には、凹部を形成する側壁の最上面よりも低い上面が形成されるように段差部を有している。この段差部の上面は、金属部材32a、32bにおいてワイヤがボンディングされる領域と略同一平面上にあり、この段差部の上面に保護素子13が載置されている。ここで、ワイヤがボンディングされる領域は、金属部材の一部に設けられた金属片の上面である。この金属片は、金属部材を形成する工程において、板状の金属部材の一部が短冊状の金属片となるような切り目を入れ、金属部材の主要部と一部が接続した状態で、短冊状の金属片を、金属片の上面が段差部の上面と略同じ高さとなるように、金属片の延長部における二箇所で折り曲げることにより形成されたものである。このような金属片にワイヤを接続することにより、ワイヤの長さを短くすることができる。そのため、ワイヤの下にある樹脂量を少なくすることができ、その結果、樹脂の膨張による影響を最小限にとどめることができ、ワイヤの断線をより低減することができる。
本実施例における基台36は、図6、図7及び図8に示されるように、上面に段差部を有する。この段差部は、樹脂部35の中央部に埋め込まれた略直方体の基台主要部の上に、樹脂部35の上面(凹部の底面)から突出するように、基台主要部より小さい直方体形状の上端部を設けることにより形成させたものである。保護素子13は、発光素子11が収納された凹部を形成している側壁の上面よりも低い段差部の上面に配置されている。このとき、図8に示されるように、段差部の上面に配置された保護素子の上面が、上記側壁の上面よりも低いことが好ましい。これにより、発光素子11の方向から出射される光が保護素子11に遮光されなくなる。そのため、発光装置の出力低下を抑制することができる。
なお、本実施例における保護素子は、同一面側に正負一対の電極を有しており、それぞれの電極がワイヤにより金属部材32aおよび金属部材32bに接続されている。そのため、裏面電極にて電気的に接続する保護素子と異なり、保護素子を配置させた基台に導通をとる必要がなくなる。そおため、基台の材料の選択や発光装置を実装させる基板の設計の自由度が高まり、使い勝手のよい発光装置とすることができる。また、放熱部材として利用される基台が通電による悪影響を受けることがなくなり、発光装置の放熱性を向上させることができる。
さらに、図6に示されるように、金属部材32aまたは金属部材32bの一部が第二の突出部32cとして樹脂部35の側面から露出している。これにより、通電時に発生する発光素子41からの熱を効率よく発光装置の外部へ伝えることができ、封止樹脂の膨張率が軽減することによりワイヤ疲労を抑制することができる。
図7および図8に示されるように、本実施例における基台36は、発光素子11が収納された凹部と、その凹部を形成している側壁の上面に配置された保護素子13と、樹脂部35の上面に突出させて形成された環状の壁部47とを被覆する封止樹脂38と、を備える。環状の壁部47は、円形の発光窓35aを形成している側壁であり、封止樹脂38が壁部47の上面および内外壁面に密着して被覆することにより、封止樹脂38が樹脂部35から剥離することがなくなる。さらに、環状の壁部47の外側に、上面から見て略矩形の樹脂部35の外縁に沿って、別の壁部が設けてあり、この壁部と環状の壁部47との間に堀が設けられる。この堀は、封止樹脂38の外縁を包囲するように設けており、封止樹脂38を成型するとき、樹脂部35の上面からの成型材料の漏れ出しが防止される。
また、図6乃至図8に示されるように、本実施例における基台36は、環状の壁部47により樹脂部35に形成された凹部の底面から突出された上端部を有している。この上端部の概形は略直方体であり、発光素子11を収容するために直方体の上面に設けられた開口部は略円形である。また、発光素子11および保護素子13に接続するワイヤは、基台36の上端部の上を通過して張られている。さらに、上端部の概形を略直方体とすることによって設けられた基台上端部の角部および略円形の開口部を封止樹脂38が被覆している。このような形状を有する基台の上端部に封止樹脂38が配置されることにより、上端部およびワイヤ14を被覆する封止樹脂38がワイヤ14に及ぼす応力を低減させることが見出されており、そのため、ワイヤの接続強度が確保された信頼性の高い発光装置とすることができる。
以上説明した他は、実質的に実施例1と同様の構造を有している。なお、同じ構成についてはその説明を省略している(以下の実施例でも同様)。これにより、実施例1と同様の効果を得ることができる。
さらに、金属部材から独立した部材である基台36に発光素子11を配置することにより、通電を行った際の温度上昇による樹脂部の熱膨張を低減することができ、ワイヤにかかる負担をより低減することができる。
本実施例の発光装置40は、図9及び図10に示すように、発光素子の表面に正負一対の電極が形成された6つの発光素子41と、樹脂部45の同じ側面から先端部が其々突出された一対の金属部材42a、42b、別の一対の金属部材42aa、42bbと、これら発光素子41が載置され、金属部材42a、42aaと、金属部材42b、42bbとに挟持されるように配置した基台46と、発光素子41と金属部材42a乃至42bbとの間をそれぞれ電気的に接続するワイヤ14と、金属部材42a乃至42bbと基台46と一体的に固定する樹脂部45と、各発光素子41とワイヤ14とを封止する封止樹脂(図示せず)と、を備える。さらに、発光装置40は、樹脂部45の上面に形成させた凹部内にて、金属部材42aa、42bbに配置された保護素子13を備えている。
また、正負一対の金属部材42a、42aa、正負一対の金属部材42b、42bbは、互いに基台46に対して同じ側に、それぞれ対向するように配置されている。また、各金属部材42a乃至42bbの先端部が樹脂部45から突出しており、外部電極接続用端子とされている。
また、金属部材42a乃至42bbは、それぞれ、樹脂部45からの突出部分の近傍であって、樹脂部45の内部において、2箇所屈曲することにより、凹部を有する上面と、先端領域(外部端子)の上面との間に高低差を有している。
基台46は、樹脂部45の裏面より露出しており、かつ、側面から基台46の一部が突出している。これにより、通電時に発生する発光素子41からの熱を効率よく発光装置の外部へ伝えることができ、封止樹脂の膨張率が軽減することによりワイヤ疲労を抑制することができる。これにより、実施例1と同様の効果を得ることができる。
さらに、複数の発光素子41に対して、複数の正負一対の金属部材42a乃至42bbが設けられているため、それぞれワイヤの距離を短くすることができ、ワイヤにかかる応力を低減することができるとともに、ワイヤ同士の干渉をなくし、ワイヤボンドが容易となる。
11、41・・・発光素子
12a、12b・・・第一の実施例における金属部材
22a、22b・・・本発明の発光装置における金属部材
23a、23b・・・従来の発光装置における金属部材
32a、32b・・・第二の実施例における金属部材
42a、42b、42aa、42bb・・・第三の実施例における金属部材
12c、32c、42c・・・金属部材における第二の突出部
13・・・保護素子
14・・・ワイヤ
15、35、45・・・樹脂部
15a、35a、45a・・・発光窓
16・・・凹部
18、38・・・封止樹脂
36、46・・・基台
47・・・壁部
Claims (6)
- 発光素子と、その発光素子が載置された基台と、前記発光素子の電極とワイヤにより接続された金属部材と、少なくとも前記基台または前記金属部材を固定する樹脂部とを有する発光装置であって、
前記金属部材は、前記樹脂部内で屈曲されて高低差を有しており、その一部が前記樹脂部から突出された方向と前記ワイヤの接続方向とは、略垂直であり、
前記金属部材は、前記樹脂部からの突出方向が前記ワイヤの接続方向と略垂直とされた第一の突出部と、金属部材の一部が延長され、発光装置の底面からの高さが前記第一の突出部よりも高くなるように屈曲され、前記発光素子の側に配置された金属片と、を有しており、前記発光素子の電極と接続するワイヤが、前記樹脂部から露出された前記金属片の上面に接続されており、
前記金属片の延長方向は、前記第一の突出部の突出方向と略同じであることを特徴とする発光装置。 - 前記金属部材は、前記第一の突出部が設けられた側面とは異なる側面から突出された第二の突出部を有しており、
発光装置の底面からの前記第二の突出部の高さは、前記第一の突出部の高さよりも高い請求項1に記載の発光装置。 - 発光装置の底面からの前記金属片の高さは、前記第二の突出部の高さよりも高い請求項2に記載の発光装置。
- 前記基台は、その側面の一部から突出された第三の突出部を有し、その第三の突出部は、前記樹脂部内にて前記第一の突出部が突出された側面まで延長され、さらにその側面から先端部が露出されている請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記金属片は、前記金属部材に切り目を入れ、前記金属部材の主要部と一部が接続した状態で折り曲げられたものである請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記基台は前記金属部材と一体的に形成されており、前記基台の裏面は前記樹脂部の裏面より露出している請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106386A JP5023781B2 (ja) | 2006-11-13 | 2007-04-13 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006306996 | 2006-11-13 | ||
JP2006306996 | 2006-11-13 | ||
JP2007106386A JP5023781B2 (ja) | 2006-11-13 | 2007-04-13 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147611A JP2008147611A (ja) | 2008-06-26 |
JP2008147611A5 JP2008147611A5 (ja) | 2010-05-20 |
JP5023781B2 true JP5023781B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39607406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007106386A Active JP5023781B2 (ja) | 2006-11-13 | 2007-04-13 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5023781B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
US7923739B2 (en) * | 2009-06-05 | 2011-04-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8598602B2 (en) | 2009-01-12 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
US9111778B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
JP5691681B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US8269244B2 (en) | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
US11101408B2 (en) | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
JP5941249B2 (ja) * | 2011-02-02 | 2016-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2013004905A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
KR101957884B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
JP5732619B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2015-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
CN103904207A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-07-02 | 利亚德光电股份有限公司 | 晶片电路 |
DE102017100165A1 (de) * | 2017-01-05 | 2018-07-05 | Jabil Optics Germany GmbH | Lichtemittierende Anordnung und lichtemittierendes System |
KR102261288B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-06-04 | 현대자동차 주식회사 | 자동차 외장용 발광다이오드 패키지 |
JP6669217B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP7054008B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2023046654A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332809B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 光素子 |
JP3472450B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP3908383B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2007-04-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-04-13 JP JP2007106386A patent/JP5023781B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008147611A (ja) | 2008-06-26 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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