CN1020025C - 制备选择晶体生长基片的方法 - Google Patents

Abstract

一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。

Description

本发明涉及一种制备选择晶体生长基片的方法，一种选择晶体生长的方法和一种利用该方法制备太阳电池的方法。本发明尤其涉及一种能够以低成本连续进行选择晶体生长的方法，一种制备用于选择晶体生长基片的方法，以及一种利用上述选择晶体生长方法能够连续制备具有良好能量转换效率的太阳电池的方法。

太阳电池已被用作各种仪器的驱动能源。

太阳电池具有一个采用Pn结或pin型结的功能部分，通常是使用硅作为构成这些Pn结和pin型结的半导体。就光能转换成电力的效率而言，较好是使用单晶硅，但就扩大面积和降低成本而言，则认为非晶硅是有益的。

近几年来，为了类似非晶硅的低成本和类似单晶硅的高能量转换效率之目的，对使用多晶硅作为了不少研究。然而按照现有技术所建议的方法，将大块成形多晶切成薄片并使用，因此难于制成0.3毫米或更小的厚度，从而不能使厚度达到足以使光剂量充分吸收的薄厚度。因此，不可能有效地利用这种材料。简言之，为了提高效率和降低制造成本，必须使厚度尽量薄些。

因此，已经进行了通过使用如化学汽相沉积（CVD）等薄层形成技术来生成多晶硅薄膜的尝试，但用该方法得到的晶粒尺寸至多的几微米，即使与大块多晶硅切成的薄片相比时，其能量转换效率是 比较低的。

还有，已进行了通过用激光束照射由上述CVD方法形成的多晶硅薄层，由此使其熔化和再结晶以增大晶粒尺寸的尝试，但对降低成本方面则不尽人意，而且也难于做到稳定生产。

这种状况不局限于硅，对化合物半导体也同样的如此。

另一方面，作为一种用于改善太阳电池的整体生产率的方法，是US4400409所公开的方法。该方法包括连续地将缠绕在释放卷轴上的基片从释放卷轴上展开，然后将该基片送入薄层形成室，在薄层形成室中进行薄层生成的处理，随后将薄层连续地缠绕在接受卷轴上。US4400409还公开了通过提供多个薄层形成室将彼此不同的半导体层迭合。然而，即使用这种方法制备太阳电池时，也不能得到上述大尺寸晶粒的多晶薄层，在这种情况下，得到的转换效率不能令人满意。

另一方面，作为一种制备具有足够大晶粒尺寸和良好能量转换效率的薄型太阳电池的方法，是公开在EP276961A₂中的方法。该申请公开了“制备太阳电池的一种方法，该方法包括：在基体表面上进行形成第一导电型的第一个半导体层，包括将不同于构成所说基体表面的材料加到所说的基体上的步骤，该材料的成核密度（ND）在足够小的面积上充分大于构成所说基体表面材料的成核密度，以使晶体生长仅由一个单核发生，从而形成一个成核表面，将晶体形成处理用于所说的基体以在成核表面上形成单核，并自单核生长单晶;然后在上述第一个半导体层上形成第二导电型的第二个半导体层”。

这种工艺运用了选择单晶生长的方法。选择单晶生长的方法是这样一种方法，其中通过利用各种材料间参数的差异，这些参数在 薄层形成工艺中可影响成核，如表面能、附着系数、剥离系数、表面扩散速度等等，使晶体选择性地生长。更确切地说，它是这样一种方法，其中在非成核表面上（具有较小成核密度的表面）提供的成核表面的基础上使单晶生长，该成核表面具有比所述非成核表面足够大的成核密度并具有充分微小的表面积，以便仅仅形成生长单晶的核，在这种方法中，自非成核表面上不发生单晶生长，而单晶生长仅发生在成核表面上。然而，即使可以使用这种方法，对制备具有良好生产效率的大面积太阳电池来说，仍留有不少有待改进之处。

上述EP276961A₂公开专利申请所描述的工艺方法中，将由通常采用现有技术的光刻方法进行的常规图形实际用于提供不同种类的可在基体表面上变成成核表面的材料。

这种光刻步骤是以批量处理来完成的。由于这一原因，为了利用大尺寸晶粒获得高性能太阳电池，同时并连续进行多个步骤，从而难于改进生产效率。

因此，利用上述任何一种方法，在目前状况下，通过利用能得到良好转换效率并具有良好生产效率的大尺寸晶粒制备太阳电池是极为困难的。

作为本发明者们考虑到上述现有技术进行充分研究的结果，本发明是建在如下所得到的发现的基础上的，该发现是可以通过在所需的基体区域上集中施加一种电场，由此使成核表面由非成核表面上暴露出来，而不是直接使用光刻来形成选择晶体生长的基体。

本发明的主要目的是为了提供一种选择晶体生长的方法，该方法连续进行在基体上提供非成核表面和成核表面的步骤而不直接使用光刻，一种制备供所说方法所用基片的方法，以及利用上述晶体 生长方法制备具有良好特性同时具有足够大量生产率的太阳电池的方法。

本发明的另一目的是为了提供一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料的成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基体在所说含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说的区域，使含所说第一种材料层暴露出来。

本发明还有一个目的是为了提供一种选择晶体生长的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基体在所说含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域得到具有足够微小面积的所说第一种材料层的区域，以便仅形成暴露的，由其中生长单晶的单核，通过气相方法进行晶体生长处理形成所说的核并使晶体自所说的核上生长。

本发明再一个目的是为了提供一种制备太阳电池的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基体在所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域利得到具有足够微小面积的包含所说第一种材料层的区域，以便仅形成暴露出的，由其中生长单晶的单核，通过气相方法进行晶体生长处理形成所说的核并使晶体自所说的核上生长，从而形成一个半导体层区。

本发明再一个目的是为了提供一种制备太阳电池的方法，该方法包括步骤如下：

在压力可降低的形成室内连续移动导电性基片，并在所说基片表面形成包括非成核表面的表面层，该非成核表面具有的成核密度比所说基片表面低;

在包含形成所说非成核表面材料层的所需区域集中施加电场以清除所说区域，得到具有充分微小面积的所说导电性基片的区域，以便仅形成暴露出的，由其中生长单晶的单核;

在所说导电性基片上进行晶体生长处理，以便自所说暴露的导电性基片表面上所形成的核上使晶体生长;

使在上面从由所说核生长的晶体中生长导电类型不同的晶体;以及

在所说的导电类型不同的晶体上通过生成一层含导电性材料形成电极。

图1A至图1G是说明本发明步骤的示意图。

图2是表示由本发明制备的太阳电池示意图。

图3是示意说明实施本发明制备太阳电池所用装置的一个实例。

本发明制备选择晶体生长基片方法的优选实施方案如下。

即：它包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基体在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域，使包含的所说第一种材料层暴露出来。

以及，本发明选择晶体生长方法的选择实施方案如下。

即：它包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场， 从而清除所说区域以得到具有充分微小面积的第一种材料层的区域，以便形成暴露出的，由其中生长单晶的单核，通过气相方法进行晶体生长处理形成所说的核并使晶体自所说的核上生长。

本发明制备太阳电池的方法较佳实施方案如下。

即，它包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域以得到具有充分微小面积的包含所说第一种材料层的区域，以便形成暴露的，由其中生长单晶的单核，通过气相方法进行晶体生长处理形成所说的核并使晶体自所说核上生长，从而形成一个半导体层区。

此外，本发明制备太阳电池方法的另一优选实施方案如下：

即，它包括的步骤是：

在压力可降低的形成室内连续移动导电性基片并在所说基片表面形成一层具有比所说基片表面的成核密度低的包含非成核表面的层;

在包含形成所说非成核表面的材料层的所需区域集中施加电场以清除所说区域，得到一个具有充分微小面积的所说导电性基片的区域，以便形成暴露的，由其中生长单晶的单核;

在所说导电性基片上进行晶体生长处理以便使晶体在所说暴露出的导电性基片表面形成的核上生长;

使在上面从由所说核生长的晶体中生长导电类型不同的晶体;以及

通过在所说导电型不同的晶体上形成一层包含导电性材料来形 成电极。

按照上述的本发明，可制得于其上形成核的基片而无需进行如直接涂覆抗蚀剂，曝光，显影和蚀刻这样的处理，从而实现了减少基片制备步骤。

再者，按照现有技术的晶体生长方法，其中直接在基片上形成核表面是通过利用光刻，随后使晶体生长，需要单独进行在基片上，例如SiO₂形成后使成核表面暴露的步骤，以及通过CVD方法在核表面上使晶体生长的步骤。与此相反，利用本发明，例如形成SiO₂步骤，形成成核表面步骤，以及使晶体在成核表面上生长的步骤可同时进行，因此和现有技术的方法相比，可提高晶体生长的效率。还有，可以大面积形成具有大尺寸晶粒，同时基片上晶粒间界的位置得到控制的晶体薄层。此外，当利用这种方法制备太阳电池时，可以制备具有良好特性如能量转换效率等的大面积太阳电池，同时实现良好的生产率及降低成本。

下面进一步详述本发明。

本发明中，形成成核表面的材料是成核密度较高的材料，而形成非成核表面的材料是成核密度较低的材料。作为形成非成核表面的材料，例如可采用一种绝缘体材料，诸如硅的氧化物（SiO₂等），硅的氮化物（Si₃N₄）等，而作为形成成核表面的材料，可采用硅（Si）、砷化镓（GaAs）、一种金属等。金属的特定实例包括W、Cr、MO、Ni和其它金属。作为生长的晶体，例如是硅、砷化镓和磷化铟（InP）等。在选择形成非成核表面材料和成核表面的材料方面，要求是应当采用比构成成核表面材料的导电性低的材料作为形成非成核表面的材料。还有，也可以通过在埋在下面的不同于形成成核表面的材 料上涂覆一种形成成核表面的材料来形成成核表面。

本发明中，采用这样的结构，使形成非成核表面的材料层受到电介质击穿以清除施加高电场的部分，从而形成成核表面。确切地说，将进行形成成核表面材料层电介质击穿的电接触点与非成核表面上施加电压的所需位置接触，从而将电场集中在这个区域，在该区域接触上述电接触点。施加的电压优选的应当是这样一个电压，即为清除施加高电场部分的电介质击穿强度的50%或大于50%和小于100%，更优选的为70%或大于70%和99%或小于99%。如果施加的电压低于50%电介质击穿强度，成核表面形成的效率将降低。与之相反，如用100%或更高时，在所需区域以外区域也会发生电介质击穿。

作为电接触点的形状，例如可采用柱形如园柱形，多边园柱形等，或各种形状如园锥形，多边圆锥形，针形等。

在上述电接触点和形成非成核表面材料层之间的接触面积，为进行有效的电场集中并且还形成足够微小的成核表面，合乎要求的应为1或大于1μm²和16或小于16μm²，以便仅形成供单晶生长的一个核。这是因为，如果小于1μm²，有时可能得不到良好的电接触，如大于16μm²，在一个成核表面有时可能形成多个供晶体生长的核。

当引入多个电接触点和形成非成核表面材料层接触时，电接触点之间的相互间隔对形成太阳电池优选的应为40或大于40μm和100或小于100μm以具有足够大的光接收面积。

通过使用上述电接触点以恒定的直流电、正弦波、锯齿波、脉冲波等方式在所需区域自能源施加电场。

在上述基片上暴露出的每个成核表面上为形成单晶所施加的晶 体生长处理，较好的是可以利用气相方法进行，如热CVD、等离子体CVD、光CVD、离子镀覆等。

现参照附图描述本发明的特定实施例。然而，本发明的范围完全不受这些实施例的限制。

实施例1

图1A至图1G是说明本发明步骤的示意图。

（ⅰ）（成核表面的形成）

首先，在0.2mm厚的不锈钢板101的一个表面上利用光刻法施以蚀刻。通过这一步，以b＝100μm的间隔形成柱状凸出结构102的排列作为电接触点，其底部为方形且一边是a＝4μm及深c＝5μm。图1

表示其截面图和底视图。

另外，制备不锈钢基片104作为形成成核表面的材料，在所说基片表面上沉积一层SiO₂103，该层按照常规的常压CVD法是形成非成核表面的材料。具体是，在基片温度为450℃时沉积至薄层厚度为大约200 。其次，上述基片104被迭加在SiO₂层103上，以使柱状结构102与此接触（图1B）。

随后，通过在不锈钢板101和基片104之间施加自能源105的15V脉冲电压，在与上述结构的接触部位，通过在SiO₂层103上的柱状结构102集中施加高电场以产生电介质击穿（图1C）。此处通过调整脉冲电压的瞬间最大电压使得可以得到稍低于造成SiO₂层103电介质击穿所产生的电场，并将电场集中在微小柱状凸起结构102处。由于这一原因，在这一部位（102）和基片104之间的电场强度变得大 大高于SiO₂层103的电介质击穿强度，从而仅在夹在柱状结构102和基片104之间部位处的SiO₂层经受电介质击穿而被清除。此处由于SiO₂层非常薄，可以认为SiO₂以SiO被升华。因此，作为埋层存在的不锈钢基片104的表面被部分显露出来，从而形成成核表面。由于SiO₂的电介质击穿强度大约为10⁷V/cm且SiO₂层103的薄层厚度为200 ，所以设定的施加电压为15V，是SiO₂层103电介质击穿强度电压的75%。

通过在相应于多个柱状凸出结构102部分的位置形成电介质击穿而清除SiO₂层之后，在该部位上柱状凸起结构102和不锈钢基片104之间由于过量电流流经的短路以及柱状凸起结构十分微小，立即形成局部发热并将所说的柱状凸起瞬刻熔掉。因此，直到在某些位置再次产生电介质击穿，脉冲电压会平均地施加在夹在凸起结构102和基片104之间的SiO₂层103所有部位。

在这一实施例中，使施加的脉冲电压为±15V，频率为4HZ。当测定在施加电压后形成的成核表面数目相应于上述柱状凸起结构之比随时间间隔的变化时，在5分钟后变为约40%，13分钟后约100%。

图1D表示具有上述形成的作为非成核表面SiO₂的基片和作为成核表面的不锈钢表面。在所说基片内成核表面的成核密度对非成核表面的成核密度之比发现为约10³。

对于板101的材料，当然可采用除不锈钢以外的金属作为材质。例如可以包括Mo、Cr、W、Ni等，也可使用导电性薄钢板。

（ⅱ）（选择单晶生长）

其次，通过利用上述所得图1D的基片进行如下所述的选择单晶硅的生长。

作为薄层形成装置，使用常规的热CVD装置。采用SiH₂Cl₂作为原料气体，HCl作为蚀刻气体，H₂作载体气体，PH₃作含有周期表V族元素的气体和B₂H₆作含有周期表Ⅲ族元素的气体来作为掺杂气体。首先，如图1E所示生长具有晶粒尺寸大约10μm的P⁺型单晶硅层106之后，在P⁺单晶硅层106之上使P^-硅层107生长，直到晶粒尺寸变为大约100μm，并使接连的单晶互相接触到形成图1F所示的晶粒间界。随后，使n⁺硅层108在P^-硅层107上生长至其厚度为0.5μm。这些半导体层的制备条件列于下表1中。

表1

PSi层（106）    PSi层（107）    nSi层（108）

SiH₂Cl₂（l/min） 1.0 1.2 1.2

HCl（l/min）    1.6    1.6    1.6

H₂（l/min 100 100 100

PH3/SiHCl（PPm）    0    0    6000

B₂H₆/SiH₂Cl₂（PPm） 4000 20 0

基片温度（℃）    920    920    900

反应压力（乇）    150    150    150

用光学显微镜观察上述生长的单晶时，发现它们在晶格上是规则排列的，从而确认按照上述图1A步骤所设置的柱状结构102所排列的图形已进行了晶体生长。

其次，如图1G所示，通过真空气相沉积制备了含有银的板栅电极109。

当通过使用AM-1.5太阳模拟器对上述所得具有电池面积为1.3cm²的太阳电池评价其特性时，开路电压是0.57V，短路光电流是29.5mA/cm²，曲线因数是0.80，得到能量转换效率为13.5%的高值。和现有技术具有大面积及低成本的非晶硅太阳电池相比，这是个较高的转换率。

再者，对在本实施例的上述步骤中形成板栅电极109之前，用电子束气相沉积通过增加一个形成厚度为约1000

ITO透明导电性薄层的步骤得到的太阳电池，类似地进行评价特性时，发现表面反射减少，短路光电流增大，同时能量转换效率被改善到14.8%。

实施例2

按照类似上述实施例1的步骤制备图2所示的太阳电池。

（ⅰ）（形成成核表面）

首先，类似于上述实施例，在不锈钢板上形成柱状凸起结构排列，其中a＝3μm，b＝50μm，c＝5μm。

此外，在不锈钢基片表面上利用常规溅射方法形成一层厚度为2000

的AuGe。将该AuGe层用作形成成核表面的材料。其次，按照常规的减压CVD方法在AuGe层表面上沉积Si₃N₄层203，该层是层厚 为约150 的形成非成核表面的材料。随后，类似于上述实施例1，用±12V的脉冲电压和5HZ的频率形成成核表面。在形成期间，测定了在脉冲电压施加后所形成成核表面的数目相应于于上述柱状凸出结构随时间间隔的比率，发现，经10分钟后变为接近100%。

（ⅱ）（选择单晶生长）

其次，通过利用上述基片，如下所述进行选择性GaAs单晶的生长。

作为薄层形成装置，采用常规MOCVD（金属有机CVD）装置。采用三甲基镓（TMG）和砷烷（AsH₃），作为起始原料气体，H₂作载体气体，氢化硒（H₂Se）和二甲基锌（DMEn）作掺杂气体。首先，在生长晶粒尺寸为大约5μm的n⁺GaAs层206后，在n⁺GaAs层206上使n^-GaAs层207生长，直至晶粒尺寸变为约50μm以及使连接的单晶彼此接触形成晶粒间界。随后，使厚度为0.1μm的P⁺GaAs层208在n^-GaAs层207上生长。这些半导体层的形成条件示于表2。

然后，利用真空气相沉积形成含Ag的板栅电极209。

当通过利用AM-1.5太阳模拟器对上述制得的电池面积为1.0cm²的太阳电池进行评价其特性时，开路电压为0.72V，短路光电流为20.5mA/cm²，曲线因数为0.82，得到能量转换效率为12.1%的高值。作为没有在窗口层中提供P-GaAlAs的GaAs太阳电池，这是非常高的转换效率。

实施例3

图3是示意说明，梗概地表示制备太阳电池装置的实例，该装置可用于实施本发明，并可在基片腹板上进行形成成核表面以及可同时和连续地在成核表面上进行晶体生长。

图3示出在压力可降低的形成室中（未示出）所提供的制备太阳电池装置的各个构成部件。

图3中，例如，0.2mm厚不锈钢腹板302由输送轴301馈出，并引入第一常压CVD装置303。在所述装置中，在腹板302的一个表面上SiO₂沉积至厚度为，例如约200 。

304，304′是导向轴。

自上述CVD装置303出来的腹板302进入成核表面形成装置313。该形成成核表面装置313采用这样的结构，以使在一个表面上以所要求图形预先排列的柱状凸起结构的不锈钢腹板305，以与上述腹板302相等的速度自输送轴307输送出，柱状凸起结构的凸起被引入与两个导向轴304，之间的所说腹板302接触。腹板305被缠绕在两个压力轴308上的橡胶带306牢靠地紧压住腹板302。腹板305要适应 于所施加的来自脉冲能源309的所需电势和频率的脉冲电压，脉冲能源309与一个控制器（未标出）连接。307′是腹板305的缠绕轴。

在上述成核表面形成装置313内以所要求图形成成核表面以后，腹板302进入减压CVD装置310。该CVD装置分成三个室，这些室有可连续通气的气门（未标出），在各个室中，连续地形成例如P⁺Si层、P^-Si层和n⁺Si层。

来自上述减压CVD装置310的腹板302进入上电极形成装置311。电板形成装置采取这样的结构，使得它可利用掩模图形形成一个例如含银的上电极，并可通过加热器干燥该电极。

在上述上电极形成装置311中形成的具有上电极并自电极形成装置导出的腹板，缠绕在缠绕轴312上。

通过利用上述装置制得具有如实施例1结构的太阳电池。在此情况下，通过利用厚0.2mm宽30cm不锈钢制成的腹板302，可使腹板以20cm/min的速度输送。当评价所制备的太阳电池特性时（标准电池面积1.5cm²），得到11.7%能量转换效率，腹板宽度方向的偏差不大（在±8%内）。

因此，按照本发明方法，找到了以低成本制备能量转换效率高的太阳电池。

如上所述，按照本发明，可制备在其上形成成核表面的基片，而无须进行直接涂覆抗蚀剂，曝光，显影，蚀刻等处理，从而可实现减少制备步骤。再者，和现有技术的晶体生长方法相对比，在利用光刻直接在基片上形成成核表面之后使晶体生长，其中，例如在基片上形成SiO₂之后暴露成核表面的步骤和利用CVD法在上述成核表面上使晶体生长的步骤，需要分别进行;而利用本发明，例如形 成SiO₂步骤，形成成核表面的步骤，在成核表面上生长晶体的步骤可同时完成，从而和现有技术比，可增强使晶体生长的效率，还有，能够以大面积形成在基片上晶粒间界部位受控制的大尺寸晶粒的晶体薄层。此外，利用这一方法制备太阳电池时，可制备具有大面积和如能量转换等良好特性的太阳电池，同时实现良好生长率和降低成本。

Claims (15)

1、一种制备选择晶体生长基片的方法，包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域使包含所说第一种材料层暴露出来。

2、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中所说的第一种材料是导电性材料。

3、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中所说的第二种材料是绝缘性材料。

4、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中在包含所说第一种材料导的暴露位置有多个。

5、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中施加所说电场是施加包含所说第二材料层的电介质击穿强度电压的50%或大于50%和小于100%。

6、根据权利要求1制备晶体选择生长基片的方法，其中所说施加电场是在所说基片和电接触点之间进行的。

7、根据权利要求6制备选择晶体生长基片的方法，其中所说电接触点具有柱状形状。

8、如权利要求1所述的制备选择晶体生长基片的方法，其中所述的清除所说区域从而使包含上述的第一材料的层暴露出来这一步骤这样进行，即使得被暴露层区域具有足够微小的面积，从而只形成一个单核，从这个单核再生长出上述的单晶。

9、如权利要求8所述的制备选择晶体生长基片的方法，其中通过采用气相方片进行晶体生长处理并且允许晶体从上述的单核生长的方法来形成上述的单核。

10、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说第一种材料是导电性材料。

11、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说第一种材料是绝缘性材料。

12、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中第一种材料层暴露出的位置有多个。

13、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说电场的施加是施加包含所说第二种材料电介质击穿强度电压的50%或大于50%和小于100%。

14、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说施加电场是在所说基片和电接触点之间进行的。

15、根据权利要求14的制备选择晶体生长基片的方法，其中民说电接触点具有柱状形状。

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