CN101641457B - 蒸镀源、蒸镀装置、成膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够成膜膜质良好的有机薄膜的蒸镀装置。本发明的蒸镀装置(1)在蒸发室(15)内配置有承接皿(41)，供给装置(30)将蒸镀材料(16)供给至该承接皿(41)上。承接皿(41)搭载在质量计(49)上，并对配置在承接皿(41)上的蒸镀材料(16)的质量进行测量，控制装置(45)比较该测量值和基准值，使供给装置(30)供给必要的量的蒸镀材料(16)。由于在必要时补充蒸镀材料(16)，因而，在成膜的途中蒸镀材料(16)不会耗尽，另外，由于大量的蒸镀材料(16)不会被长时间加热，因而，蒸镀材料(16)不变质。

Description

蒸镀源、蒸镀装置、成膜方法

技术领域

本发明涉及有机薄膜的技术领域，尤其涉及制造品质良好的有机薄膜的技术。 

背景技术

有机EL元件是近年来最受注目的显示元件之一，具有高亮度且响应速度快的优异特性。有机EL元件是在玻璃基板上配置以红、绿、蓝三色的不同颜色来发色的发光区域。发光区域是阳极电极膜、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层以及阴极电极膜以此顺序层叠，利用添加在发光层中的发色剂，以红、绿、或蓝进行发色。 

空穴输送层、发光层、电子输送层等一般由有机材料构成，在这种有机材料的膜的成膜中，广泛地使用蒸镀装置。 

图4的符号203是现有技术的蒸镀装置，在真空槽211的内部配置有蒸镀容器212。蒸镀容器212具有容器本体221，该容器本体221的上部由形成有一个乃至多个放出口224的盖部222堵塞。 

在蒸镀容器212的内部配置有粉体的有机蒸镀材料200。 

在蒸镀容器212的侧面和底面配置有加热器223，如果对真空槽211内进行真空排气且加热器223发热，则蒸镀容器212升温，蒸镀容器212内的有机蒸镀材料200被加热。 

如果将有机蒸镀材料200加热至蒸发温度以上的温度，则在蒸镀容器212内充满着有机材料蒸气，从放出口224放出至真空槽211内。 

在放出口224的上方配置有基板搬送装置214，如果使基板205保持在保持具210上并使基板搬送装置214工作，则基板205通过放 出口224的正上方位置，从放出口224放出的有机材料蒸气到达基板205表面，形成空穴注入层或空穴输送层等的有机薄膜。 

如果一边使有机材料蒸气放出，一边使基板205逐片地通过放出口224之上，那么，能够在多片基板205上逐次形成有机薄膜。 

专利文献1：日本特开2003-96557号公报 

发明内容

但是，为了如上述般对多片基板205进行成膜，必须在蒸镀容器212内配置大量的有机蒸镀材料200。在实际的生产现场，一边将蒸镀材料加热至350℃～450℃，一边连续120小时以上进行成膜处理，因而蒸镀容器212内的有机蒸镀材料200长时间暴露于高温，与蒸镀容器中的水分反应而变质，或者因加热而进行分解，与加热初期的状态相比，有机蒸镀材料200劣化。 

如果增加供给次数，并减少1次的供给量，那么，虽然防止了有机蒸镀材料200的劣化，但如果1次的供给量少，则能够连续地运转的时间变短。而且，在由于加热装置的问题等而使有机蒸镀材料200的蒸发速度上升的情况下，或者在基板205的搬送速度变慢的情况下，在成膜于基板205上的途中，有机蒸镀材料200耗尽，成为不良品。 

为了解决上述问题，本发明是一种蒸镀源，具有：设有放出口的蒸镀容器、经由连接口而连接到上述蒸镀容器的蒸发室、配置在上述蒸发室的内部的承接皿、将蒸镀材料配置在上述承接皿的供给装置、被施加有上述承接皿的负荷的质量计。 

本发明是一种蒸镀源，其中，上述供给装置具有：配置有上述蒸镀材料的供给室、一端连接到上述供给室且另一端在上述承接皿的上方位置连接到上述蒸发室的供给管、插入并贯通上述供给管的旋转轴、形成在上述旋转轴的侧面上的螺旋状的沟、使上述旋转轴以中心轴线为中心而旋转的旋转装置。 

本发明是一种蒸镀源，其中，具有对配置在上述承接皿的上述蒸 镀材料进行加热的加热装置。 

本发明是一种蒸镀源，其中，上述加热装置是激光产生装置，上述激光产生装置构成为，能够对配置在上述承接皿的上述蒸镀材料照射激光。 

本发明是一种蒸镀源，其中，具有分别连接到上述质量计和上述供给装置的控制装置，上述质量计将与上述承接皿的负荷相对应的信号传达至上述控制装置，上述控制装置根据从上述质量计传达的上述信号而控制上述旋转轴的旋转量。 

本发明是一种蒸镀装置，具有真空槽和蒸镀源，其中，上述蒸镀源具有：设有放出口的蒸镀容器、经由连接口而连接到上述蒸镀容器的蒸发室、配置在上述蒸发室的内部的承接皿、将蒸镀材料配置在上述承接皿的供给装置、被施加有上述承接皿的负荷的质量计，上述蒸镀容器的内部空间和上述真空槽的内部空间经由上述放出口而连接。 

本发明是一种成膜方法，其中，从供给装置将蒸镀材料供给至蒸发室的内部，在上述蒸发室的内部使上述蒸镀材料蒸发，使上述蒸镀材料的蒸气从连接到上述蒸发室的1个或多个放出口放出至真空槽内部，并使多片基板在从搬送源向搬送目的连续地移动的期间通过上述放出口的正上方位置，在上述各基板表面上成膜薄膜，其特征在于，计数通过放出口之上的上述基板的片数，在从预先决定的片数的上述基板结束通过最接近上述搬送目的的上述放出口的上方位置之后，在下一个上述基板到达最接近上述搬送源的上述放出口的上方位置之前，测量上述蒸发室内部的上述蒸镀材料的质量，比较该测量值和预先决定的基准值，并将上述蒸镀材料补充至上述蒸发室。 

本发明是一种成膜方法，其中，以比预先决定的片数的上述基板的成膜所必需的质量大的质量作为上述基准值，以上述蒸发室的内部的上述蒸镀材料成为上述基准值的方式进行补充。 

本发明是一种成膜方法，其中，以比预先决定的片数的上述基板的成膜所必需的质量大的质量作为上述基准值，当上述测量值为上述 基准值以下时，补充上述蒸镀材料。 

本发明如上述般构成，由于本发明的蒸镀源能够在必要时供给必要量的蒸镀材料，因而蒸镀材料的劣化难以发生。 

通过比较实际的测量值和基准值，能够将所期望的量的蒸镀材料正确地配置在蒸发室内部。 

照射激光而使蒸镀材料蒸发的方法，与电阻加热等其它的加热方法相比，难以产生蒸镀材料的化学变性。 

由于有机EL材料(电荷移动材料、发光材料、电子移动材料等)容易产生因加热而导致的化学变性，因而，如果在蒸镀材料的加热中使用激光，那么，有机EL材料的变性少，能够制造发光量高的有机EL装置。 

由于激光也能够使聚合物无化学变性地蒸发，因而，能够用蒸镀法来成膜以往用喷墨法、网版印刷法、旋转涂布法来成膜的聚合物薄膜。 

本发明的蒸镀源能够长时间运转，由于蒸镀材料并不会长时间地暴露在高温下，因而蒸镀材料不分解或变质。能够成膜蒸镀材料和化学组成不变的薄膜。如果在有机EL装置的有机层的成膜中使用本发明的蒸镀源，那么，能够制造发光量高的有机EL装置。由于在成膜途中蒸镀材料不会耗尽，因而不产生不良品。形成膜厚分布均匀的薄膜。 

附图说明

图1是用于说明本发明的第一例的蒸镀装置的立体图。 

图2是用于说明该蒸镀装置的内部的模式剖面图。 

图3是用于说明本发明的第二例的蒸镀装置的模式剖面图。 

图4是用于说明现有技术的蒸镀装置的剖面图。 

符号说明 

1、50：蒸镀装置 

2：激光产生装置 

6：基板 

11：真空槽 

15：蒸发室 

21：蒸镀容器 

30：供给装置 

具体实施方式

图1的立体图、图2的概略剖面图的符号1是本发明的实施例，表示第一例的蒸镀装置。该蒸镀装置1具有真空槽11和蒸镀源3(在图1中省略了真空槽11)。 

在真空槽11上连接有真空排气系9，如果使真空排气系9工作，则对真空槽11的内部进行真空排气。 

蒸镀源3具有蒸镀容器21、蒸发室15、供给装置30、承接皿41、质量计49以及控制装置45。蒸镀容器21配置在真空槽11内部。 

在蒸镀容器21上形成有1个或多个放出口24，如后所述，其构成为，如果从供给装置30供给的蒸镀材料16在蒸发室15内蒸发，则该蒸气被导入蒸镀容器21内部，蒸镀材料的蒸气从各放出口24放出至真空槽11的内部。 

在真空槽11的内部，设有图中未显示的搬送源和搬送目的，从搬送源至搬送目的，延伸设置有基板搬送机构14。在基板搬送机构14上安装有多个保持具10，在各保持具10上分别安装有作为成膜对象物的基板6。 

基板6构成为，在被保持于保持具10的状态下，每次1片或多片地从搬送源被搬送至搬送目的。 

各放出口24分别位于基板被搬送的搬送路径的途中的下方，在从基板的边缘到达最接近搬送源的放出口24的边缘起，直到基板的边缘结束通过最接近搬送目的的放出口24的边缘为止的期间，在基板表面上成膜蒸镀材料的薄膜。另外，也可以在基板和放出口24之间配置掩模，仅在基板表面的规定区域形成薄膜。 

接着，详细地说明蒸镀源3。供给装置30具有供给室31、供给管32及旋转轴35。供给室31配置在蒸发室15的上方。 

在供给室31的底面设有开口，供给管32的一端连接到供给室31的内部，另一端从蒸发室15的顶面气密地插入内部。 

供给室31的顶面侧的直径大于底面侧，底部的侧壁倾斜。在此蒸镀装置1中使用的蒸镀材料16为粉体，如果在供给室31中容纳蒸镀材料16，则蒸镀材料16在形成于底部的倾斜上滑动，并向着作为与供给管32的连接部分的开口落入。 

旋转轴35以上端比开口更突出至上方的方式插入供给管32，向着开口落入的蒸镀材料16积存在旋转轴35的周围。 

在旋转轴35的侧面中的比供给管32的下端更上方的部分，至少到比供给室31和供给管32的连接部分更上方的位置为止，形成有螺旋状的沟，积存在旋转轴35的周围的蒸镀材料16接触于该沟。 

旋转轴35的沟和沟之间的凸部，与供给管32的内壁面接触，或者凸部和内壁面之间的间隙为蒸镀材料16的粒子径以下，在旋转轴35静止的状态下，蒸镀材料16不通过供给室31底面的开口而落下至蒸发室15内部。 

在真空槽11的外部配置有旋转装置37。旋转轴35连接到旋转装置37上，其构成为，如果将旋转装置37的动力传达至旋转轴35，则旋转轴35既不上升也不下降，而是一边维持插入并贯通于供给管32内的状态，一边以中心轴线C为中心进行旋转。 

在此，在供给管32的内壁面上未形成有螺纹，如果旋转轴35以在上下方向上静止的状态旋转，则与旋转轴35的沟接触的蒸镀材料16被推出至下方。 

沟的下端的开口连接到蒸发室15的内部空间，如果蒸镀材料16 被推出至下方，则落下至蒸发室15内部。 

承接皿41配置在蒸发室15内部的供给管32下端的正下方，落下的蒸镀材料16配置在承接皿41。 

在蒸发室15的底壁形成有贯通孔，在贯通孔中插入有上轴46的上端，承接皿41被安装在该上轴46上。 

上轴46的下端经由支持板43而被安装在下轴47的上端。下轴47的下端搭载在质量计49上，所以，承接皿41经由上轴46、支持板43及下轴47而搭载在质量计49上，承接皿41和承接皿41上的蒸镀材料16的负荷施加在质量计49上。 

在此，在蒸发室15底壁的贯通孔的周围气密地安装有波纹管42的一端，波纹管42的另一端在上轴46的周围被气密地安装在支持板43上，蒸发室15的内部空间从外部气氛被隔离。 

波纹管42可伸缩，如果蒸镀材料16落下，承接皿41和蒸镀材料16的合计质量增加，则在维持从外部气氛隔离蒸发室15的状态下波纹管42伸长，质量增加的部分的负荷不被波纹管42阻挡而传达至质量计49。 

质量计49和旋转装置37分别连接到控制装置45上。质量计49例如为应变仪，向控制装置45传达与承接皿41和承接皿41上的蒸镀材料16的合计负荷相应的信号。 

承接皿41的质量事先已知，控制装置45根据从质量计49传达的信号和承接皿41的质量，算出配置在承接皿41的蒸镀材料16的质量。 

旋转轴35的旋转量和落下至承接皿41的蒸镀材料16的质量的关系事先已知(例如，在1次旋转下为0.01g)，如果求出仅供给蒸镀材料16的必要量的旋转轴35的旋转量，并将旋转轴35仅旋转所求出的旋转量，那么，能够将必要量的蒸镀材料16补充至蒸发室15内部。 

旋转轴35的旋转量和落下至承接皿41的量并不一定始终保持一定的关系，例如，在蒸镀材料16的一部分凝集并生成块的情况下，当该块落下时，比与旋转量相应的量多的量的蒸镀材料16落下至承接皿41。所以，如果仅将旋转轴35旋转从必要量求出的旋转量，则有时候产生误差。 

如上所述，由于控制装置45能够测量承接皿41上的蒸镀材料16的质量，因而，一边测量承接皿41上的蒸镀材料16的质量，一边使旋转轴35旋转，在结束旋转从必要量求出的旋转量之前，如果测量值达到必要量，则停止旋转，即使结束旋转与必要量相应的旋转量，但如果测量值未达到必要量，那么，增加旋转量，也能够将必要量的蒸镀材料16正确地配置在承接皿41。 

在蒸发室15上设有透明的窗部19。在此，蒸发室15位于真空槽11内部，在真空槽11的侧壁的与窗部19面对的位置也设有窗部4，但在蒸发室15中的至少形成有窗部19的部分配置在真空槽11外部的情况下，没有必要在真空槽11设置窗部4。 

在真空槽11的外部配置有作为加热装置的激光产生装置2，其构成为，激光产生装置2所照射的激光通过窗部4、19，照射至承接皿41上的蒸镀材料16，并使其升温。 

在蒸发室15和蒸镀容器21之间设有连接管26，由连接管26将蒸发室15和蒸镀容器21的内部空间连接。 

上述的放出口24设在蒸镀容器21的顶面上，所以，蒸发室15的内部空间经由连接管26、蒸镀容器21以及放出口24而连接到真空槽11的内部空间。 

真空排气系9分别连接到真空槽11、蒸发室15以及蒸镀容器21上，使真空排气系9工作，对其空槽11、蒸发室15以及蒸镀容器21的内部空间进行真空排气，形成规定压力的真空气氛，然后，继续真空槽11的真空排气，并停止蒸发室15和蒸镀容器21的真空排气。 

预先将有机EL层用的有机材料(例如电荷移动材料、电荷产生材料、电子移动材料)作为蒸镀材料16而配置在供给室31内，并将蒸镀材料16配置在承接皿41。 

一边继续真空槽11的真空排气，一边从激光产生装置2照射该蒸镀材料16的吸收波长的激光，使蒸镀材料16的蒸气产生。 

连接管26的内部空间中的直径最小的部分(连接口)38小于蒸发室15或蒸镀容器21的剖面形状，因而，在蒸发室15和蒸镀容器21产生压力差，充满于蒸发室15的蒸气喷出至蒸镀容器21。在此，连接管26的内径均匀(例如内径1mm的不锈钢管)，连接管26内部的任意一部份成为连接口38。 

通过连接口38而进入蒸镀容器21内的蒸气，如果充满于蒸镀容器21内部，则通过设在蒸镀容器21的顶面处的放出口24而被放出至真空槽11的内部。 

如果在蒸镀容器21的内部压力稳定且来自放出口24的蒸气放出量稳定之后，将基板6从搬送源向搬送目的连续地搬送，则在通过放出口24之上的期间，在各基板6上成膜有机材料的薄膜。 

如果一边将多片基板6连续地从搬送源向搬送目的搬送，一边继续进行真空槽11的真空排气和蒸镀材料16的加热，那么，能够在多片基板6上连续地形成薄膜。 

如果不补充蒸镀材料16就继续进行蒸镀材料16的加热，并进行多片基板6的成膜，则承接皿41上的蒸镀材料16减少，在对基板6进行成膜的途中，蒸镀材料16耗尽，该基板6成为不良品。 

在本发明中，在蒸镀材料16耗尽之前，在各放出口24处不存在基板6的状态下，补充蒸镀材料16。 

具体而言，以最接近搬送源的放出口24的正上方位置或者比该正上方位置更靠近搬送源侧规定距离的位置为成膜开始位置，以最接近搬送目的的放出口24的正上方位置或者比该正上方位置更靠近搬送目的侧规定距离的位置为成膜结束位置，在该情况下，如果使基板6和基板6的搬送间隔比成膜开始位置和成膜结束位置之间的距离长，那么，在从上一个基板的搬送方向最末尾通过成膜结束位置起，直到下一个基板6的搬送方向前端到达成膜开始位置为止的期间，至少在 从最靠近搬送源侧的放出口24的正上方位置起，直到最靠近搬送目的的放出口24的正上方位置为止之间，产生不存在基板6的状态。 

在一边加热承接皿41上的蒸镀材料16一边补充蒸镀材料16的情况下，补充后的瞬间蒸发量增大，短期间的来自放出口24的放出量增大，但是，如果在从上一个基板的搬送方向最末尾通过成膜结束位置起，直到下一个基板6的搬送方向前端到达成膜开始位置为止的期间，进行蒸镀材料16的补充，那么，由于在补充蒸镀材料16的期间，在各放出口24之上不存在基板6，因而在基板6的膜厚分布上不产生偏差。 

更具体地说明蒸镀材料16的补充方法，预先决定通过1次补充而成膜的基板6的片数，并求出该片数部分的基板6的成膜所必需的蒸镀材料16的量，将比该量大的值作为基准值而决定，预先将通过1次补充而成膜的基板6的片数和基准值输入至控制装置45。 

控制装置45计数通过成膜结束位置的基板6的片数，在预先决定的片数的基板6结束通过成膜结束位置之后，在下一个基板6到达成膜开始位置之前，对在各放出口24之上不存在基板6的状态下的承接皿41上的、蒸镀材料16的质量进行测量，并比较测量值和基准值。 

在本发明的第1方法中，将测量值和基准值进行比较，求出基准值和测量值的差，在下一个基板6到达成膜开始位置之前，补充该差的部分的蒸镀材料16，使承接皿41上的蒸镀材料16的质量为基准值。 

在本发明的第2方法中，将测量值和基准值进行比较，如果测量值为基准值以上，那么，即使在所决定的片数的基板6结束通过成膜结束位置时，也不进行补充，而接着进行所决定的片数的基板6的成膜。对每组所决定的片数进行测量值和基准值的比较，当测量值不满基准值时，补充蒸镀材料16，以使测量值成为基准值以上。 

在任何情况下，在下一个基板6到达成膜开始位置之前，由于配置有所决定的片数的成膜所必需的量以上的蒸镀材料16，因而，在基板6的成膜途中蒸镀材料16不会耗尽。

另外，关于测量值和基准值的比较，可以对每组相同的片数进行，也可以对每组不同的片数进行。在对每组不同的片数进行的情况下，对每组片数求出基准值，使与测量值相比较的基准值成为比接着不进行补充就连续成膜的片数部分的成膜所必需的量大的值。 

另外，关于承接皿41上的蒸镀材料16的质量测量，可以在基板6结束通过成膜结束位置之后进行，也可以在基板6结束通过成膜结束位置之前进行，并通过推测算出基板6通过成膜结束位置时的质量。 

总之，本发明对在各放出口24之上不存在基板6的状态下的、承接皿41上的蒸镀材料16的质量进行测量，并基于该测量值，在各放出口24之上不存在基板6的状态下，补充蒸镀材料16。 

关于蒸镀材料16的补充，可以在下一个基板6比成膜开始位置更停止于搬送源侧，从而不到达成膜开始位置的状态下进行，如果基板6的搬送间隔变长，并在下一个基板6到达成膜开始位置之前结束蒸镀材料16的补充，那么也可以一边搬送基板6，一边进行蒸镀材料16的供给。 

以上，说明了在蒸镀材料16的加热中使用激光产生装置2的情况，但本发明并不限于此，加热装置可以使用通过通电来发热的电阻发热体、通过电磁感应来加热蒸镀容器21的装置、通过红外线放射来加热蒸镀容器21的装置、通过升温的热介质的热传导来加热蒸镀容器21的装置以及通过珀耳帖(Peltier)效应来加热的装置等的加热蒸镀容器21的装置等。 

但是，激光不仅能够蒸发无机材料，还能够蒸发单体、低聚物、聚合物等的有机材料，而且蒸发时，蒸镀材料的化学组成的变化少，因而优选。 

另外，由于蒸镀材料16的变性物或杂质的吸收波长与变性前的蒸镀材料16即目的化合物不同，因而，如果选择容易被目的化合物吸收的波长的激光，那么，即使蒸镀材料16的一部分变性或杂质混 入，也能够选择性地仅使目的化合物蒸发，形成变性物或杂质的混入量少的薄膜。 

如果使用激光的波长可变的可变型的激光产生装置，以作为激光产生装置2，那么，能够根据蒸镀材料16的吸收波长来选择所放出的激光的波长，因而能够将本发明的蒸镀装置1用于多种蒸镀材料16的成膜中。 

激光的波长并无特别的限定，但在蒸镀材料16为聚合物的情况下，例如为680nm～10.6μm。就激光产生装置2的一例而言，为口径10μm～20μm的CO₂激光器。 

上述实施例中，通过本发明的蒸镀装置来形成有机薄膜，但本发明的蒸镀装置适用于因长时间加热而劣化的蒸镀材料在真空氛围内蒸发并在多个成膜对象物上逐次形成薄膜的制造方法，在蒸发室15内产生蒸气的蒸镀材料并不限于有机化合物。总之，本发明的蒸镀装置除了形成有机化合物的薄膜的情况以外，也能够用于形成无机薄膜或复合材料的薄膜。 

如果蒸镀材料16的蒸气被冷却，则发生析出，因而，优选至少在连接口38的周围(连接管26)设置加热装置28。在此，加热装置28也被安装在蒸发室15和蒸镀容器21上，如果在该加热装置28通电，并将蒸发室15、蒸镀容器21以及连接管26加热至蒸气不析出的温度，则蒸气不在蒸发室15、蒸镀容器21以及连接管26的内部析出。 

如果预先在蒸镀容器21内配置真空计5，并将真空计5和激光产生装置2分别连接到与连接有质量计49的控制装置相同的控制装置45或不同的控制装置上，基于从真空计5送出的信号来求出蒸镀容器21内的压力，改变激光产生装置2的照射时间、脉冲数等，以使该压力成为目标压力，那么，能够增减蒸镀材料16的蒸发量。 

这种情况下，来自放出口24的蒸气放出量稳定，但即使在对激光产生装置2进行控制的情况下，当补充蒸镀材料16时，蒸气放出量也将瞬间地增大，因而，优选在放出口24之上不存在基板6的状 态下进行蒸镀材料16的补充。 

也能够将蒸发室15和供给装置30配置在真空槽11的外部。这种情况下，没有必要在真空槽11设置窗部4。连接于一个蒸镀容器21的蒸发室15的数量并没有特别的限定，可以经由连接口38而将多个蒸发室15连接到一个蒸镀容器21上，并从多个蒸发室15将蒸气供给至蒸镀容器21。这种情况下，可以从各蒸发室15供给相同的蒸镀材料16的蒸气，也可以供给不同的蒸镀材料16的蒸气。如果同时供给不同的蒸镀材料16的蒸气，那么形成由2种以上的蒸镀材料16构成的薄膜。 

以上说明了在蒸发室15和蒸镀容器21也连接有真空排气系9的情况，但本发明并不限于此。可以将真空排气系9仅连接至真空槽11，通过对真空槽内部进行真空排气，能够经由放出口24对蒸镀容器21的内部进行真空排气，再经由连接口38对蒸发室15的内部进行真空排气。而且，能够将蒸发室15和蒸镀容器21的任一方连接至真空排气系。 

以上说明了使放出口24朝向竖直上方，并使基板6通过放出口24的上方的情况，但本发明并不限于此，例如，也可以使细长的蒸镀容器21的长度方向朝向竖直下方，以竖直地朝向的状态搬送被保持在保持具10上的基板6，并使其通过与放出口24面对的位置，从而也能够使蒸气到达基板6的表面。 

[0102] 以上，说明了以与放出口24面对的位置成为一列的方式使基板6通过的情况，但本发明并不限于此，形成2个以上的搬送路径并使2列以上的基板6通过的情况也被包含在本发明中。 

Claims (5)

1.一种蒸镀源，具有：

设有放出口的蒸镀容器、

经由连接口而连接到所述蒸镀容器的蒸发室、

配置在所述蒸发室的内部的承接皿、

使蒸镀材料落下并配置在所述承接皿的供给装置、

对配置在所述承接皿的所述蒸镀材料进行加热的加热装置、

被施加有所述承接皿的负荷的质量计，

所述供给装置具有：

配置有所述蒸镀材料的供给室、

一端连接到所述供给室且另一端在所述承接皿的上方位置连接到所述蒸发室的供给管、

插入并贯通所述供给管的旋转轴、

形成在所述旋转轴的侧面上的螺旋状的沟、

使所述旋转轴以中心轴线为中心而旋转的旋转装置，

所述加热装置是激光产生装置，所述激光产生装置构成为，能够对配置在所述承接皿的所述蒸镀材料照射激光，

所述蒸镀源具有分别连接到所述质量计和所述供给装置的控制装置，

所述质量计将与所述承接皿的负荷相对应的信号传达至所述控制装置，

所述控制装置根据从所述质量计传达的所述信号而控制所述旋转轴的旋转量。

2.一种蒸镀装置，具有真空槽和蒸镀源，其中，

所述蒸镀源具有：

设有放出口的蒸镀容器、

经由连接口而连接到所述蒸镀容器的蒸发室、

配置在所述蒸发室的内部的承接皿、

使蒸镀材料落下并配置在所述承接皿的供给装置、

对配置在所述承接皿的所述蒸镀材料进行加热的加热装置、

被施加有所述承接皿的负荷的质量计，

所述蒸镀容器的内部空间和所述真空槽的内部空间经由所述放出口而连接，

所述供给装置具有：

配置有所述蒸镀材料的供给室、

一端连接到所述供给室且另一端在所述承接皿的上方位置连接到所述蒸发室的供给管、

插入并贯通所述供给管的旋转轴、

形成在所述旋转轴的侧面上的螺旋状的沟、

使所述旋转轴以中心轴线为中心而旋转的旋转装置，

所述加热装置是激光产生装置，所述激光产生装置构成为，能够对配置在所述承接皿的所述蒸镀材料照射激光，

所述蒸镀源具有分别连接到所述质量计和所述供给装置的控制装置，

所述质量计将与所述承接皿的负荷相对应的信号传达至所述控制装置，

所述控制装置根据从所述质量计传达的所述信号而控制所述旋转轴的旋转量。

3.一种成膜方法，其中，

从供给装置使蒸镀材料落下并供给至蒸发室的内部的承接皿，

在所述蒸发室的内部对所述蒸镀材料照射激光并使所述蒸镀材料蒸发，

使所述蒸镀材料的蒸气从连接到所述蒸发室的1个或多个放出口放出至真空槽内部，并使多片基板在从搬送源向搬送目的连续地移动的期间通过所述放出口的正上方位置，在所述各基板表面上成膜薄膜，其特征在于，

计数通过放出口之上的所述基板的片数，

在从预先决定的片数的所述基板结束通过最接近所述搬送目的的所述放出口的上方位置之后，在下一个所述基板到达最接近所述搬送源的所述放出口的上方位置之前，测量所述蒸发室内部的所述蒸镀材料的质量，比较该测量值和预先决定的基准值，并将所述蒸镀材料补充至所述蒸发室。

4.根据权利要求3所述的成膜方法，其特征在于，

以比预先决定的片数的所述基板的成膜所必需的质量大的质量作为所述基准值，

以所述蒸发室的内部的所述蒸镀材料成为所述基准值的方式进行补充。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

以比预先决定的片数的所述基板的成膜所必需的质量大的质量作为所述基准值，

当所述测量值为所述基准值以下时，补充所述蒸镀材料。

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