CN109073800B - 阻隔膜及其制造方法、波长转换片及其制造方法、以及光学层叠体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种阻隔膜，具备：阻气性膜、以及配置于一个最外表面上的底漆层，该底漆层由含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

Description

阻隔膜及其制造方法、波长转换片及其制造方法、以及光学层 叠体及其制造方法

技术领域

本发明涉及阻隔膜及其制造方法、波长转换片及其制造方法、以及光学层叠体及其制造方法。

背景技术

使用了量子点等荧光体的波长转换片具有高的亮度及颜色再现性，期望用于显示器等。然而，量子点等荧光体因与氧或水分接触而劣化。因此，波长转换片通常采用以下结构：在高分子膜上形成有阻气层的阻隔膜被配置于含有荧光体的荧光体层的一侧或两侧的面上。

例如，在专利文献1中，将阻隔膜贴合至使量子点分散于丙烯酸类树脂和环氧树脂中而得到的荧光体层的两面上，从而防止了氧等渗透至荧光体层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/113562号

发明内容

发明所要解决的课题

然而，对于专利文献1所记载的分散有作为无机材料的量子点的荧光体层而言，其与阻隔膜的密合性差，荧光体层与阻隔层之间可能会发生剥离。另外，当长时间暴露于高湿度环境时，荧光体层与阻隔层之间可能会发生剥离。此外，不仅在波长转换片中，而且在光学层叠体中，阻隔膜的剥离会对性能降低造成显著的影响，因而需要提高阻隔膜与被粘物的密合性。

本发明是鉴于上述现有技术所具有的问题而完成的，其第一目的在于提供与荧光体层等被粘物的密合性优异的阻隔膜及其制造方法、以及波长转换片及其制造方法。

本发明是鉴于上述现有技术所具有的问题而完成的，其第二目的在于提供具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜与被粘物的密合性也优异的光学层叠体及其制造方法。本发明的第二目的还在于提供具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜与荧光体层的密合性也优异的波长转换片及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

(第一方面)

为了实现上述第一目的，作为本发明的第一方面，提供了一种阻隔膜，其具备：阻气性膜、以及配置于一个最外表面上的底漆层，该底漆层由含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

根据上述阻隔膜，通过在一个最外表面上具备由含有特定的有机金属化合物以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成的底漆层，从而经由该底漆层而与荧光体层等被粘物贴合，可得到对被粘物的优异的密合性。这是因为硅烷偶联剂对被粘物显示出高的亲和性，从而提高了密合性。另外，硅烷偶联剂通过水解而在底漆层中产生硅烷醇基，该硅烷醇基与跟底漆层接触的层表面上的羟基等极性官能团反应，从而有助于提高密合性，并可抑制水或氧等从底漆层和与其接触的层之间的界面处进入。另外，与单独使用硅烷偶联剂的情况相比，通过组合使用有机金属化合物和硅烷偶联剂，从而可以更加容易地得到具有足以能够确保优异密合性的厚度的底漆层。此时，不一定需要过多的加热或紫外线照射、以及老化等步骤。另外，有机金属化合物进入到硅烷偶联剂之间的键中，从而有助于形成更加牢固的底漆层、以及随之而来的密合性的提高。此外，有机金属化合物发挥了使未反应的硅烷偶联剂彼此结合的粘合剂的作用，通过防止在底漆层中存在过量的未反应硅烷偶联剂所引起的发粘性，从而可以容易地进行加工。因此，上述阻隔膜能够得到对荧光体层等被粘物的优异的密合性。

另外，根据上述阻隔膜，通过具有上述结构，从而能够得到良好的抗粘连性。另外，使用上述阻隔膜形成的波长转换片即使在高温下长时间保管后再用于背光单元的情况下，也能够得到良好的亮度。

在上述阻隔膜中，上述有机金属化合物优选包含选自由铝、锆、钛和锡所组成的组中的至少一种金属。通过使用这样的有机金属化合物，阻隔膜能够获得对荧光体层等被粘物的更加优异的密合性、以及发粘性得到了抑制的良好的加工性。

在上述阻隔膜中，上述硅烷偶联剂优选具有选自由乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、氨基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、硫醚基(sulfide group)及异氰酸酯基所组成的组中的至少一种官能团。通过使用这样的硅烷偶联剂，阻隔膜能够得到对荧光体层等被粘物的更加优异的密合性。另外，通过硅烷偶联剂的官能团的选择，从而能够得到对各种被粘物的优异的密合性。特别地，当被粘物表面存在官能团时，通过选择并使用具有与该官能团具有反应性或亲和性的官能团的硅烷偶联剂，从而可得到更加优异的密合性。

在上述阻隔膜中，上述底漆层的厚度优选为1nm至1000nm。通过底漆层的厚度在上述范围内，从而可得到阻隔膜与被粘物的更加优异的密合性，并且同时能够充分地抑制来自底漆层端部的水分和氧的侵入。

本发明另外还提供一种波长转换片，其具备：包含荧光体的荧光体层、以及在上述荧光体层的至少一个面上层叠的本发明的阻隔膜，上述阻隔膜在上述荧光体层那一侧的最外表面上具备上述底漆层。

根据上述波长转换片，通过经由底漆层而将阻隔膜和荧光体层层叠，该底漆层由含有特定的有机金属化合物和硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成，从而能够得到阻隔膜与荧光体层的优异的密合性。

本发明另外还提供一种阻隔膜的制造方法，该阻隔膜具备阻气性膜、以及配置于一个最外表面上的底漆层，该制造方法具有将底漆组合物涂布于上述阻气性膜上并使其固化从而形成上述底漆层的步骤，其中该底漆组合物含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂。

根据上述制造方法，能够容易地制造与荧光体层等被粘物的密合性及加工性优异的阻隔膜。若仅使用硅烷偶联剂，则底漆层会由于固化不足而产生发粘性，使得加工性容易降低，但是通过进一步包含有机金属化合物，从而促进固化并减少发粘性，能够提高加工性。

本发明进一步还提供一种波长转换片的制造方法，该波长转换片具备：包含荧光体的荧光体层、以及在上述荧光体层的至少一个面上层叠的具有阻气性膜以及配置于上述荧光体层那一侧的最外表面上的底漆层的阻隔膜，该制造方法具有将底漆组合物涂布于上述阻气性膜上并使其固化从而形成上述底漆层的步骤、以及将上述荧光体层和上述阻隔膜层叠的步骤，其中所述底漆组合物含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂。

根据上述制造方法，能够容易地制造阻隔膜与荧光体层的密合性优异的波长转换片。

(第二方面)

为了实现上述第二目的，作为本发明的第二方面，提供了一种光学层叠体，其具备：包含环氧树脂的被粘物、以及在上述被粘物的至少一个面上层叠的阻隔膜，其中上述阻隔膜在上述被粘物那一侧的最外表面上具备由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成的底漆层。

根据上述光学层叠体，通过经由底漆层而将阻隔膜和被粘物层叠，该底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成，从而能够得到阻隔膜与被粘物的优异的密合性。据推测这是因为，通过存在于被粘物中的环氧树脂和存在于底漆层中的氨基发生反应，从而提高了密合性。另外，具有氨基的硅烷偶联剂通过水解而在底漆层中产生硅烷醇基，该硅烷醇基与跟底漆层接触的层表面上的羟基等极性官能团发生反应，从而有助于提高密合性，并可抑制来自水或氧等从底漆层和与其接触的层之间的界面处进入。因此，上述光学层叠体具有良好的阻气性，并且同时阻隔膜和被粘物的密合性优异，即使在长时间地暴露于高湿度环境的情况下，也抑制了在荧光体层和阻隔膜之间发生剥离。

在上述光学层叠体中，上述底漆层的厚度优选为1nm至1000nm。若底漆层的厚度在上述范围内，则可得到阻隔膜与被粘物的更加优异的密合性，并且同时能够充分地抑制来自底漆层端部的水分和氧的侵入。

在上述光学层叠体中，上述阻隔膜优选具有至少依次配置上述底漆层、第1基材、阻隔层、以及第2基材而成的层叠结构。如此地，通过在阻隔层的两侧具有基材，从而能够防止阻隔层的损伤，并能够得到更优异的阻气性。

本发明另外还提供一种波长转换片，其具备：包含环氧树脂和荧光体的荧光体层、以及在上述荧光体层的至少一个面上层叠的阻隔膜，其中上述阻隔膜在上述荧光体层那一侧的最外表面上具备底漆层，该底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

根据上述波长转换片，通过经由底漆层而将阻隔膜和荧光体层层叠，该底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成，从而能够得到阻隔膜与荧光体层的优异的密合性。据推测这是因为，通过存在于荧光体层中的环氧树脂和存在于底漆层中的氨基发生反应，从而提高了密合性。另外，具有氨基的硅烷偶联剂通过水解而在底漆层中产生硅烷醇基，该硅烷醇基与跟底漆层接触的层表面上的羟基等极性官能团反应，从而有助于提高密合性，并可抑制水或氧等从底漆层和与其接触的层之间的界面处进入。因此，上述波长转换片具有良好的阻气性，并且同时阻隔膜和荧光体层的密合性优异，即使在长时间地暴露于高湿度环境的情况下，也抑制了在荧光体层和阻隔膜之间发生剥离。

本发明另外还提供一种光学层叠体的制造方法，该光学层叠体具备包含环氧树脂的被粘物、以及层叠于上述被粘物的至少一个面上且在上述被粘物那一侧的最外表面上具有底漆层的阻隔膜，该制造方法具有将包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于上述阻隔膜中的上述底漆层的下层上并使其固化从而形成上述底漆层的步骤、以及将上述被粘物和上述阻隔膜层叠的步骤。

根据上述制造方法，能够容易地制造具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜与被粘物的密合性优异的光学层叠体。

本发明进一步还提供一种波长转换片的制造方法，该波长转换片具备包含环氧树脂及荧光体的荧光体层、以及层叠于上述荧光体层的至少一个面上且在上述荧光体层那一侧的最外表面上具有底漆层的阻隔膜，该制造方法具有将包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于上述阻隔膜中的上述底漆层的下层上并使其固化从而形成上述底漆层的步骤、以及将上述荧光体层和上述阻隔膜层叠的步骤。

根据上述制造方法，能够容易地制造具有良好的阻气性、同时阻隔膜与荧光体层的密合性优异的波长转换片。

发明的效果

根据本发明的第一方面，能够提供与荧光体层等被粘物的密合性优异的阻隔膜及其制造方法、以及波长转换片及其制造方法。

另外，根据本发明的第二方面，能够提供具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜与被粘物的密合性也优异的光学层叠体及其制造方法。此外，根据本发明，能够提供具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜与荧光体层的密合性也优异的波长转换片及其制造方法。

附图简要说明

[图1]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图2]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图3]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图4]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图5]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图6]示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。

[图7]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图8]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图9]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图10]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图11]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图12]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

[图13]示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选的实施方式详细地说明。需要说明的是，附图中，对相同或相当部分标注同一附图标记，并省略重复的说明。另外，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。

[阻隔膜及波长转换片]

根据本发明第一方面的阻隔膜具备：阻气性膜、以及配置于阻隔膜的一个最外表面上的底漆层，该底漆层由含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。以下，一边使用附图一边对本发明的阻隔膜的优选实施方式进行说明。

图1至图6为示出了本发明的阻隔膜的一个实施方式的示意性剖面图。图1所示的阻隔膜100具备：作为阻气性膜的第1膜1、作为阻气性膜的第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层14与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜100中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于第2膜2的第2基材21那一侧的表面上。对于具有图1所示结构的阻隔膜100，由于将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，通过将阻隔层15和25配置于比第1基材11和第2基材21更靠内的内侧，从而保护了阻隔层15和25，抑制了阻隔层15和25的损伤。

图2所示的阻隔膜200具备：作为阻气性膜的第1膜1、作为阻气性膜的第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得第1基材11与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜200中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于第2膜2的第2基材21那一侧的表面上。对于具有图2所示结构的阻隔膜200，由于将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，通过将阻隔层15配置于底漆层4那一侧、即更靠近被粘物的位置处，从而能够更加充分地抑制水分或氧向被粘物的侵入。

图3所示的阻隔膜300具备：作为阻气性膜的第1膜1、第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。第2膜2仅由第2基材21构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层24与第2基材21彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜300中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于构成第2膜2的第2基材21的与粘接层5相反的那一侧的表面上。对于具有图3所示结构的阻隔膜300，由于仅由第2基材21构成了第2膜2，因而能够设法简化制造步骤及降低成本，进一步地，通过改变第2基材21的厚度，从而也能够根据需要来赋予刚性。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

图4所示的阻隔膜400具备：作为阻气性膜的第1膜1、底漆层4、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。在阻隔膜300中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上。对于具有图4所示结构的阻隔膜400，由于不具备第2膜2和粘接层5，因而能够设法简化制造步骤、降低成本以及实现薄型化。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

图5所示的阻隔膜500具备：作为阻气性膜的第1膜1、作为阻气性膜的第2膜2、第3膜3、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第3膜3仅由第3基材31构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层14与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。第2膜2与第3膜3经由粘接层5以使得第2基材21与第3基材31彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜500中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第3基材31接触的状态下被配置于构成第3膜3的第3基材31的与粘接层5相反的那一侧的表面上。对于具有图5所示结构的阻隔膜500，由于将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，通过将阻隔层15和25配置于比第1基材11和第2基材21更靠内的内侧，从而保护了阻隔层15和25，抑制了阻隔层15和25的损伤。此外，通过具备第3膜3，从而能够抑制阻隔膜500产生褶皱。另外，通过改变第3基材31的厚度，从而也能够根据需要来赋予刚性。

图6所示的阻隔膜600具备：作为阻气性膜的第1膜1、第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。第2膜2仅由第2基材21构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得第1基材11与第2基材21彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜600中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于构成第2膜2的第2基材21的与粘接层5相反的那一侧的表面上。对于具有图6所示结构的阻隔膜600，由于仅由第2基材21构成了第2膜2，因而能够设法简化制造步骤及降低成本，进一步地，通过改变第2基材21的厚度，从而也能够根据需要来赋予刚性。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

具有上述结构的阻隔膜具有良好的阻气性，同时经由底漆层4而与荧光体层等被粘物相互贴合，从而能够得到优异的密合性。另外，由于底漆层4对第1基材11和阻气性被覆层14都显示出极其良好的粘合性，因此也充分抑制了在阻隔膜内发生剥离。因此，具有上述结构的阻隔膜能够抑制氧或水分从阻隔膜和被粘物之间的界面处侵入，能够抑制被粘物的劣化。从密合性的方面考虑，更优选将底漆层4涂布于第1基材11。当底漆层4与第1基材11或阻气性被覆层14的密合性差时，通过对第1基材11或阻气性被覆层14施加电晕处理、火焰处理及等离子体处理等，从而能够进一步提高与底漆层4的密合性。

使用了上述阻隔膜的根据本发明第一方面的波长转换片具备：包含荧光体的荧光体层、以及在上述荧光体层的至少一个面上层叠的本发明的阻隔膜，其中上述阻隔膜在上述荧光体层那一侧的最外表面上具备上述底漆层。图7是示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。图7所示的波长转换片800具有这样的结构，其中包含荧光体并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜100夹持。一对阻隔膜100与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。在具有上述结构的波长转换片800中，由于阻隔膜100与荧光体层7经由底漆层4而相互贴合，因而得到了优异的密合性。需要说明的是，阻隔膜100也可以是上述的阻隔膜200、阻隔膜300或者阻隔膜400。

根据本发明第二方面的光学层叠体具备：包含环氧树脂的被粘物、以及在上述被粘物的至少一个面上层叠的阻隔膜，其中上述阻隔膜在上述被粘物那一侧的最外表面上具备底漆层，该底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。在此，作为光学层叠体，具体可列举出波长转换片。另外，被粘物根据光学层叠体的种类而不同，当光学层叠体为波长转换片时，被粘物为荧光体层。以下，基于光学层叠体为波长转换片的情况来说明本发明的优选实施方式。

图8至图13为示出了本发明的波长转换片的一个实施方式的示意性剖面图。图8所示的波长转换片1100具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜50夹持。阻隔膜50具备第1膜1、第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层14与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜50中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于第2膜2的第2基材21那一侧的表面上。一对阻隔膜50与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图8所示结构的波长转换片1100，由于具有将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合而得的阻隔膜50，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，在阻隔膜50中，通过将阻隔层15和25配置于比第1基材11和第2基材21更靠内的内侧，从而保护了阻隔层15和25，并且抑制了在与荧光体层7层叠之前的阻隔层15和25的损伤。

图9所示的波长转换片1200具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜60夹持。阻隔膜60具备第1膜1、第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得第1基材11与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜60中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于第2膜2的第2基材21那一侧的表面上。一对阻隔膜60与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图9所示结构的波长转换片1200，由于具有将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合而得的阻隔膜60，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，在阻隔膜60中，通过将阻隔层15配置于底漆层4那一侧、即更靠近荧光体层7的位置处，从而能够更加充分地抑制水分或氧向荧光体层7的侵入。

图10所示的波长转换片1300具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜70夹持。阻隔膜70具备第1膜1、第2膜2、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。第2膜2仅由第2基材21构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层14与第2基材21彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜70中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第2基材21接触的状态下被配置于构成第2膜2的第2基材21的与粘接层5相反的那一侧的表面上。一对阻隔膜70与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图10所示结构的波长转换片1300，由于仅由第2基材21构成了第2膜2，因而能够设法简化制造步骤及降低成本，进一步地，通过改变第2基材21的厚度，从而也能够根据需要来对阻隔膜70赋予刚性。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

图11所示的波长转换片1400具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜80夹持。阻隔膜80具备第1膜1、底漆层4、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。在阻隔膜80中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上。一对阻隔膜80与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图11所示结构的波长转换片1400，由于不具备第2膜2和粘接层5，因而能够设法简化制造步骤、降低成本以及实现薄型化。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

图12所示的波长转换片1500具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜55夹持。阻隔膜55具备第1膜1、第2膜2、第3膜3、底漆层4、粘接层5、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14构成的阻隔层15。第2膜2具备：第2基材21、锚固涂层22、以及由无机薄膜层23和阻气性被覆层24构成的阻隔层25。第3膜3仅由第3基材31构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得阻气性被覆层14与阻气性被覆层24彼此面对的方式而相互贴合。第2膜2与第3膜3经由粘接层5以使得第2基材21与第3基材31彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜55中，底漆层4在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上，消光层6在与第3基材31接触的状态下被配置于构成第3膜3的第3基材31的与粘接层5相反的那一侧的表面上。一对阻隔膜55与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图12所示结构的波长转换片1500，由于具备将第1膜1和第2膜2这两片阻气性膜相互贴合而得的阻隔膜55，因而能够更加充分地抑制水分或氧的渗透。另外，在阻隔膜55中，通过将阻隔层15和25配置于比第1基材11和第2基材21更靠内的内侧，从而保护了阻隔层15和25，抑制了在与荧光体层7层叠之前的阻隔层15和25的损伤。此外，阻隔膜55通过具备第3膜3，从而能够抑制阻隔膜55产生褶皱。另外，通过改变第3基材31的厚度，从而也能够根据需要将刚性赋予阻隔膜55。

图13所示的波长转换片1600具备这样的结构，其中含有环氧树脂并且具有波长转换功能的荧光体层7被一对阻隔膜85夹持。阻隔膜85具备第1膜1、第2膜2、底漆层4、以及消光层6。在此，第1膜1具备：第1基材11、锚固涂层12、以及由无机薄膜层13和阻气性被覆层14交替层叠各2层而成的阻隔层15。第2膜2仅由第2基材21构成。第1膜1与第2膜2经由粘接层5以使得第1基材11与第2基材21彼此面对的方式而相互贴合。在阻隔膜85中，底漆层4在与阻气性被覆层14接触的状态下被配置于第1膜1的阻气性被覆层14那一侧的表面上，消光层6在与第1基材11接触的状态下被配置于第1膜1的第1基材11那一侧的表面上。一对阻隔膜85与荧光体层7以使得底漆层4与荧光体层7接触的方式进行层叠。对于具有图13所示结构的波长转换片1600，由于仅由第2基材21构成了第2膜2，因而能够设法简化制造步骤及降低成本，进一步地，通过改变第2基材21的厚度，从而也能够根据需要将刚性赋予阻隔膜85。另外，由于阻隔层15是交替层叠无机薄膜层13和阻气性被覆层14各2层而得的结构，因而能够提高阻气性。

具有上述结构的波长转换片具有良好的阻气性，并且同时底漆层4和荧光体层7之间的密合性优异，因而即使当长时间地暴露于高湿度环境时，也能够抑制荧光体层7与阻隔膜之间发生剥离。另外，由于底漆层4对第1基材11和阻气性被覆层14都显示出极其良好的粘合性，因此也充分抑制了在阻隔膜内发生剥离。因此，具有上述结构的波长转换片能够长时间地维持良好的阻气性。从密合性的方面考虑，更优选将底漆层4涂布于第1基材11。当底漆层4与第1基材11或阻气性被覆层14的密合性差时，通过对第1基材11或阻气性被覆层14施加电晕处理、火焰处理和等离子体处理等，从而能够进一步提高与底漆层4的密合性。

以下，对于构成阻隔膜和波长转换片的各个层进行详细的说明。

(基材)

第1基材11、第2基材21以及第3基材31优选为高分子膜。作为高分子膜的材质，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙等聚酰胺；聚丙烯和环烯烃等聚烯烃；聚碳酸酯；以及三乙酰纤维素等，但并不限于这些。高分子膜优选为聚酯膜、聚酰胺膜或聚烯烃膜，更优选为聚酯膜或聚酰胺膜，进一步优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。从透明性、加工适合性和密合性的观点考虑，聚对苯二甲酸乙二醇酯膜是优选的。另外，从透明性和阻气性的观点考虑，聚对苯二甲酸乙二醇酯膜优选为双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

根据需要，高分子膜中也可以包含抗静电剂、紫外线吸收剂、增塑剂和润滑剂等添加剂。另外，也可以对高分子膜的表面实施电晕处理、火焰处理和等离子体处理。

在阻隔膜和波长转换片中，当第1基材11和底漆层4接触时，第1基材11优选在表面上具有羟基或羰基等极性官能团。通过第1基材11在表面上具有羟基或羰基等极性官能团，从而使得该羟基等极性官能团与由底漆层4中的作为硅烷偶联剂的烷氧基硅烷水解而产生的硅烷醇基发生反应，从而进一步提高密合性。在上述高分子膜当中，通常作为在表面上具有羟基或羰基等极性官能团的高分子膜，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰胺膜、三乙酰纤维素膜、丙烯酸类膜、聚碳酸酯膜等。另外，当第1基材11在表面上没有羟基或羰基等极性官能团时，通过进行电晕处理、火焰处理及等离子体处理等表面处理，从而能够进一步提高与底漆层4的密合性。

第1基材11、第2基材21以及第3基材31的厚度并无特别限制，但优选为3μm以上100μm以下，从加工性及生产性的方面考虑，更优选为5μm以上50μm以下。若该厚度为3μm以上，则加工容易，若为100μm以下，则能够提高每一个批次的阻隔膜的生产性。

(锚固涂层)

为了提高第1及第2基材11、21与无机薄膜层13、23之间的密合性，在它们之间设置了锚固涂层12、22。另外，锚固涂层12、22也具有防止水分或氧的渗透的阻隔性。

锚固涂层12、22(例如)可以通过使用选自聚酯树脂、异氰酸酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇树脂、乙烯-乙烯醇树脂、乙烯基改性树脂、环氧树脂、含噁唑啉基的树脂、改性苯乙烯树脂、改性硅树脂或钛酸烷基酯等的树脂来形成。锚固涂层可以通过单独使用上述树脂或者使用2种以上的上述树脂组合而成的复合树脂来形成。

锚定涂层12、22可以通过将包含上述树脂的溶液涂布在第1基材11和第2基材21上并使其干燥固化来形成。作为涂布方法，可列举出采用凹版涂布机、浸渍涂布机、反转涂布机、线棒涂布机和模压涂布机等的涂布方法。

锚定涂层12、22的厚度优选设为5nm至500nm的范围内，更优选设为10nm至100nm的范围内。在此，若厚度为5nm以上，则第1和第2基材11、21与无机薄膜层13、23之间的密合性以及对于水分或氧的阻隔性可能会提高，若厚度为500nm以下，则可能能够形成内部应力得到了充分抑制的均匀的层。

(阻隔层)

阻隔层15、25是为了进一步提高水蒸气透过率和氧透过率而设置的层。从光学的观点考虑，阻隔层15、25优选为透明性高的层。阻隔层15、25可以是单层的，也可以是多层的，但是如图1至13所示，阻隔层15、25优选具有无机薄膜层13、23以及阻气性被覆层14、24。另外，如图2、图4、图6、图9、图11及图13所示地那样，当阻气性被覆层14和底漆层4接触时，阻气性被覆层14优选具有硅氧烷键。通过阻气性被覆层14具有硅氧烷键，从而进一步提高了阻气性被覆层14和底漆层4的密合性。

阻隔膜15、25可以在大气中进行成膜，也可以在真空中进行成膜。作为真空成膜，可列举出物理气相沉积法和化学气相沉积法等。作为物理气相沉积法，可列举出真空蒸镀法、溅射法和离子镀法等。作为化学气相沉积(CVD)法，可列举出热CVD法、等离子体CVD(PECVD)法和光CVD法等。无机薄膜层13、23的成膜方法也可以不同于阻气性被覆层14、24的成膜方法。

(无机薄膜层)

无机薄膜层13、23的形成方法优选为真空蒸镀法、溅射法或PECVD法。对于真空蒸镀法，更优选电阻加热式真空蒸镀法、电子束(Electron Beam)加热式真空蒸镀法、感应加热式真空蒸镀法；对于溅射法，更优选反应性溅射法、双靶磁控溅射法。从膜的均质性的观点考虑，优选溅射法，从成本的观点考虑，优选真空蒸镀法，可以根据目的、用途进行选择。

作为溅射法和PECVD法中的等离子体的生成方法，可以列举出DC(直流；DirectCurrent)方式、RF(射频；Radio Frequency)方式、MF(中频；Middle Frequency)方式、DC脉冲方式、RF脉冲方式和DC+RF重叠方式等。

就真空成膜而言，通常形成金属、或者硅等的氧化物、氮化物或氮化氧化物等的膜。作为无机薄膜层13、23，优选为铝、钛、铜、铟、锡等金属或者它们的氧化物(氧化铝等)、或者硅、硅氧化物的膜。另外，不仅可形成金属、硅的氧化物的膜，而且可形成金属、硅的氮化物、氮氧化物的膜。另外，可形成包含多种金属的膜。上述的铝、钛、铜、铟、硅的氧化物、氮化物、氮氧化物的透明性和阻隔性这两者优异。包含硅的氧化物、氮氧化物的阻隔性高，因而特别优选。

通过真空成膜形成的无机薄膜层13、23的厚度优选为5nm以上100nm以下。如果无机薄膜层13、23的厚度为5nm以上，则可能能够获得更良好的阻隔性。另外，如果无机薄膜层13、23的厚度为100nm以下，则具有下述倾向：能够抑制裂纹的产生、抑制裂纹引起的水蒸气阻隔性和氧阻隔性的降低。进而，如果无机薄膜层13、23的厚度为100nm以下，由于材料使用量的减少和膜形成时间的缩短等，从而能够减少成本，因此从经济的观点考虑是优选的。

(阻气性被覆层)

阻气性被覆层14、24是用于防止后续步骤中的各种二次损伤并且同时赋予高的阻隔性而设置的。阻气性被覆层14、24可含有硅氧烷键。阻气性被覆层14、24也可以在大气中形成。当在大气中形成阻气性被覆层14、24时，例如可以通过方法来形成：将含有聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、乙烯-乙烯醇这样的具有极性的化合物、聚偏氯乙烯等含氯的化合物、以及含有Si原子的化合物、含有Ti原子的化合物、含有Al原子的化合物、含有Zr原子的化合物等的涂布液涂布在无机薄膜层13、23上，使其干燥固化。

作为在大气中形成阻气性被覆层14、24时的涂布液的涂布方法，具体地说，可列举出采用凹版涂布机、浸渍涂布机、反转涂布机、线棒涂布机和模压涂布机等进行的涂布方法。

含有硅氧烷键的化合物优选是例如使用硅烷化合物、使硅烷醇基反应而形成。作为这样的硅烷化合物，可列举出由下述式(1)表示的化合物。

R¹ _n(OR²)_4-nSi (1)

[式中，n表示0至3的整数，R¹和R²各自独立地表示烃基，优选表示碳原子数为1至4的烷基。]

作为由上述式(1)表示的化合物，例如可列举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷等。可使用含有氮的聚硅氮烷。

另外，在阻气性被覆层14、24中，可使用由包含其他金属原子的前体制作的材料。作为包含Ti原子的化合物，例如可列举出由下述式(2)表示的化合物。

R¹ _n(OR²)_4-nTi (2)

[式中，n表示0至3的整数，R¹和R²各自独立地表示烃基，优选表示碳原子数为1至4的烷基。]

作为由上述式(2)表示的化合物，例如可列举出四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛和四丁氧基钛等。

作为包含Al原子的化合物，例如可列举出由下述式(3)表示的化合物。

R¹ _m(OR²)_3-mAl (3)

[式中，m表示0至2的整数，R¹和R²各自独立地表示烃基，优选表示碳原子数为1至4的烷基。]

作为由上述式(3)表示的化合物，例如可列举出三甲氧基铝、三乙氧基铝、三异丙氧基铝和三丁氧基铝等。

作为包含Zr原子的化合物，例如可列举出由下述式(4)表示的化合物。

R¹ _n(OR²)_4-nZr (4)

[式中，n表示0至3的整数，R¹和R²各自独立地表示烃基，优选表示碳原子数为1至4的烷基。]

作为由上述式(4)表示的化合物，例如可列举出四甲氧基锆、四乙氧基锆、四异丙氧基锆和四丁氧基锆等。

当大气中形成阻气性被覆层14、24时，将上述涂布液涂布后进行固化。作为固化方法，并无特别限定，可列举出紫外线固化和热固化等。在紫外线固化的情况下，涂布液可包含聚合引发剂和具有双键的化合物。另外，根据需要也可进行加热老化。

作为在大气中形成阻气性被覆层14、24的另外的方法，也可以采用如下的方法：将通过镁、钙、锌、铝、硅、钛、锆等无机氧化物的粒子彼此之间经由来自于磷化合物的磷原子进行脱水缩合而得到的反应产物作为阻气性被覆层。具体地说，在无机氧化物的表面上存在的官能团(例如羟基)和可与无机氧化物反应的磷化合物的部位(例如，与磷原子直接键合的卤素原子、与磷原子直接键合的氧原子)发生缩合反应而键合。反应产物例如通过下述步骤来得到：将包含无机氧化物和磷化合物的涂布液涂布于无机薄膜层13、23的表面上，对所形成的涂膜进行热处理，从而无机氧化物的粒子彼此之间进行经由来自于磷化合物的磷原子的键合反应。热处理的温度的下限为110℃以上，优选为120℃以上，更优选为140℃以上，进一步优选为170℃以上。如果热处理温度低，则变得难于获得充分的反应速度，成为生产率降低的原因。热处理的温度的优选上限因基材的种类等而异，但是为220℃以下，优选为190℃以下。热处理能够在空气中、氮气氛下或氩气氛下等来进行实施。

当在大气中形成阻隔性被覆层14、24时，上述涂布液可进一步包含树脂，只要没有凝聚等就可以。作为上述树脂，具体地说，可列举出丙烯酸系树脂、聚酯树脂等。上述涂布液优选包含这些树脂当中的与涂布液中的其他材料的相容性高的树脂。

根据需要，上述涂布液可进一步包含填料、流平剂、消泡剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、以及硅烷偶联剂和钛螯合剂等。

在大气中形成的阻气性被覆层14、24的厚度以固化后的膜厚计优选为50nm至2000nm，更优选为100nm至1000nm。如果在大气中形成的阻气性被覆层14、24的厚度为50nm以上，则膜的形成可能会变得容易。如果在大气中形成的阻气性被覆层14、24的厚度为2000nm以下，则可能能够抑制开裂或卷曲。

(粘接层)

如图1至3、5至10以及12至13所示的那样，为了将第1膜1与第2膜2贴合层叠，在第1膜1与第2膜2之间设置粘接层5。另外，如图5及图12所示的那样，当阻隔膜具有第3膜时，为了使第2膜2与第3膜3贴合层叠，在第2膜2与第3膜3之间设置了粘接层5。作为粘接层5，可以使用作为高分子膜用的粘接剂或粘合剂而一般采用的那些，根据第1膜1和第2膜2的贴合侧的表面来适当地选择。作为粘接层5的材料的候选者，可列举出环氧系、聚酯系、丙烯酸系、橡胶系、酚醛系和氨基甲酸酯系等的粘接剂或粘合剂。

作为粘接剂或粘合剂的涂布方法，可列举出采用凹版涂布机、浸渍涂布机、反转涂布机、线棒涂布机和模压涂布机等的涂布方法。

粘接层5的厚度优选为1μm以上20μm以下。通过粘接层5的厚度为1μm以上，从而可能会得到更充分的粘接性，通过为20μm以下，从而可能能够使阻隔膜的总厚度变薄，并且同时能够抑制成本上升。

另外，在经由粘接层5而将第1膜1和第2膜2、或者第2膜2和第3膜3贴合之后，可以进行老化。老化例如在20℃至80℃下进行1天至10天。

根据需要，粘接层5可包含固化剂、抗静电剂、硅烷偶联剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、流平剂和分散剂等。

(底漆层)

(根据第1方面的底漆层)

根据第1方面的底漆层4是用于提高阻隔膜与荧光体层等被粘物的密合性而设置的层。底漆层4设置在第1膜1的第1基材11上或者阻气性被覆层14上。底漆层4设置在阻隔膜的一个最外表面上，并且使阻隔膜的底漆层4那一侧的表面贴合至被粘物。

底漆层4是由含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成的层。

作为硅烷偶联剂，没有特别的限定，但优选具有选自由乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、氨基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、硫醚基及异氰酸酯基所组成的组中的至少一种官能团。这些官能团优选根据被粘物的成分来进行选择。例如，当被粘物包含环氧树脂时，从密合性的观点考虑，优选使用具有选自由氨基、巯基、硫醚基、环氧基及脲基所组成的组中的至少一种官能团的硅烷偶联剂。另外，当被粘物包含丙烯酸类树脂时，从密合性的观点考虑，优选使用具有选自由氨基、巯基、硫醚基、环氧基、甲基丙烯酸基、异氰酸酯基及异氰脲酸酯基所组成的组中的至少一种官能团的硅烷偶联剂。另外，作为硅烷偶联剂，也可以将2种以上的具有不同官能团的硅烷偶联剂组合使用。

作为具有乙烯基的硅烷偶联剂，可列举出乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为乙烯基三甲氧基硅烷和乙烯基甲基二甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有环氧基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷和3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有苯乙烯基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)对苯乙烯基三甲氧基硅烷等。

作为具有甲基丙烯酸基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷和3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有丙烯酸基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等。

作为具有氨基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷的盐酸盐等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三乙氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有异氰脲酸酯基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)三-(三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯等。

作为具有脲基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-脲基丙基三乙氧基硅烷等。

作为具有巯基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为3-巯丙基三甲氧基硅烷。另外，从臭气等方面考虑，具有巯基的硅烷偶联剂也包括了(例如)采用烷氧基甲硅烷基等保护巯基而得的硅烷偶联剂。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有硫醚基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、3-辛酰基硫代-1-丙基三乙氧基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为具有异氰酸酯基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷等。这些当中，从反应性的观点考虑，优选为3-异氰酸酯基丙基三甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为有机金属化合物，使用了选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种。这些当中，考虑到水解的反应促进，优选为金属螯合物和金属醇盐化合物。另外，有机金属化合物优选包含选自由铝、锆、钛和锡所组成的组中的至少一种金属。这些当中，从环境方面考虑，有机金属化合物优选包含选自由铝、锆和钛所组成的组中的至少一种金属，进一步地，从使初期的密合性变得特别良好的观点考虑，有机金属化合物优选包含选自由锆和钛所组成的组中的至少一种金属，从使老化后的密合性变得特别良好的观点考虑，有机金属化合物优选包含选自由锆和铝所组成的组中的至少一种金属，从使初期及老化后这两者的密合性变得良好的观点考虑，特别优选包含锆。

作为金属螯合物，可列举出(例如)乙酰乙酸乙酯锆、三丁氧基单乙酰丙酮锆、四乙酰丙酮锆、二丁氧基双(乙基乙酰乙酸)锆、单乙酰丙酮锆、二异丙氧基双(乙酰丙酮)钛、四乙酰丙酮钛、二异丙氧基双(乙基乙酰乙酸)钛、二-2-乙基己氧基双(2-乙基-3-羟基己醇)钛、二异丙氧基双(三乙醇胺)钛、1,3-丙二氧基双(乙基乙酰乙酸)钛、氨乙基氨基乙醇钛、乙酰丙酮钛、乙基乙酰乙酸钛、磷酸钛化合物、辛二醇酸钛(octylene glycolate)、乙基乙酰乙酸钛、三乙基乙酰乙酸铝、三乙酰丙酮铝、双乙酰乙酸乙酯单乙酰丙酮铝等。这些当中，从在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，优选为三丁氧基单乙酰丙酮锆、四乙酰丙酮锆、二丁氧基双(乙基乙酰乙酸)锆、二异丙氧基双(乙基乙酰乙酸)钛、二-2-乙基己氧基双(2-乙基-3-羟基己醇)钛、二异丙氧基双(三乙醇胺)钛、1,3-丙二氧基双(乙基乙酰乙酸)钛、氨乙基氨基乙醇钛、二异丙氧基双(乙酰丙酮)钛、四乙酰丙酮钛、双乙基乙酰乙酸单乙酰丙酮铝。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为金属醇盐化合物，可列举出(例如)四正丙氧基锆、锆酸正丙酯、锆酸正丁酯、四正丁氧基钛、丁氧基钛二聚物、四-2-乙基己醇钛、四异丙醇钛、钛酸叔戊酯、钛酸四叔丁酯、钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚物、钛酸四辛酯、钛酸四异丙酯、钛酸四硬脂酸酯、异丙醇铝、仲丁醇铝等。这些当中，从在有机溶剂中的溶解性的观点考虑，优选为四正丙氧基锆、四正丁氧基钛、丁氧基钛二聚物、四-2-乙基己醇钛、四异丙醇钛、钛酸叔戊酯、钛酸四叔丁酯、三仲丁醇铝。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为金属酰化物，可列举出(例如)辛酸锆化合物、硬脂酸锆、异硬脂酸钛等。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

在上述有机金属化合物中，从控制溶液制备后的适用期的观点考虑，优选使用金属螯合物。

有机金属化合物的碳原子数优选为2至120，更优选为6至72。若碳原子数在上述范围内，则可以容易地控制溶液制备后的适用期。

在底漆组合物中，硅烷偶联剂和有机金属化合物的配合比(质量比)优选为100:1至1:100，更优选为10:1至1:10。若有机金属化合物的混合量小于上述范围，则可能存在这样的情况：底漆层4的成膜需要时间，而且抑制发粘性的效果也降低。另一方面，若有机金属化合物的混合物大于上述范围，则可能存在这样的情况：成膜后的底漆层4中的硅烷偶联剂变得不充分，对荧光体层等被粘物的密合性降低。

形成底漆层4的底漆组合物还可以包含除了上述硅烷偶联剂和有机金属化合物以外的其他成分。作为其他成分，可列举出稀释溶剂、滑剂、消泡剂、抗静电剂等。

作为稀释溶剂，可列举出甲苯、甲乙酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、己烷、1-丁醇、异丙醇、水等。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。稀释溶剂的混合量没有特别的限定，以底漆组合物的总量为基准，通常为0质量％至99.9质量％，优选为70质量％至98质量％。若稀释溶剂较少，则反应性提高，涂液可能会凝胶化，另外，若稀释溶剂过多，则涂液的价格会上升。

(根据第2方面的密封剂层)

根据第2方面的底漆层4被设置为这样的层，其用于提高阻隔膜与荧光体层7的密合性，即使在长时间地暴露于高湿度环境的情况下，也抑制了阻隔膜与荧光体层7的剥离。底漆层4被设置在第1膜1的第1基材11上，或者被设置在阻气性被覆层14上。

底漆层4是由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成的层。

作为具有氨基的硅烷偶联剂，没有特别的限定，可列举出(例如)N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷的盐酸盐等。这些当中，从涂液稳定性的观点考虑，优选为3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

形成底漆层4的底漆组合物还可以包含除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的其他成分。作为其他成分，可列举出有机锆化合物和有机钛化合物等有机金属化合物、除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的硅烷偶联剂(不具有氨基的硅烷偶联剂)、稀释溶剂、滑剂、消泡剂、抗静电剂等。

作为有机金属化合物，没有特别的限定，可列举出(例如)乙酰乙酸乙酯锆、四乙酰丙酮锆、单乙酰丙酮锆、锆酸正丙酯、锆酸正丁酯等。这些当中，从稳定性和反应性的观点考虑，优选为四乙酰丙酮锆。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。通过在底漆组合物中包含有机金属化合物，从而能够提高底漆层4的成膜性。作为有机金属化合物，也可以使用在根据第1方面的底漆层的说明中所记载的那些。

在底漆组合物中，具有氨基的硅烷偶联剂与有机金属化合物的混合比(质量比)优选为100:0至20:80，更优选为95:5至40:60。若有机金属化合物的混合量大于上述范围，则成膜后的底漆层4的膜质可能会变脆，阻隔膜和荧光体层7的密合性可能会降低。

另外，作为除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的可使用的硅烷偶联剂，可列举出具有选自由环氧基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、硫醚基及异氰酸酯基所组成的组中的至少一种官能团的硅烷偶联剂等。这些当中，从密合性的观点考虑，优选为具有环氧基的硅烷偶联剂。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。通过在底漆组合物中包含除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的硅烷偶联剂，从而能够提高对于各种环氧树脂组合物的密合性。

作为具有环氧基的硅烷偶联剂，可列举出(例如)2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等。这些当中，从稳定性和反应性的观点考虑，优选为3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷。这些可以单独地使用一种，也可以两种以上组合使用。

对于除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的其他硅烷偶联剂的具体例子及其优选的例子，可列举出在根据第1方面的底漆层的说明中所记载的那些硅烷偶联剂。

在底漆组合物中，具有氨基的硅烷偶联剂与除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的其他硅烷偶联剂的混合比(质量比)优选为100:0至20:80，更优选为100:0至60:40。若除了具有氨基的硅烷偶联剂以外的其他硅烷偶联剂的混合量大于上述范围，则阻隔膜和荧光体层7的密合性可能会降低。

作为稀释溶剂，可以使用在根据第1方面的底漆层的说明中所记载的那些溶剂，其混合量也如上所述。

根据第1及第2方面的底漆层4可以通过以下方式形成：将上述底漆组合物涂布在第1膜1的第1基材11或阻气性被覆层14上，并进行固化。作为涂布方法，可列举出采用凹版涂布机、浸渍涂布机、反转涂布机、线棒涂布机、以及模压涂布机等的涂布方法。固化可在(例如)80℃至150℃下、15秒至300秒的条件下进行。

根据第1及第2方面的底漆层4的厚度优选为1nm至1000nm，更优选为1nm至400nm，进一步优选为1nm至200nm，特别优选为5nm至100nm，极其优选为10nm至80nm。若该厚度为1nm以上，则涂布后的成膜性稳定，在面内能够均匀地得到良好的密合性。另一方面，若厚度为1000nm以下，则能够防止底漆层4变脆以获得与荧光体层7的稳定的密合性，并且同时能够充分地抑制水蒸气及氧从底漆层4的端部(阻隔膜与被粘物或荧光体层7之间)侵入。另外，底漆层4的厚度越薄，则底漆层4的固化反应越快地进行，同时与被粘物或荧光体层7的初期密合性变得良好。与厚度超过400nm的情况相比，若底漆层4的厚度为400nm以下，则初期密合性可能会变得更加良好。此外，若底漆层4的厚度为200nm以下，则也能够减少光学干涉条纹。

(消光层)

为了发挥1种以上的光学功能或抗静电功能，消光层6被设置在阻隔膜的与底漆层4相反那一侧的表面上。在此，作为光学功能，并无特别限定，可列举出防干涉条纹(莫尔条纹)功能、防反射功能、漫射功能等。这些之中，消光层6优选至少具有防干涉条纹功能作为光学功能。本实施方式中，对于消光层6至少具有防干涉条纹功能的情形进行说明。

消光层6可包含粘结剂树脂和微粒而构成。而且，通过以微粒的一部分从消光层6的表面露出的方式将微粒埋入粘结剂树脂中，从而可在消光层6的表面产生微细的凹凸。通过将这样的消光层6设置于阻隔膜的表面，能够更充分地防止牛顿环等干涉条纹的产生，结果可以得到高效率且高精细、长寿命的波长转换片。

作为粘结剂树脂，并无特别限定，可以使用光学透明性优异的树脂。更具体地说，例如可以使用聚酯系树脂、丙烯酸系树脂、丙烯酸氨基甲酸酯系树脂、聚酯丙烯酸酯系树脂、聚氨酯丙烯酸酯系树脂、聚氨酯系树脂、环氧系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、三聚氰胺系树脂、酚醛系树脂等热塑性树脂、热固化性树脂、电离放射线固化性树脂等。另外，除了有机树脂以外，也可以使用二氧化硅粘结剂。这些之中，从材料的范围广这一点出发，优选使用丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂，从耐光性、光学特性优异这一点出发，更优选使用丙烯酸系树脂。这些树脂不仅可以使用1种，而且可以将多种组合使用。

作为微粒，并无特别限定，例如，可以使用二氧化硅、粘土、滑石、碳酸钙、硫酸钙、硫酸钡、氧化钛、氧化铝等无机微粒，除此以外还可以使用苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、丙烯酸系树脂、聚酰胺树脂等的有机微粒。这些之中，作为微粒，从光透射率来看，优选使用由二氧化硅、丙烯酸系树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂等制成的折射率为1.40至1.55的微粒。折射率低的微粒的价格高，而折射率过高的微粒具有损害光透射率的倾向。这些微粒不仅可以使用1种，而且可以将多种组合使用。

微粒的平均粒径优选为0.1μm至30μm，更优选为0.5μm至10μm。如果微粒的平均粒径为0.1μm以上，则具有获得优异的防干涉条纹功能的倾向；如果微粒的平均粒径为30μm以下，则具有透明性进一步提高的倾向。

消光层6中的微粒的含量以消光层6总量为基准计优选为0.5质量％至30质量％，更优选为3质量％至10质量％。如果微粒的含量为0.5质量％以上，则具有光漫射功能和防止干涉条纹产生的效果进一步提高的倾向；如果微粒的含量为30质量％以下，则不会使亮度降低。

消光层6可以通过将上述的包含粘结剂树脂和微粒的涂布液涂布在第1膜1、第2膜2或第3膜3的表面上、使其干燥固化来形成。作为涂布方法，可列举出采用凹版涂布机、浸渍涂布机、反转涂布机、线棒涂布机和模压涂布机等的涂布方法。

消光层6的厚度优选为0.1μm至20μm，更优选为0.3μm至10μm。通过消光层6的厚度为0.1μm以上，具有容易获得均匀的膜、容易充分地获得光学功能的倾向。另一方面，通过消光层6的厚度为20μm以下，在消光层6中使用了微粒的情况下，具有下述倾向：微粒向消光层6的表面露出、从而容易获得凹凸赋予效果。

在具有上述结构的本实施方式的阻隔膜当中，根据第1方面的阻隔膜能够用于需要具有与氧及水蒸气的透过相关的阻隔性的应用，例如，能够用作(例如)包括用于液晶用背光的发光体的波长转换片(特别是包括量子点发光体的波长转换片)、有机EL元件、太阳能电池等工业材料的阻隔膜。

(荧光体层)

荧光体层7是具有根据激发光的照射而发出不同波长的光的波长转换功能的层，包含至少一种以上的荧光体(未图示)。另外，根据第2方面的荧光体层7含有环氧树脂。通过荧光体层7含有环氧树脂，从而能够得到与底漆层4的优异的密合性。

对于在荧光体中被称为量子点的纳米尺寸的半导体而言，其能够得到高的波长转换效率，并且亮度以及作为显示器的颜色再现性优异，因而是优选的。作为量子点，可列举出：作为发光部的核被作为保护膜的壳所覆盖而得的物质。作为上述核，可列举出(例如)硒化镉(CdSe)等，作为上述壳，可列举出(例如)硫化锌(ZnS)等。CdSe粒子的表面缺陷被具有大带隙的ZnS覆盖，从而提高量子效率。另外，关于荧光体，核也可以被第1壳及第2壳双重地覆盖。在这种情况下，可以将CsSe用于核，将硒化锌(ZnSe)用于第1壳，将ZnS用于第2壳。可以将两种以上的上述荧光体组合使用。另外，也可以将仅包含一种荧光体的荧光体层与仅包含其他种类的荧光体的荧光体层进行层叠。

量子点分散在用于密封的树脂材料中。

在第1方面中，作为树脂材料(密封树脂)，例如可使用热塑性树脂、热固性树脂和紫外线固化型树脂(光固化性树脂)等。作为热塑性树脂，例如可使用乙酰基纤维素、硝基纤维素、乙酰基丁基纤维素、乙基纤维素以及甲基纤维素等纤维素衍生物；醋酸乙烯酯及其共聚物、氯乙烯及其共聚物、以及偏二氯乙烯及其共聚物等乙烯基系树脂；聚乙烯醇缩甲醛以及聚乙烯醇缩丁醛等缩醛树脂；丙烯酸树脂及其共聚物、以及甲基丙烯酸树脂及其共聚物等丙烯酸系树脂；聚苯乙烯树脂；聚酰胺树脂；线性聚酯树脂；氟树脂；以及聚碳酸酯树脂等。作为热固性树脂，可列举出环氧树脂、酚树脂、脲-三聚氰胺树脂、聚酯树脂、以及有机硅树脂等。作为光固化性树脂，可列举出环氧丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、以及聚酯丙烯酸酯等光聚合性预聚物。另外，也可以以这些光聚合性预聚物作为主成分、且使用单官能或多官能的单体作为稀释剂。

在第2方面中，树脂材料至少包含环氧树脂。作为除了环氧树脂以外的树脂材料，可列举出聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂等油墨浆料粘结剂树脂等。另外，除此以外，还可以使用(例如)下述的作为粘结剂树脂发挥作用的粘接材料。对于作为粘结剂树脂发挥作用的粘接材料，可列举出(例如)尿素树脂类、三聚氰胺树脂类、酚树脂类、间苯二酚树脂类、环氧树脂类、聚氨酯树脂类、聚酰亚胺类、聚苯并咪唑类、聚酯树脂类、醋酸乙烯酯树脂类、聚乙烯醇缩醛类、聚乙烯醇类、氯乙烯树脂类、氰基丙烯酸酯类、聚醚丙烯酸酯类、聚乙烯类、纤维素类、氯丁橡胶类、腈橡胶类、SBR类、SIS类、聚硫橡胶类、丁基橡胶类、有机硅橡胶类、乙烯基酚树脂、环氧酚树脂、氯丁酚树脂、腈基酚树脂、尼龙环氧树脂、腈基环氧树脂等。对于树脂材料，可以单独地使用环氧树脂，也可以与1种以上的其他树脂材料组合使用。

荧光体层7可以通过以下方式形成：将包含荧光体、树脂材料以及根据需要的溶剂的混合溶液涂布在阻隔膜的底漆层4上从而形成涂膜，根据需要，以底漆层4朝向荧光体层7的方式层叠另外制作的其他一片阻隔膜，然后使涂膜固化，从而形成荧光体层7。

在第1方面中，可以根据所使用的树脂材料来适当地进行涂膜的固化。例如，在树脂材料为光固化性树脂的情况下，可以通过紫外线的照射使光固化性树脂固化(UV固化)，从而进行涂膜的固化。需要说明的是，也可以在UV固化后再进一步使光固化性树脂热固化。

在第2方面中，涂膜的固化没有特别的限定，例如可以在15℃至100℃、10分钟至24小时的条件下进行固化。

本实施方式的上述波长转换片可以用于(例如)背光单元。背光单元具备(例如)光源、导光板、反射板、以及本实施方式的波长转换片。在背光单元中，在波长转换片的一个表面上依次配置有导光板和反射板，并且将光源配置在上述导光板那一侧的方向(导光板的面方向)上。光源例如使用了蓝色发光二极管元件等。

[阻隔膜及波长转换片的制造方法]

以下，对于本发明的阻隔膜及波长转换片的制造方法的一个实施方式进行说明。

(根据第1方面的制造方法)

根据本实施方式的第1方面的阻隔膜的制造方法是具备阻气性膜、以及配置于一个最外表面上的底漆层的阻隔膜的制造方法，其具有将含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物涂布在上述阻气性膜上、进行固化以形成上述底漆层的步骤。另外，根据本实施方式的第1方面的波长转换片的制造方法是这样的波长转换片的制造方法，该波长转换片具备包含荧光体的荧光体层、以及在上述荧光体层的至少一个面上层叠的阻隔膜，该阻隔膜具有阻气性膜、以及配置于上述荧光体层那一侧的最外表面上的底漆层，该制造方法具有：将含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于上述阻气性膜上、进行固化以形成上述底漆层的步骤，以及将上述荧光体层和上述阻隔膜层叠的步骤。在本实施方式中，在图1、图3和图5所示的阻隔膜100、300和500中，形成有底漆层的阻气性膜的表面是第1基材11，并且在图2、图4和图6所示的阻隔膜200、400和600中，形成有底漆层的阻气性膜的表面是阻气性被覆层14。

当制造图1所示的阻隔膜100以及使用其以制造图7所示的波长转换片800时，可以通过(例如)以下的流程进行制造。需要说明的是，各层的形成方法如上所述。首先，分别制作第1膜1和第2膜2。也就是说，在第1基材11上形成锚固涂层12，并在其上依次形成无机薄膜层13和阻气性被覆层14，从而制作第1膜1。第2膜2也可以同样地进行制作。

在所得的第1膜1的阻气性被覆层14上涂布粘接剂或粘合剂，使其与第2膜2的阻气性被覆层24那一侧的面相互贴合后进行老化，从而得到了经由粘接层5而使第1膜1与第2膜2相互贴合而成的层叠膜。贴合可以通过使用一般的层压装置来进行。需要说明的是，粘接剂或粘合剂也可以涂布在第2膜2的阻气性被覆层24上。

将含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于所得的层叠膜的第1基材11上，固化以形成底漆层4。另外，在层叠膜的第2基材21上形成消光层6。底漆层4和消光层6的形成顺序没有特别的限定。另外，也可以在将第1膜1和第2膜2贴合之前，预先在第2膜2的第2基材21上形成消光层6。此外，也可以在将第1膜1和第2膜2贴合之前，预先在第1膜1的第1基材11上形成底漆层4。由此，得到了阻隔膜100。制作了两个这样的阻隔膜100。

接下来，在一个阻隔膜100的底漆层4上，涂布包含荧光体、树脂材料、以及根据需要的溶剂的混合溶液以形成涂膜，然后在其上贴合另一个阻隔膜100的底漆层4侧，使涂膜固化，从而形成荧光体层7。通过以上方法，能够得到具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜100和荧光体层7的密合性优异的本实施方式的波长转换片800。

(根据第2方面的制造方法)

根据本实施方式的第2方面的波长转换片的制造方法是这样的波长转换片的制造方法，该波长转换片具备：包含环氧树脂和荧光体的荧光体层、以及在荧光体层的至少一个面上层叠的阻隔膜，该阻隔膜在荧光体层那一侧的最外表面上具有底漆层，该制造方法具有：将包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于阻隔膜中的底漆层的下层上、进行固化以形成底漆层的步骤，以及将上述荧光体层和上述阻隔膜层叠的步骤。在此，在图8、图10和图12所示的阻隔膜50、70和55中，阻隔膜中的底漆层的下层为第1基材11，并且在图9、图11和图13所示的阻隔膜60、80和85中，阻隔膜中的底漆层的下层为阻气性被覆层14。

当制造图8所示的波长转换片1100时，可以通过(例如)以下的流程进行制造。需要说明的是，各层的形成方法如上所述。首先，分别制作第1膜1和第2膜2。也就是说，在第1基材11上形成锚固涂层12，在其上依次形成无机薄膜层13和阻气性被覆层14，从而制作第1膜1。第2膜2也可以同样地进行制作。

在所得的第1膜1的阻气性被覆层14上涂布粘接剂或粘合剂，使其与第2膜2的阻气性被覆层24那一侧的面贴合后进行老化，从而得到了经由粘接层5而使第1膜1与第2膜2贴合而成的层叠膜。贴合可以通过使用一般的层压装置来进行。需要说明的是，粘接剂或粘合剂也可以涂布在第2膜2的阻气性被覆层24上。

将包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物涂布于所得的层叠膜的第1基材11上，进行固化从而形成底漆层4。另外，在层叠膜的第2基材21上形成消光层6。底漆层4和消光层6的形成顺序没有特别的限定。另外，也可以在将第1膜1和第2膜2相互贴合之前，预先在第2膜2的第2基材21上形成消光层6。此外，也可以在将第1膜1和第2膜2相互贴合之前，预先在第1膜1的第1基材11上形成底漆层4。由此，得到了阻隔膜50。制作了两个这样的阻隔膜50。

接下来，在一个阻隔膜50的底漆层4上，涂布包含荧光体、含有环氧树脂的树脂材料、以及根据需要的溶剂的混合溶液以形成涂膜，在其上贴合另一个阻隔膜50的底漆层4侧，使涂膜固化从而形成荧光体层7。在该荧光体层7的形成时，底漆层4中所含的氨基与涂膜中所含的环氧树脂发生反应，从而得到了底漆层4和荧光体层7的优异的密合性。通过以上方法，能够得到具有良好的阻气性、并且同时阻隔膜50和荧光体层7的密合性优异的本实施方式的波长转换片1100。

以上，虽然对于本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明的技术范围并不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内可以进行各种修改。

例如，在图1至13所示的阻隔膜和波长转换片中，也可以不设置消光层6和锚固涂层12、22。

另外，在图1、图2、图5和图7所示的阻隔膜100、200、500、以及图8、图9和图12所示的波长转换片1100、1200和1500中，对于阻隔层15、25，也可以是将无机薄膜层13、23与阻气性被覆层14、24交替地层叠多层。另外，在图3、图4和图6所示的阻隔膜300、400和600、以及图10、图11和图13所示的波长转换片1300、1400和1600中，对于阻隔层15、25，也可以将无机薄膜层13、23和阻气性被覆层14、24各层叠1层。

另外，在图1至13所示的阻隔膜中，第1膜1和第2膜2的方向不限于图示的方向，也可以在相反的方向上进行配置。

另外，在图1至13所示的阻隔膜中，除了各图所示的第1至第3膜以外，也可以进一步具有结构与它们相同或不同的1层以上的膜。

另外，在图7至13所示的波长转换片中，夹持着荧光体层7的一对阻隔膜也可以具有相互不同的结构。此外，消光层6不一定要设置在波长转换片的两面上，也可以只设置在一个表面上。

实施例

以下，基于实施例和比较例来更具体地说明本发明，但是本发明并不限于以下的实施例。

需要说明的是，在以下的实施例和比较例中，通过依照JIS K7129的红外线传感器法，使用水蒸气透过率测定装置(商品名：Permatran，MOCON公司制)，将透过单元的温度定为40℃，将高湿度室的相对湿度定为90％RH，将低湿度室的相对湿度定为0％，从而测定了水蒸气透过率。

另外，在以下的实施例和比较例中，底漆层的厚度通过采用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope；TEM)观察试样截面来进行测定。

[实施例1-1]

在一个面进行了电晕放电处理的双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名：P60；厚度：16μm；“東レ株式会社”制)中的进行了电晕放电处理的面上，通过棒涂布法涂布聚酯树脂溶液，在80℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度100nm的锚固涂层。

使用电子束加热式的真空蒸镀装置，在1.5×10^-2Pa的压力下，通过电子束加热而使氧化硅材料(“キヤノンオプトロン株式会社”制)蒸发，从而在上述锚固涂层上形成了作为无机薄膜层的厚度80nm的SiO_x膜。需要说明的是，蒸镀中的加速电压为40kV，放射电流为0.2A。在该SiO_x膜上，通过棒涂布法涂布以1:1的质量比混合四乙氧基硅烷的水解产物(含有硅氧烷键)和聚乙烯醇而得的涂布液，在120℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度400nm的阻气性被覆层。由此，得到了第1膜。另外，与第1膜同样地制作了第2膜。第1及第2膜的水蒸气透过率为0.1g/(m²·天)。

在第1膜的阻气性被覆层上，涂布粘合剂(主剂：TPO-3183；固化剂：K-341，“サイデン化学(株)”制)并作为粘接层，贴合第2膜的阻气性被覆层那一侧的面，在25℃下老化7天。由此，得到了经由粘接层而将第1膜和第2膜相互贴合而得的层叠膜。粘接层的厚度为4μm。

在所得的层叠膜中的第1膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第1基材)上，通过下述方法来形成底漆层。

混合1.0质量份的3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(环氧系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBM-402)、1.0质量份的四乙酰丙酮锆(锆螯合物、“マツモトファインケミカル社”制、商品名：オルガチックスZC-700)、以及22.2质量份的作为稀释溶剂的甲苯，从而制备了底漆组合物。使用线棒(#3)将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行30秒的干燥以使其固化，从而形成了厚度70nm的底漆层。

另外，在第2膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第2基材)上，涂布100质量份的丙烯酸系多元醇树脂(“DIC社”制、商品名：アクリディックA-814)、8.5质量份的异氰酸酯系固化剂(“DI C社”制、商品名：バーノックDN-980、六亚甲基二异氰酸酯系化合物)、10质量份的微粒(聚氨酯、平均粒径2μm)以及70质量份的溶剂(乙酸乙酯)，进行加热干燥以使其固化，从而形成了厚度3μm的消光层。由此，得到了阻隔膜。制作了2片具有相同结构的上述阻隔膜。

制备了使核为硒化镉(CdSe)、壳为硫化锌(ZnS)、粒径为6nm的量子点发光体分散于丙烯酸类树脂(“日立化成株式会社”制、商品名：ヒタロイド7927-15)而得的荧光体层形成用涂布液。将该涂布液涂布在一个阻隔膜的底漆层上以形成涂膜，在其上贴合另一个阻隔膜的底漆层。使用紫外线照射装置，并采用1200mJ/cm²的曝光量进行曝光，以使上述涂膜固化，从而形成了具有波长转换功能的荧光体层。由此，得到了具有图7所示结构的波长转换片。此时，荧光体层的厚度为100μm。

[实施例1-2]

除了采用以下方法来形成底漆层以外，与实施例1-1同样地得到了波长转换片。

混合1.0质量份的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(甲基丙烯酸系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBM-503)、1.0质量份的四乙酰丙酮锆(锆螯合物、“マツモトファインケミカル社”制、商品名：オルガチックスZC-700)、以及22.2质量份的作为稀释溶剂的甲苯，从而制备了底漆组合物。使用线棒(#3)将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行30秒的干燥以使其固化，从而形成了厚度70nm的底漆层。

[实施例1-3]

除了采用以下方法来形成荧光体层以外，与实施例1-1同样地得到了波长转换片。

制备了使核为硒化镉(CdSe)、壳为硫化锌(ZnS)、粒径为6nm的量子点发光体分散于以下的混合物中而得的荧光体层形成用涂布液，该混合物是通过以2:1的质量比混合环氧化合物(Epic Resins公司制、商品名：RM12B4791A)和胺化合物(Epic Resins公司制、商品名：RM12B4791B)而成的。将该涂布液涂布在一个阻隔膜的底漆层上以形成涂膜，在其上贴合另一个阻隔膜的底漆层。使用紫外线照射装置，采用2100mJ/cm²的曝光量对上述涂膜进行曝光后，在110℃下进行15分钟的加热固化，从而形成了具有波长转换功能的荧光体层。由此，得到了具有图7所示结构的波长转换片。此时，荧光体层的厚度为100μm。

[比较例1-1]

除了采用以下方法来形成底漆层以外，与实施例1-1同样地得到了波长转换片。

混合2.0质量份的3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(环氧系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBM-402)、以及18.9质量份的作为稀释溶剂的甲苯，从而制备了底漆组合物。使用线棒(#3)将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行30秒的干燥以使其固化，从而形成了厚度70nm的底漆层。

[比较例1-2]

除了采用以下方法来形成底漆层以外，与实施例1-1同样地得到了波长转换片。

混合2.0质量份的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(甲基丙烯酸系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBM-503)、以及18.9质量份的作为稀释溶剂的甲苯，从而制备了底漆组合物。使用线棒(#3)将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行30秒的干燥以使其固化，从而形成了厚度70nm的底漆层。

[比较例1-3]

除了采用以下方法来形成荧光体层以外，与比较例1-1同样地得到了波长转换片。

制备了使核为硒化镉(CdSe)、壳为硫化锌(ZnS)、粒径为6nm的量子点发光体分散于以下的混合物中而得的荧光体层形成用涂布液，该混合物是通过以2:1的质量比混合环氧化合物(Epic Resins公司制、商品名：RM12B4791A)和胺化合物(Epic Resins公司制、商品名：RM12B4791B)而成的。将该涂布液涂布在一个阻隔膜的底漆层上以形成涂膜，在其上贴合另一个阻隔膜的底漆层。使用紫外线照射装置，采用2100mJ/cm²的曝光量对上述涂膜进行曝光后，在110℃下进行15分钟的加热固化，从而形成了具有波长转换功能的荧光体层。由此，得到了具有图7所示结构的波长转换片。此时，荧光体层的厚度为100μm。

<剥离强度的评价>

将实施例和比较例中所得的波长转换片切成宽度1cm的条状，将所切得的波长转换片固定在玻璃板上。使用Tensilon万能材料试验机(“エーアンドデイ社”制)，以300mm/分钟的速度，在垂直于玻璃板的方向上，将所固定的条状波长转换片的底漆层从荧光体层剥离，并测定剥离所需要的强度。表1示出了测定结果。

<粘连性(blocking)的评价>

将实施例和比较例中所得到的具有底漆层的阻隔膜切成10cm见方，使用恒定载荷式永久变形试验机CO-201(“テスター産業社制”)，在施加1N的载荷的状态下，将以使得消光面与底漆面相面对的方式层叠而得的材料在60℃的热循环式烘箱中保存1周，从而进行粘连性的评价。表1示出了采用目视观察有无粘连的评价结果。

<相对亮度的评价>

将实施例和比较例中所得的波长转换片切成1cm见方，并将其置于蓝色背光单元上，使用超低亮度光谱辐射计SR-UL2(“TOPCON社”制)来进行初期亮度测定。将本试样在85℃的热循环式烘箱中保存500小时后，通过同样的方法进行亮度测定，将500小时保存后的亮度除以初期的亮度，从而作为相对亮度评价。表1示出了测定结果。

[表1]

从表1所示的结果可明显地确认，实施例1-1至1-3的波长转换片具有优异的密合性以及优异的加工性。

[实施例2-1]

在一个面进行了电晕放电处理的双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名：P60；厚度：16μm；“東レ株式会社”制)中的进行了电晕放电处理的面上，通过棒涂布法涂布聚酯树脂溶液，在80℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度100nm的锚固涂层。

使用电子束加热式的真空蒸镀装置，在1.5×10^-2Pa的压力下，通过电子束加热而使氧化硅材料(“キヤノンオプトロン株式会社”制)蒸发，从而在上述锚固涂层上形成了作为无机薄膜层的厚度80nm的SiO_x膜。需要说明的是，蒸镀中的加速电压为40kV，放射电流为0.2A。在该SiO_x膜上，通过棒涂布法涂布以1:1的质量比混合四乙氧基硅烷的水解产物(含有硅氧烷键)和聚乙烯醇而得的涂布液，在120℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度400nm的阻气性被覆层。由此，得到了第1膜。另外，与第1膜同样地制作了第2膜。第1及第2膜的水蒸气透过率为0.1g/(m²·天)。

在第1膜的阻气性被覆层上，涂布粘合剂(主剂：TPO-3183；固化剂：K-341，“サイデン化学(株)”制)并作为粘接层，在其上贴合第2膜的阻气性被覆层那一侧的面，在25℃下进行老化7天。由此，得到了经由粘接层而将第1膜和第2膜相互贴合而得的层叠膜。粘接层的厚度为4μm。

在所得的层叠膜中的第1膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第1基材)上，通过下述方法来形成底漆层。

使用乙酸乙酯将3-氨丙基三乙氧基硅烷(胺系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBE-903)稀释成固体成分含量为1.5质量％，从而制得了底漆组合物，使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度30nm的底漆层。

另外，在第2膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第2基材)上，涂布100质量份的丙烯酸系多元醇树脂(“DIC社”制、商品名：アクリディックA-814)、8.5质量份的异氰酸酯系固化剂(“DIC社”制、商品名：バーノックDN-980、六亚甲基二异氰酸酯系化合物)、10质量份的微粒(聚氨酯、平均粒径2μm)以及70质量份的溶剂(乙酸乙酯)，并进行加热干燥以使其固化，从而形成了厚度3μm的消光层。由此，得到了阻隔膜。制作了2片具有相同结构的上述阻隔膜。

在一个阻隔膜的底漆层上，滴加通过使核为硒化镉(CdSe)、壳为硫化锌(ZnS)、粒径为6nm的量子点发光体分散于热固化型环氧树脂中而得的材料，在其上贴合另一个阻隔膜的底漆层。

在室温下放置24小时使上述热固化型环氧树脂固化，从而形成了具有波长转换功能的荧光体层，得到了具有图8所示结构的波长转换片。此时，荧光体层的厚度为100μm。

[实施例2-2]

除了采用以下方法来形成厚度100nm的底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

使用乙酸乙酯将3-氨丙基三乙氧基硅烷(胺系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBE-903)稀释成固体成分含量为5质量％，从而制得了底漆组合物，使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度100nm的底漆层。

[实施例2-3]

除了采用以下方法来形成厚度500nm的底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

使用乙酸乙酯将3-氨丙基三乙氧基硅烷(胺系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBE-903)稀释成固体成分含量为25质量％，从而制得了底漆组合物，使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度500nm的底漆层。

[实施例2-4]

除了采用以下方法来形成厚度5nm的底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

使用乙酸乙酯将3-氨丙基三乙氧基硅烷(胺系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBE-903)稀释为固体成分含量为0.25质量％，从而制得了底漆组合物，并使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度5nm的底漆层。

[实施例2-5]

除了采用以下方法来形成厚度100nm的底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

将100质量份的3-氨丙基三乙氧基硅烷(胺系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBE-903)、100质量份的四乙酰丙酮锆(“マツモトファインケミカル社”制、商品名：オルガチックスZC-700)、以及2200质量份的乙酸乙酯混合，从而制备了固体成分含量为5质量％的底漆组合物。使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度100nm的底漆层。

[实施例2-6]

在一个面进行了电晕放电处理的双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名：P60；厚度：16μm；“東レ株式会社”制)中的进行了电晕放电处理的面上，通过棒涂布法涂布聚酯树脂溶液，在80℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度100nm的锚固涂层。

使用电子束加热式的真空蒸镀装置，在1.5×10^-2Pa的压力下，通过电子束加热使氧化硅材料(“キヤノンオプトロン株式会社”制)蒸发，从而在上述锚固涂层上形成了作为无机薄膜层的厚度80nm的SiO_x膜。需要说明的是，蒸镀中的加速电压为40kV，放射电流为0.2A。在该SiO_x膜上，通过棒涂布法涂布以1:1的质量比混合四乙氧基硅烷的水解产物(含有硅氧烷键)和聚乙烯醇而得的涂布液，在120℃下进行1分钟的干燥固化，从而形成了厚度400nm的阻气性被覆层。接下来，通过与上述相同的方法，在阻气性被覆层上形成了作为无机薄膜层的厚度为80nm的SiO_x膜。进一步地，通过与上述相同的方法，在该SiO_x膜上形成了厚度为400nm的阻气性被覆层。由此，得到了第1膜。第1膜的水蒸气透过率为0.008g/(m²·天)。

在第1膜的阻气性被覆层上，涂布粘合剂(主剂：TPO-3183；固化剂：K-341，“サイデン化学(株)”制)并作为粘接层，在其上贴合作为第2膜的双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名：FE2001；厚度：25μm；“フタムラ化学株式会社”制；水蒸气透过率为25g/(m²·天))的进行了电晕放电处理的面，在25℃下进行老化7天。由此，得到了经由粘接层而将第1膜和第2膜相互贴合而得的层叠膜。粘接层的厚度为4μm。

通过与实施例2-1相同的方法，在所得的层叠膜中的第1膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第1基材)上形成了厚度30nm的底漆层。

另外，通过与实施例2-1相同的方法，在第2膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第2基材)上形成了厚度3μm的消光层。由此，得到了阻隔膜。制作了2片具有相同结构的上述阻隔膜。

除了使用如上所述得到的阻隔膜以外，与实施例2-1同样地得到了具有图10所示结构的波长转换片。

[实施例2-7]

在实施例2-1中，将第1膜的第1基材与阻隔层的配置颠倒。也就是说，使第1膜的第1基材那一侧面对粘接层，并在阻气性被覆层上形成了底漆层。除了上述以外，与实施例2-1同样地得到了具有图9所示结构的波长转换片。

[实施例2-8]

通过与实施例2-6同样的方法制作了第1膜。通过与实施例2-1同样的方法，在所得的第1膜的阻气性被覆层上形成了厚度30nm的底漆层。

另外，通过与实施例2-1同样的方法，在第1膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第1基材)上，形成了厚度3μm的消光层。由此，得到了阻隔膜。制作了2片具有相同结构的上述阻隔膜。

除了使用如上所述得到的阻隔膜以外，与实施例2-1同样地得到了具有图11所示结构的波长转换片。

[比较例2-1]

除了不形成底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

[比较例2-2]

除了通过以下方法形成了厚度30nm的底漆层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

使用乙酸乙酯将3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(甲基丙烯酸系硅烷偶联剂、“信越化学工業株式会社”制、商品名：KBM-502)稀释为固体成分含量为1.5质量％，从而制得了底漆组合物，并使用线棒#3将所得的底漆组合物涂布在第1膜的第1基材上，在120℃下进行1分钟的干燥以使其固化，从而形成了厚度30nm的底漆层。

[比较例2-3]

除了通过以下方法形成了荧光体层以外，与实施例2-1同样地得到了波长转换片。

在一个阻隔膜的底漆层上，滴加通过使核为硒化镉(CdSe)、壳为硫化锌(ZnS)、粒径为6nm的量子点发光体分散于热固化型丙烯酸类树脂中而得到的材料，在其上贴合另一个阻隔膜的底漆层。

在室温下放置24小时使上述热固化型丙烯酸类树脂固化，从而形成了具有波长转换功能的荧光体层，得到了波长转换片。此时，荧光体层的厚度为100μm。

将上述实施例和比较例中所制作的阻隔膜的水蒸气透过率的测定结果汇总并示出于表2中。

<密合性的评价>

将实施例和比较例中所得的波长转换片切成宽度1cm的条状，并将所切得的波长转换片固定在玻璃板上。使用Tensilon万能材料试验机(“エーアンドデイ社”制)，以300mm/分钟的速度，在垂直于玻璃板的方向上，将所固定的条状波长转换片的底漆层从荧光体层剥离，并测定剥离所需要的强度。对于初期的波长转换片、以及在60℃、95％RH的环境下放置了1000小时后(耐湿试验后)的波长转换片，分别进行该剥离强度的测定。测定结果示出于表2中。需要说明的是，表2中的“剥离”指的是：荧光体层与底漆层之间在进行剥离试验之前已经发生了剥离。

[表2]

从表2所示的结果可明显地确认，实施例2-1至2-8的波长转换片具有优异的阻气性，并且同时在初期及耐湿试验后还具有优异的密合性。

符号的说明

1…第1膜；2…第2膜；3…第3膜；4…底漆层；5…粘接层；6…消光层；7…荧光体层；11…第1基材；21…第2基材；31…第3基材；12、22…锚固涂层；13、23…无机薄膜层；14、24…阻气性被覆层；15、25…阻隔层；50、55、60、70、80、85、100、200、300、400、500、600…阻隔膜；800、1100、1200、1300、1400、1500、1600…波长转换片。

Claims (13)

1.一种阻隔膜，具备：

至少具有阻气性被覆层的阻气性膜、以及底漆层，

所述底漆层配置于所述阻气性膜与层叠在该阻气性膜上的被粘物之间，并且该底漆层在与所述阻气性被覆层接触的状态下被配置于所述阻气性膜的所述阻气性被覆层侧的表面上，

该底漆层由含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

2.根据权利要求1所述的阻隔膜，其中，所述有机金属化合物包含选自由铝、锆、钛和锡所组成的组中的至少一种金属。

3.根据权利要求1或2所述的阻隔膜，其中，所述硅烷偶联剂具有选自由乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、氨基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、硫醚基及异氰酸酯基所组成的组中的至少一种官能团。

4.根据权利要求1或2所述的阻隔膜，其中，所述底漆层的厚度为1nm至1000nm。

5.根据权利要求3所述的阻隔膜，其中，所述底漆层的厚度为1nm至1000nm。

6.一种波长转换片，具备：包含荧光体的荧光体层、以及在所述荧光体层的至少一个面上层叠的权利要求1至5中任一项所述的阻隔膜，

所述阻隔膜在所述阻气性膜与层叠在该阻气性膜上的所述荧光体层之间具备所述底漆层。

7.一种制造权利要求1至5中任意一项所述的阻隔膜的方法，

所述制造方法具有：将底漆组合物涂布于所述阻气性被覆层表面上并使其固化从而形成所述底漆层的步骤，其中该底漆组合物含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂。

8.一种制造权利要求6所述的波长转换片的方法，

所述制造方法具有：将底漆组合物涂布于所述阻气性膜上并使其固化从而形成所述底漆层的步骤，其中该底漆组合物含有选自由金属螯合物、金属醇盐化合物和金属酰化物所组成的组中的至少一种有机金属化合物、以及硅烷偶联剂；以及

将所述荧光体层和所述阻隔膜层叠的步骤。

9.一种光学层叠体，具备：由第1基材以及其上的无机薄膜层和阻气性被覆层构成的第1膜；底漆层；以及包含环氧树脂的被粘物，

所述底漆层在与所述第1基材接触的状态下被配置于所述第1膜的所述第1基材侧的表面上、或者所述底漆层在与所述阻气性被覆层接触的状态下被配置于所述第1膜的所述阻气性被覆层侧的表面上，

所述底漆层配置于所述第1膜的所述被粘物一侧的最外表面上、并且与所述被粘物接触，

所述底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

10.根据权利要求9所述的光学层叠体，其中，所述底漆层的厚度为1nm至1000nm。

11.一种波长转换片，具备：由第1基材以及其上的无机薄膜层和阻气性被覆层构成的第1膜；底漆层；以及包含环氧树脂和荧光体的荧光体层，

所述底漆层在与所述第1基材接触的状态下被配置于所述第1膜的所述第1基材侧的表面上、或者所述底漆层在与所述阻气性被覆层接触的状态下被配置于所述第1膜的所述阻气性被覆层侧的表面上，

所述底漆层配置于所述第1膜的所述荧光体层一侧的最外表面上、并且与所述被粘物接触，

所述底漆层由包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物的固化产物构成。

12.一种制造权利要求9或10所述的光学层叠体的方法，

所述制造方法具有：以使得所述底漆层在与所述第1基材接触的状态下被配置于所述第1膜的所述第1基材侧的表面上、或者所述底漆层在与所述阻气性被覆层接触的状态下被配置于所述第1膜的所述阻气性被覆层侧的表面上的方式，涂布包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物，并使其固化从而形成所述底漆层的步骤、以及

将所述包含环氧树脂的被粘物和所述第1膜层叠的步骤，

其中，所述底漆层配置于所述第1膜的所述被粘物一侧的最外表面上、并且与所述被粘物接触。

13.一种制造权利要求11所述的波长转换片的方法，

所述制造方法具有：以使得所述底漆层在与所述第1基材接触的状态下被配置于所述第1膜的所述第1基材侧的表面上、或者所述底漆层在与所述阻气性被覆层接触的状态下被配置于所述第1膜的所述阻气性被覆层侧的表面上的方式，涂布包含具有氨基的硅烷偶联剂的底漆组合物，并使其固化从而形成所述底漆层的步骤、以及

将所述包含环氧树脂和荧光体的荧光体层和所述第1膜层叠的步骤。

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