[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN104106310B - 有机电致发光元件 - Google Patents

有机电致发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN104106310B
CN104106310B CN201380007129.9A CN201380007129A CN104106310B CN 104106310 B CN104106310 B CN 104106310B CN 201380007129 A CN201380007129 A CN 201380007129A CN 104106310 B CN104106310 B CN 104106310B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
organic electroluminescent
electroluminescent device
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380007129.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104106310A (zh
Inventor
中田学
山木健之
中村将启
山名正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of CN104106310A publication Critical patent/CN104106310A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104106310B publication Critical patent/CN104106310B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

有机电致发光元件包括功能层，所述功能层插入在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发光层。所述第二电极包括与所述功能层接触并且具有光透射性质的至少一个导电聚合物层(39)。所述有机电致发光元件包括：基板；具有光透射性质的密封基板；透明保护层，所述透明保护层覆盖包括所述第一电极、所述功能层和所述第二电极的叠层的元件部；以及树脂层，所述树脂层插入在所述透明保护层与所述密封基板之间并且具有光透射性质。

Description

有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件。
背景技术
近来，因为各种优点，有机电致发光元件作为下一代发光器件正在引起关注，这些优点是：此类有机电致发光元件能够表面发光，可以是无汞的，可以在低温下运行，可以以低成本制成，可以更轻，并且可以是柔性的。
例如，作为此类有机电致发光元件，已经提出了具有图6中所示结构的有机电致发光器件(文献1[JP 2008-181832 A])。
在这种有机电致发光器件中，透明导电层102置于透光基板101的表面上，有机发光层103置于透明导电层102上，并且阴极层104置于有机发光层103上。此外，这种有机电致发光器件包括用于封装有机发光层103和阴极层104的叠层106的保护封装层107，以及用于封装保护封装层107的含吸湿剂封装层108。此外，在这种有机电致发光器件中，防湿层109置于含吸湿剂封装层108的外部，并且防湿层109通过粘合层110结合至透光基板101。含吸湿剂封装层108通过将含有吸湿剂的基础树脂施加至保护封装层107的外表面而制备。
文献1公开了，吸湿剂优选为具有吸收水分的功能，并且即使吸收水分时也能够是固体的化合物。尤其是，吸湿剂的优选实例可以包括氧化钙、氧化钡、二氧化硅凝胶等。在文献1中公开的实施方案1中，透明导电层102通过图案化通过溅射在透光基板101上制备的ITO膜而形成。此外，阴极层104通过Al的沉积而形成。
在具有图6中所示结构的有机电致发光元件中，在有机发光层103中产生的光通过透光基板向外射出。
相比之下，例如，已经提出了具有图7中所示结构的顶部发光型有机 电致发光元件(文献2[JP 2006-331694 A])。在这种有机电致发光元件中，一个电极(阴极)201置于在基板204的表面上，发光层203置于电极201的表面上并且电子注入/传输层205在其之间，并且另一个电极(阳极)202置于发光层203上并且空穴注入/传输层206在其之间。此外，这种有机电致发光元件包括与基板204的表面连接的覆盖构件207。因此，在这种有机电致发光元件中，在发光层203中产生的光通过作为透光电极形成的电极202和由透明材料制成的覆盖构件207向外射出。
具有光反射性的电极201的材料的实例可以包括Al、Zr、Ti、Y、Sc、Ag和In。充当透光电极的电极202的材料的实例可以包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。
根据文献2的公开内容，在一些情况下，可以将干燥剂置于覆盖构件207内部，以便抑制非发光区域的形成和发展。这种干燥剂优选具有光透射性质。然而，根据干燥剂的尺寸或位置，这种干燥剂可以是不透明的。
也已经提出了具有图8中所示结构的顶部发光型有机电致发光元件(文献3[JP2008-293676 A])。
这种有机电致发光元件具有这样的结构：反射电极320、有机EL层330、电子注入层335和透明电极340层叠在基板310的表面上。此外，在这种有机电致发光元件中，覆盖基板360与基板310的表面结合并且封装构件390在其之间。
此外，这种有机电致发光元件包括透明保护层350，其形成以封装反射电极320、有机EL层330、电子注入层335和透明电极340。
在此方面，例如，反射电极320由通过气相沉积法制备的Al膜和通过溅射制备的ITO膜的层状膜形成。此外，例如，有机EL层330通过印刷方法形成。透明电极340通过溅射、CVD法、气相沉积法等形成在有机EL层330上。透明电极340由导电氧化物如SnO2、In2O3、ITO、IZO和ZnO：Al制成。文献3公开了，透明保护层350的材料优选具有气体隔离性质并且可以是无机材料(例如，无机氧化物和无机氮化物)如SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx和ZnOx。
发明概述
技术问题
普遍已知的是，在顶部发光型有机电致发光元件中，为了提高薄膜方式中的出光率(light-outcoupling efficiency)，需要采用在其中用透明材料填充透光电极与封装构件之间的空间的结构。
然而，本发明的发明人已经发现，在将导电聚合物材料用于透明电极的情况下，透明电极可能会在用透明材料如树脂填充透光电极与封装构件之间的空间的过程中损坏，并且因此元件的性能可能会大幅劣化。
鉴于上述不足，本发明的目的是提出一种有机电致发光元件，在其中允许光透射的电极由导电聚合物材料制成并且仍然可以提高出光率和可靠性。
解决问题的方式
根据本发明的有机电致发光元件包括：基板；第一电极，所述第一电极置于所述基板的表面上/上方；第二电极，所述第二电极面向所述第一电极的与所述基板的所述表面相反的一侧；以及功能层，所述功能层插入在所述第一电极与所述第二电极之间并且至少包括发光层。所述有机电致发光元件被配置成允许光从所述第二电极射出。所述第二电极包括与所述功能层接触并且至少具有光透射性质的导电聚合物层。所述有机电致发光元件还包括：密封基板，所述密封基板与所述基板的所述表面相对并且具有光透射性质；透明保护层，所述透明保护层覆盖具有所述第一电极、所述功能层和所述第二电极的叠层的元件部；以及树脂层，所述树脂层插入在所述透明保护层与所述密封基板之间并且具有光透射性质。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述透明保护层具有在10nm至100 nm的范围内、包括10 nm和100 nm的厚度。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述树脂层的折射率大于所述导电聚合物层的折射率。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述透明保护层通过涂布法形成。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述透明保护层由具有光透 射性质的聚合物有机材料制成。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述透明保护层由具有光透射性质的无机材料制成。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述第二电极包括图案化电极。所述图案化电极包括：电极部，所述电极部覆盖所述导电聚合物层的与所述功能层相反的一侧上的表面；以及开口，所述开口在所述电极部中形成，以使得所述导电聚合物层的所述表面通过所述开口暴露。所述图案化电极的所述电极部由包含金属粉末和有机粘合剂的电极材料制成。
在这种有机电致发光元件的优选的方面，所述透明保护层的折射率大于所述发光层的折射率和所述导电聚合物层的折射率中的至少一个。
本发明的有益效果
根据本发明的有机电致发光元件具有这样的结构：允许光透射的电极由导电聚合物材料制成，并且仍然可以提高出光率和可靠性。
附图简述
图1是示出了根据实施方案的有机电致发光元件的示意性截面图。
图2是示出了根据实施方案的有机电致发光元件的图案化电极的示意性平面图。
图3是示出了根据实施方案的有机电致发光元件的主要部件的示意性截面图。
图4是示出了根据实施方案的有机电致发光元件的图案化电极结构的另一个实例的示意性平面图。
图5是示出了根据实施方案的有机电致发光元件的图案化电极结构的另一个实例的示意性平面图。
图6是示出了常规有机电致发光器件的一个实例的截面图。
图7是示出了常规顶部发光型有机电致发光元件的一个实例的示意性截面图。
图8是示出了常规顶部发光型有机电致发光元件的另一个实例的示意性截面图。
实施方案描述
如上所述，在顶部发光型有机电致发光元件中，已知的是，用透明材料填充透光电极与封装构件之间的空间以提高薄膜方式中的出光率。优选的是，透明材料的折射率大于充当透光电极的透明电极用材料的折射率。在使用这种材料的情况下，在顶部发光型有机电致发光元件中，可以防止在透明电极与由透明材料制成的介质之间的界面上的总反射，并且因此可以提高出光率。使用树脂材料作为透明材料，因为容易制造由透明材料制成的层。
然而，本发明的发明人已经发现，在将导电聚合物材料用于允许光透射的电极的这种结构中，由导电聚合物层构成的电极将会由于制造过程中透明材料的存在而损坏，并且因此可能发生元件性能的明显劣化。据推测，这种问题是由树脂材料的组成导致的。为了解决这种问题，需要同时考虑树脂材料折射率的提高和树脂材料对导电聚合物层影响的降低二者而设计树脂材料，并且因此，材料设计变得极其困难。
对于以上问题来说，本发明的发明人考虑了这样的结构：透明保护层置于由导电聚合物形成的电极的表面上，从而可以彼此独立地设计导电聚合物的材料和树脂材料的材料，并且已经实现了本发明。注意，不同于如在文献3中所公开的包括发挥作为用于预防外部水分负面影响的气体隔离层功能的透明保护层350的结构，本发明解决了特别针对这样的结构的新型问题：将导电聚合物用作允许光从电极射出的电极的材料。
参照图1至图6对本实施方案的有机电致发光元件进行下列解释。
有机电致发光元件包括：基板10；置于基板10的表面上/上方的第一电极20；面向第一电极20的与基板10的表面相反的一侧的第二电极50；以及插入在第一电极20与第二电极50之间并且包括至少一个发光层的功能层30。
本实施方案的有机电致发光元件被配置成允许光从第二电极50射出。也就是说，本实施方案的有机电致发光元件是顶部发光型有机电致发光元件。第二电极50包括与功能层30接触并且具有光透射性质的至少一个导电聚合物层39是足够的。由此，在有机电致发光元件中，可以允许光从 所述第二电极50射出。在图1中所示的实例中，第二电极50包括图案化电极40以及导电聚合物层39。图案化电极40位于导电聚合物层39的与功能层30相反的一侧上，并且包括至少一个开口41(参见图2和3)，以使光从功能层30透射。图案化电极40包括：电极部48，其覆盖所述导电聚合物层39的与所述功能层相反的一侧上的表面；以及开口41，其在所述电极部48中形成，以使得所述导电聚合物层39的表面通过所述开口41暴露。由此，在有机电致发光元件中，第二电极50包括图案化电极40并且有机电致发光元件仍然可以允许光从第二电极50射出。然而，在由导电聚合物层39的电阻导致的电压下降可以忽略的情况下，有机电致发光元件的第二电极50可以仅包括导电聚合物层39。注意，例如，如果有机电致发光元件的亮度的面内均匀性满足预期的规定，由导电聚合物层39的电阻导致的电压下降可以忽略。
此外，有机电致发光元件包括密封基板80，其与基板10的表面相对并且具有光透射性质。此外，有机电致发光元件包括框架部100，其插入在基板10的外围与密封基板80的外围之间并且具有框架形状(本实施方案中为矩形框架形状)。
此外，有机电致发光元件包括：透明保护层70，其覆盖具有第一电极20、功能层30和第二电极50的叠层的元件部1；以及树脂层90，其插入在透明保护层70与密封基板80之间并且具有光透射性质。透明保护层70由具有光透射性质的聚合物有机材料制成。
在有机电致发光元件中，第一电极20的不与功能层30和第二电极50的叠层重叠的部件(未示出)可以充当第一端子部，或者可以加入通过第一延伸线与第一电极20连接的第一端子部。此外，在有机电致发光元件中，第一端子部可以是由金属板或金属箔制成的基板10的暴露部分。有机电致发光元件包括通过第二延伸线46与第二电极50电连接的第二端子部47。第二延伸线46和第二端子部47置于基板10的表面上，但是第二延伸线46和第二端子部47的结构不限于此。在基板10由金属箔制成的情况下，第二端子部47的末端连同以下描述的绝缘层60的末端和基板10的末端可以向与密封基板80相反的方向弯曲。此外，在有机电致发光元件中，以上绝缘层60连续形成以在基板10的表面、第一电极20的侧表 面、功能层30的侧表面和接近功能层30的第二电极50的表面的外围上延伸。由此，在有机电致发光元件中，借助绝缘层60，第二延伸线46与功能层30和第一电极20电绝缘。
下面对有机电致发光元件的每一个组件进行详细解释。
在平面图中，基板10形成为矩形形状。注意，基板10在平面图中的形状不限于矩形形状，而是可以为除矩形形状外的多边形形状、圆形形状等。
基板10由刚性玻璃基板形成，但是不限于此。例如，基板10可以属于刚性或柔性塑料板、刚性金属板或柔性金属箔。玻璃基板的材料的实例可以包括钠钙玻璃和无碱玻璃。塑料板的材料的实例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜和聚碳酸酯。金属板和金属箔的材料的实例可以包括金属如铜、不锈钢、铝、镍、锡、铅、金、银、铁、钛，以及包括至少一种类型上述金属的合金。对于塑料板，为了抑制水的透过，优选的是使用具有涂有膜如SiON膜和SiN膜的表面的塑料板。注意，基板10可以是刚性的或柔性的。此外，在有机电致发光元件中，基板10不限于如透明玻璃基板和透明塑料基板之类的基板，基板10可以由可以具有较高机械强度、廉价、并且具有气体隔离性质、耐化学性和耐热性的材料制成。此外，在基板10由具有导电性的材料如金属板和金属箔制成的情况下，基板10可以充当第一电极20的一部分或充当第一电极20本身。
在基板10由玻璃基板形成的情况下，基板10的表面的不平整性可能引起有机电致发光元件的漏电(即，可能引起有机电致发光元件的劣化)。因此，在将玻璃基板用于基板10的情况下，优选的是制备用于设备形成的被高度抛光从而表面具有足够小的粗糙度的玻璃基板。对于基板10的表面的表面粗糙度来说，JIS B 0601-2001(ISO 4287-1997)中定义的算术平均粗糙度Ra优选为10 nm以下并且更优选为数纳米以下。相比之下，当将塑料板用于基板10时，可以在无需特别进行高精度抛光的情况下，以低成本获得表面的算术平均粗糙度Ra为数纳米以下的基板。
在本实施方案的有机电致发光元件中，第一电极20充当阴极，并且第二电极50充当阳极。在这种情况下，从第一电极20向功能层30注入 的第一载流子是电子，并且从第二电极50向功能层30注入的第二载流子是空穴。功能层30包括发光层32、第二载流子传输层33和第二载流子注入层34，它们从第一电极20开始按顺序布置。在此方面，载流子传输层33和载流子注入层34分别充当空穴传输层和空穴注入层。注意，在第一电极20充当阳极并且第二电极50充当阴极的情况下，可以将电子传输层用作载流子传输层33并且可以将电子注入层用作载流子注入层34。
以上功能层30的结构不限于图1中所示的实例，但是第一载流子注入层和第一载流子传输层中的至少一个可以置于第一电极20与发光层32之间，并且夹层可以置于发光层32与载流子传输层33之间。在第一电极20充当阴极并且第二电极50充当阳极的情况下，第一载流子注入层充当电子注入层并且第一载流子传输层充当电子传输层。
此外，功能层30至少包括发光层32(即，功能层30可以仅包括发光层32)是足够的。除发光层32外的组件，即第一载流子注入层、第一载流子传输层、夹层、第二载流子传输层33、第二载流子注入层34等是任选的。发光层32可以具有单层结构或多层结构。在需要白光的情况下，发光层32可以掺杂有三种类型的染料材料，即红色、绿色、蓝色染料；可以具有下列各项的叠层：具有空穴传输性质的蓝色发光层、具有电子传输性质的绿色发光层和具有电子传输性质的红色发光层；或者可以具有下列各项的叠层：具有电子传输性质的蓝色发光层、具有电子传输性质的绿色发光层和具有电子传输性质的红色发光层。
发光层32的材料的实例包括：聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物、聚噻吩衍生物、聚(对亚苯基)衍生物、聚硅烷衍生物和聚乙炔衍生物；聚合化合物如聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、发色团材料(chromoporic material)和金属配合物的发光材料；蒽、萘、芘、并四苯、六苯并苯、苝、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、邻吡喃酮、二唑、二苯并唑啉、二苯乙烯基、环戊二烯、邻吡喃酮、二唑、二苯并喹唑啉、Bisusuchiriru、环戊二烯、喹啉金属配合物、三(8-羟基喹啉)铝配合物、三(4-甲基-8-喹啉)铝配合物、三(5-苯基-8-喹啉)铝配合物、氨基喹啉-金属配合物、苯并喹啉-金属配合物、三(对三联苯-4-基)胺、吡喃、喹吖啶酮、红荧烯、及其衍生物；1-芳基-2，5-二(2-噻吩基)吡咯 衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、苯乙烯基亚芳基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、以及包含由以上列出的发光材料形成的基团(原子团)的各种化合物。发光层32的材料不限于以上列出的基于荧光染料的化合物，并且发光层32的材料的实例包括通常所说的发磷光的材料如铱配合物、锇配合物、铂配合物、铕配合物、以及含有这些复合物中的一种的化合物或聚合物分子。可以按需要选择并使用这些材料中的一种或多种。优选通过湿法工艺如涂布法(例如，旋涂法、喷涂法、染料涂布法、凹版印刷法和丝网印刷法)将发光层32形成为膜状。然而，可以通过干法工艺如真空气相沉积法和转印法以及通过涂布法将发光层32形成为膜状。
用于电子注入层的材料的实例包括金属氟化物(例如，氟化锂和氟化镁)、金属卤化物化合物(例如，以氯化钠和氯化镁为代表的金属氯化物)以及氧化物如钛、锌、镁、钙、钡和锶。在使用这些材料的情况下，可以通过真空气相沉积法形成电子注入层。此外，电子注入层可以由掺杂有用于促进电子注入的掺杂剂(如碱金属)的有机半导体材料制成。在使用这种材料的情况下，可以通过涂布法形成电子注入层。
电子传输层的材料可以从允许电子传输的化合物的组中选择。这种类型的化合物的实例可以包括被称为电子传输材料的金属复合物(例如，Alq3)和具有杂环的化合物(例如，邻二氮杂菲衍生物、吡啶衍生物、四嗪衍生物和二唑衍生物)，但是不限于此，并且可以使用通常已知的任何电子传输材料。
用于电子注入层的材料的实例包括金属氟化物(例如，氟化锂和氟化镁)、金属卤化物化合物(例如，以氯化钠和氯化镁为代表的金属氯化物)以及氧化物如钛、锌、镁、钙、钡和锶。在使用这些材料的情况下，可以通过真空气相沉积法形成电子注入层。此外，电子注入层可以由掺杂有用于促进电子注入的掺杂剂(如碱金属)的有机半导体材料制成。在使用这种材料的情况下，可以通过涂布法形成电子注入层。
空穴传输层可以由低分子材料或具有较低的LUMO(最低未占有分子轨道)水平的聚合物材料制成。空穴传输层的材料的实例包括含有芳香胺的聚合物，如在侧链或主链上含有芳香胺的聚亚芳基衍生物，例如，聚乙烯咔唑(PVCz)、聚吡啶、聚苯胺等。然而，空穴传输层的材料不限于此。注 意，空穴传输层的材料的实例可以包括4，4′-二[N-(萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、N，N′-二(3-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TPD)、2-TNATA、4，4′，4″-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4′-N，N′-二咔唑联苯(CBP)、螺-NPD、螺-TPD、螺-TAD、TNB、以及TFB(聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(4，4’-(N-(4-仲丁基苯基))二苯基胺)])。
空穴注入层的材料的实例包括有机材料，其包括噻吩、三苯甲烷、氢唑啉(hydrazoline)、戊胺、腙、均二苯代乙烯、三苯胺等。详细地，空穴注入层的材料的实例包括芳香胺衍生物，如聚乙烯咔唑、聚乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)、TPD等。这些材料可以单独使用或以其两种以上的组合使用。可以通过湿法工艺如涂布法(例如，旋涂法、喷涂法、染料涂布法和凹版印刷法)将上述空穴注入层形成为膜状。
优选的是，夹层具有充当第一载流子屏障(在这种构造中，为电子屏障)的载流子阻挡功能(在这种构造中，为电子阻挡功能)，其抑制第一载流子(在这种构造中，为电子)从发光层32泄露至第二电极50。此外，优选的是，夹层具有将第二载流子(在这种构造中，为空穴)传输到发光层32的功能以及防止发光层32的激发状态猝灭的功能。注意，在本实施方案中，夹层充当电子阻挡层，其抑制电子从发光层32泄露。
在有机电致发光元件中，在提供夹层的情况下，可以提高发光效率并且延长寿命。夹层的材料的实例包括聚烯丙胺及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚乙烯咔唑及其衍生物、以及三苯基二胺衍生物。可以通过湿法工艺如涂布法(例如，旋涂法、喷涂法、染料涂布法和凹版印刷法)将上述夹层形成为膜状。
阴极是将作为第一电荷的电子(第一载流子)注入功能层30的电极。在第一电极20充当阴极的情况下，阴极优选由诸如金属、合金或具有小的功函的导电化合物、以及它们的混合物等电极材料制成。此外，优选的是，阴极由具有1.9 eV以上至5 eV以下的功函的材料制成，从而将第一电极20的功函与LUMO(最低未占有分子轨道)水平之间的差限制在适当的范围内。阴极的电极材料的实例包括铝、银、镁、金、铜、铬、钼、钯、锡、以及这些金属和其它金属的合金，如镁银混合物、镁铟混合物、铝锂合金等。例如，阴极可以由层压膜形成，所述层压膜包括由铝制成的薄膜以及 由氧化铝制成的超薄膜(厚度为1 nm以下从而允许电子通过隧穿注入而流动的薄膜)。这种超薄膜可以由金属、金属氧化物或者这些金属和其它金属的混合物制成。在阴极被设计为反射电极的情况下，优选的是，阴极由对从发光层32射出的光具有高反射率并且具有低电阻率的金属如铝和银制成。注意，在第一电极20是充当用于将作为第二电荷的空穴(第二载流子)注入功能层30的电极的阳极的情况下，第一电极20优选由具有大功函的金属制成。此外，优选的是，阳极由具有4 eV以上至6 eV以下的功函的材料制成，从而将第一电极20的功函与HOMO(最高占有分子轨道)水平之间的差限制在适当的范围内。
第二电极50的导电聚合物层39的材料可以是导电聚合物材料如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚亚苯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚乙炔和聚咔唑。备选地，用于导电聚合物层39的导电聚合物材料可以掺杂有掺杂剂如磺酸、路易斯酸、质子酸、碱金属、碱土金属，以提高导电聚合物层39的导电率。在此方面，导电聚合物层39优选具有较低的电阻率。就此而言，随着导电聚合物层39的电阻率的降低，提高了在横向(面内方向)上的导电聚合物层39的导电性。因此，可以抑制流过发光层32的电流的面内变化，并且因此可以降低亮度不均匀性。
第二电极50的图案化电极40的电极部48由包含金属粉末和有机粘合剂的电极材料制成。这种金属可以是银、金或铜。因此，在有机电致发光元件中，因为第二电极50的图案化电极40的电极部48电阻率和表面电阻可以低于作为由导电透明氧化物制成的薄膜提供的第二电极50的电阻率和表面电阻，可以降低亮度不均匀性。注意，作为金属的替代品，用于第二电极50的图案化电极40的导电材料可以是合金、炭黑等。
例如，可以借助丝网印刷法或凹版印刷法，通过印刷通过将金属粉末与一组有机粘合剂和有机溶液混合而制备的糊状物(印刷墨)来形成图案化电极40。有机粘合剂的材料的实例包括丙烯酸类树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚醚砜、聚芳酯、聚碳酸酯树脂、聚氨酯、聚丙烯腈、聚乙烯醇缩醛、聚酰胺、聚酰亚胺、二丙烯酰邻苯二甲酸酯(diacryl phthalate)树脂、纤维素树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醋酸乙烯酯、其他热塑性树脂、以及含有以上列出的树 脂组分中的至少两种的共聚物。注意，有机粘合剂的材料不限于此。
第二延伸线46和第二端子部47的材料与第二电极50的图案化电极40的材料相同，但是不限于此。在第二延伸线46和第二端子部47的材料与第二电极50的图案化电极40的材料相同的情况下，可以同时形成第二延伸线46、第二端子部47和图案化电极40。第二端子部47可以具有单层结构或多层结构。
注意，在本实施方案的有机电致发光元件中，第一电极20具有在80nm至200 nm的范围内的厚度，并且发光层32具有在60 nm至200 nm的范围内的厚度，并且第二载流子传输层33具有在5 nm至30 nm的范围内的厚度，载流子注入层34具有在10 nm至60 nm的范围内的厚度，并且导电聚合物层39具有在200 nm至400 nm的范围内的厚度。然而，前述值仅是实例，并且没有特别地限定其厚度。
图案化电极40形成为如在图1至3中所示的网格形状(网状形状)，并且包括多个(在图2中所示的实例中，为6×6＝36个)开口41。就此而言，在图2中所示的图案化电极40中，每个开口41在平面图中具有正方形形状。简而言之，图2中所示的图案化电极40形成为正方形的网格形状。
对于第二电极50中具有正方形的网格形状的图案化电极40的尺寸来说，例如，图案化电极40中电极部48的线宽L1(参见图3)可以在1μm至100μm的范围内，其高度H1(参见图3)可以在50 nm至100μm的范围内，并且其间距(pitch)P1(参见图3)可以在100μm至2000μm的范围内。然而，没有特别地限定第二电极50的图案化电极40的电极部48的线宽L1、高度H1和间距P1中各个值的范围，但是可以基于具有第一电极20、功能层30和第二电极50的叠层的元件部1的平面图的尺寸适当地选择。就此而言，为了提高发光层32中产生的光的使用效率，优选的是，降低第二电极50的图案化电极40中电极部48的线宽L1。相比之下，为了通过降低第二电极50的电阻来抑制亮度不均匀性，优选的是，增加第二电极50的图案化电极40中电极部48的线宽L1。因此，优选的是，例如，根据有机电致发光元件的平面大小适当地选择线宽L1。此外，优选的是，第二电极50的图案化电极40中电极部48的高度H1在100 nm至10μm的范围内。可以基于下列各项来选择此范围：降低第二电极50的电阻； 提高在通过涂布法如丝网印刷法形成图案化电极40的过程中图案化电极40的材料的有效使用(材料使用效率)；以及选择从功能层30射出的光的适当的辐射角。
此外，在有机电致发光元件中，图案化电极40中的每一个开口41可以形成为使得开口面积随着与功能层30的距离的增加而逐渐增加的开口形状。因此，在有机电致发光元件中，可以增加从功能层30射出的光的扩散角，因此可以进一步降低亮度不均匀性。此外，在有机电致发光元件中，可以降低在第二电极50的图案化电极40处的反射损失和吸收损失。因此，可以进一步提高有机电致发光元件的外量子效率。
在图案化电极40形成为网格形状的情况下，平面图中每个开口41的形状为多边形形状是足够的。总而言之，平面图中每个开口41的形状不限于正方形形状，而是可以是例如矩形形状、等边三角形形状、或正六边形形状。
在平面图中每个开口41的开口形状为等边三角形形状的情况下，图案化电极40为三角形网格形状。在平面图中每个开口41的开口形状为正六边形形状的情况下，图案化电极40为六边形网格形状(蜂窝形)。注意，图案化电极40的形状不限于网格形状，而是可以是，例如，梳形。图案化电极40也可以由一组两个各自形成为梳形的图案化电极构成。此外，没有特别地限定图案化电极40中开口41数量，但是可以是一个或多个。例如，在图案化电极40具有梳形或者图案化电极40由两个各自具有梳形的图案化电极构成的情况下，开口部分41的数量可以是一个。
此外，图案化电极40可以形成为具有例如如在图4中所示的这种平面形状。也就是说，图案化电极40可以在平面图中形成为这样的形状：使得图案化电极48的直窄线部分44具有相同的线宽，并且通过随着与图案化电极40的外围的距离的增加而减小相邻窄线部分44之间的间隔来减小开口部分41的开口面积。在有机电致发光元件中，与图案化电极40形成为图2中所示的平面形状的情况相反，在第二电极50的图案化电极40形成为图4中所示的平面形状的情况下，可以提高在离第二端子部47(参见图1)比其外围更远的图案化电极40的中心处的第二电极50的发光效率。因此，可以提高有机电致发光元件的外量子效率。此外，在有机电致发光元 件中，与图案化电极40形成为图2中所示的平面形状的情况相反，因为第二电极50的图案化电极40形成为图4中所示的平面形状，可以抑制在靠近第一端子部和第二端子部47的功能层30的外围处聚集的电流。因此，可以延长有机电致发光元件的寿命。
此外，第二电极50的图案化电极40可以形成为具有如在图5中所示的这种平面形状。换句话说，图案化电极40被形成为使得在平面图中，限定图案化电极40的电极部48的外围的四个第一窄线部分42的宽度和在图5的左右方向上位于中心处的单个第二窄线部分43的宽度大于位于第一窄线部分42与第二窄线部分43之间的窄线部分(第三窄线部分)44的宽度。在有机电致发光元件中，与图案化电极40形成为图2中所示的平面形状的情况相反，因为第二电极50的图案化电极40形成为图5中所示的平面形状，可以提高在离第二端子部47(参见图1)比其外围更远的图案化电极40的中心处的第二电极50的发光效率。因此，可以提高有机电致发光元件的外量子效率。注意，在图案化电极40形成为图5中所示的平面形状的情况下，通过增加具有相对大的宽度的第一窄线部分42和第二窄线部分43的高度从而大于第三窄线部分44的高度，可以进一步减小第一窄线部分42和第二窄线部分43的电阻。
发挥作为覆盖基板的功能的密封基板(密封构件)80由玻璃基板形成，但是不限于由其形成。例如，塑料板等可以用于密封基板80。玻璃基板的材料的实例可以包括钠钙玻璃和无碱玻璃。塑料板的材料的实例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜和聚碳酸酯。注意，在基板10由玻璃基板形成的情况下，优选的是，利用由与基板10相同的材料制成的玻璃基板形成密封基板80。
密封基板80的对可见光的总光透射率优选为等于或大于70％，但是不限于此。鉴于有机电致发光元件的出光率的提高，优选的是，密封基板80的总光透射率尽可能地大。注意，可以借助ISO13468-1中定义的测量方法来测量总光透射率。
在本实施方案中，密封基板80具有平板形状，但是没有特别地限定密封基板80的形状。例如，密封基板80可以设置有凹入部，用于在面对基板10的其表面处容纳元件部1，并且可以将在面对表面内的凹入部周围的整个区域结合至基板10。这种构造具有下列优点：不需要制备设置为与密封基板80分离的部件的框架部100。相比之下，在将形成为平板形状的密封基板80和形成为框架形状的框架部100设置为分离部件的情况下，存在下列优点：可以使用满足密封基板80所需的光学性质(例如，光学透射率和折射率)以及框架部100所需的性质(例如，气体隔离性质)的相应要求的材料。
框架部100和基板10的表面借助第一结合材料彼此结合。第一结合材料是环氧树脂，但是不限于此。例如，可以将丙烯酸类树脂等用作第一结合材料。用作第一结合材料的环氧树脂、丙烯酸类树脂等可以是紫外线固化树脂、热固性树脂等。此外，含有填料(由例如二氧化硅、氧化铝制成)的环氧树脂也可以用于第一结合材料。在框架部100面对基板10的表面的整个外围，以气密方式将框架部100结合至基板10的表面。框架部100和密封基板80借助第二结合材料彼此结合。第二结合材料是环氧树脂，但是不限于此。例如，可以将丙烯酸类树脂、烧结玻璃等用作第二结合材料。用作第二结合材料的环氧树脂、丙烯酸类树脂等可以是紫外线固化树脂、热固性树脂等。此外，含有填料(由例如二氧化硅、氧化铝制成)的环氧树脂也可以用于第二结合材料。在框架部100面对密封基板80的整个外围，以气密方式将框架部100结合至密封基板80。
优选的是，有机电致发光元件包括在密封基板80的外表面(密封基板80的与基板10相反的一侧)上的光提取结构(未示出)，用于抑制从发光层32射出的光在外表面处的反射。例如，以上光提取结构可以是具有二维周期结构的不对称结构。在从发光层32射出的光的波长落入300 nm至800nm的范围内的情况下，这种二维周期结构的周期长度优选为在波长λ的四分之一至十倍的范围内。波长λ表示介质中的光的波长(即，λ是通过将真空中的波长除以介质的折射率得到的)。利用压印法如热压印法(热纳米压印法)和照片压印法(照片纳米压印法)，可以将这种不均匀结构预先形成在外表面上。此外，根据密封基板80的材料，可以利用注射成型形成密封基板80。在这种情况下，可以通过在注射成型的过程中使用适当的模具将不均匀结构直接形成于密封基板80上。此外，不均匀结构可以由与密封基板80分离的构件形成。例如，可以由棱镜片材(例如，可从KIMOTO CO.，LTD.获得的光漫射膜，如LIGHT-UP GM3(“LIGHT UP”是注册商标))构成不均匀结构。本实施方案的有机电致发光元件包括光提取结构，因此可以降低从发光层32发射、然后撞击密封基板80的外表面的光的反射损失。因此，这种构造可以提高光提取效率。
绝缘层60可以是含有吸湿剂的光固化树脂(例如，环氧树脂、丙烯酸类树脂和硅氧烷树脂)。
吸湿剂的材料优选为碱土金属氧化物或硫酸盐。碱土金属氧化物的实例可以包括氧化钙、氧化钡、氧化镁和氧化锶。硫酸盐的实例可以包括硫酸锂、硫酸钠、硫酸镓、硫酸钛和硫酸镍。吸湿剂的材料的实例还可以包括氯化钙、氯化镁、氯化铜和氧化镁。吸湿剂的材料的实例也可以包括吸湿有机化合物如二氧化硅凝胶和聚乙烯醇。吸湿剂的材料不限于以上实例，但是在这些实例中，氧化钙、氧化钡和二氧化硅凝胶是特别优选的。注意，没有特别地限定绝缘层60中包含的吸湿剂的比率。
透明保护层70由聚合物有机材料制成，并且透明保护层70的材料的实例可以包括：导电聚合物材料如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚亚苯基、聚亚苯基亚乙烯基、聚乙炔和聚咔唑；以及具有光透射性质的聚合物材料如环氧树脂和丙烯酸类树脂。形成透明保护层70的优选的方法是涂布法如旋涂法。通过涂布法制备的膜可以通过光或热固化。透明保护层70的可见光的总光透射率优选为等于或大于70％，但是不限于此。鉴于有机电致发光元件的出光率的提高，优选的是，总光透射率尽可能地大。注意，可以借助ISO13468-1中定义的测量方法来测量总光透射率。
备选地，透明保护层70可以由具有光透射性质的无机材料制成。这种无机材料的实例可以包括电绝缘材料如氧化硅、氮化硅、氧化铝(Al2O3)和透明导电氧化物如ITO和IZO。透明保护层70可以通过例如涂布法形成。这种涂布法可以是旋涂法、喷涂法、染料涂布法、凹版印刷法或丝网印刷法。在透明保护层70通过涂布法形成的情况下，可以施加有机金属化合物(例如属于有机醇盐的硅酸乙酯)或聚硅氮烷并且之后通过加热或燃烧进行水解。
通过物理沉积法如真空气相沉积法、离子镀、离子化沉积法、激光消蚀法和电弧等离子体沉积法，可以形成透明保护层70。此外，通过化学沉 积法如化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法、金属有机化学气相沉积法和喷雾法，可以形成透明保护层70。通过其他方法如Langmuir-Blodgett法(LB法)、溶胶-凝胶法和电镀，也可以形成透明保护层70。
在物理沉积法用于形成透明保护层70的情况下，考虑到抑制对导电聚合物层39的损害，优选使用能够利用较低能量形成膜的沉积装置和沉积条件。例如，通过利用可从Pfeiffer Vacuum GmbH获得的型号PPM442的能量分析仪分析用于沉积的气氛中气体分子(沉积材料的分子)的动能，可以计算沉积能量。就此而言，在溅射时沉积材料(用于形成膜的材料)和除沉积材料外的材料(例如，氩气和氧气)共同存在于用于沉积的气氛中的情况下，沉积能量被定义为气氛中分子能量最高的分子的能量。为了抑制沉积能量，优选采用，例如，电阻加热气相沉积法、电子束气相沉积法或激光加热气相沉积法。对于溅射来说，为了抑制沉积能量，优选采用，例如，在较低电压下的对向靶溅射或平行板磁控管溅射。此外，当溅射是平行板DC溅射时，通过使用其他气体(例如氪气和氙气)而非氩气作为溅射气体、增加用于沉积的高压或者增加靶与导电聚合物层39之间的距离，可以降低沉积能量。
对于有机电致发光元件来说，相对于通过物理沉积或化学沉积形成透明保护层70，在制造过程中通过涂布而形成透明保护层70可以抑制在透明保护层70的形成中对导电聚合物层39的损害。因此，可以提高元件的性质。
优选的是，透明保护层70的折射率大于发光层32的折射率和第二电极50的导电聚合物层39的折射率中的至少一个。由此，可以提高有机电致发光元件的出光率。
树脂层90的材料是丙烯酸类树脂，但是不限于此。例如，树脂层90可以由环氧树脂、紫外线固化树脂或热固性树脂制成。此外，树脂层90的材料的折射率优选大于第二电极50的导电聚合物层39的材料的折射率，并且因此，例如，可以将制备为具有大折射率的酰亚胺树脂用作导电聚合物层39的材料。
在同本实施方案的有机电致发光元件一样第二电极50至少由导电聚 合物层39构成的情况下，当透明保护层70不是由聚合物有机材料而是由无机氧化物或无机氮化物制成时，导电聚合物层39可能会在通过溅射来沉积透明保护层70的过程中损坏。因此，不幸的是，有机电致发光元件的寿命可能会缩短或者有机电致发光元件的可靠性可能会降低。
相比之下，在本实施方案的有机电致发光元件中，第二电极50至少由与功能层30接触并且具有光透射性质的导电聚合物层39构成。此外，本实施方案的有机电致发光元件包括：密封基板80，其与基板10的表面相对并且具有光透射性质；透明保护层70，其覆盖具有第一电极20、功能层30和第二电极50的叠层的元件部1；以及树脂层90，其插入在透明保护层70与密封基板80之间并且具有光透射性质。就此而言，在本实施方案的有机电致发光元件中，透明保护层70由具有光透射性质的聚合物有机材料制成。本实施方案的有机电致发光元件包括树脂层90并且因此可以提高出光率。此外，本实施方案的有机电致发光元件包括由聚合物有机材料制成的透明保护层70并且因此可以提高可靠性。此外，有机电致发光元件包括图案化电极40，其位于导电聚合物层39的与功能层30相反的一侧上并且具有允许光从功能层30经由其通过的开口41，并且图案化电极40的电极部48由包含金属粉末和有机粘合剂的电极材料制成。因此，本实施方案的有机电致发光元件可以降低亮度不均匀性。
透明保护层70优选具有在10 nm至100 nm的范围内(包括端点)的厚度。
为了提高有机电致发光元件的出光率，透明保护层70的折射率优选高于(大于)导电聚合物层39的折射率。然而，如上所述，设计具有高折射率并且能够减少对导电聚合物层39的影响的树脂材料是极其困难的。因此，在本实施方案的有机电致发光元件中，使透明保护层70变薄，从而减少透明保护层70对有机电致发光元件的光学性质的影响。具体地，优选的是，透明保护层70具有等于或小于100 nm的厚度。
同时，在透明保护层70具有小于10 nm的厚度的情况下，根据树脂层90的材料，可能会出现负面影响，如低分子组分通过透明保护层70散布至导电聚合物层39中以及作为保护层的透明保护层70归因于透明保护层70中微小裂纹或透明保护层70的不均匀膜厚度所致的功能不足。因此， 透明保护层70优选具有等于或大于10 nm的厚度。
如上所述，当有机电致发光元件的透明保护层70具有在10 nm至100nm的范围内(包括端点)的厚度时，可以在形成树脂层90的过程中显著地减少对导电聚合物层39的影响。因此，在有机电致发光元件中，选择并设计树脂层90的材料而无需考虑树脂层90对导电聚合物层39的影响成为可能。换句话说，在有机电致发光元件中，根据树脂层90所需的性能如较高的折射率，独立地选择并设计树脂层90而无需考虑树脂层90的材料与导电聚合物层39的材料之间的相互作用成为可能。注意，包括由无机材料制成的透明保护层70的有机电致发光元件可以达到与包括由树脂材料制成的透明保护层70的有机电致发光元件相同的效果。
为了防止气体如水分从外部侵入，如在文献3中公开的充当气体隔离层的透明保护层350(参见图8)需要具有，例如，0.1μm至3μm的厚度(参见文献3中[0045])。然而，在本实施方案的有机电致发光元件中，透明保护层70意在减少树脂层90的材料在形成树脂层90的过程中对导电聚合物层39的影响。因此，在本实施方案的有机电致发光元件中，即使当透明保护层70具有等于或小于100 nm的厚度时，也可以享有来源于透明保护层70的存在的益处。此外，在本实施方案的有机电致发光元件中，在使透明保护层70的厚度等于或小于100nm的情况下，减少透明保护层70对有机电致发光元件的光学性质的影响成为可能。另外，在有机电致发光元件中，在将树脂层90的折射率设定为大于导电聚合物层39的折射率的情况下，提高出光率成为可能。
注意，在本实施方案的有机电致发光元件中，可以在不促进出光率的树脂层90的区域中包含吸湿剂。因此，在本实施方案的有机电致发光元件中，进一步抑制水分向元件部1的侵入成为可能。也就是说，在本实施方案的有机电致发光元件中，进一步提高气体隔离性质成为可能。有机电致发光元件可以采用用于提高气体隔离性质的各种构造中的任何一种，并且不必采用将透明保护层350形成为气体隔离层以覆盖如在文献3中所示的透明电极340等这样的构造。相比之下，本发明意在解决特别针对这样的结构的新型问题：将导电聚合物用作允许光透射的电极的材料，并且具有与包括气体隔离层的常规有机电致发光元件不同的结构和效果。
以上实施方案中描述的有机电致发光元件适用于发光，但是不限于此并且可以用于其他目的。
注意，用于描述以上实施方案的图是示意性的图，并且并非必须显示组件的长度、厚度等的实际比例。
实施例
(实施例1)
制造具有如在图1中所示的结构的有机电致发光元件作为实施例1。
实施例1的有机电致发光元件的制造条件如下。
为了制造实施例1的有机电致发光元件，进行第一步。在第一步中，制备厚度为0.7mm的第一无碱玻璃板(编号1737，可从Corning Incorporated获得)作为基板10，并且通过真空气相沉积法在基板10的表面上形成厚度为80 nm的铝膜的充当第一电极20的阴极。
在第一步之后，进行形成功能层30的第二步。在第二步中，相继形成发光层32、充当载流子传输层33的空穴传输层和充当载流子注入层34的空穴注入层。
在形成发光层32的过程中，借助旋涂器，利用通过将1重量％的红色聚合物材料(“发光聚合物ATS111RE”，可从American Dye Source，Inc.获得)溶解在THF溶剂中制备的溶液涂布第一电极20，以形成厚度为约200 nm的膜，并且之后将膜在100摄氏度燃烧十分钟而得到发光层32。注意，发光层32对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.8的折射率。
在形成充当载流子传输层33的空穴传输层的过程中，借助旋涂器，利用通过将1重量％的TFB(“空穴传输聚合物ADS259BE”，可从American Dye Source，Inc.获得)溶解在THF溶剂中制备的溶液涂布第一发光层32，以形成厚度为约12 nm的TFB涂层，并且之后将TFB涂层在200摄氏度燃烧十分钟而得到空穴传输层。注意，空穴传输层具有约1.8的折射率。
在形成充当第二载流子注入层34的空穴注入层的过程中，借助旋涂器，利用等量的PEDOT-PSS(“CLEVIOUS PVP AI4083”，可从Heraeus Precious Metals GmbH & Co.KG获得，PEDOT∶PSS＝1∶6)和异丙醇的混合物涂布空穴传输层，以形成厚度为约100 nm的PEDOT-PSS膜，并且之后 将膜在150摄氏度燃烧十分钟而得到作为第二载流子注入层34的空穴注入层。注意，空穴注入层具有约1.5的折射率。
在第二步之后，进行形成导电聚合物层39的第三步。在第三步中，通过丝网印刷法施加高度导电的PEDOT-PSS(“CLEVIOUS SHT”，可从Heraeus Precious Metals GmbH &Co.KG获得)，并且之后在氮气氛中在130摄氏度加热三十分钟而得到导电聚合物层39。注意，导电聚合物层39对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.46的折射率。
在第三步之后，进行形成绝缘层60的第四步。在第四步中，利用丝网作为掩模施加酰亚胺树脂(“HRI1783”，可从OPTMATE Corporation获得，折射率为1.78，浓度为18％)，并且之后在氮气氛中在130摄氏度加热三十分钟而得到绝缘层60。
在第四步之后，进行形成图案化电极40的第五步。在第五步中，利用线宽为50μm并且间隔宽为500μm的丝网作为掩模施加Ag糊状物，并且之后在氮气氛中在130摄氏度加热三十分钟而得到图案化电极40。在第五步中，以图案化电极40在厚度方向上重叠绝缘层60这样的排列方式形成图案化电极40。注意，第五步中使用的丝网具有开口，以分别形成第一延伸线、第一端子部、第二延伸线46和第二端子部47。简而言之，在本实例中，在第五步中，除了图案化电极40之外，还形成了第一延伸线、第一端子部、第二延伸线46和第二端子部47。注意，在实施例1的有机电致发光元件中，包括导电聚合物层39和图案化电极40的第二电极50充当阳极。
在第五步之后，进行形成透明保护层70的第六步。在第六步中，施加PEDOT-PSS(“CLEVIOUS PVP AI4083”，可从Heraeus Precious Metals GmbH & Co.KG获得)以形成厚度为100 nm的膜，并且之后将膜在180摄氏度燃烧十分钟而得到透明保护层70。注意，透明保护层70对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.54的折射率。
在实施例1的有机电致发光元件的制造中，在完成第一步至第六步之后，进行第七步。在第七步中，将第一基板10输送至处于干燥氮气氛中的手套箱中，所述干燥氮气氛具有在暴露于空气的情况下具有-80摄氏度的露点。同时，将属于紫外线固化环氧树脂的密封剂施加至整体包括密封 基板80和框架部100的充当罩盖的框架部100，所述罩盖由无碱玻璃制成，并且此外，通过流延利用被用作树脂层90材料的紫外线固化丙烯酸类树脂填充罩盖。并且之后，在手套箱中，通过密封剂将罩盖置于基板10上，以使罩盖和基板将元件部1封闭并且利用紫外线照射将密封剂固化。因此，获得有机电致发光元件。注意，密封基板80对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.5的折射率。此外，树脂层90对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.51的折射率。
(实施例2)
除了本实施例的透明保护层70具有40 nm的厚度之外，制备具有与实施例1的有机电致发光元件相同结构的实施例2的有机电致发光元件。
(实施例3)
除了本实施例的透明保护层70具有25 nm的厚度之外，制备具有与实施例1的有机电致发光元件相同结构的实施例3的有机电致发光元件。
(实施例4)
除了本实施例的透明保护层70属于聚硅氮烷并且具有90 nm的厚度之外，制备具有与实施例1的有机电致发光元件相同结构的实施例4的有机电致发光元件。
在形成透明保护层70的第六步中，施加聚硅氮烷(“Aquamica NL120”，可从AZElectronic Materials S.A.获得)以形成厚度为90 nm的膜，并且之后在150摄氏度燃烧三十分钟而得到由属于无机材料的氧化硅制成的透明保护层70。注意，透明保护层70对具有发光层32的发射光谱的峰波长的光具有约1.48的折射率。
(比较例1)
除了本比较例的有机电致发光元件不包括透明保护层70之外，制备具有与实施例1的有机电致发光元件的结构相同的结构的第一比较例的有机电致发光元件。
(比较例2)
除了本比较例的有机电致发光元件不包括树脂层90之外，制备具有与实施例1的有机电致发光元件相同结构的比较例2的有机电致发光元件。
以下表1示出了对于实施例1和比较例1中的每一个的出光率和正面亮度的测量结果。
[表1]
在表1中，对于实施例1至4和比较例1中的每一个，“出光率比”被定义为有机电致发光元件的出光率与作为1.0的比较例2的有机电致发光元件的出光率的比。此外，在表1中，“正面亮度比”表示“在制备有机电致发光元件之后将有机电致发光元件放置在N2气气氛中二十四小时之后测量的有机电致发光元件的正面亮度”与“在制备有机电致发光元件之后立即测量的有机电致发光元件的正面亮度”的比。
在实施例1至4和比较例1和2的有机电致发光元件中的每一个的出光率的测量中，将玻璃半球形透镜置于在之间具有匹配油(matching oil)的密封基板80的光发射表面上。在由DC电源(商品名“2400”，可从Keithley Instruments，Inc.获得)在第二端子部47和第一端子部之间提供电流密度为10 mA/cm2的恒定电流的同时，利用积分球测量从半球形透镜射出的总辐射通量(radiant flux)。基于此测量结果，计算出光率。在实施例1至4和比较例1和2的有机电致发光元件中的每一个的正面亮度的测量中，在由DC电源(商品名“2400”，可从Keithley Instruments，Inc.获得)在第二端子部47和第一端子部之间提供电流密度为10 mA/cm2的恒定电流的同时，利用 亮度测量计(商品名“SR-3”，可从Topconcorporation获得)测量在0°角的亮度。
表1显示，实施例1至4的有机电致发光元件的出光率大于比较例1和2的有机电致发光元件的出光率。此外，还发现，实施例1至4的有机电致发光元件中的每一个的元件性质的稳定性(暂时稳定性)好于比较例1的有机电致发光元件的稳定性。
还发现，实施例1至4的有机电致发光元件具有与比较例2几乎相同的正面亮度比。这个结果显示，即使当透明保护层70具有约25 nm的厚度时，透明保护层70也能够防止由树脂层90导致的对导电聚合物层39的影响。
此外，实施例4的有机电致发光元件的出光率比和正面亮度比几乎等于或稍好于实施例1至3的有机电致发光元件的出光率比和正面亮度比。这个结果显示，由具有光透射性质的无机材料制成的透明保护层70可以产生与由具有光透射性质的聚合物有机材料制成的透明保护层70相同或相似的效果。

Claims (9)

1.一种有机电致发光元件，包括：
基板；
第一电极，所述第一电极置于所述基板的表面上/上方；
第二电极，所述第二电极面向所述第一电极的与所述基板的所述表面相反的一侧；以及
功能层，所述功能层插入在所述第一电极与所述第二电极之间并且至少包括发光层，
所述有机电致发光元件被配置成允许光从所述第二电极射出，
所述第二电极至少包括与所述功能层接触并且具有光透射性质的导电聚合物层，
所述有机电致发光元件还包括：
密封基板，所述密封基板与所述基板的所述表面相对并且具有光透射性质；
透明保护层，所述透明保护层覆盖具有所述第一电极、所述功能层和所述第二电极的叠层的元件部；以及
树脂层，所述树脂层插入在所述透明保护层与所述密封基板之间并且具有光透射性质，
所述第二电极包括图案化电极，
所述图案化电极形成为网格形状，
所述图案化电极包括：
电极部，所述电极部覆盖所述导电聚合物层的与所述功能层相反的一侧上的表面，以及
多个开口，所述多个开口在所述电极部中形成，以使得所述导电聚合物层的所述表面通过所述多个开口暴露；
所述图案化电极的所述电极部由包含金属粉末和有机粘合剂的电极材料制成，并且
在所述图案化电极中的所述多个开口的每一个形成为使得开口面积随着与所述功能层的距离的增加而逐渐增加的开口形状。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层具有在10nm至100nm的范围内、包括10nm和100nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中：
所述树脂层的折射率大于所述导电聚合物层的折射率。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光元件，其中：
所述树脂层的折射率大于所述导电聚合物层的折射率。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层由具有光透射性质的聚合物有机材料制成。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层由具有光透射性质的无机材料制成。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层的折射率大于所述发光层的折射率和所述导电聚合物层的折射率中的至少一个。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层的折射率大于所述发光层的折射率和所述导电聚合物层的折射率中的至少一个。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光元件，其中：
所述透明保护层的折射率大于所述发光层的折射率和所述导电聚合物层的折射率中的至少一个。
CN201380007129.9A 2012-01-31 2013-01-23 有机电致发光元件 Active CN104106310B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012018158 2012-01-31
JP2012-018158 2012-01-31
PCT/JP2013/000325 WO2013114825A1 (ja) 2012-01-31 2013-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104106310A CN104106310A (zh) 2014-10-15
CN104106310B true CN104106310B (zh) 2016-08-17

Family

ID=48904875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380007129.9A Active CN104106310B (zh) 2012-01-31 2013-01-23 有机电致发光元件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150034926A1 (zh)
JP (1) JP5887540B2 (zh)
CN (1) CN104106310B (zh)
WO (1) WO2013114825A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825078B2 (en) * 2014-11-13 2017-11-21 Visera Technologies Company Limited Camera device having an image sensor comprising a conductive layer and a reflection layer stacked together to form a light pipe structure accommodating a filter unit
CN104659271B (zh) 2015-03-17 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置
CN105514294A (zh) * 2016-01-27 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置
KR20190000213A (ko) * 2017-06-22 2019-01-02 최용규 반도체소자의 접합 구조
CN107768418B (zh) * 2017-11-02 2019-05-03 武汉华星光电技术有限公司 有机发光显示装置及其封装方法
CN113921738A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 吉林大学 一种阳极电极、有机电致发光器件和照明面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050469A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1484476A (zh) * 2002-09-19 2004-03-24 ����Sdi��ʽ���� 有机场致发光器件及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2332094A (en) * 1996-09-04 1999-06-09 Cambridge Display Tech Ltd Electrode deposition for organic light-emitting devices
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP2002352962A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法、有機発光表示装置および照明装置
JP2005079064A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法および電子機器
JP2007213999A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
JP2008130449A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Alps Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008210788A (ja) * 2007-02-02 2008-09-11 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子
KR100833713B1 (ko) * 2007-03-23 2008-05-29 엘지전자 주식회사 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 전극 조성물
JP2010067355A (ja) * 2008-09-08 2010-03-25 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子パネル及びその製造方法
JP2010080064A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機発光デバイス
JP2011003442A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Saitama Univ 有機薄膜素子の製造方法
JP2011054424A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toppan Printing Co Ltd トップエミッション型有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法並びにそれに用いる色フィルター
JP2012243623A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050469A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1484476A (zh) * 2002-09-19 2004-03-24 ����Sdi��ʽ���� 有机场致发光器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104106310A (zh) 2014-10-15
US20150034926A1 (en) 2015-02-05
JP5887540B2 (ja) 2016-03-16
WO2013114825A1 (ja) 2013-08-08
JPWO2013114825A1 (ja) 2015-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103180993B (zh) 有机电致发光器件
CN104106310B (zh) 有机电致发光元件
JP5683094B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた多色表示装置
JP5520418B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9515284B2 (en) Organic electroluminescence element and production method therefor
US20150123093A1 (en) Organic Light-Emitting Component and Method for Producing an Organic Light-Emitting Component
JP6676530B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9024306B2 (en) Organic electroluminescence element
JP5810319B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8975623B2 (en) Organic electroluminescence element
US20140103324A1 (en) Organic electroluminescent element
JP2012009336A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013097966A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012243623A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012161113A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013030335A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013030306A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012161057A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013008624A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012161005A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012160924A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20151231

Address after: Japan Osaka

Applicant after: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT Co.,Ltd.

Address before: Osaka Japan

Applicant before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220412

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Japan Osaka

Patentee before: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right