[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2024210021A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024210021A1
WO2024210021A1 PCT/JP2024/012317 JP2024012317W WO2024210021A1 WO 2024210021 A1 WO2024210021 A1 WO 2024210021A1 JP 2024012317 W JP2024012317 W JP 2024012317W WO 2024210021 A1 WO2024210021 A1 WO 2024210021A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
unit
sulfuric acid
substrate processing
cleaning member
Prior art date
Application number
PCT/JP2024/012317
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
直彦 吉原
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Publication of WO2024210021A1 publication Critical patent/WO2024210021A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a SPM (Sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture) liquid which is a chemical liquid (mixture) made of a mixture of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ), is sometimes used (see, for example, Patent Document 1).
  • Caro's acid is a compound with a very strong oxidizing power.
  • the resist is peeled off from the substrate surface by Caro's acid, it is simultaneously decomposed into carbon dioxide (CO 2 ) and removed from the SPM liquid.
  • the present invention was made in consideration of the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve the resist stripping performance.
  • a substrate processing apparatus processes a substrate.
  • the substrate processing apparatus includes a chemical solution discharge unit, a cleaning member, and a first moving unit.
  • the chemical solution discharge unit discharges a chemical solution containing at least sulfuric acid toward the substrate.
  • the cleaning member includes a contact unit.
  • the cleaning member supplies hydrogen peroxide solution to the substrate from the contact unit.
  • the first moving unit moves the cleaning member to a contact position.
  • the contact position indicates the position where the contact unit contacts the resist formed on the substrate when no liquid film is formed on the upper surface of the substrate.
  • the chemical solution includes a mixture of the sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the substrate processing apparatus further includes a first rotating unit that rotates the substrate when the cleaning member is disposed at the contact position.
  • the substrate processing apparatus further includes a second moving unit that moves the cleaning member when the cleaning member is disposed at the contact position.
  • the substrate processing apparatus further includes a second rotating unit that rotates the contact unit when the cleaning member is disposed at the contact position.
  • the cleaning member further includes a sulfuric acid discharge portion that discharges sulfuric acid.
  • the sulfuric acid discharge portion is disposed around the contact portion.
  • the side surface of the contact portion is annular in plan view.
  • the sulfuric acid discharge portion is disposed in a ring-shaped region extending along the side surface of the contact portion.
  • the sulfuric acid discharge portion is annular.
  • the sulfuric acid discharge portion includes a plurality of arc-shaped discharge portions.
  • the side of the contact portion is rectangular in plan view.
  • the sulfuric acid discharge portion is disposed in a rectangular annular region extending along the side of the contact portion.
  • the sulfuric acid discharge portion is annular.
  • the sulfuric acid discharge portion includes multiple linear discharge portions.
  • the substrate processing apparatus further includes a control unit.
  • the control unit controls the discharge of the chemical solution from the chemical solution discharge unit, the supply of the hydrogen peroxide solution from the contact unit, and the first moving unit.
  • the control unit discharges the chemical solution from the chemical solution discharge unit to form a liquid film of the chemical solution on the upper surface of the substrate, and then moves the cleaning member to the contact position.
  • the control unit executes a cleaning process when the cleaning member is disposed at the contact position.
  • the cleaning process refers to a process of supplying the hydrogen peroxide solution to the substrate from the contact unit.
  • the substrate processing apparatus further includes a control unit.
  • the control unit controls the discharge of the mixed liquid from the chemical liquid discharge unit, the supply of the hydrogen peroxide solution from the contact unit, and the first moving unit.
  • the control unit discharges the mixed liquid from the chemical liquid discharge unit to form a liquid film of the mixed liquid on the upper surface of the substrate, and then moves the cleaning member to the contact position.
  • the control unit executes a cleaning process when the cleaning member is disposed at the contact position.
  • the cleaning process refers to a process of supplying the hydrogen peroxide solution from the contact unit to the substrate. After the cleaning process, the control unit discharges the mixed liquid from the chemical liquid discharge unit toward the substrate.
  • the chemical solution includes a mixture of the sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the cleaning member further includes a sulfuric acid discharge portion that discharges sulfuric acid.
  • the sulfuric acid is discharged from the sulfuric acid discharge portion.
  • the substrate is rotated during the cleaning process.
  • the cleaning member is moved during the cleaning process.
  • the contact portion is rotated during the cleaning process.
  • the substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present invention can improve the resist stripping performance.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention
  • 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • 1A is a cross-sectional view of a cleaning member included in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a bottom view of the cleaning member included in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • 2 is a flowchart showing a substrate processing method according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing section during a liquid film forming process.
  • 1A is a schematic diagram illustrating the substrate processing section during a first cleaning process
  • FIG. 1B is a schematic diagram illustrating the substrate processing section during a second cleaning process.
  • 4A to 4C are enlarged views showing the cleaning member, the substrate, and the liquid film during the first cleaning process and the second cleaning process
  • 1A is a schematic diagram of the substrate processing section during a third cleaning process
  • FIG. 1B is a schematic diagram of the substrate processing section during a hydrogen peroxide solution supply process.
  • FIG. 13 is a bottom view of a first modified example of the cleaning member.
  • 13A is a side view showing a second modified example of the cleaning member
  • FIG. 13B is a bottom view showing the second modified example of the cleaning member.
  • 1A is a bottom view of a cleaning member according to a third modified example
  • FIG. 1B is a bottom view of a cleaning member according to a fourth modified example
  • FIG. 1C is a bottom view of a cleaning member according to a fifth modified example
  • FIG. 1D is a bottom view of a cleaning member according to a sixth modified example.
  • 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. FIG. 11 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic view of a portion of a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 to 15 an embodiment of the substrate processing apparatus and substrate processing method of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 15).
  • the present invention is not limited to the following embodiment, and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the invention. Note that where explanations overlap, they may be omitted as appropriate. Also, in the drawings, the same or equivalent parts are given the same reference symbols, and explanations will not be repeated.
  • the "substrate" to be processed can be a variety of substrates, such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for FEDs (Field Emission Displays), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for magneto-optical disks.
  • substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for FEDs (Field Emission Displays), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for magneto-optical disks.
  • FEDs Field Emission Displays
  • substrates for optical disks substrates for magnetic disks
  • substrates for magneto-optical disks substrates, such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for FEDs (Field Emission Displays), substrates for optical disk
  • Fig. 1 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 processes substrates W. More specifically, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer processing apparatus, and processes substrates W one by one with a processing liquid.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of substrate processing units 2, a fluid cabinet 10A, a plurality of fluid boxes 10B, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, a center robot CR, and a control device 101.
  • Each load port LP accommodates a stack of multiple substrates W.
  • a mask of resist resist film
  • the resist may or may not include a hardened layer.
  • the hardened layer is formed by implanting ions into the resist.
  • the hardened layer is formed on top of the resist.
  • the indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR.
  • the center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the substrate processing unit 2.
  • a placement stage (path) on which substrates W are temporarily placed may be provided between the indexer robot IR and the center robot CR, and the device may be configured to indirectly transfer substrates W between the indexer robot IR and the center robot CR via the placement stage.
  • the multiple substrate processing units 2 form multiple towers TW (four towers TW in FIG. 1).
  • the multiple towers TW are arranged to surround the center robot CR in a plan view.
  • Each tower TW includes multiple substrate processing units 2 (three substrate processing units 2 in FIG. 1) stacked one above the other.
  • the fluid cabinet 10A contains the processing liquid.
  • Each of the fluid boxes 10B corresponds to one of the multiple towers TW.
  • the processing liquid in the fluid cabinet 10A is supplied to all of the substrate processing units 2 included in the tower TW corresponding to the fluid box 10B via one of the fluid boxes 10B.
  • the processing liquid includes sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and a rinse liquid.
  • the rinse liquid is pure water.
  • the pure water is, for example, deionized water (DIW).
  • the rinse liquid may be, for example, carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, ammonia water, or diluted hydrochloric acid (for example, hydrochloric acid having a concentration of about 10 ppm to 100 ppm).
  • Each of the substrate processing units 2 supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate W.
  • the substrate processing unit 2 supplies a sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture (SPM) to the substrate W.
  • SPM sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture
  • the sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture (SPM) is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the resist film is stripped off by sulfuric acid contained in the SPM, and also by Caro's acid (H 2 SO 5 ) which is generated by the reaction of sulfuric acid contained in the SPM with hydrogen peroxide solution.
  • Caro's acid H 2 SO 5
  • the control device 101 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100.
  • the control device 101 controls the load port LP, the indexer robot IR, the center robot CR, and the substrate processing unit 2.
  • the control device 101 includes a control unit 102 and a memory unit 103.
  • the control unit 102 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100 based on various information stored in the memory unit 103.
  • the control unit 102 has, for example, a processor.
  • the control unit 102 may have a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit) as the processor.
  • the control unit 102 may have a general-purpose calculator or a dedicated calculator.
  • the memory unit 103 stores various information for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100.
  • the memory unit 103 stores data and computer programs.
  • the data includes various recipe data.
  • the recipe data includes, for example, a process recipe.
  • the process recipe is data that specifies the procedure for substrate processing. Specifically, the process recipe specifies the execution order of a series of processes included in the substrate processing, the content of each process, and the conditions (parameter setting values) for each process.
  • the storage unit 103 has a main storage device.
  • the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
  • the storage unit 103 may further have an auxiliary storage device.
  • the auxiliary storage device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive.
  • the storage unit 103 may include removable media.
  • Figure 2 is a cross-sectional view that shows a schematic configuration of the substrate processing unit 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the substrate processing unit 2 has a processing chamber 2a, a substrate holding unit 3, a substrate rotating unit 4, a cleaning member 5, a moving unit 6A, a moving unit 6B, a first nozzle 8, a second nozzle 9, a liquid receiving unit 11, and a lifting unit 111.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a first chemical liquid supply unit 7A, a second chemical liquid supply unit 7B, a third chemical liquid supply unit 7C, a fourth chemical liquid supply unit 7D, and a rinsing liquid supply unit 7E.
  • the substrate W is loaded into the processing chamber 2a and processed therein.
  • the processing chamber 2a has a roughly box-like shape.
  • the processing chamber 2a accommodates the substrate holding section 3, the substrate rotating section 4, the cleaning member 5, the moving section 6A, the moving section 6B, part of the first chemical liquid supply section 7A, part of the second chemical liquid supply section 7B, part of the third chemical liquid supply section 7C, part of the fourth chemical liquid supply section 7D, part of the rinsing liquid supply section 7E, the first nozzle 8, the second nozzle 9, the liquid receiving section 11, and the lifting section 111.
  • the processing chamber 2a is, for example, a chamber.
  • the substrate holding unit 3 holds the substrate W.
  • the operation of the substrate holding unit 3 is controlled by the control device 101 (control unit 102). More specifically, the substrate holding unit 3 holds the substrate W in a horizontal position.
  • the substrate holding unit 3 is, for example, a spin chuck.
  • the substrate holding unit 3 may have a spin base 31 and multiple chuck members 32.
  • the spin base 31 is approximately disk-shaped and supports multiple chuck members 32 in a horizontal position.
  • the multiple chuck members 32 are arranged on the peripheral portion of the spin base 31.
  • the multiple chuck members 32 clamp the peripheral portion of the substrate W.
  • the substrate W is held in a horizontal position by the multiple chuck members 32.
  • the operation of the multiple chuck members 32 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the multiple chuck members 32 are arranged so that the center of the substrate W coincides with the center of the spin base 31.
  • the substrate rotating unit 4 rotates the substrate W. Specifically, the substrate rotating unit 4 rotates the substrate W and the substrate holding unit 3 together around a first rotation axis AX1 that extends vertically.
  • the substrate rotating unit 4 is an example of a "first rotating unit.”
  • the operation of the substrate rotating unit 4 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the first rotation axis AX1 passes through the center of the spin base 31. Therefore, the spin base 31 rotates around the center of the spin base 31. Also, as already explained, the substrate holding part 3 holds the substrate W so that the center of the substrate W coincides with the center of the spin base 31. Therefore, the substrate W rotates around the center of the substrate W.
  • the substrate rotation unit 4 has, for example, a motor body 41 and a shaft 42.
  • the shaft 42 is coupled to the spin base 31.
  • the motor body 41 rotates the shaft 42.
  • the spin base 31 rotates.
  • the operation of the motor body 41 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the motor body 41 is, for example, an electric motor.
  • the cleaning member 5 includes a contact portion 51, and supplies hydrogen peroxide solution to the substrate W from the contact portion 51.
  • the cleaning member 5 further includes a support portion 52, a rotating shaft portion 53, and a rotating drive portion 54.
  • the contact portion 51 is, for example, brush-shaped. Alternatively, the contact portion 51 may be sponge-shaped or porous film-shaped.
  • the contact portion 51 is not particularly limited as long as it can supply hydrogen peroxide to the substrate W. For example, if the contact portion 51 is brush-shaped, the hydrogen peroxide is supplied to the substrate W through the gaps between the bristles of the brush. If the contact portion 51 is sponge-shaped or porous film-shaped, the hydrogen peroxide is supplied to the substrate W from the holes in the contact portion 51. If the contact portion 51 is porous film-shaped, the hydrogen peroxide stored inside the film is supplied to the substrate W from the holes in the film.
  • the contact portion 51 is flexible.
  • the contact portion 51 may be elastic. By making the contact portion 51 flexible or elastic, even if the contact portion 51 comes into contact with the substrate W, damage to the substrate W (e.g., collapse of the pattern) is unlikely to occur.
  • the contact portion 51 is made of a heat-resistant material.
  • the heat resistance of the contact portion 51 allows the substrate W to be processed by an SPM at 100°C or higher.
  • the temperature of the SPM used for substrate processing is, for example, 120°C or higher and 170°C or lower.
  • the contact portion 51 is made of a material such as a fluororesin.
  • the contact portion 51 may be made of a material such as PFA (perfluoroalkoxyalkane) or PTEE (polytetrafluoroethylene).
  • the contact portion 51 may be resistant to sulfuric acid.
  • the support portion 52 supports the contact portion 51.
  • the rotating shaft portion 53 is connected to the support portion 52.
  • the rotating shaft portion 53 extends in the vertical direction.
  • the rotation drive portion 54 rotates the contact portion 51.
  • the rotation drive portion 54 rotates the rotating shaft portion 53 around a second rotation axis line AX2 extending in the vertical direction.
  • the rotation drive portion 54 is an example of a "second rotating portion.”
  • the rotation drive portion 54 is controlled by the control device 101 (control portion 102).
  • the rotation drive portion 54 is, for example, an electric motor.
  • the moving unit 6A moves the cleaning member 5 between a first retracted position and a contact position.
  • the moving unit 6A is an example of a "first moving unit.”
  • the moving unit 6A is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the first retracted position is a position outside the substrate holding unit 3 in a planar view.
  • the first retracted position is a position outside the liquid receiving unit 11 in a planar view.
  • the contact position indicates a position in the height direction (up and down direction).
  • the contact position is a position where the contact unit 51 contacts the resist formed on the substrate W when no liquid film is formed on the top surface of the substrate W.
  • Figure 2 shows the cleaning member 5 arranged at the contact position.
  • the moving unit 6A moves the cleaning member 5 in the vertical and horizontal directions.
  • the moving unit 6A has a first arm 61A, a first base 62A, and a first moving mechanism 63A.
  • the first arm 61A extends along the horizontal direction.
  • the cleaning member 5 is disposed at the tip of the first arm 61A.
  • the first arm 61A is connected to the first base 62A.
  • the first base 62A extends along the vertical direction.
  • the first moving mechanism 63A moves the first arm 61A vertically and horizontally. As a result, the cleaning member 5 moves vertically and horizontally.
  • the first moving mechanism 63A is controlled by the control device 101 (control unit 102). Specifically, the first moving mechanism 63A includes a rotation mechanism 64A and a lifting/pressure adjustment mechanism 65A.
  • the rotation mechanism 64A swings the first base 62A around a third rotation axis AX3 extending vertically, causing the first arm 61A to swing along a horizontal plane. As a result, the cleaning member 5 moves along the horizontal plane.
  • the rotation mechanism 64A is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the rotation mechanism 64A includes, for example, an electric motor capable of forward and reverse rotation.
  • the lifting/pressure adjustment mechanism 65A raises and lowers the first base 62A in the vertical direction, thereby raising and lowering the first arm 61A. As a result, the cleaning member 5 moves in the vertical direction.
  • the lifting/pressure adjustment mechanism 65A is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the lifting/pressure adjustment mechanism 65A includes, for example, a ball screw mechanism and an electric motor capable of forward and reverse rotation. The electric motor drives the ball screw mechanism.
  • the lifting/pressure adjustment mechanism 65A adjusts the force with which the contact portion 51 presses against the substrate W when no liquid film is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the force with which the contact portion 51 presses against the substrate W when no liquid film is formed on the upper surface of the substrate W may be referred to as the "pressure force of the contact portion 51.”
  • the pressing force of the contact portion 51 is adjusted by adjusting the contact position. More specifically, the parameters of the contact position set in the control device 101 are adjusted.
  • the pressing force (contact position) of the contact portion 51 may be changed depending on the type of resist. Specifically, the pressing force (contact position) of the contact portion 51 may be changed depending on whether the resist material is "positive type” or "negative type", or may be changed for each wavelength of light absorbed by the resist.
  • the pressing force (contact position) of the contact portion 51 may be changed depending on the aspect ratio (ratio of height to width) of the resist, or may be changed depending on the type of ions implanted into the resist.
  • the pressing force of the contact portion 51 may be "0". In other words, when no liquid film is formed on the upper surface of the substrate W, the contact portion 51 only needs to be in contact with the resist formed on the substrate W, and the contact portion 51 does not need to press the substrate W.
  • the first chemical liquid supply unit 7A supplies sulfuric acid to the cleaning member 5.
  • the cleaning member 5 supplies sulfuric acid to the substrate W in addition to hydrogen peroxide solution.
  • the first chemical liquid supply unit 7A includes a first supply pipe 71A, a first opening/closing valve 72A, and a first flow rate adjustment valve 73A.
  • the processing chamber 2a accommodates a portion of the first supply pipe 71A.
  • the first opening/closing valve 72A and the first flow rate adjustment valve 73A may be accommodated in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the first supply pipe 71A is a tubular member and allows sulfuric acid to flow to the cleaning member 5.
  • the first on-off valve 72A is interposed in the first supply pipe 71A.
  • the first on-off valve 72A controls the supply of sulfuric acid to the cleaning member 5 via the first supply pipe 71A and the stop of the supply of sulfuric acid to the cleaning member 5.
  • the state of the first on-off valve 72A can be switched between an open state and a closed state.
  • sulfuric acid flows to the cleaning member 5 via the first supply pipe 71A.
  • the first on-off valve 72A is in the closed state, the flow of sulfuric acid through the first supply pipe 71A stops.
  • the first on-off valve 72A is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the actuator of the first on-off valve 72A is, for example, a pneumatic actuator or an electric actuator.
  • the first flow rate control valve 73A is interposed in the first supply pipe 71A.
  • the first flow rate control valve 73A adjusts the flow rate of sulfuric acid flowing through the first supply pipe 71A.
  • the first flow rate control valve 73A is capable of adjusting the opening degree.
  • the control device 101 controls the opening degree of the first flow rate control valve 73A.
  • the sulfuric acid flows through the first supply pipe 71A at a flow rate according to the opening degree of the first flow rate control valve 73A.
  • the actuator of the first flow rate control valve 73A is, for example, an electric actuator. Note that the first flow rate control valve 73A may be omitted.
  • the second chemical supply unit 7B supplies hydrogen peroxide to the cleaning member 5.
  • the second chemical supply unit 7B includes a second supply pipe 71B, a second on-off valve 72B, and a second flow rate adjustment valve 73B.
  • the processing chamber 2a accommodates a portion of the second supply pipe 71B.
  • the second on-off valve 72B and the second flow rate adjustment valve 73B may be accommodated in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the second supply pipe 71B allows the hydrogen peroxide solution to flow up to the cleaning member 5.
  • the configuration of the second chemical supply unit 7B is substantially the same as that of the first chemical supply unit 7A, so a detailed description will be omitted. Note that, like the first flow rate adjustment valve 73A, the second flow rate adjustment valve 73B may be omitted.
  • the first nozzle 8 ejects a chemical solution containing at least sulfuric acid toward the substrate W.
  • the first nozzle 8 ejects SPM toward the substrate W.
  • the first nozzle 8 is an example of a chemical solution ejection section. Specifically, sulfuric acid and hydrogen peroxide are supplied to the first nozzle 8. The sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed inside the first nozzle 8. As a result, SPM is generated inside the first nozzle 8, and the SPM is ejected from the first nozzle 8.
  • the first nozzle 8 ejects SPM from above the rotating substrate W toward the top surface of the substrate W.
  • the SPM is supplied to the substrate W, and a liquid film of SPM is formed on the top surface of the substrate W.
  • the temperature of the SPM ejected from the first nozzle 8 is, for example, 100°C or higher.
  • the temperature of the SPM ejected from the first nozzle 8 may be about 120°C or about 170°C.
  • the first nozzle 8 further ejects hydrogen peroxide solution from above the rotating substrate W toward the upper surface of the substrate W. As a result, hydrogen peroxide solution is supplied to the substrate W, and a liquid film of hydrogen peroxide solution is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the third chemical supply unit 7C supplies sulfuric acid to the first nozzle 8.
  • the third chemical supply unit 7C includes a third supply pipe 71C, a third on-off valve 72C, and a third flow rate adjustment valve 73C.
  • the processing chamber 2a accommodates a portion of the third supply pipe 71C.
  • the third on-off valve 72C and the third flow rate adjustment valve 73C may be accommodated in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the third supply pipe 71C allows sulfuric acid to flow up to the first nozzle 8.
  • the configuration of the third chemical supply unit 7C is substantially the same as that of the first chemical supply unit 7A, so a detailed description will be omitted.
  • the mixture ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide in the SPM is adjusted by the third flow rate adjustment valve 73C.
  • the mixture ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide in the SPM is, for example, within the range of 2:1 to 20:1.
  • the fourth chemical supply unit 7D supplies hydrogen peroxide to the first nozzle 8.
  • the fourth chemical supply unit 7D includes a fourth supply pipe 71D, a fourth on-off valve 72D, and a fourth flow rate adjustment valve 73D.
  • the processing chamber 2a accommodates a portion of the fourth supply pipe 71D.
  • the fourth on-off valve 72D and the fourth flow rate adjustment valve 73D may be accommodated in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the fourth supply pipe 71D allows hydrogen peroxide to flow up to the first nozzle 8.
  • the configuration of the fourth chemical liquid supply unit 7D is substantially the same as that of the first chemical liquid supply unit 7A, so a detailed explanation will be omitted. Note that, like the first flow rate adjustment valve 73A, the fourth flow rate adjustment valve 73D may be omitted.
  • the moving unit 6B moves the first nozzle 8 from the second retracted position to the processing position.
  • the moving unit 6B is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the second retracted position is a position outside the substrate holding unit 3 in a planar view.
  • the second retracted position is a position outside the liquid receiving unit 11 in a planar view.
  • the processing position is a position opposite the center position CP of the substrate W held by the substrate holding unit 3.
  • the moving unit 6B moves the first nozzle 8 in the vertical and horizontal directions.
  • the moving unit 6B has a second arm 61B, a second base 62B, and a second moving mechanism 63B.
  • the second arm 61B extends along the horizontal direction.
  • the first nozzle 8 is disposed at the tip of the second arm 61B.
  • the second arm 61B is connected to the second base 62B.
  • the second base 62B extends along the vertical direction.
  • the second movement mechanism 63B moves the second arm 61B in the vertical and horizontal directions. As a result, the first nozzle 8 moves in the vertical and horizontal directions.
  • the second movement mechanism 63B is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the second moving mechanism 63B swings the second base 62B around a fourth rotation axis AX4 extending vertically, causing the second arm 61B to swing along a horizontal plane. As a result, the first nozzle 8 moves along the horizontal plane.
  • the second moving mechanism 63B also raises and lowers the second base 62B vertically, causing the second arm 61B to rise and lower. As a result, the first nozzle 8 moves along the vertical direction.
  • the second moving mechanism 63B is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the second moving mechanism 63B includes, for example, a ball screw mechanism and an electric motor capable of forward and reverse rotation. The electric motor drives the ball screw mechanism.
  • the second nozzle 9 supplies the rinsing liquid to the substrate W. More specifically, the second nozzle 9 ejects the rinsing liquid toward the rotating substrate W.
  • the second nozzle 9 is a fixed nozzle. Note that, although the second nozzle 9 is a fixed nozzle in this embodiment, the second nozzle 9 may also be a scan nozzle.
  • the rinse liquid supply unit 7E supplies rinse liquid to the second nozzle 9.
  • the rinse liquid supply unit 7E includes a fifth supply pipe 71E and a fifth on-off valve 72E.
  • the processing chamber 2a accommodates a portion of the fifth supply pipe 71E.
  • the fifth on-off valve 72E may be accommodated in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the fifth supply pipe 71E distributes the rinsing liquid to the second nozzle 9.
  • the configuration of the fifth supply pipe 71E and the fifth on-off valve 72E is substantially the same as that of the first supply pipe 71A and the first on-off valve 72A, so a detailed description will be omitted.
  • the liquid receiving portion 11 is disposed outside the substrate holding portion 3 and the substrate rotating portion 4.
  • the liquid receiving portion 11 has a generally cylindrical shape. In other words, the liquid receiving portion 11 surrounds the substrate holding portion 3 and the substrate rotating portion 4.
  • the liquid receiving portion 11 receives the processing liquid (SPM and rinsing liquid) that splashes from the rotating substrate W.
  • the lifting unit 111 raises and lowers the liquid receiving unit 11.
  • the lifting unit 111 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the lifting unit 111 includes, for example, a ball screw mechanism and an electric motor capable of forward and reverse rotation.
  • the electric motor drives the ball screw mechanism.
  • the lifting unit 111 raises and lowers the liquid receiving unit 11 between a liquid receiving position and a retracted position.
  • the liquid receiving position is a position higher than the retracted position. More specifically, when the center robot CR (FIG. 1) loads the substrate W into the processing chamber 2a, or when the center robot CR (FIG. 1) unloads the substrate W from the processing chamber 2a, the liquid receiving unit 11 is positioned at the retracted position. When receiving processing liquid, the liquid receiving unit 11 is positioned at the liquid receiving position.
  • Figure 3 is a plan view that shows a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • Figure 3 shows the inside of the substrate processing section 2 as viewed from above.
  • the cleaning member 5 moves along an arc-shaped trajectory J centered on the third rotation axis AX3.
  • the trajectory J passes through the center position CP of the substrate W in a planar view.
  • the moving unit 6A moves the cleaning member 5 so that the cleaning member 5 reciprocates between a first position P1 and a second position P2 included in the trajectory J.
  • the moving unit 6A moves the cleaning member 5 so that the center of the cleaning member 5 reciprocates between the first position P1 and the second position P2 in a planar view.
  • the moving unit 6A is an example of a "second moving unit.”
  • the first position P1 and the second position P2 are positions on the inside of the substrate W in a plan view.
  • the first position P1 and the second position P2 are positions opposite each other with respect to the center position CP of the substrate W, and both the first position P1 and the second position P2 are closer to the edge E of the substrate W than the center position CP of the substrate W.
  • the cleaning member 5 moves to the first position P1
  • the edge of the cleaning member 5 is located near the edge E of the substrate W.
  • the cleaning member 5 moves to the second position P2
  • the edge of the cleaning member 5 is located near the edge E of the substrate W.
  • the cleaning member 5 When reciprocating between the first position P1 and the second position P2, the cleaning member 5 is located at the contact position.
  • the contact portion 51 reciprocates between the first position P1 and the second position P2 while in contact with the substrate W.
  • Figure 4(a) is a diagram showing a cross section of the cleaning member 5 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • Figure 4(a) shows a cross section of the support portion 52.
  • the support section 52 has a support member 521 and a flow path forming member 522.
  • the flow path forming member 522 is cylindrical with an open bottom and has an internal space.
  • the support member 521 is disposed in the internal space of the flow path forming member 522.
  • the contact section 51 is supported by the support member 521 and protrudes downward from the flow path forming member 522.
  • the rotating shaft section 53 penetrates the ceiling section of the flow path forming member 522 and is connected to the support member 521.
  • the support member 521 has a first flow path 52a, and the rotating shaft portion 53 has a second flow path 53a.
  • the first flow path 52a extends vertically, and one end (lower end) thereof is connected to the contact portion 51.
  • the second flow path 53a extends vertically, and one end (lower end) thereof is connected to the other end (upper end) of the first flow path 52a.
  • the second supply pipe 71B is connected to the other end (upper end in this embodiment) of the second flow path 53a. Therefore, hydrogen peroxide is supplied from the second chemical supply portion 7B to the second flow path 53a.
  • the hydrogen peroxide that flows into the second flow path 53a flows through the second flow path 53a and the first flow path 52a, and is supplied to the contact portion 51.
  • the flow path forming member 522 has a third flow path 52b. Sulfuric acid is supplied to the third flow path 52b from the first chemical liquid supply unit 7A.
  • the flow path forming member 522 has an outlet 52c on its lower surface, and the third flow path 52b is connected to the outlet 52c.
  • the sulfuric acid that flows into the third flow path 52b flows through the third flow path 52b and is discharged from the outlet 52c. In other words, the sulfuric acid is discharged from the lower surface of the flow path forming member 522.
  • the outlet 52c is an example of a "sulfuric acid discharge unit.”
  • the lower surface of the flow path forming member 522 is located above the lower surface (tip surface) of the contact portion 51.
  • the third flow path 52b includes a common flow path 52b1 and a branch flow path 52b2.
  • the common flow path 52b1 is disposed on the ceiling of the flow path forming member 522.
  • the common flow path 52b1 may extend along a horizontal plane.
  • the first supply pipe 71A communicates with the common flow path 52b1 and supplies sulfuric acid to the common flow path 52b1.
  • the branch flow path 52b2 extends in the vertical direction.
  • One end (upper end) of the branch flow path 52b2 communicates with the common flow path 52b1.
  • the other end (lower end) of the branch flow path 52b2 communicates with the discharge port 52c.
  • FIG. 4(b) is a bottom view of the cleaning member 5 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIGS. 4(a) and 4(b), the discharge port 52c is arranged around the contact portion 51.
  • the contact portion 51 is cylindrical. Therefore, the side surface of the contact portion 51 is annular in plan view. As shown in Fig. 4(b), the discharge port 52c is disposed in a circular region extending along the side surface of the contact portion 51.
  • the flow path forming member 522 includes a plurality of outlets 52c.
  • the flow path forming member 522 includes a plurality of branch flow paths 52b2.
  • the flow path forming member 522 includes four outlets 52c. Each of the plurality of outlets 52c is arc-shaped.
  • FIG. 1 is a flowchart showing the substrate processing method of this embodiment.
  • Figure 5 shows the flow of processing executed by the control device 101 (control unit 102).
  • the substrate processing method of this embodiment includes steps S1 to S9.
  • FIG. 6 is a diagram showing the substrate processing section 2 during the liquid film forming process (step S2 shown in FIG. 5).
  • FIG. 7(a) is a diagram showing the substrate processing section 2 during the first cleaning process (step S3 shown in FIG. 5).
  • FIG. 7(b) is a diagram showing the substrate processing section 2 during the second cleaning process (step S4 shown in FIG. 5).
  • FIG. 8 is an enlarged view of the cleaning member 5, substrate W, and liquid film LM1 during the first cleaning process and the second cleaning process.
  • FIG. 9(a) is a diagram showing the substrate processing section 2 during the third cleaning process (step S5 shown in FIG. 5).
  • FIG. 9(b) is a diagram showing the substrate processing section 2 during the hydrogen peroxide supply process (step S6 shown in FIG. 5).
  • control device 101 When the process shown in FIG. 5 is started, the control device 101 (control unit 102) first controls the center robot CR to load the substrate W into the processing chamber 2a (step S1). Then, the control device 101 (control unit 102) controls the substrate holding unit 3 to hold the substrate W loaded by the center robot CR. As a result, the substrate W is held in the processing chamber 2a by the substrate holding unit 3. Once the substrate W is held, the control device 101 (control unit 102) causes the substrate processing unit 2 to start the liquid film formation process (step S2).
  • control device 101 controls the substrate rotation unit 4 to start rotation of the substrate W held by the substrate holding unit 3.
  • the control device 101 also controls the movement unit 6B to move the first nozzle 8 to the processing position. Specifically, the first nozzle 8 moves to a position opposite the center position CP of the substrate W.
  • control device 101 controls the third chemical liquid supply unit 7C and the fourth chemical liquid supply unit 7D to eject SPM from the first nozzle 8 toward the rotating substrate W.
  • a liquid film LM1 of SPM is formed on the upper surface of the substrate W (step S2).
  • control device 101 controls the moving unit 6B to move the first nozzle 8 from the processing position to the second retracted position, while controlling the moving unit 6A to move the cleaning member 5 to the first position P1.
  • the first position P1 is included in the contact position. As shown in FIG. 5, when the control device 101 (control unit 102) moves the cleaning member 5 to the first position P1, it causes the substrate processing unit 2 to start the first cleaning process (step S3).
  • control device 101 controls the moving unit 6A during the first cleaning process to bring the contact portion 51 of the cleaning member 5 into contact with the resist formed on the upper surface of the substrate W. Thereafter, the control device 101 (control unit 102) starts the cleaning process using the cleaning member 5.
  • control device 101 controls the rotation drive unit 54 to rotate the contact unit 51. Then, the control device 101 (control unit 102) controls the moving unit 6A to reciprocate the cleaning member 5 between the first position P1 and the second position P2, as described with reference to FIG. 3. During this time, the cleaning member 5 is disposed at the contact position. In other words, when the cleaning member 5 reciprocates between the first position P1 and the second position P2, the contact unit 51 is in contact with the resist formed on the upper surface of the substrate W.
  • control device 101 also controls the second chemical supply unit 7B to supply hydrogen peroxide solution from the contact unit 51 to the substrate W.
  • the control device 101 further controls the first chemical supply unit 7A to supply sulfuric acid from the lower surface (discharge port 52c) of the flow path forming member 522 toward the substrate W.
  • control device 101 rotates the substrate W. Therefore, the cleaning member 5 reciprocates between the first position P1 and the second position P2 relative to the rotating substrate W.
  • the unreacted sulfuric acid contained in the liquid film LM1 of the SPM reacts with the hydrogen peroxide water to generate fresh Caro's acid on the substrate W.
  • the resist includes a hardened layer, the hardened layer can be efficiently stripped by the fresh Caro's acid.
  • hydrogen peroxide is supplied to the substrate W from the contact portion 51, so that deterioration of the contact portion 51 due to contact with sulfuric acid can be suppressed.
  • the contact portion 51 by disposing the contact portion 51 at the contact position, it is possible to generate fresh Caro's acid around the contact portion 51 while removing old SPM from around the contact portion 51. Therefore, the resist can be peeled off efficiently.
  • the contact portion 51 because the contact portion 51 rotates, it is possible to remove old SPM from around the contact portion 51 efficiently.
  • sulfuric acid can be supplied to the substrate W from around the contact portion 51.
  • fresh Caro's acid can be efficiently generated. Therefore, the resist can be stripped more efficiently.
  • the substrate W is rotated during the first cleaning process, old SPM can be discharged from the substrate W. Therefore, the SPM on the substrate W can be replaced with new SPM. Therefore, the resist can be stripped more efficiently.
  • control device 101 (control unit 102) ends the first cleaning process and causes the substrate processing unit 2 to start the second cleaning process (step S4).
  • control device 101 controls the substrate rotation unit 4 to stop the rotation of the substrate W.
  • the cleaning process is performed by the cleaning member 5 in the same manner as in the first cleaning process.
  • the contact position is the position where the contact portion 51 contacts the resist formed on the substrate W when no liquid film is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the contact portion 51 does not have to contact the substrate W during the first cleaning process and the second cleaning process.
  • a gap G may be formed between the upper surface Wa of the substrate W and the tip surface 51a (lower surface) of the contact portion 51.
  • the gap G is formed by liquid penetrating between the upper surface Wa of the substrate W and the tip surface 51a (lower surface) of the contact portion 51.
  • control device 101 (control unit 102) ends the second cleaning process and causes the substrate processing unit 2 to start the third cleaning process (step S5).
  • control device 101 controls the substrate rotation unit 4 to start rotation of the substrate W held by the substrate holding unit 3.
  • the control device 101 also controls the moving unit 6A and the moving unit 6B to move the cleaning member 5 to the first retracted position and the first nozzle 8 to the processing position.
  • control device 101 controls the third chemical liquid supply unit 7C and the fourth chemical liquid supply unit 7D to eject SPM from the first nozzle 8 toward the rotating substrate W.
  • the second rotation speed may be a rotation speed higher than the first rotation speed.
  • the third cleaning process can be performed after the first cleaning process and the second cleaning process. Therefore, even if the first cleaning process and the second cleaning process are unable to remove all of the resist, the resist residue can be removed by the third cleaning process.
  • resist peeled off from the substrate W may adhere to the contact portion 51.
  • the resist adhered to the contact portion 51 may then re-adhere to the substrate W.
  • the resist re-adhered to the substrate W can be removed by the third cleaning process. Therefore, the substrate W can be made cleaner.
  • control device 101 (control unit 102) ends the third cleaning process and causes the substrate processing unit 2 to start a hydrogen peroxide supply process (step S6).
  • control device 101 controls the third chemical liquid supply unit 7C to stop the supply of sulfuric acid to the first nozzle 8.
  • control unit 102 controls the third chemical liquid supply unit 7C to stop the supply of sulfuric acid to the first nozzle 8.
  • hydrogen peroxide is ejected from the first nozzle 8 toward the rotating substrate W, and a liquid film LM2 of hydrogen peroxide is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the hydrogen peroxide expels SPM from the upper surface of the substrate W, and the liquid film LM1 of the SPM is replaced by a liquid film LM2 of hydrogen peroxide.
  • control device 101 controls the fourth chemical liquid supply unit 7D to stop the discharge of hydrogen peroxide solution. After that, the control device 101 (control unit 102) controls the movement unit 6B to retract the first nozzle 8 to the second retract position.
  • control device 101 retracts the first nozzle 8 to the second retract position, and then controls the rinse liquid supply unit 7E to eject rinse liquid from the second nozzle 9 toward the rotating substrate W (step S7). As a result, a liquid film of rinse liquid is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the hydrogen peroxide solution is discharged from the upper surface of the substrate W by the rinse liquid, and the hydrogen peroxide solution liquid film LM2 is replaced with a liquid film of rinse liquid.
  • control device 101 controls the rinsing liquid supply unit 7E to stop the discharge of the rinsing liquid.
  • the control device 101 executes a drying process to remove the rinsing liquid from the upper surface of the substrate W and dry the upper surface of the substrate W (step S8).
  • control device 101 controls the substrate rotation unit 4 to rotate the substrate W at high speed.
  • the rinse liquid adhering to the substrate W is shaken off, and the substrate W is dried.
  • control device 101 controls the substrate rotation unit 4 to stop the rotation of the substrate W.
  • control device 101 controls the substrate holding unit 3 to release its hold on the substrate W.
  • control device 101 controls the center robot CR to remove the substrate W from the processing chamber 2a (step S9). As a result, the process shown in FIG. 5 is completed.
  • the second cleaning process starts when a predetermined time has elapsed since the start of the first cleaning process, but the control device 101 (control unit 102) may start the second cleaning process when the number of reciprocating movements of the cleaning member 5 reaches a predetermined number since the start of the first cleaning process.
  • the third cleaning process is started when a predetermined time has elapsed since the start of the second cleaning process, but the control device 101 (control unit 102) may start the third cleaning process when the number of reciprocating movements of the cleaning member 5 reaches a predetermined number since the start of the second cleaning process.
  • control device 101 stops the rotation of the substrate W during the second cleaning process, but the control device 101 (controller 102) may rotate the substrate W at a low speed during the second cleaning process.
  • the control device 101 may control the substrate rotation unit 4 to rotate the substrate W at a rotation speed lower than the first rotation speed.
  • the control device 101 (controller 102) may rotate the substrate W at a rotation speed at which the SPM liquid film LM1 can be maintained when the contact unit 51 is not in contact with the substrate W.
  • the control device 101 (controller 102) may rotate the substrate W at a rotation speed at which the SPM does not flow off the periphery of the substrate W when the contact unit 51 is not in contact with the substrate W.
  • the cleaning member 5 reciprocates between the first position P1 and the second position P2 during the first cleaning process and the second cleaning process, but the cleaning member 5 may move from the first position P1 to the second position P2 and then move to the first retracted position.
  • the cleaning member 5 may reciprocate between the center position CP of the substrate W and the first position P1, or may move from the center position CP of the substrate W to the first position P1 and then move to the first retracted position.
  • the cleaning member 5 may reciprocate between the center position CP of the substrate W and the second position P2, or may move from the center position CP of the substrate W to the second position P2 and then move to the first retracted position.
  • the contact portion 51 is rotated during the first cleaning process and the second cleaning process, but the contact portion 51 does not have to be rotated during the first cleaning process and the second cleaning process.
  • the rotation drive portion 54 may be omitted.
  • the cleaning member 5 moves during the first cleaning process and the second cleaning process, but depending on the dimensions of the tip surface 51a (lower surface) of the contact portion 51, the cleaning member 5 does not need to move during the first cleaning process and the second cleaning process.
  • the cleaning member 5 (flow path forming member 522) has multiple arc-shaped outlets 52c, but the shape of the outlets 52c is not particularly limited.
  • Fig. 10 is a bottom view of modified example 1 of the cleaning member 5.
  • the cleaning member 5 (flow path forming member 522) may have an annular outlet 52c.
  • the cleaning member 5 (flow path forming member 522) may have multiple circular outlets 52c. The multiple circular outlets 52c are arranged along the side of the contact portion 51.
  • the contact portion 51 is cylindrical, but the shape of the contact portion 51 is not particularly limited.
  • Fig. 11(a) is a side view showing modified example 2 of the cleaning member 5.
  • Fig. 11(b) is a bottom view showing modified example 2 of the cleaning member 5.
  • the contact portion 51 may be rectangular.
  • the side of the contact portion 51 is rectangular in plan view, and the outlets 52c are arranged in a rectangular annular region extending along the side of the contact portion 51.
  • the flow path forming member 522 may have multiple linear outlets 52c.
  • the linear discharge port 52c is disposed on the side in the direction of travel of the cleaning member 5.
  • the linear discharge port 52c is disposed on both the side from the first position P1 to the second position P2 and the side from the second position P2 to the first position P1.
  • the linear outlet 52c is arranged on both sides of the contact portion 51, but the linear outlet 52c may be arranged on only one of the two sides of the contact portion 51.
  • the linear outlet 52c may be arranged only on the side going from the first position P1 to the second position P2.
  • Fig. 12(a) is a bottom view of modified example 3 of the cleaning member 5.
  • Fig. 12(b) is a bottom view of modified example 4 of the cleaning member 5.
  • Fig. 12(c) is a bottom view of modified example 5 of the cleaning member 5.
  • Fig. 12(d) is a bottom view of modified example 6 of the cleaning member 5.
  • one linear outlet 52c may be arranged on each side of the contact portion 51.
  • the contact portion 51 may be surrounded by a plurality of linear outlets 52c.
  • the flow path forming member 522 may have an annular (rectangular) outlet 52c.
  • the contact portion 51 and the support portion 52 have long sides extending in a direction perpendicular to the direction of travel of the cleaning member 5, but as shown in FIG. 12(d), the contact portion 51 and the support portion 52 may have long sides extending in the direction of travel of the cleaning member 5.
  • the contact portion 51 and the support portion 52 have a shape that is elongated in the direction in which the first arm 61A extends, but as shown in FIG. 12(d), the contact portion 51 and the support portion 52 may have a shape that is elongated in a direction perpendicular to the direction in which the first arm 61A extends.
  • the rotation drive portion 54 may be omitted depending on the longitudinal dimensions of the contact portion 51 and the support portion 52.
  • the contact portion 51 and the support portion 52 are rectangular parallelepiped shaped, but the contact portion 51 and the support portion 52 may be cubic shaped.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. In particular, FIG. 14 shows the inside of the substrate processing section 2 as viewed from above.
  • the cleaning member 5 has a support portion 52A.
  • sulfuric acid is supplied to the support portion 52, but sulfuric acid is not supplied to the support portion 52A.
  • the support portion 52A includes a support member 521, but does not include a flow path forming member 522.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing a portion of the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the substrate processing unit 2 further includes a third nozzle 12 and a fourth nozzle 13.
  • the moving unit 6A further includes a third arm 61C and a fourth arm 61D.
  • the first chemical liquid supply unit 7A includes a first sulfuric acid supply unit 7F and a second sulfuric acid supply unit 7G.
  • the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13 are positioned adjacent to the cleaning member 5 and face each other with the cleaning member 5 in between. More specifically, the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13 are positioned on the traveling direction side of the cleaning member 5. Specifically, the third nozzle 12 is positioned on the side where the cleaning member 5 moves from the second position P2 to the first position P1. The fourth nozzle 13 is positioned on the side where the cleaning member 5 moves from the first position P1 to the second position P2.
  • the third arm 61C and the fourth arm 61D are connected to the first base 62A and extend horizontally from the first base 62A. More specifically, the third arm 61C and the fourth arm 61D extend parallel to the first arm 61A.
  • the third nozzle 12 is disposed at the tip of the third arm 61C.
  • the fourth nozzle 13 is disposed at the tip of the fourth arm 61D.
  • the first sulfuric acid supply unit 7F supplies sulfuric acid to the third nozzle 12.
  • the first sulfuric acid supply unit 7F includes a supply pipe 711A, an on-off valve 721A, and a flow rate adjustment valve 731A.
  • the configuration of the first sulfuric acid supply unit 7F is substantially similar to the first chemical liquid supply unit 7A described in embodiment 1, and therefore a description thereof will be omitted.
  • the second sulfuric acid supply unit 7G supplies sulfuric acid to the fourth nozzle 13.
  • the second sulfuric acid supply unit 7G includes a supply pipe 712A, an on-off valve 722A, and a flow rate adjustment valve 732A.
  • the configuration of the second sulfuric acid supply unit 7G is substantially similar to that of the first chemical liquid supply unit 7A described in embodiment 1, and therefore a description thereof will be omitted.
  • step S3 when the cleaning member 5 moves from the first position P1 to the second position P2, the control device 101 (control unit 102) controls the second sulfuric acid supply unit 7G to eject sulfuric acid from the fourth nozzle 13 toward the substrate W.
  • step S4 when the cleaning member 5 moves from the second position P2 to the first position P1, the control device 101 (control unit 102) controls the first sulfuric acid supply unit 7F to eject sulfuric acid from the third nozzle 12 toward the substrate W.
  • step S3 in the first cleaning process (step S3) and the second cleaning process (step S4) shown in FIG. 5, sulfuric acid is ejected alternately from the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13, but sulfuric acid may be ejected simultaneously from the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13.
  • the substrate processing section 2 has the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13, but the substrate processing section 2 may have only one of the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13.
  • the substrate processing section 2 may have only the fourth nozzle 13 out of the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13.
  • the contact portion 51 and the support member 521 are cylindrical, but the shapes of the contact portion 51 and the support member 521 are not particularly limited.
  • the contact portion 51 and the support member 521 may be rectangular or cubic, for example. If the contact portion 51 and the support member 521 are rectangular, the rotation drive unit 54 may be omitted depending on the longitudinal dimensions of the contact portion 51 and the support member 521.
  • the substrate holding unit 3 is a clamping type chuck that brings multiple chuck members 32 into contact with the peripheral edge surface of the substrate W, but the method of holding the substrate W is not particularly limited as long as it is possible to hold the substrate W horizontally.
  • the substrate holding unit 3 may be a vacuum type chuck or a Bernoulli type chuck.
  • the first nozzle 8 ejects the chemical solution toward the substrate W from a position opposite the center position CP of the substrate W, but the first nozzle 8 may eject the chemical solution toward the substrate W while moving along an arc-shaped trajectory centered on the fourth axis of rotation AX4.
  • the first nozzle 8 may be a scan nozzle.
  • the substrate processing unit 2 supplies SPM to the substrate W from the first nozzle 8, but the substrate processing unit 2 may supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the substrate W from two nozzles. In this case, the sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed on the upper surface of the substrate W to generate SPM.
  • the SPM liquid film LM1 is formed before the start of the first cleaning process, but sulfuric acid may be ejected from the first nozzle 8 toward the rotating substrate W before the start of the first cleaning process, forming a sulfuric acid liquid film.
  • the cleaning process using the cleaning member 5 includes a process of supplying sulfuric acid to the substrate W from around the contact portion 51, but the process of supplying sulfuric acid to the substrate W from around the contact portion 51 may be omitted.
  • the flow path forming member 522, or the third nozzle 12 and the fourth nozzle 13 may be omitted.
  • step S4 in Figure 5 the second cleaning process was performed, but the second cleaning process may be omitted.
  • step S5 in Figure 5 the third cleaning process (step S5 in Figure 5) and the hydrogen peroxide supply process (step S6 in Figure 5) were performed, but the third cleaning process and the hydrogen peroxide supply process may be omitted.
  • the cleaning member 5 moves along an arc-shaped trajectory during the first cleaning process and the second cleaning process, but the cleaning member 5 may move straight during the first cleaning process and the second cleaning process. In other words, the cleaning member 5 may reciprocate along a linear trajectory during the first cleaning process and the second cleaning process, or may move only to one side.
  • the present invention is useful for an apparatus for processing a substrate and a method for processing a substrate.
  • Substrate processing unit 3 Substrate holding unit 4: Substrate rotation unit 5: Cleaning member 6A: Moving unit 7A: First chemical liquid supply unit 7B: Second chemical liquid supply unit 7C: Third chemical liquid supply unit 7D: Fourth chemical liquid supply unit 7F: First sulfuric acid supply unit 7G: Second sulfuric acid supply unit 8: First nozzle 12: Third nozzle 13: Fourth nozzle 51: Contact unit 51a: Tip surface 52: Support unit 52A: Support unit 52c: Discharge port 53: Rotation shaft unit 54: Rotation drive unit 63A: First moving mechanism 64A: Rotation mechanism 65A: Pressure adjustment mechanism 100: Substrate processing apparatus 101: Control device 102: Control unit 521: Support member 522: Flow path forming member W: Substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板処理装置（１００）は、薬液吐出部（８）と、洗浄部材（５）と、第１移動部（６Ａ）とを備える。薬液吐出部（８）は、少なくとも硫酸を含む薬液を基板（Ｗ）に向けて吐出する。洗浄部材（５）は、接触部（５１）を含む。洗浄部材（５）は、接触部（５１）から基板（Ｗ）に過酸化水素水を供給する。第１移動部（６Ａ）は、洗浄部材（５）を接触位置へ移動させる。接触位置は、基板（Ｗ）の上面に液膜が形成されていない状態において、基板（Ｗ）に形成されているレジストに接触部（５１）が接触する位置を示す。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　基板上に形成したレジスト膜を剥離するために、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とが混合された薬液（混合液）であるＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ　ａｃｉｄ－ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｐｅｒｏｘｉｄｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ）液が用いられることがある（例えば、特許文献１参照。）。
　硫酸は単独でも洗浄効果を有するが、硫酸に過酸化水素水を混合すると下記の反応式で表される反応が生じ、その結果、カロ酸（ＣＡＲＯ酸；Ｈ2ＳＯ5）が発生して強い洗浄効果を得ることができる。
　　２Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2→Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2ＳＯ5＋Ｈ2Ｏ
　カロ酸は、非常に酸化力の強い化合物である。カロ酸によって、レジストが基板表面から剥離すると同時に二酸化炭素（ＣＯ2）に分解されてＳＰＭ液中から抜けていく。
特開２００９－７６６６２号公報
　しかしながら、カロ酸の洗浄力は、時間の経過とともに弱くなる。したがって、カロ酸の洗浄力を得るには新鮮なカロ酸が必要であり、ＳＰＭ液を用いたレジスト剥離処理には、更なる改善の余地がある。
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レジストの剥離性能を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
　本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、薬液吐出部と、洗浄部材と、第１移動部とを備える。前記薬液吐出部は、少なくとも硫酸を含む薬液を前記基板に向けて吐出する。前記洗浄部材は、接触部を含む。前記洗浄部材は、前記接触部から前記基板に過酸化水素水を供給する。前記第１移動部は、前記洗浄部材を接触位置へ移動させる。前記接触位置は、前記基板の上面に液膜が形成されていない状態において、前記基板に形成されているレジストに前記接触部が接触する位置を示す。
　ある実施形態において、前記薬液は、前記硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液を含む。
　ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記基板を回転させる第１回転部を更に備える。
　ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記洗浄部材を移動させる第２移動部を更に備える。
　ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記接触部を回転させる第２回転部を更に備える。
　ある実施形態において、前記洗浄部材は、硫酸を吐出する硫酸吐出部を更に含む。前記硫酸吐出部は、前記接触部の周囲に配置される。
　ある実施形態において、前記接触部の側面は、平面視で円環状である。前記硫酸吐出部は、前記接触部の側面に沿って延びる円環状の領域に配置される。
　ある実施形態において、前記硫酸吐出部は環状である。
　ある実施形態において、前記硫酸吐出部は、複数の円弧状の吐出部を含む。
　ある実施形態において、前記接触部の側面は、平面視で矩形状である。前記硫酸吐出部は、前記接触部の側面に沿って延びる矩形の環状領域に配置される。
　ある実施形態において、前記硫酸吐出部は、環状である。
　ある実施形態において、前記硫酸吐出部は、複数の直線状の吐出部を含む。
　ある実施形態において、上記基板処理装置は、制御部を更に備える。前記制御部は、前記薬液吐出部からの前記薬液の吐出と、前記接触部からの前記過酸化水素水の供給と、前記第１移動部とを制御する。前記制御部は、前記薬液吐出部から前記薬液を吐出させて前記基板の上面に前記薬液の液膜を形成した後に、前記洗浄部材を前記接触位置へ移動させる。前記制御部は、前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に洗浄処理を実行する。前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示す。
　ある実施形態において、上記基板処理装置は、制御部を更に備える。前記制御部は、前記薬液吐出部からの前記混合液の吐出と、前記接触部からの前記過酸化水素水の供給と、前記第１移動部とを制御する。前記制御部は、前記薬液吐出部から前記混合液を吐出させて前記基板の上面に前記混合液の液膜を形成した後に、前記洗浄部材を前記接触位置へ移動させる。前記制御部は、前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に洗浄処理を実行する。前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示す。前記制御部は、前記洗浄処理の後に、前記薬液吐出部から前記基板に向けて前記混合液を吐出させる。
　本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板を処理する方法である。当該基板処理方法は、少なくとも硫酸を含む薬液を薬液吐出部から吐出させて前記基板の上面に前記薬液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記薬液の液膜を形成した後に、洗浄部材を接触位置へ移動させて洗浄処理を実行する洗浄処理工程とを包含する。前記洗浄部材は、前記基板に過酸化水素水を供給する接触部を含む。前記接触位置は、前記基板の上面に液膜が形成されていない状態において、前記基板に形成されているレジストに前記接触部が接触する位置を示す。前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示す。
　ある実施形態において、前記薬液は、前記硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液を含む。
　ある実施形態において、前記洗浄部材は、硫酸を吐出する硫酸吐出部を更に含む。前記洗浄処理工程において、前記硫酸吐出部から前記硫酸を吐出させる。
　ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記洗浄処理工程の後に、前記薬液吐出部から前記基板に向けて前記混合液を吐出させる工程を更に含む。
　ある実施形態では、前記洗浄処理工程において、前記基板を回転させる。
　ある実施形態では、前記洗浄処理工程において、前記洗浄部材を移動させる。
　ある実施形態では、前記洗浄処理工程において、前記接触部を回転させる。
　本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、レジストの剥離性能を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式的な平面図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す平面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる洗浄部材の断面を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる洗浄部材の底面図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 液膜形成処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 （ａ）は、第１洗浄処理時の基板処理部を模式的に示す図である。（ｂ）は、第２洗浄処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時の洗浄部材、基板及び液膜を拡大して示す図である。 （ａ）は、第３洗浄処理時の基板処理部を模式的に示す図である。（ｂ）は、過酸化水素水供給処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 洗浄部材の変形例１の底面図である。 （ａ）は、洗浄部材の変形例２を示す側面図である。（ｂ）は、洗浄部材の変形例２を示す底面図である。 （ａ）は、洗浄部材の変形例３の底面図である。（ｂ）は、洗浄部材の変形例４の底面図である。（ｃ）は、洗浄部材の変形例５の底面図である。（ｄ）は、洗浄部材の変形例６の底面図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の構成の一部を模式的に示す図である。
　以下、図面（図１～図１５）を参照して本発明の基板処理装置及び基板処理方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
　本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
［実施形態１］
　まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、処理液により１枚ずつ基板Ｗを処理する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０Ａと、複数の流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
　ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。本実施形態では、未処理の基板Ｗ（処理前の基板Ｗ）の各々に、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着している。なお、レジストは、硬化層を含んでもよく、硬化層を含まなくてもよい。例えば、硬化層は、レジストにイオンが注入されることによって形成される。例えば、硬化層は、レジストの上部に形成される。
　インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
　複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）を含む。
　流体キャビネット１０Ａは、処理液を収容する。流体ボックス１０Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。
　処理液は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、及びリンス液を含む。本実施形態において、リンス液は、純水である。純水は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　Ｗａｔｅｒ）である。なお、リンス液は、例えば、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であってもよい。
　基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。例えば、基板処理部２は、硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ　ａｃｉｄ－ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｐｅｒｏｘｉｄｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ）を基板Ｗに供給する。硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ）は、硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液である。基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されると、基板Ｗの上面からレジスト膜（有機物）が剥離されて、基板Ｗの上面からレジスト膜が除去される。
　詳しくは、ＳＰＭに含まれる硫酸によりレジスト膜が剥離される。また、ＳＰＭに含まれる硫酸と過酸化水素水とが反応して生成されるカロ酸（ＣＡＲＯ酸；Ｈ2ＳＯ5）により、レジスト膜が剥離される。
　制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
　制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算器又は専用演算器を有してもよい。
　記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
　記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
　続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。
　図２に示すように、基板処理部２は、処理室２ａと、基板保持部３と、基板回転部４と、洗浄部材５と、移動部６Ａと、移動部６Ｂと、第１ノズル８と、第２ノズル９と、液受け部１１と、昇降部１１１とを有する。また、基板処理装置１００は、第１薬液供給部７Ａと、第２薬液供給部７Ｂと、第３薬液供給部７Ｃと、第４薬液供給部７Ｄと、リンス液供給部７Ｅとを更に備える。
　基板Ｗは、処理室２ａ内に搬入されて、処理室２ａ内で処理される。処理室２ａは、略箱形状を有する。処理室２ａは、基板保持部３と、基板回転部４と、洗浄部材５と、移動部６Ａと、移動部６Ｂと、第１薬液供給部７Ａの一部と、第２薬液供給部７Ｂの一部と、第３薬液供給部７Ｃの一部と、第４薬液供給部７Ｄの一部と、リンス液供給部７Ｅの一部と、第１ノズル８と、第２ノズル９と、液受け部１１と、昇降部１１１とを収容する。処理室２ａは、例えば、チャンバーである。
　基板保持部３は、基板Ｗを保持する。基板保持部３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部３は、例えば、スピンチャックである。基板保持部３は、スピンベース３１と、複数のチャック部材３２とを有してもよい。
　スピンベース３１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。複数のチャック部材３２は、スピンベース３１の周縁部に配置される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材３２により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材３２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの中心がスピンベース３１の中心と一致するように配置されている。
　基板回転部４は、基板Ｗを回転させる。具体的には、基板回転部４は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部３とを一体に回転させる。基板回転部４は、「第１回転部」の一例である。基板回転部４の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース３１の中心を通る。したがって、スピンベース３１は、スピンベース３１の中心を回転中心として回転する。また、既に説明したように、基板保持部３は、基板Ｗの中心がスピンベース３１の中心と一致するように基板Ｗを保持する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
　基板回転部４は、例えば、モータ本体４１と、シャフト４２とを有する。シャフト４２はスピンベース３１に結合される。モータ本体４１は、シャフト４２を回転させる。その結果、スピンベース３１が回転する。モータ本体４１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。モータ本体４１は、例えば、電動モータである。
　洗浄部材５は、接触部５１を含み、接触部５１から基板Ｗに過酸化水素水を供給する。具体的には、洗浄部材５は、支持部５２と、回転軸部５３と、回転駆動部５４とを更に含む。
　接触部５１は、例えば、ブラシ状である。あるいは、接触部５１は、スポンジ状であってもよいし、多孔質の膜状であってもよい。接触部５１は、過酸化水素水を基板Ｗへ供給できる限り、特に限定されない。例えば、接触部５１がブラシ状である場合、ブラシの各毛の隙間を通って過酸化水素水が基板Ｗへ供給される。接触部５１がスポンジ状又は多孔質の膜状である場合、過酸化水素水は接触部５１の各孔から基板Ｗへ供給される。なお、接触部５１が多孔質の膜状である場合、膜の内部に貯留された過酸化水素水が、膜の各孔から基板Ｗへ供給される。
　接触部５１は、可撓性を有する。接触部５１は、弾性を有してもよい。接触部５１が可撓性又は弾性を有することにより、接触部５１が基板Ｗに接触しても、基板Ｗに損傷（例えば、パターンの倒壊）が発生し難い。
　接触部５１の材料には、耐熱性を有する材料が使用される。接触部５１が耐熱性を有することにより、１００℃以上のＳＰＭによって基板Ｗを処理することができる。基板処理に用いられるＳＰＭの温度は、例えば、１２０℃以上１７０℃以下である。接触部５１の材料は、例えば、フッ素樹脂である。具体的には、接触部５１の材料は、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）又はＰＴＥＥ（ポリテトラフルオロエチレン）であってもよい。なお、接触部５１は、硫酸に対して耐性を有してもよい。
　支持部５２は、接触部５１を支持する。回転軸部５３は、支持部５２に結合される。回転軸部５３は、鉛直方向に延びる。回転駆動部５４は、接触部５１を回転させる。具体的には、回転駆動部５４は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として、回転軸部５３を回転させる。この結果、接触部５１が、第２回転軸線ＡＸ２を中心として回転する。回転駆動部５４は、「第２回転部」の一例である。回転駆動部５４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。回転駆動部５４は、例えば、電動モータである。
　移動部６Ａは、洗浄部材５を第１退避位置と接触位置との間で移動させる。移動部６Ａは、「第１移動部」の一例である。移動部６Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１退避位置は、平面視において基板保持部３の外側の位置である。本実施形態において、第１退避位置は、平面視において液受け部１１の外側の位置である。接触位置は、高さ方向（上下方向）の位置を示す。接触位置は、基板Ｗの上面に液膜が形成されていない状態において、基板Ｗに形成されているレジストに接触部５１が接触する位置である。図２は、接触位置に配置された洗浄部材５を示している。
　詳しくは、移動部６Ａは、鉛直方向及び水平方向に洗浄部材５を移動させる。具体的には、移動部６Ａは、第１アーム６１Ａと、第１基台６２Ａと、第１移動機構６３Ａとを有する。
　第１アーム６１Ａは水平方向に沿って延びる。第１アーム６１Ａの先端部に洗浄部材５が配置される。第１アーム６１Ａは第１基台６２Ａに結合される。第１基台６２Ａは、鉛直方向に沿って延びる。
　第１移動機構６３Ａは、鉛直方向及び水平方向に第１アーム６１Ａを移動させる。この結果、洗浄部材５が鉛直方向及び水平方向に移動する。第１移動機構６３Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、第１移動機構６３Ａは、回転機構６４Ａと、昇降／押圧調整機構６５Ａとを含む。
　回転機構６４Ａは、鉛直方向に延びる第３回転軸線ＡＸ３を中心として第１基台６２Ａを揺動させて、第１アーム６１Ａを水平面に沿って揺動させる。この結果、洗浄部材５が水平面に沿って移動する。回転機構６４Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。回転機構６４Ａは、例えば、正逆回転可能な電動モータを含む。
　昇降／押圧調整機構６５Ａは、第１基台６２Ａを鉛直方向に沿って昇降させて、第１アーム６１Ａを昇降させる。この結果、洗浄部材５が鉛直方向に沿って移動する。昇降／押圧調整機構６５Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降／押圧調整機構６５Ａは、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
　更に、昇降／押圧調整機構６５Ａは、基板Ｗの上面に液膜が形成されていない状態において接触部５１が基板Ｗを押圧する力を調整する。以下、基板Ｗの上面に液膜が形成されていない状態において接触部５１が基板Ｗを押圧する力を、「接触部５１の押圧力」と記載する場合がある。
　具体的には、接触位置が調整されることにより、接触部５１の押圧力が調整される。詳しくは、制御装置１０１に設定される接触位置のパラメータが調整される。例えば、接触部５１の押圧力（接触位置）は、レジストの種類によって変更されてもよい。具体的には、接触部５１の押圧力（接触位置）は、レジストの材料が「ポジ型」であるのか、「ネガ型」であるのかによって変更されてもよいし、レジストが吸収する光の波長ごとに変更されてもよい。あるいは、接触部５１の押圧力（接触位置）は、レジストのアスペクト比（高さと幅との比）に応じて変更されてもよいし、レジストに注入されたイオンの種類に応じて変更されてもよい。
　なお、接触部５１の押圧力は「０」であってもよい。すなわち、基板Ｗの上面に液膜が形成されていない状態において、基板Ｗに形成されているレジストに接触部５１が接触すればよく、接触部５１は基板Ｗを押圧しなくてもよい。
　第１薬液供給部７Ａは、洗浄部材５に硫酸を供給する。本実施形態では、洗浄部材５は、過酸化水素水に加えて、基板Ｗに硫酸を供給する。具体的には、第１薬液供給部７Ａは、第１供給配管７１Ａと、第１開閉弁７２Ａと、第１流量調整弁７３Ａとを含む。処理室２ａは、第１供給配管７１Ａの一部を収容する。第１開閉弁７２Ａ及び第１流量調整弁７３Ａは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
　第１供給配管７１Ａは、管状の部材であり、硫酸を洗浄部材５まで流通させる。第１開閉弁７２Ａは、第１供給配管７１Ａに介装される。第１開閉弁７２Ａは、第１供給配管７１Ａを介した洗浄部材５への硫酸の供給、及び洗浄部材５への硫酸の供給停止を制御する。具体的には、第１開閉弁７２Ａの状態は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。第１開閉弁７２Ａが開状態になると、硫酸が第１供給配管７１Ａを介して洗浄部材５まで流通する。第１開閉弁７２Ａが閉状態になると、第１供給配管７１Ａを介した硫酸の流通が停止する。第１開閉弁７２Ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１開閉弁７２Ａのアクチュエータは、は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
　第１流量調整弁７３Ａは、第１供給配管７１Ａに介装される。第１流量調整弁７３Ａは、第１供給配管７１Ａを流通する硫酸の流量を調整する。具体的には、第１流量調整弁７３Ａは、開度を調整可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１流量調整弁７３Ａの開度を制御する。硫酸は、第１流量調整弁７３Ａの開度に応じた流量で第１供給配管７１Ａを流通する。第１流量調整弁７３Ａのアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。なお、第１流量調整弁７３Ａは、省略されてもよい。
　第２薬液供給部７Ｂは、洗浄部材５に過酸化水素水を供給する。具体的には、第２薬液供給部７Ｂは、第２供給配管７１Ｂと、第２開閉弁７２Ｂと、第２流量調整弁７３Ｂとを含む。処理室２ａは、第２供給配管７１Ｂの一部を収容する。第２開閉弁７２Ｂ及び第２流量調整弁７３Ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
　第２供給配管７１Ｂは、洗浄部材５まで過酸化水素水を流通させる。第２薬液供給部７Ｂの構成は、第１薬液供給部７Ａと略同様であるため、詳しい説明は割愛する。なお、第１流量調整弁７３Ａと同様に、第２流量調整弁７３Ｂは省略されてもよい。
　第１ノズル８は、少なくとも硫酸を含む薬液を基板Ｗに向けて吐出する。本実施形態では、第１ノズル８は、基板Ｗに向けてＳＰＭを吐出する。第１ノズル８は、「薬液吐出部の一例」である。具体的には、第１ノズル８には、硫酸と過酸化水素水とが供給される。硫酸及び過酸化水素水は第１ノズル８の内部で混合される。この結果、第１ノズル８の内部でＳＰＭが生成されて、第１ノズル８からＳＰＭが吐出される。
　詳しくは、第１ノズル８は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けてＳＰＭを吐出する。この結果、ＳＰＭが基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。なお、第１ノズル８から吐出されるＳＰＭの温度は、例えば、１００℃以上である。例えば、第１ノズル８から吐出されるＳＰＭの温度は、１２０℃程度であってもよく、１７０℃程度であってもよい。
　本実施形態において、第１ノズル８は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて、過酸化水素水を更に吐出する。この結果、過酸化水素水が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。
　第３薬液供給部７Ｃは、第１ノズル８に硫酸を供給する。具体的には、第３薬液供給部７Ｃは、第３供給配管７１Ｃと、第３開閉弁７２Ｃと、第３流量調整弁７３Ｃとを含む。処理室２ａは、第３供給配管７１Ｃの一部を収容する。第３開閉弁７２Ｃ及び第３流量調整弁７３Ｃは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
　第３供給配管７１Ｃは、第１ノズル８まで硫酸を流通させる。第３薬液供給部７Ｃの構成は、第１薬液供給部７Ａと略同様であるため、詳しい説明は割愛する。なお、ＳＰＭにおける硫酸と過酸化水素水との混合比は、第３流量調整弁７３Ｃによって調整される。ＳＰＭにおける硫酸と過酸化水素水との混合比（硫酸：過酸化水素水）は、例えば、２：１～２０：１の範囲内に含まれる。
　第４薬液供給部７Ｄは、第１ノズル８に過酸化水素水を供給する。具体的には、第４薬液供給部７Ｄは、第４供給配管７１Ｄと、第４開閉弁７２Ｄと、第４流量調整弁７３Ｄとを含む。処理室２ａは、第４供給配管７１Ｄの一部を収容する。第４開閉弁７２Ｄ及び第４流量調整弁７３Ｄは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
　第４供給配管７１Ｄは、第１ノズル８まで過酸化水素水を流通させる。第４薬液供給部７Ｄの構成は、第１薬液供給部７Ａと略同様であるため、詳しい説明は割愛する。なお、第１流量調整弁７３Ａと同様に、第４流量調整弁７３Ｄは省略されてもよい。
　移動部６Ｂは、第１ノズル８を第２退避位置から処理位置まで移動させる。移動部６Ｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２退避位置は、平面視において基板保持部３の外側の位置である。本実施形態において、第２退避位置は、平面視において液受け部１１の外側の位置である。処理位置は、基板保持部３に保持されている基板Ｗの中心位置ＣＰに対向する位置である。
　詳しくは、移動部６Ｂは、鉛直方向及び水平方向に第１ノズル８を移動させる。具体的には、移動部６Ｂは、第２アーム６１Ｂと、第２基台６２Ｂと、第２移動機構６３Ｂとを有する。
　第２アーム６１Ｂは水平方向に沿って延びる。第２アーム６１Ｂの先端部に第１ノズル８が配置される。第２アーム６１Ｂは第２基台６２Ｂに結合される。第２基台６２Ｂは、鉛直方向に沿って延びる。
　第２移動機構６３Ｂは、鉛直方向及び水平方向に第２アーム６１Ｂを移動させる。この結果、第１ノズル８が鉛直方向及び水平方向に移動する。第２移動機構６３Ｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　具体的には、第２移動機構６３Ｂは、鉛直方向に延びる第４回転軸線ＡＸ４を中心として第２基台６２Ｂを揺動させて、第２アーム６１Ｂを水平面に沿って揺動させる。この結果、第１ノズル８が水平面に沿って移動する。また、第２移動機構６３Ｂは、第２基台６２Ｂを鉛直方向に沿って昇降させて、第２アーム６１Ｂを昇降させる。この結果、第１ノズル８が鉛直方向に沿って移動する。第２移動機構６３Ｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２移動機構６３Ｂは、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
　第２ノズル９は、基板Ｗにリンス液を供給する。詳しくは、第２ノズル９は、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。第２ノズル９は、固定ノズルである。なお、本実施形態において、第２ノズル９は固定ノズルであるが、第２ノズル９はスキャンノズルであってもよい。
　リンス液供給部７Ｅは、第２ノズル９にリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給部７Ｅは、第５供給配管７１Ｅと、第５開閉弁７２Ｅとを含む。処理室２ａは、第５供給配管７１Ｅの一部を収容する。第５開閉弁７２Ｅは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容されてもよい。
　第５供給配管７１Ｅは、リンス液を第２ノズル９まで流通させる。第５供給配管７１Ｅ及び第５開閉弁７２Ｅの構成は、第１供給配管７１Ａ及び第１開閉弁７２Ａと略同様であるため、詳しい説明は割愛する。
　液受け部１１は、基板保持部３及び基板回転部４の外方に配置される。液受け部１１は、略筒形状を有する。換言すると、液受け部１１は、基板保持部３及び基板回転部４を取り囲んでいる。液受け部１１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液（ＳＰＭ及びリンス液）を受け止める。
　昇降部１１１は、液受け部１１を昇降させる。昇降部１１１は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降部１１１は、例えば、ボールねじ機構と、正逆回転可能な電動モータとを含む。電動モータは、ボールねじ機構を駆動する。
　具体的には、昇降部１１１は、液受け部１１を液受け位置と退避位置との間で昇降させる。液受け位置は、退避位置よりも上方の位置である。詳しくは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２ａ内部に搬入される際、あるいは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗが処理室２ａ内部から搬出される際に、液受け部１１は退避位置に配置される。液受け部１１は、処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。
　続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す平面図である。詳しくは、図３は、上側から視た基板処理部２の内部を示す。
　図３に示すように、洗浄部材５は、第３回転軸線ＡＸ３を中心とする円弧状の軌跡Ｊに沿って移動する。軌跡Ｊは、平面視において基板Ｗの中心位置ＣＰを通る。本実施形態では、移動部６Ａは、軌跡Ｊに含まれる第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を洗浄部材５が往復するように洗浄部材５を移動させる。具体的には、移動部６Ａは、平面視において洗浄部材５の中心が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復するように洗浄部材５を移動させる。移動部６Ａは、「第２移動部」の一例である。
　第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２は、平面視において基板Ｗの内側の位置である。第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２は、基板Ｗの中心位置ＣＰに対して互いに反対側の位置であり、第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２はいずれも、基板Ｗの中心位置ＣＰよりも基板Ｗの端Ｅに近い。洗浄部材５が第１位置Ｐ１に移動すると、洗浄部材５の端が基板Ｗの端Ｅの近傍に位置する。同様に、洗浄部材５が第２位置Ｐ２に移動すると、洗浄部材５の端が基板Ｗの端Ｅの近傍に位置する。第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復する際に、洗浄部材５は接触位置に配置されている。よって、接触部５１は、基板Ｗに接触している状態で、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復する。
　続いて、図１～図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる洗浄部材５の断面を示す図である。詳しくは、図４（ａ）は、支持部５２の断面を示す。
　図４（ａ）に示すように、支持部５２は、支持部材５２１と、流路形成部材５２２とを有する。流路形成部材５２２は、底面が開放された筒状であり、内側空間を有する。支持部材５２１は、流路形成部材５２２の内側空間に配置される。接触部５１は、支持部材５２１に支持されて、流路形成部材５２２から下方に突出する。回転軸部５３は、流路形成部材５２２の天井部を貫通して、支持部材５２１に結合される。
　支持部材５２１は第１流路５２ａを有し、回転軸部５３は第２流路５３ａを有する。第１流路５２ａは、鉛直方向に延びており、その一端（下端）は接触部５１に連通する。第２流路５３ａは、鉛直方向に延びており、その一端（下端）は、第１流路５２ａの他端（上端）に連通する。第２供給配管７１Ｂは第２流路５３ａの他端（本実施形態では、上端）に連通している。したがって、第２薬液供給部７Ｂから第２流路５３ａへ過酸化水素水が供給される。第２流路５３ａへ流入した過酸化水素水は、第２流路５３ａ及び第１流路５２ａを流通して、接触部５１へ供給される。
　流路形成部材５２２は、第３流路５２ｂを有する。第３流路５２ｂには、第１薬液供給部７Ａから硫酸が供給される。流路形成部材５２２は、下面に吐出口５２ｃを有し、第３流路５２ｂは吐出口５２ｃに連通している。第３流路５２ｂに流入した硫酸は、第３流路５２ｂを流通して吐出口５２ｃから吐出される。すなわち、流路形成部材５２２の下面から硫酸が吐出される。吐出口５２ｃは、「硫酸吐出部」の一例である。なお、流路形成部材５２２の下面は、接触部５１の下面（先端面）よりも上方に位置する。
　具体的には、第３流路５２ｂは、共通流路５２ｂ１と、分岐流路５２ｂ２とを含む。共通流路５２ｂ１は、流路形成部材５２２の天井部に配置される。共通流路５２ｂ１は、水平面に沿って拡がってもよい。第１供給配管７１Ａは共通流路５２ｂ１に連通し、共通流路５２ｂ１へ硫酸を供給する。分岐流路５２ｂ２は、鉛直方向に延びる。分岐流路５２ｂ２の一端（上端）は共通流路５２ｂ１に連通している。分岐流路５２ｂ２の他端（下端）は、吐出口５２ｃに連通している。第１薬液供給部７Ａから共通流路５２ｂ１へ流入した硫酸は、共通流路５２ｂ１を介して分岐流路５２ｂ２へ流入する。その結果、硫酸が分岐流路５２ｂ２を流通して、吐出口５２ｃから硫酸が吐出される。
　図４（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる洗浄部材５の底面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、吐出口５２ｃは、接触部５１の周囲に配置される。
　本実施形態では、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、接触部５１は円柱状である。したがって、平面視において接触部５１の側面は円環状である。図４（ｂ）に示すように、吐出口５２ｃは、接触部５１の側面に沿って延びる円環状の領域に配置される。
　詳しくは、図４（ｂ）に示すように、流路形成部材５２２は、複数の吐出口５２ｃを含む。したがって、流路形成部材５２２は、複数の分岐流路５２ｂ２を含む。図４（ｂ）に示す例では、流路形成部材５２２は、４つの吐出口５２ｃを含む。複数の吐出口５２ｃはそれぞれ、円弧状である。
　続いて、図１～図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、例えば、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１００により実施することができる。図５は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。詳しくは、図５は、制御装置１０１（制御部１０２）が実行する処理の流れを示す。
　図５に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ９を含む。図６は、液膜形成処理時（図５に示すステップＳ２）の基板処理部２を模式的に示す図である。図７（ａ）は、第１洗浄処理時（図５に示すステップＳ３）の基板処理部２を模式的に示す図である。図７（ｂ）は、第２洗浄処理時（図５に示すステップＳ４）の基板処理部２を模式的に示す図である。図８は、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時の洗浄部材５、基板Ｗ及び液膜ＬＭ１を拡大して示す図である。図９（ａ）は、第３洗浄処理時（図５に示すステップＳ５）の基板処理部２を模式的に示す図である。図９（ｂ）は、過酸化水素水供給処理時（図５に示すステップＳ６）の基板処理部２を模式的に示す図である。
　図５に示す処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、センターロボットＣＲを制御して、処理室２ａに基板Ｗを搬入させる（ステップＳ１）。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部３を制御して、センターロボットＣＲが搬入した基板Ｗを保持させる。この結果、基板保持部３により、処理室２ａ内で基板Ｗが保持される。制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗが保持されると、基板処理部２に液膜形成処理を開始させる（ステップＳ２）。
　具体的には、図６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部４を制御して、基板保持部３に保持された基板Ｗの回転を開始させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部６Ｂを制御して、第１ノズル８を処理位置まで移動させる。具体的には、第１ノズル８は、基板Ｗの中心位置ＣＰに対向する位置へ移動する。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた第１回転速度に達すると、第３薬液供給部７Ｃ及び第４薬液供給部７Ｄを制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル８からＳＰＭを吐出させる。この結果、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜ＬＭ１が形成される（ステップＳ２）。
　ＳＰＭの液膜ＬＭ１が形成された後、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部６Ｂを制御して、第１ノズル８を処理位置から第２退避位置へ移動させつつ、移動部６Ａを制御して、洗浄部材５を第１位置Ｐ１へ移動させる。第１位置Ｐ１は、接触位置に含まれる。図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、洗浄部材５を第１位置Ｐ１へ移動させると、基板処理部２に第１洗浄処理を開始させる（ステップＳ３）。
　詳しくは、図７（ａ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１洗浄処理時に移動部６Ａを制御して、洗浄部材５の接触部５１を、基板Ｗの上面に形成されているレジストに接触させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、洗浄部材５による洗浄処理を開始させる。
　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、回転駆動部５４を制御して、接触部５１を回転させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部６Ａを制御して、図３を参照して説明したように、洗浄部材５を第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復させる。この間、洗浄部材５は接触位置に配置されている。換言すると、洗浄部材５が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復移動している際に、接触部５１は、基板Ｗの上面に形成されているレジストに接触している。
　また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液供給部７Ｂを制御して、接触部５１から基板Ｗへ過酸化水素水へ供給させる。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は更に、第１薬液供給部７Ａを制御して、流路形成部材５２２の下面（吐出口５２ｃ）から基板Ｗへ向けて硫酸を供給させる。
　なお、第１洗浄処理では、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを回転させる。したがって、回転している基板Ｗに対して、洗浄部材５が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復移動する。
　本実施形態によれば、接触部５１から基板Ｗへ過酸化水素水を供給することで、ＳＰＭの液膜ＬＭ１に含まれる未反応の硫酸と過酸化水素水とを反応させて、新鮮なカロ酸を基板Ｗ上で生成することができる。したがって、レジストを効率よく剥離することができる。特に、レジストが硬化層を含む場合、新鮮なカロ酸によって効率よく硬化層を剥離することができる。
　また、本実施形態によれば、接触部５１から基板Ｗへ過酸化水素水を供給するため、接触部５１に硫酸が接触して接触部５１が劣化することを抑制することができる。
　更に、本実施形態によれば、接触部５１を接触位置に配置することで、古いＳＰＭを接触部５１の周りから排除しつつ、接触部５１の周りで新鮮なカロ酸を生成することができる。したがって、レジストを効率よく剥離することができる。特に、本実施形態では、接触部５１が回転するため、古いＳＰＭを接触部５１の周りから効率よく排除することができる。
　また、本実施形態によれば、第１洗浄処理時に、接触部５１の周囲から基板Ｗに硫酸を供給することができる。その結果、新鮮なカロ酸を効率よく生成することができる。したがって、より効率よくレジストを剥離することができる。更に、第１洗浄処理時では基板Ｗを回転させるため、古いＳＰＭを基板Ｗから排出させることができる。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭを古いＳＰＭから新しいＳＰＭへ置換することができる。よって、より効率よくレジストを剥離することができる。
　図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１洗浄処理を開始してから、予め規定された時間が経過すると、第１洗浄処理を終了させて、基板処理部２に第２洗浄処理を開始させる（ステップＳ４）。
　具体的には、図７（ｂ）に示すように、第２洗浄処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部４を制御して、基板Ｗの回転を停止させる。この結果、基板Ｗの回転が停止した状態で、第１洗浄処理時と同様に、洗浄部材５による洗浄処理が実行される。
　なお、既に説明したように、接触位置は、基板Ｗの上面に液膜が形成されていない状態において、基板Ｗに形成されているレジストに接触部５１が接触する位置であるが、図８に示すように、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に接触部５１は基板Ｗに接触していなくてもよい。つまり、基板Ｗの上面Ｗａと接触部５１の先端面５１ａ（下面）との間に隙間Ｇが形成されてもよい。隙間Ｇは、基板Ｗの上面Ｗａと接触部５１の先端面５１ａ（下面）との間に液体が浸入することによって形成される。
　図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２洗浄処理を開始してから、予め規定された時間が経過すると、第２洗浄処理を終了させて、基板処理部２に第３洗浄処理を開始させる（ステップＳ５）。
　具体的には、図９（ａ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部４を制御して、基板保持部３に保持された基板Ｗの回転を開始させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部６Ａ及び移動部６Ｂを制御して、洗浄部材５を第１退避位置へ移動させつつ、第１ノズル８を処理位置まで移動させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた第２回転速度に達すると、第３薬液供給部７Ｃ及び第４薬液供給部７Ｄを制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル８からＳＰＭを吐出させる。なお、第２回転速度は、第１回転速度より高速の回転速度であってもよい。
　本実施形態によれば、第１洗浄処理及び第２洗浄処理の後に、第３洗浄処理を実行することができる。したがって、第１洗浄処理及び第２洗浄処理では全てのレジストを除去できなかった場合でも、第３洗浄処理によりレジストの残渣を除去することができる。したがって、基板Ｗをより清浄にすることができる。例えば、レジストに硬化層が含まれる場合、第１洗浄処理及び第２洗浄処理によって硬化層を剥離した後、第３洗浄処理によってレジストの残渣を剥離することができる。
　また、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に、基板Ｗから剥離したレジストが接触部５１に付着する可能性がある。そして、接触部５１に付着したレジストが基板Ｗに再付着する可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗに再付着したレジストを第３洗浄処理によって除去することができる。したがって、基板Ｗをより清浄にすることができる。
　図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３洗浄処理を開始してから、予め規定された時間が経過すると、第３洗浄処理を終了させて、基板処理部２に過酸化水素水供給処理を開始させる（ステップＳ６）。
　具体的には、図９（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３薬液供給部７Ｃを制御して、第１ノズル８への硫酸の供給を停止させる。この結果、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル８から過酸化水素水が吐出されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜ＬＭ２が形成される。詳しくは、過酸化水素水によって、ＳＰＭが基板Ｗの上面から排出されて、ＳＰＭの液膜ＬＭ１が過酸化水素水の液膜ＬＭ２に置換される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第４薬液供給部７Ｄを制御して、過酸化水素水の吐出を停止させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動部６Ｂを制御して、第１ノズル８を第２退避位置へ退避させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル８を第２退避位置へ退避させた後、リンス液供給部７Ｅを制御して、回転中の基板Ｗに向けて第２ノズル９からリンス液を吐出させる（ステップＳ７）。この結果、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。詳しくは、リンス液によって、過酸化水素水が基板Ｗの上面から排出されて、過酸化水素水の液膜ＬＭ２がリンス液の液膜に置換される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、リンス液供給部７Ｅを制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、基板Ｗの上面からリンス液を除去して基板Ｗの上面を乾燥させる乾燥処理を実行する（ステップＳ８）。
　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部４を制御して、基板Ｗを高速回転させる。基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着しているリンス液が振り切られて基板Ｗが乾燥される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの高速回転を開始してから、予め規定された時間が経過した後、基板回転部４を制御して、基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転が停止すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板保持部３を制御して、基板Ｗの保持を解除させる。基板保持部３による基板Ｗの保持が解除されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗを処理室２ａから搬出させる（ステップＳ９）。この結果、図５に示す処理が終了する。
　以上、図１～図９を参照して、本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、レジストの剥離性能を向上させることができる。
　なお、本実施形態では、第１洗浄処理を開始してから、予め規定された時間が経過すると、第２洗浄処理が開始したが、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１洗浄処理を開始してから、洗浄部材５の往復回数が予め規定された回数に達すると、第２洗浄処理を開始させてもよい。
　同様に、本実施形態では、第２洗浄処理を開始してから、予め規定された時間が経過すると、第３洗浄処理が開始したが、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２洗浄処理を開始してから、洗浄部材５の往復回数が予め規定された回数に達すると、第３洗浄処理を開始させてもよい。
　また、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２洗浄処理時に基板Ｗの回転を停止させたが、第２洗浄処理時に制御装置１０１（制御部１０２）は基板Ｗを低速回転させてもよい。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板回転部４を制御して、第１回転速度よりも低い回転速度で基板Ｗを回転させてもよい。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部５１が基板Ｗに接触していない状態でＳＰＭの液膜ＬＭ１が維持できる程度の回転速度で基板Ｗを回転させてもよい。より具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、接触部５１が基板Ｗに接触していない状態で基板Ｗの周縁からＳＰＭが流れ落ちない程度の回転速度で基板Ｗを回転させてもよい。
　また、本実施形態において、洗浄部材５は、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復したが、洗浄部材５は、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２まで移動した後に第１退避位置へ移動してもよい。あるいは、洗浄部材５は、基板Ｗの中心位置ＣＰと第１位置Ｐ１との間を往復してもよいし、基板Ｗの中心位置ＣＰから第１位置Ｐ１まで移動した後に第１退避位置へ移動してもよい。同様に、洗浄部材５は、基板Ｗの中心位置ＣＰと第２位置Ｐ２との間を往復してもよいし、基板Ｗの中心位置ＣＰから第２位置Ｐ２まで移動した後に第１退避位置へ移動してもよい。
　また、本実施形態では、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に接触部５１を回転させたが、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に接触部５１を回転させなくてもよい。例えば、回転駆動部５４が省略されてもよい。
　また、本実施形態では、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に洗浄部材５が移動したが、接触部５１の先端面５１ａ（下面）の寸法によっては、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に洗浄部材５は移動しなくてもよい。
　続いて、図１０～図１２を参照して、洗浄部材５の変形例を説明する。図１～図９を参照して説明した実施形態において、洗浄部材５（流路形成部材５２２）は、複数の円弧状の吐出口５２ｃを有したが、吐出口５２ｃの形状は特に限定されない。図１０は、洗浄部材５の変形例１の底面図である。図１０に示すように、洗浄部材５（流路形成部材５２２）は、円環状の吐出口５２ｃを有してもよい。あるいは、洗浄部材５（流路形成部材５２２）は、複数の円形状の吐出口５２ｃを有してもよい。複数の円形状の吐出口５２ｃは、接触部５１の側面に沿って配列される。
　また、図１～図９を参照して説明した実施形態において、接触部５１は円柱状であったが、接触部５１の形状は特に限定されない。図１１（ａ）は、洗浄部材５の変形例２を示す側面図である。図１１（ｂ）は、洗浄部材５の変形例２を示す底面図である。
　図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、接触部５１は、直方体状であってもよい。この場合、図１１（ｂ）に示すように、平面視において接触部５１の側面は矩形状であり、吐出口５２ｃは、接触部５１の側面に沿って延びる矩形の環状領域に配置される。具体的には、図１１（ｂ）に示すように、流路形成部材５２２は、複数の直線状の吐出口５２ｃを有してもよい。
　詳しくは、直線状の吐出口５２ｃは、洗浄部材５の進行方向側に配置される。例えば、図３を参照して説明したように、洗浄部材５が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復移動する場合、直線状の吐出口５２ｃは、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ向かう側と、第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１へ向かう側との両側に配置される。
　なお、変形例２において、直線状の吐出口５２ｃは、接触部５１を挟む両側に配置されたが、直線状の吐出口５２ｃは、接触部５１を挟む両側のうちの一方側にのみ配置されてもよい。例えば、洗浄部材５が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ移動した後に第１退避位置へ移動する場合、直線状の吐出口５２ｃは、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ向かう側にのみ配置されてもよい。
　続いて、図１２（ａ）～図１２（ｄ）を参照して、洗浄部材５の変形例３～変形例６を説明する。図１２（ａ）は、洗浄部材５の変形例３の底面図である。図１２（ｂ）は、洗浄部材５の変形例４の底面図である。図１２（ｃ）は、洗浄部材５の変形例５の底面図である。図１２（ｄ）は、洗浄部材５の変形例６の底面図である。
　例えば、図１２（ａ）に示すように、接触部５１を挟む両側に直線状の吐出口５２ｃが一つずつ配置されてもよい。また、図１２（ｂ）に示すように、複数の直線状の吐出口５２ｃによって接触部５１が囲まれてもよい。あるいは、図１２（ｃ）に示すように、流路形成部材５２２は、環状（矩形状）の吐出口５２ｃを有してもよい。
　また、変形例２～変形例５において、接触部５１及び支持部５２は、洗浄部材５の進行方向に直交する方向に延びる長辺を有したが、図１２（ｄ）に示すように、接触部５１及び支持部５２は、洗浄部材５の進行方向に延びる長辺を有してもよい。換言すると、変形例２～変形例５において、接触部５１及び支持部５２は、第１アーム６１Ａが延びる方向に長い形状であったが、図１２（ｄ）に示すように、接触部５１及び支持部５２は、第１アーム６１Ａが延びる方向に直交する方向に長い形状であってもよい。
　なお、接触部５１及び支持部５２が直方体状である場合、接触部５１及び支持部５２の長手方向の寸法によっては、回転駆動部５４が省略されてもよい。
　また、変形例２～変形例６において、接触部５１及び支持部５２は直方体状であったが、接触部５１及び支持部５２は、立方体状であってもよい。
［実施形態２］
　続いて図１３～図１５を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、洗浄部材５が硫酸を吐出しない。
　図１３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す平面図である。詳しくは、図１４は、上側から視た基板処理部２の内部を示す。
　図１３に示すように、本実施形態において、洗浄部材５は、支持部５２Ａを有する。実施形態１において、支持部５２には硫酸が供給されたが、支持部５２Ａには硫酸が供給されない。具体的には、図１４に示すように、支持部５２Ａは、支持部材５２１を含み、流路形成部材５２２を含まない。
　図１５は、本実施形態の基板処理装置１００の構成の一部を模式的に示す図である。図１４及び図１５に示すように、本実施形態において、基板処理部２は、第３ノズル１２と、第４ノズル１３とを更に有する。また、本実施形態において、移動部６Ａは、第３アーム６１Ｃと、第４アーム６１Ｄとを更に有する。また、第１薬液供給部７Ａは、第１硫酸供給部７Ｆと、第２硫酸供給部７Ｇとを含む。
　第３ノズル１２及び第４ノズル１３は、洗浄部材５に隣り合う位置に配置されて、洗浄部材５を挟んで対向する。詳しくは、第３ノズル１２及び第４ノズル１３は、洗浄部材５の進行方向側に配置される。具体的には、第３ノズル１２は、洗浄部材５が第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１へ向かう側に配置される。第４ノズル１３は、洗浄部材５が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ向かう側に配置される。
　第３アーム６１Ｃ及び第４アーム６１Ｄは、第１基台６２Ａに結合されて、第１基台６２Ａから水平方向に沿って延びる。詳しくは、第３アーム６１Ｃ及び第４アーム６１Ｄは、第１アーム６１Ａと平行に延びる。第３アーム６１Ｃの先端部に第３ノズル１２が配置される。第４アーム６１Ｄの先端部に第４ノズル１３が配置される。
　第１硫酸供給部７Ｆは、第３ノズル１２に硫酸を供給する。具体的には、第１硫酸供給部７Ｆは、供給配管７１１Ａと、開閉弁７２１Ａと、流量調整弁７３１Ａとを含む。第１硫酸供給部７Ｆの構成は、実施形態１で説明した第１薬液供給部７Ａと略同様であるため、その説明は割愛する。
　第２硫酸供給部７Ｇは、第４ノズル１３に硫酸を供給する。具体的には、第２硫酸供給部７Ｇは、供給配管７１２Ａと、開閉弁７２２Ａと、流量調整弁７３２Ａとを含む。第２硫酸供給部７Ｇの構成は、実施形態１で説明した第１薬液供給部７Ａと略同様であるため、その説明は割愛する。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、図５に示す第１洗浄処理（ステップＳ３）及び第２洗浄処理（ステップＳ４）において、洗浄部材５が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ移動する際に、第２硫酸供給部７Ｇを制御して、第４ノズル１３から基板Ｗへ向けて硫酸を吐出させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、図５に示す第１洗浄処理（ステップＳ３）及び第２洗浄処理（ステップＳ４）において、洗浄部材５が第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１へ移動する際に、第１硫酸供給部７Ｆを制御して、第３ノズル１２から基板Ｗへ向けて硫酸を吐出させる。
　以上、図１３～図１５を参照して本発明の実施形態２を説明した。本実施形態によれば、実施形態１と同様に、レジストの剥離性能を向上させることができる。
　なお、本実施形態では、図５に示す第１洗浄処理（ステップＳ３）及び第２洗浄処理（ステップＳ４）において、第３ノズル１２と第４ノズル１３とから交互に硫酸が吐出されが、第３ノズル１２と第４ノズル１３とから同時に硫酸が吐出されてもよい。
　また、本実施形態では、基板処理部２が第３ノズル１２と第４ノズル１３とを有したが、基板処理部２は、第３ノズル１２と第４ノズル１３とのうちの一方のみを有してもよい。例えば、洗浄部材５が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ移動した後、第１退避位置へ移動する場合、基板処理部２は、第３ノズル１２と第４ノズル１３とのうち、第４ノズル１３のみを有してもよい。
　また、本実施形態において、接触部５１及び支持部材５２１は円柱状であったが、接触部５１及び支持部材５２１の形状は特に限定されない。接触部５１及び支持部材５２１は、例えば、直方体状であってもよいし、立方体状であってもよい。なお、接触部５１及び支持部材５２１が直方体状である場合、接触部５１及び支持部材５２１の長手方向の寸法によっては、回転駆動部５４が省略されてもよい。
　以上、図面（図１～図１５）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
　図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
　例えば、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、基板保持部３は、複数のチャック部材３２を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、基板保持部３は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、第１ノズル８は、基板Ｗの中心位置ＣＰに対向する位置から基板Ｗに向けて薬液を吐出したが、第１ノズル８は、第４回転軸線ＡＸ４を中心とする円弧状の軌跡に沿って移動しながら基板Ｗに向けて薬液を吐出してもよい。すなわち、第１ノズル８は、スキャンノズルであってもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、基板処理部２は、第１ノズル８からＳＰＭを基板Ｗに供給したが、基板処理部２は、２つノズルから硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに供給してもよい。この場合、基板Ｗの上面において硫酸と過酸化水素水とが混合されてＳＰＭが生成される。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、第１洗浄処理の開始前にＳＰＭの液膜ＬＭ１が形成されたが、第１洗浄処理の開始前に、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル８から硫酸が吐出されて、硫酸の液膜が形成されてもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、洗浄部材５による洗浄処理は、接触部５１の周囲から基板Ｗに硫酸を供給する処理を含むが、接触部５１の周囲から基板Ｗに硫酸を供給する処理は省略されてもよい。具体的には、流路形成部材５２２、又は、第３ノズル１２及び第４ノズル１３は省略されてもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、第２洗浄処理（図５のステップＳ４）が実行されたが、第２洗浄処理は省略されてもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態では、第３洗浄処理（図５のステップＳ５）及び過酸化水素水供給処理（図５のステップＳ６）が実行されたが、第３洗浄処理及び過酸化水素水供給処理は省略されてもよい。
　また、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、洗浄部材５は第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に円弧状の軌跡に沿って移動したが、洗浄部材５は第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に直進してもよい。すなわち、洗浄部材５は、第１洗浄処理時及び第２洗浄処理時に、直線状の軌跡に沿って往復してもよいし、一方側にのみ移動してもよい。
　本発明は、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法に有用である。
２　　　　：基板処理部
３　　　　：基板保持部
４　　　　：基板回転部
５　　　　：洗浄部材
６Ａ　　　：移動部
７Ａ　　　：第１薬液供給部
７Ｂ　　　：第２薬液供給部
７Ｃ　　　：第３薬液供給部
７Ｄ　　　：第４薬液供給部
７Ｆ　　　：第１硫酸供給部
７Ｇ　　　：第２硫酸供給部
８　　　　：第１ノズル
１２　　　：第３ノズル
１３　　　：第４ノズル
５１　　　：接触部
５１ａ　　：先端面
５２　　　：支持部
５２Ａ　　：支持部
５２ｃ　　：吐出口
５３　　　：回転軸部
５４　　　：回転駆動部
６３Ａ　　：第１移動機構
６４Ａ　　：回転機構
６５Ａ　　：押圧調整機構
１００　　：基板処理装置
１０１　　：制御装置
１０２　　：制御部
５２１　　：支持部材
５２２　　：流路形成部材
Ｗ　　　　：基板

Claims (21)

  1. 　基板を処理する基板処理装置であって、
    　少なくとも硫酸を含む薬液を前記基板に向けて吐出する薬液吐出部と、
    　接触部を含み、前記接触部から前記基板に過酸化水素水を供給する洗浄部材と、
    　前記洗浄部材を接触位置へ移動させる第１移動部と
    　を備え、
    　前記接触位置は、前記基板の上面に液膜が形成されていない状態において、前記基板に形成されているレジストに前記接触部が接触する位置を示す、基板処理装置。
  2. 　前記薬液は、前記硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記基板を回転させる第１回転部を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記洗浄部材を移動させる第２移動部を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 　前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に前記接触部を回転させる第２回転部を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 　前記洗浄部材は、硫酸を吐出する硫酸吐出部を更に含み、
    　前記硫酸吐出部は、前記接触部の周囲に配置される、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 　平面視において前記接触部の側面は円環状であり、
    　前記硫酸吐出部は、前記接触部の側面に沿って延びる円環状の領域に配置される、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 　前記硫酸吐出部は、環状である、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 　前記硫酸吐出部は、複数の円弧状の吐出部を含む、請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 　平面視において前記接触部の側面は矩形状であり、
    　前記硫酸吐出部は、前記接触部の側面に沿って延びる矩形の環状領域に配置される、請求項６に記載の基板処理装置。
  11. 　前記硫酸吐出部は、環状である、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 　前記硫酸吐出部は、複数の直線状の吐出部を含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
  13. 　前記薬液吐出部からの前記薬液の吐出と、前記接触部からの前記過酸化水素水の供給と、前記第１移動部とを制御する制御部を更に備え、
    　前記制御部は、
    　前記薬液吐出部から前記薬液を吐出させて前記基板の上面に前記薬液の液膜を形成した後に、前記洗浄部材を前記接触位置へ移動させ、
    　前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に洗浄処理を実行し、
    　前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示す、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  14. 　前記薬液吐出部からの前記混合液の吐出と、前記接触部からの前記過酸化水素水の供給と、前記第１移動部とを制御する制御部を更に備え、
    　前記制御部は、
    　前記薬液吐出部から前記混合液を吐出させて前記基板の上面に前記混合液の液膜を形成した後に、前記洗浄部材を前記接触位置へ移動させ、
    　前記洗浄部材が前記接触位置に配置されている際に洗浄処理を実行し、
    　前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示し、
    　前記制御部は、前記洗浄処理の後に、前記薬液吐出部から前記基板に向けて前記混合液を吐出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  15. 　基板を処理する方法であって、
    　少なくとも硫酸を含む薬液を薬液吐出部から吐出させて前記基板の上面に前記薬液の液膜を形成する液膜形成工程と、
    　前記薬液の液膜を形成した後に、洗浄部材を接触位置へ移動させて洗浄処理を実行する洗浄処理工程と
    　を包含し、
    　前記洗浄部材は、前記基板に過酸化水素水を供給する接触部を含み、
    　前記接触位置は、前記基板の上面に液膜が形成されていない状態において、前記基板に形成されているレジストに前記接触部が接触する位置を示し、
    　前記洗浄処理は、前記接触部から前記基板に前記過酸化水素水を供給させる処理を示す、基板処理方法。
  16. 　前記薬液は、前記硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液を含む、請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 　前記洗浄部材は、硫酸を吐出する硫酸吐出部を更に含み、
    　前記洗浄処理工程において、前記硫酸吐出部から前記硫酸を吐出させる、請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 　前記洗浄処理工程の後に、前記薬液吐出部から前記基板に向けて前記混合液を吐出させる工程を更に含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
  19. 　前記洗浄処理工程において、前記基板を回転させる、請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理方法。
  20. 　前記洗浄処理工程において、前記洗浄部材を移動させる、請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理方法。
  21. 　前記洗浄処理工程において、前記接触部を回転させる、請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理方法。
PCT/JP2024/012317 2023-04-05 2024-03-27 基板処理装置及び基板処理方法 WO2024210021A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023061321A JP2024148301A (ja) 2023-04-05 2023-04-05 基板処理装置及び基板処理方法
JP2023-061321 2023-04-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024210021A1 true WO2024210021A1 (ja) 2024-10-10

Family

ID=92973074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2024/012317 WO2024210021A1 (ja) 2023-04-05 2024-03-27 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2024148301A (ja)
WO (1) WO2024210021A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291098A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Sony Corp 基板洗浄方法
JP2005039205A (ja) * 2003-06-27 2005-02-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2007273598A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2015211201A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291098A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Sony Corp 基板洗浄方法
JP2005039205A (ja) * 2003-06-27 2005-02-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2007273598A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2015211201A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024148301A (ja) 2024-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110364431B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP5106800B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US10483134B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
KR20070041342A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
TWI753789B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW200527498A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4928234B2 (ja) 基板処理装置
JP4963994B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPWO2005059976A1 (ja) 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2024210021A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN108713239B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
WO2022259754A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2020184624A (ja) 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP2007103732A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4377285B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024090475A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法
WO2024090473A1 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
US10942446B2 (en) Mask cleaning apparatus and method for cleaning mask
WO2024180821A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024171748A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2024106771A (ja) 基板処理装置
KR20200045161A (ko) 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치
WO2023042487A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2022201830A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TW202437371A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及腔室洗淨方法