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WO2024161635A1 - レーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents

レーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2024161635A1
WO2024161635A1 PCT/JP2023/003608 JP2023003608W WO2024161635A1 WO 2024161635 A1 WO2024161635 A1 WO 2024161635A1 JP 2023003608 W JP2023003608 W JP 2023003608W WO 2024161635 A1 WO2024161635 A1 WO 2024161635A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
unit
wafer
imaging
imaging unit
switching
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/003608
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
芳邦 鈴木
Original Assignee
ヤマハ発動機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヤマハ発動機株式会社 filed Critical ヤマハ発動機株式会社
Priority to PCT/JP2023/003608 priority Critical patent/WO2024161635A1/ja
Priority to TW113100371A priority patent/TW202432291A/zh
Publication of WO2024161635A1 publication Critical patent/WO2024161635A1/ja

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Definitions

  • This invention relates to a laser processing device, a semiconductor chip, and a method for manufacturing a semiconductor chip, and in particular to a laser processing device that processes a wafer on which multiple semiconductor chips are formed, a semiconductor chip, and a method for manufacturing a semiconductor chip.
  • dicing devices that perform dicing processing on a wafer on which multiple semiconductor chips are formed.
  • Such a dicing device is disclosed, for example, in JP 2020-131335 A.
  • This invention has been made to solve the problems described above, and one object of the invention is to provide a laser processing device, a semiconductor chip, and a method for manufacturing a semiconductor chip that are capable of suppressing the effects of position errors caused by switching between multiple lenses.
  • a laser processing device includes a laser irradiation unit that irradiates a laser onto a wafer having a plurality of semiconductor chips provided thereon, a first imaging unit that images the wafer, a second imaging unit that is provided separately from the first imaging unit and also images the wafer, and a lens switching unit that is provided in the second imaging unit and switches between a plurality of lenses having mutually different magnifications.
  • the laser processing device includes a first imaging section that images the wafer, a second imaging section that is provided separately from the first imaging section and that images the wafer, and a lens switching section that switches between multiple lenses with different magnifications in the second imaging section.
  • the second imaging section is preferably configured to capture images at a magnification at least lower than that of the first imaging section by switching between multiple lenses using the lens switching section.
  • the second imaging section which captures images at a magnification lower than that of the first imaging section, can be used as an alignment imaging section for performing coarse alignment of the wafer
  • the first imaging section which captures images at a magnification higher than that of the second imaging section, can be used as an alignment imaging section for performing high-precision alignment of the wafer.
  • wafer alignment can be performed efficiently in two stages.
  • the second imaging section is preferably configured to capture images at a lower magnification than the first imaging section and at a higher magnification than the first imaging section by switching between multiple lenses using the lens switching section.
  • the second imaging section which captures images at a higher magnification than the first imaging section, can be used as an inspection imaging section for inspecting the wafer (such as inspecting the results of laser processing).
  • the second imaging section can also be used as both an alignment imaging section and an inspection imaging section.
  • the laser processing device preferably further includes a control unit that corrects position errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit based on images of the same imaging target captured by each of the first imaging unit and the second imaging unit.
  • the imaging target preferably includes an alignment mark provided on the wafer
  • the control unit is configured to perform an imaging operation of the alignment mark for correcting position errors caused by switching of multiple lenses by the lens switching unit in parallel with an imaging operation of the alignment mark by the first imaging unit or the second imaging unit for wafer alignment.
  • the lens switching unit preferably includes a motor that moves the multiple lenses and an encoder that outputs information regarding the positions of the multiple lenses, and the multiple lenses are positioned by driving the motor based on the output of the encoder.
  • the motor preferably includes a direct drive motor.
  • the motor unlike when the motor is connected to the multiple lenses via an intermediate mechanism such as a belt or gear, no position error occurs due to the intermediate mechanism, so the multiple lenses can be positioned more accurately. As a result, position errors caused by switching between the multiple lenses by the lens switching unit can be more easily suppressed.
  • the lens switching unit is preferably configured to switch between the multiple lenses by rotation.
  • the multiple lenses can be switched simply by rotating the multiple lenses, so that the multiple lenses can be switched with a compact structure.
  • the second imaging unit is preferably disposed above the lens of the plurality of lenses that is closest to the laser irradiation unit, and the lens switching unit is configured to change the magnification by switching the lens disposed below the second imaging unit.
  • the second imaging unit can be disposed near the laser irradiation unit, so that the laser irradiation unit and the second imaging unit can be disposed together in a small, compact manner.
  • a semiconductor chip according to a second aspect of the present invention is manufactured by a laser processing device that includes a laser irradiation unit that irradiates a wafer on which multiple semiconductor chips are provided with a laser, a first imaging unit that images the wafer, a second imaging unit that is provided separately from the first imaging unit and also images the wafer, and a lens switching unit that is provided in the second imaging unit and switches between multiple lenses with different magnifications.
  • the semiconductor chip according to the second aspect of the present invention includes a first imaging section that images the wafer, a second imaging section that is provided separately from the first imaging section and that images the wafer, and a lens switching section that switches between multiple lenses with different magnifications in the second imaging section.
  • a method for manufacturing semiconductor chips according to a third aspect of the present invention includes a step of irradiating a wafer having a plurality of semiconductor chips with a laser by a laser irradiation unit, a step of imaging the wafer by a first imaging unit, a step of imaging the wafer by a second imaging unit provided separately from the first imaging unit, and a step of switching between a plurality of lenses having different magnifications by a lens switching unit provided in the second imaging unit.
  • the semiconductor chip manufacturing method includes a first imaging section that images the wafer, a second imaging section that is provided separately from the first imaging section and that images the wafer, and a lens switching section that switches between multiple lenses with different magnifications in the second imaging section.
  • the present invention makes it possible to suppress the effects of position errors caused by switching between multiple lenses.
  • 1 is a schematic diagram showing an overview of a semiconductor wafer processing system provided with a dicing device and an expanding device according to an embodiment.
  • 1 is a plan view showing a grooving device of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment
  • 1 is a plan view showing a tape joining device of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment
  • FIG. 2 is a plan view showing a dicing device of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment.
  • 1 is a plan view showing a grinding device of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment
  • FIG. 2 is a plan view showing a tape replacement device of the semiconductor wafer processing system according to the embodiment.
  • FIG. 1 is a side view showing a tape replacement device of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view showing an expanding device of a semiconductor wafer processing system according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a side view showing an expanding device of a semiconductor wafer processing system according to one embodiment.
  • 1 is a flowchart illustrating a semiconductor chip manufacturing process of a semiconductor wafer processing system according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a dicing device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a wafer according to an embodiment.
  • 11 is a schematic diagram of a laser irradiation unit, a first imaging unit, and a second imaging unit according to an embodiment, as viewed from the Y2 direction side.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a second imaging unit and a lens switching unit according to an embodiment, as viewed from the Y2 direction side.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a second imaging unit and a lens switching unit according to an embodiment, as viewed from the Z1 direction side.
  • FIG. 5A to 5C are schematic diagrams for explaining correction of a position error caused by switching of lenses according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram (1) for explaining imaging for correcting a position error caused by lens switching in parallel with an imaging operation of an alignment mark according to an embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram (2) for explaining imaging for correcting a position error caused by lens switching in parallel with an imaging operation of an alignment mark according to an embodiment.
  • the semiconductor wafer processing system 100 is an apparatus for processing a wafer We.
  • the semiconductor wafer processing system 100 is configured to form a modified portion on the wafer We and to divide the wafer We along the modified portion to form a plurality of semiconductor chips Ch.
  • the wafer We is a circular thin plate formed of crystals of a semiconductor substance that is a material for semiconductor integrated circuits.
  • a modified portion is formed by modifying the inside along a dividing line by processing in the semiconductor wafer processing system 100. That is, the wafer We is processed so as to be divisible along the dividing line.
  • the modified portion refers to cracks, voids, etc. formed inside the wafer We by the laser Ld.
  • the semiconductor wafer processing system 100 includes a grooving device 1, a tape application device 2, a dicing device 3, a grinding device 4, a tape replacement device 5, and an expanding device 6.
  • the dicing device 3 is an example of a "laser processing device" in the claims.
  • the wafer We is processed in the following order: grooving device 1, tape application device 2, dicing device 3, grinding device 4, tape replacement device 5, and expanding device 6.
  • the grooving device 1 is configured to irradiate a laser Lg along the streets Ws between the semiconductor chips Ch on the circuit surface of the wafer We to which the frame Rf and the protective tape Tb are not attached, to divide the insulating film and the test pattern, before the modified portion is formed on the wafer We by the dicing device 3.
  • the laser Lg is light having a wavelength shorter than that of the infrared region.
  • the insulating film is an interlayer insulating film of the wafer We.
  • the insulating film is formed of a low-k material having a relatively low dielectric constant as an interlayer insulating film material.
  • the test pattern is a test conductive pattern for performing a function test of the semiconductor chips Ch of the wafer We.
  • the test pattern is a so-called Teg (Test Element Group).
  • the grooving device 1 includes a cassette unit 11, a laser irradiation unit 12, and a circuit surface coating and cleaning unit 13.
  • the cassette unit 11 is configured to accommodate a wafer We to which a frame Rf and a protective tape Tb are not attached.
  • the laser irradiation unit 12 is configured to irradiate a laser Lg that divides the insulating film and the test pattern of the wafer We.
  • the circuit surface coating and cleaning unit 13 is configured to coat the circuit surface of the wafer We before dividing the insulating film and the test pattern, and to clean the circuit surface of the wafer We after dividing the insulating film and the test pattern.
  • the tape application device 2 is configured to apply a protective tape Tb to the circuit surface of a wafer We (see FIG. 1).
  • the tape application device 2 includes a cassette storage section 21, a robot hand 22, a transport mechanism 23, and a protective tape application section 24.
  • the cassette storage section 21 is configured to be able to store the frame Rf, the wafer We, and the wafer We with the frame Rf.
  • the robot hand 22 is configured to transport each of the frame Rf and the wafer We from the cassette storage section 21 to the transport mechanism 23.
  • the robot hand 22 is configured to transport the wafer We with the frame Rf from the transport mechanism 23 to the cassette storage section 21.
  • the transport mechanism 23 is configured to transport the wafer We to a position in the protective tape application section 24 where the protective tape Tb can be applied.
  • the protective tape application section 24 is configured to apply the protective tape Tb to the wafer We transported by the transport mechanism 23, and to apply the frame Rf to the protective tape Tb.
  • the dicing device 3 is configured to form modified portions inside the wafer We for dividing the wafer We (see FIG. 1).
  • the dicing device 3 includes a dicing unit 30, a cassette unit 31, and a wafer transport unit 32.
  • the dicing unit 30 is configured to form a modified portion by irradiating a laser Ld (see FIG. 1) having a wavelength that is transparent to the wafer We along the street Ws (division line).
  • the laser Ld is light having a wavelength in the near-infrared region.
  • the cassette unit 31 is configured to be capable of accommodating multiple wafers We attached to the protective tape Tb together with the frame Rf.
  • the wafer transport unit 32 is configured to transport the wafer We attached to the protective tape Tb together with the frame Rf between the cassette unit 31 and the dicing unit 30.
  • the grinding device 4 is configured to remove the modified portion of the wafer We formed in the dicing device 3 by grinding the wafer We from the side opposite to the circuit side (see FIG. 1).
  • the grinding device 4 includes a first cassette unit 41, a robot hand 42, a plurality of suction holding units 43, a plurality of grinding units 44, a finish polishing unit 45, a crystal defect forming unit 46, a second cassette unit 47, and a single rotating table unit 48.
  • the first cassette unit 41 is configured to accommodate a wafer We on which a modified portion has been formed in the dicing device 3.
  • the robot hand 42 is configured to transport the wafer We to which the frame Rf has been attached from the first cassette unit 41 to the suction holding unit 43 that is closest to the first cassette unit 41 among the multiple suction holding units 43.
  • the robot hand 42 is also configured to transport the wafer We attached together with the frame Rf to the protective tape Tb after the modified portion has been removed from the suction holding unit 43 that is closest to the second cassette unit 47 among the multiple suction holding units 43 to the second cassette unit 47.
  • the multiple suction holding units 43 are configured to suction and hold the wafer We attached together with the frame Rf to the protective tape Tb.
  • the multiple grinding units 44 are configured to grind the back surface of the wafer We, which is the side opposite the circuit surface, in stages.
  • the multiple grinding units 44 have a rough grinding unit 44a, a finish grinding unit 44b, and a fine grinding unit 44c.
  • the rough grinding unit 44a is configured to grind the back surface of the wafer We with a first grinding material having a first particle diameter.
  • the finish grinding unit 44b is configured to grind the back surface of the wafer We with a second grinding material having a second particle diameter smaller than the first particle diameter.
  • the fine grinding unit 44c is configured to grind the back surface of the wafer We with a third grinding material having a third particle diameter smaller than the second particle diameter.
  • the finish polishing section 45 is configured to polish the back surface of the wafer We that has been ground by the multiple grinding sections 44.
  • the crystal defect forming section 46 is configured to form minute crystal defects on the back surface of the wafer We that has been ground by the finish polishing section 45.
  • the crystal defect forming section 46 is configured to perform a process known as gettering.
  • the second cassette section 47 is configured to accommodate the wafer We in which crystal defects have been formed in the crystal defect forming section 46.
  • the single rotating table section 48 is configured to rotate and move each of the multiple suction holding sections 43 to positions corresponding to each of the multiple grinding sections 44, the finish polishing section 45, and the crystal defect forming section 46.
  • the tape replacement device 5 is configured to remove the modified portion from the wafer We in the grinding device 4, and then apply an expansion tape Te to the side of the wafer We opposite the circuit side, and peel off the protective tape Tb applied to the circuit side of the wafer We (see Figure 1).
  • the tape replacement device 5 includes a cassette storage section 51, a robot hand 52, a transport mechanism 53, an expandable tape application section 54, an ultraviolet irradiation section 55 (see FIG. 7), and a protective tape peeling section (not shown).
  • the cassette storage section 51 is configured to be capable of storing a wafer We attached to a protective tape Tb together with a frame Rf, and a wafer We attached to an expansion tape Te together with a frame Rf.
  • the robot hand 52 is configured to transport the wafer We attached to the protective tape Tb together with the frame Rf from the cassette storage section 51 to the transport mechanism 53.
  • the transport mechanism 53 is configured to transport the wafer We attached to the protective tape Tb together with the frame Rf to the expansion tape application section 54.
  • the expansion tape application section 54 is configured to apply the expansion tape Te to the surface of the frame Rf opposite to the surface to which the protective tape Tb is applied, thereby applying the frame Rf and the wafer We to each of the protective tape Tb and the expansion tape Te.
  • the robot hand 52 is configured to carry the wafer We attached to each of the protective tape Tb and the expanding tape Te together with the frame Rf from the transport mechanism 53 to the ultraviolet irradiation unit 55.
  • the ultraviolet irradiation unit 55 is located inside an airtight structure with a door at the entrance and exit, and is configured to remove oxygen from the atmosphere by nitrogen purging and fill the inside with nitrogen (nitrogen is supplied to the inside and nitrogen is filled while oxygen is discharged), and then irradiate ultraviolet rays toward the surface of the frame Rf to which the protective tape Tb is attached. This hardens the adhesive layer of the protective tape Tb.
  • the robot hand 52 is configured to return the wafer We attached to each of the protective tape Tb and the expanding tape Te together with the frame Rf from the ultraviolet irradiation unit 55 to the transport mechanism 53.
  • the transport mechanism 53 is configured to transport the wafer We attached to each of the protective tape Tb and the expanding tape Te together with the frame Rf to the protective tape peeling section.
  • the protective tape peeling section is configured to peel off the protective tape Tb (see FIG. 1).
  • the robot hand 52 is configured to store the wafer We attached to the expanding tape Te together with the frame Rf from the transport mechanism 53 in the cassette storage section 51.
  • the expanding device 6 is configured to attach an expanding tape Te to the surface of the wafer We opposite the circuit surface, and then expand the expanding tape Te to divide the wafer We into a plurality of semiconductor chips Ch (see FIG. 1).
  • the expansion device 6 includes a cassette section 601, a lift-up hand section 602, a suction hand section 603, a cold air supply section 604 (see Figure 9), a cooling unit 605, an expansion section 606, an expansion maintaining member 607, a heat shrink section 608 (see Figure 9), an ultraviolet ray irradiation section 609 (see Figure 9), a squeegee section 610, and a clamp section 611.
  • the cassette section 601 is configured to be capable of housing a wafer ring structure W in which a frame Rf and a wafer We are attached to an expanding tape Te.
  • the lift-up hand section 602 is configured to be capable of removing the wafer ring structure W from the cassette section 601.
  • the lift-up hand section 602 is configured to be capable of housing the wafer ring structure W in the cassette section 601.
  • the suction hand section 603 is configured to suction the frame Rf of the wafer ring structure W from above.
  • the cold air supply section 604 is configured to supply cold air from above to the expanding tape Te when the expanding section 606 expands the expanding tape Te.
  • the cooling unit 605 is configured to cool the expanding tape Te from below.
  • the expanding section 606 is configured to expand the expanding tape Te of the wafer ring structure W, thereby dividing the wafer We along the streets Ws (see FIG. 1).
  • the expansion maintaining member 607 is configured to press the expanding tape Te from above so that the expanding tape Te near the wafer We does not shrink due to heating by the heat shrink section 608.
  • the heat shrink section 608 is configured to heat and shrink the expanding tape Te expanded by the expanding section 606 while maintaining the gaps between the multiple semiconductor chips Ch.
  • the ultraviolet ray irradiation section 609 is configured to irradiate the expanding tape Te with ultraviolet rays in order to reduce the adhesive strength of the adhesive layer of the expanding tape Te.
  • the squeegee unit 610 is configured to expand the expanding tape Te and then locally press the wafer We from below to further divide the wafer We along the modified portion.
  • the clamp unit 611 is configured to be able to move the wafer ring structure W in the vertical direction while gripping the frame Rf of the wafer ring structure W.
  • the clamp unit 611 is configured to be able to move the wafer ring structure W in both directions from the cooling unit 605 toward the expanding unit 606 and from the expanding unit 606 toward the cooling unit 605 while gripping the frame Rf of the wafer ring structure W.
  • step S1 the insulating film and the test pattern are divided in the grooving device 1. That is, the laser irradiation unit 12 irradiates the laser Lg along the streets Ws between the semiconductor chips Ch on the circuit surface of the wafer We that are not attached to the protective tape Tb together with the frame Rf to divide the insulating film and the test pattern.
  • step S2 the wafer We and the frame Rf are attached to the protective tape Tb in the tape attachment device 2. That is, the protective tape attachment unit 24 attaches the protective tape Tb to the wafer We transported by the transport mechanism 23, and also attaches the frame Rf to the protective tape Tb.
  • step S3 a modified portion is formed on the wafer We in the dicing device 3. That is, the dicing unit 30 forms the modified portion by irradiating the wafer We with a laser Ld (see FIG. 1) along the streets Ws.
  • step S4 the modified portion is removed from the wafer We in the grinding device 4. That is, the multiple grinding units 44 remove the modified portion from the wafer We by gradually grinding the back surface of the wafer We opposite the circuit surface.
  • step S5 the tape replacement device 5 applies the expandable tape Te to the wafer We and the frame Rf, and then peels off the protective tape Tb. That is, the expandable tape application unit 54 applies the expandable tape Te to the frame Rf.
  • the protective tape peeling unit peels off the protective tape Tb from the wafer We with the frame Rf after the adhesive layer of the protective tape Tb has been hardened by the ultraviolet irradiation unit 55.
  • step S6 the expanding tape Te is expanded in the expanding device 6 to divide the wafer We into multiple semiconductor chips Ch. That is, the clamping section 611 descends while holding the frame Rf, and the expanding tape Te in contact with the expanding section 606 is pulled downward, causing the expanding tape Te to expand. As a result, the expanding tape Te is divided along the cracks formed in the streets Ws of the wafer We by the tensile force generated in the expanding tape Te as a result of the expansion, and the wafer We is divided into multiple semiconductor chips Ch.
  • step S6 the semiconductor chip manufacturing process ends.
  • the dicing device 3 includes a dicing unit 30, a cassette unit 31, a wafer transport unit 32, and a control unit 33.
  • the dicing section 30 includes a laser irradiation section 30a, a chuck table section 30b, a first imaging section 30c, and a second imaging section 30d.
  • the second imaging section 30d is provided separately from the first imaging section 30c.
  • the laser irradiation unit 30a is configured to irradiate a wafer We having a plurality of semiconductor chips Ch with a laser Ld (see Figure 1). Specifically, the laser irradiation unit 30a is configured to irradiate the laser Ld along each of the plurality of streets Ws of the wafer We. More specifically, the laser irradiation unit 30a is configured to irradiate the laser Ld along each of the plurality of streets Ws of the wafer We by moving the wafer We relative to the laser irradiation unit 30a by the chuck table unit 30b.
  • a wafer We is provided with a plurality of semiconductor chips Ch.
  • the plurality of semiconductor chips Ch are arranged in a matrix on the wafer We.
  • linear streets Ws are provided between adjacent semiconductor chips Ch.
  • the streets Ws include a plurality of streets Ws extending in the vertical direction and a plurality of streets Ws extending in the horizontal direction.
  • each of the plurality of semiconductor chips Ch is provided with an alignment mark Ar for aligning the wafer We.
  • the chuck table portion 30b is configured to hold a wafer We. Specifically, the chuck table portion 30b is configured to hold by suction a wafer We with a frame Rf, which is a wafer We mounted on a frame Rf by adhering a protective tape Tb. The chuck table portion 30b is configured to rotate or move horizontally while adsorbing the wafer We with the frame Rf.
  • the chuck table portion 30b has a rotation mechanism 301b, a Y-direction movement mechanism 302b, and an X-direction movement mechanism 303b.
  • the chuck table portion 30b is configured to move the wafer We relative to the laser irradiation portion 30a when the laser irradiation portion 30a irradiates the wafer We with a laser Ld. Furthermore, the chuck table unit 30b is configured to move the wafer We relative to the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d when the wafer We is imaged by the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d.
  • Each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d is configured to capture an image of the wafer We held on the chuck table unit 30b from above (Z1 direction side).
  • Each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d is a near-infrared imaging camera.
  • Each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d is movable in the Z1 direction or the Z2 direction. Details of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d will be described later.
  • the cassette unit 31 is configured to store wafers We with frames Rf. Specifically, the cassette unit 31 is configured to store multiple wafer cassettes that store wafers We with frames Rf.
  • the cassette unit 31 includes a main body 31a that stores multiple wafer cassettes, and a vertical movement mechanism 31b that moves the main body 31a in the vertical direction (Z direction).
  • the wafer transport unit 32 is configured to transport the wafer We with the frame Rf between the cassette unit 31 and the dicing unit 30.
  • the wafer transport unit 32 has a clamp hand unit 32a, a Y-direction movement mechanism 32b, a rail unit 32c, and a suction hand unit 32d.
  • the clamp hand section 32a is configured to transport the wafer We with the frame Rf between the cassette section 31 and the suction hand section 32e. Specifically, the clamp hand section 32a is configured to clamp the frame Rf portion of the wafer We with the frame Rf and transport the wafer We with the frame Rf. The clamp hand section 32a is configured to remove the wafer We with the frame Rf before laser processing from the cassette section 31 and transport it to the position of the suction hand section 32e. The clamp hand section 32a is also configured to transport the wafer We with the frame Rf after laser processing from the position of the suction hand section 32e to the cassette section 31.
  • the Y-direction movement mechanism 32b is configured to move the clamp hand portion 32a in the Y direction.
  • the clamp hand portion 32a is configured to transport the wafer We with the frame Rf by being moved in the Y direction by the Y-direction movement mechanism 32b.
  • the Y-direction movement mechanism 32b has, for example, a linear conveyor module or a drive unit having a ball screw and a motor with an encoder.
  • the rail portion 32c is configured to support the wafer We with the frame Rf from below (Z2 direction side) as it is transported by the clamp hand portion 32a.
  • the suction hand section 32d is configured to transfer the wafer We with frame Rf from the rail section 32c to the chuck table section 30b before laser processing.
  • the suction hand section 32d is also configured to transfer the wafer We with frame Rf after laser processing from the chuck table section 30b to the rail section 32c.
  • the suction hand section 32d is configured to suction and transfer the frame Rf portion of the wafer We with frame Rf.
  • the control unit 33 is configured to control each part of the dicing device 3.
  • the control unit 33 includes a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit having a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an SSD (Solid State Drive), etc.
  • the storage unit stores a control program that controls the dicing device 3.
  • Each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d is a camera for alignment.
  • Each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d is configured to image an alignment mark Ar provided on the wafer We from above (Z1 direction side) when aligning the wafer We.
  • rough alignment (position correction) of the wafer We is performed.
  • high-precision alignment (position correction) of the wafer We is performed based on the image of the alignment mark Ar imaged by the first imaging unit 30c.
  • the alignment of the wafer We includes, for example, alignment in the rotation direction of the wafer We, alignment in the X direction and Y direction of the wafer We, and alignment in the Z direction of the wafer We.
  • the first imaging unit 30c is provided on the X1 side of the laser irradiation unit 30a.
  • the second imaging unit 30d is provided on the X2 side of the laser irradiation unit 30a.
  • the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d are provided on either side of the laser irradiation unit 30a in the X direction.
  • the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d have imaging elements 301c and 301d, respectively.
  • the first imaging unit 30c is provided with a lens 30e of a predetermined magnification.
  • the first imaging unit 30c is configured to capture an image at a predetermined magnification (e.g., 20x) by using the lens 30e.
  • the second imaging unit 30d is provided with a lens switching unit 30g that switches between multiple (four) lenses 30f with different magnifications.
  • the semiconductor chips Ch manufactured by this dicing device 3 are manufactured by a dicing device 3 that includes a laser irradiation unit 30a that irradiates a laser Ld onto a wafer We on which multiple semiconductor chips Ch are provided, a first imaging unit 30c that images the wafer We, a second imaging unit 30d that is provided separately from the first imaging unit 30c and images the wafer We, and a lens switching unit 30g that is provided in the second imaging unit 30d and switches between multiple lenses 30f with different magnifications.
  • a dicing device 3 that includes a laser irradiation unit 30a that irradiates a laser Ld onto a wafer We on which multiple semiconductor chips Ch are provided, a first imaging unit 30c that images the wafer We, a second imaging unit 30d that is provided separately from the first imaging unit 30c and images the wafer We, and a lens switching unit 30g that is provided in the second imaging unit 30d and switches between multiple lenses 30f with different magnifications.
  • the method for manufacturing semiconductor chips Ch using this dicing device 3 also includes the steps of irradiating a wafer We on which multiple semiconductor chips Ch are provided with a laser Ld using a laser irradiation unit 30a, imaging the wafer We using a first imaging unit 30c, imaging the wafer We using a second imaging unit 30d provided separately from the first imaging unit 30c, and switching between multiple lenses 30f with different magnifications using a lens switching unit 30g provided in the second imaging unit 30d.
  • the lens switching unit 30g is configured to switch between the multiple lenses 30f by rotation. Specifically, the lens switching unit 30g is configured to rotate a rotor 301g including the multiple lenses 30f around a rotation axis Ax extending in the vertical direction (Z direction), thereby rotating the multiple lenses 30f integrally and switching between the multiple lenses 30f.
  • the rotor 301g has multiple (four) lens holding parts 301ga that each hold a lens 30f, and a connection part 301gb that connects the multiple lens holding parts 301ga to each other.
  • the lens switching unit 30g includes a motor 302g that moves the multiple lenses 30f, and an encoder 303g that outputs information related to the positions of the multiple lenses 30f.
  • the motor 302g includes a direct drive motor. Specifically, the output shaft of the motor 302g is directly connected to the connection portion 301gb of the rotating body 301g without going through an intermediate mechanism such as a gear or belt.
  • the motor 302g is configured to rotate the rotating body 301g around the rotation axis Ax under the control of the control unit 33.
  • the encoder 303g is configured to obtain information related to the rotational position of the motor 302g and output the obtained information.
  • the information related to the rotational position of the motor 302g is information related to the positions of the multiple lenses 30f.
  • the control unit 33 positions (switches) the multiple lenses 30f by driving the motor 302g based on the output of the encoder 303g. Note that the lens switching unit 30g is not provided with a mechanical positioning mechanism such as a groove for positioning the multiple lenses 30f at the switched position.
  • the imaging element 301d of the second imaging unit 30d is disposed above (on the Z1 side) the lens 30f (the lens 30f closest to the X1 side) of the multiple lenses 30f that is closest to the laser irradiation unit 30a.
  • the lens switching unit 30g is configured to change the magnification by switching the lens 30f that is positioned below (on the Z2 side) the imaging element 301d of the second imaging unit 30d.
  • the second imaging unit 30d is configured to capture images at a magnification at least lower than that of the first imaging unit 30c by switching between the multiple lenses 30f using the lens switching unit 30g.
  • the second imaging unit 30d is configured to capture images at a magnification lower than that of the first imaging unit 30c and a magnification higher than that of the first imaging unit 30c by switching between the multiple lenses 30f using the lens switching unit 30g.
  • the multiple lenses 30f include a lens with a magnification lower than that of the lens 30e of the first imaging unit 30c and a lens with a magnification higher than that of the lens 30e of the first imaging unit 30c.
  • the multiple (four) lenses 30f include a 2.5x lens, a 50x lens, a 100x lens, and a 200x lens.
  • Lens 30f which has a lower magnification (e.g., 2.5x) than lens 30e of first imaging unit 30c, is used for aligning wafer We. That is, when performing coarse alignment of wafer We, second imaging unit 30d is configured to image alignment mark Ar of wafer We at a lower magnification than first imaging unit 30c by using lens 30f, which has a lower magnification than lens 30e of first imaging unit 30c.
  • second imaging unit 30d is configured to image alignment mark Ar of wafer We at a lower magnification than first imaging unit 30c by using lens 30f, which has a lower magnification than lens 30e of first imaging unit 30c.
  • the lens 30f with a higher magnification (50x, 100x, 200x, etc.) than the lens 30e of the first imaging unit 30c is used for inspecting the wafer We (such as inspecting the laser processing results). That is, when inspecting the wafer We, the second imaging unit 30d is configured to image the inspection target of the wafer We at a higher magnification than the first imaging unit 30c by using the lens 30f with a higher magnification than the lens 30e of the first imaging unit 30c.
  • the inspection target of the wafer We is not particularly limited, but may be, for example, a laser processing mark (dicing mark) formed along the street Ws.
  • the laser processing mark (about 1 ⁇ m) is smaller in size than the alignment mark Ar (about 50 ⁇ m), so it cannot be easily imaged with the magnification of the first imaging unit 30c that images the alignment mark Ar.
  • control unit 33 is configured to correct position errors caused by switching of the lenses 30f by the lens switching unit 30g based on images of the same imaging target Ta captured by each of the first imaging unit 30c and the second imaging unit 30d, as shown in Fig. 16. Note that, for convenience, the imaging target Ta shown in each image is illustrated as the same size in Fig. 16, but since the magnification of each imaging unit is different, the size of the imaging target Ta shown in each image is actually different.
  • control unit 33 is configured to correct positional errors caused by switching between the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g, based on the position of the imaging target Ta in an image Im1 captured by the first imaging unit 30c and the position of the imaging target Ta in an image Im2 captured by the second imaging unit 30d.
  • control unit 33 is configured to acquire the positional deviation amounts Dx1 and Dy1 of the imaging target Ta from the center of the image Im1 based on the image Im1.
  • the positional deviation amount Dx1 represents the positional deviation amount of the imaging target Ta in the X direction from the center of the image Im1.
  • the positional deviation amount Dy1 represents the positional deviation amount of the imaging target Ta in the Y direction from the center of the image Im1.
  • the control unit 33 is configured to obtain the difference Dx2-Dx1 between the positional deviation amount Dx1 and the positional deviation amount Dx2, and to obtain the difference Dy2-Dy1 between the positional deviation amount Dy1 and the positional deviation amount Dy2.
  • the difference Dx2-Dx1 represents the amount of positional deviation in the X direction due to the position error caused by switching between the multiple lenses 30f.
  • the difference Dy2-Dy1 represents the amount of positional deviation in the Y direction due to the position error caused by switching between the multiple lenses 30f. Therefore, the control unit 33 is configured to obtain the difference Dx2-Dx1 as a correction value in the X direction, and to obtain the difference Dy2-Dy1 as a correction value in the X direction.
  • the control unit 33 is configured to correct the positional error caused by switching between the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g based on the difference Dx2-Dx1 and the difference Dy2-Dy1 as the correction values.
  • the imaging target Ta includes an alignment mark Ar provided on the wafer We.
  • the control unit 33 is configured to perform an imaging operation of the alignment mark Ar for correcting positional errors caused by switching between the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g in parallel with the imaging operation of the alignment mark Ar by the first imaging unit 30c or the second imaging unit 30d for aligning the wafer We.
  • alignment mark Ar1 is imaged by the second imaging unit 30d using a low-magnification lens 30f to perform coarse alignment
  • alignment marks Ar1 and Ar2 are imaged by the first imaging unit 30c to perform high-precision alignment.
  • the control unit 33 controls the second imaging unit 30d to capture an image of the alignment mark Ar1. Then, the control unit 33 controls the first imaging unit 30c to capture an image of the alignment mark Ar1. Then, the control unit 33 acquires the difference between the detection position of the alignment mark Ar1 in the image Im3 of the alignment mark Ar1 captured by the second imaging unit 30d and the detection position of the alignment mark Ar1 in the image Im4 of the alignment mark Ar1 captured by the first imaging unit 30c as a correction value for correcting the position error caused by the switching of the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g.
  • the control unit 33 performs control to determine the movement target position of the first imaging unit 30c for imaging the alignment mark Ar2 by the first imaging unit 30c by adding the acquired correction value.
  • This makes it possible to image the alignment mark Ar2 by the first imaging unit 30c at a position where the position error caused by the switching of the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g has been corrected.
  • the image Im5 of the alignment mark Ar2 captured by the first imaging unit 30c it is possible to capture the alignment mark Ar2 at a position close to the center of the image Im5.
  • the acquired correction value remains valid until the lens is switched again, it is possible to continue imaging the alignment mark Ar by the first imaging unit 30c at a position where the position error caused by the switching of the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g has been corrected.
  • the first imaging unit 30c that images the wafer We is provided separately from the first imaging unit 30c
  • the second imaging unit 30d that images the wafer We is provided
  • the second imaging unit 30d is provided with a lens switching unit 30g that switches between multiple lenses 30f with different magnifications.
  • the second imaging unit 30d is configured to perform imaging at a magnification at least lower than that of the first imaging unit 30c by switching between multiple lenses 30f using the lens switching unit 30g.
  • alignment of the wafer We can be performed efficiently in two stages.
  • the second imaging section 30d is configured to capture images at a lower magnification than the first imaging section 30c and at a higher magnification than the first imaging section 30c by switching between multiple lenses 30f using the lens switching section 30g.
  • the second imaging section 30d can be used both as an alignment imaging section and an inspection imaging section.
  • this embodiment further includes a control unit that corrects position errors caused by switching between multiple lenses 30f by lens switching unit 30g based on images of the same imaging target captured by each of first imaging unit 30c and second imaging unit 30d. This makes it possible to correct position errors caused by switching between multiple lenses 30f by lens switching unit 30g, thereby effectively suppressing the effects of position errors caused by switching between multiple lenses 30f by lens switching unit 30g.
  • the imaging target includes an alignment mark Ar provided on the wafer We
  • the control unit is configured to perform an imaging operation of the alignment mark Ar for correcting a position error caused by switching of the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g in parallel with an imaging operation of the alignment mark Ar by the first imaging unit 30c or the second imaging unit 30d for aligning the wafer We.
  • the lens switching unit 30g includes a motor 302g that moves the multiple lenses 30f and an encoder 303g that outputs information regarding the positions of the multiple lenses 30f, and is configured so that the multiple lenses 30f are positioned by driving the motor 302g based on the output of the encoder 303g.
  • This allows the multiple lenses 30f to be positioned with greater precision than when the multiple lenses 30f are mechanically positioned using grooves or the like, thereby suppressing position errors caused by switching the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g.
  • the motor 302g includes a direct drive motor.
  • the motor 302g is connected to the multiple lenses 30f via an intermediate mechanism such as a belt or gear, no position error due to the intermediate mechanism occurs, and the multiple lenses 30f can be positioned with greater precision.
  • position errors due to switching of the multiple lenses 30f by the lens switching unit 30g can be more easily suppressed.
  • the lens switching unit 30g is configured to switch between the multiple lenses 30f by rotation. This allows the multiple lenses 30f to be switched simply by rotating the multiple lenses 30f, making it possible to switch between the multiple lenses 30f with a compact structure.
  • the second imaging unit 30d is disposed above the lens 30f that is closest to the laser irradiation unit among the multiple lenses 30f, and the lens switching unit 30g is configured to change the magnification by switching the lens 30f that is disposed below the second imaging unit 30d.
  • the present invention is applied to a dicing device as a laser processing device, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention may also be applied to a grooving device as a laser processing device.
  • the second imaging unit is configured to capture images at a lower magnification than the first imaging unit and at a higher magnification than the first imaging unit by switching between multiple lenses using the lens switching unit, but the present invention is not limited to this.
  • the second imaging unit may be configured to capture images only at a lower magnification than the first imaging unit by switching between multiple lenses using the lens switching unit.
  • the multiple lenses switched by the lens switching unit may include a low-magnification lens for alignment and a low-magnification lens for inspection. If the low-magnification lens for inspection is included, a wide range of the wafer can be imaged, making it possible to roughly inspect a wide range of the wafer all at once.
  • the imaging target for correcting position errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit includes an alignment mark
  • the imaging target for correcting position errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit may include something other than an alignment mark.
  • the imaging target for correcting position errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit may be a mark dedicated to correction provided within the device.
  • the imaging target for correcting positional errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit includes dedicated alignment marks provided on each of the multiple semiconductor chips, but the present invention is not limited to this.
  • the imaging target for correcting positional errors caused by switching between multiple lenses by the lens switching unit may include alignment marks as the corners of each of the multiple semiconductor chips.
  • the lens switching section is not provided with a mechanical positioning mechanism, but the present invention is not limited to this.
  • the lens switching section may be provided with a mechanical positioning mechanism.
  • the motor included a direct drive motor, but the present invention is not limited to this.
  • the motor may be connected to a rotating body including multiple lenses via an intermediate mechanism such as a gear or belt.
  • the lens switching unit is configured to switch between multiple lenses by rotation, but the present invention is not limited to this.
  • the lens switching unit may be configured to switch between multiple lenses by sliding movement.
  • the second imaging unit is disposed above the lens that is closest to the laser irradiation unit among the multiple lenses, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the second imaging unit may be disposed above any lens among the multiple lenses.
  • the first and second imaging units move relative to the wafer as the wafer moves, but the present invention is not limited to this.
  • the first and second imaging units may move relative to the wafer as the wafer moves.
  • control processing may be performed by event-driven processing in which processing is performed on an event-by-event basis.
  • control processing may be performed completely event-driven, or may be a combination of event-driven and flow-driven processing.

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Abstract

このレーザ加工装置（３）は、複数の半導体チップ（Ｃｈ）が設けられたウエハ（Ｗｅ）に対してレーザ（Ｌｄ）を照射するレーザ照射部（３０ａ）と、ウエハを撮像する第１撮像部（３０ｃ）と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部（３０ｄ）と、第２撮像部に設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズ（３０ｆ）を切り替えるレンズ切替部（３０ｇ）と、を備える。

Description

レーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法
　この発明は、レーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法に関し、特に、複数の半導体チップが形成されたウエハに対して加工を行うレーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法に関する。
　従来、複数の半導体チップが形成されたウエハに対してダイシング加工を行うダイシング装置が知られている。このようなダイシング装置は、たとえば、特開２０２０－１３１３３５号公報に開示されている。
　上記特開２０２０－１３１３３５号公報には、複数の半導体チップが形成されたウエハに対してダイシング加工を行うダイシング装置が開示されている。このダイシング装置は、ウエハを保持するワークテーブルと、ワークテーブルに保持されたウエハをダイシングするブレードと、ワークテーブルの対向位置に配置されてウエハのアライメントなどを行うためにウエハを撮像する撮像装置とを備える。この撮像装置は、顕微鏡やカメラなどにより構成され、顕微鏡のレンズを切り替えることにより、ウエハを高倍率または低倍率により撮像する。
特開２０２０－１３１３３５号公報
　しかしながら、上記特開２０２０－１３１３３５号公報に記載されたダイシング装置では、顕微鏡のレンズを切り替えた場合、顕微鏡のレンズの切り替えに起因する位置誤差が発生すると考えられる。このため、顕微鏡のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することが困難であるという問題点がある。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することが可能なレーザ加工装置、半導体チップおよび半導体チップの製造方法を提供することである。
　上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるレーザ加工装置は、複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザを照射するレーザ照射部と、ウエハを撮像する第１撮像部と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部と、第２撮像部に設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部と、を備える。
　この発明の第１の局面によるレーザ加工装置では、上記のように、ウエハを撮像する第１撮像部と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部と、第２撮像部に、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部を設ける。これにより、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差のおそれがない第１撮像部と、複数のレンズを切り替えることが可能な第２撮像部とを併用することができる。その結果、第２撮像部のみを設ける場合と異なり、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　上記第１の局面によるレーザ加工装置において、好ましくは、第２撮像部は、レンズ切替部により複数のレンズを切り替えることにより、少なくとも第１撮像部よりも低い倍率により、撮像を行うように構成されている。このように構成すれば、第１撮像部よりも低い倍率により撮像する第２撮像部をウエハの粗いアライメントを行うためのアライメント用撮像部として用いることができるとともに、第２撮像部よりも高い倍率により撮像する第１撮像部をウエハの高精度のアライメントを行うためのアライメント用撮像部として用いることができる。その結果、ウエハのアライメントを２段階で効率的に行うことができる。
　この場合、好ましくは、第２撮像部は、レンズ切替部により複数のレンズを切り替えることにより、第１撮像部よりも低い倍率、および、第１撮像部よりも高い倍率により、撮像を行うように構成されている。このように構成すれば、第１撮像部よりも高い倍率により撮像する第２撮像部をウエハの検査（レーザ加工結果の検査など）を行うための検査用撮像部として用いることができる。また、第２撮像部をアライメント用撮像部と検査用撮像部とに兼用することができる。
　上記第１の局面によるレーザ加工装置において、好ましくは、第１撮像部および第２撮像部の各々により同じ撮像対象を撮像した画像に基づいて、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差を補正する制御部をさらに備える。このように構成すれば、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差を補正することができるので、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を効果的に抑制することができる。
　この場合、好ましくは、撮像対象は、ウエハに設けられたアライメントマークを含み、制御部は、ウエハのアライメントのための第１撮像部または第２撮像部によるアライメントマークの撮像動作と並行して、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のためのアライメントマークの撮像動作を行うように構成されている。このように構成すれば、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差を補正するために専用の撮像動作を行う必要がないので、撮像に要する時間を短縮しつつ、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　上記第１の局面によるレーザ加工装置において、好ましくは、レンズ切替部は、複数のレンズを移動させるモータと、複数のレンズの位置に関する情報を出力するエンコーダとを含み、エンコーダの出力に基づいてモータが駆動されることにより、複数のレンズが位置決めされるように構成されている。このように構成すれば、複数のレンズを溝などにより機械的に位置決めする場合に比べて、複数のレンズの位置決めを精度よく行うことができるので、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差を抑制することができる。
　この場合、好ましくは、モータは、ダイレクトドライブモータを含む。このように構成すれば、モータがベルトやギアなどの中間機構を介して複数のレンズと接続されている場合と異なり、中間機構に起因する位置誤差が発生しないので、複数のレンズの位置決めをより精度よく行うことができる。その結果、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差をより容易に抑制することができる。
　上記第１の局面によるレーザ加工装置において、好ましくは、レンズ切替部は、回転により複数のレンズを切り替えるように構成されている。このように構成すれば、複数のレンズを回転させるだけで、複数のレンズを切り替えることができるので、複数のレンズをコンパクトな構造で切り替えることができる。
　上記第１の局面によるレーザ加工装置において、好ましくは、第２撮像部は、複数のレンズのうち、レーザ照射部に最も近いレンズの上方に配置されており、レンズ切替部は、第２撮像部の下方に位置するレンズを切り替えることによって、倍率を変更するように構成されている。このように構成すれば、レーザ照射部の近くに第２撮像部を配置することができるので、レーザ照射部および第２撮像部を小さくまとめてコンパクトに配置することができる。
　この発明の第２の局面による半導体チップは、複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザを照射するレーザ照射部と、ウエハを撮像する第１撮像部と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部と、第２撮像部に設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部と、を備えるレーザ加工装置により製造される。
　この発明の第２の局面による半導体チップでは、上記のように、ウエハを撮像する第１撮像部と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部と、第２撮像部に、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部を設ける。これにより、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差のおそれがない第１撮像部と、複数のレンズを切り替えることが可能な第２撮像部とを併用することができる。その結果、第２撮像部のみを設ける場合と異なり、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　この発明の第３の局面による半導体チップの製造方法は、複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザをレーザ照射部により照射する工程と、ウエハを第１撮像部により撮像する工程と、第１撮像部とは別個に設けられた第２撮像部によりウエハを撮像する工程と、第２撮像部に設けられたレンズ切替部により倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替える工程と、を備える。
　この発明の第３の局面による半導体チップの製造方法では、上記のように、ウエハを撮像する第１撮像部と、第１撮像部とは別個に設けられ、ウエハを撮像する第２撮像部と、第２撮像部に、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部を設ける。これにより、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差のおそれがない第１撮像部と、複数のレンズを切り替えることが可能な第２撮像部とを併用することができる。その結果、第２撮像部のみを設ける場合と異なり、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　本発明によれば、上記のように、複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
一実施形態によるダイシング装置およびエキスパンド装置が設けられた半導体ウエハの加工システムの概要を示した模式図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのグルービング装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのテープ貼付装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのダイシング装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのグラインディング装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのテープ貼替装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのテープ貼替装置を示した側面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのエキスパンド装置を示した平面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムのエキスパンド装置を示した側面図である。 一実施形態による半導体ウエハの加工システムの半導体チップ製造処理を示したフローチャートである。 一実施形態によるダイシング装置を示した模式的な平面図である。 一実施形態によるウエハを示した模式的な平面図である。 一実施形態によるレーザ照射部、第１撮像部および第２撮像部をＹ２方向側から見た模式図である。 一実施形態による第２撮像部およびレンズ切替部をＹ２方向側から見た模式図である。 一実施形態による第２撮像部およびレンズ切替部をＺ１方向側から見た模式図である。 一実施形態によるレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正を説明するための模式図である。 一実施形態によるアライメントマークの撮像動作と並行したレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像を説明するための模式図（１）である。 一実施形態によるアライメントマークの撮像動作と並行したレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像を説明するための模式図（２）である。
　以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
　図１～図１８を参照して、本発明の実施形態による半導体ウエハの加工システム１００の構成について説明する。
（半導体ウエハの加工システム）
　図１に示すように、半導体ウエハの加工システム１００は、ウエハＷｅの加工を行う装置である。半導体ウエハの加工システム１００は、ウエハＷｅに改質部を形成するとともに、ウエハＷｅを改質部に沿って分割して複数の半導体チップＣｈを形成するように構成されている。ここで、ウエハＷｅは、半導体集積回路の材料となる半導体物質の結晶により形成された円形の薄い板である。ウエハＷｅの内部には、半導体ウエハの加工システム１００における加工により、分割ラインに沿って内部を改質させた改質部が形成される。すなわち、ウエハＷｅは、分割ラインに沿って分割可能に加工される。ここで、改質部とは、レーザＬｄによりウエハＷｅの内部に形成された亀裂およびボイドなどを示す。
　具体的には、半導体ウエハの加工システム１００は、グルービング装置１と、テープ貼付装置２と、ダイシング装置３と、グラインディング装置４と、テープ貼替装置５と、エキスパンド装置６とを備えている。なお、ダイシング装置３は、請求の範囲の「レーザ加工装置」の一例である。
　図１に示すように、半導体ウエハの加工システム１００では、グルービング装置１、テープ貼付装置２、ダイシング装置３、グラインディング装置４、テープ貼替装置５、および、エキスパンド装置６の順にウエハＷｅの加工が行われる。
〈グルービング装置〉
　グルービング装置１は、ダイシング装置３によりウエハＷｅに改質部を形成する前に、フレームＲｆおよび保護テープＴｂが取り付けられていないウエハＷｅの回路面の半導体チップＣｈ間のストリートＷｓに沿ってレーザＬｇを照射して絶縁膜および検査用パターンを分断するように構成されている。ここで、レーザＬｇは、赤外領域の波長よりも短い波長の光である。また、絶縁膜とは、ウエハＷｅの層間絶縁被膜である。絶縁膜は、層間絶縁被膜材料として比較的誘電率が低いＬｏｗ－ｋ材料により形成されている。また、検査用パターンとは、ウエハＷｅの半導体チップＣｈのファンクションテストを行うためのテスト用の導通パターンである。検査用パターンは、いわゆるＴｅｇ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ）である。
　具体的には、図２に示すように、グルービング装置１は、カセット部１１と、レーザ照射部１２と、回路面被膜洗浄部１３とを含んでいる。カセット部１１は、フレームＲｆおよび保護テープＴｂが取り付けられていないウエハＷｅを収容するように構成されている。レーザ照射部１２は、ウエハＷｅの絶縁膜および検査用パターンを分断するレーザＬｇを照射するように構成されている。回路面被膜洗浄部１３は、絶縁膜および検査用パターンを分断する前にウエハＷｅの回路面を被膜するとともに、絶縁膜および検査用パターンを分断した後、ウエハＷｅの回路面を洗浄するように構成されている。
〈テープ貼付装置〉
　テープ貼付装置２は、保護テープＴｂをウエハＷｅの回路面に貼り付けるように構成されている（図１を参照）。
　具体的には、図３に示すように、テープ貼付装置２は、カセット収納部２１と、ロボットハンド２２と、搬送機構２３と、保護テープ貼付部２４とを含んでいる。カセット収納部２１は、フレームＲｆ、ウエハＷｅ、および、フレームＲｆ付きウエハＷｅを収納可能に構成されている。ロボットハンド２２は、フレームＲｆおよびウエハＷｅの各々をカセット収納部２１から搬送機構２３に運ぶように構成されている。ロボットハンド２２は、フレームＲｆ付きウエハＷｅを搬送機構２３からカセット収納部２１に運ぶように構成されている。搬送機構２３は、保護テープ貼付部２４の保護テープＴｂを貼付可能な位置までウエハＷｅを搬送するように構成されている。保護テープ貼付部２４は、搬送機構２３により搬送されたウエハＷｅに保護テープＴｂを貼り付けるとともに、フレームＲｆを保護テープＴｂに貼り付けるように構成されている。
〈ダイシング装置〉
　ダイシング装置３は、ウエハＷｅの内部にウエハＷｅを分割するための改質部を形成するように構成されている（図１を参照）。
　具体的には、図４に示すように、ダイシング装置３は、ダイシング部３０と、カセット部３１と、ウエハ搬送部３２とを備えている。ダイシング部３０は、ウエハＷｅに対して透過性を有する波長のレーザＬｄ（図１を参照）をストリートＷｓ（分割ライン）に沿って照射することにより、改質部を形成するように構成されている。ここで、レーザＬｄは、近赤外領域の波長の光である。カセット部３１は、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを複数収容可能に構成されている。ウエハ搬送部３２は、カセット部３１とダイシング部３０との間で、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを搬送するように構成されている。
〈グラインディング装置〉
　グラインディング装置４は、ウエハＷｅを回路面側とは逆側の面から研削することにより、ダイシング装置３において形成されたウエハＷｅの改質部を除去するように構成されている（図１を参照）。
　具体的には、図５に示すように、グラインディング装置４は、第１カセット部４１と、ロボットハンド４２と、複数の吸着保持部４３と、複数の研削部４４と、仕上研磨部４５と、結晶欠陥形成部４６と、第２カセット部４７と、単一の回転テーブル部４８とを含んでいる。
　第１カセット部４１は、ダイシング装置３において改質部が形成されたウエハＷｅを収容するように構成されている。ロボットハンド４２は、第１カセット部４１から複数の吸着保持部４３のうちの第１カセット部４１に最も近い位置の吸着保持部４３に、フレームＲｆが貼り付けられたウエハＷｅを運ぶように構成されている。また、ロボットハンド４２は、複数の吸着保持部４３のうちの第２カセット部４７に最も近い位置の吸着保持部４３から第２カセット部４７に、改質部除去後の保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを運ぶように構成されている。複数の吸着保持部４３は、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを吸着して保持するように構成されている。
　複数の研削部４４は、ウエハＷｅの回路面とは逆側の裏面を段階的に研削するように構成されている。複数の研削部４４は、粗研削部４４ａと、仕上げ研削部４４ｂと、ファイン研削部４４ｃとを有している。粗研削部４４ａは、第１粒子径の第１研削材によりウエハＷｅの裏面を研削するように構成されている。仕上げ研削部４４ｂは、第１粒子径よりも小さい第２粒子径の第２研削材によりウエハＷｅの裏面を研削するように構成されている。ファイン研削部４４ｃは、第２粒子径よりも小さい第３粒子径の第３研削材によりウエハＷｅの裏面を研削するように構成されている。
　仕上研磨部４５は、複数の研削部４４により研削されたウエハＷｅの裏面を研磨するように構成されている。結晶欠陥形成部４６は、仕上研磨部４５により研磨されたウエハＷｅの裏面に微小な結晶欠陥を形成するように構成されている。結晶欠陥形成部４６は、いわゆるゲッタリングという作業を行うように構成されている。第２カセット部４７は、結晶欠陥形成部４６において結晶欠陥が形成されたウエハＷｅを収容するように構成されている。単一の回転テーブル部４８は、複数の研削部４４、仕上研磨部４５および結晶欠陥形成部４６の各々に対応する位置に、複数の吸着保持部４３の各々を回転移動させるように構成されている。
〈テープ貼替装置〉
　テープ貼替装置５は、グラインディング装置４においてウエハＷｅから改質部を除去した後、エキスパンド用テープＴｅをウエハＷｅの回路面とは逆側の面に貼り付けて、ウエハＷｅの回路面に貼り付けられた保護テープＴｂを剥がすように構成されている（図１を参照）。
　具体的には、図６に示すように、テープ貼替装置５は、カセット収納部５１と、ロボットハンド５２と、搬送機構５３と、エキスパンド用テープ貼付部５４と、紫外線照射部５５（図７を参照）と、保護テープ剥離部（図示せず）とを含んでいる。
　カセット収納部５１は、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅ、および、エキスパンド用テープＴｅにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを収納可能に構成されている。
　ロボットハンド５２は、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅをカセット収納部５１から搬送機構５３に運ぶように構成されている。搬送機構５３は、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅをエキスパンド用テープ貼付部５４まで搬送するように構成されている。エキスパンド用テープ貼付部５４は、フレームＲｆにおける保護テープＴｂが貼り付けられた側の面とは逆側の面にエキスパンド用テープＴｅを貼り付けることにより、保護テープＴｂおよびエキスパンド用テープＴｅの各々にフレームＲｆおよびウエハＷｅを貼り付けるように構成されている。
　ロボットハンド５２は、搬送機構５３から紫外線照射部５５に保護テープＴｂおよびエキスパンド用テープＴｅの各々にフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを運ぶように構成されている。紫外線照射部５５は、出入口に扉を有する密閉構造の内部にあり、窒素パージにより雰囲気内の酸素を除去して窒素を内部に充填（窒素を内部に供給して酸素を排出しつつ窒素を充填）した上で、フレームＲｆの保護テープＴｂが貼り付けられた面に向かって紫外線を照射するように構成されている。これにより、保護テープＴｂの接着層が硬化する。ロボットハンド５２は、紫外線照射部５５から搬送機構５３に保護テープＴｂおよびエキスパンド用テープＴｅの各々にフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを戻すように構成されている。
　搬送機構５３は、保護テープＴｂおよびエキスパンド用テープＴｅの各々にフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅを保護テープ剥離部まで搬送するように構成されている。保護テープ剥離部は、保護テープＴｂを剥がすように構成されている（図１を参照）。ロボットハンド５２は、搬送機構５３からエキスパンド用テープＴｅにフレームＲｆとともに貼り付けられたウエハＷｅをカセット収納部５１に収納するように構成されている。
〈エキスパンド装置〉
　エキスパンド装置６は、エキスパンド用テープＴｅをウエハＷｅの回路面とは逆側の面に貼り付けた後、エキスパンド用テープＴｅをエキスパンドすることによりウエハＷｅを複数の半導体チップＣｈに分割するように構成されている（図１を参照）。
　具体的には、図８および図９に示すように、エキスパンド装置６は、カセット部６０１と、リフトアップハンド部６０２と、吸着ハンド部６０３と、冷気供給部６０４（図９を参照）と、冷却ユニット６０５と、エキスパンド部６０６と、拡張維持部材６０７と、ヒートシュリンク部６０８（図９を参照）と、紫外線照射部６０９（図９を参照）と、スキージ部６１０と、クランプ部６１１とを含んでいる。
　カセット部６０１は、エキスパンド用テープＴｅにフレームＲｆおよびウエハＷｅを貼り付けたウエハリング構造体Ｗを収容可能に構成されている。リフトアップハンド部６０２は、カセット部６０１からウエハリング構造体Ｗを取出可能に構成されている。リフトアップハンド部６０２は、カセット部６０１にウエハリング構造体Ｗを収容可能に構成されている。吸着ハンド部６０３は、ウエハリング構造体ＷのフレームＲｆを上方から吸着するように構成されている。冷気供給部６０４は、エキスパンド部６０６によりエキスパンド用テープＴｅをエキスパンドさせる際、エキスパンド用テープＴｅに上方から冷気を供給するように構成されている。
　冷却ユニット６０５は、エキスパンド用テープＴｅを下方から冷却するように構成されている。エキスパンド部６０６は、ウエハリング構造体Ｗのエキスパンド用テープＴｅをエキスパンドすることにより、ストリートＷｓ（図１を参照）に沿ってウエハＷｅを分割するように構成されている。拡張維持部材６０７は、ヒートシュリンク部６０８による加熱によってウエハＷｅ付近のエキスパンド用テープＴｅが収縮しないように、エキスパンド用テープＴｅを上方から押さえるように構成されている。ヒートシュリンク部６０８は、エキスパンド部６０６によりエキスパンドされたエキスパンド用テープＴｅを、複数の半導体チップＣｈ同士の間の隙間を保持した状態で、加熱により収縮させるように構成されている。紫外線照射部６０９は、エキスパンド用テープＴｅの粘着層の粘着力を低下させるために、エキスパンド用テープＴｅに紫外線を照射するように構成されている。
　スキージ部６１０は、エキスパンド用テープＴｅをエキスパンドさせた後、ウエハＷｅを下方向側から局所的に押圧することにより、ウエハＷｅを改質部に沿ってさらに分割させるように構成されている。クランプ部６１１は、ウエハリング構造体ＷのフレームＲｆを把持した状態で、上下方向にウエハリング構造体Ｗを移動可能に構成されている。クランプ部６１１は、ウエハリング構造体ＷのフレームＲｆを把持した状態で、冷却ユニット６０５からエキスパンド部６０６に向かう方向、および、エキスパンド部６０６から冷却ユニット６０５に向かう方向の各々にウエハリング構造体Ｗを移動可能に構成されている。
（半導体チップ製造処理）
　図１０を参照して、半導体ウエハの加工システム１００の全体的な動作について以下に説明する。
　ステップＳ１では、グルービング装置１において絶縁膜および検査用パターンが分断される。すなわち、レーザ照射部１２が、保護テープＴｂにフレームＲｆとともに貼り付けられていないウエハＷｅの回路面の半導体チップＣｈ間のストリートＷｓに沿って、レーザＬｇを照射して絶縁膜および検査用パターンを分断する。ステップＳ２では、テープ貼付装置２において保護テープＴｂにウエハＷｅおよびフレームＲｆが貼り付けられる。すなわち、保護テープ貼付部２４が、搬送機構２３により搬送されたウエハＷｅに保護テープＴｂを貼り付けるとともに、フレームＲｆを保護テープＴｂに貼り付ける。
　ステップＳ３では、ダイシング装置３においてウエハＷｅに改質部が形成される。すなわち、ダイシング部３０が、ウエハＷｅに対してレーザＬｄ（図１を参照）をストリートＷｓに沿って照射することにより、改質部を形成する。ステップＳ４では、グラインディング装置４においてウエハＷｅから改質部が除去される。すなわち、複数の研削部４４が、ウエハＷｅの回路面とは逆側の裏面を段階的に研削することにより、ウエハＷｅの改質部を除去する。ステップＳ５では、テープ貼替装置５において、ウエハＷｅおよびフレームＲｆにエキスパンド用テープＴｅが貼り付けられた後、保護テープＴｂが剥がされる。すなわち、エキスパンド用テープ貼付部５４が、エキスパンド用テープＴｅをフレームＲｆに貼り付ける。保護テープ剥離部は、紫外線照射部５５により保護テープＴｂの接着層を硬化させた後のフレームＲｆ付きウエハＷｅから保護テープＴｂを剥がす。
　ステップＳ６では、エキスパンド装置６においてエキスパンド用テープＴｅをエキスパンドさせて、ウエハＷｅを複数の半導体チップＣｈに分割する。すなわち、クランプ部６１１がフレームＲｆを保持した状態で下降することにより、エキスパンド部６０６に当接したエキスパンド用テープＴｅが下方に引っ張られるので、エキスパンド用テープＴｅがエキスパンドされる。これにより、エキスパンドされることによりエキスパンド用テープＴｅに生じる引張力によって、ウエハＷｅのストリートＷｓに形成された亀裂に沿って分割されるので、ウエハＷｅが複数の半導体チップＣｈに分割される。
　ステップＳ６の後、半導体チップ製造処理が終了する。
（ダイシング装置の詳細構成）
　図１１～図１８を参照して、ダイシング装置３の構成を詳細に説明する。
　図１１に示すように、ダイシング装置３は、ダイシング部３０と、カセット部３１と、ウエハ搬送部３２と、制御部３３とを備えている。
　ダイシング部３０は、レーザ照射部３０ａと、チャックテーブル部３０ｂと、第１撮像部３０ｃと、第２撮像部３０ｄとを含んでいる。第２撮像部３０ｄは、第１撮像部３０ｃとは別個に設けられている。
　図１１および図１２に示すように、レーザ照射部３０ａは、複数の半導体チップＣｈが設けられたウエハＷｅに対してレーザＬｄ(図１参照)を照射するように構成されている。具体的には、レーザ照射部３０ａは、ウエハＷｅの複数のストリートＷｓの各々に沿ってレーザＬｄを照射するように構成されている。より具体的には、レーザ照射部３０ａは、ウエハＷｅをチャックテーブル部３０ｂによりレーザ照射部３０ａに対して相対的に移動させることにより、ウエハＷｅの複数のストリートＷｓの各々に沿ってレーザＬｄを照射するように構成されている。
　図１２に示すように、ウエハＷｅには、複数の半導体チップＣｈが設けられている。複数の半導体チップＣｈは、ウエハＷｅにおいてマトリクス状に配列されている。また、隣接する半導体チップＣｈ同士の間には、直線状のストリートＷｓが設けられている。ストリートＷｓは、縦方向に延びる複数のストリートＷｓと、横方向に延びる複数のストリートＷｓとを含んでいる。また、複数の半導体チップＣｈの各々には、ウエハＷｅのアライメントのためのアライメントマークＡｒが設けられている。
　図１１に示すように、チャックテーブル部３０ｂは、ウエハＷｅを保持するように構成されている。具体的には、チャックテーブル部３０ｂは、保護テープＴｂを貼り付けることによりフレームＲｆにマウントされたウエハＷｅとしてのフレームＲｆ付きウエハＷｅを吸着により保持するように構成されている。チャックテーブル部３０ｂは、フレームＲｆ付きウエハＷｅを吸着した状態で、回動または水平方向に移動するように構成されている。チャックテーブル部３０ｂは、回動機構３０１ｂと、Ｙ方向移動機構３０２ｂと、Ｘ方向移動機構３０３ｂとを有している。チャックテーブル部３０ｂは、ウエハＷｅに対してレーザ照射部３０ａによりレーザＬｄを照射する際に、ウエハＷｅをレーザ照射部３０ａに対して相対的に移動させるように構成されている。また、チャックテーブル部３０ｂは、第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄによりウエハＷｅを撮像する際に、ウエハＷｅを第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄに対して相対的に移動させるように構成されている。
　第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々は、チャックテーブル部３０ｂに保持されたウエハＷｅを上方（Ｚ１方向側）から撮像するように構成されている。第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々は、近赤外線撮像用カメラである。第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々は、Ｚ１方向またはＺ２方向に移動可能である。なお、第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの詳細については、後述する。
　カセット部３１は、フレームＲｆ付きウエハＷｅを収納するように構成されている。具体的には、カセット部３１は、フレームＲｆ付きウエハＷｅを収納するウエハカセットを複数収納するように構成されている。カセット部３１は、複数のウエハカセットを収納する本体３１ａと、本体３１ａを上下方向（Ｚ方向）に移動させる上下移動機構３１ｂとを含んでいる。
　ウエハ搬送部３２は、カセット部３１とダイシング部３０との間でフレームＲｆ付きウエハＷｅを搬送するように構成されている。具体的には、ウエハ搬送部３２は、クランプハンド部３２ａと、Ｙ方向移動機構３２ｂと、レール部３２ｃと、吸着ハンド部３２ｄとを有している。
　クランプハンド部３２ａは、カセット部３１と吸着ハンド部３２ｅとの間で、フレームＲｆ付きウエハＷｅを搬送するように構成されている。具体的には、クランプハンド部３２ａは、フレームＲｆ付きウエハＷｅのフレームＲｆの部分をクランプして、フレームＲｆ付きウエハＷｅを搬送するように構成されている。クランプハンド部３２ａは、レーザ加工前のフレームＲｆ付きウエハＷｅをカセット部３１から取り出して、吸着ハンド部３２ｅの位置まで搬送するように構成されている。また、クランプハンド部３２ａは、レーザ加工後のフレームＲｆ付きウエハＷｅを吸着ハンド部３２ｅの位置から、カセット部３１まで搬送するように構成されている。
　Ｙ方向移動機構３２ｂは、クランプハンド部３２ａをＹ方向に移動させるように構成されている。クランプハンド部３２ａは、Ｙ方向移動機構３２ｂによりＹ方向に移動されることにより、フレームＲｆ付きウエハＷｅを搬送するように構成されている。Ｙ方向移動機構３２ｂは、たとえば、リニアコンベアモジュール、または、ボールねじおよびエンコーダ付きモータを有する駆動部を有している。
　レール部３２ｃは、クランプハンド部３２ａにより搬送されるフレームＲｆ付きウエハＷｅを下方（Ｚ２方向側）から支持するように構成されている。
　吸着ハンド部３２ｄは、レーザ加工前のフレームＲｆ付きウエハＷｅをレール部３２ｃからチャックテーブル部３０ｂに移載するように構成されている。また、吸着ハンド部３２ｄは、レーザ加工後のフレームＲｆ付きウエハＷｅをチャックテーブル部３０ｂからレール部３２ｃに移載するように構成されている。吸着ハンド部３２ｄは、フレームＲｆ付きウエハＷｅのフレームＲｆの部分を吸着して移載するように構成されている。
　制御部３３は、ダイシング装置３の各部を制御するように構成されている。制御部３３は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）およびＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）などを有する記憶部とを含んでいる。記憶部には、ダイシング装置３を制御する制御プログラムが記憶されている。
（第１撮像部および第２撮像部の構成）
　第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々は、アライメント用のカメラである。第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々は、ウエハＷｅのアライメントを行う際、ウエハＷｅに設けられたアライメントマークＡｒを上方（Ｚ１方向側）から撮像するように構成されている。第２撮像部３０ｄにより撮像したアライメントマークＡｒの画像に基づいて、ウエハＷｅの粗いアライメント（位置補正）が行われる。また、ウエハＷｅの粗いアライメント（位置補正）が行われた状態で、第１撮像部３０ｃにより撮像したアライメントマークＡｒの画像に基づいて、ウエハＷｅの高精度のアライメント（位置補正）が行われる。ウエハＷｅのアライメントとは、たとえば、ウエハＷｅの回転方向のアライメント、ウエハＷｅのＸ方向およびＹ方向のアライメント、および、ウエハＷｅのＺ方向のアライメントなどを含んでいる。
　図１３に示すように、第１撮像部３０ｃは、レーザ照射部３０ａに対してＸ１方向側に設けられている。また、第２撮像部３０ｄは、レーザ照射部３０ａに対してＸ２方向側に設けられている。第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄは、Ｘ方向においてレーザ照射部３０ａを挟んで設けられている。また、第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄは、それぞれ、撮像素子３０１ｃおよび３０１ｄを有している。また、第１撮像部３０ｃには、所定の倍率のレンズ３０ｅが設けられている。第１撮像部３０ｃは、レンズ３０ｅを用いることにより所定の倍率（２０倍など）により撮像を行うように構成されている。
　ここで、本実施形態では、図１３～図１５に示すように、第２撮像部３０ｄには、倍率が互いに異なる複数（４つ）のレンズ３０ｆを切り替えるレンズ切替部３０ｇが設けられている。
　また、このダイシング装置３により製造される半導体チップＣｈは、複数の半導体チップＣｈが設けられたウエハＷｅに対してレーザＬｄを照射するレーザ照射部３０ａと、ウエハＷｅを撮像する第１撮像部３０ｃと、第１撮像部３０ｃとは別個に設けられ、ウエハＷｅを撮像する第２撮像部３０ｄと、第２撮像部３０ｄに設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズ３０ｆを切り替えるレンズ切替部３０ｇと、を備えるダイシング装置３により製造される。
　また、このダイシング装置３による半導体チップＣｈの製造方法は、複数の半導体チップＣｈが設けられたウエハＷｅに対してレーザＬｄをレーザ照射部３０ａにより照射する工程と、ウエハＷｅを第１撮像部３０ｃにより撮像する工程と、第１撮像部３０ｃとは別個に設けられた第２撮像部３０ｄによりウエハＷｅを撮像する工程と、第２撮像部３０ｄに設けられたレンズ切替部３０ｇにより倍率が互いに異なる複数のレンズ３０ｆを切り替える工程と、を備える。
　また、本実施形態では、レンズ切替部３０ｇは、回転により複数のレンズ３０ｆを切り替えるように構成されている。具体的には、レンズ切替部３０ｇは、上下方向（Ｚ方向）に延びる回転軸線Ａｘ周りに、複数のレンズ３０ｆを含む回転体３０１ｇを回転させることにより、複数のレンズ３０ｆを一体的に回転させて、複数のレンズ３０ｆを切り替えるように構成されている。回転体３０１ｇは、レンズ３０ｆを各々保持する複数（４つ）のレンズ保持部３０１ｇａと、複数のレンズ保持部３０１ｇａを互いに接続する接続部３０１ｇｂとを有している。
　また、本実施形態では、レンズ切替部３０ｇは、複数のレンズ３０ｆを移動させるモータ３０２ｇと、複数のレンズ３０ｆの位置に関する情報を出力するエンコーダ３０３ｇとを含んでいる。モータ３０２ｇは、ダイレクトドライブモータを含んでいる。具体的には、モータ３０２ｇの出力軸は、回転体３０１ｇの接続部３０１ｇｂに、ギアやベルトなどの中間機構を介さずに直接的に接続されている。モータ３０２ｇは、制御部３３の制御の下、回転軸線Ａｘ周りに回転体３０１ｇを回転させるように構成されている。
　エンコーダ３０３ｇは、モータ３０２ｇの回転位置に関する情報を取得し、取得した情報を出力するように構成されている。モータ３０２ｇの回転位置に関する情報は、複数のレンズ３０ｆの位置に関する情報である。制御部３３は、エンコーダ３０３ｇの出力に基づいてモータ３０２ｇを駆動することにより、複数のレンズ３０ｆを位置決めする（切り替える）。なお、レンズ切替部３０ｇには、切り替えた位置で複数のレンズ３０ｆを位置決めする溝などの機械的位置決め機構は設けられていない。
　また、本実施形態では、第２撮像部３０ｄの撮像素子３０１ｄは、複数のレンズ３０ｆのうち、レーザ照射部３０ａに最も近いレンズ３０ｆ（最もＸ１方向側のレンズ３０ｆ）の上方（Ｚ１方向側）に配置されている。レンズ切替部３０ｇは、第２撮像部３０ｄの撮像素子３０１ｄの下方（Ｚ２方向側）に位置するレンズ３０ｆを切り替えることによって、倍率を変更するように構成されている。
　第２撮像部３０ｄは、レンズ切替部３０ｇにより複数のレンズ３０ｆを切り替えることにより、少なくとも第１撮像部３０ｃよりも低い倍率により、撮像を行うように構成されている。具体的には、第２撮像部３０ｄは、レンズ切替部３０ｇにより複数のレンズ３０ｆを切り替えることにより、第１撮像部３０ｃよりも低い倍率、および、第１撮像部３０ｃよりも高い倍率により、撮像を行うように構成されている。すなわち、複数のレンズ３０ｆは、第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも低い倍率のレンズと、第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも高い倍率のレンズとを含んでいる。たとえば、複数（４つ）のレンズ３０ｆは、２．５倍のレンズと、５０倍のレンズと、１００倍のレンズと、２００倍のレンズとを含んでいる。
　第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも低い倍率（２．５倍など）のレンズ３０ｆは、ウエハＷｅのアライメントに用いられる。すなわち、ウエハＷｅの粗いアライメントを行う際には、第２撮像部３０ｄは、第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも低い倍率のレンズ３０ｆを用いることにより第１撮像部３０ｃよりも低い倍率により、ウエハＷｅのアライメントマークＡｒを撮像するように構成されている。
　また、第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも高い倍率（５０倍、１００倍、２００倍など）のレンズ３０ｆは、ウエハＷｅの検査（レーザ加工結果の検査など）に用いられる。すなわち、ウエハＷｅの検査を行う際には、第２撮像部３０ｄは、第１撮像部３０ｃのレンズ３０ｅよりも高い倍率のレンズ３０ｆを用いることにより第１撮像部３０ｃよりも高い倍率により、ウエハＷｅの検査対象を撮像するように構成されている。ウエハＷｅの検査対象としては、特に限定されないが、たとえばストリートＷｓに沿って形成されたレーザ加工痕（ダイシング痕）などが挙げられる。レーザ加工痕（１μｍ程度）は、アライメントマークＡｒ（５０μｍ程度）よりもサイズが小さいため、アライメントマークＡｒを撮像する第１撮像部３０ｃの倍率では、容易には撮像できない。
（レンズ切替に起因する位置誤差の補正）
　また、本実施形態では、図１６に示すように、制御部３３は、第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々により同じ撮像対象Ｔａを撮像した画像に基づいて、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正するように構成されている。なお、図１６では、便宜上、各画像に写る撮像対象Ｔａを同じサイズで図示しているが、各撮像部の倍率が異なるため、実際には各画像に写る撮像対象Ｔａのサイズは異なる。
　具体的には、制御部３３は、第１撮像部３０ｃにより撮像対象Ｔａを撮像した画像Ｉｍ１中の撮像対象Ｔａの位置と、第２撮像部３０ｄにより撮像対象Ｔａを撮像した画像Ｉｍ２中の撮像対象Ｔａの位置とに基づいて、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正するように構成されている。
　より具体的には、制御部３３は、画像Ｉｍ１に基づいて、画像Ｉｍ１の中心からの撮像対象Ｔａの位置ずれ量Ｄｘ１、Ｄｙ１を取得するように構成されている。なお、位置ずれ量Ｄｘ１は、画像Ｉｍ１の中心からのＸ方向の撮像対象Ｔａの位置ずれ量を表している。また、位置ずれ量Ｄｙ１は、画像Ｉｍ１の中心からのＹ方向の撮像対象Ｔａの位置ずれ量を表している。
　また、制御部３３は、画像Ｉｍ２に基づいて、画像Ｉｍ２の中心からの撮像対象Ｔａの位置ずれ量Ｄｘ２、Ｄｙ２を取得するように構成されている。なお、位置ずれ量Ｄｘ２は、画像Ｉｍ２の中心からの方向の撮像対象Ｔａの位置ずれ量を表している。また、位置ずれ量Ｄｘ２は、位置ずれ量Ｄｘ１に加えて、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差による位置ずれ量を含んでいる。いる。また、位置ずれ量Ｄｙ２は、画像Ｉｍ２の中心からのＹ方向の撮像対象Ｔａの位置ずれ量を表している。また、位置ずれ量Ｄｙ２は、位置ずれ量Ｄｙ１に加えて、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差による位置ずれ量を含んでいる。
　制御部３３は、位置ずれ量Ｄｘ１と位置ずれ量Ｄｘ２との差Ｄｘ２－Ｄｘ１を取得するとともに、位置ずれ量Ｄｙ１と位置ずれ量Ｄｙ２との差Ｄｙ２－Ｄｙ１を取得するように構成されている。差Ｄｘ２－Ｄｘ１は、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差によるＸ方向の位置ずれ量を表している。また、差Ｄｙ２－Ｄｙ１は、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差によるＹ方向の位置ずれ量を表している。このため、制御部３３は、差Ｄｘ２－Ｄｘ１をＸ方向の補正値として取得するとともに、差Ｄｙ２－Ｄｙ１をＸ方向の補正値として取得するように構成されている。また、制御部３３は、補正値としての差Ｄｘ２－Ｄｘ１および差Ｄｙ２－Ｄｙ１に基づいて、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正するように構成されている。
　また、本実施形態では、図１７に示すように、撮像対象Ｔａは、ウエハＷｅに設けられたアライメントマークＡｒを含んでいる。制御部３３は、ウエハＷｅのアライメントのための第１撮像部３０ｃまたは第２撮像部３０ｄによるアライメントマークＡｒの撮像動作と並行して、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差の補正のためのアライメントマークＡｒの撮像動作を行うように構成されている。
　たとえば、低倍率のレンズ３０ｆを用いて第２撮像部３０ｄによりアライメントマークＡｒ１を撮像して、粗いアライメントを行うとともに、第１撮像部３０ｃによりアライメントマークＡｒ１およびＡｒ２を撮像して、高精度のアライメントを行う場合について考える。
　この場合、図１７および図１８に示すように、まず、制御部３３は、第２撮像部３０ｄによりアライメントマークＡｒ１を撮像する制御を行う。そして、制御部３３は、第１撮像部３０ｃによりアライメントマークＡｒ１を撮像する制御を行う。そして、制御部３３は、第２撮像部３０ｄにより撮像したアライメントマークＡｒ１の画像Ｉｍ３におけるアライメントマークＡｒ１の検出位置と、第１撮像部３０ｃにより撮像したアライメントマークＡｒ１の画像Ｉｍ４におけるアライメントマークＡｒ１の検出位置との差を、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正するための補正値として取得する。
　そして、制御部３３は、取得した補正値を加算することにより、第１撮像部３０ｃによりアライメントマークＡｒ２を撮像するための第１撮像部３０ｃの移動目標位置を決定する制御を行う。これにより、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差が補正された位置で、第１撮像部３０ｃによるアライメントマークＡｒ２の撮像を行うことが可能である。その結果、第１撮像部３０ｃにより撮像したアライメントマークＡｒ２の画像Ｉｍ５では、画像Ｉｍ５の中心に近い位置にアライメントマークＡｒ２を写すことが可能である。また、以降は、再度レンズ切替を行うまで、取得した補正値が有効であるため、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差が補正された位置で、第１撮像部３０ｃによるアライメントマークＡｒの撮像を行い続けることが可能である。
（本実施形態の効果）
　本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
　本実施形態では、上記のように、ウエハＷｅを撮像する第１撮像部３０ｃと、第１撮像部３０ｃとは別個に設けられ、ウエハＷｅを撮像する第２撮像部３０ｄと、第２撮像部３０ｄに、倍率が互いに異なる複数のレンズ３０ｆを切り替えるレンズ切替部３０ｇを設ける。これにより、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差のおそれがない第１撮像部３０ｃと、複数のレンズ３０ｆを切り替えることが可能な第２撮像部３０ｄとを併用することができる。その結果、第２撮像部３０ｄのみを設ける場合と異なり、複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、第２撮像部３０ｄは、レンズ切替部３０ｇにより複数のレンズ３０ｆを切り替えることにより、少なくとも第１撮像部３０ｃよりも低い倍率により、撮像を行うように構成されている。これにより、第１撮像部３０ｃよりも低い倍率により撮像する第２撮像部３０ｄをウエハＷｅの粗いアライメントを行うためのアライメント用撮像部として用いることができるとともに、第２撮像部３０ｄよりも高い倍率により撮像する第１撮像部３０ｃをウエハＷｅの高精度のアライメントを行うためのアライメント用撮像部として用いることができる。その結果、ウエハＷｅのアライメントを２段階で効率的に行うことができる。
　また、本実施形態では、上記のように、第２撮像部３０ｄは、レンズ切替部３０ｇにより複数のレンズ３０ｆを切り替えることにより、第１撮像部３０ｃよりも低い倍率、および、第１撮像部３０ｃよりも高い倍率により、撮像を行うように構成されている。これにより、第１撮像部３０ｃよりも高い倍率により撮像する第２撮像部３０ｄをウエハＷｅの検査（レーザ加工結果の検査など）を行うための検査用撮像部として用いることができる。また、第２撮像部３０ｄをアライメント用撮像部と検査用撮像部とに兼用することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、第１撮像部３０ｃおよび第２撮像部３０ｄの各々により同じ撮像対象を撮像した画像に基づいて、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正する制御部をさらに備える。これにより、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正することができるので、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差の影響を効果的に抑制することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、撮像対象は、ウエハＷｅに設けられたアライメントマークＡｒを含み、制御部は、ウエハＷｅのアライメントのための第１撮像部３０ｃまたは第２撮像部３０ｄによるアライメントマークＡｒの撮像動作と並行して、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差の補正のためのアライメントマークＡｒの撮像動作を行うように構成されている。これにより、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を補正するために専用の撮像動作を行う必要がないので、撮像に要する時間を短縮しつつ、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差の影響を抑制することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、レンズ切替部３０ｇは、複数のレンズ３０ｆを移動させるモータ３０２ｇと、複数のレンズ３０ｆの位置に関する情報を出力するエンコーダ３０３ｇとを含み、エンコーダ３０３ｇの出力に基づいてモータ３０２ｇが駆動されることにより、複数のレンズ３０ｆが位置決めされるように構成されている。これにより、複数のレンズ３０ｆを溝などにより機械的に位置決めする場合に比べて、複数のレンズ３０ｆの位置決めを精度よく行うことができるので、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差を抑制することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、モータ３０２ｇは、ダイレクトドライブモータを含む。これにより、モータ３０２ｇがベルトやギアなどの中間機構を介して複数のレンズ３０ｆと接続されている場合と異なり、中間機構に起因する位置誤差が発生しないので、複数のレンズ３０ｆの位置決めをより精度よく行うことができる。その結果、レンズ切替部３０ｇによる複数のレンズ３０ｆの切り替えに起因する位置誤差をより容易に抑制することができる。
　また、本実施形態では、上記のように、レンズ切替部３０ｇは、回転により複数のレンズ３０ｆを切り替えるように構成されている。これにより、複数のレンズ３０ｆを回転させるだけで、複数のレンズ３０ｆを切り替えることができるので、複数のレンズ３０ｆをコンパクトな構造で切り替えることができる。
　また、本実施形態では、上記のように、第２撮像部３０ｄは、複数のレンズ３０ｆのうち、レーザ照射部に最も近いレンズ３０ｆの上方に配置されており、レンズ切替部３０ｇは、第２撮像部３０ｄの下方に位置するレンズ３０ｆを切り替えることによって、倍率を変更するように構成されている。これにより、レーザ照射部の近くに第２撮像部３０ｄを配置することができるので、レーザ照射部および第２撮像部３０ｄを小さくまとめてコンパクトに配置することができる。
［変形例］
　なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく請求の範囲によって示され、さらに請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更（変形例）が含まれる。
　たとえば、上記実施形態では、本発明をレーザ加工装置としてのダイシング装置に適用する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明は、レーザ加工装置としてのグルービング装置に適用されてもよい。
　また、上記実施形態では、第２撮像部に対して４つのレンズが設けられている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第２撮像部に対して２つ、３つまたは５つ以上のレンズが設けられてもよい。
　また、上記実施形態では、第２撮像部が、レンズ切替部により複数のレンズを切り替えることにより、第１撮像部よりも低い倍率、および、第１撮像部よりも高い倍率により、撮像を行うように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第２撮像部が、レンズ切替部により複数のレンズを切り替えることにより、第１撮像部よりも低い倍率のみにより、撮像を行うように構成されてもよい。この場合、レンズ切替部により切り替えられる複数のレンズが、アライメント用の低倍率のレンズと、検査用の低倍率のレンズとを含んでいてもよい。検査用の低倍率のレンズを含んでいれば、ウエハの広範囲を撮像することができるので、ウエハの広範囲を一括で粗く検査することが可能である。
　また、上記実施形態では、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像対象が、アライメントマークを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像対象が、アライメントマーク以外を含んでいてもよい。たとえば、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像対象が、装置内に設けられた補正専用のマークであってもよい。
　また、上記実施形態では、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像対象が、複数の半導体チップの各々に設けられた専用のアライメントマークを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、レンズ切替部による複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための撮像対象が、複数の半導体チップの各々の角部としてのアライメントマークを含んでいてもよい。
　また、上記実施形態では、レンズ切替部に機械的な位置決め機構が設けられていない例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、レンズ切替部に機械的な位置決め機構が設けられていてもよい。
　また、上記実施形態では、モータがダイレクトドライブモータを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、モータがギアやベルトなどの中間機構を介して複数のレンズを含む回転体に接続されていてもよい。
　また、上記実施形態では、レンズ切替部が、回転により複数のレンズを切り替えるように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、レンズ切替部が、スライド移動により複数のレンズを切り替えるように構成されてもよい。
　また、上記実施形態では、第２撮像部が、複数のレンズのうち、レーザ照射部に最も近いレンズの上方に配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第２撮像部が、複数のレンズのうち、いずれのレンズの上方に配置されてもよい。
　また、上記実施形態では、ウエハが移動することにより、第１撮像部および第２撮像部とウエハとが相対的に移動する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第１撮像部および第２撮像部が移動することにより、第１撮像部および第２撮像部とウエハとが相対的に移動してもよい。
　また、上記実施形態では、説明の便宜上、制御処理を、処理フローに沿って順番に処理を行うフロー駆動型のフローチャートを用いて説明した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御処理を、イベント単位で処理を実行するイベント駆動型（イベントドリブン型）の処理により行ってもよい。この場合、完全なイベント駆動型で行ってもよいし、イベント駆動およびフロー駆動を組み合わせて行ってもよい。
　３　ダイシング装置（レーザ加工装置）
　３０ａ　レーザ照射部
　３０ｃ　第１撮像部
　３０ｄ　第２撮像部
　３０ｆ　レンズ
　３０ｇ　レンズ切替部
　３３　制御部
　３０２ｇ　モータ
　３０３ｇ　エンコーダ
　Ａｒ　アライメントマーク
　Ｃｈ　半導体チップ
　Ｉｍ１、Ｉｍ２　画像
　Ｌｄ　レーザ
　Ｔａ　撮像対象
　Ｗｅ　ウエハ

Claims (11)

  1. 　複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザを照射するレーザ照射部と、
    　前記ウエハを撮像する第１撮像部と、
    　前記第１撮像部とは別個に設けられ、前記ウエハを撮像する第２撮像部と、
    　前記第２撮像部に設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部と、を備える、レーザ加工装置。
  2. 　前記第２撮像部は、前記レンズ切替部により前記複数のレンズを切り替えることにより、少なくとも前記第１撮像部よりも低い倍率により、撮像を行うように構成されている、請求項１に記載のレーザ加工装置。
  3. 　前記第２撮像部は、前記レンズ切替部により前記複数のレンズを切り替えることにより、前記第１撮像部よりも低い倍率、および、前記第１撮像部よりも高い倍率により、撮像を行うように構成されている、請求項２に記載のレーザ加工装置。
  4. 　前記第１撮像部および前記第２撮像部の各々により同じ撮像対象を撮像した画像に基づいて、前記レンズ切替部による前記複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差を補正する制御部をさらに備える、請求項１に記載のレーザ加工装置。
  5. 　前記撮像対象は、前記ウエハに設けられたアライメントマークを含み、
    　前記制御部は、前記ウエハのアライメントのための前記第１撮像部または前記第２撮像部による前記アライメントマークの撮像動作と並行して、前記レンズ切替部による前記複数のレンズの切り替えに起因する位置誤差の補正のための前記アライメントマークの撮像動作を行うように構成されている、請求項４に記載のレーザ加工装置。
  6. 　前記レンズ切替部は、前記複数のレンズを移動させるモータと、前記複数のレンズの位置に関する情報を出力するエンコーダとを含み、前記エンコーダの出力に基づいて前記モータが駆動されることにより、前記複数のレンズが位置決めされるように構成されている、請求項１に記載のレーザ加工装置。
  7. 　前記モータは、ダイレクトドライブモータを含む、請求項６に記載のレーザ加工装置。
  8. 　前記レンズ切替部は、回転により前記複数のレンズを切り替えるように構成されている、請求項１に記載のレーザ加工装置。
  9. 　前記第２撮像部は、前記複数のレンズのうち、前記レーザ照射部に最も近い前記レンズの上方に配置されており、
    　前記レンズ切替部は、前記第２撮像部の下方に位置する前記レンズを切り替えることによって、倍率を変更するように構成されている、請求項１に記載のレーザ加工装置。
  10. 　複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザを照射するレーザ照射部と、前記ウエハを撮像する第１撮像部と、前記第１撮像部とは別個に設けられ、前記ウエハを撮像する第２撮像部と、前記第２撮像部に設けられ、倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替えるレンズ切替部と、を備えるレーザ加工装置により製造される、半導体チップ。
  11. 　複数の半導体チップが設けられたウエハに対してレーザをレーザ照射部により照射する工程と、
    　前記ウエハを第１撮像部により撮像する工程と、
    　前記第１撮像部とは別個に設けられた第２撮像部により前記ウエハを撮像する工程と、
    　前記第２撮像部に設けられたレンズ切替部により倍率が互いに異なる複数のレンズを切り替える工程と、を備える、半導体チップの製造方法。
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