WO2022239475A1

WO2022239475A1 - エアロゾル生成装置の電源ユニット

Info

Publication number: WO2022239475A1
Application number: PCT/JP2022/012265
Authority: WO
Inventors: 達也青山; 拓嗣川中子; 徹長浜; 貴司藤木; 亮吉田
Original assignee: 日本たばこ産業株式会社
Priority date: 2021-05-10
Filing date: 2022-03-17
Publication date: 2022-11-17

Abstract

エアロゾル生成装置の電源ユニットは、電源と、電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、電源の温度を測定するための温度センサと、電源からヒータへの電力の供給の制御と、温度センサによって測定された電源の温度の監視とを行う保護制御部と、を備える。保護制御部は、電源の温度が正常範囲外にある場合に、電源の充電と、電源からヒータへの電力の供給との少なくとも一方を、少なくとも一時的に制限する。保護制御部は、ヒータの加熱を開始する際に、正常範囲の上限値を上昇することと、電源の充電を開始する際に、正常範囲の下限値を上昇することと、の少なくとも一方を行う。

Description

エアロゾル生成装置の電源ユニット

　本発明は、エアロゾル生成装置の電源ユニットに関する。

　電子たばこ等のエアロゾル生成装置はエアロゾルを形成するための液体を加熱するための構成を有している。特許文献１には、バッテリの温度管理の具体的な方法が記載されている。

特開２０１７－５１８７３３号公報

　特許文献１の電源の温度管理には改善の余地がある。本発明の一部の側面は、エアロゾル生成装置の電源ユニットの電源を適切に管理するための技術を提供することを目的とする。

　第１態様によれば、エアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　電源と、
　前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、
　前記電源の温度を測定するための温度センサと、
　前記電源から前記ヒータへの電力の供給の制御と、前記温度センサによって測定された前記電源の温度の監視とを行う保護制御部と、
を備え、
　前記保護制御部は、前記電源の温度が正常範囲外にある場合に、前記電源の充電と、前記電源から前記ヒータへの電力の供給との少なくとも一方を、少なくとも一時的に制限し、
　前記保護制御部は、
　　前記ヒータの加熱を開始する際に、前記正常範囲の上限値を上昇することと、
　　前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇することと、
の少なくとも一方を行う、電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、電源を適切に保護できる。具体的に、電源の充放電中は、電源の内部抵抗によって電源が発熱する。そのため、ヒータの加熱前に正常範囲の上限値を低くすることによって、ヒータの加熱中に電源が正常範囲を上回ることを抑制しやすくなる。電源の充電時に電源が低温であると、電析が生じやすくなる。電源の充電を開始する際に電源の温度の正常範囲の下限値を上昇することによって、電析の発生を抑制しやすくなる。

　第２態様によれば、前記保護制御部は、
　　前記ヒータの加熱を開始する際に、前記正常範囲の上限値を上昇することと、
　　前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇することと、
の両方を行う、第１態様に記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、電源の高温と低温との両方について、電源を適切に保護できる。

　第３態様によれば、前記電源の充電を開始する際の前記正常範囲の下限値の上昇幅は、前記ヒータへの電力の供給を開始する際の前記正常範囲の上限値の上昇幅よりも大きい、第２態様に記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、低温な電源の充電が抑制されることで、電析の発生がより抑制されやすくなる。これにより、電源ユニットの安全性がいっそう向上する。

　第４態様によれば、前記保護制御部は、前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇する、第１態様に記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、電源の充電の開始前に電源の温度の正常範囲の下限値を低くすることによって、電析の発生を抑制できる。

　第５態様によれば、前記正常範囲の下限値は、前記電源の充電中に最大となる、第４態様に記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、充電中以外に、電源の温度に関する保護が過度に行われることを抑制できる。

　第６態様によれば、前記電源ユニットは、前記ヒータの加熱中以外の状態において、前記正常範囲の上限値が最大となる、第１態様乃至第５態様の何れか１つに記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、ヒータの加熱中以外に、電源の温度に関する保護が過度に行われることを抑制できる。

　第７態様によれば、前記電源ユニットは、ユーザの操作に応じて信号を前記保護制御部に供給する操作部をさらに備え、
　前記保護制御部が前記操作部からの信号を待機中の前記正常範囲の上限値は、前記ヒータの加熱中の前記正常範囲の上限値よりも高い、第１態様乃至第６態様の何れか１つに記載の電源ユニットが提供される。

　第８態様によれば、前記保護制御部は、前記電源の温度が、前記正常範囲の上限値よりも高い上限温度よりも高い場合に、前記電源の充放電を永久に禁止する故障状態に前記電源ユニットを遷移する、第１態様乃至第７態様の何れか１つに記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、電源の温度が過度に上昇した場合には、電源ユニットが故障状態へ遷移することで、さらなる電源温度の上昇が抑制される。これにより、電源ユニットの安全性を向上できる。

　第９態様によれば、前記保護制御部は、動作状態によらず、前記電源の温度が前記上限温度よりも高い場合に、前記電源ユニットを前記故障状態に遷移する、第８態様に記載の電源ユニットが提供される。

　この態様によれば、電源ユニットの安全性をいっそう向上できる。

　第１形態によれば、エアロゾル生成装置の電源ユニットの電源を適切に管理できる。

　本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。

一部の実施形態のエアロゾル生成装置の電源ユニットの外観例を示す図。一部の実施形態の電源ユニットの内部構成例を示す斜視図。一部の実施形態の電源ユニットの全体的な回路構成例を示す図。一部の実施形態の保護制御部の構成例を説明する図。一部の実施形態のバッテリの監視条件集合の例を説明する図。一部の実施形態のＭＣＵによるバッテリ監視動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のＭＣＵによるバッテリ監視動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のバッテリ監視回路によるバッテリ監視動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のバッテリ監視回路によるバッテリ監視動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のＭＣＵによる割り込み動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態の保護回路によるバッテリ監視動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のバッテリの深放電判定動作の例を説明するフロー図。一部の実施形態のバッテリの温度の正常範囲の例を説明する図。

　以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明に必須のものとは限らない。実施形態で説明されている複数の特徴のうち二つ以上の特徴は任意に組み合わされてもよい。また、同一若しくは同様の構成には同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

　図１には、本発明の一実施形態に係るエアロゾル生成装置の電源ユニット１の構成例を模式的に示した外観斜視図である。電源ユニット１は、角が丸められた略直方体形状のケース２を有する。ケース２は、電源ユニット１の表面を構成する。ここでは便宜上、図１（ａ）に示す面を正面、図１（ｂ）に示す面を背面とする。また、図１（ｃ）に示す面を底面、図１（ｄ）に示す面を天面とする。

　電源ユニット１は、ケース（筐体）２と、ケース２に着脱可能なフロントパネル１１とを有する。図１（ｆ）は、図１（ａ）の状態からフロントパネル１１を外した状態を示している。また、図１（ｇ）は、フロントパネル１１を内側から見た状態を示している。フロントパネル１１は、ケース２の正面カバーとして機能し、ユーザが自由に交換して外観をカスタマイズすることを可能にする。

　フロントパネル１１の内面と、ケース２の正面とのそれぞれには、対向する位置に２対のマグネット１４Ａ及び１４Ｂと、マグネット１５Ａ及び１５Ｂとが設けられている。マグネット１４Ａと１５Ａとが引き合い、マグネット１４Ｂと１５Ｂとが引き合うことにより、磁力によってフロントパネル１１がケース２の正面に保持される。

　また、ケース２の正面には押下可能なスイッチＳＷと、発光部ＮＵとが設けられている。フロントパネル１１の内面には、スイッチＳＷと対向する位置に凸部１６が設けられている。フロントパネル１１を装着した状態でフロントパネル１１の中央付近１２を押下することにより、凸部１６を通じてスイッチＳＷを間接的に押下することができる。なお、フロントパネル１１を外した状態でスイッチＳＷを直接的に押下することもできる。発光部ＮＵには複数の発光素子（例えばＬＥＤ）が一列に配置される。発光部ＮＵの状態はフロントパネル１１に設けられた窓１９を通じて観察することができる。

　ケース２の天面には開閉可能なスライダ１３が設けられている。スライダ１３を矢印方向に移動させると、図１（ｅ）に示すようにヒータチャンバ１７が現れる。図１（ｅ）では便宜上スライダ１３を図示していない。ヒータチャンバ１７は水平断面が楕円形（長丸長方形）を有する筒状の空間であり、ヒータチャンバ１７に挿入されるスティック又はカートリッジを加熱する。スティックは円筒形状であり、水平断面の直径をヒータチャンバ１７の水平断面の短径よりも大きくする。これにより、ヒータチャンバ１７に挿入される際にスティックが径方向に圧縮されるため、スティックの外表面とヒータチャンバ１７との接触性が高まる上、接触面積が増大する。したがって、スティックを効率良く加熱することができる。これにより、スティックから生成されるエアロゾルの量や香味を向上させることができる。

　電源ユニット１は、フロントパネル１１が装着された状態でスライダ１３がヒータチャンバ１７を露出する位置に移動され、スイッチＳＷが所定時間（例えば数秒）連続して押下されたことが検出されると、加熱開始指示と見なして加熱動作を開始する。

　なお、ヒータチャンバ１７によって加熱されるスティックは、エアロゾル源のみを含んでもよいし、エアロゾル源と香味物質とを含んでもよい。エアロゾル源は、例えば、グリセリン又はプロピレングリコール等の多価アルコール等の液体を含みうる。具体的一例として、エアロゾル源は、グリセリン及びプロピレングリコールの混合溶液を含みうる。あるいは、エアロゾル源は、薬剤や漢方を含んでもよい。あるいは、エアロゾル源は、メンソールなどの香料を含んでもよい。あるいは、エアロゾル源は、液相のニコチンを含んでもよい。エアロゾル源は、液体であってもよいし、固体であってもよいし、液体及び固体の混合物であってもよい。エアロゾル源に代えて、又はエアロゾル源に加えて、水等の蒸気源が用いられてもよい。スティックはエアロゾル源を担持させるための担持体を含んでもよい。この担持体自身が、固体のエアロゾル源であってもよい。この担持体は、タバコ葉由来の原料を成形したシートを含んでもよい。

　ケース２の底面には外部機器を接続するためのコネクタＵＳＢＣが設けられている。ここではコネクタＵＳＢＣがＵＳＢ　Ｔｙｐｅ－Ｃ規格に準拠したレセプタクルであるものとする。電源ユニット１を充電する場合、コネクタＵＳＢＣに例えばＵＳＢ　ＰＤ規格に従って電力を供給可能な外部機器（ＵＳＢ充電器、モバイルバッテリ、パーソナルコンピュータなど）が接続される。なお、コネクタＵＳＢＣは、ＵＳＢ　Ｔｙｐｅ－Ｃ規格以外の規格に準拠してもよい。なお、コネクタＵＳＢＣに代えて、又はコネクタＵＳＢＣに加えて、非接触充電用の受電コイルを電源ユニット１に設けてもよい。

　図２は、電源ユニット１からケース２を取り除いた状態を模式的に示す斜視図である。図１と同じ構成要素については同じ参照符号を付してある。ヒータユニットＨＴ（以下、単にヒータＨＴという）は、ヒータチャンバ１７の外周に設けられ、電源から供給される電力を消費してヒータチャンバ１７を加熱することによってエアロゾル源を加熱する負荷である。図２では図示していないが、ヒータＨＴは断熱材で覆われている。ヒータＨＴの断熱材又はヒータＨＴそのものに取り付けられているヒータサーミスタＴＨは、ヒータＨＴの温度を間接的に計測する温度センサである。なお、ヒータＨＴを誘導加熱方式としてもよい。この場合、ヒータＨＴには電磁誘導用のコイルが少なくても含まれる。電磁誘導用のコイルから送られる磁場を受け取るサセプタ（金属片）は、ヒータＨＴに含まれていてもよいし、スティックに内蔵されていてもよい。

　パフサーミスタＴＰは、ヒータチャンバ１７の上端部に配置された吸引センサである。エアロゾルが吸引されるとパフサーミスタＴＰで検出される温度が変動することを利用して、吸引を検出することができる。

　ケースサーミスタＴＣは、ケース２の正面の内面近傍に設けられ、ケース温度を検出する。

　バッテリＢＴは充電可能であり、例えばリチウムイオン二次電池である。バッテリＢＴは電源ユニット１の基本的な電力を供給する電源である。バッテリＢＴは製造時に装着され、電源ユニット１はヒータやサーミスタなどを除く大部分の構成要素に電力が供給されている状態（スリープ状態）で出荷される。

　検出器１７０は、スライダ１３の開閉を検知する開閉センサであり、ホール素子を用いた集積回路（ホールＩＣ）であってよい。

　電源ユニット１の回路は、４つの回路基板ＰＣＢ１～ＰＣＢ４に分散配置されている。これにかえて、電源ユニット１の回路は、１つの回路基板に配置されてもよいし、２つ又は３つ以上の回路基板に分散配置されてもよい。

　上述の構成では、電源ユニット１がヒータＨＴを有する。これに代えて、エアロゾル源を含むカートリッジがヒータを有してもよい。この場合に、電源ユニット１はヒータコネクタを有し、このヒータコネクタは、カートリッジが電源ユニット１に取り付けられることによってヒータ側のコネクタに接続される。電源ユニット１は、ヒータコネクタを通じてカートリッジ内のヒータに電力を供給する。

　図３を参照して、電源ユニット１を構成する各部品の動作について説明する。バッテリＢＴの正極は、第１電源コネクタＢＣ＋に電気的に接続され、バッテリＢＴの負極は、第２電源コネクタＢＣ－に電気的に接続される。バッテリＢＴの正極の電位は、保護回路９０のＶＢＡＴ端子、バッテリ監視回路１００のＶＢＡＴ端子、変圧回路１２０のＶＩＮ端子、充電回路２０のＢＡＴ端子、及び、スイッチ回路８０の電位入力端子に供給されうる。

　保護回路９０は、バッテリＢＴから出力される電流が流れる経路に配置された抵抗Ｒ２を使って該経路を流れる電流を計測し、その電流に応じてバッテリＢＴを保護する。保護回路９０は、ＶＢＡＴ端子への入力を使ってバッテリＢＴの出力電圧を計測し、計測された出力電圧に応じてバッテリＢＴを保護する。バッテリ監視回路１００（電源監視回路ともいう）は、バッテリＢＴから出力される電流が流れる経路に配置された抵抗Ｒ１を使って、バッテリＢＴの状態を計測しうる。

　過電圧保護回路１１０は、給電コネクタとしてのコネクタＵＳＢＣから供給される電圧Ｖ_ＢＵＳを受けてＶ_ＵＳＢラインに電圧Ｖ_ＵＳＢを出力する。過電圧保護回路１１０は、コネクタＵＳＢＣから供給される電圧Ｖ_ＢＵＳが規定電圧値を超える電圧であっても、それを規定電圧値まで降下させて過電圧保護回路１１０の出力側に供給する保護回路として機能しうる。この規定電圧値は、ＯＶＬｏ端子へ入力される電圧値に基づいて設定されてもよい。

　変圧回路１２０は、バッテリＢＴから供給される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを変圧してヒータＨＴを駆動するためのヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}を生成するＤＣ／ＤＣコンバータである。変圧回路１２０は、昇圧回路、又は、昇降圧回路、又は、降圧回路でありうる。ヒータＨＴは、エアロゾル源を加熱するように配置される。ヒータＨＴの正側端子は、第１ヒータコネクタＨＣ＋に電気的に接続され、ヒータＨＴの負側端子は、第２ヒータコネクタＨＣ－に電気的に接続されうる。

　ヒータＨＴは、電源ユニット１に対して、破壊しなければ取り外し外すことができない形態（例えば、半田付け）で取り付けられてもよいし、破壊しなくても取り外すことができる形態で取り付けられてもよい。なお、本明細書において、「コネクタ」による電気的接続は、特に断らない限り、破壊しなければ相互に分離することができない形態と、破壊しなくても相互に分離することができる形態とのいずれでもよいものとして説明される。

　ＭＣＵ(Micro Controller Unit)１３０は、プログラムを実行可能なプロセッサ、メモリ、インタフェースなどを備えたプロセッサベースの制御回路であり、電源ユニット１の動作を制御する。ＭＣＵ１３０が実行するプログラムは、内蔵メモリ、不揮発性メモリ７０、又はその両方に存在しうる。

　ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴから供給される電力を使ってエアロゾル源を加熱するためのヒータＨＴへの電力の供給を制御する。他の観点において、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴから供給される電力を使ってエアロゾル源を加熱するためのヒータＨＴの発熱を制御する。更に他の観点において、ＭＣＵ１３０は、ヒータＨＴへの電力の供給及びバッテリＢＴの充電動作を制御する。

　ヒータＨＴを発熱させるとき、ＭＣＵ１３０はスイッチＳＨ及びスイッチＳＳをオンし、スイッチＳＭをオフする。これにより、ヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}が変圧回路１２０からスイッチＳＨを通してヒータＨＴに供給されうる。また、ヒータＨＴの温度あるいは抵抗を計測するとき、ＭＣＵ１３０はスイッチＳＨをオフし、スイッチＳＭ及びスイッチＳＳをオンする。これにより、ヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}は、変圧回路１２０からスイッチＳＭを通してヒータＨＴに供給されうる。

　ヒータＨＴの温度あるいは抵抗値を計測するとき、オペアンプＡ１は、ヒータＨＴの正側端子と負側端子との間の電圧、換言すると、第１ヒータコネクタＨＣ＋と第２ヒータコネクタＨＣ－との間の電圧に応じた出力をＭＣＵ１３０のＰＡ７端子に供給する。オペアンプＡ１は、ヒータＨＴの抵抗値あるいは温度を計測する計測回路として理解されてもよい。

　スイッチＳＭと第１ヒータコネクタＨＣ＋とを電気的に接続する経路には、シャント抵抗ＲＳが配置されうる。シャント抵抗ＲＳの抵抗値は、ヒータＨＴを加熱する期間はスイッチＳＲがオンし、ヒータＨＴの温度あるいは抵抗値を計測する期間はスイッチＳＲがオフするように決定されうる。スイッチＳＲがＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴで構成される場合、スイッチＳＲのドレイン端子はオペアンプＡ１の出力端子へ接続され、スイッチＳＲのゲート端子はシャント抵抗ＲＳと第１ヒータコネクタＨＣ＋の間へ接続され、スイッチＳＲのソース端子はグランド電位へ接続される。スイッチＳＲのゲート端子には、ヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}を主にシャント抵抗ＲＳとヒータＨＴで分圧した値の電圧が入力される。シャント抵抗ＲＳの抵抗値は、この分圧した値がスイッチＳＲの閾値電圧以上になるように決定されうる。また、シャント抵抗ＲＳにより、スイッチＳＨがオフし、且つスイッチＳＭ及びスイッチＳＳがオンの場合にヒータＨＴを流れる電流は、スイッチＳＨ及びスイッチＳＳがオンし、且つスイッチＳＭがオフの場合にヒータＨＴを流れる電流よりも小さくなる。これにより、ヒータＨＴの温度あるいは抵抗を計測するときにヒータＨＴを流れる電流によってヒータＨＴの温度が変化することを抑制できる。

　ロードスイッチ１０は、ＯＮ端子にローレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に切断し、ＯＮ端子にハイレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に接続し、ＶＯＵＴ端子からＶ_ＣＣ５ラインに電圧Ｖ_ＣＣ５を出力する。電圧Ｖ_ＣＣ５の電圧値は、例えば５．０［Ｖ］である。Ｖ_ＣＣ５ラインは、後述する充電回路２０のＶＢＵＳ端子及びＶＡＣ端子と、発光部ＮＵとへ接続される。なお、ロードスイッチ１０のＯＮ端子には、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子が接続される。このバイポーラトランジスタのエミッタ端子はグランド電位へ接続され、ベース端子はＭＣＵ１３０のＰＣ９端子へ接続される。つまり、ＭＣＵ１３０は、ＰＣ９端子の電位を調整することで、バイポーラトランジスタを介してロードスイッチ１０の開閉を制御できる。

　充電回路２０は、充電モードを有する。充電モードにおいて充電回路２０は、ＳＹＳ端子とＢＡＴ端子とを内部で電気的に接続する。これにより、Ｖ_ＣＣ５ラインを介してＶＢＵＳ端子へ供給される電圧Ｖ_ＣＣ５を使って、ＢＡＴ端子から第１導電路ＰＴ１を介してバッテリＢＴに充電電圧を供給しうる。充電回路２０は、電圧Ｖ_ＣＣ５を降圧することで適切な充電電圧を生成することが好ましい。充電モードは、／ＣＥ端子にローレベルが供給されることによってイネーブルあるいは起動されうる。Ｖ_ＣＣラインは、後述する変圧回路３０のＶＩＮ端子とＥＮ端子へ接続される。

　充電回路２０は、パワーパス機能を有しうる。パワーパス機能が有効に設定されている場合、充電回路２０は、Ｖ_ＣＣ５ラインを介してＶＢＵＳ端子に供給される電圧Ｖ_ＣＣ５を使って、又は、バッテリＢＴから第１導電路ＰＴ１を介してＢＡＴ端子に供給される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを使って、Ｖ_ＣＣラインに電圧Ｖ_ＣＣを供給する。具体的には、充電回路２０は、電圧Ｖ_ＵＳＢが利用可能な状態においてパワーパス機能が有効に設定されている場合、ＶＢＵＳ端子とＳＷ端子とを内部で電気的に接続し、Ｖ_ＣＣ５ラインを介して供給される電圧Ｖ_ＣＣ５を使って、Ｖ_ＣＣラインに電圧Ｖ_ＣＣを供給する。また、充電回路２０は、電圧Ｖ_ＵＳＢが利用不能な状態においてパワーパス機能が有効に設定されている場合、ＢＡＴ端子とＳＷ端子とを内部で電気的に接続し、バッテリＢＴから第１導電路ＰＴ１を介してＢＡＴ端子に供給される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを使って、Ｖ_ＣＣラインに電圧Ｖ_ＣＣを供給する。

　充電回路２０は、ＯＴＧ（Ｏｎ－Ｔｈｅ－ＧＯ）機能を有する。ＯＴＧ機能が有効に設定されている場合、充電回路２０は、バッテリＢＴから第１導電路ＰＴ１を介してＢＡＴ端子に供給される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを使って、ＶＢＵＳ端子からＶ_ＣＣ５ラインに電圧Ｖ_ＣＣ５を供給する。電源電圧Ｖ_ＢＡＴから電圧Ｖ_ＣＣ５を生成する場合、発光部ＮＵへ供給される電圧が、電圧Ｖ_ＵＳＢから電圧Ｖ_ＣＣ５を生成する場合と同程度又は同じになるように、充電回路２０は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して電圧Ｖ_ＣＣ５を供給することが好ましい。このような構成とすることで、発光部ＮＵの動作が安定する。／ＣＥ端子にハイレベルが供給されると、充電回路２０は、パワーパス機能及びＯＴＧ機能のうちデフォルトで設定されている機能、又は、ＭＣＵ１３０によって有効に設定された一方の機能を用いて動作しうる。

　変圧回路３０は昇圧回路、又は、昇降圧回路、又は、降圧回路でありうるＤＣ／ＤＣコンバータであり、Ｖ_ＣＣラインに電圧Ｖ_ＣＣが供給されることによってイネーブルされる。具体的には、変圧回路３０は、ＥＮ端子へハイレベルの信号が入力されることによってイネーブルされる。ＶＩＮ端子及びＥＮ端子はＶ_ＣＣラインへ接続されていることから、変圧回路３０は、Ｖ_ＣＣラインに電圧Ｖ_ＣＣが供給されることによってイネーブルされる。変圧回路３０は、ＶＯＵＴ端子からＶ_{ＣＣ３３＿０}ラインに電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}を供給する。電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}の電圧値は、例えば、３．３［Ｖ］である。Ｖ_{ＣＣ３３＿０}ラインは、後述するロードスイッチ４０のＶＩＮ端子、後述するリブートコントローラ５０のＶＩＮ端子及びＲＳＴＢ端子、ＦＦ２のＶＣＣ端子及びＤ端子へ接続される。

　ロードスイッチ４０は、ＯＮ端子にローレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に切断し、ＯＮ端子にハイレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に接続し、ＶＯＵＴ端子からＶ_ＣＣ３３ラインに電圧Ｖ_ＣＣ３３を出力する。電圧Ｖ_ＣＣ３３の電圧値は、例えば、３．３［Ｖ］である。Ｖ_ＣＣ３３ラインは、後述するロードスイッチ６０のＶＩＮ端子、不揮発性メモリ７０のＶＣＣ端子、後述するバッテリ監視回路１００のＶＤＤ端子及びＣＥ端子、ＭＣＵ１３０のＶＤＤ端子、後述する検出器１４０のＶＤＤ端子、後述するシュミットトリガ回路１５０のＶＣＣ端子、後述する通信インタフェース回路１６０のＶＣＣ＿ＮＲＦ端子、後述する検出器１７０のＶＤＤ端子、ＦＦ１のＶＣＣ端子及びＤ端子、オペアンプＡ１の正電源端子、後述するオペアンプＡ２の正電源端子、後述するオペアンプＡ３の正電源端子とへ接続される。ロードスイッチ４０のＶＩＮ端子は、変圧回路３０のＶＯＵＴ端子に電気的に接続され、変圧回路３０から電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}が供給される。電源ユニット１の回路基板を複雑にしないため、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}の電圧値と電圧Ｖ_ＣＣ３３の電圧値は、略等しいことが好ましい。

　リブートコントローラ５０は、ＳＷ１端子及びＳＷ２端子にローレベルが所定時間にわたって供給されたことに応じて、ＲＳＴＢ端子からローレベルを出力する。ＲＳＴＢ端子は、ロードスイッチ４０のＯＮ端子に電気的に接続されている。したがって、リブートコントローラ５０のＳＷ１端子及びＳＷ２端子にローレベルが所定時間にわたって供給されたことに応じて、ロードスイッチ４０は、ＶＯＵＴ端子からの電圧Ｖ_ＣＣ３３の出力を停止する。ロードスイッチ４０のＶＯＵＴ端子からの電圧Ｖ_ＣＣ３３の出力が停止すると、ＭＣＵ１３０のＶＤＤ端子（電源端子）に対する電圧Ｖ_ＣＣ３３の供給が絶たれるので、ＭＣＵ１３０は、動作を停止する。

　ここで、フロントパネル１１が電源ユニット１から取り外されると、検出器１４０からシュミットトリガ回路１５０を介してリブートコントローラ５０のＳＷ２端子にローレベルが供給される。また、スイッチＳＷが押下されると、リブートコントローラ５０のＳＷ１端子にローレベルが供給される。よって、フロントパネル１１が電源ユニット１から取り外された状態（図１（ｆ）の状態）でスイッチＳＷが押下されると、リブートコントローラ５０のＳＷ１端子及びＳＷ２端子にローレベルが供給される。リブートコントローラ５０は、ＳＷ１端子及びＳＷ２端子にローレベルが所定時間（例えば数秒間）継続して供給されると、電源ユニット１に対するリセットあるいは再起動の指令が入力されたものと認識する。リブートコントローラ５０は、ＲＳＴＢ端子からローレベルを出力した後に、ＲＳＴＢ端子からローレベルを出力しないようにすることが好ましい。リブートコントローラ５０がＲＳＴＢ端子からローレベルを出力すると、ロードスイッチ４０のＯＮ端子にローレベルが入力され、ロードスイッチ４０はＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に切断し、Ｖ_ＣＣ３３ラインに電圧Ｖ_ＣＣ３３が出力されなくなる。これにより、ＭＣＵ１３０は動作を停止する。その後、リブートコントローラ５０がＲＳＴＢ端子からローレベルを出力しないようになると、ハイレベルの電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}がロードスイッチ４０のＯＮ端子へ入力されるため、ロードスイッチ４０はＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に接続し、ＶＯＵＴ端子からＶ_ＣＣ３３ラインに電圧Ｖ_ＣＣ３３を再び出力する。これにより、動作を停止したＭＣＵ１３０が再起動できる。

　ロードスイッチ６０は、ＯＮ端子にローレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に切断し、ＯＮ端子にハイレベルが入力されているときは、ＶＩＮ端子とＶＯＵＴ端子とを電気的に接続し、ＶＯＵＴ端子からＶ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}ラインに電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}を出力する。電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}の電圧値は、例えば、３．３［Ｖ］である。Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}ラインは、後述するパフサーミスタＴＰ、後述するヒータサーミスタＴＨ、後述するケースサーミスタＴＣへ接続される。ロードスイッチ６０のＯＮ端子は、ＭＣＵ１３０のＰＣ１１端子に電気的に接続されている。ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープモードに移行する際にＰＣ１１端子の論理レベルをハイレベルからローレベルに遷移させ、電源ユニット１をスリープモードからアクティブモードに移行する際にＰＣ１１端子の論理レベルをローレベルからハイレベルに遷移させる。換言すれば、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}はスリープモードでは利用できず、スリープモードからアクティブモードに移行する際に利用できるようになる。電源ユニット１の回路基板を複雑にしないため、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}の電圧値と電圧Ｖ_ＣＣ３３の電圧値は、略等しいことが好ましい。

　電源ユニット１は、ユーザによるパフ（吸引）動作を検出するためのパフセンサを構成するパフサーミスタＴＰ（例えば、ＮＴＣサーミスタ又はＰＴＣサーミスタ）を備えることができる。パフサーミスタＴＰは、例えば、パフに伴う空気流路の温度変化を検出するように配置されうる。なお、パフサーミスタＴＰは、パフセンサの具体的一例に過ぎない点に留意されたい。パフサーミスタＴＰに代えて、マイクロフォンコンデンサ、圧力センサ、流量センサ、流速センサなどをパフセンサに用いてもよい。電源ユニット１は、バイブレータＭを備えてもよい。バイブレータＭは、例えば、スイッチＳＮをオンさせることによって起動されうる。スイッチＳＮは、トランジスタで構成されてよく、トランジスタのベース又はゲートには、ＭＣＵ１３０のＰＨ０端子から制御信号が供給されうる。なお、電源ユニット１は、バイブレータＭを制御するためのドライバを有していてもよい。

　電源ユニット１は、ヒータＨＴの温度を検出するためのヒータサーミスタＴＨ（例えば、ＮＴＣサーミスタ又はＰＴＣサーミスタ）を備えうる。ヒータＨＴの温度は、ヒータＨＴの近傍の温度を検出することによって間接的に検出されてもよい。オペアンプＡ２は、サーミスタＴＨの抵抗値に応じた電圧、換言すると、ヒータＨＴの温度に応じた電圧を出力しうる。

　電源ユニット１は、電源ユニットの筐体（ケース）２の温度を検出するためのケースサーミスタＴＣ（例えば、ＮＴＣサーミスタ又はＰＴＣサーミスタ）を備えうる。ケース２の温度は、ケース２近傍の温度を検出することによって間接的に検出されてもよい。オペアンプＡ３は、サーミスタＴＣの抵抗値に応じた電圧、換言すると、ケース２の温度に応じた電圧を出力する。

　検出器１４０は、フロントパネル１１が電源ユニット１から取り外されたことを検出するように構成されうる。検出器１４０の出力は、シュミットトリガ回路１５０を介してリブートコントローラ５０のＳＷ２端子及びＭＣＵ１３０のＰＤ２端子に供給されうる。スイッチＳＷの一端は、Ｖ_ＣＣ３３ライン、リブートコントローラ５０のＳＷ１端子、及びＭＣＵ１３０のＰＣ１０端子へ接続されうる。スイッチＳＷの他端はグランド電位へ接続されうる。これにより、スイッチＳＷが押下されるとリブートコントローラ５０のＳＷ１端子及びＭＣＵ１３０のＰＣ１０端子にローレベルが供給され、スイッチＳＷが押下されないとリブートコントローラ５０のＳＷ１端子及びＭＣＵ１３０のＰＣ１０端子にハイレベルが供給されうる。

　検出器１７０は、スライダ１３の開閉を検出するように構成されうる。検出器１７０の出力は、ＭＣＵ１３０のＰＣ１３端子に供給されうる。検出器１４０及び１７０は、例えば、ホール素子を用いた集積回路（ホールＩＣ）で構成されうる。

　通信インタフェース回路１６０は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の外部機器と無線通信する機能をＭＣＵ１３０に提供する。通信インタフェース回路１６０は、例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）など、任意の無線通信規格の１つ以上に準拠した通信インタフェース回路であってよい。

　ＦＦ１及びＦＦ２は、異常が検出されたか否かを示す１ビットの情報（０又は１）をローレベル又はハイレベルとして保持する保持回路である。ＦＦは、フリップフロップの略語である。ＦＦ２は、保持している情報の値を反転した値を、／Ｑ端子から出力する。また、ＦＦ１は、保持している情報の値を、Ｑ端子から出力する。ＦＦ１及びＦＦ２は、Ｄ型のフリップフロップＩＣであることが好ましい。

　ＦＦ１及びＦＦ２は、／ＣＬＲ端子を有し、／ＣＬＲ端子の入力レベルがハイレベルからローレベルに変化すると、保持している情報の値を０（ローレベル）に初期化する。なお、／ＣＬＲ端子の入力レベルのローレベルからハイレベルへの変化は、保持している情報の値に影響を与えない。

　本実施形態において、ＦＦ１とＦＦ２とには、異なる電源ラインによって電力が供給される。すなわち、ＦＦ１のＶＣＣ端子（電源端子）には電圧Ｖ_ＣＣ３３が供給され、ＦＦ２のＶＣＣ端子（電源端子）には電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}が供給される。ＭＣＵ１３０の電源である電圧Ｖ_ＣＣ３３がリセット動作において一時的に供給されなくなる間も、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}は継続して供給される。そのため、ＦＦ２が保持する情報（Ｑ及び／Ｑ端子の出力）は電源ユニット１のリセット動作が実行されても消えることなく保持される。一方、ＦＦ１にはＭＣＵ１３０に電力を供給する電源ラインによって電力が供給されるため、ＦＦ１が保持する情報はリセット動作時に消去される。

　ＦＦ１及びＦＦ２において、ＶＣＣ端子への入力はＤ端子にも入力されている。そのため、ＦＦ１及びＦＦ２が動作している間、Ｄ端子には常にハイレベルが入力されている。ＦＦ１及びＦＦ２は図示しない同期端子を有し、同期端子の入力がローレベルからハイレベルに変化すると、Ｄ端子の入力レベルを保持する。電源ユニット１が正常に動作している場合、ＦＦ１及びＦＦ２はハイレベルを保持する。

　オペアンプＡ２の反転入力にはヒータサーミスタＴＨの抵抗値に応じて変化する電圧が供給され、非反転入力には基準電圧が供給される。この基準電圧は、ヒータＨＴが過加熱していない状態では非反転入力の電圧が反転入力の電圧よりも高くなり、ヒータＨＴが過加熱している状態では反転入力の電圧が非反転入力の電圧よりも高くなるように設計されている。したがって、オペアンプＡ２の出力は、ヒータＨＴが過加熱していない状態（正常状態）ではハイレベルとなり、ヒータＨＴが過加熱している状態（異常状態）ではローレベルとなる。

　オペアンプＡ２の出力は、ＦＦ２の／ＣＬＲ端子に接続されている。また、オペアンプＡ２の出力は、逆方向のダイオードを介してＦＦ１のＤ端子及び／ＣＬＲ端子にも接続されている。換言すれば、当該ダイオードのカソードへオペアンプＡ２の出力が接続され、当該ダイオードのアノードへＦＦ１のＤ端子及び／ＣＬＲ端子が接続されている。ヒータＨＴの温度が正常状態であれば、ＦＦ２の／ＣＬＲ端子の入力はハイレベルとなる。／ＣＬＲ端子の入力がハイレベルの場合、ＦＦ２のＱ端子の出力は初期状態を維持する。つまり、DD2のQ端子は、ハイレベルを出力する。ＦＦ２のＤ端子には電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}が入力されており、起動時に異常がなければＦＦ２は初期状態でＤ端子の入力レベルを保持する。したがって、ヒータＨＴの温度が正常状態であれば、ＦＦ２のＱ端子出力はハイレベルであり、／Ｑ端子出力はローレベルである。

　ヒータＨＴが過加熱の状態になると、オペアンプＡ２の出力がローレベルに変化する。これにより、ＦＦ２の／ＣＬＲ端子の入力がローレベルに変化する。／ＣＬＲ端子がローレベルになると、ＦＦ２は強制的に初期化され、Ｑ端子の出力がローレベル、／Ｑ端子の出力がハイレベルとなる。ＦＦ２の／Ｑ端子の出力はＭＣＵ１３０のＰＢ１４端子に供給される。そのため、ＭＣＵ１３０は、ＰＢ１４端子に入力される信号がローレベルからハイレベルに切り替わったことに応じて、ヒータＨＴが過加熱の状態であることを検知できる。

　ケースサーミスタＴＣは、ケース２の内面に近接する位置に配置される。又は、ケースサーミスタＴＣは、ケース２の内面に接する位置に配置される。ケース２の実温度とケースサーミスタＴＣの抵抗値との関係を事前に計測しておくことにより、ケースサーミスタＴＣの抵抗値をケース２の温度として用いることができる。

　オペアンプＡ３の反転入力には、ケースサーミスタＴＣの抵抗値に応じて変化する電圧が供給され、非反転入力には基準電圧が供給される。この基準電圧は、電源ユニット１のケース２が高温ではない状態では非反転入力の電圧が反転入力の電圧よりも高くなり、ケース２が高温である状態では反転入力の電圧が非反転入力の電圧よりも高くなるように設計されている。したがって、オペアンプＡ３の出力は、ケース２が高温ではない状態（正常状態）ではハイレベルとなり、ケース２が高温である状態（異常状態）ではローレベルとなる。

　オペアンプＡ３の出力は、ＦＦ１の／ＣＬＲ端子及びＤ端子に接続されている。ケース２の温度が正常状態であれば、ＦＦ１の／ＣＬＲ端子の入力はハイレベルとなる。／ＣＬＲ端子の入力がハイレベルの場合、ＦＦ１のＱ端子の出力は初期状態を維持する。ＦＦ１のＤ端子には電圧Ｖ_ＣＣ３３が入力されており、起動時に異常がなければＦＦ１は初期状態でＤ端子の入力レベルを保持する。したがって、ケース２の温度が正常状態であれば、ＦＦ１のＱ端子からの出力はハイレベルである。ケース２が高温になると、オペアンプＡ３の出力がローレベルに変化する。これにより、ＦＦ１の／ＣＬＲ端子の入力がローレベルに変化する。／ＣＬＲ端子がローレベルになると、ＦＦ１は強制的に初期化され、Ｑ端子の出力がローレベルとなる。ＦＦ１のＱ端子からの出力は、ＭＣＵ１３０のＰＡ１０端子と、スイッチＳＬのベースとに供給される。そのため、ＭＣＵ１３０は、ＰＡ１０端子に入力される信号がハイレベルからローレベルに切り替わったことに応じて、ケース２が高温であることを検知できる。また、ＦＦ１のＱ端子からの出力はハイレベルからローレベルに切り替わると、スイッチＳＬがオンする。スイッチＳＬのコレクタは充電回路２０の／ＣＥ端子へ接続され、スイッチＳＬのエミッタはＶ_ＣＣ３３ラインへ接続されている。スイッチＳＬがオンすると、充電回路２０の／ＣＥ端子には電圧Ｖ_ＣＣ３３が入力される。これによって、充電回路２０の／ＣＥ端子に供給される信号がハイレベルに切り替わり、充電回路２０は動作を停止する。

　図４は、図３を用いて説明した構成要素のうち、バッテリＢＴに関する情報に基づいて電源ユニット１を保護するための動作に係わる構成を抜き出して記載した回路図である。以下、電源ユニット１を保護するための動作を、単に保護動作と表す。保護動作は、例えばバッテリＢＴに流れる電流を停止するような直接的な動作と、他の回路に対してこのような直接的な動作を実行するように要求する信号を送信する間接的な動作との両方を含んでもよい。保護動作は、以下に詳細に説明するように、バッテリＢＴの充電と、バッテリＢＴからヒータＨＴへの電力供給との少なくとも一方を、少なくとも一時的に制限することを含んでもよい。これらのバッテリＢＴに関する動作の制限とは、この動作を完全に行えなくすること（例えば、充電量又は供給量をゼロにすること）を含んでもよく、この動作を部分的に行えなくすること（例えば、充電量又は供給量を減少すること）を含んでもよい。保護動作によって保護される電源ユニット１の構成要素は、バッテリＢＴ、ＭＣＵ１３０など、任意の構成要素であってもよい。以下に説明する実施形態では、ＭＣＵ１３０、バッテリ監視回路１００、保護回路９０、ＦＦ１、及び充電回路２０のそれぞれが個別の保護動作を実行する。これらの保護動作のための構成要素をまとめて、保護制御部２００と表す。保護制御部２００に含まれるＭＣＵ１３０、バッテリ監視回路１００、保護回路９０、ＦＦ１、及び充電回路２０は、互いに別個の回路で構成される。

　保護回路９０は、バッテリＢＴに流れる電流と、バッテリＢＴの電圧とを測定する。具体的に、保護回路９０のＣＳ端子は抵抗Ｒ２の一端に接続されており、保護回路９０のＶＳＳ端子は抵抗Ｒ２の他端に接続されている。抵抗Ｒ２の抵抗値は保護回路９０に事前に記憶されている。保護回路９０は、ＶＳＳ端子とＣＳ端子との間の電圧を抵抗Ｒ２の抵抗値で除算することによって、抵抗Ｒ２を流れる電流を測定する。抵抗Ｒ２は、バッテリＢＴの負極が接続される第２電源コネクタＢＣ－に接続されている。そのため、抵抗Ｒ２を流れる電流は、バッテリＢＴを流れる電流に相関を有する。保護回路９０は、ＶＳＳ端子の電位とＣＳ端子の電位との大小を比較することによって、抵抗Ｒ２を流れる電流の方向を判定できる。これによって、保護回路９０は、バッテリＢＴが充電中であるか放電中であるかを判定できる。

　保護回路９０のＶＢＡＴ端子は、バッテリＢＴの正極が接続される第１電源コネクタＢＣ＋に接続されており、保護回路９０のＶＳＳ端子は、バッテリＢＴの負極が接続される第２電源コネクタＢＣーに接続されている。そのため、保護回路９０のＶＢＡＴ端子とＶＳＳ端子との間の電圧は、バッテリＢＴの電圧（電源電圧Ｖ_ＢＡＴ）に等しい。そこで、保護回路９０は、ＶＢＡＴ端子の電圧を測定することによって、バッテリＢＴの電圧を測定可能である。

　保護回路９０は、ＤＯＵＴ端子からの出力をハイレベルからローレベルに切り替えることによって、スイッチＳＤをオフできる。スイッチＳＤのゲートは、保護回路のＤＯＵＴ端子に電気的に接続されている。スイッチＳＤのゲートはスイッチＳＤの制御端子として機能する。スイッチＳＤは、ゲートへの入力に基づいて、自身の導通状態を切り替える。スイッチＳＤがオフになると、バッテリＢＴが放電するための電流経路が遮断されるため、バッテリＢＴからの放電が制限される。このように、スイッチＳＤは、放電遮断スイッチとして機能する。

　保護回路９０は、ＣＯＵＴ端子からの出力をハイレベルからローレベルに切り替えることによって、スイッチＳＣをオフできる。スイッチＳＣのゲートは、保護回路のＣＯＵＴ端子に電気的に接続されている。スイッチＳＣのゲートはスイッチＳＣの制御端子として機能する。スイッチＳＣは、ゲートへの入力に基づいて、自身の導通状態を切り替える。スイッチＳＣがオフになると、バッテリＢＴを充電するための電流経路が遮断されるため、バッテリＢＴへの充電が制限される。このように、スイッチＳＣは、充電遮断スイッチとして機能する。保護回路９０は、動作中に、ＤＯＵＴ端子からの出力及びＣＯＵＴ端子からの出力をハイレベルに維持し、バッテリＢＴの状態が後述する所定の条件を満たした場合に、これらの出力からスイッチＳＣ及びＳＤへ供給する制御信号をローレベルに切り替える。

　充電回路２０は、図３を参照して上述したように、バッテリＢＴを充電する機能を有する。充電回路２０のＢＡＴ端子は、バッテリＢＴの正極が接続される第１電源コネクタＢＣ＋に接続されている。充電回路２０は、ＢＡＴ端子からバッテリＢＴへ電力を供給することによってバッテリＢＴを充電する。充電回路２０は、ＢＡＴ端子の電位を監視し、この電位が所定の条件を満たした場合に、バッテリＢＴへの電力の供給を制限する。

　充電回路２０のＳＣＬ端子はＭＣＵ１３０のＰＢ８端子に接続されており、充電回路２０のＳＤＡ端子はＭＣＵ１３０のＰＢ９端子に接続されている。充電回路２０は、ＳＣＬ端子及びＳＤＡ端子を通じて、ＭＣＵ１３０とＩ^２Ｃ通信を行う。具体的に、充電回路２０のＳＣＬ端子を通じてクロックが通信され、充電回路２０のＳＤＡ端子を通じてデータが通信される。データの送信はＭＣＵ１３０と充電回路２０との双方が可能であるから、充電回路２０とＭＣＵ１３０との間で、双方向にデータを通信可能である。

　充電回路２０の／ＣＥ端子には、イネーブル信号が供給される。充電回路２０は、／ＣＥ端子にローレベルが供給されている場合に充電動作を行い、／ＣＥ端子にハイレベルが供給されている場合に充電動作を行わない。

　バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの様々な物理量に関する状態を監視する。一部の実施形態で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度と、バッテリＢＴの電圧と、バッテリＢＴを流れる電流とを監視する。これにかえて、バッテリ監視回路１００は、これらの物理量のうちの一部のみを監視してもよいし、他の物理量を監視してもよい。

　バッテリ監視回路１００のＴＲＥＧ端子と、バッテリＢＴとの負極が接続されるグランド電位との間に、抵抗Ｒ３とバッテリサーミスタＴＢとが直列に接続されている。さらに、バッテリ監視回路１００のＴＨＭ端子は、抵抗Ｒ３とバッテリサーミスタＴＢとの間のノードに接続されている。バッテリサーミスタＴＢは、バッテリＢＴの温度を測定するためのサーミスタ（温度センサ）であり、バッテリＢＴの近傍に配置されている。バッテリサーミスタＴＢの抵抗値は、所定の温度特性に従って変化する。バッテリＢＴの実温度とバッテリサーミスタＴＢの抵抗値との関係は、事前に計測され、バッテリ監視回路１００に事前に記憶されている。また、抵抗Ｒ３の抵抗値もバッテリ監視回路１００に事前に記憶されている。バッテリ監視回路１００は、ＴＲＥＧ端子とＴＨＭ端子との間の電圧又はＴＨＭ端子とＶＳＳ端子との間電圧を測定することによって、バッテリＢＴの温度を測定可能である。

　バッテリ監視回路１００のＶＲＳＭ端子は抵抗Ｒ１の一端に接続されており、バッテリ監視回路１００のＶＲＳＰ端子は抵抗Ｒ１の他端に接続されている。抵抗Ｒ１の抵抗値はバッテリ監視回路１００に事前に記憶されている。バッテリ監視回路１００は、ＶＲＳＭ端子とＶＲＳＰ端子との間の電圧を抵抗Ｒ１の抵抗値で除算することによって、抵抗Ｒ１を流れる電流を測定する。抵抗Ｒ２は、バッテリＢＴの負極が接続される第２電源コネクタＢＣ－に直列に接続されている。そのため、抵抗Ｒ２を流れる電流は、バッテリＢＴを流れる電流に相関を有する。バッテリ監視回路１００は、ＶＲＳＭ端子の電位とＶＲＳＰ端子の電位との大小を比較することによって、抵抗Ｒ１を流れる電流の方向を判定できる。これによって、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴが充電中であるか放電中であるかを判定できる。

　バッテリ監視回路１００のＶＢＡＴ端子は、バッテリＢＴの正極が接続される第１電源コネクタＢＣ＋に接続されており、バッテリ監視回路１００のＶＳＳ端子は、スイッチＳＤ及びＳＣならびに抵抗Ｒ２を介して、第２電源コネクタＢＣーに接続されている。バッテリ監視回路１００のＶＳＳ端子は、グランド電位にも接続されている。そのため、バッテリ監視回路１００のＶＢＡＴ端子とＶＳＳ端子との間の電圧は、バッテリＢＴの電圧に略等しい。そこで、バッテリ監視回路１００は、ＶＢＡＴ端子の電圧を測定することによって、バッテリＢＴの電圧を測定可能である。

　バッテリ監視回路１００のＳＣＬ端子はＭＣＵ１３０のＰＣ０端子に接続されており、バッテリ監視回路１００のＳＤＡ端子はＭＣＵ１３０のＰＣ１端子に接続されている。バッテリ監視回路１００は、ＳＣＬ端子及びＳＤＡ端子を通じて、ＭＣＵ１３０とＩ^２Ｃ通信を行う。具体的に、バッテリ監視回路１００のＳＣＬ端子を通じてクロックが通信され、バッテリ監視回路１００のＳＤＡ端子を通じてデータが通信される。データの送信はＭＣＵ１３０とバッテリ監視回路１００との双方が可能であるから、バッテリ監視回路１００とＭＣＵ１３０との間で、双方向にデータを通信可能である。

　バッテリ監視回路１００のＶＤＤ端子及びＣＥ端子はそれぞれＶ_ＣＣ３３ラインに接続されている。バッテリ監視回路１００のＶＤＤ端子には、バッテリ監視回路１００の動作電力が供給される。バッテリ監視回路１００のＣＥ端子には、イネーブル信号が供給される。バッテリ監視回路１００は、ＣＥ端子にハイレベルが供給されている場合に動作を行い、ＣＥ端子にローレベルが供給されている場合に動作を行わない。そのため、バッテリ監視回路１００は、Ｖ_ＣＣ３３ラインに電圧Ｖ_ＣＣ３３が供給されている間、動作を行う。

　バッテリ監視回路１００のＩＯ５端子は、ＭＣＵ１３０のＰＢ１２端子に接続されている。バッテリ監視回路１００は、ＩＯ５端子を通じて、ＭＣＵ１３０に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を出力する。この信号は、バッテリ監視回路１００からＭＣＵ１３０へ一方向に通信される。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴに関する測定結果が正常である間に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をハイレベルに維持する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴに異常が発生すると、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。そのため、ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号は、エラーを通知するエラー信号とみなされてもよい。バッテリ監視回路１００がＭＣＵ１３０へエラー信号を送信するための具体的な条件については後述する。

　バッテリ監視回路１００のＡＬＥＲＴ端子は、逆方向のダイオードＤ１を介してＦＦ１の／ＣＬＲ端子及びＤ端子に接続されている。換言すれば、ダイオードＤ１のカソードはバッテリ監視回路１００のＡＬＥＲＴ端子へ接続され、ダイオードＤ１のアノードはＦＦ１の／ＣＬＲ端子及びＤ端子へ接続されている。バッテリ監視回路１００は、ＡＬＥＲＴ端子を通じて、ＦＦ１に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を出力する。この信号は、バッテリ監視回路１００からＦＦ１へ一方向に通信される。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴに関する測定結果が正常である間に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号をハイレベルに維持する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴに異常が発生すると、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号をローレベルに切り替える。そのため、ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号は、エラーを通知するエラー信号とみなされてもよい。バッテリ監視回路１００がＦＦ１へエラー信号を送信するための具体的な条件については後述する。

　ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号がハイレベルからローレベルに切り替わると、ＦＦ１の／ＣＬＲ端子及びＤ端子の入力もローレベルとなる。これによって、上述のように、ＦＦ１のＱ端子からの出力もローレベルとなる。

　ＦＦ１のＱ端子は、逆方向のダイオードＤ２を介して、スイッチＳＳのゲートに接続されている。換言すれば、ダイオードＤ２のカソードはＦＦ１のＱ端子へ接続され、ダイオードＤ１のアノードはスイッチＳＳのゲートへ接続されている。ＦＦ１のＱ端子からの出力がローレベルとなると、スイッチＳＳがオフする。スイッチＳＳがオフになると、ヒータＨＴのマイナス端子ＨＣ－がグランド電位から切り離されるため、ヒータＨＴへの通電が遮断される。

　ＦＦ１のＱ端子は、スイッチＳＬのベースにも接続されている。ＦＦ１のＱ端子からの出力がローレベルとなると、スイッチＳＬがオンする。スイッチＳＬがオンになると、抵抗Ｒ６が抵抗Ｒ７との電圧Ｖ_ＣＣ３３の分圧に寄与しなくなり、充電回路２０の／ＣＥ端子の入力が電圧Ｖ_ＣＣ３３と同じハイレベルになるため充電が禁止される。このように、ＦＦ１の出力をローレベルとすることにより、ＭＣＵ１３０を介さずにバッテリＢＴの充放電ならびにヒータＨＴへの通電を禁止し、回路を保護することができる。

　ＦＦ１のＱ端子は、ＭＣＵ１３０のＰＡ１０端子にも接続されている。ＭＣＵ１３０は、ＰＡ１０端子の入力がハイレベルからローレベルに切り替わったことに応じて、ＦＦ１がエラーを通知したことを検知できる。これに応じて、ＭＣＵ１３０は、発光部ＮＵやバイブレータＭによりユーザにリセット動作を行うように促してもよい。

　ＭＣＵ１３０は、上述のように、Ｉ^２Ｃ通信によってバッテリ監視回路１００と通信可能である。ＭＣＵ１３０は、バッテリ監視回路１００からバッテリＢＴに関する情報を取得し、この情報に基づいて保護動作を実行する。

　ＭＣＵ１３０のＰＣ２端子は、抵抗Ｒ４を介してスイッチ回路８０に接続されている。スイッチ回路８０は、ＭＣＵ１３０のＰＢ４端子からの入力がハイレベルとなると導通状態となり、ＭＣＵ１３０のＰＣ２端子とバッテリＢＴの正極との間が導通状態となる。これによって、ＭＣＵ１３０のＰＣ２端子に、抵抗Ｒ４及びＲ５によって分圧された電源電圧Ｖ_ＢＡＴが供給される。以降の説明では、抵抗Ｒ４及びＲ５によって分圧された電源電圧Ｖ_ＢＡＴを、電圧ＡＤＣＢ＋とも記載する。したがって、ＭＣＵ１３０は、ＰＢ４端子の出力をハイレベルに切り替えることによって、バッテリ監視回路１００を介さずにバッテリＢＴの電圧を取得できる。

　図５を参照して、保護制御部２００が保護動作を開始するための条件について説明する。以下に説明するように、保護制御部２００のそれぞれの構成要素、すなわちバッテリ監視回路１００、保護回路９０、及び充電回路２０は、それぞれ個別の条件に従って個別の保護動作を実行する。

　図５のカラム５０１は、保護制御部２００によって監視されるバッテリＢＴの物理量を示す。保護制御部２００は、バッテリＢＴの電流、温度、及び電圧を監視する。カラム５０２は、保護制御部２００による監視内容を示す。保護制御部２００は、バッテリＢＴの電流について、過電流を監視し、バッテリＢＴの温度について、過加熱及び低温を監視し、バッテリＢＴの電圧について、過充電、過放電及び深放電を監視する。深放電とは過放電よりもバッテリＢＴの放電が進行した状態を指すものとする。過放電とは、バッテリＢＴの出力電圧が放電終止電圧を下回った状態を指すものとする。

　図５のカラム５０３は、カラム５０１の物理量を監視するタイミングを示す。「充電」と記載されている行では、充電回路２０によってバッテリＢＴの充電が行われている間のみ、バッテリＢＴの物理量が条件を満たすかどうかが判定される。「放電」と記載されている行では、充電回路２０によってバッテリＢＴの充電が行われていない間のみ、バッテリＢＴの物理量が条件を満たすかどうかが判定される。特に、バッテリＢＴからヒータＨＴに電力が供給されている間（例えば、ヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}がヒータＨＴに印加されている間）に、条件を満たすかどうかが判定されてもよい。「常時」と記載されている行では、充電回路２０によってバッテリＢＴの充電が行われているか否かによらず、バッテリＢＴの物理量が条件を満たすかどうかが判定される。

　カラム５０４は、ＭＣＵ１３０がバッテリＢＴの物理量を周期的に監視し、この監視結果に基づいて保護動作を実行するための条件を表す。後述するように、ＭＣＵ１３０は、Ｉ^２Ｃ通信を介してバッテリ監視回路１００からバッテリＢＴの物理量を周期的に取得し、この取得したバッテリＢＴの物理量に基づいて保護動作を実行する。カラム５０５は、バッテリ監視回路１００がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいてＦＦ１に保護動作の実行を要求するための条件を表す。カラム５０６は、バッテリ監視回路１００がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいてＭＣＵ１３０に保護動作の実行を要求するための条件を表す。後述するように、バッテリ監視回路１００によるＭＣＵ１３０への保護動作の実行の要求は、割り込み信号によって行われる。割り込み信号を受信したＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの物理量の監視を開始する。カラム５０７は、充電回路２０がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいて保護動作を実行するための条件を表す。カラム５０８は、保護回路９０がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいて保護動作を実行するための条件を表す。

　カラム５０３のタイミングと、カラム５０４～５０８のそれぞれの条件との組み合わせによって、保護動作を開始するための条件が規定される。例えば、カラム５０５の一番上の項目は、放電時にバッテリＢＴの電流が１０［Ａ］以上の場合に保護動作が開始されるという条件を規定する。図５には、保護制御部２００が保護動作を開始するための複数の条件が記載されている。これらの条件で構成される集合を、以下では監視条件集合と表し、この集合の各要素を監視条件と表す。保護制御部２００は、監視条件集合に含まれる何れかの監視条件が満たされた場合に、保護動作を実行する。実行される保護動作の内容は、どの監視条件が満たされるかによって異なる。図５に記載された各監視条件における数値が一例であり、他の数値が使用されてもよい。また、保護制御部２００は、監視条件として、図５に示されるものの条件の一部を使用しなくてもよいし、図５に示されない条件を使用してもよい。

　図５における太線の枠は、保護制御部２００が保護動作を実行することによる電源ユニット１の状態の遷移先を示す。実線の枠は、電源ユニット１を故障状態に遷移するための条件を示す。破線の枠は、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するための条件を示す。一点鎖線の枠は、電源ユニット１を接続待機状態に遷移するための条件を示す。

　故障状態とは、電源ユニット１の動作によっても、電源ユニット１を搭載するエアロゾル生成装置のユーザ（以下、単にユーザと表す）による動作によっても、電源ユニット１を正常状態に遷移できない状態のことである。故障状態とは、バッテリＢＴの充放電を永久に禁止する状態のことでもある。正常状態とは、ユーザの動作によって、電源ユニット１によるヒータＨＴの加熱が可能な状態を指してもよい。故障状態は、例えば電源ユニット１を工場で修理することによって解消されうる。故障状態は、永久故障状態と呼ばれてもよい。リセット待機状態とは、ユーザによるリセット動作によって正常状態に遷移可能な状態のことである。リセット動作の具体例については後述する。接続待機状態とは、ユーザがコネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器を接続する動作によって正常状態に遷移可能な状態のことである。リセット待機状態及び接続待機状態は、ユーザによるエラー解消動作を必要とする状態である。そのため、リセット待機状態及び接続待機状態は、ユーザ動作待機状態と総称しうる。ユーザ動作待機状態とは、電源ユニット１の動作によっては正常状態に遷移できないが、ユーザによる動作によって正常状態に遷移可能な状態のことである。すなわち、ユーザ動作滝状態において制限されている電源の放電又は充電の制限を解除するためには、ユーザによる動作を必要とする。

　保護制御部２００が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するための動作と、その解消方法について説明する。保護制御部２００のうち、ＭＣＵ１３０とＦＦ１とがそれぞれ、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移できる。また、保護制御部２００の他の回路は、ＭＣＵ１３０又はＦＦ１に、リセット待機状態への遷移を要求してもよい。

　ＭＣＵ１３０が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するための動作について説明する。ＭＣＵ１３０は、ＭＣＵ１３０のＰＣ１２端子の出力をハイレベルからローレベルに切り替える。これによって、スイッチＳＳがオフし、ヒータＨＴのマイナス端子ＨＣ－がグランド電位から切り離される。ＭＣＵ１３０のＰＣ１２端子は、変圧回路１２０のＥＮ端子にも接続されている。そのため、ＭＣＵ１３０のＰＣ１２端子の出力がハイレベルからローレベルに切り替わると、変圧回路１２０の動作を停止し、ヒータＨＴへのヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}の印加も禁止される。以上の動作によって、バッテリＢＴからヒータＨＴへの電力供給が制限される。さらに、ＭＣＵ１３０は、ＭＣＵ１３０のＰＢ３端子の出力をローレベルからハイレベルに切り替える。これにより、充電回路２０の／ＣＥ端子がハイレベルとなるため、充電回路２０は充電を禁止する。

　続いて、ＦＦ１が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するための動作について説明する。ＦＦ１は、ＦＦ１のＱ端子の出力をハイレベルからローレベルに切り替える。これによって、スイッチＳＳがオフし、ヒータＨＴのマイナス端子ＨＣ－がグランド電位から切り離される。ＦＦ１のＱ端子は、逆方向のダイオードＤ２を介して、変圧回路１２０のＥＮ端子にも接続されている。そのため、ＦＦ１のＤ端子の出力がハイレベルからローレベルに切り替わると、変圧回路１２０の動作を停止し、ヒータＨＴへのヒータ電圧Ｖ_{ＢＯＯＳＴ}の印加も禁止される。以上の動作によって、バッテリＢＴからヒータＨＴへの電力供給が制限される。さらに、ＦＦ１のＤ端子の出力がハイレベルからローレベルに切り替わると、上述したように、充電回路２０の／ＣＥ端子がハイレベルとなるため、充電回路２０は充電を禁止する。
　充電回路２０が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するための動作について説明する。充電回路２０は、バッテリＢＴの電圧Ｖ_ＢＡＴが監視条件を満たした場合に、Ｉ^２Ｃ通信を通じて、ＭＣＵ１３０に、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移するように要求する。この要求に応じて、ＭＣＵ１３０は、上述の動作を実行することによって、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。

　続いて、リセット待機状態を解消するための方法について説明する。本実施形態の電源ユニット１は、（１）フロントパネル１１が外されていること、（２）スイッチＳＷが、加熱開始指示より長い一定時間押下されること、の両方が検出された場合に、ユーザによるリセット動作が行われたものと認識する。

　具体的には、これらの条件はリブートコントローラ５０が検出する。リブートコントローラ５０のＳＷ１端子はスイッチＳＷに接続されており、ＳＷ２端子はフロントパネル１１の着脱を示す信号を出力するシュミットトリガ回路１５０に接続されている。フロントパネル１１が外された状態でスイッチＳＷが押下されると、ＳＷ１端子及びＳＷ２端子の入力が両方ともローレベルになる。この状態が一定時間継続することにより、リブートコントローラ５０は、リセット動作を開始する。

　リブートコントローラ５０は、ＳＷ１端子及びＳＷ２端子の両方がローレベルになった状態が、ユーザ設定可能なリブート遅延時間（例えば１～２０秒）が経過するまで継続するか否かを監視する。リブート遅延時間の間に、ＭＣＵ１３０は、発光部ＮＵとバイブレータＭを用いてリセットをユーザに報知する。

　リブートコントローラ５０は、ＳＷ１端子及びＳＷ２端子の両方がローレベルになった状態がリブート遅延時間だけ継続すると、ＲＳＴＢ端子の出力をローレベルにする。これにより、ロードスイッチ４０のＯＮ端子がローレベルになり、ロードスイッチ４０のＶＯＵＴ端子からの電圧Ｖ_ＣＣ３３と、ロードスイッチ６０のＶＯＵＴ端子からの電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}の供給が停止する。これにより、ＭＣＵ１３０への電力供給が断たれ、ＭＣＵ１３０は動作を停止する。

　リブートコントローラ５０は、ＲＳＴＢ端子をローレベルにしてから所定時間（例えば０．４秒）経過すると、自動的にＲＳＴＢ端子をローレベルにしなくなる。これにより、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}が、Ｖ_{ＣＣ３３＿０}ラインを介してロードスイッチ４０のＯＮ端子へ入力される。ロードスイッチ４０からの電圧Ｖ_ＣＣ３３の供給が再開され、ＭＣＵ１３０が起動する。つまり、ＭＣＵ１３０は、ＶＤＤ端子へ電力が供給されない状態から供給される状態になると起動する。電源ユニット１は、ＭＣＵ１３０が起動するとスリープ状態もしくは充電状態となる。この時点では電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}は供給されない。このようにＭＣＵ１３０が再起動すると、ＭＣＵ１３０に生じていたフリーズなどの不具合が解消することがある。

　保護制御部２００が電源ユニット１を接続待機状態に遷移するための動作と、その解消方法について説明する。保護制御部２００のうち、保護回路９０が、電源ユニット１を接続待機状態に遷移できる。また、保護制御部２００の他の回路は、保護回路９０に、接続待機状態への遷移を要求してもよい。

　保護回路９０が電源ユニット１を接続待機状態に遷移するための動作について説明する。保護回路９０は、電源ユニット１が正常状態である間、ＤＯＵＴ端子の出力及びＣＯＵＴ端子の出力をハイレベルに維持する。保護回路９０は、電源ユニット１を接続待機状態に遷移するために、ＤＯＵＴ端子の出力及びＣＯＵＴ端子の出力をローレベルに切り替える。これによって、スイッチＳＤ及びＳＣがオフするため、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されていない状態では、電源ユニット１のうち、保護回路９０以外のすべての回路への電力供給が停止される。

　続いて、接続待機状態を解消するための方法について説明する。コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されると、過電圧保護回路１１０によって、電圧Ｖ_ＵＳＢが生成される。これによって、ロードスイッチ１０のＯＮ端子の電位がハイレベルとなり、ロードスイッチ１０のＶＯＵＴ端子からＶ_ＣＣ５ラインに電圧Ｖ_ＣＣ５が出力される。この時点で、充電回路２０の／ＣＥ端子の入力はハイレベルであるので、充電回路２０は、パワーパス機能によって、電圧Ｖ_ＣＣを生成する。その後、図３について上述したのと同様にして、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}及び電圧Ｖ_ＣＣ３３が生成され、ＭＣＵ１３０が起動する。ＭＣＵ１３０は、起動後、後述する動作によって、バッテリＢＴが深充電しているかどうかを判定する。バッテリＢＴが深充電している場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する。それ以外の場合に、ＭＣＵ１３０は、ＭＣＵ１３０のＰＢ３の出力をローレベルに維持する。これによって、充電回路２０の／ＣＥ端子の入力がローレベルに維持され、充電回路２０のＢＡＴ端子から保護回路９０のＶＢＡＴ端子に電力が供給される。バッテリＢＴの残量が回復すると、保護回路９０はＤＯＵＴ端子及びＣＯＵＴ端子からの出力をハイレベルに切り替える。これによって、電源ユニット１は正常状態に遷移する。

　上述の例では、保護回路９０は、電源ユニット１を接続待機状態へ遷移するために、スイッチＳＣとスイッチＳＤとの両方をオフにした。これにかえて、保護回路９０は、スイッチＳＣとスイッチＳＤとの一方のみをオフにしてもよい。例えば、保護回路９０は、バッテリＢＴの過充電を検出した場合に、充電遮断スイッチとして機能するスイッチＳＣをオフにし、放電遮断スイッチとして機能するスイッチＳＤをオンのままにしてもよい。一方、保護回路９０は、バッテリＢＴの過放電を検出した場合に、放電遮断スイッチとして機能するスイッチＳＤをオフにし、充電遮断スイッチとして機能するスイッチＳＣをオンのままにしてもよい。

　続いて、保護制御部２００が電源ユニット１を故障状態に遷移するための動作について説明する。ＭＣＵ１３０は、充電回路２０とのＩ^２Ｃ通信を通じて、充電回路２０のパワーパス機能（ＶＢＵＳ端子及びＢＡＴ端子に入力される電力をＳＹＳ端子から出力する機能）を停止させる。これにより、充電回路２０から電圧Ｖ_ＣＣが供給されなくなり、電圧Ｖ_ＣＣから派生する電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿０}、Ｖ_ＣＣ３３、Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}の供給が停止する。したがって、ＭＣＵ１３０を始めとしてほとんどの回路に電力が供給されず、電源ユニット１は実質的に動作を停止する。リブートコントローラ５０への電力も供給されないため、リセット動作も受け付けなくなる。充電回路２０のパワーパス機能を停止させることでバッテリＢＴからの放電及びバッテリＢＴの充電も実行できなくなる。また、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器を接続したとしても、電圧Ｖ_ＣＣが生成されないため、ＭＣＵ１３０は起動しない。電源ユニット１の安全性をさらに向上させるため、充電回路２０のパワーパス機能を停止させる前に、ＭＣＵ１３０は、上述した方法によってバッテリＢＴからの放電及びバッテリＢＴの充電を禁止してもよい。

　続いて、図５を参照して説明した監視条件について詳細に説明する。まず、図６Ａ及び図６Ｂのフローチャートを参照して、図５のカラム５０４に規定される監視条件集合について説明する。この監視条件集合は、上述のように、ＭＣＵ１３０がバッテリＢＴの物理量を周期的に監視し、この監視結果に基づいて保護動作を実行するための条件の集合である。図６Ａ及び図６Ｂの動作の開始時点で、電源ユニット１はスリープ状態であるとする。スリープ状態とは、ユーザが電源ユニット１を使用可能な状態であり、かつユーザが電源ユニット１を使用していない（具体的に、スイッチＳＷが所定時間押下されておらず、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されていない）状態のことである。スリープ状態は、ユーザが電源ユニット１を使用していない時にバッテリＢＴの消費電力を削減する状態である。電源ユニット１がスリープ状態である間に、ＭＣＵ１３０は、図３を参照して説明した電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}を生成しない（すなわち、ＰＣ１１端子の出力をローレベルとする）。また、電源ユニット１がスリープ状態である間に、ＭＣＵ１３０は、他の回路からの信号を監視する。例えば、ＭＣＵ１３０は、スリープ状態である間に、スイッチＳＷの押下に応じて値が変化するＰＣ１０端子の入力、スライダ１３が開いたことに応じて値が変化するＰＣ１３端子の入力、バッテリ監視回路のＩＯ５端子からのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号が供給されるＰＢ１２端子の入力、ＦＦ１のＱ端子からの信号が供給されるＰＡ１０端子からの入力、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されたことに応じて値が変化するＰＡ９端子の入力などを監視する。

　ステップＳ６０１で、ＭＣＵ１３０は、スライダ１３が開かれたかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、スライダ１３が開かれた場合（ステップＳ６０１で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６０２に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０１で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６１２に遷移する。スライダ１３が開かれたことは、検出器１７０のＯＵＴ端子からＭＣＵ１３０のＰＣ１３端子に供給される信号がハイレベルに切り替わったことによって検出可能である。

　ステップＳ６０２で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５１℃以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５１℃以上である場合（ステップＳ６０２で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１０に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０２で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６０３に遷移する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度を、バッテリ監視回路１００からＩ^２Ｃ通信を通じて取得可能である。図６Ａ及び図６Ｂの他のステップにおけるバッテリＢＴの温度の判定についても、ＭＣＵ１３０は同様にバッテリＢＴの温度を取得可能である。ステップＳ６０２の判定では、条件が等式を満たす場合（バッテリＢＴの温度が５１℃ちょうどである場合）にＹＥＳとしているが、この場合をＮＯとしてもよい。以下に説明する他の条件についても同様である。

　Ｓ６０２でＮＯと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５１℃未満である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが正常であると判定し、ステップＳ６０３で、電源ユニット１を加熱待機状態に遷移する。加熱待機状態とは、ユーザの指示に応じてエアロゾル源の加熱が可能な状態のことである。加熱待機状態に遷移するために、ＭＣＵ１３０は、ＰＣ１１端子の出力をハイレベルとすることによって、電圧Ｖ_{ＣＣ３３＿ＳＬＰ}を生成する。

　一方、Ｓ６０２でＹＥＳと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５１℃以上である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が加熱待機状態への遷移に適さないと判定する。この場合に、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に維持したまま、ステップＳ６１０で、バッテリＢＴの温度が４５℃以下になるまで待機する。具体的に、ステップＳ６１０で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が４５℃以下であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が４５℃以下である場合（ステップＳ６１０で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６０１に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６１０で「ＮＯ」）にステップＳ６１０を繰り返す。これによって、バッテリＢＴの温度が５１℃以上であると判定された電源ユニット１は、バッテリＢＴの温度が４５℃以下になったことに応じて、スリープ状態以外の状態に遷移可能になる。

　ステップＳ６０３で電源ユニット１を加熱待機状態に遷移した後、ステップＳ６０４で、ＭＣＵ１３０は、ユーザにより加熱指示が行われたかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、ユーザにより加熱指示が行われた場合（ステップＳ６０４で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６０５に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０４で「ＮＯ」）にステップＳ６０４に遷移する。加熱指示は、スイッチＳＷが押下されたことによってＭＣＵ１３０のＰＣ１０端子の入力がローレベルに切り替わったことによって検出可能である。なお、加熱指示が所定時間行われない場合、ＭＣＵ１３０は処理をステップＳ６１１に進めてもよい。

　ステップＳ６０５で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５１℃以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５１℃以上である場合（ステップＳ６０５で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６０９に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０５で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６０６に遷移する。

　Ｓ６０５でＮＯと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５１℃未満である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが正常であると判定し、ステップＳ６０６で、電源ユニット１を加熱状態に遷移する。加熱状態とは、エアロゾル源が加熱されている状態のことである。加熱状態に遷移するために、ＭＣＵ１３０は、ＰＣ１２端子の出力をハイレベルとすることによって、変圧回路１２０を起動し、且つスイッチＳＳをオンする。その後、ＭＣＵ１３０は、ＰＡ２端子の出力をローレベルにすることによって、スイッチＳＨをオンする。これにより、バッテリＢＴとヒータＨＴの間に閉回路が形成される。さらに、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１が加熱状態である間に、ヒータＨＴの温度制御を行ってもよい。ヒータＨＴの温度制御は、スイッチＳＳをオンしている間のオペアンプＡ１の出力や、ヒータサーミスタＴＨが接続されるＰＡ６端子の入力に基づくフィードバック制御であってもよい。このフィードバック制御は、ＰＩＤ制御によって実現されてもよい。ＰＩＤ制御の少なくとも１つの成分のゲイン（利得）は、ゼロでもよい。ＰＩＤ制御の操作量として算出されるスイッチＳＨのデューティ比は、ＰＷＭ制御で実現されてもよいし、ＰＦＭ制御によって実現されてもよい。

　一方、Ｓ６０５でＹＥＳと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５１℃以上である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が加熱状態への遷移に適さないと判定する。この場合に、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ６０９で電源ユニット１をスリープ状態に遷移し、ステップＳ６１０で、バッテリＢＴの温度が４５℃以下になるまで待機する。

　電源ユニット１が加熱状態である間に、ステップＳ６０７で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５５℃以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５５℃以上である場合（ステップＳ６０７で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１８に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０７で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６０８に遷移する。

　Ｓ６０７でＮＯと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５５℃未満である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが正常であると判定し、電源ユニット１を加熱状態に維持する。一方、Ｓ６０７でＹＥＳと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５５℃以上である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴにエラーが発生したと判定し、ステップＳ６１８で、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。

　ステップＳ６０８で、ＭＣＵ１３０は、加熱状態を終了するかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、加熱状態を終了する場合（ステップＳ６０８で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１１に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６０８で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６０７に遷移する。例えば、ＭＣＵ１３０は、スライダ１３が閉じられた場合、ユーザによるパフ回数が上限に到達した場合、加熱状態に遷移してから所定の時間が経過した場合などに、加熱状態を終了すると判定する。加熱状態を終了すると、ステップＳ６１１で、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。

　ステップＳ６０１でスライダ１３が開かれていないと判定した場合に、ステップＳ６１２で、ＭＣＵ１３０は、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されたかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続された場合（ステップＳ６１２で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１３に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６１２で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６０１に遷移する。コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されたことは、ＰＡ９端子がハイレベルに切り替わったことによって検出可能である。なお、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ６０２以降もステップＳ６１２の処理を実行し続け、「ＹＥＳ」と判断された場合には、ステップＳ６０２以降の処理を停止し、処理をステップＳ６１３に進めてもよい。

　ステップＳ６１３で、ＭＣＵ１３０は、後述する深放電判定処理を実行することによって、バッテリＢＴが深放電状態でないかどうかを判定する。後述するように、バッテリＢＴが正常でない場合に、電源ユニット１はリセット待機状態又は故障状態に遷移し、処理が終了される。バッテリＢＴが正常である場合に、ステップＳ６１４で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴへの普通充電を開始する。具体的に、ＭＣＵ１３０は、ＰＢ３端子の出力をローレベルに維持することによって、充電回路２０からバッテリＢＴへの給電を維持する。普通充電では、まずは２０００ｍＡ程度の電流でバッテリＢＴの充電が開始される。具体的な電流値は、Ｉ^２Ｃ通信を通じてＭＣＵ１３０から充電回路２０へ伝えられてもよい。

　ステップＳ６１５で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴに流れる電流が設定値の１．１倍以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴに流れる電流が設定値の１．１倍以上である場合（ステップＳ６１５で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１８に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６１５で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６１６に遷移する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴに流れる電流を、バッテリ監視回路１００からＩ^２Ｃ通信を通じて取得可能である。設定値とは、充電回路２０によって実行されるＣＣＣＶ充電のうち、ＣＣ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ－Ｃｕｒｒｅｎｔ、定電流）充電を行うために予め定められた電流値のことである。

　Ｓ６１５でＮＯと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴを流れる電流が設定値の１．１倍未満である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが正常であると判定し、バッテリＢＴの充電を継続する。一方、Ｓ６１５でＹＥＳと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴを流れる電流が設定値の１．１倍以上である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴにエラーが発生したと判定し、ステップＳ６１８で、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。

　ステップＳ６１６で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５５℃以上又は０℃以下であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が５５℃以上又は０℃以下である場合（ステップＳ６１６で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１８に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６１６で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６１７に遷移する。

　Ｓ６１６でＮＯと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が０℃よりも高く５５℃よりも低い場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが正常であると判定し、バッテリＢＴの充電を継続する。一方、Ｓ６１６でＹＥＳと判定された場合（すなわち、バッテリＢＴの温度が５５℃以上又は０℃以下である場合）、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴにエラーが発生したと判定し、ステップＳ６１８で、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。なお、ステップＳ６１５とＳ６１６の順序は、逆でもよい。また、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ６１５とＳ６１６を同時に行ってもよい。

　ステップＳ６１７で、ＭＣＵ１３０は、充電を終了するかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、充電を終了する場合（ステップＳ６１７で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ６１１に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ６１７で「ＮＯ」）に処理をステップＳ６１５に遷移する。例えば、ＭＣＵ１３０は、ＵＳＢプラグ及び外部機器がコネクタＵＳＢＣから抜かれた場合、バッテリＢＴの電圧が所定の電圧に到達した場合などに、充電を終了すると判定する。また、ＭＣＵ１３０は、Ｉ^２Ｃ通信を通じて充電回路２０から充電が終了した旨の通知を受け取ることで、充電を終了すると判定してもよい。充電を終了すると、ステップＳ６１１で、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。

　以上のように、ＭＣＵ１３０は、バッテリの物理量について複数の監視条件（Ｓ６０２、Ｓ６０５、Ｓ６０７、Ｓ６１３、Ｓ６１５、Ｓ６１６）を含む監視条件集合の何れかの条件が満たされるかどうかを判定する。これらの監視条件のうち、一部の監視条件（Ｓ６０７、Ｓ６１５、Ｓ６１６）の何れかが満たされた場合に、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。これらの監視条件のうち、他の一部の監視条件（Ｓ６０２、Ｓ６０５）の何れかが満たされた場合に、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に維持又は遷移し、所定の条件（Ｓ６１０）を満たすまでスリープ状態を維持する。Ｓ６１４で実行される深放電判定処理の結果に応じて、後述するように、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をエラー状態又はリセット待機状態に遷移可能である。図６Ａ及び図６Ｂの一部の条件（Ｓ６０５、Ｓ６０７、Ｓ６１０、Ｓ６１５、Ｓ６１６）は、繰り返し判定される。ＭＣＵ１３０は、これらの条件を、所定の周期（例えば、１秒ごと）に判定してもよい。

　次に、図７Ａ及び図７Ｂのフローチャートを参照して、図５のカラム５０５及び５０６に規定される監視条件集合について説明する。この監視条件集合は、上述のように、バッテリ監視回路１００がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいてＦＦ１又はＭＣＵ１３０が保護動作を実行するための条件の集合である。バッテリ監視回路１００は、動作中に（すなわち、電圧Ｖ_ＣＣ３３が生成されている間に）、図７Ａ及び図７Ｂの動作を繰り返す。バッテリ監視回路１００は、以下に説明する条件を満たさない限り、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号及びｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をハイレベルに維持する。バッテリ監視回路１００は、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号及びｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに変更した後に、バッテリ監視回路１００がリセットされるまでこれらの信号をローレベルに維持する。

　ステップＳ７０１で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの電圧が４．２３５Ｖ以上又は２．８Ｖ以下であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの電圧が４．２３５Ｖ以上又は２．８Ｖ以下である場合（ステップＳ７０１で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７０２に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７０１で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０３に遷移する。バッテリ監視回路１００は、ＶＢＡＴ端子の入力をバッテリＢＴの電圧として取得可能である。図７Ａ及び図７Ｂの他のステップのバッテリＢＴの電圧の取得についても同様である。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの電圧が４．２３５Ｖ以上又は２．８Ｖ以下である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７０２でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７０２を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７０３で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴが放電中であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴが放電中である場合（ステップＳ７０３で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７０４に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７０３で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７１４に遷移する。バッテリ監視回路１００は、抵抗Ｒ１を流れる電流の方向を測定することによって、バッテリＢＴが放電中であるかどうかを判定できる。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴからの放電中の一部の場合のみに、ステップＳ７０３でＹＥＳと判定してもよい。例えば、バッテリ監視回路１００は、電源ユニット１が加熱状態である場合にのみ、ステップＳ７０３でＹＥＳと判定してもよい。バッテリ監視回路１００は、電源ユニット１が加熱状態であるかどうかを、Ｉ^２Ｃ通信を通じてＭＣＵ１３０から提供される情報に基づいて判定してもよい。ステップＳ７０３でＹＥＳと判定された場合に、バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７０４～Ｓ７１３の処理を行う。

　ステップＳ７０４で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流（放電電流）が９．７５Ａ以上であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が９．７５Ａ以上であるである場合（ステップＳ７０４で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７０５に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７０４で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０８に遷移する。バッテリ監視回路１００は、ＶＲＳＭ端子及びＶＲＳＰ端子の入力からバッテリＢＴを流れる電流を取得可能である。図７Ａ及び図７Ｂの他のステップのバッテリＢＴを流れる電流の取得についても同様である。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が９．７５Ａ以上である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７０５でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。

　ステップＳ７０６で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が１０Ａ以上であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が１０Ａ以上であるである場合（ステップＳ７０６で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７０７に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７０６で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０８に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が１０Ａ以上である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７０７でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７０７を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７０８で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が６０℃以上の状態が２秒上継続したかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が６０℃以上の状態が２秒以上継続した場合（ステップＳ７０８で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７０９に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７０８で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７１２に遷移する。バッテリ監視回路１００は、ＴＨＭ端子の入力に基づいてバッテリＢＴの温度を取得可能である。図７Ａ及び図７Ｂの他のステップのバッテリＢＴの温度の取得についても同様である。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が６０℃以上の状態が２分以上継続した場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７０９でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７０９を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７１０で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続したかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続した場合（ステップＳ７１０で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７１１に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１０で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７１２に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続した場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７１１でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７１１を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７１２で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が－５℃以下の状態が５秒以上継続したかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が－５℃以下の状態が５秒以上継続したである場合（ステップＳ７１２で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７１３に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１２で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０１に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が－５℃以下の状態が５秒以上継続した場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７１３でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７１３を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７１４で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴが充電中であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴが充電中である場合（ステップＳ７１４で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７１５に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１４で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０１に遷移する。バッテリ監視回路１００は、抵抗Ｒ１を流れる電流の方向を測定することによって、バッテリＢＴが充電中であるかどうかを判定できる。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴへの充電中のみ（すなわち、充電回路のＢＡＴ端子からバッテリＢＴに電力が供給されている間のみ）に、ステップＳ７１４でＹＥＳと判定してもよい。これにかえて、バッテリ監視回路１００は、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されている場合に、ステップＳ７１４でＹＥＳと判定してもよい。ステップＳ７１４でＹＥＳと判定された場合に、バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７１５～Ｓ７２０の処理を行う。

　ステップＳ７１５で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流（充電電流）が２．７５Ａ以上であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が２．７５Ａ以上であるである場合（ステップＳ７１５で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７１６に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１５で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７１９に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が２．７５Ａ以上である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７１６でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。

　ステップＳ７１６で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が３．０Ａ以上であるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が３．０Ａ以上であるである場合（ステップＳ７１７で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７１８に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１７で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７１９に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴを流れる電流が３．０Ａ以上である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７１８でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７１８を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　ステップＳ７１９で、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続したかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続した場合（ステップＳ７１９で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ７２０に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ７１９で「ＮＯ」）に処理をステップＳ７０１に遷移する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続した場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ７２０でｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える。バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７２０を実行した後に図７Ａ及び図７Ｂにおける以降の処理を実行しなくてもよい。

　以上のように、バッテリ監視回路１００は、バッテリの物理量について複数の監視条件（Ｓ７０１、Ｓ７０４、Ｓ７０６、Ｓ７０８、Ｓ７１０、Ｓ７１２、Ｓ７１５、Ｓ７１７、Ｓ７１９）を含む監視条件集合の何れかの条件が満たされるかどうかを判定する。バッテリ監視回路１００は、監視条件集合の何れかの条件が満たされた場合に、保護動作として、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号又はｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替える動作を行う。ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号はＦＦ１に供給され、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号がローレベルに切り替わったことに応じて、ＦＦ１は、上述のように、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号はＭＣＵ１３０に供給され、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号がローレベルに切り替わったことに応じて、ＭＣＵ１３０は、後述する保護動作を実行する。

　図７Ａ及び図７Ｂの方法において、監視条件を判定する順番は、図７Ａ及び図７Ｂとは異なっていてもよいし、並列に実行されてもよい。バッテリ監視回路１００は、これらの条件を、所定の周期（例えば、１秒ごと）に判定してもよい。さらに、バッテリ監視回路１００は、監視条件ごとに異なる周期で各監視条件を判定してもよい。例えば、バッテリ監視回路１００は、ステップＳ７１０の監視条件（８５℃以上が２分以上継続）を１分周期で判定してもよい。

　次に、図８のフローチャートを参照して、ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号が供給された場合のＭＣＵ１３０の動作について説明する。ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１がどのような状態（例えば、スリープ状態、加熱待機状態、加熱状態など）であっても、動作可能であれば（すなわち、ＶＤＤ端子に動作電力が供給されていれば）、図８の動作を実行してもよい。図８の動作を実行する場合に、ＭＣＵ１３０は実行中の他の動作を中断してもよいし、並行して実行してもよい。このように、ＭＣＵ１３０は、ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を、割り込み信号として処理する。

　ステップＳ８０１で、ＭＣＵ１３０は、Ｉ^２Ｃ通信を通じて、バッテリ監視回路１００から、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替えた原因を取得する。バッテリ監視回路１００は、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をローレベルに切り替えた際に、その原因を内部に格納しておき、ＭＣＵ１３０からの問い合わせに応じてこの原因を応答してもよい。このかわりに、ＭＣＵ１３０は、バッテリ監視回路１００からバッテリＢＴの情報を新たに取得して、どの監視条件を満たしているかを判定してもよい。

　ステップＳ８０２で、ＭＣＵ１３０は、高温が原因だったか（すなわち、Ｓ７１０又はＳ７１９が原因だったか）どうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、高温が原因だった場合（ステップＳ８０２で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ８０３に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ８０２で「ＮＯ」）に処理をステップＳ８０５に遷移する。

　ステップＳ８０３で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続したかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続した場合（ステップＳ８０３で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ８０４に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ８０３で「ＮＯ」）に処理をステップＳ８０６に遷移する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続した場合に、バッテリＢＴが正常でなく、リセットによって回復不能であると判定し、ステップＳ８０４で、電源ユニット１を故障状態に遷移する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続しなかった場合に、リセットによって回復可能であると判定し、ステップＳ８０６で、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。

　高温以外が原因だった場合に、ステップＳ８０５で、ＭＣＵ１３０は、リセット待機状態への遷移が必要な監視条件が満たされたかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、リセット待機状態への遷移が必要な監視条件が満たされた場合（ステップＳ８０５で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ８０６に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ８０５で「ＮＯ」）に処理をステップＳ８０７に遷移する。リセット待機状態への遷移が必要な監視条件とは、図５のカラム５０６のうち破線で囲まれた監視条件のことであり、具体的に、Ｓ７０１の一部（過電圧）、Ｓ７０４、Ｓ７１５のことである。リセット待機状態への遷移が必要な条件とは、満たされた場合にＭＣＵ１３０が電源ユニット１をリセット待機状態へ遷移させる必要がある条件とも理解されうる。ＭＣＵ１３０は、リセット待機状態への遷移が必要な監視条件が満たされた場合に、リセットによって回復可能であると判定し、ステップＳ８０６で、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。

　リセット待機状態への遷移が必要な監視条件が満たされなかった場合（具体的に、Ｓ７０１の一部（過放電）、Ｓ７１２）に、ステップＳ８０７で、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１がスリープ状態以外の状態であるかどうかを判定する。本実施形態において、リセット待機状態への遷移が必要な監視条件が満たされなかった場合とは、監視条件のうち、高温が原因である条件ではなく、リセット待機状態への遷移が必要な監視条件でもない条件が満たされた場合とも理解されうる。ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１がスリープ状態以外の状態である場合（ステップＳ８０７で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ８０８に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ８０７で「ＮＯ」）に処理をステップＳ８０９に遷移する。ステップＳ８０８で、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。なお、ＭＣＵ１３０は、処理をステップＳ８０８に進める前、又はステップＳ８０８において、発光部ＮＵやバイブレータＭを介してユーザにエラーを通知してもよい。

　ステップＳ８０９で、ＭＣＵ１３０は、低温が原因だったか（すなわち、Ｓ７１２が原因だったか）どうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、低温が原因だった場合（ステップＳ８０９で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ８１０に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ８０９で「ＮＯ」）に処理を終了する。低温が原因だった場合に、ＭＣＵ１３０は、この状態でのバッテリＢＴの使用は適さないと判定し、電源ユニット１をスリープ状態に維持したまま、ステップＳ８１０で、バッテリＢＴの温度が０℃以上になるまで待機する。これは、後述する電析の進行を抑制するためである。具体的に、ステップＳ８１０で、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が０℃以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が０℃以上である場合（ステップＳ８１０で「ＹＥＳ」）に処理を終了し、それ以外の場合（ステップＳ８１０で「ＮＯ」）にステップＳ８１０を繰り返す。これによって、バッテリＢＴの温度が－５℃以下であると判定された電源ユニット１は、バッテリＢＴの温度が０℃以上になったことに応じて、スリープ状態以外の状態に遷移可能になる。換言すれば、バッテリＢＴの温度が０℃以上にならない限り（ステップＳ８１０で「ＹＥＳ」とならない限り）、電源ユニット１はスリープ状態に強制的に維持される。

　図８の一部の条件（Ｓ８０３、Ｓ８１０）は、繰り返し判定される。ＭＣＵ１３０は、これらの条件を、所定の周期（例えば、１秒ごと）に判定してもよい。

　図９のフローチャートを参照して、図５のカラム５０８に規定される監視条件集合について説明する。この監視条件集合は、上述のように、保護回路９０がバッテリＢＴの物理量を監視し、この監視結果に基づいて保護動作を実行するための条件の集合である。保護回路９０は、動作中に（すなわち、電源電圧Ｖ_ＢＡＴが存在する間に）、図９の動作を繰り返す。保護回路９０は、以下に説明する条件を満たさない限り、ＤＯＵＴ信号及びＣＯＵＴ信号をハイレベルに維持する。

　ステップＳ９０１で、保護回路９０は、バッテリＢＴの電圧が４．２８Ｖ以上又は２．５Ｖ以下であるかどうかを判定する。保護回路９０は、バッテリＢＴの電圧が４．８Ｖ以上又は２．５Ｖ以下である場合（ステップＳ９０１で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ９０４に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ９０１で「ＮＯ」）に処理をステップＳ９０２に遷移する。保護回路９０は、ＶＢＡＴ端子の入力をバッテリＢＴの電圧として取得可能である。保護回路９０は、バッテリＢＴの電圧が４．８Ｖ以上又は２．５Ｖ以下である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ９０４で、電源ユニット１を接続待機状態に遷移する。なお、保護回路９０は、バッテリＢＴの電圧が４．２８Ｖ以上であるためにステップＳ９０４に遷移した場合、ＤＯＵＴ信号及びＣＯＵＴ信号のうちＣＯＵＴ信号のみをハイレベルに遷移させてもよい。換言すれば、このような場合、保護回路９０は、スイッチＳＣとスイッチＳＤとのうちスイッチＳＣのみオフにしてもよい。また、保護回路９０は、バッテリＢＴの電圧が２．５Ｖ以下であるためにステップＳ９０４に遷移した場合、ＤＯＵＴ信号及びＣＯＵＴ信号のうちＤＯＵＴ信号のみをハイレベルに遷移させてもよい。換言すれば、このような場合、保護回路９０は、スイッチＳＣとスイッチＳＤとのうちスイッチＳＤのみオフにしてもよい。

　ステップＳ９０２で、保護回路９０は、バッテリＢＴが放電中であるかどうかを判定する。保護回路９０は、バッテリＢＴが放電中である場合（ステップＳ９０２で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ９０３に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ９０２で「ＮＯ」）に処理をステップＳ９０１に遷移する。保護回路９０は、抵抗Ｒ２を流れる電流の方向を測定することによって、バッテリＢＴが放電中であるかどうかを判定できる。

　ステップＳ９０３で、保護回路９０は、バッテリＢＴを流れる電流（放電電流）が１２．６７Ａ以上であるかどうかを判定する。保護回路９０は、バッテリＢＴを流れる電流が１２．６７Ａ以上であるである場合（ステップＳ９０３で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ９０４に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ９０３で「ＮＯ」）に処理をステップＳ９０１に遷移する。保護回路９０は、ＣＳ端子及びＶＳＳ端子の入力からバッテリＢＴを流れる電流を取得可能である。保護回路９０は、バッテリＢＴを流れる電流が１２．６７Ａ以上である場合に、バッテリＢＴが正常でないと判定し、ステップＳ９０４で、電源ユニット１を接続待機状態に遷移する。なお、保護回路９０は、バッテリＢＴを流れる電流（放電電流）が１２．６７Ａ以上であるためにステップＳ９０４に遷移した場合、ＤＯＵＴ信号及びＣＯＵＴ信号のうちＤＯＵＴ信号のみをハイレベルに遷移させてもよい。換言すれば、このような場合、保護回路９０は、スイッチＳＣとスイッチＳＤとのうちスイッチＳＤのみオフにしてもよい。

　上述の図７Ａ、図７Ｂ及び図８で説明したように、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続した場合に、エラー信号をＭＣＵ１３０へ送信する（ステップＳ７１０からステップＳ７１１）。ＭＣＵ１３０は、エラー信号の受信後に、バッテリＢＴの温度を新たに取得し、この温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続した場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する（ステップＳ８０３からステップＳ８０４）。このように、別個の回路による判定結果によって電源ユニット１を故障状態に遷移できるため、電源ユニット１を適切に保護できる。換言すれば、電源ユニット１の故障状態への遷移は不可逆的な遷移であるため、当該遷移が誤って行われることを抑制できる。

　バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続したかどうかを所定の周期で判定してもよい。例えば、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が２分以上継続したかどうかを、１分周期で判定してもよい。この場合に、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態に２回連続して検出された場合に、エラー信号をＭＣＵ１３０に供給してもよい。なお、バッテリ監視回路１００がバッテリＢＴの温度を取得する周期は１分よりも短くてもよい。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続したかどうかを所定の周期で判定してもよい。例えば、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態が５秒以上継続したかどうかを、１秒周期で判定してもよい。この場合に、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上の状態に５回連続して検出された場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する。周期及び回数は、この例に限られない。一般に、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上かどうかを第１周期（例えば、１分）で監視し、ｎ回（例えば、２回）連続してこの状態となった場合に、エラー信号をＭＣＵ１３０に供給する。換言すれば、ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をＭＣＵ１３０へ供給する。ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度が８５℃以上かどうかを第２周期（例えば、１秒）で監視し、ｍ回（例えば、５回）連続してこの状態となった場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する。第１周期は第２周期よりも長く、ｍはｎよりも大きい。第２周期×ｍの値は、第１周期×ｎの値よりも短い。つまり、ＭＣＵ１３０が電源ユニット１を故障状態に遷移させるか否かの判断に要する時間は、バッテリ監視回路１００がローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号をＭＣＵ１３０へ供給するか否かの判断に要する時間より短い。これによって、ＭＣＵ１３０は、バッテリ監視回路１００による高温の判定よりも短時間で高温を判定できる。

　ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴの温度（具体的には、その高温状態）に関する条件以外について、エラー信号の受信後に、バッテリＢＴの情報を新たに取得せずに、バッテリ監視回路１００の判定結果に従って、保護動作を実行してもよい。これによって、電源ユニット１の消費電力を低減できる。

　図１０を参照して、図６Ｂの深放電判定処理（Ｓ６１３）の具体例について説明する。図１０は、深放電を判定するための処理の一例であり、他の処理によって深放電が判定されてもよい。図１０の動作は、コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続された状態で実行される。

　ステップＳ１００１で、ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が０．１Ｖ以下又は電源電圧Ｖ_ＢＡＴが１．５Ｖ以下であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が０．１Ｖ以下又は電源電圧Ｖ_ＢＡＴが１．５Ｖ以下である場合（ステップＳ１００１で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００２に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００１で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１０１１に遷移する。電圧ＡＤＣＢ＋は、スイッチ回路８０がオンの状態でＰＣ２端子に現れる電圧である。ＭＣＵ１３０は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを、バッテリ監視回路１００からＩ^２Ｃ通信を介して取得できる。この条件を満たさない場合に、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ１０１１で、バッテリＢＴが正常であると判定する。この条件を満たさない場合に、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが深放電している可能性があると判定し、後続の処理を実行する。電圧ＡＤＣＢ＋は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを抵抗Ｒ４及びＲ５によって分圧した電圧であり、分圧回路のうち低電位側の抵抗Ｒ５の一端は、グランド電位へ接続される。このため、スイッチ回路８０をオンできないほどにバッテリＢＴの放電が進行した場合、電圧ＡＤＣＢ＋は、グランド電位と略等しくなる。このため、ステップＳ１００１において、電圧ＡＤＣＢ＋に対する閾値は、０．１Ｖになっている。

　Ｓ１００２で、ＭＣＵ１３０は、５４０ｍＡで充電を開始し、充電を継続した状態で１秒間待機した後、ステップＳ１００３に遷移する。なお、本ステップにおける充電は深放電している可能性があるバッテリＢＴに対して行われるため、本ステップにおける充電電流の値は、前述したステップＳ６１４における充電電流の値よりも小さいことが好ましい。また、以降のステップＳ１００３～Ｓ１０１１において、この充電は継続されている点に留意されたい。

　ステップＳ１００３で、ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が３．５Ｖ以上であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が３．５Ｖ以上である場合（ステップＳ１００３で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００４に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００３で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１００８遷移する。

　ステップＳ１００４で、ＭＣＵ１３０は、電流Ｉ_ＢＡＴがー２０ｍＡより大きく２０ｍＡ未満であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、電流Ｉ_ＢＡＴがー２０ｍＡより大きく２０ｍＡ未満である場合（ステップＳ１００４で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００５に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００４で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１００７に遷移する。電流Ｉ_ＢＡＴは、バッテリＢＴに流れる電流であり、ＭＣＵ１３０は、バッテリ監視回路１００からＩ^２Ｃ通信を介して取得できる。なお、本ステップでは、＋（プラス）の符号を持つ電流Ｉ_ＢＡＴは充電電流を意味し、－（マイナス）の符号を持つ電流Ｉ_ＢＡＴは放電電流を意味するものとする。この条件を満たさない場合に、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが深放電状態ではないと判定し、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。

　ステップＳ１００５で、ＭＣＵ１３０は、Ｓ１００３及びＳ１００４を所定の回数繰り返したかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、Ｓ１００３及びＳ１００４を所定の回数繰り返した場合（ステップＳ１００５で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００６に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００５で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１００３に遷移する。所定の回数繰り返してもＳ１００３及びＳ１００４を満たす場合に、ＭＣＵ１３０は、バッテリＢＴが深放電状態であると判定し、電源ユニット１を故障状態に遷移する。ステップＳ１００５で「ＹＥＳ」と判定される場合は、５４０ｍＡの充電電流で数秒ほどの短期間しかバッテリＢＴを充電していないにも関わらず、電圧ＡＤＣＢ＋が大きな値を示している場合である。これは、バッテリＢＴが深放電することでその内部構造に不可逆的な変化が生じ、バッテリＢＴの内部抵抗（インピーダンス）が大幅に増加（悪化）しているためであると考えられる。なお、ステップＳ１００４は、電圧ＡＤＣＢ＋にバッテリＢＴの内部抵抗分の電圧降下が含まれているか否かを確認するためのものである。

　ステップＳ１００８で、ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が３．３５Ｖ未満であるかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、電圧ＡＤＣＢ＋が３．３５Ｖ未満である場合（ステップＳ１００８で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００９に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００８で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１０１１に遷移する。この条件を満たさない場合に、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ１０１１で、バッテリＢＴが正常であると判定する。

　ステップＳ１００９で、ＭＣＵ１３０は、バッテリ監視回路１００からＩ^２Ｃ通信を介して取得される電源電圧Ｖ_ＢＡＴが２．３５Ｖ未満又は２．６５Ｖよりも高いかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴが２．３５Ｖ未満又は２．６５Ｖよりも高い場合（ステップＳ１００９で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１０１０に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１００９で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１００８に遷移する。

　ステップＳ１０１０で、ＭＣＵ１３０は、ステップＳ１００２で充電を開始してから所定の時間が経過したかどうかを判定する。ＭＣＵ１３０は、ステップＳ１００２で充電を開始してから所定の時間が経過した場合（ステップＳ１０１０で「ＹＥＳ」）に処理をステップＳ１００７に遷移し、それ以外の場合（ステップＳ１０１０で「ＮＯ」）に処理をステップＳ１００８に遷移する。所定の時間繰り返してもＳ１００８及びＳ１００９を満たす場合に、ＭＣＵ１３０は、充電回路２０によるバッテリＢＴの充電において何らかのエラーが生じたと判定し、ステップＳ１００７で、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。

　Ｓ１００１、Ｓ１００３及びＳ１００８において、ＭＣＵ１３０は、ＡＤＣＢ＋の値を条件とする。ＡＤＣＢ＋に関する条件は、バッテリ監視回路１００から取得される情報を使用せずに判定可能であるため、バッテリ監視回路１００がバッテリＢＴの状態を正常に取得できない場合であっても、深放電を正しく判定できる。一般的に、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの電圧が正常な状態において、バッテリＢＴの状態を正確に監視するために最適化されている。換言すれば、バッテリＢＴの電圧が正常ではない状態において、バッテリ監視回路１００が取得するバッテリＢＴの状態には、誤差などが生じやすい。なお、ここでいうバッテリＢＴの電圧が正常な状態とは、電源電圧Ｖ_ＢＡＴがバッテリＢＴの満充電電圧以下且つ放電終止電圧以上の状態を指すものとする。

　再び図５を参照して、上述の監視条件の相互関係について説明する。バッテリ監視回路１００は、カラム５０５に規定される監視条件集合の何れかの条件を満たす場合に、エラー信号（ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号）をＦＦ１に供給し、カラム５０６に規定される監視条件集合の何れかの条件を満たす場合に、別のエラー信号（ローレベルのｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号）をＭＣＵ１３０に供給する。そのため、カラム５０５に規定される監視条件集合のそれぞれの条件及びカラム５０６に規定される監視条件集合のそれぞれの条件は、エラー信号を供給するためのエラー通知条件と呼ばれてもよい。ＦＦ１に供給されるエラー信号そのものは、ＭＣＵ１３０には供給されない。ＭＣＵ１３０に供給されるエラー信号は、ＦＦ１には供給されない。ＦＦ１にエラー信号が供給されると、ＦＦ１は、上述したように、ハードウェア的に保護動作を実行する。このように、ＦＦ１は、エラー処理回路として機能する。一方、ＭＣＵ１３０にエラー信号が供給されると、ＭＣＵ１３０は、上述したように、ソフトウェア的に保護動作を実行する。このように、バッテリ監視回路１００からＦＦ１とＭＣＵ１３０との両方に個別にエラー信号を供給することによって、ＦＦ１とＭＣＵ１３０との一方が正常に動作しなかった場合であっても、電源ユニット１が適切に保護される。

　さらに、カラム５０５に規定される監視条件集合の何れの監視条件も、電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。上述のように、リセット待機状態は、バッテリＢＴの放電又は充電の制限を解除するために、ユーザによる動作を必要とする状態である。そのため、バッテリＢＴの放電又は充電の制限を、ユーザの動作によらず、自動的に解除することによって、さらなるエラーが発生することを抑制できる。また、カラム５０５に規定される監視条件集合の何れかが満たされた場合に、ＦＦ１によってハードウェア的にバッテリＢＴの放電又は充電が制限される。この制限は、精度に優れるＭＣＵ１３０による判断を経ていないため、電源ユニット１を故障状態にはしない。それにより、ユーザの利便性が高まる。換言すれば、ＭＣＵ１３０はＦＦ１に比べて静電気などの外来ノイズやグリッチノイズなどの内部ノイズに対して強い耐性を有する。このため、ＭＣＵ１３０による判断は、精度において優れる。

　一方、カラム５０６に規定される監視条件集合の一部の条件を満たす場合に、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１を故障状態に遷移する。特定の条件を満たす場合に電源ユニット１を故障状態に遷移するため、電源ユニット１の安全性が一層向上する。また、ＭＣＵ１３０による判断によって電源ユニット１を故障状態に遷移するため、精度よくこの遷移の可否を判定できる。

　カラム５０６に規定される監視条件集合に含まれる条件の個数は、カラム５０５に規定される監視条件集合に含まれる条件の個数よりも多い。これによって、重要度の高い一部の条件については、ＦＦ１によらず、ＭＣＵ１３０によって処理されるので、電源ユニット１を一層適切に保護できる。例えば、カラム５０６に規定される監視条件集合で監視されるバッテリＢＴの物理量は、カラム５０５に規定される監視条件集合で監視されないバッテリＢＴの物理量を含む。具体的に、カラム５０６に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの電圧に関する条件を含むが、カラム５０５に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの電圧に関する条件を含まない。カラム５０６に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの温度の下限温度に関する条件を含むが、カラム５０５に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの温度の下限温度に関する条件を含まない。

　バッテリＢＴの過加熱に関する条件は、カラム５０５に規定される監視条件集合と、カラム５０６に規定される監視条件集合との両方に含まれる。電源の温度の上限温度について、制御回路による精度の高いエラー処理では電源ユニットを故障状態に遷移し、エラー処理回路によるハードウェア的なエラー処理では電源ユニットをリセット待機状態に遷移するため、電源ユニットを一層適切に保護できる。また、バッテリＢＴの過加熱に関する条件について、ＦＦ１とＭＣＵ１３０との両方で監視するため、どちらか一方が正常に動作しない場合であっても、電源ユニット１を保護できる。また、カラム５０５に規定される監視条件集合で監視される上限温度（６０℃）は、カラム５０６に規定される監視条件集合で監視される上限温度（８５℃）よりも低い。これによって、動作の速いＦＦ１によって先に保護動作が行われるため、バッテリＢＴの高熱状態が維持し、バッテリＢＴの劣化が進行することを抑制できる。

　バッテリＢＴの過電流に関する条件は、カラム５０５に規定される監視条件集合と、カラム５０６に規定される監視条件集合との両方に含まれる。バッテリＢＴの過電流に関する条件について、ＦＦ１とＭＣＵ１３０との両方で監視するため、どちらか一方が正常に動作しない場合であっても、電源ユニット１を保護できる。また、カラム５０５に規定される監視条件集合で監視される上限電流値（放電時に１０Ａ、充電時に３．０Ａ）は、カラム５０５に規定される監視条件集合で監視される上限電流値（放電時に９．７５Ａ、充電時に２．７５Ａ）よりも大きい。これによって、ＭＣＵ１３０によって先に保護動作が行われるため、バッテリＢＴの高熱状態が維持し、バッテリＢＴの劣化が進行することを抑制できる。併せて、ＭＣＵ１３０にフリーズなどの障害が生じている場合でも、ＦＦ１によって保護動作が行われる。

　カラム５０８に規定される保護回路９０による監視条件集合は、バッテリＢＴを流れる電流（具体的に、放電時の過電流）に関する条件と、バッテリＢＴの電圧（具体的に、過充電及び過放電）に関する条件とを含む。電流及び電圧についてはバッテリ監視回路１００によっても監視されるため、バッテリ監視回路１００と保護回路９０との一方が正常に動作しない場合であっても、電源ユニット１を保護できる。

　放電中にバッテリＢＴを流れる電流について、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（９．７５Ａ以上）は、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（１０Ａ以上）よりも厳しい条件となっている。言い換えると、放電中にバッテリＢＴを流れる電流が増加し続けると、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７０４）が先に満たされ、その後に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７０６）が満たされる。条件Ａが条件Ｂよりも厳しいとは、条件Ａが条件Ｂの必要条件であるが十分条件ではないことを意味してもよい。その逆に、条件Ａが条件Ｂよりも緩いとは、条件Ａが条件Ｂの十分条件であるが必要条件ではないことを意味してもよい。同様に、充電中にバッテリＢＴを流れる電流について、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（２．７５Ａ以上）は、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（３．０Ａ以上）よりも厳しい条件となっている。言い換えると、充電中にバッテリＢＴを流れる電流が増加し続けると、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７１５）が先に満たされ、その後に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７１７）が満たされる。バッテリＢＴの過加熱について、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（８５℃以上が２分継続）は、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（６０℃以上が２秒継続）よりも緩い条件となっている。言い換えると、バッテリＢＴの温度が上昇し続けると、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ１信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７０９）が先に満たされ、その後に、ｎＧＡＵＧＥ＿ＩＮＴ２信号を切り替えるための監視条件（Ｓ７１１）が満たされる。

　放電中にバッテリＢＴを流れる電流について、バッテリ監視回路１００がエラー信号を生成するための監視条件（１０Ａ以上又は９．７５Ａ以上）は、保護回路９０がバッテリＢＴの放電又は充電を制限するための監視条件（１２．６７Ａ以上）よりも厳しい条件となっている。言い換えると、放電中にバッテリＢＴを流れる電流が増加し続けると、バッテリ監視回路１００がエラー信号を生成するための監視条件が先に満たされ、その後に、保護回路９０がバッテリＢＴの放電又は充電を制限するための監視条件が満たされる。また、バッテリＢＴの電圧について、バッテリ監視回路１００がエラー信号を生成するための監視条件（４．２３５Ｖ以上又は２．８Ｖ以下）は、保護回路９０がバッテリＢＴの放電又は充電を制限するための監視条件（４．２８Ｖ以上又は２．５Ｖ以下）よりも厳しい条件となっている。言い換えると、バッテリＢＴの電圧が増加又は減少し続けると、バッテリ監視回路１００がエラー信号を生成するための監視条件が先に満たされ、その後に、保護回路９０がバッテリＢＴの放電又は充電を制限するための監視条件が満たされる。保護回路９０による保護動作の解消は、ＵＳＢプラグを介した外部機器の接続が必要であるため、バッテリ監視回路１００による保護動作よりも解消に手間がかかる。バッテリ監視回路１００による保護動作を先に動作することによって、ユーザの利便性が向上する。

　バッテリ監視回路１００がエラー信号を生成するための監視条件集合は、バッテリＢＴを流れる電流が１０Ａ以上であるという条件と、これが９．７５Ａ以上であるという条件とを含む。これらの閾値の差は、０．２５Ａである。これらの条件の閾値（１０Ａ及び９．７５Ａ）と、保護回路９０がバッテリＢＴの放電又は充電を制限するための条件の閾値（１２．６７Ａ）との差は、それぞれ２．６７Ａ及び２．９２Ａである。これらはいずれも、０．２５Ａよりも大きい。これによって、バッテリ監視回路１００による保護動作と、保護回路９０による保護動作とが同時に機能することを抑制しやすくなる。また、保護回路９０による保護動作の前に、バッテリ監視回路１００による保護動作を実現できる。すなわち、バッテリ監視回路１００に異常が生じていなければ、保護回路９０ではなくバッテリ監視回路１００による保護動作が行われる。これにより、保護動作が行われた状態からの復旧を容易にできる。

　カラム５０６に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの電圧が２．８Ｖ以下になった場合に、ＭＣＵ１３０は、電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。バッテリＢＴの残量が所定の第１下限値以下となると、バッテリＢＴの電圧が２．８Ｖ以下となる。さらに、カラム５０８に規定される監視条件集合は、バッテリＢＴの電圧が２．５Ｖ以下になった場合に、スイッチＳＣ及びＳＤをオフにする。バッテリＢＴの残量が所定の第２下限値以下となると、バッテリＢＴの電圧が２．５Ｖ以下となる。第２下限値は、第１下限値よりも低い。さらに、図１０に示すように、バッテリＢＴの電圧が１．５Ｖ以下になるか、ＡＤＣＢ＋電圧が０．１Ｖ以下になるとＭＣＵ１３０は、さらに所定の条件を満たす場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する。バッテリＢＴの残量が所定の第３下限値以下となると、バッテリＢＴの電圧が１．５Ｖ以下となるか、ＡＤＣＢ＋電圧が０．１Ｖ以下となる。第３下限値は、第２下限値よりも低い。このように、一部の実施形態では、バッテリＢＴの残量に応じた段階的な保護動作が実行される。バッテリＢＴの残量が所定の第３下限値以下になった状態は、バッテリＢＴが深放電状態であることを示している。

　バッテリＢＴの電圧が２．８Ｖ以下になった場合に、保護回路９０は、スイッチＳＤをオフにすることによって、電源ユニット１を接続待機状態に遷移する。バッテリＢＴの残量が上述の第３下限値よりも大きければ、電源ユニット１が故障状態に遷移しないため、保護回路９０は、ＵＳＢコネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続され、その後バッテリＢＴの充電が進行することによって、スイッチＳＣをオンに戻す。これによって、バッテリＢＴが深放電状態である場合にバッテリＢＴへの充電が継続されることを抑制できる。

　カラム５０８に規定される保護回路９０による監視条件集合は、バッテリＢＴの温度に関する条件を含まない。このように、温度を監視しないことによって、保護回路９０のサイズを低減できる。バッテリＢＴの温度は保護回路９０によって監視されないため、他の回路（バッテリ監視回路１００）では、より厳密な保護を行う。具体的に、バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が高温であることに関する条件を、電源ユニット１を故障状態に遷移するための条件としている。これによって、電源ユニット１の安全性がいっそう向上する。バッテリ監視回路１００は、バッテリＢＴの温度が低温であることに関する条件を、電源ユニット１をスリープ状態に遷移するための条件としている。バッテリＢＴの温度が低温であることは、自然に解消されることが見込まれるため、バッテリＢＴの放電又は充電の制限を解消するためにユーザによる動作を必要としない。これによって、ユーザの利便性が高まる。

　図１１は、電源ユニット１がエラーと判定するバッテリＢＴの温度について整理した図である。上述のように、保護制御部２００は、バッテリＢＴの温度が正常範囲外にある場合に、バッテリＢＴの充電と、バッテリＢＴからヒータＨＴへの電力供給との少なくとも一方を、少なくとも一時的に制限する。バッテリＢＴの温度の正常範囲は、以下に詳細に説明するように、電源ユニット１の動作状態によって異なる。

　バッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値は、バッテリＢＴが放電中であるか充電中であるかによって異なる。バッテリＢＴが放電中である場合に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値はー５℃である。バッテリＢＴの温度がー５℃以下になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＭＣＵ１３０に供給し、これに応じてＭＣＵ１３０が電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。一方、バッテリＢＴが充電中である場合に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値は０℃である。バッテリＢＴの温度が０℃以下になると、ＭＣＵ１３０が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。コネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されているが、バッテリＢＴへの充電が行われていない間も、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値及び下限値は、充電中と同じであってもよい。

　このように、保護制御部２００は、バッテリＢＴの充電を開始する際に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値を－５℃から０℃に上昇する。バッテリＢＴの充電時にバッテリＢＴが低温であると、電析が生じやすくなる。電析とは、酸化還元反応によって活物質である金属酸化物が金属イオン化したものが、負極表面に堆積し、金属層を形成する現象である。バッテリＢＴの充電を開始する際にバッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値を上昇することによって、電析の発生を抑制しやすくなる。バッテリＢＴの充電を開始する際とは、電源ユニット１のＵＳＢコネクタＵＳＢＣにＵＳＢプラグを介して外部機器が接続されてから、バッテリＢＴへ電力が安定的に供給されるまでの任意の時点であってもよい。

　バッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値は、バッテリＢＴの充電中に最大となる。このように、バッテリＢＴの放電中にバッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値を低くすることによって、放電中にバッテリＢＴの温度が正常状態から過度に外れることを抑制できる。

　バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は、電源ユニット１の動作状態によって様々に異なる。電源ユニット１がスリープ状態である場合に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は６０℃である。バッテリＢＴの温度が６０℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＦＦ１に供給し、これに応じてＦＦ１が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が８５℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＭＣＵ１３０に供給し、これに応じてＭＣＵ１３０が電源ユニット１を故障状態に遷移する。電源ユニット１が加熱待機状態である場合も、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は、電源ユニット１がスリープ状態である場合と同様である。

　電源ユニット１の起動時、すなわち電源ユニット１がスリープ状態から加熱待機状態への移行中である場合（図６ＡのステップＳ６０１～Ｓ６０３）に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は５１℃である。バッテリＢＴの温度が５１℃以上になると、ＭＣＵ１３０が電源ユニット１をスリープ状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が６０℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＦＦ１に供給し、これに応じてＦＦ１が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が８５℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＭＣＵ１３０に供給し、これに応じてＭＣＵ１３０が電源ユニット１を故障状態に遷移する。電源ユニット１が加熱待機状態から加熱状態への移行中である場合も、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は、電源ユニット１がスリープ状態から加熱待機状態への移行中である場合と同様である。

　電源ユニット１が加熱状態である場合に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は５５℃である。バッテリＢＴの温度が５５℃以上になると、ＭＣＵ１３０が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が６０℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＦＦ１に供給し、これに応じてＦＦ１が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が８５℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＭＣＵ１３０に供給し、これに応じてＭＣＵ１３０が電源ユニット１を故障状態に遷移する。

　電源ユニット１が充電中である場合に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値は５５℃である。バッテリＢＴの温度が５５℃以上になると、ＭＣＵ１３０が電源ユニット１をリセット待機状態に遷移する。さらに、バッテリＢＴの温度が８５℃以上になると、バッテリ監視回路１００がエラー信号をＭＣＵ１３０に供給し、これに応じてＭＣＵ１３０が電源ユニット１を故障状態に遷移する。

　このように、保護制御部２００は、ヒータＨＴの加熱を開始する際に、バッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値を、５１℃から５５℃に上昇する。ヒータＨＴの加熱中、すなわちバッテリＢＴからヒータＨＴへの電力の供給中は、バッテリＢＴの内部抵抗によってバッテリＢＴが発熱する。そのため、ヒータＢＴの加熱移行時の正常範囲の上限値を加熱中の上限値よりも低くすることによって、ヒータＨＴの加熱中にバッテリＢＴの温度が正常範囲を上回ることを抑制しやすくなる。換言すれば、ヒータＨＴの加熱中にバッテリＢＴの温度が正常範囲を上回ることが予期される場合は、ヒータＨＴの加熱を行わない。ヒータＨＴの加熱を開始する際とは、ヒータＨＴの加熱の指示を受けてから、ヒータＨＴが加熱された状態になるまでの任意の時点であってもよい。

　バッテリＢＴの正常範囲の上限値は、電源ユニット１がスリープ状態及び加熱待機状態である場合（すなわち、ヒータＨＴの加熱中以外の状態である場合）に最大（６０℃）となる。上述のように、スリープ状態とは、ユーザがスライダ１３を操作することに応じて発生する信号をＭＣＵ１３０が待機中である状態である。加熱待機状態とは、ユーザがスイッチＳＷを操作することに応じて発生する信号をＭＣＵ１３０が待機中である状態である。電源ユニット１がこれらの状態である場合に、バッテリＢＴの消費電力は少なく、バッテリＢＴの発熱量も小さい。そのため、これらの場合にバッテリＢＴの正常範囲の上限を加熱中と比較して高くすることによって、バッテリＢＴの温度に関する保護が過度に行われることを抑制できる。

　バッテリＢＴの充電を開始する際のバッテリＢＴの温度の正常範囲の下限値の上昇幅（すなわち、０℃ー（－５℃）＝５℃）は、ヒータＨＴへの電力の供給を開始する際のバッテリＢＴの温度の正常範囲の上限値の上昇幅（すなわち、５５℃ー５１℃＝４℃）よりも大きい。このように、充電時のバッテリＢＴの正常範囲の下限温度を厳しく設定することによって、電源ユニット１の安全性がいっそう向上する。

　保護制御部２００は、バッテリＢＴの温度が、正常状態の上限値よりも高い温度閾値（８５℃）よりも高い場合に、電源ユニット１を故障状態に遷移する。バッテリＢＴが正常状態の上限値を超えたことによるエラー処理によってもバッテリＢＴの温度が上昇し続ける場合には、電源ユニット１に何らかの故障が発生したと考えらえる。そのため、バッテリＢＴの温度が、正常状態の上限値よりも高い温度閾値（８５℃）を超えた場合に電源ユニット１を故障状態に遷移することによって、電源ユニット１の安全性を向上できる。

　発明は上記の実施形態に制限されるものではなく、発明の要旨の範囲内で、種々の変形・変更が可能である。

　本願は、２０２１年５月１０提出の日本国特許出願特願２０２１－０７９７４５を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims

　エアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　電源と、
　前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、
　前記電源の温度を測定するための温度センサと、
　前記電源から前記ヒータへの電力の供給の制御と、前記温度センサによって測定された前記電源の温度の監視とを行う保護制御部と、
を備え、
　前記保護制御部は、前記電源の温度が正常範囲外にある場合に、前記電源の充電と、前記電源から前記ヒータへの電力の供給との少なくとも一方を、少なくとも一時的に制限し、
　前記保護制御部は、
　　前記ヒータの加熱を開始する際に、前記正常範囲の上限値を上昇することと、
　　前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇することと、
の少なくとも一方を行う、電源ユニット。
　前記保護制御部は、
　　前記ヒータの加熱を開始する際に、前記正常範囲の上限値を上昇することと、
　　前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇することと、
の両方を行う、請求項１に記載の電源ユニット。
　前記電源の充電を開始する際の前記正常範囲の下限値の上昇幅は、前記ヒータへの電力の供給を開始する際の前記正常範囲の上限値の上昇幅よりも大きい、請求項２に記載の電源ユニット。
　前記保護制御部は、前記電源の充電を開始する際に、前記正常範囲の下限値を上昇する、請求項１に記載の電源ユニット。
　前記正常範囲の下限値は、前記電源の充電中に最大となる、請求項４に記載の電源ユニット。
　前記電源ユニットは、前記ヒータの加熱中以外の状態において、前記正常範囲の上限値が最大となる、請求項１乃至５の何れか１項に記載の電源ユニット。
　前記電源ユニットは、ユーザの操作に応じて信号を前記保護制御部に供給する操作部をさらに備え、
　前記保護制御部が前記操作部からの信号を待機中の前記正常範囲の上限値は、前記ヒータの加熱中の前記正常範囲の上限値よりも高い、請求項１乃至６の何れか１項に記載の電源ユニット。
　前記保護制御部は、前記電源の温度が、前記正常範囲の上限値よりも高い上限温度よりも高い場合に、前記電源の充放電を永久に禁止する故障状態に前記電源ユニットを遷移する、請求項１乃至７の何れか１項に記載の電源ユニット。
　前記保護制御部は、動作状態によらず、前記電源の温度が前記上限温度よりも高い場合に、前記電源ユニットを前記故障状態に遷移する、請求項８に記載の電源ユニット。