WO2020189692A1

WO2020189692A1 - 回路基板の製造方法

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Publication number: WO2020189692A1
Application number: PCT/JP2020/011829
Authority: WO
Inventors: 秀樹大山; 田中　孝幸; 松村　恵理
Original assignee: 味の素株式会社
Priority date: 2019-03-18
Filing date: 2020-03-17
Publication date: 2020-09-24
Also published as: JPWO2020189692A1; EP3944272B1; CN113597652A; JP7414805B2; EP3944272A1; JP2022126796A; KR20210138607A; TW202103188A; EP3944272A4; JP7420167B2

Abstract

本発明は、磁性粉体を含む磁性硬化物上に湿式めっきによる導体層が形成される回路基板の製造方法であって、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わない場合であっても、磁性異物の生成を抑制することができる製造方法を提供する。本発明は、（１）樹脂組成物を熱硬化させ、磁性硬化物を得る工程、（２）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、及び（３）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程をこの順で含む、回路基板の製造方法であって、樹脂組成物が、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含む、回路基板の製造方法等である。

Description

回路基板の製造方法

　本発明は、磁性粉体を含む樹脂組成物を用いる回路基板の製造方法；当該樹脂組成物に関する。

　パワーインダクタ、高周波帯域用インダクタ、コモンモードチョークコイルと呼ばれることがあるインダクタは、携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。従来は独立したインダクタ部品が回路基板上に実装されていたが、近年は回路基板の導体パターンによりコイルを形成し、インダクタを回路基板の内部に設ける手法が行われるようになってきている。

　例えば、特許文献１には、多層基板の複数層に複数回巻きの渦巻状導体パターンを形成し、各層の導体パターンの端を上層及び下層と層間接続し、全体としてらせん状のコイルを形成した、インダクタが内蔵された多層回路基板が開示されている。また特許文献２には、回路基板の薄型化のため、インダクタ部品を回路基板のコア基板に内蔵することが開示されている。

　このように絶縁層上に形成される複数の導体パターンによりインダクタを形成したインダクタ部品を製造する場合、絶縁層を形成するための材料として磁性粉体を含有する樹脂組成物を用いることが考えられる。磁性粉体を含む絶縁層（磁性硬化物層）を用いれば、インダクタンス値を高くすることができ、またインダクタ外への磁力線の漏れも防ぐことができる。例えば、特許文献２には、支持体付き樹脂シートの樹脂組成物層を構成する樹脂組成物に磁性粉体を含有させ、形成される絶縁層を磁性体とすることが開示されている。

　また、例えば、特許文献３には、インダクタ部品用の回路基板におけるスルーホールを、磁性粉体を含む樹脂組成物で充填して、磁性体コアを形成し、回路基板の配線層の形成されたコイルの中心に、該磁性体コアを配置することで、小型で高いインダクタンスを達成したインダクタ部品が開示されている。

特開２００９－１６５０４号公報特開２０１２－１８６４４０号公報特開２０１６－１９７６２４号公報

　これらインダクタ部品（回路基板）の製造においては、磁性粉体を含む磁性硬化物層上に、導体層を形成することがあり、コスト面で有利な湿式めっきにより導体層を形成することが望まれる。

　磁性粉体を含まない絶縁層上に導体層を形成する際、通常、酸化剤で絶縁層の表面を処理した後に導体層を形成する方法が一般的である。しかしながら、本発明者らはこれまでに、磁性粉体を含有する磁性硬化物層上に導体層を形成する場合、磁性硬化物層の表面を酸化剤で処理すると樹脂及び磁性粉体が溶出し、磁性硬化物層が脆くなってしまうことから、めっき密着性を良好なものにすることが困難となることを見出している。

　このため、本発明者らは、酸化剤を使用しないで磁性硬化物層上に導体層を形成するプロセスとして、磁性硬化物層の表面を研磨して導体層を形成する方法を検討した。しかしながら、磁性硬化物層の表面を研磨後、磁性硬化物層上への湿式めっきによる導体層の形成を行ったところ、湿式めっきを行うプロセスにおいて、磁性硬化物層中に含まれる磁性粉体に由来すると考えられる沈殿物や析出物等の磁性異物が生成し、浴及び基板等を汚染するという新たな課題を見出した。特に、無電解めっきを行う場合に、磁性硬化物層表面にパラジウム等の触媒を付与した後、該触媒を還元剤で活性化する触媒活性化工程において汚染が顕著となることを見出した。

　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わない場合であっても、磁性粉体を含む磁性硬化物層上に湿式めっきによる導体層が形成される回路基板の製造において、磁性異物の生成を抑制することができる基板の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記目的を達成すべく、鋭意検討した結果、樹脂組成物中に含有させる磁性粉体としてニッケルを含むものを使用することにより、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わずに、その代わりとして研磨処理を行う場合であっても、湿式めっきプロセスにおける磁性異物の生成を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］　（１）樹脂組成物を熱硬化させ、磁性硬化物を得る工程、（２）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、及び（３）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程をこの順で含む、回路基板の製造方法であって、樹脂組成物が、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含む、回路基板の製造方法。
［２］　（Ａ）成分が、ニッケル鉄合金系金属粉である、上記［１］に記載の回路基板の製造方法。
［３］　（Ａ）成分中のニッケル含有量が、３０質量％～９０質量％である、上記［１］又は［２］に記載の回路基板の製造方法。
［４］　樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％～９８質量％である、上記［１］～［３］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［５］　２Ｎ硫酸に４０℃５分浸漬した場合の（Ａ）成分の重量保持率が、９０％以上である、上記［１］～［４］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［６］　（Ｂ）成分が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、上記［１］～［５］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［７］　（Ｃ）成分が、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選ばれる硬化剤である、上記［１］～［６］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［８］　（１）工程で得られる磁性硬化物の表面のＪＩＳ　Ｋ　５６００－５－４に従って測定した鉛筆硬度が、Ｆ～５Ｈである、上記［１］～［７］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［９］　（１）工程で得られる磁性硬化物をソフトエッチング液（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_８１００ｇ／Ｌ，Ｈ_２ＳＯ_４（７５％水溶液））に３０℃１分間浸漬した場合のエッチングレートが、２５ｍｇ／ｃｍ^２以下である、上記［１］～［８］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［１０］　樹脂組成物がペースト状である、上記［１］～［９］の何れかに記載の回路基板の製造方法。
［１１］　（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含む、樹脂組成物。

　本発明における樹脂組成物を硬化させて得られる磁性硬化物を回路基板の製造に使用することにより、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わない場合であっても、湿式めっきプロセスで処理液中に生成し得る磁性異物の生成量を抑制することができる。

図１は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのコア基板の模式的な断面図である。図２は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホールを形成したコア基板の模式的な断面図である。図３は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホール内にめっき層を形成した様子を示す模式的な断面図である。図４は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホール内にスルーホール充填用ペーストを充填させた様子を示す模式的な断面図である。図５は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としての充填させたスルーホール充填用ペーストを熱硬化させた磁性硬化物の様子を示す模式的な断面図である。図６は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としての磁性硬化物を研磨した後の様子を示す模式的な断面図である。図７は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としての研磨した面上に導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。図８は、回路基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのパターン導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。図９は、回路基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（α）工程を説明するための模式的な断面図である。図１０は、回路基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（α）工程を説明するための模式的な断面図である。図１１は、回路基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（β）工程を説明するための模式的な断面図である。図１２は、回路基板の製造方法の第２実施形態の一例としてのパターン導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。図１３は、一例としての回路基板の製造方法の第２実施形態により得た回路基板を含むインダクタ部品をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、一例としてのＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した回路基板の製造方法の第２実施形態により得た回路基板を含むインダクタ部品の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、一例としての回路基板の製造方法の第２実施形態により得た回路基板を含むインダクタ部品のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

　以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

［回路基板］
　回路基板とは、片面又は両面に導体層（回路）が形成された基板をいう。回路基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。

　以下、回路基板の製造方法について説明する。

［回路基板の製造方法］
　本発明の回路基板の製造方法は、（１）樹脂組成物を熱硬化させ、磁性硬化物を得る工程、（２）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、及び（３）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程、をこの順で含む。また、樹脂組成物は、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含む。このように、本発明における樹脂組成物には磁性粉体として酸に強い（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体が用いられているため、その磁性硬化物を回路基板の製造に用いることにより、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わずに、その代わりとして研磨処理を行う場合であっても、湿式めっきプロセスにおいて、処理液中に生じ得る磁性異物の生成量が低く抑えられるため、浴、基板等の汚染を防止することができる。特に（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体を含む面を有する磁性硬化物と、前記面に形成された導体層とを備える回路基板を、磁性異物の生成量を抑制しながら回路基板を製造できる。また、一実施形態において、本発明における樹脂組成物は、（Ａ）成分を含有していることにより研磨に適した硬度の磁性硬化物を容易に得ることができる。したがって、当該実施形態において、本発明における樹脂組成物の磁性硬化物は、研磨性に優れていることから、湿式めっきプロセスの（２）研磨工程の研磨を効率的に行うことができる。

　－（１）工程－
　（１）工程は、樹脂組成物を熱硬化させ、磁性硬化物を得る工程である。磁性硬化物の形状は特に限定されず、使用態様などに応じて適宜設定される。（１）工程を行うにあたって、樹脂組成物を準備する工程を含んでいてもよい。（１）工程における樹脂組成物の硬化温度は、樹脂組成物の組成や種類によっても異なるが、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。樹脂組成物の硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。

　樹脂組成物を熱硬化させる前に、樹脂組成物に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物を、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。

　（１）工程において得られる磁性硬化物の硬化度としては、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定することができる。

　－（２）工程－
　（２）工程は、磁性硬化物の表面を研磨する工程である。研磨する面は、磁性硬化物の表面の少なくとも一部であればよい。研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。

　磁性硬化物の研磨した面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層とのめっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　（２）工程後（３）工程前に、磁性硬化物の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理工程を行ってもよい。熱処理工程における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

　（２）工程において、磁性硬化物の表面を研磨することにより、当該表面に対して酸化剤による処理を行うことなく磁性硬化物上に導体層を形成することができるため、磁性硬化物が脆くなることを防止し、良好なめっき密着性を達成できる。

　また、こうして得られる磁性硬化物の研磨面には、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体が一部露出している場合があるが、（Ａ）成分が酸に強いことから、磁性異物の生成量が低く抑えられる。

　－（３）工程－
　（３）工程は、磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程である。磁性硬化物の研磨面には（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体が存在し得るが、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体は、めっきで使用する液に溶出し難いので、磁性異物の発生を抑制できる。導体層の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

　（３）工程の好適な実施形態では、湿式めっき処理として無電解めっき処理を行い、導体層を形成することが好ましく、無電解めっき処理を行った後、さらに電解めっき処理を行い、導体層を形成することがより好ましい。よって、（３）工程は、セミアディティブ法、フルアディティブ法等によって磁性硬化物の表面にめっきし導体層を形成することが好ましい。（３）工程は、導体層の製造のしやすさの観点から、セミアディティブ法により導体層を形成することが好ましい。

　セミアディティブ法の詳細は、まず、磁性硬化物の表面に、無電解めっき処理によりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっき処理により導体層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。

　無電解めっき処理は、無電解めっき液に磁性硬化物を浸漬させて行う。無電解めっき処理としては、例えば、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解ニッケル－タングステンめっき、無電解スズめっき、無電解金めっき等が挙げられ、無電解銅めっきが好ましい。

　無電解めっき処理に用いる無電解めっき液としては、例えば、銅、ニッケル、タングステン、錫、金、パラジウム、ＰｄＣｌ_２等の金属イオンを含有する液が挙げられる。また、無電解めっき液は、還元剤などのその他の添加剤を含んでいてもよい。無電解めっき液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、上村工業社製の「スルカップＰＥＡ」や、日本カニゼン社製の「Ｓ－ＫＰＤ」等が挙げられる。

　無電解めっき処理の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１０分以上、より好ましくは２０分以上、さらに好ましくは３０分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは５０分以下、さらに好ましくは４０分以下である。

　無電解めっき処理の処理温度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５５℃以下、さらに好ましくは５０℃以下である。

　無電解めっき処理によりめっきシード層を形成した後、めっきシード層上に、ドライフィルムを積層する。その後、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部が露出するようにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行い、マスクパターンを形成する。露光及び現像条件は、すでに公知の条件にて行うことできる。

　ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができる。このようなドライフィルムとしては、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。

　マスクパターンは、電解銅めっき処理におけるめっきマスクとして使用する。電解めっき処理後、マスクパターンは除去される。

　電解めっき処理は、めっき浴に無電解めっき処理後の磁性硬化物を浸漬させて行う。その際、めっき浴に電流を流して行う。電解めっき処理としては、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解スズめっき、電解金めっき等が挙げられ、電解銅めっきが好ましい。

　電解めっき処理に用いるめっき浴としては、硫酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅等を含む浴が挙げられる。

　電解めっき処理の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは３０分以上、より好ましくは４０分以上、さらに好ましくは５０分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは８０分以下、さらに好ましくは７０分以下である。

　電解めっき処理の処理温度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上、さらに好ましくは２０℃以上であり、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下である。

　電解めっき処理の電流密度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１．０Ａ／ｄｍ^２以上、より好ましくは１．５Ａ／ｄｍ^２以上、さらに好ましくは２．０Ａ／ｄｍ^２以上であり、好ましくは４．０Ａ／ｄｍ^２以下、より好ましくは３．５Ａ／ｄｍ^２以下、さらに好ましくは３．０Ａ／ｄｍ^２以下である。

　導体層形成後、導体層のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、基板を１５０～２００℃で２０～９０分間加熱することにより行うことができる。

　導体層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

　以下、回路基板の製造方法のより具体的な例として、第１実施形態及び第２実施形態について説明する。当然、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。

＜第１実施形態＞
　第１実施形態における回路基板は、スルーホールが形成された基板と、前記スルーホールを充填する磁性硬化物と、を含む。したがって、第１実施形態における回路基板の製造方法は、
　（１Ａ）基板のスルーホール内に樹脂組成物を充填し、樹脂組成物を熱硬化して磁性硬化物を形成する工程、
　（２Ａ）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、
　（３Ａ）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程をこの順で含む。

　第１実施形態における回路基板の製造方法は、さらに（２Ａ）工程後（３Ａ）工程前に、
　（２Ａ－１）磁性硬化物表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程、及び
　（２Ａ－２）磁性硬化物表面に触媒を付与する触媒化工程
をこの順でさらに含むことが好ましく、
　（２Ａ－２）工程後（３Ａ）工程前に、
　（２Ａ－３）触媒を活性化する触媒活性化工程
をさらに含むことがより好ましい。（２Ａ－１）～（２Ａ－３）工程を（２Ａ）工程終了後に行う場合、特に（２Ａ－２）工程及び（２Ａ－３）工程において発生する不溶物等の発生を抑制することが可能となる。

　また、（２Ａ－１）工程後（２Ａ－２）工程前に、
　（２Ａ－１－１）界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程を含んでいてもよい。

－（１Ａ）工程－
　（１Ａ）工程は、基板のスルーホール内に樹脂組成物を充填し、樹脂組成物を熱硬化して磁性硬化物を形成する工程である。（１Ａ）工程では、磁性ペーストを用いて磁性硬化物を形成することが好ましい。また、（１Ａ）工程を行うにあたって、図１に一例を示すように、支持基板１１、並びに該支持基板１１の両表面に設けられた銅箔等の金属からなる第１金属層１２、及び第２金属層１３を備えるコア基板１０を準備する工程を含んでいてもよい。支持基板１１の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。

　また、図２に一例を示すように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル、レーザー照射、プラズマ照射等により形成することができる。具体的には、ドリル等を用いてコア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。

　スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。

　コア基板１０にスルーホール１４を形成した後、図３に一例を示すように、コア基板１０の粗化処理を行い、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面上、及び第２金属層１３の表面上にめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。

　前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

　めっき層２０は、めっき法により形成され、めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する（３Ａ）工程における導体層の形成と同様である。

　スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基板１０を用意した後で、図４に一例を示すように、樹脂組成物３０ａをスルーホール１４へ充填する。充填方法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ樹脂組成物３０ａを充填する方法、カートリッジを介して樹脂組成物３０ａを充填する方法、マスク印刷して樹脂組成物３０ａを充填する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。樹脂組成物３０ａは磁性ペーストであることが好ましい。

　スルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填後、樹脂組成物３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に磁性硬化物３０を形成する。（１Ａ）工程における樹脂組成物３０ａの熱硬化条件、及び磁性硬化物３０の硬化度は、上述した（１）工程で示したものと同様である。

－（２Ａ）工程－
　（２Ａ）工程は、磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程である。（２Ａ）工程では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性硬化物３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性硬化物３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法は、上述した（２）工程で示したものと同様である。

　（２Ａ）工程後の磁性硬化物の研磨した面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層とのめっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　（２Ａ）工程において、磁性硬化物の表面を研磨することにより、当該表面に対して酸化剤による処理を行うことなく磁性硬化物上に導体層を形成することができるため、磁性硬化物が脆くなることを防止し、良好なめっき密着性を達成できる。

　（２Ａ）工程後（３Ａ）工程前に、上記（２）工程後（３）工程前と同様に、磁性硬化物の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理工程を行ってもよい。

－（２Ａ－１）工程－
　（２Ａ－１）工程は、磁性硬化物表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程である。（２Ａ－１）工程では、通常、界面活性剤を含む溶液と磁性硬化物表面とを接触させることで、磁性硬化物表面の洗浄とともに、（２Ａ－２）工程における触媒の吸着を容易にできるように表面電荷を調整する。

　（２Ａ－１）工程で使用する界面活性剤を含む溶液としては、磁性硬化物表面の洗浄とともに、（２Ａ－２）工程における触媒の吸着を容易にできるように表面電荷を調整することができる界面活性剤を含む溶液を用いることができる。このような溶液としては、界面活性剤を含むアルカリ溶液、界面活性剤を含む酸溶液等が挙げられるが、不溶物等を抑制する観点から界面活性剤を含むアルカリ溶液が好ましい。アルカリ溶液としては水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等が挙げられる。

　界面活性剤を含むアルカリ溶液のｐＨとしては、好ましくは７を超え、より好ましくは８以上、さらに好ましくは１０以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは１４以下、１３以下等とし得る。界面活性剤を含む酸溶液のｐＨとしては、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは７未満、６以下等とし得る。

　界面活性剤としては、例えば、アルキルアミン塩、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルベンジルアンモニウム塩等のカチオン性界面活性剤；オレイン酸ナトリウム等の脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸塩、アルカンスルホネートナトリウム塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸ナトリウム塩等のアニオン性界面活性剤；ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレエート、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン共重合体等の非イオン性界面活性剤等が挙げられる。

　界面活性剤は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えばアトテックジャパン社製の「セキュリガンド９０２」、上村工業社製「ＰＥＤ－１０４」等が挙げられる。

　（２Ａ－１）工程の処理時間としては、触媒の吸着を容易にする観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。

　界面活性剤を含む溶液の温度としては、触媒の吸着を容易にする観点から、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、さらに好ましくは５０℃以上であり、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下、さらに好ましくは７０℃以下である。

　（２Ａ－１）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。

－（２Ａ－１－１）工程－
　（２Ａ－１－１）工程は、界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程である。（２Ａ－１－１）工程では、通常、マイクロエッチング液と磁性硬化物表面とを接触させることで、界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去する。界面活性剤が不要な部位としては、例えば第１金属層１２及び第２金属層１３等が挙げられる。

　マイクロエッチング液としては、塩酸、硫酸、過酸化水素水、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム塩及びこれらの組み合わせからなる液等が挙げられる。

　マイクロエッチング液の濃度としては、界面活性剤を不要な部位のみから除去する観点から、規定度で、通常は２Ｎ以下、好ましくは１．５Ｎ以下、より好ましくは１Ｎ以下であり、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは０．１Ｎ以上、より好ましくは０．２Ｎ以上、さらに好ましくは０．５Ｎ以上である。

　マイクロエッチング液の温度としては、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上、さらに好ましくは２０℃以上であり、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下である。

　（２Ａ－１－１）工程の処理時間としては、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは１０秒以上、より好ましくは１５秒以上、さらに好ましくは３０秒以上であり、好ましくは６０秒以下、より好ましくは５０秒以下、さらに好ましくは４０秒以下である。

　（２Ａ－１－１）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。

－（２Ａ－２）工程－
　（２Ａ－２）工程は、磁性硬化物表面に触媒を付与する触媒化工程である。（２Ａ－２）工程では、磁性硬化物表面に触媒を付与することで、磁性硬化物と導体層との間の密着性を向上させることができる。通常、（２Ａ－２）工程では、触媒を含有する溶液に磁性硬化物を浸漬し、磁性硬化物表面に触媒を吸着させる。

　触媒としては、例えば、パラジウム塩、パラジウム錯化合物、スズ・パラジウムの錯塩、スズ・パラジウムコロイド、等が挙げられる。

　触媒を含有する溶液は、通常、アルカリ性の溶液を用いる。これにより、不溶物等の発生を顕著に抑制することができる。このアルカリ性の溶液のｐＨとしては、好ましくは７を超え、より好ましくは８以上、さらに好ましくは１０以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは１４以下、１３以下等とし得る。

　また、触媒を含有する溶液の濃度としては、磁性硬化物全体に触媒を吸着させる観点から、規定度で、好ましくは１ｍｍｏｌ／Ｌ以上、より好ましくは５ｍｍｏｌ／Ｌ以上、さらに好ましくは１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上であり、好ましくは５００ｍｍｏｌ／Ｌ以下、より好ましくは３００ｍｍｏｌ／Ｌ以下、さらに好ましくは１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下である。

　触媒を含有する溶液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「アクチベーター・ネオガンド８３４」、日本カニゼン社製の「ブラウンシューマー」等が挙げられる。

　（２Ａ－２）工程の処理時間としては、磁性硬化物全体に触媒を吸着させる観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。

　触媒を含有する溶液の温度としては、磁性硬化物全体に触媒を吸着させる観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは４０℃以下である。

　（２Ａ－２）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。

－（２Ａ－３）工程－
　（２Ａ－３）工程は、触媒を活性化する触媒活性化工程である。（２Ａ－３）工程では、触媒を活性化することで、磁性硬化物と導体層との間の密着性を向上させることができる。通常、（２Ａ－３）工程では、触媒が付与された磁性硬化物を還元剤溶液に浸漬し触媒の核を生成させ、磁性硬化物表面に付与された触媒を活性化させる。

　従来の一般的な磁性粉体（Ｎｉを含まない金属粉体など）は、還元剤溶液に溶解しやすかった。また、溶解した磁性粉体の成分の一部又は全部は、還元剤による還元によって析出し、異物が生じやすかった。しかし、本願発明で使用する（Ａ）成分は、還元剤溶液に溶解し難いので、異物の発生を抑制できる。

　（２Ａ－３）工程で用いられる還元剤としては、例えば、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランと有機酸のカリウム塩の混合液等が挙げられる。

　還元剤溶液は、通常、酸性の溶液を用いる。このような酸性の溶液は、一般的な磁性粉体を溶解しやすいが、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体は、溶解し難いので、不溶物等の発生を顕著に抑制することができる。この酸性溶液のｐＨとしては、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは７未満、６以下等とし得る。

　また、還元剤溶液中の還元剤濃度としては、磁性硬化物表面に付与された触媒を活性化させる観点から、規定度で、好ましくは０．３Ｎ以上、より好ましくは０．４Ｎ以上、さらに好ましくは０．５Ｎ以上であり、好ましくは３Ｎ以下、より好ましくは２Ｎ以下、さらに好ましくは１Ｎ以下である。

　還元剤溶液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リデューサーアクセラレーター８１０ｍｏｄ．」、「リデューサーネオガントＷＡ」、日本カニゼン社製「Ｋ－ＰＶＤ」等が挙げられる。

　（２Ａ－３）工程の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。

　還元剤溶液の温度としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは４０℃以下である。

　（２Ａ－３）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。

－（３Ａ）工程－
　（３Ａ）工程は、磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程である。（３Ａ）工程では、図７に一例を示すように、研磨した磁性硬化物３０上に、湿式めっきにより導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。（３Ａ）工程における導体層４０及びパターン導体層４１の材料、形成方法等は、上述した（３）工程における導体層の材料、形成方法等として示したものを適用することができる。

＜第２実施形態＞
　第２実施形態における回路基板は、配線を含む基板と、前記配線を封止保護する磁性硬化物と、を含む。例えば、層状の磁性硬化物を備える形態である。第２実施形態における回路基板の製造方法は、
　（１Ｂ）磁性シートを、樹脂組成物層が基板と接合するように基板上に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性硬化物を形成する工程、
　（２Ｂ）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、及び
　（３Ｂ）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程をこの順で含む。

　第２実施形態における回路基板の製造方法は、さらに（１Ｂ）工程後（２Ｂ）工程前に、
　（１Ｂ－１）磁性硬化物に穴あけ加工を行う工程を含むことが好ましい。

　さらに（２Ｂ）工程後（３Ｂ）工程前に、
　（２Ｂ－１）磁性硬化物表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング
工程、及び
　（２Ｂ－２）磁性硬化物表面に触媒を付与する触媒化工程
をこの順でさらに含むことがより好ましく、
　（２Ｂ－２）工程後（３Ｂ）工程前に、
　（２Ｂ－３）触媒を活性化する触媒活性化工程
をさらに含むことがさらに好ましい。

　また、（２Ｂ－１）工程後（２Ｂ－２）工程前に、
　（２Ｂ－１－１）界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程を含んでいてもよい。

－（１Ｂ）工程－
　（１Ｂ）工程は、磁性シートを、樹脂組成物層が基板と接合するように基板上に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性硬化物を形成する工程である。（１Ｂ）工程を行うにあたって、磁性シートを準備する工程を含んでいてもよい。

　（１Ｂ）工程において、図９に一例を示すように、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む磁性シート３１０を、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００上に磁性シート３１０を積層させる。

　内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

　図９に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。

　第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層を構成し得る導体材料としては、（３）工程において説明した導体層の材料と同様である。

　第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層の厚さは、第１実施形態におけるパターン導体層と同様である。

　第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性硬化物を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

　内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有している。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。

　樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を磁性シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に磁性シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。

　加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃～１６０℃、より好ましくは９０℃～１４０℃、さらに好ましくは１００℃～１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。磁性シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。

　磁性シート３１０の樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。

　磁性シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された磁性シート３１の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

　磁性シートを内層基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して磁性硬化物を形成する。図１０に一例を示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性硬化物層３２０を形成する。樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件、及び第１磁性硬化物層３２０の硬化度は、（１）工程において説明した熱硬化条件及び硬化度と同様である。

　支持体３３０は、（１Ｂ）工程の熱硬化後と（２Ｂ）工程との間に除去してもよく、（２Ｂ）工程の後に剥離してもよい。

　また、（１Ｂ）工程は、磁性シートを内層基板上に積層する代わりに、ペースト状の樹脂組成物（磁性ペースト）を内層基板上に直接塗布又は印刷することにより行ってもよい。

－（１Ｂ－１）工程－
　（１Ｂ－１）工程は、磁性硬化物に穴あけ加工を行う工程である。（１Ｂ－１）工程において、図１１に一例を示すように、第１磁性硬化物層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は（１）工程において説明したスルーホールの形成と同様の方法により行うことができる。

－（２Ｂ）工程－
　（２Ｂ）工程は、磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程である。（２Ｂ）工程における研磨方法としては、第１実施形態の（２Ａ）工程において説明したものと同様の研磨により行うことができる。

　（２Ｂ）工程後の磁性硬化物の研磨した面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層とのめっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　（２Ｂ）工程において、磁性硬化物の表面を研磨することにより、当該表面に対して酸化剤による処理を行うことなく磁性硬化物上に導体層を形成することができるため、磁性硬化物が脆くなることを防止し、良好なめっき密着性を達成できる。

　（２Ｂ－１）～（２Ｂ－３）工程はそれぞれ第１実施形態の（２Ａ－１）～（２Ａ－３）工程において説明したとおりである。

－（３Ｂ）工程－
　（３Ｂ）工程は、磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程である。（３Ｂ）工程では、図１２に一例を示すように、第１磁性硬化物層３２０の研磨した面上に、部分的に、第２導体層４４０を形成する。第２導体層４４０の形成方法は、第１実施形態において説明したとおりである。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。第２導体層４４０を形成することで導体層４００が形成する。第２導体層４４０は、複数の配線を含んでいる。

　第２導体層４４０を構成し得る導体材料は、第１導体層４２０と同様である。第２導体層４４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第２導体層４４０が複層構造である場合、磁性硬化物と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。また、第２導体層４４０の厚さは、第１導体層４２０の厚さと同様である。

　第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３～１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。

　コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。

　（３Ｂ）工程後、さらに導体層上に磁性硬化物を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性硬化物層３２０上に第２磁性硬化物を形成する。第２磁性硬化物は既に説明した工程と同様の工程により形成すればよい。

［磁性ペースト］
　本発明における樹脂組成物は、液状のエポキシ樹脂等を使用することにより、有機溶剤を含まなくともペースト状の磁性ペーストとすることができる。磁性ペーストが有機溶媒を含む場合、その含有量は、磁性ペーストの全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。磁性ペースト中の有機溶剤の含有量が少ない、または有機溶剤を含まないことにより、有機溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができ、さらに取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。

　磁性ペーストの粘度は、２５℃で好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２５Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、５０Ｐａ・ｓ以上であり、通常２００Ｐａ・ｓ未満、好ましくは１８０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１６０Ｐａ・ｓ以下である。粘度は、磁性ペーストの温度を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計を用いて測定することができる。

　このような磁性ペーストは、基板のスルーホール内に充填する際に有用である。

［磁性シート］
　磁性シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明における樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。

　樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下、１００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上等とし得る。

　支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

　支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

　支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

　支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

　また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

　支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

　磁性シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した磁性ペーストを調製し、この磁性ペーストを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。なお、樹脂組成物がペースト状の場合、ダイコーター等を用いて支持体上に直接樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

　有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。磁性ペースト中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む磁性ペーストを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

　磁性シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

［インダクタ部品］
　本発明における回路基板としては、パターン導体層により形成されたインダクタ素子を有するインダクタ部品であることが好ましい。

　インダクタ部品は、本発明における回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む。このようなインダクタ部品は、回路基板の製造方法の第１実施形態により得られた回路基板を含む場合、前記の樹脂組成物の磁性硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタ素子を有する。このようなインダクタ部品は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。

　また、回路基板の製造方法の第２実施形態により得られた回路基板を含む場合、インダクタ部品は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の磁性硬化物と、この磁性硬化物に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性硬化物の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性硬化物のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１３は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ部品をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３のＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ部品の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ部品のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

　インダクタ部品１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の磁性硬化物（第１磁性硬化物層３２０、第２磁性硬化物層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性硬化物層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板であり得る。また、インダクタ部品１００は、内層基板２００を備えている。

　図１４より、第１磁性硬化物層３２０及び第２磁性硬化物層３４０は一体的な磁性硬化物としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ部品１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。

　図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

　同様に、第１磁性硬化物層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

　このようなインダクタ部品は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

　また、かかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に好適に用いることができる。

［樹脂組成物］
　本発明における樹脂組成物は、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含む。樹脂組成物は、さらに（Ｄ）非磁性無機充填材を含有する場合があり、さらに必要に応じて（Ｅ）その他の添加剤を含み得る。

　このような樹脂組成物の磁性硬化物を回路基板の製造に用いることにより、磁性硬化物層表面の処理を行わずに、その代わりとして研磨処理を行う場合であっても、湿式めっきプロセスで処理液中に生じ得る磁性異物の生成量を抑制することができるため、浴、基板等の汚染を防止することができる。一実施形態において、本発明における樹脂組成物は、（Ａ）成分を含有していることにより研磨に適した硬度の磁性硬化物を容易に得ることができる。したがって、当該実施形態において、本発明における樹脂組成物の磁性硬化物は、研磨性に優れる。以下、本発明における樹脂組成物の各成分について説明する。

＜（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体＞
　本発明における樹脂組成物は、（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体を含有する。ニッケルを含む磁性粉体としては、例えば、純ニッケル粉末；Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト粉末、Ｂａ－Ｎｉ系フェライト粉末、Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライト粉末等のニッケル含有酸化鉄粉；Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉末等のニッケル鉄合金系金属粉等が挙げられる。

　ニッケルを含む磁性粉体としては、中でも、ニッケル含有酸化鉄粉及びニッケル鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、ニッケル鉄合金系金属粉がより好ましく、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉末及びＦｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉末であることが特に好ましい。ニッケル含有酸化鉄粉は、Ｆｅ、Ｎｉに加えて、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むものであってもよい。また、ニッケル鉄合金系金属粉は、Ｆｅ、Ｎｉに加えて、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含むものであってもよい。

　（Ａ）成分中のニッケル含有量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、例えば１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上であり、好ましくは３５質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、特に好ましくは４５質量％以上である。上限は、特に限定されるものではないが、例えば、１００質量％以下、１００質量％未満、９５質量％以下、９０質量％以下、８５質量％以下等とし得る。

　（Ａ）成分中の鉄含有量は、特に限定されるものではないが、例えば９０質量％以下、８０質量％以下、７０質量％以下であり、好ましくは６５質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、特に好ましくは５５質量％以下である。下限は、特に限定されるものではないが、例えば、０質量％以上、０質量％超、５質量％以上、１０質量％以上、１５質量％以上等とし得る。

　（Ａ）成分としては、市販の磁性粉体を用いることができる。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、エプソンアトミックス社製「８０％Ｎｉ－４Ｍｏ」等が挙げられる。磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

　（Ａ）成分は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、特に球状の磁性粉体を用いる方が、通常、磁気損失を低くでき、また好ましい粘度を有するペーストを得る観点から好ましい。

　（Ａ）成分の平均粒径は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。

　（Ａ）成分の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性粉体を超音波により水に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。

　（Ａ）成分の比表面積は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ^２／ｇ以上である。また、好ましくは１０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは８ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは５ｍ^２／ｇ以下である。磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。

　（Ａ）成分の酸浸漬時の未溶解率、即ち重量保持率は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、例えば、２Ｎ硫酸に４０℃５分間浸漬した場合において、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９５％以上が特に好ましい。

　（Ａ）成分の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、さらに好ましくは７５体積％以下である。

　（Ａ）成分の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは７８質量％以上である。また、好ましくは９８質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。

＜（Ｂ）エポキシ樹脂＞
　本発明における樹脂組成物は、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有する。

　（Ｂ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　樹脂組成物は、（Ｂ）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ｂ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

　エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。一実施形態では、本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を含む。一実施形態では、本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂を含む。本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、或いは固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含んでいてもよいが、好適な実施形態では、液状エポキシ樹脂のみを含む。

　液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

　液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。

　液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ－３６００」、日本曹達社製の「ＪＰ－１００」、「ＪＰ－２００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

　固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

　固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｂ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する質量比（液状エポキシ樹脂／固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１以上、より好ましくは１０以上、特に好ましくは５０以上である。

　（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、磁性シートの磁性硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい磁性硬化物層をもたらすことができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６に従って測定することができる。

　（Ｂ）エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

　（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上である。その上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは２０質量％以下である。

＜（Ｃ）硬化剤＞
　本発明における樹脂組成物は、（Ｃ）硬化剤を含む。

　（Ｃ）硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、リン系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、グアニジン系硬化剤、金属系硬化剤等が挙げられる。中でも、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤が好ましい。（Ｃ）硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、被着体に対する密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤又はトリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂が好ましい。フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、「ＭＥＨ－８０００Ｈ」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ－１７０」、「ＳＮ－１８０」、「ＳＮ－１９０」、「ＳＮ－４７５」、「ＳＮ－４８５」、「ＳＮ－４９５」、「ＳＮ－３７５」、「ＳＮ－３９５」、ＤＩＣ社製の「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＬＡ－１３５６」、「ＴＤ２０９０」等が挙げられる。

　酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２，３－ジカルボン酸無水物／ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２，３－ジカルボン酸無水物（市販品としては新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

　活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

　具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンタレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

　活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

　ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」などが挙げられる。

　シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート））、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

　カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ－０３」、「Ｖ－０７」等が挙げられる。

　リン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。

　アミン系硬化剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等の脂肪族アミン系硬化剤；ベンジジン、ｏ－トリジン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４、４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ－１００」）、４、４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤハードＡ－Ａ」）、４、４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラメチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ－２００Ｓ」）、４、４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラエチルジフェニルメタン（市販品としては日本化薬製の「カヤボンドＣ－３００Ｓ」）、４、４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ネオペンタン、４，４’－［１，３－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン（市販品としては三井化学製の「ビスアニリンＭ」）、４，４’－［１，４－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン（市販品としては三井化学製の「ビスアニリンＰ」）、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（市販品としては和歌山精化製の「ＢＡＰＰ」）、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル等の芳香族アミン系硬化剤が挙げられる。

　イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン、等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。

　イミダゾール系硬化剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。

　グアニジン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。

　金属系硬化剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

　エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２～１：２の範囲が好ましく、１：０．３～１：１．５がより好ましく、１：０．４～１：１．２がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、得られる硬化物の耐熱性がより向上する。

　（Ｃ）硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。その上限は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。

＜（Ｄ）非磁性無機充填材＞
　本発明における樹脂組成物は、任意成分として（Ｄ）非磁性無機充填材を含む場合がある。（Ｄ）非磁性無機充填材は、（Ａ）成分とは異なり、磁性を伴わない成分である。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられ、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球形シリカが好ましい。（Ｄ）非磁性無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の市販品としては、例えば、日本アエロジル社製「ＲＹ－２００」、「Ａ２００」；電化化学工業社製の「ＵＦＰ－３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ５０７－０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；デンカ社製の「ＵＦＰ－３０」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ－３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ１」；などが挙げられる。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、本発明の所望の効果を得る観点から、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下、さらにより好ましくは６μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。非磁性無機充填材の平均粒径の下限は、本発明の所望の効果を得る観点から、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上、さらにより好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは４μｍ以上である。非磁性無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、非磁性無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、非磁性無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で非磁性無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出した。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」等が挙げられる。

　（Ｄ）非磁性無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」（３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

　表面処理剤による表面処理の程度は、非磁性無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、非磁性無機充填材１００質量％は、０．２質量％～５質量％の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量％～３質量％で表面処理されていることが好ましく、０．３質量％～２質量％で表面処理されていることが好ましい。

　表面処理剤による表面処理の程度は、非磁性無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。非磁性無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、非磁性無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上がさらに好ましい。一方、磁性ペーストの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下がさらに好ましい。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の非磁性無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された非磁性無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて非磁性無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の比表面積は、本発明の効果をより向上させる観点から、好ましくは１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは２ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは３ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは５０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは２０ｍ^２／ｇ以下、１０ｍ^２／ｇ以下又は５ｍ^２／ｇ以下である。非磁性無機充填材の比表面積は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ　ＨＭ－１２１０）を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。

　（Ｄ）非磁性無機充填材の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。樹脂組成物が（Ｄ）非磁性無機充填材を含有する場合、その含有量の下限は、特に限定されるものではないが、例えば、０．００１質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上等とし得る。

＜（Ｅ）その他の添加剤＞
　本発明における樹脂組成物は、さらに必要に応じて、（Ｅ）その他の添加剤を含んでいてもよい。斯かるその他の添加剤としては、例えば、その他の樹脂成分、分散剤、ホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、難燃剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤、有機溶剤等が挙げられる。その他の添加剤の含有量は、当業者により適宜設定され得る。

＜樹脂組成物の特性＞
　本発明における樹脂組成物は、磁性粉体としてニッケルを含む磁性粉体を使用しているため、当該樹脂組成物の磁性硬化物を回路基板の製造に使用することにより、酸化剤による磁性硬化物層表面の処理を行わない場合であっても、基板製造における湿式めっきプロセスで処理液中に生成し得る磁性異物の生成量を抑制することができる。

　本発明における樹脂組成物を熱硬化して得られる磁性硬化物をソフトエッチング液（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_８１００ｇ／Ｌ，Ｈ_２ＳＯ_４（７５％水溶液））に３０℃１分間浸漬した場合の単位表面積あたりの質量減少量、即ちエッチングレートは、好ましくは２５ｍｇ／ｃｍ^２以下、より好ましくは２０ｍｇ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは１５ｍｇ／ｃｍ^２以下、特に好ましくは１２ｍｇ／ｃｍ^２以下である。下限は、特に制限されるものではないが、例えば、０．０１ｍｇ／ｃｍ^２以上、０．１ｍｇ／ｃｍ^２以上、１ｍｇ／ｃｍ^２以上等とし得る。

　本発明における樹脂組成物を熱硬化して得られる磁性硬化物の測定周波数１００ＭＨｚ、室温２３℃での比透磁率（μ’）は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、さらに好ましくは３．５以上、特に好ましくは４以上である。

　一実施形態において、本発明における樹脂組成物は、（Ａ）成分を含有していることにより研磨に適した硬度の磁性硬化物を容易に得ることができる。したがって、当該実施形態において、本発明における樹脂組成物の磁性硬化物は、研磨性に優れているため、湿式めっきプロセスの（２）研磨工程の研磨を容易に行うことができる。本発明における樹脂組成物は（Ａ）成分を含有していることにより、例えば、樹脂組成物を熱硬化して得られる磁性硬化物表面のＪＩＳ　Ｋ　５６００－５－４に従って測定した鉛筆硬度が、好ましくは５Ｈ以下、特に好ましくは４Ｈ以下となり得る。下限は、好ましくはＦ以上、より好ましくはＨ以上、さらに好ましくは２Ｈ以上、特に好ましくは３Ｈ以上となり得る。

＜樹脂組成物の製造方法＞
　樹脂組成物は、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサー、高速回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。樹脂組成物は、製造後等に脱泡を行ってよい。例えば、静置による脱泡、遠心分離による脱泡、真空脱泡、撹拌脱泡、及びこれらの組合せ等による脱泡が挙げられる。

　基板の磁性硬化物を形成するにあたって、樹脂組成物は、ペースト状の樹脂組成物（磁性ペースト）の形態で用いてもよく、該樹脂組成物の層を含む磁性シートの形態で用いてもよい。

　以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

＜実施例１＞
　エポキシ樹脂（「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）８．３質量部、硬化剤（「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、四国化成社製）１質量部、フュームドシリカ（「ＲＹ２００」、日本アエロジル社製）０．２質量部、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を混合し、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、５３質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、７０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、磁性粉体（「８０％Ｎｉ－４Ｍｏ」、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金、Ｎｉ含有率８０％：Ｆｅ含有率１６％：Ｍｏ含有率４％、平均粒径３μｍ、エプソンアトミックス社製）６２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、４４質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜実施例６＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、３６質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、磁性粉体（「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、平均粒径３μｍ、エプソンアトミックス社製）５３質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜比較例２＞
　実施例１において、磁性粉体（「ＭＡ－ＲＣＯ－５」、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ含有率５０％：Ｆｅ含有率５０％、平均粒径３μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）６２質量部を、磁性粉体（「Ｆｅ－６．５Ｓｉ－４．５Ｃｒ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金、平均粒径３μｍ、エプソンアトミックス社製）６２質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして、ペースト状の樹脂組成物を調製した。

＜試験例１：磁性粉体の溶解性評価＞
　ペースト状樹脂組成物の原料である磁性粉体を１０ｇ計量し、２Ｎ硫酸１００ｍＬに投入し、４０℃５分浸漬した。その後、磁性粉体をろ紙（桐山製作所社製、Ｎｏ．５Ｂ　６０ｍｍφ）を用いて回収し、１００℃６０分の乾燥を行った後に精密天秤を用いて磁性粉体の重量測定を行い、重量保持率（％）を算出した。

＜試験例２：比透磁率評価＞
　支持体として、シリコン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。実施例および比較例のペースト状樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後のペースト層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１８０℃で９０分間加熱することによりペースト層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状硬化物を得た。

　作製したシート状硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１００ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）を測定した。

＜試験例３：エッチングレート評価＞
　実施例および比較例のペースト状樹脂組成物を用いて作製した試験例２のシート状硬化物を５ｃｍｘ５ｃｍの大きさに裁断し、１３０℃で１５分乾燥し、該乾燥直後の質量を測定した。これを試料Ａとし、試料Ａの質量を「Ｘ１」とする。試料Ａをアトテックジャパン社製のクリーナー・セキュリガンド９０２に６０℃で５分間浸漬し、水洗処理後、ソフトエッチング液（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_８：１００ｇ／Ｌ，Ｈ_２ＳＯ_４（７５％ａｑ．）１４．２ｍｌ／Ｌ）に３０℃で１分間浸漬した後、粗化試料Ａを得た。粗化試料Ａを水洗し、１３０℃で１５分乾燥した直後の質量を測定した。該乾燥した直後の粗化試料Ａの質量を「Ｘ２」とする。下記式により、樹脂組成物の硬化物の粗化処理によるエッチングレート（ｍｇ／ｃｍ^２）を求めた。
　エッチングレート（ｍｇ／ｃｍ^２）＝｛（Ｘ１－Ｘ２）／２５｝

＜試験例４：鉛筆硬度評価＞
　実施例および比較例のペースト状樹脂組成物を用いて作製した試験例２のシート状硬化物のＰＥＴフィルムと対向していなかった面について、ＪＩＳ　Ｋ　５６００－５－４の試験方法に従って、シート状硬化物表面の硬度を測定した。キズ跡が生じなかったもっとも硬い鉛筆の硬度を鉛筆硬度とした。

＜試験例５：不溶物量評価＞
　印刷基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層版（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．８ｍｍ、松下電工社製Ｒ１５１５Ａ）の両面をマイクロエッチング剤（メック社製ＣＺ８１００）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理を行ったものを用意した。用意した印刷基板上に、作製した樹脂組成物をドクターブレードにて均一に塗布し、およそ１２０μｍ厚のペースト層を形成した。ペースト層を１３０℃で３０分間加熱し、さらに１４５℃で３０分加熱することにより熱硬化し、磁性硬化物を形成した。形成した磁性硬化物の表面のバフ研磨を実施した後、高圧水洗（３．０ＭＰａ、１５秒）により洗浄し、１８０℃で３０分加熱することにより熱処理を行った。作製した基板を５ｃｍ角に切断した後、この基板を評価基板とした。

　作製した評価基板（５ｃｍ角）を、還元用溶液（「リデューサーアクセラレーター８１０ｍｏｄ．」、アトテックジャパン社製、６０ｍｌ、「リデューサーネオガントＷＡ」、アトテックジャパン社製、３ｍｌ）に４０℃で２４時間浸漬した。析出した沈殿物をろ紙（桐山製作所社製、Ｎｏ．５Ｂ　６０ｍｍφ）を用いて不溶物としてろ別し、５時間真空乾燥させた後に精密天秤を用いて不溶物量（ｍｇ／Ｌ）の測定を行い、以下の基準で評価した。
　○：不溶物量が３００ｍｇ／Ｌ未満
　×：不溶物量が３００ｍｇ／Ｌ以上

　実施例及び比較例の樹脂組成物の不揮発成分及びその含有量、並びに試験例の測定結果及び評価を下記表１に示す。

　実施例より、磁性粉体としてニッケルを含むものを使用した場合に、不溶物量を大きく抑えられることがわかった。一方、ニッケルを含む磁性粉体を使用していない比較例は、多量の不溶物が析出した。また、実施例より、磁性粉体としてニッケルを含むものを使用した場合は、使用していない場合と比較して、鉛筆硬度が低く、研磨性に優れていることがわかった。

　１０　　　コア基板
　１１　　　支持基板
　１２　　　第１金属層
　１３　　　第２金属層
　１４　　　スルーホール
　２０　　　めっき層
　３０ａ　　樹脂組成物
　３０　　　磁性硬化物
　４０　　　導体層
　４１　　　パターン導体層
１００　　　インダクタ部品
２００　　　内層基板
２００ａ　　第１主表面
２００ｂ　　第２主表面
２２０　　　スルーホール
２２０ａ　　スルーホール内配線
２４０　　　外部端子
３００　　　磁性部
３１０　　　磁性シート
３２０ａ　　樹脂組成物層
３２０　　　第１磁性硬化物層
３３０　　　支持体
３４０　　　第２磁性硬化物層
３６０　　　ビアホール
３６０ａ　　ビアホール内配線
４００　　　コイル状導電性構造体
４２０　　　第１導体層
４２０ａ　　ランド
４４０　　　第２導体層

Claims

　（１）樹脂組成物を熱硬化させ、磁性硬化物を得る工程、
　（２）磁性硬化物の表面の少なくとも一部を研磨する工程、及び
　（３）磁性硬化物の研磨した面上の少なくとも一部に、湿式めっきにより導体層を形成する工程をこの順で含む、回路基板の製造方法であって、
　樹脂組成物が、
　（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、
　（Ｂ）エポキシ樹脂、及び
　（Ｃ）硬化剤
を含む、回路基板の製造方法。
　（Ａ）成分が、ニッケル鉄合金系金属粉である、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
　（Ａ）成分中のニッケル含有量が、３０質量％～９０質量％である、請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
　樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％～９８質量％である、請求項１～３の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　２Ｎ硫酸に４０℃５分浸漬した場合の（Ａ）成分の重量保持率が、９０％以上である、請求項１～４の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　（Ｂ）成分が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、請求項１～５の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　（Ｃ）成分が、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選ばれる硬化剤である、請求項１～６の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　（１）工程で得られる磁性硬化物の表面のＪＩＳ　Ｋ　５６００－５－４に従って測定した鉛筆硬度が、Ｆ～５Ｈである、請求項１～７の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　（１）工程で得られる磁性硬化物をソフトエッチング液（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_８１００ｇ／Ｌ，Ｈ_２ＳＯ_４（７５％水溶液））に３０℃１分間浸漬した場合のエッチングレートが、２５ｍｇ／ｃｍ^２以下である、請求項１～８の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　樹脂組成物がペースト状である、請求項１～９の何れか１項に記載の回路基板の製造方法。
　（Ａ）ニッケルを含む磁性粉体、
　（Ｂ）エポキシ樹脂、及び
　（Ｃ）硬化剤
を含む、樹脂組成物。