WO2020166609A1 - 光学的測距装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 52
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 206010039203 Road traffic accident Diseases 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/42—Simultaneous measurement of distance and other co-ordinates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/484—Transmitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4865—Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
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- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/93—Lidar systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes
- G01S17/931—Lidar systems specially adapted for specific applications for anti-collision purposes of land vehicles
Definitions
- the present disclosure relates to an optical distance measuring device.
- Mobiles vehicles etc. equipped with a collision prevention system etc. are being developed with the aim of reducing traffic accidents.
- an environment sensor including a camera, a millimeter wave radar, etc. is used to observe the external environment.
- Avalanche Photo Diodes and PIN photodiodes are often used as the light receiving elements of TOF-based optical distance measuring devices.
- APD Avalanche Photo Diodes
- PIN photodiodes When photons are incident on the APD, electron-hole pairs are generated, and the electrons and holes are accelerated by a high electric field, causing collision ionization to generate new electron-hole pairs.
- the sensitivity of the light receiving element is enhanced by the internal amplification effect of this avalanche phenomenon.
- the operation modes of the APD include a linear mode in which the applied reverse bias voltage is operated below the breakdown voltage and a Geiger mode in which the applied reverse bias voltage is operated above the breakdown voltage.
- the reflected photons of the pulsed light arrive at the light-receiving element at the same time, while the photons of the ambient light arrive at the time uncorrelated.Therefore, by extracting the peak of the received light signal, even if the ambient light exists, TOF can be detected.
- the received light signal is a current output in the case of the linear mode APD and a histogram in the case of the Geiger mode APD.
- a threshold value is generally set in the peak extraction of the received light signal, and when the extracted peak value is less than or equal to the threshold value, it is determined that the object does not exist and the TOF is not output.
- this threshold value is set to be small, the detection distance is extended but the false detection rate is increased. If the threshold value is set large, the false detection rate can be reduced, but the detection distance becomes short.
- the threshold value in order to set the threshold value as small as possible within the range where erroneous detection does not occur or the range where the erroneous detection rate is allowable, it is desirable to adaptively set the threshold value according to the noise level of ambient light or the like.
- the noise probability distribution of the received light signal is a probability distribution of the maximum value of the waveform of the received light signal.
- the noise probability distribution of the received light signal is a probability distribution of the maximum value of the waveform of the received light signal.
- the reference level is a mode of probability distribution of noise of the received light signal.
- the laser light (light emission pulse) repeatedly emitted from the laser diode 10 is collimated by a collimator lens (not shown) and travels from a hole provided in the center of the dipole surface mirror 12 to the polygon mirror 14.
- the laser light reflected by the polygon mirror 14 is emitted to the space where the measurement object can exist.
- the reflected light returns to the distance measuring unit 16.
- the reflected light returning to the distance measuring unit 16 along the same path as the emitted light is reflected by the polygon mirror 14 again, further reflected by the dipole surface mirror 12, and enters the light receiving element 18 of the distance measuring unit 16.
- the 16 photodetectors in the vertical direction are mounted on the TOF measurement photodetector 18a and the noise measurement photodetector 18b in a one-dimensional array.
- the TOF measurement photodetector 18a and the noise measurement photodetector 18b are preferably, for example, silicon photomultipliers (SiPM: Silicon Photo Multipliers).
- the SiPM has a plurality of SPADs arranged in an array and constitutes one photodetector having a large light receiving unit as a whole. In the example of FIG. 3, each SiPM is composed of 4 ⁇ 6 SPADs.
- a final histogram is created by repeating a series of operations from laser light emission to histogram value addition Np times.
- Np histogram value addition
- FIG. 6 shows an example of the generated histogram. Histogram values for Nbin bins are obtained from one histogram. When the generation of the histogram is repeated Nmes times while keeping the ambient light constant, Nbin ⁇ Nmes histogram values are obtained in total. The range of possible values of the histogram value is from 0 to Nspad ⁇ Np. Here, Nspad is the number of SPADs forming the SiPM. When a frequency distribution of all measured histogram values is created and each frequency is divided by the total Nbin ⁇ Nmes of all frequencies, a probability distribution as shown in FIG. 7 is obtained.
- the probability that the peak value of the histogram is i or less is the probability that the histogram values of all Nbin bins of the histogram will be i or less. Assuming that the histogram values of each bin are independent stochastic events, the probabilities are given by equation (3).
- the threshold value setting unit 32 refers to the conversion table, and when the noise output from the detection circuit of the noise measuring photodetector 18b indicates the noise average value ⁇ , the threshold value for detecting the peak of the histogram of the reflected signal component. T is set for the histogram circuit 30. As a result, the false detection rate Err can be maintained in the detection of the reflected signal for all noise levels.
- a relational expression indicating the relationship between the noise average value ⁇ and the boundary level ⁇ may be obtained for each noise level, and the boundary level ⁇ may be calculated using the noise average value ⁇ as an argument. Thereby, the boundary level ⁇ calculated from the noise average value ⁇ of the actually obtained noise can be set as the threshold value T.
- a value obtained by linearly converting statistical values such as the noise average value ⁇ , the mode value, and the median, for example, 1.2 times the noise average value ⁇ may be used as the reference level.
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Abstract
パルス状の出力光を測定対象物へ向けて繰り返し投光するレーザダイオード(10)と、光を受光して受光信号として出力するフォトンカウント型受光素子を含む受光素子(18)と、受光信号において閾値を超える信号成分を測定対象物における出力光の反射による反射信号として弁別する信号弁別手段と、反射信号に基づいて測定対象物までの出力光の往復伝搬時間を推定する伝搬推定手段とを含む測距部(16)と、受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値から求められる基準レベルと確率分布における累積確率が所定値となる境界レベルとの関係に基づいて、信号弁別手段において反射信号を弁別する際に受光信号から実際に求めた基準レベルに対応する境界レベルを閾値として設定する閾値設定部(32)と、を備える光学的測距装置(100)とする。
Description
本出願は、2019年2月15日に出願された日本出願番号2019-25312号に基づくものでここにその記載内容を援用する。
本開示は、光学的測距装置に関する。
交通事故等の低減を目指して衝突防止システム等を搭載した移動体(車両等)が開発されている。このようなシステムでは外部環境を観測するためにカメラやミリ波レーダ等を備えた環境用センサが用いられている。
飛行時間法(TOF:Time Of Flight)に基づく光学的測距装置は、高空間解像度(角度分解能)を有すると共に、広角及び遠距離の測距が可能である。このため、走路や障害物の検出精度とロバスト性を高められ、安全システムの機能の拡張が期待できる。例えば、より遠方の障害物を高い位置精度で検知できれば、早期の警報が可能となる。また、駐車車両の形状等の周囲環境を高精度に検知できれば衝突やすり抜けを高い信頼度で判定できる。
TOFに基づく光学的測距装置の受光素子としてアバランシェフオトダイオード(APD:Avalanche Photo Diode)やPINフォトダイオードが用いられることが多い。APDにフォトンが入射すると電子・正孔対が生成され、電子と正孔が各々高電界で加速され、衝突電離を引き起こして新たな電子・正孔対を生成する。このアバランシェ現象の内部増幅作用により受光素子の感度が高められる。APDの動作モードには、印加する逆バイアス電圧を降伏電圧未満で動作させるリニアモードと、降伏電圧以上で動作させるガイガーモードとがある。リニアモードでは生成される電子・正孔対の割合よりも消滅(高電界の領域から出る)する電子・正孔対の割合が大きく、アバランシェ現象は自然に止まる。出力電流は入射光量にほぼ比例するため入射光量を測定できる。ガイガーモードのAPDは、単一フォトンでもアバランシェ現象を引き起こせるので、シングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD:Single Photon Avalanche Diode)とも呼ばれる。SPADでは、印加電圧を降伏電圧未満まで下げることでアバランシェ現象を止めることができる。印加電圧を下げてアバランシェ現象を停止させることはクエンチングと呼ばれる。最も単純なクエンチング回路は、SPADと直列にクエンチング抵抗を接続することで実現される。アバランシェ電流が生じるとクエンチング抵抗の端子間の電圧上昇によってSPADのバイアス電圧が降下する。バイアス電圧が降伏電圧未満まで降下するとアバランシェ電流が止まる。アバランシェ電流が止まると、クエンチング抵抗の端子間の電圧が降下し、SPADに再び降伏電圧以上の電圧が印加される。このSPADとクエンチング抵抗間の電圧昇降を、バッファーを介して取り出すことにより、フォトン入射を電圧パルスとして出力する。このようにフォトン入射の有無を検出する受光素子をフォトンカウント型受光素子と呼ぶ。
リニアモードのAPDとガイガーモードのAPDを受光素子に用いる場合のTOFを求める方法を図2に示す。光学的測距装置は、繰り返しパルス光を対象物に照射する。受光素子は、対象物で反射されたパルス光と太陽光等の外乱光が加算された光を受光する。リニアモードAPDのように入射光量にほぼ比例した電流を出力する受光素子では、受光信号の直流成分を除去した後にピークを抽出する。一方、ガイガーモードのAPDのようなフォトンカウント型の受光素子では、電圧パルスの到来時刻を繰り返し測定してヒストグラムを作成してそのピークを抽出する。反射したパルス光のフォトンは同時に受光素子に到来するのに対して外乱光のフォトンは時間的に無相関に到来することから、受光信号のピークを抽出することにより外乱光が存在しても正しくTOF検出できる。ここで受光信号とは、リニアモードのAPDの場合は電流出力であり、ガイガーモードのAPDの場合はヒストグラムである。
常に受光信号のピークに対応するTOFを出力すると、対象物からの反射光が小さい場合や対象物が存在しない場合に誤検出となる。このような誤検出を防止するために、一般に受光信号のピーク抽出に閾値を設け、抽出されたピーク値が閾値以下のときは対象物が存在しないと判断してTOFを出力しない。この閾値を小さく設定すると検知距離は延びるが誤検出率が大きくなる。閾値を大きく設定すると誤検出率は低減できるが検知距離は短くなる。したがって、誤検出を生じない範囲又は許容できる誤検出率の範囲でなるべく閥値を小さく設定するために、外乱光等のノイズレベルに応じて適応的に閥値を設定することが望ましい。
ノイズレベルに応じて閾値を設定する技術が開示されている(特許文献1)。閾値設定手段は、ノイズ波形の平均値に予め設定されたマージンを加えた値を検出閾値として設定する。マージンの決め方としていくつかの方法が開示されている。例えば、ノイズ波形の交流成分の標準偏差又は実効値に予め設定された係数を乗じた値をマージンとする。または、ノイズ波形における最大値と最小値との差分値に予め設定された係数を乗じた値、ノイズ波形における最大値と平均値との差分値に予め設定された係数を乗じた値をマージンとする。または、パルス光送信回数をNとして、ノイズ波形における最大値と最小値との差分を表すノイズ差分値を算出してルートN倍した値に予め設定された係数を乗じた値をマージンとする。または、パルス光送信回数をNとして、ノイズ波形における最大値と平均値との差分を表すノイズ差分値を算出してルートN倍した値に予め設定された係数を乗じた値をマージンとする。
従来技術の閾値設定では、ノイズ波形から求めたノイズレベルの大きさに基づいて閾値を決定する。ノイズレベルの大きさは、標準偏差、又は最大値と最小値の差、又は最大値と平均値の差として求める。標準偏差に基づくことは正規分布を仮定することを意味し、ノイズの分布が正規分布でない場合には標準偏差は分布のばらつき度合、すなわちノイズレベルの大きさを正確に表さない。また、最大値や最小値は変動が大きく値が安定しないのでノイズレベルの大きさを正確に表さない。不正確なノイズレベルの大きさに基づいて閾値を決定すると閾値を適切に設定できない問題がある。また、閾値が小さすぎると誤検出率が増大し、逆に閾値が大きすぎると検知距離が短くなるという問題がある。
フォトンカウント型受光素子を用いた光学的測距装置では、ノイズ成分の分布は正規分布にはならず、ポアソン分布に近い分布となる。標準偏差に基づいて閾値を決定すると特にノイズレベルが小さい場合に信号検出の閾値が小さく設定される傾向があり、誤検出率が増大する問題がある。
本開示は、測定対象物や日照条件等の測定条件の変化に応じて適応的に反射信号の検出閾値を定めて誤検出率を所望の値にすることができる光学的測距装置を提供する。
本開示の第一の態様において、光の伝搬時間に基づいて距離を測定する光学的測距装置であって、パルス状の出力光を測定対象物へ向けて繰り返し投光する投光手段と、光を受光して受光信号として出力するフォトンカウント型受光素子を含む受光手段と、前記受光信号において閾値を超える信号成分を前記測定対象物における前記出力光の反射による反射信号として弁別する信号弁別手段と、前記反射信号に基づいて前記測定対象物までの前記出力光の往復伝搬時間を推定する伝搬推定手段と、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値から求められる基準レベルと当該確率分布における累積確率が所定値となる境界レベルとの関係に基づいて、前記信号弁別手段において前記反射信号を弁別する際に前記受光信号から求めた前記基準レベルに対応する前記境界レベルを前記閾値として設定する閾値設定手段と、を備える光学的測距装置である。
ここで、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布に対する前記基準レベルと前記境界レベルとの関係を予め求めて記憶させた変換データベースを備え、前記閾値設定手段では、前記変換データベースを参照して前記受光信号から求めた前記基準レベルに対応する前記境界レベルを前記閾値として設定することが好適である。
また、前記受光信号のノイズの確率分布を推定する確率分布推定手段をさらに備えることが好適である。
また、前記受光信号のノイズの確率分布は、前記受光信号の波形の最大値の確率分布であることが好適である。
また、前記境界レベルは、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布において前記基準レベルと当該基準レベルの平方根に所定の係数を乗じた値とを加算した値であることが好適である。
本開示の別の態様は、光の伝搬時間に基づいて距離を測定する光学的測距装置であって、パルス状の出力光を測定対象物へ向けて繰り返し投光する投光手段と、光を受光して受光信号として出力するフォトンカウント型受光素子を含む受光手段と、前記受光信号に含まれる前記測定対象物における前記出力光の反射による反射信号に基づいて前記測定対象物までの前記出力光の往復伝搬時間を推定する伝搬推定手段と、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値において前記反射信号に対応する累積確率を検出の信頼度として出力する信頼度出力手段と、を備える光学的測距装置である。
ここで、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値を基準レベルとし、前記ノイズの確率分布に対する前記基準レベル毎に当該基準レベルに対応するノイズの確率分布を予め求めて記憶させた変換データベースを備え、前記信頼度出力手段では、前記反射信号を検出する際に前記受光信号から求めた基準レベルに対応する前記変換データベースを参照して、前記反射信号に対応する累積確率を検出の信頼度として出力することが好適である。
また、前記受光信号のノイズの確率分布を推定する確率分布推定手段をさらに備えることが好適である。
また、前記受光信号のノイズの確率分布は、前記受光信号の波形の最大値の確率分布であることが好適である。
また、前記基準レベルは、前記受光信号のノイズの確率分布の最頻値であることが好適である。
また、前記基準レベルは、前記受光信号のノイズの確率分布のメディアンであることが好適である。
本開示によれば、ノイズのレベルに応じて反射光の信号の誤検出率を所定値にすることができる。
本開示の実施の形態における光学的測距装置100は、図1に示すように、レーザダイオード10、双極面ミラー12、ポリゴンミラー14及び測距部16を含んで構成される。
レーザダイオード10から繰り返し出射されるレーザ光(発光パルス)は図示しないコリメートレンズでコリメートされ、双極面ミラー12の中央に設けられた穴からポリゴンミラー14へ向かう。ポリゴンミラー14で反射されたレーザ光は測定対象物が存在し得る空間へ出射される。レーザ光が測定対象物で反射された場合、その反射光は測距部16へと戻る。出射された光と同じ経路で測距部16へ戻ってきた反射光は、再びポリゴンミラー14で反射されて、さらに双極面ミラー12で反射されて測距部16の受光素子18へ入射する。
光学的測距装置100の光学系は、投光ビーム(レーザ光)と受光ビーム(反射光)の光軸を一致させた同軸型の光学系である。双極面ミラー12は、レンズと同様の働きをし、反射光を受光素子18に集光させる。また、ポリゴンミラー14が回転することで、レーザ光と反射光は同時に水平方向に走査される。ポリゴンミラー14は、例えば6面で構成され、各面の俯角を変化させることで垂直方向にレーザ光及び反射光を走査することができる。各面の俯角の差を投光するレーザ光の垂直方向のビーム広がり角度と等しくすれば、垂直方向に隙間なく走査することができる。
測距部16は、外乱光の影響を除去して、測定対象物によって反射された発光パルスが戻ってくるまでの時間(TOF:time of flight)を求める。
図3は、本実施の形態における測距部16に含まれる受光素子18の構成例を示す。受光素子18は、TOF計測用光検出器18aとノイズ計測用光検出器18bとを並列に配置して構成される。TOF計測用光検出器18aは、受光エリアと集光するレーザ光のビームスポットが重なるように受光素子を配置する。ノイズ計測用光検出器18bは、受光エリアとレーザ光のビームスポットとが重ならないように受光素子を配置する。したがって、ノイズ計測用光検出器18bは、測定対象物からの反射光を受光せず、外乱光のみを受光する。
TOF計測用光検出器18a及びノイズ計測用光検出器18bには、それぞれ垂直方向に16個の光検出器が1次元アレイ状に実装されている。TOF計測用光検出器18a及びノイズ計測用光検出器18bは、例えば、シリコンフォトマルチプライヤ(SiPM:Silicon Photo Multipliers)とすることが好適である。SiPMは、複数のSPADをアレイ状に配置し、全体として大きな受光部の1個の光検出器を構成したものである。図3の例では、各SiPMは4×6個のSPADで構成される。TOF計測用光検出器18a及びノイズ計測用光検出器18bは、それぞれ16個のSiPMで構成される。ポリゴンミラー14は6面で構成されるので、光学的測距装置100の垂直方向の走査線数は光検出器数とポリゴンの面数の積で表され16×6=96ラインとなる。
図3に示したTOF計測用光検出器18a及びノイズ計測用光検出器18bの配置において左右方向を水平に、上下方向を垂直になるように配置すると、図4に示すように走査中の各時刻でTOF計測用光検出器18aとノイズ計測用光検出器18bとは常に異なる水平方向からの光を観測する。当該観測方向の角度差は、TOF計測用光検出器18aとノイズ計測用光検出器18bの間隔及び双極面ミラー12の焦点距離で決まる。また、TOF計測用光検出器18aの現在受光時の測定方向と次回受光時の測定方向の角度差、即ち水平解像度、はポリゴンミラー14の回転速度、測定時間間隔、投光ビームのポリゴンミラーへの入射角度等で決まる。水平解像度と双極面ミラー12の焦点距離とを固定して考えると、TOF計測用光検出器18aとノイズ計測用光検出器18bの間隔を調節してノイズ計測用光検出器18bの観測方向をTOF計測用光検出器18aの次回受光時の測定方向に一致させることができる。これによって、現在受光時のノイズ計測用光検出器18bは、次回受光時のTOF計測用光検出器18aと同一方向を一時刻前に観測することになる。
なお、本実施の形態では、ノイズ計測用光検出器18bをTOF計測用光検出器18aと同一の構成としたが、異なる構成であってもよい。また、ノイズ計測用光検出器18bを別途設けた構成例を示したが、TOF計測用光検出器18aのみを実装し、パルスレーザ光を照射しない時間にノイズレベルを計測する構成としてもよい。
図5は、TOF計測用光検出器18aを構成するSiPMの1つの回路構成例を示す。複数のSPAD20の出力パルスはそれぞれ5~50ns程度の有限のパルス幅を持つ。複数のパルス整形回路22は、それぞれのSPAD20の出力パルス幅をレーザダイオード10の発光パルス幅に等しくなるように整形する。整形された電圧パルスは、ディジタル加算器24で加算される。ディジタル加算器24は、出力電圧がhigh状態のSPAD20の数を出力する。ディジタル加算器24の出力は、コンパレーター26に入力され、所定値(本例では2としている)以上の場合、TDC28(Time to Digital Converter)がレーザ発光時刻からの経過時間を計測する。すなわち、同時に所定値以上のSPAD20でフォトンが検出された場合のみ経過時間が測定される。このように、測定対象物からの反射光では多数のフォトンが同時にTOF計測用光検出器18aに到来するのに対し、外乱光ではフォトンはランダムなタイミングで到来するため同時に到来する確率は小さいという性質に基づいた処理が行われる。また、時間的にレーザダイオード10の発光パルス幅以上に乖離している電圧パルスは反射光に由来するものではない確率が高いので、パルス整形回路22において電圧パルス幅をレーザダイオード10の発光パルス幅に等しく調整している。TDC28において経過時間が計測されると、ヒストグラム回路30は横軸をレーザ発光時刻からの経過時間、縦軸を出力電圧がhigh状態であるSPAD20の数としたヒストグラムを生成する。ヒストグラムを生成するにあたって、経過時間に対応するヒストグラムの各ビンに、ディジタル加算器24の出力値を加算する。多数のSPAD20において同時にパルスが検出されたときにより多くの値が加算されるので、より有効に情報を活用してヒストグラムを形成することができる。
レーザ光の発光からヒストグラム値加算までの一連の動作をNp回繰り返すことによって、最終的なヒストグラムが生成される。TOFのヒストグラムの最大値を高精度に抽出するには、より多くのデータでヒストグラムを生成する必要があり、より多数のTOF測定が必要となり、測定時間が長くなる。測定時間が長くなると、投光/受光ビームを走査する場合や対象物が動いている場合に測定誤差を生じる原因となる。SiPMでは、SPAD20の出力を時間と空間の両方で統合するため測定時間を短縮することができる。
ヒストグラムを生成した後、ヒストグラム回路30は、ヒストグラムにおけるピーク値が閾値設定部32で設定された閾値以上である場合にピーク位置に対応する時間をTOFとして出力する。閾値を超えるピーク値が複数存在する場合、複数のピークに対応する複数のTOFを出力してもよい。このようにして、1つの発光パルスが距離の異なる複数の測定対象物によって反射された場合であっても複数のTOFを検出することができる。閾値を超えるピーク値がない場合は、測定対象物が存在しないと判定してTOFを出力しない。このように、ヒストグラムにおけるピーク値に対して閾値を設けてTOFを検出することによってTOFの誤検出を抑制することができる。
ノイズ計測用光検出器18bを構成するSiPMもTOF計測用光検出器18aのSiPMと同様の検出回路を備えており、TOF検出と同様にヒストグラムを生成する。ノイズ計測用光検出器18bは、発光パルスの反射光を受光しないので、生成されるヒストグラムはすべてノイズ成分である。ノイズ成分には外乱光の他にSPADのダークカウントやアフターパルスがあり、生成されるヒストグラムにはこれらすべてのノイズ成分が含まれている。ノイズ計測用光検出器18bは、所定の計測時間でヒストグラムを生成した後、正規化した確率分布の平均値をノイズ平均値として出力する。
閾値設定部32は、予め作成したノイズ平均値-閾値変換テーブルを参照して、ノイズ計測用光検出器18bの検出回路が出力したノイズ平均値(基準レベル)に対応する境界レベルをヒストグラム回路30の閾値として設定する。以下、ノイズ平均値-閾値変換テーブルの作成方法について説明する。
まず、TOF計測用光検出器18aで測定されるノイズの確率分布を測定する。同時にノイズ計測用光検出器18bでノイズ平均を測定する。ハロゲンランプ等の光源の光を光学的測距装置100の測距部16に照射することで時間的に変化しない外乱光ノイズを生成する。このような状態において、レーザダイオード10からの発光パルスの出力を停止して、測距の場合と同様に、TOF計測用光検出器18aを用いて発光パルスのNp回分に相当するヒストグラムを生成する。
図6は、生成されるヒストグラムの例を示す。1つのヒストグラムからビン数Nbin個分のヒストグラム値が得られる。外乱光を一定に保ったままヒストグラムの生成をNmes回繰り返すと、合計でNbin×Nmes個のヒストグラム値が得られる。ヒストグラム値のとり得る値の範囲はゼロからNspad×Npである。ここで、Nspadは、SiPMを構成するSPADの数である。測定した全ヒストグラム値の度数分布を作成し、全度数の合計Nbin×Nmesで各度数を除すると、図7に示すような確率分布が得られる。
ヒストグラムのピーク値がi以下になる確率は、ヒストグラムのNbin個全てのビンのヒストグラム値がi以下になる確率である。各ビンのヒストグラム値が独立な確率事象であると仮定すると、その確率は数式(3)で表される。
各ビンのヒストグラム値は独立な確率事象ではないが、数式(4)を用いれば十分な精度で誤検出率を近似できる。したがって、誤検出率がErr以下となる閾値Tは、数式(5)を満たす最小の値iである境界レベルとすることが好適である。
ノイズ平均値μは、ノイズ計測用光検出器18bで生成したヒストグラムの全ビン(Nbin)に全測定回数(Nmes)(レーザ発光回数)分の、出力電圧がhigh状態であるSPAD20の数を累積して得られたヒストグラムを正規化したノイズの確率分布の平均値として求める。以上のように、ノイズのヒストグラム値の確率分布P(i){i=0,1,2・・・,Nspad×Np}が得られると、図8に示すように、ノイズレベルに応じた確率分布毎にそのノイズ平均値μ(μ1,μ2・・・)と、誤検出率Errになる境界レベルε(ε1,ε2・・・)との関係を求めることができる。確率分布の測定に基づいて、ノイズ平均値μと境界レベルεとの関係をすべてのノイズレベルに対して予め調べておくことによって、ノイズ平均値μと閾値Tとの変換テーブル(変換データベース)を作成することができる。具体的には、光源の光量を変化させたり、光源と測距装置の距離を変化させたりすることでノイズレベルを変化させた状態でノイズ平均値μと境界レベルεとの関係をすべてのノイズレベルに対して調べることができる。
なお、すべてのノイズレベルで確率分布を測定してノイズ平均値μと境界レベルεとの関係を求める代わりに、いくつかの代表的なノイズレベルでノイズ平均値μと境界レベルεの組み合わせを求め、補間によってノイズ平均値μと境界レベルεとの変換テーブルを完成させてもよい。
閾値設定部32は、当該変換テーブルを参照することによって、ノイズ計測用光検出器18bの検出回路が出力したノイズがノイズ平均値μを示すときに反射信号成分のヒストグラムのピーク検出のための閾値Tをヒストグラム回路30に対して設定する。これによって、すべてのノイズレベルに対して反射信号の検出において誤検出率Errを維持することができる。また、変換テーブルの代わりに、ノイズレベル毎にノイズ平均値μと境界レベルεとの関係を示す関係式を求めておき、ノイズ平均値μを引数として境界レベルεを算出できるようにしてよい。これによって、実際に求めたノイズのノイズ平均値μから算出された境界レベルεを閾値Tとして設定することができる。
以上では、ヒストグラムの値の各ビンの確率分布に基づいてノイズ平均値μと境界レベルεの関係を求めたが、ヒストグラムの最大値の確率分布に基づいてもよい。1回のヒストグラム生成でヒストグラムの最大値が1個得られるので、ヒストグラム生成をNmes回繰り返すことで各ヒストグラムの最大値がNmes個得られる。測定したNmes個の最大値の度数分布を生成し、各度数を全度数Nmesで除することで数式(6)を満たす最大値の確率分布が得られる。
1回のヒストグラム生成でヒストグラムの最大値が1個しか得られないので、確率分布を高い精度で求めるにはより多くのヒストグラム生成が必要になり、長い計測時間を要する。一方で、各ビンの値は独立な確率事象であるという仮定を用いずに閾値を定められるという利点がある。
なお、ノイズ平均値μと境界レベルεとの変換テーブルの作成は1度だけ行えばよい。同じ受光素子であれば複製した測距装置で同じ変換テーブルを共有することもできる。したがって、本実施の形態の光学的測距装置100において、確率分布推定手段は必須の構成要素ではない。確率分布推定手段を備えることにより、受光手段の特性が経年劣化等で変化した場合でもノイズレベルと閾値との関係、すなわち変換テーブルを更新することができる。本実施の形態では、実測により確率分布を測定したが、各種のシミュレーションによって確率分布を求めて変換テーブルを作成してもよい。
また、変換テーブルを用いない簡易な構成としてもよい。フォトンカウント式LiDARの受光素子の応答はポアソン過程であり、応答から生成される受光タイミングのヒストグラム等の受光信号の値もポアソン過程と近似できる。ポアソン過程では、所与の時間の平均発生回数がn回である時、発生回数のばらつき(標準偏差)はnの平方根になることが知られている。そこで、図8に示すように、閾値設定部32は、ノイズ計測用光検出器18bが出力したノイズ平均値μと、当該ノイズ平均値μの平方根に所定の係数(例えば4.0)を乗じた値とを加算した値を境界レベルεとしてもよい。
これによって、フォトンカウント式LiDARの受光信号のノイズ成分のばらつき度合に応じた閾値設定が簡易な構成で可能になる。
本実施の形態におけるTOF計測用光検出器18a及びノイズ計測用光検出器18bは、複数のSPADをアレイ状に配置して全体として大きな受光部の光検出器を構成するSiPMとしたが、これに限定されるものではない。各SPADの出力電流を加算するSiPMであってもよい。
また、所定個数以上のSPADの出力電圧が同時にhigh状態であるときにTDC28を作動させる構成を示したが、全SPADの出力加算信号を時間サンプリングすることで、ヒストグラムに相当する受光信号を生成するようにしてもよい。また、フォトンカウント式の受光素子であれば、この他にもSiPMの実装には種々の変形が可能である。SiPMの代わりに1つのSPADが1つの光検出器であってもよい。
本実施の形態では、1つのヒストグラムを生成するためのレーザ発光回数、即ちヒストグラムの積算回数をNpとした。前述したように、積算回数を大きくするとより高精度にヒストグラムの最大値を抽出できる反面、測定時間が長くなる。また、隣接する光検出器が生成したヒストグラムを加算統合する、即ち空間的な積算回数を増加させることで空間解像度は犠牲になるが、時間的な積算回数の増加と同様に最大値の抽出精度を高めることができる。夜間のように外乱光が少ない場合は積算回数を大きくし、昼間のように外乱光が少ない場合に積算回数を小さくすることもできる。このようにヒストグラムの積算回数を可変にする場合、ノイズの計測時間も積算回数に比例して増減させることが好適である。または、積算回数を基準のx倍としたときノイズ平均値μと閾値Tの変換テーブルにおいて計測したノイズ平均のx倍を参照して閾値を求めてもよい。
また、本実施の形態では、基準レベルをノイズの確率分布のノイズ平均値μ(期待値)としたが、基準レベルを最頻値やメディアン(中央値)としてもよい。この場合、例えば、最頻値やメディアンと境界レベルεとの関係を予め求めて変換テーブルを作成しておくことによってノイズの確率分布に応じた閾値Tを設定することができる。なお、最頻値とは、確率分布において確率が最大になる確率変数、即ちヒストグラム値である。メディアンとは、確率分布における累積確率が0.5になる確率変数である。最頻値もメディアンもノイズ計測用光検出器でヒストグラムを生成することにより容易に算出することができる。
また、ノイズ平均値μ、最頻値、メディアン等の統計値を線形変換した値、例えばノイズ平均値μの1.2倍を基準レベルとしても用いるようにしてもよい。
[変形例]
数式(4)又はCmax(i)で表される累積確率は、ノイズ成分のみのヒストグラムにおいてヒストグラム値の最大値がi以下になる確率である。この確率は、反射信号成分を含むヒストグラムにおいてヒストグラム値のピーク値がiであったときにノイズ成分ではない確率であり、すなわちピークが反射信号成分であることの信頼性を表す。そこで、反射信号を検出する際のノイズの確率分布において、ヒストグラム回路30で検出された反射信号成分のヒストグラムのピーク値に対応する累積確率を検出の信頼度として出力する構成としてもよい。
数式(4)又はCmax(i)で表される累積確率は、ノイズ成分のみのヒストグラムにおいてヒストグラム値の最大値がi以下になる確率である。この確率は、反射信号成分を含むヒストグラムにおいてヒストグラム値のピーク値がiであったときにノイズ成分ではない確率であり、すなわちピークが反射信号成分であることの信頼性を表す。そこで、反射信号を検出する際のノイズの確率分布において、ヒストグラム回路30で検出された反射信号成分のヒストグラムのピーク値に対応する累積確率を検出の信頼度として出力する構成としてもよい。
具体的には、受光信号に含まれるノイズの確率分布における基準レベル(平均値、最頻値、メディアン等)毎に当該基準レベルに対応するノイズの累積確率分布を予め求めて記憶させた変換データベースを作成しておき、反射信号成分のヒストグラムのピークを検出する際に受光信号から実際に求めたノイズの基準レベルに対応する変換データベースを参照して反射信号成分のヒストグラムのピーク値に対応する累積確率を検出の信頼度として出力するようにすればよい。例えば、ヒストグラム回路30における反射信号の検出の際にヒストグラムのピーク値がPである場合、ピーク値Pに対応する累積確率Cmax(P)を検出の信頼度として出力するようにすればよい。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
Claims (11)
- 光の伝搬時間に基づいて距離を測定する光学的測距装置であって、
パルス状の出力光を測定対象物へ向けて繰り返し投光する投光手段と、
光を受光して受光信号として出力するフォトンカウント型受光素子を含む受光手段と、
前記受光信号において閾値を超える信号成分を前記測定対象物における前記出力光の反射による反射信号として弁別する信号弁別手段と、
前記反射信号に基づいて前記測定対象物までの前記出力光の往復伝搬時間を推定する伝搬推定手段と、
前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値から求められる基準レベルと当該確率分布における累積確率が所定値となる境界レベルとの関係に基づいて、前記信号弁別手段において前記反射信号を弁別する際に前記受光信号から求めた前記基準レベルに対応する前記境界レベルを前記閾値として設定する閾値設定手段と、
を備える光学的測距装置。 - 請求項1に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号に含まれるノイズの確率分布に対する前記基準レベルと前記境界レベルとの関係を予め求めて記憶させた変換データベースを備え、
前記閾値設定手段では、前記変換データベースを参照して前記受光信号から求めた前記基準レベルに対応する前記境界レベルを前記閾値として設定する光学的測距装置。 - 請求項1又は2に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号のノイズの確率分布を推定する確率分布推定手段をさらに備える光学的測距装置。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号のノイズの確率分布は、前記受光信号の波形の最大値の確率分布である光学的測距装置。 - 請求項1に記載の光学的測距装置であって、
前記境界レベルは、前記受光信号に含まれるノイズの確率分布において前記基準レベルと当該基準レベルの平方根に所定の係数を乗じた値とを加算した値である光学的測距装置。 - 光の伝搬時間に基づいて距離を測定する光学的測距装置であって、
パルス状の出力光を測定対象物へ向けて繰り返し投光する投光手段と、
光を受光して受光信号として出力するフォトンカウント型受光素子を含む受光手段と、
前記受光信号に含まれる前記測定対象物における前記出力光の反射による反射信号に基づいて前記測定対象物までの前記出力光の往復伝搬時間を推定する伝搬推定手段と、
前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値において前記反射信号に対応する累積確率を検出の信頼度として出力する信頼度出力手段と、
を備える光学的測距装置。 - 請求項6に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号に含まれるノイズの確率分布の平均値を基準レベルとし、前記ノイズの確率分布に対する前記基準レベル毎に当該基準レベルに対応するノイズの確率分布を予め求めて記憶させた変換データベースを備え、
前記信頼度出力手段では、前記反射信号を検出する際に前記受光信号から求めた基準レベルに対応する前記変換データベースを参照して、前記反射信号に対応する累積確率を検出の信頼度として出力する光学的測距装置。 - 請求項1~5、7のいずれか1項に記載の光学的測距装置であって、
前記基準レベルは、前記受光信号のノイズの確率分布の最頻値である光学的測距装置。 - 請求項1~5、7のいずれか1項に記載の光学的測距装置であって、
前記基準レベルは、前記受光信号のノイズの確率分布のメディアンである光学的測距装置。 - 請求項6~9のいずれか1項に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号のノイズの確率分布を推定する確率分布推定手段をさらに備える光学的測距装置。 - 請求項6~10のいずれか1項に記載の光学的測距装置であって、
前記受光信号のノイズの確率分布は、前記受光信号の波形の最大値の確率分布である光学的測距装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202080013994.4A CN113424077B (zh) | 2019-02-15 | 2020-02-12 | 光学测距装置 |
US17/401,014 US20210373156A1 (en) | 2019-02-15 | 2021-08-12 | Optical distance measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019025312A JP7208052B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | 光学的測距装置 |
JP2019-025312 | 2019-02-15 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/401,014 Continuation US20210373156A1 (en) | 2019-02-15 | 2021-08-12 | Optical distance measuring apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2020166609A1 true WO2020166609A1 (ja) | 2020-08-20 |
Family
ID=72044369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/005342 WO2020166609A1 (ja) | 2019-02-15 | 2020-02-12 | 光学的測距装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210373156A1 (ja) |
JP (1) | JP7208052B2 (ja) |
CN (1) | CN113424077B (ja) |
WO (1) | WO2020166609A1 (ja) |
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JP2020134224A (ja) | 2020-08-31 |
JP7208052B2 (ja) | 2023-01-18 |
CN113424077B (zh) | 2024-08-23 |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20755931 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
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|
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