WO2019187927A1 - キャリア移動度計測方法とキャリア移動度計測装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a method and an apparatus for measuring carrier mobility of an organic material or anisotropic material using a photo-induced electron transfer reaction.
- Patent Document 1 It is known that a field effect transistor (FET) using an organic material can be produced at a practical level (Patent Document 1 and Patent Document 2).
- organic materials often have a fibrous structure and are anisotropic in their characteristics. For this reason, the carrier mobility of an organic material cannot be measured using the Hall effect.
- Non-Patent Document 1 a method for evaluating the carrier characteristics of the surface of an organic material in an FET or the vicinity of an interface (monomolecular layer) based on the principle of a semiconductor is also known (Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2).
- the organic material in the FET is provided on an inorganic material substrate. Therefore, the carrier mobility of the organic material evaluated by this method depends on the characteristics of the inorganic material used. That is, there is a limit to the carrier concentration of the organic material that can be measured depending on the dielectric constant of the inorganic material. For this reason, this method can only measure the carrier mobility of an organic material having a low carrier density of 10 12 cm ⁇ 2 or less per monomolecular layer. Thus, a method for measuring the carrier mobility of an organic material has not been established regardless of the carrier density.
- the present invention has been made in view of such circumstances, and is used to measure the carrier mobility of a sample composed of an organic material by a technique of performing doping control using a solid-state photoinduced electron transfer reaction.
- An object is to provide a suitable measuring method and measuring apparatus.
- this measuring method and measuring apparatus the carrier mobility of samples other than the sample comprised from the organic material can also be measured.
- the carrier mobility measurement method of the present invention measures the carrier mobility of a sample using a complex including a sample and a layer containing a photobase generator formed on a part of the surface of the sample.
- the carrier mobility measuring device of the present invention comprises a mounting base on which a composite comprising a sample and a layer containing a photobase generator formed on a part of the surface of the sample is installed, and the sample and the photobase generator. It has a light source that irradiates light to the boundary surface of the contained layer and a measurement unit that measures the electrical resistance or conductance of the boundary surface of the sample.
- the carrier behavior of the organic material can be evaluated regardless of the carrier density.
- A A graph showing the change over time in the conductance of the upper surface of the sample when the sample was irradiated with light,
- concentration of Example 2 the carrier mobility of a sample, and a carrier density.
- FIG. 1 conceptually shows a carrier mobility measuring method and a carrier mobility measuring device according to an embodiment of the present invention.
- the carrier mobility measuring method of the present embodiment includes a sample composed of an organic material or the like, and a photobase generator (hereinafter referred to as a photobase generator) formed on a part of the surface of the sample as “PBG”.
- the carrier mobility of the sample is measured using a composite including a layer containing a layer (hereinafter, a layer containing PBG may be referred to as a “photo-induced electron transfer layer”). To do.
- the carrier mobility measurement method includes a composite production process, a measurement process, and a calculation process.
- a photoinduced electron transfer layer for a photoinduced electron transfer reaction is formed on a part of the surface of a sample that is an organic material such as an organic semiconductor to be used as a device. More specifically, first, as shown in FIG. 1, after cleaning the surface of poly (dimethylsiloxane) (hereinafter sometimes referred to as “PDMS”), PBG is applied to the surface of PDMS. It is dropped, formed into a film, and dried to form a PBG layer on the surface of PDMS.
- PDMS is a base material that can peel a PBG layer. Examples of PBG include 2- (9-Oxoxanthen-2-yl) propionic acid 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene salt.
- the PBG layer is transferred to the surface of the sample.
- the sample is preferably light transmissive. This is because if the sample is irradiated with light from the surface where the PBG layer is not provided, the light transmitted through the sample reaches the boundary surface between the sample and the PBG layer.
- the transmittance with which light having a wavelength that generates a photoexcited electron transfer reaction in the PBG layer is transmitted through the sample is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and particularly preferably 90% or more. preferable.
- the sample itself may be made of a material having optical transparency, or a thin sample having optical transparency may be used. Further, if the shape of the sample is a film body, as shown in FIG. 1, a photo-induced electron transfer layer is formed on one surface of the sample, and the sample is irradiated with light from the surface opposite to the one surface. Thus, the carrier mobility of the sample can be calculated with high accuracy.
- the electrical resistance or conductance of the interface between the sample and the sample is measured while irradiating the interface between the sample and the photoinduced electron transfer layer with light such as ultraviolet rays (UV). More specifically, the change over time in the electrical resistance or conductance at the interface of the sample is measured.
- UV ultraviolet rays
- PBG becomes 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene (hereinafter sometimes referred to as “TBD”).
- TBD 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene
- the number of carriers can be controlled by the number of photons, and a carrier density of 10 14 cm ⁇ 2 per monomolecular layer can be generated at the interface of the sample by the photoinduced electron transfer reaction.
- the carrier mobility of the sample is calculated using the intensity of the light irradiated in the measurement step and the change over time in the electrical resistance or conductance. That is, through the measurement step and the calculation step, a photoinduced electron transfer reaction is caused by light irradiation, and the carrier mobility is obtained by calculation using the fact that this photoinduced electron transfer reaction controls the carrier density of the sample.
- the carrier mobility of the sample is calculated based on the following formula.
- ⁇ is the carrier mobility
- G is the sample conductance
- t is the light irradiation time
- dG / dt is the change over time in the conductance of the sample interface
- h is the Planck constant
- c is the light constant.
- the velocity, ⁇ is the wavelength of the irradiated light
- e is the charge of the carrier
- I 0 is the intensity of the irradiated light
- ABS is the absorbance of PBG
- ⁇ ⁇ is the reaction rate from PBG to TBD.
- the calculation method of the carrier mobility of the sample is as follows. First, the amount of light energy absorbed by the composite by light irradiation is measured, and the carrier density generated by the light energy absorbed by the composite is calculated. The relationship of the following formula (1) is established between the electrical conductivity ( ⁇ ), the carrier density (n), the carrier mobility ( ⁇ ), and the carrier charge (e).
- the carrier density at the boundary surface of the sample obtained by irradiating the boundary surface between the sample and the PBG is proportional to the number of photons. For this reason, the amount of absorbed light (I), Planck's constant (h), speed of light (c), reaction rate from PBG to TBD ( ⁇ ⁇ ), and wavelength of irradiated light ( ⁇ ) are used.
- the above equation (3) can be described as the following equation (4).
- the absorption amount (I) of the irradiation light of the sample can be expressed by the following formula (5) using the intensity (I 0 ) of the irradiation light and the absorbance (ABS) of the sample.
- the carrier mobility ⁇ can be expressed by the following formula (9).
- the sign of the carrier generated by the photoreaction differs from the sign of the sample carrier, the conductance may decrease due to the photoreaction.
- the absolute value of dG / dt is used.
- the carrier mobility measuring device includes an installation table, a light source, and a measuring unit.
- the carrier mobility measuring device of the present embodiment does not require an electromagnet and its power supply unlike the Hall coefficient measuring device. For this reason, it is possible to reduce the cost of the device and greatly reduce the power consumption of the device.
- the carrier mobility measuring device of the present embodiment may include a recording unit and may further include a calculating unit.
- the installation base will install the complex.
- the installation table may hold the sample portion of the composite from below.
- the light source irradiates light to the interface between the sample and the photoinduced electron transfer layer.
- the light source may change the wavelength of the light to be irradiated.
- the measurement unit measures the electrical resistance or conductance of the boundary surface of the sample.
- the measurement unit includes two terminals that are in contact with the surface of the sample outside the layer containing the photobase generator. And a measurement part measures the electrical resistance or conductance between these terminals.
- the recording unit records the intensity of light emitted from the light source and the change over time in electrical resistance or conductance.
- the calculation unit calculates the carrier mobility of the sample based on the recording in the recording unit.
- the installation table may support the peripheral edge of the sample portion of the composite, and the center may be open. This is because the sample can be irradiated with light from this opening, that is, the boundary surface between the sample and the photoinduced electron transfer layer.
- the plate-shaped member provided with a light transmittance may be sufficient as an installation stand. This is because light can be irradiated to the sample, that is, the boundary surface between the sample and the photoinduced electron transfer layer through the installation table.
- Example 1 A sample (hereinafter referred to as “PEDOT / PSS”) having a thickness of 30 to 500 nm obtained by casting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonate) (Helios, Clevious PH1000), which is a conductive polymer film. May be described).
- PBG 2- (9-Oxoxanthen-2-yl) propionic acid 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene salt was used. Since the reaction rate from this PBG to TBD is 0.64 (nonpatent literature 3), the said Formula (9) can be described like the following formula (10).
- the absorbance (ABS) is the product of the molar density (a) and the molar absorption coefficient ( ⁇ ) of the molecule.
- the carrier mobility ⁇ of the sample was calculated based on the above formula (15) using a composite in which a TBD film was provided on the upper surface of the sample PEDOT / PSS. That is, the conductance G on the upper surface of the sample was measured every 20 seconds while irradiating ultraviolet light having an intensity of 0.6 to 3 mW / cm 2 from the lower surface of the sample.
- FIG. 2A shows the change over time in the conductance of the upper surface of the sample when ultraviolet light is irradiated from the lower surface of the sample.
- the carrier mobility of the sample can be calculated from the above equation (15) using the conductance gradient dG / dt in FIG.
- FIG. 2B shows the sample carrier movement calculated from the respective slopes dG / dt when I 1 / I 0 is 100%, 70%, 50%, and 20% using the above equation (15). Shows the degree.
- FIG. 2 (b) the slope of the conductance when I 1 / I 0 is 100% (dG / dt) 0 and I 1 / I 0 is 100%, 70%, 50%, 20%
- the ratio (dG / dt) / (dG / dt) 0 of the respective conductance slopes (dG / dt) at the time, that is, the relative values of the conductance slopes are shown.
- the relative value of the conductance gradient is 100%.
- the carrier mobility (O) of the sample was constant regardless of the relative value of the intensity of the irradiated light.
- the value ( ⁇ ) was almost proportional to the relative value of the intensity of irradiation light.
- Example 2 When ethylene glycol was added to the sample PEDOT / PSS obtained in the same manner as in Example 1, it was evaluated how the carrier mobility of the sample and the carrier density calculated from the carrier mobility of this sample change. The result is shown in FIG.
- the ethylene glycol concentration (%) is calculated by the mass of added ethylene glycol / (mass of PEDOT / PSS) ⁇ 100.
- the carrier density was calculated using the measured value of the bulk electrical resistance or conductance of the sample. For this reason, the unit of carrier density is cm ⁇ 3 .
- Example 3 Conductance was measured in the same manner as in Example 1 using a single-walled carbon nanotube (CNT) thin film (thickness 30 nm, Meijo Nanocarbon Co., Ltd.) as a sample.
- the intensity of irradiation light was a constant value of 44 ⁇ W / cm 2 .
- FIG. 4 shows the change over time in the conductance of the upper surface of the sample when ultraviolet light is irradiated from the lower surface of the sample.
- FIG. 4 also shows the results when PEDOT / PSS was used as a sample.
- the carrier mobility measuring method of the present invention can also be applied to a sample such as CNT that is not composed of an organic material.
- FIG. 4 also shows an enlarged view of a graph near the portion where the conductances of two samples intersect, with the horizontal axis scale reduced and the vertical axis scale extended. This enlarged view shows that the conductance slopes of the two samples are greatly different.
- the carrier mobility measurement method of the present invention can measure the carrier mobility of the sample over a wide range.
- the carrier mobility of CNTs measured by the carrier mobility measurement method of the present invention was 56 ⁇ 36 cm 2 / Vs on average for 13 samples.
- the carrier mobility of CNT measured using FET was 50 ⁇ 20 cm 2 / Vs.
- the carrier mobility of single-layer graphene (thickness 0.345 nm, Aldrich) measured by the carrier mobility measuring method of the present invention was 900 cm 2 / Vs.
- the carrier mobility of this single-layer graphene by Hall effect measurement was 1000 ⁇ 500 cm 2 / Vs according to the specifications at the time of acquisition.
- the carrier mobility measured by the carrier mobility measuring method of the present invention is almost the same as the carrier mobility calculated using the FET and the Hall effect, and the effectiveness of the carrier mobility measuring method of the present invention can be confirmed.
- the carrier movement of PEDOT / PSS measured by the carrier mobility measuring method of the present invention was 13 ⁇ 6 cm 2 / Vs in average of 14 samples.
- PEDOT / PSS composed of organic materials cannot calculate carrier mobility using the Hall effect.
- the carrier movement of PEDOT / PSS measured by the carrier mobility measuring method of the present invention is highly accurate with little variation.
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Abstract
有機材料から構成された試料等のキャリア移動度を計測する。キャリア移動度計測方法は、試料と、試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤を含有する層とを備える複合体を用いて、試料のキャリア移動度を計測する。キャリア移動度計測方法は、測定工程と、算出工程を備えている。測定工程では、試料と光塩基発生剤を含有する層の界面に光を照射しながら、界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する。算出工程では、測定工程で照射した光の強度と、電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化との関係から、試料のキャリア移動度を算出する。
Description
本発明は、光誘起電子移動反応を利用して、有機材料または異方性材料等のキャリア移動度を計測する方法と装置に関する。
有機電子デバイスの性能を高めるためには、共役高分子の伝導機構の解明が必要である。共役高分子の伝導機構の解明のためには、共役高分子のドーピングレベル等のキャリア特性を理解することが重要となる。キャリア特性の一つであるキャリア移動度は、ホール効果を利用したキャリア密度の測定値から算出することが多い。しかしながら、ホール効果を利用したキャリア密度の測定のためには、試料に印可した磁場に直交する電圧を測定する必要がある。このため、ホール効果を利用してキャリア移動度を算出する方法は、試料の構造が均一であって、試料が等方性を有することが前提である。したがって、ホール効果を利用してキャリア移動度を算出する方法は、試料が無機材料である場合にとどまる。
有機材料を用いた電界効果型トランジスタ(FET)が、実用化レベルで作製できることが知られている(特許文献1および特許文献2)。しかしながら、有機材料は、繊維状等の構造を有し、その特性に異方性があることが多い。このため、ホール効果を利用して有機材料のキャリア移動度を計測することができない。
また、半導体の原理により、FET中の有機材料の表面または界面近傍(単分子層)のキャリア特性を評価する方法も知られている(非特許文献1および非特許文献2)。しかしながら、FET中の有機材料は無機材料の基板上に設けられている。したがって、この方法で評価する有機材料のキャリア移動度は、用いた無機材料の特性に左右される。すなわち、無機材料の誘電率等によっては、測定できる有機材料のキャリア濃度に限界がある。このため、この方法では、単分子層あたり1012cm-2以下の低キャリア密度の有機材料のキャリア移動度しか計測できない。このように、キャリア密度の高低に関わらず、有機材料のキャリア移動度を計測する方法は確立されていない。
Q. Wei et al., Adv. Mater., 25 (2013), 2831-2836
Q. Wei et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016), 2054-2060
J. A. Blake et al., Org. Lett., 8 (2006), 1057
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、固体光誘起電子移動反応を利用してドーピング制御を行う手法によって、有機材料から構成された試料のキャリア移動度を計測するのに適した計測方法と計測装置を提供することを目的とする。なお、この計測方法と計測装置では、有機材料から構成された試料以外の試料のキャリア移動度も計測できる。
本発明のキャリア移動度計測方法は、試料と、試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤を含有する層とを備える複合体を用いて、試料のキャリア移動度を計測する。この方法は、試料と光塩基発生剤を含有する層の境界面に光を照射しながら、試料の境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する測定工程と、測定工程で照射した光の強度と、電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化を用いて、試料のキャリア移動度を算出する算出工程とを有する。
本発明のキャリア移動度計測装置は、試料と、試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤を含有する層とを備える複合体を設置する設置台と、試料と光塩基発生剤を含有する層の境界面に光を照射する光源と、試料の境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する測定部とを有する。
本発明によれば、キャリア密度の高低に関わらず、有機材料のキャリア挙動が評価できる。
図1は、本発明の実施形態に係るキャリア移動度計測方法とキャリア移動度計測装置を概念的に示している。本実施形態のキャリア移動度計測方法は、有機材料等から構成される試料と、試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤(以下、光塩基発生剤(photobase genetator)を「PBG」と記載することがある)を含有する層(以下、PBGを含有する層を「光誘起電子移動層」と記載することがある)とを備える複合体を用いて、試料のキャリア移動度を計測する。
本実施形態のキャリア移動度計測方法は、複合体作製工程と、測定工程と、算出工程とを備えている。複合体作製工程では、デバイスとして使用したい有機半導体等の有機材料である試料の表面の一部に、光誘起電子移動反応用の光誘起電子移動層を形成する。より具体的には、まず、図1に示すように、PBG基材であるpoly(dimethylsiloxane)(以下、「PDMS」と記載することがある)の表面を洗浄した後、PDMSの表面にPBGを滴下し、成膜し、乾燥させて、PDMSの表面にPBGの層を形成する。PDMSは、PBGの層を剥離できる基材である。PBGとしては2-(9-Oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene saltが例示できる。
つぎに、試料の表面にPBGの層を転写する。なお、試料は光透過性を備えていることが好ましい。PBGの層が設けられていない表面から試料に光を照射すれば、試料を透過した光が試料とPBGの層の境界面に到達するからである。PBGの層で光励起電子移動反応を発生させる波長の光が試料を透過する透過率は、50%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、90%以上であることが特に好ましい。試料自体が光透過性を備える材質であってもよいし、光透過性を備えるような薄い試料を用いてもよい。さらに、試料の形状が膜体であれば、図1に示すように、試料の一方の面に光誘起電子移動層を形成し、この一方の面と反対側の面から試料に光を照射することで、試料のキャリア移動度が精度よく算出できる。
測定工程では、試料と光誘起電子移動層の境界面に紫外線(UV)等の光を照射しながら、試料の境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する。より具体的には、試料の境界面の電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化を測定する。試料と光誘起電子移動層の境界面に光を照射することによって、PBGが1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene(以下「TBD」と記載することがある)に変わる光誘起電子移動反応が起き、試料の境界面にキャリアが生じる。本実施形態では、光子の個数でキャリアの個数が制御でき、光誘起電子移動反応によって、試料の境界面に単分子層あたり1014cm-2のキャリア密度を発生させられる。なお、試料と光誘起電子移動層の境界面の一部に光を照射してもよい。
算出工程では、測定工程で照射した光の強度と、電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化を用いて、試料のキャリア移動度を算出する。すなわち、測定工程および算出工程を通じて、光照射によって光誘起電子移動反応を生じさせ、この光誘起電子移動反応が試料のキャリア密度を制御することを利用して、計算によりキャリア移動度を求める。
より具体的には、算出工程では、下記式に基づいて試料のキャリア移動度を算出する。
ここで、μはキャリア移動度を、Gは試料のコンダクタンスを、tは光の照射時間を、dG/dtは試料の境界面のコンダクタンスの経時変化を、hはプランク定数を、cは光の速度を、λは照射光の波長を、eはキャリアの電荷を、I0は照射光の強度を、ABSはPBGの吸光度を、ΦλはPBGからTBDへの反応率をそれぞれ示す。
試料のキャリア移動度の算出方法は下記のとおりである。まず、光照射による複合体の光エネルギーの吸収量を測定し、複合体が吸収した光エネルギーによって生じたキャリア密度を算出する。電気伝導度(σ)、キャリア密度(n)、およびキャリア移動度(μ)と、キャリアの電荷(e)には、下記式(1)の関係が成り立つ。
試料とPBGの境界面に光照射して得られる試料の境界面のキャリア密度は光子数に比例する。このため、試料の照射光の吸収量(I)、プランク定数(h)、光の速度(c)、PBGからTBDへの反応率(Φλ)、および照射した光の波長(λ)を用いて、上記式(3)は下記式(4)のように記述できる。
したがって、キャリア移動度μは、下記式(9)で表せる。ここで、光反応によって生成するキャリアの正負の符号と、試料のキャリアの正負の符号が異なる場合、光反応によってコンダクタンスが減少するときがある。このとき、dG/dtは負の値となるため、dG/dtの絶対値を用いる。
本発明の実施形態に係るキャリア移動度計測装置は、設置台と、光源と、測定部とを備えている。本実施形態のキャリア移動度計測装置は、ホール係数測定装置のように電磁石およびその電源等を必要としない。このため、装置のコストダウンと装置の使用電力の大幅削減が可能となる。本実施形態のキャリア移動度計測装置は、記録部を備えていてもよく、さらに算出部を備えていてもよい。
設置台は複合体を設置する。設置台は複合体の試料部分を下から保持してもよい。光源は、試料と光誘起電子移動層の境界面に光を照射する。光源は、照射する光の波長を変えられるようにしてもよい。測定部は試料の境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する。本実施形態では、図1に示すように、測定部は、光塩基発生剤を含有する層の外側で試料の表面に接触する2つの端子を備えている。そして、測定部は、これらの端子間の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する。
記録部は、光源から照射された光の強度と、電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化を記録する。算出部は、記録部での記録に基づいて試料のキャリア移動度を算出する。設置台は、複合体の試料部分の周縁部を支持し、中央部が開口していてもよい。この開口部から試料に、すなわち試料と光誘起電子移動層の境界面に光が照射できるからである。また、設置台が光透過性を備える板状部材であってもよい。設置台を通して、試料に、すなわち試料と光誘起電子移動層の境界面に光が照射できるからである。
(実施例1)
導電性高分子膜であるpoly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate)(Helios社、Clevious PH1000)をキャストして得られた膜厚30~500nmの試料(以下、「PEDOT/PSS」と記載することがある)を用いた。また、PBGとして2-(9-Oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene saltを用いた。このPBGからTBDへの反応率は0.64であるから(非特許文献3)、上記式(9)は下記式(10)のように記述できる。
導電性高分子膜であるpoly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate)(Helios社、Clevious PH1000)をキャストして得られた膜厚30~500nmの試料(以下、「PEDOT/PSS」と記載することがある)を用いた。また、PBGとして2-(9-Oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene saltを用いた。このPBGからTBDへの反応率は0.64であるから(非特許文献3)、上記式(9)は下記式(10)のように記述できる。
モル密度(a=2.69×10-10mol/cm2)は、材料の密度(d=1.4g/cm3)、モル重量(MW=407.47g/mol)、およびアボガドロ数(NA)6.02×1023mol-1から下記式(12)のように算出できる。
図1に示すように、試料PEDOT/PSSの上面にTBD膜を設けた複合体を用いて、上記式(15)に基づいて試料のキャリア移動度μを算出した。すなわち、強度0.6~3mW/cm2の紫外光を試料の下面から照射しながら、試料の上面のコンダクタンスGを20秒ごとに測定した。その結果を図2に示す。図2(a)は、紫外光を試料の下面から照射したときの試料の上面のコンダクタンスの経時変化を示している。試料の下面から光を照射することによって、試料とTBD膜の境界面で光誘起電子移動反応が生じ、試料の上面のコンダクタンスが減少した。光反応により電子が生じたが、試料PEDOT/PSSのキャリアは正孔であるため、電子と正孔が結合し、キャリア濃度が減少したためである。なお、図2(a)中の%で表される数値は、最大強度3mW/cm2(I0)に対する照射光の強度(I1)の相対値(I1/I0)である。
本実施例では、I1/I0が100%での光照射を2回行って再現性を確認した。この2回の光照射における試料の上面のコンダクタンスの経時変化dG/dt、すなわちグラフの傾きは同じだった。また、光照射を停止する(OFF)と、コンダクタンスが一定となった。これより、コンダクタンス変化が光誘起電子移動反応によることもわかった。
図2(a)のコンダクタンスの傾きdG/dtを用いて、上記式(15)より、試料のキャリア移動度が算出できる。図2(b)は、上記式(15)を用いて、I1/I0が100%、70%、50%、20%であるときのそれぞれの傾きdG/dtから算出した試料のキャリア移動度を示している。また、図2(b)は、I1/I0が100%であるときのコンダクタンスの傾き(dG/dt)0とI1/I0が100%、70%、50%、20%であるときのそれぞれのコンダクタンスの傾き(dG/dt)の比(dG/dt)/(dG/dt)0、すなわちコンダクタンスの傾きの相対値を示している。
例えば、I1/I0が100%のときのコンダクタンスの傾きと同じコンダクタンスの傾きであれば、コンダクタンスの傾きの相対値は100%となる。図2(b)に示すように、照射光の強度の相対値に関わらず、試料のキャリア移動度(〇)は一定であった、また、図2(b)に示すように、傾きの相対値(●)は、照射光の強度の相対値にほぼ比例した。
(実施例2)
実施例1と同様にして得られた試料PEDOT/PSSにエチレングリコールを添加したきに、試料のキャリア移動度と、この試料のキャリア移動度から算出したキャリア密度がどう変化するのかを評価した。その結果を図3に示す。なお、エチレングリコール濃度(%)は、添加したエチレングリコールの質量/(PEDOT/PSSの質量)×100で算出される。また、試料のバルクの電気抵抗またはコンダクタンスの測定値を用いて、キャリア密度を算出した。このため、キャリア密度の単位はcm-3である。
実施例1と同様にして得られた試料PEDOT/PSSにエチレングリコールを添加したきに、試料のキャリア移動度と、この試料のキャリア移動度から算出したキャリア密度がどう変化するのかを評価した。その結果を図3に示す。なお、エチレングリコール濃度(%)は、添加したエチレングリコールの質量/(PEDOT/PSSの質量)×100で算出される。また、試料のバルクの電気抵抗またはコンダクタンスの測定値を用いて、キャリア密度を算出した。このため、キャリア密度の単位はcm-3である。
エチレングリコールを1~5%程度添加することで、PEDOT/PSSの電気抵抗を低減できることが知られている。図3に示すように、PEDOT/PSSにエチレングリコールを1%まで添加することで、キャリア密度(□)とキャリア移動度(●)が増大することがわかる。また、PEDOT/PSSにエチレングリコールを1~3%添加することで、キャリア密度の増大は緩やかになるが、キャリア移動度は引き続き増大することがわかる。このように、エチレングリコールの添加によって、PEDOT/PSSの電気抵抗が下がる機構が明らかになった。
(実施例3)
単層カーボンナノチューブ(CNT)の薄膜(厚さ30nm、名城ナノカーボン社)を試料として、実施例1と同様の方法でコンダクタンスを測定した。なお、照射光の強度は44μW/cm2の一定値とした。図4は、紫外光を試料の下面から照射したときの試料の上面のコンダクタンスの経時変化を示している。図4には、PEDOT/PSSを試料としたときの結果も記載した。CNTのような、有機材料から構成されていない試料にも、本発明のキャリア移動度計測方法が適用できた。
単層カーボンナノチューブ(CNT)の薄膜(厚さ30nm、名城ナノカーボン社)を試料として、実施例1と同様の方法でコンダクタンスを測定した。なお、照射光の強度は44μW/cm2の一定値とした。図4は、紫外光を試料の下面から照射したときの試料の上面のコンダクタンスの経時変化を示している。図4には、PEDOT/PSSを試料としたときの結果も記載した。CNTのような、有機材料から構成されていない試料にも、本発明のキャリア移動度計測方法が適用できた。
また、図4には、2つの試料のコンダクタンスが交差する部分付近であって、横軸目盛を縮めて、縦軸目盛を伸ばしたグラフの拡大図も記載した。この拡大図により、2つの試料のコンダクタンスの傾きが大きく異なることがわかる。このように、本発明のキャリア移動度計測方法によって、試料のキャリア移動度が広範囲に渡って計測できる。
本発明のキャリア移動度計測方法によって測定したCNTのキャリア移動度は、13個の試料の平均で、56±36cm2/Vsであった。一方、FETを利用して測定したCNTのキャリア移動度は、50±20cm2/Vsであった。また、本発明のキャリア移動度計測方法によって測定した単層グラフェン(厚さ0.345nm、Aldrich社)のキャリア移動度は、900cm2/Vsであった。一方、ホール効果測定によるこの単層グラフェンのキャリア移動度は、入手時の仕様によれば1000±500cm2/Vsであった。本発明のキャリア移動度計測方法によって測定したキャリア移動度は、FETおよびホール効果を利用して算出したキャリア移動度とほぼ同じであり、本発明のキャリア移動度計測方法の有効性が確認できる。
また、本発明のキャリア移動度計測方法によって測定したPEDOT/PSSのキャリア移動は、14個の試料の平均で、13±6cm2/Vsであった。有機材料から構成されるPEDOT/PSSは、ホール効果を利用してキャリア移動度が算出できない。しかし、本発明のキャリア移動度計測方法によって測定したPEDOT/PSSのキャリア移動は、ばらつきが少なく高精度であった。
Claims (9)
- 試料と、前記試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤を含有する層とを備える複合体を用いて、前記試料のキャリア移動度を計測するキャリア移動度計測方法であって、
前記試料と前記光塩基発生剤を含有する層の境界面に光を照射しながら、前記試料の前記境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する測定工程と、
前記測定工程で照射した光の強度と、前記電気抵抗または前記コンダクタンスの経時変化を用いて、前記試料のキャリア移動度を算出する算出工程と、
を有するキャリア移動度計測方法。 - 請求項1または2において、
前記光塩基発生剤が2-(9-Oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene saltであるキャリア移動度計測方法。 - 請求項1から3のいずれかにおいて、
前記試料が光透過性を備えるキャリア移動度計測方法。 - 請求項4において、
前記試料が膜形状を備え、
前記試料の一方の面に前記光塩基発生剤を含有する層が形成され、
前記一方の面と反対側の面から前記試料に光を照射するキャリア移動度計測方法。 - 請求項1から5のいずれかにおいて、
試料が有機材料から構成されるキャリア移動度計測方法。 - 試料と、前記試料の表面の一部に形成された光塩基発生剤を含有する層とを備える複合体を設置する設置台と、
前記試料と前記光塩基発生剤を含有する層の境界面に光を照射する光源と、
前記試料の前記境界面の電気抵抗またはコンダクタンスを測定する測定部と、
を有するキャリア移動度計測装置。 - 請求項7において、
前記光源から照射された光の強度と、前記電気抵抗またはコンダクタンスの経時変化を記録する記録部をさらに有するキャリア移動度計測装置。 - 請求項8において、
前記記録部での記録に基づいて、前記試料のキャリア移動度を算出する算出部をさらに有するキャリア移動度計測装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020510475A JP6942396B2 (ja) | 2018-03-30 | 2019-02-27 | キャリア移動度計測方法とキャリア移動度計測装置 |
Applications Claiming Priority (2)
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JP2018-068724 | 2018-03-30 | ||
JP2018068724 | 2018-03-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2019187927A1 true WO2019187927A1 (ja) | 2019-10-03 |
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ID=68061397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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PCT/JP2019/007541 WO2019187927A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-02-27 | キャリア移動度計測方法とキャリア移動度計測装置 |
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JP (1) | JP6942396B2 (ja) |
WO (1) | WO2019187927A1 (ja) |
Citations (2)
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JP2006234738A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 |
JP2010016051A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Japan Science & Technology Agency | 半導体評価装置 |
-
2019
- 2019-02-27 WO PCT/JP2019/007541 patent/WO2019187927A1/ja active Application Filing
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