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WO2019082739A1 - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents

蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Info

Publication number
WO2019082739A1
WO2019082739A1 PCT/JP2018/038495 JP2018038495W WO2019082739A1 WO 2019082739 A1 WO2019082739 A1 WO 2019082739A1 JP 2018038495 W JP2018038495 W JP 2018038495W WO 2019082739 A1 WO2019082739 A1 WO 2019082739A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
deposition mask
metal layer
vapor deposition
thickness
outer peripheral
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/038495
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宮谷　勲
青木　大吾
昌人 牛草
村田　佳則
英介 岡本
Original Assignee
大日本印刷株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大日本印刷株式会社 filed Critical 大日本印刷株式会社
Priority to KR1020207014399A priority Critical patent/KR102441247B1/ko
Priority to EP18870591.7A priority patent/EP3705599A4/en
Priority to JP2019551031A priority patent/JP6652227B2/ja
Publication of WO2019082739A1 publication Critical patent/WO2019082739A1/ja
Priority to US16/855,016 priority patent/US11674214B2/en

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a deposition mask and a method of manufacturing the deposition mask.
  • a pixel density of 400 ppi or more is required for a display device used in a portable device such as a smartphone or a tablet PC.
  • a portable device such as a smartphone or a tablet PC.
  • the demand for supporting ultra high definition (UHD) is increasing, and in this case, the pixel density of the display device is required to be, for example, 800 ppi or more.
  • organic EL display devices have attracted attention because of their high responsiveness, low power consumption, and high contrast.
  • a method of forming the pixels of the organic EL display device there is known a method of forming the pixels with a desired pattern using a vapor deposition mask in which through holes arranged in a desired pattern are formed. Specifically, first, a deposition mask is disposed to face the substrate for the organic EL display device, and then, the deposition mask and the substrate are both put into a deposition apparatus, and a deposition step of depositing an organic material on the substrate is performed .
  • a method of manufacturing a vapor deposition mask using plating processing is known.
  • a matrix plate having conductivity is prepared.
  • a resist pattern is formed on the mother mold plate with a predetermined gap.
  • the resist pattern is provided at a position where the through hole of the deposition mask is to be formed.
  • a plating solution is supplied to the gaps between the resist patterns, and a metal layer is deposited on the mother plate by electrolytic plating.
  • the metal layer is separated from the matrix plate to obtain a deposition mask in which a plurality of through holes are formed.
  • the vapor deposition mask includes an effective portion provided with a plurality of through holes, and an outer frame portion surrounding the effective portion.
  • the outer frame portion is a portion for supporting the effective portion, and has higher rigidity than the effective portion.
  • the through hole is not provided in the outer frame portion.
  • the distribution density of the through holes in the outer frame portion is lower than the distribution density of the through holes in the effective portion.
  • the internal stress resulting from plating has arisen in the metal layer of the vapor deposition mask produced by plating process.
  • the effective portion is provided with more through holes than the outer frame portion, the internal stress generated in the effective portion is smaller than the internal stress generated in the outer frame portion, and the effective portion is the outer frame portion Under tension from In this case, it is conceivable that positional deviation of the through holes occurs due to variations in tensile force or the like.
  • An embodiment of the present disclosure aims to provide a deposition mask and a method of manufacturing the same capable of effectively solving such a problem.
  • One embodiment of the present disclosure is a vapor deposition mask, comprising: an effective portion provided with a plurality of through holes; and an outer frame portion surrounding the effective portion, the effective portion being in contact with the outer frame portion
  • An evaporation mask comprising: an outer peripheral region; and a central region surrounded by the outer peripheral region and having a thickness greater than that of the outer peripheral region.
  • the effective portion is divided into three equal portions along a first direction and a second direction orthogonal to the first direction, and the effective portion is virtually divided into nine regions.
  • eight regions in contact with the outer frame portion may constitute the outer peripheral region, and one central region may constitute the central region.
  • the average thickness of the outer peripheral region is represented by T1
  • the standard deviation of the thickness of the outer peripheral region is represented by ⁇ 1
  • the average thickness of the central region is represented by T2.
  • the average value T1 and the standard deviation ⁇ 1 of the thickness of the outer peripheral region are calculated by measuring the thickness at nine points in each of eight regions constituting the outer peripheral region
  • the average value T2 of the thickness of the central region may be calculated by measuring the thickness at nine points of one region constituting the central region.
  • a deposition mask includes a first surface located on the side of the substrate to which deposition material passes through the through hole and the second surface located on the opposite side of the first surface.
  • first opening a portion of the through hole located on the first surface
  • second opening a portion of the through hole located on the second surface
  • the contour of the second opening may surround the contour of the first opening when viewed along the normal direction of the.
  • the vapor deposition mask according to an embodiment of the present disclosure is located on the first surface side, a first metal layer in which the first opening is formed, and located on the second surface side, and the second opening is And the formed second metal layer may be provided.
  • the vapor deposition mask according to an embodiment of the present disclosure includes a metal layer in which the through hole is formed, and the dimension of the through hole in the metal layer in the surface direction of the first surface is the second surface side from the second surface side. It may decrease toward the first surface side.
  • the metal layer may be a plating layer.
  • a deposition mask according to an embodiment of the present disclosure includes a plurality of the effective portions arranged in a first direction, and a thickness of the central region of the effective portion closest to an end of the deposition mask in the first direction.
  • the thickness of the central region of the effective portion closest to the center of the deposition mask in the first direction may be larger than the thickness of the central region.
  • One embodiment of the present disclosure is a method of manufacturing a vapor deposition mask as described above, wherein a plating solution is supplied through the penetrating portion of the shielding plate including the shielding portion and the penetrating portion, and the outer periphery overlaps the shielding portion. It is a manufacturing method of a vapor deposition mask provided with the plating treatment process of forming a field and the central field which overlaps with the penetration part.
  • FIG. 1 shows a deposition apparatus with a deposition mask apparatus according to an embodiment of the present disclosure. It is sectional drawing which shows the organic electroluminescence display manufactured using the vapor deposition mask apparatus shown in FIG. 1 is a plan view of a deposition mask apparatus according to an embodiment of the present disclosure. It is a top view which expands and shows a part of vapor deposition mask.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask of FIG. 4 as viewed from the direction AA.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the deposition mask of FIG. 4 as viewed in the direction of arrows B-B.
  • FIGS. 1 to 17 are diagrams for explaining an embodiment of the present disclosure.
  • a method of manufacturing a deposition mask used to pattern an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device will be described as an example.
  • the embodiment of the present disclosure can be applied to a method of manufacturing a deposition mask used for various applications without being limited to such applications.
  • plate is not distinguished from one another based only on the difference in designation.
  • sheet is a concept including a member that may be called a sheet or a film.
  • plate surface refers to a plate-shaped member (sheet-shaped member (sheet-shaped member) when the target plate-shaped (sheet-shaped, film-shaped) member is viewed globally and generally. It refers to the surface that coincides with the planar direction of the member (film-like member). Moreover, the normal direction used with respect to a plate-like (sheet-like, film-like) member refers to the normal direction to the plate face (sheet face, film face) of the member.
  • the vapor deposition apparatus 90 includes a vapor deposition source (for example, a crucible 94), a heater 96, and a vapor deposition mask apparatus 10.
  • a vapor deposition source for example, a crucible 94
  • a heater 96 for example, a heater 96
  • a vapor deposition mask apparatus 10 for example, a vapor deposition mask apparatus 10.
  • Crucible 94 contains deposition material 98, such as an organic light emitting material.
  • the heater 96 heats the crucible 94 to evaporate the deposition material 98.
  • the deposition mask device 10 is disposed to face the crucible 94.
  • the deposition mask apparatus 10 includes a deposition mask 20 and a frame 15 for supporting the deposition mask 20.
  • the frame 15 supports the deposition mask 20 in a state of being pulled in the surface direction so that the deposition mask 20 is not bent.
  • the deposition mask apparatus 10 is disposed in the deposition apparatus 90 so that the deposition mask 20 faces a substrate, for example, an organic EL substrate 92, which is an object to which the deposition material 98 is to be attached.
  • the face on the organic EL substrate 92 side is referred to as the first face 20a
  • the face opposite to the first face 20a is referred to as the second face 20b.
  • the vapor deposition mask device 10 further includes a magnet 93 disposed on the surface of the organic EL substrate 92 opposite to the vapor deposition mask 20, as shown in FIG.
  • a magnet 93 disposed on the surface of the organic EL substrate 92 opposite to the vapor deposition mask 20, as shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing the deposition mask device 10 as viewed from the first surface 20 a side of the deposition mask 20.
  • the vapor deposition mask device 10 includes a plurality of vapor deposition masks 20 having a substantially rectangular shape in a plan view, and each vapor deposition mask 20 has a pair of end portions 20 e in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20 or It is fixed to the frame 15 in the vicinity thereof.
  • the deposition mask 20 includes a plurality of through holes penetrating the deposition mask 20.
  • the vapor deposition material 98 that has evaporated from the crucible 94 and reached the vapor deposition mask device 10 adheres to the organic EL substrate 92 through the through holes of the vapor deposition mask 20.
  • the deposition material 98 can be formed on the surface of the organic EL substrate 92 in a desired pattern corresponding to the position of the through hole of the deposition mask 20.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an organic EL display device 100 manufactured using the vapor deposition apparatus 90 of FIG.
  • the organic EL display device 100 includes an organic EL substrate 92 and pixels including a vapor deposition material 98 provided in a pattern.
  • the vapor deposition apparatus 90 on which the vapor deposition mask 20 corresponding to each color is mounted is prepared, and the organic EL substrate 92 is sequentially put into each vapor deposition apparatus 90.
  • the organic light emitting material for red, the organic light emitting material for green, and the organic light emitting material for blue can be sequentially deposited on the organic EL substrate 92.
  • vapor deposition processing may be implemented inside the vapor deposition apparatus 90 used as a high temperature atmosphere.
  • the deposition mask 20, the frame 15, and the organic EL substrate 92 held inside the deposition apparatus 90 are also heated during the deposition process.
  • substrate 92 will show the behavior of the dimensional change based on each thermal expansion coefficient.
  • frame 15 is a value equivalent to the thermal expansion coefficient of the organic electroluminescent board
  • an iron alloy containing nickel can be used as a main material of the deposition mask 20 and the frame 15.
  • an iron alloy containing 38% by mass or more and 62% by mass or less of nickel and the balance of iron and unavoidable impurities can be used as the metal material constituting the vapor deposition mask 20.
  • the content of nickel in the iron alloy constituting the deposition mask 20 and the frame 15 may be 40% by mass or more and 44% by mass or less.
  • iron alloy containing nickel As a material of the metal layer which comprises the vapor deposition mask 20, you may use various materials other than the above-mentioned iron alloy containing nickel.
  • iron alloys containing chromium, nickel, nickel-cobalt alloys, etc. can be used.
  • an iron alloy containing chromium for example, an iron alloy called a so-called stainless steel can be used.
  • the deposition mask 20 includes an effective portion 21 and an outer frame portion 24 surrounding the effective portion 21.
  • the effective portion 21 is a portion in which a plurality of through holes extending from the first surface 20 a to the second surface 20 b of the vapor deposition mask 20 are formed.
  • the deposition mask 20 includes a plurality of effective portions 21 aligned along the first direction D1 in which the deposition mask 20 extends.
  • One effective portion 21 corresponds to the display area of one organic EL display device 100. For this reason, according to the vapor deposition mask device 10 shown in FIG. 3, multifaceted vapor deposition of the organic EL display device 100 is possible.
  • the effective portion 21 has, for example, an outline having a substantially rectangular shape in a plan view, and more specifically, an approximately rectangular shape in a plan view.
  • the effective portion 21 has a rectangular contour including a pair of sides extending in the first direction D1 and a pair of sides extending in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • the effective portion 21 may have a shape other than the rectangular shape depending on the shape of the display area of the organic EL substrate 92.
  • the effective portion 21 may have a circular contour.
  • the outer frame portion 24 is a region for supporting the effective portion 21 and has rigidity higher than that of the effective portion 21.
  • the outer frame portion 24 is not provided with a through hole.
  • the distribution density of the through holes in the outer frame portion 24 is lower than the distribution density of the through holes 25 in the effective portion 21.
  • the deposition mask 20 includes a metal layer formed by a plating process. Problems that may occur in this case will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view showing a part of the vapor deposition mask 20 in an enlarged manner.
  • the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 is larger than the thickness of the outer peripheral region 22 of the effective portion 21.
  • the outer peripheral area 22 is an area of the effective portion 21 in contact with the outer frame portion 24, and the central area 23 is an area surrounded by the outer peripheral area 22.
  • the outer frame portion 24 When the effective portion 21 is equally divided into three along the first direction D1 and the second direction D2 and the effective portion 21 is virtually divided into nine regions, the outer frame portion 24 The eight regions in contact with each other constitute the outer peripheral region 22. Further, one central region constitutes a central region 23.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 20 of FIG. 4 as viewed from the direction AA
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 20 of FIG. 4 as viewed from the B-B direction.
  • the central region 23 of the effective portion 21 has a thickness t2 larger than the thickness t1 of the outer peripheral region 22. Therefore, when the distribution density of the through holes 25 in the outer peripheral area 22 and the distribution density of the through holes 25 in the central area 23 are equal to each other, a larger internal stress is generated in the central area 23 than in the outer peripheral area 22.
  • FIG. 7 is a top view which shows typically the force added to the outer periphery area
  • the tensile force E1 from the outer frame portion 24 is applied to the outer peripheral region 22.
  • tensile force E2 from central region 23 is further applied to peripheral region 22.
  • the tensile force E1 and the tensile force E2 act in opposite directions in the peripheral region 22 so that they at least partially cancel each other. Thereby, the tensile force applied to the outer peripheral region 22 can be reduced. By this, it can suppress that the position of the through-hole 25 located in the outer periphery area
  • region 23 has thickness larger than the outer periphery area
  • region 22 means that at least any one of following (1), (2) or (3) is materialized.
  • Thicknesses t2 measured at a plurality of locations in one region constituting central region 23 are all greater than thicknesses t1 measured at a plurality of locations in each of eight regions constituting peripheral region 22 .
  • the average value T2 of the thicknesses t2 measured at a plurality of locations of one region constituting the central region 23 is the thickness t1 measured at each of a plurality of locations of eight regions constituting the outer peripheral region 22 Greater than average value T1.
  • the average value T2 of the thicknesses t2 measured at a plurality of locations in one region constituting the central region 23 is the average value T11, T12, T13 of the thicknesses t1 in each of the eight regions constituting the outer peripheral region 22. , T14, T15, T16, T17 and T18. Only one of (1), (2) or (3) may hold, any two may hold, or all three may hold.
  • the number of measurement points of thickness in each of the eight regions constituting the outer peripheral region 22 and one region constituting the central region 23 is 5 or more and 36 or less, for example, 9.
  • symbol t3 represents the thickness of the outer frame part 24.
  • the thickness t3 of the outer frame portion 24 is not particularly limited, but preferably, the thickness t3 of the outer frame portion 24 is equal to the thickness t1 of the outer peripheral region 22 of the effective portion 21.
  • the thickness of the central region 23 of the effective part 21 closest to the end of the vapor deposition mask 20 in the first direction D1 is The thickness may be larger than the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 closest to the center of the vapor deposition mask 20 in the direction D1. That is, the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 adjacent to the frame 15 may be larger than the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 distant from the frame 15.
  • FIG. 8 is a plan view showing the effective portion 21 in an enlarged manner
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the effective portion 21 of FIG. 8 when viewed from the direction of IX-IX.
  • the plurality of through holes 25 are regularly arranged at predetermined pitches along two directions orthogonal to each other.
  • the metal layer of the effective portion 21 includes a first metal layer 32 that constitutes the first surface 20 a and a second metal layer 37 that constitutes the second surface 20 b.
  • the first opening 30 is provided in the first metal layer 32 in a predetermined pattern
  • the second opening 35 is provided in the second metal layer 37 in a predetermined pattern.
  • the first opening 30 and the second opening 35 communicate with each other to form a through hole 25 extending from the first surface 20 a to the second surface 20 b of the vapor deposition mask 20.
  • the first opening 30 and the second opening 35 constituting the through hole 25 may have a substantially polygonal shape in a plan view.
  • the first opening 30 and the second opening 35 have a substantially square shape, more specifically, a substantially square shape.
  • the first opening 30 and the second opening 35 may have another substantially polygonal shape such as a substantially hexagonal shape or a substantially octagonal shape.
  • the “substantially polygonal shape” is a concept including a shape in which the corner of a polygon is rounded.
  • the first opening 30 and the second opening 35 may be circular. Further, the shape of the first opening 30 and the shape of the second opening 35 may not be similar.
  • reference numeral 41 denotes a connection portion to which the first metal layer 32 and the second metal layer 37 are connected. Further, reference sign S0 represents the dimension of the through hole 25 in the connection portion 41 between the first metal layer 32 and the second metal layer 37.
  • FIG. 9 shows an example in which the first metal layer 32 and the second metal layer 37 are in contact with each other, the present invention is not limited to this, and between the first metal layer 32 and the second metal layer 37. Other layers may be intervened.
  • a catalyst layer for promoting the deposition of the second metal layer 37 on the first metal layer 32 may be provided between the first metal layer 32 and the second metal layer 37.
  • FIG. 10 is an enlarged view of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 of FIG.
  • the width M2 of the second metal layer 37 on the second surface 20b of the vapor deposition mask 20 is smaller than the width M1 of the first metal layer 32 on the first surface 20a of the vapor deposition mask 20.
  • the opening dimension S2 of the through hole 25 (second opening 35) in the second surface 20b is larger than the opening dimension S1 of the through hole 25 (first opening 30) in the first surface 20a.
  • the contour of the second opening 35 surrounds the contour of the first opening 30.
  • the vapor deposition material 98 flying from the second surface 20 b side of the vapor deposition mask 20 passes through the second opening 35 and the first opening 30 of the through hole 25 in order and adheres to the organic EL substrate 92.
  • the region of the organic EL substrate 92 to which the vapor deposition material 98 is attached is mainly determined by the opening dimension S1 and the opening shape of the through hole 25 in the first surface 20a.
  • the vapor deposition material 98 is along the normal direction N of the vapor deposition mask 20 from the crucible 94 toward the organic EL substrate 92.
  • the obliquely moving deposition material 98 moves the second metal layer 37.
  • the ratio of the vapor deposition material 98 which can not pass through the through holes 25 is increased. Therefore, in order to enhance the utilization efficiency of the vapor deposition material 98, it can be said that it is preferable to increase the opening dimension S2 of the second opening 35, that is, to reduce the width M2 of the second metal layer 37.
  • the minimum angle between a straight line L1 in contact with the wall surface 36 of the second metal layer 37 and the wall surface 31 of the first metal layer 32 with respect to the normal direction N of the vapor deposition mask 20 is represented by symbol ⁇ 1.
  • the angle ⁇ 1 is preferably 45 ° or more.
  • the above-described aperture dimensions S0, S1, and S2 are appropriately set in consideration of the pixel density of the organic EL display device, the desired value of the above-mentioned angle ⁇ 1, and the like.
  • a recess 34 may be formed on the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 constituted by the first metal layer 32.
  • the hollow part 34 is formed corresponding to the conductive pattern 52 of the pattern board
  • the depth D of the recess 34 is, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.
  • the outer edge 34 e of the recess 34 formed in the first metal layer 32 is located between the end 33 of the first metal layer 32 and the connection 41.
  • the composition of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 will be described.
  • the composition of the first metal layer 32 and the composition of the second metal layer 37 are the same.
  • “The same composition” means the weight% of iron and nickel contained in the first metal layer 32 and the second metal layer 37, which are calculated by energy dispersive X-ray analysis (hereinafter also referred to as EDX analysis) described later. Means that the difference with the weight% of iron and nickel contained is 2% by weight or less.
  • the difference between the weight% in the first metal layer 32 and the weight% in the second metal layer 37 is 2% % Or less.
  • the composition of the first metal layer 32 and the composition of the second metal layer 37 are the same, the difference between the thermal expansion coefficient of the first metal layer 32 and the thermal expansion coefficient of the second metal layer 37 can be reduced. . Thereby, it is possible to suppress the occurrence of stress or strain at the interface between the first metal layer 32 and the second metal layer 37 due to the temperature change. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of warpage or deflection in the first metal layer 32 and the second metal layer 37 due to temperature change.
  • the vapor deposition mask 20 has no component other than the first metal layer 32 and the second metal layer 37 at least in the effective portion 21.
  • the first surface 20 a of the deposition mask 20 is formed of the first metal layer 32
  • the second surface 20 b of the deposition mask 20 is formed of the second metal layer 37.
  • the sample 71 including the effective portion 21 of the deposition mask 20 is cut out from the deposition mask 20. Subsequently, as shown in FIG. 25, the sample 71 is sealed with a resin 72.
  • a resin 72 for example, an epoxy resin is used as the resin 72.
  • the thickness of the sample 71 to be sealed is equal to the thickness of the effective portion 21 of the deposition mask 20.
  • the dimensions of the sample 71 in the plane directions D1 and D2 of the vapor deposition mask 20 are each 5 mm, for example.
  • reference numeral 32 c denotes a measurement point of the cross section of the first metal layer 32 in the measurement surface 73 measured by EDX analysis
  • reference numeral 37 c denotes the cross section of the second metal layer 37 in the measurement surface 73.
  • measurement points measured by EDX analysis are shown.
  • the measurement point 32 c of the first metal layer 32 is located, for example, at the center of the first metal layer 32 in the surface direction of the deposition mask 20.
  • the measurement point of the second metal layer 37 is also located, for example, at the center of the second metal layer 37 in the plane direction of the deposition mask 20.
  • the sample 71 and the resin 72 are cut by trimming processing until the distance to the measurement surface 73 becomes 30 ⁇ m. Thereafter, finish processing using an ion beam is applied to the sample 71 and the resin 72 to remove damage caused by trimming processing. By this, it is possible to obtain the measurement sample 70 in which the measurement surface 73 shown in FIG. 26 is formed.
  • an ultramicrotome manufactured by Leica Microsystems can be used as an apparatus for carrying out the trimming process.
  • an apparatus for etching the sample 71 and the resin 72 by irradiation of an ion beam can be used.
  • a cross section polisher manufactured by JOEL can be used.
  • the finishing process first, the shielding plate is placed on the sample 71 and the resin 72 subjected to the trimming process. Subsequently, in a state in which the sample 71 and the resin 72 subjected to the trimming process protrude 30 ⁇ m from the shielding plate, an ion beam is irradiated toward the sample 71 and the resin 72 subjected to the trimming process and the shielding plate.
  • the setting of the cross section polisher made by JOEL in this case is as follows. ⁇ Voltage: 5kV ⁇ Time: 6 hours
  • the measurement surface 73 of the obtained measurement sample 70 is observed using a scanning electron microscope.
  • the measurement location 32c of the first metal layer 32 and the measurement location 37c of the second metal layer 37 can be specified.
  • a scanning electron microscope for example, Ultra 55 manufactured by Carl Zeiss can be used. The setting of the scanning electron microscope at this time is as follows. ⁇ Voltage: 15kV Working distance: 8.5 mm -Observation magnification: 5000 times-Observation magnification standard: Polaroid 545
  • EDX analyzer After observation of the measurement surface 73, calibration correction of the EDX analyzer is performed using a standard sample, and then measurement points 32c of the first metal layer 32 and measurement points of the second metal layer 37 are measured using the EDX analyzer. Conduct a compositional analysis of 37c.
  • the EDX analyzer for example, Quantax QX400 manufactured by BRUKER can be used.
  • the accuracy of the quantitative analysis of the composition of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 which is calculated when Quantax QX400 manufactured by BRUKER, is used, is ⁇ 2% by weight. Therefore, among the elements detected by quantitative analysis of the composition of the first metal layer 32 and the second metal layer 37, the composition of the first metal layer 32 and the second metal layer for an element having a ratio of 2% by weight or less It may be ignored when determining whether the composition of 37 is the same.
  • the result of the composition analysis may include the influence of electron beam scattering due to the surrounding resin 72 .
  • the quantitative analysis of the composition of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 it is preferable to remove the influence of the resin 72. Whether or not the influence of surrounding resin 72 is included in the result of compositional analysis is considered to be attributed to surrounding resin 72 in the result of quantitative analysis of the composition when the accelerating voltage of the scanning electron microscope is changed. The determination is made based on whether or not the detected amount of the component changes.
  • the pattern substrate 50 shown in FIG. 11 is prepared.
  • the pattern substrate 50 has a base 51 having an insulating property, and a conductive pattern 52 formed on the base 51.
  • the conductive pattern 52 has a pattern corresponding to the first metal layer 32.
  • the material constituting the substrate 51 or the thickness of the substrate 51 there are no particular limitations on the material constituting the substrate 51 or the thickness of the substrate 51 as long as it has insulating properties and appropriate strength.
  • glass, a synthetic resin, etc. can be used as a material which comprises the base material 51.
  • the material which has electroconductivity such as a metal material and an oxide electroconductive material, is used suitably.
  • a metal material chromium, copper, etc. can be mentioned, for example.
  • the thickness of the conductive pattern 52 is, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.
  • the pattern substrate 50 may be subjected to release treatment.
  • a degreasing process for removing oil on the surface of the pattern substrate 50 is performed.
  • the oil on the surface of the conductive pattern 52 of the pattern substrate 50 is removed using an acidic degreasing solution.
  • an activation process for activating the surface of the conductive pattern 52 is performed.
  • the same acidic solution as the acidic solution contained in the first plating solution used in the first plating process described later is brought into contact with the surface of the conductive pattern 52.
  • the first plating solution contains nickel sulfamate
  • sulfamic acid is brought into contact with the surface of the conductive pattern 52.
  • an organic film formation process is performed to form an organic film on the surface of the conductive pattern 52.
  • a release agent containing an organic substance is brought into contact with the surface of the conductive pattern 52.
  • the thickness of the organic film is set so thin that the electrical resistance of the organic film does not inhibit the deposition of the first metal layer 32 by electrolytic plating.
  • the release agent may contain a sulfur component.
  • a water washing treatment for washing the pattern substrate 50 with water is performed.
  • a first plating process is performed by supplying a first plating solution onto the base material 51 on which the conductive pattern 52 is formed, and depositing the first metal layer 32 on the conductive pattern 52.
  • the substrate 51 on which the conductive pattern 52 is formed is immersed in a plating tank filled with the first plating solution.
  • FIG. 12 it is possible to obtain the first metal layer 32 in which the first openings 30 are provided in a predetermined pattern on the pattern substrate 50.
  • the first metal layer 32 is not only a portion overlapping the conductive pattern 52 when viewed along the normal direction of the substrate 51, but also a conductive pattern It can also be formed in parts that do not overlap 52. This is because the first metal layer 32 is further deposited on the surface of the first metal layer 32 deposited in the portion overlapping the end portion 54 of the conductive pattern 52. As a result, as shown in FIG. 12, the end 33 of the first opening 30 may be located in a portion not overlapping the conductive pattern 52 when viewed along the normal direction of the substrate 51. . In the surface of the first metal layer 32 on the side in contact with the conductive pattern 52, the above-described recess 34 corresponding to the thickness of the conductive pattern 52 is formed.
  • the width of the portion of the first metal layer 32 not overlapping the conductive pattern 52 is represented by the symbol w.
  • the width w is, for example, 0.5 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the dimensions of the conductive pattern 52 are set in consideration of the width w.
  • the specific method of the first plating process is not particularly limited.
  • the first plating process may be performed as a so-called electrolytic plating process in which the first metal layer 32 is deposited on the conductive pattern 52 by supplying a current to the conductive pattern 52.
  • the first plating process may be an electroless plating process.
  • an appropriate catalyst layer may be provided on the conductive pattern 52.
  • the conductive pattern 52 may be configured to function as a catalyst layer. The catalyst layer may be provided on the conductive pattern 52 also when the electrolytic plating process is performed.
  • the components of the first plating solution to be used are determined such that the first metal layer 32 contains 38% by mass or more and 62% by mass or less of nickel and the balance of iron and unavoidable impurities.
  • a mixed solution of a solution containing a nickel compound and a solution containing an iron compound can be used as the first plating solution.
  • a mixed solution of a solution containing nickel sulfamate or nickel bromide and a solution containing ferrous sulfamate can be used.
  • the plating solution may contain various additives.
  • pH buffers such as boric acid, primary brighteners such as sodium hydroxide saccharin, butyne diols, propargyl alcohol, coumarins, secondary brighteners such as formalin and thiourea, antioxidants, etc.
  • primary brightener may contain a sulfur component.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a resist pattern 55 formed on a substrate 51. As shown in FIG. As shown in FIG. 13, in the resist formation step, the first opening 30 of the first metal layer 32 is covered with the resist pattern 55, and the gap 56 of the resist pattern 55 is located on the first metal layer 32. To be implemented.
  • a negative resist film is formed by sticking a dry film on the substrate 51 and the first metal layer 32.
  • the dry film is a film that is attached to an object to form a resist film on the object such as the substrate 51.
  • the dry film includes at least a base film made of PET or the like, and a photosensitive layer laminated on the base film and having photosensitivity.
  • the photosensitive layer contains a photosensitive material such as an acrylic photocurable resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and a styrene resin.
  • the resist film may be formed by applying a material for the resist pattern 55 on the substrate 51 and thereafter performing baking as necessary.
  • an exposure mask which prevents light from transmitting to a region which should become the gap 56 in the resist film is prepared, and the exposure mask is disposed on the resist film. Thereafter, the exposure mask is sufficiently adhered to the resist film by vacuum adhesion. Thereafter, the resist film is exposed through the exposure mask. Further, the resist film is developed to form an image on the exposed resist film. As described above, as shown in FIG. 13, it is possible to form the resist pattern 55 that covers the first opening 30 of the first metal layer 32 while providing the gap 56 located on the first metal layer 32. . A heat treatment step of heating the resist pattern 55 may be performed after the development step in order to make the resist pattern 55 adhere more firmly to the base 51 and the first metal layer 32.
  • the resist film a positive type may be used.
  • the exposure mask an exposure mask in which light is transmitted to a region to be removed of the resist film is used.
  • a second plating process is performed in which the second plating solution is supplied to the gaps 56 of the resist pattern 55 to deposit the second metal layer 37 on the first metal layer 32.
  • the substrate 51 on which the first metal layer 32 is formed is immersed in a plating tank filled with the second plating solution.
  • the second metal layer 37 can be formed on the first metal layer 32.
  • the second plating process step is implemented, for example, as a so-called electrolytic plating process step of depositing the second metal layer 37 on the first metal layer 32 by supplying a current to the first metal layer 32.
  • the second plating process may be an electroless plating process.
  • the second metal layer 37 forming the central region 23 of the effective portion 21 is thicker than the thickness of the second metal layer 37 forming the outer peripheral region 22 of the effective portion 21. 2 Conduct the plating process.
  • an example of the second plating process capable of realizing such control of the thickness will be described with reference to FIGS. 15 to 17.
  • FIG. 15 is a plan view showing a shielding plate 60 used to form the second metal layer 37 of the outer peripheral region 22 and the central region 23 of the effective portion 21 shown in FIG. 7 by plating.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the shielding plate 60 shown in FIG. 15 as viewed from the direction of the arrows C--C.
  • the shielding plate 60 has a shielding portion 61 and a through portion 62 surrounded by the shielding portion 61.
  • the penetrating portion 62 is disposed so as to at least partially overlap the first metal layer 32 constituting the central region 23 of the effective portion 21 when viewed along the normal direction of the base 51 of the pattern substrate 50. There is.
  • the shielding portion 61 is at least partially formed on the first metal layer 32 constituting the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 and the outer frame portion 24. It is arranged to overlap the
  • the second plating solution is supplied onto the first metal layer 32 through the penetration portion 62 of the shielding plate 60.
  • a portion of the first metal layer 32 overlapping the shielding portion 61 is supplied with the second plating solution after passing through the first metal layer 32 overlapping the penetrating portion 62 as shown by the arrow F2 in FIG. Be done. Therefore, in the portion of the first metal layer 32 overlapping with the shielding portion 61, the growth of the second metal layer 37 is suppressed as compared with the portion overlapping the penetrating portion 62 of the first metal layer 32.
  • the shielding portion 61 has conductivity, an electric field generated between the first metal layer 32 and the anode (not shown) is blocked by the shielding portion 61. Also in this point, the growth of the second metal layer 37 is suppressed in the portion of the first metal layer 32 overlapping with the shielding portion 61 as compared with the portion of the first metal layer 32 overlapping with the penetrating portion 62.
  • the shielding plate 60 having the shielding portion 61 and the penetrating portion 62 in the portion of the first metal layer 32 overlapping with the shielding portion 61, that is, preferentially on the first metal layer 32 constituting the central region 23.
  • the second metal layer 37 can be grown. Therefore, as shown in FIG. 17, the thickness of the second metal layer 37 constituting the central region 23 can be made larger than the thickness of the second metal layer 37 constituting the outer peripheral region 22 and the outer frame portion 24. . Thereby, the thickness of central region 23 can be made larger than the thickness of peripheral region 22, and a tensile force toward central region 23 can be generated in peripheral region 22.
  • the thickness of the central region 23 and the thickness of the peripheral region 22 are measured at the thickest portion, that is, at a portion where the first metal layer 32 and the second metal layer 37 are bulky.
  • the components of the second plating solution are determined such that the second metal layer 37 contains 38% by mass or more and 62% by mass or less of nickel, and the balance of iron and unavoidable impurities.
  • the second plating solution the same plating solution as the above-described first plating solution may be used.
  • a plating solution different from the first plating solution may be used as the second plating solution.
  • the composition of the first plating solution and the composition of the second plating solution are the same, the composition of the metal forming the first metal layer 32 and the composition of the metal forming the second metal layer 37 are also the same.
  • FIG. 14 shows an example in which the second plating process is continued until the upper surface of resist pattern 55 and the upper surface of second metal layer 37 coincide with each other, the present invention is not limited to this. .
  • the second plating process may be stopped with the upper surface of the second metal layer 37 positioned below the upper surface of the resist pattern 55.
  • the first plating solution may be supplied onto the base material 51 through the penetration portion 62 of the shielding plate 60 during the first plating process.
  • the first metal layer 32 can be preferentially grown in the portion corresponding to the central region 23 in the base material 51.
  • a removal process of removing the resist pattern 55 is performed.
  • the resist pattern 55 can be peeled off from the base 51, the first metal layer 32, and the second metal layer 37 by using an alkaline peeling solution.
  • a film having a tacky substance provided by coating or the like is attached to a combination of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 formed on the substrate 51.
  • the film is pulled away from the substrate 51 by pulling up or winding the film, thereby separating the combination of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 from the substrate 51 of the pattern substrate 50.
  • the film is peeled off from the combination of the first metal layer 32 and the second metal layer 37.
  • a gap as a trigger for separation is formed between the combination of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 and the substrate 51, and then this gap is formed. Air may be blown to facilitate the separation process.
  • the substance having tackiness a substance which loses tackiness by being irradiated with light such as UV or heated may be used.
  • the step of irradiating the film with light and the step of heating the film are performed.
  • the process of peeling the film from the combination of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 can be facilitated.
  • the film can be peeled off while keeping the combination of the film and the first metal layer 32 and the second metal layer 37 as parallel as possible.
  • the internal stress resulting from plating has arisen in the vapor deposition mask 20 produced by the plating process.
  • the substrate is caused by the difference between the linear expansion coefficient of the deposition mask 20 and the linear expansion coefficient of the base 51 of the pattern substrate 50. It is conceivable that the vapor deposition mask 20 may be damaged due to warping or cracking at 51.
  • the deposition mask 20 is separated from the pattern substrate 50 without annealing the deposition mask 20.
  • the process of heating the metal layer of the deposition mask 20 to 140 ° C. or more is not performed.
  • the deposition mask 20 may be annealed.
  • the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 is made greater than the thickness of the outer peripheral region 22, it is possible to generate a tensile force toward the central region 23 in the outer peripheral region 22.
  • the tensile force applied from the outer frame portion 24 and the tensile force applied from the central region 23 can be at least partially canceled out.
  • it can suppress that the position of the through-hole 25 located in the outer periphery area
  • the evaporation mask device 10 is disposed such that the evaporation mask 20 faces the organic EL substrate 92. Further, the deposition mask 20 is brought into close contact with the organic EL substrate 92 using the magnet 93. In this state, the vapor deposition material 98 is evaporated and made to fly to the organic EL substrate 92 through the vapor deposition mask 20, thereby adhering the vapor deposition material 98 to the organic EL substrate 92 in a pattern corresponding to the through holes 25 of the vapor deposition mask 20.
  • the position of the through hole 25 located in the outer peripheral region 22 can be suppressed from being deviated from the design. Therefore, the vapor deposition material 98 can be attached to the organic EL substrate 92 with high positional accuracy.
  • the shielding part 61 overlapped with the part corresponding to the outer periphery area
  • the shielding portion 61 only needs to overlap with the portion of the pattern substrate 50 corresponding to at least the outer peripheral region 22 of the effective portion 21, and may not overlap with the portion corresponding to the outer frame portion 24.
  • a shielding portion 61 overlapping a portion corresponding to the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 in the pattern substrate 50 and an effective portion 21 of the pattern substrate 50 are provided.
  • a plurality of shielding plates 60 may be used, which include a penetrating portion 62 overlapping the portion corresponding to the central region 23.
  • the gap 63 between the shielding plates 60 may overlap with the portion of the pattern substrate 50 corresponding to the outer frame portion 24.
  • the shielding plate 60 may have a through hole overlapping a portion of the pattern substrate 50 corresponding to the outer frame portion 24.
  • the plating solution is also supplied onto the portion of pattern substrate 50 corresponding to outer frame portion 24.
  • the resist pattern 55 is not formed on the portion of the pattern substrate 50 corresponding to the outer frame portion 24.
  • the resist pattern 55 is formed on the portion of the pattern substrate 50 corresponding to the effective portion 21 as described above. Since no current flows in the portion of the pattern substrate 50 overlapping the resist pattern 55, the current tends to concentrate in the portion not overlapping the resist pattern 55 in the portion corresponding to the effective portion 21. Therefore, in the portion corresponding to the effective portion 21 in the pattern substrate 50, the plating layer is easily grown in the thickness direction as compared with the portion corresponding to the outer frame portion 24 in the pattern substrate 50.
  • the plating layer is in the thickness direction compared to the portion where resist pattern 55 corresponding to effective portion 21 in pattern substrate 50 is formed. It is difficult to grow. Therefore, even if the shielding portion 61 is not provided on the portion corresponding to the outer frame portion 24 in the pattern substrate 50, the difference between the thickness of the outer frame portion 24 and the thickness of the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 Can be suppressed.
  • the deposition mask 20 may be configured by one metal layer 27 in which a plurality of through holes 25 are formed in a predetermined pattern.
  • An example in which the deposition mask 20 includes one metal layer 27 will be described below with reference to FIGS. 20 to 22.
  • a portion of the through hole 25 extending from the first surface 20a to the second surface 20b of the vapor deposition mask 20, which is located on the first surface 20a is referred to as a first opening 30.
  • the portion located on the second surface 20 b is referred to as a second opening 35.
  • prescribed electroconductive pattern 52 was formed is prepared.
  • a resist formation step of forming a resist pattern 55 with a predetermined gap 56 on the base material 51 is performed.
  • the distance between the side surfaces 57 of the resist pattern 55 defining the gaps 56 of the resist pattern 55 is narrowed as the distance from the base material 51 is increased. That is, the resist pattern 55 has a shape in which the width of the resist pattern 55 becomes wider as the distance from the base 51 increases, that is, a so-called reverse tapered shape.
  • a resist pattern 55 For example, first, a resist film containing a photocurable resin is provided on the surface of the base 51 on which the conductive pattern 52 is formed. Next, the resist film is irradiated with exposure light which is made to enter the substrate 51 from the side of the substrate 51 opposite to the side on which the resist film is provided, to expose the resist film. Thereafter, the resist film is developed. In this case, a resist pattern 55 having an inverse tapered shape as shown in FIG. 20 can be obtained based on the wraparound (diffraction) of the exposure light.
  • a plating process is performed to supply a plating solution to the gaps 56 of the resist pattern 55 and deposit the metal layer 27 on the conductive pattern 52.
  • a plating process is performed to supply a plating solution to the gaps 56 of the resist pattern 55 and deposit the metal layer 27 on the conductive pattern 52.
  • the removing step and the separating step described above as shown in FIG. 22, it is possible to obtain the deposition mask 20 provided with the metal layer 27 in which the through holes 25 are provided in a predetermined pattern.
  • the dimension in the surface direction of the first surface 20a of the through hole 25 of the metal layer 27 decreases from the second surface 20b side toward the first surface 20a side.
  • a shielding portion 61 overlapping a portion corresponding to the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 in the pattern substrate 50 and the center of the effective portion 21 in the pattern substrate 50 A plating process is performed using the shielding plate 60 provided with the penetration part 62 which overlaps with the part corresponding to the area
  • the thickness of the central region 23 of the effective portion 21 can be made larger than the thickness of the outer peripheral region 22. By this, it can suppress that the position of the through-hole 25 located in the outer periphery area
  • the deposition mask 20 of this modification preferably has no component other than the metal layer 27 at least at the effective portion 21.
  • each of the first surface 20 a and the second surface 20 b of the vapor deposition mask 20 is formed of the metal layer 27.
  • Example 1 A deposition mask 20 having a first metal layer 32 and a second metal layer 37 shown in FIG. 9 was produced by plating.
  • a shielding portion 61 overlapping a portion corresponding to the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 of the pattern substrate 50 and a through portion 62 overlapping a portion corresponding to the central region 23 of the effective portion 21 of the pattern substrate 50
  • the plating solution was supplied using a shielding plate 60 provided with
  • the overall dimensions of the deposition mask 20 and the dimensions of each part were as follows.
  • the length of the deposition mask 20 870 mm
  • the width of the deposition mask 20 66.5 mm ⁇
  • Dimension of the effective portion 21 in the first direction D1 112.8 mm ⁇
  • Dimension of the effective portion 21 in the second direction D2 63.5 mm -Opening ratio of the through hole 25 in the effective portion 21: 20% to 60%, for example, 39% ⁇ Opening dimension S1 of the through hole 25 in the first surface 20a: 29 ⁇ m ⁇ Opening dimension S2 of through hole 25 in second surface 20b: 34 ⁇ m
  • the opening ratio is the ratio of the area of the through hole 25 to the area of the entire effective portion 21.
  • the thickness of the effective portion 21 was measured. Specifically, as shown in FIG. 4 described above, the effective portion 21 is virtually divided into nine regions, and the thickness of the effective portion 21 is measured at nine locations in each of the nine regions, that is, 81 locations in total. did. In addition, the average value and the standard deviation of the measurement results of the thickness at a total of 72 points in eight areas in contact with the outer frame portion 24 among the nine areas are calculated as the average value T1 and the standard deviation ⁇ 1 of the thickness of the outer peripheral area 22 did. In addition, the average value of the measurement results of the thickness at a total of nine places in one region surrounded by eight regions constituting the outer peripheral region 22 was calculated as the average value T2 of the thickness of the central region 23. The results are shown in FIG.
  • a method of measuring the thickness of the effective portion 21 will be described.
  • a part of the deposition mask 20 was cut to prepare a sample.
  • the sample has a rectangular shape with a long side of 150 mm and a short side of 80 mm.
  • the sample includes at least one effective portion 21.
  • the sample was placed on a black gel poly sheet attached to a 0.7 mm thick glass plate to fix the sample.
  • a gel poly sheet As a gel poly sheet, GPH100E82A04 manufactured by PANAC Corporation was used.
  • the thickness was measured at the above-mentioned 81 points of one effective portion 21 included in the sample.
  • a laser microscope VK-8500 manufactured by Keyence Corporation was used as a measuring instrument for measuring the thickness.
  • the specific measurement conditions are as follows.
  • RUN MODE Black and White Super Depth Measurement Pitch: 0.05 ⁇ m Objective magnification: 100 times
  • Example 2 A deposition mask 20 was produced by plating in the same manner as in Example 1 except that the conditions for plating were different. Further, in the same manner as in Example 1, the thickness of the effective portion 21 was measured. Further, in the same manner as in Example 1, in the deposition masks 20 according to Examples 2 to 6, the deviation from the design of the position of the through hole 25 in the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 was evaluated. The results are shown in FIG.
  • a deposition mask 20 according to Comparative Example 1 was produced by plating in the same manner as in Example 1 except that the shielding plate 60 was not used in the plating treatment. Moreover, it carried out similarly to the case of Example 3 except having not used the shielding board 60 in plating process, and produced the vapor deposition mask 20 which concerns on the comparative example 2 by plating process. Moreover, it carried out similarly to the case of Example 5 except having not used the shielding board 60 in plating process, and produced the vapor deposition mask 20 which concerns on the comparative example 3 by plating process. Further, in the same manner as in Example 1, in the deposition masks 20 according to Comparative Examples 1 to 3, the deviation from the design of the positions of the through holes 25 in the outer peripheral region 22 of the effective portion 21 was evaluated. The results are shown in FIG.
  • Examples 1, 3 and 5 the following relational expressions were established. T1 ⁇ T2 (4) 3 ⁇ 1 ⁇ T2 / 2 (5) On the other hand, in Examples 2, 4 and 6, the above-mentioned relational expressions (4) and (5) were not satisfied.
  • the flow of the plating solution in the area corresponding to the outer peripheral area 22 is made more uniform than in the cases of Examples 2, 4 and 6, using the shielding plate 60, The plating solution was supplied.
  • the end portion of the wall surface of the through portion 62 of the shielding plate 60 on the side of the base member 51 corresponds to the normal direction of the base member 51 as shown in FIG. And inclined surface 64 was included.
  • the distance between the base material 51 and the shielding plate 60 becomes too large, the shielding plate 60 is less effective in suppressing the supply of the plating solution to the outer peripheral region 22. Therefore, it is preferable that the distance between the base material 51 and the shielding plate 60 be appropriately adjusted within the range satisfying the above-mentioned relational expressions (4) and (5).
  • vapor deposition mask apparatus 15 frame 20 vapor deposition mask 21 effective part 22 outer periphery area 23 center area

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Abstract

［課題］貫通孔の位置ずれが生じることを抑制する。 ［解決手段］蒸着マスクは、複数の貫通孔が設けられた有効部と、有効部を囲う外枠部と、を備える。有効部は、外枠部に接する外周領域と、外周領域によって囲われ、外周領域よりも大きい厚みを有する中央領域と、を含む。

Description

蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
　本開示の実施形態は、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。
　近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。
　表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対向するよう蒸着マスクを配置し、次に、蒸着マスク及び基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を基板に蒸着させる蒸着工程を行う。
　蒸着マスクの製造方法としては、例えば特許文献１に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献１に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する母型板を準備する。次に、母型板の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって母型板の上に金属層を析出させる。その後、金属層を母型板から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。
特開２００１－２３４３８５号公報
　蒸着マスクは、複数の貫通孔が設けられた有効部と、有効部を囲う外枠部と、を備える。外枠部は、有効部を支持するための部分であり、有効部よりも高い剛性を有する。例えば、外枠部には貫通孔が設けられていない。若しくは、外枠部における貫通孔の分布密度は、有効部における貫通孔の分布密度よりも低い。
　ところで、めっき処理によって作製した蒸着マスクの金属層には、めっきに起因する内部応力が生じている。上述のように有効部には外枠部に比べて多くの貫通孔が設けられているので、有効部に生じる内部応力は、外枠部に生じる内部応力よりも小さく、有効部は外枠部から引張力を受けている。この場合、引張力のばらつきなどに起因して、貫通孔の位置ずれが生じてしまうことが考えられる。
　本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る蒸着マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクであって、複数の貫通孔が設けられた有効部と、前記有効部を囲う外枠部と、を備え、前記有効部は、前記外枠部に接する外周領域と、前記外周領域によって囲われ、前記外周領域よりも大きい厚みを有する中央領域と、を含む、蒸着マスクである。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記有効部を第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向に沿ってそれぞれ３等分して、前記有効部を９つの領域に仮想的に分割した場合、前記外枠部に接する８つの領域が前記外周領域を構成し、中央の１つの領域が前記中央領域を構成してもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記外周領域の厚みの平均値をＴ１で表し、前記外周領域の厚みの標準偏差をσ１で表し、前記中央領域の厚みの平均値をＴ２で表す場合、好ましくは以下の関係式が成立する。
　　Ｔ１＜Ｔ２
　　３σ１＜Ｔ２／２
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記外周領域の厚みの平均値Ｔ１及び標準偏差σ１は、前記外周領域を構成する８つの領域の各々において９カ所で厚みを測定することにより算出され、前記中央領域の厚みの平均値Ｔ２は、前記中央領域を構成する１つの領域の９カ所で厚みを測定することにより算出されてもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクは、前記貫通孔を通った蒸着材料が付着する基板の側に位置する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を含み、前記貫通孔のうち前記第１面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記第２面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲んでいてもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクは、前記第１面側に位置し、前記第１開口部が形成された第１金属層と、前記第２面側に位置し、前記第２開口部が形成された第２金属層と、を含む金属層を備えていてもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクは、前記貫通孔が形成された金属層を備え、前記金属層の前記貫通孔の、前記第１面の面方向における寸法は、前記第２面側から前記第１面側に向かうにつれて減少していてもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記金属層はめっき層であってもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクは、第１方向に沿って並ぶ複数の前記有効部を備え、前記第１方向における前記蒸着マスクの端部に最も近接する前記有効部の前記中央領域の厚みは、前記第１方向における前記蒸着マスクの中心に最も近接する前記有効部の前記中央領域の厚みよりも大きくてもよい。
　本開示の一実施形態は、上記記載の蒸着マスクの製造方法であって、遮蔽部及び貫通部を含む遮蔽板の前記貫通部を介してめっき液を供給して、前記遮蔽部に重なる前記外周領域と、前記貫通部に重なる前記中央領域と、を形成するめっき処理工程を備える、蒸着マスクの製造方法である。
　本開示の一実施形態によれば、貫通孔の位置ずれが生じることを抑制することができる。
本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を備えた蒸着装置を示す図である。 図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を示す平面図である。 蒸着マスクの一部を拡大して示す平面図である。 図４の蒸着マスクをＡ－Ａ方向から見た断面図である。 図４の蒸着マスクをＢ－Ｂ方向から見た断面図である。 本開示の一実施形態による蒸着マスクの有効部の外周領域に加わる力を模式的に示す平面図である。 蒸着マスクの有効部を拡大して示す平面図である。 図８の蒸着マスクをIX－IX方向から見た断面図である。 図９の有効部の金属層を拡大して示す断面図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を説明する図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を説明する図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を説明する図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を説明する図である。 めっき処理工程の一例を説明する図である。 めっき処理工程の一例を説明する図である。 めっき処理工程の一例を説明する図である。 めっき処理工程のその他の例を説明する図である。 めっき処理工程のその他の例を説明する図である。 蒸着マスクの製造方法の一変形例を説明する図である。 蒸着マスクの製造方法の一変形例を説明する図である。 蒸着マスクの一変形例を示す断面図である。 実施例１～６及び比較例１～３の評価結果を示す図である。 遮蔽板の一変形例を示す断面図である。 組成分析で用いられる試料が樹脂によって封止された状態を示す図。 樹脂によって封止された試料を切断することによって得られる測定用サンプルの測定面を示す図。
　以下、図面を参照して本開示の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
　図１～図１７は、本開示の一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクの製造方法に対し、本開示の実施形態を適用することができる。
　なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。
　また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。
　さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
　（蒸着装置）
　まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及び蒸着マスク装置１０を備える。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して蒸着材料９８を蒸発させる。蒸着マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されている。
　（蒸着マスク装置）
　以下、蒸着マスク装置１０について説明する。図１に示すように、蒸着マスク装置１０は、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０を支持するフレーム１５と、を備える。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０をその面方向に引っ張った状態で支持する。蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、蒸着マスク２０が、蒸着材料９８を付着させる対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置される。以下の説明において、蒸着マスク２０の面のうち、有機ＥＬ基板９２側の面を第１面２０ａと称し、第１面２０ａの反対側に位置する面を第２面２０ｂと称する。
　蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面に配置された磁石９３を更に備える。磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石９３側に引き寄せて、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。
　図３は、蒸着マスク装置１０を蒸着マスク２０の第１面２０ａ側から見た場合を示す平面図である。図３に示すように、蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０を備え、各蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の長手方向における一対の端部２０ｅ又はその近傍において、フレーム１５に固定されている。
　蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔を含む。るつぼ９４から蒸発して蒸着マスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、蒸着マスク２０の貫通孔を通って有機ＥＬ基板９２に付着する。これによって、蒸着マスク２０の貫通孔の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２の表面に成膜することができる。
　図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ基板９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む画素と、を備える。
　なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。
　ところで、蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。
　このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、蒸着マスク２０を構成する金属材料として、３８質量％以上且つ６２質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物と、を含む鉄合金を用いることができる。蒸着マスク２０およびフレーム１５を構成する鉄合金におけるニッケルの含有率は、４０質量％以上且つ４４質量％以下であってもよい。
　また、蒸着マスク２０を構成する金属層の材料として、上述のニッケルを含む鉄合金以外の様々な材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金、ニッケル、ニッケル－コバルト合金などを用いることができる。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。
　（蒸着マスク）
　次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図３に示すように、蒸着マスク２０は、有効部２１と、有効部２１を囲う外枠部２４と、を含む。有効部２１は、蒸着マスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂに至る複数の貫通孔が形成された部分である。図３に示す例において、蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０が延びる第１方向Ｄ１に沿って並ぶ複数の有効部２１を備える。一つの有効部２１は、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応する。このため、図３に示す蒸着マスク装置１０によれば、有機ＥＬ表示装置１００の多面付蒸着が可能である。
　図３に示すように、有効部２１は、例えば、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有する。例えば、有効部２１は、第１方向Ｄ１に延びる一対の辺と、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に延びる一対の辺とを含む、矩形状の輪郭を有する。なお図示はしないが、有効部２１は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、四角形形状以外の形状を有していてもよい。例えば、有効部２１は、円形状の輪郭を有していてもよい。
　外枠部２４は、有効部２１を支持するための領域であり、有効部２１よりも高い剛性を有する。例えば、外枠部２４には貫通孔が設けられていない。若しくは、外枠部２４における貫通孔の分布密度は、有効部２１における貫通孔２５の分布密度よりも低い。
　後述するように、蒸着マスク２０は、めっき処理工程によって形成された金属層を含む。この場合に生じ得る課題について、図４を参照して説明する。図４は、蒸着マスク２０の一部を拡大して示す平面図である。
　めっき処理によって作製した蒸着マスク２０の金属層には、めっきに起因する内部応力が生じている。上述のように有効部２１には外枠部２４に比べて多くの貫通孔２５が設けられているので、有効部２１に生じる内部応力は、外枠部２４に生じる内部応力よりも小さい。このため、図４において矢印Ｅ１で示すように、有効部２１には外枠部２４からの引張力が加わっている。この場合、引張力Ｅ１のばらつきなどに起因して、有効部２１の貫通孔２５の位置ずれが生じてしまうことが考えられる。
　このような課題を考慮し、本実施の形態においては、有効部２１の中央領域２３の厚みを、有効部２１の外周領域２２の厚みよりも大きくすることを提案する。外周領域２２とは、有効部２１のうち外枠部２４に接する領域であり、中央領域２３とは、外周領域２２によって囲われた領域である。例えば、図４に示すように有効部２１を第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿ってそれぞれ３等分して、有効部２１を９つの領域に仮想的に分割した場合、外枠部２４に接する８つの領域が外周領域２２を構成する。また、中央の１つの領域が中央領域２３を構成する。
　図５は、図４の蒸着マスク２０をＡ－Ａ方向から見た断面図であり、図６は、図４の蒸着マスク２０をＢ－Ｂ方向から見た断面図である。図５及び図６に示すように、有効部２１の中央領域２３は、外周領域２２の厚みｔ１よりも大きい厚みｔ２を有する。このため、外周領域２２における貫通孔２５の分布密度と中央領域２３における貫通孔２５の分布密度とが同等である場合、中央領域２３には、外周領域２２に比べて大きな内部応力が生じる。
　図７は、本実施の形態に係る蒸着マスク２０の有効部２１の外周領域２２に加わる力を模式的に示す平面図である。上述のように、外周領域２２には、外枠部２４からの引張力Ｅ１が加わる。また、中央領域２３の内部応力が外周領域２２の内部応力よりも大きいことに起因して、外周領域２２には、中央領域２３からの引張力Ｅ２も更に加わる。引張力Ｅ１と引張力Ｅ２とは、外周領域２２において反対の向きに働くので、少なくとも部分的に互いに打ち消し合う。これにより、外周領域２２に加わる引張力を低減することができる。このことにより、外周領域２２に位置する貫通孔２５の位置が設計からずれてしまうことを抑制することができる。
　なお、「中央領域２３が外周領域２２よりも大きい厚みを有する」とは、下記の（１）、（２）又は（３）の少なくともいずれか１つが成立していることを意味する。
　（１）中央領域２３を構成する１つの領域の複数の箇所で測定された厚みｔ２がいずれも、外周領域２２を構成する８つの領域の各々の複数の箇所で測定された厚みｔ１よりも大きい。
　（２）中央領域２３を構成する１つの領域の複数の箇所で測定された厚みｔ２の平均値Ｔ２が、外周領域２２を構成する８つの領域の各々の複数の箇所で測定された厚みｔ１の平均値Ｔ１よりも大きい。
　（３）中央領域２３を構成する１つの領域の複数の箇所で測定された厚みｔ２の平均値Ｔ２が、外周領域２２を構成する８つの領域の各々における厚みｔ１の平均値Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５、Ｔ１６、Ｔ１７及びＴ１８よりも大きい。
　（１）、（２）又は（３）の１つのみが成立していてもよく、任意の２つが成立していてもよく、３つ全てが成立していてもよい。
　外周領域２２を構成する８つの領域、及び中央領域２３を構成する１つの領域の各々における、厚みの測定箇所の数は、５以上且つ３６以下であり、例えば９である。
　外周領域２２を構成する８つの領域の各々の複数の箇所で測定された厚みｔ１の標準偏差をσ１で表す場合、以下の関係式が成立していることが好ましい。
　　Ｔ１＜Ｔ２・・・（４）
　　３σ１＜Ｔ２／２・・・（５）
　上述の条件が満たされるよう蒸着マスク２０を作製することにより、外周領域２２の各位置において、中央領域２３に向かう引張力Ｅ２をより確実に生じさせることができる。このことにより、外周領域２２に位置する貫通孔２５の位置が設計からずれてしまうことをより確実に抑制することができる。
　外周領域２２の厚みｔ１の平均値Ｔ１に対する、中央領域２３の厚みｔ２の平均値Ｔ２の比率（＝Ｔ２／Ｔ１）は、好ましくは１．０００以上であり、より好ましくは１．０６０以上である。また、Ｔ２／Ｔ１は、好ましくは１．２００以下であり、より好ましくは１．１７０以下である。
　図５及び図６において、符号ｔ３は、外枠部２４の厚みを表す。外枠部２４の厚みｔ３は特には限定されないが、好ましくは、外枠部２４の厚みｔ３は、有効部２１の外周領域２２の厚みｔ１と同等である。例えば、外周領域２２の厚みｔ１の平均値Ｔ１に対する、外枠部２４の厚みｔ３の平均値Ｔ３の比率（＝Ｔ３／Ｔ１）は、０．９２０以上且つ１．０８０以下ある。
　次に、有効部２１の位置に応じた、中央領域２３の厚みの調整の例について説明する。図３に示すように第１方向Ｄ１に沿って複数の有効部２１が並ぶ場合、第１方向Ｄ１における蒸着マスク２０の端部に最も近接する有効部２１の中央領域２３の厚みを、第１方向Ｄ１における蒸着マスク２０の中心に最も近接する有効部２１の中央領域２３の厚みよりも大きくしてもよい。すなわち、フレーム１５に近接する有効部２１の中央領域２３の厚みを、フレーム１５から離れた有効部２１の中央領域２３の厚みよりも大きくしてもよい。これにより、蒸着マスク２０を引っ張った状態でフレーム１５によって支持する際、各有効部２１の貫通孔２５の位置合わせ工程の作業性が向上する。
　以下、蒸着マスク２０の有効部２１について詳細に説明する。図８は、有効部２１を拡大して示す平面図であり、図９は、図８の有効部２１をIX－IX方向から見た断面図である。図８に示すように、複数の貫通孔２５は、有効部２１において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで規則的に配列される。
　以下、貫通孔２５及びその周囲の部分の形状について詳細に説明する。ここでは、蒸着マスク２０がめっき処理によって形成される場合の、貫通孔２５及びその周囲の部分の形状について説明する。
　図９に示すように、有効部２１の金属層は、第１面２０ａを構成する第１金属層３２と、第２面２０ｂを構成する第２金属層３７と、を備える。第１金属層３２には、所定のパターンで第１開口部３０が設けられており、また、第２金属層３７には、所定のパターンで第２開口部３５が設けられている。有効部２１においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５が構成されている。
　図８に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０および第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また、図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっていなくてもよい。
　図９において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法を表している。なお図９においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。
　図１０は、図９の第１金属層３２および第２金属層３７を拡大して示す図である。図１０に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおける第２金属層３７の幅Ｍ２は、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける第１金属層３２の幅Ｍ１よりも小さくなっている。言い換えると、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。例えば、図９に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａの法線方向に沿って見た場合、第２開口部３５の輪郭が第１開口部３０の輪郭を囲んでいる。以下、このように第１金属層３２および第２金属層３７を構成することの利点について説明する。
　蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通って有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。図９及び図１０において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印Ｌ１で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、斜めに移動する蒸着材料９８が、第２金属層３７の壁面３６や第１金属層３２の壁面３１に引っ掛かり易くなり、この結果、貫通孔２５を通過できない蒸着材料９８の比率が多くなる。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすること、すなわち第２金属層３７の幅Ｍ２を小さくすることが好ましいと言える。
　図９において、第２金属層３７の壁面３６及び第１金属層３２の壁面３１に接する直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。例えば、角度θ１を４５°以上にすることが好ましい。角度θ１を大きくする上では、第１金属層３２の幅Ｍ１に比べて第２金属層３７の幅Ｍ２を小さくすることが有効である。上述の開口寸法Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２は、有機ＥＬ表示装置の画素密度や上述の角度θ１の所望値などを考慮して、適切に設定される。
　図１０に示すように、第１金属層３２によって構成される蒸着マスク２０の第１面２０ａには、窪み部３４が形成されていてもよい。窪み部３４は、めっき処理によって蒸着マスク２０を製造する場合に、後述するパターン基板５０の導電性パターン５２に対応して形成される。窪み部３４の深さＤは、例えば５０ｎｍ以上且つ５００ｎｍ以下である。好ましくは、第１金属層３２に形成される窪み部３４の外縁３４ｅは、第１金属層３２の端部３３と接続部４１との間に位置する。
　次に、第１金属層３２及び第２金属層３７の組成について説明する。本実施の形態において、好ましくは、第１金属層３２の組成と第２金属層３７の組成とが同一である。「組成が同一」とは、後述するエネルギー分散型Ｘ線分析（以下、ＥＤＸ分析とも称する）によって算出される、第１金属層３２に含まれる鉄及びニッケルの重量％と、第２金属層３７に含まれる鉄及びニッケルの重量％との差が、２重量％以下であることを意味する。好ましくは、第１金属層３２及び第２金属層３７に含まれるニッケル、クロムなどのその他の元素についても、第１金属層３２における重量％と第２金属層３７における重量％の差が２重量％以下である。
　第１金属層３２の組成と第２金属層３７の組成とが同一であることにより、第１金属層３２の熱膨張係数と第２金属層３７の熱膨張係数の差を小さくすることができる。これにより、温度変化に起因して第１金属層３２と第２金属層３７の間の界面に応力や歪が生じることを抑制することができる。このため、温度変化に起因して第１金属層３２及び第２金属層３７に反りや撓みが生じることを抑制することができる。
　また、好ましくは、蒸着マスク２０は、少なくとも有効部２１において、第１金属層３２及び第２金属層３７以外の構成要素を有さない。例えば、蒸着マスク２０の第１面２０ａは、第１金属層３２によって構成されており、蒸着マスク２０の第２面２０ｂは、第２金属層３７によって構成されている。これにより、異なる材料を用いることに起因して温度変化時に蒸着マスク２０に反りや撓みが生じることを抑制することができる。
　以下、ＥＤＸ分析によって第１金属層３２及び第２金属層３７の組成を分析する方法について説明する。
　まず、蒸着マスク２０の有効部２１を含む試料７１を蒸着マスク２０から切り出す。続いて、図２５に示すように、試料７１を樹脂７２で封止する。樹脂７２としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。封止される試料７１の厚みは、蒸着マスク２０の有効部２１の厚みに等しい。蒸着マスク２０の面方向Ｄ１，Ｄ２における試料７１の寸法はそれぞれ、例えば５ｍｍである。
　続いて、試料７１の断面が樹脂７２から露出されるよう、トリミング加工を実施する。続いて、試料７１及び樹脂７２に対して、イオンビームを用いた仕上げ加工を実施する。このようにして、図２６に示すように、蒸着マスク２０のうち測定されるべき第１金属層３２及び第２金属層３７の断面が樹脂７２から露出している測定面７３を有する測定用サンプル７０を得ることができる。
　図２６において、符号３２ｃは、測定面７３中の第１金属層３２の断面のうちＥＤＸ分析によって測定される測定箇所を表し、符号３７ｃは、測定面７３中の第２金属層３７の断面のうちＥＤＸ分析によって測定される測定箇所を表す。第１金属層３２の測定箇所３２ｃは、例えば、蒸着マスク２０の面方向における第１金属層３２の中心に位置する。同様に、第２金属層３７の測定箇所も、例えば、蒸着マスク２０の面方向における第２金属層３７の中心に位置する。
　上述のトリミング加工及び仕上げ加工においては、まず、測定面７３までの距離が３０μｍになるまでトリミング加工で試料７１及び樹脂７２を切断する。その後、イオンビームを用いた仕上げ加工を試料７１及び樹脂７２に施して、トリミング加工によって生じたダメージを除去する。これによって、図２６に示す測定面７３が形成された測定用サンプル７０を得ることができる。トリミング加工を実施する装置としては、ライカマイクロシステムズ社製のウルトラミクロトームを用いることができる。
　上述の仕上げ加工を実施する装置としては、イオンビームの照射によって試料７１及び樹脂７２をエッチングする装置を用いることができ、例えばＪＯＥＬ社製のクロスセクションポリッシャーを用いることができる。仕上げ加工においては、まず、トリミング加工が施された試料７１及び樹脂７２の上に遮蔽板を載置する。続いて、トリミング加工が施された試料７１及び樹脂７２を遮蔽板から３０μｍだけ飛び出させた状態で、トリミング加工が施された試料７１及び樹脂７２並びに遮蔽板に向けてイオンビームを照射する。この際のＪＯＥＬ社製のクロスセクションポリッシャーの設定は下記の通りである。
・電圧：５ｋＶ
・時間：６時間
　続いて、得られた測定用サンプル７０の測定面７３を、走査型電子顕微鏡を用いて観察する。これにより、第１金属層３２の測定箇所３２ｃ及び第２金属層３７の測定箇所３７ｃを特定することができる。走査型電子顕微鏡としては、例えばカールツァイス社製のＵｌｔｒａ５５を用いることができる。この際の走査型電子顕微鏡の設定は下記の通りである。
・電圧：１５ｋＶ
・作動距離：８．５ｍｍ
・観察倍率：５０００倍
・観察倍率基準：Ｐｏｌａｒｏｉｄ５４５
　測定面７３の観察後、標準試料を使用してＥＤＸ分析装置のキャリブレーション補正を行った後、ＥＤＸ分析装置を用いて、第１金属層３２の測定箇所３２ｃ及び第２金属層３７の測定箇所３７ｃの組成分析を実施する。ＥＤＸ分析装置としては、例えばＢＲＵＫＥＲ社製のＱｕａｎｔａｘ　ＱＸ４００を用いることができる。
　なお、ＢＲＵＫＥＲ社製のＱｕａｎｔａｘ　ＱＸ４００を用いた場合に算出される、第１金属層３２及び第２金属層３７の組成の定量分析の精度は±２重量％である。従って、第１金属層３２及び第２金属層３７の組成の定量分析で検出される元素のうち、その比率が２重量％以下の元素については、第１金属層３２の組成と第２金属層３７の組成とが同一であるか否かの判定の際に無視してもよい。
　第１金属層３２及び第２金属層３７の厚みが小さい場合、例えば厚みが１μｍ以下である場合、組成分析の結果に、周囲の樹脂７２に起因する電子線散乱の影響が含まれることがある。第１金属層３２及び第２金属層３７の組成の定量分析においては、このような樹脂７２の影響を除去することが好ましい。組成分析の結果に周囲の樹脂７２の影響が含まれているか否かは、走査型電子顕微鏡の加速電圧を変化させた際に、組成の定量分析の結果において周囲の樹脂７２に起因すると考えられる成分の検出量が変化するか否かに基づいて判断する。
　（蒸着マスクの製造方法）
　次に、蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。図１１乃至図１４は、蒸着マスク２０の製造方法を説明する図である。
　〔パターン基板準備工程〕
　まず、図１１に示すパターン基板５０を準備する。パターン基板５０は、絶縁性を有する基材５１と、基材５１上に形成された導電性パターン５２と、を有する。導電性パターン５２は、第１金属層３２に対応するパターンを有する。
　絶縁性および適切な強度を有する限りにおいて基材５１を構成する材料や基材５１の厚みが特に限られることはない。例えば基材５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。
　導電性パターン５２を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の、導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。導電性パターン５２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上且つ５００ｎｍ以下である。
　なお、蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる後述する分離工程を容易化するため、パターン基板５０に離型処理を施しておいてもよい。
　例えば、まず、パターン基板５０の表面の油分を除去する脱脂処理を実施する。例えば、酸性の脱脂液を用いて、パターン基板５０の導電性パターン５２の表面の油分を除去する。
　次に、導電性パターン５２の表面を活性化する活性化処理を実施する。例えば、後述する第１めっき処理工程において用いられる第１めっき液に含まれる酸性溶液と同一の酸性溶液を、導電性パターン５２の表面に接触させる。例えば、第１めっき液がスルファミン酸ニッケルを含む場合、スルファミン酸を導電性パターン５２の表面に接触させる。
　次に、導電性パターン５２の表面に有機物の膜を形成する有機膜形成処理を実施する。例えば、有機物を含む離型剤を導電性パターン５２の表面に接触させる。この際、有機膜の厚みを、有機膜の電気抵抗が、電解めっきによる第１金属層３２の析出が有機膜によって阻害されない程度に薄く設定する。離型剤は、硫黄成分を含んでいてもよい。
　なお、脱脂処理、活性化処理および有機膜形成処理の後には、パターン基板５０を水で洗浄する水洗処理をそれぞれ実施する。
　〔第１めっき処理工程〕
　次に、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１２に示すように、パターン基板５０上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。
　なお、めっき処理の特性上、図１２に示すように、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端部５４と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。この結果、図１２に示すように、第１開口部３０の端部３３は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。また、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面には、導電性パターン５２の厚みに対応する上述の窪み部３４が形成される。
　図１２において、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と重ならない部分（すなわち窪み部３４が形成されない部分）の幅が符号ｗで表されている。幅ｗは、例えば０．５μｍ以上且つ５．０μｍ以下になる。導電性パターン５２の寸法は、この幅ｗを考慮して設定される。
　導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば、第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電性パターン５２が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
　用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２が、３８質量％以上且つ６２質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物と、を含むよう、定められる。例えば、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。一次光沢剤は、硫黄成分を含んでいてもよい。
　〔レジスト形成工程〕
　次に、基材５１上および第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。図１３は、基材５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。図１３に示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０がレジストパターン５５によって覆われるとともに、レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。
　以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上および第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムとは、基材５１などの対象物の上にレジスト膜を形成するために対象物に貼り付けられるフィルムのことである。ドライフィルムは、ＰＥＴなどからなるベースフィルムと、ベースフィルムに積層され、感光性を有する感光層と、を少なくとも含む。感光層は、アクリル系光硬化性樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、スチレン系樹脂などの感光性材料を含む。なお、レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。
　次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図１３に示すように、第１金属層３２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆うレジストパターン５５を形成することができる。なお、レジストパターン５５を基材５１および第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
　なお、レジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。
　〔第２めっき処理工程〕
　次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１４に示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。第２めっき処理工程は、例えば、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施される。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。
　本実施の形態においては、有効部２１の中央領域２３を構成する第２金属層３７の厚みが、有効部２１の外周領域２２を構成する第２金属層３７の厚みよりも大きくなるよう、第２めっき処理工程を実施する。以下、そのような厚みの制御を実現することができる第２めっき処理工程の一例について、図１５乃至図１７を参照して説明する。
　図１５は、図７に示す有効部２１の外周領域２２及び中央領域２３の第２金属層３７をめっき処理によって形成するために用いられる遮蔽板６０を示す平面図である。また、図１６は、図１５に示す遮蔽板６０をＣ－Ｃ方向から見た断面図である。遮蔽板６０は、遮蔽部６１と、遮蔽部６１に囲まれた貫通部６２と、を有する。貫通部６２は、パターン基板５０の基材５１の法線方向に沿って見た場合に、有効部２１の中央領域２３を構成する第１金属層３２に少なくとも部分的に重なるよう、配置されている。また、遮蔽部６１は、パターン基板５０の基材５１の法線方向に沿って見た場合に、有効部２１の外周領域２２及び外枠部２４を構成する第１金属層３２に少なくとも部分的に重なるよう、配置されている。
　第２めっき処理工程においては、図１６において矢印Ｆ１で示すように、遮蔽板６０の貫通部６２を介して第１金属層３２上に第２めっき液を供給する。この場合、第１金属層３２のうち遮蔽部６１と重なる部分には、図１６において矢印Ｆ２で示すように、貫通部６２と重なる第１金属層３２を通った後の第２めっき液が供給される。このため、第１金属層３２のうち遮蔽部６１と重なる部分においては、第１金属層３２のうち貫通部６２と重なる部分に比べて、第２金属層３７の成長が抑制される。また、遮蔽部６１が導電性を有する場合、第１金属層３２と図示しないアノードとの間に生じている電界が、遮蔽部６１によって遮断される。この点でも、第１金属層３２のうち遮蔽部６１と重なる部分においては、第１金属層３２のうち貫通部６２と重なる部分に比べて、第２金属層３７の成長が抑制される。
　遮蔽部６１及び貫通部６２を有する遮蔽板６０を用いることにより、第１金属層３２のうち遮蔽部６１と重なる部分において、すなわち中央領域２３を構成する第１金属層３２の上において優先的に第２金属層３７を成長させることができる。このため、図１７に示すように、中央領域２３を構成する第２金属層３７の厚みを、外周領域２２及び外枠部２４を構成する第２金属層３７の厚みよりも大きくすることができる。これにより、中央領域２３の厚みを、外周領域２２の厚みよりも大きくすることができ、外周領域２２に、中央領域２３に向かう引張力を生じさせることができる。なお、中央領域２３の厚み及び外周領域２２の厚みはそれぞれ、最も厚い箇所、すなわち第１金属層３２と第２金属層３７とがかさなっている箇所において測定される。
　第２めっき液の成分は、第２金属層３７が、３８質量％以上且つ６２質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物と、を含むよう、定められる。例えば、第２めっき液として、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。
　なお、図１４においては、レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面がレジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。
　また、図示はしないが、第１めっき処理工程の際に、遮蔽板６０の貫通部６２を介して基材５１上に第１めっき液を供給してもよい。これにより、上述の第２めっき処理工程の場合と同様に、基材５１のうち中央領域２３に対応する部分において優先的に第１金属層３２を成長させることができる。
　〔除去工程〕
　その後、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基材５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。
　〔分離工程〕
　次に、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させる分離工程を実施する。これによって、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。
　以下、分離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基材５１上に形成された第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基材５１から引き離し、これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体をパターン基板５０の基材５１から分離させる。その後、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす。
　その他にも、分離工程においては、はじめに、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体と基材５１との間に、分離のきっかけとなる間隙を形成し、次に、この間隙にエアを吹き付け、これによって分離工程を促進してもよい。
　なお、粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。
　ところで、めっき処理によって作製した蒸着マスク２０には、めっきに起因する内部応力が生じている。このような内部応力を緩和する方法として、蒸着マスク２０をアニール処理することが考えられる。一方、パターン基板５０から分離される前の蒸着マスク２０にアニール処理を施すと、蒸着マスク２０の線膨張率とパターン基板５０の基材５１の線膨張率との差に起因して、基材５１に反りや割れが生じ、蒸着マスク２０が損傷してしまうことが考えられる。この点を考慮し、本実施の形態においては、めっき処理によって蒸着マスク２０をパターン基板５０上に作製した後、蒸着マスク２０にアニール処理を施すことなく、蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離してもよい。例えば、めっき処理を実施した後、分離工程を実施するまでの間に、蒸着マスク２０の金属層を１４０℃以上に加熱するような工程を実施しない。これにより、パターン基板５０の反りや割れに起因して蒸着マスク２０が損傷してしまうことを抑制することができる。もちろん、状況によっては、蒸着マスク２０をアニール処理する工程を実施してもよい。
　（蒸着マスクの溶接工程）
　次に、上述のようにして得られた蒸着マスク２０をフレーム１５に溶接する溶接工程を実施する。これによって、蒸着マスク２０及びフレーム１５を備える蒸着マスク装置１０を得ることができる。
　本実施の形態においては、有効部２１の中央領域２３の厚みを、外周領域２２の厚みよりも大きくすることにより、外周領域２２に、中央領域２３に向かう引張力を生じさせることができる。これにより、外周領域２２において、外枠部２４から加わる引張力と、中央領域２３から加わる引張力とを少なくとも部分的に打ち消し合わせることができる。このことにより、外周領域２２に位置する貫通孔２５の位置が設計からずれてしまうことを抑制することができる。
　（蒸着方法）
　次に、蒸着マスク２０及びフレーム１５を備える蒸着マスク装置１０を用いて有機ＥＬ基板９２などの基板上に蒸着材料９８を蒸着させる蒸着方法について説明する。まず、蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に対向するよう蒸着マスク装置１０を配置する。また、磁石９３を用いて蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させる。この状態で、蒸着材料９８を蒸発させて蒸着マスク２０を介して有機ＥＬ基板９２へ飛来させることにより、蒸着マスク２０の貫通孔２５に対応したパターンで蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に付着させることができる。ここで本実施の形態においては、上述のように、外周領域２２に位置する貫通孔２５の位置が設計からずれてしまうことを抑制することができる。このため、高い位置精度で有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を付着させることができる。
　なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
　（めっき処理工程の変形例）
　上述の実施の形態においては、遮蔽部６１が、パターン基板５０のうち有効部２１の外周領域２２及び外枠部２４に対応する部分と重なる例を示した。しかしながら、遮蔽部６１は、パターン基板５０のうち少なくとも有効部２１の外周領域２２に対応する部分と重なっていればよく、外枠部２４に対応する部分とは重なっていなくてもよい。例えば、図１８及び図１９に示すように、めっき処理工程においては、パターン基板５０のうち有効部２１の外周領域２２に対応する部分と重なる遮蔽部６１と、パターン基板５０のうち有効部２１の中央領域２３に対応する部分と重なる貫通部６２と、を備える複数の遮蔽板６０を用いてもよい。この場合、遮蔽板６０の間の隙間６３が、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分と重なっていてもよい。若しくは、図示はしないが、遮蔽板６０は、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分と重なる貫通孔を有していてもよい。
　本変形例においては、図１９において矢印Ｆ３で示すように、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分の上にもめっき液が供給される。ところで、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分にはレジストパターン５５が形成されていない。一方、パターン基板５０のうち有効部２１に対応する部分には、上述のようにレジストパターン５５が形成されている。パターン基板５０のうちレジストパターン５５と重なる部分には電流が流れないので、有効部２１に対応する部分においては、レジストパターン５５と重ならない部分に電流が集中し易い。このため、パターン基板５０のうち有効部２１に対応する部分においては、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分に比べて、めっき層が厚み方向に成長し易い。言い換えると、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分においては、パターン基板５０のうち有効部２１に対応する、レジストパターン５５が形成されている部分に比べて、めっき層が厚み方向に成長しにくい。従って、パターン基板５０のうち外枠部２４に対応する部分の上に遮蔽部６１が設けられていない場合であっても、外枠部２４の厚みと有効部２１の外周領域２２の厚みの差が大きくなることを抑制することができる。
　（蒸着マスクの製造方法の変形例）
　上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０が、第１金属層３２および第２金属層３７という、少なくとも２つの金属層を積層させることによって構成される場合について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、蒸着マスク２０は、所定のパターンで複数の貫通孔２５が形成された１つの金属層２７によって構成されていてもよい。以下、図２０～図２２を参照して、蒸着マスク２０が１つの金属層２７を備える例について説明する。なお、本変形例においては、蒸着マスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５のうち第１面２０ａ上に位置する部分を第１開口部３０と称し、貫通孔２５のうち第２面２０ｂ上に位置する部分を第２開口部３５と称する。
　はじめに、本変形例による蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
　まず、所定の導電性パターン５２が形成された基材５１を準備する。次に図２０に示すように、基材５１上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。好ましくは、レジストパターン５５の隙間５６を画成するレジストパターン５５の側面５７の間の間隔は、基材５１から遠ざかるにつれて狭くなっている。すなわち、レジストパターン５５が、基材５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有している。
　このようなレジストパターン５５を形成する方法の一例について説明する。例えば、はじめに、基材５１の面のうち導電性パターン５２が形成された側の面上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける。次に、基材５１のうちレジスト膜が設けられている側とは反対の側から基材５１に入射させた露光光をレジスト膜に照射して、レジスト膜を露光する。その後、レジスト膜を現像する。この場合、露光光の回り込み（回折）に基づいて、図２０に示すような逆テーパ形状を有するレジストパターン５５を得ることができる。
　次に図２１に示すように、レジストパターン５５の隙間５６にめっき液を供給して、導電性パターン５２上に金属層２７を析出させるめっき処理工程を実施する。その後、上述の除去工程および分離工程を実施することにより、図２２に示すように、所定のパターンで貫通孔２５が設けられた金属層２７を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。図２２に示すように、金属層２７の貫通孔２５の、第１面２０ａの面方向における寸法は、第２面２０ｂ側から第１面２０ａ側に向かうにつれて減少している。
　本変形例においても、上述の実施の形態の場合と同様に、パターン基板５０のうち有効部２１の外周領域２２に対応する部分と重なる遮蔽部６１と、パターン基板５０のうち有効部２１の中央領域２３に対応する部分と重なる貫通部６２と、を備える遮蔽板６０を用いてめっき処理を実施する。これにより、有効部２１の中央領域２３の厚みを、外周領域２２の厚みよりも大きくすることができる。このことにより、外周領域２２に位置する貫通孔２５の位置が設計からずれてしまうことを抑制することができる。
　本変形例の蒸着マスク２０は、好ましくは、少なくとも有効部２１において、金属層２７以外の構成要素を有さない。例えば、蒸着マスク２０の第１面２０ａ及び第２面２０ｂはいずれも、金属層２７によって構成されている。これにより、異なる材料を用いることに起因して温度変化時に蒸着マスク２０に反りや撓みが生じることを抑制することができる。
　なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
　次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
　（実施例１）
　めっき処理によって、図９に示す第１金属層３２及び第２金属層３７を有する蒸着マスク２０を作製した。めっき処理においては、パターン基板５０のうち有効部２１の外周領域２２に対応する部分と重なる遮蔽部６１と、パターン基板５０のうち有効部２１の中央領域２３に対応する部分と重なる貫通部６２と、を備える遮蔽板６０を用いてめっき液の供給を行った。
　蒸着マスク２０の全体の寸法及び各部分の寸法は、下記の通りであった。
・蒸着マスク２０の長さ：８７０ｍｍ
・蒸着マスク２０の幅：６６．５ｍｍ
・第１方向Ｄ１における有効部２１の寸法：１１２．８ｍｍ
・第２方向Ｄ２における有効部２１の寸法：６３．５ｍｍ
・有効部２１における貫通孔２５の開口率：２０％～６０％、例えば３９％
・第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１：２９μｍ
・第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２：３４μｍ
なお開口率とは、有効部２１全体の面積に対する貫通孔２５の面積の比率である。
　続いて、有効部２１の厚みを測定した。具体的には、上述の図４に示すように有効部２１を９つの領域に仮想的に分割し、９つの領域の各々の９箇所、すなわち合計で８１箇所において、有効部２１の厚みを測定した。また、９つの領域のうち外枠部２４に接する８つの領域における、合計７２箇所での厚みの測定結果の平均値及び標準偏差を、外周領域２２の厚みの平均値Ｔ１及び標準偏差σ１として算出した。また、外周領域２２を構成する８つの領域によって囲まれた１つの領域における、合計９箇所での厚みの測定結果の平均値を、中央領域２３の厚みの平均値Ｔ２として算出した。結果を図２３に示す。
　以下、有効部２１の厚みの測定方法について説明する。まず、蒸着マスク２０の一部を切断してサンプルを作製した。サンプルは、長辺１５０ｍｍ、短辺８０ｍｍの矩形の形状を有する。サンプルは、１つの有効部２１を少なくとも含む。続いて、サンプルを、厚み０．７ｍｍのガラス板に貼り付けた黒色のゲルポリシートの上に載置し、サンプルを固定した。ゲルポリシートとしては、パナック株式会社製のＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４を用いた。
　その後、サンプルに含まれる１つの有効部２１の、上述の８１箇所において、厚みの測定を行った。厚みを測定するための測定器としては、株式会社キーエンス製のレーザ顕微鏡　ＶＫ－８５００を用いた。具体的な測定条件は下記の通りである。
　ＲＵＮ　ＭＯＤＥ：白黒超深度
　測定ピッチ：０．０５μｍ
　対物倍率：１００倍
　続いて、有効部２１の外周領域２２の貫通孔２５の位置の、設計からのずれを評価した。貫通孔２５の位置を検出するための装置としては、新東Ｓプレシジョン株式会社製の大型自動２次元座標測定機　ＡＭＩＣ－１７１０Ｄを用いた。評価対象の貫通孔２５の数は１５とした。各貫通孔２５の位置の、設計からのずれ量の最大値を図２３に示す。
　（実施例２～６）
　めっき処理の条件が異なること以外は、実施例１の場合と同様にして、めっき処理によって蒸着マスク２０を作製した。また、実施例１の場合と同様にして、有効部２１の厚みを測定した。また、実施例１の場合と同様にして、実施例２～６に係る蒸着マスク２０において、有効部２１の外周領域２２の貫通孔２５の位置の、設計からのずれを評価した。結果を図２３に示す。
　（比較例１～３）
　めっき処理において遮蔽板６０を用いなかったこと以外は、実施例１の場合と同様にして、めっき処理によって、比較例１に係る蒸着マスク２０を作製した。また、めっき処理において遮蔽板６０を用いなかったこと以外は、実施例３の場合と同様にして、めっき処理によって、比較例２に係る蒸着マスク２０を作製した。また、めっき処理において遮蔽板６０を用いなかったこと以外は、実施例５の場合と同様にして、めっき処理によって、比較例３に係る蒸着マスク２０を作製した。また、実施例１の場合と同様にして、比較例１～３に係る蒸着マスク２０において、有効部２１の外周領域２２の貫通孔２５の位置の、設計からのずれを評価した。結果を図２３に示す。
　図２３に示すように、遮蔽板６０を用いてめっき液の供給を行った実施例１～６においては、中央領域２３の厚みの平均値Ｔ２が、外周領域２２の厚みの平均値Ｔ１よりも大きかった。一方、遮蔽板６０を用いることなくめっき液の供給を行った比較例１～３においては、中央領域２３の厚みの平均値Ｔ２が、外周領域２２の厚みの平均値Ｔ１と同一であった。このように、遮蔽板６０を用いてめっき液の供給を行うことにより、中央領域２３の厚みの平均値Ｔ２を、外周領域２２の厚みの平均値Ｔ１よりも大きくすることができた。
　図２３に示すように、実施例１～６においては、比較例１～３に比べて、貫通孔２５の位置のずれ量の最大値が小さかった。中央領域２３の厚みの平均値Ｔ２を、外周領域２２の厚みの平均値Ｔ１よりも大きくすることは、貫通孔２５の位置のずれ量を低減する上で有効であると言える。
　実施例１、３及び５においては、以下の関係式が成立していた。
　　Ｔ１＜Ｔ２・・・（４）
　　３σ１＜Ｔ２／２・・・（５）
　一方、実施例２、４及び６においては、上述の関係式（４）、（５）が満たされていなかった。実施例１、３及び５においては、外周領域２２に対応する領域におけるめっき液の流れが実施例２、４及び６の場合に比べてより均一になるよう構成された遮蔽板６０を用いて、めっき液の供給を行った。具体的には、実施例１、３及び５においては、遮蔽板６０の貫通部６２の壁面の基材５１側の端部が、図２４に示すように、基材５１の法線方向に対して傾斜した傾斜面６４を含んでいた。このため、貫通部６２を通った後に基材５１上において外周領域２２に対応する領域に向かうめっき液の流速がばらつくことを抑制することができ、外周領域２２の厚みの標準偏差σ１を小さくすることができたと考えられる。
　実施例１、３及び５においては、貫通孔２５の位置のずれ量の最大値が５μｍ以下であった。一方、実施例２、４及び６においては、貫通孔２５の位置のずれ量の最大値が５μｍを超えていた。上述の関係式（４）、（５）を満たすよう有効部２１の外周領域２２及び中央領域２３を構成することは、貫通孔２５の位置のずれ量を低減する上での有用な指標になり得る。
　なお、外周領域２２に対応する領域におけるめっき液の流れを均一にするための方法としては、上述のように遮蔽板６０の貫通部６２の壁面の端部に傾斜面６４を設けること以外にも、様々な方法が考えられる。例えば、基材５１と遮蔽板６０との間の距離を調整することが考えられる。基材５１と遮蔽板６０との間の距離が大きいほど、基材５１のうち遮蔽板６０と重なっていない領域へめっき液が供給され易くなり、外周領域２２に対応する領域に向かうめっき液の流速がばらつくことを抑制することができる。一方、基材５１と遮蔽板６０との間の距離が大きくなり過ぎると、遮蔽板６０が外周領域２２へのめっき液の供給を抑制する効果が乏しくなる。従って、基材５１と遮蔽板６０との間の距離は、上述の関係式（４）、（５）を満たす範囲内で適切に調整されることが好ましい。
１０　蒸着マスク装置
１５　フレーム
２０　蒸着マスク
２１　有効部
２２　外周領域
２３　中央領域
２４　外枠部
２５　貫通孔
３０　第１開口部
３１　壁面
３２　第１金属層
３４　窪み部
３５　第２開口部
３６　壁面
３７　第２金属層
４１　接続部
５０　パターン基板
５１　基材
５２　導電性パターン
６０　遮蔽板
６１　遮蔽部
６２　貫通部
９０　蒸着装置
９２　有機ＥＬ基板
９８　蒸着材料
１００　有機ＥＬ表示装置

Claims (10)

  1. 　蒸着マスクであって、
    　複数の貫通孔が設けられた有効部と、
    　前記有効部を囲う外枠部と、を備え、
    　前記有効部は、前記外枠部に接する外周領域と、前記外周領域によって囲われ、前記外周領域よりも大きい厚みを有する中央領域と、を含む、蒸着マスク。
  2. 　前記有効部を第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向に沿ってそれぞれ３等分して、前記有効部を９つの領域に仮想的に分割した場合、前記外枠部に接する８つの領域が前記外周領域を構成し、中央の１つの領域が前記中央領域を構成する、請求項１に記載の蒸着マスク。
  3. 　前記外周領域の厚みの平均値をＴ１で表し、前記外周領域の厚みの標準偏差をσ１で表し、前記中央領域の厚みの平均値をＴ２で表す場合、以下の関係式が成立する、
    　　Ｔ１＜Ｔ２
    　　３σ１＜Ｔ２／２
    　請求項２に記載の蒸着マスク。
  4. 　前記外周領域の厚みの平均値Ｔ１及び標準偏差σ１は、前記外周領域を構成する８つの領域の各々において９カ所で厚みを測定することにより算出され、
    　前記中央領域の厚みの平均値Ｔ２は、前記中央領域を構成する１つの領域の９カ所で厚みを測定することにより算出される、請求項３に記載の蒸着マスク。
  5. 　前記蒸着マスクは、前記貫通孔を通った蒸着材料が付着する基板の側に位置する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を含み、
    　前記貫通孔のうち前記第１面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記第２面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲んでいる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  6. 　前記蒸着マスクは、前記第１面側に位置し、前記第１開口部が形成された第１金属層と、前記第２面側に位置し、前記第２開口部が形成された第２金属層と、を含む金属層を備える、請求項５に記載の蒸着マスク。
  7. 　前記蒸着マスクは、前記貫通孔が形成された金属層を備え、
    　前記金属層の前記貫通孔の、前記第１面の面方向における寸法は、前記第２面側から前記第１面側に向かうにつれて減少している、請求項５に記載の蒸着マスク。
  8. 　前記金属層はめっき層である、請求項６又は７に記載の蒸着マスク。
  9. 　前記蒸着マスクは、第１方向に沿って並ぶ複数の前記有効部を備え、
    　前記第１方向における前記蒸着マスクの端部に最も近接する前記有効部の前記中央領域の厚みは、前記第１方向における前記蒸着マスクの中心に最も近接する前記有効部の前記中央領域の厚みよりも大きい、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  10. 　請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法であって、
    　遮蔽部及び貫通部を含む遮蔽板の前記貫通部を介してめっき液を供給して、前記遮蔽部に重なる前記外周領域と、前記貫通部に重なる前記中央領域と、を形成するめっき処理工程を備える、蒸着マスクの製造方法。
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