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WO2018193993A1 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

成膜装置及び成膜方法 Download PDF

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WO2018193993A1
WO2018193993A1 PCT/JP2018/015577 JP2018015577W WO2018193993A1 WO 2018193993 A1 WO2018193993 A1 WO 2018193993A1 JP 2018015577 W JP2018015577 W JP 2018015577W WO 2018193993 A1 WO2018193993 A1 WO 2018193993A1
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WO
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film
film forming
lithium metal
forming apparatus
gas
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/015577
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English (en)
French (fr)
Inventor
礼寛 横山
応樹 武井
昌敏 佐藤
清田　淳也
Original Assignee
株式会社アルバック
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Publication date
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    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Definitions

  • the present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a lithium metal film on a substrate by evaporating lithium metal.
  • lithium ion secondary batteries mounted on these devices have attracted attention.
  • a process of forming lithium metal on a substrate is particularly important in the manufacturing process, and various techniques have been proposed so far.
  • Patent Document 1 describes a technique of forming lithium metal on a base material by evaporating lithium metal in a chamber and depositing scattered particles on the base material.
  • Patent Document 1 describes a technique for suppressing deterioration of a lithium metal film by forming a protective film made of lithium carbonate on the surface of the lithium metal film.
  • Patent Document 1 a lithium laminated member in which a lithium metal film is formed on a base material is moved to a treatment chamber from which moisture has been removed, and an inert gas containing carbon dioxide gas is introduced into the treatment chamber, whereby lithium metal A protective film made of lithium carbonate is formed on the surface of the film.
  • the above method is a method for forming a protective film in an environment from which moisture has been removed, there is a possibility that the protective film may not be stably formed because the hydroxide that is a precursor of lithium carbonate is not well formed. is there.
  • an object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of stably forming a protective film on a lithium metal film.
  • a film forming apparatus includes a film forming unit, a first processing unit, a second processing unit, and a vacuum chamber.
  • the film forming unit includes an evaporation source for evaporating lithium metal, and forms a lithium metal film on the substrate.
  • the first processing unit includes a first processing chamber for hydroxylating the surface of the lithium metal film.
  • the second processing section includes a second processing chamber for carbonating the hydroxylated surface.
  • the vacuum chamber houses the film forming unit, the first processing unit, and the second processing unit.
  • the lithium metal film formed on the substrate can be hydroxylated.
  • the hydroxide which is a precursor of the protective film which consists of lithium carbonate can be formed favorably, and a protective film can be stably formed in a subsequent carbonation process.
  • the formation of the lithium metal film, the hydroxylation treatment, and the carbonation treatment can be performed consistently in the vacuum chamber. As a result, contact between the lithium metal film and the outside air is prevented, so that deterioration of the lithium metal film can be suppressed and a protective film can be stably formed.
  • a transport mechanism provided in the vacuum chamber and configured to transport the base material that is a long film;
  • the transport mechanism is provided on the upstream side in the transport direction of the film from the film forming unit, and is provided on the downstream side in the transport direction of the film from the unwinding roller for unwinding the film and the first and second processing chambers.
  • a winding roller for winding the film.
  • the first processing unit further includes a first gas supply line for introducing a first gas containing oxygen and hydrogen into the first processing chamber
  • the second processing unit may further include a second gas supply line for introducing a second gas containing carbon and oxygen into the second processing chamber.
  • the first gas may be water vapor
  • the second gas may be a mixed gas of a rare gas and carbon dioxide gas.
  • the first processing unit further includes a pressure adjusting mechanism that adjusts the pressure of water vapor introduced into the first processing chamber to 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or more and 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less. May be.
  • a pressure adjusting mechanism that adjusts the pressure of water vapor introduced into the first processing chamber to 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or more and 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less. May be.
  • a film forming method includes: A lithium metal film is formed on the substrate in a vacuum chamber.
  • the surface of the lithium metal film is hydroxylated in a vacuum chamber.
  • the hydroxylated surface is carbonated in the vacuum chamber.
  • FIG. 1 is a schematic sectional side view showing a configuration of a film forming apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions shown in FIG. 1 indicate triaxial directions orthogonal to each other, the X-axis and Y-axis indicate horizontal directions, and the Z-axis direction indicates a vertical direction.
  • the film forming apparatus 100 includes a vacuum chamber 110, a film forming unit 120, a transfer unit 130, a first processing unit 140, a second processing unit 150, a recovery unit 160, and a transfer mechanism. 170.
  • the vacuum chamber 110 has a sealed structure and is connected to a first exhaust line L having a vacuum pump P1. Thereby, the vacuum chamber 110 is configured such that the inside thereof can be evacuated or maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere. Further, as shown in FIG. 1, the vacuum chamber 110 includes a plurality of partition plates 111, 112, partitioning a film forming unit 120, a transport unit 130, a first processing chamber 141, a second processing chamber 151, and a recovery unit 160, respectively. 113, 114, 115.
  • the film forming unit 120 is a film forming chamber partitioned by the partition plate 111 and the outer wall of the vacuum chamber 110, and has an evaporation source 121 therein. Further, the film forming unit 120 is connected to the first exhaust line L. Thereby, when the vacuum chamber 110 is evacuated, first, the inside of the film forming unit 120 is evacuated.
  • the film forming unit 120 communicates with the transport unit 130, when the film forming unit 120 is exhausted, the transport unit 130 is also exhausted. Thereby, a pressure difference is generated between the film forming unit 120 and the transport unit 130. Due to this pressure difference, a vapor flow of a lithium raw material, which will be described later, is prevented from entering the transport unit 130.
  • the evaporation source 121 is a lithium evaporation source that evaporates lithium metal, and includes, for example, a resistance heating evaporation source, an induction heating evaporation source, and an electron beam heating evaporation source.
  • the transfer unit 130 is a transfer chamber partitioned by the partition plates 111, 112, and 115 and the outer wall of the vacuum chamber 110, and is disposed in the Y-axis direction inside the vacuum chamber 110.
  • the first exhaust line L is connected only to the film forming unit 120. However, by connecting another exhaust line to the transfer unit 130, the transfer unit 130 and the film forming unit 120 are independently exhausted. May be.
  • the first processing unit 140 includes a first processing chamber 141, a first gas supply line 142, and a pressure adjustment mechanism 143.
  • the first processing chamber 141 is a processing chamber partitioned by the partition plates 112, 113, and 115 and the outer wall of the vacuum chamber 110.
  • the first processing chamber 141 is connected to a first gas supply line 142 having a first gas supply source S1. Thereby, the 1st processing chamber 141 is constituted so that the 1st gas can be introduced into the inside.
  • the first gas is not particularly limited as long as it contains oxygen and hydrogen, and is typically water vapor.
  • the first processing chamber 141 is connected to a pressure adjustment mechanism 143 having a pump P2. Accordingly, the first processing chamber 141 is maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere, and the gas pressure of the first gas in the first processing chamber 141 is adjusted to a predetermined pressure.
  • the first gas introduced into the first processing chamber 141 when the first gas introduced into the first processing chamber 141 is exhausted, the inside of the first processing chamber 141 is first exhausted.
  • the transfer unit 130 since the first processing chamber 141 communicates with the transfer unit 130, when the first processing chamber 141 is exhausted, the transfer unit 130 is also exhausted. As a result, a pressure difference is generated between the first processing chamber 141 and the transfer unit 130. This pressure difference prevents the first gas from entering the transfer unit 130.
  • the second processing unit 150 includes a second processing chamber 151, a second gas supply line 152, and a second exhaust line 153.
  • the second processing chamber 151 is a processing chamber partitioned by the partition plates 113, 114, 115 and the outer wall of the vacuum chamber 110.
  • the second processing chamber 151 is connected to a second gas supply line 152 having a second gas supply source S2. Thereby, the 2nd processing chamber 151 is constituted so that the 2nd gas can be introduced into the inside.
  • the second gas is not particularly limited as long as it is a gas containing carbon and oxygen. Specifically, for example, a mixed gas of a rare gas such as argon and carbon dioxide is used. In this case, the amount of carbon dioxide contained in the second gas can also be set as appropriate, for example, about 5% in volume ratio.
  • the second processing chamber 151 is connected to a second exhaust line 153 having a pump P3. Accordingly, the second processing chamber 151 is configured to be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere.
  • the internal pressure in the second processing chamber 151 may be the same as or higher than the internal pressure in the first processing chamber 141. Further, the second gas supply line 152 may be omitted as necessary.
  • the transport mechanism 170 includes an unwinding roller 171, a main roller 172, and a winding roller 173.
  • the unwinding roller 171, the main roller 172, and the winding roller 173 are each provided with a rotation drive unit (not shown) and configured to be rotatable around the Z axis in the direction of the arrow in FIG. 1 at a predetermined rotation speed.
  • a rotation drive unit not shown
  • the substrate F is transported from the unwinding roller 171 toward the winding roller 173 in the vacuum chamber 110 at a predetermined transport speed.
  • the unwinding roller 171 is provided on the upstream side in the transport direction of the base material F from the film forming unit 120 and has a function of feeding the base material F to the main roller 172.
  • An appropriate number of guide rollers (not shown) that do not include a unique rotation drive unit may be disposed at an appropriate position between the unwinding roller 171 and the main roller 172.
  • the main roller 172 is disposed between the unwinding roller 171 and the winding roller 173 in the conveying direction of the base material F.
  • the main roller 172 is disposed at a position where at least a part of the lower part in the Y-axis direction faces the film forming unit 120 through the opening 111 a provided in the partition plate 111.
  • the main roller 172 faces the opening 111a with a predetermined interval, and faces the evaporation source 121 in the Y-axis direction.
  • the main roller 172 may be made of a metal material such as stainless steel, iron, or aluminum, and may be provided with a temperature control mechanism such as a temperature control medium circulation system (not shown).
  • the size of the main roller 172 is not particularly limited, but typically, the width dimension in the Z-axis direction is set larger than the width dimension of the base material F in the Z-axis direction.
  • the take-up roller 173 is disposed in the recovery unit 160 which is a space partitioned by the partition plates 114 and 115 and the outer wall of the vacuum chamber 110, and is unwound from the unwind roller 171 and formed with lithium metal in the film forming unit 120. It has a function to collect the base material F.
  • an appropriate number of guide rollers (not shown) that do not include an original rotation drive unit may be disposed at an appropriate position between the winding roller 173 and the main roller 172.
  • the base material F is, for example, a long film cut to a predetermined width.
  • the base material F is comprised with metals, such as copper, aluminum, nickel, stainless steel.
  • the substrate F may be a resin film such as an OPP (stretched polypropylene) film, a PET (polyethylene terephthalate) film, a PPS (polyphenylene sulfide) film, or a PI (polyimide) film.
  • the thickness of the substrate F is not particularly limited and is, for example, several ⁇ m to several tens of ⁇ m. Moreover, there is no restriction
  • the film forming apparatus 100 has the above configuration. Although not shown, the film forming apparatus 100 includes a controller that controls the evaporation source 121, the transport mechanism 170, the vacuum pumps P1 to P3, the first and second gas supply sources S1, S2, and the like.
  • the control unit is configured by a computer including a CPU and a memory, and controls the overall operation of the film forming apparatus 100.
  • the configuration of the film forming apparatus 100 is not limited to the configuration shown in FIG. 1.
  • the film forming unit 120, the evaporation source 121, the transfer unit 130, the first processing chamber 141, the second processing chamber 151, and the recovery unit are used.
  • the arrangement, size, etc. of 160 can be changed as appropriate.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a film forming method using the film forming apparatus 100.
  • 3 to 5 are schematic diagrams showing a film forming process of the film forming apparatus 100.
  • FIG. Hereinafter, a film forming method of the film forming apparatus 100 will be described along FIG. 2 with reference to FIGS. 3 to 5 as appropriate.
  • a method for forming a protective film made of lithium carbonate on a lithium metal film formed on the substrate F will be described.
  • Step S01 exhaust processing
  • the vacuum pumps P1, P2, and P3 are activated to evacuate the vacuum chamber 110, and the film forming unit 120, the transfer unit 130, the first processing chamber 141, and the second processing chamber 151 are each maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • the pressure in the film forming unit 120 is adjusted to 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or more and 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa or less.
  • the first gas is introduced into the first processing chamber 141 from the first gas supply line 142.
  • water vapor is used as the first gas
  • the pressure of the water vapor introduced into the first processing chamber 141 by the pressure adjustment mechanism 143 is 1.0 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or more and 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa. Adjusted to: Thereby, in the carbonation process (step S04) mentioned later, optimization of process conditions, such as the reaction efficiency of a hydroxide and 2nd gas improving, is achieved.
  • the second gas is introduced into the second processing chamber 151 from the second gas supply line 152.
  • a mixed gas of argon and carbon dioxide is used as the second gas, and the pressure of the carbon dioxide introduced into the second processing chamber 151 by the second exhaust line 153 is 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or more. It is adjusted to 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the transport mechanism 170 that supports the base material F is driven to transport the base material F from the unwinding roller 171 toward the winding roller 173.
  • the evaporation source 121 evaporates metallic lithium and forms a vapor flow of a lithium material that is emitted toward the base material F on the main roller 172.
  • Step S02 Film forming step
  • the unwinding roller 171, the main roller 172, and the winding roller 173 are continuously rotated at a predetermined rotation speed around the Z axis so that the base material F on the main roller 172 passes through the film forming unit 120.
  • Lithium metal particles are deposited on the substrate F, and a lithium metal film M1 is formed on the substrate F as shown in FIG.
  • the thickness of the lithium metal film M1 is not particularly limited, and is, for example, several ⁇ m to several tens ⁇ m.
  • Step S03 hydroxylation treatment
  • a chemical reaction represented by the following formula (1) occurs on the surface of the lithium metal film M1, and the surface of the lithium metal film M1 is hydroxylated. Therefore, as shown in FIG. 4, a reaction layer M2 made of lithium hydroxide is formed on the surface of the lithium metal film M1.
  • Step S04 Carbonation treatment
  • a chemical reaction represented by the following formula (2) occurs between the reaction layer M2 made of lithium hydroxide and the carbon dioxide gas, and as shown in FIG. A protective layer M3 made of is formed.
  • Step S05 Collection
  • the base material F on which the lithium metal film M1 having the protective layer M3 is formed is wound around the winding roller 173.
  • the lithium laminated base material F1 in which the protective layer M3 made of lithium carbonate is formed on the lithium metal film M1 is obtained.
  • the protective layer M3 formed by the film forming method functions as a strong protective film that covers the surface of the lithium metal film M1. Thereby, discoloration of the lithium laminated base material F1, deterioration of product characteristics using the base material F1, and the like are suppressed.
  • the protective layer M3 is formed without removing the lithium metal film M1 from the vacuum chamber 110. Thereby, the contact between the lithium metal film M1 and the outside air is prevented, so that the deterioration of the lithium metal film M1 can be suppressed and the protective layer M3 can be stably formed.
  • the formation of the lithium metal film M1, the hydroxylation process, and the carbonation process are performed consistently in the vacuum chamber 110.
  • a process such as aging by transferring the base material F on which the lithium metal film M1 is formed to an environment other than the vacuum chamber 110 becomes unnecessary. Therefore, the tact time from the formation of the lithium metal film M1 to the carbonation treatment is shortened, so that productivity is improved.
  • the first and second processing chambers 141 and 151 are provided on the transport path of the base material F. Accordingly, the substrate F on which the lithium metal film M1 is formed is inevitably passed through the first and second processing chambers 141 and 151 in the process of being recovered. Therefore, since the whole base F can be uniformly hydroxylated and carbonated, variations in the formation of the reaction layer M2 and the protective layer M3 are suppressed.
  • the vacuum deposition method is employed as an example of the film forming method, but the present invention is not limited thereto, and a molecular beam deposition method, an ion plating method, an ion beam deposition method, or the like may be employed.
  • the gas pressure in the first and second processing chambers 141 and 151 is adjusted to optimize the above-described hydroxylation treatment and carbonation treatment.
  • the present invention is not limited to this.
  • the size, arrangement, or number of the first and second processing chambers 141, 151 are changed as appropriate, the transport speed or transport path of the substrate F, or the first and second processing chambers.
  • the concentration of the first and second gases in the 141 and 151 and the number of the first and second gas supply lines 142 and 152 are optimized. May be achieved.
  • a take-up type film forming apparatus has been described as an example of the film forming apparatus 100.
  • the present invention can also be applied to, for example, a sheet type film forming apparatus.

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Abstract

本発明の一形態に係る成膜装置は、成膜部と、第１の処理部と、第２の処理部と、真空チャンバと、を有する。上記成膜部は、リチウム金属を蒸発させる蒸発源を含み、基材上にリチウム金属膜を成膜する。上記第１の処理部は、上記リチウム金属膜の表面を水酸化する第１の処理室を含む。上記第２の処理部は、水酸化された前記表面を炭酸化する第２の処理室を含む上記真空チャンバは、上記成膜部、上記第１の処理部及び上記第２の処理部を収容する。

Description

成膜装置及び成膜方法
　本発明は、リチウム金属を蒸発させて基材上にリチウム金属膜を形成する成膜装置及び成膜方法に関する。
　近年、携帯電話やスマートフォン等のモバイル機器の進展に伴い、これらの機器に搭載されるリチウムイオン二次電池が注目されている。このような、リチウムイオン二次電池はその製造工程において、リチウム金属を基材上に形成する工程が特に重要であり、これまでに種々の技術が提案されている。
　例えば特許文献１には、チャンバ内でリチウム金属を蒸発させて、飛散した粒子を基材に堆積させることにより、基材上にリチウム金属を形成する技術が記載されている。ここで、特許文献１には、リチウム金属膜の表面に炭酸リチウムからなる保護膜を形成することで、リチウム金属膜の劣化を抑制する技術が記載されている。
特開２０１２－０１７４７８号公報
　特許文献１では、基材上にリチウム金属膜が形成されたリチウム積層部材を水分が除去された処理室に移動し、この処理室に炭酸ガスを含む不活性ガスを導入することによって、リチウム金属膜の表面に炭酸リチウムからなる保護膜を形成している。
　しかしながら、上記手法は水分が除去された環境で保護膜を形成する手法であるため、炭酸リチウムの前駆体である水酸化物が良好に形成されないことにより、保護膜が安定的に形成されないおそれがある。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、リチウム金属膜に保護膜を安定的に形成可能な成膜装置及び成膜方法を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、成膜部と、第１の処理部と、第２の処理部と、真空チャンバと、を有する。
　上記成膜部は、リチウム金属を蒸発させる蒸発源を含み、基材上にリチウム金属膜を成膜する。
　上記第１の処理部は、上記リチウム金属膜の表面を水酸化する第１の処理室を含む。
　上記第２の処理部は、水酸化された上記表面を炭酸化する第２の処理室を含む。
　上記真空チャンバは、上記成膜部、上記第１の処理部及び上記第２の処理部を収容する。
　この構成によれば、基材上に形成されたリチウム金属膜を水酸化処理することができる。これにより、炭酸リチウムからなる保護膜の前駆体である水酸化物を良好に形成することができ、後の炭酸化処理において保護膜を安定的に形成することができる。
　また、上記構成によれば、リチウム金属膜の形成と、水酸化処理と、炭酸化処理を、真空チャンバ内で一貫して行うことができる。これにより、リチウム金属膜と外気との接触が防止されるため、リチウム金属膜の劣化を抑制し、安定的に保護膜を形成することができる。
　上記真空チャンバ内に設けられ、長尺のフィルムである上記基材を搬送可能に構成された搬送機構をさらに具備し、
　上記搬送機構は、上記成膜部より上記フィルムの搬送方向上流側に設けられ、上記フィルムを巻き出す巻出しローラと、上記第１及び第２の処理室より上記フィルムの搬送方向下流側に設けられ、上記フィルムを巻き取る巻取りローラとを有してもよい。
　上記第１の処理部は、上記第１の処理室に酸素と水素とを含む第１のガスを導入する第１のガス供給ラインをさらに有し、
　上記第２の処理部は、上記第２の処理室に炭素と酸素とを含む第２のガスを導入する第２のガス供給ラインをさらに有してもよい。
　上記第１のガスは、水蒸気であり
　上記第２のガスは、希ガスと炭酸ガスとの混合ガスであってもよい。
　上記第１の処理部は、上記第１の処理室に導入された水蒸気の圧力を１．０×１０－６Ｐａ以上１．０×１０－２Ｐａ以下に調整する圧力調整機構をさらに有してもよい。
　これにより、リチウム金属膜の劣化を抑制しつつ、リチウム金属膜に水酸化リチウムが良好に形成されるため、当該水酸化リチウムと炭酸ガスとの反応効率が向上する。よって、リチウム金属膜に炭酸リチウムからなる保護膜を良好に形成することができる。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜方法は、
　基材上にリチウム金属膜が真空チャンバ内で成膜される。
　上記リチウム金属膜の表面が真空チャンバ内で水酸化される。
　水酸化された上記表面が上記真空チャンバ内で炭酸化される。
　以上のように、本発明によれば、リチウム金属膜に保護膜を安定的に形成可能な成膜装置及び成膜方法を提供することができる。
本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略側断面図である。 上記成膜装置を用いた成膜方法を示すフローチャートである。 上記成膜装置の成膜プロセスを示す模式図である。 上記成膜装置の成膜プロセスを示す模式図である。 上記成膜装置の成膜プロセスを示す模式図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
　［成膜装置の構成］
　図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置１００の構成を示す概略側断面図である。図１に示すＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向は相互に直交する３軸方向を示し、Ｘ軸及びＹ軸は、水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向を示す。
　成膜装置１００は、図１に示すように、真空チャンバ１１０と、成膜部１２０と、搬送部１３０と、第１処理部１４０と、第２処理部１５０と、回収部１６０と、搬送機構１７０と、を有する。
　真空チャンバ１１０は、密閉構造を有し、真空ポンプＰ１を有する第１排気ラインＬに接続される。これにより、真空チャンバ１１０は、その内部が所定の減圧雰囲気に排気又は維持可能に構成される。また、真空チャンバ１１０は、図１に示すように、成膜部１２０、搬送部１３０、第１処理室１４１、第２処理室１５１及び回収部１６０をそれぞれ区画する複数の仕切り板１１１，１１２，１１３，１１４，１１５を有する。
　成膜部１２０は、仕切り板１１１と真空チャンバ１１０の外壁により区画された成膜室であり、その内部に蒸発源１２１を有する。また、成膜部１２０は、第１排気ラインＬに接続されている。これにより、真空チャンバ１１０が排気される際には、先ず、成膜部１２０内が排気される。
　一方、成膜部１２０は搬送部１３０と連通しているため、成膜部１２０内が排気されると、搬送部１３０内も排気される。これにより、成膜部１２０と搬送部１３０との間に圧力差が生じる。この圧力差により、後述するリチウム原料の蒸気流が搬送部１３０内に侵入することが抑制される。
　蒸発源１２１は、リチウム金属を蒸発させるリチウム蒸発源であり、例えば、抵抗加熱式蒸発源、誘導加熱式蒸発源、電子ビーム加熱式蒸発源等で構成される。
　搬送部１３０は、仕切り板１１１，１１２，１１５と、真空チャンバ１１０の外壁に区画された搬送室であり、真空チャンバ１１０内のＹ軸方向上方に配置される。本実施形態では、第１排気ラインＬを成膜部１２０にのみ接続したが、搬送部１３０にも別の排気ラインを接続することにより、搬送部１３０と成膜部１２０とを独立して排気してもよい。
　第１処理部１４０は、第１処理室１４１と、第１ガス供給ライン１４２と、圧力調整機構１４３と、を有する。
　第１処理室１４１は、仕切り板１１２，１１３，１１５と、真空チャンバ１１０の外壁により区画された処理室である。
　第１処理室１４１は、第１ガス供給源Ｓ１を有する第１ガス供給ライン１４２に接続されている。これにより、第１処理室１４１は、その内部に第１ガスが導入可能に構成される。第１ガスは、酸素と水素を含むガスであれば特に限定されず、典型的には、水蒸気である。
　第１処理室１４１は、ポンプＰ２を有する圧力調整機構１４３に接続されている。これにより、第１処理室１４１は、所定の減圧雰囲気に維持されると共に、第１処理室１４１内の第１ガスのガス圧が所定の圧力に調整される。
　本実施形態では、第１処理室１４１に導入された第１ガスが排気される際に、先ず第１処理室１４１内が排気される。一方、第１処理室１４１は、搬送部１３０と連通しているため、第１処理室１４１内が排気されると、搬送部１３０内も排気される。これにより、第１処理室１４１と搬送部１３０と間に圧力差が生じる。この圧力差により、第１ガスが搬送部１３０内に侵入することが抑制される。
　第２処理部１５０は、第２処理室１５１と、第２ガス供給ライン１５２と、第２排気ライン１５３と、を有する。
　第２処理室１５１は、仕切り板１１３，１１４，１１５と、真空チャンバ１１０の外壁により区画された処理室である。
　第２処理室１５１は、第２ガス供給源Ｓ２を有する第２ガス供給ライン１５２に接続されている。これにより、第２処理室１５１は、その内部に第２ガスが導入可能に構成される。第２ガスは、炭素と酸素を含むガスであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アルゴン等の希ガスと二酸化炭素との混合ガスが用いられる。この場合、第２ガスに含まれる二酸化炭素の量も適宜設定可能であり、例えば体積比で５％程度である。
　第２処理室１５１は、ポンプＰ３を有する第２排気ライン１５３に接続されている。これにより、第２処理室１５１は、所定の減圧雰囲気に維持可能に構成される。なお、第２処理室１５１内の内圧は第１処理室１４１の内圧と同圧又は高くてもよい。また、第２ガス供給ライン１５２は必要に応じて省略されてもよい。
　搬送機構１７０は、巻出しローラ１７１と、メインローラ１７２と、巻取りローラ１７３と、を有する。
　巻出しローラ１７１、メインローラ１７２及び巻取りローラ１７３は、それぞれ図示しない回転駆動部を備え、Ｚ軸周りに所定の回転速度で図１における矢印方向にそれぞれ回転可能に構成されている。これにより、真空チャンバ１１０内において、巻出しローラ１７１から巻取りローラ１７３へ向かって基材Ｆが所定の搬送速度で搬送される。
　巻出しローラ１７１は、成膜部１２０より基材Ｆの搬送方向上流側に設けられ、基材Ｆをメインローラ１７２に送り出す機能を有する。なお、巻出しローラ１７１とメインローラ１７２との間の適宜の位置に独自の回転駆動部を備えていない適宜の数のガイドローラ（図示略）が配置されてもよい。
　メインローラ１７２は、基材Ｆの搬送方向において巻出しローラ１７１と巻取りローラ１７３との間に配置される。メインローラ１７２は、Ｙ軸方向における下部の少なくとも一部が、仕切り板１１１に設けられた開口部１１１ａを通って成膜部１２０に臨む位置に配置される。
　これにより、メインローラ１７２は、所定の間隔を空けて開口部１１１ａに対向し、蒸発源１２１とＹ軸方向に対向する。
　メインローラ１７２は、ステンレス鋼、鉄、アルミニウム等の金属材料で筒状に構成され、その内部に例えば図示しない温調媒体循環系等の温調機構が設けられてもよい。メインローラ１７２の大きさは特に限定されないが、典型的には、Ｚ軸方向の幅寸法が基材ＦのＺ軸方向の幅寸法よりも大きく設定される。
　巻取りローラ１７３は、仕切り板１１４，１１５と、真空チャンバ１１０の外壁により区画された空間である回収部１６０に配置され、巻出しローラ１７１から巻き出され成膜部１２０でリチウム金属が成膜された基材Ｆを回収する機能を有する。
　なお、巻取りローラ１７３とメインローラ１７２との間の適宜の位置に独自の回転駆動部を備えない適宜の数のガイドローラ（図示略）が配置されてもよい。
　基材Ｆは、例えば、所定幅に裁断された長尺のフィルムである。基材Ｆは、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス等の金属で構成される。これに限られず、基材Ｆには、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）フィルム、ＰＩ（ポリイミド）フィルム等の樹脂フィルムが用いられてもよい。
　基材Ｆの厚さは、特に限定されず、例えば数μｍ～数十μｍである。また、基材Ｆの幅や長さについても特に制限はなく、用途に応じて適宜決定可能である。
　成膜装置１００は、以上のような構成を有する。なお図示せずとも、成膜装置１００は、蒸発源１２１や搬送機構１７０、真空ポンプＰ１～Ｐ３、第１及び第２ガス供給源Ｓ１，Ｓ２等を制御する制御部を備える。上記制御部は、ＣＰＵやメモリを含むコンピュータで構成され、成膜装置１００の全体の動作を制御する。また成膜装置１００の構成は図１に示す構成に限定されるものではなく、例えば、成膜部１２０、蒸発源１２１、搬送部１３０、第１処理室１４１、第２処理室１５１及び回収部１６０の配置や大きさ等は適宜変更可能である。
　［成膜方法］
　図２は、成膜装置１００を用いた成膜方法を示すフローチャートである。図３～図５は、成膜装置１００の成膜プロセスを示す模式図である。以下、成膜装置１００の成膜方法について、図２に沿って、図３～図５を適宜参照しながら説明する。なお、以下の成膜方法においては、一例として、基材Ｆ上に形成されたリチウム金属膜に炭酸リチウムからなる保護膜を形成する方法について説明する。
　（ステップＳ０１：排気処理）
　真空ポンプＰ１，Ｐ２，Ｐ３を起動させ、真空チャンバ１１０内を排気し、成膜部１２０、搬送部１３０、第１処理室１４１及び第２処理室１５１各々を所定の真空度に維持する。一例として、成膜部１２０内の圧力は、１×１０－５Ｐａ以上１×１０－２Ｐａ以下に調整される。
　第１処理室１４１内には、第１ガス供給ライン１４２から第１ガスが導入される。本実施形態では第１ガスとして水蒸気が用いられ、圧力調整機構１４３により、第１処理室１４１内に導入された水蒸気の圧力が１．０×１０－６Ｐａ以上１．０×１０－２Ｐａ以下に調整される。これにより、後述する炭酸化処理（ステップＳ０４）において、水酸化物と第２ガスとの反応効率が向上する等の処理条件の最適化が図られる。
　また、第２処理室１５１内には、第２ガス供給ライン１５２から第２ガスが導入される。本実施形態では第２ガスとしてアルゴンと炭酸ガスとの混合ガスが用いられ、第２排気ライン１５３により、第２処理室１５１内に導入された上記炭酸ガスの圧力が１×１０－６Ｐａ以上１×１０－３Ｐａ以下に調整される。
　また、基材Ｆを支持する搬送機構１７０を駆動させ、基材Ｆを巻出しローラ１７１から巻取りローラ１７３に向けて搬送させる。成膜部１２０では、蒸発源１２１が金属リチウムを蒸発させ、メインローラ１７２上の基材Ｆに向けて出射するリチウム原料の蒸気流を形成する。
　（ステップＳ０２：成膜工程）
　巻出しローラ１７１、メインローラ１７２及び巻取りローラ１７３がＺ軸周りに所定の回転速度で連続的に回転することにより、メインローラ１７２上の基材Ｆが成膜部１２０を通過する過程で、リチウム金属の粒子が基材Ｆに堆積し、図３に示すように、基材Ｆ上にリチウム金属膜Ｍ１が形成される。リチウム金属膜Ｍ１の厚みは特に限定されず、例えば、数μｍ～数十μｍである。
　（ステップＳ０３：水酸化処理）
　続いて、リチウム金属膜Ｍ１が形成された基材Ｆは、第１処理室１４１へ搬送され、リチウム金属膜Ｍ１の表面の水酸化処理が実施される。
　第１処理室１４１では、リチウム金属膜Ｍ１の表面において、例えば下記式（１）で示す化学反応が起こり、リチウム金属膜Ｍ１の表面が水酸化される。よって、図４に示すように、リチウム金属膜Ｍ１の表面に水酸化リチウムからなる反応層Ｍ２が形成される。
　２Ｌｉ＋２Ｈ２Ｏ→２ＬｉＯＨ＋Ｈ２Ｏ・・・（１）
　（ステップＳ０４：炭酸化処理）
　続いて、反応層Ｍ２が形成されたリチウム金属膜Ｍ１が形成された基材Ｆは、第２処理室１５１へ搬送され、リチウム金属膜Ｍ１の表面の炭酸化処理が実施される。
　第２処理室１５１では、水酸化リチウムからなる反応層Ｍ２と炭酸ガスとの間で、例えば下記式（２）で示す化学反応が起こり、図５に示すように、リチウム金属膜Ｍ１に炭酸リチウムからなる保護層Ｍ３が形成される。
　２ＬｉＯＨ＋ＣＯ２→Ｌｉ２ＣＯ３＋Ｈ２Ｏ・・・（２）
　（ステップＳ０５：回収）
　保護層Ｍ３を有するリチウム金属膜Ｍ１が形成された基材Ｆは、巻取りローラ１７３に巻き取られる。
　以上のようにして、リチウム金属膜Ｍ１に炭酸リチウムからなる保護層Ｍ３が形成されたリチウム積層基材Ｆ１が得られる。上記成膜方法により形成された保護層Ｍ３はリチウム金属膜Ｍ１の表面を覆う強固な保護膜として機能する。これにより、リチウム積層基材Ｆ１の変色や、この基材Ｆ１を用いた製品特性の劣化等が抑制される。
　本実施形態によればリチウム金属膜Ｍ１を真空チャンバ１１０から出さずに保護層Ｍ３が形成される。これにより、リチウム金属膜Ｍ１と外気との接触が防止されるため、リチウム金属膜Ｍ１の劣化を抑制し、安定的に保護層Ｍ３を形成することができる。
　また、成膜装置１００では、リチウム金属膜Ｍ１の形成と、水酸化処理と、炭酸化処理が真空チャンバ１１０内で一貫して行われる。これにより、リチウム金属膜Ｍ１に保護層Ｍ３を形成するために、例えばリチウム金属膜Ｍ１が形成された基材Ｆを真空チャンバ１１０以外の環境に移してエージングを施す等の処理が不要となる。よって、リチウム金属膜Ｍ１の形成から炭酸化処理までのタクトタイムが短縮するため、生産性が向上する。
　さらに、成膜装置１００では、第１及び第２処理室１４１，１５１が基材Ｆの搬送経路上に設けられている。これにより、リチウム金属膜Ｍ１が形成された基材Ｆが回収される過程で必然的に第１及び第２処理室１４１，１５１を通過することになる。従って、上記基材Ｆ全体を均一に水酸化及び炭酸化することできるため、反応層Ｍ２及び保護層Ｍ３の形成具合のバラツキが抑制される。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
　例えば、上記実施形態では、成膜方法の一例として真空蒸着法が採用されるが、これに限られず、分子線蒸着法、イオンプレーティング法又はイオンビーム蒸着法等が採用されてもよい。
　また、上記実施形態では、第１及び第２処理室１４１，１５１内のガス圧が調整されることにより、上述の水酸化処理及び炭酸化処理の最適化が図られるが、これに限定されない。
　例えば、成膜装置１００では、第１及び第２処理室１４１，１５１の大きさ、配置又は数を適宜変更したり、基材Ｆの搬送速度や搬送経路、あるいは、第１及び第２処理室１４１，１５１内の第１及び第２ガスの濃度や第１及び第２ガス供給ライン１４２，１５２の数を適宜変更したりすることで、上記実施形態の水酸化処理及び炭酸化処理の最適化が図られてもよい。
　さらに、上記実施形態では、成膜装置１００の一例として巻取り式の成膜装置について説明したが、本発明は、例えば枚様式の成膜装置にも適用可能である。
　１００・・・成膜装置
　１１０・・・真空チャンバ
　１２０・・・成膜部
　１３０・・・搬送部
　１４０・・・第１処理部
　１４１・・・第１処理室
　１４２・・・第１ガス供給ライン
　１４３・・・圧力調整機構
　１５０・・・第２処理部
　１５１・・・第２処理室
　１５２・・・第２ガス供給ライン
　１７０・・・搬送機構
　Ｆ・・・・・基材

Claims (6)

  1. 　リチウム金属を蒸発させる蒸発源を含み、基材上にリチウム金属膜を成膜する成膜部と、
    　前記リチウム金属膜の表面を水酸化する第１の処理室を含む第１の処理部と、
    　水酸化された前記表面を炭酸化する第２の処理室を含む第２の処理部と、
    　前記成膜部、前記第１の処理部及び前記第２の処理部を収容する真空チャンバと
    　を具備する成膜装置。
  2. 　請求項１に記載の成膜装置であって、
    　前記真空チャンバ内に設けられ、長尺のフィルムである前記基材を搬送可能に構成された搬送機構をさらに具備し、
    　前記搬送機構は、
    　前記成膜部より前記フィルムの搬送方向上流側に設けられ、前記フィルムを巻き出す巻出しローラと、
    　前記第１及び第２の処理室より前記フィルムの搬送方向下流側に設けられ、前記フィルムを巻き取る巻取りローラと
    　を有する
    　成膜装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
    　前記第１の処理部は、前記第１の処理室に酸素と水素とを含む第１のガスを導入する第１のガス供給ラインをさらに有し、
    　前記第２の処理部は、前記第２の処理室に炭素と酸素とを含む第２のガスを導入する第２のガス供給ラインをさらに有する
    　成膜装置。
  4. 　請求項３に記載の成膜装置であって、
    　前記第１のガスは、水蒸気であり、
    　前記第２のガスは、希ガスと炭酸ガスとの混合ガスである
    　成膜装置。
  5. 　請求項４に記載の成膜装置であって、
    　前記第１の処理部は、前記第１の処理室に導入された水蒸気の圧力を１．０×１０－６Ｐａ以上１．０×１０－２Ｐａ以下に調整する圧力調整機構をさらに有する
    　成膜装置。
  6. 　基材上にリチウム金属膜を真空チャンバ内で成膜し、
    　前記リチウム金属膜の表面を前記真空チャンバ内で水酸化し、
    　水酸化された前記表面を前記真空チャンバ内で炭酸化する
    　成膜方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110714195A (zh) * 2019-08-26 2020-01-21 浙江工业大学 一种金属锂表面改性方法
EP4083252A4 (en) * 2019-12-26 2024-01-10 ULVAC, Inc. DEVICE FOR PRODUCING THIN LAYERS

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115842126B (zh) * 2021-09-18 2024-10-01 北京车和家信息技术有限公司 锂金属负极保护层及其制备方法和包括该保护层的锂电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124700A (ja) * 1992-10-08 1994-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解液二次電池並びにその製造方法
WO2011018980A1 (ja) * 2009-08-10 2011-02-17 株式会社アルバック 薄膜リチウム二次電池の製造方法
JP2012017478A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Honjo Metal Co Ltd リチウム積層部材およびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766802B2 (ja) * 1983-07-19 1995-07-19 日立マクセル株式会社 リチウム電極の製造方法
JP2664394B2 (ja) * 1988-02-19 1997-10-15 三洋電機株式会社 リチウム電池及びその製造方法
JPH11350117A (ja) * 1998-06-03 1999-12-21 Toppan Printing Co Ltd 真空成膜装置
JP2006190702A (ja) * 2004-12-08 2006-07-20 Ulvac Japan Ltd フレキシブルプリント基材の製造装置及び製造方法
CA2552282A1 (fr) * 2006-07-18 2008-01-18 Hydro Quebec Materiau multi-couches a base de lithium vif, procedes de preparation et applications dans les generateurs electrochimiques
JP5914036B2 (ja) 2011-04-20 2016-05-11 日東電工株式会社 導電性積層フィルムの製造方法
JP5953374B2 (ja) * 2012-06-29 2016-07-20 株式会社アルバック 有機薄膜形成装置
AU2013201833B2 (en) * 2012-08-13 2014-07-17 Reed Advanced Materials Pty Ltd Processing of Lithium Containing Ore
CN103730590A (zh) * 2012-10-11 2014-04-16 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP6084841B2 (ja) * 2012-12-21 2017-02-22 東京エレクトロン株式会社 リチウムイオンキャパシタ用電極の製造装置及び製造方法
JP6209832B2 (ja) 2013-03-06 2017-10-11 大日本印刷株式会社 積層体の製造方法
EP2883980B1 (en) * 2013-12-10 2017-02-08 Applied Materials, Inc. Vacuum processing apparatus with substrate spreading device and method for operating same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124700A (ja) * 1992-10-08 1994-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解液二次電池並びにその製造方法
WO2011018980A1 (ja) * 2009-08-10 2011-02-17 株式会社アルバック 薄膜リチウム二次電池の製造方法
JP2012017478A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Honjo Metal Co Ltd リチウム積層部材およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110714195A (zh) * 2019-08-26 2020-01-21 浙江工业大学 一种金属锂表面改性方法
EP4083252A4 (en) * 2019-12-26 2024-01-10 ULVAC, Inc. DEVICE FOR PRODUCING THIN LAYERS

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