WO2018030362A1 - モータ駆動回路 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a motor drive circuit.
- a brushless DC (direct current) motor is used in various devices, but may be mounted on a blower.
- the need for a brushless DC motor mounted on such a blower requires that the motor be quiet and efficient.
- the so-called 120-degree energization method cannot be used, and the 180-degree energization method needs to be adopted.
- a propeller in a non-energized state, a propeller (impeller) may rotate by receiving wind from the outside.
- the propeller in a strong wind, the propeller may rotate at a considerably high speed.
- a motor that rotates the propeller in such a blower needs to be braked in a non-energized state.
- Patent Literature 1 discloses the following brushless motor drive control device.
- the drive control device includes a pre-drive circuit that drives a switching element of the inverter circuit, and a control circuit unit.
- the control circuit unit outputs a short-circuit braking signal to the pre-drive circuit when detecting the stop of the power supply from the DC power source that applies a voltage to the inverter circuit.
- an object of the present invention is to provide a motor drive circuit that can drive a brushless DC motor by a 180-degree energization method and can brake the motor in a non-energized state.
- An exemplary motor drive circuit of the present invention is a motor drive circuit that includes an upper switching element and a lower switching element connected in series with the upper switching element, and that drives a brushless DC motor.
- a gate driving circuit for driving the side switching element, and a voltage is applied to the gate terminal of the lower switching element through the gate driving circuit using an induced voltage generated by the brushless DC motor, and the lower switching element
- a brushless DC motor can be driven by a 180-degree energization method, and the motor can be braked in a non-energized state.
- FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a motor drive circuit according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a diagram illustrating a specific configuration example of the first upper FET gate driving circuit.
- FIG. 3 is a diagram illustrating a specific configuration example of the first lower FET gate drive circuit.
- FIG. 4 is a diagram for explaining a driving operation by the first lower FET gate driving circuit in a normal state in which the power is on.
- FIG. 5 is a diagram illustrating a waveform example of a voltage applied to each phase winding of the motor by the motor driving circuit.
- FIG. 6 is a timing chart showing an example of complementary switching of the upper switching element and the lower switching element and switching of the push element and the pull element.
- FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a motor drive circuit according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a diagram illustrating a specific configuration example of the first upper FET gate driving circuit.
- FIG. 3 is a diagram illustrating a specific
- FIG. 7A is a diagram illustrating a state of the motor drive circuit immediately after an external force is applied to the motor in a non-energized state.
- FIG. 7B is a diagram illustrating a state of the motor drive circuit when a short brake is applied to the motor in a non-energized state.
- FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a motor drive circuit according to a modification.
- FIG. 9 is a side cross-sectional view illustrating a configuration example of the blower.
- FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a motor drive circuit according to an embodiment of the present invention.
- a motor drive circuit 1 shown in FIG. 1 is a circuit that drives a motor 10.
- the motor drive circuit 1 and the motor 10 constitute a motor device according to this embodiment. *
- the motor drive circuit 1 includes a first upper switching element Q11, a first lower switching element Q12, a second upper switching element Q21, a second lower switching element Q22, a third upper switching element Q31, and a third lower switching element.
- An inverter unit including Q32 is provided.
- the motor drive circuit 1 includes capacitors Cb1 to Cb3, a first upper FET (field-effect transistor) gate drive circuit 21, a second upper FET gate drive circuit 22 (not shown), and a third upper FET gate drive (not shown).
- a circuit 23, a first lower FET gate drive circuit 31, a second lower FET gate drive circuit 32, a third lower FET gate drive circuit 33, a brake circuit 4, a DC power supply 5, and a switch SW1 are provided. *
- the motor 10 is configured by a brushless DC motor.
- the motor 10 will be described as a three-phase brushless DC motor.
- the motor 10 includes a stator and a rotor.
- the rotor rotates relative to the stator via a gap and has a permanent magnet.
- the stator has a U-phase winding, a V-phase winding, and a W-phase winding. *
- the motor drive circuit 1 and the motor 10 are mounted on a blower, for example.
- a propeller (not shown) is fixed to the rotor of the motor 10.
- the motor 10 generates wind by rotating the propeller, and cools the object to be cooled.
- An example of the cooling target is a communication device. *
- Both the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 are configured by n-channel MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors).
- the drain terminal of the first upper switching element Q11 is connected to a line Ln1 to which the voltage VM generated by the DC power supply 5 is applied when the switch SW1 is on.
- the source terminal of the first upper switching element Q11 is connected to the drain terminal of the first lower switching element Q12.
- a ground potential is applied to the source terminal of the first lower switching element Q12. That is, the first lower switching element Q12 is connected in series with the first upper switching element Q11.
- a connection point where the source terminal of the first upper switching element Q11 and the drain terminal of the first lower switching element Q12 are connected is connected to the U-phase winding of the motor 10. *
- the second upper switching element Q21 and the second lower switching element Q22 are both configured by n-channel MOSFETs, and are connected in series similarly to the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 described above.
- a connection point where the source terminal of the second upper switching element Q21 and the drain terminal of the second lower switching element Q22 are connected is connected to the V-phase winding of the motor 10.
- the third upper switching element Q31 and the third lower switching element Q32 are both constituted by n-channel MOSFETs, and are connected in series similarly to the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 described above.
- a connection point where the source terminal of the third upper switching element Q31 and the drain terminal of the third lower switching element Q32 are connected is connected to the W-phase winding of the motor 10.
- a set of configurations including the upper switching element and the lower switching element (Q11 and Q12, Q21 and Q22, Q31 and Q32) is provided in a plurality according to the plurality of phases of the brushless DC motor (10).
- a plurality of gate drive circuits (31, 32, 33) are provided according to a plurality of lower switching elements (Q12, Q22, Q32).
- the first upper FET gate drive circuit 21 drives the first upper switching element Q11.
- FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration example of the first upper FET gate drive circuit 21.
- the first upper FET gate drive circuit 21 includes a push element M21, a pull element M22, a gate drive unit 211, and a diode Db1. *
- the power supply voltage VCC is applied to the anode of the diode Db1.
- the cathode of the diode Db is connected to one end of the capacitor Cb1.
- the other end of the capacitor Cb1 is connected to a connection point where the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 are connected.
- the diode Db1 and the capacitor Cb1 are provided for bootstrap.
- Both the push element M21 and the pull element M22 are configured by n-channel MOSFETs.
- the drain terminal of the push element M21 is connected to the cathode of the diode Db1.
- the source terminal of the push element M21 is connected to the drain terminal of the pull element M22.
- the source terminal of the pull element M22 is connected to a connection point where the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 are connected.
- a connection point where the source terminal of the push element M21 and the drain terminal of the pull element M22 are connected is connected to the gate terminal of the first upper switching element Q11. *
- the gate drive unit 211 turns on and off the push element M21 and the pull element M22 by applying a voltage to each of the gate terminal of the push element M21 and the gate terminal of the pull element M22 according to the input upper gate control signal Sc1.
- the upper gate control signal Sc1 is input from an MCU (not shown), for example. *
- the voltage applied to the gate terminal of the first upper switching element Q11 is switched to the first upper switching by charging the capacitor Cb1.
- This is a voltage obtained by adding a voltage dropped from the power supply voltage VCC by the forward voltage of the diode Db1 to the voltage applied to the source terminal of the element Q11.
- the first upper switching element Q11 is turned on.
- the first upper switching element Q11 is driven on and off by the first upper FET gate drive circuit 21 configured as a push-pull circuit by the push element M21 and the pull element M22.
- the motor drive circuit 1 includes a second upper FET gate drive circuit 22 and a third upper FET gate drive circuit 23 having the same configuration as the first upper FET gate drive circuit 21 described above.
- the second upper FET gate drive circuit 22 drives the second upper switching element Q21 on and off
- the third upper FET gate drive circuit 23 drives the third upper switching element Q31 on and off.
- FIG. 3 is a diagram illustrating a specific configuration example of the first lower FET gate drive circuit 31.
- the first lower FET gate drive circuit 31 includes a push element M31, a pull element M32, a pull element M33, a first diode D31, a second diode D32, and a gate drive unit 311. *
- Both the push element M31 and the pull element M32 are configured by n-channel MOSFETs.
- the power supply voltage VCC is applied to the drain terminal of the push element M31.
- the source terminal of the push element M31 is connected to the drain terminal of the pull element M32.
- a ground potential is applied to the source terminal of the pull element M32. That is, the gate drive circuit (31) has a second pull element (M32) connected in series to the push element (M31).
- the gate drive unit 311 applies a gate voltage to the gate terminals of the push element M31 and the pull element M32 in accordance with the lower gate control signal Sc2, so that the push element M31 and the pull element M32 are driven on and off.
- the gate terminal of the switching element is temporarily connected to a connection point where the push element M31 and the pull element M32 are connected, the switching element is driven on and off by a push-pull circuit configured by the push element M31 and the pull element M32.
- the function is not used for the pull element M32 constituting the push-pull circuit.
- a general-purpose IC configured as a push-pull circuit is used, and only the push element M31 is used without using the pull element M32.
- the pull element M33 is composed of an n-channel MOSFET, and has a gate terminal as a control terminal, a drain terminal as a current inflow terminal, and a source terminal as a current outflow terminal.
- the drain terminal of the pull element M33 is connected to the gate terminal of the first lower switching element Q12.
- a ground potential is applied to the source terminal of the pull element M33.
- the pull element M33 is driven on and off. Thereby, the pull element M33 constitutes an open drain circuit.
- the lower gate control signals Sc2 and Sc3 are input by an MCU (not shown), for example.
- the pull element (M33) is a transistor having a control terminal, a current inflow terminal, and a current outflow terminal, and the current inflow terminal is connected to the gate terminal of the lower switching element (Q12). A potential lower than that of the gate terminal is applied to the current outflow terminal.
- the pull element M33 is not limited to a MOSFET, and may be a bipolar transistor, for example. In this case, the pull element M33 constitutes an open collector circuit.
- the anode of the first diode D31 as the rectifying unit is connected to a connection point where the push element M31 and the pull element M32 are connected.
- the cathode of the first diode D31 is connected to the gate terminal of the first lower switching element Q12. That is, the rectifier is the first diode (D31), the anode of the first diode is connected to the push element (M31), and the cathode of the first diode is connected to the gate terminal.
- the first diode D31 is disposed between the push element M31 and the gate terminal of the first lower switching element Q12, and rectifies in the direction from the push element M31 toward the gate terminal.
- the cathode of the second diode D32 is connected to the gate terminal of the first lower switching element Q12.
- the anode of the second diode D32 is connected to the line Ln1 via the brake circuit 4 described later. That is, the gate drive circuit (31) has a second diode (D32), the cathode of the second diode is connected to the gate terminal, and the anode of the second diode is connected to the brake circuit (4). Connected. *
- the second lower FET gate drive circuit 32 and the third lower FET gate drive circuit 33 having the same configuration as the first lower FET gate drive circuit 31 are provided. Are respectively provided according to the second lower switching element Q22 and the third lower switching element Q32. That is, a plurality (three) of lower FET gate drive circuits are provided according to a plurality (three) of the lower switching elements.
- the second lower FET gate drive circuit 32 and the third lower FET gate drive circuit 33 each have a diode similar to the second diode D32 of the first lower FET gate drive circuit 31.
- the anodes of these three second diodes are connected after the brake circuit 4. *
- FIG. 4 is a diagram for explaining a driving operation by the first lower FET gate driving circuit 31 in a normal state in which the power is on. In normal times, the switch SW1 is turned on, and the voltage VM from the DC power source 5 is applied to the line Ln1. *
- the push element M31 When the push element M31 is turned on by the lower gate control signal Sc2 (pull element M32 is turned off), and the pull element M33 is turned off by the lower gate control signal Sc3, the push element M31 supplies the power supply voltage VCC to the first power supply voltage VCC. Is applied to the gate terminal of the first lower switching element Q12 via the diode D31 (solid arrow). As a result, the gate capacitance of the first lower switching element Q12 is charged, and the first lower switching element Q12 is turned on. *
- the push-pull circuit configuration including the push element M31 and the pull element M33 enables the first lower switching element Q12 to be switched at high speed.
- the second lower switching element Q22 and the third lower switching element Q32 can be switched and driven at high speed by the second lower FET gate driving circuit 32 and the third lower FET gate driving circuit 33, respectively. It becomes possible.
- each lower FET gate drive circuit is provided with a diode corresponding to the second diode D32, when the power supply voltage VCC is applied to the gate terminal of the lower switching element, the lower side of the other phase It is possible to suppress the current from flowing backward to the FET gate drive circuit side, and to maintain the independence of voltage application to the gate terminal of the lower switching element of each phase.
- FIG. 5 is a diagram illustrating a waveform example of a voltage applied to each phase winding of the motor 10 by the motor driving circuit 1.
- the voltage Vu to be applied to the U-phase winding, the voltage Vv to be applied to the V-phase winding, and the voltage Vw to be applied to the W-phase winding are shown in order from the top of FIG. Further, the horizontal angle in FIG. 5 indicates the rotational angle position of the rotor in the motor 10. As shown in FIG.
- the voltage Vu is generated at a connection point where the first upper switching element Q11 and the first lower switching element Q12 are connected, and the voltage Vv is generated between the second upper switching element Q21 and the second upper switching element Q21.
- the voltage Vw is generated at the connection point where the lower switching element Q22 is connected, and the voltage Vw is generated at the connection point where the third upper switching element Q31 and the third lower switching element Q32 are connected.
- FIG. 6 shows an example of complementary switching of the upper switching element and the lower switching element and switching of the push element and the pull element (M31 and M33 in the case of the first lower FET gate drive circuit 31) at that time. It is a timing chart. *
- the upper switching element and the lower switching element perform complementary switching such that when one is on, the other is off, and the duty of the on time (ratio of the on time to the switching period) is variable. Note that, at the switching timing, a dead time during which both switching elements are turned off may be provided to suppress the generation of the through current. Such a switching method is also included in complementary switching. *
- the brake circuit 4 included in the motor drive circuit 1 includes a resistor R41, a resistor R42, and a Zener diode Z1.
- the resistors R41 and R42 are connected in series between the line Ln1 and the anode of the second diode D32.
- the brake circuit 4 has the two resistors R41 and R42.
- the brake circuit 4 may have three or more resistors or only one resistor. That is, the brake circuit 4 may have at least one resistance element.
- the brake circuit (4) has at least one resistance element (R41, R42), and using the resistance element, an induced voltage (described later) generated by the brushless DC motor (10) is set to a voltage lower than the induced voltage. The voltage is converted and applied to the gate terminal of the lower switching element (Q12). *
- the cathode of the Zener diode Z1 is connected to a connection point where the resistor R41 and the resistor R42 are connected. A ground potential is applied to the anode of the Zener diode Z1. That is, the brake circuit (4) further includes a Zener diode (Z1), the cathode of the Zener diode is connected to a path for applying a voltage to the gate terminal based on the induced voltage, and the anode of the Zener diode is A predetermined potential is applied.
- Z1 Zener diode
- FIG. 7A shows a state of the motor drive circuit 1 immediately after an external force is applied to the motor 10 in a non-energized state.
- the case where an external force is applied to the motor 10 is a case where a propeller fixed to a rotor included in the motor 10 rotates by receiving wind.
- the switch SW1 is off, and in addition to the push element M31, the pull element M32, and the pull element M33, the first upper switching element Q11, the first lower switching element Q12, The second upper switching element Q21, the second lower switching element Q22, the third upper switching element Q31, and the third lower switching element Q32 are all off.
- an induced voltage is generated in the U-phase winding, the V-phase winding, and the W-phase winding of the motor 10.
- the induced voltage is a three-phase AC voltage and changes according to the rotational speed and the rotor position.
- FIG. 7A is an example in the case where the W phase has the minimum value and the U phase has the maximum value among the three-phase induced voltages.
- the W-phase induced voltage is fixed to the ground potential via the parasitic diode of the third lower switching element Q32. Therefore, an induced voltage V1 equal to the potential difference between the U-phase induced voltage and the W-phase induced voltage is generated on the line Ln1.
- the brake circuit 4 converts the induced voltage V1 into a voltage lower than the induced voltage V1 using the resistors R41 and R42, and applies the voltage to the gate terminal of the first lower switching element Q12 via the second diode D32. In other words, the brake circuit 4 applies a voltage to the gate terminal of the first lower switching element Q12 via the first lower FET gate drive circuit 31 using the induced voltage V1, thereby causing the first lower switching element Q12 to operate. Turn on. The state is shown in FIG. 7B. Here, the first lower switching element Q12 is turned on in the linear region.
- the current to the first upper switching element Q11 is cut off by the complete turn-on of the first lower switching element Q12, and the first lower switching element Q12 can be prevented from being repeatedly turned on and off. That is, it is possible to flow current through the first lower switching element Q12 while flowing current toward the first upper switching element Q11, and the first lower switching element Q12 can be kept on.
- the voltage applied to the gate terminal is prevented from decreasing. it can. Further, by converting the induced voltage V1 to a low voltage using the resistors R41 and R42, the applied voltage can be adjusted according to the withstand voltage of the first lower switching element Q12. *
- the brake circuit 4 similarly applies a voltage to the gate terminal of the second lower switching element Q22 via the second lower FET gate drive circuit 32 based on the induced voltage V1.
- the second lower switching element Q22 is turned on in the linear region, and a voltage is applied to the gate terminal of the third lower switching element Q32 via the third lower FET gate drive circuit 33 based on the induced voltage V1.
- the third lower switching element Q32 is turned on in the linear region.
- the cathode of the Zener diode Z1 is connected to a connection point where the resistor R41 and the resistor R42 are connected.
- a ground potential is applied to the anode of the Zener diode Z1. That is, the cathode of the Zener diode Z1 is connected to a path for applying a voltage to the gate terminal of the lower switching element based on the induced voltage V1, and a predetermined potential is applied to the anode of the Zener diode Z1.
- the motor drive circuit (1) includes the upper switching element (Q11) and the lower switching element (Q12) connected in series with the upper switching element, and is a brushless DC motor.
- a motor drive circuit for driving (10) wherein the gate drive circuit (31) for driving the lower switching element and the gate drive circuit using the induced voltage generated by the brushless DC motor
- a brake circuit (4) for applying a voltage to a gate terminal of the lower switching element to turn on the lower switching element.
- the gate driving circuit (31) includes a push element (M31) that applies a predetermined power supply voltage to the gate terminal when turned on, and a pull element that pulls charges from the gate terminal when turned on ( M33), and a rectifying unit (D31) that is arranged between the push element and the gate terminal and rectifies in a direction from the push element toward the gate terminal.
- M31 push element
- D31 rectifying unit
- the motor 10 that is a brushless DC motor can be driven by a 180-degree energization method, and a short brake can be applied to the motor 10 in a non-energized state. Become. *
- FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a motor drive circuit 1 ′ according to a modification.
- the difference in configuration of the motor drive circuit 1 'from the above-described embodiment is the configuration of the first lower FET gate drive circuit 31'.
- the first lower FET gate drive circuit 31 ′ has a configuration in which a pull element connected in series to the push element M 31 is not provided. Since the pull element M32 does not function in the above-described embodiment, it is possible to provide no pull element in the first place as in this embodiment.
- the second lower FET gate drive circuit and the third lower FET gate drive circuit can be similarly configured without a pull element. *
- FIG. 9 is a side cross-sectional view illustrating a configuration example of the blower.
- the direction in which the rotation axis J of the motor 10 in FIG. However, this vertical direction does not indicate the direction when the blower is actually installed.
- the blower 20 illustrated in FIG. 9 includes a motor 10, a housing 11, bearing portions 12 ⁇ / b> A and 12 ⁇ / b> B, a circuit board 13, and a propeller 14. *
- the motor 10 includes a rotor 101 and a stator 102.
- the rotor 101 rotates about the rotation axis J.
- the rotor 101 includes a rotor case 101A, a rotor shaft 101B, and a rotor magnet 101C.
- the rotor case 101A is formed in a cylindrical shape having a lid on one side.
- the rotor shaft 101B is fixed to the central portion of the rotor case 101A and rotates about the rotation axis J.
- the rotor magnet 101C is fixed to the inner wall portion of the rotor case 101A. *
- the propeller 14 is fixed to the outer peripheral surface of the rotor case 101A.
- Propeller 14 has a plurality of wings 14 ⁇ / b> A arranged in the circumferential direction of rotor 101. Thereby, the propeller 14 rotates with the rotation of the rotor 101.
- the housing 11 accommodates the rotor 101, the stator 102, the circuit board 13, and the propeller 14 therein.
- the housing 11 has a bearing holding portion 11A at the center.
- the bearing portions 12A and 12B are held by the bearing holding portion 11A.
- the bearing portions 12A and 12B are constituted by ball bearings.
- the rotor 101 is rotatably supported by the bearing portions 12A and 12B via the rotor shaft 101B. *
- the stator 102 is fixed to the bearing holding portion 11 ⁇ / b> A and is disposed on the inner peripheral side of the rotor 101.
- the stator 102 includes a stator core 102A, a winding 102B, and insulators 102C and 120D.
- the stator core 102A has a plurality of salient poles.
- the upper and lower insulators 102C and 102D cover the upper and lower surfaces of the stator core 102A and the inner surface of the slot.
- Winding 102B is wound around each salient pole of stator core 102A via insulators 102C and 102D.
- the outer peripheral surface of each salient pole of the stator core 102A is opposed to the inner peripheral surface of the rotor magnet 101C via an air gap.
- the disc-shaped circuit board 13 is disposed between the lower part of the housing 11 and the stator 102.
- the insulator 102D is provided with a binding pin with which the end of the winding 102B is wound.
- the binding pin is passed through the connection hole of the circuit board 13 and soldered, whereby the circuit board 13 is supported by the stator 102 and the end of the winding 102B is placed on the circuit board 13 via the binding pin. Is electrically connected to the pattern.
- the motor drive circuit according to the above-described embodiment can be mounted on the circuit board 13. That is, the blower 20 includes a motor device that includes a motor drive circuit and the motor 10, and a propeller (impeller) 14 that is rotationally driven by the motor 10. *
- the motor drive circuit can drive the motor 10 by the 180-degree energization method, it is possible to realize a drive method suitable for the blower 20 that particularly requires quietness and high efficiency.
- the blower 20 is used as a fan for cooling a device such as a router in a base station such as a mobile phone, for example, a plurality of blowers are used side by side, so that strong air from other blowers in operation is received.
- the propeller 14 of the blower 20 that is stopped in a non-energized state may rotate.
- the motor 10 receives an external force, but as described above, a short brake can be applied to the motor 10 by the motor drive circuit. Therefore, when an operator installs the blower 20 or performs maintenance, the work is not hindered.
- a switch for switching on and off may be provided as a rectifier instead of the first diode D31.
- the switch may be turned on during normal driving of the motor 10, and the switch may be turned off in a non-energized state.
- the configuration is simpler if a diode is used as the rectifying unit.
- the lower FET gate drive circuit connected to the brake circuit is provided for all the lower switching elements, but the brake circuit is provided only for some of the lower switching elements.
- a lower FET gate drive circuit to be connected may be provided, and a push-pull circuit not connected to the brake circuit may be provided for the other lower switching elements.
- the present invention can be used, for example, in a motor drive circuit that drives a brushless DC motor mounted on a blower.
- SYMBOLS 1 Motor drive circuit, 21 ... 1st upper side FET gate drive circuit, 211 ... Gate drive part, 31 ... 1st lower FET gate drive circuit, 311 ... Gate drive part, 32 ... Second lower FET gate drive circuit, 33 ... Third lower FET gate drive circuit, 4 ... Brake circuit, 5 ... DC power supply, 10 ... Motor, Q11 ... No. 1 upper switching element, Q12 ... first lower switching element, Q21 ... second upper switching element, Q22 ... second lower switching element, Q31 ... third upper switching element, Q32 ... Third lower switching element, Cb1 to Cb3 ... capacitor, Ln1 ... line, SW1 ... switch, R41, R42 ...
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Abstract
【解決手段】上側スイッチング素子と、前記上側スイッチング素子と直列に接続される下側スイッチング素子と、を備え、ブラシレスDCモータを駆動するモータ駆動回路であって、前記下側スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、前記ブラシレスDCモータによって発生した誘起電圧を利用して前記ゲート駆動回路を介して前記下側スイッチング素子のゲート端子に電圧を印加させて前記下側スイッチング素子をオンとさせるブレーキ回路と、を備え、前記ゲート駆動回路は、オンとなることで前記ゲート端子に所定の電源電圧を印加させるプッシュ素子と、オンとなることで前記ゲート端子から電荷を引抜くプル素子と、前記プッシュ素子と前記ゲート端子との間に配置され、前記プッシュ素子から前記ゲート端子へ向かう方向に整流する整流部と、を有する、モータ駆動回路とする。
Description
本発明は、モータ駆動回路に関する。
従来、ブラシレスDC(direct current)モータは、様々な機器に利用されるが、特に送風機に搭載される場合がある。このような送風機に搭載されるブラシレスDCモータの近年におけるニーズとして、モータの静音化および効率化が求められる。この目的のためには正弦波駆動またはベクトル制御を採用する必要がある。このとき、モータ駆動回路としては、いわゆる120度通電方式では対応できず、180度通電方式を採用する必要がある。
一方、送風機においては、無通電状態において、プロペラ(羽根車)が外部より風を受けて回転することがある。特に、強い風の場合には、プロペラがかなり高速に回転する場合がある。送風機の設置またはメンテナンス等の場合に、プロペラが高速回転したままであると、作業者にとって作業の妨げとなる虞がある。そのため、このような送風機におけるプロペラを回転させるモータは、無通電状態においてブレーキをかける必要が生じる。
ここで、例えば特許文献1には、次のようなブラシレスモータの駆動制御装置が開示される。この駆動制御装置は、インバータ回路のスイッチング素子を駆動するプリドライブ回路と、制御回路部を備える。制御回路部は、インバータ回路に電圧を印加させる直流電源からの電力供給の停止を検出すると、プリドライブ回路に短絡制動信号を出力する。
しかしながら、上記特許文献1の駆動制御装置では、短絡制動動作時にプリドライバ回路および制御回路部には電源が供給される必要があり、無通電状態においてモータにブレーキをかけることはできない。
上記状況に鑑み、本発明は、ブラシレスDCモータを180度通電方式により駆動可能であると共に、無通電状態においてモータにブレーキをかけることのできるモータ駆動回路を提供することを目的とする。
本発明の例示的なモータ駆動回路は、上側スイッチング素子と、前記上側スイッチング素子と直列に接続される下側スイッチング素子と、を備え、ブラシレスDCモータを駆動するモータ駆動回路であって、 前記下側スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、 前記ブラシレスDCモータによって発生した誘起電圧を利用して前記ゲート駆動回路を介して前記下側スイッチング素子のゲート端子に電圧を印加させて前記下側スイッチング素子をオンとさせるブレーキ回路と、を備え、 前記ゲート駆動回路は、 オンとなることで前記ゲート端子に所定の電源電圧を印加させるプッシュ素子と、 オンとなることで前記ゲート端子から電荷を引抜くプル素子と、 前記プッシュ素子と前記ゲート端子との間に配置され、前記プッシュ素子から前記ゲート端子へ向かう方向に整流する整流部と、を有する構成としている。
例示的な本発明のモータ駆動回路によれば、ブラシレスDCモータを180度通電方式により駆動可能であると共に、無通電状態においてモータにブレーキをかけることができる。
以下に本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
<モータ駆動回路の構成> 図1は、本発明の一実施形態に係るモータ駆動回路の全体構成を示す図である。図1に示すモータ駆動回路1は、モータ10を駆動する回路である。モータ駆動回路1とモータ10とにより、本実施形態に係るモータ装置が構成される。
モータ駆動回路1は、第1上側スイッチング素子Q11、第1下側スイッチング素子Q12、第2上側スイッチング素子Q21、第2下側スイッチング素子Q22、第3上側スイッチング素子Q31、および第3下側スイッチング素子Q32を含んで構成されるインバータ部を備える。それに加えて、モータ駆動回路1は、コンデンサCb1~Cb3と、第1上側FET(field-effect transistor)ゲート駆動回路21、図示しない第2上側FETゲート駆動回路22、図示しない第3上側FETゲート駆動回路23、第1下側FETゲート駆動回路31、第2下側FETゲート駆動回路32、第3下側FETゲート駆動回路33、ブレーキ回路4、直流電源5、およびスイッチSW1を備える。
モータ10は、ブラシレスDCモータにより構成される。ここでは、一例として、モータ10は、3相ブラシレスDCモータであるとして説明する。モータ10は、ステータと、ロータを備える。ロータは、ステータと空隙を介して対向して相対的に回転し、永久磁石を有する。ステータは、U相巻線、V相巻線、およびW相巻線を有する。
モータ駆動回路1およびモータ10は、例えば送風機に搭載される。その場合、モータ10のロータには、不図示のプロペラが固定される。モータ10は、プロペラを回転させることにより風を生じさせ、冷却対象を冷却する。冷却対象は、一例として通信機器が挙げられる。
第1上側スイッチング素子Q11および第1下側スイッチング素子Q12は、共にnチャネルMOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)により構成される。第1上側スイッチング素子Q11のドレイン端子は、スイッチSW1がオンの場合に直流電源5により生じる電圧VMが印加されるラインLn1に接続される。第1上側スイッチング素子Q11のソース端子は、第1下側スイッチング素子Q12のドレイン端子に接続される。第1下側スイッチング素子Q12のソース端子には、グランド電位が印加される。すなわち、第1下側スイッチング素子Q12は、第1上側スイッチング素子Q11と直列に接続される。第1上側スイッチング素子Q11のソース端子と第1下側スイッチング素子Q12のドレイン端子とが接続される接続点は、モータ10のU相巻線に接続される。
第2上側スイッチング素子Q21および第2下側スイッチング素子Q22は、共にnチャネルMOSFETで構成され、上述の第1上側スイッチング素子Q11および第1下側スイッチング素子Q12と同様に直列に接続される。第2上側スイッチング素子Q21のソース端子と第2下側スイッチング素子Q22のドレイン端子とが接続される接続点は、モータ10のV相巻線に接続される。
第3上側スイッチング素子Q31および第3下側スイッチング素子Q32は、共にnチャネルMOSFETで構成され、上述の第1上側スイッチング素子Q11および第1下側スイッチング素子Q12と同様に直列に接続される。第3上側スイッチング素子Q31のソース端子と第3下側スイッチング素子Q32のドレイン端子とが接続される接続点は、モータ10のW相巻線に接続される。
このように、上側スイッチング素子と下側スイッチング素子を含む一組の構成(Q11とQ12、Q21とQ22、Q31とQ32)は、ブラシレスDCモータ(10)の複数相に応じて複数組設けられ、ゲート駆動回路(31、32、33)は、複数の下側スイッチング素子(Q12、Q22、Q32)に応じて複数設けられる。
これにより、モータ10の複数相に、例えば不図示のMCU(Micro Control Unit)からの指示通りに電圧および電流を印加することができる。
第1上側FETゲート駆動回路21は、第1上側スイッチング素子Q11を駆動する。図2は、第1上側FETゲート駆動回路21の具体的な構成例を示す図である。第1上側FETゲート駆動回路21は、プッシュ素子M21と、プル素子M22と、ゲート駆動部211と、ダイオードDb1を有する。
ダイオードDb1のアノードには、電源電圧VCCが印加される。ダイオードDbのカソードは、コンデンサCb1の一端に接続される。コンデンサCb1の他端は、第1上側スイッチング素子Q11と第1下側スイッチング素子Q12とが接続される接続点に接続される。ダイオードDb1とコンデンサCb1は、ブートストラップ用に設けられる。
プッシュ素子M21とプル素子M22は、共にnチャネルMOSFETにより構成される。プッシュ素子M21のドレイン端子は、ダイオードDb1のカソードに接続される。プッシュ素子M21のソース端子は、プル素子M22のドレイン端子に接続される。プル素子M22のソース端子は、第1上側スイッチング素子Q11と第1下側スイッチング素子Q12とが接続される接続点に接続される。プッシュ素子M21のソース端子とプル素子M22のドレイン端子とが接続される接続点は、第1上側スイッチング素子Q11のゲート端子に接続される。
ゲート駆動部211は、入力される上側ゲート制御信号Sc1に応じて、プッシュ素子M21のゲート端子およびプル素子M22のゲート端子それぞれに電圧を印加することで、プッシュ素子M21およびプル素子M22それぞれをオンオフ駆動する。なお、上側ゲート制御信号Sc1は、例えば不図示のMCUから入力される。
ゲート駆動部211によりプッシュ素子M21がオフ、プル素子M22がオンとされた場合、第1上側スイッチング素子Q11のゲート端子とソース端子が短絡されるので、第1上側スイッチング素子Q11はオフとなる。このとき、直流電圧VCCによりダイオードDb1を介してコンデンサCb1は充電される。
そして、ゲート駆動部211によりプッシュ素子M21がオン、プル素子M22がオフとされた場合、第1上側スイッチング素子Q11のゲート端子に印加される電圧は、コンデンサCb1への充電によって、第1上側スイッチング素子Q11のソース端子に印加される電圧に対して、電源電圧VCCからダイオードDb1の順方向電圧だけ降下した電圧を足した電圧となる。これにより、第1上側スイッチング素子Q11はオンとなる。
このように、プッシュ素子M21とプル素子M22によりプッシュプル回路として構成される第1上側FETゲート駆動回路21により、第1上側スイッチング素子Q11はオンオフ駆動される。
モータ駆動回路1においては、図1では不図示であるが、上述した第1上側FETゲート駆動回路21と同様の構成である第2上側FETゲート駆動回路22と第3上側FETゲート駆動回路23が、それぞれ第2上側スイッチング素子Q21とブートストラップ用のコンデンサCb2の組、第3上側スイッチング素子Q31とブートストラップ用のコンデンサCb3の組に応じて設けられる。これにより、第2上側FETゲート駆動回路22は第2上側スイッチング素子Q21をオンオフ駆動し、第3上側FETゲート駆動回路23は第3上側スイッチング素子Q31をオンオフ駆動する。
<下側FETゲート駆動回路の構成> 図1において、第1下側FETゲート駆動回路31は、第1下側スイッチング素子Q12を駆動する。図3は、第1下側FETゲート駆動回路31の具体的な構成例を示す図である。第1下側FETゲート駆動回路31は、プッシュ素子M31と、プル素子M32と、プル素子M33と、第1のダイオードD31と、第2のダイオードD32と、ゲート駆動部311と、を有する。
プッシュ素子M31とプル素子M32は、共にnチャネルMOSFETにより構成される。プッシュ素子M31のドレイン端子には、電源電圧VCCが印加される。プッシュ素子M31のソース端子は、プル素子M32のドレイン端子に接続される。プル素子M32のソース端子には、グランド電位が印加される。すなわち、ゲート駆動回路(31)は、プッシュ素子(M31)に直列に接続される第2のプル素子(M32)を有する。
ゲート駆動部311により、下側ゲート制御信号Sc2に応じてプッシュ素子M31およびプル素子M32のゲート端子にゲート電圧が印加されることにより、プッシュ素子M31およびプル素子M32はオンオフ駆動される。プッシュ素子M31とプル素子M32とが接続される接続点に仮にスイッチング素子のゲート端子を接続した場合、プッシュ素子M31とプル素子M32により構成されるプッシュプル回路によって、上記スイッチング素子をオンオフ駆動させることは可能であるが、本実施形態において、プッシュプル回路を構成するプル素子M32についてはその機能を利用しない。これにより、プッシュプル回路として構成される汎用ICを利用し、このうちプル素子M32を利用しないで、プッシュ素子M31のみを利用することとなる。
プル素子M33は、nチャネルMOSFETにより構成され、制御端子としてのゲート端子と、電流流入端子としてのドレイン端子と、電流流出端子としてのソース端子と、を有する。プル素子M33のドレイン端子は、第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に接続される。プル素子M33のソース端子には、グランド電位が印加される。プル素子M33のゲート端子に下側FET制御信号Sc3が印加されることにより、プル素子M33はオンオフ駆動される。これにより、プル素子M33は、オープンドレイン回路を構成する。なお、下側ゲート制御信号Sc2,Sc3は、例えば不図示のMCUにより入力される。このように、プル素子(M33)は、制御端子と、電流流入端子と、電流流出端子と、を有するトランジスタであり、電流流入端子は、下側スイッチング素子(Q12)のゲート端子に接続され、電流流出端子には、上記ゲート端子よりも低い電位が印加される。
なお、プル素子M33は、MOSFETに限らず、例えばバイポーラトランジスタにより構成してもよい。この場合、プル素子M33は、オープンコレクタ回路を構成する。
整流部としての第1のダイオードD31のアノードは、プッシュ素子M31とプル素子M32とが接続される接続点に接続される。第1のダイオードD31のカソードは、第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に接続される。すなわち、整流部は第1のダイオード(D31)であり、第1のダイオードのアノードは、プッシュ素子(M31)に接続され、第1のダイオードのカソードは、上記ゲート端子に接続される。第1のダイオードD31は、プッシュ素子M31と第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子との間に配置され、プッシュ素子M31から上記ゲート端子へ向かう方向に整流する。
第2のダイオードD32のカソードは、第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に接続される。第2のダイオードD32のアノードは、後述するブレーキ回路4を介してラインLn1に接続される。すなわち、ゲート駆動回路(31)は、第2のダイオード(D32)を有し、第2のダイオードのカソードは、上記ゲート端子に接続され、第2のダイオードのアノードは、ブレーキ回路(4)に接続される。
モータ駆動回路1においては、図1で図示したように、第1下側FETゲート駆動回路31と同様の構成である第2下側FETゲート駆動回路32および第3下側FETゲート駆動回路33が、それぞれ第2下側スイッチング素子Q22、第3下側スイッチング素子Q32に応じて設けられる。すなわち、下側FETゲート駆動回路は、複数(3つ)の下側スイッチング素子に応じて複数(3つ)設けられる。
第2下側FETゲート駆動回路32と第3下側FETゲート駆動回路33は、それぞれ第1下側FETゲート駆動回路31の第2のダイオードD32と同様のダイオードを有する。これら3つの第2のダイオードのアノード同士は、ブレーキ回路4よりも後段において接続される。
<下側FETゲート駆動回路による駆動動作> 次に、図4を用いて下側FETゲート駆動回路による駆動動作について説明する。図4は、通電状態である通常時における第1下側FETゲート駆動回路31による駆動動作を説明する図である。通常時においては、スイッチSW1はオンとされており、ラインLn1には直流電源5による電圧VMが印加される。
下側ゲート制御信号Sc2によりプッシュ素子M31がオンとされ(プル素子M32はオフ)、下側ゲート制御信号Sc3によりプル素子M33がオフとされた場合、プッシュ素子M31は、電源電圧VCCを第1のダイオードD31を介して第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に印加させる(実線矢印)。これにより、第1下側スイッチング素子Q12のゲート容量が充電され、第1下側スイッチング素子Q12はオンとなる。
一方、下側ゲート制御信号Sc2によりプッシュ素子M31がオフとされ(プル素子M32はオン)、下側ゲート制御信号Sc3によりプル素子M33がオンとされた場合、プル素子M33は、第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子から速やかに電荷を引抜く(破線矢印)。これにより、第1下側スイッチング素子Q12はオフとなる。
このように、プッシュ素子M31とプル素子M33によるプッシュプル回路構成により、第1下側スイッチング素子Q12を高速にスイッチング駆動することが可能となる。同様の動作によって、第2下側FETゲート駆動回路32、第3下側FETゲート駆動回路33により、第2下側スイッチング素子Q22、第3下側スイッチング素子Q32をそれぞれ高速にスイッチング駆動することが可能となる。
このとき、各下側FETゲート駆動回路には、第2のダイオードD32に相当するダイオードが設けられるため、下側スイッチング素子のゲート端子に電源電圧VCCを印加させる際に、他の相の下側FETゲート駆動回路側へ電流が逆流することを抑制し、各相の下側スイッチング素子のゲート端子への電圧印加の独立性を保持できる。
<180度通電方式によるモータ駆動> 次に、本実施形態に係るモータ駆動回路1によるモータ10の駆動について説明する。図5は、モータ駆動回路1によりモータ10の各相巻線に印加させる電圧の波形例を示す図である。図5の上段から順に、U相巻線に印加させる電圧Vu、V相巻線に印加させる電圧Vv、W相巻線に印加させる電圧Vwを示す。また、図5の横方向の角度は、モータ10におけるロータの回転角度位置を示す。なお、図1に示すように、電圧Vuは、第1上側スイッチング素子Q11と第1下側スイッチング素子Q12とが接続される接続点に生じ、電圧Vvは、第2上側スイッチング素子Q21と第2下側スイッチング素子Q22とが接続される接続点に生じ、電圧Vwは、第3上側スイッチング素子Q31と第3下側スイッチング素子Q32とが接続される接続点に生じる。
一方、図5における電圧Vu、Vv、Vwを生じさせるために、対応する相の上側スイッチング素子と下側スイッチング素子を相補的にPWM(pulse width modulation)スイッチング駆動させる。図6は、上側スイッチング素子と下側スイッチング素子の相補的スイッチング、および、そのときのプッシュ素子とプル素子(第1下側FETゲート駆動回路31であればM31とM33)のスイッチングの一例を示すタイミングチャートである。
上側スイッチング素子と下側スイッチング素子は、一方がオンのときに他方がオフとなるような相補的なスイッチングが行われ、オン時間のデューティ(スイッチング周期に対するオン時間の比率)は可変である。なお、スイッチングの切替わりタイミングにおいて、双方のスイッチング素子がオフとなるデッドタイムを設けるようにして、貫通電流の発生を抑制してもよい。このようなスイッチング方法も相補的なスイッチングに含まれる。
図5における0°から360°までの期間において、上側スイッチング素子と下側スイッチング素子の相補的なスイッチングをデューティを変化させながら繰り返すことで、各相の電圧Vu、Vv、Vwを正弦波状としてモータ10を駆動する。正弦波の電圧は、グランド電位から電圧VMの範囲で変動し、電圧Vu、Vv、Vwは各相間で位相が120°ずつずれる。
図6に示すように、下側スイッチング素子がオフのときは、プッシュ素子はオフ、プル素子はオンとされ、下側スイッチング素子がオンのときは、プッシュ素子はオン、プル素子はオフとされる。上述したように本実施形態では、プッシュ素子とプル素子を用いて下側スイッチング素子を駆動する構成により、下側スイッチング素子の高速なスイッチング駆動が可能となる。従って、上側スイッチング素子と下側スイッチング素子の相補的なPWMスイッチングが可能となり、180度通電方式によるモータ10の駆動が実現される。
<ショートブレーキについて> 次に、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路1による無通電状態におけるモータ10のブレーキ動作について説明する。
図1に示すように、モータ駆動回路1が備えるブレーキ回路4は、抵抗R41と、抵抗R42と、ツェナーダイオードZ1と、を有する。抵抗R41と抵抗R42は、ラインLn1と第2のダイオードD32のアノードとの間に直列に接続される。なお、図1では、ブレーキ回路4は、2つの抵抗R41、R42を有することとしたが、3つ以上の抵抗または1つのみの抵抗を有してもよい。すなわち、ブレーキ回路4は、少なくとも1つの抵抗素子を有すればよい。ブレーキ回路(4)は、少なくとも1つの抵抗素子(R41、R42)を有し、抵抗素子を用いて、ブラシレスDCモータ(10)によって発生した誘起電圧(後述)を上記誘起電圧よりも低い電圧に変換して下側スイッチング素子(Q12)のゲート端子に印加する。
ツェナーダイオードZ1のカソードは、抵抗R41と抵抗R42とが接続される接続点に接続される。ツェナーダイオードZ1のアノードには、グランド電位が印加される。すなわち、ブレーキ回路(4)は、ツェナーダイオード(Z1)をさらに有し、ツェナーダイオードのカソードは、上記誘起電圧に基づいて上記ゲート端子に電圧を印加させる経路に接続され、ツェナーダイオードのアノードは、所定の電位が印加される。
ここで、図7Aは、無通電状態においてモータ10に外力が加わった直後のモータ駆動回路1の状態を示す。例えば、モータ10に外力が加わった場合とは、モータ10が有するロータに固定されたプロペラが風を受けて回転する場合である。
無通電状態においては図7Aに示すように、スイッチSW1はオフであり、プッシュ素子M31、プル素子M32、およびプル素子M33に加えて、第1上側スイッチング素子Q11、第1下側スイッチング素子Q12、第2上側スイッチング素子Q21、第2下側スイッチング素子Q22、第3上側スイッチング素子Q31、および第3下側スイッチング素子Q32は、いずれもオフである。
ここで、モータ10のロータが外力によって回転すると、モータ10のU相巻線、V相巻線およびW相巻線に誘起電圧が発生す
る。誘起電圧は3相交流電圧であり,回転速度とロータ位置に応じて変化する。図7Aは、3相の誘起電圧のうち,W相が最小値でU相が最大値の場合の例である。W相誘起電圧は第3下側スイッチング素子Q32の寄生ダイオードを介してグランド電位に固定される。そのため、ラインLn1には、U相誘起電圧とW相誘起電圧の電位差に等しい誘起電圧V1が発生する。
る。誘起電圧は3相交流電圧であり,回転速度とロータ位置に応じて変化する。図7Aは、3相の誘起電圧のうち,W相が最小値でU相が最大値の場合の例である。W相誘起電圧は第3下側スイッチング素子Q32の寄生ダイオードを介してグランド電位に固定される。そのため、ラインLn1には、U相誘起電圧とW相誘起電圧の電位差に等しい誘起電圧V1が発生する。
ブレーキ回路4は、抵抗R41および抵抗R42を用いて誘起電圧V1を誘起電圧V1よりも低い電圧に変換し、第2のダイオードD32を介して第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に印加する。すなわち、ブレーキ回路4は、誘起電圧V1を利用して第1下側FETゲート駆動回路31を介して第1下側スイッチング素子Q12のゲート端子に電圧を印加させて第1下側スイッチング素子Q12をオンとさせる。その状態を図7Bに示す。ここで、第1下側スイッチング素子Q12のオンは、線形領域におけるオン動作となる。これにより、第1下側スイッチング素子Q12の完全なオンによって第1上側スイッチング素子Q11側への電流が遮断され、第1下側スイッチング素子Q12がオンオフを繰り返すことを抑止できる。すなわち、第1上側スイッチング素子Q11側への電流を流しつつ、第1下側スイッチング素子Q12に電流を流すことが可能となり、第1下側スイッチング素子Q12のオン状態を維持できる。
このとき、第2のダイオードD32と下側スイッチング素子Q12との間からプッシュ素子M31に電流が流れることを第1のダイオードD31により抑止するので、ゲート端子に印加される電圧が低下することを抑制できる。また、抵抗R41、R42を用いて誘起電圧V1を低い電圧に変換することで、第1下側スイッチング素子Q12の耐圧に応じた印加電圧に調整可能となる。
図7Bでは図示していないが、同様にブレーキ回路4は、誘起電圧V1に基づいて第2下側FETゲート駆動回路32を介して第2下側スイッチング素子Q22のゲート端子に電圧を印加させて第2下側スイッチング素子Q22を線形領域においてオン動作させると共に、誘起電圧V1に基づいて第3下側FETゲート駆動回路33を介して第3下側スイッチング素子Q32のゲート端子に電圧を印加させて第3下側スイッチング素子Q32を線形領域においてオン動作させる。
従って、図7Bに示すように、モータ10のU相巻線から線形領域においてオン動作する第1下側スイッチング素子Q12を介してグランド側へ電流が流れ、モータ10のV相巻線から線形領域においてオン動作する第2下側スイッチング素子Q22を介してグランド側へ電流が流れ、第3下側スイッチング素子Q32の寄生ダイオードを介してモータ10に電流が流れる。これにより、モータ10にショートブレーキがかかる。なお、モータ10における巻線とロータとの位置関係に応じて、電流が流れる下側スイッチング素子は変化する。
また、ツェナーダイオードZ1のカソードは、抵抗R41と抵抗R42とが接続される接続点に接続される。ツェナーダイオードZ1のアノードには、グランド電位が印加される。すなわち、ツェナーダイオードZ1のカソードは、誘起電圧V1に基づいて下側スイッチング素子のゲート端子に電圧を印加させる経路に接続され、ツェナーダイオードZ1のアノードには、所定の電位が印加される。これにより、過大な誘起電圧V1が発生した場合でも、抵抗R41と抵抗R42とが接続される接続点での電圧をツェナーダイオードZ1のツェナー電圧に制限することができる。従って、下側スイッチング素子のゲート端子に耐圧を超えた電圧が印加されて下側スイッチング素子が破壊されることを抑制できる。
以上の通り、本実施形態に係るモータ駆動回路(1)は、上側スイッチング素子(Q11)と、前記上側スイッチング素子と直列に接続される下側スイッチング素子(Q12)と、を備え、ブラシレスDCモータ(10)を駆動するモータ駆動回路であって、 前記下側スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路(31)と、 前記ブラシレスDCモータによって発生した誘起電圧を利用して前記ゲート駆動回路を介して前記下側スイッチング素子のゲート端子に電圧を印加させて前記下側スイッチング素子をオンとさせるブレーキ回路(4)と、を備える。 そして、前記ゲート駆動回路(31)は、 オンとなることで前記ゲート端子に所定の電源電圧を印加させるプッシュ素子(M31)と、 オンとなることで前記ゲート端子から電荷を引抜くプル素子(M33)と、 前記プッシュ素子と前記ゲート端子との間に配置され、前記プッシュ素子から前記ゲート端子へ向かう方向に整流する整流部(D31)と、を有する。
このような本実施形態に係るモータ駆動回路1によれば、ブラシレスDCモータであるモータ10を180度通電方式により駆動可能であると共に、無通電状態においてモータ10にショートブレーキをかけることが可能となる。
<モータ駆動回路の変形例> 図8は、一変形例に係るモータ駆動回路1’の構成を示す図である。モータ駆動回路1’の先述した実施形態との構成上の相違点は、第1下側FETゲート駆動回路31’の構成である。第1下側FETゲート駆動回路31’では、プッシュ素子M31に直列に接続されるプル素子を設けない構成とする。先述した実施形態でプル素子M32は機能させないので、本実施形態のようにそもそもプル素子を設けないことも可能である。なお、図8では図示していないが、第2下側FETゲート駆動回路および第3下側FETゲート駆動回路についても同様にプル素子を設けない構成とすることができる。
<送風機の構成例> 次に、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路の適用対象の一例として、送風機の構成を図9を用いて説明する。図9は、送風機の一構成例を示す側面断面図である。なお、図9におけるモータ10の回転軸Jの延びる方向を上下方向として以下説明する。但し、この上下方向は、実際に送風機を設置する際の方向を示すものではない。
図9に示す送風機20は、モータ10と、ハウジング11と、軸受部12A、12Bと、回路基板13と、プロペラ14と、を備える。
モータ10は、ロータ101と、ステータ102と、を有する。ロータ101は、回転軸Jを中心に回転する。ロータ101は、ロータケース101Aと、ロータシャフト101Bと、ロータマグネット101Cと、を有する。ロータケース101Aは、一方側に蓋を有する円筒状に形成される。ロータシャフト101Bは、ロータケース101Aの中央部に固定され、回転軸Jを中心に回転する。ロータマグネット101Cは、ロータケース101Aの内壁部に固定される。
プロペラ14は、ロータケース101Aの外周面に固定される。プロペラ14は、ロータ101の周方向に配列された複数の羽部14Aを有する。これにより、プロペラ14は、ロータ101の回転と共に回転する。
ハウジング11は、ロータ101、ステータ102、回路基板13、およびプロペラ14を内部に収容する。ハウジング11は、中央部に軸受保持部11Aを有する。軸受部12A、12Bは、軸受保持部11Aに保持される。軸受部12A、12Bは、ボールベアリングにより構成される。ロータ101は、ロータシャフト101Bを介して軸受部12A、12Bに回転可能に支持される。
ステータ102は、軸受保持部11Aに固定され、ロータ101の内周側に配置される。ステータ102は、ステータコア102Aと、巻線102Bと、インシュレータ102C、120Dと、を有する。ステータコア102Aは、複数の突極を有する。上下のインシュレータ102C、102Dは、ステータコア102Aの上下面およびスロット内面を覆う。巻線102Bは、ステータコア102Aの各突極にインシュレータ102C、102Dを介して巻かれる。ステータコア102Aの各突極の外周面は、ロータマグネット101Cの内周面にエアギャップを介して対向する。
円板状の回路基板13は、ハウジング11の下部とステータ102との間に配置される。インシュレータ102Dには、巻線102Bの端部が絡げられる絡げピンが設けられる。絡げピンが回路基板13の接続孔に通されて半田付けされることにより、回路基板13がステータ102に支持されると共に、絡げピンを介して巻線102Bの端部が回路基板13上のパターンに電気的接続される。
先述した実施形態に係るモータ駆動回路は、回路基板13に実装可能である。すなわち、送風機20は、モータ駆動回路とモータ10とを備えるモータ装置と、モータ10によって回転駆動されるプロペラ(羽根車)14と、を有する。
先述したように本発明の実施形態に係るモータ駆動回路は、モータ10を180度通電方式により駆動できるので、静音性および高効率が特に要求される送風機20にとって適した駆動方式を実現できる。また、送風機20が例えば携帯電話等の基地局におけるルータ等の装置を冷却するためのファンとして用いられる場合、複数台の送風機を並べて使用するので、動作中の他の送風機からの強い風を受けて、無通電状態で停止中の送風機20のプロペラ14が回転する場合がある。このとき、モータ10が外力を受けるが、先述したようにモータ駆動回路によってショートブレーキをモータ10にかけることができる。従って、作業者が送風機20を設置したり、メンテナンス等する場合に、作業の妨げとならない。
<その他> 以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々の変更が可能である。
例えば、整流部として第1のダイオードD31の代わりに、オンオフを切替えるスイッチを設けてもよい。この場合、モータ10を駆動させる通常時は上記スイッチをオンとし、無通電状態においては上記スイッチをオフとすればよい。なお、整流部としてダイオードを用いたほうが構成は簡易となる。
また、上記実施形態では全ての下側スイッチング素子に対して、ブレーキ回路に接続される下側FETゲート駆動回路を設けるようにしたが、一部の下側スイッチング素子のみに対して、ブレーキ回路に接続される下側FETゲート駆動回路を設けて、それ以外の下側スイッチング素子に対しては、ブレーキ回路とは接続されないプッシュプル回路を設けてもよい。
本発明は、例えば、送風機に搭載されるブラシレスDCモータを駆動するモータ駆動回路に利用することができる。
1・・・モータ駆動回路、21・・・第1上側FETゲート駆動回路、211・・・ゲート駆動部、31・・・第1下側FETゲート駆動回路、311・・・ゲート駆動部、32・・・第2下側FETゲート駆動回路、33・・・第3下側FETゲート駆動回路、4・・・ブレーキ回路、5・・・直流電源、10・・・モータ、Q11・・・第1上側スイッチング素子、Q12・・・第1下側スイッチング素子、Q21・・・第2上側スイッチング素子、Q22・・・第2下側スイッチング素子、Q31・・・第3上側スイッチング素子、Q32・・・第3下側スイッチング素子、Cb1~Cb3・・・コンデンサ、Ln1・・・ライン、SW1・・・スイッチ、R41、R42・・・抵抗、Z1・・・ツェナーダイオード、Db1・・・ダイオード、M21・・・プッシュ素子、M22・・・プル素子、21・・・ゲート駆動部、Sc1・・・上側ゲート制御信号、M31・・・プッシュ素子、M32・・・プル素子、D31・・・第1のダイオード、D32・・・第2のダイオード、Sc2、Sc3・・・下側ゲート制御信号、M33・・・プル素子、V1・・・誘起電圧、101・・・ロータ、101A・・・ロータケース、101B・・・ロータシャフト、101C・・・ロータマグネット、102・・・ステータ、102A・・・ステータコア、102B・・・巻線、102C、102D・・・インシュレータ
、11・・・ハウジング、11A・・・軸受保持部、12A、12B・・・軸受部、13・・・回路基板、14・・・プロペラ、14A・・・羽部、20・・・送風機
、11・・・ハウジング、11A・・・軸受保持部、12A、12B・・・軸受部、13・・・回路基板、14・・・プロペラ、14A・・・羽部、20・・・送風機
Claims (14)
- 上側スイッチング素子と、前記上側スイッチング素子と直列に接続される下側スイッチング素子と、を備え、ブラシレスDCモータを駆動するモータ駆動回路であって、 前記下側スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、 前記ブラシレスDCモータによって発生した誘起電圧を利用して前記ゲート駆動回路を介して前記下側スイッチング素子のゲート端子に電圧を印加させて前記下側スイッチング素子をオンとさせるブレーキ回路と、を備え、 前記ゲート駆動回路は、 オンとなることで前記ゲート端子に所定の電源電圧を印加させるプッシュ素子と、 オンとなることで前記ゲート端子から電荷を引抜くプル素子と、 前記プッシュ素子と前記ゲート端子との間に配置され、前記プッシュ素子から前記ゲート端子へ向かう方向に整流する整流部と、を有する、 モータ駆動回路。
- 前記上側スイッチング素子と前記下側スイッチング素子を含む一組の構成は、前記ブラシレスDCモータの複数相に応じて複数組設けられる、請求項1に記載のモータ駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、複数の前記下側スイッチング素子に応じて複数設けられる、請求項2に記載のモータ駆動回路。
- 前記整流部は、第1のダイオードであり、 前記第1のダイオードのアノードは、前記プッシュ素子に接続される、 請求項1に記載のモータ駆動回路。
- 前記第1のダイオードのカソードは、前記ゲート端子に接続される、請求項4に記載のモータ駆動回路。
- 前記プル素子は、制御端子と、電流流入端子と、電流流出端子と、を有するトランジスタであり、 前記電流流入端子は、前記ゲート端子に接続され、 前記電流流出端子には、前記ゲート端子よりも低い電位が印加される、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のモータ駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、第2のダイオードを有し、 前記第2のダイオードのカソードは、前記ゲート端子に接続される、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のモータ駆動回路。
- 前記第2のダイオードのアノードは、前記ブレーキ回路に接続される、請求項7に記載のモータ駆動回路。
- 前記ブレーキ回路は、少なくとも1つの抵抗素子をさらに有し、前記抵抗素子を用いて前記誘起電圧を前記誘起電圧よりも低い電圧に変換して前記ゲート端子に印加する、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のモータ駆動回路。
- 前記ブレーキ回路は、ツェナーダイオードをさらに有し、 前記ツェナーダイオードのカソードは、前記誘起電圧に基づいて前記ゲート端子に電圧を印加させる経路に接続される、 請求項1~請求項9のいずれか1項に記載のモータ駆動回路。
- 前記ツェナーダイオードのアノードは、所定の電位が印加される、請求項10に記載のモータ駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、前記プッシュ素子に直列に接続される第2のプル素子をさらに有する、請求項1~請求項11のいずれか1項に記載のモータ駆動回路。
- 請求項1~請求項12のいずれか1項に記載のモータ駆動回路と、前記モータ駆動回路によって駆動されるブラシレスDCモータと、を備えるモータ装置。
- 請求項13に記載のモータ装置と、前記ブラシレスDCモータによって回転駆動される羽根車と、を備える送風機。
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