WO2016031877A1

WO2016031877A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子

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Publication number: WO2016031877A1
Application number: PCT/JP2015/074077
Authority: WO
Inventors: 進一森島; 真人赤對
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2014-08-29
Filing date: 2015-08-26
Publication date: 2016-03-03
Also published as: US20170256737A1; EP3188572B1; JPWO2016031877A1; CN106664754A; KR20170046732A; JP6676530B2; EP3188572A4; US10333100B2; EP3188572A1; CN106664754B

Abstract

　フレキシブル性を有する透明支持基板と、　前記透明支持基板上に配置され、かつ一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備える発光素子部と、　前記発光素子部を覆って封止するように前記透明支持基板上に配置されている封止材層と、　前記封止材層上に配置されている封止基板と、を備えており、　ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを基準として、前記封止基板の前記封止材層側の表面の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面の表面粗さよりも小さな値を有し、かつ、　前記封止基板の前記封止材層側の表面の前記算術平均粗さと、前記封止材層の厚みとが、下記式（Ｉ）：　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　（Ｉ）［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］に示す条件を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子内部に酸素ガスや水蒸気等が侵入すると劣化し、ダークスポットと呼ばれる発光不良部が生じて発光品位が低下する。そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子の分野では、素子内部へ酸素ガスや水蒸気が侵入することを抑制するために封止材料等を利用することが提案されている。例えば、国際公開第２０１１／１１４８６０号（特許文献１）においては、透明基材上に少なくとも透明陽極層、発光層を含む有機層及び陰極層を、この順番で積層した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前期透明陽極層側に第一の封止フィルムが設置され、前記陰極層側に第二の封止フィルムを設置され、前記陰極層の前記有機層側とは反対側の面上に熱硬化性樹脂からなる封止層を有する形態の有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている。しかしながら、特許文献１に記載のような従来の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、屈曲後に短絡（ショート）が発生することを防止するといった観点では必ずしも十分なものではなかった。

国際公開第２０１１／１１４８６０号

　本発明は、前記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、屈曲後の短絡（ショート）の発生を十分に抑制することを可能とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。

　本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ：以下、場合により単に「有機ＥＬ素子」と称する。）を、フレキシブル性を有する透明支持基板と、前記透明支持基板上に配置されている発光素子部（前記発光素子部は少なくとも一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備えるものである。）と、前記発光素子部を覆って封止するように前記透明支持基板上に配置されている封止材層と、前記封止材層上に配置されている封止基板とを備えるものとし、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを基準として前記封止基板の前記封止材層側の表面の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面の表面粗さよりも小さな値を有するようにし、更に、前記封止基板の前記封止材層側の表面の前記算術平均粗さと、前記封止材層の厚みとが、下記式（Ｉ）：
　　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］
に示す条件を満たすようにすることにより、有機ＥＬ素子を屈曲させた後に短絡（ショート）が発生することを十分に抑制することが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、フレキシブル性を有する透明支持基板と、
　前記透明支持基板上に配置され、かつ一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備える発光素子部と、
　前記発光素子部を覆って封止するように前記透明支持基板上に配置されている封止材層と、
　前記封止材層上に配置されている封止基板と、
を備えており、
　ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを基準として、前記封止基板の前記封止材層側の表面の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面の表面粗さよりも小さな値を有し、かつ、
　前記封止基板の前記封止材層側の表面の前記算術平均粗さと、前記封止材層の厚みとが、下記式（Ｉ）：
　　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］
に示す条件を満たすものである。

　上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記封止基板の前記封止材層側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１～１．０μｍであることが好ましい。

　また、上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記封止材層の厚みが５～１２０μｍであることが好ましい。

　また、上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、前記封止基板が、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金のうちのいずれかの金属材料からなることが好ましく、電解法で製造された銅箔からなることがより好ましい。

　本発明によれば、屈曲後の短絡（ショート）の発生を十分に抑制することを可能とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能となる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好適な一実施形態を模式的に示す概略縦断面図である本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子が備える透明支持基板として好適に利用することが可能なガスバリア性積層フィルムの一実施形態を模式的に示す概略縦断面図である。実施例１で得られた有機エレクトロルミネッセンス素子を封止基板側から見た場合の構造を模式的に示す概略上面図である。

　以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、フレキシブル性を有する透明支持基板と、
　前記透明支持基板上に配置され、かつ一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備える発光素子部と、
　前記発光素子部を覆って封止するように前記透明支持基板上に配置されている封止材層と、
　前記封止材層上に配置されている封止基板と、
を備えており、
　ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを基準として、前記封止基板の前記封止材層側の表面の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面の表面粗さよりも小さな値を有し、かつ、
　前記封止基板の前記封止材層側の表面の前記算術平均粗さと、前記封止材層の厚みとが、下記式（Ｉ）：
　　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］
に示す条件を満たすものである。

　図１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好適な一実施形態を模式的に示す概略縦断面図である。図１に示す実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明支持基板１と、発光素子部２と、封止材層３と、封止基板４とを備える。以下、これらを分けて説明する。

　［透明支持基板１］
　図１に示す透明支持基板１は、フレキシブル性（可撓性）を有するものである。ここにいう「フレキシブル性」としては、一般的なフレキシブルな有機ＥＬ素子の基板に要求されるような可撓性を有していてればよく特に制限されるものではないが、ガスバリア性の観点からは薄膜ガラス、軽量化、破壊耐性の観点からはプラスチック基材であることが好ましい。また、透明支持基板１は、有機ＥＬ素子の光取出し側の基板に利用することが可能な程度の光の透過性（透明性）を有するものであればよく、特に制限されるものではなく、有機ＥＬ素子用の光取出し側の基板に利用される公知の透明基板を適宜利用することができ、全光線透過率が８０％以上の透明性を有するものを好適に利用できる。

　また、このような透明支持基板１はプラスチックを基材として用いてもガスバリア性を有するものであることが好ましい。このような透明支持基板１としては、有機ＥＬ素子のフレキシブルな透明基板として利用することが可能な、公知のガスバリア性のフィルムを適宜利用することができ、例えば、特開２０１１－７３４３０号公報に記載のガスバリア性積層フィルム（中でも、該フィルムを接着材を用いて複数枚貼り合わせてなる積層体がより好ましい。）を好適に利用することができる。

　また、このような透明支持基板１としては、より高度な水蒸気透過防止性能が得られることから、ガスバリア性を有する第一及び第二の薄膜層と、第一及び第二の基材層と、接着剤層とを備え、かつ前記第一の薄膜層、前記第一の基材層、前記接着剤層、前記第二の薄膜層、前記第二の基材層の順に積層された積層構造を有するガスバリア性積層フィルムが好ましい。なお、このようなガスバリア性積層フィルムを用いる場合には、有機ＥＬ素子の水蒸気等による劣化をより高度に抑制するとの観点から、前記発光素子部の一方の電極が前記ガスバリア性積層フィルムの前記第一の薄膜層上に積層することが好ましい。以下、このような本発明にかかる透明支持基板１に好適に利用可能な前記ガスバリア性積層フィルムを図２を参照しながら説明する。

　図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルムは、第一の基材層１００（ａ）と、第二の基材層１００（ｂ）と、ガスバリア性を有する第一の薄膜層１０１（ａ）と、ガスバリア性を有する第二の薄膜層１０１（ｂ）と、接着剤層１０２とを備え、かつ前記第一の薄膜層１０１（ａ）、前記第一の基材層１００（ａ）、前記接着剤層１０２、前記第二の薄膜層１０１（ｂ）、前記第二の基材層１００（ｂ）の順に積層された積層構造を有するガスバリア性積層フィルムからなるものである。

　このように、前記ガスバリア性積層フィルムにおいては、第一の基材層１００（ａ）と、第二の基材層１００（ｂ）の２層の基材層を備える。なお、このような基材層の数が１層のみの場合（ガスバリア性積層フィルム中に第一の基材層及び第二の基材層のうちのいずれかが含まれないような構成の場合）には、十分に高度な水準で有機ＥＬ素子の劣化を抑制することが困難となり、基材層の数が２層以上の場合と比較して劣化速度が速くなってしまい、保管寿命が短くなってしまう傾向にある。例えば、図２に示す実施形態において、第二の基材層１００（ｂ）がない場合、仮に第一の基材層にガスバリア性を有する薄膜層を形成後、さらに第一の基材を乾燥させる工程を経たとしても、第一の基材のガスバリア性を有する薄膜層とは反対面が外部に晒された状態となり、その外部に晒されている面から第一の基材中へ水分が浸入し、第一の基材の飽和含水量に達するまでの時間が大幅に増加する傾向にある。したがって、仮に製造時に乾燥工程を実施したとしても、その乾燥の効果がを十分に利用することができなくなってしまう傾向にある。また、第一の基材層１００（ａ）がない場合について検討すると、仮に第二の基材の両面に第二及び第三の薄膜層を形成した場合、薄膜層形成後に第二の基材層を乾燥させる工程を実施しても、基材層は両面がバリア性を発現する薄膜層で挟まれており、第二の基材内部の水分の除去が困難となるため、乾燥の効果を十分に得られなくなる傾向にある。

　このような基材層１００（ａ）及び基材層１００（ｂ）を形成する基材は、それぞれ、同一のものであっても異なるものであってもよく、ガスバリア性積層フィルムを形成するために用いることが可能な公知の基材を適宜利用することができる。このような基材としては、基材の可撓性、光透過性、平坦性、デバイスの軽量化の観点からは、第一の基材層１００（ａ）及び第二の基材層１００（ｂ）のうちの少なくとも１層が有機高分子材料からなることが好ましく、より高度なフレキシブル性（可撓性）が得られ、基材の分断、曲げ等の加工性が向上することから、第一の基材層１００（ａ）及び第二の基材層１００（ｂ）の双方が有機高分子材料からなることが好ましい。

　このような有機高分子材料としては、無色透明な基材として利用可能であるとの観点からは、例えは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール系樹脂；エチレン－酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル系樹脂；アセタール系樹脂；ポリイミド系樹脂等を好適に利用することができる。

　また、このような有機高分子材料としては、炭素、水素以外のヘテロ原子（酸素、窒素など）を含むポリマーからなる高分子材料が好ましい。炭素と水素だけからなる炭化水素ポリマーからなる高分子材料（ポリオレフィン等）は非極性の高分子であり、分子内において分極がほとんどないことから一般的に親水性を十分に発揮させることが困難であるのに対して、ヘテロ原子（酸素、窒素など）を含むポリマーからなる高分子材料は、そのヘテロ原子に起因して分極が現われ易く、一般的に親水性が十分に高いものとなる。ここで、親水性の高い高分子材料は、使用環境下（通常、室温（２５℃程度）でかつ通常の湿度のある条件下）での含水量が高く、乾燥により内部の水分を十分に除去すると効率よく吸湿性を付与することができる。そのため、このような炭素、水素以外のヘテロ原子を含むポリマーからなる高分子材料を基材の材料として用いた場合には、より効率よく高度な吸湿性能を有するガスバリア性積層フィルムを製造することが可能となり、有機ＥＬ素子の基板として用いた場合に、より高度な水蒸気透過防止性能を発揮できる。なお、このような炭素、水素以外のヘテロ原子を含むポリマー中のヘテロ原子としては、基材をガスバリア性積層フィルムに用いた場合に該フィルムに高度な吸湿性能を発揮させることも可能となることから、酸素原子が好ましい。

　さらに、このような有機高分子材料としては、無色透明な基材が得られるとともに、水素以外のヘテロ原子を含むポリマーであって、乾燥等して用いた場合に、より高度な吸湿性能を発揮させることが可能となって、透明支持基板１により高度な水蒸気透過防止性能を発揮させることが可能となるといった観点からは、エステル結合を有するポリエステルが好ましい。また、このようなポリエステルの中でも、基材の透明性やフィルムへの加工性がより高度なものとなるばかりか、強度や耐熱性もより向上するといった観点から、ベンゼン環を有するポリエステル（例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート））を利用することが特に好ましい。

　また、このような基材の厚みとしては特に制限されないが、その基材の表面に薄膜層を直接形成する場合、形成する薄膜層の種類に応じて、その成膜に適した厚みに適宜設定することが好ましい。例えば、このような基材の厚みとしては、基材の表面上に薄膜層を形成する際に、真空中においても基材の搬送が可能であり、真空条件下において、その基材の表面上に薄膜を形成することが可能となることから、５～５００μｍであることが好ましい。また、プラズマＣＶＤ法を採用して薄膜層を形成する場合に、前記基材を通して放電しつつ薄膜層を形成する方法を採用することも可能となるとの観点から、前記基材の厚みは５０～２００μｍであることがより好ましく、５０～１００μｍであることが特に好ましい。

　また、このような基材の厚みは、例えば、基材上に薄膜層を形成した部材同士を貼り合せてガスバリア性積層フィルムを製造する場合においても、その基材の厚みによって貼り合せる工程に特に影響がでるといった性質のものではないため、ガスバリア性積層フィルムの製造方法によらず、薄膜層の成膜が可能な厚みを有するものであれば特に制限なく利用できる。すなわち、このような基材の厚みは、その基材の表面上に薄膜層を形成でき、薄膜層を十分に支持することが可能な厚みを有しているものであればよく、その厚みは適宜設計することができる。

　また、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルムにおいては、第一の薄膜層１０１（ａ）と、第二の薄膜層１０１（ｂ）との２層の薄膜層を備える。なお、このような薄膜層の数が１層のみの場合（ガスバリア性積層フィルム中に第一の薄膜層及び第二の薄膜層のうちのいずれかが含まれないような構成の場合）には、十分に高度な水準で有機ＥＬ素子の劣化を抑制することが困難となり、薄膜層の数が２層以上の場合と比較して劣化速度が速くなってしまい、保管寿命が短くなってしまう傾向にある。例えば、図２に示す実施形態において、第一の薄膜層１０１（ａ）のみが存在するような場合には、仮に第一の基材を乾燥させる工程を経てガスバリア性積層フィルムを製造したとしても、ガスバリア性を有する第一の薄膜層が積層されている面とは反対側の面にバリア層が存在しないので、ガスバリア性を有する薄膜層が積層されている面とは反対側の面から、第一の基材中へ水分が浸入し、基材の飽和含水量に達するまでの時間が大幅に短くなる傾向にある。したがって、仮に製造時に乾燥工程を実施したとしても、その乾燥の効果を十分に利用することができなくなってしまう傾向にある。また、図２に示す実施形態において、第二の薄膜層のみが存在するような場合には、第一の基材上に直接、有機ＥＬが形成されることになり、基材内部の水分が有機ＥＬを直接的に劣化させる傾向にある。

　また、このような第一の薄膜層１０１（ａ）及び第二の薄膜層１０１（ｂ）はいずれもガスバリア性を有する薄膜からなる層（薄膜層）である必要がある。ここにいう「ガスバリア性」とは、下記条件（Ａ）～（Ｃ）：
［条件（Ａ）］
　ＪＩＳ　Ｋ　７１２６（２００６年発行）に準拠した方法で測定された「基材のガス透過度（単位：ｍｏｌ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」と「薄膜層を成膜した基材のガス透過度（単位：ｍｏｌ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」を比較して、「基材のガス透過度」に対して「薄膜層を成膜した基材のガス透過度」の方が２桁以上小さい値（１００分の１以下の値）を示すこと。
［条件（Ｂ）］
　ＪＩＳ　Ｋ　７１２９（２００８年発行）に記載される方法に準拠した方法で測定された「基材の水蒸気透過度（単位：ｇ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」と「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度（単位：ｇ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」を比較して、「基材の水蒸気透過度」に対して「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度」の方が２桁以上小さい値（１００分の１以下の値）を示すこと。
［条件（Ｃ）］
　特開２００５－２８３５６１号公報に記載される方法に準拠した方法で測定された「基材の水蒸気透過度（単位：ｇ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」と「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度（単位：ｇ／ｍ^２・ｓ・Ｐ）」を比較して、「基材の水蒸気透過度」に対して「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度」の方が２桁以上小さい値（１００分の１以下の値）を示すこと。
のうちの少なくとも１つの条件を満たすものであればよい。なお、一般的に、水蒸気バリア性（ガスバリア性）を有する薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度は１０^－２ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下の値を示すことから、上記条件（Ｂ）及び（Ｃ）を検討する場合に、「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度」が１０^－２ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下の値となっていることが好ましい。また、このようなガスバリア性を有する薄膜層としては、上記条件（Ｃ）を満たすものがより好ましい。

　また、このようなガスバリア性を有する薄膜層の１層の厚みは、５～３０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０～２０００ｎｍの範囲であることより好ましく、１００～１０００ｎｍの範囲であることが特に好ましい。前記薄膜層の厚みが前記下限未満では、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が劣る傾向にあり、他方、前記上限を超えると、屈曲によりガスバリア性が低下しやすくなる傾向にある。

　このようなガスバリア性を有する第一及び第二の薄膜層の種類は特に制限されず、公知のガスバリア性を有する薄膜を適宜利用することができ、これらの薄膜層はそれぞれ金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物のうちの少なくとも１種を含む薄膜層であることが好ましい。

　また、第一及び第二の薄膜層は、基材に対して、有機層／無機層／有機層、無機層／有機層／無機層などと積層された多層膜とすることもできる。この場合、無機層は主にガスバリア性を発現する。無機層の組成としては、下記に記載の金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物、珪素酸化物、珪素酸化炭化物であることが好ましい。有機層は基材と無機層の応力を緩和し、あるいは、有機層により基材上面の凹凸、パーティクルなど埋め平滑化する効果がある。さらに、有機層に捕水機能があってもよい。有機層の組成としては。下記に記載の熱硬化性接着剤及び光硬化性接着剤、２液硬化性接着剤等で用いられる有機材料が好ましい。なお、第一の薄膜層１０１（ａ）及び第二の薄膜層１０１（ｂ）の種類はそれぞれ同一のものであっても或いは異なるものであってよい。

　また、このような薄膜層に用いられる金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物は、より薄膜で高い水蒸気透過防止性能を発揮できるといった観点や、透明性等の観点から、スパッタ法、真空蒸着法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、イオンプレーティング法などの方法で成膜されることが好ましい。製造の容易性、低製造コストといった観点から、スパッタ法、ＡＬＤ法がより好ましい。

　また、このような薄膜層としては、より高度な水蒸気透過防止性能を発揮できるといった観点や、耐屈曲性、製造の容易性、低製造コストといった観点から、少なくとも珪素と酸素とを含む薄膜からなる層であることがより好ましい。さらに、前珪素と酸素とを含む薄膜からなる層は、プラズマ化学気相成長法、あるいは、プレカーサーを基材面に形成しプラズマ処理を行う薄膜形成法を用いた薄膜層であることが好ましい。このような薄膜層の中でも、珪素、酸素及び炭素を含有する層であり、かつ、
　該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）～（ｉｉｉ）：
（ｉ）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
（ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、
を全て満たす珪素酸化物系の薄膜層であることが特に好ましい。

　このような珪素酸化物系の薄膜層は、先ず、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、（i）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上（より好ましくは９５％以上、特に好ましくは１００％）の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすことが必要である。珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が前記条件を満たさない場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が不十分となる。

　また、このような珪素酸化物系の薄膜層は、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有することが必要である。このような珪素酸化物系の薄膜層においては、前記炭素分布曲線が少なくとも２つの極値を有することがより好ましく、少なくとも３つの極値を有することが特に好ましい。前記炭素分布曲線が極値を有さない場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。また、このように少なくとも３つの極値を有する場合においては、前記炭素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値における前記薄膜層の膜厚方向における前記薄膜層の表面からの距離の差の絶対値がいずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、ここにいう「極値」とは、珪素酸化物系の薄膜層の膜厚方向における薄膜層の表面からの距離に対する元素の原子比の極大値又は極小値のことをいう。また、本発明において極大値とは、珪素酸化物系の薄膜層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が増加から減少に変わる点であって且つその点の元素の原子比の値よりも、該点から薄膜層の膜厚方向における薄膜層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上減少する点のことをいう。さらに、本発明において極小値とは、珪素酸化物系の薄膜層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が減少から増加に変わる点であり、且つその点の元素の原子比の値よりも、該点から薄膜層の膜厚方向における薄膜層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上増加する点のことをいう。

　また、このような珪素酸化物系の薄膜層は、（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であることが必要である。また、このような薄膜層においては、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。前記絶対値が５ａｔ％未満では、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。

　さらに、前記珪素酸化物系の薄膜層においては、前記酸素分布曲線が少なくとも１つの極値を有することが好ましく、少なくとも２つの極値を有することがより好ましく、少なくとも３つの極値を有することが特に好ましい。前記酸素分布曲線が極値を有さない場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。また、このように少なくとも３つの極値を有する場合においては、前記酸素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値における前記薄膜層の膜厚方向における前記薄膜層の表面からの距離の差の絶対値がいずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。

　また、前記珪素酸化物系の薄膜層においては、該層の前記酸素分布曲線における酸素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であることが好ましく、６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。前記絶対値が前記下限未満では、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。

　前記珪素酸化物系の薄膜層においては、該層の前記珪素分布曲線における珪素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。前記絶対値が前記上限を超えると、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。

　また、前記珪素酸化物系の薄膜層においては、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子及び炭素原子の合計量の比率（酸素及び炭素の原子比）との関係を示す酸素炭素分布曲線において、前記酸素炭素分布曲線における酸素及び炭素の原子比の合計の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。前記絶対値が前記上限を超えると、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。

　前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線及び前記酸素炭素分布曲線は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の測定とアルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるＸＰＳデプスプロファイル測定により作成することができる。このようなＸＰＳデプスプロファイル測定により得られる分布曲線は、例えば、縦軸を各元素の原子比（単位：ａｔ％）とし、横軸をエッチング時間（スパッタ時間）として作成することができる。なお、このように横軸をエッチング時間とする元素の分布曲線においては、エッチング時間は膜厚方向における前記薄膜層の膜厚方向における前記薄膜層の表面からの距離に概ね相関することから、「薄膜層の膜厚方向における薄膜層の表面からの距離」として、ＸＰＳデプスプロファイル測定の際に採用したエッチング速度とエッチング時間との関係から算出される薄膜層の表面からの距離を採用することができる。また、このようなＸＰＳデプスプロファイル測定に際して採用するスパッタ法としては、エッチングイオン種としてアルゴン（Ａｒ^＋）を用いた希ガスイオンスパッタ法を採用し、そのエッチング速度（エッチングレート）を０．０５ｎｍ／ｓｅｃ（ＳｉＯ_２熱酸化膜換算値）とすることが好ましい。

　また、膜面全体において均一で且つ優れたガスバリア性を有する前記珪素酸化物系の薄膜層を形成するという観点から、該層が膜面方向（薄膜層の表面に平行な方向）において実質的に一様であることが好ましい。本明細書において、前記珪素酸化物系の薄膜層が膜面方向において実質的に一様とは、ＸＰＳデプスプロファイル測定により薄膜層の膜面の任意の２箇所の測定箇所について前記酸素分布曲線、前記炭素分布曲線及び前記酸素炭素分布曲線を作成した場合に、その任意の２箇所の測定箇所において得られる炭素分布曲線が持つ極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が、互いに同じであるかもしくは５ａｔ％以内の差であることをいう。

　さらに、前記珪素酸化物系の薄膜層においては、該層の前記炭素分布曲線は実質的に連続であることが好ましい。本明細書において、炭素分布曲線が実質的に連続とは、炭素分布曲線における炭素の原子比が不連続に変化する部分を含まないことを意味し、具体的には、エッチング速度とエッチング時間とから算出される前記薄膜層のうちの少なくとも１層の膜厚方向における該層の表面からの距離（ｘ、単位：ｎｍ）と、炭素の原子比（Ｃ、単位：ａｔ％）との関係において、下記数式（Ｆ１）：
（ｄＣ／ｄｘ）≦　０．５　・・・（Ｆ１）
で表される条件を満たすことをいう。

　また、前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において前記式（１）で表される条件を満たす場合には、該層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５～４５ａｔ％であることが好ましく、３０～４０ａｔ％であることがより好ましい。また、前記珪素酸化物系の薄膜層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、３３～６７ａｔ％であることが好ましく、４５～６７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、前記珪素酸化物系の薄膜層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３～３３ａｔ％であることが好ましく、３～２５ａｔ％であることがより好ましい。

　さらに、前記珪素分布曲線、前記酸素分布曲線及び前記炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において前記式（２）で表される条件を満たす場合には、該層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５～４５ａｔ％であることが好ましく、３０～４０ａｔ％であることがより好ましい。また、前記珪素酸化物系の薄膜層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、１～３３ａｔ％であることが好ましく、１０～２７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、前記珪素酸化物系の薄膜層中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３３～６６ａｔ％であることが好ましく、４０～５７ａｔ％であることがより好ましい。

　また、前記珪素酸化物系の薄膜層は、プラズマ化学気相成長法により形成される層であることが好ましい。このようなプラズマ化学気相成長法により形成される薄膜層としては、前記基材を一対の成膜ロール上に配置し、前記一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させるプラズマ化学気相成長法により形成される層であることがより好ましい。また、このようにして一対の成膜ロール間に放電する際には、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが好ましい。更に、このようなプラズマ化学気相成長法に用いる成膜ガスとしては有機ケイ素化合物と酸素とを含むものが好ましく、その成膜ガス中の酸素の含有量は、前記成膜ガス中の前記有機ケイ素化合物の全量を完全酸化するのに必要な理論酸素量以下であることが好ましい。また、前記薄膜層が連続的な成膜プロセスにより形成された層であることが好ましい。なお、このような珪素酸化物系の薄膜層は、特開２０１１－７３４３０号公報に記載された方法を採用して製造することができる。

　また、第一の薄膜層１０１（ａ）及び第二の薄膜層１０１（ｂ）としては、より高度な水蒸気透過防止性能を発揮することが可能となることから、少なくとも一方が前記珪素酸化物系の薄膜層であることが好ましく、それらのいずれもが前記珪素酸化物系の薄膜層であることがより好ましい。

　さらに、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）においては、接着剤層１０２を備える。このような接着剤層１０２を形成するために用いることが可能な接着剤としては、製造の容易性、低揮発成分の観点から、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、及び２液混合硬化性接着剤等の硬化性接着剤が好ましい。

　このような熱硬化性樹脂接着剤としては特に制限されず、公知の熱硬化性樹脂接着剤を適宜利用できる。このような熱硬化性樹脂接着剤としては、エポキシ系接着剤及びアクリレート系接着剤等を挙げることができる。このようなエポキシ系接着剤としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びフェノキシ樹脂から選ばれるエポキシ化合物を含む接着剤を挙げることができる。また、前記アクリレート系接着剤としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２－ヘキシルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル及びヒドロキシルアクリレートなどから選ばれる主成分としてのモノマーと、該主成分と共重合可能なモノマーとを含む接着剤を挙げることができる。

　また、前記光硬化性接着剤としては、特に制限されず、公知の光硬化性接着剤を適宜利用でき、例えば、ラジカル系接着剤や、カチオン系接着剤等を挙げることができる。このようなラジカル系接着剤としては、例えば、エポキシアクリレート、エステルアクリレート、及びエステルアクリレート等を含む接着剤を挙げることができる。また、前記カチオン系接着剤としては、エポキシ系樹脂、ビニルエーテル系樹脂等を含む接着剤を挙げることができる。

　また、このような接着剤層１０２の中には、更に、水分吸着剤（いわゆる乾燥剤や吸湿剤）、ブルーイング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等が含有されていてもよい。また、積層フィルムが照明用有機ＥＬの基板として使用されるときは、有機ＥＬの発光色と同じ色の染料や顔料を含んでいてもよく、また、混色効果を狙って有機ＥＬの発光色と違う色の染料や顔料を含んでいてもよい。さらに、光の散乱効果や光取り出し効果を持たせるために、接着剤層と屈折率の異なる無機粒子などを含んでいてもよい。

　このような接着剤層１０２としては、接着剤が水分を含む場合に、接着剤層中の水分を低減して接着剤層から発生する水分に基いて性能が低下することを十分に抑制できるとともに、ガスバリア性積層フィルムにより高度な吸湿性能を発揮させることが可能となって、ガスバリア性積層フィルムにより高度な水蒸気透過防止性能を発揮させることも可能となることから、水分吸着剤を含有させることが好ましい。このような水分吸着剤（乾燥剤）としては特に限定されず、例えば、シリカゲル、ゼオライト（モレキュラーシーブ）、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウム等の金属酸化物等や、乾燥した水酸化アルミニウム等の金属水酸化物等が挙げられる。このような水分吸着剤（乾燥剤）の中でも、光透過性が十分に高いこと、等の観点から、酸化カルシウムや乾燥した水酸化アルミニウムが特に好ましい。

　また、このような水分吸着剤（乾燥剤）としては、粒子状のものが好ましい。このような粒子状の水分吸着剤（乾燥剤）としては、平均粒径が０．０１～１０μｍ（より好ましくは０．０１～５μｍ、更に好ましくは０．１～５μｍ）の範囲にあることが好ましい。このような平均粒径が０．０１μｍ未満では、一次粒子が凝集し易くなる傾向にあり、大きな凝集粒子（２次粒子）が形成されてしまう傾向にあるばかりか、吸湿力が強すぎて、接着剤層に入ったときには、既に吸湿が終わって吸湿能力を示さなくなってしまう傾向にある。他方、前記平均粒子径が１０μｍを超えると、フィルム状にした際に平滑な層とすることが困難となるとともに、十分な吸湿能力が得られなくなる傾向にある。

　さらに、このような水分吸着剤（乾燥剤）の含有量は特に制限されるものではないが、接着剤中に５～５０質量％（より好ましくは１０～３０質量％）の割合で含有することが好ましい。このような吸収剤（乾燥剤）の含有量が前記下限未満では、接着剤に内在する水分を吸収してしまい水分給水能力が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、光透過性が減少し有機ＥＬの発光層からの光取り出しが低下する傾向にある。

　また、このような接着剤層１０２においては、有機ＥＬ素子の用途に応じて、例えば、ブルーイング剤を含有させることが好ましい。このようなブルーイング剤としては特に制限されず、公知のブルーイング剤を適宜利用することができ、例えば、バイエル社のマクロレックスバイオレットＢおよびマクロレックスブルーＲＲや、サンド社のテラゾールブルーＲＬＳおよびトリアゾールブルーＲＬＳ等を好適に利用することができる。また、例えば、カラーインデックス分類によるソルベントバイオレット－３、ソルベントブルー－９４、ソルベントブルー－７８、ソルベントブルー－９５、ソルベントバイオレット－１３等を用いることもできる。

　また、このような接着剤層１０２の厚さは特に制限されるものではないが、接着剤に粉末などの固形分（例えば、前述の水分吸着剤（乾燥剤）や屈折率調整粒子等）を入れる場合であって、該粉末を構成する粒子（粉末粒子）に凝集が生じないような場合には、その粉末粒子の１次粒子径の最大径程度の厚みとすることが好ましく、この場合には、通常、１～２０μｍの厚みとすることがより好ましい。他方、粉末粒子に凝集が生じるような場合には、その粉末粒子の２次粒子径の最大径程度の厚みとすることが好ましく、この場合には、通常、５～５０μｍの厚みとすることがより好ましい。また、接着剤に粉末等の固形分を入れない場合であって、接着剤を塗布及び乾燥して接着剤層１０２を形成する場合、接着剤層１０２の厚さは、接着強度や加工性の観点から、０．２～３０μｍであることが好ましく、０．５～１０μｍであることがより好ましい。また、フィルム状の接着剤（接着性フィルム）を使用して、これを接着剤層１０２とする場合は、加工性の観点から、接着剤層１０２の厚さは１～１００μｍであることが好ましく、５～５０μｍであることがより好ましい。

　また、このような接着剤層を形成する際にフィルム状に加工した接着剤（シート状のもの）を利用することができる。この場合においては、かかる接着剤のフィルムの水蒸気透過率がフィルム厚み１００μｍ、６０℃、９０％ＲＨの環境において１００ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下（より好ましくは３０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下）であり、かつ、光透過率が７０％以上（より好ましくは８０％以上）であることが好ましい。このような水蒸気透過率が前記上限を超えるとガスバリア性積層フィルム端部の接着剤部分が露出している箇所からの水分浸入が増加し、第一の基材の飽和含水量に達するまでの時間が短時間となり、結果として有機ＥＬの保管寿命が短くなってしまう傾向にある。また、前記光透過率が前記下限未満では内部の光が十分に外部に出射できず、有機ＥＬの低発光効率化を引き起こす傾向にある。なお、このような水蒸気透過率は、例えば、カルシウム－光透過法（Ｃａ金属が水分を吸収すると酸化カルシウム、水酸化カルシウム等に変化し、光の透過性が変化する。）、あるいは、ＭＯＣＯＮ水蒸気透過率測定装置、等により測定した値を採用できる。また、前記光透過率は例えばＦｉｌｍ－Ｔｅｋ社（米国）の光学式薄膜測定システム装置、等により測定できる。

　また、接着剤層は、第一の基材層１００（ａ）の光屈折率と、前記接着剤層の光屈折率との比（［第一の基材層１００（ａ）の光屈折率］／［接着剤層の光屈折率］）が０．８８～１．１８（より好ましくは１．０１～１．１１）となるような層であることが好ましい。このような光屈折率の比が前記下限未満では接着剤層の屈折率を更に大きくする必要があり、第二の薄膜層よりも接着剤層の屈折率が大きいと外部への出射光が減少する傾向にあり、他方、前記上限を超えると第一の基材と接着剤層の界面で光の屈折が大きくなり発光層からの光の外部への出射が減少する傾向にある。なお、このような光屈折率は、例えば、Ｆｉｌｍ－Ｔｅｋ社（米国）の光学式薄膜測定システム装置、あるいは、汎用のエリプソメーター、等により測定することができる。

　また、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）は、薄膜層１０１（ａ）、基材層１００（ａ）、接着剤層１０２、薄膜層１０１（ｂ）、基材層１００（ｂ）の順に積層された積層構造を有する。このような積層構造により、薄膜層の表面上に直接、後述の発光素子部を積層させて、該薄膜層により素子内部への水蒸気の侵入を高度に抑制することが可能となる。

　このようなガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）は、その全体の厚みが５０～３００μｍであることが好ましく、１００～２５００μｍであることがより好ましい。このようなフィルムの厚みが前記下限未満ではガスバリア性積層フィルムを長尺基材とする場合、有機ＥＬ素子の製造工程においてフィルムにシワやヨレが発生しやすくなり、フィルムをコントロールすることが困難となる傾向にあり、他方、前記上限を超えて基材層の厚みが厚くなった場合には、フィルムによる光吸収量が増加するため、発光層から外部への光出射が減少してしまう傾向にある。また、前記上限を超えてガスバリア性積層フィルムの厚みが厚くなった場合には、ガスバリア性積層フィルムの表面と平行な方向（端部側：端部の面と垂直な方向）から、基材層へ水蒸気が浸入しやすくなり、例えば、ガスバリア性積層フィルムの製造時に乾燥状態の基材等を利用しているような場合には、基材の乾燥状態を十分に長期間保持することが困難となる傾向にある。

　また、このようなガスバリア性積層フィルムは、自重（そのガスバリア性積層フィルム自体の質量）の０．１質量％以上（より好ましくは自重の０．２質量％以上）の水を吸収する吸湿性能を有することが好ましい。このような吸湿性能が前記下限未満では、ガスバリア性積層フィルムに更に高度な透湿防止性能を発揮させることが困難となる傾向にある。ガスバリア性積層フィルムの吸湿性能は、乾燥時に基材にかかる負荷、乾燥にかかる時間、吸湿剤増量に伴う接着層の接着性の低下などの観点から、自重の５質量％以下であることが好ましい。この吸湿性能は、より好ましくは自重の３質量％以下であり、さらに好ましくは自重の２質量％以下である。

　なお、このようなガスバリア性積層フィルムの吸湿性能は以下のようにして測定することができる。すなわち、先ず、ガスバリア性積層フィルムの吸湿性能の測定用に、縦、横の長さがともに５０ｍｍ（５０ｍｍ角）のガスバリア性積層フィルム（５０ｍｍ角のフィルム）を準備する。次に、５０ｍｍ角のフィルムを１ｍｍごとに短冊状にカットして、縦５０ｍｍ、横１ｍｍの短冊状の試料を準備する。次いで、恒温室内において、大気中、室温（２５℃）で、縦５０ｍｍ、横１ｍｍの大きさの短冊状の試料（５０個）の質量（単位：ｇ）を小数点４桁まで正確に秤量する。このときの質量を前述のフィルムの自重（Ｗ１：使用前の初期質量）とする。次いで、恒温恒湿雰囲気（２５℃、湿度５０％、重量絶対湿度１０ｇ／ｋｇ）下に該試料５０個を静置し、２４時間ごとに、その試料の質量を小数点４桁まで正確に秤量する。このような秤量を試料（５０個）の質量が一定になるまで行い、一定の値となった時の質量をＷｎとする。このようにして求められたＷｎとＷ１との値に基づいて、下記式：
　　［吸湿量の割合Ｂｎ］＝｛（Ｗｎ－Ｗ１）／Ｗ１｝×１００
を計算することにより求められる値を、本発明においては、ガスバリア性積層フィルムの吸湿性能として採用する。

　なお、このような吸湿性能は、基本的に、ガスバリア性を有する第一及び第二の薄膜層の間に配置されている基材層の吸湿性に基づいて発揮される性能であるため、第一及び第二の薄膜層の間に配置されている基材層により十分な吸湿が可能となるように、基材層を、水素以外のヘテロ原子を含むポリマー（より好ましくはエステル結合を有するポリエステル、更に好ましくはＰＥＴ、ＰＥＮ）からなる基材からなる層とし、且つ、ガスバリア性積層フィルムの製造時に十分に乾燥された状態の基材が第一及び第二の薄膜層の間に配置されるようにしてガスバリア性積層フィルムを製造することが好ましい。

　また、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）においては、該フィルムの全体の厚さに対する、フィルム中に存在する全基材層の厚さの合計値の割合（｛［全基材層の厚さの合計値］／［ガスバリア性積層フィルムの全体の厚さ］｝×１００）は９０％以上あることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。このような割合が前記下限未満ではフレキシブル性が低下する、或いは、基材上に形成された薄膜層の応力により基材が変形し、生産性が低下する傾向にある。

　さらに、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）中に存在する全基材層の厚さに対する、第一の薄膜層と第二の薄膜層との間に存在する全基材層の厚みの合計値の割合（｛［第一の薄膜層と第二の薄膜層との間に存在する全基材層の厚さの合計値］／［ガスバリア性積層フィルム中に存在する全基材層の厚さ］｝×１００）は、５０％以上であることが好ましく、特に９０％以上あることがより好ましい。このような薄膜層間の基材層の厚みの割合が前記下限未満では、基材を乾燥して用いて吸湿性能を発揮させる場合に十分に高度な吸湿性能を発揮させることが困難となる傾向にある傾向にある。

　また、図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）の全体の厚さに対する、第一の薄膜層と第二の薄膜層との間に存在する基材層の厚みの割合（｛［第一の薄膜層と第二の薄膜層との間に存在する基材層の厚さ］／［ガスバリア性積層フィルムの全体の厚さ］｝×１００）は、５０％以上であることが好ましく、特に９０％以上あることがより好ましい。このような薄膜層間の基材層の厚みの割合が前記下限未満では、有機ＥＬ素子が形成される第一のフィルム部材の機械的強度が低下し、例えば、連続工程において第一の基材が破壊される可能性が増大する傾向にあるとともに、基材を乾燥して用いて吸湿性能を発揮させる場合に十分に高度な吸湿性能を発揮させることが困難となる傾向にある。

　また、前記ガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）においては、有機ＥＬデバイス照明およびディスプレイに利用する場合においては、黄色度ＹＩがより低い値となることが好ましく、１０以下であることがより好ましく、５以下であることが更に好ましい。このような黄色度ＹＩは、測定装置として３刺激値ＸＹＸを算出できる分光光度用いて、ＪＩＳ　Ｋ　７３７３：２００６に準拠することにより測定することができる。

　また、前記ガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）においては、有機ＥＬデバイス照明およびディスプレイに利用する場合、全光線透過率がより高いものが好ましい。このような観点からは、前記ガスバリア性積層フィルムの全光線透過率が８０％以上であることがより好ましく、８５％以上が更に好ましい。なお、このような全光線透過率は、測定装置として積分球を有する透過測定装置を用いて、ＪＩＳ　Ｋ７３７５：２００８に準拠することにより測定することができる。

　さらに、前記ガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）においては、画像表示装置用の有機ＥＬ素子の基板に用いる場合、ヘイズがより低いものが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。一方、照明用の有機ＥＬ素子用の基板に使用する場合においては、その用途からヘイズはあまり気にならないばかりか、有機ＥＬの発光面が濃淡や斑が生じるような状態で不均一に発光するような場合にヘイズが高い方が却って不均一な発光をぼかしてくれるため、かかる観点からは、ヘイズが高いものを好適に利用することもできる。このように、前記ガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）は、有機ＥＬ素子の用途に応じて、その特性を好適な設計となるように適宜変更しながら使用することができる。

　図２に示すガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）を製造するために好適に利用することが可能な方法としては、例えば、第一の基材層及び前記第一の基材層の少なくとも一方の表面上に形成されたガスバリア性を有する第一の薄膜層を備える第一のフィルム部材と、第二の基材層及び前記第二の基材層の少なくとも一方の表面上に形成されたガスバリア性を有する第二の薄膜層を備える第二のフィルム部材とを準備する工程（工程（Ａ））と、
　前記第一のフィルム部材の基材層の表面上に第二のフィルム部材中の第二の薄膜層が積層するように接着剤を用いて貼り合せることによりガスバリア性積層フィルムを得る工程（工程（Ｂ））と、
を含む方法を採用することが好ましい。以下、これらの工程（Ａ）及び（Ｂ）を分けて説明する。

　（工程（Ａ））
　工程（Ａ）は、前記第一及び第二のフィルム部材を準備する工程である。このような第一及び第二のフィルム部材を準備する方法は特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができる。例えば、基材上の少なくとも一方の表面上にガスバリア性を有する薄膜層を形成して、基材層と薄膜層とを備えるフィルム部材（第一及び第二のフィルム部材）を製造することが可能な方法を適宜採用することにより準備してもよく、また、市販の基材層とガスバリア性を有する薄膜層とを備えるフィルム部材（積層体）により、フィルム部材（第一及び第二のフィルム部材）を準備してもよい。また、前記薄膜層を基材上に形成する場合、そのような薄膜層の成膜が可能な公知の方法を適宜採用することができるが、ガスバリア性の観点から、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ）を採用することが好ましい。なお、前記プラズマ化学気相成長法はペニング放電プラズマ方式のプラズマ化学気相成長法であってもよい。また、このような前記薄膜層を基材上に形成する方法としては、特開２０１１－７３４３０号公報に記載された方法を採用することが好ましく、これにより前述の珪素酸化物系の薄膜層を、基材上に効率よく形成することができる。

　（工程（Ｂ））
　工程（Ｂ）は、前記第一のフィルム部材の基材層の表面上に第二のフィルム部材中の第二の薄膜層が積層するように接着剤を用いて貼り合せることによりガスバリア性積層フィルムを得る工程である。

　このようにして、前記第一のフィルム部材の基材層の表面上に第二のフィルム部材中の第二の薄膜層が積層するように接着剤を用いて貼り合せることで、積層後のフィルムを、前記第一の薄膜層、前記第一の基材層、接着剤層、前記第二の薄膜層、前記第二の基材層の順に積層する積層構造を有するものとすることが可能である。

　このようにして第一及び第二のフィルム部材を接着剤を用いて貼り合せる方法は特に制限されず、接着剤を用いてフィルム部材を貼り合せることが可能な公知の方法を適宜採用することができ、例えば、第一及び第二のフィルム部材の間に融点の低い接着剤からなるシートを挟んで積層し、該シートを熱で溶かして貼り合せる方法、接着面に接着剤を塗布して第一及び第二のフィルム部材を貼り合せる方法等を適宜利用することができる。なお、これらの方法において採用することが可能な温度条件等についても特に制限されず、第一及び第二のフィルム部材の種類や接着剤の種類等に応じて適宜最適な条件を採用すればよい。また、このような接着剤には、より高度な吸湿性能を発揮させることが可能となることから、水分吸着剤を更に含有させることが好ましい。なお、接着剤の塗布方法や塗布厚み等も特に制限されず、前述のような接着剤からなる層を製造することが可能となるように、公知の塗布方法（例えば、ドクターブレード、ワイヤーバー、ダイコーター、カンマコーター、グラビアコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の方式の塗布方法）の中から、最適な方法やその条件を適宜採用すればよい。

　また、このようにして前記第一のフィルム部材と前記第二のフィルム部材とを貼り合せる場合には、予め、少なくとも前記第一のフィルム部材（一方のフィルム部材）を乾燥する工程を施すことが好ましい。このような条件を満たすようにして前記第一のフィルム部材と前記第二のフィルム部材とを貼り合せることで、十分な吸湿性能（好ましくは自重の０．１質量％以上の重さの水を吸収する吸湿性能）を有するガスバリア性積層フィルムをより効率よく製造することも可能となる。

　このようなフィルム部材を乾燥する工程として採用することが可能な方法（乾燥方法）は特に制限されず、このようなフィルム部材を乾燥させることが可能な公知の方法を適宜採用することができ、例えば、真空乾燥、加熱乾燥、真空加熱乾燥等を適宜採用することができる。このような乾燥方法としては、中でも、乾燥速度の観点から、真空乾燥と加熱乾燥を組み合わせた真空加熱乾燥を採用することが最も好ましい。また、このような真空乾燥、加熱乾燥又は真空加熱乾燥により乾燥する場合の条件（加熱条件や圧力条件等）はフィルム部材を乾燥させることが可能な条件に適宜設定すればよく、特に制限されるものではない。なお、このような乾燥方法が加熱工程を含む場合には、より効率よくフィルム部材を乾燥することが可能となることから、加熱温度を５０℃以上とすることが好ましく、１００℃以上とすることが特に好ましい。また、このような乾燥方法が加熱しながら乾燥する工程である場合（例えば加熱乾燥又は真空加熱乾燥を採用する場合）において、加熱温度の上限は、基材の種類等に応じて適宜設定すればよく、特に制限されるものではないが、高温による基材の変形をより十分に防止するといった観点から、２００℃以下とすることが好ましく、１５０℃以下とすることがより好ましい。

　また、このような乾燥方法が真空条件下で乾燥する方法である場合（例えば真空乾燥や真空加熱乾燥を採用する場合）においては、その圧力条件は大気圧の７６０ｍｍＨｇ（１０１３２５Ｐａ）より低い圧力にすればよく、特に制限されるものではないが、７６ｍｍＨｇ（１０１３２．５Ｐａ）より低い圧力とすることが好ましく、７．６ｍｍＨｇ（１０１３．２５Ｐａ）より低い圧力とすることがより好ましい。なお、本明細書においては、「真空乾燥」は、大気圧の７６０ｍｍＨｇ（１０１３２５Ｐａ）より低い圧力に減圧して行う乾燥であればよい。

　また、このような乾燥方法を採用する場合に、フィルム部材の乾燥時間は特に制限されず、採用する条件に応じて、フィルム部材が十分に乾燥するように、その実施時間（乾燥時間）を適宜変更すればよく、例えば、前述の加熱温度の条件及び圧力条件（真空条件）を採用して乾燥する場合（真空加熱乾燥する場合）には、より十分に乾燥状態とするといった観点から、乾燥時間を３時間（１８０分）以上とすることが好ましく、６時間（３６０分）以上とすることがより好ましい。なお、このような乾燥時間は、基材の厚みや種類等に応じて適宜設定すればよい。

　また、前記乾燥工程を施して少なくとも第一のフィルム部材を乾燥した場合には、前記乾燥後のフィルム部材が、重量絶対湿度が１０ｇ／ｋｇ以上となる雰囲気下に曝される時間が１時間未満となるようにしながら第一及び第二のフィルム部材を貼り合せることが好ましい。

　また、前記第一のフィルム部材と前記第二のフィルム部材とを貼り合せる際には、前記水分吸着剤を含む接着剤を用いて貼り合せることが好ましい。このようにして、水分吸着剤を含む接着剤を用いて貼り合せる場合には、基本的に、薄膜層間に、基材層とともに水分吸着剤を備える接着剤層も存在することとなる。このように薄膜層間に水分吸着剤を含む接着剤層が積層されると、接着剤層中の水分吸着剤により、第一及び第二の薄膜層の間に配置された前記第一の基材層を乾燥させることが可能となる。そのため、このようにして得られるガスバリア性積層フィルムにおいては、薄膜層間に存在する基材層を接着後に乾燥させることもでき、かかる基材層に吸湿性能を発揮させることが可能となる。また、このようにして得られるガスバリア性積層フィルムにおいては、薄膜層間に、水分吸着剤を含む接着剤層を含むことから、該接着剤層中の水分吸着剤自体によっても吸湿性能を発揮させることも可能となる。そのため、前記水分吸着剤を含む接着剤を用いて前記第一のフィルム部材と前記第二のフィルム部材を貼り合せることによっても、十分な吸湿性能（好ましくは自重の０．１質量％以上の重さの水を吸収する吸湿性能）を有するガスバリア性積層フィルムをより効率よく形成することが可能となる。なお、このようにして、前記水分吸着剤を含む接着剤を用いて前記第一のフィルム部材と前記第二のフィルム部材貼り合せる場合には、前記第一及び第二のフィルム部材を貼り合せる前に、少なくとも前記第一フィルム部材を乾燥する工程を含んでいても、含んでいなくてもよいが、より高度な吸湿性能を発現させることが可能となり、ガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）に更に高度な水蒸気透過防止性能を発現させることが可能となるとの観点から、乾燥工程を含むことが好ましい。

　なお、このような前記第一及び第二のフィルム部材を貼り合せる工程においては、２０～１５０℃の温度条件下において、前記第一及び第二のフィルム部材を貼り合せることが好ましい。このような温度が前記上限を超えると基材が変形等のダメージを受ける傾向にあり、他方前記下限未満では接着剤と基材、或いは、薄膜層との密着性が低下し、界面からの水蒸気浸入が起こる可能が増加する傾向にある。

　このようにして、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を施すことで、本発明に好適に利用することが可能な図２に示す実施形態のガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）を得ることができる。

　なお、本明細書において、「第一」、「第二」等の表現は、２つ以上の同一又は相当する要素（例えば基材層や薄膜層、フィルム部材等）を説明する上で便宜上利用するものであり、その番号や説明の順序には特別な意味はなく（番号による優劣はなく）、これらの要素はそれぞれ同一のものであっても、あるいは、異なるものであってもよい。

　また、工程（Ｂ）は、後述する、前記第一のフィルム部材の第一の薄膜層上へ発光素子部２を形成した後に実施してもよいし、あるいは、発光素子部２を形成する前に工程（Ｂ）を実施し、その後、発光素子部２を形成してもよい。また、工程（Ｂ）における前記第一のフィルム部材の基材層の乾燥工程を行った後、発光素子部２を形成してもよいし、あるいは、発光素子部２を形成した後に前記乾燥工程を行ってもよい。

　［発光素子部２］
　発光素子部２は、一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備えるものである。このような発光素子部２を構成する一対の電極（第一電極２０１、第二電極２０３）及び該電極間に配置されている発光層２０２としては、特に制限されず、公知の有機ＥＬ素子に利用されている電極や発光層を適宜利用することができる。例えば、光の取り出し面側の電極を透明又は半透明として、発光層に低分子及び／又は高分子の有機発光材料を用いること等が挙げられる。以下、このような第一電極２０１、発光層２０２、第二電極２０３について分けて説明する。

　（第一電極２０１）
　第一電極２０１は、陽極および陰極のうちの一方の電極である。図１に示す実施形態の発光素子部２において、第一電極２０１は、素子部２の外部に発光層２０２から放射される光を出射することを可能とすべく、光透過性を示す電極（透明又は半透明の電極）を用いる。このような図１に示す実施形態においては、光透過性を示す第一電極２０１を陽極として利用する。

　このような光透過性を示す第一電極２０１（陽極）としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率がより高いものが好適に用いられる。このような金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜からなる電極としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅等から成る薄膜が挙げられる。このような金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜がより好ましい。このような金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を製造する方法としては、特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等を採用することができる。

　また、このような第一電極２０１としては、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。また、このような第一電極２０１としては、光透過性を有する樹脂と、該光透過性を有する樹脂中に配置された導電性を有するワイヤ状の導電体とからなる膜状の電極（Ａ）であってもよい。このような光透過性を有する樹脂としては、光透過率がより高いものが好ましく、例えば、低密度または高密度のポリエチレン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、エチレン－オクテン共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体、エチレン－ジメタノ－オクタヒドロナフタレン共重合体、ポリプロピレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂；ナイロン－６、ナイロン－６，６、メタキシレンジアミン－アジピン酸縮重合体；ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂；ポリスチレン、スチレン－アクリロニトリル共重合体、スチレン－アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン－アクリロニトリル系樹脂；トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂；ポリビニルアルコール、エチレン－ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂；ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などがあげられる。なお、このような第一電極２０１を構成する樹脂が、陽極上に有機層を塗布法などにより製造する場合に、塗液中に該樹脂がより溶解し難くなるといった観点からは、かかる樹脂として熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、フォトレジスト材料が好適に用いられる。

　また、前記ワイヤ状の導電体は、径の小さいものが好ましい。ワイヤ状の導電体の径は、４００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。このようなワイヤ状の導電体は、第一電極２０１を通る光を回折または散乱するので、第一電極２０１のヘイズ値を高めるとともに光の透過率を低下させるが、可視光の波長程度又は可視光の波長よりも小さい径のワイヤ状の導電体を用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率を向上させることができる。また、ワイヤ状の導電体の径は、小さすぎると、抵抗が高くなるため、１０ｎｍ以上が好ましい。なお、有機ＥＬ素子を照明装置に用いる場合には、第一電極２０１のヘイズ値はある程度高い方が広い範囲を照らすことができるので、ヘイズ値の高い第一電極２０１が好適に用いられる場合もある。このように、第一電極２０１の光学的特性は、有機ＥＬ素子が用いられる装置に応じて適宜設定することができる。

　また、このような膜状の電極（Ａ）に含まれるワイヤ状の導電体は、１本であっても、あるいは、複数本であってもよい。このようなワイヤ状の導電体は、電極（Ａ）中において、網目構造を形成していることが好ましい。すなわち、電極（Ａ）中において、１つまたは複数本のワイヤ状の導電体は、樹脂中の全体に渡って複雑に絡み合うように配置されて網目構造（１本のワイヤ状の導電体が複雑に絡み合ったり、複数本のワイヤ状の導電体が互いに接触し合って配置されて、２次元的又は３次元的に広がって形成される網目状の構造）を形成していることが好ましい。更に、このようなワイヤ状の導電体は、例えば曲線状でも、針状でもよい。曲線状及び／又は針状の導電体が互いに接触し合って網目構造を形成することによって、体積抵抗率の低い第一電極２０１を実現することができる。この網目構造は規則的であっても、規則的でなくてもよい。網目構造を形成するワイヤ状の導電体によって、第一電極２０１の体積抵抗率を下げることも可能である。

　ワイヤ状の導電体は、少なくとも一部が第一電極２０１が配置されている透明支持基１とは反対側の表面（本実施形態では発光層２０２側の表面）の近傍に配置されることが好ましい。このようにワイヤ状の導電体を配置することによって、第一電極２０１の表面部の抵抗を下げることができる。なお、このようなワイヤ状の導電体の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌおよびこれらの合金などの抵抗の低い金属が好適に用いられる。ワイヤ状の導電体は、例えば、Ｎ．Ｒ．Ｊａｎａ，　Ｌ．Ｇｅａｒｈｅａｒｔ　ａｎｄ　Ｃ．Ｊ．Ｍｕｒｐｈｙによる方法（Ｃｈｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２００１，　ｐ６１７－ｐ６１８）や、Ｃ．Ｄｕｃａｍｐ－Ｓａｎｇｕｅｓａ，　Ｒ．Ｈｅｒｒｅｒａ－Ｕｒｂｉｎａ，　ａｎｄ　Ｍ．Ｆｉｇｌａｒｚ等による方法（Ｊ．　Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．１００，　１９９２，　ｐ２７２～ｐ２８０）によって製造することができる。また、このような電極（Ａ）としては、特開２０１０－１９２４７２号公報に記載の電極と同様の構成としてもよく、その製造方法も特開２０１０－１９２４７２号公報の記載の方法を採用することができる。

　また、このような第一電極２０１（陽極）の膜厚は、要求される特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、例えば１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

　（発光層２０２）
　発光層２０２としては、有機ＥＬ素子の発光層（発光する機能を有する層）に利用できる公知の材料からなる層とすればよく、その材料等は特に制限されないが、有機材料からなる発光層であることが好ましい。このような、有機材料からなる発光層としては特に制限されないが、例えば、発光性材料としての蛍光又はりん光を発光する有機物（低分子化合物および高分子化合物）と、これを補助するドーパントとから形成される層とすることが好ましい。なお、ここにいう高分子化合物とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０^３以上のものである。なお、このような数平均分子量の上限を規定する理由は特にないが、ポリスチレン換算の数平均分子量の上限は通常、１０^８以下であることが好ましい。

　このような発光性材料（蛍光又はりん光を発光する有機物）としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料などが挙げられる。このような色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。

　また、前記金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。

　さらに、前記高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。

　このような発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。

　また、緑色に発光する発光性材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。

　また、赤色に発光する発光性材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。

　なお、このような発光性材料の製造方法は特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができ、例えば、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法を採用してもよい。

　また、発光層２０２においては、発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することが好ましい。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約２０～２０００Åであることが好ましい。

　このような発光層２０２の形成方法は特に制限されず、公知の方法を適宜採用することができる。このような発光層２０２の形成方法の中でも、塗布法によって形成することが好ましい。前記塗布法は、製造プロセスを簡略化できる点、生産性が優れている点で好ましい。このような塗布法としてはキャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等が挙げられる。前記塗布法を用いて発光層を形成する場合、まず発光体と溶媒とを含有する溶液状態の組成物を塗布液として調製し、この塗布液を前述した所定の塗布法によって所望の層又は電極上に塗布し、さらにこれを乾燥することにより、所望の膜厚の発光層を形成することができる。

　（第二電極２０３）
　第二電極２０３は、第一電極２０１とは反対の極性を有する電極であり、第一電極２０１に対向して配置されるものである。なお、図１に示す実施形態において、第２電極は陰極である。

　このような第二電極２０３（陰極）の材料としては、特に制限されず、公知の材料を適宜利用することができ、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料を利用することが好ましい。また、図１に示す実施形態のように、陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子においては、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射して、より効率よく光を取出すといった観点から、第二電極２０３（陰極）の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。

　このような第二電極２０３（陰極）の材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。より具体的には、第二電極２０３（陰極）の材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等を好適に利用できる。このような合金の例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金などを挙げることができる。

　また、第二電極２０３（陰極）としては導電性金属酸化物及び導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることもできる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、第二電極２０３（陰極）は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。また、いわゆる電子注入層を陰極として用いてもよい。

　このような第二電極２０３（陰極）の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設計でき、特に制限されるものではないが、好ましくは１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。このような第二電極２０３（陰極）の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。

　なお、図１に示す実施形態においては、第二電極２０３（陰極）は、外部と電気的に接続が可能となるような接続部（取り出し電極２０３（ａ））と電気的に接続されている。ここにおいて、図１に示す実施形態においては、取り出し電極２０３（ａ）は、第一電極２０１と同じ材料で形成されている。このような取り出し電極２０３（ａ）は、公知の方法で、適宜、製造及び設計することができ、例えば、第一電極２０１を形成するときに、取り出し電極２０３（ａ）の部分を併せてパターン成膜することで形成する等して、容易に製造することができる。

　［封止材層３］
　封止材層３は、発光素子部２を覆って封止するように透明支持基板上１に配置されている。このような封止材層３は、発光素子部２を封止するようにして、透明支持基板１上に配置される層であり、公知の封止材（例えば、水蒸気透過性が十分に低い接着材のシート等）からなる層を適宜利用することができる。すなわち、このような封止材層３は、透明支持基板１上において発光素子部２の周囲を覆うようにして、発光素子が外気と接触することのないように封止する層である。なお、このような封止に際しては、発光素子として機能させるために、一対の電極を外部と電気的に接続するための接続部［例えば、接続配線やいわゆる取り出し電極の部分（図１に示す実施形態においては、第二電極２０３と接続された２０３（ａ）で示す部分並びに第一電極２０１の外気と接触可能となっている部分（外部に引き出されている第一電極の一部分）が相当する。）］は除いて封止する。

　このような封止材層３を形成する封止材としては、接着性、耐熱性、水分、酸素等に対するバリア性を考慮して、従来公知の任意好適な材料を用いて適宜形成することができ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂等の他、前記接着剤層を形成するために用いることが可能な接着剤として説明したものと同様の材料、等を適宜利用することができる。なお、このような封止材層３を形成するためにシート状の封止材を利用してもよい。このようなシート状の封止材は公知の方法で適宜成形することにより形成することができる。

　また、このような封止材層３の厚み（ｔ）は、発光素子部２を封止することが可能となるように、発光素子部２を覆うことが可能な厚みを有していればよく（発光素子部２の透明支持基板１の表面からの高さよりも大きな値を有していればよく）、特に制限されないが、５～１２０μｍとすることが好ましく、５～６０μｍとすることがより好ましく、１０～６０μｍとすることが更に好ましく、１０～４０μｍとすることが特に好ましい。このような封止材層の厚みｔ（透明支持基板１と封止基板４との間の距離）が前記下限未満では屈曲時に第二電極２０３と封止基板４とが容易に接触して、ショートを十分に抑制できないばかりか、発光品位が低下し易くなる傾向にあり、また、屈曲時に封止基板４表面の凹凸により第二電極２０３に圧力がかかり押され、第一電極２０１が接触することでショートしてしまう傾向にある。他方、前記上限を超えると封止材層の外気と接触する表面が増大して、封止材層の横方向（厚み方向に対して垂直な方向：透明支持基板１の表面に対して平行な方向）からの水蒸気の進入量が多くなり、有機ＥＬ素子の保管寿命が低下してしまう傾向にある。なお、このような封止材層３を発光素子部２に対して封止するように配置する方法は後述する。

　［封止基板４］
　封止基板４は、封止材層３上に配置されている。なお、封止材層３は発光素子部２を覆うように配置されているため、発光素子部２と封止基板４との間には、発光素子部２及び封止材層３が存在することとなる。このように、封止基板４は、透明支持基板１と封止基板４との間に発光素子部２及び封止材層３が介在するように、封止材層３上に配置されている。このような封止基板４は、封止材層３の透明支持基板１と接する面とは反対側の面の表面（封止基板４と接触している面）から、発光素子部２の内部に水蒸気や酸素などが浸入することをより効率よく抑制するとの観点や放熱性を向上させるとの観点から用いられるものである。

　このような封止基板４は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さＲａを基準として、封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面Ｓ２の表面粗さ（外側の表面粗さ）よりも小さな値となるようにして利用する。このような封止基板４の表面Ｓ１の算術平均粗さＲａが、封止基板のもう一方の表面Ｓ２の算術平均粗さＲａよりも大きな値となると、有機ＥＬ素子を屈曲させた場合に、封止基板４の表面Ｓ１上の凹凸形状（表面の粗さにより存在する凹凸の形状）により発光素子部に傷がつくなどして、ショートし易くなる。そのため、封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１の算術平均粗さＲａが、該封止基板のもう一方の表面Ｓ２の算術平均粗さＲａよりも小さな値となるようにして封止基板４を利用する。なお、このような封止基板４の表面粗さを平滑にする処理を施すことも考慮されるが、そのような平滑処理（例えば研磨や表面処理等）を施すとコストが嵩み、有機ＥＬ素子の製造時の経済性が低下し、大量生産が困難となるばかりか、表面を平滑にし過ぎると封止材層３との密着性が低下して剥がれ易くなり、有機ＥＬ素子を長期に亘って使用することが困難となる。また、封止基板４の表面が平滑になると放射率が低下して放熱が困難となる傾向にもある。なお、本発明においては、封止基板４の表面に平滑処理を施すことは必ずしも必要ではないことから、有機ＥＬ素子の生産性を十分に高いものとすることも可能である。

　また、本発明においては、封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１の算術平均粗さと、封止材層３の厚みとが、下記式（Ｉ）：
　　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］
に示す条件を満たす必要がある。このような算術平均粗さＲａと封止材層３の厚みｔとの比（Ｒａ／ｔ）が０．００２以下では、封止基板４の封止材層３側の表面が平滑になりすぎ封止材層３との密着性が低下し、剥がれやすくなるとともに、封止基板４の封止材層３側の表面と封止材層３との界面から水分が侵入し、有機ＥＬ素子の劣化を速めてしまう傾向にある。また、封止材層３の厚みが増す傾向になるので、封止材層３端部の外部に露出している部分から水分が侵入し有機ＥＬ素子の劣化を速めてしまう傾向にある。他方、０．２以上では、封止基板４の封止材層３側の表面の凹凸が大きくなり、相対的に封止材層３の厚みが減少するので、屈曲時に第二電極２０３と封止基板４とが容易に接触して、ショートを十分に抑制できないばかりか、発光品位が低下し易くなる傾向にあり、また、屈曲時に封止基板４表面の凹凸により第二電極２０３に圧力がかかり押され、第一電極２０１が接触することでショートしてしまう傾向にある。また、同様の観点で、より高い効果が得られることから、封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１の算術平均粗さＲａと、封止材層３の厚みｔとの比（Ｒａ／ｔ）は、０．００３～０．０３の範囲にあることが好ましく、０．００５～０．０１の範囲にあることがより好ましい。なお、ここにいう封止材層３の厚みｔは、透明支持基板１の表面からの厚みをいい、透明支持基板１と封止基板４と間の距離と同じ値となる。

　このような封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１の算術平均粗さＲａは０．１～１．０μｍであることが好ましく、０．２～０．５μｍであることがより好ましい。このような表面Ｓ１の算術平均粗さＲａが前記下限未満では封止剤層３に対する密着性が低下してしまうばかりか、熱の放射性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると有機ＥＬ素子を屈曲させた際に、その面の凸部のピークが封止材層を突き破って素子に短絡が生じやすくなるばかりか、封止基材４と第２電極２０３が接触しショートしてしまう傾向にあり、更には、透明支持基板１を介して封止基板４が見えるような構成の素子の場合に、光の反射により低くくすんだ見栄えとなってしまう傾向にある。なお、算術平均粗さＲａが前記上限以下の場合には、透明支持基板１を介して封止基板４が見えるような構成の素子の場合に、透明支持基板１から見える封止基板４の表面Ｓ１の表面粗さが比較的に小さい面となり、意匠性がより向上する傾向にある。

　このような封止基板４の外側の表面Ｓ２の算術平均粗さＲａは、０．２５～３．８μｍであることが好ましく、０．５～２．５μｍであることがより好ましい。このような表面Ｓ２の算術平均粗さＲａが前記下限未満では前記表面Ｓ２の表面積が減少し外部に発光素子部で発熱した熱の放出量が減少し、有機ＥＬ素子が高温となり劣化が促進されてしまう傾向にあり、また、前記外側の表面Ｓ２の表面上に放熱層、或いは伝熱層を設ける場合、放熱層或いは放熱層と前記表面Ｓ２の界面における密着性が低下し剥がれやすくなってしまい、素子が故障し易くなる傾向にある。他方、前記上限を超えると表面Ｓ２にさらに特別な粗化工程を施すこととなり、生産性が低下する傾向にある。

　また、前記算術平均粗さ（ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（１９９４年）により定義される算術平均粗さ）の測定に際しては、例えば、測定装置として接触式段差表面粗さ測定装置を採用して測定してもよい。

　また、封止基板４の封止材層３側の表面Ｓ１のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の十点平均粗さＲｚは、０．４～４．０μｍであることが好ましく、０．８～２．０μｍであることがより好ましい。このような十点平均粗さＲｚが前記下限未満では封止材層３に対する密着性が低下してしまう傾向にあり、他方、前記上限を超えると有機ＥＬ素子を屈曲させた際に、その面の凸部のピークが封止材層を突き破って有機ＥＬ素子に短絡が生じ易くなる傾向にあるばかりか、封止基板４と第二電極２０３とが接触してショートし易くなる傾向にある。

　本発明においては、封止基板４の表面（外側の表面）Ｓ２のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の十点平均粗さＲｚは、１．０～１５μｍであることが好ましく、２～１０μｍであることがより好ましい。このような十点平均粗さＲｚが前記下限未満では前記表面Ｓ２の表面積が減少し外部に発光素子部で発熱した熱の放出量が減少し、有機ＥＬ素子が高温となり劣化が促進されてしまう傾向にあり、また、前記表面Ｓ２表面上に放熱層、或いは伝熱層を設ける場合、放熱層或いは放熱層と前記表面Ｓの界面における密着性が低下し剥がれやすくなってしまい、素子が故障し易くなる傾向にある。他方、前記上限を超えると表面Ｓ２にさらに特別な粗化工程を用いることになり生産性が悪化する傾向にある。

　このような十点平均粗さ（ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（１９９４年）により定義される十点平均粗さ）の測定に際しては、例えば、測定装置として接触式段差表面粗さ測定装置を採用して測定してもよい。

　また、このような封止基板の材料は特に制限されないが、放熱性、加工の容易性の観点から、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金のうちのいずれかの金属材料からなることが好ましい。このような金属材料からなる封止基板としては、例えば、アルミニウム箔（アルミニウムホイル）や銅箔（銅ホイル）等が挙げられる。

　さらに、このような封止基板４の中でも、電解法で作製された銅箔はピンホールがより少なくなり、水蒸気や酸素などが浸入防止の点でより高い効果が得られる傾向にあるといった観点から、電解法で製造された銅箔からなることがより好ましい。すなわち、このような電解法で製造された銅箔（銅ホイル）を封止基板４に用いることで、より効率よく有機ＥＬの封止が可能となり、これにより銅箔のピンホールから水分が侵入して有機ＥＬ素子が劣化することをより十分に抑制することが可能となる。なお、このような電解法としては、特に制限されず、銅箔を製造することが可能な公知の電解法を適宜採用できる。

　また、このような封止基板４の厚みは、特に制限されないが、５～１００μｍとすることが好ましく、８～５０μｍとすることがより好ましい。このような封止基板４の厚みが前記下限未満では、封止基板４の製造時にピンホールの発生を十分に抑制することが困難となり、ピンホールから水分が侵入して有機ＥＬ素子が劣化することをより高い水準で抑制することが困難（ピンホールによろ封止性能が低下する）傾向にあり、他方、前記上限を超えると、封止基板４のフレキシブル性が低下し、その結果として封止基板４のを貼合した有機ＥＬデバイスを曲げた場合の曲率半径が増加し、有機ＥＬ素子のフレキシブル性が低下する傾向にある。

　また、このような封止材層３及び封止基板４を透明支持基板１上に配置する方法としては特に制限されず、公知の方法を適宜採用でき、例えば、透明支持基板１上の発光素子部２を覆うように接着性を有する材料からなる封止材を塗工し、その上に封止基板４を積層し、その後、封止材を固着させて、封止材層３及び封止基板４を透明支持基板１上に積層（配置）する方法を採用してもよい。また、封止基板４上に、封止材からなる層を予め形成しておき、かかる封止材からなる層が形成された封止基板４を、該封止材からなる層が発光素子部２の周囲を覆うことが可能となるようにしながら押し当て、封止材層３及び封止基板４を透明支持基板１上に積層（配置）する方法を採用してもよい。

　また、厚み方向（封止基板４に対して垂直な方向）における封止基板４と発光素子部２との間の距離（発光素子部２と封止基板４との間の封止材層３の厚み：第二電極２０３の封止剤層３と接する面と、封止基板４の面Ｓ１との間の距離）としては、５～１２０μｍであることが好ましく、１０～６０μｍであることがより好ましい。このような封止基板４と発光素子部２との間の距離（発光素子部２と封止基板４との間の封止材層３の厚み）が前記下限未満では、屈曲時に第二電極２０３と封止基板４との接触を必ずしも十分に抑制できず、ショートの発生を十分に抑制することが困難となる傾向にあり、発光品位が低下し易くなる傾向にあり、また、屈曲時に封止基板４表面の凹凸により第二電極２０３に圧力がかかり押され、第一電極２０１が接触することでショートしてしまう傾向にある。他方、前記上限を超えると封止材層の外気と接触する表面が増大して、封止材層の横方向（厚み方向に対して垂直な方向：透明支持基板１の表面に対して平行な方向）からの水蒸気の進入量が多くなり、有機ＥＬ素子の保管寿命の低下をより高い水準で抑制することが困難となる傾向にある。

　以上、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好適な実施形態について、図１及び図２を参照しながら説明したが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は上記実施形態に限定されるものではない。

　例えば、図１に示す実施形態においては、発光素子部２が一対の電極（第一電極２０１、第二電極２０３）及び該電極間に配置されている発光層２０２を備えるものであったが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光素子部２は、本発明の目的及び効果を損なわない範囲であれば、他の層を適宜備えていてもよい。以下、このような他の層について説明する。

　このような有機ＥＬ素子において利用することが可能な一対の電極（第一電極２０１、第二電極２０３）及び発光層２０２以外の他の層としては、有機ＥＬ素子において利用されている公知の層を適宜利用でき、例えば、陰極と発光の間に設ける層、陽極と発光層の間に設ける層が挙げられる。このような陰極と発光層の間に設ける層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。なお、陰極と発光層の間に一層のみ設けた場合、かかる層は電子注入層である。また、陰極と発光層の間に二層以上設けた場合は、陰極に接している層を電子注入層と称し、それ以外の層は電子輸送層と称する。

　このような電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層であり、電子輸送層は、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。なお、前記電子注入層、若しくは、前記電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を正孔ブロック層と称することもある。このような正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、ホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。

　陽極と発光層の間に設ける層としては、いわゆる正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。ここにおいて、陽極と発光層の間に一層のみ設けた場合、かかる層は正孔注入層であり、陽極と発光層の間に二層以上設けた場合は、陽極に接している層を正孔注入層と称し、それ以外の層は正孔輸送層等と称する。このような正孔注入層は、陰極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔注入層又は陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。また、正孔注入層、又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を電子ブロック層と称することがある。なお、電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。

　また、このような他の層を備える発光素子部の構造としては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた構造、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた構造、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた構造等が挙げられる。図１に示す実施形態及びそれ以外の発光素子部の構造としては、例えば、以下のａ）～ｄ）の構造を例示することができる。
ａ）陽極／発光層／陰極　（図１に示す実施形態）
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
　ここで、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、以下において、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

　さらに、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。このようにして、発光素子部に積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設計して用いることができる。

　このような電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた発光素子部（有機ＥＬ素子部）としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた構造のもの、陽極に隣接して電荷注入層を設けた構造のもの等が挙げられる。

　このような発光素子部（有機ＥＬ素子部）の構造としては、例えば、以下のｅ）～ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
　なお、発光層と他の層（例えば、後述する電荷輸送層等）とを積層する場合には、発光層を設ける前に、陽極上に正孔輸送層を形成する、または、発光層を設けた後に電子輸送層を形成することが望ましい。また、これらの他の層の材料は特に制限されず、公知の材料を適宜利用することができ、その製造方法も特に制限されず、公知の方法を適宜利用することができる。例えば、陽極と発光層との間、又は正孔注入層と発光層との間に設けられる層である、正孔輸送層を形成する正孔輸送性材料としては、トリフェニルアミン類、ビス類、ピラゾリン誘導体、ポリフィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネート、スチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。また、このような正孔輸送層の膜厚としては、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。

　また、前記電荷注入層のうちの正孔注入層（陽極と正孔輸送層との間、又は陽極と発光層との間に設けることができる層）を形成する材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　さらに、発光層と陰極との間、または発光層と電子注入層との間に設けることができる層である電子輸送層を形成する材料としては、例えば、オキサジアゾール類、アルミニウムキノリノール錯体など、一般的に安定なラジカルアニオンを形成し、イオン化ポテンシャルの大きい物質が挙げられる。具体的には、１，３，４－オキサジアゾール誘導体、１，２，４－トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体などが挙げられる。電子輸送層の膜厚としては、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。

　また、前記電荷注入層のうちの電子注入層（電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる層である。）としては、例えば、発光層の種類に応じて、Ｃａ層の単層構造からなる電子注入層、または、Ｃａを除いた周期律表ＩＡ族とＩＩＡ族の金属であり且つ仕事関数が１．５～３．０ｅＶの金属およびその金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物の何れか１種または２種以上で形成された層とＣａ層との積層構造からなる電子注入層を設けることができる。仕事関数が１．５～３．０ｅＶの、周期律表ＩＡ族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が１．５～３．０ｅＶの、Ｃａを除いた周期律表ＩＩＡ族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。

　また、上述の本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好適な実施形態において、その素子に用いる透明支持基板１の好適な例として、図２を参照しながらガスバリア性積層フィルムを説明したが、このようなガスバリア性積層フィルムの構成も図２に示す実施形態に制限されるものではなく、薄膜層を更に備えるものであっても、他の積層構造となっているものであってもよい。なお、薄膜層を更に備えるガスバリア性積層フィルムの例としては、例えば、「第一薄膜層／第一基材層／接着剤層／第二薄膜層／第二基材層／第三薄膜層」の順で積層した構造を有するガスバリア性積層フィルムなどが挙げられる（ここにおいて、「／」は各層が積層されていることを示す。）。なお、このような「第一薄膜層／第一基材層／接着剤層／第二薄膜層／第二基材層／第三薄膜層」の順で積層した構造を有するガスバリア性積層フィルムは、例えば、前述の工程（Ａ）において、第二のフィルム部材として基材の両面に薄膜層を形成したものを準備して利用する以外は、前述の工程（Ａ）及び（Ｂ）を含む方法と同様の方法を採用して適宜製造することができる。

　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

　（調製例１）
　〈フィルム部材（Ａ）の調製〉
　真空チャンバー内の真空度を１Ｐａに変更した以外は特開２０１１－７３４３０号公報の実施例１に記載の方法と同様の方法を採用して、２軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、厚み：１００μｍ、幅：３５０ｍｍ、帝人デュポンフィルム（株）製、商品名「テオネックスＱ６５ＦＡ」）からなる基材上にプラズマＣＶＤ法による薄膜形成を行い、厚みが１．２μｍの薄膜層が形成された基材からなる積層フィルム（薄膜層／基材層の順に積層された積層体：以下「フィルム部材（Ａ）」という。）を得た。

　〈フィルム部材（Ｂ）の調製〉
　上述のようにしてフィルム部材（Ａ）を得た後、前記基材の代わりにフィルム部材（Ａ）を用いて、フィルム部材（Ａ）の薄膜層が形成されていない側の表面上に、フィルム部材（Ａ）の調製時に採用した成膜条件と同様の条件を採用して新たに薄膜層を形成して、厚みが１．２μｍの薄膜層が両面に形成された基材からなる積層フィルム（（薄膜層／基材層／薄膜層の順に積層された積層体：以下「フィルム部材（Ｂ）」という。）を得た。

　なお、フィルム部材（Ａ）及び（Ｂ）に形成された薄膜層に対して、下記条件にてＸＰＳデプスプロファイル測定を行い、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を得たところ、各薄膜層の炭素分布曲線は、複数の明確な極値を有しており、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であり、かつ、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、式（１）：
　　（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で示された条件を満たしていることが確認された。
〈ＸＰＳデプスプロファイル測定の条件〉
エッチングイオン種：アルゴン（Ａｒ^＋）
エッチングレート（ＳｉＯ_２熱酸化膜換算値）：０．０５ｎｍ／ｓｅｃ
エッチング間隔（ＳｉＯ_２換算値）：１０ｎｍ
Ｘ線光電子分光装置：Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、機種名「ＶＧ　Ｔｈｅｔａ　Ｐｒｏｂｅ」
照射Ｘ線：単結晶分光ＡｌＫα
Ｘ線のスポット及びそのサイズ：８００×４００μｍの楕円形。

　また、このようなフィルム部材（Ａ）のガスバリア性をカルシウム腐食法（特開２００５－２８３５６１号公報に記載される方法）に準拠した方法で測定した。すなわち、フィルム部材に対して、乾燥処理後、金属カルシウムを蒸着し、その上から金属アルミニウムで封止し、ガラスに固定後、樹脂で封止したサンプルを温度４０℃、湿度９０％ＲＨの条件での腐食点の経時変化による増加を画像解析で調べて水蒸気透過度を算出した。なお、このような水蒸気透過度の算出に際しては、腐食点をマイクロスコープで撮影し、その画像をパーソナルコンピューターに取り込んで、腐食点の画像を２値化し、腐食面積を算出して求めることにより、水蒸気透過度を算出した。その結果、フィルム部材（表面上に薄膜層を成膜した基材）の水蒸気透過度は、１×１０^－５ｇ／ｍ^２／ｄａｙであった。なお、基材（ＰＥＮフィルム）のみからなる試料を用いて、同様に上記カルシウム腐食法（特開２００５－２８３５６１号公報に記載される方法）に準拠した方法でガスバリア性を測定したところ、基材のガスバリア性は１．３ｇ／ｍ^２／ｄａｙであった。このような結果から、「基材の水蒸気透過度」に対して「薄膜層を成膜した基材の水蒸気透過度」の方が２桁以上小さい値を示すことが確認され、フィルム部材中の薄膜層はガスバリア性を有するものであることが確認された。このような結果から、フィルム部材（Ａ）及び（Ｂ）中の薄膜層は、それぞれガスバリア性を有するものであることが分かった。

　〈ガスバリア性積層フィルムの調製〉
　上述のようにして得られたフィルム部材（Ａ）とフィルム部材（Ｂ）とを共に真空オーブン中で１００℃の温度条件で３６０分間乾燥した。その後、前記２枚のフィルム部材を真空オーブンから大気中（気温：２５℃、相対湿度：５０％、重量絶対湿度：１０ｇ／ｋｇ（乾燥空気））に取り出し、接着剤としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂からなる主剤からなる主剤と変性ポリアミドからなる硬化剤との混合により室温（２５℃）で硬化する２液型エポキシ接着剤を用いて、フィルム部材（Ａ）の基材側の表面とフィルム部材（Ｂ）の薄膜層とが向かい合うようにして、ゴム硬度６０のシリコンゴムロールの貼合装置で貼り合わせて、ガスバリア性積層フィルムを得た。ここにおいて、前記２枚のフィルム部材を真空オーブンから取り出して、これらを貼り合せる工程を開始するまでに要した時間は１０分であり、貼り合せに要した時間は１５分であった。このように、乾燥工程後の前記２枚のフィルム部材を真空オーブンから取り出してガスバリア性積層フィルムを形成するまでに合計２５分の時間を要した。このようにして得られたガスバリア性積層フィルムの積層構造は「第一薄膜層／第一基材層／接着剤層／第二薄膜層／第二基材層／第三薄膜層」の順で積層した構造となった。なお、ガスバリア性積層フィルム中の「第一薄膜層／第一基材層」の積層構造部分はフィルム部材（Ａ）に由来する構造であり、「第二薄膜層／第二基材層／第三薄膜層」の積層構造部分はフィルム部材（Ｂ）に由来する構造である。また、このようにして得られたガスバリア性積層フィルムは、上述のようにしてガスバリア性積層フィルムの吸湿性能（前述の吸湿量の割合Ｂｎ）を測定したところ、自重の０．２９質量％の重さの水を吸収して保持することが可能なものであることが確認された。

　（実施例１）
　調製例１で得られたガスバリア性積層フィルム中の前記第一薄膜層（フィルム部材（Ａ）に由来する薄膜層）上に、メタルシャドウマスクを用いて、スパッタリング法にて膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜をパターン成膜した。なお、かかるパターン成膜において、ＩＴＯ膜は、前記ガスバリア性積層フィルムの表面上において２つの領域が形成されるようにパターン成膜され、一方の領域を陰極用の取り出し電極として利用し、他方の領域を陽極（ＩＴＯ電極）として利用した。

　次に、前記ガスバリア性積層フィルムのＩＴＯ膜（ＩＴＯ電極）が形成されている面に対して、ＵＶ－Ｏ_３装置（テクノビジョン社製）を用いてＵＶ－Ｏ_３処理を１５分間行って、ＩＴＯ膜が形成されている面の表面のクリーニング及び表面改質を行った。

　次いで、前記ＩＴＯ膜が形成されている前記ガスバリア性積層フィルムの表面上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ヘレウス社製の商品名「ＡＩ４０８３」）の懸濁液を０．２ミクロン径のフィルターでろ過して得られたろ液を、スピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレート上において１３０℃の温度条件で３０分間乾燥して、前記ＩＴＯ膜上に６５ｎｍの厚みの正孔注入層を形成した。

　次に、有機溶媒のキシレンに発光材料（高分子化合物１）を溶解させたキシレン溶液を準備した。なお、このような発光材料（高分子化合物１）は特開２０１２－１４４７２２号公報の実施例１に記載の組成物１の調製方法と同様の方法により調製した。また、このようなキシレン溶液における高分子化合物１の濃度は１．２質量％とした。

　次いで、ＩＴＯ膜及び正孔注入層が形成された前記ガスバリア性積層フィルムの正孔注入層が形成されている表面上に、大気雰囲気中において、前記キシレン溶液をスピンコート法により塗布して、厚さが８０ｎｍの発光層用の塗布膜を成膜し、その後、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において１３０℃の温度条件で１０分間保持して乾燥させて、正孔注入層上に発光層を積層せしめた。次に、外部電極との接触部（陽極用及び陰極用の取り出し電極の部分）の上に成膜された正孔注入層及び発光層を除去して、前記外部電極との接触可能となるように一部を露出せしめた後、蒸着チャンバーにＩＴＯ膜、正孔注入層及び発光層が形成された前記ガスバリア性積層フィルムを移し、陰極マスクとの位置を調整（アライメント）して、発光層の表面上に陰極を積層しつつ陰極用の取り出し電極の部分に陰極が電気的に接続されるように陰極を成膜するために、マスクと基板を回転させながら陰極を蒸着した。このようにして形成した陰極は、先ず、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）を加熱して蒸着速度約０．５Å／ｓｅｃで厚さ４ｎｍとなるまで蒸着した後に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着速度約４Å／ｓｅｃで厚さ１００ｎｍとなるまで蒸着して積層した構成とした。

　次に、厚みが３５μｍであり、一方の表面（以下、便宜上、場合により単に「第一の表面」という。）は算術平均粗さＲａが０．２５μｍでかつ十点平均粗さＲｚが１μｍである表面粗さを有し、もう一方の表面（以下、便宜上、場合により単に「第二の表面」という。）が算術平均粗さＲａが２．４μｍでかつ十点平均粗さＲｚが９．５μｍである表面粗さを有する銅ホイルを、陰極側に積層後、陰極側から見た場合に、前記陰極や発光層の全体が隠れるような大きさで、かつ、外部電極との接触部（陽極用及び陰極用の取り出し電極の部分）の一部が外部にはみ出すような大きさを有する形状（図３に示すように、電解銅ホイル（封止基板４）を上側から見た場合に、陰極よりも大きな面積を有して陰極が見えなくなるような大きさで、かつ前記ガスバリア性積層フィルム上に形成されている外部との接触部（陽極用及び陰極用の取り出し電極の部分）の一部がそのホイルの外側にはみ出して見えるような大きさを有する形状）にローラーカッターを用いて切り出して、封止基板を準備した。なお、このようにして準備した銅ホイルは縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚み３５μｍのものであった。さらに、このような銅ホイルとしては、電解法により製造した電解銅箔を利用した。

　また、封止材としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂からなる主剤、変性ポリアミドからなる硬化剤との混合により室温（２５℃）で硬化する２液型エポキシ接着剤を準備した。また、前記封止基板（前記銅ホイル）を窒素雰囲気中、１３０℃の温度条件で１５分間加熱して、それらの表面に吸着している水を除去した（乾燥処理を施した）。

　次いで、前記封止材をＩＴＯ膜／正孔注入層／発光層／陰極の積層構造部分からなる発光部を覆うように封止材を塗布し、その封止材の層上に、封止基板と発光層とが向かい合うように封止基板を貼り合せて封止を行った。すなわち、ＩＴＯ膜／正孔注入層／発光層／陰極からなる積層構造部分を覆うように前記封止材（接着剤）を塗布して（ただし、各電極と外部とを電気的に接続することを可能とするための接続部（取り出し電極の部分）の一部は除く。）、窒素中で気泡が入らないようにして、前記陰極形成後の前記ガスバリア性積層フィルムの表面上の封止材（接着剤）の層上に、前記第一の表面（Ｒａが０．２５μｍの表面）が接するように封止基板を貼り合せることで、発光素子部（ＩＴＯ膜／正孔注入層／発光層／陰極の積層構造部分：取り出し電極の一部の部分を除く。）を封止して、有機ＥＬ素子を製造した。なお、このような有機ＥＬ素子はフレキシブルなものであり、図１に示す実施形態の有機ＥＬ素子の発光素子部２に対して、更に、正孔注入層を積層したような構造のもの（図１に示す発光素子部２とは正孔注入層を更に有する点で発光素子部の構成が異なるものの、それ以外は基本的に同様の構成の有機ＥＬ素子）となった。なお、透明支持基板１としては、「第一薄膜層／第一基材層／接着剤層／第二薄膜層／第二基材層／第三薄膜層」の順で積層した構造のガスバリア性積層フィルムを用いている。また、ここにおいて封止材層の厚み（透明支持基板上の高さ）は１０μｍであり、封止基板（銅ホイル）と陰極との間の距離は１０μｍであった。なお、このような有機ＥＬ素子を封止基板側から見た場合の模式図を図３に示す。図３に示すように、実施例１で得られた有機ＥＬ素子を封止基板４側から見ると、透明支持基板１と、陽極２０１の外部に引き出されている部分（外部との接続部分：取り出し電極の部分）と、陰極と外部との接続部（取り出し電極）２０３（ａ）と、封止基板４とが確認できる。このように、本実施例において、封止材及び封止基板を用いた封止に際しては、各電極の取り出し電極の一部が外部と接続可能なような状態にしながら、発光素子部（ＩＴＯ膜／正孔注入層／発光層／陰極からなる積層構造部分）の周囲を覆うようにして封止した（図１及び図３参照）。なお、このような有機ＥＬ素子においては、前記封止基板の封止材層と接触している面の算術平均粗さが封止材層と接触していない面の算術平均粗さよりも小さな値を有し、かつ、封止材層と接触している面の算術平均粗さＲａと、封止材層の厚みｔとの比（Ｒａ／ｔ）が０．０２５となっていた。なお、図３に示すガスバリア性積層フィルム（透明支持基板１）の横方向の長さＸは５０ｍｍであり、封止基板４の横方向の長さＹが４０ｍｍであった。また、本実施例において、発光素子部において発光エリア（発光する部分の面積）の大きさは縦１０ｍｍ、横１０ｍｍであった。

　（比較例１）
　前記封止用積層体の製造時に、前記封止基板の算術平均粗さＲａが０．２５μｍの表面（第一の表面）が接触するように前記封止材層上に前記封止基板を貼り合せる代わりに、前記封止基板の算術平均粗さＲａが２．４μｍの表面（第二の表面）が接触するように前記封止材層上に前記封止基板を貼り合せた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。このような有機ＥＬ素子は、前記封止基板の封止材層と接触している面の算術平均粗さＲａが封止材層と接触していない面の算術平均粗さＲａよりも大きな値を有し、封止材層と接触している面の算術平均粗さＲａと、封止材層の厚みｔとの比（Ｒａ／ｔ）が０．２４となっていた。

　［実施例１及び比較例１で得られた有機ＥＬ素子の特性の評価］
　実施例１及び比較例１で得られた各有機ＥＬ素子に、逆バイアス電圧を印加してから、順バイアス電圧を印加して発光させた。そして、逆バイアス電圧－５Ｖの時の電流密度を測定したところ、実施例１及び比較例１で得られた各有機ＥＬ素子の初期状態のもの（後述の屈曲試験前の状態のもの）は、電流密度はそれぞれ－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２（実施例１）、－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２（比較例１）であった。なお、このような電流密度は測定装置として、直流電電装置とマルチメーターをを用いて電流電圧を測定することで測定した。

　次に、各有機ＥＬ素子を図３に示す長さＸの辺が湾曲するように屈曲させた後に元に戻す工程を１００回繰り返し実施した（屈曲試験）。なお、各有機ＥＬ素子を屈曲させる際には、最大に屈曲させた際の曲率半径が２５ｍｍとなるようにして屈曲させた。

　次いで、このような屈曲試験後の各有機ＥＬ素子を用いて、逆バイアス電圧を印加してから、順バイアス電圧を印加して発光させた。このようにして、逆バイアス電圧－５Ｖの時の電流密度を測定したところ、実施例１及び比較例１で得られた各有機ＥＬ素子は、屈曲試験後の電流密度はそれぞれ、－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２（実施例１）、－０．４ｍＡ／ｃｍ^２以上（比較例１）となっていた。

　このように、実施例１でで得られた有機ＥＬ素子は、電流密度が初期状態において－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２でありかつ屈曲試験後も－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２であることから、屈曲試験の前後において電流密度の値に差がなく（同等の値であり）、短絡による故障（ショート故障）は特に発生していないことが分かった。一方、比較例１で得られた有機ＥＬ素子は、初期状態においては電流密度が－０．２９ｍＡ／ｃｍ^２であるのに対して屈曲試験後においては電流密度が－０．４ｍＡ／ｃｍ^２以上となっていることから、屈曲試験により電流密度が測定誤差を大きく超えるような幅で大きくなっていることが確認され、屈曲試験後に短絡による故障（ショート故障）が発生していることが確認された。また、発光状態を確認したところ、実施例１で得られた有機ＥＬ素子においては屈曲試験の前後においてほぼ同等の発光状態であり、発光品位が十分に維持されているのに対して、比較例１で得られた有機ＥＬ素子においては、発光輝度が低下したり、ダークスポットが発生したりする等、屈曲試験により発光品位を十分に維持することができなかった。

　このような結果から、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（実施例１）においては、屈曲後の短絡（ショート）の発生を十分に抑制することを可能であり、繰り返し屈曲させるような使用環境下においても十分に使用可能であることが確認された。

　以上説明したように、本発明によれば、屈曲後の短絡（ショート）の発生を十分に抑制することを可能とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能となる。

　したがって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、屈曲による故障を十分に抑制可能な、屈曲に対する信頼性の高い素子であるため、例えば、フレキシブルな照明装置、フレキシブルな面状光源、及び、フレキシブルな表示装置等に好適に使用することができる。

　１…透明支持基板、２…発光素子部、３…封止材層、４…封止基板、１００（ａ）…第一の基材層と、１００（ｂ）…第二の基材層、１０１（ａ）…ガスバリア性を有する第一の薄膜層と、１０１（ｂ）…ガスバリア性を有する第二の薄膜層、１０２…接着剤層、２０１…第一電極、２０２…発光層、２０３…第二電極、２０３（ａ）…第二電極の取り出し電極、Ｘ…透明支持基板の横方向の長さ、Ｙ…封止基板の横方向の長さ、Ｓ１及びＳ２…封止基板の表面。

Claims

　フレキシブル性を有する透明支持基板と、
　前記透明支持基板上に配置され、かつ一対の電極及び該電極間に配置されている発光層を備える発光素子部と、
　前記発光素子部を覆って封止するように前記透明支持基板上に配置されている封止材層と、
　前記封止材層上に配置されている封止基板と、
を備えており、
　ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを基準として、前記封止基板の前記封止材層側の表面の表面粗さが、該封止基板のもう一方の表面の表面粗さよりも小さな値を有し、かつ、
　前記封止基板の前記封止材層側の表面の前記算術平均粗さと、前記封止材層の厚みとが、下記式（Ｉ）：
　　０．００２＜（Ｒａ／ｔ）＜０．２　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒａは前記封止基板の前記封止材層側の表面のＪＩＳ　Ｂ　０６０１－１９９４の算術平均粗さを示し、ｔは前記封止材層の厚みを示す。］
に示す条件を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記封止基板の前記封止材層側の表面の算術平均粗さが０．１～１．０μｍである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記封止材層の厚みが５～１２０μｍである、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記封止基板が、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金のうちのいずれかの金属材料からなる、請求項１～３のうちのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記封止基板が、電解法で製造された銅箔からなる、請求項１～４のうちのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。